JP5428315B2 - Electronic components - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品に関し、積層体内にコイルとコンデンサとを内蔵している電子部品に関する。   The present invention relates to an electronic component, and more particularly to an electronic component in which a coil and a capacitor are built in a laminate.

従来の電子部品としては、例えば、特許文献1に記載の積層型LC複合部品が知られている。該積層型LC複合部品は、第1のコイル、第2のコイル及びコンデンサを内蔵する積層体により構成されている。コンデンサは、積層方向において第1のコイルと第2のコイルとに挟まれるように配置されている。そして、積層型LC複合部品では、第1のコイル、第2のコイル及びコンデンサは、T型ノイズフィルタを構成している。したがって、第1のコイルに入力する入力信号の内、必要な信号は、第2のコイルから出力する。一方、入力信号の内、不要な信号(ノイズ)は、コンデンサからグランドへと流れていく。   As a conventional electronic component, for example, a multilayer LC composite component described in Patent Document 1 is known. The multilayer LC composite component is composed of a multilayer body including a first coil, a second coil, and a capacitor. The capacitor is disposed so as to be sandwiched between the first coil and the second coil in the stacking direction. In the multilayer LC composite component, the first coil, the second coil, and the capacitor constitute a T-type noise filter. Therefore, a necessary signal among the input signals input to the first coil is output from the second coil. On the other hand, unnecessary signals (noise) among the input signals flow from the capacitor to the ground.

しかしながら、積層型LC複合部品では、第1のコイルとコンデンサとが隣り合っていると共に、第2のコイルとコンデンサとが隣り合っている。そのため、第1のコイルとコンデンサとの間に浮遊容量が発生し、第1のコイルとコンデンサとが容量結合する。同様に、第2のコイルとコンデンサとの間に浮遊容量が発生し、第2のコイルとコンデンサとが容量結合する。その結果、ノイズが、コンデンサのグランド側の電極から第1のコイル及び第2のコイルへと戻ってしまうという問題があった。
特開2003−152490号公報
However, in the multilayer LC composite component, the first coil and the capacitor are adjacent to each other, and the second coil and the capacitor are adjacent to each other. Therefore, stray capacitance is generated between the first coil and the capacitor, and the first coil and the capacitor are capacitively coupled. Similarly, stray capacitance is generated between the second coil and the capacitor, and the second coil and the capacitor are capacitively coupled. As a result, there is a problem that noise returns from the electrode on the ground side of the capacitor to the first coil and the second coil.
JP 2003-152490 A

そこで、本発明の目的は、コイル及びコンデンサにより構成されるノイズフィルタを内蔵している電子部品において、コンデンサからコイルにノイズが戻ることを抑制することである。   Accordingly, an object of the present invention is to suppress noise from returning from a capacitor to a coil in an electronic component incorporating a noise filter composed of a coil and a capacitor.

本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁層が積層されてなる第1の積層体と、前記第1の積層体に重ねられている第2の積層体と、前記第1の積層体に内蔵され、かつ、複数のコンデンサ導体により構成されているコンデンサと、前記第2の積層体に内蔵され、かつ、前記コンデンサと共にノイズフィルタを構成しているコイルと、を備え、前記第1の積層体において、前記コンデンサと前記第2の積層体とに挟まれている前記絶縁層の少なくとも一部は、前記複数のコンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層よりも低い比誘電率を有しており、前記第1の積層体において、前記コンデンサは、前記コンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層よりも低い比誘電率を有する前記絶縁層により積層方向の両側から挟まれており、前記複数のコンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層は、Al 2 3 −Ba 2 Ti 4 12 −CeO 2 −ガラスにより作製され、前記コンデンサを積層方向の両側から挟んでいる前記絶縁層は、Al 2 3 −CeO 2 −ガラスにより作製されていること、を特徴とする。 An electronic component according to an aspect of the present invention includes a first stacked body in which a plurality of insulating layers are stacked, a second stacked body stacked on the first stacked body, and the first stacked body. A capacitor that is built in the body and configured by a plurality of capacitor conductors, and a coil that is built in the second laminated body and forms a noise filter together with the capacitor. In the multilayer body, at least a part of the insulating layer sandwiched between the capacitor and the second multilayer body has a lower relative dielectric constant than the insulating layer sandwiched between the plurality of capacitor conductors. In the first laminated body, the capacitor is sandwiched from both sides in the stacking direction by the insulating layer having a lower relative dielectric constant than the insulating layer sandwiched between the capacitor conductors, plural The insulating layer interposed capacitor conductors, Al 2 O 3 -Ba 2 Ti 4 O 12 -CeO 2 - made of glass, the insulating layer sandwiching said capacitor from opposite sides of the stacking direction, Al 2 It is characterized by being made of O 3 —CeO 2 —glass .

本発明によれば、コイル及びコンデンサにより構成されるノイズフィルタを内蔵している電子部品において、コンデンサからコイルにノイズが戻ることを抑制できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the electronic component incorporating the noise filter comprised by a coil and a capacitor | condenser, it can suppress that a noise returns from a capacitor | condenser to a coil.

以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, an electronic component according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

(電子部品の構成について)
図1は、一実施形態に係る電子部品10の外観斜視図である。図2は、一実施形態に係る積層体12の分解斜視図である。図3は、電子部品10の等価回路図である。以下、電子部品10の積層方向をz軸方向と定義し、電子部品10の長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、電子部品10の短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。
(About the configuration of electronic components)
FIG. 1 is an external perspective view of an electronic component 10 according to an embodiment. FIG. 2 is an exploded perspective view of the laminate 12 according to the embodiment. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the electronic component 10. Hereinafter, the stacking direction of the electronic component 10 is defined as the z-axis direction, the direction along the long side of the electronic component 10 is defined as the x-axis direction, and the direction along the short side of the electronic component 10 is defined as the y-axis direction. To do.

図1に示す電子部品10は、積層体12、外部電極18a,18b,20及び接続電極22を備えている。また、積層体12は、直方体形状を有し、積層体14と積層体16とが積層されて構成されている。   The electronic component 10 shown in FIG. 1 includes a laminate 12, external electrodes 18 a, 18 b, 20 and a connection electrode 22. Moreover, the laminated body 12 has a rectangular parallelepiped shape, and is configured by laminating the laminated body 14 and the laminated body 16.

積層体14は、LTCC(Low Temperature Co−fired Ceramics)基板である。積層体14について、図2を参照しながら詳細に説明する。   The stacked body 14 is an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate. The laminate 14 will be described in detail with reference to FIG.

積層体14は、コンデンサCを内蔵しており、絶縁層32a〜32e,33a〜33c,34a〜34dにより構成されている。また、コンデンサCは、コンデンサ導体50a〜50fにより構成されている。   The laminated body 14 has a built-in capacitor C, and is composed of insulating layers 32a to 32e, 33a to 33c, and 34a to 34d. The capacitor C is composed of capacitor conductors 50a to 50f.

絶縁層32a〜32eは、SiO2を主成分としている誘電体材料(本実施形態では、Al23−Ba2Ti412−CeO2−ガラス)からなる矩形状の層であり、10以上の比誘電率を有している。なお、絶縁層32a〜32eは、5枚記載されているが、5枚以上であってもよい。そのため、図2では、絶縁層32cと絶縁層32dとの間を点線で繋いで、絶縁層32cと絶縁層32dとの間に更なる絶縁層32が設けられていてもよいことを示している。絶縁層32a〜32eは、積層された状態において、250μmの厚みを有していることが望ましい。 Insulating layer 32a~32e (in the present embodiment, Al 2 O 3 -Ba 2 Ti 4 O 12 -CeO 2 - glass) dielectric materials that are mainly composed of SiO 2 is a rectangular layer made of, 10 It has the above dielectric constant. In addition, although the five insulating layers 32a-32e are described, five or more may be sufficient. Therefore, in FIG. 2, the insulating layer 32c and the insulating layer 32d are connected with a dotted line, and it is shown that the further insulating layer 32 may be provided between the insulating layer 32c and the insulating layer 32d. . The insulating layers 32a to 32e desirably have a thickness of 250 μm in the stacked state.

絶縁層33a〜33cは、積層体14において、コンデンサCと積層体16との間に挟まれるように設けられている。すなわち、絶縁層33a〜33cは、絶縁層32aのz軸方向の正方向側に設けられている。該絶縁層33a〜33cは、SiO2を主成分としている誘電体材料(本実施形態では、Al23−CeO2−ガラス)からなる矩形状の層であり、絶縁層32a〜32eよりも低い比誘電率(本実施形態では、10以下)を有している。絶縁層33a〜33cは、積層された状態において、25μmの厚みを有していることが望ましい。 The insulating layers 33 a to 33 c are provided in the multilayer body 14 so as to be sandwiched between the capacitor C and the multilayer body 16. That is, the insulating layers 33a to 33c are provided on the positive side of the insulating layer 32a in the z-axis direction. The insulating layers 33a to 33c are rectangular layers made of a dielectric material (in this embodiment, Al 2 O 3 —CeO 2 —glass) whose main component is SiO 2 , and are more than the insulating layers 32a to 32e. It has a low relative dielectric constant (in this embodiment, 10 or less). The insulating layers 33a to 33c desirably have a thickness of 25 μm in the stacked state.

絶縁層34a〜34dは、積層体14において、コンデンサCよりもz軸方向の負方向側に設けられている。すなわち、絶縁層33a〜33cは、絶縁層32eよりもz軸方向の負方向側に設けられている。該絶縁層34a〜34dは、SiO2を主成分としている誘電体材料(本実施形態では、Al23−CeO2−ガラス)からなる矩形状の層であり、絶縁層32a〜32eよりも低い比誘電率(本実施形態では、10以下)を有している。絶縁層34a〜34dは、積層された状態において、20μmの厚みを有していることが望ましい。 The insulating layers 34 a to 34 d are provided on the negative side in the z-axis direction from the capacitor C in the stacked body 14. That is, the insulating layers 33a to 33c are provided on the negative direction side in the z-axis direction with respect to the insulating layer 32e. The insulating layers 34a to 34d are rectangular layers made of a dielectric material (in this embodiment, Al 2 O 3 —CeO 2 —glass) whose main component is SiO 2 , and are more than the insulating layers 32a to 32e. It has a low relative dielectric constant (in this embodiment, 10 or less). The insulating layers 34a to 34d desirably have a thickness of 20 μm in the stacked state.

コンデンサ導体50a〜50fはそれぞれ、絶縁層32a〜32e,34aの主面上に、例えば、Ag又はPdを主成分とした導電性材料により形成される。コンデンサ導体50a〜50fはそれぞれ、矩形状を有しており、引き出し部52a〜52fを有している。引き出し部52a〜52fは、y軸方向の正方向側の辺とy軸方向の負方向側の辺とに交互に引き出されている。コンデンサ導体50a〜50fは、絶縁層32a〜32e,34aがz軸方向の正方向側からこの順に積層されることにより、z軸方向に対向するもの同士でコンデンサCを構成している。これにより、絶縁層32a〜32eは、コンデンサ導体50a〜50fにより挟まれている。更に、コンデンサCは、絶縁層32a〜32eよりも低い比誘電率を有する絶縁層33a〜33cと絶縁層34a〜34dによりz軸方向の両側から挟まれている。   Capacitor conductors 50a to 50f are respectively formed on the main surfaces of the insulating layers 32a to 32e and 34a by a conductive material mainly composed of Ag or Pd, for example. Each of the capacitor conductors 50a to 50f has a rectangular shape, and has lead portions 52a to 52f. The lead-out portions 52a to 52f are alternately drawn out to the side on the positive direction side in the y-axis direction and the side on the negative direction side in the y-axis direction. The capacitor conductors 50a to 50f are stacked in this order from the positive side in the z-axis direction so that the insulating layers 32a to 32e and 34a are stacked in this order, thereby constituting the capacitor C. Thereby, the insulating layers 32a to 32e are sandwiched between the capacitor conductors 50a to 50f. Further, the capacitor C is sandwiched from both sides in the z-axis direction by insulating layers 33a to 33c and insulating layers 34a to 34d having a relative dielectric constant lower than that of the insulating layers 32a to 32e.

積層体16は、積層体14上に重ねられ、z軸方向から平面視したときに、積層体14よりも小さくなるように形成されている。以下に、積層体16について、図2を参照しながら詳細に説明する。   The stacked body 16 is stacked on the stacked body 14 and is formed to be smaller than the stacked body 14 when viewed in plan from the z-axis direction. Below, the laminated body 16 is demonstrated in detail, referring FIG.

積層体16は、コイルL1,L2を内蔵しており、絶縁層30a〜30gにより構成されている。また、コイルL1,L2はそれぞれ、コイル導体40a〜40d,44a〜44d及びビアホール導体b1〜b3,b4〜b6により構成され、コンデンサCと共にT型LCノイズフィルタを構成している。   The laminated body 16 incorporates the coils L1 and L2, and is composed of insulating layers 30a to 30g. The coils L1 and L2 are respectively composed of coil conductors 40a to 40d, 44a to 44d and via-hole conductors b1 to b3 and b4 to b6, and constitute a T-type LC noise filter together with the capacitor C.

絶縁層30a〜30gは、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁性材料からなる矩形状の層である。該絶縁層30a〜30gは、z軸方向から平面視した場合に、積層体14よりも小さく形成されている。これにより、積層体14は、絶縁層30a〜30gの四辺からはみ出した状態となっている。   The insulating layers 30a to 30g are rectangular layers made of an insulating material such as polyimide resin, for example. The insulating layers 30a to 30g are formed smaller than the stacked body 14 when viewed in plan from the z-axis direction. Thereby, the laminated body 14 is in a state of protruding from the four sides of the insulating layers 30a to 30g.

コイル導体40a〜40dはそれぞれ、絶縁層30d〜30gの主面上に、例えば、Ag又はPdを主成分とした導電性材料により形成される。同様に、コイル導体44a〜44dはそれぞれ、絶縁層30d〜30gの主面上に、コイル導体40a〜40dとx軸方向に並ぶように、例えば、Ag又はPdを主成分とした導電性材料により形成される。コイル導体40a〜40d,44a〜44dは、それぞれ線状電極が折り曲げられることによって、渦巻き形状をなしている。   For example, the coil conductors 40a to 40d are formed on the main surfaces of the insulating layers 30d to 30g by using a conductive material mainly composed of Ag or Pd, for example. Similarly, the coil conductors 44a to 44d are made of, for example, a conductive material mainly composed of Ag or Pd so as to be aligned with the coil conductors 40a to 40d in the x-axis direction on the main surfaces of the insulating layers 30d to 30g. It is formed. Each of the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d has a spiral shape by bending the linear electrode.

コイル40a,44aはそれぞれ、その一端において引き出し部42a,46aを有している。引き出し部42aは、x軸方向の負方向側の辺に引き出されており、引き出し部46aは、x軸方向の正方向側の辺に引き出されている。コイル導体40dとコイル44dとの間には、引き出し部48が設けられている。引き出し部48の一端は、y軸方向の正方向側の辺に引き出されている。   Each of the coils 40a and 44a has lead portions 42a and 46a at one end thereof. The lead-out part 42a is drawn out to the side on the negative direction side in the x-axis direction, and the lead-out part 46a is drawn out to the side on the positive direction side in the x-axis direction. A lead portion 48 is provided between the coil conductor 40d and the coil 44d. One end of the drawing portion 48 is drawn to the side on the positive direction side in the y-axis direction.

ビアホール導体b1〜b3はそれぞれ、絶縁層30d〜30fをz軸方向に貫通するように形成されている。同様に、ビアホール導体b4〜b6もそれぞれ、絶縁層30d〜30fをz軸方向に貫通するように形成されている。   The via-hole conductors b1 to b3 are formed so as to penetrate the insulating layers 30d to 30f in the z-axis direction, respectively. Similarly, the via-hole conductors b4 to b6 are also formed so as to penetrate the insulating layers 30d to 30f in the z-axis direction, respectively.

コイル導体40a〜40dは、絶縁層30a〜30gがz軸方向の正方向側からこの順に積層されることにより、隣り合うもの同士でビアホール導体b1〜b3により接続されて、コイルL1を構成している。同様に、コイル導体44a〜44dは、絶縁層30a〜30gがz軸方向の正方向側からこの順に積層されることにより、隣り合うもの同士でビアホール導体b4〜b6により接続されて、コイルL2を構成している。そして、コイルL1とコイルL2とは、引き出し部48を介して図3に示すように直列接続されている。   The coil conductors 40a to 40d are laminated in this order from the positive side in the z-axis direction in the insulating layers 30a to 30g, so that adjacent ones are connected by via-hole conductors b1 to b3 to form the coil L1. Yes. Similarly, the coil conductors 44a to 44d are laminated in this order from the positive side in the z-axis direction in the insulating layers 30a to 30g, so that the adjacent ones are connected by the via-hole conductors b4 to b6, and the coil L2 is connected. It is composed. And the coil L1 and the coil L2 are connected in series via the drawer | drawing-out part 48 as shown in FIG.

外部電極18a,18bはそれぞれ、図1に示すように、積層体12のx軸方向の両端の側面に形成され、図2に示す引き出し部42a,44aと電気的に接続されている。外部電極20は、図1に示すように、積層体12のy軸方向の負方向側の側面に形成され、図2に示す引き出し部52a,52c,52eと電気的に接続されている。接続電極22は、図1に示すように、積層体12のy軸方向の正方向側の側面に形成され、図2に示す引き出し部48,52b,52d,52fと電気的に接続されている。これにより、コンデンサCは、接続電極22により、コイルL1とコイルL2との間に接続されるようになる。その結果、電子部品10は、図3に示すようなT型LCノイズフィルタを構成するようになる。   As shown in FIG. 1, the external electrodes 18a and 18b are respectively formed on the side surfaces at both ends in the x-axis direction of the multilayer body 12, and are electrically connected to the lead portions 42a and 44a shown in FIG. As shown in FIG. 1, the external electrode 20 is formed on the side surface on the negative side in the y-axis direction of the multilayer body 12, and is electrically connected to the lead portions 52a, 52c, and 52e shown in FIG. As shown in FIG. 1, the connection electrode 22 is formed on the side surface on the positive side in the y-axis direction of the multilayer body 12, and is electrically connected to the lead portions 48, 52b, 52d, and 52f shown in FIG. . Thereby, the capacitor C is connected between the coil L1 and the coil L2 by the connection electrode 22. As a result, the electronic component 10 forms a T-type LC noise filter as shown in FIG.

電子部品10がT型LCノイズフィルタとして動作する場合には、外部電極18a,18bが信号電極として機能し、外部電極20がグランド電極として機能する。すなわち、外部電極18a,18bには、相対的に高い電位が印加され、外部電極20には、相対的に低い電位(接地電位)が印加される。   When the electronic component 10 operates as a T-type LC noise filter, the external electrodes 18a and 18b function as signal electrodes, and the external electrode 20 functions as a ground electrode. That is, a relatively high potential is applied to the external electrodes 18a and 18b, and a relatively low potential (ground potential) is applied to the external electrode 20.

(効果)
以上のように構成された電子部品10によれば、以下に説明するように、コンデンサCからコイルL1,L2にノイズが戻ることを抑制できる。より詳細には、図2に示すように、コイル導体40d,44dとコンデンサ導体50aとの間に設けられている絶縁層33a〜33cは、コンデンサ導体50a〜50fの間に設けられている絶縁層32a〜32eよりも低い比誘電率を有している。そのため、電子部品10では、絶縁層33a〜33cの比誘電率と絶縁層32a〜32eの比誘電率とが等しい場合に比べて、コンデンサCとコイルL1,L2との間に発生する浮遊容量が小さくなる。その結果、コンデンサ導体50a,50c,50eからコイルL1,L2へとノイズが戻ることが抑制される。
(effect)
According to the electronic component 10 configured as described above, noise can be prevented from returning from the capacitor C to the coils L1 and L2, as described below. More specifically, as shown in FIG. 2, the insulating layers 33a to 33c provided between the coil conductors 40d and 44d and the capacitor conductor 50a are insulating layers provided between the capacitor conductors 50a to 50f. It has a relative dielectric constant lower than 32a to 32e. Therefore, in the electronic component 10, the stray capacitance generated between the capacitor C and the coils L1 and L2 is larger than that in the case where the relative dielectric constants of the insulating layers 33a to 33c are equal to the relative dielectric constant of the insulating layers 32a to 32e. Get smaller. As a result, noise is suppressed from returning from the capacitor conductors 50a, 50c, and 50e to the coils L1 and L2.

また、電子部品10では、絶縁層33a〜33c,34a〜34dは、めっき時にめっき液に溶出し易いBaを含んでいないので、絶縁層32a〜32eに比べて耐めっき性に優れている。よって、絶縁層33a〜33c,34a〜34dがめっき時に溶け出して、コンデンサ導体50が露出することが防止される。   Moreover, in the electronic component 10, since the insulating layers 33a to 33c and 34a to 34d do not contain Ba that easily elutes into the plating solution during plating, the insulating layers 33a to 33c and 34a to 34d have better plating resistance than the insulating layers 32a to 32e. Therefore, it is prevented that the insulating layers 33a to 33c and 34a to 34d are melted during plating and the capacitor conductor 50 is exposed.

本願発明者は、電子部品10が奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、以下に説明する仕様のモデルにおいて、絶縁層32a〜32e,33a〜33c,34a〜34dの比誘電率を変化させて、周波数と挿入損失との関係を調べた。   The inventor of the present application performed a computer simulation described below in order to clarify the effect of the electronic component 10. Specifically, in the model of the specification described below, the relative permittivity of the insulating layers 32a to 32e, 33a to 33c, and 34a to 34d was changed, and the relationship between the frequency and the insertion loss was examined.

モデルの仕様
コイル導体40a〜40d,44a〜44dの層数:4
コイル導体40a〜40d,44a〜44dの線幅:16μm
コイル導体40a〜40d,44a〜44dの線間の幅:15μm
積層体16のサイドギャップ:65μm
コイルL1,L2の間隔:50μm
コンデンサ導体50a〜50fの枚数:20
積層体14のサイドギャップ:125μm
Model specifications Number of coil conductors 40a to 40d, 44a to 44d: 4
Coil conductors 40a to 40d, 44a to 44d line width: 16 μm
Width between lines of the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d: 15 μm
Side gap of laminate 16: 65 μm
Distance between coils L1 and L2: 50 μm
Number of capacitor conductors 50a to 50f: 20
Side gap of laminate 14: 125 μm

以上のような仕様のモデルにおいて、以下の表1に示すように比誘電率を組み合わせて第1のモデル〜第8のモデルとした。   In the model with the above specifications, the first to eighth models were obtained by combining the relative dielectric constants as shown in Table 1 below.

Figure 0005428315
Figure 0005428315

図4は、第1のモデル及び第2のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。図5は、第3のモデル及び第4のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。図6は、第5のモデル及び第6のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。図7は、第7のモデル及び第8のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。図4ないし図7において、縦軸は挿入損失を示し、横軸は周波数を示す。   FIG. 4 is a graph showing the relationship between frequency and insertion loss in the first model and the second model. FIG. 5 is a graph showing the relationship between frequency and insertion loss in the third model and the fourth model. FIG. 6 is a graph showing the relationship between frequency and insertion loss in the fifth model and the sixth model. FIG. 7 is a graph showing the relationship between frequency and insertion loss in the seventh model and the eighth model. 4 to 7, the vertical axis indicates insertion loss, and the horizontal axis indicates frequency.

図6及び図7のグラフによれば、絶縁層33,34の比誘電率を絶縁層32の比誘電率よりも小さくすることにより、挿入損失が大きくなっていることが分かる。すなわち、絶縁層33,34の比誘電率を絶縁層32の比誘電率よりも小さくすることにより、ノイズが効率よく除去されていることが分かる。これは、コンデンサ導体50a,50c,50eからコイルL1,L2へとノイズが戻ることが抑制されていることを意味している。   According to the graphs of FIGS. 6 and 7, it can be seen that the insertion loss is increased by making the dielectric constant of the insulating layers 33 and 34 smaller than the dielectric constant of the insulating layer 32. That is, it can be seen that noise is efficiently removed by making the dielectric constants of the insulating layers 33 and 34 smaller than the dielectric constant of the insulating layer 32. This means that noise is prevented from returning from the capacitor conductors 50a, 50c, and 50e to the coils L1 and L2.

また、図4ないし図7を比較すると、絶縁層33,34の比誘電率を8とした場合には、絶縁層32の比誘電率を60以上にすれば、より効果的にノイズが除去されていることが分かる。したがって、絶縁層33,34の比誘電率を8とした場合には、絶縁層32の比誘電率は、60以上であることが望ましい。   4 to 7, when the relative dielectric constant of the insulating layers 33 and 34 is 8, if the relative dielectric constant of the insulating layer 32 is 60 or more, noise is more effectively removed. I understand that Therefore, when the dielectric constant of the insulating layers 33 and 34 is 8, the dielectric constant of the insulating layer 32 is desirably 60 or more.

(製造方法)
以下に、電子部品10の製造方法について図面を参照しながら説明する。以下では、1個分の電子部品10の製造工程について説明するが、実際には、複数の電子部品10がマトリクス状に配置された状態で一括して製造されている。図8は、電子部品のマザー積層体をz軸方向から平面視した図である。
(Production method)
Below, the manufacturing method of the electronic component 10 is demonstrated, referring drawings. In the following, the manufacturing process of one electronic component 10 will be described, but actually, a plurality of electronic components 10 are manufactured collectively in a state of being arranged in a matrix. FIG. 8 is a plan view of a mother laminate of electronic components from the z-axis direction.

まず、図2に示す積層体14を作製する。より詳細には、Al23とCeO3とCa−Al−B−Si系ガラス粉末とを原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。 First, the laminated body 14 shown in FIG. 2 is produced. More specifically, Al 2 O 3 , CeO 3 and Ca—Al—B—Si glass powder are used as raw materials in a ball mill, and wet blending is performed. The obtained mixture is dried and pulverized, and the obtained powder is calcined. The obtained calcined powder is wet pulverized by a ball mill, dried and crushed to obtain a ceramic powder.

このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁層32a〜32eとなるべきセラミックグリーンシートを得る。   A binder, a plasticizer, a wetting material, and a dispersant are added to the ceramic powder, and the mixture is mixed with a ball mill, and then defoamed under reduced pressure. The obtained ceramic slurry is formed into a sheet by the doctor blade method and dried to obtain ceramic green sheets to be the insulating layers 32a to 32e.

次に、Al23とCeO3とCa−Al−B−Si系ガラス粉末とを原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、セラミック粉末を得る。 Next, Al 2 O 3 , CeO 3 and Ca—Al—B—Si glass powder are used as raw materials in a ball mill, and wet blending is performed. The obtained mixture is dried and pulverized, and the obtained powder is calcined. The obtained calcined powder is wet pulverized by a ball mill, dried and crushed to obtain a ceramic powder.

このセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、絶縁層33a〜33c,34a〜34dとなるべきセラミックグリーンシートを得る。   A binder, a plasticizer, a wetting material, and a dispersant are added to the ceramic powder, and the mixture is mixed with a ball mill, and then defoamed under reduced pressure. The obtained ceramic slurry is formed into a sheet shape by a doctor blade method and dried to obtain ceramic green sheets to be the insulating layers 33a to 33c and 34a to 34d.

次に、絶縁層32a〜32e,34aとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ag,Pd,Cu,Auやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コンデンサ導体50a〜50fを形成する。   Next, a conductive paste mainly composed of Ag, Pd, Cu, Au or an alloy thereof is applied to the ceramic green sheets to be the insulating layers 32a to 32e, 34a by a method such as a screen printing method or a photolithography method. The capacitor conductors 50a to 50f are formed by coating with the above.

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、z軸方向の正方向側から順に絶縁層33a〜33c,32a〜32e,34a〜34dを重ねて静水圧プレスなどにより圧着を行う。この後、焼成を施して、積層体14のマザー積層体が得られる。   Next, each ceramic green sheet is laminated. Specifically, the insulating layers 33a to 33c, 32a to 32e, and 34a to 34d are sequentially stacked from the positive direction side in the z-axis direction, and pressure bonding is performed by a hydrostatic press or the like. Thereafter, firing is performed to obtain a mother laminated body of the laminated body 14.

次に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層30gを、積層体14上にフォトリソグラフィにより形成する。次に、絶縁層30g上にコイル導体40d,44dを形成する。具体的には、絶縁層30g上に、Ag又はPdを主成分とした導電性材料からなる導電層をスパッタリングや蒸着等のドライめっき法により形成する。次に、導電層上に感光性レジストを塗布、乾燥した後、この感光性レジストにマスクフィルムを当てて所望の部分を露光する。次に、感光性レジストを現像し、導電層の不要な部分が露出した形状を有するレジストパターンを形成する。最後に、露出した部分の導電層をエッチングにて除去した後、レジストパターンを除去することにより、図2に示すように、コイル導体40d,44dを形成する。   Next, an insulating layer 30g made of polyimide resin is formed on the laminate 14 by photolithography. Next, the coil conductors 40d and 44d are formed on the insulating layer 30g. Specifically, a conductive layer made of a conductive material mainly composed of Ag or Pd is formed on the insulating layer 30g by a dry plating method such as sputtering or vapor deposition. Next, after applying and drying a photosensitive resist on the conductive layer, a desired film is exposed by applying a mask film to the photosensitive resist. Next, the photosensitive resist is developed to form a resist pattern having a shape in which unnecessary portions of the conductive layer are exposed. Finally, after removing the exposed conductive layer by etching, the resist pattern is removed to form coil conductors 40d and 44d as shown in FIG.

次に、図2に示すように、ポリイミド樹脂からなる絶縁層30fを、絶縁層30g及びコイル導体40d,44d上にフォトリソグラフィにより形成する。この際、絶縁層30fのビアホール導体b3,b6が形成されるべき位置に、ビアホールを形成する。   Next, as shown in FIG. 2, an insulating layer 30f made of polyimide resin is formed on the insulating layer 30g and the coil conductors 40d and 44d by photolithography. At this time, via holes are formed at positions where the via hole conductors b3 and b6 of the insulating layer 30f are to be formed.

次に、絶縁層30f上にコイル導体40c,44cを形成する。具体的には、絶縁層30f上に、導電層をドライめっき法により形成する。この際、ビアホールに導電性材料が充填され、ビアホール導体b3,b6が形成される。この後、この導電層には、レジストパターンの形成、エッチング、レジストパターンの除去及びフォトリソグラフィが行われる。これらの処理については、既に説明したものと同じであるので説明を省略する。これにより、コイル導体40c,44c及び絶縁層30eが、絶縁層30f上に形成される。更に、同様の処理が繰り返されて、コイル導体40a,40b,44a,44b及び絶縁層30dが形成される。この後、コイル導体40a,44a及び絶縁層30d上にポリイミド樹脂からなる絶縁層30a〜30cが形成される。   Next, coil conductors 40c and 44c are formed on the insulating layer 30f. Specifically, a conductive layer is formed on the insulating layer 30f by a dry plating method. At this time, the via hole is filled with a conductive material, and via hole conductors b3 and b6 are formed. Thereafter, the conductive layer is subjected to resist pattern formation, etching, resist pattern removal, and photolithography. Since these processes are the same as those already described, description thereof will be omitted. Thereby, the coil conductors 40c and 44c and the insulating layer 30e are formed on the insulating layer 30f. Further, the same processing is repeated to form the coil conductors 40a, 40b, 44a, 44b and the insulating layer 30d. Thereafter, insulating layers 30a to 30c made of polyimide resin are formed on the coil conductors 40a and 44a and the insulating layer 30d.

この後、積層体12のマザー積層体がダイサーによりカットされて、個々の積層体12に切り離される。この際、図8の点線部分に示すように、ダイサーが絶縁層30a〜30gが形成されていない部分を通過するように、マザー積層体をカットする。更に、カットした積層体12に対してバレルを施す。これにより、積層体12の角の面取りが行われる。   Thereafter, the mother laminated body of the laminated body 12 is cut by a dicer and separated into individual laminated bodies 12. At this time, as shown by a dotted line portion in FIG. 8, the mother laminated body is cut so that the dicer passes through a portion where the insulating layers 30 a to 30 g are not formed. Further, a barrel is applied to the cut laminate 12. Thereby, the corners of the laminate 12 are chamfered.

最後に、外部電極18a,18b,20及び接続電極22を形成する。具体的には、Ag及び樹脂からなる導電性ペーストを塗布し、硬化させて銀電極を形成する。次に、銀電極上にNiめっき及びSnめっきを施して、外部電極18a,18b,20及び接続電極22が形成される。以上の工程を経て、電子部品10が完成する。   Finally, the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22 are formed. Specifically, a conductive paste made of Ag and resin is applied and cured to form a silver electrode. Next, Ni plating and Sn plating are performed on the silver electrode to form the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22. The electronic component 10 is completed through the above steps.

以上のように、電子部品10のコイル導体40a〜40d,44a〜44dは、フォトリソグラフィにより作製される。フォトリソグラフィを用いることにより、線幅の狭いコイル導体40a〜40d,44a〜44dを形成できるようになる。その結果、コイル導体40a〜40d,44a〜44dの巻数を多くすることができ、電子部品10の積層数を抑えることが可能となる。   As described above, the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d of the electronic component 10 are produced by photolithography. By using photolithography, coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d having a narrow line width can be formed. As a result, the number of turns of the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d can be increased, and the number of stacked electronic components 10 can be suppressed.

また、積層体12に対してバレルを施して、積層体12の角の面取りを行っているので、外部電極18a,18b,20及び接続電極22が積層体12の角において剥離することが抑制される。   Further, since the laminated body 12 is barreled and the corners of the laminated body 12 are chamfered, the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrodes 22 are prevented from being peeled off at the corners of the laminated body 12. The

また、絶縁層30a〜30gは、z軸方向から見たときに、積層体14よりも小さく形成されている。これにより、外部電極18a,18b,20及び接続電極22が、積層体12から剥がれることを効果的に抑制できる。以下に、図8及び図9を用いて説明する。図9は、電子部品10の積層体12の角近傍の拡大図である。   In addition, the insulating layers 30a to 30g are formed smaller than the stacked body 14 when viewed from the z-axis direction. Thereby, it can suppress effectively that external electrode 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22 peel from the laminated body 12. FIG. This will be described below with reference to FIGS. FIG. 9 is an enlarged view of the vicinity of the corner of the multilayer body 12 of the electronic component 10.

絶縁層30a〜30gを積層体12の全面に形成して、ダイサーによりカットした場合には、絶縁層30a〜30gのカット面においてポリイミドのひげが発生する。このようなポリイミドのひげが発生すると、精度よく外部電極18a,18b,20及び接続電極22を形成することが困難である。   When the insulating layers 30a to 30g are formed on the entire surface of the laminate 12 and cut with a dicer, a polyimide whisker is generated on the cut surfaces of the insulating layers 30a to 30g. When such polyimide whiskers occur, it is difficult to form the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22 with high accuracy.

これに対して、電子部品10では、ダイサーが通過する部分には、図8及び図9に示すように、絶縁層30a〜30gが形成されていない。そのため、電子部品10を切り分ける際に、前記のようなポリイミドのひげが発生しない。これにより、外部電極18a,18b,20及び接続電極22を精度よく形成することが可能となる。その結果、電子部品10において、外部電極18a,18b,20及び接続電極22が剥離することが抑制される。   On the other hand, in the electronic component 10, as shown in FIG.8 and FIG.9, the insulating layers 30a-30g are not formed in the part which a dicer passes. Therefore, when the electronic component 10 is carved, the polyimide beard as described above does not occur. Thereby, the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22 can be formed with high accuracy. As a result, in the electronic component 10, the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22 are suppressed from peeling off.

また、電子部品10では、樹脂を含んだ導電性ペーストを用いて外部電極18a,18b,20及び接続電極22を形成している。外部電極18a,18b,20及び接続電極22は、樹脂(ポリイミド)からなる絶縁層30a〜30g上にも形成されるので、絶縁層30a〜30gとの密着性がよい。そのため、電子部品10において、外部電極18a,18b,20及び接続電極22が剥離することが抑制される。   In the electronic component 10, the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22 are formed using a conductive paste containing resin. Since the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22 are also formed on the insulating layers 30a to 30g made of resin (polyimide), the adhesion with the insulating layers 30a to 30g is good. Therefore, in the electronic component 10, the external electrodes 18a, 18b, 20 and the connection electrode 22 are suppressed from peeling off.

また、積層体14の表面の凹凸を15μm以下とすることにより、フォトリソグラフィにより絶縁層30やコイル導体40,44を精度良く形成できる。   Further, by setting the unevenness of the surface of the laminate 14 to 15 μm or less, the insulating layer 30 and the coil conductors 40 and 44 can be formed with high accuracy by photolithography.

(その他の実施形態)
ところで、電子部品10がT型LCノイズフィルタとして動作する場合には、外部電極18a,18bが信号電極として機能し、外部電極20がグランド電極として機能する。すなわち、外部電極18a,18bには、相対的に高い電位が印加され、外部電極20には、相対的に低い電位(接地電位)が印加される。そして、コイルL1,L2を構成するコイル導体40a〜40d,44a〜44dと外部電極20とは、絶縁層30d〜30gにより絶縁されているので、電気的に接続されていない状態となっている。そのため、コイル導体40a〜40d,44a〜44dの電位は、外部電極20の電位よりも高くなっている。
(Other embodiments)
By the way, when the electronic component 10 operates as a T-type LC noise filter, the external electrodes 18a and 18b function as signal electrodes, and the external electrode 20 functions as a ground electrode. That is, a relatively high potential is applied to the external electrodes 18a and 18b, and a relatively low potential (ground potential) is applied to the external electrode 20. And since the coil conductors 40a-40d and 44a-44d which comprise the coils L1, L2 and the external electrode 20 are insulated by the insulating layers 30d-30g, they are in the state which is not electrically connected. Therefore, the potentials of the coil conductors 40 a to 40 d and 44 a to 44 d are higher than the potential of the external electrode 20.

前記のようにコイル導体40a〜40d,44a〜44dの電位が外部電極20の電位よりも高くなっていると、エレクトロマイグレーションにより、コイル導体40a〜40d,44a〜44dと外部電極20とが短絡するという問題がある。より詳細には、水分や電流等により、コイル導体40a〜40d,44a〜44dを構成する金属が陽イオンに変化する。このような陽イオンは、電子部品10の外部電極18a,18b,20に電圧が印加されると、コイル導体40a〜40d,44a〜44dと外部電極20との間に発生する電界によって、絶縁層30c〜30gの境界面を伝って、電位の低い外部電極20側へと移動する。このような状態が長期間持続すると、コイル導体40a〜40d,44a〜44dと外部電極20との間に電流経路が形成され、コイル導体40a〜40d,44a〜44dと外部電極20とが短絡してしまうおそれがある。   As described above, when the potentials of the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d are higher than the potential of the external electrode 20, the coil conductors 40a to 40d, 44a to 44d and the external electrode 20 are short-circuited by electromigration. There is a problem. In more detail, the metal which comprises the coil conductors 40a-40d and 44a-44d changes to a cation with a water | moisture content, an electric current, etc. When a voltage is applied to the external electrodes 18 a, 18 b, and 20 of the electronic component 10, such a cation is generated in the insulating layer by an electric field generated between the coil conductors 40 a to 40 d and 44 a to 44 d and the external electrode 20. It moves to the external electrode 20 side with a low electric potential through the boundary surface of 30c-30g. If such a state lasts for a long time, a current path is formed between the coil conductors 40a to 40d, 44a to 44d and the external electrode 20, and the coil conductors 40a to 40d, 44a to 44d and the external electrode 20 are short-circuited. There is a risk that.

そこで、電子部品10において、エレクトロマイグレーションによる短絡が発生しないように、積層体16内に絶縁体が設けられていてもよい。以下に、図10を参照しながら、絶縁体を備えたその他の実施形態に係る電子部品10について説明する。図10(a)は、その他の実施形態に係る電子部品10をz軸方向から平面視した透視図であり、図10(b)は、その他の実施形態に係る電子部品10をx軸方向から平面視した透視図である。図10(a)では、コイル導体40a,44aのみを記載した。また、図10(b)では、積層体14については一部のみを記載した。   Therefore, in the electronic component 10, an insulator may be provided in the stacked body 16 so that a short circuit due to electromigration does not occur. Below, the electronic component 10 which concerns on other embodiment provided with the insulator is demonstrated, referring FIG. FIG. 10A is a perspective view of the electronic component 10 according to another embodiment viewed in plan from the z-axis direction, and FIG. 10B is a perspective view of the electronic component 10 according to the other embodiment from the x-axis direction. FIG. In FIG. 10A, only the coil conductors 40a and 44a are shown. Moreover, in FIG.10 (b), about the laminated body 14, only one part was described.

その他の実施形態に係る電子部品10において、エレクトロマイグレーションによる短絡が最も発生し易い箇所は、図10(a)に示す領域Aである。領域Aは、z軸方向から平面視したときに、外部電極20とコイル導体40a〜40d,44a〜44dとが最も近づく位置である。該領域Aでは、外部電極20とコイル導体40a〜40d,44a〜44dとの距離が最も短くなるので、電子部品10内において電界が最も強くなる。そのため、領域Aでは、金属の陽イオンが、電界によりコイル導体40a〜40d,44a〜44dから外部電極20へと移動しやすい。すなわち、エレクトロマイグレーションによる短絡が発生し易い。   In the electronic component 10 according to another embodiment, a portion where a short circuit due to electromigration is most likely to occur is a region A illustrated in FIG. The region A is a position where the external electrode 20 and the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d are closest to each other when viewed in plan from the z-axis direction. In the region A, the distance between the external electrode 20 and the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d is the shortest, so that the electric field is strongest in the electronic component 10. Therefore, in the region A, metal cations easily move from the coil conductors 40 a to 40 d and 44 a to 44 d to the external electrode 20 by an electric field. That is, a short circuit due to electromigration is likely to occur.

そこで、電子部品10では、図10に示すように、金属の陽イオンの移動を妨げるように、領域Aにおいて、互いに隣接する絶縁層30c〜30gの境界をz軸方向に横切るように延在する絶縁体60が設けられている。本実施形態に係る電子部品10では、絶縁体60は、図10(b)に示すように、z軸方向の最も正方向側に位置するコイル導体40aよりもz軸方向の正方向側から、z軸方向の最も負方向側に位置するコイル導体40dよりもz軸方向の負方向側まで、連続して延在している。また、絶縁体60は、図10(a)に示すように、x軸方向の正方向側の側面近傍からx軸方向の負方向側の側面近傍まで、x軸方向に連続して延在している。これにより、絶縁体60は、コイル導体40a〜40d,44a〜44dと外部電極20との間において、壁のように立っている。   Therefore, in the electronic component 10, as shown in FIG. 10, in the region A, the boundary between the insulating layers 30 c to 30 g adjacent to each other extends in the z-axis direction so as to prevent the movement of the metal cation. An insulator 60 is provided. In the electronic component 10 according to the present embodiment, the insulator 60 is, as shown in FIG. 10 (b), from the positive direction side in the z-axis direction from the coil conductor 40a located on the most positive direction side in the z-axis direction. It extends continuously from the coil conductor 40d located on the most negative side in the z-axis direction to the negative direction side in the z-axis direction. Further, as shown in FIG. 10A, the insulator 60 continuously extends in the x-axis direction from the vicinity of the side surface on the positive direction side in the x-axis direction to the vicinity of the side surface on the negative direction side in the x-axis direction. ing. Thereby, the insulator 60 stands like a wall between the coil conductors 40a to 40d, 44a to 44d and the external electrode 20.

その他の実施形態に係る電子部品10では、絶縁体60が設けられることにより、コイル導体40a〜40d,44a〜44dを構成する金属原子が陽イオンに変化し、該陽イオンが電界により外部電極20側へと移動したとしても、絶縁体60によりその移動が遮られてしまう。その結果、コイル導体40a〜40d,44a〜44dと外部電極20との間に電流経路が形成されることがなくなり、エレクトロマイグレーションによるコイル導体40a〜40d,44a〜44dと外部電極20との短絡の発生が防止される。   In the electronic component 10 according to another embodiment, by providing the insulator 60, the metal atoms constituting the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d are changed to cations, and the cations are converted into external electrodes 20 by an electric field. Even if it moves to the side, the movement is blocked by the insulator 60. As a result, a current path is not formed between the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d and the external electrode 20, and a short circuit between the coil conductors 40a to 40d and 44a to 44d and the external electrode 20 due to electromigration. Occurrence is prevented.

(変形例)
図2に示した電子部品10では、絶縁層33a〜33c及び絶縁層34a〜34dの両方が、絶縁層32a〜32eよりも小さい比誘電率を有しているものとした。しかしながら、絶縁層32a〜32eよりも小さい比誘電率を有している必要があるのは、少なくとも、絶縁層33a〜33cである。よって、絶縁層34a〜34dは、絶縁層32a〜32eと同じ比誘電率を有していてもよいし、絶縁層32a〜32eよりも大きい比誘電率を有していてもよい。更に、絶縁層33a〜33c全てが絶縁層32a〜32eよりも小さい比誘電率を有していなくてもよい。すなわち、絶縁層33a〜33cの少なくとも一部のものが絶縁層32a〜32eよりも小さい比誘電率を有していればよい。
(Modification)
In the electronic component 10 illustrated in FIG. 2, both the insulating layers 33 a to 33 c and the insulating layers 34 a to 34 d are assumed to have a relative dielectric constant smaller than that of the insulating layers 32 a to 32 e. However, at least the insulating layers 33a to 33c need to have a relative dielectric constant smaller than that of the insulating layers 32a to 32e. Therefore, the insulating layers 34a to 34d may have the same relative dielectric constant as the insulating layers 32a to 32e, or may have a larger relative dielectric constant than the insulating layers 32a to 32e. Further, all of the insulating layers 33a to 33c may not have a relative dielectric constant smaller than that of the insulating layers 32a to 32e. That is, it is only necessary that at least a part of the insulating layers 33a to 33c has a relative dielectric constant smaller than that of the insulating layers 32a to 32e.

図1では、外部電極20は、積層体14,16の両方の表面に跨って形成されているが、例えば、積層体14の表面にのみ形成されていてもよい。   In FIG. 1, the external electrode 20 is formed across both surfaces of the stacked bodies 14 and 16, but may be formed only on the surface of the stacked body 14, for example.

また、絶縁層33a,33bは、いずれか一方のみが設けられていてもよい。   In addition, only one of the insulating layers 33a and 33b may be provided.

また、電子部品10内には、コイルL及びコンデンサCからなる回路素子がアレイ状に形成されていてもよい。   In the electronic component 10, circuit elements including the coil L and the capacitor C may be formed in an array.

一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of the electronic component which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係る積層体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the laminated body which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係る電子部品の等価回路図である。It is an equivalent circuit schematic of the electronic component which concerns on one Embodiment. 第1のモデル及び第2のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between a frequency and insertion loss in the 1st model and the 2nd model. 第3のモデル及び第4のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between a frequency and insertion loss in a 3rd model and a 4th model. 第5のモデル及び第6のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between a frequency and insertion loss in a 5th model and a 6th model. 第7のモデル及び第8のモデルにおいて、周波数と挿入損失との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between a frequency and insertion loss in the 7th model and the 8th model. 電子部品のマザー積層体をz軸方向から平面視した図である。It is the figure which planarly viewed the mother laminated body of the electronic component from the z-axis direction. 電子部品の積層体の角近傍の拡大図である。It is an enlarged view of the corner vicinity of the laminated body of an electronic component. 図10(a)は、その他の実施形態に係る電子部品をz軸方向から平面視した透視図であり、図10(b)は、その他の実施形態に係る電子部品をx軸方向から平面視した透視図である。FIG. 10A is a perspective view of an electronic component according to another embodiment viewed in plan from the z-axis direction, and FIG. 10B is a plan view of the electronic component according to other embodiment from the x-axis direction. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

C コンデンサ
L1,L2 コイル
b1〜b6 ビアホール導体
10 電子部品
12,14,16 積層体
18a,18b,20 外部電極
30a〜30g,32a〜32e,33a〜33c,34a〜34d 絶縁層
40a〜40d,44a〜44d コイル導体
50a〜50f コンデンサ導体
C capacitor L1, L2 coil b1-b6 via-hole conductor 10 electronic component 12, 14, 16 laminated body 18a, 18b, 20 external electrode 30a-30g, 32a-32e, 33a-33c, 34a-34d insulating layer 40a-40d, 44a ~ 44d Coil conductor 50a ~ 50f Capacitor conductor

Claims (1)

複数の絶縁層が積層されてなる第1の積層体と、
前記第1の積層体に重ねられている第2の積層体と、
前記第1の積層体に内蔵され、かつ、複数のコンデンサ導体により構成されているコンデンサと、
前記第2の積層体に内蔵され、かつ、前記コンデンサと共にノイズフィルタを構成しているコイルと、
を備え、
前記第1の積層体において、前記コンデンサと前記第2の積層体とに挟まれている前記絶縁層の少なくとも一部は、前記複数のコンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層よりも低い比誘電率を有しており、
前記第1の積層体において、前記コンデンサは、前記コンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層よりも低い比誘電率を有する前記絶縁層により積層方向の両側から挟まれており、
前記複数のコンデンサ導体に挟まれている前記絶縁層は、Al 2 3 −Ba 2 Ti 4 12 −CeO 2 −ガラスにより作製され、
前記コンデンサを積層方向の両側から挟んでいる前記絶縁層は、Al 2 3 −CeO 2 −ガラスにより作製されていること、
を特徴とする電子部品。
A first stacked body in which a plurality of insulating layers are stacked;
A second laminate overlaid on the first laminate;
A capacitor that is built in the first laminated body and is composed of a plurality of capacitor conductors;
A coil that is built in the second laminate and that forms a noise filter together with the capacitor;
With
In the first multilayer body, at least a part of the insulating layer sandwiched between the capacitor and the second multilayer body has a lower dielectric constant than the insulating layer sandwiched between the plurality of capacitor conductors. Have a rate,
In the first laminated body, the capacitor is sandwiched from both sides in the stacking direction by the insulating layer having a lower relative dielectric constant than the insulating layer sandwiched between the capacitor conductors,
The insulating layer sandwiched between the plurality of capacitor conductors is made of Al 2 O 3 —Ba 2 Ti 4 O 12 —CeO 2 —glass ,
The insulating layer sandwiching said capacitor from opposite sides of the stacking direction, Al 2 O 3 -CeO 2 - that are made of glass,
Electronic parts characterized by
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