JP5425494B2 - Improvement of defect detection system - Google Patents
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Description
本発明は、一般的に不良検出に関し、特に、粒子のような表面の異常、並びに例えば、結晶起因粒子(COP)、表面の粗さ、マイクロスクラッチなど表面に起因する不良などを検出するためのシステムの改良に関する。 The present invention relates generally to defect detection, and more particularly to detecting surface anomalies such as particles, as well as defects due to surfaces such as, for example, crystal-induced particles (COP), surface roughness, microscratches, etc. It relates to the improvement of the system.
本出願の譲受人である、カリフォルニア州、サンノゼのケーエルエー−テンカー コーポレイションから入手可能なSP1TBI (商標)検出システムは、特に、パターンを形成していない半導体ウェハ状の不良を検出するのに有効である。SP1TBI システムは、メモリアレイを有するウェハのように、表面にパターンを有するウェハを検査するために使用する場合より、ベアウェハまたはパターンを形成していないウェハ上を検査する場合のほうが不良に対する卓越した感度を呈する。このシステムでは、すべての光をレンズや楕円形ミラーによって集光して検出器に導き、単一の出力を生成する。よって、ウェハ上のパターンがフーリエおよび/または他の強力な散乱信号を生成するために、これらの信号を収集して検出器に送ると、信号検出機の出力は、飽和してしまい、ウェハ上の不良を検出するために有効な情報を提供することができなくなる。 The SP1 TBI ™ detection system available from KLA-Tenker Corporation of San Jose, Calif., The assignee of this application, is particularly effective in detecting defects in semiconductor wafers that are not patterned. is there. The SP1 TBI system is superior to defects when inspecting on a bare wafer or an unpatterned wafer than when used to inspect a wafer having a pattern on its surface, such as a wafer having a memory array. Exhibits sensitivity. In this system, all light is collected by a lens or elliptical mirror and directed to a detector to produce a single output. Thus, if these patterns are collected and sent to a detector in order for the pattern on the wafer to generate Fourier and / or other strong scattered signals, the output of the signal detector will saturate and Therefore, it becomes impossible to provide effective information for detecting a defect of the device.
ウェハ上の不良を検出するための従来の技術は、パターンを形成したウェハの検査用、もしくはパターンを形成していないウェハ、またはベアウェハの検査用のいずれかに適合するように構成されているが、その両方を行うには適していない。パターンを形成したウェハ用の検出システムは、パターンを形成していないウェハを検査するために使用することはできるが、このシステムは、一般的にその目的においては最適なものとはいえない。一方、パターンを形成していないウェハ、またはベアウェハの検査用として設計されたシステムでは、上述したような理由から、パターンを形成したウェハ上のパターン構造によって引き起こされる回折や他の散乱を処理するのが困難である。 Although conventional techniques for detecting defects on a wafer are configured to fit either for inspection of patterned wafers, or for inspection of non-patterned wafers or bare wafers Not suitable for doing both. Although a detection system for patterned wafers can be used to inspect non-patterned wafers, this system is generally not optimal for that purpose. On the other hand, systems designed for inspecting unpatterned wafers or bare wafers handle diffraction and other scattering caused by pattern structures on patterned wafers for the reasons described above. Is difficult.
パターンを形成したウェハの検査では、まったく異なる検査システムを使用してきた。AIT(商標)検査システムとして知られる、市販のシステムは、本出願の譲受人である、カリフォルニア州、サンノゼのケーエルエー−テンカー コーポレイションから入手可能である。このシステムについては、米国特許第5,864,394号(特許文献1)など、様々な特許において説明されている。AITシステムにおいては、ウェハ上のパターン構造による回折や散乱から検出器を遮蔽するために空間フィルタを採用している。この空間フィルタの設計は、パターン構造に関する従来の知識に基づくものでよいが、非常に複雑となる可能性がある。さらに、このシステムは、不良の有無をより正確に識別するために、ダイ比較工程を採用している。 Inspecting a patterned wafer has used a completely different inspection system. A commercially available system, known as the AIT ™ inspection system, is available from KLA-Tenker Corporation of San Jose, California, the assignee of the present application. This system is described in various patents, such as US Pat. No. 5,864,394. In the AIT system, a spatial filter is employed to shield the detector from diffraction and scattering due to the pattern structure on the wafer. The design of this spatial filter may be based on conventional knowledge about the pattern structure, but can be very complex. In addition, the system employs a die comparison process to more accurately identify the presence or absence of defects.
パターンを形成したウェハの検査において、上記の機器はいずれも完全に満足のいくものではなかった。よって、パターンを形成したウェハに対し、上記の問題を軽減できるような不良検出システムの改良が望まれている。さらに、インライン検査に必要な空間を節約するため、パターンを形成したウェハおよびパターンを形成していないウェハの双方の検査に最適な機器の提供が望まれている。 None of the above devices were completely satisfactory in inspecting the wafer on which the pattern was formed. Therefore, it is desired to improve a defect detection system that can alleviate the above-described problem with respect to a wafer on which a pattern is formed. Furthermore, in order to save the space required for in-line inspection, it is desired to provide an apparatus that is optimal for inspection of both a wafer having a pattern formed thereon and a wafer having no pattern formed thereon.
化学的機械的平坦化(CMP)技術は、半導体産業において広く受け入れられている。しかしながら、CMP処理においても、その不良を適切に制御できなければ集積回路(IC)の生産量に大きな衝撃を与えうる多様な不良が生成される。CMP不良において、マイクロスクラッチは、ICの生産量に大きな影響を与えている。そのため、マイクロスクラッチおよび他のCMP不良を検出し、粒子と差別化できるようにすることが望まれている。 Chemical mechanical planarization (CMP) technology is widely accepted in the semiconductor industry. However, even in the CMP process, if the defect cannot be properly controlled, various defects are generated that can have a large impact on the production amount of the integrated circuit (IC). In the CMP failure, the micro scratch has a great influence on the IC production amount. Therefore, it is desirable to be able to detect microscratches and other CMP defects and differentiate them from particles.
シリコンウェハ上の、パターンを形成していない膜、またはベア膜の質を監視するための重要なパラメータは、表面の粗さである。表面の粗さは、一般的に、本出願の譲受人であるケーエルエー−テンカー コーポレイションのHRP(登録商標)機器、もしくは、原子力顕微鏡のような他の機器や、走査型トンネル顕微鏡などの他のタイプの走査プローブ顕微鏡によって測定される。このような機器の欠点の一つは、その操作速度が遅いという点である。そのため、上述した機器より大幅に速い速度で表面の粗さを測定可能な代替システムを提供することが望まれている。 An important parameter for monitoring the quality of unpatterned or bare films on a silicon wafer is surface roughness. The roughness of the surface is generally determined by the HRP (registered trademark) equipment of the KLA-Tenker Corporation, the assignee of the present application, or other equipment such as an atomic force microscope or other types such as scanning tunneling microscopes. Measured by a scanning probe microscope. One drawback of such devices is that their operating speed is slow. Therefore, it would be desirable to provide an alternative system that can measure surface roughness at a significantly faster rate than the equipment described above.
本発明の一つの局面は、SP1TBI 機器における集束器が、検査対象表面による散乱光の方位角の情報を保存するという観点に基づくものである。よって、SP1TBI 機器で使用しているタイプの集束器によって集束した散乱光を、異なる方位角に分けて導くことにより集束経路を分離すれば、上述した問題は解決し、機器がパターンを形成したウェハの検出にも最適なものとして構成することができるようになる。これにより、パターンを形成したウェハの不良を測定することができる小型の機器を得ることができる。SP1TBI 機器で使用している楕円形ミラーに加え、一つ以上のレンズとともに使用する放物線ミラーのような、方位角上対称な他の集束器を使用してもよい。 One aspect of the present invention is based on the viewpoint that the concentrator in the SP1 TBI instrument stores information on the azimuth angle of scattered light from the surface to be inspected. Therefore, if the focused path is separated by guiding the scattered light focused by the type of concentrator used in the SP1 TBI device into different azimuth angles, the above-mentioned problem is solved and the device forms a pattern. It can be configured to be optimal for wafer detection. Thereby, the small apparatus which can measure the defect of the wafer in which the pattern was formed can be obtained. In addition to the elliptical mirror used in the SP1 TBI instrument, other azimuthally symmetric concentrators may be used, such as a parabolic mirror used with one or more lenses.
SP1TBI システムのように、本発明の一つの局面による表面検査システムは、表面に対して垂直な線に対して略対称に散乱光を集束するための集束器により、表面から散乱した光線を集束する。その垂直な線に対して異なる方位角もしくは別の方向に散乱光を集束して異なる経路に導くことにより、これらの経路により、その散乱光の相対的方位角に対応する位置における、散乱光に関する情報を搬送できる。好ましくは、これら経路は、クロストークを軽減するためにセパレータによって分離する。少なくともその経路の一部を通して運ばれた集束した散乱光を使用して、表面内部もしくは表面上における異常の有無もしくはその特徴を判定することができる。さらに、同じ事象を多方向から考察できることにより、リアルタイムの不良分類(RTDC)の工程を大幅に簡素化することができる。 Like the SP1 TBI system, a surface inspection system according to one aspect of the present invention focuses light scattered from a surface by a concentrator for focusing scattered light substantially symmetrically with respect to a line perpendicular to the surface. To do. By focusing the scattered light in different azimuth angles or in different directions with respect to the vertical line and directing it to different paths, these paths relate to the scattered light at a position corresponding to the relative azimuth of the scattered light. Can carry information. Preferably, these paths are separated by a separator to reduce crosstalk. Focused scattered light carried through at least a portion of the path can be used to determine the presence or character of anomalies within or on the surface. Furthermore, since the same event can be considered from multiple directions, the real-time defect classification (RTDC) process can be greatly simplified.
上述した仕組みにおいて、集束した光線の一部のみを異なる経路に導き、異なる方位角における集束光の残りの部分を単一の検出器に導くことにより、従来のSP1TBI の仕組みのように単一の出力を生成するようにすれば、システムを使ってパターンを形成していないウェハとパターンを形成したウェハとの両方を検査することができるようになる。すなわち、方位角の情報を保存しながら、上述した方法で集束した光線の一部を異なる経路に方向転換することによってSP1TBI の仕組みを変更すれば、パターンを形成していないウェハと、パターンを形成したウェハの両方の検査が最適に実行可能な多目的ツールが実現する。このように、半導体製造業者は、それぞれがパターンを形成したウェハとパターンを形成していないウェハを検出する最適なツールを別々に用意する必要がなくなる。 In the above-described mechanism, it leads to only a portion of the focused beam to different routes, by directing the remaining portion of the focused beam at different azimuth angles in a single detector, single as in the conventional SP1 TBI works Can be used to inspect both unpatterned and patterned wafers using the system. In other words, if the SP1 TBI mechanism is changed by redirecting a part of the light beam focused by the above-described method to a different path while preserving the azimuth information, the wafer having no pattern and the pattern can be changed. A multi-purpose tool capable of optimally inspecting both formed wafers is realized. In this way, the semiconductor manufacturer does not need to prepare an optimum tool for detecting a wafer on which a pattern is formed and a wafer on which a pattern is not formed separately.
上述した仕組みでは、表面に対して垂直な線に対して異なる方位角において集束された光線は、異なる集束経路へと導かれ、別の信号に変換されるため、パターンの回折を含む信号を破棄し、パターンの散乱を含まない残りの信号を使ってウェハの表面内部もしくは表面上の異常の検出と分類ができるようになる。上述したシステムは、特に、半導体ウェハの検査に有効であるが、例えば、フラットパネル表示システム、磁気ヘッド、磁気および光学記録媒体などのような他の表面および他のアプリケーションにおける異常の検査にも使用することができる。 In the mechanism described above, rays focused at different azimuth angles with respect to a line perpendicular to the surface are directed to different focusing paths and converted to another signal, thus discarding the signal including pattern diffraction. Then, the remaining signals that do not include pattern scattering can be used to detect and classify anomalies within or on the surface of the wafer. The system described above is particularly useful for inspection of semiconductor wafers, but is also used for inspection of abnormalities in other surfaces and other applications such as flat panel display systems, magnetic heads, magnetic and optical recording media, etc. can do.
本発明のもう一つの局面は、表面上のパターンによって散乱すると予測される光線成分の角度差に相当する角度の傾いたギャップを有する空間フィルタを使用して(上述したような)集束器によって集束した光線を濾波することができるという観点に基づくものである。このように、表面上のフィルタに対するいくつかの相対位置における濾波光線は、測定を妨げる可能性のあるパターンの散乱によって露出した表面の不良に関する情報を含んでいる。このような光線を検出器で検出することにより、その検出器の出力を使用して表面内部もしくは表面上の異常の有無および/または特徴を検出することができる。 Another aspect of the invention is focusing by a concentrator (as described above) using a spatial filter having an angled gap that corresponds to the angular difference of the ray components expected to be scattered by the pattern on the surface. It is based on the viewpoint that it can filter the light beam. Thus, filtered rays at several relative positions with respect to the filter on the surface contain information about the surface defects exposed by the scattering of patterns that can interfere with the measurement. By detecting such a light beam with a detector, the output of the detector can be used to detect the presence and / or characteristics of an abnormality within or on the surface.
SP1TBI ツールまたは上述したシステムを使って、CMPによる粒子とマイクロスクラッチを区別することができる。垂直方向に近い方向に沿った散乱光は、第1の検出器によって集束され、垂直方向から離れた方向に沿った散乱光は、第2の検出器によって集束される。その比を2台の検出器の出力から求めることにより、表面の異常がマイクロスクラッチであるか、粒子であるかを判定する。 Using the SP1 TBI tool or the system described above, particles from CMP and microscratches can be distinguished. Scattered light along a direction close to the vertical direction is focused by the first detector, and scattered light along a direction away from the vertical direction is focused by the second detector. By determining the ratio from the outputs of the two detectors, it is determined whether the surface abnormality is a micro scratch or a particle.
CMPマイクロスクラッチは、斜めに入った入射光からの光線を前方に散乱させる傾向がある。一方、粒子は、そのような光線をより均一に散乱させる。表面によって前方散乱方向に散乱させられた光線は、他の散乱方向への散乱光とは別に集束される。別々に集束された散乱光から二つの異なる信号を導き出し、比較して表面上の異常がマイクロスクラッチであるか、粒子であるかを判定する。 CMP microscratches tend to scatter forward light from obliquely incident light. On the other hand, the particles scatter such light rays more uniformly. Light rays scattered in the forward scattering direction by the surface are focused separately from the scattered light in the other scattering directions. Two different signals are derived from the separately focused scattered light and compared to determine whether the anomalies on the surface are micro scratches or particles.
本発明の別の局面において、異なる二種類の表面走査中にS偏光とP偏光が順に、表面に斜めに入射される。第1と第2の走査中に不良によって散乱した光線は、集束され、二つの異なる入射偏光の散乱光を表す一対の信号を出力する。その対の信号を基準と比較し、表面上の異常がマイクロスクラッチであるか、粒子であるかを判定する。 In another aspect of the present invention, S-polarized light and P-polarized light are incident obliquely on the surface in order during two different types of surface scanning. Light rays scattered by defects during the first and second scans are focused and output a pair of signals representing scattered light of two different incident polarizations. The pair of signals is compared to a reference to determine if the anomaly on the surface is a microscratch or a particle.
薄膜の表面の粗さを判定する工程をより迅速に行うために、薄膜の表面の粗さとヘイズ値を関連付けるデータベースが作成される。表面のヘイズ値は、SP1TBI のようなツール、または、上述したシステムのうちの一つで測定され、表面の粗さの値は、測定したヘイズ値とデータベースから判定することができる。例えば、データベースは、代表的な薄膜のヘイズ値を測定するためのSP1TBI のようなツールまたは上述したシステムのうちの一つと、その種の膜の表面の粗さを測定するためのHRP(登録商標)プロファイラまたは他のタイプのプロフィロメータもしくは走査プローブ顕微鏡によって収集される。 In order to perform the process of determining the surface roughness of the thin film more quickly, a database that associates the surface roughness of the thin film with the haze value is created. The surface haze value is measured with a tool such as SP1 TBI or one of the systems described above, and the surface roughness value can be determined from the measured haze value and database. For example, a database may be a tool such as SP1 TBI for measuring haze values of a typical thin film or one of the systems described above and an HRP (registered) for measuring the surface roughness of such films. Collected by a trademark profiler or other type of profilometer or scanning probe microscope.
上述したような本発明の局面は、本明細書中で説明する利点を達成するために、個々に、あるいは組み合わせて使用することができる。 Aspects of the invention as described above can be used individually or in combination to achieve the advantages described herein.
また、説明をわかりやすくするため、本願においては同一の部品については同一の参照番号で示している。 In addition, in order to make the explanation easy to understand, the same parts are denoted by the same reference numerals in the present application.
図1は、本出願の譲受人である、カリフォルニア州、サンノゼのケーエルエー−テンカー コーポレイションから入手可能なSP1TBI (商標)システム10の略図である。SP1TBI システム10の局面は、1996年12月20日出願の米国特許出願第08/770,491号(特許文献2)および米国特許第6,201,601号(特許文献3)に記載されている。これら特許出願および特許は、この言及によりここに明確に取り入れられている。図面を簡単にするために、照明光をウェハに誘導する構成要素などのシステムの光学要素の一部は省略している。検査対象であるウェハ20は、垂直な入射光22および/または傾斜した入射光24によって照射される。モータ28によって回転され、ギヤ30によって方向を転換されるチャック26上にウェハ20が支持され、光22および/または24がウェハの表面を検査するためにウェハ20の表面上の螺旋通路を移動、追跡する領域またはスポット20aを照射する。モータ28とギヤ30は、当業者にとっては周知のように、コントローラ32によって制御される。あるいは、光22,24は、当業者が周知の方法で移動し、螺旋通路もしくは別のタイプの走査通路を追跡する。
FIG. 1 is a schematic diagram of an SP1 TBI ™ system 10 available from the KLA-Tenker Corporation of San Jose, California, the assignee of the present application. Aspects of the SP1 TBI system 10 are described in US patent application Ser. No. 08 / 770,491 filed on Dec. 20, 1996 and US Pat. No. 6,201,601. Yes. These patent applications and patents are hereby expressly incorporated by this reference. To simplify the drawing, some of the optical elements of the system, such as components that direct illumination light to the wafer, are omitted. The
ウェハ20上において、一方もしくは両方の光によって照射された領域もしくはスポット20aは、これらの光からの光線を散乱させる。ウェハの表面に垂直かつ領域20aを通過する線36に近い方向に沿った領域20aによって散乱される光線は、レンズ集束器38によって集束され、集光されてPMT40へと導かれる。レンズ38は、散乱光を垂直方向に近い方向に沿って集束し、このような集束経路は、ここでは、狭角経路と呼び、PMT40は、暗視野狭角PMTと呼ぶ。所望であれば、一つ以上の偏光子42を狭角経路の中の集束光の光路に配置してもよい。
On the
光22,24の一方もしくは両方によって照射されたウェハ20のスポット20aで、垂直方向36から離れる方向に沿って散乱した光線は、楕円集束器52によって集束され、絞り54と任意の偏光子56を介して暗視野狭角PMT60に集光される。レンズ38に比較して、楕円集束器52は、垂直方向36に対してより大きい角度の方向に沿った散乱光を集束することができ、このような集束経路を広角経路と呼ぶ。検出器40,60の出力は、コンピュータ62に送られ、信号を処理し、異常の有無とその特徴を判定する。
The light beam scattered along the direction away from the
SP1TBI システムは、集束光学系(レンズ38とミラー52)が垂直方向36に対して回転対称であるため、パターンを形成していないウェハの検査には有利であり、ウェハ20の表面上の不良の方向に対する図1に示すシステムの方向は重要でない。さらに、これらの集束器が対象とする散乱空間の角度範囲は、パターンを形成していないウェハ検査において当該の異常を検出する際に必要な角度範囲と一致している。
The SP1 TBI system is advantageous for inspecting an unpatterned wafer because the focusing optics (
しかしながら、上記の特徴に加え、SP1TBI システム10が有する重要な特徴は、そのレンズ集束器38と楕円形ミラー集束器52の両者はウェハ20の表面上の不良によって散乱される光に含まれる方位角の情報を保存するという点にある。従って、ウェハ上のある不良および/またはパターンにより、光線がある一定の方位角方向に偏って散乱することもあり得る。集束器38および52によって集束した光線に保存された方位角の情報を利用することによって、システム10は、パターンを形成したウェハ上の不良の検出に対し、有利に適合かつ変更することができる。
However, in addition to the above features, an important feature of the SP1 TBI system 10 is that both its
本発明の一つの局面は、レンズ38および/または楕円形ミラー52によって集束した光線を分割することによって、異なる方位角方向に散乱した光線を別々に検出することができる。この方法では、パターンによって回折もしくは散乱した光線を検出する検出器が飽和してしまう可能性があるが、これらの回折または散乱を検出しない他の検出器がウェハ20上の不良の検出と分類に対し有効な信号を生成することができる。レンズ38と楕円形ミラー52が散乱光の方位角の情報を保存しているので、ウェハ20上に存在するパターンや不良のタイプに関する知識を複数の検出器の設計配置に利用して、ウェハ上の不良を有利に検出および分類することができる。このことは、以下に説明するウェハ20上に形成される記憶構造体のような規則正しいパターンの場合に特に当てはまる。何故なら、そのような規則正しいパターンによって回折した光線は規則正しいからである。
One aspect of the present invention can separately detect light scattered in different azimuthal directions by splitting the light focused by
図2は、レンズ38またはミラー52で集束可能な集束中空円錐形の光線を示す略図である。図1のレンズ38の場合には、垂直な入射光22の正反射が検出器40に到達することを阻止するために空間フィルタ(図1には示していない)を採用しており、レンズ38によってPMT40に集光した光線が図2に示すような集束中空円錐形の形状となる。楕円形ミラー52の場合、ミラーが完全な楕円形でないため、垂直方向の近くで散乱した光線を集束せずに垂直方向36に対して大きい角度で散乱する光線のみを集束するので、ミラー52によって検出器60に集光した光線も、図2に示すような集束中空円錐形となる。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a converging hollow conical beam that can be focused by
図3Aは、例えばミラー52に集束されたような、図2に示す集束円錐形の光線を受け取るマルチファイバ経路の可能な配置を示す略図であり、本発明の好ましい実施形態を示すものである。図3Aの構成は、図2に示す集束中空円錐形の中の集束した散乱光を搬送するために使用する二つの略同心の環状に配列された光ファイバ経路72を含む。ウェハ20上のパターンから散乱するフーリエ成分または他のパターンがファイバ72の一部に到達し、それによってその経路からの光線を検出する検出器が飽和する。しかし、そのような望ましくないパターン散乱を受け入れない他の光ファイバ経路がある。マルチファイバ経路72を使用することにより、集束した散乱光は、異なるセクタもしくはセグメントに有効に分割されるため、ファイバ経路の一部のみが強い信号を受け取ってフーリエもしくは他のパターン散乱によって飽和されても、残りの経路から異常を検出するために分析可能な情報を搬送することができる。以下に説明するように、図2の円錐形の中の集束した散乱光の方位角の情報が保存されているため、様々な仕組みを採用して、図3Aの分割法を採用した際にパターン散乱の影響を最小限に抑えることができる。
FIG. 3A is a schematic diagram illustrating a possible arrangement of a multi-fiber path for receiving the conical light beam shown in FIG. 2, such as focused on a
異なるタイプの検出器を使用して、図3Bに示すマルチアノードPMTのようなファイバ経路72によって搬送された光線を検出することもできる。しかし、マルチアノードPMTを使用した場合、二つの隣接する経路の間には、公称クロストークが3パーセント生じる。こうしたクロストークを回避するためには、図3Bに示すように、ファイバ72を一つおきのPMTアノードと合わせて並べる。図3Bは、マルチアノードPMTの略図である。図3Bに示すように、斜線を附したアノード74だけがファイバ72と並んでおり、アノード76は、ファイバ72のいずれとも並ばない。これにより、図3Bに示すアノードすべてがファイバ72と並んだ際に生じる3%のクロストークを回避することができる。
Different types of detectors can be used to detect the light beam carried by the
図4は、狭角経路用のファイバ経路または多重検出器82の配置80を示す図である。図示したように、ファイバまたは検出器82は、レンズ38が集束した狭角経路の図2に示す集束した散乱光と並び、広角経路の場合と同じ方法によって光線を分割する。
FIG. 4 is a diagram showing an
図5Aは、不良検出システムの部分断面図かつ部分略図であり、本発明の実施形態を示す図である。図5Aを簡略化するため、二本の照射光線22および24、コンピュータ62、およびウェハを移動させるための機構については図に示していない。ウェハ20上のスポット20aによって散乱し、レンズ38によって集束された光線は、ミラー102によって検出器40へ反射される。ストッパ104が検出器40からの垂直入射光22の正反射を阻止するので、図2に示すような円錐形の集束光が生成される。レンズ38によって集束され、集光され、ミラー102によって反射した光は、ビームスプリッタ106を通過し、集束光のビームスプリッタを通過した部分は、検出器40上に集光され、通常のSP1TBI 操作のように単一出力を生成する。ビームスプリッタ106は、レンズ38からの集束光の一部を反射して、図4の光ファイバの配列80へと方向転換する。好ましくは、光ファイバ82の寸法とビームスプリッタ106によって反射した中空円錐形の寸法は、ファイバ82が中空円錐形の光線のうちほとんどの光線を集束して搬送するように設定する。すると、ファイバ82はそれぞれ、対応する検出器、もしくはマルチユニットまたはマルチエレメント検出器の検出ユニットに接続される。同様に、ビームスプリッタ112は、楕円形ミラー52が集束した光線のうちの少量を図5Bにさらに詳しく示す光ファイバ経路72の配列70′に向けて方向転換し、そこで、各経路72が別体の検出器、もしくはマルチエレメント検出システム(図示せず)の別体の検出ユニットに接続される。図5Aに示すように、ビームスプリッタ112は、小径リング114の内部でのみ光線を配列70′へ向けて方向転換するように構成されている。ミラー52が集束した光線のほとんどは、ビームスプリッタ112を通過し、検出器60に集光されて通常のSP1TBI操作の場合のように、単一の出力を生成する。図5Aでは、照射光線22,24とウェハを移動するための機構は、図面を簡素化する目的で省略している。
FIG. 5A is a partial cross-sectional view and a partial schematic diagram of the defect detection system, and shows an embodiment of the present invention. To simplify FIG. 5A, the two
図1のシステム10と図5Aのシステム100とを比較すると明確なように、システム100は、図1のシステム10の実質的にすべての特性を有している。さらに、システム100は、レンズ38およびミラー52それぞれによって集束された散乱光の一部を方向転換し、ファイバ82、72に向かって誘導し、分割した光線を別体の検出器または検出ユニットに搬送する。このシステムは、小型で、図1に示すSP1TBI システム10に比較して別途に必要な空間は最小限でよい。このように、一体化した結合機器を最適化し、パターンを形成していないウェハとパターンを形成したウェハとの双方に使用できるようになり、二つのタイプのウェハの検査に対し、二つの別々の機器を必要としなくなる。
As is clear when comparing the
パータンを形成したウェハのみを検査する場合、図6Aに示す別の不良検査システム150を使用することができる。図6Aにおいて、図面を簡素化するため、照射光線22、24、コンピュータ62、およびウェハを移動させるための機構は省略している。図6Aに示すように、レンズ38とミラー52によって集束した散乱光は、ミラー112′によって反射し、図6Bに断面でさらに詳しく示す光ファイバ152のシステムに向かって導かれる。図6Bに示すように、システム152は、レンズ38によって集束した散乱光を搬送するための環状に配列されたファイバ82と、ミラー52によって集束した散乱光を搬送するための環状に配列されたファイバ72とを有する。前述したように、ファイバ72、83はそれぞれ、別体の検出器、またはマルチユニット検出器の検出ユニットに接続される。
When inspecting only the wafer on which the pattern is formed, another
図4および5Bには、検出器が単一の環状に配列されているが、図3Aに示すような、複数の環状に配列したものも採用可能である。二つの配列70,70′,80のそれぞれにおいて互いに隣接して位置する光ファイバの光伝達コアは、コアを包囲するクラッドによって互いから隔離されており、隣接するコア間のクロストークが低減してある。ファイバ以外の光路も使用可能であり、本発明の範囲に含まれることは明らかである。このような経路が光ファイバの場合のクラッドのようなセパレータを含まない場合には、他の光学セパレータを利用してクロストークを低減することができる。
4 and 5B, the detectors are arranged in a single ring, but a plurality of rings arranged as shown in FIG. 3A can also be used. The optical transmission cores of the optical fibers located adjacent to each other in each of the two
図5Aを参照する。検出器40および60からの集束散乱光の一部の方向転換により、パターンを形成していないウェハを検査する際、システム100の粒子感度が幾分低減する場合があるが、この感度の低減は、システム100の狭角および広角集束経路の効率が高いため、取るに足らない程度である。所望であれば、パターンを形成していないウェハを検査する場合、ファイバ72と82によって搬送された光線をそれぞれ検出器40および60へ導きシステム100の感度を実質的に復元して、その感度を図1のシステム10の感度と実質的に同じものとすることもできる。
Refer to FIG. 5A. Although redirecting some of the focused scattered light from
図5Aおよび6Aのシステム100および150は、マイクロスクラッチと粒子を識別する際に特に有利である。マイクロスクラッチによる散乱パターンは、エネルギーの集中が最高となり、垂直に照射し、レンズ38によって集束されたほぼ垂直もしくは狭角経路において捕えられると、検出均一性が最も高くなる。遠視野における長手のパターンの形態を有するスクラッチの唯一の兆候により単純な分類方法が可能となる。よって、これらのファイバの出力がマルチチャネル検出器または個々の検出器のアレイに誘導されるビームスプリッタ106で方向転換された際にレンズ38によってファイバ82に向かって集光される光の中空円錐形の光路に環状に配置した8本以上のファイバ82を配置すれば、いずれかの直径方向に対向する2本のファイバを通して得た信号と、残りのファイバからの信号とを比較するという単純なプロセスによってマイクロスクラッチの有無が判別できる。斜めに照射すると、マイクロスクラッチは、パターン検査に関して先に説明した多重検出チャネル、すなわち、マルチファイバユニット70,70′を使うことによって、粒子によるものとは異なる散乱パターンが生成される。広角および狭角経路の双方において、個々の検出器またはマルチエレメント検出システムを個々の光ファイバではなく、集束中空円錐形の光路に直接配置することも可能である。
The
<アレイウェハ>
システム100,150を利用してメモリセルを表面に有するウェハを検査する場合、ウェハが回転すると、メモリアレイからのフーリエ成分がスピンする。よって、これらの要素は回転し、図1,5A,6Aの垂直方向36に対して異なる方位角をとる。すなわち、これらのフーリエ成分は、ウェハが回転すると、異なるファイバ71,82によって搬送される。メモリセルのアレイは、ウェハのX方向およびY方向の寸法が異なるため、ウェハが回転すると、フーリエ成分によって飽和した検出器の数が変わる。これにより、メモリセルのX,Y方向の寸法を知ることができ、フーリエ回折要素の数を予測できるようになる。あるいは、非常に強いあるいは飽和した出力での検出器の最大数を認識することによって、除去しなければならない最大数のフーリエ成分を判定するという学習サイクルを最初の初期化工程中に実施する。その後の測定工程で、検出器出力のその数だけが除去されるが、除去される出力は、飽和した出力、もしくは最大値を有する出力である。例えば、マルチアノードPMTの場合、各アノードが対応するファイバに接続されて使用されている場合は、最高出力を有する検出器に隣接する要素を取り除くことによってクロストークを低減することができる。例えば、ウェハの一箇所において、フーリエ成分が3であり、他の2箇所において、隣接する二つの成分と合わせて3つの直接的な成分を削除するとすると、合計9つの検出器出力を削除することになる。これにより、7つの利用可能な検出器出力が残る。この数は、ウェハが正しい方向を向いているか否かに関わらず維持される。これによりユーザは粒子に対するサイジングオプションを保持することができるようになる。
<Array wafer>
When inspecting a wafer having memory cells on its surface using the
好ましくは、ファイバ72,82は、図3A,4,5Bおよび6Bに示した軸74,84のような方向を中心として回転対称に配置される。このように配置すると、光線散乱方向が同一の角度セグメント内に位置することになり、各セグメント内で散乱した光線は、それに対応するファイバによって集束される。ビームスプリッタやミラー102,112,112′がレンズ38またはミラー52によって集束した光線の部分を反射または方向転換すると、集束した散乱光の方位角位置は、反射したもしくは方向転換した光線がファイバ72,82に導かれた時点で保存される。光線がこのように反射または方向転換されると、垂直方向36に対応する軸74,84と、垂直方向36に対する方位角位置に対応する軸74,84を中心とした集束した散乱光の方位角位置が保存される。
Preferably, the
上述したように、散乱光の方位角特性は狭角および広角経路双方に対して保存される。実質的に垂直な照射方向の光22によって照射されたマイクロスクラッチによる散乱パターンには、エネルギーの集中が最高となり、狭角経路において捕えられると、検出均一性が最も高くなる。さらに、遠視野における長手のパターンの形態を有するスクラッチの唯一の兆候により、単純な分類方法が可能となる。例えば、図4を参照すると、配列80の中に8本のファイバ82を使用して、レンズ38によって集束した図2の中空円錐状の光の中で散乱光を受け取って搬送し、ファイバがそれぞれ個々の検出器に接続されていると、二つのいずれかの直径方向に対向する2本のファイバからの二つの信号の和を残りの検出器の出力信号と比較して、マイクロスクラッチの有無を確認する。
As described above, the azimuthal characteristics of scattered light are preserved for both narrow and wide angle paths. The scattering pattern by micro scratches irradiated by light 22 in a substantially vertical irradiation direction has the highest energy concentration and the highest detection uniformity when captured in a narrow angle path. In addition, the only indication of scratches having the form of a longitudinal pattern in the far field allows a simple classification method. For example, referring to FIG. 4, eight
先に説明したように、照射されたスポット20aからの散乱光すべてが集束され、単一の検出器に誘導されると、フーリエまたは他の散乱成分の存在により、検出器が飽和し、システムが照射されたスポットにおける異常に関して有効な情報を提供できなくなる。この理由から、出願人は集束した散乱光を異なるセグメントに分割することを提案している。集束した散乱光を2つもしくは3つなど、ほんの少数のセグメントに分けた場合、2つもしくは3つの出力信号しか生成されず、その2つもしくは3つのセグメントがまだパターン散乱を含んでいるため、2つもしくは3つの検出器が再び飽和して、異常に関する有効な情報を得ることができなくなる可能性が高い。よって、有効にするためには、検出信号の一部には目立つパターン散乱が存在しなくなるぐらい十分細かく分割するのが好ましい。よって、各種フーリエまたは他の散乱成分と垂直方向36を結ぶ線が、角度方向にδφより互いに近づかない場合、各検出器がδφを超えない絞り角内で集束した散乱光を受け取ることができるように分割するのが好ましい。このように、フーリエや他のパターン散乱を受け取らない検出器が少なくともいくつか存在し、確実にサンプル表面の不良の有無、もしくは特徴を確認できる有効な出力信号を生成するようになる。よって、分割された光線が複数の光ファイバに搬送される場合、少なくとも数本のファイバがδφ以下の方位角の範囲内で集束される光線を受け取るようにするのが好ましい。
As explained above, once all the scattered light from the illuminated
散乱光の集束を分割するためのもう一つの配置を図7に示す。図7は、二つの絞り202,204を有する楕円形または放物線形状のミラー200のような回転対称集束器の上面図である。二つの絞りは、図1および7に示す斜めの光24に対して+90°と−90°の方位角位置に中心を有することが好ましい。マルチエレメント検出器または検出器アレイ206,208は、この二つの絞りのそれぞれの中に配置されている。この場合、検出器またはアレイは、マルチアノードPMTまたはマルチPINダイオードアレイでもよい。図8Aは、図7の検出器もしくは検出器アレイ206,208の一部の矢印8Aの方向から見た略側面図である。図8Aに示すように、検出ユニット206a,208aはそれぞれ実質的に幅がwの長方形状を有する。好ましくは、検出ユニット206a,208aは、その長手の辺を略垂直方向36に平行に配置する。このように、検出ユニット206a,208aのそれぞれは、長い要素206a,208aの幅によって範囲を定められた角度がδφ以下である場合、その範囲を定められた、角度の小さいセクタの範囲内で中心軸36に向かって散乱光を集束するため、検出器の少なくとも一部がパターンの散乱によって阻止されることなく、サンプル表面上の異常を検出し、特徴付けるための有効な信号を出力する。
Another arrangement for dividing the focus of scattered light is shown in FIG. FIG. 7 is a top view of a rotationally symmetric concentrator such as an elliptical or
二つの検出器もしくは検出器アレイ206,208をそれぞれ絞り202,204に配置することにより、検出ユニット206a,208aは、異常を検出するための有効な信号成分を出力する。上述したような即時学習サイクルを介して予測または判定のいずれかを行うプロセスを二つの検出器もしくは検出器アレイ206,208に適用して、除去する必要のあるパターン散乱成分の最大数を確認し、残りの検出信号を利用して異常を検出できるようにする。
By disposing two detectors or
半導体回路の寸法は、ますます小型化されている。よって、セル寸法も同様に小型化され、これに対応してフーリエまたは他の散乱成分の数も減っている。セル寸法が大きい場合、検出器または検出器アレイ206,208の検出ユニットの幅wを小さくしないと、二つの検出器または検出器アレイ206,208の各検出ユニットは、飽和され、また有効な信号が得られなくなる。これは、図8Bに示すしくみによって直すことができる。
The dimensions of semiconductor circuits are becoming increasingly smaller. Thus, the cell dimensions are similarly reduced, and the number of Fourier or other scattering components is correspondingly reduced. If the cell size is large, each detector unit of the two detectors or
図8Bに示すように、検出器もしくは検出器アレイ206,208の信号収集能力をさらに高めることが可能である。パターン散乱の数が、その検出器もしくは検出器アレイの設計値を超えて増加した場合、図8Bの配置を使用することにより、その増加にもかかわらず異常検出ができるようになる。図8Bに示すように、検出器もしくは検出器アレイ206,208の多重検出ユニットは、それぞれ同じ側から反対側に向かって、D1,D2…,D2n,D2n+1…と符号をつける。マルチユニット検出器または検出器アレイ206の奇数の検出ユニットD1,D3,D5…,D2n+1…は、空間フィルタ216によって覆われている。また、検出器またはアレイ208の偶数の検出ユニットD2,D4,D6…D2n…は、図8Bに示す空間フィルタ218によって覆われている。このように、サンプル表面と検出器もしくはアレイ206,208の間に相対的回転運動が起きても、覆われていない検出ユニットが有効な信号を出力する。
As shown in FIG. 8B, the signal collection capability of the detector or
図9Aは、図1の集束器52の断面図であり、図7,8A,および8Bに示すようなタイプの絞り、あるいは検出器、あるいは検出器アレイを含むように変更したものである。二つの絞り202,204は、好ましくは、それぞれの側に、±90°の方位角位置に中心を有し、約10°〜40°の方位角ギャップを有するような寸法とする。絞りは、集束器の底部に向かってのみ位置しており、検出器もしくは検出器アレイ206,208によって表面に近い方向に沿った散乱光のみが検出可能である。適当なF数のレンズ222,224を2枚使用して、照射されたスポット20aからの散乱光を集束し、そのそれぞれの検出器もしくは検出器アレイ206,208に集光する。二つの検出器もしくは検出器アレイを2枚のレンズ222,224の後方焦点面に戴置することができる。
FIG. 9A is a cross-sectional view of the
アクチュエータ232,234によって回転させたフィルタホイール226,228によって照射したスポット20aと検出器または検出器アレイ206,208の間にマスク216,218を配置する。この方法は、当業者にとって周知の方法であり、よってこれらの二つのアクチュエータとホイールの間の接続は図示しておらず、また、その操作の詳細な説明はここでは必要ない。簡素化するために、図9Aには二つのフィルタホイール226,228のマスク部216,218しか図示していない。図9A,9B,および9Cに示す特性を、図5A,6Aのシステム100,150と組み合わせ、その多目的性をさらに高めることも可能である。組み合わせた機器をパターンを形成していないウェハ、もしくはベアウェハの検査に使用した場合、例えば、二つの絞り202,204による感度の低下は取るに足らない。さらに、パターンを形成していないウェハを検査する際に、検出器または検出器アレイ206,208の出力を、検出器60の出力に加え、少なくとも部分的にシステムの感度を復元することができる。膜の粗さによる異質な信号を抑えるため、図9A〜9Cに示す特性も有利に利用することができる。膜の粗さがP偏光をS偏光より効率よく散乱させるので、そのような状況下では、S偏光された斜めの照射光24を出力し、照射したスポット20aからのS偏光散乱のみを集束するのが好ましい。これは、フィルタホイール226,228によって好都合に達成することができる。フィルタホイール226,228はアクチュエータ232,234を使って回転させ、S偏光子236が図9Aのマスク216の代わりとなり、もう一つのS偏光子が同じく図9Aのマスク218の代わりとなる。図9Aからわかるように、この配置は、二つのフィルタ236,238がウェハ20の表面の近くに位置し、よって、集束光はウェハ表面に非常に近い散乱角度に閉じ込められるので有利である。膜の表面が非常に粗い場合、さらに集束仰角を制限するため、S偏光子の上半分をフィルタホイール内の半円形の不透明なスクリーン236′,238′を使用して遮蔽することができる。例えば、半円形のS偏光子は、絞りの集束仰角を、垂直方向36から約55から70°の範囲内に制限することができる。これは、膜の粗さによる散乱量がウェハ表面に対する仰角とともに増加するため役に立つ。図9Cは、ベアウェハもしくはパターンを形成していないウェハの検査に使用することができるもう一つのフィルタホイールを示す図である。
予測されるパターン散乱面の方向がわかっている場合、空間フィルタは、そのような散乱を遮断するように設計することができ、それによって表面上の異常による散乱のみを検出するようになる。図10は、垂直な入射光によって照射した時の、アレイ構造の二次元のフーリエ成分を示す略図である。サンプルが回転すると、X−Y線の交差点に位置するすべてのスポットが回転し、円を生成する。これらの円は、ウェハが回転したときのフーリエ成分の位置を表す。中央の暗い不透明な円は、図5Aのストッパ104による集束空間の0〜5°の遮断状態を示す。図10から、円と円の間にフーリエ成分が存在しないギャップがあるのがわかる。少なくとも理論的には、任意の半径を有する環状帯が遮断されるプログラマブルフィルタ(例えば、液晶フィルタ)を構成することが可能である。単純な空間フィルタを構成することにより、本発明の目的の多くを達成することができる。よって、ウェハ上にある典型的なメモリアレイのセル寸法は、そのXY寸法が約3.5ミクロン以下であった場合、例えば、照射光22,24で使用する488ナノメートルの波長光において、第1のフーリエ成分は垂直方向36に対し約8°となる。よって、空間フィルタを採用した場合、垂直方向36に対して8°以上である狭角経路におけるあらゆる集束光を遮断することにより、中央の障害のリム(すなわち、5または6°)から約8°の可変絞りのリムまでにわたる2または3°の環状ギャップが残る。これらの状況下において、ウェハがスピンすると、フーリエ成分は環状ギャップを通過できず、アレイからの散乱は抑制される。ある実施形態では、使用している空間フィルタにより、垂直方向36から約5から9°の間の環状ギャップが残る。
If the direction of the expected pattern scattering surface is known, the spatial filter can be designed to block such scattering, thereby detecting only scattering due to anomalies on the surface. FIG. 10 is a schematic diagram showing a two-dimensional Fourier component of the array structure when illuminated by normal incident light. As the sample rotates, all spots located at the intersection of the XY lines rotate to generate a circle. These circles represent the position of the Fourier component when the wafer is rotated. The dark, dark circle in the center indicates the 0-5 ° blockage of the focusing space by the
上述した例では、空間フィルタは狭角経路用に設計されている。同様の空間フィルタを広角経路に対しても設計可能であることは理解できよう。その、そして他の変更についても本発明の範囲に含まれる。 In the example described above, the spatial filter is designed for a narrow angle path. It will be appreciated that similar spatial filters can be designed for wide angle paths. Such and other modifications are within the scope of the present invention.
先に説明したように、少なくとも数個の検出器がフーリエまたは他のパターン散乱によって遮断されない有効な信号を確実に受けるようにするため、少なくとも一部の検出器の集束絞りが予測されるパターン散乱の間の角度差以下であるのが好ましい。この目的のために、絞り角の角度がパターン散乱の間の角度差以下であるような小さい絞り角以外は、狭角または広角経路内で集束された光線すべてを遮断するように空間フィルタを構成することができる。照射されたスポット20aと検出器40または60のような検出器との間にこのような空間フィルタを配置すると、フーリエ成分はこの小さな絞りを出入りしてスピンする。通過する成分がなければ、そのデータは異常を検出するために有効である。そうでない場合、信号が非常に強いか、あるいは飽和している。よって、螺旋走査の最後には、ウェハマップはデータ有効であるとともに飽和した一連のセクタとなる。走査をもう1回繰り返す場合、第1回目の走査中に絞り角の中心位置がその位置からパターン化した散乱の最小角度差だけずれ、前と同じように、データが有効であるとともに飽和したセクタを含む同様のマップが得られる。しかし、第1回目の走査中に飽和していた領域では、今度は有効なデータを得られる。よって、論理OR演算を利用して二つのデータセットを結合することにより、有効データを有する完全なウェハマップを得ることができる。
As previously explained, pattern scattering in which at least some detector focusing apertures are expected to ensure that at least some detectors receive a valid signal that is not blocked by Fourier or other pattern scattering. Is preferably less than or equal to the angular difference. For this purpose, a spatial filter is configured to block all rays focused in a narrow or wide angle path, except for small aperture angles where the aperture angle is less than or equal to the angle difference between pattern scattering. can do. When such a spatial filter is placed between the
上述した工程は、図11に示すような非対称マスク250を利用することによって、簡素化することができる。図11に示すように、二つの扇形の絞り252,254が直径方向に対向する位置からパターン散乱の予測最小角度差と等しい角度だけずれている。このようなフィルタを図1に示す照射したスポット20aと検出器40または60の間に配置すると、検出器40および60はウェハの走査時に完全なウェハマップを生成する。
The above-described process can be simplified by using an
図12は、本発明の別の実施形態を示す不良検出システムの略図である。図12に示すように、図1の光22,24のような光(図示せず)によって照射すると、集束器52(図面を簡素化するため、図12では省略している)によって集束された散乱光は、デバイスの対向する側に二つのミラー262a,262bを有する三角形状のデバイス262に集光される。照射ビームも簡素化のため省略している。よって、散乱光は、デバイス262によって二つの対向する半球に反射する。ミラー262aは、散乱光の半分をPMT1に反射し、ミラー262bは散乱光の他の半分をPMT2に反射し、非対称マスク250をミラー262aとPMT1との間およびミラー262bとPMT2との間に設けることができる。このように、二つのPMTにより、異常検出および分類に有効な二つのウェハマップを得ることができる。
FIG. 12 is a schematic diagram of a failure detection system showing another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 12, when irradiated with light (not shown) such as
<CMP不良の検出>
本発明のある局面は、CMP不良を分類するための二つのアルゴリズムを含む。第1の方法は、不良によって散乱された光の空間分布に基づくものである。理論的シミュレーションおよび実験結果によれば、CMPマイクロスクラッチによって散乱した光は、まず正反射の方向に進み、粒子(特に小さい粒子)によって散乱した光は、異なる空間分布となることが示されている。結果として、不良分類は、散乱光の分布を測定することによって実現できる。これは、複数の検出器を散乱体の周囲の適当な位置に配置することによって実行できる。あるいは、単一の検出器を複数の空間フィルタ/マスクとともに使用する。このアルゴリズムを実行する三つの異なる方法について説明する。
<Detection of CMP failure>
One aspect of the present invention includes two algorithms for classifying CMP failures. The first method is based on the spatial distribution of light scattered by defects. Theoretical simulations and experimental results show that light scattered by CMP microscratches first proceeds in the direction of specular reflection, and light scattered by particles (especially small particles) has a different spatial distribution. . As a result, defect classification can be realized by measuring the distribution of scattered light. This can be done by placing multiple detectors at appropriate locations around the scatterer. Alternatively, a single detector is used with multiple spatial filters / masks. Three different ways of implementing this algorithm are described.
第2のアルゴリズムは、二重偏光法に基づくものである。この方法は、入射するSおよびP偏光を利用して不良からの散乱信号を比較するものである。理論的シミュレーションによると、散乱の強さは、不良によって見られる局所干渉の強さと比例することが判明した。この干渉の強さは、SおよびP偏光で異なり、ウェハの表面からの高さに依存する。よって、粒子(表面上の不良)によって見られる干渉の強さと、(ウェハ表面もしくは表面下の)マイクロスクラッチによって見られる干渉の強さとの間には大きな差がある。不良の分類は、SおよびP偏光入射光または光線を使用して散乱信号の強さを比較することによって実現可能である。 The second algorithm is based on double polarization. This method uses incident S and P polarized light to compare scattered signals from defects. According to theoretical simulations, it was found that the intensity of scattering is proportional to the intensity of local interference seen by defects. The intensity of this interference is different for S and P polarized light and depends on the height from the surface of the wafer. Thus, there is a large difference between the strength of interference seen by particles (defects on the surface) and the strength of interference seen by microscratches (wafer surface or below the surface). Bad classification can be achieved by comparing the strength of the scattered signal using S and P polarized incident light or rays.
<操作の詳細>
以下の段落では、Surfscan SP1TBI (商標)システムにおける本発明の実行/操作について説明する。しかし、アルゴリズムはSP1TBI (商標)システムに限られるものではなく、どの光散乱ツールでも実施できる。以下に示すアルゴリズムではすべて、使用した経路すべてに対しPSL較正曲線を必要とする。これらは、CMP不良の分類を成功させるために、きわめて重要な要素である。
<Operation details>
The following paragraphs describe the execution / operation of the present invention in the Surfscan SP1 TBI ™ system. However, the algorithm is not limited to the SP1 TBI ™ system and can be implemented with any light scattering tool. All of the algorithms shown below require PSL calibration curves for all paths used. These are very important factors for successful CMP failure classification.
アルゴリズム#1、実行#1、デュアルチャネル、斜め方向入射、1回走査
SP1システムには、DWN,DNN,DWO,DNOの4本の暗視野経路がある。DWNは、垂直な照射光から楕円形ミラーによって集束された散乱光を搬送する経路を表す。DNNは、垂直な照射光からレンズ集束器によって集束された散乱光を搬送するための経路を表す。DWOは、斜めの照射光から楕円形ミラーによって集束された散乱光を搬送する経路を表す。そして、DNOは、斜めの照射光からレンズ集束器によって集束された散乱光を搬送する経路を表す。デュアルチャネル法は、二つの暗視野経路、例えば、DWOとDNO経路を使用する。この方法の原理は、粒子とマイクロスクラッチの空間散乱パターンは異なるという事実に基づく。粒子は、光をあらゆる方向に散乱させ、これは、両方の暗視野経路によって集束することができる。しかし、マイクロスクラッチは、優先的に、光をある一定の方向に散乱させるので、ある経路で捕えた信号が、他の経路で捕えたものよりかなり大きくなる。例えば、傾斜した経路DWOとDNOを使用した場合、マイクロスクラッチは、DWO経路において優先的に捕えられるか、あるいは、DWO経路内における信号がDNO経路内の信号より大幅に大きくなる。マイクロスクラッチを粒子と区別するため、DWOおよびDNO経路内において捕えたそれぞれの不良の寸法比を算出する。不良の寸法比が1に近い場合、その不良は、粒子として分類される。しかし、不良の寸法比がある数(例えば、0.8)にも満たない場合、マイクロスクラッチとして分類される。不良がDWO経路でのみ捕えられ、DNO経路では捕えられなかった場合には、CMPマイクロスクラッチとして分類される。不良がDNO経路でのみで捕えられ、DWO経路では捕えられなかった場合には、粒子として分類される。
アルゴリズム#1、実行#2、デュアルチャネル、垂直入射、1回走査
垂直な経路における実行は、斜めの経路における実行と類似している。違いは、CMPマイクロスクラッチから散乱した光は、広角(DWN)経路の代わりに垂直入射の狭角経路(DNN)に優先的に進むという点である。これは、CMPマイクロスクラッチ散乱光が正反射の方向に進むという事実によるものである。不良分類は、DNNとDWNの両方の経路で捕えた不良の寸法比を算出することによって行う。不良の寸法比が1に近い場合、その不良は、粒子として分類される。しかし、不良の寸法比がある数(例えば、1.6)より大きい場合、マイクロスクラッチとして分類される。不良がDNN経路でのみ捕えられ、DWN経路では捕えられなかった場合には、CMPマイクロスクラッチとして分類される。不良がDWN経路でのみ捕えられ、DNN経路では捕えられなかった場合には、粒子として分類される。
Execution in
アルゴリズム#1、実行#3、シングルチャネル、傾斜入射、2−マスク、二重走査
アルゴリズム#1を実行するための第3の方法は、二つのマスクを使用する。一方のマスク(#1)は、CMPマイクロスクラッチからの散乱光を優先的に捕えるように設計されている。このマスクは、図13Aに示してあり、影のついた領域は、光線が遮断される領域を示し、影のついていない領域は、光線が通過できる領域である。他方(#2)は、CMPマイクロスクラッチによって散乱した光を遮蔽するように設計されている。このマスクは、図13Bに示してあり、影のついた領域は、光線が遮断される領域を示し、影のついていない領域は、光線が通過できる領域である。これらマスクの形状は、ともに較正曲線が必要である。不良の分類は、双方のマスク形状において捕えられた不良の寸法比を算出することによって行う。ある不良において、マスク#1とマスク#2の寸法比が1に近い場合、その不良は、粒子として分類される。しかし、不良の寸法比がある一定の数(例えば、1.15)より大きい場合、マイクロスクラッチとして分類される。また、不良が#1の形態のマスクでのみ捕えられ、#2の形態のマスクでは捕えられなかった場合には、CMPマイクロスクラッチとして分類される。不良が#2の形態のマスクでのみ捕えられ、#1の形態のマスクでは捕えられなかった場合には、粒子として分類される。
A third method for executing
アルゴリズム#1は、マルチアノードPMTにおいても実行することができる。この方法の利点は、一回の走査でよいという点である。二つのマスクを使用する際と本質的に同じであるが、データ収集に1回の走査を行えばよい。
アルゴリズム#2、実行#1、シングルチャネル、二重偏光、傾斜入射、二重走査
アルゴリズム#2は、二つの入射偏光S,Pを使用する。この方法には二回の走査が必要となる。一つは、S偏光に対するもの、そしてもう一つはP偏光に対するものである。SおよびP偏光に対しPSL較正曲線を使用する。不良分類は、PおよびS走査の両方で捕えた不良の寸法比を算出することによって行う。PおよびS走査の寸法比が1に近い場合、その不良は、粒子として分類される。しかし、不良の寸法比が1以外(例えば、膜厚によって<0.65または>1.85)である場合、その不良は、マイクロスクラッチとして分類される。誘電体膜の場合、2本の偏光に対する干渉の強さは、膜厚によって変わる。2本の偏光の干渉の強さの変化は、位相が外れている。すなわち、P偏光の干渉強度が最大であるとき、S偏光の干渉強度は最小となる、もしくはその逆である。よって、CMP不良の寸法比は、誘電体膜の厚さによって1.0より大きいか小さいかのいずれかが決まる。同様に、不良が1本の偏光においてのみ捕えられ、他方では捕えられなかった場合には、その不良は、膜厚によって、CMPマイクロスクラッチあるいは粒子として分類される。この方法は、酸化CMPウェハを使って実証に成功している。この方法は、ウェハを横切る方向の厚さの変化は、実質的な厚さを有する金属膜にとっては大した問題ではないため、厚い誘電体膜より、金属膜に対してよい結果が出ると思われる。
Algorithm # 2,
ある実験において、PSL球面を使ってSP1(商標)機器を較正し、粒子に対し、PおよびS走査中に検出した強度の寸法比を、1に合わせて標準化する。よって、粒子が存在すると、比は、1もしくは約1となる。さらに、機器から得たヒストグラムによると、第2の組の強度の比は、1より大きい値に集中しており、これは、S偏光を照射した時より、P偏光を照射したときの方がより散乱が大きくなる不良の組を表している。これらは、マイクロスクラッチのようなCMP不良であり、散乱強度がP走査中にのみ検出され、S走査中には検出されなかった場合でもそうである。何故なら、その場合、比は無限となり、よって、1より大きくなるからである。第3の組の比は、ゼロもしくはゼロに近い値である。これらは、以下に示す理由により、粒子を示すと思われる。 In one experiment, a PSL sphere is used to calibrate the SP1 ™ instrument, and the particle size ratio of intensity detected during P and S scans is normalized to unity. Thus, if particles are present, the ratio is 1 or about 1. Furthermore, according to the histogram obtained from the instrument, the intensity ratio of the second set is concentrated at a value greater than 1, which is greater when P-polarized light is irradiated than when S-polarized light is irradiated. It represents a set of defects with greater scattering. These are CMP defects such as micro scratches, even when the scattering intensity is detected only during P scan and not during S scan. This is because in that case the ratio is infinite and thus greater than one. The third set of ratios is zero or close to zero. These are likely to represent particles for the following reasons.
PまたはS偏光光線を照射した際に検出される表面における干渉効果により、検出される散乱強度は、S走査中のものと比較するとP走査中の方が強くなる、もしくはその逆である。よって、上述した実験では、表面上の干渉効果によって検出される散乱強度がS走査中よりP走査中の方が強くなる場合は、S偏光が構造的干渉を受ける領域において十分な大きさの粒子のみが存在することになる。これは、例えば、図14に示されている。例えば、図14を参照すると、ウェハ表面上の膜厚が200ナノメートルの場合、図14の曲線から、ウェハ表面の干渉強度は、S偏光光線を照射したときより、P偏光光線を照射したときに大幅に強くなると予測できる。しかし、300ナノメートル以上の粒子の場合は、S走査中に検出した散乱強度がP走査中より大幅に強くなる。 Due to the interference effect on the surface detected when irradiated with P or S polarized light, the detected scattering intensity is stronger during P scanning compared to that during S scanning, or vice versa. Thus, in the experiment described above, if the scattering intensity detected by the interference effect on the surface is stronger during P scanning than during S scanning, particles of sufficient size in the region where S-polarized light undergoes structural interference. Only there will be. This is illustrated, for example, in FIG. For example, referring to FIG. 14, when the film thickness on the wafer surface is 200 nanometers, the interference intensity on the wafer surface is greater when the P-polarized light beam is irradiated than when the S-polarized light beam is irradiated. Can be expected to be significantly stronger. However, in the case of particles of 300 nanometers or more, the scattering intensity detected during the S scan is significantly stronger than during the P scan.
<表面粗さ判定>
金属のような不透明な膜や、k値が低い誘電体のような透明な誘電体(両者ともCVD蒸着体上でスピンする)において、膜厚の変化がほとんどない場合は、膜から測定したヘイズは、膜の表面の粗さによって変化する。集積回路に適用するための誘電体膜CVD蒸着体は、ほとんど均一である。よって、ヘイズの測定により、膜の粗さを測定するための迅速な代替法が実現する。
<Surface roughness determination>
Haze measured from the film when there is almost no change in film thickness in an opaque film such as a metal or a transparent dielectric such as a dielectric having a low k value (both spin on the CVD deposition) Varies depending on the roughness of the film surface. Dielectric film CVD deposition for application in integrated circuits is almost uniform. Thus, the haze measurement provides a quick alternative for measuring film roughness.
表面の粗さは、一般的に、カリフォルニア州、サンノゼのケーエルエー−テンカー コーポレイションのHRP(登録商標)ツールのような機器によって測定可能であり、また原子力顕微鏡や、近距離顕微鏡や走査トンネル型顕微鏡のような、他のタイプの走査プローブ顕微鏡によって測定可能である。この工程は時間がかかる。均一の誘電体膜において、またはさまざまな均一性を有する金属において、ヘイズと膜の粗さの間の上記の関係を利用することによって、膜の粗さを従来の方法よりさらに迅速に測定することができる。よって、図16によると、異なる厚さの膜に対し、ヘイズと表面の粗さの間の相互関係のデータベースをコンピュータ310を使って作成するために、ケーエルエー−テンカー
コーポレイションの高解像度プロファイラーまたはAFMタイプのツール304を使って異なる厚さの代表的な膜302の表面の粗さを測定し、SP1TBI システム10や上述した一体型システム(例えば、100)のうちの一つ、もしくはヘイズを測定できるその他のツールを使ってこれらの同じ膜に対してヘイズの値を測定することによってデータベースを構築することができる。表面の粗さは膜厚が厚くなるに従って増えるため、様々な厚さを有する同様の膜を測定するのが好ましい。そして、データベースを、図15に示すような折れ線グラフに示すことができる。そして、未知の膜の表面の粗さを判定したい場合、その粗さは、図1に示すシステム10のような機器、あるいは上述したような一体型の機器を使って膜のヘイズを測定することによって判定できる。そして、ヘイズの測定値を使って、図15に示すグラフなどから厚さがすでにわかっている膜に対するデータベースから対応する粗さの値を選択する。これにより、ヘイズ値を測定し、ヘイズ測定値を図15のRMS粗さ較正曲線と関連付けるのに約1分しかかからないため、製造設備のエンドユーザが各膜に対して1時間まで節約することができるようになる。
Surface roughness can generally be measured by instruments such as the HRP tool of KLA-Tenker Corporation of San Jose, Calif., And can also be used with atomic force microscopes, near-field microscopes, and scanning tunneling microscopes. It can be measured by other types of scanning probe microscopes. This process takes time. Measure film roughness more quickly than conventional methods by utilizing the above relationship between haze and film roughness in uniform dielectric films or in metals with varying uniformity Can do. Thus, according to FIG. 16, the KLA-Tenker Corporation high resolution profiler or AFM is used to create a database of correlations between haze and surface roughness using the
本発明について、様々な実施形態に基づいて説明してきたが、添付の請求項およびその等価物によってのみ限定される本発明の範囲を逸脱することなく、変更および変形が可能であることは理解できよう。本出願で挙げた参考文献のすべては、その全体が参照のために引用されている。 While the invention has been described in terms of various embodiments, it will be understood that modifications and variations can be made without departing from the scope of the invention, which is limited only by the appended claims and equivalents thereof. Like. All references cited in this application are incorporated by reference in their entirety.
Claims (12)
表面を光線によって走査するステップと、
表面に垂直な線に対して略対称に散乱光を集束する集束器によって表面から散乱した光線を集束するステップと、前記集束器は前記光線からの光および前記表面によって散乱された光を通す1以上の絞りを有し、
表面上のパターンによって散乱すると予測される光成分の角度差に相当する角度の角度ギャップを有する空間フィルタによって前記1以上の絞りを通過した光の少なくとも一部を濾波するステップと、
前記濾波した光および集束光の少なくともいずれか一方から表面の内部もしくは表面上の異常の有無を判定するステップと、
を含む表面検査法。 A surface inspection method for detecting anomalies on a surface having a diffraction pattern that scatters light rays,
Scanning the surface with light rays;
A step of focusing the light rays scattered from the surface by concentrator which focuses the scattered light substantially symmetrically with respect to a line perpendicular to the surface, the concentrator is the light scattered by the light and the surface of the optical line or al Have one or more apertures to pass through,
Filtering at least a portion of the light that has passed through the one or more apertures with a spatial filter having an angular gap of an angle corresponding to the angular difference of the light components expected to be scattered by the pattern on the surface;
Determining whether there is an abnormality in or on the surface from at least one of the filtered light and the focused light; and
Including surface inspection methods.
前記集束器は前記光線からの光および前記表面によって散乱された光を通す2つの絞りを規定しており、
前記濾波するステップが、それぞれ内部に角度ギャップを有する二つの対応する空間フィルタによって集束光を濾波し、ギャップが、表面上のパターンによって散乱すると予測される成分の角度差に相当する角度だけ互いにずれている方法。 The method of claim 1, wherein
The concentrator is to define two aperture through which light scattered by the optical line or these light and said surface,
Steps for the filtering, respectively filters the focused light by two corresponding spatial filter having an angular gap therein, the gap, by an angle corresponding to the angular difference between the components that are expected to scattering by the pattern on the surface from each other Misaligned way.
前記光線は斜角にて前記表面を照射し、前記2つの絞りは前記斜角の照射光線に対してそれぞれ+90度および−90度の方位角位置に中心を有する、方法。 The method of claim 2, wherein
The light beam illuminates the surface at an oblique angle, and the two stops are centered at azimuth positions of +90 degrees and -90 degrees, respectively, with respect to the oblique light beam.
表面上のパターンによって散乱すると予測される成分の角度差がある値以上であり、ギャップとずれが前記値と実質的に等しい方法。 The method of claim 2, wherein
A method in which the angular difference of components predicted to be scattered by the pattern on the surface is greater than or equal to a certain value and the gap and displacement are substantially equal to said value.
集束光の濾波した第1と第2の部分に呼応して信号を出力するステップと、前記信号を組み合わせて表面の内部もしくは表面上の異常を検出するステップとをさらに含む方法。 The method of claim 4, wherein
Outputting a signal in response to the filtered first and second portions of the focused light; and combining the signals to detect anomalies within or on the surface.
前記パターンによって散乱すると予測される成分が、フーリエ成分である方法。 The method of claim 1, wherein
The method in which the component predicted to be scattered by the pattern is a Fourier component.
表面を走査するための光線を供給する供給源と、
表面に垂直な線に対して略対称に表面から散乱した光線を集束するための集束器であって、前記光線からの光および前記表面によって散乱された光を通す1以上の絞りを有する集束器と、
前記1以上の絞りを通過した光の少なくとも一部を濾波するための空間フィルタであって、前記フィルタが、表面上のパターンによって散乱すると予測される角度差に相当する角度の角度ギャップを有するフィルタと、
前記濾波した光および集束光の少なくともいずれか一方から表面の内部もしくは表面上の異常の有無を判定するプロセッサと、
を備える表面検査装置。 A surface inspection apparatus for detecting anomalies on a surface having a diffraction pattern that scatters light rays,
A source for supplying light for scanning the surface;
A concentrator for focusing a light beam scattered from the surface in a substantially symmetrical with respect to a line perpendicular to the surface, with one or more aperture passing light scattered by the optical line or these light and the surface A concentrator;
A spatial filter for filtering at least a portion of light that has passed through the one or more apertures, wherein the filter has an angular gap of an angle corresponding to an angular difference predicted to be scattered by a pattern on the surface When,
A processor for determining the presence or absence of an abnormality in or on the surface from at least one of the filtered light and the focused light;
A surface inspection apparatus comprising:
前記集束器は、前記光線からの光および前記表面によって散乱された光を通す2つの絞りを規定し、
前記装置が、前記光の第1と第2の部分をそれぞれ濾波するための第1と第2の空間フィルタを有し、前記二つの空間フィルタは、それぞれ内部に角度ギャップを有し、二つのフィルタのギャップは、前記線に対して表面上のパターンによって散乱すると予測される成分の角度差に相当する角度だけ互いにずれている装置。 The apparatus of claim 7.
The concentrator defines two aperture through which light scattered by the optical line or these light and said surface,
The apparatus includes first and second spatial filters for filtering first and second portions of the light, respectively, the two spatial filters each having an angular gap therein, and two An apparatus in which the gaps of the filters are offset from each other by an angle corresponding to the angular difference of the components expected to be scattered by the pattern on the surface relative to the line.
表面上のパターンによって散乱すると予測される成分の角度差がある値以上であり、ギャップとずれが前記値と実質的に等しい装置。 The apparatus of claim 8.
An apparatus in which the angular difference of components expected to be scattered by the pattern on the surface is greater than or equal to a certain value and the gap and displacement are substantially equal to said value.
前記プロセッサが、集束光の濾波した第1と第2の部分に呼応して信号を出力し、信号を組み合わせて表面の内部もしくは表面上の異常を検出する装置。 The apparatus of claim 9.
An apparatus in which the processor outputs signals in response to the filtered first and second portions of the focused light and combines the signals to detect anomalies within or on the surface.
前記光線は斜角にて前記表面を照射し、前記2つの絞りは前記斜角の照射光線に対してそれぞれ+90度および−90度の方位角位置に中心を有する、装置。 The apparatus of claim 8.
The light beam illuminates the surface at an oblique angle, and the two stops are centered at azimuthal positions of +90 degrees and -90 degrees, respectively, with respect to the oblique light beam.
前記パターンによって散乱すると予測される成分が、フーリエ成分である装置。 The apparatus of claim 7.
An apparatus in which a component predicted to be scattered by the pattern is a Fourier component.
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