JP5415723B2 - 有機トランジスタ - Google Patents
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Appl.Phys.Lett.,63,1372(1993) Appl.Phys.Lett.,72,1854(1998) Science,268,270(1995) J.Amer.Chem.Soc.,128,12604(2006) J.Amer.Chem.Soc.,129,15732(2007)
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタである。
本発明の有機トランジスタは、有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなるものである。
例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、3,3−ジメチルブチルオキシ基、2−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、n−トリデシルオキシ基、n−テトラデシルオキシ基、n−ペンタデシルオキシ基、n−ヘキサデシルオキシ基、n−ヘプタデシルオキシ基、n−オクタデシルオキシ基、n−エイコシルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシ基;
2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−n−ヘプチルオキシフェニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n−ノニルオキシフェニル基、4−n−デシルオキシフェニル基、4−n−ウンデシルオキシフェニル基、4−n−ドデシルオキシフェニル基、4−n−テトラデシルオキシフェニル基、2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,5−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、2−メトキシ−4−メチルフェニル基、2−メトキシ−5−メチルフェニル基、2−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−5−メトキシフェニル基、
2−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,4−ジクロロフェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、2−メチル−4−クロロフェニル基、2−クロロ−4−メチルフェニル基、3−クロロ−4−メチルフェニル基、2−クロロ−4−メトキシフェニル基、3−メトキシ−4−フルオロフェニル基、3−メトキシ−4−クロロフェニル基、3−フルオロ−4−メトキシフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基、4−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−(4’−メチルフェニル)フェニル基、4−(4’−メトキシフェニル)フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−エトキシ−1−ナフチル基、6−n−ブチル−2−ナフチル基、6−メトキシ−2−ナフチル基、7−エトキシ−2−ナフチル基、2−フリル基、2−チエニル基、5−n−プロピル−2−チエニル基、5−n−ヘキシル−2−チエニル基、5−n−デシル−2−チエニル基、5−フェニル−2−チエニル基、5−(2’−チエニル)−2−チエニル基、3−チエニル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
尚、導電性のある基板、例えば、シリコンを基板に用いた場合、その基板はゲート電極を兼ねることもできる。
ソース電極、ドレイン電極は、上に挙げた電極材料の中でも、有機半導体層との接触面において電気抵抗が小さいものが好ましい。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのシリコン基板に、厚さ200nmの熱酸化膜(SiO2)を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたSiO2層がゲート絶縁層となる。この上に、真空下(5×10−4Pa)で、例示化合物番号5の化合物を、蒸着速度0.03nm/secの速度で、30nmの厚さに蒸着し、有機半導体層を形成した。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは40nmであり、チャネル幅は5mm、チャネル長は20μmであった。
以上のように作製した有機トランジスタは、p型のトランジスタ素子としての特性を示した。有機トランジスタの電流―電圧(I−V)特性の飽和領域から、電荷移動度を求めた。
さらに、ドレインバイアス−50Vとし、ゲートバイアス−50Vおよび0Vにした時のドレイン電流値を測定し、電流のオン/オフ比を求めた。
さらに、作製した有機トランジスタ素子を大気中で、25℃で、1ヶ月保存した後、再度、電荷移動度と電流のオン/オフ比を測定した。測定結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号5の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号12の化合物(実施例2)、例示化合物番号17の化合物(実施例3)、例示化合物番号34の化合物(実施例4)、例示化合物番号41の化合物(実施例5)、例示化合物番号43の化合物(実施例6)を使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号5の化合物を使用する代わりに、ペンタセンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
尚、1ヶ月放置後には、有機トランジスタとしての特性を示さなかった。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号5の化合物を使用する代わりに、α−ヘキサチエニレンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号5の化合物を使用する代わりに、2,7−ジフェニル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(非特許文献4に記載)を使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのシリコン基板に、厚さ200nmの熱酸化膜(SiO2)を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたSiO2層がゲート絶縁層となる。シリコン基板を80℃に加熱しておき、その上に、例示化合物番号8の化合物のクロロホルム溶液(濃度:0.4質量%)を塗布したところ、クロロホルムが蒸発し、80nmの厚さの例示化合物番号8の化合物からなる有機半導体層が形成された。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは80nmであり、チャネル幅は2mm、チャネル長は50μmであった。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、2.2×10−1(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は3.2×107であった。
実施例7において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号8の化合物を使用する代わりに、2,7−ジヘキシル[1]ベンゾチエノ[3,2−b][1]ベンゾチオフェン(非特許文献5に記載)を使用した以外は、実施例7に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、8.2×10−2(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は2.2×107であった。
21:ゲート電極
31:ゲート絶縁層
41:ドレイン電極
51:有機半導体層
61:ソース電極
12:基板
22:ゲート電極
32:ゲート絶縁層
42:ドレイン電極
52:有機半導体層
62:ソース電極
13:基板
23:ゲート電極
33:ゲート絶縁層
43:ドレイン電極
53:有機半導体層
63:ソース電極
14:基板
24:ゲート電極
34:ゲート絶縁層
44:ドレイン電極
54:有機半導体層
64:ソース電極
Claims (1)
- 有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。
[式中、X1〜X10はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは4〜20の置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するX2〜X5は互いに結合してハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のアリール基で置換されていてもよいベンゼン環を形成していてもよく、Y1およびY2はそれぞれ独立に、硫黄原子、あるいはN−R(但し、Rは水素原子、炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数2〜20の直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは炭素数4〜20の置換または未置換のアリール基を表す)を表す(但し、Y1およびY2は同時にN−Rを表すことはない)
但し、Y 1 およびY 2 が共に硫黄原子であり、X 1 、X 5 〜X 10 が全て水素原子であるとき、
X 2 〜X 4 が以下の(a)〜(d)の組み合わせであることを除く:
(a)X 2 およびX 3 およびX 4 が水素原子、
(b)X 2 がメチル基、X 3 およびX 4 が水素原子、
(c)X 3 がメチル基、X 2 およびX 4 が水素原子、
(d)X 4 がメチル基、X 2 およびX 3 が水素原子]
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008197493A JP5415723B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | 有機トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008197493A JP5415723B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | 有機トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010034450A JP2010034450A (ja) | 2010-02-12 |
JP5415723B2 true JP5415723B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=41738552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008197493A Expired - Fee Related JP5415723B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | 有機トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5415723B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101193182B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
JP5843304B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2016-01-13 | 山本化成株式会社 | 有機トランジスタ |
JP2016113434A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | 住友化学株式会社 | 化合物、該化合物と高分子化合物を含む組成物、該化合物を含む有機薄膜および有機半導体素子 |
WO2016152889A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | 日本化薬株式会社 | 有機化合物、有機半導体材料、有機薄膜及びその製造方法、有機半導体組成物、並びに有機半導体デバイス |
JP6526585B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2019-06-05 | 日本化薬株式会社 | 縮合多環芳香族化合物及びその用途 |
JP6654517B2 (ja) * | 2016-06-21 | 2020-02-26 | 山本化成株式会社 | 有機トランジスタ |
JP6917106B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2021-08-11 | 日本化薬株式会社 | 縮合多環芳香族化合物及びその用途 |
JP7144210B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-09-29 | 山本化成株式会社 | 有機トランジスタ |
CN114163448A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-03-11 | 北京大学深圳研究生院 | 一种基于萘并五元杂环苯并五元杂环的主体材料及其制备方法与有机发光器件 |
-
2008
- 2008-07-31 JP JP2008197493A patent/JP5415723B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010034450A (ja) | 2010-02-12 |
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JP2009033068A (ja) | 有機トランジスタ |
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A711 | Notification of change in applicant |
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