JP5412809B2 - Method for producing imidazole compound - Google Patents

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Description

本発明は、イミダゾール化合物の製造方法、当該化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置に関する。   The present invention relates to a method for producing an imidazole compound, an organic electroluminescence element using the compound, a display device, and a lighting device.

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下「ELD」という。)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下「有機EL素子」ともいう。)が挙げられる。   Conventionally, as a light-emitting electronic display device, there is an electroluminescence display (hereinafter referred to as “ELD”). As a component of ELD, an inorganic electroluminescence element and an organic electroluminescence element (hereinafter also referred to as “organic EL element”) can be given.

無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。   Inorganic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements.

一方、有機EL素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。   On the other hand, an organic EL device has a structure in which a light-emitting layer containing a light-emitting compound is sandwiched between a cathode and an anode, and excitons (excitons) are generated by injecting electrons and holes into the light-emitting layer and recombining them. The device emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Therefore, it has a wide viewing angle, high visibility, and since it is a thin-film type completely solid element, it has attracted attention from the viewpoints of space saving and portability.

しかしながら、今後の実用化に向けた有機EL素子においては、更に低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機EL素子の開発が望まれている。   However, in organic EL elements for practical use in the future, development of organic EL elements that emit light efficiently and with high luminance with lower power consumption is desired.

特許第3093796号公報では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。   In Japanese Patent No. 3093796, a small amount of a phosphor is doped into a stilbene derivative, a distyrylarylene derivative or a tristyrylarylene derivative to achieve an improvement in light emission luminance and a longer device lifetime.

また、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子等が知られている。   Moreover, the element which has an organic light emitting layer which doped 8-hydroxyquinoline aluminum complex as a host compound and a trace amount fluorescent substance to this, and the organic light emission which doped 8-quinoquinoline aluminum complex as a host compound and this to the quinacridone series pigment | dye Devices having layers are known.

以上のように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:3であるため発光性励起種の生成確率が25%であり、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取り出し量子効率(η)の限界は5%とされている。   As described above, when light emission from excited singlet is used, the generation ratio of singlet excitons and triplet excitons is 1: 3, and thus the generation probability of luminescent excited species is 25%. Since the efficiency is about 20%, the limit of the external extraction quantum efficiency (η) is set to 5%.

ところが、プリンストン大より励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告(M.A.Baldo et al.,Nature、395巻、151〜154頁(1998年))がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている。   However, since Princeton University reported on an organic EL device using phosphorescence emission from an excited triplet (MA Baldo et al., Nature, 395, 151-154 (1998)), Research on materials that exhibit phosphorescence has become active.

例えば、M.A.Baldo et al.,Nature、403巻、17号、750〜753頁(2000年)、また米国特許第6,097,147号明細書等にも開示されている。   For example, M.M. A. Baldo et al. , Nature, 403, 17, 750-753 (2000), US Pat. No. 6,097,147, and the like.

励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%となるため励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られる可能性があることから照明用途としても注目されている。   When the excited triplet is used, the upper limit of the internal quantum efficiency is 100%. In principle, the luminous efficiency is four times that of the excited singlet, and there is a possibility that almost the same performance as a cold cathode tube can be obtained. Therefore, it is attracting attention as a lighting application.

例えば、S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)等においては、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討されている。   For example, S.M. Lamansky et al. , J .; Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), etc., many compounds are being studied for synthesis centering on heavy metal complexes such as iridium complexes.

また、前述のM.A.Baldo et al.,Nature、403巻、17号、750〜753頁(2000年)においては、ドーパントとしてトリス(2−フェニルピリジン)イリジウムを用いた検討がされている。   In addition, the aforementioned M.I. A. Baldo et al. , Nature, 403, 17, 750-753 (2000), studies have been made using tris (2-phenylpyridine) iridium as a dopant.

その他、M.E.Tompson等は、The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)において、ドーパントとしてLIr(acac)、例えば、(ppy)Ir(acac)を、またMoon−Jae Youn.0g、Tetsuo Tsutsui等は、やはりThe 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)において、ドーパントとしてトリス(2−(p−トリル)ピリジン)イリジウム(Ir(ptpy)),トリス(ベンゾ[h]キノリン)イリジウム(Ir(bzq))等を用いた検討を行っている(なおこれらの金属錯体は一般にオルトメタル化イリジウム錯体と呼ばれている。)。 In addition, M.M. E. Thompson et al. In The 10th International Works on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu) used L 2 Ir (acac), for example, (ppy) 2 Ir (acac), e 0 g, Tetsuo Tsutsui, etc., again The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu), the dopant as tris (2-(p-tolyl) pyridine) iridium (Ir (ptpy) 3), tris ( Studies using benzo [h] quinoline) iridium (Ir (bzq) 3 ) and the like are being conducted (note that these metal complexes are generally called ortho-metalated iridium complexes).

また、前記S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)や特開2001−247859号公報等においても、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている。   In addition, the S. Lamansky et al. , J .; Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-247859, etc., attempts have been made to form devices using various iridium complexes.

また、高い発光効率を得るためにThe 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL’00、浜松)では、Ikai等はホール輸送性の化合物をリン光性化合物のホストとして用いている。また、M.E.Tompson等は各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている。   In order to obtain high luminous efficiency, in the 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL'00, Hamamatsu), Ikai et al. Uses a hole transporting compound as a host of a phosphorescent compound. In addition, M.M. E. Thompson et al. Use various electron transporting materials as a host of phosphorescent compounds, doped with a novel iridium complex.

中心金属をイリジウムの代わりに白金としたオルトメタル化錯体も注目されている。この種の錯体に関しては、配位子に特徴を持たせた例が多数知られている。   Orthometalated complexes in which the central metal is platinum instead of iridium are also attracting attention. With respect to this type of complex, many examples are known in which ligands are characterized.

いずれの場合も発光素子とした場合の発光輝度や発光効率は、その発光する光がリン光に由来することから従来の素子に比べ大幅に改良されるものであるが、素子の発光寿命については従来の素子よりも低いという問題点があった。   In either case, the light emission brightness and light emission efficiency of the light emitting device are greatly improved compared to conventional devices because the emitted light is derived from phosphorescence. There was a problem that it was lower than the conventional element.

このように、リン光性の高効率の発光材料は、発光波長の短波化と素子の発光寿命の改善が難しく、実用に耐えうる性能を十分に達成できていないのが現状である。   As described above, it is difficult for phosphorescent highly efficient light-emitting materials to shorten the light emission wavelength and improve the light emission lifetime of the device, and the performance that can withstand practical use cannot be sufficiently achieved.

また、波長の短波化に関してはこれまでフェニルピリジンにフッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン酸やピラザボール系の配位子を導入することが知られている。   In addition, regarding wavelength shortening, introduction of an electron withdrawing group such as a fluorine atom, a trifluoromethyl group, a cyano group or the like into phenylpyridine as a substituent, and picolinic acid or a pyrazabole-based ligand as a ligand. It is known to introduce.

しかしながら、これらの配位子では発光材料の発光波長が短波化して青色を達成し、高効率の素子を達成できる一方、素子の発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められていた。   However, with these ligands, the emission wavelength of the light-emitting material is shortened to achieve blue, and a high-efficiency device can be achieved. On the other hand, the light-emitting lifetime of the device is greatly deteriorated, so an improvement in the trade-off is required. It was.

配位子としてフェニルピラゾールを有する金属錯体は発光波長が短波な発光材料であることが開示されている(例えば、特許文献1及び2参照。)。さらに、フェニルピラゾールの5員環に6員環が縮合した部分構造を有する配位子から形成される金属錯体が開示されている(例えば、特許文献3及び4参照。)。また、フェナンスリジン骨格を有する金属錯体についての開示がある。(例えば、特許文献5及び6参照。)。   It is disclosed that a metal complex having phenylpyrazole as a ligand is a light emitting material having a short emission wavelength (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Furthermore, a metal complex formed from a ligand having a partial structure in which a 6-membered ring is condensed to a 5-membered ring of phenylpyrazole is disclosed (for example, see Patent Documents 3 and 4). There is also a disclosure of a metal complex having a phenanthridine skeleton. (For example, refer to Patent Documents 5 and 6.)

フェナンスリジン骨格を有する金属錯体の中では、イミダゾフェナンスリジン骨格を持った化合物およびそれに類似した1群の化合物に性能面で優れた点があるものの、製造上の過程に問題があることが判り、さらなる性能の向上のためにはその問題を解決することが必須であることが判明した。   Among metal complexes having a phenanthridine skeleton, compounds having an imidazophenanthridine skeleton and a group of compounds similar thereto have excellent performance, but there are problems in the manufacturing process. It turns out that it is essential to solve the problem in order to further improve the performance.

以下に従来技術の問題点を挙げる。   The problems of the prior art are listed below.

高性能な有機エレクトロルミネッセンス素子の作製に使用する材料はいずれも高純度である必要がある。イミダジフェナンシリジン骨格を持った金属錯体を高純度に製造するためには、配位子であるイミダジフェナンシリジン化合物は高純度に製造する必要がある。   Any material used for the production of a high-performance organic electroluminescent element needs to be highly pure. In order to produce a metal complex having an imidadiphenanthridine skeleton with high purity, it is necessary to produce an imidadiphenanthyridine compound as a ligand with high purity.

しかしながら、フェナンスリジン骨格を有する金属錯体を開示している特許文献5及び6に開示されている製造方法では、充分に高純度な配位子を得ることはできないことが判明した。さらに、開示されている精製方法では不十分であり、さらに、より高度な精製工程を経て純度を向上させないと、最終的に製造される金属錯体の合成収率が低下し、製造された金属錯体の純度が低下してしまうという問題を有することが判明した。
国際公開第2004/085450号パンフレット 特開2005−53912号公報 特開2006−28101号公報 米国特許第7147937号明細書 米国特許20070190359号明細書 国際公開第2007/095118号パンフレット
However, it has been found that the production methods disclosed in Patent Documents 5 and 6 that disclose metal complexes having a phenanthridine skeleton cannot obtain sufficiently high purity ligands. Furthermore, the disclosed purification method is insufficient, and further, if the purity is not improved through a more advanced purification step, the synthetic yield of the finally produced metal complex is reduced, and the produced metal complex is reduced. It has been found that there is a problem in that the purity of the resin is lowered.
International Publication No. 2004/085450 Pamphlet JP 2005-53912 A JP 2006-28101 A US Pat. No. 7,147,937 US Patent No. 20070190359 International Publication No. 2007/095118 Pamphlet

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、特異的に短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機EL素子に必要な高純度なイミダゾール化合物の製造方法、およびその製造方法によって製造したイミダゾール化合物、それを用いた有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems and circumstances, and a solution to the problem is a high light intensity required for an organic EL element that exhibits specific short-wave light emission, exhibits high light emission efficiency, and has a long light emission lifetime. It is providing the manufacturing method of a pure imidazole compound, the imidazole compound manufactured by the manufacturing method, an organic EL element using the same, an illuminating device, and a display apparatus.

すなわち、本発明に係る主たる課題は、イミダゾール化合物の新規な製造方法の提供であるが、基本的或いは典型的態様としては、下記一般式(1)で表されるイミダゾール化合物の製造方法であって、下記一般式(2)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを溶媒中で反応させることを特徴とする態様のイミダゾール化合物の製造方法を提供することである。   That is, the main subject of the present invention is to provide a novel method for producing an imidazole compound, but as a basic or typical embodiment, there is a method for producing an imidazole compound represented by the following general formula (1). The present invention provides a method for producing an imidazole compound having a mode in which a compound represented by the following general formula (2) and a compound represented by the following general formula (3) are reacted in a solvent. .

Figure 0005412809
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〔式中、R〜Rは、各々、水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。Xはハロゲン原子を表す。〕
以下、本発明に係る上記課題及び本発明の理解を助けるために、先行技術の問題点及びその考察等について詳しく説明をする。
[Wherein, R 1 to R 9 each represents a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. X represents a halogen atom. ]
Hereinafter, in order to assist the understanding of the above-mentioned problems and the present invention, problems of the prior art and considerations thereof will be described in detail.

先ず、イミダゾフェナンスリジン骨格を持った金属錯体の合成方法は特許文献5、6に以下のように開示されている。以下に3つ実施例を例として引用する。   First, methods for synthesizing a metal complex having an imidazophenanthridine skeleton are disclosed in Patent Documents 5 and 6 as follows. The following three examples are cited as examples.

引用例1:R1=R2=Hの例(特許文献5の実施例2、3より)   Cited Example 1: Example of R1 = R2 = H (From Examples 2 and 3 of Patent Document 5)

Figure 0005412809
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引用例2:R1≠R2≠Hの例(特許文献5の実施例36より)   Citation 2: Example of R1 ≠ R2 ≠ H (from Example 36 of Patent Document 5)

Figure 0005412809
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引用例3:R1≠R2≠Hの例(特許文献5の実施例37より)   Reference example 3: R1 ≠ R2 ≠ H (from Example 37 of Patent Document 5)

Figure 0005412809
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すなわち、金属錯体の配位子であるイミダゾフェナンスリジン類の製造方法としては6−アミノフェナンスリジン誘導体とα−ハロアルデヒドの反応が開示されており、反応条件としては、反応溶媒は、2−プロパノール(特許文献5の実施例2、6、36、他)、NMP(N−メチルピロリドン、特許文献5の実施例37)が開示され、塩基は炭酸ナトリウムが開示されている。また、配位子の精製方法としてはシリカゲルカラムクロマトグラフィーの使用が開示されている。   That is, the reaction of a 6-aminophenanthridine derivative and α-haloaldehyde is disclosed as a method for producing imidazophenanthridine which is a ligand of a metal complex, and the reaction solvent is 2 -Propanol (Examples 2, 6, 36, etc. of Patent Document 5), NMP (N-methylpyrrolidone, Example 37 of Patent Document 5) are disclosed, and sodium carbonate is disclosed as a base. Moreover, use of silica gel column chromatography is disclosed as a purification method of the ligand.

しかし、特許文献5の多くの実施例で開示されている引用例1のようなR=R=Hの場合はともかくとして、引用例2や引用例3のようなR≠Rの場合においては、開示されている反応条件および精製方法では十分な純度を持った配位子が得られないことが判明した。 However, in the case of R 1 = R 2 = H as in Citation 1 disclosed in many examples of Patent Document 5, R 1 ≠ R 2 as in Citation 2 and Citation 3 In some cases, it has been found that the disclosed reaction conditions and purification methods do not yield sufficiently pure ligands.

すなわち、特許文献5で開示されている反応条件で反応した場合には、目的物の配位子以外の不要な副生成物がかなりの割合で生成し、しかも、特許文献5において開示されているシリカゲルカラムクロマトグラフィー法による精製だけではこれらの不純物を除去しきれないことが判明した。シリカゲル以外の吸着性の担体を用いたクロマトグライフィー(たとえば、アルミナなど)も試みたがいずれも十分な精製効果を得ることができなかった。これは、副生成物の極性が目的の配位子と極めて近いため吸着性の差では分離できないためと考えられる。   That is, when it reacts on the reaction conditions currently disclosed by patent document 5, an unnecessary by-product other than the target ligand is produced | generated in a considerable ratio, Moreover, patent document 5 discloses. It was found that these impurities could not be completely removed by purification using silica gel column chromatography alone. Chromatography (for example, alumina etc.) using an adsorbent carrier other than silica gel was also tried, but none of them could achieve a sufficient purification effect. This is presumably because the by-product polarity is very close to the target ligand and cannot be separated by the difference in adsorptivity.

唯一、精製効果が確認されたのはGPC(ゲル・パーミュエーション・クロマトグラフ)法によるクロマトグラフィー精製法だった。この方法は、分子の嵩高さの違いでふるい分けることを分離の原理にするため不純物と目的物の分子の嵩高さが多少なりとも異なったことで精製効果を得ることができた。しかし、この方法は、精製の処理効率が低く、1回の精製操作で精製できる物質の量がシリカゲルクロマトグラフィーなどに比べると非常に低く、大量生産には向かない方法である。   The only purification effect was confirmed by the chromatographic purification method by GPC (gel permeation chromatography). In this method, since the separation principle is based on the difference in the bulkiness of the molecules, the purification effect can be obtained because the bulkiness of the impurities and the target molecules are somewhat different. However, this method is low in purification efficiency, and the amount of substances that can be purified in one purification operation is very low compared to silica gel chromatography and the like, and is not suitable for mass production.

したがって、有機エレクトロルミネッセンス素子材料として有用な金属錯体を製造するのに十分な純度を持った配位子を得るためには、不純物の生成そのものを抑える反応方法を開発することが必要であり、その場合の精製方法としては、ある程度の生産性を持ったシリカゲルクロマトグラフィーなどによる精製だけで十分な純度の配位子が得られることが必要条件となる。   Therefore, in order to obtain a ligand having sufficient purity to produce a metal complex useful as an organic electroluminescence device material, it is necessary to develop a reaction method that suppresses the generation of impurities itself. As a purification method in this case, it is a necessary condition that a ligand with sufficient purity can be obtained only by purification by silica gel chromatography or the like having a certain degree of productivity.

問題となっている副生成物の構造については個々の原料によってすべてが同じ組成の副生成物を生じるものではないため、完全には解明できていないが、幾つかの反応事例から以下のように考えることができる。   The structure of the by-product in question is not completely elucidated because not all the by-products of the same composition are produced by the individual raw materials. Can think.

すなわち、ここで問題としている配位子合成の反応においては2つの原料、すなわち、6−アミノフェナンスリジン誘導体およびα−ハロアルデヒド(あるいはα−ハロケトン)が用いられているが、いずれも複数の反応点を持った化合物であることがこのような事態を引き起こしていると考える。   That is, two raw materials, ie, a 6-aminophenanthridine derivative and an α-haloaldehyde (or α-haloketone) are used in the ligand synthesis reaction in question here. I think that this is caused by the fact that the compound has a reaction point.

以下に、R=n−Hexyl、R=Hの場合に単離して構造確認された副生成物を例に説明する。 Hereinafter, a by-product isolated and confirmed in the case of R 1 = n-Hexyl and R 2 = H will be described as an example.

Figure 0005412809
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すなわち、本来は、1)アミノ基とカルボニル基が、次いで2)環上窒素と臭素原子が、順次反応することで目的物が得られるはずが、逆の組み合わせで不規則に反応を起こすことで不要な副生成物の生成を招いていることが判った。アミノ基と臭素原子との反応が無視できないことから、これ以外にも、2つ以上の6−アミノフェナンスリジン誘導体とα−ハロアルデヒド(あるいはα−ハロケトン)が反応したような高分子量の副生成物が生成するであろうことが容易に推測される。実際、GPCを用いた精製の過程でも構造の確認はできないものの、目的物に比べると高分子量の副生成物が多数確認されていることもこの考えを支持する証拠であると考えられる。   That is, originally, 1) amino group and carbonyl group, then 2) ring nitrogen and bromine atom should react in order, but the target product should be obtained, It was found that the formation of unnecessary by-products was invited. Since the reaction between the amino group and the bromine atom is not negligible, other than this, a high molecular weight by-product such as the reaction of two or more 6-aminophenanthridine derivatives and α-haloaldehyde (or α-haloketone). It is easily speculated that the product will form. In fact, although the structure cannot be confirmed even in the purification process using GPC, the fact that many high-molecular-weight by-products are confirmed as compared with the target product is considered to support this idea.

Figure 0005412809
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Figure 0005412809
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したがって、副生成物の生成を抑制するためには、2つの原料から起こりうる最初の2つの反応の内、目的とする反応(反応経路A)を促進し、好ましくない反応(反応経路B)を抑制するような反応環境、あるいは、目的とする反応にはあまり影響がないが、好ましくない反応を抑制するような反応環境、あるいは目的とする反応を促進しつつ、好ましくない反応にはあまり影響がないような反応環境、を与えることができれば良いということになる。   Therefore, in order to suppress the production of by-products, among the first two reactions that can occur from the two raw materials, the target reaction (reaction route A) is promoted, and an undesirable reaction (reaction route B) is performed. Suppressing reaction environment or target reaction has little effect, but reaction environment that suppresses undesirable reaction or target reaction is promoted but unfavorable reaction has less effect It would be good if we can give a reaction environment that doesn't exist.

《本発明の適用範囲》
本発明者らは、検討の結果、高性能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に必要な金属錯体の配位子として問題の無い、高純度なイミダゾフェナンスリジン類を効率的に製造するための方法を見出すことに成功し、本発明にいたったが、さらに、本発明の製造方法の適用可能な範囲についても検討を行った。
<< Scope of application of the present invention >>
As a result of the study, the present inventors have studied a method for efficiently producing high-purity imidazophenanthridines, which has no problem as a ligand of a metal complex necessary for production of a high-performance organic electroluminescence device. The inventors have succeeded in finding out the present invention and have arrived at the present invention, but further examined the applicable range of the production method of the present invention.

その結果、原料としては6−アミノフェナンスリジン誘導体だけに留まらず、2−アミノピリジン母核に2つの芳香環が縮環したようなヘテロ環アミンとα−ハロアルデヒドやα−ハロケトンを原料とするようなイミダゾール誘導体の合成全般に、本発明の効果が発現することを確認し、本発明を完成するにいたった。   As a result, the raw material is not limited to the 6-aminophenanthridine derivative, but a heterocyclic amine in which two aromatic rings are condensed on the 2-aminopyridine mother nucleus and an α-haloaldehyde or α-haloketone are used as raw materials. Thus, it was confirmed that the effects of the present invention were manifested in the synthesis of imidazole derivatives, and the present invention was completed.

すなわち、一般式(4)、(6)、(8)または(10)で表されるイミダゾール化合物の製造方法として、下記一般式(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物と、前記の一般式(3)で表される化合物を非極性非プロトン性溶媒中で反応させることで、高性能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に必要な金属錯体の配位子を高純度に効率的に製造するための方法を見出すことに成功し、本発明に至った。   That is, the production method of the imidazole compound represented by the general formula (4), (6), (8) or (10) is represented by the following general formula (5), (7), (9) or (11). And a compound represented by the above general formula (3) are reacted in a non-polar aprotic solvent to obtain a ligand of a metal complex necessary for the production of a high-performance organic electroluminescence device. The present inventors have succeeded in finding a method for efficiently producing high purity and have reached the present invention.

ここでは、原料と生成物は構造的に互いに関連したものである。すなわち、一般式(5)で表される化合物からは一般式(4)で表されるイミダゾール化合物が、一般式(7)で表される化合物からは一般式(6)で表されるイミダゾール化合物が、一般式(9)で表される化合物からは一般式(8)で表されるイミダゾール化合物が、一般式(11)で表される化合物からは一般式(10)で表されるイミダゾール化合物が、各々生成されることを示している。   Here, the raw material and the product are structurally related to each other. That is, the imidazole compound represented by the general formula (4) from the compound represented by the general formula (5), and the imidazole compound represented by the general formula (6) from the compound represented by the general formula (7). However, from the compound represented by the general formula (9), the imidazole compound represented by the general formula (8) is represented by the imidazole compound represented by the general formula (10). Indicates that each is generated.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

〔式中、E1a〜E1kは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、E1lは炭素原子または窒素原子を表す。一般式(4)、(6)、(8)または(10)で表されるイミダゾール化合物において、E1a〜E1lとイミダゾール環で構成される骨格は合計で18π電子を有する。R1b〜R1e、R1h〜R1jは、各々水素原子または置換基を表す。ただし、R1*が結合しているE1*が酸素原子または硫黄原子である場合は、R1*は存在しない。また、R1*が結合しているE1*が窒素原子である場合は、R1*は存在しない場合もある。ここで*はb、c、d、e、h、i、jのいずれかの文字を表す。また、R、Rは、各々、水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。Xはハロゲン原子を表す。なお、上記一般式で表される化合物のうち、原料と生成物は、構造的に互いに関連したもの同士である。〕 [Wherein, E 1a to E 1k represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and E 1l represents a carbon atom or a nitrogen atom. In the imidazole compound represented by the general formula (4), (6), (8) or (10), the skeleton composed of E 1a to E 11 and the imidazole ring has a total of 18π electrons. R 1b to R 1e and R 1h to R 1j each represent a hydrogen atom or a substituent. However, when E 1 * to which R 1 * is bonded is an oxygen atom or a sulfur atom, R 1 * does not exist. In addition, when E1 * to which R 1 * is bonded is a nitrogen atom, R 1 * may not exist. Here, * represents any of the characters b, c, d, e, h, i, and j. R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. X represents a halogen atom. In addition, among the compounds represented by the above general formula, the raw material and the product are structurally related to each other. ]

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討の結果、少なくとも2位あるいは3位のいずれか一方には置換基を有するイミダゾフェナンスリジン類の製造方法として、以下の方法を用いることで、高性能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に必要な金属錯体の配位子として問題の無い、高純度なイミダゾフェナンスリジン類を大量生産に対応可能な精製方法のみを用いて製造することができることを見出し、本発明に至った。   As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have used the following method as a method for producing imidazophenanthridine having a substituent in at least one of 2-position and 3-position. It is possible to manufacture high-purity imidazophenanthridines, which have no problems as ligands for metal complexes necessary for the manufacture of high-performance organic electroluminescence devices, using only a purification method capable of supporting mass production. And found the present invention.

すなわち、本発明に係る上記課題は、下記の手段1〜18により解決される。
具体的に本発明によれば、手段1において、非極性非プロトン性溶媒として誘電率が10以下の非極性非プロトン性溶媒が使用され、一般式(5)、(7)、(9)または(11)(および一般式(4)、(6)、(8)または(10))中、E 1a 〜E 1f 、E 1g 〜E 1l により形成される環はそれぞれ、6員の芳香族炭化水素環または5員もしくは6員の芳香族複素環を表し、当該6員の芳香族炭化水素環がベンゼン環であり、当該5員もしくは6員の芳香族複素環がフラン環、チオフェン環、オキサゾール環、イミダゾール環、ピリジン環であるイミダゾール化合物の製造方法が提供される。
That is, the said subject which concerns on this invention is solved by the following means 1-18.
Specifically, according to the present invention, in the means 1, a nonpolar aprotic solvent having a dielectric constant of 10 or less is used as the apolar aprotic solvent , and the general formula (5), (7), (9) or (11) (and in general formula (4), (6), (8) or (10)), each of the rings formed by E 1a to E 1f and E 1g to E 1l is a 6-membered aromatic carbonization. Represents a hydrogen ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle, the 6-membered aromatic hydrocarbon ring is a benzene ring, and the 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle is a furan ring, a thiophene ring, or an oxazole Provided is a method for producing an imidazole compound which is a ring, an imidazole ring or a pyridine ring .

1.下記一般式(4)、(6)、(8)または(10)で表されるイミダゾール化合物の製造方法であって、下記一般式(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物を非極性非プロトン性溶媒中で反応させることを特徴とするイミダゾール化合物の製造方法。   1. A method for producing an imidazole compound represented by the following general formula (4), (6), (8) or (10), wherein the following general formula (5), (7), (9) or (11): A method for producing an imidazole compound, comprising reacting a compound represented by the following general formula (3) in a nonpolar aprotic solvent:

Figure 0005412809
Figure 0005412809

〔式中、R、Rは、各々、水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。E1a〜E1kは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、E1lは炭素原子または窒素原子を表す。一般式(4)、(6)、(8)または(10)で表されるイミダゾール化合物において、E1a〜E1lとイミダゾール環で構成される骨格は合計で18π電子を有する。R1b〜R1e、R1h〜R1jは、各々水素原子または置換基を表す。ただし、R1*が結合しているE1*が酸素原子または硫黄原子である場合は、R1*は存在しない。また、R1*が結合しているE1*が窒素原子である場合は、R1*は存在しない場合もある。ここで*はb、c、d、e、h、i、jのいずれかの文字を表す。なお、上記一般式で表される化合物のうち、原料と生成物は、構造的に互いに関連したもの同士である。〕
2.前記非極性非プロトン性溶媒が、芳香族化合物であることを特徴とする前記1に記載のイミダゾール化合物の製造方法。
[Wherein, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. E 1a to E 1k represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and E 1l represents a carbon atom or a nitrogen atom. In the imidazole compound represented by the general formula (4), (6), (8) or (10), the skeleton composed of E 1a to E 11 and the imidazole ring has a total of 18π electrons. R 1b to R 1e and R 1h to R 1j each represent a hydrogen atom or a substituent. However, when E 1 * to which R 1 * is bonded is an oxygen atom or a sulfur atom, R 1 * does not exist. In addition, when E 1 * to which R 1 * is bonded is a nitrogen atom, R 1 * may not exist. Here, * represents any of the characters b, c, d, e, h, i, and j. In addition, among the compounds represented by the above general formula, the raw material and the product are structurally related to each other. ]
2. 2. The method for producing an imidazole compound according to 1 above, wherein the nonpolar aprotic solvent is an aromatic compound.

3.前記非極性非プロトン性溶媒が、アルキル置換ベンゼンまたはクロロ置換ベンゼンであることを特徴とする前記1または2に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   3. 3. The method for producing an imidazole compound according to 1 or 2, wherein the nonpolar aprotic solvent is alkyl-substituted benzene or chloro-substituted benzene.

4.前記一般式(3)で表される化合物および一般式(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物の他に、有機塩基を用いて反応させることを特徴とする前記1から3のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   4). In addition to the compound represented by the general formula (3) and the compound represented by the general formula (5), (7), (9) or (11), the reaction is performed using an organic base. The manufacturing method of the imidazole compound as described in any one of said 1 to 3.

5.前記有機塩基を一般式(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物の1.1〜1.5当量用いることを特徴とする前記4に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   5. 5. The production of an imidazole compound according to 4 above, wherein 1.1 to 1.5 equivalents of the compound represented by the general formula (5), (7), (9) or (11) is used as the organic base. Method.

6.前記有機塩基が、トリアルキルアミンであることを特徴とする前記4または5に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   6). 6. The method for producing an imidazole compound according to 4 or 5, wherein the organic base is a trialkylamine.

7.前記反応を50〜200℃で行うことを特徴とする前記1から6のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   7). The said reaction is performed at 50-200 degreeC, The manufacturing method of the imidazole compound as described in any one of said 1-6 characterized by the above-mentioned.

8.前記反応を100〜150℃で行うことを特徴とする前記1から7のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   8). The said reaction is performed at 100-150 degreeC, The manufacturing method of the imidazole compound as described in any one of said 1 to 7 characterized by the above-mentioned.

9.前記Xが、臭素または塩素であることを特徴とする前記1から8のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   9. Said X is bromine or chlorine, The manufacturing method of the imidazole compound as described in any one of said 1-8 characterized by the above-mentioned.

10.下記一般式(1)で表されるイミダゾール化合物の製造方法であって、下記一般式(2)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを非極性非プロトン性溶媒中で反応させることを特徴とする前記1から9のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   10. A method for producing an imidazole compound represented by the following general formula (1), wherein a compound represented by the following general formula (2) and a compound represented by the following general formula (3) are nonpolar aprotic 10. The method for producing an imidazole compound according to any one of 1 to 9, wherein the reaction is performed in a solvent.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

〔式中、R〜Rは、各々、水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。Xはハロゲン原子を表す。〕
11.陽極と陰極により挟まれた発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、当該発光層が、下記一般式(12)〜(15)で表される部分構造を含む化合物を含有し、かつ、当該一般式(12)〜(15)で表される部分構造を含む化合物が、前記1から10のいずれか一項に記載の製造方法で製造された対応するイミダゾール化合物を用いて製造されたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
[Wherein, R 1 to R 9 each represents a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. X represents a halogen atom. ]
11. An organic electroluminescence device having a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode, wherein the light emitting layer contains a compound containing a partial structure represented by the following general formulas (12) to (15), and The compound containing the partial structure represented by general formula (12)-(15) is manufactured using the corresponding imidazole compound manufactured with the manufacturing method as described in any one of said 1-10. An organic electroluminescence device characterized in that there is.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

〔式中、E1a〜E1kは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、E1lは炭素原子または窒素原子を表す。E1a〜E1lとイミダゾール環で構成される骨格は合計で18π電子を有する。R1b〜R1e、R1h〜R1jは、各々水素原子または置換基を表す。ただし、R1*が結合しているE1*が酸素原子または硫黄原子である場合は、R1*は存在しない。また、R1*が結合しているE1*が窒素原子である場合は、R1*は存在しない場合もある。ここで、*はb、c、d、e、h、i、jのいずれかの文字を表す。 [Wherein, E 1a to E 1k represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and E 1l represents a carbon atom or a nitrogen atom. The skeleton composed of E 1a to E 11 and the imidazole ring has a total of 18π electrons. R 1b to R 1e and R 1h to R 1j each represent a hydrogen atom or a substituent. However, when E 1 * to which R 1 * is bonded is an oxygen atom or a sulfur atom, R 1 * does not exist. In addition, when E 1 * to which R 1 * is bonded is a nitrogen atom, R 1 * may not exist. Here, * represents any of the characters b, c, d, e, h, i, and j.

また、R、Rは、各々水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。〕
12.前記Mが、白金またはイリジウムであることを特徴とする前記11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. M represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. ]
12 12. The organic electroluminescence device as described in 11 above, wherein M is platinum or iridium.

13.前記発光層が、カルバゾール誘導体、または当該カルバゾール誘導体のカルバゾール環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体を含有することを特徴とする前記11または12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   13. The light emitting layer contains a carbazole derivative or a derivative having a ring structure in which at least one carbon atom of a hydrocarbon ring constituting the carbazole ring of the carbazole derivative is substituted with a nitrogen atom. Or the organic electroluminescent element of 12.

14.構成層として、前記12に記載の一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、当該有機層がウェットプロセスを用いて形成されたことを特徴とする前記11から13のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   14 As a constituent layer, it has an organic layer containing at least one compound containing a partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) described in 12, and the organic layer uses a wet process. 14. The organic electroluminescence device according to any one of 11 to 13, wherein the organic electroluminescence device is formed.

15.前記一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む化合物を部分構造とする重合体を少なくとも1種を含有することを特徴とする前記11から14のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   15. Any one of 11 to 14 above, characterized in that it contains at least one polymer having a partial structure of a compound containing the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15). The organic electroluminescent element of description.

16.白色発光することを特徴とする前記11から15のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   16. 16. The organic electroluminescence element according to any one of 11 to 15, which emits white light.

17.前記11から16のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。   17. A display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of 11 to 16 above.

18.前記11から16のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。   18. An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 11 to 16 above.

本発明の手段により、特異的に短波な発光が見られ、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機EL素子に必要な高純度なイミダゾール化合物の製造方法、およびその製造方法によって製造したイミダゾール化合物、それを用いた有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供することができる。   By means of the present invention, a method for producing a high-purity imidazole compound necessary for an organic EL device that exhibits specific short-wave luminescence, exhibits high luminous efficiency, and has a long emission lifetime, and imidazole produced by the production method A compound, an organic EL element using the compound, a lighting device, and a display device can be provided.

すなわち、本発明の手段により、素子駆動開始時の初期劣化を大幅に低減し、さらには素子駆動中の発光素子のダークスポット発生も大幅に低減させた有機EL素子を提供することができる。また、当該素子を用いた高性能な照明装置、表示装置を提供することができる。   That is, by means of the present invention, it is possible to provide an organic EL element in which the initial deterioration at the start of element driving is greatly reduced, and further, the occurrence of dark spots in the light emitting element during element driving is greatly reduced. In addition, a high-performance lighting device or display device using the element can be provided.

本発明のイミダゾール化合物の製造方法は、前記一般式(1)、(4)、(6)、(8)または(10)で表される相互に類似する化学構造を有するイミダゾール化合物の製造方法であって、前記一般式(2)、(5)、(7)、(9)または(11)で表される相互に類似する化学構造を有する化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを非極性非プロトン性溶媒中で反応させることを特徴とする。この特徴は、手段1から18に共通する(同一又は対応する)技術的特徴である。 The method for producing an imidazole compound of the present invention is a method for producing an imidazole compound having chemical structures similar to each other represented by the general formula (1), (4), (6), (8) or (10). And a compound having a chemical structure similar to each other represented by the general formula (2), (5), (7), (9) or (11), and represented by the following general formula (3): The compound is reacted with a non-polar aprotic solvent. This feature is a technical feature common (identical or corresponding) to the means 1 to 18 .

本発明の実施態様としては、発明の効果発現の観点から、前記非極性非プロトン性溶媒が、芳香族化合物であることが好ましい。更に、当該非極性非プロトン性溶媒が、アルキル置換ベンゼンまたはクロロ置換ベンゼンであることが好ましい。   As an embodiment of the present invention, the nonpolar aprotic solvent is preferably an aromatic compound from the viewpoint of manifesting the effects of the invention. Further, the nonpolar aprotic solvent is preferably alkyl-substituted benzene or chloro-substituted benzene.

また、本発明においては、前記一般式(2)、(5)、(7)、(9)または(11)及び(3)で表される化合物の他に、有機塩基を用いて反応させる態様であることが好ましい。この場合、当該有機塩基を一般式(2)、(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物の1.1〜1.5当量用いることが好ましい。更に、当該有機塩基が、トリアルキルアミンであることが好ましい。   Moreover, in this invention, the aspect made to react using an organic base other than the compound represented by the said General formula (2), (5), (7), (9) or (11) and (3). It is preferable that In this case, it is preferable to use 1.1 to 1.5 equivalents of the compound represented by the general formula (2), (5), (7), (9) or (11). Furthermore, the organic base is preferably a trialkylamine.

本発明の実施態様としては、前記反応は、50〜200℃の温度範囲で行うことが好ましく、更には、100〜150℃で行うことが好ましい。   In an embodiment of the present invention, the reaction is preferably performed in a temperature range of 50 to 200 ° C, and more preferably 100 to 150 ° C.

また、前記一般式(3)における前記Xが、臭素または塩素であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the X in the general formula (3) is bromine or chlorine.

本発明のイミダゾール化合物の製造方法を用いて製造されたイミダゾール化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子に好適に用いることができる。すなわち、有機エレクトロルミネッセンス素子としては、陽極と陰極により挟まれた発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、当該発光層が、前記一般式(12)〜(15)で表される部分構造を含む化合物を含有している態様であることが好ましい。また、当該一般式(12)〜(15)における、M(元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素)は、白金またはイリジウムであることが好ましい。また、当該発光層は、カルバゾール誘導体、または当該カルバゾール誘導体のカルバゾール環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体を含有することが好ましい。   The imidazole compound produced using the method for producing an imidazole compound of the present invention can be suitably used for an organic electroluminescence device. That is, the organic electroluminescence element is an organic electroluminescence element having a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode, and the light emitting layer has a partial structure represented by the general formulas (12) to (15). It is preferable that it is the aspect containing the compound to contain. In the general formulas (12) to (15), M (group 8 to group 10 transition metal element in the periodic table) is preferably platinum or iridium. The light-emitting layer preferably contains a carbazole derivative or a derivative having a ring structure in which at least one carbon atom of a hydrocarbon ring constituting the carbazole ring of the carbazole derivative is substituted with a nitrogen atom.

更に、当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、その構成層として、前記一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、当該有機層がウェットプロセスを用いて形成された態様であることが好ましい。また、前記一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む化合物を部分構造とする重合体を少なくとも1種を含有することが好ましい。   Furthermore, the organic electroluminescence element has an organic layer containing at least one compound containing a partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) as the constituent layer, It is preferable that the layer is formed using a wet process. Moreover, it is preferable to contain at least 1 type of the polymer which uses as a partial structure the compound containing the partial structure represented by either of the said General formula (12)-(15).

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、白色発光する素子として好適に用いることができる。従って、当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、表示装置、及び照明装置に好適に用いることができる。   The organic electroluminescence element according to the present invention can be suitably used as an element that emits white light. Therefore, the organic electroluminescence element can be suitably used for a display device and a lighting device.

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態・態様について詳細な説明をする。   Hereinafter, the present invention, its components, and the best mode and mode for carrying out the present invention will be described in detail.

(イミダゾール化合物の製造方法)
本発明のイミダゾール化合物の製造方法のうち、下記一般式(1)、(4)、(6)、(8)または(10)で表されるイミダゾール化合物の製造方法は、下記一般式(2)、(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを非極性非プロトン性溶媒中で反応させることを特徴とする。
(Method for producing imidazole compound)
Among the methods for producing an imidazole compound of the present invention, the method for producing an imidazole compound represented by the following general formula (1), (4), (6), (8) or (10) is represented by the following general formula (2). , (5), (7), (9) or (11) and a compound represented by the following general formula (3) are reacted in a non-polar aprotic solvent, To do.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

〔式中、R1b〜R1jは、各々水素原子または置換基を表す。また、R、Rは、各々水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。Xはハロゲン原子を表す。なお、一般式(1)〜(3)で表される化合物は、それぞれ、手段10に記載の一般式(1)〜(3)で表される化合物と同一である。〕 [Wherein, R 1b to R 1j each represents a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. X represents a halogen atom. The compounds represented by the general formulas (1) to (3) are the same as the compounds represented by the general formulas (1) to (3) described in the means 10 , respectively. ]

Figure 0005412809
Figure 0005412809

〔式中、E1a〜E1kは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、E1lは炭素原子または窒素原子を表す。一般式(4)、(6)、(8)または(10)で表されるイミダゾール化合物において、E1a〜E1lとイミダゾール環で構成される骨格は合計で18π電子を有する。R1b〜R1e、R1h〜R1jは、各々水素原子または置換基を表す。ただし、R1*が結合しているE1*が酸素原子または硫黄原子である場合は、R1*は存在しない。また、R1*が結合しているE1*が窒素原子である場合は、R1*は存在しない場合もある。ここで*はb、c、d、e、h、i、jのいずれかの文字を表す。また、R、Rは、各々、水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。なお、上記一般式で表される化合物のうち、原料と生成物は、構造的に互いに関連したもの同士である。〕
本発明は、一般式(2)、(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物と、一般式(3)で表される化合物を非極性非プロトン性溶媒中で反応させることを特徴とする、一般式(1)で表されるイミダゾール化合物の製造方法であるが、反応に用いる溶媒は非極性非プロトン性であれば自由に選ぶことができる。
[Wherein, E 1a to E 1k represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and E 1l represents a carbon atom or a nitrogen atom. In the imidazole compound represented by the general formula (4), (6), (8) or (10), the skeleton composed of E 1a to E 11 and the imidazole ring has a total of 18π electrons. R 1b to R 1e and R 1h to R 1j each represent a hydrogen atom or a substituent. However, when E 1 * to which R 1 * is bonded is an oxygen atom or a sulfur atom, R 1 * does not exist. In addition, when E1 * to which R 1 * is bonded is a nitrogen atom, R 1 * may not exist. Here, * represents any of the characters b, c, d, e, h, i, and j. R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. In addition, among the compounds represented by the above general formula, the raw material and the product are structurally related to each other. ]
The present invention provides a compound represented by the general formula (2), (5), (7), (9) or (11) and a compound represented by the general formula (3) in a nonpolar aprotic solvent. In the method for producing an imidazole compound represented by the general formula (1), the solvent used for the reaction can be freely selected as long as it is nonpolar aprotic.

「非プロトン性溶媒」とは、プロトン供与性の無い溶媒のことであり、「非極性溶媒」とは、誘電率が10以下の溶媒のことである。   The “aprotic solvent” is a solvent having no proton donating property, and the “nonpolar solvent” is a solvent having a dielectric constant of 10 or less.

非極性非プロトン性溶媒の例としては、炭化水素化合物(例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ドデカン、など)、芳香族炭化水素化合物(例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラメチルベンゼン、など)、ハロゲン化芳香族炭化水素化合物(クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、など)、エーテル化合物(ジブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、など)、エステル化合物(酢酸エチル、酢酸ブチル、酪酸エチル、など)、が挙げられる。   Examples of nonpolar aprotic solvents include hydrocarbon compounds (eg, hexane, heptane, octane, dodecane, etc.), aromatic hydrocarbon compounds (eg, toluene, xylene, mesitylene, tetramethylbenzene, etc.), halogens Aromatic hydrocarbon compounds (chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene, etc.), ether compounds (dibutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, etc.), ester compounds (ethyl acetate, butyl acetate, ethyl butyrate, Etc.).

好ましくは、芳香族炭化水素化合物、ハロゲン化芳香族炭化水素化合物から選ばれる溶媒であり、さらに好ましくは、アルキル置換ベンゼン類、ハロゲン置換ベンゼン類から選ばれる溶媒である。   Preferred is a solvent selected from aromatic hydrocarbon compounds and halogenated aromatic hydrocarbon compounds, and more preferred is a solvent selected from alkyl-substituted benzenes and halogen-substituted benzenes.

これらは、適度な沸点(100℃〜200℃)を有し、原料であるフェナンシリジン類を良く溶解すること、反応原料であるフェナンスリジン類やα−ハロアルデヒド類、α−ハロケトン類などとの反応しない不活性な溶媒であること、さらには工業的に比較的安価に入手可能であることから選ばれる。   These have an appropriate boiling point (100 ° C. to 200 ° C.) and well dissolve phenanthridines as raw materials, phenanthridines, α-haloaldehydes, α-haloketones as reaction raw materials, etc. It is selected from the fact that it is an inert solvent that does not react with, and that it is industrially available at a relatively low cost.

本発明では反応時には塩基を加えなくても反応は進行する。塩基を加えない場合、原料のフェナンスリジン類のうち半分は塩基として作用し、反応時に生成するハロゲン化水素と結合して塩となるため、アミノフェナンスリジンを基準にした反応収率は50%を超えることができない。したがって、アミノフェナンシリジン類を効率的に用いるためには、反応時に塩基を加えることが好ましい。   In the present invention, the reaction proceeds without adding a base during the reaction. When no base is added, half of the raw material phenanthridine acts as a base and combines with the hydrogen halide produced during the reaction to form a salt. Therefore, the reaction yield based on aminophenanthridine is 50. % Cannot be exceeded. Therefore, in order to use aminophenanthyridines efficiently, it is preferable to add a base during the reaction.

反応時に加える塩基としては、溶媒との相溶性が良いことが求められるので有機塩基である事が好ましい。有機塩基としては、アルキルアミン類(トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、など)、ピリジン類(ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、4−アミノピリジン、など)が挙げられる。   The base added during the reaction is preferably an organic base because it is required to have good compatibility with the solvent. Examples of the organic base include alkylamines (triethylamine, diisopropylethylamine, tripropylamine, tributylamine, etc.) and pyridines (pyridine, α-picoline, β-picoline, γ-picoline, 4-aminopyridine, etc.). It is done.

塩基の種類に関しては、塩基性が弱いと、原料のフェナンスリジンとの間でハロゲン化水素の捕獲に関して平衡が起きるため、フェナンスリジンの利用率が低下する恐れがある。そのような平衡が無視できる程度に塩基性の高い塩基を用いるのが好ましい。具体的には、上記で挙げた有機塩基の中でもアルキルアミン類を用いるのが好ましい。さらに、溶解度、沸点などの点からトリアルキルアミンが好ましい。   With regard to the type of base, if the basicity is weak, an equilibrium occurs with respect to the capture of hydrogen halide with the raw material phenanthridine, which may reduce the utilization rate of phenanthridine. It is preferable to use a base that is so basic that such equilibrium can be ignored. Specifically, it is preferable to use alkylamines among the organic bases mentioned above. Furthermore, a trialkylamine is preferable from the viewpoint of solubility, boiling point and the like.

塩基の使用量としては、反応時に生成するハロゲン化水素を漏らさず捉えることが目的なので、発生するハロゲン化水素より多く用いるのが好ましい、ただ、あまり大量に用いると、塩基を含めての溶媒の極性を上げてしまったり、溶媒の沸点を降下させてしまったりして反応に悪影響が出るので、いたずらに多く用いることは好ましくない。好ましくは、原料のフェナンスリジン類に対して1.1〜1.5当量用いることで必要十分に機能させることができる。   The amount of base used is to capture the hydrogen halide generated during the reaction without leaking, so it is preferable to use more than the generated hydrogen halide. However, if the amount used is too large, the amount of the solvent including the base Since the reaction is adversely affected by increasing the polarity or lowering the boiling point of the solvent, it is not preferable to use it excessively. Preferably, it can be made to function as necessary and sufficiently by using 1.1 to 1.5 equivalents with respect to the raw material phenanthridine.

反応温度に関しては、原料のフェナンスリジン類の溶解性が十分であれば50℃以上の反応温度であれば反応が進行する。また、溶媒の沸点が充分に高ければ200℃程度の温度で反応させることで、短時間に反応を終了させることができる。   Regarding the reaction temperature, if the solubility of the raw material phenanthridine is sufficient, the reaction proceeds at a reaction temperature of 50 ° C. or higher. If the boiling point of the solvent is sufficiently high, the reaction can be completed in a short time by reacting at a temperature of about 200 ° C.

反応時間が不要に長くならないためには反応温度は100℃以上で行うのが好ましい。個々の原料の反応性にも影響されるが、この温度で反応すれば数時間〜10数時間で反応が終了する。また、あまり反応温度を上げすぎると有機塩基が気化して塩基としての作用が低下したり、低沸点のα−ハロアルデヒドやα−ハロケトンなども気化して反応性が低下することがあるので150℃程度までにとどめるのが好ましい。   In order not to unnecessarily increase the reaction time, the reaction temperature is preferably 100 ° C. or higher. Although it is influenced by the reactivity of each raw material, if it reacts at this temperature, reaction will be completed in several hours-several dozen hours. Further, if the reaction temperature is raised too much, the organic base is vaporized to reduce the action as a base, or low-boiling α-haloaldehyde, α-haloketone, etc. may be vaporized to reduce the reactivity. It is preferable to keep the temperature to about ℃.

原料であるα−ハロアルデヒドやα−ハロケトンとしては、原料の入手のしやすさ、原料の合成の容易性、原料化合物自体の反応性の点から、ハロゲンとしては臭素、または塩素であることが好ましい。   The α-haloaldehyde or α-haloketone as the raw material may be bromine or chlorine as the halogen from the viewpoint of the availability of the raw material, the ease of synthesis of the raw material, and the reactivity of the raw material compound itself. preferable.

《金属錯体》
本発明の製造法によって製造された配位子を用いて製造される金属錯体(「金属錯体化合物」ともいう。)について説明する。
《Metal complex》
The metal complex (also referred to as “metal complex compound”) manufactured using the ligand manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described.

本発明者等は、有機EL素子の発光層に用いる有機EL素子材料に着目、特に発光ドーパントとして用いる金属錯体化合物について種々検討した。   The present inventors paid attention to the organic EL element material used for the light emitting layer of the organic EL element, and examined various metal complex compounds used as a light emitting dopant.

本発明者らは、金属錯体の基本骨格に置換基を導入することで、波長のコントロールや寿命の改善を図るという、従来公知のアプローチではなく、縮合環のπ共役面を広げることが化合物の安定性を上げるという着目点の下に種々の錯体を検討した。   The present inventors have introduced a substituent into the basic skeleton of a metal complex, and thus it is not a conventionally known approach to control the wavelength or improve the lifetime, but to expand the π-conjugated surface of the condensed ring. Various complexes were studied under the focus of increasing stability.

その結果、幾つかの縮合環構造で寿命の改善傾向が見出された。しかしながら、これまで知られているような縮合環を導入した場合には、発光波長のレッドシフトが著しく、緑、赤色発光となってしまっていた。   As a result, the improvement tendency of lifetime was found in several condensed ring structures. However, when a fused ring as known so far is introduced, the red shift of the emission wavelength is remarkable, resulting in green and red emission.

本発明者等は更に検討を進め、本発明に係る一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造に示されているような縮合環を導入した化合物(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)を発光材料に適用した場合には、発光波長シフトが小さく、且つ、所望の発光波長で、長寿命化を実現した発光ドーパントを開発することに成功した。   The present inventors have further studied, and compounds (metal complexes, metals) in which a condensed ring as shown in the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) according to the present invention is introduced. In the case where a complex compound) is applied to a light emitting material, the present inventors have succeeded in developing a light emitting dopant having a small emission wavelength shift and a long lifetime at a desired emission wavelength.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

この新しい基本骨格について、更に検討を進めるとπ共役平面が大きくなっていることにより、平面性が高くなるため金属錯体どうしの会合が問題となり、素子の寿命が著しく低下するという欠点を有することが分かった。   Further examination of this new basic skeleton has the disadvantage that the π-conjugate plane becomes larger, and the planarity becomes higher, so that the association between metal complexes becomes a problem, and the lifetime of the device is remarkably reduced. I understood.

波形についても、長波側に副発光がみられ色純度の低下が問題になってきた。我々は種々検討した結果、配位子のイミダゾール部分に少なくとも一つの置換基を導入することにより、分子間の会合が防止され、長波側の副発光が抑制でき、金属錯体(金属錯体化合物)の安定性も向上することが分かった。   As for the waveform, sub-luminescence is seen on the long wave side, and a decrease in color purity has become a problem. As a result of various studies, by introducing at least one substituent into the imidazole part of the ligand, association between molecules can be prevented, side-light emission on the long wave side can be suppressed, and metal complexes (metal complex compounds) It was found that stability was also improved.

本発明に係る一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む遷移金属錯体化合物は、各々Mで表される遷移金属元素の価数により、複数の配位子を有することができるが、前記配位子は全て同一でもよく、また、各々異なる構造を有する配位子を有していてもよい。   The transition metal complex compound including the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) according to the present invention includes a plurality of ligands depending on the valence of the transition metal element represented by M. The ligands may all be the same, or may have ligands each having a different structure.

ここで、配位子とは、一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造から遷移金属元素Mを除いた部分が、各々配位子である。   Here, the ligand is a portion obtained by removing the transition metal element M from the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15).

(従来公知の配位子)
また、所謂配位子としては、当該業者が周知の配位子(配位化合物ともいう)を必要に応じて配位子として併用することができる。
(Conventionally known ligand)
Moreover, as what is called a ligand, the said trader can use together a well-known ligand (it is also called a coordination compound) as a ligand as needed.

本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、錯体中の配位子の種類は、好ましくは1〜2種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは1種類である。   From the viewpoint of preferably obtaining the effects described in the present invention, the type of ligand in the complex is preferably composed of 1 to 2 types, and more preferably 1 type.

従来公知の金属錯体に用いられる配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer−Verlag社 H.Yersin著 1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」 裳華房社 山本明夫著 1982年発行 等に記載の配位子(例えば、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど)、ジケトン配位子なと)が挙げられる。   There are various known ligands used in conventionally known metal complexes. For example, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds” Springer-Verlag H. Published by Yersin in 1987, “Organometallic Chemistry-Fundamentals and Applications-” Liu Huabo Company, Akio Yamamoto, published in 1982, etc. (for example, halogen ligands (preferably chlorine ligands), Nitrogen heterocyclic ligands (for example, bipyridyl, phenanthroline, etc.) and diketone ligands).

(元素周期表の8〜10族の遷移金属元素)
本発明に係る、一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む化合物(遷移金属錯体、金属錯体、金属錯体化合物ともいう。)の形成に用いられる金属としては、元素周期表の8〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でも、イリジウム、白金が好ましい遷移金属元素として挙げられる。
(Transition metal element of group 8-10 of the periodic table)
As a metal used for forming a compound (also referred to as a transition metal complex, a metal complex, or a metal complex compound) containing a partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) according to the present invention, A transition metal element belonging to Group 8 to 10 of the periodic table (also referred to simply as a transition metal) is used, among which iridium and platinum are preferable transition metal elements.

(本発明に係る遷移金属錯体の含有層)
本発明に係る一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む遷移金属錯体化合物の含有層としては、電荷を輸送する層(電荷輸送層)であれば特に制限はないが、正孔輸送層または発光層、発光層または電子阻止層が好ましく、より好ましくは発光層または電子阻止層であり、特に好ましくは発光層である。
(Contained layer of transition metal complex according to the present invention)
The transition metal complex compound-containing layer including the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) according to the present invention is not particularly limited as long as it is a layer that transports charges (charge transport layer). However, a hole transport layer or a light emitting layer, a light emitting layer or an electron blocking layer is preferable, a light emitting layer or an electron blocking layer is more preferable, and a light emitting layer is particularly preferable.

また、発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機EL素子の外部取り出し量子効率の効率アップ(高輝度化)や発光寿命の長寿命化を達成することができる。尚、本発明の有機EL素子の構成層については、後に詳細に説明する。   Moreover, when it contains in a light emitting layer, by using as a light emission dopant in a light emitting layer, the efficiency improvement (high brightness) of the external extraction quantum efficiency of the organic EL element of this invention and the lifetime improvement of a light emission lifetime are achieved. be able to. The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described in detail later.

次に、本発明に係る一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造について説明する。   Next, the partial structure represented by any of the general formulas (12) to (15) according to the present invention will be described.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

《一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造》
本発明に係る一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造について説明する。
<< Partial structure represented by any one of general formulas (12) to (15) >>
The partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) according to the present invention will be described.

一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造において、E1a〜E1fにより形成される環は、6員の芳香族炭化水素環もしくは5員または6員の芳香族複素環を表す。 In the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15), the ring formed by E 1a to E 1f is a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle. Represents a ring.

1a〜E1fにより形成される6員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環が挙げられる。更に、後述する置換基を有していても良い。 Examples of the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by E 1a to E 1f include a benzene ring. Furthermore, you may have the substituent mentioned later.

1a〜E1fにより形成される5員または6員の芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等が挙げられる。 Examples of the 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle formed by E 1a to E 1f include a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, and a triazine ring. Etc.

これらの各環は各々更に、後述する置換基を有していても良い。   Each of these rings may further have a substituent described later.

一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造において、E1g〜E1lにより形成される環は、6員の芳香族炭化水素環もしくは5員または6員の芳香族複素環を表すが、これらの環は、各々、E1a〜E1fにより形成される6員の芳香族炭化水素環もしくは5員または6員の芳香族複素環と同義である。 In the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15), the ring formed by E 1g to E 11 is a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle. These rings represent the same meaning as the 6-membered aromatic hydrocarbon ring or 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle formed by E 1a to E 1f , respectively.

一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造において、R1b〜R1jで各々表される置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、ヘテロアリール基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。 In the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15), each of the substituents represented by R 1b to R 1j includes an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group). Group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (for example, vinyl) Group, allyl group, etc.), alkynyl group (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aryl group (for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group) , Acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, Phenylyl group, heteroaryl group (for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazole-1-) Yl, 1,2,3-triazol-1-yl, etc.), oxazolyl, benzoxazolyl, thiazolyl, isoxazolyl, isothiazolyl, furazanyl, thienyl, quinolyl, benzofuryl, dibenzofuryl Group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating that one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the previous carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), Quinoxalinyl group, pyridazinyl group, tria Nyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, Hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, Methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (for example, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (for example, phenylthio group, Naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, Naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group) , Phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl) Group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group) , Ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonyl) Amino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecyl Carbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, Octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc., ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido) Group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.) Sulfinyl group (eg, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl Group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group) 2-pyridylsulfonyl group), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentyla) Group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg. , Fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group) Group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphono group and the like. These substituents may be further substituted with the above substituents.

これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよく、また、複数の置換基が存在する場合、各々の置換基は同一でも異なっていてもよく、お互いに連結して環を形成しても良い。   A plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring, and when a plurality of substituents are present, each substituent may be the same or different, and linked to each other to form a ring. May be formed.

《重合性の置換基》
一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造において、R1b〜R1jで各々表される置換基は、前述のアルケニル基以外にもスチリル基、エポキシ基、オキセタニル基、アクリル基、メタクリル基等の重合性基を有していても良い。
<< Polymerizable substituent >>
In the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15), the substituents represented by R 1b to R 1j are styryl group, epoxy group, oxetanyl group, You may have polymeric groups, such as an acryl group and a methacryl group.

更に、一般式(1)〜(4)のいずれかで表される部分構造で表される化合物は前記重合性基同士、もしくは他の重合性モノマーと反応して重合体を形成することが出来る。   Furthermore, the compound represented by the partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4) can react with the polymerizable groups or with other polymerizable monomers to form a polymer. .

複数の部分構造が重合体中に存在する場合、各々の一般式(1)〜(4)のいずれかで表される部分構造は同一でも異なっていても良い。   When a plurality of partial structures are present in the polymer, the partial structures represented by any one of the general formulas (1) to (4) may be the same or different.

<一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造の重合方法>
一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造の重合体(ポリマー)は「改訂 高分子合成の化学」化学同人「高分子合成の実験法」化学同人「第4版 実験化学講座 28「高分子合成」丸善等に記載の方法を用いて合成することが出来る。
<Method of polymerizing a partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15)>
The polymer (polymer) of the partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) is “Revised Polymer Synthesis Chemistry” Chemistry “Polymer Synthesis Experimental Method” Chemistry Dojin “4th Edition Experiment It can be synthesized using the method described in Chemistry Course 28 “Polymer Synthesis” Maruzen et al.

好ましい重合方法としては、1)重縮合 2)ラジカル重合 3)イオン重合 4)重付加、付加縮合等が挙げられ、重合性基の種類によって使い分けることが可能である。   Preferable polymerization methods include 1) polycondensation, 2) radical polymerization, 3) ionic polymerization, 4) polyaddition, addition condensation, and the like, which can be used depending on the type of polymerizable group.

一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造の重合体は上記方法を用い、ホモポリマーとすることも可能であり、複数のモノマーと組み合わせたコポリマーとすることも可能である。   The polymer having a partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) can be made into a homopolymer using the above method, or can be made into a copolymer combined with a plurality of monomers. is there.

以下、本発明に係る前記一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む化合物(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Specific examples of the compound (also referred to as a metal complex or a metal complex compound) containing a partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) according to the present invention are shown below. It is not limited.

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表中で用いている置換基J1〜J15と副配位子(X−L−X)を以下に示す。 The substituents J1 to J15 and the secondary ligand (X 1 -L 1 -X 2 ) used in the table are shown below.

置換基:*は分子の他の部分との結合部位の結合手を示す。   Substituent: * indicates a bond at a binding site with another part of the molecule.

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副配位子:Mに結合している形で示した。 Subsidiary ligand: was shown in the form that is bound to M 1.

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これらの金属錯体は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、Organic Letter誌、vol8、No.3、415〜418頁(2006)、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。   These metal complexes are described in, for example, Organic Letter, vol. 16, 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, 1685-1687 (1991), J. Am. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry. 26, 1171 (2002), Organic Letter, vol. 3, pages 415 to 418 (2006), and further by applying methods such as references described in these documents.

以下に、本発明に係る金属錯体の合成例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Although the synthesis example of the metal complex based on this invention is shown below, this invention is not limited to these.

《合成例:例示化合物A−1の合成》   << Synthesis Example: Synthesis of Exemplary Compound A-1 >>

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工程1:錯体Aの合成
100ml四つ口フラスコに2−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン1.5g、2−エトキシエタノール13ml、水3mlを入れ、窒素吹き込み管、温度計、コンデンサーをつけて油浴スターラー上にセットした。
Step 1: Synthesis of Complex A A 100 ml four-necked flask was charged with 1.5 g of 2-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, 13 ml of 2-ethoxyethanol, and 3 ml of water, a nitrogen blowing tube, a thermometer, a condenser And set on an oil bath stirrer.

これに、0.55gのIrCl・3HO、および0.16g(0.001560モル)のトリエチルアミンを添加し、窒素気流下、内温100℃付近で6時間煮沸還流して反応終了とした。 To this, 0.55 g of IrCl 3 .3H 2 O and 0.16 g (0.001560 mol) of triethylamine were added, and the reaction was completed by boiling and refluxing at an internal temperature of about 100 ° C. for 6 hours under a nitrogen stream. .

反応終了後室温まで冷却したのちメタノールを加え、析出した固体を濾取した。得られた個体をメタノールで良く洗浄して乾燥し、錯体Aを1.37g(77.0%)得た。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added, and the precipitated solid was collected by filtration. The obtained solid was thoroughly washed with methanol and dried to obtain 1.37 g (77.0%) of complex A.

工程2:錯体Bの合成
50ml四つ口フラスコに、1.0g(0.0007244モル)の錯体A、0.29gのアセチルアセトン、1.0gの炭酸ナトリウム、2−エトキシエタノール24mlを入れ、窒素吹き込み管、温度計、コンデンサーをつけて油浴スターラー上にセットした。
Step 2: Synthesis of complex B In a 50 ml four-necked flask, 1.0 g (0.0007244 mol) of complex A, 0.29 g of acetylacetone, 1.0 g of sodium carbonate, and 24 ml of 2-ethoxyethanol were introduced, and nitrogen was blown into the flask. A tube, a thermometer and a condenser were attached and set on an oil bath stirrer.

窒素気流下、内温80℃付近で1.5時間加熱攪拌した。   Under nitrogen flow, the mixture was heated and stirred at an internal temperature of about 80 ° C. for 1.5 hours.

反応終了後室温まで冷却し、反応液にメタノールを加え、析出した結晶を濾過した。この結晶を水30ml、MeOH 10mlで洗浄して乾燥し、0.42gの錯体D(38.5%)を得た。   After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, methanol was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered. The crystals were washed with 30 ml of water and 10 ml of MeOH and dried to obtain 0.42 g of complex D (38.5%).

工程3:例示化合物A−1の合成
50ml四つ口フラスコに、0.386g(0.0005120モル)の錯体B、0.357gの2−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン、グリセリン20mlを入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素気流化内温150℃付近で4.5時間加熱攪拌して反応終了とした。
Step 3: Synthesis of Exemplary Compound A-1 In a 50 ml four-necked flask, 0.386 g (0.0005120 mol) of complex B, 0.357 g of 2-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, glycerin 20 ml was added, and a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. The reaction was completed by heating and stirring for 4.5 hours at an internal temperature of 150 ° C. under nitrogen flow.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後結晶を濾取し、0.38gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.38 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、例示化合物A−1を0.3g(66.6%)得た。   The crystals are purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystals are heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, filtered, and 0.3 g (66. 6%).

得られた例示化合物A−1の構造は1H−NMR(核磁気共鳴スペクトル)を用い構造を確認した。なお、測定条件および得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。   The structure of the obtained exemplary compound A-1 was confirmed using 1H-NMR (nuclear magnetic resonance spectrum). Measurement conditions, chemical shift of each peak of the obtained spectrum, proton number, etc. are shown below.

H−NMR(400MHz,テトラヒドロフラン−d8)
測定装置:JEOL JNM−AL400(400MHz):日本電子製
スペクトルの帰属(ケミカルシフトδ、プロトン数、ピーク形状)
8.48(3H,d),7.93(3H,d),7.75(3H,s),7.64(3H,d),7.54(3H,t),7.46(3H,t),6.95(3H,t),6.83(3H,d),1.85(9H,s)なお、例示化合物A−1の2−メチルテトラヒドロフラン溶液中77Kにおける発光極大波長は455nmであった。
1 H-NMR (400 MHz, tetrahydrofuran-d8)
Measuring apparatus: JEOL JNM-AL400 (400 MHz): manufactured by JEOL Ltd. Spectrum attribution (chemical shift δ, proton number, peak shape)
8.48 (3H, d), 7.93 (3H, d), 7.75 (3H, s), 7.64 (3H, d), 7.54 (3H, t), 7.46 (3H) , T), 6.95 (3H, t), 6.83 (3H, d), 1.85 (9H, s) The emission maximum wavelength at 77 K in 2-methyltetrahydrofuran solution of Exemplified Compound A-1 is It was 455 nm.

《合成例:例示化合物A−65の合成》   << Synthesis Example: Synthesis of Exemplary Compound A-65 >>

Figure 0005412809
Figure 0005412809

工程1:錯体Cの合成
100ml四つ口フラスコに3−メシチル−6−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン2.3g、2−エトキシエタノール13ml、水3mlを入れ、窒素吹き込み管、温度計、コンデンサーをつけて油浴スターラー上にセットした。
Step 1: Synthesis of Complex C A 100 ml four-necked flask was charged with 2.3 g of 3-mesityl-6-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, 13 ml of 2-ethoxyethanol, 3 ml of water, a nitrogen blowing tube, A thermometer and a condenser were attached and set on an oil bath stirrer.

これに、0.55gのIrCl・3HO、および0.16g(0.001560モル)のトリエチルアミンを添加し、窒素気流化、内温100℃付近で6時間煮沸還流して反応終了とした。 To this, 0.55 g of IrCl 3 .3H 2 O and 0.16 g (0.001560 mol) of triethylamine were added, and the reaction was completed by bubbling and refluxing at an internal temperature of about 100 ° C. for 6 hours under nitrogen flow. .

反応終了後室温まで冷却したのちメタノールを加え、析出した固体を濾取した。得られた個体をメタノールで良く洗浄して乾燥し、錯体Cを2.08g(72.0%)得た。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added, and the precipitated solid was collected by filtration. The obtained solid was thoroughly washed with methanol and dried to obtain 2.08 g (72.0%) of Complex C.

工程2:錯体Dの合成
50ml四つ口フラスコに、1.0g(0.000540モル)の錯体C、0.25gのアセチルアセトン、1.0gの炭酸ナトリウム、2−エトキシエタノール24mlを入れ、窒素吹き込み管、温度計、コンデンサーをつけて油浴スターラー上にセットした。
Step 2: Synthesis of Complex D In a 50 ml four-necked flask, 1.0 g (0.000540 mol) of Complex C, 0.25 g of acetylacetone, 1.0 g of sodium carbonate, and 24 ml of 2-ethoxyethanol were introduced, and nitrogen was blown into the flask. A tube, a thermometer and a condenser were attached and set on an oil bath stirrer.

窒素気流化、内温80℃付近で1.5時間加熱攪拌した。   The mixture was heated and stirred for 1.5 hours at about 80 ° C. under nitrogen flow.

反応終了後室温まで冷却し、反応液にメタノールを加え、析出した結晶を濾過した。この結晶を水30ml、MeOH 10mlで洗浄して乾燥し、0.37gの錯体D(35%)を得た。   After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, methanol was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered. The crystals were washed with 30 ml of water and 10 ml of MeOH and dried to obtain 0.37 g of Complex D (35%).

工程3:例示化合物A−65の合成
50ml四つ口フラスコに、0.370g(0.0003740モル)の錯体D、0.540gの3−メシチル−6−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン、グリセリン20mlを入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素気流化内温150℃付近で4.5時間加熱攪拌して反応終了とした。
Step 3: Synthesis of Exemplified Compound A-65 In a 50 ml four-necked flask, 0.370 g (0.0003740 mol) of Complex D, 0.540 g of 3-mesityl-6-methylimidazo [1,2-f] fe Nanthridine and 20 ml of glycerin were added, and a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. The reaction was completed by heating and stirring for 4.5 hours at an internal temperature of 150 ° C. under nitrogen flow.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後結晶を濾取し、0.37gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.37 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、例示化合物A−65を0.3g(64.7%)得た。   The crystals are purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystals are heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, followed by filtration, and 0.3 g (64.64) of Exemplified Compound A-65. 7%).

得られた例示化合物A−65の構造は1H−NMR(核磁気共鳴スペクトル)を用い構造を確認した。なお、測定条件および得られたスペクトルの各ピークのケミカルシフト、プロトン数等を以下に示す。   The structure of the obtained exemplary compound A-65 was confirmed using 1H-NMR (nuclear magnetic resonance spectrum). Measurement conditions, chemical shift of each peak of the obtained spectrum, proton number, etc. are shown below.

H−NMR(400MHz,ジクロロメタン−d2)
測定装置:JEOL JNM−AL400(400MHz):日本電子製
スペクトルの帰属(ケミカルシフトδ、プロトン数、ピーク形状)
8.32(3H,d),7.64(3H,d),7.22(3H,d),7.13(3H,t),7.05(3H,d),7.01(3H,s),6.98(3H,s),6.91(3H、s),6.85(3H,s),2.36(3H,s),2.13(3H,s),2.00(3H,s),1.86(3H,s)
なお、例示化合物A−97の2−メチルテトラヒドロフラン溶液中77Kにおける発光極大波長は456nmであった。
1 H-NMR (400 MHz, dichloromethane-d2)
Measuring apparatus: JEOL JNM-AL400 (400 MHz): manufactured by JEOL Ltd. Spectrum attribution (chemical shift δ, proton number, peak shape)
8.32 (3H, d), 7.64 (3H, d), 7.22 (3H, d), 7.13 (3H, t), 7.05 (3H, d), 7.01 (3H) , S), 6.98 (3H, s), 6.91 (3H, s), 6.85 (3H, s), 2.36 (3H, s), 2.13 (3H, s), 2 .00 (3H, s), 1.86 (3H, s)
The emission maximum wavelength at 77 K in the 2-methyltetrahydrofuran solution of Exemplified Compound A-97 was 456 nm.

本発明では、例示化合物の発光波長を以下のように測定した。まず、例示化合物の吸収スペクトルを測定し、300−350nmの範囲の吸収最大波長を励起光として設定する。   In the present invention, the emission wavelength of the exemplified compound was measured as follows. First, an absorption spectrum of the exemplary compound is measured, and an absorption maximum wavelength in the range of 300 to 350 nm is set as excitation light.

設定した励起光を用いて、窒素バブリングを行いながら蛍光光度計F−4500(日立製作所製)にて発光波長を測定する。   Using the set excitation light, the emission wavelength is measured with a fluorometer F-4500 (manufactured by Hitachi, Ltd.) while performing nitrogen bubbling.

尚、使用できる溶媒に制限はないが、化合物の溶解性の観点から2−メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン等が好ましく用いられる。   In addition, although there is no restriction | limiting in the solvent which can be used, 2-methyltetrahydrofuran, a dichloromethane, etc. are used preferably from a soluble viewpoint of a compound.

測定時の濃度は充分希釈していることが好ましく、具体的には10−6〜10−4mol/lの範囲で測定することが好ましい。 The concentration at the time of measurement is preferably sufficiently diluted, and specifically, it is preferably measured in the range of 10 −6 to 10 −4 mol / l.

また、測定時の温度としては、特に制限はないが、一般的には室温〜77Kの範囲の温度設定が行われることが好ましい。   Moreover, there is no restriction | limiting in particular as temperature at the time of measurement, However, Generally, it is preferable that temperature setting of the range of room temperature-77K is performed.

(有機エレクトロルミネッセンス素子)
本発明のイミダゾール化合物の製造方法を用いて製造されたイミダゾール化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下「有機EL素子」ともいう。)に好適に用いることができる。すなわち、有機エレクトロルミネッセンス素子としては、陽極と陰極により挟まれた発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、当該発光層が、前記一般式(12)〜(15)で表される部分構造を含む化合物を含有している態様であることが好ましい。また、当該一般式(12)〜(15)における、M(元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素)は、白金またはイリジウムであることが好ましい。また、当該発光層は、カルバゾール誘導体、または当該カルバゾール誘導体のカルバゾール環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体を含有することが好ましい。
(Organic electroluminescence device)
The imidazole compound produced by using the method for producing an imidazole compound of the present invention can be suitably used for an organic electroluminescence device (hereinafter also referred to as “organic EL device”). That is, the organic electroluminescence element is an organic electroluminescence element having a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode, and the light emitting layer has a partial structure represented by the general formulas (12) to (15). It is preferable that it is the aspect containing the compound to contain. In the general formulas (12) to (15), M (group 8 to group 10 transition metal element in the periodic table) is preferably platinum or iridium. The light-emitting layer preferably contains a carbazole derivative or a derivative having a ring structure in which at least one carbon atom of a hydrocarbon ring constituting the carbazole ring of the carbazole derivative is substituted with a nitrogen atom.

更に、当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、その構成層として、前記一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む化合物を少なくとも1種含有する有機層を有し、当該有機層がウェットプロセスを用いて形成された態様であることが好ましい。また、前記一般式(12)〜(15)のいずれかで表される部分構造を含む化合物を部分構造とする重合体を少なくとも1種を含有することが好ましい。   Furthermore, the organic electroluminescence element has an organic layer containing at least one compound containing a partial structure represented by any one of the general formulas (12) to (15) as the constituent layer, It is preferable that the layer is formed using a wet process. Moreover, it is preferable to contain at least 1 type of the polymer which uses as a partial structure the compound containing the partial structure represented by either of the said General formula (12)-(15).

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、白色発光する素子として好適に用いることができる。従って、当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、表示装置、及び照明装置に好適に用いることができる。   The organic electroluminescence element according to the present invention can be suitably used as an element that emits white light. Therefore, the organic electroluminescence element can be suitably used for a display device and a lighting device.

《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
<< Constituent layers of organic EL elements >>
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described. In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.

(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode In the organic EL device of the present invention, the blue light emitting layer preferably has a light emission maximum wavelength of 430 to 480 nm, and the green light emitting layer has a light emission maximum wavelength of 510 to 550 nm, The red light emitting layer is preferably a monochromatic light emitting layer having a light emission maximum wavelength in the range of 600 to 640 nm, and is preferably a display device using these. Alternatively, a white light emitting layer may be formed by laminating at least three light emitting layers. Further, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers. The organic EL element of the present invention is preferably a white light emitting layer, and is preferably a lighting device using these.

本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。   Each layer which comprises the organic EL element of this invention is demonstrated.

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは2〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、10〜20nmの範囲である。   The total film thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but from the viewpoint of improving the uniformity of the film, preventing unnecessary application of high voltage during light emission, and improving the stability of the emission color with respect to the drive current. It is preferable to adjust in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably in the range of 2 to 200 nm, and particularly preferably in the range of 10 to 20 nm.

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。   For the production of the light-emitting layer, a light-emitting dopant or a host compound, which will be described later, is formed by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink-jet method. it can.

本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント(リン光ドーパント(リン光発光性ドーパントともいう)や蛍光ドーパント等)の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。   The light emitting layer of the organic EL device of the present invention preferably contains a light emitting host compound and at least one kind of light emitting dopant (such as a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent dopant) or a fluorescent dopant).

(ホスト化合物)
本発明に用いられるホスト化合物(発光ホスト等ともいう。)について説明する。
(Host compound)
A host compound (also referred to as a light-emitting host or the like) used in the present invention will be described.

ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。   Here, the host compound in the present invention is a phosphorescent quantum yield of phosphorescence emission at a room temperature (25 ° C.) having a mass ratio of 20% or more in the compound contained in the light emitting layer. Is defined as a compound of less than 0.1. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で併用してもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子をさらに高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。   As the host compound, known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the efficiency of the organic EL element can be further increased. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of light emission dopants mentioned later, and, thereby, arbitrary luminescent colors can be obtained.

また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよく、このような化合物を1種または複数種用いても良い。   The light emitting host used in the present invention may be a low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). Alternatively, one or a plurality of such compounds may be used.

以下に、本発明に好ましく用いられるホスト化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Although the specific example of the host compound preferably used for this invention below is shown, this invention is not limited to these.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。   As a known host compound that may be used in combination, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。   Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents.

特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。   JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

(発光ドーパント)
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
(Luminescent dopant)
The light emitting dopant according to the present invention will be described.

本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント(単に、発光材料ということもある)としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。   As the light-emitting dopant according to the present invention, a fluorescent dopant (also referred to as a fluorescent compound) or a phosphorescent dopant (also referred to as a phosphorescent emitter, a phosphorescent compound, a phosphorescent compound, or the like) can be used. From the viewpoint of obtaining an organic EL device with high luminous efficiency, the light emitting dopant used in the light emitting layer or the light emitting unit of the organic EL device of the present invention (sometimes simply referred to as a light emitting material) contains the above host compound. At the same time, it is preferable to contain a phosphorescent dopant.

(リン光ドーパント)
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
(Phosphorescent dopant)
The phosphorescent dopant according to the present invention will be described.

本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。   The phosphorescent dopant according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, the phosphorescent dopant is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.) and has a phosphorescence quantum yield of 25. Although it is defined as a compound of 0.01 or more at ° C., a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.

上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。   The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence dopant according to the present invention achieves the phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. That's fine.

リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of phosphorescent dopants in principle. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent dopant. The energy transfer type that obtains light emission from the phosphorescent dopant, and the other is that the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant, and light emission from the phosphorescent dopant is obtained. Although it is a trap type, in any case, the excited state energy of the phosphorescent dopant is required to be lower than the excited state energy of the host compound.

リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。   The phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL device.

本発明に係るリン光ドーパントは、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent dopant according to the present invention is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound), Rare earth complexes, most preferably iridium compounds.

本発明に係るリン光ドーパントとして用いられる化合物としては、上記の本発明に係る一般式(1)〜(4)のいずれかで表される部分構造を含む遷移金属錯体化合物が好ましい。   The compound used as the phosphorescent dopant according to the present invention is preferably a transition metal complex compound including a partial structure represented by any one of the general formulas (1) to (4) according to the present invention.

また、以下に示すような従来公知の発光ドーパントを併用してもよい。   Moreover, you may use together a conventionally well-known light emission dopant as shown below.

Figure 0005412809
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(蛍光ドーパント)
蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう。)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
(Fluorescent dopant)
Fluorescent dopants (also referred to as fluorescent compounds) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes. Perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and the like.

次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。   Next, an injection layer, a blocking layer, an electron transport layer, and the like used as a constituent layer of the organic EL element of the present invention will be described.

《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。   The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking.

また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。   Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.

本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。   The hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体(カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭素原子のいずれかひとつが窒素原子で置き換わったものを示す)を含有することが好ましい。   The hole blocking layer contains the carbazole derivative, carboline derivative, or diazacarbazole derivative (shown in which any one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carboline derivative is replaced by a nitrogen atom). It is preferable to contain.

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。   In the present invention, when a plurality of light emitting layers having different light emission colors are provided, the light emitting layer having the shortest wavelength of light emission is preferably closest to the anode among all the light emitting layers. In this case, it is preferable to additionally provide a hole blocking layer between the shortest wave layer and the light emitting layer next to the anode next to the anode. Furthermore, it is preferable that 50% by mass or more of the compound contained in the hole blocking layer provided at the position has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the shortest wave emitting layer.

イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。   The ionization potential is defined by the energy required to emit an electron at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be obtained by the following method, for example.

(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。   (1) Using Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), a molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA The ionization potential can be obtained as a value obtained by rounding off the second decimal place of the value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G *. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.

(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。   (2) The ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy. For example, a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used by using a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。   On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved.

また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5〜30nmである。   Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thicknesses of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention are preferably 3 nm to 100 nm, and more preferably 5 to 30 nm.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material as described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。   Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode. As long as it has a function of transferring electrons to the light-emitting layer, any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like.

更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。   Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu , Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as an electron transport material.

その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and hole transport layer Can also be used as an electron transporting material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.

《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。
"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.

また、IDIXO(In−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。 Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method. A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.

あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。   Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 10 nm to 200 nm.

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。   The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as a cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.

また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。   Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

《支持基板》
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
《Support substrate》
As a support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and it is transparent. May be opaque. When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent. Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Can be mentioned.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10−3ml/(m・24h・atm)以下、水蒸気透過度が、10−5g/(m・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , Relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably 0.01 g / (m 2 · 24 h) or less, and further, oxygen measured by a method according to JIS K 7126-1987. A high barrier film having a permeability of 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less and a water vapor permeability of 10 −5 g / (m 2 · 24 h) or less is preferable.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma weight A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。   Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.

本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.

ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。   Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。   In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
<Sealing>
As a sealing means used for this invention, the method of adhere | attaching a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive agent can be mentioned, for example.

封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。   As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an organic EL element may be covered, and concave plate shape or flat plate shape may be sufficient. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。   Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。   In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned.

更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/(m・24h・atm)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m・24h)以下のものであることが好ましい。 Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less measured by a method according to JIS K 7126-1987, and a method according to JIS K 7129-1992. It is preferable that the water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured in (1) is 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less.

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。   For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。   Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.

なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。   In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive.

封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。   Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。   In addition, it is also preferable that the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster-ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。   In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase. preferable. A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。   Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, and the like used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.

《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
《Light extraction》
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1) and can extract only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。   As a method for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435), A method of improving efficiency by providing a light collecting property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on a side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), and light emission from a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the bodies (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), a flat having a lower refractive index between the substrate and the light emitter than the substrate A method of introducing a layer (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951) Gazette).

本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。   In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.

本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。   In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。   When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。   Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。   The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.

全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。   The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is removed. I want to take it out.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。   The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.

しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。   However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.

回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。   As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。   At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.

回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。   The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

《集光シート》
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
<Condenser sheet>
The organic EL device of the present invention is processed on the light extraction side of the substrate so as to provide, for example, a microlens array structure, or combined with a so-called condensing sheet, for example, with respect to a specific direction, for example, the device light emitting surface. By condensing in the front direction, the luminance in a specific direction can be increased.

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。   As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。   As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.

また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。   Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。
<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode will be described.

まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。   First, a desired electrode material, for example, a thin film made of an anode material is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm, thereby producing an anode.

次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物薄膜を形成させる。   Next, organic compound thin films such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron transport layer, which are organic EL element materials, are formed thereon.

これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。   As a method for forming each of these layers, there are a vapor deposition method, a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) and the like as described above, but it is easy to obtain a homogeneous film and it is difficult to generate pinholes. In view of the above, film formation by a coating method such as a spin coating method, an ink jet method, or a printing method is preferable in the present invention.

本発明に係る有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。   Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material according to the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, and mesitylene. Aromatic hydrocarbons such as cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used. Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic wave, high shear force dispersion | distribution, and media dispersion | distribution.

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは、50〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。   After these layers are formed, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm. By providing, a desired organic EL element can be obtained.

また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   Further, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron transport layer, the hole blocking layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order. When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

《用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
<Application>
The organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. For example, lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light Although the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, Especially, it can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and a light source for illumination.

本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。   In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like as needed during film formation. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.

本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。   The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with the total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.

また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/mでのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。 When the organic EL element of the present invention is a white element, white means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 cd / m 2 is X when the 2 ° viewing angle front luminance is measured by the above method. = 0.33 ± 0.07 and Y = 0.33 ± 0.1.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these.

まず、金属錯体の配位子となるイミダゾール化合物の合成とその配位子を用いた金属錯体A〜Fの合成に関して、実施例によって本発明の効果を説明する。   First, the effects of the present invention will be described with reference to the synthesis of an imidazole compound that becomes a ligand of a metal complex and the synthesis of metal complexes A to F using the ligand.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

合成実施例1:金属錯体Aの合成−1
Step1:配位子の合成(本発明の方法)
Synthesis Example 1: Synthesis of Metal Complex A-1
Step 1: Synthesis of ligand (method of the present invention)

Figure 0005412809
Figure 0005412809

100ml三頭フラスコにフェナンスリジン−6−アミン 3.88g(20mmol)のトルエン50ml溶液、2−クロロアセトアルデヒド(50%水溶液) 4.71g(30mmol)を入れ、140℃のオイルバスで加熱しながら還流下に2時間反応した。次いで、トリエチルアミン 3.04g(30mmol)を追加しさらに2時間還流下に反応した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認して反応を終了した。   A 100 ml three-headed flask was charged with a solution of 3.88 g (20 mmol) of phenanthridine-6-amine in 50 ml of toluene and 4.71 g (30 mmol) of 2-chloroacetaldehyde (50% aqueous solution) while heating in a 140 ° C. oil bath. The reaction was carried out for 2 hours under reflux. Next, 3.04 g (30 mmol) of triethylamine was added, and the reaction was further performed under reflux for 2 hours. The reaction was completed after confirming the disappearance of the raw materials by thin layer chromatography.

反応液は濾過して不溶物を除去した後、容積を半分程度にするまで減圧濃縮した。その溶液をシカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン−テトラヒドロフラン=10:1〜2:1)によって精製しイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン 3.75g(収率86%)を得た。   The reaction solution was filtered to remove insolubles, and then concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about half. The solution was purified by silica gel column chromatography (hexane-tetrahydrofuran = 10: 1 to 2: 1) to obtain 3.75 g (yield 86%) of imidazo [1,2, f] phenanthridine.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.0%.

Step2:金属錯体Aの合成   Step 2: Synthesis of metal complex A

Figure 0005412809
Figure 0005412809

50ml四つ口フラスコに、1.22g(2.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、2.73gのイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   In a 50 ml four-necked flask, put 1.22 g (2.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 2.73 g of imidazo [1,2-f] phenanthridine, 10 drops of tridecane, a nitrogen blowing tube, temperature The total was set on an oil bath stirrer with an air-cooled tube attached. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、1.03gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 1.03 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Aを0.83g(39.3%)得た。   The crystal was purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystal was heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, followed by filtration to obtain 0.83 g (39.3%) of metal complex A. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.3%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.3%.

合成比較例1:金属錯体Aの合成−2
Step1:配位子の合成(米国特許20070190359号明細書に記載の方法)
Synthesis Comparative Example 1: Synthesis of Metal Complex A-2
Step 1: Synthesis of ligand (method described in US Pat. No. 2,070,190,359)

Figure 0005412809
Figure 0005412809

100ml三頭フラスコにフェナンスリジン−6−アミン 3.88g(20mmol)の2−プロパノール100ml溶液、2−クロロアセトアルデヒド(50%水溶液)4.71g(30mmol)、炭酸ナトリウム4.77g(45mmol)を入れ、内温80℃で還流下に2時間反応した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認して反応を終了した。   In a 100 ml three-headed flask, 3.88 g (20 mmol) of phenanthridine-6-amine in 100 ml of 2-propanol, 4.71 g (30 mmol) of 2-chloroacetaldehyde (50% aqueous solution), and 4.77 g (45 mmol) of sodium carbonate were added. The mixture was reacted for 2 hours under reflux at an internal temperature of 80 ° C. The reaction was completed after confirming the disappearance of the raw materials by thin layer chromatography.

反応液は減圧濃縮して溶媒を完全に除去した後、シカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン−テトラヒドロフラン=10:1〜2:1)によって精製しイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン 3.67g(収率84%)を得た。   The reaction solution was concentrated under reduced pressure to completely remove the solvent, and then purified by sika gel column chromatography (hexane-tetrahydrofuran = 10: 1 to 2: 1) to obtain 3.67 g of imidazo [1,2, f] phenanthridine. (Yield 84%) was obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は97.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 97.0%.

Step2:金属錯体Aの合成   Step 2: Synthesis of metal complex A

Figure 0005412809
Figure 0005412809

50ml四つ口フラスコに、1.22g(2.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、2.73gのイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   In a 50 ml four-necked flask, put 1.22 g (2.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 2.73 g of imidazo [1,2-f] phenanthridine, 10 drops of tridecane, a nitrogen blowing tube, temperature The total was set on an oil bath stirrer with an air-cooled tube attached. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、0.97gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.97 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸後、濾過し、金属錯体Aを0.79g(37.4%)得た。   After purifying the crystals by column chromatography (developing solvent toluene / ethyl acetate), the obtained crystals were heated with a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, filtered, and 0.79 g (37.4%) of metal complex A was filtered. Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は98.4%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 98.4%.

合成実施例1と合成比較例1の比較から、2,3位に置換基のないイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンの合成においては、本発明の方法と公知の方法の間には収率、純度ともにあまり違いが出ていないことがわかる。   From the comparison between Synthesis Example 1 and Synthesis Comparative Example 1, in the synthesis of imidazo [1,2-f] phenanthridine having no substituent at the 2,3-position, the method of the present invention is not between It can be seen that there is not much difference in yield and purity.

合成実施例2:金属錯体Bの合成−1
Step1:配位子の合成(本発明の方法)
Synthesis Example 2: Synthesis of metal complex B-1
Step 1: Synthesis of ligand (method of the present invention)

Figure 0005412809
Figure 0005412809

100ml三頭フラスコにフェナンスリジン−6−アミン 3.88g(20mmol)のトルエン50ml溶液、クロロアセトン 2.78g(30mmol)、トリエチルアミン 3.04g(30mmol)を入れ、140℃のオイルバスで加熱しながら還流下に3時間反応した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認して反応を終了した。   A solution of 3.88 g (20 mmol) of phenanthridine-6-amine in 50 ml of toluene, 2.78 g (30 mmol) of chloroacetone, and 3.04 g (30 mmol) of triethylamine are placed in a 100 ml three-head flask and heated in an oil bath at 140 ° C. The reaction was carried out for 3 hours under reflux. The reaction was completed after confirming the disappearance of the raw materials by thin layer chromatography.

反応液は濾過して不溶物を除去した後、容積を半分程度にするまで減圧濃縮した。その溶液をシカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン−テトラヒドロフラン=10:1〜2:1)によって精製し2−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン 4.09g(収率88%)を得た。   The reaction solution was filtered to remove insolubles, and then concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about half. The solution was purified by column gel chromatography (hexane-tetrahydrofuran = 10: 1 to 2: 1) to obtain 4.09 g of 2-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine (yield 88%). .

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.0%.

Step2:金属錯体Bの合成   Step 2: Synthesis of metal complex B

Figure 0005412809
Figure 0005412809

50ml四つ口フラスコに、1.22g(2.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、2.90gの2−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   Into a 50 ml four-necked flask, put 1.22 g (2.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 2.90 g of 2-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, 10 drops of tridecane, and blow nitrogen. A tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、1.23gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 1.23 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Bを1.07g(48.0%)得た。   The crystal was purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystal was heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, and then filtered to obtain 1.07 g (48.0%) of metal complex B. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.4%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.4%.

合成比較例2:金属錯体Bの合成−2
Step1:配位子の合成(米国特許20070190359号明細書に記載の方法)
Synthesis Comparative Example 2: Synthesis of metal complex B-2
Step 1: Synthesis of ligand (method described in US Pat. No. 2,070,190,359)

Figure 0005412809
Figure 0005412809

100ml三頭フラスコにフェナンスリジン−6−アミン 7.76g(40mmol)の2−プロパノール200ml溶液、クロロアセトン 5.56g(60mmol)、炭酸ナトリウム9.54g(90mmol)を入れ、内温80℃で還流下に24時間反応した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認して反応を終了した。   A 100 ml three-headed flask was charged with 7.76 g (40 mmol) of phenanthridine-6-amine in 200 ml of 2-propanol, 5.56 g (60 mmol) of chloroacetone, and 9.54 g (90 mmol) of sodium carbonate. The reaction was carried out for 24 hours under reflux. The reaction was completed after confirming the disappearance of the raw materials by thin layer chromatography.

反応液は減圧濃縮して溶媒を完全に除去した後、シカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン−テトラヒドロフラン=10:1〜2:1)によって精製し2−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン 4.36g(収率47%)を得た。   The reaction solution was concentrated under reduced pressure to completely remove the solvent, and then purified by silica gel column chromatography (hexane-tetrahydrofuran = 10: 1 to 2: 1) to obtain 2-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine. 4.36 g (yield 47%) was obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は82.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 82.0%.

純度が低いため、溶離液にテトラヒドロフランを用いたリサイクルGPC法によるクロマトグラフィー精製を行った。上記の生成物を2分割し半分を精製した。   Since the purity was low, chromatographic purification by a recycle GPC method using tetrahydrofuran as an eluent was performed. The product was split in half and half was purified.

薄層クロマトグラフィーでは確認しにくかった高分子量成分が含まれていたので、数回リサイクル精製を行い、高分子量成分を除去した。   Since high molecular weight components that were difficult to confirm by thin layer chromatography were included, recycle purification was performed several times to remove high molecular weight components.

回収した目的物は1.73g(収率37.2%〔換算〕)だった。   The recovered target product was 1.73 g (yield 37.2% [converted]).

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は98.3%に向上した。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) improved to 98.3%.

Step2:金属錯体Bの合成   Step 2: Synthesis of metal complex B

Figure 0005412809
Figure 0005412809

2−1:低純度配位子を用いた合成
シカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製のみを行った配位子(HPLC純度は82.0%)を用いて金属錯体を合成した。
2-1: Synthesis Using Low-Purity Ligands A metal complex was synthesized using a ligand (HPLC purity: 82.0%) that had only been purified by Sicagel column chromatography.

50ml四つ口フラスコに、0.73g(1.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、1.74gの2−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   Into a 50 ml four-necked flask, put 0.73 g (1.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 1.74 g of 2-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, 10 drops of tridecane, and blow nitrogen. A tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、0.55gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.55 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Bを0.48g(36.1%)得た。   The crystal was purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystal was heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, and then filtered to obtain 0.48 g (36.1%) of metal complex B. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は98.3%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 98.3%.

2−2:高純度配位子を用いた合成
シカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製に加え、GPC法によるクロマトグラフィー精製を行った配位子(HPLC純度は98.3%)を用いて金属錯体を合成した。
2-2: Synthesis using a high-purity ligand In addition to purification by Sicagel column chromatography, a metal complex was prepared using a ligand (HPLC purity: 98.3%) that was chromatographically purified by the GPC method. Synthesized.

50ml四つ口フラスコに、0.73g(1.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、1.73gの2−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   Into a 50 ml four-necked flask, put 0.73 g (1.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 1.73 g of 2-methylimidazo [1,2-f] phenanthridine, 10 drops of tridecane, and blow nitrogen. A tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、0.70gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.70 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Bを0.61g(45.9%)得た。   The crystal was purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystal was heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, and then filtered to obtain 0.61 g (45.9%) of metal complex B. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.0%.

合成実施例2と合成比較例2の比較から、2位に置換基を有するイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンの合成において、本発明の方法は純度の高い生成物を高収率に得られるのに対して、公知の方法では、収率も低下し、シリカゲルカラムクロマトグラフ精製で得られた生成物の純度も低い。GPC法によるクロマトグラフィー精製によって純度を高めることはできるが最終的な収率はさらに低下する。   From the comparison between Synthesis Example 2 and Synthesis Comparative Example 2, in the synthesis of imidazo [1,2-f] phenanthridine having a substituent at the 2-position, the method of the present invention produces a high-purity product in high yield. On the other hand, in the known method, the yield is lowered and the purity of the product obtained by silica gel column chromatographic purification is also low. The purity can be increased by chromatographic purification by the GPC method, but the final yield is further reduced.

合成実施例2と合成比較例2の比較から、2位に置換基を有するイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンを配位子とする金属錯体の合成においても、本発明の方法で合成した配位子を用いた方が公知の方法で合成した配位子を用いたものに比べて、高純度な金属錯体を高収率に得られることが判る。   From the comparison between Synthesis Example 2 and Synthesis Comparative Example 2, synthesis of a metal complex having imidazo [1,2-f] phenanthridine having a substituent at the 2-position as a ligand is also synthesized by the method of the present invention. It can be seen that a high-purity metal complex can be obtained in a higher yield when the prepared ligand is used than when a ligand synthesized by a known method is used.

合成実施例3:金属錯体Cの合成−1
Step1:配位子の合成(本発明の方法)
Synthesis Example 3 Synthesis of Metal Complex C-1
Step 1: Synthesis of ligand (method of the present invention)

Figure 0005412809
Figure 0005412809

100ml三頭フラスコに3−メチルフェナンスリジン−6−アミン 4.17g(20mmol)のトルエン50ml溶液、1−ブロモー2−オクタノン 6.21g(30mmol)、トリエチルアミン 3.04g(30mmol)を入れ、140℃のオイルバスで加熱しながら還流下に3時間反応した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認して反応を終了した。   A 100 ml three-headed flask is charged with a solution of 3.17 g (20 mmol) of 3-methylphenanthridine-6-amine in 50 ml of toluene, 6.21 g (30 mmol) of 1-bromo-2-octanone, 3.04 g (30 mmol) of triethylamine, and 140 The mixture was reacted for 3 hours under reflux with heating in an oil bath at 0 ° C. The reaction was completed after confirming the disappearance of the raw materials by thin layer chromatography.

反応液は濾過して不溶物を除去した後、容積を半分程度にするまで減圧濃縮した。その溶液をシカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン−テトラヒドロフラン=10:1〜2:1)によって精製し2−n−ヘキシル−6−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン 5.70g(収率90%)を得た。   The reaction solution was filtered to remove insolubles, and then concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about half. The solution was purified by column gel chromatography (hexane-tetrahydrofuran = 10: 1 to 2: 1) to give 5.70 g of 2-n-hexyl-6-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine (yield). 90%).

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.0%.

Step2:金属錯体Cの合成   Step 2: Synthesis of metal complex C

Figure 0005412809
Figure 0005412809

50ml四つ口フラスコに、1.22g(2.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、3.96gの2−n−ヘキシル−6−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   In a 50 ml four-necked flask, 1.22 g (2.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 3.96 g of 2-n-hexyl-6-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine, tridecane 10 Drops were added, and a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、1.45gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 1.45 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Cを1.30g(45.7%)得た。   After the crystals were purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), the obtained crystals were heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, and then filtered to obtain 1.30 g (45.7%) of metal complex C. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.2%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.2%.

合成比較例3:金属錯体Cの合成−2
Step1:配位子の合成(米国特許20070190359号明細書に記載の方法)
Synthesis Comparative Example 3: Synthesis of metal complex C-2
Step 1: Synthesis of ligand (method described in US Pat. No. 2,070,190,359)

Figure 0005412809
Figure 0005412809

100ml三頭フラスコに3−メチルフェナンスリジン−6−アミン 8.34g(40mmol)の2−プロパノール200ml溶液、1−ブロモー2−オクタノン 12.42g(60mmol)、炭酸ナトリウム9.54g(90mmol)を入れ、内温80℃で還流下に24時間反応した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認して反応を終了した。   In a 100 ml three-headed flask, a solution of 3-methylphenanthridine-6-amine 8.34 g (40 mmol) in 2-propanol 200 ml, 1-bromo-2-octanone 12.42 g (60 mmol), sodium carbonate 9.54 g (90 mmol) The mixture was reacted for 24 hours under reflux at an internal temperature of 80 ° C. The reaction was completed after confirming the disappearance of the raw materials by thin layer chromatography.

反応液は減圧濃縮して溶媒を完全に除去した後、シカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン−テトラヒドロフラン=10:1〜2:1)によって精製し2−n−ヘキシル−6−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン 6.33g(収率50%)を得た。   The reaction solution was concentrated under reduced pressure to completely remove the solvent, and then purified by silica gel column chromatography (hexane-tetrahydrofuran = 10: 1 to 2: 1) to obtain 2-n-hexyl-6-methylimidazo [1,2 , F] Phenanthridine (6.33 g, yield 50%) was obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は85.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 85.0%.

純度が低いため、溶離液にテトラヒドロフランを用いたリサイクルGPC法によるクロマトグラフィー精製を行った。上記の生成物を2分割し半分を精製した。   Since the purity was low, chromatographic purification by a recycle GPC method using tetrahydrofuran as an eluent was performed. The product was split in half and half was purified.

薄層クロマトグラフィーでは確認しにくかった高分子量成分が含まれていたので、数回リサイクル精製を行い、高分子量成分を除去した。   Since high molecular weight components that were difficult to confirm by thin layer chromatography were included, recycle purification was performed several times to remove high molecular weight components.

回収した目的物は2.70g(収率42.7%〔換算〕)だった。   The recovered target product was 2.70 g (yield 42.7% [converted]).

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は98.5%に向上した。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) improved to 98.5%.

Step2:金属錯体Cの合成   Step 2: Synthesis of metal complex C

Figure 0005412809
Figure 0005412809

2−1:低純度配位子を用いた合成
シカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製のみを行った配位子(HPLC純度は85.0%)を用いて金属錯体を合成した。
2-1: Synthesis using low-purity ligand A metal complex was synthesized using a ligand (HPLC purity was 85.0%) that had been purified only by Sicagel column chromatography.

50ml四つ口フラスコに、0.73g(1.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、2.37gの2−n−ヘキシル−6−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   In a 50 ml four-necked flask, 0.73 g (1.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 2.37 g of 2-n-hexyl-6-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine, tridecane 10 Drops were added, and a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、0.75gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.75 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Cを0.65g(38.1%)得た。   After the crystals were purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), the obtained crystals were suspended with heating in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, and then filtered to obtain 0.65 g (38.1%) of metal complex C. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は98.5%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 98.5%.

2−2:高純度配位子を用いた合成
シカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製に加え、GPC法によるクロマトグラフィー精製を行った配位子(HPLC純度は98.5%)を用いて金属錯体を合成した。
2-2: Synthesis using a high-purity ligand In addition to purification by Sicagel column chromatography, a metal complex was prepared using a ligand (HPLC purity was 98.5%) that was chromatographically purified by the GPC method. Synthesized.

50ml四つ口フラスコに、0.73g(1.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、2.37gの2−n−ヘキシル−6−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   In a 50 ml four-necked flask, 0.73 g (1.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 2.37 g of 2-n-hexyl-6-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine, tridecane 10 Drops were added, and a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、0.85gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.85 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Cを0.74g(43.3%)得た。   The crystal was purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystal was heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, followed by filtration to obtain 0.74 g (43.3%) of metal complex C. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.0%.

合成実施例3と合成比較例3の比較から、2位に置換基を有するイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンの合成において、本発明の方法は純度の高い生成物を高収率に得られるのに対して、公知の方法では、収率も低下し、シリカゲルカラムクロマトグラフ精製で得られた生成物の純度も低い。GPC法によるクロマトグラフィー精製によって純度を高めることはできるが最終的な収率はさらに低下する。   From the comparison between Synthesis Example 3 and Synthesis Comparative Example 3, in the synthesis of imidazo [1,2-f] phenanthridine having a substituent at the 2-position, the method of the present invention produces a high-purity product in high yield. On the other hand, in the known method, the yield is lowered and the purity of the product obtained by silica gel column chromatographic purification is also low. The purity can be increased by chromatographic purification by the GPC method, but the final yield is further reduced.

合成実施例3と合成比較例3の比較から、2位に置換基を有するイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンを配位子とする金属錯体の合成においても、本発明の方法で合成した配位子を用いた方が公知の方法で合成した配位子を用いたものに比べて、高純度な金属錯体を高収率に得られることが判る。   From the comparison between Synthesis Example 3 and Synthesis Comparative Example 3, synthesis of a metal complex having a ligand of imidazo [1,2-f] phenanthridine having a substituent at the 2-position is also synthesized by the method of the present invention. It can be seen that a high-purity metal complex can be obtained in a higher yield when the prepared ligand is used than when a ligand synthesized by a known method is used.

合成実施例4:金属錯体Dの合成−1
Step1:配位子の合成(本発明の方法)
Synthesis Example 4 Synthesis of Metal Complex D-1
Step 1: Synthesis of ligand (method of the present invention)

Figure 0005412809
Figure 0005412809

100ml三頭フラスコに3−メチルフェナンスリジン−6−アミン 4.17g(20mmol)のトルエン50ml溶液、2−ブロモー2−メシチル−アセトフェノン 7.23g(30mmol)、トリエチルアミン 3.04g(30mmol)を入れ、140℃のオイルバスで加熱しながら還流下に3時間反応した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認して反応を終了した。   A 100 ml three-headed flask is charged with a solution of 3-methylphenanthridine-6-amine 4.17 g (20 mmol) in toluene, 2-bromo-2-mesityl-acetophenone 7.23 g (30 mmol), and triethylamine 3.04 g (30 mmol). The mixture was reacted for 3 hours under reflux with heating in an oil bath at 140 ° C. The reaction was completed after confirming the disappearance of the raw materials by thin layer chromatography.

反応液は濾過して不溶物を除去した後、容積を半分程度にするまで減圧濃縮した。その溶液をシカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン−テトラヒドロフラン=10:1〜2:1)によって精製し3−メシチル−7−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン 6.45g(収率92%)を得た。   The reaction solution was filtered to remove insolubles, and then concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about half. The solution was purified by column gel chromatography (hexane-tetrahydrofuran = 10: 1 to 2: 1) to give 6.45 g of 3-mesityl-7-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine (yield 92%). )

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.0%.

Step2:金属錯体Dの合成   Step 2: Synthesis of metal complex D

Figure 0005412809
Figure 0005412809

50ml四つ口フラスコに、1.22g(2.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、4.38gの3−メシチル−7−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   In a 50 ml four-necked flask, 1.22 g (2.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 4.38 g of 3-mesityl-7-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine, 10 drops of tridecane. It was set on an oil bath stirrer with a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、1.63gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 1.63 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Dを1.50g(48.4%)得た。   After the crystals were purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), the obtained crystals were heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, and then filtered to obtain 1.50 g (48.4%) of metal complex D. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.3%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.3%.

合成比較例4:金属錯体Dの合成−2
Step1:配位子の合成(米国特許20070190359号明細書に記載の方法)
Synthesis Comparative Example 4: Synthesis of metal complex D-2
Step 1: Synthesis of ligand (method described in US Pat. No. 2,070,190,359)

Figure 0005412809
Figure 0005412809

100ml三頭フラスコに3−メチルフェナンスリジン−6−アミン 8.34g(40mmol)の2−プロパノール200ml溶液、2−ブロモー2−メシチル−アセトフェノン 14.47g(60mmol)、炭酸ナトリウム9.54g(90mmol)を入れ、内温80℃で還流下に24時間反応した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認して反応を終了した。   In a 100 ml three-headed flask, a solution of 3-methylphenanthridine-6-amine 8.34 g (40 mmol) in 2-propanol 200 ml, 2-bromo-2-mesityl-acetophenone 14.47 g (60 mmol), sodium carbonate 9.54 g (90 mmol) ) And reacted under reflux at an internal temperature of 80 ° C. for 24 hours. The reaction was completed after confirming the disappearance of the raw materials by thin layer chromatography.

反応液は減圧濃縮して溶媒を完全に除去した後、シカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン−テトラヒドロフラン=10:1〜2:1)によって精製し3−メシチル−7−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン 5.89g(収率42%)を得た。   The reaction solution was concentrated under reduced pressure to completely remove the solvent, and then purified by silica gel column chromatography (hexane-tetrahydrofuran = 10: 1 to 2: 1) to obtain 3-mesityl-7-methylimidazo [1,2, f ] 5.89 g (42% yield) of phenanthridine was obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は84.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 84.0%.

純度が低いため、溶離液にテトラヒドロフランを用いたリサイクルGPC法によるクロマトグラフィー精製を行った。上記の生成物を2分割し半分を精製した。   Since the purity was low, chromatographic purification by a recycle GPC method using tetrahydrofuran as an eluent was performed. The product was split in half and half was purified.

薄層クロマトグラフィーでは確認しにくかった高分子量成分が含まれていたので、数回リサイクル精製を行い、高分子量成分を除去した。   Since high molecular weight components that were difficult to confirm by thin layer chromatography were included, recycle purification was performed several times to remove high molecular weight components.

回収した目的物は2.44g(収率34.8%〔換算〕)だった。   The recovered target product was 2.44 g (yield 34.8% [converted]).

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は98.7%に向上した。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) improved to 98.7%.

Step2:金属錯体Dの合成   Step 2: Synthesis of metal complex D

Figure 0005412809
Figure 0005412809

2−1:低純度配位子を用いた合成
シカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製のみを行った配位子(HPLC純度は84.0%)を用いて金属錯体を合成した。
2-1: Synthesis Using Low-Purity Ligands A metal complex was synthesized using a ligand (HPLC purity was 84.0%) that had been purified only by silica gel column chromatography.

50ml四つ口フラスコに、0.73g(1.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、2.63gの3−メシチル−7−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   In a 50 ml four-necked flask, 0.73 g (1.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 2.63 g of 3-mesityl-7-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine, and 10 drops of tridecane are added. It was set on an oil bath stirrer with a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、0.74gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.74 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Cを0.64g(34.4%)得た。   After the crystals were purified by column chromatography (developing solvent toluene / ethyl acetate), the obtained crystals were heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, filtered, and 0.64 g (34.4%) of metal complex C was filtered. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は98.6%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 98.6%.

2−2:高純度配位子を用いた合成
シカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製に加え、GPC法によるクロマトグラフィー精製を行った配位子(HPLC純度は98.7%)を用いて金属錯体を合成した。
2-2: Synthesis using a high-purity ligand In addition to purification by Sicagel column chromatography, a metal complex was prepared using a ligand (HPLC purity was 98.7%) that was chromatographically purified by the GPC method. Synthesized.

50ml四つ口フラスコに、0.73g(1.5mmol)のトリスアセチルアセトナトイリジウム錯体、2.37gの2−n−ヘキシル−6−メチルイミダゾ[1,2,f]フェナンスリジン、トリデカン10滴を入れ、窒素吹き込み管、温度計、空冷管をつけて油浴スターラー上にセットした。窒素雰囲気下、240℃のオイルバスで20時間加熱攪拌して反応した。   In a 50 ml four-necked flask, 0.73 g (1.5 mmol) of trisacetylacetonatoiridium complex, 2.37 g of 2-n-hexyl-6-methylimidazo [1,2, f] phenanthridine, tridecane 10 Drops were added, and a nitrogen blowing tube, a thermometer, and an air cooling tube were attached and set on an oil bath stirrer. In a nitrogen atmosphere, the reaction was conducted by heating and stirring in an oil bath at 240 ° C. for 20 hours.

反応終了後、室温まで冷却し、メタノールを加え分散後、結晶を濾取し、0.89gの粗結晶が得られた。   After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, methanol was added and dispersed, and the crystals were collected by filtration to obtain 0.89 g of crude crystals.

結晶をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン/酢酸エチル)で精製後、得られた結晶をテトラヒドロフランおよび酢酸エチルの混合溶媒で加熱懸濁後、濾過し、金属錯体Cを0.79g(42.5%)得た。   The crystal was purified by column chromatography (developing solvent: toluene / ethyl acetate), and the obtained crystal was heated and suspended in a mixed solvent of tetrahydrofuran and ethyl acetate, followed by filtration to obtain 0.79 g (42.5%) of metal complex C. )Obtained.

HPLC分析(ODS−2:テトラヒドロフラン−HO=20:80)によって測定した純度は99.0%だった。 The purity measured by HPLC analysis (ODS-2: tetrahydrofuran-H 2 O = 20: 80) was 99.0%.

合成実施例4と合成比較例4の比較から、3位に置換基を有するイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンの合成において、本発明の方法は純度の高い生成物を高収率に得られるのに対して、公知の方法では、収率も低下し、シリカゲルカラムクロマトグラフ精製で得られた生成物の純度も低い。GPC法によるクロマトグラフィー精製によって純度を高めることはできるが最終的な収率はさらに低下する。   From the comparison between Synthesis Example 4 and Synthesis Comparative Example 4, in the synthesis of imidazo [1,2-f] phenanthridine having a substituent at the 3-position, the method of the present invention produces a high-purity product in high yield. On the other hand, in the known method, the yield is lowered and the purity of the product obtained by silica gel column chromatographic purification is also low. The purity can be increased by chromatographic purification by the GPC method, but the final yield is further reduced.

合成実施例4と合成比較例4の比較から、3位に置換基を有するイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンを配位子とする金属錯体の合成においても、本発明の方法で合成した配位子を用いた方が公知の方法で合成した配位子を用いたものに比べて、高純度な金属錯体を高収率に得られることが判る。   From the comparison between Synthesis Example 4 and Synthesis Comparative Example 4, synthesis of a metal complex having imidazo [1,2-f] phenanthridine having a substituent at the 3-position as a ligand is also synthesized by the method of the present invention. It can be seen that a high-purity metal complex can be obtained in a higher yield when the prepared ligand is used than when a ligand synthesized by a known method is used.

合成実施例5〜合成実施例6、合成比較例5〜合成比較例6:前記の実施例および比較例と同様の方法で、金属錯体E〜金属錯体Fの合成を行った。   Synthesis Example 5 to Synthesis Example 6, Synthesis Comparison Example 5 to Synthesis Comparison Example 6: Metal Complex E to Metal Complex F were synthesized in the same manner as in the above Examples and Comparative Examples.

合成ルートを下記に示し、反応条件、収率と純度のみを合成実施例1〜4、合成比較例1〜4と合わせて表1及び表2にまとめた。   The synthesis route is shown below, and only the reaction conditions, yield and purity are summarized in Tables 1 and 2 together with Synthesis Examples 1 to 4 and Synthesis Comparative Examples 1 to 4.

なお、本発明の範囲内には含まれないが、反応条件(構成要件の大部分)としては、本発明と同様であるにもかかわらず、発明の効果に関しては、従来技術の効果との差異が現れない構成例を、参考例として記載した(他の表においても同様。)。   Although not included in the scope of the present invention, the reaction conditions (most constituent elements) are the same as those of the present invention, but the effects of the invention are different from those of the prior art. A configuration example in which no appears is described as a reference example (the same applies to other tables).

合成実施例5、合成比較例5
Step1:配位子の合成
Synthesis Example 5 and Synthesis Comparative Example 5
Step1: Synthesis of ligand

Figure 0005412809
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Step2:金属錯体Eの合成   Step 2: Synthesis of metal complex E

Figure 0005412809
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合成実施例6、合成比較例6
Step1:配位子の合成
Synthesis Example 6 and Synthesis Comparative Example 6
Step1: Synthesis of ligand

Figure 0005412809
Figure 0005412809

Step2:金属錯体Fの合成   Step 2: Synthesis of metal complex F

Figure 0005412809
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Figure 0005412809
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Figure 0005412809
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合成実施例5、6と合成比較例5、6の比較から、2,3位に置換基を有するイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンの合成において、本発明の方法は純度の高い生成物を高収率に得られるのに対して、公知の方法では、収率も低下し、シリカゲルカラムクロマトグラフ精製で得られた生成物の純度も低い。GPC法によるクロマトグラフィー精製によって純度を高めることはできるが最終的な収率はさらに低下する。   From the comparison between Synthesis Examples 5 and 6 and Synthesis Comparative Examples 5 and 6, in the synthesis of imidazo [1,2-f] phenanthridine having a substituent at the 2- and 3-positions, the method of the present invention produces high purity. The product can be obtained in a high yield, whereas in the known method, the yield is also lowered, and the purity of the product obtained by silica gel column chromatographic purification is also low. The purity can be increased by chromatographic purification by the GPC method, but the final yield is further reduced.

合成実施例5、6と合成比較例5、6の比較から、2,3位に置換基を有するイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジンを配位子とする金属錯体の合成においても、本発明の方法で合成した配位子を用いた方が公知の方法で合成した配位子を用いたものに比べて、高純度な金属錯体を高収率に得られることが判る。   From the comparison between Synthesis Examples 5 and 6 and Synthesis Comparative Examples 5 and 6, in the synthesis of a metal complex having an imidazo [1,2-f] phenanthridine having a substituent at the 2,3-position as a ligand, It can be seen that the use of the ligand synthesized by the method of the present invention provides a high-purity metal complex in a higher yield than that using a ligand synthesized by a known method.

以下に、本発明の合成方法をイミダゾ[1,2−f]フェナンスリジン以外の前記一般式(4)、(6)、(8)、(10)で表されるイミダゾール化合物の合成に適用した例を示す。また、合成した化合物を配位子とした金属錯体G〜Jの合成を併せて示す。   Below, the synthesis method of the present invention is applied to the synthesis of imidazole compounds represented by the general formulas (4), (6), (8), and (10) other than imidazo [1,2-f] phenanthridine. An example is shown. In addition, the synthesis of metal complexes G to J using the synthesized compound as a ligand is also shown.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

合成実施例7〜合成実施例10、合成比較例7〜合成比較例10:前記の実施例1〜6および比較例1〜6と同様の方法で、配位子および金属錯体G〜金属錯体Jの合成を行った。合成ルートを下記に示し、反応条件、収率と純度の結果のみを表3及び表4にまとめた。   Synthetic Example 7 to Synthetic Example 10, Synthetic Comparative Example 7 to Synthetic Comparative Example 10: Ligand and Metal Complex G to Metal Complex J in the same manner as in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 6 above. Was synthesized. The synthesis route is shown below, and only the results of reaction conditions, yield and purity are summarized in Tables 3 and 4.

合成実施例7、合成比較例7
Step1:配位子の合成
Synthesis Example 7 and Synthesis Comparative Example 7
Step1: Synthesis of ligand

Figure 0005412809
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Step2:金属錯体Gの合成   Step 2: Synthesis of metal complex G

Figure 0005412809
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合成実施例8、合成比較例8
Step1:配位子の合成
Synthesis Example 8 and Synthesis Comparative Example 8
Step1: Synthesis of ligand

Figure 0005412809
Figure 0005412809

Step2:金属錯体Hの合成   Step 2: Synthesis of metal complex H

Figure 0005412809
Figure 0005412809

合成実施例9、合成比較例9
Step1:配位子の合成
Synthesis Example 9 and Synthesis Comparative Example 9
Step1: Synthesis of ligand

Figure 0005412809
Figure 0005412809

Step2:金属錯体Iの合成   Step 2: Synthesis of metal complex I

Figure 0005412809
Figure 0005412809

合成実施例10、合成比較例10
Step1:配位子の合成
Synthesis Example 10 and Synthesis Comparative Example 10
Step1: Synthesis of ligand

Figure 0005412809
Figure 0005412809

Step2:金属錯体Jの合成   Step 2: Synthesis of metal complex J

Figure 0005412809
Figure 0005412809

Figure 0005412809
Figure 0005412809

Figure 0005412809
Figure 0005412809

合成実施例7〜10と合成比較例7〜10の比較から、一般式(4)、(6)、(8)、(10)で表されるイミダゾール化合物の合成においても、本発明の方法は純度の高い生成物を高収率に得られるのに対して、公知の方法では、収率も低下し、シリカゲルカラムクロマトグラフ精製で得られた生成物の純度も低い。GPC法によるクロマトグラフィー精製によって純度を高めることはできるが最終的な収率はさらに低下する。   From the comparison of Synthesis Examples 7 to 10 and Synthesis Comparative Examples 7 to 10, the method of the present invention can be applied to the synthesis of imidazole compounds represented by the general formulas (4), (6), (8), and (10). A product having a high purity can be obtained in a high yield, whereas in the known method, the yield is also lowered, and the purity of the product obtained by silica gel column chromatography purification is also low. The purity can be increased by chromatographic purification by the GPC method, but the final yield is further reduced.

合成実施例7〜10と合成比較例7〜10の比較から、一般式(4)、(6)、(8)、(10)で表されるイミダゾール化合物を配位子とする金属錯体の合成においても、本発明の方法で合成した配位子を用いた方が公知の方法で合成した配位子を用いたものに比べて、高純度な金属錯体を高収率に得られることが判る。   From the comparison between Synthesis Examples 7 to 10 and Synthesis Comparative Examples 7 to 10, synthesis of metal complexes having imidazole compounds represented by the general formulas (4), (6), (8), and (10) as ligands. However, it can be seen that a high-purity metal complex can be obtained in a higher yield when using the ligand synthesized by the method of the present invention than when using a ligand synthesized by a known method. .

次に、本発明の製造法により製造した配位子を用いて製造した金属錯体を使って有機エレクトロルミネッセンス素子を作製し、本発明の効果を説明する。   Next, an organic electroluminescent element is produced using the metal complex manufactured using the ligand manufactured by the manufacturing method of this invention, and the effect of this invention is demonstrated.

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.

以下に、実施例において用いる化合物の構造を下記に示す。   Below, the structure of the compound used in an Example is shown below.

Figure 0005412809
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Figure 0005412809
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実施例1
《有機EL素子1−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 1
<< Production of Organic EL Element 1-1 >>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてH−1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにFirpicを100mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。 This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, while 200 mg of α-NPD was put in a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of H-1 as a host compound was put in another molybdenum resistance heating boat, Another molybdenum resistance heating boat was charged with 200 mg of BAlq, another molybdenum resistance heating boat was charged with 100 mg of Firpic, and another molybdenum resistance heating boat was charged with 200 mg of Alq 3 and attached to a vacuum deposition apparatus.

次いで、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着し、膜厚40nmの正孔輸送層を設けた。 Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing α-NPD was heated by heating, and deposited on the transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. The hole transport layer was provided.

更に、H−1とFirpicの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚40nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。   Further, the heating boat containing H-1 and Ferric was energized and heated, and co-deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.2 nm / second and 0.012 nm / second, respectively, to obtain a film thickness of 40 nm. The light emitting layer was provided. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

更に、BAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚10nmの正孔阻止層を設けた。   Further, the heating boat containing BAlq was energized and heated, and was deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to provide a 10 nm thick hole blocking layer.

その上に、更に、Alqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。 In addition, the heating boat containing Alq 3 is further energized and heated, and deposited on the hole blocking layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to further provide an electron transport layer having a thickness of 40 nm. It was. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続きフッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride and 110 nm of aluminum were vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 1-1 was produced.

《有機EL素子1−2〜1−21の作製》
有機EL素子1−1の作製において、発光層のホスト化合物であるH−1、ドーパント化合物であるFirpicを表5に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子1−2〜1−21を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 1-2 to 1-21 >>
In the production of the organic EL device 1-1, the organic EL devices 1-2 to 1- 1 were prepared in the same manner except that H-1 as the host compound of the light-emitting layer and Firpic as the dopant compound were replaced with the compounds shown in Table 5. 21 was produced.

《有機EL素子の評価》
得られた有機EL素子1−1〜1−21を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
<< Evaluation of organic EL elements >>
When evaluating the obtained organic EL elements 1-1 to 1-21, the non-light-emitting surface of each organic EL element after production was covered with a glass case, and a glass substrate having a thickness of 300 μm was used as a sealing substrate. An epoxy photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealant around the periphery, and this is placed on the cathode so as to be in close contact with the transparent support substrate and irradiated with UV light from the glass substrate side. Then, it was cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. 3 and 4 was formed and evaluated.

図3は照明装置の概略図を示し、有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。   FIG. 3 is a schematic diagram of the lighting device, and the organic EL element 101 is covered with a glass cover 102 (in addition, the sealing operation with the glass cover is performed in a nitrogen atmosphere without bringing the organic EL element 101 into contact with the atmosphere. (In a high purity nitrogen gas atmosphere with a purity of 99.999% or more).

図4は照明装置の断面図を示し、図4において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。   4 shows a cross-sectional view of the lighting device. In FIG. 4, reference numeral 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic EL layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

(外部取り出し量子効率)
有機EL素子を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cmの定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)を算出した。ここで、発光輝度の測定はCS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。
(External quantum efficiency)
By lighting the organic EL element under a constant current condition of room temperature (about 23 to 25 ° C.) and 2.5 mA / cm 2 , and measuring the light emission luminance (L) [cd / m 2 ] immediately after the start of lighting, The external extraction quantum efficiency (η) was calculated. Here, CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used for measurement of light emission luminance.

外部取り出し量子効率は有機EL素子1−1を100とする相対値で表した。   The external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value with the organic EL element 1-1 as 100.

(半減寿命)
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。
(Half life)
The half-life was evaluated according to the measurement method shown below.

各有機EL素子を初期輝度1000cd/mを与える電流で定電流駆動して、初期輝度の1/2(500cd/m)になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。 Each organic EL device driven with a constant current at a current giving an initial luminance 1000 cd / m 2, obtains the time to be 1/2 (500cd / m 2) of the initial luminance, which was used as a measure of the half-life.

なお、半減寿命は比較の有機EL素子1−1を100とした時の相対値で表示した。   The half life was expressed as a relative value when the comparative organic EL element 1-1 was set to 100.

(初期劣化)
下記に示す測定法に従って、初期劣化の評価を行った。
(Initial deterioration)
The initial deterioration was evaluated according to the measurement method shown below.

前記半減寿命の測定時に、輝度が90%に到達する時間を測定し、これを初期劣化の尺度とした。なお、初期劣化は比較の有機EL素子1−1を100とした。初期劣化は以下の計算式を基に計算した。
初期劣化=(有機EL素子1−1の輝度90%到達時間)/(各素子の輝度90%到達時間)×100
すなわち、初期劣化の値は、小さいほど初期の劣化が小さいことを示す。
When the half-life was measured, the time required for the luminance to reach 90% was measured and used as a measure of initial deterioration. The initial deterioration was 100 for the comparative organic EL element 1-1. The initial deterioration was calculated based on the following formula.
Initial deterioration = (luminance 90% arrival time of organic EL element 1-1) / (luminance 90% arrival time of each element) × 100
That is, the smaller the initial deterioration value is, the smaller the initial deterioration is.

(ダークスポット)
各有機EL素子を室温下、2.5mA/cmの定電流条件下による連続点灯を行った際の発光面を目視で評価した。無作為に抽出した10人による目視評価で連続点灯時間10時間経過後の各素子において
ダークスポットを確認した人数が5人以上の場合: ×
ダークスポットを確認した人数が1−4人の場合: △
ダークスポットを確認した人数が0人の場合: ○
とした。
(Dark spot)
The light emitting surface when each organic EL element was continuously lit under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature was visually evaluated. When the number of people who confirmed dark spots in each element after 10 hours of continuous lighting by visual evaluation by 10 randomly selected people was 5 or more: ×
When the number of confirmed dark spots is 1-4: △
When the number of confirmed dark spots is 0: ○
It was.

以上の評価結果を表5に示す。   The above evaluation results are shown in Table 5.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

表5から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、初期の輝度劣化が少なく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、ダークスポットの生成も抑えられていることもわかる。すなわち、本発明の製造法によって製造した配位子を用いて製造した金属錯体を用いて作製した素子は、本発明の製造方法によらない製造方法で製造した配位子を用いて作製した比較の素子に比べて優れた性能を示すことが明らかである。   From Table 5, it can be seen that the organic EL device of the present invention has less initial luminance degradation and a longer life as a result, compared to the comparative device. It can also be seen that the generation of dark spots is suppressed. That is, a device manufactured using a metal complex manufactured using a ligand manufactured by the manufacturing method of the present invention is a comparison manufactured using a ligand manufactured by a manufacturing method that does not depend on the manufacturing method of the present invention. It is clear that the device exhibits superior performance as compared with the device.

実施例2
《白色発光素子及び白色照明装置の作製−1》
《有機EL素子2−1の作製》
実施例1の透明電極基板の電極を50mm×50mmにパターニングし、その上に実施例1と同様に正孔注入/輸送層としてα−NPDを25nmの厚さで成膜し、更に、H−4の入った前記加熱ボートとFirpicの入ったボート及びIr−9の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるH−4と発光ドーパントとしてFirpic、及びIr−9の蒸着速度が100:5:0.6になるように調節し、膜厚30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
Example 2
<< Preparation of White Light Emitting Element and White Lighting Device-1 >>
<< Preparation of Organic EL Element 2-1 >>
The electrode of the transparent electrode substrate of Example 1 was patterned to 50 mm × 50 mm, and α-NPD was formed as a hole injection / transport layer with a thickness of 25 nm thereon as in Example 1, and further H— The heating boat containing 4 and the boat containing Irpic and the boat containing Ir-9 are energized independently, and the deposition rates of H-4 as a light-emitting host and Irpic as a light-emitting dopant and Ir-9 are increased. It adjusted so that it might be set to 100: 5: 0.6, it vapor-deposited so that it might become a film thickness of 30 nm, and the light emitting layer was provided.

次いで、BAlqを10nm成膜して正孔阻止層を設けた。更に、Alqを40nmで成膜し電子輸送層を設けた。 Next, 10 nm of BAlq was deposited to provide a hole blocking layer. Furthermore, it was deposited Alq 3 at 40nm an electron transporting layer.

次に、実施例1と同様に電子輸送層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム150nmを蒸着、成膜し、白色発光有機EL素子2−1を作製した。   Next, as in Example 1, a square perforated mask having the same shape as the transparent electrode made of stainless steel was placed on the electron transport layer, and lithium fluoride 0.5 nm as the cathode buffer layer and aluminum 150 nm as the cathode. The white light emitting organic EL element 2-1 was produced by vapor deposition and film formation.

この素子を実施例1と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ、図3、図4に示すような平面ランプを作製した。この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。   This element was provided with a sealing can having the same method and the same structure as in Example 1, and a flat lamp as shown in FIGS. 3 and 4 was produced. When this flat lamp was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device.

《有機EL素子2−2〜2−15の作製》
有機EL素子2−1の作製において、発光層のホスト化合物であるH−4、ドーパント化合物であるFirpicを表6に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子1−2〜2−15を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 2-2 to 2-15 >>
In the production of the organic EL device 2-1, the organic EL devices 1-2 to 2-2 were prepared in the same manner except that H-4, which is a host compound of the light-emitting layer, and Firpic, which is a dopant compound, were replaced with compounds shown in Table 6. 15 was produced.

《有機EL素子の評価》
得られた有機EL素子2−1〜2−15を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
<< Evaluation of organic EL elements >>
When evaluating the obtained organic EL elements 2-1 to 2-15, the non-light-emitting surface of each organic EL element after production was covered with a glass case, and a glass substrate having a thickness of 300 μm was used as a sealing substrate. An epoxy photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealant around the periphery, and this is placed on the cathode so as to be in close contact with the transparent support substrate and irradiated with UV light from the glass substrate side. Then, it was cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. 3 and 4 was formed and evaluated.

図3は照明装置の概略図を示し、有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。   FIG. 3 is a schematic diagram of the lighting device, and the organic EL element 101 is covered with a glass cover 102 (in addition, the sealing operation with the glass cover is performed in a nitrogen atmosphere without bringing the organic EL element 101 into contact with the atmosphere. (In a high purity nitrogen gas atmosphere with a purity of 99.999% or more).

図4は照明装置の断面図を示し、図4において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。   4 shows a cross-sectional view of the lighting device. In FIG. 4, reference numeral 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic EL layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

(外部取り出し量子効率)
有機EL素子を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cmの定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)を算出した。ここで、発光輝度の測定はCS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。
(External quantum efficiency)
By lighting the organic EL element under a constant current condition of room temperature (about 23 to 25 ° C.) and 2.5 mA / cm 2 , and measuring the light emission luminance (L) [cd / m 2 ] immediately after the start of lighting, The external extraction quantum efficiency (η) was calculated. Here, CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used for measurement of light emission luminance.

外部取り出し量子効率は有機EL素子2−1を100とする相対値で表した。   The external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value with the organic EL element 2-1 being 100.

(半減寿命)
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。
(Half life)
The half-life was evaluated according to the measurement method shown below.

各有機EL素子を初期輝度1000cd/mを与える電流で定電流駆動して、初期輝度の1/2(500cd/m)になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。 Each organic EL device driven with a constant current at a current giving an initial luminance 1000 cd / m 2, obtains the time to be 1/2 (500cd / m 2) of the initial luminance, which was used as a measure of the half-life.

なお、半減寿命は比較の有機EL素子2−1を100とした時の相対値で表示した。   The half life was expressed as a relative value when the comparative organic EL element 2-1 was set to 100.

(初期劣化)
+下記に示す測定法に従って、初期劣化の評価を行った。
(Initial deterioration)
+ Initial degradation was evaluated according to the measurement method shown below.

前記半減寿命の測定時に、輝度が90%に到達する時間を測定し、これを初期劣化の尺度とした。なお、初期劣化は比較の有機EL素子2−1を100とした。初期劣化は以下の計算式を基に計算した。
初期劣化=(有機EL素子1−1の輝度90%到達時間)/(各素子の輝度90%到達時間)×100
すなわち、初期劣化の値は、小さいほど初期の劣化が小さいことを示す。
When the half-life was measured, the time required for the luminance to reach 90% was measured and used as a measure of initial deterioration. The initial deterioration was 100 for the comparative organic EL element 2-1. The initial deterioration was calculated based on the following formula.
Initial deterioration = (luminance 90% arrival time of organic EL element 1-1) / (luminance 90% arrival time of each element) × 100
That is, the smaller the initial deterioration value is, the smaller the initial deterioration is.

(ダークスポット)
各有機EL素子を室温下、2.5mA/cmの定電流条件下による連続点灯を行った際の発光面を目視で評価した。無作為に抽出した10人による目視評価で連続点灯時間10時間経過後の各素子において
ダークスポットを確認した人数が5人以上の場合: ×
ダークスポットを確認した人数が1−4人の場合: △
ダークスポットを確認した人数が0人の場合: ○
とした。
(Dark spot)
The light emitting surface when each organic EL element was continuously lit under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature was visually evaluated. When the number of people who confirmed dark spots in each element after 10 hours of continuous lighting by visual evaluation by 10 randomly selected people was 5 or more: ×
When the number of confirmed dark spots is 1-4: △
When the number of confirmed dark spots is 0: ○
It was.

以上の評価結果を表6に示す。   The above evaluation results are shown in Table 6.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

表6から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、初期の輝度劣化が少なく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、ダークスポットの生成も抑えられていることもわかる。すなわち、本発明の製造法によって製造した配位子を用いて製造した金属錯体を用いて作製した素子は、本発明の製造方法によらない製造方法で製造した配位子を用いて作製した比較の素子に比べて優れた性能を示すことが明らかである。   From Table 6, it can be seen that the organic EL element of the present invention has less initial luminance degradation and a longer life as a result, compared to the comparative element. It can also be seen that the generation of dark spots is suppressed. That is, a device manufactured using a metal complex manufactured using a ligand manufactured by the manufacturing method of the present invention is a comparison manufactured using a ligand manufactured by a manufacturing method that does not depend on the manufacturing method of the present invention. It is clear that the device exhibits superior performance as compared with the device.

実施例3
《白色発光素子及び白色照明装置の作製−2》
《有機EL素子3−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 3
<< Production of White Light Emitting Element and White Lighting Device-2 >>
<< Production of Organic EL Element 3-1 >>
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第1正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. After the film formation by spin coating, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

この基板を窒素雰囲気下に移し、第1正孔輸送層上に、50mgの化合物Aを10mlのトルエンに溶解した溶液を1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、60℃で1時間真空乾燥し第2正孔輸送層とした。   This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 50 mg of compound A dissolved in 10 ml of toluene was formed on the first hole transport layer by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. After irradiating with ultraviolet light for 180 seconds to carry out photopolymerization / crosslinking, vacuum drying was performed at 60 ° C. for 1 hour to form a second hole transport layer.

次に、化合物B(60mg)、Firpic(3.0mg)、Ir−14(3.0mg)をトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。15秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中150℃で1時間加熱を行い、発光層とした。   Next, a film in which Compound B (60 mg), Firpic (3.0 mg), and Ir-14 (3.0 mg) were dissolved in 6 ml of toluene was used, and a film was formed by a spin coating method at 1000 rpm for 30 seconds. Irradiated with ultraviolet light for 15 seconds to cause photopolymerization / crosslinking, and further heated in vacuum at 150 ° C. for 1 hour to obtain a light emitting layer.

更に、化合物C(20mg)をトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。15秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中80℃で1時間加熱を行い、正孔阻止層とした。   Further, a solution of compound C (20 mg) dissolved in 6 ml of toluene was used to form a film by spin coating under conditions of 1000 rpm and 30 seconds. Ultraviolet light was irradiated for 15 seconds, photopolymerization / crosslinking was performed, and further heating was performed in vacuum at 80 ° C. for 1 hour to form a hole blocking layer.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、Alqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して、更に膜厚40nmの電子輸送層を設けた。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum vapor deposition apparatus, and 200 mg of Alq 3 was put into a molybdenum resistance heating boat and attached to the vacuum vapor deposition apparatus. After depressurizing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, energizing and heating the heating boat containing Alq 3 , depositing on the hole blocking layer at a deposition rate of 0.1 nm / second, An electron transport layer having a thickness of 40 nm was provided.

なお、蒸着時の基板温度は室温であった。   In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機EL素子3−1を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride and 110 nm of aluminum were vapor-deposited, the cathode was formed, and the white light emission organic EL element 3-1 was produced.

この素子を実施例1と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ、図3、図4に示すような平面ランプを作製した。   This element was provided with a sealing can having the same method and the same structure as in Example 1, and a flat lamp as shown in FIGS. 3 and 4 was produced.

この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。   When this flat lamp was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device.

《有機EL素子3−2〜3−15の作製》
有機EL素子2−1の作製において、発光層のホスト化合物である化合物B、ドーパント化合物であるFirpicを表7に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子3−2〜3−15を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 3-2 to 3-15 >>
In the production of the organic EL element 2-1, the organic EL elements 3-2 to 3-15 were similarly performed except that the compound B as the host compound of the light emitting layer and the dopant as the dopant compound were replaced with the compounds shown in Table 7. Was made.

《有機EL素子の評価》
得られた有機EL素子3−1〜3−15を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
<< Evaluation of organic EL elements >>
When evaluating the obtained organic EL elements 3-1 to 3-15, the non-light-emitting surface of each organic EL element after production is covered with a glass case, and a glass substrate having a thickness of 300 μm is used as a sealing substrate. An epoxy photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealant around the periphery, and this is placed on the cathode so as to be in close contact with the transparent support substrate and irradiated with UV light from the glass substrate side. Then, it was cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. 3 and 4 was formed and evaluated.

図3は照明装置の概略図を示し、有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。   FIG. 3 is a schematic diagram of the lighting device, and the organic EL element 101 is covered with a glass cover 102 (in addition, the sealing operation with the glass cover is performed in a nitrogen atmosphere without bringing the organic EL element 101 into contact with the atmosphere. (In a high purity nitrogen gas atmosphere with a purity of 99.999% or more).

図4は照明装置の断面図を示し、図4において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。   4 shows a cross-sectional view of the lighting device. In FIG. 4, reference numeral 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic EL layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

(外部取り出し量子効率)
有機EL素子を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cmの定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)を算出した。ここで、発光輝度の測定はCS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。
(External quantum efficiency)
By lighting the organic EL element under a constant current condition of room temperature (about 23 to 25 ° C.) and 2.5 mA / cm 2 , and measuring the light emission luminance (L) [cd / m 2 ] immediately after the start of lighting, The external extraction quantum efficiency (η) was calculated. Here, CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used for measurement of light emission luminance.

外部取り出し量子効率は有機EL素子3−1を100とする相対値で表した。   The external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value with the organic EL element 3-1 as 100.

(半減寿命)
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。
(Half life)
The half-life was evaluated according to the measurement method shown below.

各有機EL素子を初期輝度1000cd/mを与える電流で定電流駆動して、初期輝度の1/2(500cd/m)になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。 Each organic EL device driven with a constant current at a current giving an initial luminance 1000 cd / m 2, obtains the time to be 1/2 (500cd / m 2) of the initial luminance, which was used as a measure of the half-life.

なお、半減寿命は比較の有機EL素子3−1を100とした時の相対値で表示した。   The half-life was expressed as a relative value when the comparative organic EL element 3-1 was set to 100.

(初期劣化)
下記に示す測定法に従って、初期劣化の評価を行った。
(Initial deterioration)
The initial deterioration was evaluated according to the measurement method shown below.

前記半減寿命の測定時に、輝度が90%に到達する時間を測定し、これを初期劣化の尺度とした。   When the half-life was measured, the time required for the luminance to reach 90% was measured and used as a measure of initial deterioration.

なお、初期劣化は比較の有機EL素子3−1を100とした。初期劣化は以下の計算式を基に計算した。
初期劣化=(有機EL素子1−1の輝度90%到達時間)/(各素子の輝度90%到達時間)×100
すなわち、初期劣化の値は、小さいほど初期の劣化が小さいことを示す。
The initial deterioration was 100 for the comparative organic EL element 3-1. The initial deterioration was calculated based on the following formula.
Initial deterioration = (luminance 90% arrival time of organic EL element 1-1) / (luminance 90% arrival time of each element) × 100
That is, the smaller the initial deterioration value is, the smaller the initial deterioration is.

(ダークスポット)
各有機EL素子を室温下、2.5mA/cmの定電流条件下による連続点灯を行った際の発光面を目視で評価した。無作為に抽出した10人による目視評価で連続点灯時間10時間経過後の各素子において
ダークスポットを確認した人数が5人以上の場合: ×
ダークスポットを確認した人数が1−4人の場合: △
ダークスポットを確認した人数が0人の場合: ○
とした。
(Dark spot)
The light emitting surface when each organic EL element was continuously lit under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature was visually evaluated. When the number of people who confirmed dark spots in each element after 10 hours of continuous lighting by visual evaluation by 10 randomly selected people was 5 or more: ×
When the number of confirmed dark spots is 1-4: △
When the number of confirmed dark spots is 0: ○
It was.

以上の評価結果を表7に示す。   The above evaluation results are shown in Table 7.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

表7から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、初期の輝度劣化が少なく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、ダークスポットの生成も抑えられていることもわかる。すなわち、本発明の製造法によって製造した配位子を用いて製造した金属錯体を用いて作製した素子は、本発明の製造方法によらない製造方法で製造した配位子を用いて作製した比較の素子に比べて優れた性能を示すことが明らかである。   From Table 7, it can be seen that the organic EL element of the present invention has less initial luminance deterioration and a longer life as a result, compared to the comparative element. It can also be seen that the generation of dark spots is suppressed. That is, a device manufactured using a metal complex manufactured using a ligand manufactured by the manufacturing method of the present invention is a comparison manufactured using a ligand manufactured by a manufacturing method that does not depend on the manufacturing method of the present invention. It is clear that the device exhibits superior performance as compared with the device.

実施例4
《有機EL素子4−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 4
<< Preparation of Organic EL Element 4-1 >>
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第1正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. After the film formation by spin coating, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

この基板を窒素雰囲気下に移し、第1正孔輸送層上に、50mgの化合物Aを10mlのトルエンに溶解した溶液を1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。   This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 50 mg of compound A dissolved in 10 ml of toluene was formed on the first hole transport layer by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds.

180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、60℃で1時間真空乾燥し第2正孔輸送層とした。   After irradiating with ultraviolet light for 180 seconds to carry out photopolymerization / crosslinking, vacuum drying was performed at 60 ° C. for 1 hour to form a second hole transport layer.

次に、化合物B(60mg)、Firpic(3.0mg)をトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜し、発光層を形成した。   Next, using a solution obtained by dissolving Compound B (60 mg) and Firpic (3.0 mg) in 6 ml of toluene, a film was formed by spin coating under conditions of 1000 rpm and 30 seconds to form a light emitting layer.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにBAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。   Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, 200 mg of BAlq was put into a molybdenum resistance heating boat, and attached to the vacuum deposition apparatus.

真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、BAlqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して、さらに膜厚40nmの電子輸送層を設けた。 After the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing BAlq was energized and heated, deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / second, and a film thickness of 40 nm. The electron transport layer was provided.

なお、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き、フッ化リチウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子4−1を作製した。   In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature. Then, 0.5 nm of lithium fluoride and 110 nm of aluminum were vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 4-1 was produced.

《有機EL素子4−2〜4−21の作製》
有機EL素子4−1の作製において、発光層のホスト化合物である化合物B、ドーパント化合物であるFirpicを表8に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子4−2〜4−21を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 4-2 to 4-21 >>
In the production of the organic EL element 4-1, the organic EL elements 4-2 to 4-21 were similarly performed except that the compound B as the host compound in the light emitting layer and the dopant as the dopant compound were replaced with the compounds shown in Table 8. Was made.

《有機EL素子の評価》
得られた有機EL素子4−1〜4−21を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
<< Evaluation of organic EL elements >>
When evaluating the obtained organic EL elements 4-1 to 4-21, the non-light emitting surface of each organic EL element after production was covered with a glass case, and a glass substrate having a thickness of 300 μm was used as a sealing substrate. An epoxy photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealant around the periphery, and this is placed on the cathode so as to be in close contact with the transparent support substrate and irradiated with UV light from the glass substrate side. Then, it was cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. 3 and 4 was formed and evaluated.

図3は照明装置の概略図を示し、有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。   FIG. 3 is a schematic diagram of the lighting device, and the organic EL element 101 is covered with a glass cover 102 (in addition, the sealing operation with the glass cover is performed in a nitrogen atmosphere without bringing the organic EL element 101 into contact with the atmosphere. (In a high purity nitrogen gas atmosphere with a purity of 99.999% or more).

図4は照明装置の断面図を示し、図4において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。   4 shows a cross-sectional view of the lighting device. In FIG. 4, reference numeral 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic EL layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

(外部取り出し量子効率)
有機EL素子を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cmの定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)を算出した。
(External quantum efficiency)
By lighting the organic EL element under a constant current condition of room temperature (about 23 to 25 ° C.) and 2.5 mA / cm 2 , and measuring the light emission luminance (L) [cd / m 2 ] immediately after the start of lighting, The external extraction quantum efficiency (η) was calculated.

ここで、発光輝度の測定はCS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。   Here, CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used for measurement of light emission luminance.

外部取り出し量子効率は有機EL素子4−1を100とする相対値で表した。   The external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value with the organic EL element 4-1 as 100.

(半減寿命)
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。各有機EL素子を初期輝度1000cd/mを与える電流で定電流駆動して、初期輝度の1/2(500cd/m)になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。
(Half life)
The half-life was evaluated according to the measurement method shown below. Each organic EL device driven with a constant current at a current giving an initial luminance 1000 cd / m 2, obtains the time to be 1/2 (500cd / m 2) of the initial luminance, which was used as a measure of the half-life.

なお、半減寿命は有機EL素子4−1を100とする相対値で表した。   The half life was expressed as a relative value with the organic EL element 4-1 as 100.

(初期劣化)
下記に示す測定法に従って、初期劣化の評価を行った。
(Initial deterioration)
The initial deterioration was evaluated according to the measurement method shown below.

前記半減寿命の測定時に、初期輝度の90%になる時間を求め、これを初期劣化の尺度とした。   At the time of measuring the half-life, a time for 90% of the initial luminance was obtained and used as a measure of initial deterioration.

なお、初期劣化は有機EL素子4−1を100とする相対値で表した。初期劣化は以下の計算式を基に計算した。
初期劣化=(有機EL素子4−1の輝度90%到達時間)/(各素子の輝度90%到達時間)×100
すなわち、初期劣化の値は、小さいほど初期の劣化が小さいことを示す。
The initial degradation was expressed as a relative value with the organic EL element 4-1 as 100. The initial deterioration was calculated based on the following formula.
Initial degradation = (90% reach time of luminance of organic EL element 4-1) / (90% reach time of brightness of each element) × 100
That is, the smaller the initial deterioration value is, the smaller the initial deterioration is.

(ダークスポット)
有機EL素子を室温下、2.5mA/cmの定電流条件下による連続点灯を行った際の発光面を目視で評価した。無作為に抽出した10人による目視評価で
ダークスポットを確認した人数が5人以上の場合: ×
ダークスポットを確認した人数が1−4人の場合: △
ダークスポットを確認した人数が0人の場合: ○
とした。
(Dark spot)
The light emitting surface when the organic EL element was continuously lit under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature was visually evaluated. When the number of people who confirmed dark spots by visual evaluation by 10 randomly selected people is 5 or more: ×
When the number of confirmed dark spots is 1-4: △
When the number of confirmed dark spots is 0: ○
It was.

以上の評価結果を表8に示す。   The above evaluation results are shown in Table 8.

Figure 0005412809
Figure 0005412809

表8から、比較の素子に比べて、本発明の有機EL素子は、初期の輝度劣化が少なく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、ダークスポットの生成も抑えられていることもわかる。すなわち、本発明の製造法によって製造した配位子を用いて製造した金属錯体を用いて作製した素子は、本発明の製造方法によらない製造方法で製造した配位子を用いて作製した比較の素子に比べて優れた性能を示すことが明らかである。   From Table 8, it can be seen that the organic EL element of the present invention has less initial luminance deterioration and a longer life as a result, compared to the comparative element. It can also be seen that the generation of dark spots is suppressed. That is, a device manufactured using a metal complex manufactured using a ligand manufactured by the manufacturing method of the present invention is a comparison manufactured using a ligand manufactured by a manufacturing method that does not depend on the manufacturing method of the present invention. It is clear that the device exhibits superior performance as compared with the device.

有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図Schematic diagram showing an example of a display device composed of organic EL elements 表示部の模式図Schematic diagram of the display unit 照明装置の概略図Schematic of lighting device 照明装置の断面図Cross section of the lighting device

符号の説明Explanation of symbols

1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
A 表示部
B 制御部
101 有機EL素子
107 透明電極付きガラス基板
106 有機EL層
105 陰極
102 ガラスカバー
108 窒素ガス
109 捕水剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display 3 Pixel 5 Scan line 6 Data line A Display part B Control part 101 Organic EL element 107 Glass substrate with a transparent electrode 106 Organic EL layer 105 Cathode 102 Glass cover 108 Nitrogen gas 109 Water catching agent

Claims (10)

下記一般式(4)、(6)、(8)または(10)で表されるイミダゾール化合物の製造方法であって、
下記一般式(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを、誘電率が10以下の非極性非プロトン性溶媒中で反応させることを特徴とするイミダゾール化合物の製造方法。
Figure 0005412809
〔式中、R、Rは、各々、水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。E1a〜E1kは炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、E1lは炭素原子または窒素原子を表す。 1a 〜E 1f 、E 1g 〜E 1l により形成される環はそれぞれ、6員の芳香族炭化水素環または5員もしくは6員の芳香族複素環を表し、当該6員の芳香族炭化水素環がベンゼン環であり、当該5員もしくは6員の芳香族複素環がフラン環、チオフェン環、オキサゾール環、イミダゾール環、ピリジン環である。一般式(4)、(6)、(8)または(10)で表されるイミダゾール化合物において、E1a〜E1lとイミダゾール環で構成される骨格は合計で18π電子を有する。R1b〜R1e、R1h〜R1jは、各々水素原子または置換基を表す。ただし、R1*が結合しているE1*が酸素原子または硫黄原子である場合は、R1*は存在しない。また、R1*が結合しているE1*が窒素原子である場合は、R1*は存在しない場合もある。ここで*はb、c、d、e、h、i、jのいずれかの文字を表す。なお、上記一般式で表される化合物のうち、原料と生成物は、構造的に互いに関連したもの同士である。〕
Figure 0005412809
〔式中、R、Rは、各々、水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。Xはハロゲン原子を表す。〕
A method for producing an imidazole compound represented by the following general formula (4), (6), (8) or (10),
A compound represented by the following general formula (5), (7), (9) or (11) and a compound represented by the following general formula (3) are nonpolar aprotic having a dielectric constant of 10 or less. The manufacturing method of the imidazole compound characterized by making it react in a solvent.
Figure 0005412809
[Wherein, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. E 1a to E 1k represent a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and E 1l represents a carbon atom or a nitrogen atom. Each of the rings formed by E 1a to E 1f and E 1g to E 11 represents a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring, and the 6-membered aromatic hydrocarbon ring Is a benzene ring, and the 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle is a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, an imidazole ring, or a pyridine ring. In the imidazole compound represented by the general formula (4), (6), (8) or (10), the skeleton composed of E 1a to E 11 and the imidazole ring has a total of 18π electrons. R 1b to R 1e and R 1h to R 1j each represent a hydrogen atom or a substituent. However, when E 1 * to which R 1 * is bonded is an oxygen atom or a sulfur atom, R 1 * does not exist. In addition, when E 1 * to which R 1 * is bonded is a nitrogen atom, R 1 * may not exist. Here, * represents any of the characters b, c, d, e, h, i, and j. In addition, among the compounds represented by the above general formula, the raw material and the product are structurally related to each other. ]
Figure 0005412809
[Wherein, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. X represents a halogen atom. ]
前記非極性非プロトン性溶媒が、芳香族化合物であることを特徴とする請求項1に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   The method for producing an imidazole compound according to claim 1, wherein the nonpolar aprotic solvent is an aromatic compound. 前記非極性非プロトン性溶媒が、アルキル置換ベンゼンまたはクロロ置換ベンゼンであることを特徴とする請求項1または2に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   The method for producing an imidazole compound according to claim 1 or 2, wherein the nonpolar aprotic solvent is alkyl-substituted benzene or chloro-substituted benzene. 前記一般式(3)で表される化合物および一般式(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物の他に、有機塩基を用いて反応させることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   In addition to the compound represented by the general formula (3) and the compound represented by the general formula (5), (7), (9) or (11), the reaction is performed using an organic base. The manufacturing method of the imidazole compound as described in any one of Claim 1 to 3. 前記有機塩基を一般式(5)、(7)、(9)または(11)で表される化合物の1.1〜1.5当量用いることを特徴とする請求項4に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   The imidazole compound according to claim 4, wherein the organic base is used in an amount of 1.1 to 1.5 equivalents of the compound represented by the general formula (5), (7), (9) or (11). Production method. 前記有機塩基が、トリアルキルアミンであることを特徴とする請求項4または5に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   6. The method for producing an imidazole compound according to claim 4, wherein the organic base is a trialkylamine. 前記反応を50〜200℃で行うことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   The said reaction is performed at 50-200 degreeC, The manufacturing method of the imidazole compound as described in any one of Claim 1 to 6 characterized by the above-mentioned. 前記反応を100〜150℃で行うことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   The said reaction is performed at 100-150 degreeC, The manufacturing method of the imidazole compound as described in any one of Claim 1 to 7 characterized by the above-mentioned. 前記Xが、臭素または塩素であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。   X is bromine or chlorine, The manufacturing method of the imidazole compound as described in any one of Claim 1 to 8 characterized by the above-mentioned. 下記一般式(1)で表されるイミダゾール化合物の製造方法であって、
下記一般式(2)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物とを、前記非極性非プロトン性溶媒中で反応させることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のイミダゾール化合物の製造方法。
Figure 0005412809
〔式中、R〜Rは、各々、水素原子または置換基を表す。R、Rがともに水素であることはない。Xはハロゲン原子を表す。〕
A method for producing an imidazole compound represented by the following general formula (1),
The compound represented by the following general formula (2) and the compound represented by the following general formula (3) are reacted in the nonpolar aprotic solvent. A method for producing the imidazole compound according to claim 1.
Figure 0005412809
[Wherein, R 1 to R 9 each represents a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 are not both hydrogen. X represents a halogen atom. ]
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