JP5399772B2 - グラファイト薄膜の製造方法および製造装置 - Google Patents
グラファイト薄膜の製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5399772B2 JP5399772B2 JP2009120636A JP2009120636A JP5399772B2 JP 5399772 B2 JP5399772 B2 JP 5399772B2 JP 2009120636 A JP2009120636 A JP 2009120636A JP 2009120636 A JP2009120636 A JP 2009120636A JP 5399772 B2 JP5399772 B2 JP 5399772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- thin film
- growth
- filament
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
Claims (6)
- 処理室の内部に基板を配置して前記処理室内を分子流領域の圧力に減圧する第1工程と、
エタノールのガスを前記処理室の内部で電圧の印加により加熱したフィラメントからなる分解手段を通過させることで分解して前記基板の上に送出し、前記基板の表面にグラフェンの層を形成する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とするグラファイト薄膜の製造方法。 - 請求項1記載のグラファイト薄膜の製造方法において、
前記フィラメントの加熱は、1600℃以上にすることを特徴とするグラファイト薄膜の製造方法。 - 請求項1または2記載のグラファイト薄膜の製造方法において、
前記フィラメントは、タングステンフィラメントであることを特徴とするグラファイト薄膜の製造方法。 - 処理対象の基板が配置される処理室と、
この処理室の内部を分子流領域の圧力に減圧する排気手段と、
前記処理室内に配置された基板の表面にエタノールのガスを送出するガス送出手段と、
前記基板の表面に送出されている前記ガスの送出経路の途中に配置され、電圧の印加により加熱するフィラメントを備えて前記ガスを前記処理室内で分解する分解手段と
を少なくとも備えることを特徴とするグラファイト薄膜の製造装置。 - 請求項4記載のグラファイト薄膜の製造装置において、
前記フィラメントは、1600℃以上に加熱することを特徴とするグラファイト薄膜の製造装置。 - 請求項4または5記載のグラファイト薄膜の製造装置において、
前記フィラメントは、タングステンフィラメントであることを特徴とするグラファイト薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009120636A JP5399772B2 (ja) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | グラファイト薄膜の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009120636A JP5399772B2 (ja) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | グラファイト薄膜の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010269944A JP2010269944A (ja) | 2010-12-02 |
JP5399772B2 true JP5399772B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=43418305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009120636A Active JP5399772B2 (ja) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | グラファイト薄膜の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5399772B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012124974A2 (ko) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | 삼성테크윈 | 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법 |
JP5770671B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2015-08-26 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法 |
JP6010279B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2016-10-19 | 信越化学工業株式会社 | 非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法 |
WO2012150761A1 (ko) * | 2011-05-03 | 2012-11-08 | 한국과학기술원 | 그래핀의 제조 방법 및 그래핀의 제조 장치 |
JP5715075B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2015-05-07 | 日本電信電話株式会社 | グラファイト薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61247611A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱分解炭素被覆炭素材の製造法 |
JPH01133916A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 高密度黒鉛フイルムの製造法 |
JPH01138111A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-05-31 | Showa Denko Kk | ダイヤモンド製容器およびその製造法 |
JPH01167211A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Hitachi Ltd | ダイヤモンドライク炭素膜およびその製造法 |
-
2009
- 2009-05-19 JP JP2009120636A patent/JP5399772B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010269944A (ja) | 2010-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5650421B2 (ja) | グラフェン製造法 | |
Wu et al. | Growth of single crystal graphene arrays by locally controlling nucleation on polycrystalline Cu using chemical vapor deposition | |
KR100923304B1 (ko) | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 | |
US9515143B2 (en) | Heterogeneous layered structure, method of preparing the heterogeneous layered structure, and electronic device including the heterogeneous layered structure | |
US20140374960A1 (en) | Method for producing a graphene film | |
TWI427033B (zh) | 石墨烯奈米窄帶的製備方法 | |
US20130266729A1 (en) | Method for making strip shaped graphene layer | |
TW201341302A (zh) | 石墨烯奈米窄帶的製備方法 | |
JP5399772B2 (ja) | グラファイト薄膜の製造方法および製造装置 | |
Wu et al. | Continuous graphene films synthesized at low temperatures by introducing coronene as nucleation seeds | |
TWI426048B (zh) | 石墨烯奈米窄帶的製備方法 | |
JP2013067549A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
JP5578639B2 (ja) | グラファイト膜製造方法 | |
WO2010122928A1 (ja) | グラフェン膜の作製方法 | |
Kumar et al. | Nickel mediated few-layer graphene growth on glass substrates by pulsed laser deposition | |
TWI503276B (zh) | 石墨烯薄膜及電晶體的石墨烯通道之製備方法 | |
JP5715075B2 (ja) | グラファイト薄膜の製造方法 | |
Heya et al. | Decomposition of pentacene molecules by heated tungsten mesh | |
Mahmoodi et al. | Various temperature effects on the growth of carbon nanotubes (CNTs) by thermal chemical vapor deposition (TCVD) method | |
Lopes et al. | Molecular beam epitaxy of graphene and hexagonal boron nitride | |
Yakubu et al. | Graphene synthesis by chemical vapour deposition (CVD): A review on growth mechanism and techniques | |
Jafari et al. | The effects of growth time on the quality of graphene synthesized by LPCVD | |
Lee et al. | Dual graphene films growth process based on plasma-assisted chemical vapor deposition | |
KR101961694B1 (ko) | 그래핀 및 이의 제조 방법 | |
Behura et al. | Chemical vapor deposited few-layer graphene as an electron field emitter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111109 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111111 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130611 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131022 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131024 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5399772 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |