JP5395321B2 - Ｌｓｉ品種決定方法、ｌｓｉ品種決定プログラムおよびｌｓｉ品種決定装置 - Google Patents

Description

この発明は、ＬＳＩの製造を支援するＬＳＩ品種決定方法、ＬＳＩ設計支援方法、ＬＳＩ品種決定プログラム、ＬＳＩ設計支援プログラム、記録媒体、ＬＳＩ品種決定装置およびＬＳＩ設計支援装置に関し、特に、特定用途向けのＬＳＩであるストラクチャードＡＳＩＣの製造を支援するＬＳＩ品種決定方法、ＬＳＩ設計支援方法、ＬＳＩ品種決定プログラム、ＬＳＩ設計支援プログラム、記録媒体、ＬＳＩ品種決定装置およびＬＳＩ設計支援装置に関する。

従来より、特定用途向けのＬＳＩとして、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）およびストラクチャードＡＳＩＣなどがある。ＡＳＩＣは、製造するＬＳＩの品種ごとにシリコンウェハの表面上にトランジスタ層およびメタル層が専用に作り込まれている（たとえば、下記特許文献１参照。）。

また、ＦＰＧＡは、ＬＳＩ製造後に論理（回路機能）を構成する。このため、ユーザは、ＬＳＩ製造後に設計図を用いてプログラミングすることによってメタル層における配線パターンを変更することができる。

また、ストラクチャードＡＳＩＣは、シリコンウェハの表面上に共通のトランジスタ層（または、トランジスタ層およびメタル１層）が作り込まれており、その上に形成されるメタル層の配線パターンを変更することにより、ＬＳＩの動作が決定される。

特開平０６−２９３９１号公報

しかしながら、上述した従来技術では、ＬＳＩ製造時の条件に応じてＬＳＩの動作速度にばらつきが生じてしまうため、製造するＬＳＩの性能をコントロールすることが難しい。さらに、ＡＳＩＣおよびストラクチャードＡＳＩＣは、特定用途専用のＬＳＩのため、製造後における全てのＬＳＩが特定の用途に必要な性能を有する設計をおこなわなければならない。

ＡＳＩＣおよびストラクチャードＡＳＩＣにおいて、特定の用途に必要な性能を保証するためのタイミング設計には多大な時間とコストがかかる場合がある。この場合、製造したＬＳＩのうち、特定の用途に必要な性能を有するものだけを使用することにより、設計期間を短縮することが考えられる。

しかしながら、ＡＳＩＣおよびストラクチャードＡＳＩＣでは特定用途専用にＬＳＩを製造するため、製造したＬＳＩのうち、特定の用途に必要な性能を有していないものは他の用途に使用することができず、無駄になってしまう。このため、結果的に製造コストの増加につながってしまうという問題があった。

また、ＬＳＩ製造時の条件に応じて発生するリーク電流にばらつきが生じてしまう。このため、チップを封止するためのパッケージを選択する場合において、リーク電流が多いチップに合わせてパッケージ単価の高いものを選択する必要があった。

しかしながら、リーク電流が小さいチップにおいては、無駄に高価なパッケージを使用することになり、製造コストの増加につながってしまうという問題があった。さらに、ＬＳＩ製造時における消費電力とチップ単価とに関する制約が大きいＬＳＩにおいては、これらを満たす設計に多大な時間がかかる場合があり、設計期間の増加につながってしまうという問題があった。

また、ＦＰＧＡでは、ＬＳＩ製造後に論理を構成するため、不具合が発生した場合における設計変更を比較的容易におこなうことができるが、チップ単価が高いにもかかわらず、ＡＳＩＣやストラクチャードＡＳＩＣに比べて製造可能なＬＳＩの性能が劣っているという問題がある。

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ＬＳＩの製造途中において、中間製造物のトランジスタ性能を推定することにより、各中間製造物に合った適切な品種を決定することができ、ＬＳＩ製造における歩留まりを向上させることができるＬＳＩ品種決定方法、ＬＳＩ設計支援方法、ＬＳＩ品種決定プログラム、ＬＳＩ設計支援プログラム、記録媒体、ＬＳＩ品種決定装置およびＬＳＩ設計支援装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかるＬＳＩ品種決定方法、ＬＳＩ品種決定プログラム、記録媒体およびＬＳＩ品種決定装置は、ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から、トランジスタ速度を測定し、測定されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定することを特徴とする。

この発明によれば、ＬＳＩの製造途中において測定されたトランジスタ速度に適したＬＳＩの品種を決定することができる。

また、この発明にかかるＬＳＩ品種決定方法、ＬＳＩ品種決定プログラム、記録媒体およびＬＳＩ品種決定装置は、ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から、リーク電流を測定し、測定されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定することを特徴とする。

この発明によれば、ＬＳＩの製造途中において測定されたリーク電流に適したＬＳＩの品種を決定することができる。

また、この発明にかかるＬＳＩ設計支援方法、ＬＳＩ設計支援プログラム、記録媒体およびＬＳＩ設計支援装置は、ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から、トランジスタ速度を前記中間製造物ごとに測定し、測定されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを前記中間製造物ごとに特定し、特定されたグレードに基づいて、前記ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断することを特徴とする。

この発明によれば、ＬＳＩの製造途中において、設計作業の継続可否を選択することができる。

また、この発明にかかるＬＳＩ設計支援方法、ＬＳＩ設計支援プログラム、記録媒体およびＬＳＩ設計支援装置は、ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から、リーク電流を前記中間製造物ごとに測定し、測定されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを前記中間製造物ごとに特定し、特定されたグレードに基づいて、前記ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断することを特徴とする。

この発明によれば、ＬＳＩの製造途中において、設計作業の継続可否を選択することができる。

本発明にかかるＬＳＩ品種決定方法、ＬＳＩ設計支援方法、ＬＳＩ品種決定プログラム、ＬＳＩ設計支援プログラム、記録媒体、ＬＳＩ品種決定装置およびＬＳＩ設計支援装置によれば、ＬＳＩの製造途中において、中間製造物のトランジスタ性能を推定することにより、各中間製造物に合った適切な品種を決定することができ、ＬＳＩ製造における歩留まりを向上させることができるという効果を奏する。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかるＬＳＩ品種決定方法、ＬＳＩ設計支援方法、ＬＳＩ品種決定プログラム、ＬＳＩ設計支援プログラム、記録媒体、ＬＳＩ品種決定装置およびＬＳＩ設計支援装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。

（ＬＳＩ設計サービスの概要）
まず、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計サービスについて説明する。図１は、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計サービスの概要を示す説明図である。図１に示すＬＳＩ設計サービスでは、ストラクチャードＡＳＩＣによってＬＳＩを製造する。

ストラクチャードＡＳＩＣは、シリコンウェハ表面上に形成されるトランジスタ層（または、トランジスタ層およびメタル１層）までは共通であり、その上に形成される配線層（メタル層）を変更することによって各種動作を決定する。ストラクチャードＡＳＩＣにおいては、共通部分であるトランジスタ層が形成された時点で、ある程度ＬＳＩの性能が確定する。

図１に示すＬＳＩ設計サービスにおいて、まず、ＬＳＩ製造業者（ベンダー）は、シリコンウェハの表面上にトランジスタ層（または、トランジスタ層およびメタル１層）を形成して中間製造物を製造する。なお、ここでの中間製造物とは、円盤状（たとえば、半径が２０〜３０センチ）のシリコンウェハ上にトランジスタ層が形成されたもの全体であってよいし、当該シリコンウェハ内における個々のチップのことであってもよい。

通常、ＬＳＩは、シリコンウェハの表面上にトランジスタ層が形成され、その上にメタル層（メタル１層、メタル２層、・・・、メタルｎ層）が順に形成される。ここでは、シリコンウェハの表面上に共通部分となるトランジスタ層およびメタル１層を形成して中間製造物を製造する。

つぎに、ＬＳＩ製造業者は、中間製造物のトランジスタ層に作り込まれているトランジスタのトランジスタ性能を測定する。中間製造物のトランジスタ層における各トランジスタのトランジスタ性能は、製造時の条件に応じてチップごと、または、シリコンウェハごとにばらつきが生じてしまう。

また、トランジスタ性能を測定する場合、トランジスタ層における全てのトランジスタに関して測定するのではなく、所定個数のトランジスタをピックアップ（選択）し、ピックアップしたトランジスタのトランジスタ性能を測定するようにしてもよい。なお、トランジスタ性能の具体的な測定方式については後述する。

そして、この測定結果およびトランジスタ性能に関する統計データを用いて中間製造物の動作速度を推定する。このとき、推定可能な動作速度における、最も遅い速度を中間製造物の動作速度（以下、トランジスタ速度）として推定する。

トランジスタ速度は、トランジスタに入力された電気信号が出力されるまでの時間（遅延時間）によって表され、トランジスタ性能が高いほどこの遅延時間が短くなる。なお、トランジスタ性能に関する統計データおよび当該統計データを用いた動作速度の推定方法については後述する。

つぎに、製造待ちとなっているＬＳＩの品種リストの中から、上記方法で推定されたトランジスタ速度によって動作が保証される品種を１つ選択して、製造するＬＳＩの品種を決定する。そして、決定された品種の設計に従って、製造を開始してメタル層以降（ここでは、メタル２層以降）の処理をおこなう。

なお、トランジスタ速度が速い中間製造物が製造されたにもかかわらず、品種リストの中に速いトランジスタ速度を必要とする品種が含まれていない場合には、遅いトランジスタ速度によって動作可能な品種の中から選択するようにしてもよい。また、在庫として取り置きしておき、速いトランジスタ速度を必要とする品種が現れた場合に使用するようにしてもよい。

ここで、製造待ちとなっているＬＳＩの品種リストについて説明する。図２は、ＬＳＩの品種リストの一例を示す説明図である。図２に示すように、品種リストには、ＬＳＩの名称、最低限必要なトランジスタ速度、製造する個数および製造した個数が示されている。

ＬＳＩの名称は、たとえば、各電機メーカーにおいて製造される電気機器対応のＬＳＩなどの名称であり、それぞれ動作するために最低限必要なトランジスタ速度が設定されている。具体的には、たとえば、Ｘ社デジタルＴＶ用ＬＳＩは、最低限必要なトランジスタ速度が１５〔ｐｓ〕に設定されており、これよりも遅いトランジスタ速度のＬＳＩでは動作しない。

製造する個数は、たとえば、顧客であるＸ社から発注されたＬＳＩの個数であり、製造目標となる数である。また、製造した個数は、既に製造されているＬＳＩの個数である。ここでは、製造する個数が１０００００個で、製造した個数が５０００個となっており、残り９５０００個製造する必要があることを示している。

このＬＳＩ設計サービスにおいては、ＬＳＩの製造途中において中間製造物のトランジスタ速度を推定することにより、各中間製造物をトランジスタ速度のばらつきに応じて適切な品種に割り当てて製造することができる。また、トランジスタ速度を推定する場合に、推定可能な動作速度における最も遅いものに合わせて推定しているため、製造されたＬＳＩがトランジスタの性能不足により動作しないなどの不具合を防ぐことができる。

また、ＬＳＩの他の製造手順として、トランジスタ速度の推定後に、顧客（たとえば、家電メーカー）と打ち合わせをおこない、その後の処理について相談するようにしてもよい。具体的には、まず、ＬＳＩの性能がトランジスタ速度に応じて複数段階のグレードに分類されているグレード表を用いて、現状の設計において保証することができるグレードを特定する。

このグレード表は、トランジスタ性能、すなわち、推定可能な動作速度における、最も遅い速度であるトランジスタ速度によって複数段階のグレードに分類され、グレードごとにＬＳＩ製造時におけるチップ単価が異なる。

ここで、推定されたトランジスタ速度のグレードを特定する際の具体的な説明をする。図３は、グレード表の一例を示す説明図である。図３に示すように、ＬＳＩの性能が、当該ＬＳＩで最も遅いトランジスタの速度（トランジスタ速度）に応じてグレード１〜グレード４に分類されている。なお、各グレードにおけるトランジスタ速度の範囲は任意に設定することができる。

ＬＳＩ製造時におけるチップ単価（１個のＬＳＩの価格）は、トランジスタ性能に応じて決まっており、トランジスタ性能が高くなるに従って高価となる。ここでは、グレード４→グレード３→グレード２→グレード１の順にトランジスタ性能が高くなるため、グレード４→グレード３→グレード２→グレード１の順にチップ単価が高くなる。

具体的には、ＬＳＩ製造業者は、グレード表を用いて現状の設計において保証することができるグレードを特定する。たとえば、各グレードに対してＳＴＡ（Ｓｔａｔｉｃ Ｔｉｍｉｎｇ Ａｎａｌｙｚｅｒ）を実行することによって現状の設計において保証することができるグレードを特定する。ＳＴＡとは、ＬＳＩがターゲット周波数で動作可能であるか否かを検証することができるツールである。

より具体的には、ＳＴＡに対して、現状の設計データ、ＬＳＩの使用目的から決定されるターゲット周波数および各グレードに対応するトランジスタ速度を入力する。そして、入力した結果、ターゲット周波数でＬＳＩが動作可能か否かの判定結果が出力される。

これにより、現状の設計において動作を保証することができるグレードを特定することができる。たとえば、「グレード４のＬＳＩを使用した場合には動作しないが、グレード３のＬＳＩを使用した場合には動作する。」などの情報を得ることができる。

そして、ＬＳＩ製造業者は、特定したグレードおよびこのグレードにおけるチップ単価を顧客に提示する。顧客は、提示されたグレードのチップ単価および製造個数などに基づいて、設計（論理設計、タイミング設計など）を継続するか、あるいは、現状の設計のまま製造を開始するかを判断する。

ここで、設計を継続すると判断された場合には、継続してタイミング設計や論理設計などをおこないトランジスタ性能の向上を図ることとなる。そして、ある程度設計が進んだところで、再びトランジスタ性能を測定し、そのときの設計において動作を保証することができるグレードを特定する。そして、ＬＳＩ製造業者と顧客との間で、再び打ち合わせをおこない設計を継続するか、あるいは、現状の設計のまま製造を開始するかを判断する。

また、設計を継続しないと判断された場合には、現状の設計でＬＳＩの製造がおこなわれる。具体的には、たとえば、製造待ちとなっているＬＳＩの品種リストの中から、特定されたグレードによって動作が保証される品種を１つ選択して、製造するＬＳＩの品種を決定するようにしてもよい。そして、決定された品種の設計に従って、製造を開始してメタル層以降（ここでは、メタル２層以降）の処理をおこなう。

また、製造待ち品種リストに登録し、適合するチップ（中間製造物）が現れた場合に、メタル層以降（ここでは、メタル２層以降）の処理をおこなうようにしてもよい。

なお、ここではＬＳＩ製造業者がグレードの特定をおこなう構成としたが、顧客によってタイミング設計がおこなわれた場合には、顧客によってグレードの特定をおこなうようにしてもよい。

このように、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計サービスでは、ＬＳＩの製造途中において、トランジスタ性能を測定することにより、測定結果に応じた適切なＬＳＩの品種を選択することができる。このため、製造されたＬＳＩがトランジスタの性能不足により動作しないなどの不具合を防ぐことができる。

さらに、現状の設計において動作を保証することができるグレードおよび当該グレードにおけるチップ単価を顧客に提示することにより、設計作業の継続可否を顧客に選択させることができる。これにより、顧客は、通常よりも高い金額を支払うことにより、多大な時間を要するタイミング設計をおこなうことなく、所望のＬＳＩを短期間で手に入れることができる。

また、性能の低いチップを通常よりも低い金額で顧客に提供することにより、性能の低いチップであってもＬＳＩ製造に使用されることとなる。なぜなら、顧客にとっては、所望の性能を満たすＬＳＩが製造されるのであれば、チップ単価はできる限り安価であることが望ましい。

このため、性能が低いチップであってもＬＳＩ製造に使用されることとなり、チップの無駄を低減することができる。さらに、ＬＳＩ製造業者は、ＬＳＩ製造において、無駄なチップを出すことなくチップ単価を上げることができる。

（ＬＳＩ設計支援装置のハードウェア構成）
つぎに、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置のハードウェア構成について説明する。図４は、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置のハードウェア構成を示すブロック図である。

図４において、ＬＳＩ設計支援装置は、ＣＰＵ４０１と、ＲＯＭ４０２と、ＲＡＭ４０３と、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）４０４と、ＨＤ（ハードディスク）４０５と、ＦＤＤ（フレキシブルディスクドライブ）４０６と、着脱可能な記録媒体の一例としてのＦＤ（フレキシブルディスク）４０７と、ディスプレイ４０８と、Ｉ／Ｆ（インターフェース）４０９と、キーボード４１０と、マウス４１１と、スキャナ４１２と、プリンタ４１３とを備えている。また、各構成部は、バス４００によってそれぞれ接続されている。

ここで、ＣＰＵ４０１は、ＬＳＩ設計支援装置の全体の制御を司る。ＲＯＭ４０２は、ＬＳＩ品種決定プログラム、ＬＳＩ設計支援プログラムおよびブートプログラムなどのプログラムを記録している。ＲＡＭ４０３は、ＣＰＵ４０１のワークウェアとして使用される。ＨＤＤ４０４は、ＣＰＵ４０１の制御にしたがってＨＤ４０５に対するデータのリード／ライトを制御する。ＨＤ４０５は、ＨＤＤ４０４の制御で書き込まれたデータを記憶する。

ＦＤＤ４０６は、ＣＰＵ４０１の制御にしたがってＦＤ４０７に対するデータのリード／ライトを制御する。ＦＤ４０７は、ＦＤＤ４０６の制御で書き込まれたデータを記憶したり、ＦＤ４０７に記憶されたデータをＬＳＩ設計支援装置に読み取らせたりする。

また、着脱可能な記録媒体として、ＦＤ４０７のほか、ＣＤ−ＲＯＭ（ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ）、ＭＯ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）、メモリカードなどであってもよい。ディスプレイ４０８は、カーソル、アイコンあるいはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示する。このディスプレイ４０８には、たとえば、ＣＲＴ、ＴＦＴ液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを採用することができる。

Ｉ／Ｆ４０９は、通信回線を通じてインターネットなどのネットワーク４１４に接続され、このネットワーク４１４を介して他の装置に接続される。そして、Ｉ／Ｆ４０９は、ネットワーク４１４と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。Ｉ／Ｆ４０９には、たとえばモデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。

キーボード４１０は、文字、数字、各種指示などの入力のためのキーを備え、データの入力をおこなう。また、タッチパネル式の入力パッドやテンキーなどであってもよい。マウス４１１は、カーソルの移動や範囲選択、あるいはウィンドウの移動やサイズの変更などをおこなう。ポインティングデバイスとして同様の機能を備えるものであれば、トラックボールやジョイスティックなどであってもよい。

スキャナ４１２は、画像を光学的に読み取り、装置内に画像データを読み込む。なお、スキャナ４１２は、ＯＣＲ機能を持たせてもよい。また、プリンタ４１３は、画像データや文書データを印刷する。プリンタ４１３には、たとえば、レーザプリンタやインクジェットプリンタなどを採用することができる。

（ＬＳＩ品種決定装置の機能的構成）
つぎに、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ品種決定装置の機能的構成について説明する。図５は、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ品種決定装置の機能的構成を示すブロック図である。図５において、ＬＳＩ品種決定装置は、入力部５０１と、決定部５０２と、算出部５０３と、から構成されている。

入力部５０１は、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られたトランジスタ速度の入力を受け付ける。ここで、中間製造物とは、シリコンウェハの表面上にトランジスタ層またはトランジスタ層およびメタル１層が形成されたものである。

具体的には、中間製造物は、トランジスタ層またはトランジスタ層およびメタル１層が形成されたシリコンウェハ全体を示すものであってもよいし、当該シリコンウェハ内における個々のチップを示すものであってもよい。中間製造物は、全てのストラクチャードＡＳＩＣにおいて共通する部分であるが、製造時の条件に応じて各トランジスタのトランジスタ性能にばらつきが生じる。

このトランジスタ性能は、製造するＬＳＩの品種を決定する際の重要な指標となる。なぜなら、製造されるＬＳＩは、品種ごとに最低限必要なトランジスタ速度が決まっている。このため、最低限必要なトランジスタ速度を満たさないＬＳＩを使用して製品を製造した場合には、トランジスタの性能不足による不具合が生じてしまう。

このトランジスタ性能を示すトランジスタ速度を測定する場合、当該トランジスタ速度と相関関係を有する値を利用することができる。具体的には、たとえば、中間製造物に作り込まれたリングオシレータの動作周波数に基づいてトランジスタ速度を測定することができる。リングオシレータとは、インバータ回路（反転回路）を奇数個組み合わせることによって発振機能を実現する回路であり、デバイスの応答遅延特性を調べることなどに利用される。

また、トランジスタ層におけるトランジスタが稼働している場合に、中間製造物を流れる電流の大きさに基づいてトランジスタ速度を測定することができる。具体的には、トランジスタ層の各トランジスタが稼働（動作）している状態で、中間製造物にどの程度電流が流れるかを示すオン電流を用いてトランジスタ速度を測定する。

さらに、トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長の長さに基づいてトランジスタ速度を測定することができる。ゲート長とは、トランジスタのオン・オフを切り替えるスイッチのサイズのことであり、トランジスタ内における電子の移動距離を示すものである。なお、上述したトランジスタ速度の各種測定方式（リングオシレータ、オン電流およびゲート長を用いた測定方式）に関する詳細な説明は後述する。

決定部５０２は、入力部５０１によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する。ＬＳＩの品種は、図２に示す品種リストのようにテーブル化されてＨＤ４０５などの記憶媒体に記録されている。そして、決定部５０２によって品種が決定される場合にＨＤ４０５などの記録媒体から読み出される。

なお、品種リストは、ＬＳＩ品種決定装置において作成されるようにしてもよいし、入力部５０１によって他の装置において作成された品種リストの入力を受け付けるようにしてもよい。

具体的には、決定部５０２は、ＬＳＩの品種の中から、最低限必要となるトランジスタ速度が入力部５０１によって入力されたトランジスタ速度よりも遅い品種を、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種として決定する。

より具体的には、決定部５０２は、入力部５０１によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、図２に示すような品種リストの中から、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定するようにしてもよい。たとえば、入力部５０１によって入力されたトランジスタ速度が１９〔ｐｓ〕であった場合、図２に示す品種リストの中から、Ｂ（Ｙ社デジタルカメラ用ＬＳＩ）を製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種として決定する。

算出部５０３は、入力部５０１によって入力されたトランジスタ速度と当該トランジスタ速度に関連付けられた統計データとを用いて、トランジスタ速度の最大遅延推定値を算出する。ここで、トランジスタ速度を測定する場合、トランジスタ層における全てのトランジスタに関するトランジスタ速度を測定するのではなく、所定個数のトランジスタを選択してトランジスタ速度を測定するようにしてもよい。

そして、この測定結果を用いて統計的に中間製造物のトランジスタ速度を推定する。具体的には、入力部５０１によって入力されたトランジスタ速度が得られた条件下におけるトランジスタ速度の速度分布（統計データに相当）を利用して、推定可能な速度のうち最も遅い値（最大遅延推定値に相当）を算出し、この算出結果をトランジスタ速度として推定する。

また、決定部５０２は、算出部５０３の算出結果に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定するように構成してもよい。このように、算出部５０３によって算出された最大遅延推定値に基づいて品種を決定することにより、製造後におけるトランジスタの性能不足による不具合を防ぐことができる。

ここでは、入力部５０１によって予め測定されたトランジスタ速度の入力を受け付ける構成としたが、ＬＳＩ品種決定装置においてトランジスタ速度を測定するように構成してもよい。具体的には、たとえば、図示しない測定部によって、中間製造物に埋め込まれているリングオシレータの動作周波数を測定する。そして、算出部５０３は、この測定結果を用いて最大遅延推定値を算出するようにしてもよい。

さらに、入力部５０１によって中間製造物を流れるオン電流やトランジスタ層における各トランジスタのゲート長に関するデータの入力を受け付け、入力されたデータを用いて算出部５０３が最大遅延推定値を算出する構成としてもよい。

また、入力部５０１は、ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られたリーク電流の入力を受け付けるようにしてもよい。リーク電流とは、電子回路上において、本来流れるはずがない部分で水漏れのように流れ出てしまう電流であり、消費電流の増加の原因となっている。

また、リーク電流は、トランジスタ速度と同様に製造時の条件に応じてチップごと、または、シリコンウェハごとにばらつきが生じてしまう。そこで、上述したトランジスタ速度の代わりにリーク電流の大きさを推定し、製造する品種を決定するようにしてもよい。リーク電流の大きさを推定するには、トランジスタ速度を推定する場合と同様の方法を用いることができる。

また、決定部５０２は、入力部５０１によって入力されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定するようにしてもよい。具体的には、決定部５０２は、ＬＳＩの品種の中からリーク電流の許容値が入力部５０１によって入力されたリーク電流よりも大きい品種を、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種として決定する。

より具体的には、たとえば、品種リストの中に、リーク電流に関する制約（たとえば、消費電力の許容値）を設けるようにしてもよい。この場合、決定部５０２は、品種リストの中から、入力部５０１によって入力されたリーク電流よりも大きな許容値が設定されている品種を選択し、ストラクチャードＡＳＩＣの品種として決定する。

なお、入力部５０１、決定部５０２、算出部５０３は、具体的には、たとえば、図４に示したＬＳＩ設計支援装置のＲＯＭ４０２、ＲＡＭ４０３、ＨＤ４０５などの記録媒体に記録されているプログラムをＣＰＵ４０１に実行させることによって、またはＩ／Ｆ４０９によって、その機能を実現する。

（ＬＳＩ設計支援装置の機能的構成）
つぎに、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置の機能的構成について説明する。図６は、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置の機能的構成を示すブロック図である。図６において、ＬＳＩ設計支援装置は、入力部６０１と、特定部６０２と、算出部６０３と、判断部６０４と、決定部６０５と、から構成されている。なお、上述したＬＳＩ品種決定装置と共通する部分については、詳細な説明を省略する。

入力部６０１は、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られた当該中間製造物ごとのトランジスタ速度の入力を受け付ける。トランジスタ速度は、中間製造物ごとのトランジスタ性能を示すものであり、トランジスタ速度と相関関係を有する値を利用して測定することができる。

特定部６０２は、入力部６０１によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを中間製造物ごとに特定する。ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードは、図３に示すグレード表のようにテーブル化されてＨＤ４０５などの記憶媒体に記録されている。そして、特定部６０２によってグレードが特定される場合にＨＤ４０５などの記録媒体から読み出される。

なお、複数段階のグレードが示されているグレード表は、ＬＳＩ品種決定装置において作成されるようにしてもよいし、入力部５０１によって他の装置において作成されたグレード表の入力を受け付けるようにしてもよい。

具体的には、たとえば、特定部６０２は、図３に示すグレード表の中から、入力部６０１によって入力されたトランジスタ速度によって動作を保証することができるグレードを中間製造物ごとに特定する。ここでは、特定部６０２は、図３に示すグレードの中から、入力部６０１によって入力されたトランジスタ速度が属するグレードを特定する。

より具体的には、たとえば、特定部６０２は、複数段階のグレードそれぞれに対してＳＴＡを実行し、入力部６０１によって入力されたトランジスタ速度によって動作を保証することができるグレードを特定するようにしてもよい。

算出部６０３は、入力部６０１によって入力された中間製造物ごとのトランジスタ速度と当該トランジスタ速度に関連付けられた統計データとを用いて、中間製造物ごとのトランジスタ速度の最大遅延推定値を算出する。

また、特定部６０２は、算出部６０３の算出結果に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを中間製造物ごとに特定するようにしてもよい。具体的には、特定部６０２は、算出部６０３によって算出されたトランジスタの最大遅延推定値によって動作を保証することができるグレードを中間製造物ごとに特定する。

判断部６０４は、特定部６０２によって特定されたグレードに基づいて、ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断する。具体的には、たとえば、判断部６０４は、特定部６０２によって特定されたグレードが予め設定されている所定のグレードとなった場合に設計作業を継続しないと判断するようにしてもよい。

また、たとえば、特定部６０２によって特定されたグレードに基づいて、ＬＳＩ製造業者や顧客が設計作業の継続可否を判断し、その判断結果を入力するようにしてもよい。この場合、判断部６０４は、入力部６０１によって入力された判断結果に基づいて、ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断するようにしてもよい。

決定部６０５は、判断部６０４によって設計作業を継続しないと判断された場合、入力部６０１によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種を中間製造物ごとに決定する。

具体的には、決定部６０５は、ＬＳＩの品種の中から、最低限必要となるトランジスタ速度が入力部６０１によって入力されたトランジスタ速度よりも遅い品種を、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種として決定する。

また、決定部６０５によって品種が決定された場合、決定された品種が上述した品種リスト（たとえば、図２に示す品種リスト）に登録され、この品種に適合する中間製造物が製造されたときにＬＳＩ製造に移行するようにしてもよい。すなわち、決定部６０５によって品種が決定された場合には、品種リストに登録され製造待ちの状態となる。

また、入力部６０１は、ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られた当該中間製造物ごとのリーク電流の入力を受け付けるようにしてもよい。

この場合、特定部６０２は、入力部６０１によって入力されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣのグレードを中間製造物ごとに特定するようにしてもよい。

具体的には、たとえば、特定部６０２は、リーク電流の許容値によって複数段階のグレードに分類されたグレード表の中から、入力部６０１によって入力されたリーク電流が属するグレードを特定する。

ここでは、入力部６０１によって予め測定されたトランジスタ速度の入力を受け付ける構成としたが、ＬＳＩ設計支援装置においてトランジスタ速度を測定するように構成してもよい。

なお、入力部６０１、特定部６０２、算出部６０３、判断部６０４、決定部６０５は、具体的には、たとえば、図４に示したＬＳＩ設計支援装置のＲＯＭ４０２、ＲＡＭ４０３、ＨＤ４０５などの記録媒体に記録されているプログラムをＣＰＵ４０１に実行させることによって、またはＩ／Ｆ４０９によって、その機能を実現する。

（トランジスタ性能の測定方式）
（リングオシレータ）
つぎに、中間製造物（以下、「チップ」という）のトランジスタ性能を測定する測定方式について具体的に説明する。まず、チップに作り込まれたリングオシレータを用いてトランジスタ性能を測定する方式について説明する。図７は、トランジスタ層およびメタル１層が形成されたチップを拡大して示す拡大図である。

図７に示すように、チップ７００に、複数個（ここでは、「９個」）のリングオシレータ７０１が埋め込まれている。リングオシレータ７０１は、インバータ回路（反転回路）を奇数個組み合わせることによって発振機能を実現する回路である。なお、リングオシレータ７０１は、シリコンウェハの表面上にトランジスタ層およびメタル１層が形成された時点で動作可能に設計されている。

トランジスタ層およびメタル１層を製造後、予め埋め込まれているリングオシレータ７０１を動作させ、各リングオシレータ７０１における動作周波数をそれぞれ測定する。つぎに、測定された動作周波数の平均値を算出する。そして、算出した平均値および統計データに基づいて、チップ７００のトランジスタ速度を求める。

チップ７００において、リングオシレータ７０１の動作周波数はトランジスタ速度と相関関係を有する。すなわち、リングオシレータ７０１はトランジスタの連鎖であり、たとえば、トランジスタ１００個によって連鎖したものが１ＧＨｚで動作する場合に、個々のトランジスタがどれくらいのトランジスタ速度で動作しているのかを測定することができる。

そして、測定されたトランジスタ速度および統計データに基づいて、チップ７００のトランジスタ速度を推定する。統計データに基づくトランジスタ速度の推定に関する説明は後述する。なお、ここではチップ７００に埋め込まれたリングオシレータ７０１を用いて動作周波数を測定する構成としたが、チップ７００において発信機能を有する他の機器を用いて動作周波数を測定するようにしてもよい。

（トランジスタのオン電流）
つぎに、チップ内のトランジスタが稼働（動作）している状態で、どの程度電流が流れるかを示すオン電流を用いてトランジスタ速度を測定する方式について説明する。このオン電流は、トランジスタの動作速度と相関があり、オン電流が高ければ動作速度が速く、オン電流が低ければ動作速度が遅いという特徴がある。

この特徴を利用して、チップのトランジスタ速度を測定する。図８は、トランジスタ速度とオン電流との関係を示す説明図である。図８に示すテーブル表８００には、チップ内を流れるオン電流の値（範囲）に応じたトランジスタ速度が示されている。このテーブル表８００を用いて、チップ内を流れるオン電流に応じたトランジスタ速度を測定することができる。

具体的には、まず、チップ内のトランジスタが稼働している状態で、オン電流を測定する。つぎに、この測定結果および図８に示すテーブル表８００から、測定結果が属するトランジスタ速度を特定する。たとえば、測定されたオン電流がｂ〔Ａ〕であった場合、テーブル表８００における「ｂ〔Ａ〕以上、ｃ〔Ａ〕未満」の範囲に属するため、トランジスタ速度を１６〔ｐｓ〕と特定することができる。

そして、特定されたトランジスタ速度および統計データに基づいて、チップのトランジスタ速度を推定する。なお、統計データに基づくトランジスタ速度の推定に関する説明は後述する。

（トランジスタのゲート長）
つぎに、トランジスタのゲート長を用いてトランジスタ速度を測定する方式について説明する。ゲート長とは、トランジスタのオン・オフを切り替えるスイッチのサイズのことであり、トランジスタ内における電子の移動距離を示すものである。すなわち、電子回路において、ゲート長が短ければ短いほど電子は少ない時間で移動することができ、トランジスタの動作速度が向上する。

トランジスタ速度を測定するためには、まず、電子顕微鏡などを用いてトランジスタのゲート長を測定する。トランジスタのゲート長の測定値は、たとえば、トランジスタが正常に動作可能か否かを判断する際にも利用されているため、このとき測定された測定値（ゲート長）を利用するようにしてもよい。

つぎに、各種ゲート長のトランジスタ速度が示されているテーブル表を用いて、測定値に関連付けられたトランジスタ速度を特定する。図９は、トランジスタ速度とゲート長との関係を示す説明図である。図９に示すテーブル表９００には、各ゲート長の長さ（範囲）に応じたトランジスタ速度が示されている。

そして、測定結果（ゲート長の長さ）およびテーブル表９００からトランジスタ速度を特定する。たとえば、測定結果がＣ〔ｎｍ〕であった場合、テーブル表９００における「」Ｃ〔ｎｍ〕以上、Ｄ〔ｎｍ〕未満」の範囲に属するため、トランジスタ速度を１８〔ｐｓ〕と特定することができる。

そして、特定されたトランジスタ速度および統計データに基づいて、チップのトランジスタ速度を推定する。なお、統計データに基づくトランジスタ速度の推定に関する説明は後述する。

ここで、上述した方式による測定結果および統計データを用いてトランジスタ速度を推定する際の具体的な説明をする。まず、所定の測定結果が得られた場合におけるトランジスタ速度のばらつきについて説明する。

図１０は、トランジスタ速度のばらつきの一例を示す説明図である。チップ製造時における条件により、チップ内におけるトランジスタのトランジスタ速度には、ばらつきが生じる。図１０に示すように、チップ製造時におけるトランジスタ速度のばらつきは、図中曲線Ｘ、ＹおよびＺによって示されている正規分布（横軸：トランジスタ速度、縦軸：ある測定結果が得られたときの全体に占める割合）によって表される。

曲線Ｘ、Ｙ、Ｚは、それぞれ測定結果ｘ、ｙ、ｚが得られたときのばらつきを示す正規分布である。具体的には、たとえば、測定結果ｙが得られたときのトランジスタ速度のばらつきが曲線Ｙによって表されており、トランジスタ速度の平均に近づくほど全体に占める割合が多くなり、トランジスタ速度が遅く、または、速くなるにつれて全体に占める割合が少なくなっている。

また、測定結果ｙが得られた場合に推定可能となるトランジスタ速度は、図中矢印Ｐで示す範囲となる。また、トランジスタ速度を推定する場合には、推定可能な範囲のうち最も遅い速度をトランジスタ速度として推定するため、曲線Ｘ、ＹおよびＺのうち、最も遅い速度をトランジスタ速度としてそれぞれ推定する。

ここで、図１０に示すようなトランジスタ速度のばらつきを表す統計データについて説明する。図１１は、トランジスタ速度に関する統計データの一例を示す説明図である。図１１に示すように、統計データ１１００には、各測定結果（トランジスタ速度）が得られた場合における同一チップまたは同一シリコンウェハ内でのトランジスタ速度分布が示されている。

この統計データ１１００および各種方式によって測定されたトランジスタ速度から、チップのトランジスタ速度を推定する。具体的には、たとえば、測定されたトランジスタ速度が２０〔ｐｓ〕であった場合、トランジスタ速度分布は、平均が２０〔ｐｓ〕で標準偏差が２．４〔ｐｓ〕となる。すなわち、トランジスタ速度のばらつきが１７．６〔ｐｓ〕〜２２．４〔ｐｓ〕の範囲において生じている。

このとき、推定可能な範囲のうち最も遅い速度をトランジスタ速度として推定する。この場合、１７．６〔ｐｓ〕〜２２．４〔ｐｓ〕の範囲のうち最も遅い速度である２２．４〔ｐｓ〕をトランジスタ速度として推定する。

また、チップ上における複数のポイントにおいて、トランジスタ速度が測定された場合（測定結果が複数存在する場合）には、複数の測定結果の平均および分散を求め、その値を用いてトランジスタ速度を推定するようにしてもよい。

なお、ここでは統計データ１１００において、上述した方式によって特定されたトランジスタ速度とトランジスタ速度分布とを関連付けて示したが、たとえば、測定されたリングオシレータの動作周波数の平均値と関連付けてトランジスタ速度分布を示すようにしてもよい。この場合、リングオシレータの動作周波数の平均値から、トランジスタ速度を推定することができる。

ここで、統計データ（たとえば、図１１に示す統計データ１１００）の作成方法の一例について説明する。トランジスタ速度に関する統計データを作成する場合、まず、実チップにおけるトランジスタ速度を測定し、トランジスタ速度の実データを収集する。つぎに、この測定結果から、トランジスタ速度の速度分布を求める。そして、得られた速度分布から、統計学の「推定」（公知技術）を用いてトランジスタ速度分布を表す統計データ（テーブル）を作成する。

（ＬＳＩ設計支援装置の処理手順）
（品種決定処理の手順）
つぎに、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置において実行される品種決定処理について説明する。図１２は、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置において実行される品種決定処理手順を示すフローチャートである。

図１２のフローチャートにおいて、まず、ＬＳＩ設計支援装置は、製造対象となるチップに関するトランジスタ速度の入力を受け付けたか否かを判断する（ステップＳ１２０１）。ここで入力されるトランジスタ速度は、各種方式によって測定されたトランジスタ速度および統計データから推定されたものであり、推定可能なトランジスタ速度のうち最も遅い値である。

ここで、トランジスタ速度が入力されるのを待って、入力された場合（ステップＳ１２０１：Ｙｅｓ）、製造待ちとなっているＬＳＩの品種リストの中から、ステップＳ１２０１において入力されたトランジスタ速度によって動作が保証される品種を選択して、製造する品種を決定する（ステップＳ１２０２）。具体的には、入力されたトランジスタ速度と品種リストにおける最低限必要なトランジスタ速度とを比較し、最低限必要なトランジスタ速度を保証可能となる品種を選択する。

より具体的には、たとえば、入力されたトランジスタ速度が１７〔ｐｓ〕であり、製造待ちとなっているＬＳＩの品種リストが図２に示す品種リストであった場合について説明する。この場合、入力されたトランジスタ速度によって最低限必要なトランジスタ速度を満たす品種は、図２に示す品種リストにおけるＢ（Ｙ社デジタルカメラ用ＬＳＩ）およびＣ（Ｚ社携帯電話用ＬＳＩ）である。このため、Ｂ（Ｙ社デジタルカメラ用ＬＳＩ）およびＣ（Ｚ社携帯電話用ＬＳＩ）を製造する品種として選択することができる。

このとき、選択肢としてＢ（Ｙ社デジタルカメラ用ＬＳＩ）およびＣ（Ｚ社携帯電話用ＬＳＩ）の２つがあるが、最低限必要なトランジスタ速度が速いものを優先してＣ（Ｚ社携帯電話用ＬＳＩ）を製造する品種として選択するようにしてもよい。また、最低限必要なトランジスタ速度が遅いものを優先してＢ（Ｙ社デジタルカメラ用ＬＳＩ）を製造する品種として選択するようにしてもよい。

さらに、トランジスタ速度が、品種リストにおける最低限必要なトランジスタ速度よりも速く、その差が大きい場合には在庫として取り置きしておき、速いトランジスタ速度を必要とする品種が現れた場合に使用するようにしてもよい。

具体的には、たとえば、入力されたトランジスタ速度が１０〔ｐｓ〕だった場合、図２に示す品種リストにおける全てのＬＳＩを選択可能である。しかし、入力されたトランジスタ速度と品種リストにおける最低限必要なトランジスタ速度との差（ここでは、最も速いものと比較しても５〔ｐｓ〕）が大きいため、製造対象となっているチップを在庫として取り置きしておき速いトランジスタ速度を必要とする品種が現れた場合に使用するようにしてもよい。なお、在庫とする場合のトランジスタ速度の差は、任意に設定可能である。

また、品種リストにおける製造する数および製造した数に基づいて、製造する品種を決定するようにしてもよい。具体的には、たとえば、製造した数が製造する数を上回った場合などには、そのＬＳＩに関する品種を選択しないようにしてもよい。また、品種リストにおいて、特定のＬＳＩに関する製造達成度（製造する数に対する製造した数の割合）が他のＬＳＩに比べて著しく少ない場合には、特定のＬＳＩの製造を優先的におこなうようにしてもよい。

そして、決定されたＬＳＩの品種の設計に基づいて、品種ごとに異なる部分を製造して（ステップＳ１２０３）、本フローチャートによる一連の処理を終了する。具体的には、ステップＳ１２０２において決定された品種の設計に従って、ＬＳＩにおけるメタル層以降（ここでは、メタル２層以降）の製造をおこなう。

なお、ここでは製造するＬＳＩの品種を自動でおこなうようにしたが、ＬＳＩ製造業者や顧客などが品種リストを確認しながら適切なＬＳＩの品種を判断し、製造するＬＳＩの品種を決定するようにしてもよい。

また、ここではステップＳ１２０１においてトランジスタ速度の入力を受け付ける構成としたが、トランジスタ速度を推定する工程を追加するようにしてもよい。具体的には、たとえば、各チップにリングオシレータが埋め込まれている場合には、ステップＳ１２０１の工程の前に、リングオシレータの動作周波数を測定し、トランジスタ速度の速度推定値を推定する工程を追加するようにしてもよい。

すなわち、ＬＳＩ設計支援装置において、トランジスタ速度を推定することができる構成としてもよい。また、ＬＳＩ設計支援装置は、各チップにおけるオン電流やゲート長に関するデータの入力を受け付けることにより、トランジスタ速度を推定する構成としてもよい。

さらに、ここでは最低限必要なトランジスタ速度に応じて製造するＬＳＩの品種を決定する構成としたが、たとえば、チップ内に流れるリーク電流の大きさによって品種を決定するように構成してもよい。

このように、ＬＳＩ設計支援装置によれば、ＬＳＩの製造途中において、入力されたトランジスタ速度に応じた適切なＬＳＩの品種を決定することができる。このため、製造されたＬＳＩがトランジスタの性能不足により動作しないなどの不具合を防ぐことができ、ＬＳＩ製造における歩留まりを向上させることができる。

（ＬＳＩ設計支援処理の手順）
つぎに、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置において実行されるＬＳＩ設計支援処理について説明する。図１３は、この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置において実行されるＬＳＩ設計支援処理手順を示すフローチャートである。

図１３のフローチャートにおいて、まず、ＬＳＩ設計支援装置は、各チップに関するトランジスタ速度の入力を受け付けたか否かを判断する（ステップＳ１３０１）。ここで入力されるトランジスタ速度は、各種方式によって測定されたトランジスタ速度および統計データから推定されたものであり、推定可能なトランジスタ速度のうち最も遅い値である。

ここで、トランジスタ速度が入力されるのを待って、入力された場合（ステップＳ１３０１：Ｙｅｓ）、グレード表を用いて現状の設計において動作を保証可能なグレードを特定する（ステップＳ１３０２）。具体的には、たとえば、図３に示すようなグレード表に示されている各グレードに対してＳＴＡを実行し、現状の設計において保証することができるグレードを特定する。

つぎに、現状の設計で製造を開始するか否かを判断する（ステップＳ１３０３）。具体的には、たとえば、予め設定されている製造開始条件に基づいて、現状の設計のまま製造を開始するか否かを判断するようにしてもよい。

ここで、製造開始条件とは、たとえば、製造を開始するグレード、チップ単価、製造コストなどの条件である。具体的には、ステップＳ１３０２において特定されたグレードが製造開始条件として設定されているグレードであった場合に、製造を開始すると判断するようにしてもよい。また、現状の設計で製造を開始した際にかかる製造コストが、設定された製造コスト以内であった場合に製造を開始すると判断するようにしてもよい。

また、ユーザによって設計作業の継続可否を入力するようにしてもよい。具体的には、たとえば、ＬＳＩ製造業者は、ステップＳ１３０２において特定されたグレード、当該グレードにおけるチップ単価および現在製造されているＬＳＩの製造個数などの情報を顧客に提示する。顧客は、提示された情報をもとに、設計（論理設計、タイミング設計など）を継続するか、あるいは、現状の設計のまま製造を開始するかを判断する。

そして、ＬＳＩ設計業者によって判断結果を示すデータがＬＳＩ設計支援装置に入力される。この場合、ＬＳＩ設計支援装置は、入力された判断結果に基づいて、現状の設計のまま製造を開始するか否かを判断する。

ここで、現状の設計で製造を開始する場合（ステップＳ１３０３：Ｙｅｓ）、ＬＳＩの品種リストに登録され（ステップＳ１３０４）、製造待ち状態となる。具体的には、ステップＳ１３０２において特定されたグレードに対応する最低限必要となるトランジスタ速度とともに、ＬＳＩの名称（品種）、製造個数および製造した個数などの情報がＬＳＩの品種リストに登録される。

そして、適合するグレードのチップが現れた場合に、ＬＳＩの品種の設計に基づいて、品種ごとに異なる部分を製造して（ステップＳ１３０５）、本フローチャートによる一連の処理を終了する。具体的には、ＬＳＩの品種の設計に従って、ＬＳＩにおけるメタル層以降の製造をおこなう。

また、ステップＳ１３０３において製造を開始しない場合（ステップＳ１３０３：Ｎｏ）、つぎに、設計変更されたか否かを判断する（ステップＳ１３０６）。具体的には、製造を開始しない場合、より安価なグレードによって動作可能となるように設計を継続しておこなう。すなわち、設計期間の継続により時間コストは増加するが、よりチップ単価の安いものを使ってＬＳＩ製造をおこなうことができるように設計の改善を試みる。

ここで、設計変更されるのを待って、設計変更された場合（ステップＳ１３０６：Ｙｅｓ）、ステップＳ１３０１に戻り、一連の処理を繰り返す。具体的には、変更された設計データが入力されるのを待って、入力された場合に、つぎに、設計変更後のトランジスタ速度の入力を待ち受け、一連の処理を繰り返す。

また、ここではステップＳ１３０１においてトランジスタ速度の入力を受け付ける構成としたが、トランジスタ速度を推定する工程を追加するようにしてもよい。具体的には、たとえば、各チップにリングオシレータが埋め込まれている場合には、ステップＳ１３０１の工程の前に、リングオシレータの動作周波数を測定し、トランジスタ速度の速度推定値を推定する工程を追加するようにしてもよい。

すなわち、ＬＳＩ設計支援装置において、トランジスタ速度を推定することができる構成としてもよい。また、ＬＳＩ設計支援装置は、各チップにおけるオン電流やゲート長に関するデータの入力を受け付けることにより、トランジスタ速度を推定する構成としてもよい。

さらに、ここではグレード表において、最低限必要なトランジスタ速度に応じて複数段階のグレードに分類する構成としたが、たとえば、チップ内に流れるリーク電流の大きさによって分類するように構成してもよい。この場合、ステップＳ１３０１において、トランジスタ速度の代わってリーク電流の入力を受け付けるようにする。そして、入力されたリーク電流に基づいて、グレード表の中から、現状の設計において動作を保証可能なグレードを特定するようにしてもよい。

このように、製造途中において、性能の高い高価なチップをＬＳＩ製造に使用することにより、設計期間を短縮することができる選択肢を顧客に提供することができる。これにより、顧客は、通常よりも高い金額を支払うことによって多大な時間を要するタイミング設計を打ち切り、所望のＬＳＩを短期間で手に入れることができる。

また、ＬＳＩ製造業者は、安価なグレード（トランジスタ速度が遅いグレード）のチップでも動作することができるように、設計を改善してチップ単価を下げるサービスを顧客に提供することができる。たとえば、ＬＳＩの製造個数がｎ、設計を改善することによって下がったチップ単価がｐとすると、製造コスト減少分はｎ×ｐとなる。

ＬＳＩ製造業者は、製造コスト減少分の一部をサービスの対価として受け取り、残りを顧客の出費抑制に割り当てることができる。このようにして、ＬＳＩ製造業者は製造コスト減少分に対する対価を得ることができ、顧客は製造コストを削減することができる。

以上説明したように、この発明の実施の形態によれば、ＬＳＩの製造途中において入力されたトランジスタ速度に応じた適切なＬＳＩの品種を選択することができる。このため、製造されたＬＳＩがトランジスタの性能不足により動作しないなどの不具合を防ぐことができ、ＬＳＩ製造における歩留まりを向上させることができる。

また、ＬＳＩの製造途中において、性能の高い高価なチップをＬＳＩ製造に使用することにより、設計期間を短縮することができる選択肢を顧客に提供することができる。これにより、顧客は、通常よりも高い金額を支払うことによって多大な時間を要するタイミング設計を打ち切り、所望のＬＳＩを短期間で手に入れることができる。

ＬＳＩ製造における設計期間の短縮は、電気機器などを提供するメーカーにとっては非常に重要である。たとえば、導入期から成長期の初期段階の製品を製造するメーカーなどにとっては、多少製造コストが増加した場合であっても、早期に製品を出荷することができるメリットは大きい。なぜなら、最初に製品を出したメーカーが当該製品における多くのシェアを確立させる可能性が高いためである。

さらに、シェアを確立した場合、成長期の中期から成熟期にさしかかる時期にＡＳＩＣを使用した製品に移行することにより、製造コストを抑えた大量生産を実現することができ、さらなる利益を得ることができるようになる。

また、性能の低いチップを通常よりも低い金額で顧客に提供することにより、性能の低いチップであってもＬＳＩ製造に使用されることとなる。なぜなら、顧客にとっては、所望の性能を満たすＬＳＩが製造されるのであれば、チップ単価はできる限り安価であることが望ましい。

このため、性能が低いチップであってもＬＳＩ製造に使用されることとなり、チップの無駄を低減することができる。さらに、ＬＳＩ製造業者は、ＬＳＩ製造において、無駄なチップを出すことなくチップ単価を上げることができる。

また、ＬＳＩ製造業者は、安価なグレード（トランジスタ速度が遅いグレード）のチップでも動作することができるように、設計を改善してチップ単価を下げるサービスを顧客に提供することができる。

これにより、ＬＳＩ製造業者は、製造コスト減少分の一部をサービスの対価として受け取り、残りを顧客の出費抑制に割り当てることができる。このようにして、ＬＳＩ製造業者は製造コスト減少分に対する対価を得ることができ、顧客は製造コストを削減することができる。

（付記１）ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から、トランジスタ速度を測定する測定工程と、
前記測定工程によって測定されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定工程と、
を含んだことを特徴とするＬＳＩ品種決定方法。

（付記２）前記測定工程によって測定されたトランジスタ速度と当該トランジスタ速度に関連付けられた統計データとを用いて、トランジスタ速度の最大遅延推定値を算出する算出工程を含み、
前記決定工程は、
前記算出工程の算出結果に基づいて、前記ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定することを特徴とする付記１に記載のＬＳＩ品種決定方法。

（付記３）前記測定工程は、前記中間製造物に作り込まれたリングオシレータの動作周波数に基づいて、前記トランジスタ速度を測定することを特徴とする付記１または２に記載のＬＳＩ品種決定方法。

（付記４）前記測定工程は、前記トランジスタ層におけるトランジスタが稼働している場合に、前記中間製造物を流れる電流の大きさに基づいて、前記トランジスタ速度を測定することを特徴とする付記１または２に記載のＬＳＩ品種決定方法。

（付記５）前記測定工程は、前記トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長の長さに基づいて、前記トランジスタ速度を測定することを特徴とする付記１または２に記載のＬＳＩ品種決定方法。

（付記６）ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から、リーク電流を測定する測定工程と、
前記測定工程によって測定されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定工程と、
を含んだことを特徴とするＬＳＩ品種決定方法。

（付記７）ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から、トランジスタ速度を前記中間製造物ごとに測定する測定工程と、
前記測定工程によって測定されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを前記中間製造物ごとに特定する特定工程と、
前記特定工程によって特定されたグレードに基づいて、前記ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断する判断工程と、
を含んだことを特徴とするＬＳＩ設計支援方法。

（付記８）前記判断工程によって前記設計作業を継続しないと判断された場合、前記測定工程によって測定されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を前記中間製造物ごとに決定する決定工程を含んだことを特徴とする付記７に記載のＬＳＩ設計支援方法。

（付記９）ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から、リーク電流を前記中間製造物ごとに測定する測定工程と、
前記測定工程によって測定されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを前記中間製造物ごとに特定する特定工程と、
前記特定工程によって特定されたグレードに基づいて、前記ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断する判断工程と、
を含んだことを特徴とするＬＳＩ設計支援方法。

（付記１０）製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られたトランジスタ速度の入力を受け付させる入力工程と、
前記入力工程によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定させる決定工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするＬＳＩ品種決定プログラム。

（付記１１）前記入力工程によって入力されたトランジスタ速度と当該トランジスタ速度に関連付けられた統計データとを用いて、トランジスタ速度の最大遅延推定値を算出させる算出工程を前記コンピュータに実行させ、
前記決定工程は、
前記算出工程の算出結果に基づいて、前記ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定させることを特徴とする付記１０に記載のＬＳＩ品種決定プログラム。

（付記１２）前記入力工程によって入力されたトランジスタ速度は、前記中間製造物に作り込まれたリングオシレータの動作周波数に基づいて測定された測定値であることを特徴とする付記１０または１１に記載のＬＳＩ品種決定プログラム。

（付記１３）前記入力工程によって入力されたトランジスタ速度は、前記トランジスタ層におけるトランジスタが稼働している場合に、前記中間製造物を流れる電流の大きさに基づいて測定された測定値であることを特徴とする付記１０または１１に記載のＬＳＩ品種決定プログラム。

（付記１４）前記入力工程によって入力されたトランジスタ速度の測定値は、前記トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長の長さに基づいて測定された測定値であることを特徴とする付記１０または１１に記載のＬＳＩ品種決定プログラム。

（付記１５）製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られた前記中間製造物ごとのトランジスタ速度の測定値の入力を受け付けさせる入力工程と、
前記入力工程によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを前記中間製造物ごとに特定させる特定工程と、
前記特定工程によって特定されたグレードに基づいて、前記ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断させる判断工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするＬＳＩ設計支援プログラム。

（付記１６）前記判断工程によって前記設計作業を継続しないと判断された場合、前記測定工程によって測定されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を前記中間製造物ごとに決定させる決定工程を前記コンピュータに実行させることを特徴とする付記１５に記載のＬＳＩ設計支援プログラム。

（付記１７）製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られたリーク電流の入力を受け付けさせる入力工程と、
前記入力工程によって入力されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定させる決定工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするＬＳＩ品種決定プログラム。

（付記１８）製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られた前記中間製造物ごとのリーク電流の入力を受け付けさせる入力工程と、
前記入力工程によって入力されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを前記中間製造物ごとに特定させる特定工程と、
前記特定工程によって特定されたグレードに基づいて、前記ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断させる判断工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするＬＳＩ設計支援プログラム。

（付記１９）付記１０〜１８のいずれか一つに記載のプログラムを記録した前記コンピュータに読み取り可能な記録媒体。

（付記２０）製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られたトランジスタ速度の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定手段と、
を備えることを特徴とするＬＳＩ品種決定装置。

（付記２１）前記入力手段によって入力されたトランジスタ速度と当該トランジスタ速度に関連付けられた統計データとを用いて、トランジスタ速度の最大遅延推定値を算出する算出手段を備え、
前記決定手段は、
前記算出手段の算出結果に基づいて、前記ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定することを特徴とする付記２０に記載のＬＳＩ品種決定装置。

（付記２２）製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られた当該中間製造物ごとのトランジスタ速度の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを前記中間製造物ごとに特定する特定手段と、
前記特定手段によって特定されたグレードに基づいて、前記ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断する判断手段と、
を備えることを特徴とする特徴とするＬＳＩ設計支援装置。

（付記２３）前記判断手段によって前記設計作業を継続しないと判断された場合、前記入力手段によって入力されたトランジスタ速度に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を前記中間製造物ごとに決定する決定手段を備えることを特徴とする付記２２に記載のＬＳＩ設計支援装置。

（付記２４）製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られたリーク電流の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段によって入力されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定手段と、
を備えることを特徴とするＬＳＩ品種決定装置。

（付記２５）製造対象となるストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物から得られた前記中間製造物ごとのリーク電流の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段によって入力されたリーク電流に基づいて、ＬＳＩの性能を示す複数段階のグレードの中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣのグレードを前記中間製造物ごとに特定する特定手段と、
前記特定手段によって特定されたグレードに基づいて、前記ストラクチャードＡＳＩＣに関する設計データを用いた設計作業の継続可否を判断する判断手段と、
を備えることを特徴とするＬＳＩ設計支援装置。

なお、本実施の形態で説明したＬＳＩ品種決定方法およびＬＳＩ設計支援方法は、予め用意されたプログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーションなどのコンピュータで実行することにより実現することができる。このプログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、ＤＶＤなどのコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。またこのプログラムは、インターネットなどのネットワークを介して配布することが可能な伝送媒体であってもよい。

以上のように、本発明にかかるＬＳＩ品種決定方法、ＬＳＩ設計支援方法、ＬＳＩ品種決定プログラム、ＬＳＩ設計支援プログラム、記録媒体、ＬＳＩ品種決定装置およびＬＳＩ設計支援装置は、特定用途向けのＬＳＩの製造に有用であり、特に、ストラクチャードＡＳＩＣの製造に適している。

この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計サービスの概要を示す説明図である。 ＬＳＩの品種リストの一例を示す説明図である。 グレード表の一例を示す説明図である。 この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置のハードウェア構成を示すブロック図である。 この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ品種決定装置の機能的構成を示すブロック図である。 この発明の実施の形態にかかるＬＳＩ設計支援装置の機能的構成を示すブロック図である。 トランジスタ層およびメタル１層が形成されたチップを拡大して示す拡大図である。 トランジスタ速度とオン電流との関係を示す説明図である。 トランジスタ速度とゲート長との関係を示す説明図である。 トランジスタ速度のばらつきの一例を示す説明図である。 トランジスタ速度に関する統計データの一例を示す説明図である。 ＬＳＩ設計支援装置において実行される品種決定処理手順を示すフローチャートである。 ＬＳＩ設計支援装置において実行されるＬＳＩ設計支援処理手順を示すフローチャートである。

符号の説明

５０１、６０１ 入力部
５０２、６０５ 決定部
５０３、６０３ 算出部
６０２ 特定部
６０４ 判断部

Claims (6)

1. ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物の前記トランジスタ層におけるトランジスタが稼働している場合の前記中間製造物を流れる電流の値を測定する測定工程と、
   回路内のトランジスタが稼働している場合に前記回路に流れる電流の値と、前記トランジスタのトランジスタ速度とを対応付けて記憶する記憶部を参照して、前記測定工程によって測定された前記中間製造物を流れる電流の値に対応するトランジスタ速度を特定する特定工程と、
   前記特定工程によって特定されたトランジスタ速度に関連付けられた、チップ製造時における条件に応じて生じる前記トランジスタ速度のばらつきを表すトランジスタ速度分布の平均および標準偏差に基づいて、推定されるトランジスタ速度範囲のうち最も遅いトランジスタ速度を表す最大遅延推定値を算出する算出工程と、
   前記算出工程の算出結果に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定工程と、
   を含んだことを特徴とするＬＳＩ品種決定方法。
2. ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物の前記トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長を測定する測定工程と、
   トランジスタのゲート長と前記トランジスタのトランジスタ速度とを対応付けて記憶する記憶部を参照して、前記測定工程によって測定された前記トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長に対応するトランジスタ速度を特定する特定工程と、
   前記特定工程によって特定されたトランジスタ速度に関連付けられた、チップ製造時における条件に応じて生じる前記トランジスタ速度のばらつきを表すトランジスタ速度分布の平均および標準偏差に基づいて、推定されるトランジスタ速度範囲のうち最も遅いトランジスタ速度を表す最大遅延推定値を算出する算出工程と、
   前記算出工程の算出結果に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定工程と、
   を含んだことを特徴とするＬＳＩ品種決定方法。
3. ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物の前記トランジスタ層におけるトランジスタが稼働している場合の前記中間製造物を流れる電流の値の入力を受け付ける入力工程と、
   回路内のトランジスタが稼働している場合に前記回路に流れる電流の値と、前記トランジスタのトランジスタ速度とを対応付けて記憶する記憶部を参照して、前記入力工程によって入力された前記中間製造物を流れる電流の値に対応するトランジスタ速度を特定する特定工程と、
   前記特定工程によって特定されたトランジスタ速度に関連付けられた、チップ製造時における条件に応じて生じる前記トランジスタ速度のばらつきを表すトランジスタ速度分布の平均および標準偏差に基づいて、推定されるトランジスタ速度範囲のうち最も遅いトランジスタ速度を表す最大遅延推定値を算出し、算出した算出結果に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定工程と、
   をコンピュータに実行させることを特徴とするＬＳＩ品種決定プログラム。
4. ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物の前記トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長の入力を受け付ける入力工程と、
   トランジスタのゲート長と前記トランジスタのトランジスタ速度とを対応付けて記憶する記憶部を参照して、前記入力工程によって入力された前記トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長に対応するトランジスタ速度を特定する特定工程と、
   前記特定工程によって特定されたトランジスタ速度に関連付けられた、チップ製造時における条件に応じて生じる前記トランジスタ速度のばらつきを表すトランジスタ速度分布の平均および標準偏差に基づいて、推定されるトランジスタ速度範囲のうち最も遅いトランジスタ速度を表す最大遅延推定値を算出し、算出した算出結果に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定工程と、
   をコンピュータに実行させることを特徴とするＬＳＩ品種決定プログラム。
5. ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物の前記トランジスタ層におけるトランジスタが稼働している場合の前記中間製造物を流れる電流の値の入力を受け付ける入力手段と、
   回路内のトランジスタが稼働している場合に前記回路に流れる電流の値と、前記トランジスタのトランジスタ速度とを対応付けて記憶する記憶部を参照して、前記入力手段によって入力された前記中間製造物を流れる電流の値に対応するトランジスタ速度を特定する特定手段と、
   前記特定手段によって特定されたトランジスタ速度に関連付けられた、チップ製造時における条件に応じて生じる前記トランジスタ速度のばらつきを表すトランジスタ速度分布の平均および標準偏差に基づいて、推定されるトランジスタ速度範囲のうち最も遅いトランジスタ速度を表す最大遅延推定値を算出し、算出した算出結果に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定手段と、
   を備えることを特徴とするＬＳＩ品種決定装置。
6. ストラクチャードＡＳＩＣの製造過程において少なくともトランジスタ層が形成された中間製造物の前記トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長の入力を受け付ける入力手段と、
   トランジスタのゲート長と前記トランジスタのトランジスタ速度とを対応付けて記憶する記憶部を参照して、前記入力手段によって入力された前記トランジスタ層におけるトランジスタのゲート長に対応するトランジスタ速度を特定する特定手段と、
   前記特定手段によって特定されたトランジスタ速度に関連付けられた、チップ製造時における条件に応じて生じる前記トランジスタ速度のばらつきを表すトランジスタ速度分布の平均および標準偏差に基づいて、推定されるトランジスタ速度範囲のうち最も遅いトランジスタ速度を表す最大遅延推定値を算出し、算出した算出結果に基づいて、ＬＳＩの品種の中から、前記ストラクチャードＡＳＩＣの品種を決定する決定手段と、
   を備えることを特徴とするＬＳＩ品種決定装置。

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