JP5389411B2 - Resist composition, resist pattern forming method, novel compound and method for producing the same, and acid generator - Google Patents

Resist composition, resist pattern forming method, novel compound and method for producing the same, and acid generator Download PDF

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Description

本発明は、レジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、レジスト組成物用の酸発生剤またはその中間体として有用な新規な化合物およびその製造方法、ならびに酸発生剤に関する。   The present invention relates to a resist composition, a method for forming a resist pattern using the resist composition, a novel compound useful as an acid generator for the resist composition or an intermediate thereof, a method for producing the compound, and an acid generator.

リソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。露光した部分が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光した部分が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
In lithography technology, for example, a resist film made of a resist material is formed on a substrate, the resist film is selectively exposed with radiation such as light or an electron beam, and subjected to a development process, whereby the resist A step of forming a resist pattern having a predetermined shape on the film is performed. A resist material in which the exposed portion changes to a property that dissolves in the developer is referred to as a positive type, and a resist material that changes to a property in which the exposed portion does not dissolve in the developer is referred to as a negative type.
In recent years, in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements, pattern miniaturization has been rapidly progressing due to advances in lithography technology.

微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長のFエキシマレーザー、電子線、EUV(極紫外線)やX線などについても検討が行われている。
露光光源の短波長化に伴い、レジスト材料には、露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性の向上が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有する化学増幅型レジストが知られている。
As a technique for miniaturization, the wavelength of an exposure light source is generally shortened. Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have been used, but at present, mass production of semiconductor elements using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has started. In addition, studies have been made on F 2 excimer lasers, electron beams, EUV (extreme ultraviolet rays), X-rays, and the like having shorter wavelengths than these excimer lasers.
Along with the shortening of the wavelength of the exposure light source, the resist material is required to be improved in lithography characteristics such as sensitivity to the exposure light source and resolution capable of reproducing a pattern with a fine dimension. As a resist material satisfying such requirements, a chemically amplified resist containing a base material component whose solubility in an alkaline developer is changed by the action of an acid and an acid generator component that generates an acid upon exposure is known. Yes.

従来、このような化学増幅型レジストの基材成分としては主に樹脂が用いられており、例えばポリヒドロキシスチレン(PHS)やその水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂等のPHS系樹脂、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される共重合体やそのカルボキシ基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護した樹脂等が用いられている。
なお、「(メタ)アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方または両方を意味する。「(メタ)アクリレート」とは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリル酸」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。
Conventionally, a resin is mainly used as a base component of such a chemically amplified resist, such as polyhydroxystyrene (PHS) or a resin in which a part of its hydroxyl group is protected with an acid dissociable, dissolution inhibiting group. A PHS resin, a copolymer derived from (meth) acrylic acid ester, a resin in which a part of its carboxy group is protected with an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and the like are used.
Note that “(meth) acrylic acid ester” means one or both of an acrylic acid ester having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylic acid ester having a methyl group bonded to the α-position. “(Meth) acrylate” means one or both of an acrylate having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylate having a methyl group bonded to the α-position. “(Meth) acrylic acid” means one or both of acrylic acid having a hydrogen atom bonded to the α-position and methacrylic acid having a methyl group bonded to the α-position.

また、酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
前記オニウム塩系酸発生剤のアニオン部としては、現在、パーフルオロアルキルスルホン酸イオンまたはアルキルスルホン酸イオンが主に用いられており、その対イオン(カチオン部)としては、トリフェニルスルホニウムイオン等の有機カチオンが用いられている(たとえば特許文献1参照)。
Examples of the acid generator include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, diazomethane acids such as bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes and poly (bissulfonyl) diazomethanes. Various generators such as generators, nitrobenzyl sulfonate acid generators, imino sulfonate acid generators, disulfone acid generators are known.
Currently, perfluoroalkylsulfonic acid ions or alkylsulfonic acid ions are mainly used as the anion part of the onium salt-based acid generator, and the counter ion (cation part) is a triphenylsulfonium ion or the like. An organic cation is used (see, for example, Patent Document 1).

しかし、このようなオニウム塩系酸発生剤は、その構造上、アルカリ現像液に対する親和性が低く、また、レジスト膜内での分布が均一になりにくく、解像性等のリソグラフィー特性に悪影響を与えるおそれがある。また、上記アニオン部のパーフルオロアルキル鎖は、露光後の酸の拡散を抑制するためには長い方が好ましいと考えられるが、炭素数6〜10のパーフルオロアルキル鎖は難分解性である。そのため、生体蓄積性を考慮した取り扱いの安全のために、炭素数4以下のパーフルオロアルキルスルホン酸イオン、たとえばノナフルオロブタンスルホン酸イオン等が用いられている。
最近、前記パーフルオロアルキルスルホン酸イオンまたはアルキルスルホン酸イオンのアルキル鎖に、置換基として、−O−C(=O)−を含む置換基が結合したアニオン部(以下、置換スルホン酸イオンという。)を有する酸発生剤が提案されている(たとえば特許文献2,3参照)。
特開2003−241385号公報 特開2007−145824号公報 特開2007−197432号公報
However, such an onium salt-based acid generator has a low affinity for an alkali developer due to its structure, and the distribution within the resist film is difficult to be uniform, which adversely affects lithography properties such as resolution. There is a risk of giving. The perfluoroalkyl chain in the anion moiety is preferably longer in order to suppress the diffusion of the acid after exposure, but the perfluoroalkyl chain having 6 to 10 carbon atoms is hardly decomposable. Therefore, perfluoroalkyl sulfonate ions having 4 or less carbon atoms, such as nonafluorobutane sulfonate ions, are used for the safety of handling considering bioaccumulation.
Recently, an anion portion (hereinafter referred to as a substituted sulfonate ion) in which a substituent containing —O—C (═O) — as a substituent is bonded to the alkyl chain of the perfluoroalkylsulfonate ion or the alkylsulfonate ion. ) Has been proposed (see, for example, Patent Documents 2 and 3).
JP 2003-241385 A JP 2007-145824 A JP 2007-197432 A

上述のようなオニウム塩系酸発生剤としては、現在、アニオン部(酸)として、パーフルオロアルキルスルホン酸イオンを有するものが一般的に用いられている。
しかし、このようなオニウム塩系酸発生剤は、その構造上、アルカリ現像液に対する親和性が低く、また、レジスト膜内での分布が均一になりにくく、解像性等のリソグラフィー特性に悪影響を与えるおそれがある。
また、上記アニオン部のパーフルオロアルキル鎖は、露光後の酸の拡散を抑制するためには長い方が好ましいと考えられるが、炭素数6〜10のパーフルオロアルキル鎖は難分解性である。そのため、生体蓄積性を考慮した取り扱いの安全のために、炭素数4以下のパーフルオロアルキルスルホン酸イオン、たとえばノナフルオロブタンスルホン酸イオン等が用いられている。
そのため、レジスト組成物用の酸発生剤としてより有用なアニオン部を有する化合物に対する要求があり、それとともに、該化合物の製造に際して有用な中間体が求められている。
As onium salt acid generators as described above, those having perfluoroalkylsulfonic acid ions as anion parts (acids) are generally used at present.
However, such an onium salt-based acid generator has a low affinity for an alkali developer due to its structure, and the distribution within the resist film is difficult to be uniform, which adversely affects lithography properties such as resolution. There is a risk of giving.
The perfluoroalkyl chain in the anion moiety is preferably longer in order to suppress the diffusion of the acid after exposure, but the perfluoroalkyl chain having 6 to 10 carbon atoms is hardly decomposable. Therefore, perfluoroalkyl sulfonate ions having 4 or less carbon atoms, such as nonafluorobutane sulfonate ions, are used for the safety of handling considering bioaccumulation.
Therefore, there is a demand for a compound having an anion moiety that is more useful as an acid generator for a resist composition, and at the same time, a useful intermediate for the production of the compound is desired.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、レジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、レジスト組成物用の酸発生剤またはその中間体として有用な新規な化合物およびその製造方法、ならびに酸発生剤を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a resist composition, a method for forming a resist pattern using the resist composition, a novel compound useful as an acid generator for a resist composition or an intermediate thereof, and An object of the present invention is to provide a production method thereof and an acid generator.

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第一の態様は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするレジスト組成物である。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration.
That is, the first aspect of the present invention is a resist composition comprising a base material component (A) whose solubility in an alkaline developer is changed by the action of an acid, and an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure. The acid generator component (B) is a resist composition comprising an acid generator (B1) composed of a compound represented by the following general formula (b1-1).

Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Zは有機カチオン(ただし下記一般式(w−1)で表されるイオンを除く。)である。]
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocycle selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; Z + is an organic cation (wherein the following general formula (w-1) The ion represented by this is excluded. ]

Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]

本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a step of forming a resist film on a support using the resist composition of the first aspect, a step of exposing the resist film, and an alkali development of the resist film. A resist pattern forming method including a step of forming a resist pattern.

本発明の第三の態様は、下記一般式(b0−1)で表される化合物である。   The third aspect of the present invention is a compound represented by the following general formula (b0-1).

Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Wはアルカリ金属イオンまたは下記一般式(w−1)で表されるイオンである。]
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocyclic ring selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; W + is an alkali metal ion or the following general formula (w-1) It is an ion represented by ]

Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]

本発明の第四の態様は、下記一般式(1−3)で表される化合物と、下記一般式(2−1)で表される化合物とを、塩基性条件下、反応させることにより下記一般式(b0−1)で表される化合物を得る工程を含む化合物の製造方法である。   According to a fourth aspect of the present invention, a compound represented by the following general formula (1-3) is reacted with a compound represented by the following general formula (2-1) under basic conditions. It is a manufacturing method of a compound including the process of obtaining the compound represented by general formula (b0-1).

Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Vはアルカリ金属イオンまたは下記一般式(v−1)で表されるイオンであり;X21はハロゲン原子であり;Wはアルカリ金属イオンまたは下記一般式(w−1)で表されるイオンである。]
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocycle selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; V + is an alkali metal ion or the following general formula (v-1) in it is represented by ion; X 21 is a halogen atom; W + is an alkali metal ion or the following general formula (w- ) Is an ion represented by. ]

Figure 0005389411
[式中、R3’〜R6’はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R3’〜R6’のうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R3’〜R6’のうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005389411
[Wherein, R 3 ′ to R 6 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent, and at least one of R 3 ′ to R 6 ′ represents the carbonization described above. It is a hydrogen group, and at least two of R 3 ′ to R 6 ′ may be bonded to each other to form a ring. ]

Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]

本発明の第五の態様は、下記一般式(b1−1)で表される化合物である。   A fifth aspect of the present invention is a compound represented by the following general formula (b1-1).

Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Zは有機カチオン(ただし下記一般式(w−1)で表されるイオンを除く。)である。]
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocycle selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; Z + is an organic cation (wherein the following general formula (w-1) The ion represented by this is excluded. ]

Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]

本発明の第六の態様は、下記一般式(b0−1)で表される化合物と、下記一般式(b0−2)で表される化合物とを反応させることにより下記一般式(b1−1)で表される化合物を得る工程を含む化合物の製造方法である。   According to a sixth aspect of the present invention, a compound represented by the following general formula (b0-1) and a compound represented by the following general formula (b0-2) are reacted to produce the following general formula (b1-1). It is a manufacturing method of the compound including the process of obtaining the compound represented by this.

Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Wはアルカリ金属イオンまたは下記一般式(w−1)で表されるイオンであり;Zは有機カチオン(ただし下記一般式(w−1)で表されるイオンを除く。)であり、Aは非求核性アニオンである。]


Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocyclic ring selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; W + is an alkali metal ion or the following general formula (w-1) in be represented by ion; Z + is (. excluding ion represented by However the following general formula (w-1)) organic cations Ri, A - is a non-nucleophilic anion. ]


Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]

本発明の第七の態様は、前記第五の態様の化合物からなる酸発生剤である。   A seventh aspect of the present invention is an acid generator comprising the compound of the fifth aspect.

本明細書および特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。「低級アルキル基」は、炭素原子数1〜5のアルキル基である。
「構成単位」とは、樹脂成分(重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「露光」は放射線の照射全般を含む概念とする。
In the present specification and claims, “aliphatic” is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean groups, compounds, etc. that do not have aromaticity.
Unless otherwise specified, the “alkylene group” includes linear, branched and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups.
Unless otherwise specified, the “alkyl group” includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups. The “lower alkyl group” is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
“Structural unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a resin component (polymer).
“Exposure” is a concept that includes general irradiation of radiation.

本発明によれば、レジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、レジスト組成物用の酸発生剤またはその中間体として有用な新規な化合物およびその製造方法、ならびに酸発生剤を提供できる。   According to the present invention, there are provided a resist composition, a method for forming a resist pattern using the resist composition, a novel compound useful as an acid generator for the resist composition or an intermediate thereof, a method for producing the compound, and an acid generator. it can.

《化合物(b0−1)》
まず、本発明の第三の態様である上記一般式(b0−1)で表される化合物(以下「化合物(b0−1)」という。)について説明する。
式(b0−1)中、Rで表される「窒素原子を有する有機基」は、炭素原子と窒素原子をそれぞれ1個または2個以上含む一価の基である。基Rは、これらの元素以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン(フッ素、塩素等)原子等)を有していてもよい。一般式(b0−1)の部分構造「RCO−」において、Rがカルボニル基に結合する原子は、炭素原子であることが好ましい。
<< Compound (b0-1) >>
First, the compound represented by the general formula (b0-1) (hereinafter referred to as “compound (b0-1)”), which is the third aspect of the present invention, will be described.
Wherein (b0-1), "an organic group having a nitrogen atom" represented by R N, respectively one or more containing monovalent group carbon atom and a nitrogen atom. The group RN may have an atom other than these elements (for example, a hydrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a halogen (fluorine, chlorine, etc.) atom). In the partial structure “R N CO—” of the general formula (b0-1), the atom where R N is bonded to the carbonyl group is preferably a carbon atom.

における前記有機基としては、窒素原子を含む置換基を有する炭化水素基、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環式基(以下、「含窒素複素環式基」という。)等が挙げられる。これらの有機基は、窒素原子を含む置換基(以下、「含窒素置換基」という。)のほかに、窒素原子を含まない置換基(以下「非含窒素置換基」という。)を有してもよい。 Examples of the organic group in R N, a hydrocarbon group having a substituent containing a nitrogen atom, a heterocyclic group containing a nitrogen atom as a hetero atom (hereinafter, referred to as. "Nitrogen-containing heterocyclic group"), and the like . These organic groups have, in addition to a substituent containing a nitrogen atom (hereinafter referred to as “nitrogen-containing substituent”), a substituent not containing a nitrogen atom (hereinafter referred to as “non-nitrogen-containing substituent”). May be.

における含窒素複素環式基としては、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環(含窒素複素環)から1個の水素原子を除いた一価基が挙げられる。前記含窒素複素環としては、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン等の不飽和単環式含窒素複素環;ピペリジン、ピペラジン、ピロリジン等の飽和単環式含窒素複素環;キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール、アクリジン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等の多環式含窒素複素環が挙げられる。含窒素複素環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。含窒素複素環式基の炭素数は、3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましい。 Examples of the nitrogen-containing heterocyclic group in RN include a monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocycle containing a nitrogen atom as a hetero atom (nitrogen-containing heterocycle). Examples of the nitrogen-containing heterocycle include unsaturated pyridine such as pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine. Cyclic nitrogen-containing heterocycles; saturated monocyclic nitrogen-containing heterocycles such as piperidine, piperazine, pyrrolidine; quinoline, isoquinoline, indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole , Carbazole, acridine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2 2.2.2] Polycyclic nitrogen-containing heterocycles such as octane. The nitrogen-containing heterocyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The nitrogen-containing heterocyclic group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, and still more preferably 5 to 20 carbon atoms.

における含窒素置換基としては、上述の含窒素複素環式基のほか、アミノ基(HN−)、イミノ基(HN=)、シアノ基(N≡C−)、アンモニオ基(NH−)などが挙げられる。これらの含窒素置換基は、水素原子の一部または全部が、非含窒素置換基で置換されていてもよい。
における含窒素置換基の具体例としては、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4-ピリジル基、ピペリジノ基などの含窒素複素環式基;アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、イミノ基、アルキルイミノ基、シアノ基、トリアルキルアンモニオ基などが挙げられる。なかでも4−ピリジル基などの含窒素複素環式基が好ましい。
Examples of the nitrogen-containing substituent in R N, addition of the nitrogen-containing heterocyclic group as defined above, an amino group (H 2 N-), imino group (HN =), a cyano group (N≡C-), ammonio group (+ NH 3- ) and the like. In these nitrogen-containing substituents, some or all of the hydrogen atoms may be substituted with non-nitrogen-containing substituents.
Specific examples of the nitrogen-containing substituent in R N is 2-pyridyl, 3-pyridyl, 4-pyridyl group, the nitrogen-containing heterocyclic group such as piperidino group; an amino group, an alkylamino group, a dialkylamino group, Examples include an imino group, an alkylimino group, a cyano group, and a trialkylammonio group. Of these, a nitrogen-containing heterocyclic group such as a 4-pyridyl group is preferred.

における非含窒素置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等などが挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが特に好ましい。
前記アリール基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
Non nitrogenous substituent in R N, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, such as oxygen atom (= O) or the like.
As said alkyl group, a C1-C5 alkyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.
Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.

が含窒素置換基を有する炭化水素基である場合の該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。 Hydrocarbon radical where R N is a hydrocarbon group having a nitrogen-containing substituent may be either an aliphatic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group.

における前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基の炭素数は、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group for R N, a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic, A cyclic group) is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.
2-5 are preferable, as for carbon number of an unsaturated hydrocarbon group, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group. Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.
The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The number of carbon atoms is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12.
Specific examples include a group in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane; a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane. . More specifically, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one hydrogen atom from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane. And the like except for.

における前記芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は、6〜30であることが好ましく、6〜30であることがより好ましく、6〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等のアリール基(芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた一価基);ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group for R N is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 6-30 carbon atoms, more preferably 6-30, further preferably 6-20, particularly preferably 6-15, and most preferably 6-12. . However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include aryl groups such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group (hydrogen from an aromatic hydrocarbon ring). Monovalent groups excluding one atom); arylalkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, and the like. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

の具体例としては、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4-ピリジル基などの含窒素複素環式基;アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基等のアミノアルキル基;メチルアミノメチル基等のアルキルアミノアルキル基;ジメチルアミノメチル基等のジアルキルアミノアルキル基;2−アミノフェニル基、4−アミノフェニル基等のアミノアリール基;(メチルアミノ)フェニル基等のアルキルアミノアリール基;(ジメチルアミノ)フェニル基、(ジエチルアミノ)フェニル基等のジアルキルアミノアリール基などが挙げられる。なかでも4−ピリジル基などの含窒素複素環式基が好ましい。 Specific examples of R N is 2-pyridyl, 3-pyridyl, 4-nitrogen-containing heterocyclic groups such as pyridyl group; aminomethyl group, 1-aminoethyl group, aminoalkyl such as 2-aminoethyl group Groups; alkylaminoalkyl groups such as methylaminomethyl groups; dialkylaminoalkyl groups such as dimethylaminomethyl groups; aminoaryl groups such as 2-aminophenyl groups and 4-aminophenyl groups; alkyls such as (methylamino) phenyl groups Aminoaryl group; dialkylaminoaryl groups such as (dimethylamino) phenyl group and (diethylamino) phenyl group; Of these, a nitrogen-containing heterocyclic group such as a 4-pyridyl group is preferred.

のアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状が好ましく、直鎖状がより好ましい。
直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜3がさらに好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。これらの中でも、メチレン基、エチレン基またはn−プロピレン基が好ましく、特にエチレン基が好ましい。
The alkylene group for R 1 may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, and more preferably linear.
1-12 are preferable, as for carbon number of a linear or branched alkylene group, 1-5 are more preferable, and 1-3 are more preferable. Specific examples of the alkylene group include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —C ( CH 3) (CH 2 CH 3 ) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2— ]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 —, Alkylethylene groups such as —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 —; trimethylene group (n-propylene group) [—CH 2 CH 2 CH 2 —]; —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene group and the like; Toramechiren group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; penta And methylene group [—CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like. Among these, a methylene group, an ethylene group or an n-propylene group is preferable, and an ethylene group is particularly preferable.

は炭素数1〜4のアルキレン基またはフッ素化アルキレン基である。
のアルキレン基としては、前記Rで挙げたアルキレン基のうち炭素数1〜4のものと同様のものが挙げられる。フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
として、具体的には、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CF(CFCF)−、−C(CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−、−CF(CFCFCF)−、−C(CF)(CFCF)−;−CHF−、−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−、−CH(CF)CH−、−CH(CFCF)−、−C(CH)(CF)−、−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CH(CF)CHCH−、−CHCH(CF)CH−、−CH(CF)CH(CF)−、−C(CFCH−;−CH−、−CHCH−、−CHCHCH−、−CH(CH)CH−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−CHCHCHCH−、−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−CH(CHCHCH)−、−C(CH)(CHCH)−等が挙げられる。
Y 1 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkylene group.
Examples of the alkylene group for Y 1 include the same alkylene groups as those described above for R 1 having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the fluorinated alkylene group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group have been substituted with fluorine atoms.
As Y 1, specifically, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 2 CF 3) -, -C (CF 3) 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3 ) —, —C (CF 3 ) 2 CF 2 —, —CF (CF 2 CF 3 ) CF 2 —, —CF (CF 2 CF 2 CF 3 ) —, —C (CF 3 ) (CF 2 CF 3) -; - CHF -, - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 -, - CH (CF 2 CF 3) -, - C ( CH 3) (CF 3) -, - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - C H 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH (CF 3 ) CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CF 3 ) CH 2 —, —CH (CF 3 ) CH (CF 3 ) —, —C ( CF 3) 2 CH 2 -; - CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3 ) — and the like.

としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−;−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−;−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CHCFCFCF−等を挙げることができる。
これらの中でも、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、又はCHCFCF−が好ましく、−CF−、−CFCF−又は−CFCFCF−がより好ましく、−CF−が特に好ましい。
Y 1 is preferably a fluorinated alkylene group, and particularly preferably a fluorinated alkylene group in which the carbon atom bonded to the adjacent sulfur atom is fluorinated. Examples of such fluorinated alkylene group, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3) -, - C (CF 3) 2 CF 2 -, -CF (CF 2 CF 3) CF 2 -; - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -; - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 — and the like can be mentioned.
Of these, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, or CH 2 CF 2 CF 2 - is preferable, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 - or -CF 2 CF 2 CF 2 - is more preferable, -CF 2 - is particularly preferred.

はアルカリ金属イオンまたは前記一般式(w−1)で表されるイオン(以下、「置換アンモニウムイオン」という。)である。
において、アルカリ金属イオンとしては、ナトリウムイオン、カリウムイオン、リチウムイオン等が挙げられる。
W + is an alkali metal ion or an ion represented by the general formula (w-1) (hereinafter referred to as “substituted ammonium ion”).
In W + , examples of alkali metal ions include sodium ions, potassium ions, lithium ions, and the like.

式(w−1)中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基である。
〜Rにおける炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。R〜Rのうち、少なくとも1つは前記炭化水素基であり、2または3つが前記炭化水素基であることが好ましい。
In formula (w-1), R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent, and at least one of R 3 to R 6 is the carbonization It is a hydrogen group.
The hydrocarbon group in R 3 to R 6 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. It is preferable that at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group, and two or three are the hydrocarbon groups.

前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基の炭素数は、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
前記芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は、6〜30であることが好ましく、6〜30であることがより好ましく、6〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等のアリール基(芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた一価基);ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
該炭化水素基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等などが挙げられ、特に水酸基が好ましい。また、窒素原子を含む置換基、たとえば窒素原子、シアノ基(−CN)、アミノ基(−NH)、アミド基(−NH−C(=O)−)等を有していてもよい。
前記アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが特に好ましい。
前記アリール基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic cyclic group). ) Is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.
2-5 are preferable, as for carbon number of an unsaturated hydrocarbon group, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group. Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.
The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The number of carbon atoms is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12.
Specific examples include a group in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane; a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane. . More specifically, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one hydrogen atom from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane. And the like except for.
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 6-30 carbon atoms, more preferably 6-30, further preferably 6-20, particularly preferably 6-15, and most preferably 6-12. . However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include aryl groups such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group (hydrogen from an aromatic hydrocarbon ring). Monovalent groups excluding one atom); arylalkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, and the like. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
Examples of the substituent that the hydrocarbon group may have include an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O). preferable. Also, a substituent containing a nitrogen atom, such as nitrogen atom, a cyano group (-CN), amino group (-NH 2), amido (-NH-C (= O) -) and the like may be included.
As said alkyl group, a C1-C5 alkyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.
Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.

〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。たとえば、R〜Rのうちの2つが結合して1つの環を形成していてもよく、R〜Rのうちの3つが結合して1つの環を形成していてもよく、R〜Rのうちの2つずつがそれぞれ結合して2つの環を形成していてもよい。
〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合し、式中の窒素原子とともに形成する環(ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環)としては、脂肪族複素環であってもよく、芳香族複素環であってもよい。また、該複素環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
At least two of R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. For example, two of R 3 to R 6 may be bonded to form one ring, or three of R 3 to R 6 may be bonded to form a ring, Two of R 3 to R 6 may be bonded to each other to form two rings.
The ring (heterocycle containing a nitrogen atom as a heteroatom) formed by combining at least two of R 3 to R 6 with each other and a nitrogen atom in the formula may be an aliphatic heterocycle, aromatic It may be a group heterocycle. Further, the heterocyclic ring may be monocyclic or polycyclic.

前記置換アンモニウムイオンの具体例としては、アミンから誘導されるアンモニウムイオンが挙げられる。
ここで、「アミンから誘導されるアンモニウムイオン」とは、アミンの窒素原子に水素原子が結合してカチオンとなったもの、アミンの窒素原子に、さらに置換基が1つ結合した第4級アンモニウムイオンである。
上記アンモニウムイオンを誘導するアミンは、脂肪族アミンであってもよく、芳香族アミンであってもよい。
脂肪族アミンとしては、特に、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)又は環式アミンが好ましい。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾール等が挙げられる。
第4級アンモニウムイオンとしては、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが挙げられる。
Specific examples of the substituted ammonium ion include ammonium ions derived from amines.
Here, the “ammonium ion derived from an amine” means a cation formed by bonding a hydrogen atom to the nitrogen atom of the amine, and a quaternary ammonium having one substituent bonded to the nitrogen atom of the amine. Ion.
The amine for deriving the ammonium ion may be an aliphatic amine or an aromatic amine.
As the aliphatic amine, an amine (alkyl amine or alkyl alcohol amine) or a cyclic amine in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group having 12 or less carbon atoms or a hydroxyalkyl group is particularly preferable.
Specific examples of alkylamines and alkyl alcohol amines include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di- -Dialkylamines such as n-heptylamine, di-n-octylamine, dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-pentylamine , Tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decanylamine, tri-n-dodecylamine, etc .; diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine Triisopropanolamine, di -n- octanol amines, alkyl alcohol amines tri -n- octanol amine.
Examples of the cyclic amine include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
As the aliphatic polycyclic amine, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. Specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.
Examples of the aromatic amine include aniline, pyridine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), pyrrole, indole, pyrazole, and imidazole.
Examples of the quaternary ammonium ion include tetramethylammonium ion, tetraethylammonium ion, and tetrabutylammonium ion.

本発明において、前記置換アンモニウムイオンとしては、特に、R〜Rのうち、少なくとも1つがアルキル基であり、且つ少なくとも1つが水素原子であるものが好ましい。
中でも、R〜Rのうちの3つがアルキル基であり、且つ残りの1つが水素原子であるもの(トリアルキルアンモニウムイオン)、またはR〜Rのうちの2つがアルキル基であり、且つ残りの2つが水素原子であるもの(ジアルキルアンモニウムイオン)が好ましい。
トリアルキルアンモニウムイオンまたはジアルキルアンモニウムイオンにおけるアルキル基は、それぞれ独立に、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがより好ましく、1〜5が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基などが挙げられる。これらの中でもエチル基が最も好ましい。
In the present invention, the substituted ammonium ion is particularly preferably one in which at least one of R 3 to R 6 is an alkyl group and at least one is a hydrogen atom.
Among them, three of R 3 to R 6 are alkyl groups and the remaining one is a hydrogen atom (trialkylammonium ion), or two of R 3 to R 6 are alkyl groups, In addition, those in which the remaining two are hydrogen atoms (dialkylammonium ions) are preferred.
The alkyl group in the trialkylammonium ion or dialkylammonium ion preferably independently has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and a decanyl group. Of these, the ethyl group is most preferred.

本発明において、化合物(b0−1)は、下記一般式(b0−1−1)で表されることが好ましい。   In the present invention, the compound (b0-1) is preferably represented by the following general formula (b0-1-1).

Figure 0005389411
[式中、Wは前記と同じであり、pは1〜3の整数であり、qは1〜12の整数であり、rは0〜3の整数であり、Rは置換基である。]
Figure 0005389411
[Wherein W + is the same as defined above, p is an integer of 1 to 3, q is an integer of 1 to 12, r is an integer of 0 to 3, and R 7 is a substituent. . ]

の置換基としては、前記Rにおいて、含窒素複素環式基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
に付された符号(r)が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のRはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
pは1または2が好ましい。
qは、1〜8であることが好ましく、1〜5であることがより好ましく、1〜3であることが更に好ましい。
rは0〜2の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、0であることが更に好ましい。
The substituent of R 7, wherein in R N, include the same ones the nitrogen-containing heterocyclic group exemplified as the substituent which may have.
When the symbol (r) attached to R 7 is an integer of 2 or more, the plurality of R 7 in the compound may be the same or different.
p is preferably 1 or 2.
q is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 5, and still more preferably 1 to 3.
r is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.

本発明の化合物(b0−1)は新規な化合物である。
本発明の化合物(b0−1)は、レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物を合成する際の中間体として有用である。
The compound (b0-1) of the present invention is a novel compound.
The compound (b0-1) of the present invention is useful as an intermediate when synthesizing a compound useful as an acid generator for a resist composition.

《化合物(b1−1)》
次に、本発明の第五の態様である上記一般式(b1−1)で表される化合物(以下「化合物(b1−1)」という。)について説明する。
式(b1−1)中、R、R、Yは、式(b0−1)におけるR、R、Yと同様である。
<< Compound (b1-1) >>
Next, the compound represented by the above general formula (b1-1) which is the fifth aspect of the present invention (hereinafter referred to as “compound (b1-1)”) will be described.
Wherein (b1-1), R N, R 1, Y 1 are the same as R N, R 1, Y 1 in the formula (b0-1).

の有機カチオンとしては、前記一般式(w−1)で表されるイオン以外のものであれば特に制限されず、従来、オニウム塩系酸発生剤のカチオン部として知られているものを適宜用いることができる。かかるカチオン部のなかでも、Zの有機カチオンとしては、スルホニウムイオンまたはヨードニウムイオンが好ましく、特にスルホニウムイオンが好ましい。
具体的には、下記一般式(b’−1)、(b’−2)、(b−5)または(b−6)で表されるカチオン部を好適に用いることができる。
The organic cation of Z + is not particularly limited as long as it is other than the ion represented by the general formula (w-1), and conventionally known as a cation part of an onium salt acid generator. It can be used as appropriate. Among these cation moieties, the Z + organic cation is preferably a sulfonium ion or an iodonium ion, and particularly preferably a sulfonium ion.
Specifically, a cation moiety represented by the following general formula (b′-1), (b′-2), (b-5) or (b-6) can be preferably used.

Figure 0005389411
[式中、R”〜R”,R”〜R”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;R”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく;R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]
Figure 0005389411
[Wherein, R 1 ″ to R 3 ″ and R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group; any two of R 1 ″ to R 3 ″ are bonded to each other. May form a ring together with the sulfur atom in the formula; at least one of R 1 ″ to R 3 ″ represents an aryl group, and at least one of R 5 ″ to R 6 ″ represents an aryl group. Represent. ]

Figure 0005389411
[式中、R40は水素原子またはアルキル基であり、R41はアルキル基、アセチル基、カルボキシ基、またはヒドロキシアルキル基であり、R42〜R46はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、またはヒドロキシアルキル基であり;n〜nはそれぞれ独立して0〜3の整数であり、ただし、n+nは5以下であり、nは0〜2の整数である。]
Figure 0005389411
[Wherein, R 40 represents a hydrogen atom or an alkyl group, R 41 represents an alkyl group, an acetyl group, a carboxy group, or a hydroxyalkyl group, and R 42 to R 46 each independently represents an alkyl group, an acetyl group, An alkoxy group, a carboxy group, or a hydroxyalkyl group; n 0 to n 5 are each independently an integer of 0 to 3, provided that n 0 + n 1 is 5 or less and n 6 is 0 to 2 It is an integer. ]

式(b’−1)中、R”〜R”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。
また、R”〜R”のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R”〜R”のうち、2以上がアリール基であることが好ましく、R”〜R”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。
In formula (b′-1), R 1 ″ to R 3 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group. Any two of R 1 ″ to R 3 ″ may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.
Further, at least one of R 1 ″ to R 3 ″ represents an aryl group. Of R 1 ″ to R 3 ″, two or more are preferably aryl groups, and most preferably all R 1 ″ to R 3 ″ are aryl groups.

”〜R”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20の無置換のアリール基、該無置換のアリール基の水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、−O−C(=O)−R’(R’は、環状のアルキル基)等で置換された置換アリール基、−(R’)−C(=O)−R’が挙げられる。R’は炭素数1〜5のアルキレン基である。R’はアリール基である。R’のアリール基としては、前記R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
無置換のアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
The aryl group for R 1 ″ to R 3 ″ is not particularly limited, and examples thereof include an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a part or all of hydrogen atoms of the unsubstituted aryl group being an alkyl group, A substituted aryl group substituted with an alkoxy group, an alkoxyalkyloxy group, an alkoxycarbonylalkyloxy group, a halogen atom, a hydroxyl group, —O—C (═O) —R 6 ′ (R 6 ′ is a cyclic alkyl group) or the like , - (R 4 ') include -C (= O) -R 5' . R 4 ′ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms. R 5 ′ is an aryl group. As the aryl group for R 5 ′, the same aryl groups as those described above for R 1 ″ to R 3 ″ can be used.
The unsubstituted aryl group is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms because it can be synthesized at a low cost. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.

置換アリール基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
置換アリール基におけるアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基であることが最も好ましい。
置換アリール基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
The alkyl group in the substituted aryl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group in the substituted aryl group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group. preferable.
The halogen atom in the substituted aryl group is preferably a fluorine atom.

置換アリール基におけるアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:−O−C(R47)(R48)−O−R49[式中、R47、R48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基である。
47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1〜5であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
47、R48は、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。特に、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることがより好ましい。
49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
49における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などが挙げられる。
49における環状のアルキル基としては、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
Examples of the alkoxyalkyloxy group in the substituted aryl group include, for example, a general formula: —O—C (R 47 ) (R 48 ) —O—R 49 [wherein R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or It is a linear or branched alkyl group, and R 49 is an alkyl group.
In R 47 and R 48 , the alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
At least one of R 47 and R 48 is preferably a hydrogen atom. In particular, it is more preferable that one is a hydrogen atom and the other is a hydrogen atom or a methyl group.
The alkyl group for R 49 preferably has 1 to 15 carbon atoms and may be linear, branched or cyclic.
The linear or branched alkyl group for R 49 preferably has 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group. Can be mentioned.
The cyclic alkyl group for R 49 preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc., which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, etc. And a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.

置換アリール基におけるアルコキシカルボニルアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:−O−R50−C(=O)−O−R51[式中、R50は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R51は第3級アルキル基である。]で表される基が挙げられる。
50における直鎖状、分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が1〜5であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1−ジメチルエチレン基などが挙げられる。
51における第3級アルキル基としては、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基、1−メチル−1−シクロペンチル基、1−エチル−1−シクロペンチル基、1−メチル−1−シクロヘキシル基、1−エチル−1−シクロヘキシル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルプロピル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルブチル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルペンチル基;1−(1−シクロペンチル)−1−メチルエチル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルプロピル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルブチル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルペンチル基;1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルエチル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルプロピル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルブチル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルペンチル基、tert−ブチル基、tert−ペンチル基、tert−ヘキシル基などが挙げられる。
置換アリール基における−O−C(=O)−R’について、R’は炭素数3〜20の環状のアルキル基であり、前記R49と同様のものが挙げられる。特に好ましくはアダマンチル基である。
Examples of the alkoxycarbonylalkyloxy group in the substituted aryl group include, for example, a general formula: —O—R 50 —C (═O) —O—R 51 [wherein R 50 is a linear or branched alkylene group. And R 51 is a tertiary alkyl group. ] Is represented.
The linear or branched alkylene group for R 50 preferably has 1 to 5 carbon atoms, such as a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, or a 1,1-dimethylethylene group. Etc.
As the tertiary alkyl group for R 51 , 2-methyl-2-adamantyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, 1-methyl-1-cyclopentyl group, 1-ethyl-1-cyclopentyl group, 1-methyl -1-cyclohexyl group, 1-ethyl-1-cyclohexyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylethyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylpentyl group; 1- (1-cyclopentyl) -1-methylethyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylpentyl group; 1- (1-cyclohexyl) -1-methylethyl Group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylpentyl group, tert-butyl group, tert -Pentyl group, tert-hexyl group and the like.
With respect to —O—C (═O) —R 6 ′ in the substituted aryl group, R 6 ′ is a cyclic alkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and examples thereof include those similar to R 49 described above. Particularly preferred is an adamantyl group.

”〜R”のアリール基としては、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが好ましい。 The aryl groups for R 1 ″ to R 3 ″ are each preferably a phenyl group or a naphthyl group.

”〜R”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1〜5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。 The alkyl group for R 1 "~R 3", is not particularly limited, for example, linear C1-10, branched or cyclic alkyl group, and the like. It is preferable that it is C1-C5 from the point which is excellent in resolution. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a nonyl group, and a decanyl group. A methyl group is preferable because it is excellent in resolution and can be synthesized at low cost.

”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3〜10員環を形成していることが好ましく、5〜7員環を形成していることが特に好ましい。
”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
When any two of R 1 ″ to R 3 ″ are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, it is preferable to form a 3 to 10 membered ring including the sulfur atom, It is particularly preferable to form a 5- to 7-membered ring.
When any two of R 1 ″ to R 3 ″ are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, the remaining one is preferably an aryl group. Examples of the aryl group include the same aryl groups as R 1 ″ to R 3 ″.

式(b’−1)で表されるカチオン部の具体例としては、トリフェニルスルホニウム、(3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(2−アダマントキシメチルオキシ)−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(2−アダマントキシメチルオキシ)フェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ)フェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ)−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシ)フェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシ)−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウム、モノフェニルジメチルスルホニウム、ジフェニルモノメチルスルホニウム、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウム、ジフェニル(1−(4−メトキシ)ナフチル)スルホニウム、ジ(1−ナフチル)フェニルスルホニウム、1−フェニルテトラヒドロチオフェニウム、1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオフェニウム、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム、1−(4−メトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム、1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム、1−フェニルテトラヒドロチオピラニウム、1−(4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウム、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウム、1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオピラニウム等が挙げられる。   Specific examples of the cation moiety represented by the formula (b′-1) include triphenylsulfonium, (3,5-dimethylphenyl) diphenylsulfonium, (4- (2-adamantoxymethyloxy) -3,5- Dimethylphenyl) diphenylsulfonium, (4- (2-adamantoxymethyloxy) phenyl) diphenylsulfonium, (4- (tert-butoxycarbonylmethyloxy) phenyl) diphenylsulfonium, (4- (tert-butoxycarbonylmethyloxy)- 3,5-dimethylphenyl) diphenylsulfonium, (4- (2-methyl-2-adamantyloxycarbonylmethyloxy) phenyl) diphenylsulfonium, (4- (2-methyl-2-adamantyloxycarbonylmethyloxy) -3, 5-dimethyl Enyl) diphenylsulfonium, tri (4-methylphenyl) sulfonium, dimethyl (4-hydroxynaphthyl) sulfonium, monophenyldimethylsulfonium, diphenylmonomethylsulfonium, (4-methylphenyl) diphenylsulfonium, (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium, Tri (4-tert-butyl) phenylsulfonium, diphenyl (1- (4-methoxy) naphthyl) sulfonium, di (1-naphthyl) phenylsulfonium, 1-phenyltetrahydrothiophenium, 1- (4-methylphenyl) tetrahydro Thiophenium, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium, 1- (4-methoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium 1- (4-ethoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium, 1-phenyltetrahydrothiopyranium, 1- (4-hydroxy Phenyl) tetrahydrothiopyranium, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium, 1- (4-methylphenyl) tetrahydrothiopyranium and the like.

式(b’−2)中、R”〜R”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R”〜R”のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R”〜R”のすべてがアリール基であることが好ましい。
”〜R”のアリール基としては、R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
”〜R”のアルキル基としては、R”〜R”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、R”〜R”は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。
In formula (b′-2), R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group. At least one of R 5 ″ to R 6 ″ represents an aryl group. It is preferable that all of R 5 ″ to R 6 ″ are aryl groups.
As the aryl group for R 5 ″ to R 6 ″, the same as the aryl groups for R 1 ″ to R 3 ″ can be used.
Examples of the alkyl group for R 5 ″ to R 6 ″ include the same as the alkyl group for R 1 ″ to R 3 ″.
Among these, it is most preferable that R 5 ″ to R 6 ″ are all phenyl groups.

式(b’−2)で表されるカチオン部の具体例としては、ジフェニルヨードニウム、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム等が挙げられる。   Specific examples of the cation moiety represented by the formula (b′-2) include diphenyliodonium and bis (4-tert-butylphenyl) iodonium.

一般式(b−5)〜(b−6)のR40〜R46において、アルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、又はtert−ブチル基であることが特に好ましい。
アルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
OR40に付された符号nが2以上の整数である場合、複数のOR40”はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
41〜R46に付された符号n〜nが2以上の整数である場合、複数のR41〜R46はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
は、好ましくは0又は1である。
は、好ましくは0〜2である。
およびnは、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。
は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。
は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
は、好ましくは0又は1である。
In R 40 to R 46 in the general formulas (b-5) to (b-6), the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a linear or branched alkyl group. , Methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, or tert-butyl group is particularly preferable.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkoxy group, and particularly preferably a methoxy group or an ethoxy group.
The hydroxyalkyl group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with a hydroxy group, and examples thereof include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group.
When the sign n 0 attached to the OR 40 is an integer of 2 or more, the plurality of OR 40 ″ may be the same or different.
When the symbols n 1 to n 6 attached to R 41 to R 46 are integers of 2 or more, the plurality of R 41 to R 46 may be the same or different.
n 0 is preferably 0 or 1.
n 1 is preferably 0-2.
n 2 and n 3 are preferably each independently 0 or 1, more preferably 0.
n 4 is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.
n 5 is preferably 0 or 1, more preferably 0.
n 6 is preferably 0 or 1.

としては、式(b’−1)または(b−5)で表されるカチオン部が好ましく、特に、下記式(b’−1−1)〜(b’−1−12)、(b−5−1)〜(b−5−4)で表されるカチオン部が好ましく、式(b’−1−1)〜(b’−1−8)、(b’−1−11)で表されるカチオン部等のトリフェニル骨格のカチオン部がより好ましい。
式(b’−1−9)〜(b’−1−10)中、R、Rは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基である。
uは1〜3の整数であり、1または2が最も好ましい。
Z + is preferably a cation moiety represented by the formula (b′-1) or (b-5), and in particular, the following formulas (b′-1-1) to (b′-1-12), ( The cation part represented by b-5-1) to (b-5-4) is preferable, and the formulas (b′-1-1) to (b′-1-8) and (b′-1-11) are preferable. A cation part of a triphenyl skeleton such as a cation part represented by
In formulas (b′-1-9) to (b′-1-10), R 8 and R 9 are each independently a phenyl group, a naphthyl group, or a carbon number of 1 to 1 which may have a substituent. 5 is an alkyl group, an alkoxy group, or a hydroxyl group.
u is an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is most preferable.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

Figure 0005389411
Figure 0005389411

化合物(b1−1)としては、特に、下記一般式(b1−1−1)で表される化合物が好ましい。   As the compound (b1-1), a compound represented by the following general formula (b1-1-1) is particularly preferable.

Figure 0005389411
[式中、Zは前記と同じであり、pは1〜3の整数であり、qは1〜12の整数であり、rは0〜3の整数であり、Rは置換基である。]
Figure 0005389411
[In the formula, Z + is the same as described above, p is an integer of 1 to 3, q is an integer of 1 to 12, r is an integer of 0 to 3, and R 7 is a substituent. . ]

の置換基としては、前記Rにおいて、含窒素複素環式基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
に付された符号(r)が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のRはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
pは1または2が好ましい。
qは、1〜8であることが好ましく、1〜5であることがより好ましく、1〜3であることが更に好ましい。
rは0〜2の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、0であることが更に好ましい。
The substituent of R 7, wherein in R N, include the same ones the nitrogen-containing heterocyclic group exemplified as the substituent which may have.
When the symbol (r) attached to R 7 is an integer of 2 or more, the plurality of R 7 in the compound may be the same or different.
p is preferably 1 or 2.
q is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 5, and still more preferably 1 to 3.
r is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.

本発明の化合物(b1−1)は新規な化合物である。
本発明の化合物(b1−1)は、化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤として有用であり、化学増幅型レジスト組成物に酸発生剤として配合することができる。
The compound (b1-1) of the present invention is a novel compound.
The compound (b1-1) of the present invention is useful as an acid generator for a chemically amplified resist composition, and can be blended as an acid generator in a chemically amplified resist composition.

《化合物(b0−1)および(b1−1)の製造方法》
本発明の化合物(b0−1)は、本発明の化合物(b1−1)の合成中間体として利用することができる。
本発明の第六の態様である、前記本発明の化合物(b1−1)の製造方法は、下記一般式(b0−1)で表される化合物(b0−1)と、下記一般式(b0−2)で表される化合物(b0−2)とを反応させることにより化合物(b1−1)を得る工程を含む。
<< Method for Producing Compounds (b0-1) and (b1-1) >>
The compound (b0-1) of the present invention can be used as a synthetic intermediate of the compound (b1-1) of the present invention.
The method for producing the compound (b1-1) of the present invention, which is the sixth aspect of the present invention, comprises the compound (b0-1) represented by the following general formula (b0-1) and the following general formula (b0). -2), a step of obtaining a compound (b1-1) by reacting with the compound (b0-2) represented.

Figure 0005389411
[式中、Rは窒素原子を有する有機基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のアルキレン基またはフッ素化アルキレン基であり;Wはアルカリ金属イオンまたは前記置換アンモニウムイオンであり;Zは有機カチオン(ただし前記置換アンモニウムイオンを除く。)であり、Aは非求核性アニオンである。]
Figure 0005389411
[Wherein, RN is an organic group having a nitrogen atom; R 1 is an alkylene group; Y 1 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkylene group; W + is an alkali metal ion or Z + represents an organic cation (excluding the substituted ammonium ion), and A represents a non-nucleophilic anion. ]

式中、R、R、Y、W、Zは、それぞれ前記と同じである。 In the formula, R N , R 1 , Y 1 , W + and Z + are the same as defined above.

は非求核性アニオンである。
該非求核性イオンとしては、たとえば臭素イオン、塩素イオン等のハロゲンイオン、化合物(b0−1)よりも酸性度が低い酸になり得るイオン、BF 、AsF 、SbF 、PF またはClO 等が挙げられる。
における化合物(b0−1)よりも酸性度が低い酸になりうるイオンとしては、p−トルエンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等のスルホン酸イオンが挙げられる。
A is a non-nucleophilic anion.
Examples of the non-nucleophilic ion include halogen ions such as bromine ion and chlorine ion, ions that can be acid having lower acidity than the compound (b0-1), BF 4 , AsF 6 , SbF 6 , PF 6 - or ClO 4 - and the like.
A - As ions acidity than the compound (b0-1) can become a low acid in the, p- toluenesulfonate ion, methanesulfonate ion, benzenesulfonate ion, trifluoromethanesulfonate ion, etc. sulfonate ion Is mentioned.

本発明の第四の態様である、前記本発明の化合物(b0−1)の製造方法は、下記一般式(1−3)で表される化合物と、下記一般式(2−1)で表される化合物とを、塩基性条件下、反応させることにより下記一般式(b0−1)で表される化合物を得る工程を含む。   The production method of the compound (b0-1) of the present invention, which is the fourth aspect of the present invention, is represented by the compound represented by the following general formula (1-3) and the following general formula (2-1). A step of obtaining a compound represented by the following general formula (b0-1) by reacting the obtained compound with a compound under basic conditions.

化合物(b0−1)は、たとえば、下記一般式(1−3)で表される化合物(1−3)と、下記一般式(2−1)で表される化合物(2−1)とを反応させることにより合成できる。また、化合物(2−1)の代わりに、化合物(2−1)に対応する塩類(塩酸塩等)を使用し、反応系中で発生させた化合物(2−1)を、化合物(1−3)と反応させるようにしてもよい。   Compound (b0-1) includes, for example, a compound (1-3) represented by the following general formula (1-3) and a compound (2-1) represented by the following general formula (2-1). It can be synthesized by reacting. Further, instead of the compound (2-1), a salt (hydrochloride or the like) corresponding to the compound (2-1) is used, and the compound (2-1) generated in the reaction system is converted into the compound (1- You may make it react with 3).

Figure 0005389411
[式中、Rは窒素原子を有する有機基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のアルキレン基またはフッ素化アルキレン基であり;Vはアルカリ金属イオンまたは上記一般式(v−1)で表されるイオンであり;X21はハロゲン原子であり;Wはアルカリ金属イオンまたは上記一般式(w−1)で表されるイオンである。]
Figure 0005389411
[Wherein, RN is an organic group having a nitrogen atom; R 1 is an alkylene group; Y 1 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkylene group; V + is an alkali metal ion or X < 21 > is a halogen atom; W <+> is an alkali metal ion or an ion represented by the general formula (w-1). ]

で表されるイオンと、Wで表されるイオンとは、同じであってもよく、異なってもよい。
上記一般式(v−1)で表されるイオンは、前記置換アンモニウムと同様である。
上記一般式(w−1)で表されるイオンは、前記置換アンモニウムと同様である。
上記一般式(v−1)で表される置換アンモニウムと、上記一般式(w−1)で表される置換アンモニウムとは、同じであってもよく、異なってもよい。
The ion represented by V + and the ion represented by W + may be the same or different.
The ion represented by the general formula (v-1) is the same as the substituted ammonium.
The ion represented by the general formula (w-1) is the same as the substituted ammonium.
The substituted ammonium represented by the general formula (v-1) and the substituted ammonium represented by the general formula (w-1) may be the same or different.

21のハロゲン原子としては、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等が挙げられ、反応性に優れることから、臭素原子または塩素原子が好ましく、塩素原子が特に好ましい。 Examples of the halogen atom for X 21 include a bromine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a fluorine atom. A bromine atom or a chlorine atom is preferable, and a chlorine atom is particularly preferable because of excellent reactivity.

化合物(1−3)、(2−1)はそれぞれ市販のものを用いてもよく、合成してもよい。
たとえば化合物(1−3)におけるVがアルカリ金属イオンである場合、当該化合物(下記一般式(1−3’)で表される化合物(1−3’))の好ましい合成方法として、下記一般式(1−1)で表される化合物(1−1)と、下記一般式(1−2)で表される化合物(1−2)とを反応させて化合物(1−3’)を得る工程を有する方法が挙げられる。
Compounds (1-3) and (2-1) may be commercially available or synthesized.
For example, when V + in the compound (1-3) is an alkali metal ion, a preferred synthesis method of the compound (compound (1-3 ′) represented by the following general formula (1-3 ′)) is as follows. The compound (1-1) represented by the formula (1-1) and the compound (1-2) represented by the following general formula (1-2) are reacted to obtain the compound (1-3 ′). The method which has a process is mentioned.

Figure 0005389411
[式中、RおよびYはそれぞれ前記と同じであり、Rは、置換基として芳香族基を有していてもよい脂肪族基であり、Mはアルカリ金属イオンである。]
Figure 0005389411
[Wherein, R 1 and Y 1 are the same as defined above, R 2 is an aliphatic group which may have an aromatic group as a substituent, and M + is an alkali metal ion. ]

としては、前記Vで挙げたアルカリ金属イオンと同様のものが挙げられる。
は、置換基として芳香族基を有していてもよい脂肪族基である。
該脂肪族基は、飽和脂肪族基であってもよく、不飽和脂肪族基であってもよい。また、脂肪族基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、それらの組み合わせであってもよい。
脂肪族基は、炭素原子および水素原子のみからなる脂肪族炭化水素基であってもよく、該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換された基であってもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換された基であってもよい。
前記ヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。脂肪族基が環式基を含む場合、これらの置換基を当該環式基の環構造中に含んでいてもよい。
Examples of M + include the same alkali metal ions as mentioned for V + .
R 2 is an aliphatic group that may have an aromatic group as a substituent.
The aliphatic group may be a saturated aliphatic group or an unsaturated aliphatic group. The aliphatic group may be linear, branched or cyclic, or a combination thereof.
The aliphatic group may be an aliphatic hydrocarbon group consisting of only a carbon atom and a hydrogen atom, and a group in which a part of carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group is substituted with a substituent containing a hetero atom It may be a group in which part or all of the hydrogen atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group are substituted with a substituent containing a hetero atom.
The hetero atom is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The substituent containing a hetero atom may be composed only of a hetero atom, or may be a group containing a group or atom other than a hetero atom.
Specific examples of the substituent for substituting a part of the carbon atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O. —, —C (═O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, — S (= O) 2 —O— and the like can be mentioned. When the aliphatic group includes a cyclic group, these substituents may be included in the ring structure of the cyclic group.

水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR96、−OC(=O)R97、シアノ基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
96およびR97はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。
96およびR97におけるアルキル基が直鎖状または分岐鎖状の場合、その炭素数は1〜10であることが好ましく、1〜5であることがより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、後述する直鎖状または分岐鎖状の1価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。
96およびR97におけるアルキル基が環状である場合、該環は単環であってもよく、多環であってもよい。その炭素数は3〜15であることが好ましく、4〜12であることがより好ましく、5〜10がさらに好ましい。具体的には、後述する環状の1価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。
Specific examples of the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms include, for example, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), —COOR 96 , —OC (═O). R 97 , a cyano group and the like can be mentioned.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.
R 96 and R 97 are each independently a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.
When the alkyl group in R 96 and R 97 is linear or branched, the carbon number thereof is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5, and further preferably 1 or 2. Specific examples thereof include the same as the linear or branched monovalent saturated hydrocarbon group described later.
When the alkyl group in R 96 and R 97 is cyclic, the ring may be monocyclic or polycyclic. The carbon number is preferably 3 to 15, more preferably 4 to 12, and still more preferably 5 to 10. Specifically, the same thing as the cyclic | annular monovalent | monohydric saturated hydrocarbon group mentioned later is mentioned.

脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜30の直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、炭素数2〜10の直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または炭素数3〜30の環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10がさらに最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10がさらに最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, a linear or branched monovalent unsaturated hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, Or a C3-C30 cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic cyclic group) is preferable.
The linear saturated hydrocarbon group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

不飽和炭化水素基としては、炭素数2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
As an unsaturated hydrocarbon group, C2-C5 is preferable, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.

脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。   The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The number of carbon atoms is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. Specifically, for example, a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane; a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Can be mentioned. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.

において、前記脂肪族基は置換基として芳香族基を有していてもよい。
芳香族基としては、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いたアリール基;これらのアリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。
これらの芳香族基は、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数が1〜4であることがさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。該ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子などが挙げられ、フッ素原子であることが好ましい。
なお、化合物(1−1)におけるRが芳香族基であると、つまりRに隣接する酸素原子が、脂肪族基を介さずに直接芳香環に結合していると、化合物(1−1)と化合物(1−2)との反応は進行せず、化合物(1−3)は得られない。
In R 2 , the aliphatic group may have an aromatic group as a substituent.
Aromatic groups include aryl groups in which one hydrogen atom has been removed from an aromatic hydrocarbon ring, such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Group; a heteroaryl group in which part of the carbon atoms constituting the ring of these aryl groups is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom;
These aromatic groups may have a substituent such as an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, or a halogen atom. The alkyl group or halogenated alkyl group in the substituent preferably has 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom, and a fluorine atom is preferable.
In addition, when R 2 in the compound (1-1) is an aromatic group, that is, an oxygen atom adjacent to R 2 is directly bonded to an aromatic ring without an aliphatic group, the compound (1- The reaction between 1) and compound (1-2) does not proceed, and compound (1-3) cannot be obtained.

化合物(1−1)、(1−2)はそれぞれ市販のものを用いてもよく、公知の手法を利用して合成してもよい。
たとえば化合物(1−2)は、下記一般式(0−1)で表される化合物(0−1)をアルカリの存在下で加熱し、中和することにより下記一般式(0−2)で表される化合物(0−2)を得る工程(以下、塩形成工程という。)と、
前記化合物(0−2)を、化合物(1−2)よりも酸強度の高い酸の存在下で加熱することにより化合物(1−2)を得る工程(以下、カルボン酸化工程という。)と、を含む方法が挙げられる。
Compounds (1-1) and (1-2) may be commercially available, or may be synthesized using a known method.
For example, the compound (1-2) is a compound represented by the following general formula (0-2) by heating and neutralizing the compound (0-1) represented by the following general formula (0-1) in the presence of an alkali. A step of obtaining the represented compound (0-2) (hereinafter referred to as a salt forming step);
A step of obtaining the compound (1-2) by heating the compound (0-2) in the presence of an acid having a higher acid strength than the compound (1-2) (hereinafter referred to as a carboxyl oxidation step); The method containing is mentioned.

Figure 0005389411
[式中、R01はアルキル基であり、Y、Mは前記と同じである。]
Figure 0005389411
[Wherein R 01 represents an alkyl group, and Y 1 and M + are the same as defined above. ]

01のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
これらの中でも炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
化合物(0−1)としては市販のものを使用できる。
As the alkyl group for R 01, a linear or branched alkyl group is preferable, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group. , A pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and the like.
Among these, a C1-C4 alkyl group is preferable and a methyl group is the most preferable.
A commercially available compound can be used as the compound (0-1).

塩形成工程は、たとえば、化合物(0−1)を溶媒に溶解し、該溶液にアルカリを添加し、加熱することにより実施できる。
溶媒としては、化合物(0−1)を溶解するものであればよく、たとえば水、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
アルカリとしては、式(0−2)中のMに対応するアルカリが用いられ、該アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物が挙げられる。
アルカリの使用量は、化合物(0−1)1モルに対し、1〜5モルが好ましく、2〜4モルがより好ましい。
加熱温度は、20〜120℃程度が好ましく、50〜100℃程度がより好ましい。加熱時間は、加熱温度等によっても異なるが、通常、0.5〜12時間が好ましく、1〜5時間がより好ましい。
The salt forming step can be performed, for example, by dissolving the compound (0-1) in a solvent, adding an alkali to the solution, and heating.
Any solvent may be used as long as it dissolves the compound (0-1), and examples thereof include water and tetrahydrofuran.
As the alkali, an alkali corresponding to M in the formula (0-2) is used, and examples of the alkali include alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, and lithium hydroxide.
1-5 mol is preferable with respect to 1 mol of compounds (0-1), and, as for the usage-amount of an alkali, 2-4 mol is more preferable.
The heating temperature is preferably about 20 to 120 ° C, more preferably about 50 to 100 ° C. Although heating time changes with heating temperature etc., 0.5 to 12 hours are preferable normally and 1 to 5 hours are more preferable.

前記加熱後の中和は、前記加熱後の反応液に塩酸、硫酸、p−トルエンスルホン酸等の酸を添加することにより実施できる。
このとき、中和は、酸添加後の反応液のpH(25℃)が6〜8となるように実施することが好ましい。また、中和時の反応液の温度は、20〜30℃であることが好ましく、23〜27℃であることがより好ましい。
反応終了後、反応液中の化合物(0−2)を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The neutralization after the heating can be carried out by adding an acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, etc. to the reaction solution after the heating.
At this time, the neutralization is preferably performed so that the pH (25 ° C.) of the reaction solution after the acid addition is 6 to 8. Moreover, it is preferable that it is 20-30 degreeC, and, as for the temperature of the reaction liquid at the time of neutralization, it is more preferable that it is 23-27 degreeC.
After completion of the reaction, the compound (0-2) in the reaction solution may be isolated and purified. For isolation and purification, conventionally known methods can be used. For example, concentration, solvent extraction, distillation, crystallization, recrystallization, chromatography and the like can be used alone or in combination of two or more.

カルボン酸化工程では、前記塩形成工程で得た化合物(0−2)を、化合物(1−2)よりも酸強度の高い酸の存在下で加熱することにより該化合物(1−2)を得る。
「化合物(1−2)よりも酸強度の高い酸(以下、単に強酸ということがある。)」とは、化合物(1−2)における−COOHよりも、pKa(25℃)の値が大きい酸を意味する。かかる強酸を用いることにより、化合物(0−2)中の−COOが−COOHとなり、化合物(1−2)が得られる。
強酸としては、公知の酸のなかから、前記化合物(1−2)における−COOHのpKaよりもpKaが大きい酸を適宜選択して用いればよい。化合物(1−2)における−COOHのpKaは、公知の滴定法により求めることができる。
強酸として、具体的には、アリールスルホン酸、アルキルスルホン酸等のスルホン酸、硫酸、塩酸等が挙げられる。アリールスルホン酸としては、たとえばp−トルエンスルホン酸が挙げられる。アルキルスルホン酸としては、たとえばメタンスルホン酸やトリフルオロメタンスルホン酸等が挙げられる。強酸としては、有機溶剤への溶解性や精製のし易さから、特にp−トルエンスルホン酸が好ましい。
In the carboxyl oxidation step, the compound (1-2) is obtained by heating the compound (0-2) obtained in the salt formation step in the presence of an acid having a higher acid strength than the compound (1-2). .
“Acid having higher acid strength than compound (1-2) (hereinafter sometimes simply referred to as strong acid”) has a larger pKa (25 ° C.) value than —COOH in compound (1-2). Means acid. By using such a strong acid, -COO - M + in compound (0-2) becomes -COOH, and compound (1-2) is obtained.
As the strong acid, an acid having a pKa larger than that of —COOH in the compound (1-2) may be appropriately selected from known acids. The pKa of —COOH in the compound (1-2) can be determined by a known titration method.
Specific examples of strong acids include sulfonic acids such as aryl sulfonic acids and alkyl sulfonic acids, sulfuric acid, hydrochloric acid and the like. Examples of the aryl sulfonic acid include p-toluene sulfonic acid. Examples of the alkyl sulfonic acid include methane sulfonic acid and trifluoromethane sulfonic acid. As the strong acid, p-toluenesulfonic acid is particularly preferable because of its solubility in an organic solvent and ease of purification.

カルボン酸化工程は、たとえば化合物(0−2)を溶媒に溶解し、酸を添加して加熱することにより実施できる。
溶媒としては、化合物(0−2)を溶解するものであればよく、たとえばアセトニトリル、メチルエチルケトン等が挙げられる。
強酸の使用量は、化合物(0−2)1モルに対し、0.5〜3モルが好ましく、1〜2モルがより好ましい。
加熱温度は、20〜150℃程度が好ましく、50〜120℃程度がより好ましい。加熱時間は、加熱温度等によっても異なるが、通常、0.5〜12時間が好ましく、1〜5時間がより好ましい。
反応終了後、反応液中の化合物(1−2)を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The carboxylation step can be performed, for example, by dissolving compound (0-2) in a solvent, adding an acid and heating.
Any solvent may be used as long as it dissolves the compound (0-2), and examples thereof include acetonitrile and methyl ethyl ketone.
0.5-3 mol is preferable with respect to 1 mol of compounds (0-2), and, as for the usage-amount of a strong acid, 1-2 mol is more preferable.
The heating temperature is preferably about 20 to 150 ° C, more preferably about 50 to 120 ° C. Although heating time changes with heating temperature etc., 0.5 to 12 hours are preferable normally and 1 to 5 hours are more preferable.
After completion of the reaction, the compound (1-2) in the reaction solution may be isolated and purified. For isolation and purification, conventionally known methods can be used. For example, concentration, solvent extraction, distillation, crystallization, recrystallization, chromatography and the like can be used alone or in combination of two or more.

また、化合物(1−3)におけるVが前記置換アンモニウムイオンである場合、当該化合物(下記一般式(1−3”)で表される化合物(1−3”))は、たとえば前記化合物(1−3’)と、アンモニウム塩とを反応させることにより製造できる。 When V + in the compound (1-3) is the substituted ammonium ion, the compound (the compound (1-3 ″) represented by the following general formula (1-3 ″)) is, for example, the compound ( It can be produced by reacting 1-3 ′) with an ammonium salt.

Figure 0005389411
[式中、R、Y、R〜Rはそれぞれ前記と同じである。]
Figure 0005389411
[Wherein, R 1 , Y 1 and R 3 to R 6 are the same as defined above. ]

このとき用いるアンモニウム塩としては、上述したアルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、及び芳香族アミンの塩酸塩または臭酸塩などが挙げられる。
反応は、たとえば、化合物(1−3’)と、アンモニウム塩とを、水、ジクロロメタン、アセトニトリル、メタノール、クロロホルム等の溶媒に溶解し、撹拌する等により反応させることができる。
反応温度は、0℃〜150℃程度が好ましく、0℃〜100℃程度がより好ましい。反応時間は、化合物(1−3’)およびアンモニウム塩の反応性や反応温度等によっても異なるが、通常、0.5〜10時間が好ましく、1〜5時間がより好ましい。
Examples of the ammonium salt used at this time include the above-mentioned alkylamines, dialkylamines, trialkylamines, and hydrochlorides or odorates of aromatic amines.
For example, the compound (1-3 ′) and ammonium salt can be reacted in a solvent such as water, dichloromethane, acetonitrile, methanol, chloroform and the like by stirring and the like.
The reaction temperature is preferably about 0 ° C to 150 ° C, more preferably about 0 ° C to 100 ° C. The reaction time varies depending on the reactivity of the compound (1-3 ′) and ammonium salt, the reaction temperature, and the like, but usually 0.5 to 10 hours is preferable, and 1 to 5 hours is more preferable.

化合物(1−3)と化合物(2−1)とを反応させる方法としては、特に限定されないが、たとえば、反応溶媒中で、化合物(1−3)および化合物(2−1)を接触させる方法が挙げられる。該方法は、たとえば、塩基の存在下、化合物(1−3)が反応溶媒に溶解した溶液に、化合物(2−1)を添加することにより実施できる。
反応溶媒としては、原料である化合物(1−3)および化合物(2−1)を溶解できるものであればよく、具体的には、テトラヒドロフラン(THF)、アセトン、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリル等が挙げられる。
塩基としては、たとえばトリエチルアミン、4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、ピリジン等の有機塩基;水素化ナトリウム、KCO、CsCO等の無機塩基等が挙げられる。
化合物(2−1)の添加量は、化合物(1−3)に対し、およそ1〜3当量が好ましく、1〜2当量がより好ましい。
反応温度は、−20〜40℃が好ましく、0〜30℃がより好ましい。反応時間は、化合物(1−3)および化合物(2−1)の反応性や反応温度等によっても異なるが、通常、1〜120時間が好ましく、1〜48時間がより好ましい。
The method of reacting the compound (1-3) and the compound (2-1) is not particularly limited. For example, the method of contacting the compound (1-3) and the compound (2-1) in a reaction solvent. Is mentioned. The method can be carried out, for example, by adding the compound (2-1) to a solution in which the compound (1-3) is dissolved in the reaction solvent in the presence of a base.
Any reaction solvent may be used as long as it can dissolve the starting compounds (1-3) and (2-1). Specifically, tetrahydrofuran (THF), acetone, dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide , Dimethyl sulfoxide (DMSO), acetonitrile and the like.
Examples of the base include organic bases such as triethylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP) and pyridine; inorganic bases such as sodium hydride, K 2 CO 3 and Cs 2 CO 3 .
About 1-3 equivalent is preferable with respect to compound (1-3), and, as for the addition amount of a compound (2-1), 1-2 equivalent is more preferable.
The reaction temperature is preferably -20 to 40 ° C, more preferably 0 to 30 ° C. Although reaction time changes also with the reactivity, reaction temperature, etc. of a compound (1-3) and a compound (2-1), 1-120 hours are preferable normally and 1-48 hours are more preferable.

また、化合物(b0−1)におけるWが前記置換アンモニウムイオンである場合、当該化合物(下記一般式(b0−1’)で表される化合物(b0−1’))は、たとえば、前記化合物(1−3’)と、前記化合物(2−1)と、アミンまたはアンモニウム塩とを同時に反応させる方法によっても製造できる。 When W + in compound (b0-1) is the substituted ammonium ion, the compound (compound (b0-1 ′) represented by the following general formula (b0-1 ′)) is, for example, the compound It can also be produced by a method in which (1-3 ′), the compound (2-1), and an amine or ammonium salt are simultaneously reacted.

Figure 0005389411
[式中、R、R、Y、W、X21はそれぞれ前記と同じである。]
Figure 0005389411
[Wherein, R N , R 1 , Y 1 , W + and X 21 are the same as defined above. ]

前記化合物(1−3’)と、前記化合物(2−1)と、アミンまたはアンモニウム塩とは、前記化合物(1−3)と前記化合物(2−1)とを反応させる場合と同様にして反応させることができる。
このとき用いるアミンとしては、上述したアルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、及び芳香族アミンなどが挙げられ、アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる(テトラアルキルアンモニウムにおけるアルキル基としては、それぞれ独立して炭素数1〜4のアルキル基である)。
The compound (1-3 ′), the compound (2-1), and the amine or ammonium salt are the same as in the case of reacting the compound (1-3) and the compound (2-1). Can be reacted.
Examples of the amine used at this time include the above-described alkylamines, dialkylamines, trialkylamines, and aromatic amines. Examples of ammonium salts include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and tetrabutylammonium hydroxide. (The alkyl groups in tetraalkylammonium are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).

上記製造方法において、前記化合物(1−3”)、化合物(b0−1’)等の置換アンモニウム塩は、本発明の化合物(b1−1)を製造する際の中間体としての有用性が高い。つまり、カチオン部がN(R)(R)(R)(R)であることにより、当該化合物を水洗により容易に精製でき、最終生成物の純度向上が期待できる。たとえばカチオン部がアルカリ金属イオンでは、水洗による精製は、当該化合物が溶解してしまうため困難である。
したがって、本発明の製造方法において、化合物(b1−1)は、カチオン部に前記置換アンモニウムイオンを有する中間体から製造されることが好ましい。
In the above production method, substituted ammonium salts such as the compound (1-3 ″) and the compound (b0-1 ′) are highly useful as intermediates in producing the compound (b1-1) of the present invention. That is, when the cation part is N + (R 3 ) (R 4 ) (R 5 ) (R 6 ), the compound can be easily purified by washing with water, and an improvement in the purity of the final product can be expected. When the cation is an alkali metal ion, purification by washing with water is difficult because the compound dissolves.
Therefore, in the production method of the present invention, the compound (b1-1) is preferably produced from an intermediate having the substituted ammonium ion in the cation moiety.

化合物(b0−1)と、化合物(b0−2)との反応は、従来公知の塩置換方法と同様にして実施できる。たとえば、化合物(b0−1)と、化合物(b0−2)とを、水、ジクロロメタン、アセトニトリル、メタノール、クロロホルム等の溶媒に溶解し、撹拌する等により反応させることができる。
反応温度は、0℃〜150℃程度が好ましく、0℃〜100℃程度がより好ましい。反応時間は、化合物(b0−1)および化合物(b0−2)の反応性や反応温度等によっても異なるが、通常、0.5〜10時間が好ましく、1〜5時間がより好ましい。
The reaction of compound (b0-1) and compound (b0-2) can be carried out in the same manner as in a conventionally known salt substitution method. For example, the compound (b0-1) and the compound (b0-2) can be reacted by dissolving them in a solvent such as water, dichloromethane, acetonitrile, methanol, chloroform, and stirring.
The reaction temperature is preferably about 0 ° C to 150 ° C, more preferably about 0 ° C to 100 ° C. The reaction time varies depending on the reactivity of the compound (b0-1) and the compound (b0-2), the reaction temperature, and the like, but usually 0.5 to 10 hours is preferable, and 1 to 5 hours is more preferable.

反応終了後、反応液中の化合物(b1−1)を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
得られた化合物(b1−1)の構造は、H−核磁気共鳴(NMR)スペクトル法、13C−NMRスペクトル法、19F−NMRスペクトル法、赤外線吸収(IR)スペクトル法、質量分析(MS)法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。
After completion of the reaction, the compound (b1-1) in the reaction solution may be isolated and purified. For isolation and purification, conventionally known methods can be used. For example, concentration, solvent extraction, distillation, crystallization, recrystallization, chromatography and the like can be used alone or in combination of two or more.
The structure of the obtained compound (b1-1) is 1 H-nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum method, 13 C-NMR spectrum method, 19 F-NMR spectrum method, infrared absorption (IR) spectrum method, mass spectrometry ( MS) method, elemental analysis method, X-ray crystal diffraction method and other general organic analysis methods.

≪酸発生剤≫
本発明の第七の態様である酸発生剤は、前記本発明の化合物(b1−1)からなるものである。
該酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤、たとえば後述する本発明の第一の態様のレジスト組成物の酸発生剤成分(B)として有用である。
≪Acid generator≫
The acid generator according to the seventh aspect of the present invention is composed of the compound (b1-1) of the present invention.
The acid generator is useful as an acid generator for a chemically amplified resist composition, for example, an acid generator component (B) of a resist composition according to the first aspect of the present invention described later.

≪レジスト組成物≫
本発明の第一の態様であるレジスト組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)(以下、(A)成分という。)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下、(B)成分という。)を含有し、前記酸発生剤成分(B)が、前記本発明の化合物(b1−1)からなる酸発生剤(B1)を含む。
≪Resist composition≫
The resist composition according to the first embodiment of the present invention comprises a base material component (A) whose solubility in an alkaline developer is changed by the action of an acid (hereinafter referred to as “component (A)”), and an acid generated upon exposure. Acid generator component (B) (hereinafter referred to as component (B)), wherein the acid generator component (B) comprises the compound (b1-1) of the present invention. including.

かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、(B)成分から酸が発生し、該酸が(A)成分のアルカリ現像液に対する溶解性を変化させる。その結果、当該レジスト膜の露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部はアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないため、アルカリ現像により、ポジ型の場合は露光部が、ネガ型の場合は未露光部が溶解除去され、レジストパターンが形成される。
本発明のレジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物であってもよい。
When a resist film formed using such a resist composition is selectively exposed at the time of resist pattern formation, an acid is generated from the component (B), and the acid has a solubility in the alkaline developer of the component (A). Change. As a result, while the solubility of the exposed portion of the resist film in the alkaline developer changes, the unexposed portion does not change the solubility in the alkaline developer. In the case of the negative type, the unexposed part is dissolved and removed, and a resist pattern is formed.
The resist composition of the present invention may be a negative resist composition or a positive resist composition.

<(A)成分>
(A)成分としては、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている有機化合物を1種単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。
ここで、「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。
前記分子量が500以上の有機化合物は、分子量が500以上2000未満の低分子量の有機化合物(以下、低分子化合物という。)と、分子量が2000以上の高分子量の樹脂(高分子材料)とに大別される。前記低分子化合物としては、通常、非重合体が用いられる。樹脂(重合体、共重合体)の場合は、「分子量」としてGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、単に「樹脂」という場合は、分子量が2000以上の樹脂を示すものとする。
(A)成分としては、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂を用いることができ、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する低分子材料を用いることもできる。
<(A) component>
As the component (A), organic compounds that are usually used as base material components for chemically amplified resists can be used singly or in combination of two or more.
Here, the “base material component” is an organic compound having a film forming ability, and an organic compound having a molecular weight of 500 or more is preferably used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved and a nano-level resist pattern is easily formed.
The organic compound having a molecular weight of 500 or more is largely classified into a low molecular weight organic compound having a molecular weight of 500 or more and less than 2000 (hereinafter referred to as a low molecular compound) and a high molecular weight resin having a molecular weight of 2000 or more (polymer material). Separated. As the low molecular weight compound, a non-polymer is usually used. In the case of a resin (polymer, copolymer), a polystyrene-reduced mass average molecular weight by GPC (gel permeation chromatography) is used as the “molecular weight”. Hereinafter, the term “resin” refers to a resin having a molecular weight of 2000 or more.
As the component (A), a resin whose alkali solubility is changed by the action of an acid can be used, and a low molecular weight material whose alkali solubility is changed by the action of an acid can also be used.

本発明のレジスト組成物がネガ型レジスト組成物である場合、(A)成分としてはアルカリ現像液に可溶性の基材成分が用いられ、さらに当該ネガ型レジスト組成物に架橋剤が配合される。
かかるネガ型レジスト組成物は、露光により(B)成分から酸が発生すると、当該酸が作用して基材成分と架橋剤との間で架橋が起こり、アルカリ現像液に対して難溶性へ変化する。そのため、レジストパターンの形成において、当該ネガ型レジスト組成物を基板上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりレジストパターンが形成できる。
ネガ型レジスト組成物の(A)成分としては、通常、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂(以下、アルカリ可溶性樹脂という。)が用いられる。
アルカリ可溶性樹脂としては、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸、またはα−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸の低級アルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。なお、α−(ヒドロキシアルキル)アクリル酸は、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基(好ましくは炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基)が結合しているα−ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。
架橋剤としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤を用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1〜50質量部であることが好ましい。
When the resist composition of the present invention is a negative resist composition, as the component (A), a base material component that is soluble in an alkali developer is used, and a crosslinking agent is further added to the negative resist composition.
In such a negative resist composition, when an acid is generated from the component (B) by exposure, the acid acts to cause crosslinking between the base material component and the crosslinking agent, resulting in poor solubility in an alkali developer. To do. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist film obtained by applying the negative resist composition on the substrate is selectively exposed, the exposed portion turns into poorly soluble in an alkaline developer, while unexposed. Since the portion remains soluble in the alkali developer and does not change, a resist pattern can be formed by alkali development.
As the component (A) of the negative resist composition, a resin that is soluble in an alkali developer (hereinafter referred to as an alkali-soluble resin) is usually used.
As the alkali-soluble resin, a resin having a unit derived from at least one selected from α- (hydroxyalkyl) acrylic acid or a lower alkyl ester of α- (hydroxyalkyl) acrylic acid is a good resist with little swelling. A pattern can be formed, which is preferable. Α- (Hydroxyalkyl) acrylic acid includes acrylic acid in which a hydrogen atom is bonded to the α-position carbon atom to which the carboxy group is bonded, and a hydroxyalkyl group (preferably having 1 carbon atom) in the α-position carbon atom. One or both of [alpha] -hydroxyalkylacrylic acids to which (5) hydroxyalkyl groups) are attached.
As the crosslinking agent, for example, it is usually preferable to use an amino crosslinking agent such as glycoluril having a methylol group or an alkoxymethyl group because a good resist pattern with less swelling can be formed. It is preferable that the compounding quantity of a crosslinking agent is 1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of alkali-soluble resin.

本発明のレジスト組成物がポジ型レジスト組成物である場合、(A)成分としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分が用いられる。該(A)成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光により前記(B)成分から酸が発生すると、該酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該ポジ型レジスト組成物を基板上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は、アルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりレジストパターンが形成できる。   When the resist composition of the present invention is a positive resist composition, as the component (A), a base material component whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid is used. The component (A) is hardly soluble in an alkali developer before exposure. When an acid is generated from the component (B) by exposure, the solubility in the alkali developer is increased by the action of the acid. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist film obtained by applying the positive resist composition on the substrate is selectively exposed, the exposed portion changes from poorly soluble to soluble in an alkaline developer. On the other hand, since the unexposed portion remains hardly soluble in alkali and does not change, a resist pattern can be formed by alkali development.

本発明のレジスト組成物において、(A)成分は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分であることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であることが好ましい。
該(A)成分は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A1)(以下、(A1)成分ということがある。)であってもよく、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する低分子化合物(A2)(以下、(A2)成分ということがある。)であってもよく、これらの混合物であってもよい。なかでも、該(A)成分が、(A1)成分を含むことが好ましい。
In the resist composition of the present invention, the component (A) is preferably a base material component whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid. That is, the resist composition of the present invention is preferably a positive resist composition.
The component (A) may be a resin component (A1) (hereinafter also referred to as component (A1)) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid. It may be a low molecular compound (A2) (hereinafter sometimes referred to as the component (A2)) whose solubility in a liquid is increased, or a mixture thereof. Especially, it is preferable that this (A) component contains (A1) component.

[(A1)成分]
(A1)成分としては、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている樹脂成分(ベース樹脂)を1種単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。
本態様において、(A1)成分としては、アクリル酸エステルから誘導される構成単位を含有するものが好ましい。
ここで、本明細書および特許請求の範囲において、「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸エステルのほか、α位の炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合しているものも含む概念とする。置換基としては、低級アルキル基、ハロゲン化低級アルキル基等が挙げられる。
なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。
アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としての低級アルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの低級の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
また、ハロゲン化低級アルキル基として、具体的には、上記「α位の置換基としての低級アルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
本発明において、アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であることが好ましく、水素原子、低級アルキル基またはフッ素化低級アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。
[(A1) component]
As the component (A1), resin components (base resins) that are usually used as base components for chemically amplified resists can be used alone or in combination of two or more.
In this embodiment, the component (A1) preferably contains a structural unit derived from an acrylate ester.
Here, in the present specification and claims, the “structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
“Acrylic acid esters” include those in which a hydrogen atom is bonded to the carbon atom at the α-position, and those in which a substituent (atom or group other than a hydrogen atom) is bonded to the carbon atom in the α-position. Include concepts. Examples of the substituent include a lower alkyl group and a halogenated lower alkyl group.
Note that the α-position (α-position carbon atom) of a structural unit derived from an acrylate ester means a carbon atom to which a carbonyl group is bonded, unless otherwise specified.
In the acrylate ester, as the lower alkyl group as a substituent at the α-position, specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, Examples include lower linear or branched alkyl groups such as isopentyl group and neopentyl group.
Specific examples of the halogenated lower alkyl group include groups in which part or all of the hydrogen atoms in the above-mentioned “lower alkyl group as a substituent at the α-position” are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
In the present invention, the α-position of the acrylate ester is preferably a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, and is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a fluorinated lower alkyl group. In view of industrial availability, a hydrogen atom or a methyl group is most preferable.

(A1)成分は、特に、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有することが好ましい。
また、(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有することが好ましい。
また、(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、または構成単位(a1)および(a2)に加えて、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a3)を有することが好ましい。
The component (A1) particularly preferably has a structural unit (a1) derived from an acrylate ester containing an acid dissociable, dissolution inhibiting group.
In addition to the structural unit (a1), the component (A1) preferably further has a structural unit (a2) derived from an acrylate ester containing a lactone-containing cyclic group.
The component (A1) is derived from an acrylate ester containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group in addition to the structural unit (a1) or in addition to the structural units (a1) and (a2). It is preferable to have a structural unit (a3).

・構成単位(a1)
構成単位(a1)における酸解離性溶解抑制基は、解離前は(A1)成分全体をアルカリ現像液に対して難溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、酸により解離してこの(A1)成分全体のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるものであり、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性溶解抑制基として提案されているものを使用することができる。一般的には、(メタ)アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性溶解抑制基などが広く知られている。
・ Structural unit (a1)
The acid dissociable, dissolution inhibiting group in the structural unit (a1) has an alkali dissolution inhibiting property that makes the entire component (A1) difficult to dissolve in an alkali developer before dissociation, and dissociates with an acid. This increases the solubility of the entire component in an alkaline developer, and those that have been proposed as acid dissociable, dissolution inhibiting groups for base resins for chemically amplified resists can be used. In general, a group that forms a cyclic or chain tertiary alkyl ester with a carboxy group in (meth) acrylic acid or the like; an acetal-type acid dissociable, dissolution inhibiting group such as an alkoxyalkyl group is widely known. .

ここで、「第3級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基(−C(O)−O−)の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断される。
なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基」という。
第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基、脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基が挙げられる。
Here, the “tertiary alkyl ester” is an ester formed by replacing a hydrogen atom of a carboxy group with a chain or cyclic alkyl group, and the carbonyloxy group (—C (O)). A structure in which the tertiary carbon atom of the chain or cyclic alkyl group is bonded to the terminal oxygen atom of -O-). In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, a bond is cut between an oxygen atom and a tertiary carbon atom.
The chain or cyclic alkyl group may have a substituent.
Hereinafter, a group that is acid dissociable by constituting a carboxy group and a tertiary alkyl ester is referred to as a “tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group” for convenience.
Examples of the tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group include an aliphatic branched acid dissociable, dissolution inhibiting group and an acid dissociable, dissolution inhibiting group containing an aliphatic cyclic group.

「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。
「脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基」の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性溶解抑制基としては、炭素数4〜8の第3級アルキル基が好ましく、具体的にはtert−ブチル基、tert−ペンチル基、tert−ヘプチル基等が挙げられる。
“Aliphatic branched” means having a branched structure having no aromaticity.
The structure of the “aliphatic branched acid dissociable, dissolution inhibiting group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
As the aliphatic branched acid dissociable, dissolution inhibiting group, a tertiary alkyl group having 4 to 8 carbon atoms is preferable, and specific examples include a tert-butyl group, a tert-pentyl group, and a tert-heptyl group. .

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。
構成単位(a1)における「脂肪族環式基」は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
「脂肪族環式基」の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。「脂肪族環式基」は、多環式基であることが好ましい。
脂肪族環式基としては、例えば、低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
The “aliphatic cyclic group” means a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity.
The “aliphatic cyclic group” in the structural unit (a1) may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.
The basic ring structure excluding the substituent of the “aliphatic cyclic group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated. The “aliphatic cyclic group” is preferably a polycyclic group.
Examples of the aliphatic cyclic group include monocycloalkanes, bicycloalkanes, tricycloalkanes, tetracycloalkanes which may or may not be substituted with a lower alkyl group, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. And groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane. More specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. .

脂肪族環式基を含有する酸解離性溶解抑制基としては、例えば環状のアルキル基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基を挙げることができ、具体的には2−メチル−2−アダマンチル基や、2−エチル−2−アダマンチル基等が挙げられる。あるいは、下記一般式(a1”−1)〜(a1”−6)で示す構成単位において、カルボニルオキシ基(−C(O)−O−)の酸素原子に結合した基の様に、アダマンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基等の脂肪族環式基と、これに結合する、第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基が挙げられる。   Examples of the acid dissociable, dissolution inhibiting group containing an aliphatic cyclic group include a group having a tertiary carbon atom on the ring skeleton of a cyclic alkyl group. Specifically, 2-methyl-2 -Adamantyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, etc. are mentioned. Alternatively, in the structural units represented by the following general formulas (a1 ″ -1) to (a1 ″ -6), an adamantyl group such as a group bonded to an oxygen atom of a carbonyloxy group (—C (O) —O—) An aliphatic cyclic group such as a cyclohexyl group, a cyclopentyl group, a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, or a tetracyclododecanyl group, and a branched alkylene group having a tertiary carbon atom bonded thereto. Groups.

Figure 0005389411
[式中、Rは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;R15、R16はアルキル基(直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、好ましくは炭素数1〜5である)を示す。]
Figure 0005389411
[Wherein, R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group; R 15 and R 16 each represents an alkyl group (which may be linear or branched, and preferably has 1 to 5 carbon atoms. Is). ]

一般式(a1”−1)〜(a1”−6)において、Rの低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基は、上記アクリル酸エステルのα位に結合していてよい低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基と同様である。   In the general formulas (a1 ″ -1) to (a1 ″ -6), the lower alkyl group or halogenated lower alkyl group of R is a lower alkyl group or halogenated lower alkyl which may be bonded to the α-position of the acrylate ester. It is the same as the alkyl group.

「アセタール型酸解離性溶解抑制基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のアルカリ可溶性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性溶解抑制基と、当該アセタール型酸解離性溶解抑制基が結合した酸素原子との間で結合が切断される。
アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、たとえば、下記一般式(p1)で表される基が挙げられる。
The “acetal acid dissociable, dissolution inhibiting group” is generally bonded to an oxygen atom by substituting a hydrogen atom at the terminal of an alkali-soluble group such as a carboxy group or a hydroxyl group. When an acid is generated by exposure, the acid acts to break the bond between the acetal acid dissociable, dissolution inhibiting group and the oxygen atom to which the acetal acid dissociable, dissolution inhibiting group is bonded.
Examples of the acetal type acid dissociable, dissolution inhibiting group include a group represented by the following general formula (p1).

Figure 0005389411
[式中、R’,R’はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を表し、nは0〜3の整数を表し、Yは低級アルキル基または脂肪族環式基を表す。]
Figure 0005389411
[Wherein, R 1 ′ and R 2 ′ each independently represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, n represents an integer of 0 to 3, and Y represents a lower alkyl group or an aliphatic cyclic group. ]

上記式中、nは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。
’,R’の低級アルキル基としては、上記Rの低級アルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、R’,R’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性溶解抑制基(p1)が、下記一般式(p1−1)で表される基であることが好ましい。
In the above formula, n is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
Examples of the lower alkyl group for R 1 ′ and R 2 ′ include the same lower alkyl groups as those described above for R. A methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is most preferable.
In the present invention, it is preferable that at least one of R 1 ′ and R 2 ′ is a hydrogen atom. That is, the acid dissociable, dissolution inhibiting group (p1) is preferably a group represented by the following general formula (p1-1).

Figure 0005389411
[式中、R’、n、Yは上記と同様である。]
Figure 0005389411
[Wherein R 1 ′, n and Y are the same as described above. ]

Yの低級アルキル基としては、上記Rの低級アルキル基と同様のものが挙げられる。
Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基」と同様のものが例示できる。
Examples of the lower alkyl group for Y include the same lower alkyl groups as those described above for R.
The aliphatic cyclic group for Y can be appropriately selected from monocyclic or polycyclic aliphatic cyclic groups that have been proposed in a number of conventional ArF resists. For example, the above “aliphatic ring” Examples thereof are the same as those in the formula group.

また、アセタール型酸解離性溶解抑制基としては、下記一般式(p2)で示される基も挙げられる。   Examples of the acetal type acid dissociable, dissolution inhibiting group also include a group represented by the following general formula (p2).

Figure 0005389411
[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり、R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であって、R17の末端とR19の末端とが結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005389411
[Wherein, R 17 and R 18 each independently represent a linear or branched alkyl group or a hydrogen atom, and R 19 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. Alternatively, R 17 and R 19 may be each independently a linear or branched alkylene group, and the end of R 17 and the end of R 19 may be bonded to form a ring. ]

17、R18において、アルキル基の炭素数は好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
特に、R17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
19は、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1〜5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
19が環状の場合は炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式においては、R17及びR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基(好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基)であってR19の末端とR17の末端とが結合していてもよい。
この場合、R17とR19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
In R 17 and R 18 , the alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
In particular, it is preferable that one of R 17 and R 18 is a hydrogen atom and the other is a methyl group.
R 19 is a linear, branched or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 15 carbon atoms, and may be any of linear, branched or cyclic.
When R 19 is linear or branched, it preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably an ethyl group.
When R 19 is cyclic, it preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, one or more polycycloalkanes such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, are included. Examples include a group excluding a hydrogen atom. Specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
In the above formula, R 17 and R 19 are each independently a linear or branched alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms), and the end of R 19 and the end of R 17 And may be combined.
In this case, a cyclic group is formed by R 17 , R 19 , the oxygen atom to which R 19 is bonded, and the carbon atom to which the oxygen atom and R 17 are bonded. The cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.

構成単位(a1)としては、下記一般式(a1−0−1)で表される構成単位および下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上を用いることが好ましい。   As the structural unit (a1), one or more selected from the group consisting of structural units represented by the following general formula (a1-0-1) and structural units represented by the following general formula (a1-0-2): Is preferably used.

Figure 0005389411
[式中、Rは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;Xは酸解離性溶解抑制基を示す。]
Figure 0005389411
[Wherein, R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group; and X 1 represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group. ]

Figure 0005389411
[式中、Rは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し;Xは酸解離性溶解抑制基を示し;Yはアルキレン基または脂肪族環式基を示す。]
Figure 0005389411
[Wherein, R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group; X 2 represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group; Y 2 represents an alkylene group or an aliphatic cyclic group. ]

一般式(a1−0−1)において、Rの低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基は、上記アクリル酸エステルのα位に結合していてよい低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基と同様である。
は、酸解離性溶解抑制基であれば特に限定されることはなく、例えば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基、アセタール型酸解離性溶解抑制基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基が好ましい。
In general formula (a1-0-1), the lower alkyl group or halogenated lower alkyl group for R is the same as the lower alkyl group or halogenated lower alkyl group that may be bonded to the α-position of the acrylate ester. .
X 1 is not particularly limited as long as it is an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and examples thereof include the above-described tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group and acetal type acid dissociable, dissolution inhibiting group. And tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting groups are preferred.

一般式(a1−0−2)において、Rは、上記と同様である。
は、式(a1−0−1)中のXと同様である。
は、好ましくは炭素数1〜10のアルキレン基、又は2価の脂肪族環式基であり、該脂肪族環式基としては、水素原子が2個以上除かれた基が用いられること以外は前記「脂肪族環式基」の説明と同様のものを用いることができる。
が炭素数1〜10のアルキレン基である場合、炭素数1〜6であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが特に好ましく、炭素数1〜3であることが最も好ましい。
が2価の脂肪族環式基である場合、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから水素原子が二個以上除かれた基であることが特に好ましい。
In general formula (a1-0-2), R is the same as defined above.
X 2 is the same as X 1 in formula (a1-0-1).
Y 2 is preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a divalent aliphatic cyclic group, and a group in which two or more hydrogen atoms are removed is used as the aliphatic cyclic group. Except for the above, the same “aliphatic cyclic group” as described above can be used.
When Y 2 is an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, it is more preferably 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms. .
When Y 2 is a divalent aliphatic cyclic group, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from cyclopentane, cyclohexane, norbornane, isobornane, adamantane, tricyclodecane, or tetracyclododecane is particularly preferable. .

構成単位(a1)として、より具体的には、下記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位が挙げられる。   More specifically, examples of the structural unit (a1) include structural units represented by the following general formulas (a1-1) to (a1-4).

Figure 0005389411
[式中、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基を表し、Yは炭素数1〜5の低級アルキル基、または脂肪族環式基を表し;nは0〜3の整数を表し;Yはアルキレン基または脂肪族環式基を表し;Rは前記と同じであり、R’、R’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1〜5の低級アルキル基を表す。]
Figure 0005389411
[Wherein, X ′ represents a tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group, Y represents a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or an aliphatic cyclic group; n represents an integer of 0 to 3] Y 2 represents an alkylene group or an aliphatic cyclic group; R is the same as defined above, and R 1 ′ and R 2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Represent. ]

式中、X’は前記Xにおいて例示した第3級アルキルエステル型酸解離性溶解抑制基と同様のものが挙げられる。
’、R’、n、Yとしては、それぞれ、上述の「アセタール型酸解離性溶解抑制基」の説明において挙げた一般式(p1)におけるR’、R’、n、Yと同様のものが挙げられる。
としては、上述の一般式(a1−0−2)におけるYと同様のものが挙げられる。
Wherein, X 'include those of the same tertiary alkyl ester-type acid dissociable, dissolution inhibiting groups as those described above for X 1.
R 1 ', R 2', n, as the Y, respectively, R 1 in the general formula listed in the description of "acetal-type acid dissociable, dissolution inhibiting group" described above (p1) ', R 2' , n, Y The same thing is mentioned.
The Y 2, the same groups as those described above for Y 2 in the general formula (a1-0-2).

以下に、上記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位の具体例を示す。   Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a1-1) to (a1-4) are shown below.

Figure 0005389411
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Figure 0005389411
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Figure 0005389411
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構成単位(a1)としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記の中でも、一般式(a1−1)で表される構成単位が好ましく、具体的には(a1−1−1)〜(a1−1−6)および(a1−1−35)〜(a1−1−41)からなる群から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。
さらに、構成単位(a1)としては、特に式(a1−1−1)〜式(a1−1−4)の構成単位を包括する下記一般式(a1−1−01)で表されるものや、式(a1−1−35)〜(a1−1−41)の構成単位を包括する下記一般式(a1−1−02)も好ましい。
As the structural unit (a1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Among the above, the structural unit represented by the general formula (a1-1) is preferable, and specifically, (a1-1-1) to (a1-1-6) and (a1-1-35) to (a1). More preferably, at least one selected from the group consisting of -1-41) is used.
Furthermore, as the structural unit (a1), in particular, those represented by the following general formula (a1-1-01) including the structural units of the formulas (a1-1-1) to (a1-1-4) The following general formula (a1-1-02) including the structural units of formulas (a1-1-35) to (a1-1-41) is also preferable.

Figure 0005389411
(式中、Rは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し、R11は低級アルキル基を示す。)
Figure 0005389411
(In the formula, R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, and R 11 represents a lower alkyl group.)

Figure 0005389411
(式中、Rは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を示し、R12は低級アルキル基を示す。hは1〜3の整数を表す。)
Figure 0005389411
(In the formula, R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, R 12 represents a lower alkyl group, and h represents an integer of 1 to 3.)

一般式(a1−1−01)において、Rについては上記と同様である。
11の低級アルキル基は、Rにおける低級アルキル基と同様であり、メチル基またはエチル基が好ましい。
一般式(a1−1−02)において、Rについては上記と同様である。
12の低級アルキル基はRにおける低級アルキル基と同様であり、メチル基又はエチル基が好ましく、エチル基が最も好ましい。hは1または2が好ましく、2が最も好ましい。
In general formula (a1-1-01), R is the same as defined above.
The lower alkyl group for R 11 is the same as the lower alkyl group for R, and is preferably a methyl group or an ethyl group.
In general formula (a1-1-02), R is the same as defined above.
The lower alkyl group for R 12 is the same as the lower alkyl group for R, preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably an ethyl group. h is preferably 1 or 2, and most preferably 2.

構成単位(a1)としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A1)成分中、構成単位(a1)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位に対し、10〜80モル%が好ましく、20〜70モル%がより好ましく、25〜50モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。
As the structural unit (a1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a1) is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 20 to 70 mol%, more preferably 25 to 50 mol%, based on all structural units constituting the component (A1). Is more preferable. By setting it to the lower limit value or more, a pattern can be easily obtained when the resist composition is used, and by setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.

・構成単位(a2)
構成単位(a2)は、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
ここで、ラクトン含有環式基とは、−O−C(O)−構造を含むひとつの環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつの目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
構成単位(a2)のラクトン環式基は、高分子化合物(A1)をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めたり、水を含有する現像液との親和性を高めたりするうえで有効なものである。
・ Structural unit (a2)
The structural unit (a2) is a structural unit derived from an acrylate ester containing a lactone-containing cyclic group.
Here, the lactone-containing cyclic group refers to a cyclic group containing one ring (lactone ring) containing an —O—C (O) — structure. The lactone ring is counted as the first ring, and when it is only the lactone ring, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure.
The lactone cyclic group of the structural unit (a2) has an affinity for a developer containing water or a high-molecular compound (A1) when the polymer film (A1) is used for forming a resist film. It is effective in improving the sex.

構成単位(a2)としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
具体的には、ラクトン含有単環式基としては、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
As the structural unit (a2), any unit can be used without any particular limitation.
Specifically, examples of the lactone-containing monocyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from γ-butyrolactone. Examples of the lactone-containing polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring.

構成単位(a2)の例として、より具体的には、下記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位が挙げられる。   More specifically, examples of the structural unit (a2) include structural units represented by general formulas (a2-1) to (a2-5) shown below.

Figure 0005389411
[式中、Rは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であり、R’は水素原子、低級アルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基または−COOR”であり、前記R”は水素原子、または炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基であり、mは0または1の整数であり、A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。]
Figure 0005389411
[Wherein, R is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, R ′ is a hydrogen atom, a lower alkyl group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or —COOR ″, wherein R ″ is A hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, m is an integer of 0 or 1, and A ″ is a carbon which may contain an oxygen atom or a sulfur atom. It is an alkylene group of formulas 1 to 5, an oxygen atom or a sulfur atom.]

一般式(a2−1)〜(a2−5)におけるRは、前記構成単位(a1)におけるRと同様である。
式中、2個のR’はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
R’の低級アルキル基としては、前記構成単位(a1)におけるRの低級アルキル基と同様のものが挙げられる。
R”が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
一般式(a2−1)〜(a2−5)中、R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
A”の酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基として、具体的には、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基、−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。
以下に、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)の具体的な構成単位を例示する。
R in the general formulas (a2-1) to (a2-5) is the same as R in the structural unit (a1).
In the formula, two R's may be the same or different.
Examples of the lower alkyl group for R ′ include the same as the lower alkyl group for R in the structural unit (a1).
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom or Groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group Specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Is mentioned.
In general formulas (a2-1) to (a2-5), R ′ is preferably a hydrogen atom in view of industrial availability.
Specific examples of the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or sulfur atom of A ″ include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an isopropylene group, —O—CH 2 —. , -CH 2 -O-CH 2 - , - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like.
Below, the specific structural unit of the said general formula (a2-1)-(a2-5) is illustrated.

Figure 0005389411
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Figure 0005389411
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構成単位(a2)としては、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式(a2−1)〜(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましい。なかでも、化学式(a2−1−1)、(a2−1−2)、(a2−2−1)、(a2−2−2)、(a2−2−9)、(a2−2−10)、(a2−3−1)、(a2−3−2)、(a2−3−9)及び(a2−3−10)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。   As the structural unit (a2), at least one selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) is preferable, and the general formulas (a2-1) to ( At least one selected from the group consisting of structural units represented by a2-3) is more preferred. Among them, chemical formulas (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-2-1), (a2-2-2), (a2-2-9), (a2-2-10) ), (A2-3-1), (a2-3-2), (a2-3-9) and (a2-3-10), and at least one selected from the group consisting of structural units represented by preferable.

構成単位(a2)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A1)成分中、構成単位(a2)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、5〜60モル%が好ましく、10〜50モル%がより好ましく、20〜50モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位(a2)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。
As the structural unit (a2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 50 mol%, with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1). 50 mol% is more preferable. By making it the lower limit value or more, the effect of containing the structural unit (a2) can be sufficiently obtained, and by making it the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.

・構成単位(a3)
構成単位(a3)は、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
(A1)成分が構成単位(a3)を有することにより、(A1)成分の親水性が高まり、現像液との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)や、多環式の脂肪族炭化水素基(多環式基)が挙げられる。該多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該多環式基の炭素数は7〜30であることが好ましい。
その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。
・ Structural unit (a3)
The structural unit (a3) is a structural unit derived from an acrylate ester containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.
When the component (A1) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A1) is increased, the affinity with the developer is increased, the alkali solubility in the exposed area is improved, and the resolution is improved. Contributes to improvement.
Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, and a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of an alkyl group is substituted with a fluorine atom. A hydroxyl group is particularly preferable.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group) and a polycyclic aliphatic hydrocarbon group (polycyclic group). It is done. As the polycyclic group, for example, a resin for a resist composition for ArF excimer laser can be appropriately selected from among many proposed ones. The polycyclic group preferably has 7 to 30 carbon atoms.
Among them, a structural unit derived from an acrylate ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or an alkyl group is substituted with a fluorine atom Is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane and the like. Specific examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, there are groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane. Industrially preferable.

構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記式(a3−1)で表される構成単位、(a3−2)で表される構成単位、(a3−3)で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。   The structural unit (a3) is derived from a hydroxyethyl ester of acrylic acid when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. When the hydrocarbon group is a polycyclic group, a structural unit represented by the following formula (a3-1), a structural unit represented by (a3-2), (a3-3) ) Is preferable.

Figure 0005389411
(式中、Rは前記と同じであり、jは1〜3の整数であり、kは1〜3の整数であり、t’は1〜3の整数であり、lは1〜5の整数であり、sは1〜3の整数である。)
Figure 0005389411
(Wherein R is the same as above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t 'is an integer of 1 to 3, and l is an integer of 1 to 5) And s is an integer of 1 to 3.)

式(a3−1)中、jは、1又は2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
jは1であることが好ましく、特に水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
式(a3−2)中、kは1であることが好ましい。シアノ基はノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。
式(a3−3)中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらはアクリル酸のカルボキシ基の末端に2−ノルボルニル基または3−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールはノルボルニル基の5又は6位に結合していることが好ましい。
In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.
j is preferably 1, and a hydroxyl group bonded to the 3rd position of the adamantyl group is particularly preferred.
In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.
In formula (a3-3), t ′ is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. These preferably have a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group bonded to the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

構成単位(a3)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A1)成分中、構成単位(a3)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位に対し、5〜50モル%が好ましく、5〜40モル%がより好ましく、5〜25モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位(a3)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。
As the structural unit (a3), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a3) is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 5 to 40 mol%, and more preferably 5 to 25 mol% with respect to all the structural units constituting the component (A1). Is more preferable. By setting it to the lower limit value or more, the effect of containing the structural unit (a3) can be sufficiently obtained, and by setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.

・構成単位(a4)
(A1)成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位(a1)〜(a3)以外の他の構成単位(a4)を含んでいてもよい。
構成単位(a4)は、上述の構成単位(a1)〜(a3)に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
構成単位(a4)としては、例えば酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位(a1)の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位(a4)として、具体的には、下記一般式(a4−1)〜(a4−5)の構造のものを例示することができる。
・ Structural unit (a4)
The component (A1) may contain other structural units (a4) other than the structural units (a1) to (a3) as long as the effects of the present invention are not impaired.
The structural unit (a4) is not particularly limited as long as it is another structural unit that is not classified into the structural units (a1) to (a3) described above, and is for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably ArF excimer). A number of hitherto known materials can be used for resist resins such as lasers.
As the structural unit (a4), for example, a structural unit derived from an acrylate ester containing a non-acid-dissociable aliphatic polycyclic group is preferable. Examples of the polycyclic group include those exemplified in the case of the structural unit (a1), and for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser). A number of hitherto known materials can be used as the resin component of the resist composition.
In particular, at least one selected from a tricyclodecanyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecanyl group, an isobornyl group, and a norbornyl group is preferable in terms of industrial availability. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
Specific examples of the structural unit (a4) include those represented by the following general formulas (a4-1) to (a4-5).

Figure 0005389411
(式中、Rは前記と同じである。)
Figure 0005389411
(In the formula, R is as defined above.)

かかる構成単位(a4)を(A1)成分に含有させる場合、(A1)成分中の構成単位(a4)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、1〜30モル%が好ましく、10〜20モル%がより好ましい。   When the structural unit (a4) is contained in the component (A1), the proportion of the structural unit (a4) in the component (A1) is 1 to 30 with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1). Mol% is preferable and 10 to 20 mol% is more preferable.

本発明において、(A1)成分は、構成単位(a1)、(a2)および(a3)を有する共重合体を含有することが好ましい。該共重合体としては、構成単位(a1)、(a2)および(a3)からなる共重合体、構成単位(a1)、(a2)、(a3)および(a4)からなる共重合体等が挙げられる。   In the present invention, the component (A1) preferably contains a copolymer having the structural units (a1), (a2) and (a3). Examples of the copolymer include copolymers composed of the structural units (a1), (a2) and (a3), copolymers composed of the structural units (a1), (a2), (a3) and (a4). Can be mentioned.

(A1)成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、(A1)成分には、上記重合の際に、たとえばHS−CH−CH−CH−C(CF−OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−C(CF−OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLER(ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有効である。
The component (A1) can be obtained by polymerizing a monomer for deriving each structural unit by a known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN).
Further, for the component (A1), in the polymerization, a chain transfer agent such as HS—CH 2 —CH 2 —CH 2 —C (CF 3 ) 2 —OH is used in combination, so that the terminal A —C (CF 3 ) 2 —OH group may be introduced into the. As described above, a copolymer introduced with a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom reduces development defects and LER (line edge roughness: uneven unevenness of line side walls). It is effective in reducing

(A1)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではないが、2000〜50000が好ましく、3000〜30000がより好ましく、5000〜20000が最も好ましい。この範囲の上限よりも小さいと、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限よりも大きいと、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、分散度(Mw/Mn)は1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.2〜2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
The mass average molecular weight (Mw) of the component (A1) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography) is not particularly limited, but is preferably 2000 to 50000, more preferably 3000 to 30000, and 5000 to 20000. Most preferred. If it is smaller than the upper limit of this range, there is sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is larger than the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
Further, the dispersity (Mw / Mn) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.2 to 2.5. Mn represents a number average molecular weight.

[(A2)成分]
(A2)成分としては、分子量が500以上2000未満であって、上述の(A1)成分の説明で例示したような酸解離性溶解抑制基と、親水性基とを有する低分子化合物が好ましい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性溶解抑制基で置換されたものが挙げられる。
(A2)成分は、たとえば、非化学増幅型のg線やi線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性溶解抑制基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。
かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、フェノール、m−クレゾール、p−クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の2、3、4核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。
酸解離性溶解抑制基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。
[(A2) component]
As the component (A2), a low molecular compound having a molecular weight of 500 or more and less than 2000 and having an acid dissociable, dissolution inhibiting group and a hydrophilic group as exemplified in the description of the component (A1) above is preferable. Specifically, a compound in which a part of hydrogen atoms of a hydroxyl group of a compound having a plurality of phenol skeletons is substituted with the acid dissociable, dissolution inhibiting group can be mentioned.
The component (A2) is, for example, a part of the hydrogen atom of the hydroxyl group of a low molecular weight phenol compound known as a sensitizer in a non-chemically amplified g-line or i-line resist or a heat resistance improver. Those substituted with a soluble dissolution inhibiting group are preferred and can be arbitrarily used.
Examples of such low molecular weight phenol compounds include bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (4′-hydroxyphenyl). ) Propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 3 ′, 4′-trihydroxyphenyl) propane, tris (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-) 3,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3, 4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyph Phenylmethane, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-4-hydroxy-6-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl- 4-hydroxy-6-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, 1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene, Examples include 2, 3, 4 nuclei of formalin condensates of phenols such as phenol, m-cresol, p-cresol or xylenol. Of course, it is not limited to these.
The acid dissociable, dissolution inhibiting group is not particularly limited, and examples thereof include those described above.

(A)成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明のレジスト組成物中、(A)成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。
As the component (A), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the resist composition of the present invention, the content of the component (A) may be adjusted according to the resist film thickness to be formed.

<(B)成分>
(B)成分は、前記一般式(b1−1)で表される化合物(B1)からなる酸発生剤(以下、(B1)成分ということがある。)を含む。該(B1)成分は、前記本発明の化合物(B1)と同じである。
(B1)成分は、1種又は2種以上混合して用いることができる。
本発明のレジスト組成物において、(B)成分中の(B1)成分の含有量は、50質量%以下であることが好ましく、0.1〜40質量%であることがより好ましく、1〜35質量%がさらに好ましく、2〜35質量%であることが最も好ましい。該範囲内であることにより、当該レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成した際に、解像性、マスク再現性、ラインワイズラフネス(LWR)、パターン形状、露光量(EL)マージン、焦点深度幅(DOF)等のリソグラフィー特性が向上する。
なお、EBやEUV露光用のレジスト組成物に、本願(B1)成分を用いる場合は、下記(B2)成分をあわせて用いることが好ましい。その場合の(B)成分中の質量比は、(B1):(B2)=1:99〜15:85が好ましく、1:99〜10;90がより好ましく、1.5:98.5〜8:92がさらに好ましい。
上記範囲とすることで、EB、EUV露光において上記リソグラフィー特性と感度とのバランスに優れる。
<(B) component>
The component (B) includes an acid generator composed of the compound (B1) represented by the general formula (b1-1) (hereinafter sometimes referred to as the component (B1)). The component (B1) is the same as the compound (B1) of the present invention.
(B1) A component can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.
In the resist composition of the present invention, the content of the component (B1) in the component (B) is preferably 50% by mass or less, more preferably 0.1 to 40% by mass, and 1 to 35%. More preferably, it is more preferably 2 to 35% by mass. By being within this range, when a resist pattern is formed using the resist composition, resolution, mask reproducibility, line width roughness (LWR), pattern shape, exposure amount (EL) margin, depth of focus Lithographic properties such as width (DOF) are improved.
In addition, when using this application (B1) component for the resist composition for EB and EUV exposure, it is preferable to use together the following (B2) component. In that case, the mass ratio in the component (B) is preferably (B1) :( B2) = 1: 99 to 15:85, more preferably 1:99 to 10; 90, and 1.5: 98.5. 8:92 is more preferable.
By setting it as the said range, in EB and EUV exposure, it is excellent in the balance of the said lithography characteristic and sensitivity.

(B)成分においては、前記(B1)成分以外の酸発生剤(B2)(以下、(B2)成分という。)を前記(B1)成分と併用してもよい。
(B2)成分としては、前記(B1)成分以外であれば特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。
このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
In the component (B), an acid generator (B2) other than the component (B1) (hereinafter referred to as the component (B2)) may be used in combination with the component (B1).
The component (B2) is not particularly limited as long as it is other than the component (B1), and those that have been proposed as acid generators for chemically amplified resists can be used.
Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, poly (bissulfonyl) diazomethanes, and the like. There are various known diazomethane acid generators, nitrobenzyl sulfonate acid generators, imino sulfonate acid generators, disulfone acid generators, and the like.

オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式(b−1)または(b−2)で表される化合物を用いることができる。   As the onium salt acid generator, for example, a compound represented by the following general formula (b-1) or (b-2) can be used.

Figure 0005389411
[式中、R”〜R”,R”〜R”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式(b−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく;R”は、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表し;R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]
Figure 0005389411
[Wherein, R 1 ″ to R 3 ″ and R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group; among R 1 ″ to R 3 ″ in formula (b-1), Any two may be bonded together to form a ring with the sulfur atom in the formula; R 4 ″ represents a linear, branched or cyclic alkyl group or a fluorinated alkyl group; R 1 At least one of “˜R 3 ” represents an aryl group, and at least one of R 5 ”to R 6 ” represents an aryl group.]

式(b−1)中、R”〜R”はそれぞれ前記(b’−1)中のR”〜R”と同様である。
”は、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化アルキル基を表す。
前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基は、単環式基であっても、多環式基であってもよい。前記環状のアルキル基としては、前記R”で示したような環式基であって、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
前記フッ素化アルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
また、該フッ素化アルキル基のフッ素化率(アルキル基中のフッ素原子の割合)は、好ましくは10〜100%、さらに好ましくは50〜100%であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したフッ素化アルキル基(パーフルオロアルキル基)が、酸の強度が強くなるので好ましい。
”は、置換基を有していてもよい。「置換基を有していてもよい」とは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の他の原子または基)で置換されていてもよいことを意味する。
”における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。
前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子(窒素を除く)、アルキル基、式:X−Q−[式中、Qは酸素原子を含む2価の連結基であり、Xは置換基を有していてもよい炭素数3〜30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R”において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
−Q−で表される基において、Qは酸素原子を含む2価の連結基である。
は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子(エーテル結合;−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−)、、カルボニル基(−C(=O)−)、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。
該組み合わせとしては、たとえば、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−、−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−(式中、R91〜R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。)等が挙げられる。
91〜R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜3が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。
としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−または−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−が好ましい。
Wherein (b-1), R 1 "~R 3" is the same as R 1 "~R 3" respectively in the (b'-1).
R 4 ″ represents a linear, branched or cyclic alkyl group or a fluorinated alkyl group.
The linear or branched alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 4 carbon atoms.
The cyclic alkyl group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The cyclic alkyl group is a cyclic group as indicated by R 1 ″ and preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and more preferably 6 carbon atoms. Most preferably, it is -10.
The fluorinated alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 4 carbon atoms.
The fluorination rate of the fluorinated alkyl group (ratio of fluorine atoms in the alkyl group) is preferably 10 to 100%, more preferably 50 to 100%. Particularly, all the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. A fluorinated alkyl group (perfluoroalkyl group) is preferable because the strength of the acid is increased.
R 4 ″ may have a substituent. The “optionally substituted” means hydrogen in the linear, branched or cyclic alkyl group, and halogenated alkyl group. It means that part or all of the atoms may be substituted with a substituent (an atom or group other than a hydrogen atom).
The number of substituents in R 4 ″ may be one or two or more.
Examples of the substituent include a halogen atom, a hetero atom (excluding nitrogen), an alkyl group, a formula: X 0 -Q 1- [where Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom, 0 is a C3-C30 hydrocarbon group which may have a substituent. ] Etc. which are represented by these.
Examples of the halogen atom and alkyl group include the same groups as those described as the halogen atom and alkyl group in the halogenated alkyl group in R 4 ″.
Examples of the hetero atom include an oxygen atom and a sulfur atom.
In the group represented by X 0 -Q 1- , Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom.
Q 1 may contain an atom other than an oxygen atom. Examples of atoms other than oxygen atoms include carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond; —O—), an ester bond (—C (═O) —O—), a carbonyl group (—C (═O) — ), Carbonate bonds (—O—C (═O) —O—), etc., non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking groups; combinations of the non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking groups and alkylene groups, and the like. .
Examples of the combination include —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) —, —C (═O) —O—R 93 —O—C (═O) — , R 91 to R 93 are each independently an alkylene group.) And the like.
The alkylene group for R 91 to R 93 is preferably a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. preferable.
Specific examples of the alkylene group include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —C ( CH 3) (CH 2 CH 3 ) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2— ]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 —, Alkylethylene groups such as —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 —; trimethylene group (n-propylene group) [—CH 2 CH 2 CH 2 —]; —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene group and the like; Toramechiren group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; penta And methylene group [—CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like.
Q 1 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond, and in particular, —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) — or —C (═O) — O—R 93 —O—C (═O) — is preferred.

−Q−で表される基において、Xの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
In the group represented by X 0 -Q 1- , the hydrocarbon group of X 0 may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group.
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Aryl groups such as aryl group, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc., from which one is removed. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. For example, a part of carbon atoms constituting the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hetero atom, and the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group is substituted with the substituent. May be.
Examples of the former include heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of the aryl group are substituted with heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, and atoms, and aromatic hydrocarbon rings in the arylalkyl groups And a heteroarylalkyl group in which a part of the carbon atoms constituting is substituted with the heteroatom.
Examples of the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the latter example include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. preferable.
The alkoxy group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert- A butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent of the aromatic hydrocarbon group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
における「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる(窒素原子は除く)。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。
水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、シアノ基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group for X 0 may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic.
In X 0 , the aliphatic hydrocarbon group may be a group in which a part of carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent containing a hetero atom, and hydrogen constituting the aliphatic hydrocarbon group A part or all of the atoms may be substituted with a substituent containing a hetero atom.
The “heteroatom” in X 0 is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and the like (excluding a nitrogen atom). Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The substituent containing a hetero atom may be composed of only the hetero atom, or may be a group containing a group or atom other than the hetero atom.
Specific examples of the substituent for substituting a part of the carbon atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O. -, - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O- , and the like. When the aliphatic hydrocarbon group is cyclic, these substituents may be included in the ring structure.
Specific examples of the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), and a cyano group.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.

脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched monovalent unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic ring). Formula group) is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

不飽和炭化水素基としては、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
As an unsaturated hydrocarbon group, it is preferable that carbon number is 2-10, 2-5 are preferable, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.

の脂肪族環式基としては、上記一般式(b1)におけるXの脂肪族環式基と同様のものが挙げられる。 As the aliphatic cyclic group for X 0, the same aliphatic cyclic groups for X in the above general formula (b1) can be mentioned.

本発明において、Xは、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記(L2)〜(L5)、(S3)〜(S4)等が好ましい。
In the present invention, X 0 is preferably a cyclic group which may have a substituent. The cyclic group may be an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent. It is preferably an aliphatic cyclic group that may be used.
The aromatic hydrocarbon group is preferably a naphthyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent.
As the aliphatic cyclic group which may have a substituent, a polycyclic aliphatic cyclic group which may have a substituent is preferable. The polycyclic aliphatic cyclic group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane, (L2) to (L5), (S3) to (S4), and the like.

本発明において、R”は、置換基としてX−Q−を有することが好ましい。この場合、R”としては、X−Q−Y−[式中、QおよびXは前記と同じであり、Yは置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。 In the present invention, R 4 ″ preferably has X 0 -Q 1- as a substituent. In this case, R 4 ″ has X 0 -Q 1 -Y 0- [wherein Q 1 and X 1 0 is the same as above, and Y 0 is an optionally substituted alkylene group having 1 to 4 carbon atoms or an optionally substituted fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. . ] Is preferable.

−Q−Y−で表される基において、Yのアルキレン基としては、前記Qで挙げたアルキレン基のうち炭素数1〜4のものと同様のものが挙げられる。
また、Yのフッ素化アルキレン基としては、上記Yのフッ素化アルキレン基と同様のものが挙げられる。
In the group represented by X 0 -Q 1 -Y 0- , the alkylene group for Y 0 includes the same alkylene groups as those described above for Q 1 having 1 to 4 carbon atoms.
Examples of the fluorinated alkylene group for Y 0 include the same groups as the fluorinated alkylene group for Y 1 described above.

式(b−2)中、R”〜R”はそれぞれ前記(b’−1)中のR”〜R”と同様である。
式(b−2)中のR”としては、上記式(b−1)のR”と同様のものが挙げられる。
Wherein (b-2), R 5 "~R 6" are the same as R 5 "~R 6" respectively in the (b'-1).
"The, R 4 in the formula (b-1)" R 4 in the In the formula (b-2) include the same as.

式(b−1)、(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル(1−(4−メトキシ)ナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ(1−ナフチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部がメタンスルホネート、n−プロパンスルホネート、n−ブタンスルホネート、n−オクタンスルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式(b1)〜(b7)のいずれかで表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩も用いることができる。
Specific examples of the onium salt acid generators represented by formulas (b-1) and (b-2) include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium. Trifluoromethane sulfonate or nonafluorobutane sulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, tri (4-methylphenyl) sulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its Nonafluorobutanesulfonate, dimethyl (4-hydroxynaphthyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptaful Lopropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of monophenyldimethylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; trifluoromethanesulfonate of diphenylmonomethylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate (4-methylphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate , Trifluoromethanesulfonate of tri (4-tert-butyl) phenylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of diphenyl (1- (4-methoxy) naphthyl) sulfonium, its heptafluoropropane Sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, di (1-naphthyl) phenyl sulphonium trifluoromethane sulphonate, its heptafluoropropane sulphonate or its nonafluorobutane sulphonate; 1-phenyltetrahydrothiophenium trifluoromethane sulphonate, its heptafluoropropane sulphonate Or nonafluorobutanesulfonate thereof; 1- (4-methylphenyl) ) Tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate 1- (4-methoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1- (4-ethoxynaphthalene-1- Yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonaflu 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1-phenyltetrahydrothiopyranium trifluoromethanesulfonate , Its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (3,5-dimethyl -4-Hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanes Honeto or nonafluorobutanesulfonate; 1- (4-methylphenyl) trifluoromethanesulfonate tetrahydrothiophenium Pila chloride, heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, and the like.
In addition, onium salts in which the anion portion of these onium salts is replaced with methanesulfonate, n-propanesulfonate, n-butanesulfonate, or n-octanesulfonate can also be used.
Moreover, the onium salt which replaced the anion part of these onium salts by the anion part represented by either of following formula (b1)-(b7) can also be used.

Figure 0005389411
[式中、pは1〜3の整数であり、q1〜q2はそれぞれ独立に1〜5の整数であり、r1は0〜3の整数であり、gは1〜20の整数であり、R7’は置換基であり、n1〜n5はそれぞれ独立に0または1であり、v1〜v5はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、w1〜w5はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、Q”は炭素数1〜5のアルキレン基、−O−、−S−、−O−R94−または−S−R95−である。]
Figure 0005389411
[Wherein, p is an integer of 1 to 3, q1 to q2 are each independently an integer of 1 to 5, r1 is an integer of 0 to 3, g is an integer of 1 to 20, R 7 ′ is a substituent, n1 to n5 are each independently 0 or 1, v1 to v5 are each independently an integer of 0 to 3, and w1 to w5 are each independently an integer of 0 to 3. , Q ″ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, —O—, —S—, —O—R 94 — or —S—R 95 —.

式中、Q”、R94およびR95におけるアルキレン基としては、それぞれ、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は1〜5であり、1〜3であることが好ましい。具体的にはR91〜R93におけるアルキレン基と同様である。
7’の置換基としては、前記Xにおいて、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
7’に付された符号(r1、w1〜w5)が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR7’はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
In the formula, each of the alkylene groups in Q ″, R 94 and R 95 is preferably a linear or branched alkylene group, and the alkylene group has 1 to 5 carbon atoms and 1 to 3 carbon atoms. Specifically, it is the same as the alkylene group in R 91 to R 93 .
Examples of the substituent for R 7 ′ are the same as those described above as the substituent that the aliphatic hydrocarbon group may have and the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have in X. Is mentioned.
When the code | symbol (r1, w1-w5) attached | subjected to R7 ' is an integer greater than or equal to 2, several R7 ' in the said compound may be the same respectively, and may differ.

また、前記一般式(b−1)又は(b−2)において、アニオン部を下記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる(カチオン部は(b−1)又は(b−2)と同様)。   In addition, in the general formula (b-1) or (b-2), an onium salt-based acid generator in which the anion moiety is replaced with an anion moiety represented by the following general formula (b-3) or (b-4). Can also be used (the cation moiety is the same as (b-1) or (b-2)).

Figure 0005389411
[式中、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2〜6のアルキレン基を表し;Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10のアルキル基を表す。]
Figure 0005389411
[Wherein X ″ represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom; Y ″ and Z ″ each independently represent at least one hydrogen atom as a fluorine atom; Represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and substituted with

X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2〜6であり、好ましくは炭素数3〜5、最も好ましくは炭素数3である。
Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1〜10であり、好ましくは炭素数1〜7、より好ましくは炭素数1〜3である。
X”のアルキレン基の炭素数またはY”、Z”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、X”のアルキレン基またはY”、Z”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。
X ″ is a linear or branched alkylene group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkylene group has 2 to 6 carbon atoms, preferably 3 to 5 carbon atoms, Most preferably, it has 3 carbon atoms.
Y ″ and Z ″ are each independently a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, preferably Has 1 to 7 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms.
The carbon number of the alkylene group of X ″ or the carbon number of the alkyl group of Y ″ and Z ″ is preferably as small as possible because the solubility in the resist solvent is good within the above carbon number range.
In addition, in the alkylene group of X ″ or the alkyl group of Y ″ and Z ″, as the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms increases, the strength of the acid increases, and high-energy light or electron beam of 200 nm or less The ratio of fluorine atoms in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorination rate is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all. Are a perfluoroalkylene group or a perfluoroalkyl group in which a hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.

また、前記一般式(b−5)または(b−6)で表されるカチオン部と、前記化合物(B1)が有するアニオン部以外の他のアニオン部とを有するスルホニウム塩をオニウム塩系酸発生剤として用いることもできる。
前記他のアニオン部としては、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部が利用でき、たとえば上記一般式(b−1)または(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部(R”SO )等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;上記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン部等が挙げられる。これらの中でも、フッ素化アルキルスルホン酸イオンが好ましく、炭素数1〜4のフッ素化アルキルスルホン酸イオンがより好ましく、炭素数1〜4の直鎖状のパーフルオロアルキルスルホン酸イオンが特に好ましい。具体例としては、トリフルオロメチルスルホン酸イオン、ヘプタフルオロ−n−プロピルスルホン酸イオン、ノナフルオロ−n−ブチルスルホン酸イオン等が挙げられる。
In addition, an onium salt-based acid generator generates a sulfonium salt having a cation moiety represented by the general formula (b-5) or (b-6) and an anion moiety other than the anion moiety of the compound (B1). It can also be used as an agent.
As said other anion part, the anion part of the onium salt type acid generator proposed until now can be utilized, for example, the onium salt type acid represented by the said general formula (b-1) or (b-2) Fluorinated alkyl sulfonate ions such as the anion moiety (R 4 ″ SO 3 ) of the generator; anion moieties represented by the above general formula (b-3) or (b-4). , Fluorinated alkyl sulfonate ions are preferable, fluorinated alkyl sulfonate ions having 1 to 4 carbon atoms are more preferable, and linear perfluoroalkyl sulfonate ions having 1 to 4 carbon atoms are particularly preferable. Trifluoromethylsulfonic acid ion, heptafluoro-n-propylsulfonic acid ion, nonafluoro-n-butylsulfonic acid ion, and the like.

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式(B−1)で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。   In this specification, the oxime sulfonate acid generator is a compound having at least one group represented by the following general formula (B-1), and has a property of generating an acid upon irradiation with radiation. is there. Such oxime sulfonate-based acid generators are frequently used for chemically amplified resist compositions, and can be arbitrarily selected and used.

Figure 0005389411
(式(B−1)中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。)
Figure 0005389411
(In formula (B-1), R 31 and R 32 each independently represents an organic group.)

31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子等)等)を有していてもよい。 The organic groups of R 31 and R 32 are groups containing carbon atoms, and atoms other than carbon atoms (for example, hydrogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, etc.), etc.) You may have.

31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1〜6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数1〜20が好ましく、炭素数1〜10がより好ましく、炭素数1〜8がさらに好ましく、炭素数1〜6が特に好ましく、炭素数1〜4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基(以下、ハロゲン化アルキル基ということがある)が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数4〜20が好ましく、炭素数4〜10がより好ましく、炭素数6〜10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
31としては、特に、置換基を有さない炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数1〜4のフッ素化アルキル基が好ましい。
As the organic group for R 31, a linear, branched, or cyclic alkyl group or aryl group is preferable. These alkyl groups and aryl groups may have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as this substituent, For example, a fluorine atom, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group etc. are mentioned. Here, “having a substituent” means that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or aryl group are substituted with a substituent.
As an alkyl group, C1-C20 is preferable, C1-C10 is more preferable, C1-C8 is more preferable, C1-C6 is especially preferable, and C1-C4 is the most preferable. As the alkyl group, a partially or completely halogenated alkyl group (hereinafter sometimes referred to as a halogenated alkyl group) is particularly preferable. The partially halogenated alkyl group means an alkyl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated alkyl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an alkyl group substituted with Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. That is, the halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The aryl group preferably has 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. As the aryl group, a partially or completely halogenated aryl group is particularly preferable. The partially halogenated aryl group means an aryl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated aryl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an aryl group substituted with.
R 31 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms having no substituent or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1〜8のアルキル基、または炭素数1〜8のフッ素化アルキル基が好ましい。
As the organic group for R 32, a linear, branched, or cyclic alkyl group, aryl group, or cyano group is preferable. As the alkyl group and aryl group for R 32, the same alkyl groups and aryl groups as those described above for R 31 can be used.
R 32 is particularly preferably a cyano group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms having no substituent, or a fluorinated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式(B−2)または(B−3)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the oxime sulfonate-based acid generator include compounds represented by the following general formula (B-2) or (B-3).

Figure 0005389411
[式(B−2)中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。]
Figure 0005389411
[In Formula (B-2), R 33 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 34 is an aryl group. R 35 represents an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. ]

Figure 0005389411
[式(B−3)中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。p”は2または3である。]
Figure 0005389411
[In Formula (B-3), R 36 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 37 is a divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group. R38 is an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. p ″ is 2 or 3.]

前記一般式(B−2)において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが特に好ましい。
In the general formula (B-2), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 33 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and more preferably carbon atoms. Numbers 1 to 6 are most preferable.
R 33 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 33 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred.

34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
34のアリール基は、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数1〜4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
As the aryl group of R 34 , one hydrogen atom is removed from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a phenanthryl group. And heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of these groups are substituted with heteroatoms such as oxygen, sulfur, and nitrogen atoms. Among these, a fluorenyl group is preferable.
The aryl group of R 34 may have a substituent such as an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group, or an alkoxy group. The alkyl group or halogenated alkyl group in the substituent preferably has 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.

35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100%フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。
The alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 35 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 6 carbon atoms.
R 35 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 35 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred is the strength of the acid generated. Most preferably, it is a fully fluorinated alkyl group in which a hydrogen atom is 100% fluorine-substituted.

前記一般式(B−3)において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。
38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
p”は、好ましくは2である。
In the general formula (B-3), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 36 is the same as the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 33. Is mentioned.
Examples of the divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group for R 37 include groups obtained by further removing one or two hydrogen atoms from the aryl group for R 34 .
Examples of the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 38 include the same alkyl groups or halogenated alkyl groups as those having no substituent of R 35 .
p ″ is preferably 2.

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロ−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−クロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−チエン−2−イルアセトニトリル、α−(4−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−[(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−[(ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−(トシルオキシイミノ)−4−チエニルシアニド、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロオクテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−エチルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−プロピルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロペンチルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−p−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平9−208554号公報(段落[0012]〜[0014]の[化18]〜[化19])に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号パンフレット(65〜85頁目のExample1〜40)に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。
Specific examples of the oxime sulfonate acid generator include α- (p-toluenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (p-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (4-nitrobenzenesulfonyloxy). Imino) -benzylcyanide, α- (4-nitro-2-trifluoromethylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-chlorobenzylcyanide, α- (benzenesulfonyl) Oxyimino) -2,4-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,6-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide, α- ( 2-Chlorobenzenesulfonyloxyimino) 4-methoxybenzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -thien-2-ylacetonitrile, α- (4-dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α-[(p-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α-[(dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α- (tosyloxyimino) -4-thienyl cyanide, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclo Pentenyl acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cycloheptenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclooctene Acetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -ethylacetonitrile, α- (propyl Sulfonyloxyimino) -propylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclopentylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- ( Ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclope N-tenyl acetonitrile, α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile , Α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (trifluoro Methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -p- Butoxy phenylacetonitrile, alpha-(propylsulfonyl oxyimino)-p-methylphenyl acetonitrile, alpha-like (methylsulfonyloxyimino)-p-bromophenyl acetonitrile.
Further, an oxime sulfonate-based acid generator disclosed in JP-A-9-208554 (paragraphs [0012] to [0014] [chemical formula 18] to [chemical formula 19]), pamphlet of International Publication No. 04/074242, An oxime sulfonate-based acid generator disclosed in Examples 1 to 40) on pages 65 to 85 can also be suitably used.
Moreover, the following can be illustrated as a suitable thing.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平11−035551号公報、特開平11−035552号公報、特開平11−035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、特開平11−322707号公報に開示されている、1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカンなどを挙げることができる。
Among diazomethane acid generators, specific examples of bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes include bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, Examples include bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, and the like.
Further, diazomethane acid generators disclosed in JP-A-11-035551, JP-A-11-035552, and JP-A-11-035573 can also be suitably used.
Examples of poly (bissulfonyl) diazomethanes include 1,3-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane and 1,4-bis (phenylsulfonyldiazo) disclosed in JP-A-11-322707. Methylsulfonyl) butane, 1,6-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, 1,2-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ethane, 1,3 -Bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane, 1,6-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, etc. Door can be.

(B2)成分は、上記酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   As the component (B2), one type of acid generator may be used alone, or two or more types may be used in combination.

本発明のレジスト組成物における(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.5〜60質量部、好ましくは1〜40質量部とされる。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。   Content of (B) component in the resist composition of this invention is 0.5-60 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component, Preferably it is 1-40 mass parts. By setting it within the above range, pattern formation is sufficiently performed. Moreover, since a uniform solution is obtained and storage stability becomes favorable, it is preferable.

<任意成分>
本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに、含窒素有機化合物(D)(ただし、前記(B)成分に該当する化合物は除く。以下、(D)成分という)を含有させることができる。
この(D)成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよく、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1〜12であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5〜10のアルキル基が窒素原子に3個結合したトリアルキルアミンが好ましく、トリ−n−ペンチルアミンが最も好ましい。
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
これらは、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分を使用する場合は、(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
<Optional component>
The resist composition of the present invention further includes a nitrogen-containing organic compound (D) (however, the compound corresponding to the component (B) is excluded in order to improve the resist pattern shape, stability with time, etc. (Referred to as component (D)).
Since a wide variety of components (D) have already been proposed, any known one may be used. Among them, aliphatic amines, particularly secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are used. preferable. An aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic groups preferably have 1 to 12 carbon atoms.
Examples of the aliphatic amine include an amine (alkyl amine or alkyl alcohol amine) or a cyclic amine in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms.
Specific examples of alkylamines and alkyl alcohol amines include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di- -Dialkylamines such as n-heptylamine, di-n-octylamine, dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine , Tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decanylamine, tri-n-dodecylamine, etc .; diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine Triisopropanolamine, di -n- octanol amines, alkyl alcohol amines tri -n- octanol amine. Among these, a trialkylamine in which 3 alkyl groups having 5 to 10 carbon atoms are bonded to a nitrogen atom is preferable, and tri-n-pentylamine is most preferable.
Examples of the cyclic amine include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
As the aliphatic polycyclic amine, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. Specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.
These may be used alone or in combination of two or more.
When (D) component is used, (D) component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.

本発明のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物(E)(以下、(E)成分という)を含有させることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸およびその誘導体としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜15のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。
(E)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(E)成分としては、有機カルボン酸が好ましく、特にサリチル酸が好ましい。
(E)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜5.0質量部の割合で用いられる。
The resist composition of the present invention comprises, as optional components, an organic carboxylic acid, a phosphorus oxo acid, and derivatives thereof for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving the resist pattern shape, retention stability over time, and the like. At least one compound (E) selected from the group (hereinafter referred to as component (E)) can be contained.
As the organic carboxylic acid, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are suitable.
Examples of phosphorus oxo acids and derivatives thereof include phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid and the like, and among these, phosphonic acid is particularly preferable.
Examples of the oxo acid derivative of phosphorus include esters in which the hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group, and the hydrocarbon group includes an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and 6 to 6 carbon atoms. 15 aryl groups and the like.
Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.
Examples of phosphonic acid derivatives include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester.
Examples of the phosphinic acid derivatives include phosphinic acid esters such as phenylphosphinic acid.
(E) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
As the component (E), an organic carboxylic acid is preferable, and salicylic acid is particularly preferable.
(E) A component is used in the ratio of 0.01-5.0 mass parts per 100 mass parts of (A) component.

本発明のレジスト組成物には、さらに、所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。   The resist composition of the present invention may further contain, if desired, miscible additives such as an additional resin for improving the performance of the resist film, a surfactant for improving coatability, a dissolution inhibitor, Plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents, dyes, and the like can be added and contained as appropriate.

[有機溶剤(S)]
本発明のレジスト組成物は、材料を有機溶剤(S)(以下、(S)成分ということがある)に溶解させて製造することができる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、ELが好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
(S)成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1〜20質量%、好ましくは2〜15質量%の範囲内となる様に用いられる。
[Organic solvent (S)]
The resist composition of the present invention can be produced by dissolving the material in an organic solvent (S) (hereinafter sometimes referred to as (S) component).
As the component (S), any component can be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution. Conventionally, any one of known solvents for chemically amplified resists can be used. Two or more types can be appropriately selected and used.
For example, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; Monohydric alcohols; compounds having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl of the polyhydric alcohols or compound having the ester bond Ether alkyl such as ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having a propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) or propylene glycol monomethyl ether (PGME) among these]; cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, Esters such as ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, Aromatic organics such as dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene A solvent etc. can be mentioned.
These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.
Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), and EL are preferable.
Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be within the range.
More specifically, when EL is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7-7: 3.
In addition, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, the mixing ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5.
The amount of component (S) used is not particularly limited, but is a concentration that can be applied to a substrate or the like, and is appropriately set according to the coating film thickness. In general, the solid content concentration of the resist composition is 1 -20% by mass, preferably 2-15% by mass.

上記本発明のレジスト組成物は、従来知られていない新規なものである。
また、本発明の化合物(b1−1)を酸発生剤として含有することから、リソグラフィー特性も向上し、たとえばレジストパターンを形成した際の解像性、マスク再現性(たとえばマスクリニアリティ等)や露光量(EL)マージン、レジストパターン形状、焦点深度幅(DOF)等が向上する。
ELマージンとは、露光量を変化させて露光した際に、ターゲット寸法に対するずれが所定の範囲内となる寸法でレジストパターンを形成できる露光量の範囲、すなわちマスクパターンに忠実なレジストパターンが得られる露光量の範囲のことであり、ELマージンは、その値が大きいほど、露光量の変動に伴うパターンサイズの変化量が小さく、プロセスの余裕度が向上するため好ましい。
The resist composition of the present invention is a novel one that has not been conventionally known.
In addition, since the compound (b1-1) of the present invention is contained as an acid generator, the lithography characteristics are also improved. For example, resolution when forming a resist pattern, mask reproducibility (for example, mask linearity) and exposure. An amount (EL) margin, a resist pattern shape, a depth of focus (DOF), and the like are improved.
The EL margin is an exposure amount range in which a resist pattern can be formed with a dimension in which a deviation from a target dimension is within a predetermined range when exposure is performed with a different exposure amount, that is, a resist pattern faithful to a mask pattern is obtained. This is the range of the exposure amount, and the larger the EL margin value, the smaller the change amount of the pattern size accompanying the variation of the exposure amount, and the better the process margin.

上記効果が得られる理由は、以下のように推測される。すなわち、前記化合物(b1−1)は、アニオン部が、「Y−SO 」の骨格に、R−C(=O)−R−O−C(=O)−が結合した構造を有する。このため、従来、アニオンとして用いられてきたフッ素化アルキルスルホン酸イオンに比べて、極性が高く、立体的に嵩高くバルキーな構造となっている。極性が高いことによる分子間の相互作用により、また、そのバルキーな立体構造により、ノナフルオロブタンスルホネート等の従来の酸発生剤のアニオン部に比べ、レジスト膜内での当該アニオン部(酸)の拡散が化学的にも物理的にも抑制されると推測される。そのため、露光域で発生した酸の未露光域への拡散が抑制され、結果、未露光域と露光域とのアルカリ現像液に対する溶解性の差(溶解コントラスト)が向上し、これによって、解像性やレジストパターン形状が向上すると推測される。
また、Yの置換基を有していてもよいアルキレン基または置換基を有していてもよいフッ素化アルキレン基のアルキル鎖は、たとえば炭素数6〜10のパーフルオロアルキル鎖が難分解性であるのに対して分解性が良好で、生体蓄積性を考慮した取り扱い性がより向上するという効果も得られる。
さらに、前記化合物(b1−1)は窒素原子を有する有機基Rを有するため、酸発生剤から発生した酸を失活させるクエンチャーとして機能し得る。また、R基が化合物(b1−1)中に結合して含まれているため、酸発生剤との親和性が高く、レジスト膜内でRの分布がより均一なものとなり、R基の分布と酸発生剤の分布の偏りが抑制される。
The reason why the above effect is obtained is estimated as follows. That is, the compound (b1-1) is an anion portion, - the backbone of, R N -C (= O) -R 1 -O-C (= O) "Y 1 -SO 3" - bound It has a structure. For this reason, compared with the fluorinated alkyl sulfonate ion conventionally used as an anion, it has a high polarity, a three-dimensionally bulky and bulky structure. Compared to the anion part of conventional acid generators such as nonafluorobutanesulfonate, the anion part (acid) in the resist film is due to the interaction between molecules due to its high polarity and its bulky steric structure. It is assumed that diffusion is suppressed both chemically and physically. Therefore, the diffusion of the acid generated in the exposed area to the unexposed area is suppressed, and as a result, the difference in solubility (dissolution contrast) in the alkaline developer between the unexposed area and the exposed area is improved. It is estimated that the property and the resist pattern shape are improved.
The alkyl chain of good fluorinated alkylene group which may have a Y 1 which may have a substituent alkylene group or substituent, e.g. perfluoroalkyl chains persistent C6-10 On the other hand, the degradability is good, and the handleability considering the bioaccumulation property is further improved.
Further, the compound (b1-1) is to have an organic group R N having a nitrogen atom, it may function as a quencher for deactivating an acid generated from the acid generator. Furthermore, since the R N group is contained bind to the compound (b1-1), high affinity for the acid generator, the distribution of R N in the resist film is made more uniform, R N The uneven distribution of the group distribution and the acid generator distribution is suppressed.

≪レジストパターン形成方法≫
本発明の第二の態様であるレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含む。
該レジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。
すなわち、まず支持体上に、前記本発明のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80〜150℃の温度条件下、プレベーク(ポストアプライベーク(PAB))を40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施し、これに例えばArF露光装置などにより、ArFエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80〜150℃の温度条件下、PEB(露光後加熱)を40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。次いで、これをアルカリ現像液、例えば0.1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を用いてアルカリ現像処理し、好ましくは純水を用いて水リンスを行い、乾燥を行う。また、場合によっては、上記アルカリ現像処理後にベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。
≪Resist pattern formation method≫
The resist pattern forming method according to the second aspect of the present invention comprises a step of forming a resist film on a support using the resist composition of the present invention, a step of exposing the resist film, and the resist film. A step of forming a resist pattern by alkali development.
The resist pattern forming method can be performed, for example, as follows.
That is, first, the resist composition of the present invention is applied onto a support with a spinner or the like, and pre-baked (post-apply bake (PAB)) is performed at a temperature of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 to This is applied for 90 seconds, and this is selectively exposed to ArF excimer laser light through a desired mask pattern using, for example, an ArF exposure apparatus, and then subjected to PEB (post-exposure heating) at a temperature of 80 to 150 ° C. It is applied for 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds. Subsequently, this is alkali-development-processed using alkaline developing solution, for example, 0.1-10 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, Preferably, water rinse is carried out using a pure water, and it dries. In some cases, a baking treatment (post-baking) may be performed after the alkali development treatment. In this way, a resist pattern faithful to the mask pattern can be obtained.

支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)が挙げられる。
The support is not particularly limited, and a conventionally known one can be used, and examples thereof include a substrate for electronic components and a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed. More specifically, a silicon substrate, a metal substrate such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, and the like can be given. As a material for the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold or the like can be used.
Further, the support may be a substrate in which an inorganic and / or organic film is provided on the above-described substrate. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is an example of the inorganic film. Examples of the organic film include an organic antireflection film (organic BARC).

露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUVに対して有効であり、特にArFエキシマレーザーに対して有効である。 The wavelength used for exposure is not particularly limited, and ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. Can be done using radiation. The resist composition is effective for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV, and particularly effective for ArF excimer laser.

レジスト膜の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光であってもよい。
液浸露光では、上述したように、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズとウェーハ上のレジスト膜との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たした状態で露光を行う。
より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で、所望のマスクパターンを介して露光(浸漬露光)することによって実施できる。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
The exposure of the resist film may be normal exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or may be immersion exposure.
In immersion exposure, as described above, the portion between the lens, which has been conventionally filled with an inert gas such as air or nitrogen, and the resist film on the wafer is refracted larger than the refractive index of air. The exposure is performed in a state filled with a solvent having a high rate (immersion medium).
More specifically, the immersion exposure is a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than the refractive index of air between the resist film obtained as described above and the lowermost lens of the exposure apparatus. And in that state, exposure can be performed through a desired mask pattern (immersion exposure).
As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film exposed by the immersion exposure is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. Examples thereof include liquids, and those having a boiling point of 70 to 180 ° C are preferable, and those having a boiling point of 80 to 160 ° C are more preferable. It is preferable that the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.
As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.
More specifically, examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102 ° C.). Examples of the perfluoroalkylamine compound include perfluorotributylamine ( Boiling point of 174 ° C.).

次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
以下の各例において、化学式(II)で表される化合物を「化合物(II)」と記載し、他の化学式で表される化合物についてもそれぞれ同様に記載する。
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these examples.
In each of the following examples, the compound represented by the chemical formula (II) is referred to as “compound (II)”, and the compounds represented by other chemical formulas are also described in the same manner.

[合成例1]
化合物(II)4.34g(純度:94.1%)、2−ベンジルオキシエタノール3.14g、トルエン43.4gを仕込み、p−トルエンスルホン酸一水和物0.47gを添加し、105℃で20時間還流した。反応液を濾過し、濾物にヘキサン20gを添加し、撹拌した。再度濾過し、濾物を乾燥することにより化合物(III)を1.41g(収率:43.1%)得た。
[Synthesis Example 1]
Compound (II) 4.34 g (purity: 94.1%), 2-benzyloxyethanol 3.14 g, toluene 43.4 g were charged, p-toluenesulfonic acid monohydrate 0.47 g was added, and 105 ° C. At reflux for 20 hours. The reaction solution was filtered, and 20 g of hexane was added to the filtrate and stirred. Filtration was performed again, and the residue was dried to obtain 1.41 g (yield: 43.1%) of compound (III).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

H−NMR(DMSO−d6、400MHz):δ(ppm)=4.74−4.83(t,1H,OH)、4.18−4.22(t,2H,H)、3.59−3.64(q,2H,H)。
19F−NMR(DMSO−d6、376MHz):δ(ppm)=−106.6。
上記の結果から、化合物(III)が下記に示す構造を有することが確認できた。
1 H-NMR (DMSO-d6,400MHz ): δ (ppm) = 4.74-4.83 (t, 1H, OH), 4.18-4.22 (t, 2H, H a), 3. 59-3.64 (q, 2H, Hb ).
19 F-NMR (DMSO-d6, 376 MHz): δ (ppm) = − 106.6.
From the results described above, it was confirmed that the compound (III) had a structure shown below.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[実施例1]
化合物(III)10.0gとアセトニトリル50gを三口フラスコに添加し、そこへイソニコチノイルクロリド塩酸塩7.35gを加えた。その懸濁溶液を氷冷し、そこへトリエチルアミン8.36gをゆっくりと滴下した。滴下終了後氷冷を外し、室温で1.5時間攪拌した。その後反応液を濾過し、濾液を減縮下で濃縮した。得られた粗生成物をジクロロメタン130.2gに溶解させ、水37.2gで水洗した。有機層を濃縮し、減圧乾燥することにより化合物(IV)を10.7g得た。
[Example 1]
10.0 g of compound (III) and 50 g of acetonitrile were added to a three-necked flask, and 7.35 g of isonicotinoyl chloride hydrochloride was added thereto. The suspension was ice-cooled, and 8.36 g of triethylamine was slowly added dropwise thereto. After completion of dropping, the ice-cooling was removed and the mixture was stirred at room temperature for 1.5 hours. Thereafter, the reaction solution was filtered, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. The obtained crude product was dissolved in 130.2 g of dichloromethane and washed with 37.2 g of water. The organic layer was concentrated and dried under reduced pressure to obtain 10.7 g of compound (IV).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

得られた化合物(IV)について、NMRによる分析を行った。
H−NMR(DMSO−d6、400MHz):δ(ppm)=8.74−8.82(m,3H,PyridylおよびH)、7.84(dd,2H,Pyridyl)、4.54−4.61(m,4H,H)、3.08(q,6H,H)、1.16(t,9H,H)。
19F−NMR(DMSO−d6、376MHz):δ(ppm)=−106.5。
上記の結果から、化合物(IV)が下記に示す構造を有することが確認できた。
The obtained compound (IV) was analyzed by NMR.
1 H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz): δ (ppm) = 8.74-8.82 (m, 3H, Pyridyl and H c ), 7.84 (dd, 2H, Pyridyl), 4.54- 4.61 (m, 4H, H d ), 3.08 (q, 6H, H b ), 1.16 (t, 9H, H a ).
19 F-NMR (DMSO-d6, 376 MHz): δ (ppm) = − 106.5.
From the results described above, it was confirmed that the compound (IV) had a structure shown below.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[実施例2]
化合物(V)3.78gをジクロロメタン37.8gおよび水19.0gに溶解させ、化合物(IV)4.49gを添加して室温で16時間攪拌した。その後、分液処理にて有機層を回収し、水18.9gで水洗浄を4回行った後、n−ヘキサン378.0を加えることによって化合物(VI)を5.30g得た。
[Example 2]
3.78 g of compound (V) was dissolved in 37.8 g of dichloromethane and 19.0 g of water, 4.49 g of compound (IV) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours. Thereafter, the organic layer was collected by liquid separation treatment, washed with water 18.9 g four times, and then added with n-hexane 378.0 to obtain 5.30 g of compound (VI).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

得られた化合物(VI)について、NMRによる分析を行った。
H−NMR(DMSO−d6、400MHz):δ(ppm)=8.77(dd,2H,Pyridyl)、7.72−7.88(m,17H,PyridylおよびPhenyl)、4.54−4.62(m,4H,H)。
19F−NMR(DMSO−d6、376MHz):δ(ppm)=−106.5。
上記の結果から、化合物(VI)が下記に示す構造を有することが確認できた。
The obtained compound (VI) was analyzed by NMR.
1 H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz): δ (ppm) = 8.77 (dd, 2H, Pyridyl), 7.72-7.88 (m, 17H, Pyrylyl and Phenyl), 4.54-4 .62 (m, 4H, H a ).
19 F-NMR (DMSO-d6, 376 MHz): δ (ppm) = − 106.5.
From the results shown above, it was confirmed that the compound (VI) had a structure shown below.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[実施例3]
化合物(VII)3.58gをジクロロメタン35.8gおよび水17.9gに溶解させ、化合物(IV)3.88gを添加して室温で12時間攪拌した。その後、分液処理にて有機層を回収し、水17.9gで水洗浄を4回行った後、溶媒を減圧留去することによって化合物(VIII)を4.73g得た。
[Example 3]
3.58 g of compound (VII) was dissolved in 35.8 g of dichloromethane and 17.9 g of water, 3.88 g of compound (IV) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours. Thereafter, the organic layer was recovered by liquid separation treatment, washed four times with 17.9 g of water, and then the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 4.73 g of compound (VIII).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

得られた化合物(VIII)について、NMRによる分析を行った。
H−NMR(DMSO−d6、400MHz):δ(ppm)=8.77(dd,2H,Pyridyl)、7.71−7.86(m,14H,PyridylおよびPhenyl)、7.58(d,2H,Phenyl)、4.54−4.62(m,4H,H)、2.41(s,3H,H)。
19F−NMR(DMSO−d6、376MHz):δ(ppm)=−107.0。
上記の結果から、化合物(VIII)が下記に示す構造を有することが確認できた。
The obtained compound (VIII) was analyzed by NMR.
1 H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz): δ (ppm) = 8.77 (dd, 2H, Pyridyl), 7.71-7.86 (m, 14H, Pyryl and Phenyl), 7.58 (d , 2H, Phenyl), 4.54-4.62 (m, 4H, H a ), 2.41 (s, 3H, H b ).
19 F-NMR (DMSO-d6, 376 MHz): δ (ppm) = − 107.0.
From the results shown above, it was confirmed that the compound (VIII) had a structure shown below.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[参考例1:酸発生剤(B’)−2の合成]
以下に示す(i)〜(iv)の合成方法により得た。
[Reference Example 1: Synthesis of acid generator (B ′)-2]
The following synthetic methods (i) to (iv) were obtained.

(i)フルオロスルホニル(ジフルオロ)酢酸メチル150g、純水375gに、氷浴中で10℃以下に保ちつつ、30%水酸化ナトリウム水溶液343.6gを滴下した。滴下後、100℃で3時間還流し、冷却後、濃塩酸で中和した。得られた溶液をアセトン8888gに滴下し、析出物を濾過、乾燥することによって、白色固体として化合物(IX)184.5g(純度:88.9%、収率:95.5%)を得た。   (I) 343.6 g of 30% aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise to 150 g of methyl fluorosulfonyl (difluoro) acetate and 375 g of pure water while keeping the temperature at 10 ° C. or lower in an ice bath. After dropping, the mixture was refluxed at 100 ° C. for 3 hours, cooled and neutralized with concentrated hydrochloric acid. The obtained solution was added dropwise to 8888 g of acetone, and the precipitate was filtered and dried to obtain 184.5 g of compound (IX) (purity: 88.9%, yield: 95.5%) as a white solid. .

Figure 0005389411
Figure 0005389411

(ii)化合物(IX)56.2g、アセトニトリル562.2gを仕込み、p−トルエンスルホン酸一水和物77.4gを添加し、110℃で3時間還流した。その後、濾過し、濾液を濃縮し、乾燥した。得られた固体にt−ブチルメチルエーテル900gを添加撹拌した。その後、濾過し、濾過物を乾燥することによって、白色固体として化合物(X)22.2g(純度:91.0%、収率:44.9%)を得た。   (Ii) 56.2 g of compound (IX) and 562.2 g of acetonitrile were charged, 77.4 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was added, and the mixture was refluxed at 110 ° C. for 3 hours. Then, it filtered and the filtrate was concentrated and dried. To the obtained solid, 900 g of t-butyl methyl ether was added and stirred. Then, it filtered and the filtrate was dried, and 22.2 g (purity: 91.0%, yield: 44.9%) of compound (X) was obtained as a white solid.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

(iii)前記(ii)で得た化合物(X)17.7g(純度:91.0%)、化合物(XI)13g、トルエン88.3gを仕込み、p−トルエンスルホン酸一水和物5.85gを添加し、130℃で26時間還流した。その後、濾過し、残渣にメチルエチルケトン279.9gを添加撹拌した。その後、濾過し、メタノール84.0gを添加撹拌した。再度、濾過を行い、濾過物を乾燥することによって、白色固体として化合物(XII)20.2g(純度:99.9%、収率:72.1%)を得た。   (Iii) 17.7 g (purity: 91.0%) of the compound (X) obtained in the above (ii), 13 g of the compound (XI), and 88.3 g of toluene were charged, and p-toluenesulfonic acid monohydrate 5. 85 g was added and refluxed at 130 ° C. for 26 hours. Thereafter, the mixture was filtered, and 279.9 g of methyl ethyl ketone was added to the residue and stirred. Thereafter, the mixture was filtered, and 84.0 g of methanol was added and stirred. Filtration was performed again, and the filtrate was dried to obtain 20.2 g of compound (XII) as a white solid (purity: 99.9%, yield: 72.1%).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

(iv)前記(iii)で得た化合物(XII)15.0g(純度:99.9%)を純水66.4gに溶解させた。この溶液に、化合物(VII)13.3gをジクロロメタン132.8gに溶解させて添加し、室温にて3時間撹拌した後、有機相を分液して取り出した。さらに有機相を純水66.4gにて水洗いし、有機相を濃縮、乾燥することによって、無色粘性液体として目的の化合物20.2g(収率:88.1%)を得た。これを(B’)−2とする。   (Iv) 15.0 g (purity: 99.9%) of the compound (XII) obtained in (iii) above was dissolved in 66.4 g of pure water. To this solution, 13.3 g of compound (VII) was dissolved in 132.8 g of dichloromethane, and stirred at room temperature for 3 hours, and then the organic phase was separated and taken out. Further, the organic phase was washed with 66.4 g of pure water, and the organic phase was concentrated and dried to obtain 20.2 g of the desired compound as a colorless viscous liquid (yield: 88.1%). Let this be (B ')-2.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

該化合物(B’)−2について、NMRによる分析を行った。その結果を以下に示す。
H−NMR(DMSO、400MHz):δ(ppm)=7.86〜7.58(m,14H,Ha+Hb)、5.48(m,1H,Hd)、4.98(s,1H,He)、4.73〜4.58(d,2H,Hf)、2.71(m,1H,Hg)、2.43(m,3H,Hc)、2.12(m,2H,Hf)。
19F−NMR(DMSO、376MHz):δ(ppm)=−106.9。
上記の結果から、化合物(B’)−2が下記に示す構造を有することが確認できた。
The compound (B ′)-2 was analyzed by NMR. The results are shown below.
1 H-NMR (DMSO, 400 MHz): δ (ppm) = 7.86-7.58 (m, 14H, Ha + Hb), 5.48 (m, 1H, Hd), 4.98 (s, 1H, He ), 4.73-4.58 (d, 2H, Hf), 2.71 (m, 1H, Hg), 2.43 (m, 3H, Hc), 2.12 (m, 2H, Hf).
19 F-NMR (DMSO, 376 MHz): δ (ppm) = − 106.9.
From the results shown above, it was confirmed that the compound (B ′)-2 had a structure shown below.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[実施例4〜6、比較例1〜2]
表1に示す各成分を混合、溶解してポジ型のレジスト組成物を調製した。
[Examples 4-6, Comparative Examples 1-2]
Each component shown in Table 1 was mixed and dissolved to prepare a positive resist composition.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

表1中の各略号は以下の意味を有する。また、表1中の[ ]内の数値は配合量(質量部)である。なお、(B)−1の1.55質量部と(D)−1の0.60質量部は等モル量である。(B)−2の0.4質量部と(D)−2の0.24質量部は等モル量である。
(A)−1:下記化学式(A)−1(式中、l/m/n=45/35/20(モル比))で表されるMw=7000、Mw/Mn=1.8の共重合体。
(A)−2:下記化学式(A)−2(式中、l/m/n=40/40/20(モル比))で表されるMw=10000、Mw/Mn=1.9の共重合体。
(B)−1:下記化学式(B)−1で表される化合物(前記化合物(VI))。
(B)−2:下記化学式(B)−2で表される化合物(前記化合物(VIII))。
(B’)−1:下記化学式(B’)−1で表される化合物。
(B’)−2:下記化学式(B’)−2で表される化合物。
(D)−1:トリ−n−ペンチルアミン。
(D)−2:ステアリルジエタノールアミン
(E)−1:サリチル酸。
(S)−1:γ−ブチロラクトン。
(S)−2:PGMEA/PGME=6/4(質量比)。
Each abbreviation in Table 1 has the following meaning. Moreover, the numerical value in [] of Table 1 is a compounding quantity (mass part). In addition, 1.55 mass parts of (B) -1 and 0.60 mass parts of (D) -1 are equimolar amounts. 0.4 parts by mass of (B) -2 and 0.24 parts by mass of (D) -2 are equimolar amounts.
(A) -1: Mw = 7000 and Mw / Mn = 1.8 represented by the following chemical formula (A) -1 (wherein l / m / n = 45/35/20 (molar ratio)) Polymer.
(A) -2: Mw = 10000 and Mw / Mn = 1.9 represented by the following chemical formula (A) -2 (where 1 / m / n = 40/40/20 (molar ratio)) Polymer.
(B) -1: a compound represented by the following chemical formula (B) -1 (the compound (VI)).
(B) -2: Compound represented by the following chemical formula (B) -2 (the compound (VIII)).
(B ′)-1: a compound represented by the following chemical formula (B ′)-1.
(B ′)-2: A compound represented by the following chemical formula (B ′)-2.
(D) -1: tri-n-pentylamine.
(D) -2: Stearyl diethanolamine (E) -1: Salicylic acid.
(S) -1: γ-butyrolactone.
(S) -2: PGMEA / PGME = 6/4 (mass ratio).

Figure 0005389411
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Figure 0005389411
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Figure 0005389411
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得られたレジスト組成物を用いて以下の評価を行った。
[レジストパターン形成1]
8インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物「ARC29A」(商品名、ブリュワーサイエンス社製)を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該反射防止膜上に、上記レジスト組成物(実施例4〜5、比較例1)をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で110℃、60秒間の条件でプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。
次に、前記レジスト膜に対して、ArF露光装置NSR−S302(ニコン社製;NA(開口数)=0.60,2/3輪帯照明)により、ArFエキシマレーザー(193nm)を、マスクパターンを介して選択的に照射した。そして、110℃、60秒間の条件で露光後加熱(PEB)処理を行い、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で30秒間の条件で現像し、その後30秒間、純水を用いて水リンスし、振り切り乾燥を行った。
The following evaluation was performed using the obtained resist composition.
[Resist pattern formation 1]
An organic antireflection film composition “ARC29A” (trade name, manufactured by Brewer Science Co., Ltd.) is applied onto an 8-inch silicon wafer using a spinner, and baked at 205 ° C. for 60 seconds on a hot plate and dried. Thus, an organic antireflection film having a film thickness of 82 nm was formed. Then, the resist composition (Examples 4 to 5 and Comparative Example 1) is applied onto the antireflection film using a spinner, and prebaked (PAB) on a hot plate at 110 ° C. for 60 seconds. By performing the treatment and drying, a resist film having a thickness of 150 nm was formed.
Next, an ArF excimer laser (193 nm) is applied to the resist film by using an ArF exposure apparatus NSR-S302 (manufactured by Nikon; NA (numerical aperture) = 0.60, 2/3 annular illumination) as a mask pattern. Selectively irradiated. Then, post-exposure heating (PEB) treatment is performed at 110 ° C. for 60 seconds, and further development is performed at 23 ° C. with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 30 seconds, and then 30 Water rinsing was performed using pure water for 2 seconds, and then shaken off and dried.

その結果、いずれの例においても、前記レジスト膜に、ライン幅120nm、ピッチ240nmのラインアンドスペースのレジストパターン(以下、L/Sパターンという。)が形成された。
上記ライン幅120nm、ピッチ240nmのL/Sパターンが形成される最適露光量Eop(mJ/cm)を求めた。
As a result, in each of the examples, a line-and-space resist pattern (hereinafter referred to as an L / S pattern) having a line width of 120 nm and a pitch of 240 nm was formed on the resist film.
The optimum exposure dose Eop (mJ / cm 2 ) for forming the L / S pattern having the line width of 120 nm and the pitch of 240 nm was determined.

[レジストパターン形成2]
8インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物「ARC29A」(商品名、ブリュワーサイエンス社製)を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該反射防止膜上に、上記レジスト組成物(実施例6、比較例2)をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で110℃、60秒間の条件でプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。
次に、前記レジスト膜に対して、ArF露光装置NSR−S302(ニコン社製;NA(開口数)=0.60,2/3輪帯照明)により、ArFエキシマレーザー(193nm)を、マスクパターンを介して選択的に照射した。そして、110℃、60秒間の条件で露光後加熱(PEB)処理を行い、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で30秒間の条件で現像し、その後30秒間、純水を用いて水リンスし、振り切り乾燥を行った。
[Resist pattern formation 2]
An organic antireflection film composition “ARC29A” (trade name, manufactured by Brewer Science Co., Ltd.) is applied onto an 8-inch silicon wafer using a spinner, and baked at 205 ° C. for 60 seconds on a hot plate and dried. Thus, an organic antireflection film having a film thickness of 82 nm was formed. Then, each of the resist compositions (Example 6 and Comparative Example 2) is applied onto the antireflection film using a spinner, and prebaked (PAB) treatment is performed on a hot plate at 110 ° C. for 60 seconds. By performing and drying, a resist film having a film thickness of 120 nm was formed.
Next, an ArF excimer laser (193 nm) is applied to the resist film by using an ArF exposure apparatus NSR-S302 (manufactured by Nikon; NA (numerical aperture) = 0.60, 2/3 annular illumination) as a mask pattern. Selectively irradiated. Then, post-exposure heating (PEB) treatment is performed at 110 ° C. for 60 seconds, and further development is performed at 23 ° C. with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 30 seconds, and then 30 Water rinsing was performed using pure water for 2 seconds, and then shaken off and dried.

その結果、いずれの例においても、前記レジスト膜に、ホールの直径140nm、ピッチ280nmのコンタクトホールパターン(以下、C/Hパターンという。)が形成された。
上記ホールの直径140nm、ピッチ280nmのC/Hパターンが形成される最適露光量Eop(mJ/cm)を求めた。
As a result, in each example, a contact hole pattern (hereinafter referred to as a C / H pattern) having a hole diameter of 140 nm and a pitch of 280 nm was formed in the resist film.
The optimum exposure dose Eop (mJ / cm 2 ) at which a C / H pattern having a hole diameter of 140 nm and a pitch of 280 nm was formed was determined.

また、上記で形成したライン幅120nm、ピッチ240nmのL/Sパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡(商品名:S−9220、日立製作所社製)により観察した。その結果、実施例4および5のレジストパターン形状は、比較例1に比べて、ライン側壁の垂直性が高く、基板界面との裾引きが抑制されているなど、矩形性が高かった。
また、上記で形成したホールの直径140nm、ピッチ280nmのC/Hパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡(商品名:S−9220、日立製作所社製)により観察した。その結果、実施例6のレジストパターン形状は、比較例2に比べて、ホールの内壁の垂直性が高く、矩形性が高かった。
Moreover, the cross-sectional shape of the L / S pattern having a line width of 120 nm and a pitch of 240 nm formed as described above was observed with a scanning electron microscope (trade name: S-9220, manufactured by Hitachi, Ltd.). As a result, the resist pattern shapes of Examples 4 and 5 were high in rectangularity compared to Comparative Example 1, such as high verticality of the line sidewall and suppression of tailing with the substrate interface.
Moreover, the cross-sectional shape of the C / H pattern having a diameter of 140 nm and a pitch of 280 nm of the holes formed above was observed with a scanning electron microscope (trade name: S-9220, manufactured by Hitachi, Ltd.). As a result, the resist pattern shape of Example 6 had higher verticality of the inner wall of the hole and higher rectangularity than Comparative Example 2.

[ELマージン評価1:実施例4〜5、比較例1]
露光量をそれぞれ変えた以外は上記と同じ手順でライン幅120nm、ピッチ240nmをターゲット寸法とするL/Sパターンを形成した。
このとき、L/Sパターンのラインがターゲット寸法(ライン幅120nm)の±5%(114nm、126nm)で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン(単位:%)を求めた。その結果を表2に示す。
[EL margin evaluation 1: Examples 4 to 5, Comparative Example 1]
An L / S pattern having a line width of 120 nm and a pitch of 240 nm as target dimensions was formed in the same procedure as above except that the exposure amount was changed.
At this time, the exposure amount when the line of the L / S pattern was formed with ± 5% (114 nm, 126 nm) of the target dimension (line width 120 nm) was obtained, and the EL margin (unit:%) was obtained by the following equation. . The results are shown in Table 2.

ELマージン(%)=(|E1−E2|/Eop)×100
[式中、E1は、ライン幅114nmのL/Sパターンが形成された際の露光量(mJ/cm)を示し、E2は、ライン幅126nmのL/Sパターンを形成された際の露光量(mJ/cm)を示す。]
EL margin (%) = (| E1-E2 | / Eop) × 100
[Where E1 represents an exposure amount (mJ / cm 2 ) when an L / S pattern having a line width of 114 nm is formed, and E2 is an exposure when an L / S pattern having a line width of 126 nm is formed. The amount (mJ / cm 2 ) is shown. ]

[ELマージン評価2:実施例6、比較例2]
前記直径140nm、ピッチ280nmのC/Hパターンがターゲット寸法(ホール直径140nm)の±5%(133nm、145nm)で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン(単位:%)を求めた。その結果を表2に示す。
[EL margin evaluation 2: Example 6, comparative example 2]
The exposure amount when the C / H pattern having a diameter of 140 nm and a pitch of 280 nm is formed with ± 5% (133 nm, 145 nm) of the target dimension (hole diameter of 140 nm) is obtained, and an EL margin (unit:%) is obtained by the following equation. Asked. The results are shown in Table 2.

ELマージン(%)=(|E1−E2|/Eop)×100
[式中、E1は、ホール直径133nmのCHパターンが形成された際の露光量(mJ/cm)を示し、E2は、ホール直径145nmのCHパターンを形成された際の露光量(mJ/cm)を示す。]
EL margin (%) = (| E1-E2 | / Eop) × 100
[In the formula, E1 represents an exposure amount (mJ / cm 2 ) when a CH pattern having a hole diameter of 133 nm is formed, and E2 represents an exposure amount (mJ / cm 2 ) when a CH pattern having a hole diameter of 145 nm is formed. cm 2 ). ]

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[マスクエラーファクター(MEF)評価]
上記Eopにおいて、ライン幅130nm、ピッチ260nmのL/Sパターンをターゲットとするマスクパターンと、ライン幅120nm、ピッチ260nmのL/Sパターンをターゲットとするマスクパターンとを用いてL/Sパターンを形成し、以下の式からMEFの値を求めた。
MEF=|CD130−CD120|/|MD130−MD120
上記式中、CD130、CD120は、それぞれ、ライン幅130nm、120nmをターゲットとするマスクパターンを用いて形成されたL/Sパターンの実際のライン幅(nm)である。MD130、MD120は、それぞれ、当該マスクパターンがターゲットとするライン幅(nm)であり、MD130=130、MD120=120である。このMEFの値が1に近いほど、マスクパターンに忠実なレジストパターンが形成されたことを示す。
その結果、実施例4が1.83、実施例5が2.09、比較例1が2.13であり、同等であった。
[Mask error factor (MEF) evaluation]
In the above Eop, an L / S pattern is formed using a mask pattern that targets an L / S pattern with a line width of 130 nm and a pitch of 260 nm and a mask pattern that targets an L / S pattern with a line width of 120 nm and a pitch of 260 nm. And the value of MEF was calculated | required from the following formula | equation.
MEF = | CD 130 −CD 120 | / | MD 130 −MD 120 |
In the above formula, CD 130 and CD 120 are the actual line widths (nm) of the L / S pattern formed using the mask pattern targeting the line widths 130 nm and 120 nm, respectively. MD 130 and MD 120 are line widths (nm) targeted by the mask pattern, respectively, and MD 130 = 130 and MD 120 = 120. The closer this MEF value is to 1, the more the resist pattern faithful to the mask pattern is formed.
As a result, Example 4 was 1.83, Example 5 was 2.09, and Comparative Example 1 was 2.13, which were equivalent.

上記の結果より、実施例4〜6のレジスト組成物は、リソグラフィー特性に優れていることが確認された。また、実施例4と実施例5の比較により、化合物(B)−1の添加量が増えると感度が遅くなっていることから、化合物(B)−1はクエンチャーとして機能していることが確認された。   From the above results, it was confirmed that the resist compositions of Examples 4 to 6 were excellent in lithography properties. In addition, comparison between Example 4 and Example 5 shows that the sensitivity decreases as the addition amount of Compound (B) -1 increases, and therefore Compound (B) -1 functions as a quencher. confirmed.

上記結果から、本発明の化合物が、酸発生剤またはその合成中間体として有用であることが確認された。   From the above results, it was confirmed that the compound of the present invention is useful as an acid generator or a synthetic intermediate thereof.

[合成例2:化合物(B)−3−1”の合成]
20℃以下で制御したメタンスルホン酸(60.75g)に、酸化リン(8.53g)と、2,6−ジメチルフェノール(8.81g)と、ジフェニルスルホキシド(12.2g)とを少量ずつ添加した。温度を15〜20℃で制御しながら30分熟成した後、40℃まで昇温し、2時間熟成した。その後、15℃以下に冷却した純水(109.35g)に、反応液を滴下した。滴下終了後、ジクロロメタン(54.68g)を加え、撹拌後、ジクロロメタン層を回収した。別容器に、20〜25℃のヘキサン(386.86g)を仕込み、ジクロロメタン層を滴下した。滴下終了後、20〜25℃で30分間熟成した後、ろ過することによって化合物(B)−3−1”を得た(収率70.9%)。
[Synthesis Example 2: Synthesis of Compound (B) -3-1 ″]
Phosphorus oxide (8.53 g), 2,6-dimethylphenol (8.81 g), and diphenyl sulfoxide (12.2 g) were added to methanesulfonic acid (60.75 g) controlled at 20 ° C. or less little by little. did. After aging for 30 minutes while controlling the temperature at 15 to 20 ° C., the temperature was raised to 40 ° C. and aging was performed for 2 hours. Then, the reaction liquid was dripped at the pure water (109.35g) cooled to 15 degrees C or less. After completion of the dropwise addition, dichloromethane (54.68 g) was added, and after stirring, the dichloromethane layer was recovered. In a separate container, 20-25 ° C. hexane (386.86 g) was charged, and the dichloromethane layer was added dropwise. After completion of dropping, the mixture was aged at 20 to 25 ° C. for 30 minutes, and then filtered to obtain compound (B) -3-1 ″ (yield 70.9%).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[合成例3;化合物(B)−3−2”の合成)]
三口フラスコに、前記化合物(B)−3−1”(8.05g)と、ジクロロメタン56.4gとを添加し撹拌した。そこへ、トリエチルアミン(2.63g)とジクロロメタン(8.05g)との混合溶液を滴下し、10℃に冷却した。その後、1−アダマンタンカルボニルクロリド(4.77g)とジクロロメタン(16.10g)との混合溶液を滴下し、室温にて3時間撹拌した後、1質量%塩酸水溶液および純水にて有機相を洗浄し、ジクロロメタン相を濃縮・乾燥することによって目的化合物(B)−3−2”(11.0g)を得た。
なお、得られた化合物(B)−3−2”のカウンターアニオンは、メタンスルホネート体とクロライド体との混合物であった。組成比をイオンクロマトグラフィーにて分析した結果、CHSO/Cl=64.4/35.6(wt%)であった。
[Synthesis Example 3; Synthesis of Compound (B) -3-2 ″]
The compound (B) -3-1 ″ (8.05 g) and 56.4 g of dichloromethane were added to a three-necked flask and stirred. There, triethylamine (2.63 g) and dichloromethane (8.05 g) The mixed solution was added dropwise and cooled to 10 ° C. Thereafter, a mixed solution of 1-adamantanecarbonyl chloride (4.77 g) and dichloromethane (16.10 g) was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The organic phase was washed with an aqueous hydrochloric acid solution and pure water, and the dichloromethane phase was concentrated and dried to obtain the target compound (B) -3-2 ″ (11.0 g).
The counter anion of the obtained compound (B) -3-2 ″ was a mixture of a methanesulfonate body and a chloride body. As a result of analyzing the composition ratio by ion chromatography, CH 3 SO 3 / Cl = 64.4 / 35.6 (wt%).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[実施例7]
化合物(B)−3−2”(3.67g)、純水(22.8g)及びジクロロメタン(27.8g)を添加し、そこへ化合物(IV)(2.99g)を加えて室温で1時間攪拌した。その後、分液して有機層を取り出し、水洗を行った後、減圧下で濃縮することによって目的化合物(B)−3(4.92g)を得た。
[Example 7]
Compound (B) -3-2 ″ (3.67 g), pure water (22.8 g) and dichloromethane (27.8 g) were added, and compound (IV) (2.99 g) was added thereto, and 1 at room temperature was added. Thereafter, the organic layer was taken out, washed with water, and concentrated under reduced pressure to obtain the target compound (B) -3 (4.92 g).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

得られた化合物(B)−3について、NMRによる分析を行った。
H−NMR(DMSO-d6, 400MHz) : δ(ppm) = 8.75 (d, 2H, Pyridine), 7.70−7.86 (m, 14H, Ar+Pyridine), 4.59 (dd, 4H, CHCH), 2.12 (s, 3H, CH), 1.66−2.00 (m, 15H, Adamantane)。
19F−NMR (DMSO−d6, 376MHz) : δ(ppm) = −106.4。
上記の結果から、得られた化合物(B)−3が下記化学式(B)−3に示す構造を有することが確認できた。
The obtained compound (B) -3 was analyzed by NMR.
1 H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz): δ (ppm) = 8.75 (d, 2H, Pyridine), 7.70-7.86 (m, 14H, Ar + Pyridine), 4.59 (dd, 4H , CH 2 CH 2 ), 2.12 (s, 3H, CH 3 ), 1.66-2.00 (m, 15H, Adamantane).
19 F-NMR (DMSO-d6, 376 MHz): δ (ppm) = − 106.4.
From the results described above, it was confirmed that the obtained compound (B) -3 had a structure represented by the following chemical formula (B) -3.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[参考例2:酸発生剤(B’)−3の合成]
以下に示す(2−i)〜(2−iii)の合成方法により得た。
[Reference Example 2: Synthesis of acid generator (B ′)-3]
It was obtained by the following synthesis methods (2-i) to (2-iii).

(2−i)
化合物(III)1.00gおよびアセトニトリル3.00gに対し、1−アダマンタンカルボニルクロライド0.82gおよびトリエチルアミン0.397gを氷冷下滴下した。滴下終了後、室温で20時間攪拌し、濾過した。ろ液を濃縮乾固し、ジクロロメタン30gに溶解させ水洗を3回行った。有機層を濃縮乾燥することにより化合物(B')−3−aを0.82g(収率:41%)得た。
(2-i)
To 1.00 g of compound (III) and 3.00 g of acetonitrile, 0.82 g of 1-adamantanecarbonyl chloride and 0.397 g of triethylamine were added dropwise under ice cooling. After completion of dropping, the mixture was stirred at room temperature for 20 hours and filtered. The filtrate was concentrated to dryness, dissolved in 30 g of dichloromethane and washed with water three times. The organic layer was concentrated and dried to obtain 0.82 g (yield: 41%) of compound (B ′)-3-a.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

得られた化合物(B')−3−aについて、NMRによる分析を行った。
H−NMR(DMSO−d6、400MHz):δ(ppm)=8.81(s,1H,H)、4.37−4.44(t,2H,H)、4.17−4.26(t,2H,H)、3.03−3.15(q,6H,H)、1.61−1.98(m,15H,Adamantane)、1.10−1.24(t,9H,H)。
19F−NMR(DMSO−d6、376MHz):δ(ppm)=−106.61。
上記の結果から、化合物(B')−3−aが下記に示す構造を有することが確認できた。
The obtained compound (B ′)-3-a was analyzed by NMR.
1 H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz): δ (ppm) = 8.81 (s, 1H, H c ), 4.37-4.44 (t, 2H, H d ), 4.17-4 .26 (t, 2H, H e ), 3.03-3.15 (q, 6H, H b ), 1.61-1.98 (m, 15H, Adamantane), 1.10-1.24 ( t, 9H, H a ).
19 F-NMR (DMSO-d6, 376 MHz): δ (ppm) = − 106.61.
From the results shown above, it was confirmed that the compound (B ′)-3-a had a structure shown below.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

(2−ii)
化合物(B)−3−1”(4g)をジクロロメタン79.8gに溶解させた。溶解確認後、炭酸カリウム6.87gを添加し、ブロモ酢酸メチルアダマンタン3.42gを添加した。還流下、24時間反応後、ろ過、水洗浄を行い、ヘキサンで晶析した。得られた粉体を減圧乾燥することによって目的化合物(B')−3−b(3.98g;収率66%)を得た。
(2-ii)
Compound (B) -3-1 ″ (4 g) was dissolved in 79.8 g of dichloromethane. After confirmation of dissolution, 6.87 g of potassium carbonate was added, and 3.42 g of methyl adamantane bromoacetate was added. After reaction for a period of time, filtration, washing with water, and crystallization with hexane, the obtained powder was dried under reduced pressure to obtain the target compound (B ′)-3-b (3.98 g; yield 66%). It was.

(2−iii)
化合物(B')−3−b(4.77g)をジクロロメタン23.83gと水23.83gに溶解させ、化合物 (B')−3−a(3.22g)を添加した。1時間攪拌後、分液処理にて有機層を回収し、水3.84gで水洗浄を3回行った。得られた有機層を濃縮乾固することにより化合物(B')−3(4.98g;収率87%)を得た。
(2-iii)
Compound (B ′)-3-b (4.77 g) was dissolved in 23.83 g of dichloromethane and 23.83 g of water, and compound (B ′)-3-a (3.22 g) was added. After stirring for 1 hour, the organic layer was recovered by liquid separation treatment and washed with water 3.84 g three times. The obtained organic layer was concentrated and dried to obtain Compound (B ′)-3 (4.98 g; yield 87%).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

得られた化合物(B')−3について、NMRによる分析を行った。
H−NMR(DMSO−d6、400MHz):δ(ppm)=7.76−7.88(m,10H,Phenyl),7.62(s,2H,Phenyl),4.64(s,2H,H),4.43−4.44(t,2H、H),4.22−4.23(t,2H、H),1.51−2.36(m,38H,Adamantan+H+H)。
19F−NMR(DMSO−d6、376MHz):δ(ppm)=−106.7。
上記の結果から、化合物(B')−3が下記に示す構造を有することが確認できた。
The obtained compound (B ′)-3 was analyzed by NMR.
1 H-NMR (DMSO-d6, 400 MHz): δ (ppm) = 7.76-7.88 (m, 10H, Phenyl), 7.62 (s, 2H, Phenyl), 4.64 (s, 2H) , H b ), 4.43-4.44 (t, 2H, H e ), 4.22-4.23 (t, 2H, H d ), 1.51-2.36 (m, 38H, Adamantan + H a + Hc ).
19 F-NMR (DMSO-d6, 376 MHz): δ (ppm) = − 106.7.
From the results shown above, it was confirmed that the compound (B ′)-3 had a structure shown below.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

[実施例8〜9、比較例3]
表3に示す各成分を混合、溶解してポジ型のレジスト組成物を調製した。
[Examples 8 to 9, Comparative Example 3]
Each component shown in Table 3 was mixed and dissolved to prepare a positive resist composition.

Figure 0005389411
Figure 0005389411

表3中の各略号は以下の意味を有する。また、表3中の[ ]内の数値は配合量(質量部)である。なお、(B)−2は上記と同様である。また、(B)−2、(B)−3、(D)−3はそれぞれ等モル量である。
(A)−3:下記化学式(A)−3(式中、a1/a2 =70/30(モル比))で表されるMw=10000、Mw/Mn=1.8の共重合体。
(B)−3:下記化学式(B)−3で表される化合物(前記化合物(B)−3)。
(B')−3:下記化学式(B')−3で表される化合物(前記化合物(B')−3)。
(D)−3:トリ−n−オクチルアミン。
(S)−2:PGMEA/PGME=6/4(質量比)。
Each abbreviation in Table 3 has the following meaning. Moreover, the numerical value in [] of Table 3 is a compounding quantity (mass part). (B) -2 is the same as described above. Moreover, (B) -2, (B) -3, and (D) -3 are equimolar amounts, respectively.
(A) -3: Copolymer of Mw = 10000 and Mw / Mn = 1.8 represented by the following chemical formula (A) -3 (wherein a1 / a2 = 70/30 (molar ratio)).
(B) -3: A compound represented by the following chemical formula (B) -3 (the compound (B) -3).
(B ′)-3: a compound represented by the following chemical formula (B ′)-3 (the compound (B ′)-3).
(D) -3: Tri-n-octylamine.
(S) -2: PGMEA / PGME = 6/4 (mass ratio).

Figure 0005389411
Figure 0005389411

Figure 0005389411
Figure 0005389411

得られたポジ型のレジスト組成物を用いて以下の評価を行った。
[レジストパターン形成3]
実施例8〜9または比較例3のポジ型レジスト組成物を、90℃にて36秒間のヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した8インチシリコン基板上に、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、120℃60秒間のベーク処理(PAB)を行ってレジスト膜(膜厚60nm)を成膜した。
該レジスト膜に対し、電子線描画機HL−800D(VSB)(Hitachi社製)を用い、加速電圧70keVにて描画(露光)を行い、100℃60秒間のベーク処理(PEB)を行い、さらに23℃にてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38質量%水溶液(商品名:NMD−3、東京応化工業(株)製)を用いて30秒間の現像を行った後、純水にて15秒間リンスして、ラインアンドスペース(L/S)パターンを形成した。
The following evaluation was performed using the obtained positive resist composition.
[Resist pattern formation 3]
Each of the positive resist compositions of Examples 8 to 9 or Comparative Example 3 was uniformly applied on an 8-inch silicon substrate that had been subjected to hexamethyldisilazane (HMDS) treatment at 90 ° C. for 36 seconds using a spinner. Then, a baking process (PAB) was performed at 120 ° C. for 60 seconds to form a resist film (film thickness 60 nm).
The resist film is drawn (exposed) at an acceleration voltage of 70 keV using an electron beam lithography machine HL-800D (VSB) (manufactured by Hitachi), and subjected to a baking process (PEB) at 100 ° C. for 60 seconds. After developing for 30 seconds using a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (trade name: NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C., Rinse for 15 seconds to form a line and space (L / S) pattern.

[感度の評価]
このとき、100nmのL/Sパターンが1:1に形成される最適露光量(Eop;μC/cm)を求めた。結果を表3に示す。
[Evaluation of sensitivity]
At this time, the optimum exposure amount (Eop; μC / cm 2 ) at which a 100 nm L / S pattern was formed at 1: 1 was determined. The results are shown in Table 3.

得られたパターンについて、測長SEM(走査型電子顕微鏡、商品名:S−9220、日立製作所製)用いて観察した結果、実施例8、9は表面荒れが少なく良好な形状であった。   As a result of observing the obtained pattern using a length measuring SEM (scanning electron microscope, trade name: S-9220, manufactured by Hitachi, Ltd.), Examples 8 and 9 had a good shape with little surface roughness.

Claims (11)

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Zは有機カチオン(ただし下記一般式(w−1)で表されるイオンを除く。)である。]
Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
A resist composition containing a base material component (A) whose solubility in an alkaline developer is changed by the action of an acid, and an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure,
The resist composition, wherein the acid generator component (B) includes an acid generator (B1) composed of a compound represented by the following general formula (b1-1).
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocycle selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; Z + is an organic cation (wherein the following general formula (w-1) The ion represented by this is excluded. ]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]
前記基材成分(A)が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分である請求項1に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1, wherein the base material component (A) is a base material component whose solubility in an alkali developer is increased by the action of an acid. 前記基材成分(A)が、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A1)を含有し、該樹脂成分(A1)が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する請求項2に記載のレジスト組成物。 The base material component (A) contains a resin component (A1) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid, and the resin component (A1) contains an acid dissociable, dissolution inhibiting group. The resist composition according to claim 2, comprising a structural unit (a1) derived from 前記樹脂成分(A1)が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a2)を有する請求項3に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 3, wherein the resin component (A1) further has a structural unit (a2) derived from an acrylate ester containing a lactone-containing cyclic group. 前記樹脂成分(A1)が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a3)を有する請求項3または4に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 3 or 4, wherein the resin component (A1) further has a structural unit (a3) derived from an acrylate ester containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group. 支持体上に、請求項1〜5のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。 A step of forming a resist film using the resist composition according to any one of claims 1 to 5, a step of exposing the resist film, and an alkali development of the resist film to form a resist pattern A resist pattern forming method including a step of forming a film. 下記一般式(b0−1)で表される化合物。
Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Wはアルカリ金属イオンまたは下記一般式(w−1)で表されるイオンである。]
Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
The compound represented by the following general formula (b0-1).
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocyclic ring selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; W + is an alkali metal ion or the following general formula (w-1) It is an ion represented by ]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]
下記一般式(1−3)で表される化合物と、下記一般式(2−1)で表される化合物とを、塩基性条件下、反応させることにより下記一般式(b0−1)で表される化合物を得る工程を含む化合物の製造方法。
Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Vはアルカリ金属イオンまたは下記一般式(v−1)で表されるイオンであり;X21はハロゲン原子であり;Wはアルカリ金属イオンまたは下記一般式(w−1)で表されるイオンである。]
Figure 0005389411
[式中、R3’〜R6’はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R3’〜R6’のうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R3’〜R6’のうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
By reacting the compound represented by the following general formula (1-3) and the compound represented by the following general formula (2-1) under basic conditions, the compound is represented by the following general formula (b0-1). The manufacturing method of the compound including the process of obtaining the compound made.
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocycle selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; V + is an alkali metal ion or the following general formula (v-1) in it is represented by ion; X 21 is a halogen atom; W + is an alkali metal ion or the following general formula (w- ) Is an ion represented by. ]
Figure 0005389411
[Wherein, R 3 ′ to R 6 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent, and at least one of R 3 ′ to R 6 ′ represents the carbonization described above. It is a hydrogen group, and at least two of R 3 ′ to R 6 ′ may be bonded to each other to form a ring. ]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]
下記一般式(b1−1)で表される化合物。
Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Zは有機カチオン(ただし下記一般式(w−1)で表されるイオンを除く。)である。]
Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
The compound represented by the following general formula (b1-1).
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocycle selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; Z + is an organic cation (wherein the following general formula (w-1) The ion represented by this is excluded. ]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]
下記一般式(b0−1)で表される化合物と、下記一般式(b0−2)で表される化合物とを反応させることにより下記一般式(b1−1)で表される化合物を得る工程を含む化合物の製造方法。
Figure 0005389411
[式中、Rは、ピリジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、テトラゾール、ピリミジン、ピラジン、1,3,5−トリアジン、キノリン、イソキノリン、インドール、ピロロ[2,3−b]ピリジン、インダゾール、ベンゾイミダゾール(ベンズイミダゾール)、ベンゾトリアゾール、カルバゾール及びアクリジンからなる群から選択される含窒素複素環から1個の水素原子を除いた一価基である含窒素複素環式基であり;Rはアルキレン基であり;Yは炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であり;Wはアルカリ金属イオンまたは下記一般式(w−1)で表されるイオンであり;Zは有機カチオン(ただし下記一般式(w−1)で表されるイオンを除く。)であり、Aは非求核性アニオンである。]
Figure 0005389411
[式中、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、または置換基を有していてもよい炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも1つは前記炭化水素基であり、R〜Rのうちの少なくとも2つが相互に結合して環を形成していてもよい。]
The process of obtaining the compound represented by the following general formula (b1-1) by making the compound represented by the following general formula (b0-1) react with the compound represented by the following general formula (b0-2). The manufacturing method of the compound containing this.
Figure 0005389411
[Wherein RN is pyridine, pyrrole, pyrazole, imidazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, tetrazole, pyrimidine, pyrazine, 1,3,5-triazine, quinoline, isoquinoline, A monovalent group obtained by removing one hydrogen atom from a nitrogen-containing heterocyclic ring selected from the group consisting of indole, pyrrolo [2,3-b] pyridine, indazole, benzimidazole (benzimidazole), benzotriazole, carbazole and acridine A nitrogen-containing heterocyclic group; R 1 is an alkylene group; Y 1 is a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; W + is an alkali metal ion or the following general formula (w-1) in be represented by ion; Z + is (. excluding ion represented by However the following general formula (w-1)) organic cations Ri, A - is a non-nucleophilic anion. ]
Figure 0005389411
[Wherein R 3 to R 6 are each independently a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group, and at least one of R 3 to R 6 is the hydrocarbon group. , R 3 to R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]
請求項9に記載の化合物からなる酸発生剤。 An acid generator comprising the compound according to claim 9.
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