JP5677668B2 - Salt, resist composition and method for producing resist pattern - Google Patents

Salt, resist composition and method for producing resist pattern Download PDF

Info

Publication number
JP5677668B2
JP5677668B2 JP2010262073A JP2010262073A JP5677668B2 JP 5677668 B2 JP5677668 B2 JP 5677668B2 JP 2010262073 A JP2010262073 A JP 2010262073A JP 2010262073 A JP2010262073 A JP 2010262073A JP 5677668 B2 JP5677668 B2 JP 5677668B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
formula
hydrocarbon group
ring
salt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010262073A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011148766A (en
Inventor
雅彦 嶋田
雅彦 嶋田
市川 幸司
幸司 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP2010262073A priority Critical patent/JP5677668B2/en
Publication of JP2011148766A publication Critical patent/JP2011148766A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5677668B2 publication Critical patent/JP5677668B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D205/00Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D205/12Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C381/00Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12Sulfonium compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers

Description

本発明は、塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。   The present invention relates to a salt, a resist composition, and a method for producing a resist pattern.

リソグラフィ技術を用いた半導体の微細加工に用いられるレジスト組成物は、酸発生剤を含有してなる。
特許文献1には、酸発生剤用の塩として、下記式で表される塩が記載されている。
A resist composition used for fine processing of a semiconductor using a lithography technique contains an acid generator.
Patent Document 1 describes a salt represented by the following formula as a salt for an acid generator.

特開2007−161707号公報JP 2007-161707 A

従来の酸発生剤用の塩では、該塩を含むレジスト組成物から得られるパターンの解像度及びラインエッジラフネス(LER)が必ずしも満足できない場合があった。   A conventional salt for an acid generator may not always satisfy the resolution and line edge roughness (LER) of a pattern obtained from a resist composition containing the salt.

本発明は、以下の発明[1]〜[10]を含む。
[1]式(I)で表される塩。
[式(I)中、
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又はC1〜C6ペルフルオロアルキル基を表す。
Lは、2価のC1〜C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
は、C〜C36の複素環を表し、該複素環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C24の炭化水素基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該複素環に含まれる−CH−は、−O−で置き換わっていてもよい。
は、有機対イオンを表す。]
[2]式(I)で表される塩が、式(I−1)で表される塩である[1]に記載の塩。
[式(I−1)中、
、Q、L及びZは、上記と同じ意味を表す。
34〜R39は、それぞれ独立に、水素原子又はC〜C24の炭化水素基を表すか、R34〜R39の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合してC〜C30の環を形成し、該炭化水素基及び該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C12のアルキル基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基及び該環に含まれる−CH−は、−CO−又は−O−で置き換わっていてもよい。
nは、0〜3の整数を表す。]
[3]式(I)で表される塩が、式(I−2)で表される塩である[1]又は[2]に記載の塩。
[式(I−2)中、
、Q、L、Z及びnは、上記と同じ意味を表す。
42〜R51は、それぞれ独立に、水素原子又はC〜C12の炭化水素基を表すか、R42〜R51の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合してC〜C24の環を形成し、該炭化水素基及び該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C12のアルキル基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基及び該環に含まれる−CH−は、−CO−又は−O−で置き換わっていてもよい。
mは、0〜3の整数を表す。]
[4]式(I)で表される塩が、式(I−3)で表される塩又は式(I−4)で表される塩である[1]〜[3]のいずれか記載の塩。
[式(I−3)及び式(I−4)中、Q、Q、L及びZは、上記と同じ意味を表す。]
[5]Lが、*−CO−又は*−CO−O−CH−CO−(*は、−C(Q)(Q)−との結合手を表す)である[1]〜[4]のいずれか記載の塩。
[6]Zが、アリールスルホニウムカチオンである[1]〜[5]のいずれか記載の塩。
[7]上記[1]〜[6]のいずれかに記載の塩を有効成分として含有する酸発生剤。
The present invention includes the following inventions [1] to [10].
[1] A salt represented by the formula (I).
[In the formula (I),
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group.
L represents a divalent C 1 to C 17 saturated hydrocarbon group, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—.
W 1 represents a C 2 to C 36 heterocycle, and the hydrogen atom contained in the heterocycle is a halogen atom, a hydroxyl group, a C 1 to C 24 hydrocarbon group, a C 1 to C 12 alkoxy group, C it may be substituted by 2 -C 4 acyl group or an acyloxy group of C 2 ~C 4, -CH 2 contained in the heterocycle - may be replaced by -O-.
Z + represents an organic counter ion. ]
[2] The salt according to [1], wherein the salt represented by the formula (I) is a salt represented by the formula (I-1).
[In the formula (I-1),
Q 1 , Q 2 , L and Z + represent the same meaning as described above.
R 34 to R 39 each independently represent a hydrogen atom or a C 1 to C 24 hydrocarbon group, or at least two selected from R 34 to R 39 are bonded to each other to form C 3 to C 30 . It forms a ring, hydrogen atom contained in the hydrocarbon group and the ring, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group of C 1 -C 12, alkoxy group of C 1 -C 12, acyl group C 2 -C 4 Alternatively, it may be substituted with a C 2 to C 4 acyloxy group, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the ring may be replaced with —CO— or —O—.
n represents an integer of 0 to 3. ]
[3] The salt according to [1] or [2], wherein the salt represented by the formula (I) is a salt represented by the formula (I-2).
[In the formula (I-2),
Q 1 , Q 2 , L, Z + and n represent the same meaning as described above.
R 42 to R 51 each independently represents a hydrogen atom or a C 1 to C 12 hydrocarbon group, or at least two selected from R 42 to R 51 are bonded to each other to form C 3 to C 24 . It forms a ring, hydrogen atom contained in the hydrocarbon group and the ring, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group of C 1 -C 12, alkoxy group of C 1 -C 12, acyl group C 2 -C 4 Alternatively, it may be substituted with a C 2 to C 4 acyloxy group, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the ring may be replaced with —CO— or —O—.
m represents an integer of 0 to 3. ]
[4] Any one of [1] to [3], wherein the salt represented by the formula (I) is a salt represented by the formula (I-3) or a salt represented by the formula (I-4). Salt.
[In formula (I-3) and formula (I-4), Q 1 , Q 2 , L and Z + represent the same meaning as described above. ]
[5] L is * —CO— or * —CO—O—CH 2 —CO— (* represents a bond with —C (Q 1 ) (Q 2 ) —) [1] to The salt according to any one of [4].
[6] The salt according to any one of [1] to [5], wherein Z + is an arylsulfonium cation.
[7] An acid generator containing the salt according to any one of [1] to [6] as an active ingredient.

[8]上記[7]に記載の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂であるレジスト組成物。
[9]塩基性化合物を含有する[8]に記載のレジスト組成物。
[8] The acid generator according to [7] above and a resin, wherein the resin has an acid labile group and is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution, and acts on an acid to form an alkali. A resist composition that is a resin that can be dissolved in an aqueous solution.
[9] The resist composition according to [8], which contains a basic compound.

[10](1)上記[8]又は[9]に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
[10] (1) A step of applying the resist composition according to [8] or [9] on a substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) a step of developing the heated composition layer using a developing device;
A method for producing a resist pattern including:

本発明の塩によれば、該塩を含むレジスト組成物から、優れた解像度及びラインエッジラフネス(LER)を有するパターンを得ることができる。   According to the salt of the present invention, a pattern having excellent resolution and line edge roughness (LER) can be obtained from a resist composition containing the salt.

本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、各置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。各置換基は、結合部位によって一価又は二価以上の置換基となり得る。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。
また、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。
In this specification, unless otherwise specified, examples of each substituent are applied to any chemical structural formula having the same substituent while appropriately selecting the number of carbon atoms. Those which can be linear, branched or cyclic include any of them, and they may be mixed. Each substituent can be a monovalent or divalent or higher substituent depending on the binding site. When stereoisomers exist, all stereoisomers are included.
Further, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having a structure of "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- ". Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

<式(I)で表される塩>
本発明の塩は、式(I)で表される(以下「塩(I)と記載することがある」)。
[式(I)中、
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又はC1〜C6ペルフルオロアルキル基を表す。
Lは、2価のC1〜C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
は、C〜C36の複素環を表し、該複素環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C24の炭化水素基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該複素環に含まれる−CH−は、−O−で置き換わっていてもよい。
は、有機対イオンを表す。]
<Salt represented by formula (I)>
The salt of the present invention is represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “salt (I)”).
[In the formula (I),
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group.
L represents a divalent C 1 to C 17 saturated hydrocarbon group, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—.
W 1 represents a C 2 to C 36 heterocycle, and the hydrogen atom contained in the heterocycle is a halogen atom, a hydroxyl group, a C 1 to C 24 hydrocarbon group, a C 1 to C 12 alkoxy group, C it may be substituted by 2 -C 4 acyl group or an acyloxy group of C 2 ~C 4, -CH 2 contained in the heterocycle - may be replaced by -O-.
Z + represents an organic counter ion. ]

ペルフルオロアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。   Examples of the perfluoroalkyl group include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro sec-butyl group, a perfluoro tert-butyl group, a perfluoropentyl group, and a perfluorohexyl group. It is done.

2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルキレン、分岐状アルキレン、単環式又は多環式の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2−プロピリデン基等の直鎖状アルキレン基;
直鎖状アルキレン基に、アルキル基(特に、C1〜C4アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、1−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,3−プロピレン基、2−メチル−1,2−プロピレン基、1−メチル−1,4−ブチレン基、2−メチル−1,4−ブチレン基等の分岐状アルキレン基;
1,3−シクロブチレン基、1,3−シクロペンチレン基、1,4−シクロヘキシレン基、1,5−シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基である単環式の飽和環状炭化水素基;
1,4−ノルボルニレン基、2,5−ノルボルニレン基、1,5−アダマンチレン基、2,6−アダマンチレン基等の多環式の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。
また、これらの基の2種以上を組み合わせたものでもよい。さらに、後述する1価の飽和環状炭化水素における任意の1つの水素原子を結合手として2価基としたものであってもよい。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group include linear alkylene, branched alkylene, monocyclic or polycyclic saturated cyclic hydrocarbon group, and the like.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkylene groups such as 17-diyl group, methylidene group, ethylidene group, propylidene group, 2-propylidene group;
A linear alkylene group, the side of the alkyl group (in particular, C 1 -C 4 alkyl group, e.g., methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec- butyl group, tert- butyl group, etc.) Having a chain, for example, 1-methyl-1,3-propylene group, 2-methyl-1,3-propylene group, 2-methyl-1,2-propylene group, 1-methyl-1,4-butylene A branched alkylene group such as a 2-methyl-1,4-butylene group;
Monocyclic saturated cyclic hydrocarbon groups which are cycloalkylene groups such as 1,3-cyclobutylene group, 1,3-cyclopentylene group, 1,4-cyclohexylene group, 1,5-cyclooctylene group;
Examples thereof include polycyclic saturated cyclic hydrocarbon groups such as 1,4-norbornylene group, 2,5-norbornylene group, 1,5-adamantylene group, 2,6-adamantylene group and the like.
Moreover, what combined 2 or more types of these groups may be used. Further, a divalent group may be formed by using any one hydrogen atom in a monovalent saturated cyclic hydrocarbon described later as a bond.

2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−が−O−又は−CO−で置き換わったものとしては、例えば、式(L1)〜式(L3)で表される基が挙げられる。式(L1)〜式(L3)は、左側でC(Q1)(Q2)−と結合し、右側で環Wと結合する。以下の式(L1)〜式(L3)の具体例も同様である。 Examples of the group in which —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group is replaced by —O— or —CO— include groups represented by formulas (L1) to (L3). Formula (L1) ~ formula (L3), in the left C (Q 1) (Q 2 ) - bound to, binds to the ring W 1 on the right. The same applies to specific examples of the following formulas (L1) to (L3).

式(L1)〜式(L3)において、Lは、C1〜C15飽和炭化水素基を表す。
及びLは、それぞれ独立には、C1〜C12飽和炭化水素基を表す。
In Formula (L1) to Formula (L3), L 1 represents a C 1 to C 15 saturated hydrocarbon group.
L 2 and L 3 each independently represent a C 1 to C 12 saturated hydrocarbon group.

式(L1)で表される2価の基としては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (L1) include the following.

式(L2)で表される2価の基としては、例えば、以下のものが挙げられる。
なかでも、好ましくは式(L1)又は式(L3)のいずれか、さらに好ましくは式(L3)で表される基である。
Examples of the divalent group represented by the formula (L2) include the following.
Of these, a group represented by formula (L1) or formula (L3) is preferred, and a group represented by formula (L3) is more preferred.

複素環としては、単環式又は多環式のいずれでもよい。また、芳香族複素環であってもよいし、芳香性を有さないものであってもよく、例えば、以下の基が挙げられる。*はLとの結合手を表す。
The heterocyclic ring may be monocyclic or polycyclic. Moreover, an aromatic heterocyclic ring may be sufficient and it may not have aromaticity, for example, the following groups are mentioned. * Represents a bond with L.

また、複素環に含まれる−CH−が−O−で置き換わったものとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
In addition, examples of the group in which —CH 2 — contained in the heterocyclic ring is replaced by —O— include the following.

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれであってもよいし、これら基の組み合わせであってもよい。
例えば、脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、1−メチルエチル基(イソプロピル基)、1,1−ジメチルエチル基(tert−ブチル基)、2,2−ジメチルエチル基、プロピル基、1−メチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、ブチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−プロピルブチル基、ペンチル基、1−メチルペンチル基、ヘキシル基、1,4−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1−メチルヘプチル基、オクチル基、メチルオクチル基、メチルノニル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等のアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、イソボルニル基等のシクロアルキル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
As a hydrocarbon group, any of an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group may be sufficient, and the combination of these groups may be sufficient.
For example, as the aliphatic hydrocarbon group, for example, methyl group, ethyl group, 1-methylethyl group (isopropyl group), 1,1-dimethylethyl group (tert-butyl group), 2,2-dimethylethyl group, Propyl group, 1-methylpropyl group, 2,2-dimethylpropyl group, 1-ethylpropyl group, butyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-propylbutyl group, pentyl group, 1-methylpentyl group, hexyl group, 1,4-dimethylhexyl group, heptyl group, 1-methylheptyl group, octyl group, methyloctyl group, methylnonyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, Examples thereof include alkyl groups such as dodecyl group.
The alicyclic hydrocarbon group includes cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, norbornyl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, isobornyl And a cycloalkyl group such as a group.
As aromatic hydrocarbon group, phenyl group, naphthyl group, anthranyl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, biphenyl Groups, anthryl groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、2−エチルヘキトキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。
As an alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, an n-pentoxy group, an n-hexoxy group, a heptoxy group, an octoxy group , 2-ethylhexoxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group and the like.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, and an isobutyryloxy group.

式(I)で表される塩においては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
環Wは、窒素原子を含む4〜6員の複素環又はこのような4〜6員環を含む複素環(例えば、好ましくは4〜20員、より好ましくは、4〜16員の多環又は多環橋かけ環)が好ましい。−CO−は、窒素原子に隣接する位置に配置しているものが好ましい。
環Wの置換基における炭化水素基としては、C〜C12アルキル基が好ましい。
In the salt represented by the formula (I), Q 1 and Q 2 are each independently preferably a perfluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.
Ring W 1 is a 4-6 membered heterocyclic ring containing a nitrogen atom or a heterocyclic ring containing such a 4-6 membered ring (eg, preferably 4-20 membered, more preferably 4-16 membered polycycle). Or a polycyclic bridged ring). -CO- is preferably arranged at a position adjacent to the nitrogen atom.
The hydrocarbon group in the ring W 1 substituents, C 1 -C 12 alkyl group are preferable.

式(I)で表される塩は、例えば、式(I−1)で表される塩が挙げられる。
[式(I−1)中、
、Q、L及びZは、上記と同じ意味を表す。
34〜R39は、それぞれ独立に、水素原子又はC〜C24の炭化水素基を表すか、R34〜R39の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合してC〜C30の環を形成し、該炭化水素基及び該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C12のアルキル基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基及び該環に含まれる−CH−は、−CO−又は−O−で置き換わっていてもよい。
nは、0〜3の整数を表す。]
Examples of the salt represented by the formula (I) include a salt represented by the formula (I-1).
[In the formula (I-1),
Q 1 , Q 2 , L and Z + represent the same meaning as described above.
R 34 to R 39 each independently represent a hydrogen atom or a C 1 to C 24 hydrocarbon group, or at least two selected from R 34 to R 39 are bonded to each other to form C 3 to C 30 . It forms a ring, hydrogen atom contained in the hydrocarbon group and the ring, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group of C 1 -C 12, alkoxy group of C 1 -C 12, acyl group C 2 -C 4 Alternatively, it may be substituted with a C 2 to C 4 acyloxy group, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the ring may be replaced with —CO— or —O—.
n represents an integer of 0 to 3. ]

また、式(I)で表される塩は、式(I−2)で表される塩が挙げられる。
[式(I−2)中、
、Q、L、Z及びnは、上記と同じ意味を表す。
42〜R51は、それぞれ独立に、水素原子又はC〜C12の炭化水素基を表すか、R42〜R51の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合してC〜C24の環を形成し、該炭化水素基及び該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C12のアルキル基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基及び該環に含まれる−CH−は、−CO−又は−O−で置き換わっていてもよい。
mは、0〜3の整数を表す。]
Examples of the salt represented by the formula (I) include the salt represented by the formula (I-2).
[In the formula (I-2),
Q 1 , Q 2 , L, Z + and n represent the same meaning as described above.
R 42 to R 51 each independently represents a hydrogen atom or a C 1 to C 12 hydrocarbon group, or at least two selected from R 42 to R 51 are bonded to each other to form C 3 to C 24 . It forms a ring, hydrogen atom contained in the hydrocarbon group and the ring, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group of C 1 -C 12, alkoxy group of C 1 -C 12, acyl group C 2 -C 4 Alternatively, it may be substituted with a C 2 to C 4 acyloxy group, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the ring may be replaced with —CO— or —O—.
m represents an integer of 0 to 3. ]

式(I−1)及び式(I−2)において、R34〜R39又はR42〜R51の2つが結合して形成される環は、脂環式炭化水素又は上述した複素環等が挙げられ、好ましくは、脂環式炭化水素である。 In formula (I-1) and formula (I-2), the ring formed by combining two of R 34 to R 39 or R 42 to R 51 is an alicyclic hydrocarbon or the above-described heterocyclic ring. Preferably, it is an alicyclic hydrocarbon.

式(I−1)においては、nが0又は1であるものが好ましく、より好ましくは0である。
式(I−2)においては、nが0又は1であるものが好ましく、より好ましくは0である。また、mは1又は2であるものが好ましく、より好ましくは1である。
In the formula (I-1), n is preferably 0 or 1, more preferably 0.
In the formula (I-2), n is preferably 0 or 1, more preferably 0. Further, m is preferably 1 or 2, and more preferably 1.

具体的には、式(I−3)で表される塩又は式(I−4)で表される塩が好ましい。
[式(I−3)及び式(I−4)中、Q、Q、L及びZは、上記と同じ意味を表す。]
Specifically, a salt represented by the formula (I-3) or a salt represented by the formula (I-4) is preferable.
[In formula (I-3) and formula (I-4), Q 1 , Q 2 , L and Z + represent the same meaning as described above. ]

式(I)で表される塩としては、例えば以下の塩が挙げられる。
Examples of the salt represented by the formula (I) include the following salts.

としては、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。 Examples of Z + include onium cations such as sulfonium cations, iodonium cations, ammonium cations, benzothiazolium cations, and phosphonium cations. Among these, a sulfonium cation and an iodonium cation are preferable, and an arylsulfonium cation is more preferable.

+は、好ましくは式(Z1)〜式(Z4)のいずれかで表される。
Z + is preferably represented by any one of formulas (Z1) to (Z4).

これらの式において、P〜Pは、それぞれ独立に、C1〜C30脂肪族炭化水素基、C3〜C36飽和環状炭化水素基又はC6〜C18芳香族炭化水素基を表し、前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、C1〜C12アルコキシ基又はC6〜C18芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、C2〜C4アシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、C1〜C36脂肪族炭化水素基、C3〜C36飽和環状炭化水素基又はC1〜C12アルコキシ基で置換されていてもよい。
及びPは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、C1〜C12脂肪族炭化水素基又はC1〜C12アルコキシ基を表す。
及びPは、それぞれ独立に、C1〜C36脂肪族炭化水素基又はC3〜C36飽和環状炭化水素基を表す。
は、水素原子、C1〜C36脂肪族炭化水素基、C3〜C36飽和環状炭化水素基又はC6〜C18芳香族炭化水素基を表す。
〜Pの脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C36、より好ましくはC〜C12である。
は、C1〜C12脂肪族炭化水素基、C3〜C18飽和環状炭化水素基、C6〜C18芳香族炭化水素基を表し、前記芳香族炭化水素基は、C1〜C12脂肪族炭化水素基、C1〜C12アルコキシ基、C3〜C18飽和環状炭化水素基又はアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
とP及びPとPは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよく、これらの環の−CH−は、−O−、−S−、−CO−で置き換わっていてもよい。
10〜P15は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、C1〜C12脂肪族炭化水素基又はC1〜C12アルコキシ基を表す。
Eは、−S−又は−O−を表す。
i及びj、p、r、x及びyは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
qは0又は1を表す。
v及びwは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
p、r、x、y、v及びwのいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のP10〜P15は互いに同一でも異なってもよい。
In these formulas, P a to P c each independently represents a C 1 to C 30 aliphatic hydrocarbon group, a C 3 to C 36 saturated cyclic hydrocarbon group, or a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group. the aliphatic hydrocarbon group, hydroxy group, may be substituted by C 1 -C 12 alkoxy or C 6 -C 18 aromatic hydrocarbon group, the saturated cyclic hydrocarbon group, a halogen atom, C 2 -C 4 may be substituted with an acyl group or glycidyl group, the aromatic hydrocarbon group, a halogen atom, hydroxy group, C 1 -C 36 aliphatic hydrocarbon group, C 3 -C 36 saturated cyclic it may be substituted with a hydrocarbon group or a C 1 -C 12 alkoxy group.
P 4 and P 5 each independently represent a hydroxy group, a C 1 to C 12 aliphatic hydrocarbon group or a C 1 to C 12 alkoxy group.
P 6 and P 7 each independently represent a C 1 to C 36 aliphatic hydrocarbon group or a C 3 to C 36 saturated cyclic hydrocarbon group.
P 8 represents a hydrogen atom, C 1 -C 36 aliphatic hydrocarbon group, C 3 -C 36 saturated cyclic hydrocarbon group or a C 6 -C 18 aromatic hydrocarbon group.
The aliphatic hydrocarbon group of P 6 to P 8 is preferably C 1 to C 12 , and the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably C 3 to C 36 , more preferably C 4 to C 12 .
P 9 represents a C 1 -C 12 aliphatic hydrocarbon group, C 3 -C 18 saturated cyclic hydrocarbon group, C 6 -C 18 aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group, C 1 ~ C 12 aliphatic hydrocarbon group, C 1 -C 12 alkoxy group, C 3 -C 18 saturated cyclic hydrocarbon group or alkylcarbonyloxy group may be substituted.
P 6 and P 7 and P 8 and P 9 may be independently bonded to each other to form a 3-membered ring to a 12-membered ring (preferably a 3-membered ring to a 7-membered ring). —CH 2 — may be replaced by —O—, —S—, or —CO—.
P 10 to P 15 each independently represents a hydroxy group, a C 1 to C 12 aliphatic hydrocarbon group, or a C 1 to C 12 alkoxy group.
E represents -S- or -O-.
i and j, p, r, x and y each independently represents an integer of 0 to 5;
q represents 0 or 1;
v and w each independently represent an integer of 0 to 4.
When any one of p, r, x, y, v, and w is 2, the plurality of P 10 to P 15 may be the same as or different from each other.

脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアルコキシ基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
飽和環状炭化水素基としては、1価の飽和環状炭化水素基として、単環式又は多環式のいずれでもよい。例えば、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基)などの単環式の飽和環状炭化水素基;縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基(例えば、ヒドロナフチル基)、橋かけ環状炭化水素基(例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基)などの多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられる。さらに下記のような、橋かけ環(例えばノルボルナン環)と単環(例えばシクロヘプタン環やシクロヘキサン環)又は多環(例えば、デカヒドロナフタレン環)とが縮合した基又は橋かけ環同士が縮合した基;これらが組み合わせられた基等が挙げられる。なお、下記式において*は結合手を表す。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group and alkoxy group are the same as those described above.
The saturated cyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic as a monovalent saturated cyclic hydrocarbon group. For example, a monocyclic saturated cyclic hydrocarbon group such as a cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group); condensed aromatic carbon Polycyclic saturated cyclic hydrocarbon groups such as groups obtained by hydrogenating hydrogen groups (for example, hydronaphthyl groups) and bridged cyclic hydrocarbon groups (for example, adamantyl groups, norbornyl groups, methylnorbornyl groups) Can be mentioned. Further, a group in which a bridged ring (for example, a norbornane ring) and a single ring (for example, a cycloheptane ring or a cyclohexane ring) or a polycycle (for example, a decahydronaphthalene ring) or bridged rings are condensed as shown below. Group; group which these combined, etc. are mentioned. In the following formula, * represents a bond.

アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、及び2−エチルヘキシル基である。
好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基、及びイソボルニル基である。
好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。
置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基(アラルキル基)としては、ベンジル基などが挙げられる。
とP及びPとPが互いに結合して形成する3員環〜12員環としては、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせが挙げられる。
なかでも、P及びPが形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。P及びPが形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。
Preferred aliphatic hydrocarbon groups are methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, octyl, and 2-ethylhexyl. It is a group.
Preferred saturated cyclic hydrocarbon groups are cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclodecyl group, 2-alkyl-2-adamantyl group, 1- (1-adamantyl) -1-alkyl group, And an isobornyl group.
Preferred aromatic hydrocarbon groups are phenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, biphenylyl group, naphthyl group. It is.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group (aralkyl group) whose substituent is an aromatic hydrocarbon group include a benzyl group.
Examples of the 3-membered to 12-membered ring formed by combining P 6 and P 7 and P 8 and P 9 with each other include saturated cyclic hydrocarbon groups, aromatic hydrocarbon groups, and combinations thereof.
Among them, examples of the ring formed by P 6 and P 7 include a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and a 1,4-oxathian-4-ium ring. Can be mentioned. Examples of the ring formed by P 8 and P 9 include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

式(Z1)〜式(Z4)で表されるカチオンの中でも、式(Z1)が好ましく、式(Z5)で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(Z5)中、全てのzが0)がさらに好ましい。   Among the cations represented by the formulas (Z1) to (Z4), the formula (Z1) is preferable, the cation represented by the formula (Z5) is more preferable, and the triphenylsulfonium cation (in the formula (Z5), More preferably, z is 0).

式(Z5)において、P〜Pは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、C1〜C36脂肪族炭化水素基、C3〜C36飽和環状炭化水素基又はC1〜C12アルコキシ基を表す。
前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、C1〜C12アルコキシ基又はC6〜C18芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、C2〜C4アシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。
zは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。zのいずれかが2以上のとき、それぞれ、複数のP〜Pは、互いに同一でも異なってもよい。
式(Z5)においては、
脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C36である。
〜Pは、好ましくは、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、C1〜C12アルキル基又はC1〜C12アルコキシ基を表す。
zは、それぞれ独立に、好ましくは0又は1である。
In formula (Z5), P 1 to P 3 each independently represent a halogen atom, a hydroxy group, a C 1 to C 36 aliphatic hydrocarbon group, a C 3 to C 36 saturated cyclic hydrocarbon group, or C 1 to C 12. Represents an alkoxy group.
The aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, a C 1 to C 12 alkoxy group or a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group, and the saturated cyclic hydrocarbon group is a halogen atom, C 2 -C 4 acyl group or glycidyl group may be substituted.
z represents the integer of 0-5 each independently. When any one of z is 2 or more, the plurality of P 1 to P 3 may be the same as or different from each other.
In the formula (Z5),
The aliphatic hydrocarbon group is preferably C 1 to C 12 , and the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably C 4 to C 36 .
P 1 to P 3 preferably each independently represent a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, a C 1 to C 12 alkyl group or a C 1 to C 12 alkoxy group.
Each z is independently preferably 0 or 1.

式(Z1)又は(Z5)で表されるカチオンとしては、以下のものが挙げられる。
Examples of the cation represented by the formula (Z1) or (Z5) include the following.

カチオン(Z2)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation (Z2) include the following.

カチオン(Z3)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation (Z3) include the following.

カチオン(Z4)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
Specific examples of the cation (Z4) include the following.

式(I)で表される塩は、上述のアニオン及び有機カチオンを任意に組み合わせることができる。なかでも、以下で表される塩が好ましい。

The salt represented by the formula (I) can be arbitrarily combined with the above-mentioned anions and organic cations. Especially, the salt represented by the following is preferable.

式(I)で表される塩は、当該分野で公知の方法によって製造することができる。
例えば、式(Ia)で表される塩は、以下の製造方法によって製造することができる。
なお、下記の式中、W’はC〜C35の複素環を示す。
The salt represented by the formula (I) can be produced by a method known in the art.
For example, the salt represented by the formula (Ia) can be produced by the following production method.
In the following formula, W ′ represents a C 2 -C 35 heterocycle.

式(Ia−b)で表される塩は、特開2008−13551号公報に記載された方法で合成することができる。
式(Ia−a)で表される化合物と、式(Ia−b)で表される塩とを触媒下で反応させることにより、式(Ia)で表される塩を得ることができる。
溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。
式(Ia−a)で表される化合物としては、2−ピロリジノン、3−ピロリジノン、特表2007−514775に記載されるシクロペンテンとイソシアン酸クロロスルホニルとの反応で得られたシクロペンタンのラセミβ−ラクタム、1,2−ジヒドロ−3H−インドール−3−オン等が挙げられる。
The salt represented by the formula (Ia-b) can be synthesized by the method described in JP-A-2008-13551.
The salt represented by the formula (Ia) can be obtained by reacting the compound represented by the formula (Ia-a) with the salt represented by the formula (Ia-b) in the presence of a catalyst.
Examples of the solvent include chloroform. Examples of the catalyst include lithium amide.
Examples of the compound represented by the formula (Ia-a) include 2-pyrrolidinone, 3-pyrrolidinone, racemic β-cyclopentane obtained by the reaction of cyclopentene and chlorosulfonyl isocyanate described in JP-T-2007-514775. And lactam, 1,2-dihydro-3H-indol-3-one, and the like.

また、式(Ib)で表される塩は、以下の製造方法によって製造することができる。
まず、式(Ia−a)で表される化合物とホルムアルデヒドとを触媒下で、反応させることにより、式(Ia−c)で表される化合物を得ることができる。
溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、炭酸カリウム等が挙げられる。
次いで、式(Ia−c)で表される化合物と、式(Ia−b)で表される塩とを触媒下で反応させることにより、式(Ib)で表される塩を得ることができる。
溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。
Moreover, the salt represented by Formula (Ib) can be manufactured with the following manufacturing methods.
First, the compound represented by the formula (Ia-c) can be obtained by reacting the compound represented by the formula (Ia-a) with formaldehyde in the presence of a catalyst.
Examples of the solvent include tetrahydrofuran. Examples of the base catalyst include potassium carbonate.
Subsequently, the salt represented by the formula (Ib) can be obtained by reacting the compound represented by the formula (Ia-c) with the salt represented by the formula (Ia-b) under a catalyst. .
Examples of the solvent include chloroform. Examples of the catalyst include lithium amide.

<酸発生剤>
本発明の酸発生剤は、式(I)で表される塩を有効成分として含有する。式(I)で表される塩を酸発生剤として使用する場合、単独でも複数種を同時に用いてもよい。また、本発明の酸発生剤は、さらに、式(I)で表される塩以外の公知の塩、式(I)で表される塩に含まれるカチオン及び公知のアニオンからなる塩並びに式(I)で表される塩に含まれるアニオン及び公知のカチオンからなる塩等を含んでいてもよい。
このような塩は、レジスト組成物に使用される酸発生剤として好適に用いられる。
<Acid generator>
The acid generator of the present invention contains a salt represented by the formula (I) as an active ingredient. When using the salt represented by Formula (I) as an acid generator, you may use individually or in multiple types simultaneously. The acid generator of the present invention further includes a known salt other than the salt represented by the formula (I), a salt composed of a cation and a known anion contained in the salt represented by the formula (I), and a formula ( A salt composed of an anion contained in the salt represented by I) and a known cation may be included.
Such a salt is suitably used as an acid generator used in a resist composition.

<レジスト組成物>
本発明のレジスト組成物は、式(I)で表される塩を有効成分として含有する酸発生剤と樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)とを含有する。
本発明のレジスト組成物では、上述したように、酸発生剤として式(I)で示される塩以外の公知の塩を併用してもよい。酸発生剤の含有量は、レジスト組成物の固形分中0.1〜30重量%程度の範囲であることが好ましい。
レジスト組成物に含有される樹脂(A)は、酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸と作用した該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。つまり、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる。よって、このレジスト組成物では、露光により、式(I)で示される塩から酸が発生し、その酸が、樹脂中の酸に不安定な基に対して触媒的に作用して酸に不安定な基を開裂させ、樹脂をアルカリ水溶液に可溶なものとする。
このようなレジスト組成物は化学増幅型ポジ型レジスト組成物として好適である。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention contains an acid generator containing a salt represented by formula (I) as an active ingredient and a resin (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”).
In the resist composition of the present invention, as described above, a known salt other than the salt represented by the formula (I) may be used in combination as the acid generator. The content of the acid generator is preferably in the range of about 0.1 to 30% by weight in the solid content of the resist composition.
The resin (A) contained in the resist composition is a resin having an acid labile group and insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution. The resin that has reacted with an acid is a resin that can be dissolved in an alkaline aqueous solution. is there. That is, it is insoluble or hardly soluble in the alkaline aqueous solution before contact with the acid, but becomes soluble in the alkaline aqueous solution after contact with the acid. Therefore, in this resist composition, an acid is generated from the salt represented by the formula (I) by exposure, and the acid acts catalytically on an acid-labile group in the resin, thereby preventing the acid. The stable group is cleaved to make the resin soluble in an alkaline aqueous solution.
Such a resist composition is suitable as a chemically amplified positive resist composition.

<樹脂(A)>
樹脂(A)は、酸に不安定な基を有するモノマーを重合することによって製造することができる。酸に不安定な基を有するモノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Resin (A)>
The resin (A) can be produced by polymerizing a monomer having an acid labile group. As the monomer having an acid labile group, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

<酸に不安定な基を有するモノマー>
「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、−O−が3級炭素原子(但し、橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く)と結合した式(a)で表されるアルコキシカルボニル基(即ち3級アルコール残基を有するエステル結合)が挙げられる。式(a)で表される基を「酸に不安定な基(a)」という場合がある。
<Monomer having acid-labile group>
The term “acid-labile group” means a group that cleaves a leaving group upon contact with an acid to form a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). Examples of the acid labile group include an alkoxycarbonyl group represented by the formula (a) in which —O— is bonded to a tertiary carbon atom (excluding a bridgehead carbon atom of a bridged cyclic hydrocarbon group) ( That is, an ester bond having a tertiary alcohol residue). The group represented by the formula (a) may be referred to as “acid-labile group (a)”.

式(a)において、R1〜R3は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基を表すか、R1及びR2は互いに結合して環を形成していてもよい。*は結合手を表す。
ここで、R1及びR2が互いに結合して形成する環としては、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
In the formula (a), R 1 to R 3 each independently represents an aliphatic hydrocarbon group or a saturated cyclic hydrocarbon group, or R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring. . * Represents a bond.
Here, examples of the ring formed by combining R 1 and R 2 with each other include a saturated cyclic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group.

式(a)では、R〜Rにおいて、脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよい。また、脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の−CH−は−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
〜Rは、好ましくはC〜C20の基であり、より好ましくは、C〜C12の基である。
In Formula (a), in R 1 to R 3 , the hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group or the like. In addition, —CH 2 — in the aliphatic hydrocarbon group and saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced with —O— or —CO—.
R 1 to R 3 are preferably C 1 to C 20 groups, and more preferably C 1 to C 12 groups.

酸に不安定な基(a)としては、例えば、
1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(a)中、R1〜R3がアルキル基であるもの、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、
2−アルキル−2−アダマンチルオキシカルボニル基(式(a)中、R1、R2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、R3がアルキル基であるもの)、及び
1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(a)中、R1及びR2がアルキル基であり、R3がアダマンチル基であるもの)などが挙げられる。
Examples of the acid labile group (a) include:
1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (a), R 1 to R 3 are alkyl groups, preferably tert-butoxycarbonyl group),
2-alkyl-2-adamantyloxycarbonyl group (in the formula (a), R 1 , R 2 and a carbon atom form an adamantyl group and R 3 is an alkyl group), and 1- (1-adamantyl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (a), R 1 and R 2 are alkyl groups and R 3 is an adamantyl group) and the like.

酸に不安定な基を有するモノマーは、好ましくは、酸に不安定な基(a)と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基(a)を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The monomer having an acid labile group is preferably a monomer having an acid labile group (a) and a carbon-carbon double bond, more preferably an acid labile group (a) ( It is a (meth) acrylic monomer.

酸に不安定な基(a)を有する(メタ)アクリル系モノマーの中でも、C5〜C20飽和環状炭化水素基を有するものが好ましい。飽和環状炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーを重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。
なお、飽和環状炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
Among the (meth) acrylic monomers having an acid labile group (a), those having a C 5 to C 20 saturated cyclic hydrocarbon group are preferred. If a resin obtained by polymerizing a monomer having a bulky structure such as a saturated cyclic hydrocarbon group is used, the resolution of the resist can be improved.
Examples of the saturated cyclic hydrocarbon group are the same as those described above.

酸に不安定な基(a)と飽和環状炭化水素基とを有する(メタ)アクリル系モノマーの中でも、式(a−1)で表されるアダマンチル基を有するモノマー又は式(a−2)で表されるシクロへキシル基を有するモノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   Among (meth) acrylic monomers having an acid labile group (a) and a saturated cyclic hydrocarbon group, a monomer having an adamantyl group represented by formula (a-1) or a formula (a-2) Monomers having a cyclohexyl group represented are preferred. These may be used alone or in combination of two or more.

式(a−1)及び式(a−2)中、
Mは、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k−CO−O−を表し、kは1〜7の整数を表す。ただし、Mで列挙した−O−等は、それぞれ、左側で式(a−1)及び式(a−2)の−CO−と結合し、右側でアダマンチル基又はシクロへキシル基と結合することを意味する。
4は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
は、それぞれ独立に、C1〜C8脂肪族炭化水素基又はC3〜C10飽和環状炭化水素基を表す。
sは0〜14の整数を表し、tは0〜10の整数を表す。
In formula (a-1) and formula (a-2),
M is independently, -O- or -O- (CH 2) k -CO- O- the stands, k is an integer of 1-7. However, —O— and the like enumerated in M are bonded to the —CO— of the formula (a-1) and the formula (a-2) on the left side and to the adamantyl group or the cyclohexyl group on the right side. Means.
R 4 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 5 each independently represents a C 1 to C 8 aliphatic hydrocarbon group or a C 3 to C 10 saturated cyclic hydrocarbon group.
s represents an integer of 0 to 14, and t represents an integer of 0 to 10.

Mは、好ましくは、−O−又は−O−(CH2f−CO−O−であり(前記fは、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
は、好ましくはメチル基である。
の脂肪族炭化水素基は、好ましくはC以下である。飽和環状炭化水素基は、好ましくはC以下、より好ましくはC以下である。
sは、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
tは、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
M is preferably —O— or —O— (CH 2 ) f —CO—O— (wherein f is an integer of 1 to 4), more preferably —O—.
R 4 is preferably a methyl group.
The aliphatic hydrocarbon group for R 5 is preferably C 6 or less. Saturated cyclic hydrocarbon group is preferably C 8 or less, more preferably C 6 or less.
s is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
t is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

式(a−1)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the monomer represented by the formula (a-1) include the following.

これらの中でも、2−メチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、及び2−イソプロピル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。 Among these, 2-methyl-2-adamantyl (meth) acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl (meth) acrylate, and 2-isopropyl-2-adamantyl (meth) acrylate are preferable, and those in the form of methacrylate are more preferable. .

式(a−2)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
これらの中でも、1−エチル−1−シクロヘキシル(メタ)アクリレートが好ましく、1−エチル−1−シクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。
Examples of the monomer represented by the formula (a-2) include the following.
Among these, 1-ethyl-1-cyclohexyl (meth) acrylate is preferable, and 1-ethyl-1-cyclohexyl methacrylate is more preferable.

樹脂(A)における式(a−1)又は式(a−2)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a-1) or the formula (a-2) in the resin (A) is usually 10 to 95 mol% in all units of the resin, preferably It is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

酸に不安定な基(a)と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、式(a−3)で表されるノルボルネン環を有するモノマーが挙げられる。ノルボルネン環を有するモノマー(a−3)に由来する構造単位を有する樹脂は、嵩高い構造を有するので、レジストの解像度を向上させることができる。また、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環が導入されているため、レジストのドライエッチング耐性を向上させることができる。   Examples of the monomer having an acid labile group (a) and a carbon-carbon double bond include a monomer having a norbornene ring represented by the formula (a-3). Since the resin having a structural unit derived from the monomer (a-3) having a norbornene ring has a bulky structure, the resolution of the resist can be improved. In addition, since a rigid norbornane ring is introduced into the main chain of the resin, the resistance to dry etching of the resist can be improved.

式(a−3)中、Rは、水素原子、置換基(例えば、ヒドロキシ基)を有していてもよいC1〜C3脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は−COORを表し、Rは、C1〜C8脂肪族炭化水素基又はC3〜C8飽和環状炭化水素基を表す。
〜Rは、それぞれ独立に、C1〜C12脂肪族炭化水素基又はC3〜C12飽和環状炭化水素基を表すか、R及びRは互いに結合して環を形成していてもよい。
〜Rにおける脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基及び前記飽和環状炭化水素基の−CH−は−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
In formula (a-3), R 6 represents a hydrogen atom, a C 1 -C 3 aliphatic hydrocarbon group optionally having a substituent (for example, a hydroxy group), a carboxy group, a cyano group, or —COOR a R a represents a C 1 to C 8 aliphatic hydrocarbon group or a C 3 to C 8 saturated cyclic hydrocarbon group.
R 7 to R 9 each independently represent a C 1 to C 12 aliphatic hydrocarbon group or a C 3 to C 12 saturated cyclic hydrocarbon group, or R 8 and R 9 are bonded to each other to form a ring. It may be.
The hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group in R 6 to R 9 may be substituted with a hydroxy group or the like, and —CH 2 — of the aliphatic hydrocarbon group and the saturated cyclic hydrocarbon group. May be replaced by —O— or —CO—.

の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
aとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基又は2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent for R 6 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, and a 2-hydroxyethyl group.
Examples of R a include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-oxo-oxolan-3-yl group, and a 2-oxo-oxolan-4-yl group.

〜Rとしては、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。
、R及びこれらが互いに結合して形成する環としては、飽和環状炭化水素基が挙げられ、特に、シクロへキシル基、アダマンチル基等が適している。
Examples of R 7 to R 9 include a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a hydroxycyclohexyl group, an oxocyclohexyl group, and an adamantyl group.
Examples of R 8 , R 9 and the ring formed by combining these with each other include saturated cyclic hydrocarbon groups, and cyclohexyl group, adamantyl group and the like are particularly suitable.

ノルボルネン環を有するモノマー(a−3)としては、例えば、5−ノルボルネン−2−カルボン酸−tert−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチルなどが挙げられる。   Examples of the monomer (a-3) having a norbornene ring include 5-norbornene-2-carboxylic acid-tert-butyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-cyclohexyl-1-methylethyl, and 5-norbornene-2. -1-methylcyclohexyl carboxylate, 2-methyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 2-ethyl-2-adamantyl 5-norbornene-2-carboxylate, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-methylcyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-methyl-1- (4 -Oxocyclohexyl) ethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (1-adama) Chill) -1-methylethyl and the like.

樹脂(A)における式(a−3)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a-3) in the resin (A) is usually 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol% in all the units of the resin. More preferably, it is 20-85 mol%.

酸に不安定な基(a)と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーとしては、式(a−4)で表されるモノマーが挙げられる。
[式(a−4)中、R10は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいC1〜C6アルキル基を表す。
11は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、水酸基、C1〜C6アルキル基、C1〜C6アルコキシ基、C2〜C4アシル基、C2〜C4アシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
hは0〜4の整数を表す。hが2以上の整数である場合、複数のR11は同一の種類の基であっても異なる種類の基であってもよい。
12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又はC1〜C12炭化水素基を表す。
は、単結合又は置換基を有していてもよいC1〜C17飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−CO−、−O−、−S−、−SO−又は−N(R)−で置き換わっていてもよい。Rは、水素原子又はC1〜C6脂肪族炭化水素基を表す。
は、C1〜C12脂肪族炭化水素基、C3〜C18飽和環状炭化水素基又はC6〜C18芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。]
Examples of the monomer having an acid labile group (a) and a carbon-carbon double bond include monomers represented by the formula (a-4).
[In the formula (a-4), R 10 represents a hydrogen atom, a halogen atom or a C 1 -C 6 alkyl group which may have a halogen atom.
R 11 is independently a halogen atom, a hydroxyl group, a C 1 -C 6 alkyl group, a C 1 -C 6 alkoxy group, a C 2 -C 4 acyl group, a C 2 -C 4 acyloxy group, an acryloyl group or a methacryloyl group. Represents.
h represents an integer of 0 to 4. When h is an integer of 2 or more, the plurality of R 11 may be the same type of group or different types of groups.
R 12 and R 13 each independently represents a hydrogen atom or a C 1 to C 12 hydrocarbon group.
X 4 represents a C 1 to C 17 saturated hydrocarbon group which may have a single bond or a substituent, and —CH 2 — contained in the saturated hydrocarbon group is —CO—, —O—, -S -, - SO 2 - or -N (R c) - may be replaced by. R c represents a hydrogen atom or a C 1 to C 6 aliphatic hydrocarbon group.
Y 4 is a C 1 to C 12 aliphatic hydrocarbon group, a C 3 to C 18 saturated cyclic hydrocarbon group or a C 6 to C 18 aromatic hydrocarbon group, and the aliphatic hydrocarbon group and saturated cyclic hydrocarbon The group and the aromatic hydrocarbon group may have a substituent. ]

ハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基、ペルヨードメチル基などが挙げられる。
アルキル基、アルコキシ基等の置換基は、上記と同様のものが例示される。
Examples of the alkyl group that may have a halogen atom include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorosec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, and a perfluoropentyl group. Perfluorohexyl group, perchloromethyl group, perbromomethyl group, periodomethyl group and the like.
Examples of the substituent such as an alkyl group and an alkoxy group are the same as those described above.

式(a−4)では、R10及びR11におけるアルキル基は、C1〜C4アルキル基が好ましく、C1〜C2アルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
11におけるアルコキシ基としては、C1〜C4アルコキシ基が好ましく、C1〜C2アルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
及びYの基に置換されていてもよい置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、C1〜C6アルキル基、C1〜C6アルコキシ基、C2〜C4アシル基、C2〜C4アシルオキシ基等が挙げられる。なかでも、好ましくはヒドロキシ基である。
In the formula (a-4), the alkyl group in R 10 and R 11 are preferably C 1 -C 4 alkyl group, more preferably a C 1 -C 2 alkyl group, a methyl group is particularly preferred.
The alkoxy group for R 11 is preferably a C 1 -C 4 alkoxy group, more preferably a C 1 -C 2 alkoxy group, and particularly preferably a methoxy group.
Examples of the substituent that may be substituted on the group of X 4 and Y 4 include a halogen atom, a hydroxy group, a C 1 -C 6 alkyl group, a C 1 -C 6 alkoxy group, a C 2 -C 4 acyl group, 2 -C 4 acyloxy group, and the like. Of these, a hydroxy group is preferable.

モノマー(a−4)としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
As a monomer (a-4), the following monomers are mentioned, for example.

樹脂(A)における式(a−4)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (a-4) in the resin (A) is usually 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol% in all units of the resin. More preferably, it is 20-85 mol%.

また、酸に不安定な基(a)を有するその他の酸不安定モノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
Examples of other acid labile monomers having an acid labile group (a) include the following monomers.

樹脂(A)におけるその他の酸不安定モノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   Content of the structural unit derived from the other acid labile monomer in the resin (A) is usually 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, more preferably 20 in all units of the resin. -85 mol%.

樹脂(A)は、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と、酸に不安定な基を有さないモノマー(以下「酸安定モノマー」という場合がある)との共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
樹脂(A)が酸に不安定な基を有するモノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)に由来する構造単位は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。またアダマンチル基を有するモノマー(特に酸に不安定な基を有するモノマー(a1−1))に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマー(a1)100モル%に対して15モル%以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
The resin (A) is preferably a co-polymerization of a monomer (a1) having an acid labile group and a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable monomer”). It is a coalescence. An acid stable monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
When the resin (A) is a copolymer of a monomer (a1) having an acid labile group and an acid stable monomer, the structural units derived from the monomer (a1) having an acid labile group are all Preferably it is 10-80 mol% with respect to 100 mol% of structural units, More preferably, it is 20-60 mol%. Further, the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group (particularly the monomer (a1-1) having an acid labile group) is added in an amount of 15 mol with respect to 100 mol% of the monomer (a1) having an acid labile group. % Or more is preferable. When the ratio of the monomer having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist is improved.

<酸安定モノマー>
酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基(b)又はラクトン環(c)を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー又はラクトン環を含有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。
<Acid stable monomer>
As the acid stable monomer, those having a hydroxy group (b) or a lactone ring (c) are preferable. If a resin having a structural unit derived from an acid-stable monomer having a hydroxy group or an acid-stable monomer containing a lactone ring is used, the resolution of the resist and the adhesion to the substrate can be improved.

<ヒドロキシ基(b)を有する酸安定モノマー>
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線又はEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーとして、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性水酸基を有する酸安定モノマー(b−1)を使用することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーとして、式(b−2)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group (b)>
When the resist composition is used for KrF excimer laser exposure (248 nm), high energy beam exposure such as electron beam or EUV light, an acid stable monomer having a phenolic hydroxyl group (hydroxystyrenes) as an acid stable monomer having a hydroxy group ( It is preferable to use b-1). When using short-wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, it is preferable to use an acid-stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (b-2) as the acid-stable monomer having a hydroxy group. The acid stable monomer having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.

フェノール性水酸基を有するモノマーとして、式(b−1)で表されるp−又はm−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。
[式(b−1)中、
14は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいC1〜C6アルキル基を表す。
15は、ハロゲン原子、水酸基、C1〜C6アルキル基、C1〜C6アルコキシ基、C2〜C4アシル基、C2〜C4アシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
bは0〜4の整数を表す。bが2以上の整数である場合、複数のR15は同一の種類の基であっても異なる種類の基であってもよい。]
Examples of the monomer having a phenolic hydroxyl group include styrene monomers such as p- or m-hydroxystyrene represented by the formula (b-1).
[In the formula (b-1),
R 14 represents a hydrogen atom, a halogen atom or a C 1 -C 6 alkyl group which may have a halogen atom.
R 15 represents a halogen atom, a hydroxyl group, a C 1 -C 6 alkyl group, a C 1 -C 6 alkoxy group, a C 2 -C 4 acyl group, a C 2 -C 4 acyloxy group, an acryloyl group or a methacryloyl group.
b represents an integer of 0 to 4. When b is an integer of 2 or more, the plurality of R 15 may be the same type of group or different types of groups. ]

14におけるアルキル基としては、C1〜C4アルキル基が好ましく、C1〜C2アルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
また、アルコキシ基としては、C1〜C4アルコキシ基が好ましく、C1〜C2アルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
The alkyl group in R 14, preferably C 1 -C 4 alkyl group, C 1 -C more preferably 2 alkyl group, a methyl group is particularly preferred.
Further, the alkoxy group is preferably a C 1 -C 4 alkoxy group, more preferably C 1 -C 2 alkoxy group, a methoxy group is particularly preferred.

このようなフェノール性水酸基を有するモノマー(b−1)に由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当する(メタ)アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。   When obtaining a copolymer resin having a structural unit derived from the monomer (b-1) having such a phenolic hydroxyl group, after radical polymerization of the corresponding (meth) acrylic acid ester monomer, acetoxystyrene and styrene, an acid is obtained. Can be obtained by deacetylation.

式(b−1)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the monomer represented by the formula (b-1) include the following.

以上のモノマーのうち、4−ヒドロキシスチレン又は4−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが特に好ましい。   Of the above monomers, 4-hydroxystyrene or 4-hydroxy-α-methylstyrene is particularly preferred.

樹脂(A)における式(b−1)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常5〜90モル%であり、好ましくは10〜85モル%であり、より好ましくは15〜80モル%である。   The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (b-1) in the resin (A) is usually from 5 to 90 mol%, preferably from 10 to 85 mol%, in all units of the resin. More preferably, it is 15-80 mol%.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとしては、式(b−2)で表されるモノマーが挙げられる。   Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (b-2).

式(b−2)中、Mは、−O−又は−O−(CH2k−CO−O−を表し、kは1〜7の整数を表す。
16は、水素原子又はメチル基を表す。
17及びR18は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
cは、0〜10の整数を表す。
In formula (b-2), M 2 represents —O— or —O— (CH 2 ) k —CO—O—, and k represents an integer of 1 to 7.
R 16 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 17 and R 18 each independently represents a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
c represents an integer of 0 to 10.

は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f−CO−O−であり(前記fは、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
16は、好ましくはメチル基である。
17は、好ましくは水素原子である。
18は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
cは、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
M 2 is preferably —O—, —O— (CH 2 ) f —CO—O— (wherein f is an integer of 1 to 4), and more preferably —O—.
R 16 is preferably a methyl group.
R 17 is preferably a hydrogen atom.
R 18 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
c is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

式(b−2)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the monomer represented by the formula (b-2) include the following.

これらの中でも、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート、3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート及び1−(3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルオキシカルボニル)メチル(メタ)アクリレートが好ましく、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート及び3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレートがより好ましく、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート及び3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートがさらに好ましい。 Among these, 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate, 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate and 1- (3,5-dihydroxy-1-adamantyloxycarbonyl) methyl (meth) acrylate 3-hydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate and 3,5-dihydroxy-1-adamantyl (meth) acrylate are more preferred, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate and 3,5-dihydroxy-1-adamantyl More preferred is methacrylate.

樹脂(A)における式(b−2)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常3〜40モル%であり、好ましくは5〜35モル%であり、より好ましくは5〜30モル%である。   The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (b-2) in the resin (A) is usually 3 to 40 mol%, preferably 5 to 35 mol%, in all units of the resin. More preferably, it is 5-30 mol%.

<ラクトン環(c)を有する酸安定モノマー>
酸安定モノマーが有するラクトン環(c)は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。
<Acid-stable monomer having a lactone ring (c)>
The lactone ring (c) possessed by the acid-stable monomer may be a single ring such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and may be a monocyclic lactone ring and other rings. The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring and a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and another ring are preferable.

ラクトン環を有する酸安定モノマーは、例えば、式(c−1)、式(c−2)又は式(c−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The acid-stable monomer having a lactone ring is represented by, for example, the formula (c-1), the formula (c-2), or the formula (c-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

式(c−1)〜式(c−3)中、
は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k−CO−O−を表し、kは1〜7の整数を表す。
19は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
20は、C1〜C4脂肪族炭化水素基を表し、
dは0〜5の整数を表す。
21及びR22は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又はC1〜C4脂肪族炭化水素基を表し、e及びgは、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。
d、e又はgが2以上のとき、それぞれ、複数のR20、R21又はR22は、互いに同一でも異なってもよい。
In formula (c-1) to formula (c-3),
M 2 each independently, -O- or -O- (CH 2) k -CO- O- the stands, k is an integer of 1-7.
R 19 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 20 represents a C 1 -C 4 aliphatic hydrocarbon group,
d represents an integer of 0 to 5.
R 21 and R 22 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or a C 1 -C 4 aliphatic hydrocarbon group, and e and g each independently represent an integer of 0 to 3.
When d, e, or g is 2 or more, the plurality of R 20 , R 21, or R 22 may be the same as or different from each other.

は、それぞれ独立に、−O−、−O−(CH2−CO−O−であることが好ましく(前記fは、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。但し、Mで列挙した−O−等は、それぞれ、左側で式(c−1)〜式(c−3)の−CO−と結合し、右側でラクトン環と結合することを意味する。
19は、好ましくはメチル基である。
20は、好ましくはメチル基である。
21及びR22は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
d、e及びgは、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
M 2 is each independently preferably —O—, —O— (CH 2 ) f —CO—O— (wherein f is an integer of 1 to 4), more preferably —O—. It is. However, —O— and the like listed for M 2 mean that they are bonded to —CO— in the formula (c-1) to the formula (c-3) on the left side and to the lactone ring on the right side.
R 19 is preferably a methyl group.
R 20 is preferably a methyl group.
R 21 and R 22 are preferably each independently a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
d, e and g are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

式(c−1)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the monomer represented by the formula (c-1) include the following.

式(c−2)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the monomer represented by the formula (c-2) include the following.

式(c−3)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the monomer represented by the formula (c-3) include the following.

ラクトン環(c)を有する酸安定モノマーの中でも、(メタ)アクリル酸(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロ−2−オキソ−3−フリル、(メタ)アクリル酸2−(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。 Among acid stable monomers having a lactone ring (c), (meth) acrylic acid (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yl, (meth) acrylic Acid tetrahydro-2-oxo-3-furyl, 2- (5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-2-yloxy) -2-oxoethyl (meth) acrylate Are preferred, and those in the form of methacrylate are more preferred.

樹脂(A)における式(c−1)、式(c−2)又は式(c−3)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常5〜50モル%であり、好ましくは10〜45モル%であり、より好ましくは15〜40モル%である。
The content of the structural unit derived from the monomer represented by the formula (c-1), the formula (c-2) or the formula (c-3) in the resin (A) is usually 5 to 50 in all units of the resin. It is mol%, Preferably it is 10-45 mol%, More preferably, it is 15-40 mol%.

<その他の酸安定モノマー>
その他の酸安定モノマーとしては、例えば、式(d−1)で表される無水マレイン酸、式(d−2)で表される無水イタコン酸又は式(d−3)で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。
式(d−3)中、R23及びR24は、それぞれ独立に、水素原子、置換基(例えば、ヒドロキシ基)を有していてもよいC1〜C3脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又は−COOR25を表すか、R23及びR24は互いに結合して−CO−O−CO−を形成し、R25は、C1〜C36脂肪族炭化水素基又はC3〜C36飽和環状炭化水素基を表し、脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基の−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。但し−COOR25が酸不安定基となるものは除く(即ちR25は、3級炭素原子が−O−と結合するものを含まない)。
<Other acid stable monomers>
Other acid stable monomers include, for example, maleic anhydride represented by formula (d-1), itaconic anhydride represented by formula (d-2), or norbornene ring represented by formula (d-3) And acid-stable monomers having
In formula (d-3), R 23 and R 24 are each independently a hydrogen atom, a C 1 -C 3 aliphatic hydrocarbon group optionally having a substituent (for example, a hydroxy group), or a cyano group. , A carboxy group or —COOR 25 , or R 23 and R 24 are bonded to each other to form —CO—O—CO—, and R 25 is a C 1 to C 36 aliphatic hydrocarbon group or C 3 to C 36 represents a saturated cyclic hydrocarbon group, and —CH 2 — in the aliphatic hydrocarbon group and saturated cyclic hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. However, those in which —COOR 25 is an acid labile group are excluded (that is, R 25 does not include those in which a tertiary carbon atom is bonded to —O—).

23及びR24の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
25の脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C、より好ましくはC〜Cであり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C36、より好ましくはC〜C12である。R25としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基、2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent for R 23 and R 24 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, and a 2-hydroxyethyl group.
The aliphatic hydrocarbon group for R 25 is preferably C 1 to C 8 , more preferably C 1 to C 6 , and the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably C 4 to C 36 , more preferably C 4 to C 6 . it is a C 12. Examples of R 25 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a 2-oxo-oxolan-3-yl group, and a 2-oxo-oxolan-4-yl group.

ノルボルネン環を有する酸安定モノマー(d−3)としては、例えば、2−ノルボルネン、2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1−エチル、5−ノルボルネン−2−メタノール、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。   Examples of the acid-stable monomer (d-3) having a norbornene ring include 2-norbornene, 2-hydroxy-5-norbornene, 5-norbornene-2-carboxylic acid, methyl 5-norbornene-2-carboxylate, 5- Examples include norbornene-2-carboxylic acid 2-hydroxy-1-ethyl, 5-norbornene-2-methanol, and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride.

樹脂における式(d−1)、式(d−2)又は式(d−3)で表されるモノマーに由来する構造単位の含有量は、樹脂の全単位において、通常2〜40モル%であり、好ましくは3〜30モル%であり、より好ましくは5〜20モル%である。   Content of the structural unit derived from the monomer represented by Formula (d-1), Formula (d-2), or Formula (d-3) in the resin is usually 2 to 40 mol% in all units of the resin. Yes, preferably 3-30 mol%, more preferably 5-20 mol%.

好ましい樹脂(A)は、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマー(a)、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(b)及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマー(c)を重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマー(a)は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a−1)及びシクロへキシル基を有するモノマー(a−2)の少なくとも1種(さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a−1))であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(b)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(b−2)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(c)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(c−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(c−2)の少なくとも1種である。
樹脂(A)は、公知の重合法(例えば、ラジカル重合法)によって製造することができる。
A preferred resin (A) is a copolymer obtained by polymerizing at least a monomer (a) having an acid labile group, an acid stable monomer (b) having a hydroxy group and / or an acid stable monomer (c) having a lactone ring. It is a polymer. In this preferred copolymer, the monomer (a) having an acid labile group is more preferably at least one of a monomer (a-1) having an adamantyl group and a monomer (a-2) having a cyclohexyl group. A species (more preferably a monomer (a-1) having an adamantyl group), and an acid-stable monomer (b) having a hydroxy group, preferably an acid-stable monomer (b-2) having a hydroxyadamantyl group, and a lactone The acid-stable monomer (c) having a ring is more preferably an acid-stable monomer (c-1) having a γ-butyrolactone ring and an acid-stable monomer (c-2) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring At least one of the following.
Resin (A) can be manufactured by a well-known polymerization method (for example, radical polymerization method).

樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下)である。なお、重量平均分子量は、実施例に記載したように、ポリスチレンを標準品として、ゲル浸透クロマトグラフィーにより求めた値である。   The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more) and 50,000 or less (more preferably 30,000 or less). In addition, as described in the Examples, the weight average molecular weight is a value obtained by gel permeation chromatography using polystyrene as a standard product.

樹脂(A)の含有量は、組成物の固形分中80質量%以上であることが好ましい。なお本明細書において「組成物中の固形分」とは、溶剤を除いた組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分、及びこれに対する樹脂(A)の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。   It is preferable that content of resin (A) is 80 mass% or more in solid content of a composition. In the present specification, the “solid content in the composition” means the total of the composition components excluding the solvent. The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured by known analytical means such as liquid chromatography or gas chromatography.

<塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)>
本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物(C)を含有していてもよい。塩基性化合物(C)の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01〜1質量%程度であることが好ましい。
<Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The resist composition of the present invention may further contain a basic compound (C). The content of the basic compound (C) is preferably about 0.01 to 1% by mass based on the solid content of the resist composition.

塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物(例えばアミン)である。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、1級アミン、2級アミン及び3級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物(C)として、式(C2)で表される芳香族アミン、特に式(C2−1)で表されるアニリンが挙げられる。   The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound (for example, an amine). The amine may be an aliphatic amine or an aromatic amine. As the aliphatic amine, any of primary amine, secondary amine and tertiary amine can be used. The aromatic amine may be any of an amino group bonded to an aromatic ring such as aniline and a heteroaromatic amine such as pyridine. Preferable basic compound (C) includes an aromatic amine represented by the formula (C2), particularly an aniline represented by the formula (C2-1).

式(C2)及び式(C2−1)中、
Arは、芳香族炭化水素基を表す。
及びTは、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基を表し、
は、脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基を表し、
〜Tにおける脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基の水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又はC1〜C6アルコキシ基で置換されていてもよく、前記アミノ基は、C1〜C4アルキル基で置換されていてもよい。
oは0〜3の整数を表、oが2以上のとき、複数のTは、互いに同一でも異なってもよい。
In formula (C2) and formula (C2-1),
Ar represents an aromatic hydrocarbon group.
T 1 and T 2 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group,
T 3 represents an aliphatic hydrocarbon group, an alkoxy group, a saturated cyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group,
Even if the hydrogen atom of the aliphatic hydrocarbon group, saturated cyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group or alkoxy group in T 1 to T 3 is substituted with a hydroxy group, an amino group or a C 1 to C 6 alkoxy group well, wherein the amino group may be substituted by C 1 -C 4 alkyl group.
o represents an integer of 0 to 3, and when o is 2 or more, the plurality of T 3 may be the same as or different from each other.

脂肪族炭化水素基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基である。また、脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C10程度であり、芳香族炭化水素基は、好ましくはC〜C10程度であり、アルコキシ基は、好ましくはC〜C程度である。 The aliphatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group or a cycloalkyl group. The aliphatic hydrocarbon group is preferably about C 1 to C 6 , the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably about C 5 to C 10 , and the aromatic hydrocarbon group is preferably C 6 to C 6 . is about C 10, alkoxy group is preferably about C 1 -C 6.

芳香族アミン(C2)としては、例えば、1−ナフチルアミン及び2−ナフチルアミンなどが挙げられる。
アニリン(C2−1)としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。これらの中でもジイソプロピルアニリン(特に、2,6−ジイソプロピルアニリン)が好ましい。
Examples of the aromatic amine (C2) include 1-naphthylamine and 2-naphthylamine.
Examples of aniline (C2-1) include aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like. Among these, diisopropylaniline (particularly 2,6-diisopropylaniline) is preferable.

また、塩基性化合物(C)としては、式(C3)〜式(C11)で表される化合物が挙げられる。
式(C3)〜式(C11)中、
、T、T及びoは、上記と同じ意味である。
は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。
uは0〜8の整数を示す。o又はuが2以上の整数であるとき、複数のT又はTは、それぞれ互いに同一でも異なってもよい。
Aは、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基、−CO−、−C(=NH)−、−C(=NR36’)−、−S−、−S−S−又はこれらの組合せを表す。R36’は、C1〜C4アルキル基を表す。
Moreover, as a basic compound (C), the compound represented by Formula (C3)-Formula (C11) is mentioned.
In formula (C3) to formula (C11),
T 1 , T 2 , T 3 and o have the same meaning as above.
T 4 represents an aliphatic hydrocarbon group, a saturated cyclic hydrocarbon group, or an alkanoyl group.
u represents an integer of 0 to 8. When o or u is an integer of 2 or more, the plurality of T 3 or T 4 may be the same as or different from each other.
Each A is independently a divalent aliphatic hydrocarbon group, —CO—, —C (═NH) —, —C (═NR 36 ′ ) —, —S—, —S—S—, or Represents a combination. R 36 ′ represents a C 1 -C 4 alkyl group.

ここで、脂肪族炭化水素基は、好ましくはC〜C程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくはC〜C程度であり、アルカノイル基は、好ましくはC〜C程度である。
2価の脂肪族炭化水素基は、好ましくはアルキレン基であり、より好ましくは、C〜C程度である。
ここで、アルカノイル基としては、例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、ヘプチルカルボニル基等が挙げられる。
Here, the aliphatic hydrocarbon group is preferably about C 1 to C 6 , the saturated cyclic hydrocarbon group is preferably about C 3 to C 6 , and the alkanoyl group is preferably C 2 to C 6. Degree.
The divalent aliphatic hydrocarbon group is preferably an alkylene group, and more preferably about C 1 to C 6 .
Here, examples of the alkanoyl group include an acetyl group, an ethylcarbonyl group, and a heptylcarbonyl group.

化合物(C3)としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。   Examples of the compound (C3) include hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, Tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctyl Amine, methyl dinonyl amine, methyl didecyl amine, ethyl dibutyl amine, ethyl dipentyl amine, ethyl di Silamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylene Examples include diamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and the like.

化合物(C4)としては、例えばピペラジンなどが挙げられる。
化合物(C5)としては、例えばモルホリンなどが挙げられる。
化合物(C6)としては、例えばピペリジン、及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
化合物(C7)としては、例えば2,2’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
化合物(C8)としては、例えば、イミダゾール、4−メチルイミダゾールなどが挙げられる。
化合物(C9)としては、例えば、ピリジン、4−メチルピリジンなどが挙げられる。
化合物(C10)としては、例えば、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。
化合物(C11)としては、例えばビピリジンなどが挙げられる。
Examples of the compound (C4) include piperazine.
Examples of the compound (C5) include morpholine.
Examples of the compound (C6) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound (C7) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound (C8) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound (C9) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound (C10) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, and 1,2-di. (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide, 4, 4'-dipyridyl disulfide, 2,2'-dipyridylamine, 2,2'-dipicolylamine and the like can be mentioned.
Examples of the compound (C11) include bipyridine.

<溶剤(以下「溶剤(E)」という場合がある)>
本発明のレジスト組成物は、溶剤(E)を含有していてもよい。溶剤(E)を含有する本発明のレジスト組成物は、薄膜レジストを製造するために適している。
溶剤(E)の含有量は、組成物中90質量%以上(好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上)、99.9質量%以下(好ましくは99質量%以下)である。溶剤(E)の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (hereinafter sometimes referred to as “solvent (E)”)>
The resist composition of the present invention may contain a solvent (E). The resist composition of the present invention containing the solvent (E) is suitable for producing a thin film resist.
The content of the solvent (E) is 90% by mass or more (preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more) and 99.9% by mass or less (preferably 99% by mass or less) in the composition. The content of the solvent (E) can be measured by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤(E)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

<その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)>
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. Component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes, and the like can be used.

<レジストパターンの製造方法>
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)上述した本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) The process of apply | coating the resist composition of this invention mentioned above on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) The process which develops the composition layer after a heating using a image development apparatus is included.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーターなど、通常、用いられる装置によって行うことができる。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.

溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させることにより行われるか、あるいは減圧装置を用いて行われ、溶剤が除去された組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が例示される。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が例示される。 The removal of the solvent is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate or by using a decompression device to form a composition layer from which the solvent has been removed. As for the temperature in this case, about 50-200 degreeC is illustrated, for example. The pressure is exemplified by about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。この際、液浸露光機を用いてもよい。通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2レーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is exposed using an exposure machine. At this time, an immersion exposure machine may be used. Usually, exposure is performed through a mask corresponding to a required pattern. The exposure light source emits ultraviolet laser light such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser, etc.) Various types of laser beam can be used, such as those that convert the wavelength of the laser beam from) to radiate a harmonic laser beam in the far ultraviolet region or the vacuum ultraviolet region.

露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
The composition layer after the exposure is subjected to heat treatment for promoting the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using an alkali developer using a developing device.
The alkaline developer used here may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline).
After development, it is preferable to rinse with ultrapure water to remove water remaining on the substrate and the pattern.

<用途>
本発明の組成物は、レジスト組成物、特に、化学増幅型フォトレジスト組成物に有用であり、半導体の微細加工、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等、広範な用途に好適に利用することができる。特に、ArFやKrFなどのエキシマレーザリソグラフィならびにArF液浸露光リソグラフィ、EB露光リソグラフィ、EUV露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。また、液浸露光のほか、ドライ露光などにも用いることができる。さらに、ダブルイメージング用にも用いることができ、工業的に有用である。
<Application>
The composition of the present invention is useful for a resist composition, particularly a chemically amplified photoresist composition, such as semiconductor microfabrication, production of circuit boards such as liquid crystals and thermal heads, and other photofabrication processes. It can be suitably used for a wide range of applications. In particular, it can be used as a chemically amplified photoresist composition suitable for excimer laser lithography such as ArF and KrF, ArF immersion exposure lithography, EB exposure lithography, and EUV exposure lithography. In addition to immersion exposure, it can also be used for dry exposure. Furthermore, it can be used for double imaging and is industrially useful.

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す%及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー(東ソー株式会社製HLC−8120GPC型、カラムは”TSKgel Multipore HXL−M”3本、溶媒はテトラヒドロフラン)により求めた値である。
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing content and use amount are based on mass unless otherwise specified.
The weight average molecular weight is a value obtained by gel permeation chromatography (HLC-8120GPC, manufactured by Tosoh Corporation, three columns are “TSKgel Multipore HXL-M”, and the solvent is tetrahydrofuran) using polystyrene as a standard product.
Column: TSKgel Multipore H XL -M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

実施例1:式(B1)で表される塩の合成
まず、式(B1−b)で表される塩を、特開2008−13551号公報に記載された方法で合成した。
次いで、式(B1−b)で表される化合物4.52部、クロロホルム30.00部、式(B1−a)で表される化合物(商品名:6−アザビシクロ [3.2.0]ヘプタン−7−オン 関東化学製)1.33部、モレキュラーシーブ(商品名:モレキュラーシーブ 5A 和光純薬製)5.00部及びリチウムアミド0.14部を仕込み、80℃で6時間加熱還流し、ろ過した。得られたろ液に、イオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を6回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル5.00部を添加して溶解した。これを濃縮し、酢酸エチル5部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してオイル状物として、式(B1)で表される塩0.12部を得た。
Example 1: Synthesis of a salt represented by the formula (B1)
First, a salt represented by the formula (B1-b) was synthesized by the method described in JP-A-2008-13551.
Subsequently, 4.52 parts of a compound represented by the formula (B1-b), 30.00 parts of chloroform, a compound represented by the formula (B1-a) (trade name: 6-azabicyclo [3.2.0] heptane -7-one manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) 1.33 parts, molecular sieve (trade name: molecular sieve 5A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 5.00 parts and lithium amide 0.14 parts were charged and heated to reflux at 80 ° C. for 6 hours. Filtered. The obtained filtrate was charged with 10 parts of ion-exchanged water, stirred and separated. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated and 5.00 parts of acetonitrile was added and dissolved in the resulting concentrate. This was concentrated, 5 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated to obtain 0.12 part of a salt represented by the formula (B1) as an oily substance.

MS(ESI(+)Spectrum):M 263.1
MS(ESI(−)Spectrum):M 268.0
MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 268.0

実施例2:式(B2)で表される塩の合成
式(B1−a)で表される化合物1.67部及びテトラヒドロフラン25部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、ピリジン1.43部を仕込み、40℃に昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド2.55部及びテトラヒドロフラン5部の混合溶液を1時間かけて滴下した。その後、40℃で3時間攪拌し、5℃に温度を下げた。5℃に冷却したイオン交換水10部及び酢酸エチル40部を添加、攪拌し、分液した。回収された有機層に、5℃の10%炭酸カリウム水溶液10部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した。回収された有機層にさらに、イオン交換水10部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を5回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式(B2−a)で表される化合物1.61部を得た。
展開媒体;シリカゲル60−200メッシュ;メルク社製
展開溶媒:酢酸エチル
Example 2: Synthesis of a salt represented by the formula (B2)
1.67 parts of the compound represented by the formula (B1-a) and 25 parts of tetrahydrofuran were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 1.43 parts of pyridine was charged and the temperature was raised to 40 ° C. Further, a mixed solution of 2.55 parts of chloroacetyl chloride and 5 parts of tetrahydrofuran was added dropwise over 1 hour. Thereafter, the mixture was stirred at 40 ° C. for 3 hours, and the temperature was lowered to 5 ° C. 10 parts of ion-exchanged water cooled to 5 ° C. and 40 parts of ethyl acetate were added, stirred and separated. The recovered organic layer was washed by adding 10 parts of a 10% aqueous potassium carbonate solution at 5 ° C. and separated to recover the organic layer. Further, 10 parts of ion-exchanged water was added to the recovered organic layer and washed with water, followed by liquid separation to recover the organic layer. This washing operation was repeated 5 times. The recovered organic layer was concentrated and fractionated in a column under the following conditions to obtain 1.61 parts of a compound represented by the formula (B2-a).
Developing medium; silica gel 60-200 mesh; made by Merck developing solvent: ethyl acetate

式(B2−b)で表される塩2.50部及びジメチルホルムアミド12.50部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム0.79部及びヨウ化カリウム0.24部を仕込み、40℃で1時間撹拌した。その後、式(B2−a)で表される化合物1.07部をジメチルホルムアミド5.00部に溶解した溶液を1時間かけて滴下した。40℃で6時間撹拌し、23℃に冷却した。得られた反応物に、クロロホルム100部、5%シュウ酸水溶液15部及びイオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層に、イオン交換水40部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、アセトニトリル10部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した。得られた濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、式(B2)で表される塩0.58部を得た。 2.50 parts of a salt represented by the formula (B2-b) and 12.50 parts of dimethylformamide were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. To the obtained mixture, 0.79 part of potassium carbonate and 0.24 part of potassium iodide were charged and stirred at 40 ° C. for 1 hour. Thereafter, a solution prepared by dissolving 1.07 parts of the compound represented by the formula (B2-a) in 5.00 parts of dimethylformamide was added dropwise over 1 hour. Stir at 40 ° C. for 6 hours and cool to 23 ° C. The obtained reaction product was charged with 100 parts of chloroform, 15 parts of a 5% oxalic acid aqueous solution and 10 parts of ion-exchanged water, and stirred and separated. Into the collected organic layer, 40 parts of ion-exchanged water was charged, stirred and separated. Water washing was performed 5 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated. The resulting concentrate was dissolved by adding 10 parts of acetonitrile, concentrated, added with 10 parts of ethyl acetate and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated. The obtained concentrate was separated by column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain 0.58 parts of the salt represented by the formula (B2).

MS(ESI(+)Spectrum):M 263.1
MS(ESI(−)Spectrum):M 326.0
MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 326.0

実施例3:式(B3)で表される塩の合成
式(B3−b)で表される化合物4.95部、クロロホルム30.00部、式(B1−a)で表される化合物(商品名:6−アザビシクロ [3.2.0]ヘプタン−7−オン 関東化学製)1.33部、モレキュラーシーブ(商品名:モレキュラーシーブ 5A 和光純薬製)5.00部及びリチウムアミド0.14部を仕込み、80℃で6時間加熱還流し、ろ過した。得られたろ液に、イオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を6回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル5.00部を添加して溶解した。これを濃縮し、酢酸エチル5部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した。得られた濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、式(B3)で表される塩0.48部を得た。
Example 3: Synthesis of a salt represented by the formula (B3)
4.95 parts of a compound represented by the formula (B3-b), 30.00 parts of chloroform, a compound represented by the formula (B1-a) (trade name: 6-azabicyclo [3.2.0] heptane-7 -ON manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) 1.33 parts, molecular sieve (trade name: Molecular sieve 5A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 5.00 parts and lithium amide 0.14 parts were charged, heated to reflux at 80 ° C. for 6 hours, and filtered. . The obtained filtrate was charged with 10 parts of ion-exchanged water, stirred and separated. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated and 5.00 parts of acetonitrile was added and dissolved in the resulting concentrate. This was concentrated, 5 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated. The resulting concentrate was fractionated in a column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain 0.48 parts of the salt represented by the formula (B3).

MS(ESI(+)Spectrum):M 305.1
MS(ESI(−)Spectrum):M 268.0
MS (ESI (+) Spectrum): M + 305.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 268.0

実施例4:式(B4)で表される塩の合成
式(B4−b)で表される化合物4.70部、クロロホルム30.00部、式(B1−a)で表される化合物(商品名:6−アザビシクロ [3.2.0]ヘプタン−7−オン 関東化学製)1.33部、モレキュラーシーブ(商品名:モレキュラーシーブ 5A 和光純薬製)5.00部及びリチウムアミド0.14部を仕込み、80℃で6時間加熱還流し、ろ過した。得られたろ液に、イオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を6回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、アセトニトリル5.00部を添加して溶解した。これを濃縮し、酢酸エチル5部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した。得られた濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、式(B4)で表される塩0.16部を得た。
Example 4: Synthesis of salt represented by formula (B4)
4.70 parts of a compound represented by the formula (B4-b), 30.00 parts of chloroform, a compound represented by the formula (B1-a) (trade name: 6-azabicyclo [3.2.0] heptane-7 -ON manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) 1.33 parts, molecular sieve (trade name: Molecular sieve 5A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 5.00 parts and lithium amide 0.14 parts were charged, heated to reflux at 80 ° C. for 6 hours, and filtered. . The obtained filtrate was charged with 10 parts of ion-exchanged water, stirred and separated. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated. To the obtained concentrate, 5.00 parts of acetonitrile was added and dissolved. This was concentrated, 5 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated. The obtained concentrate was fractionated in a column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain 0.16 parts of the salt represented by the formula (B4).

MS(ESI(+)Spectrum):M 281.0
MS(ESI(−)Spectrum):M 268.0
MS (ESI (+) Spectrum): M + 281.0
MS (ESI (-) Spectrum): M - 268.0

実施例5:式(B5)で表される塩の合成
式(B5−b)で表される化合物3.96部、クロロホルム30.00部、式(B1−a)で表される化合物(商品名:6−アザビシクロ [3.2.0]ヘプタン−7−オン 関東化学製)1.33部、モレキュラーシーブ(商品名:モレキュラーシーブ 5A 和光純薬製)5.00部及びリチウムアミド0.14部を仕込み、80℃で6時間加熱還流し、ろ過した。得られたろ液に、イオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を6回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル5.00部を添加して溶解した。これを濃縮し、酢酸エチル5部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した。得られた濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、式(B5)で表される塩0.16部を得た。
Example 5: Synthesis of salt represented by formula (B5)
3.96 parts of a compound represented by the formula (B5-b), 30.00 parts of chloroform, a compound represented by the formula (B1-a) (trade name: 6-azabicyclo [3.2.0] heptane-7 -ON manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) 1.33 parts, molecular sieve (trade name: Molecular sieve 5A, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 5.00 parts and lithium amide 0.14 parts were charged, heated to reflux at 80 ° C. for 6 hours, and filtered. . The obtained filtrate was charged with 10 parts of ion-exchanged water, stirred and separated. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated and 5.00 parts of acetonitrile was added and dissolved in the resulting concentrate. This was concentrated, 5 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated. The obtained concentrate was fractionated in a column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain 0.16 parts of the salt represented by the formula (B5).

MS(ESI(+)Spectrum):M 207.1
MS(ESI(−)Spectrum):M 268.0
MS (ESI (+) Spectrum): M <+> 207.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 268.0

実施例6:式(B6)で表される塩の合成
式(B3−b)で表される化合物4.95部、クロロホルム30.00部、式(B6−a)で表される化合物2.12部、モレキュラーシーブ(商品名:モレキュラーシーブ 5A 和光純薬製)5.00部及びリチウムアミド0.14部を仕込み、80℃で6時間加熱還流し、ろ過した。得られたろ液に、イオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を6回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル5.00部を添加して溶解した。これを濃縮し、酢酸エチル5部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル10部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮した。得られた濃縮物をカラム(メルク シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:クロロホルム/メタノール=5/1)分取することにより、式(B6)で表される塩0.44部を得た。
Example 6: Synthesis of salt represented by formula (B6)
4.95 parts of the compound represented by the formula (B3-b), 30.00 parts of chloroform, 2.12 parts of the compound represented by the formula (B6-a), molecular sieve (trade name: Molecular sieve 5A Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 5.00 parts) and lithium amide 0.14 parts were charged, heated to reflux at 80 ° C. for 6 hours, and filtered. The obtained filtrate was charged with 10 parts of ion-exchanged water, stirred and separated. Water washing was performed 6 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated and 5.00 parts of acetonitrile was added and dissolved in the resulting concentrate. This was concentrated, 5 parts of ethyl acetate was added and stirred, and the supernatant was removed. To the obtained residue, 10 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in chloroform and concentrated. The obtained concentrate was fractionated in a column (Merck silica gel 60-200 mesh developing solvent: chloroform / methanol = 5/1) to obtain 0.44 parts of the salt represented by the formula (B6).

MS(ESI(+)Spectrum):M 305.1
MS(ESI(−)Spectrum):M 334.1
MS (ESI (+) Spectrum): M + 305.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 334.1

合成例1:樹脂A1の合成
モノマーE、モノマーF、モノマーB、モノマーC及びモノマーDを、モル比30:14:6:20:30の割合で仕込んだ。次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1.00mol%と3.00mol%との割合で添加し、これを73℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(4:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8.1×10である共重合体を収率65%で得た。得られた共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A1とした。
Synthesis Example 1: Synthesis of Resin A1 Monomer E, monomer F, monomer B, monomer C and monomer D were charged in a molar ratio of 30: 14: 6: 20: 30. Subsequently, 1.5 mass times dioxane was added with respect to the total mass of all the monomers. Into the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were respectively added to 1.00 mol% and 3.00 mol% with respect to the total number of moles of all monomers. And heated at 73 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution is purified by performing the operation of pouring into a large amount of methanol / water mixed solvent (4: 1) and precipitating three times, and the weight average molecular weight is about 8.1 × 10 3. The coalescence was obtained with a yield of 65%. The obtained copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin A1.

合成例2:樹脂A2の合成
モノマーA、モノマーB及びモノマーCを、モル比50:25:25の割合で仕込み、次いで、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを77℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(3:1)に注いで沈殿させる操作を3回行うことにより精製し、重量平均分子量が約8.0×10である共重合体を収率60%で得た。この共重合体は、次式の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂A2とした。
Synthesis Example 2: Synthesis of Resin A2 Monomer A, monomer B and monomer C were charged in a molar ratio of 50:25:25, and then 1.5 mass times dioxane was added to the total mass of all monomers. It was. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. This was heated at 77 ° C. for about 5 hours. Thereafter, the reaction solution is purified by pouring it into a large amount of methanol / water mixed solvent (3: 1) and precipitating three times, and the weight average molecular weight is about 8.0 × 10 3. The coalescence was obtained in 60% yield. This copolymer has a structural unit derived from each monomer of the following formula, and this was designated as resin A2.

実施例及び比較例
上記成分及び以下に示す各成分を表1の組成で混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過して、レジスト組成物を調製した。
Examples and Comparative Examples The above components and the following components were mixed and dissolved in the compositions shown in Table 1 and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

<酸発生剤>
酸発生剤B7:
酸発生剤B8:
酸発生剤B9:
<Acid generator>
Acid generator B7:
Acid generator B8:
Acid generator B9:

<塩基性化合物:クエンチャー>
クエンチャーC1:2,6−ジイソプロピルアニリン
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265部
2−ヘプタノン 20.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Basic compound: Quencher>
Quencher C1: 2,6-diisopropylaniline <Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts 2-heptanone 20.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

(レジストパターンの形成及び評価)
12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。
次いで、有機反射防止膜の上に、レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。
得られたシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベーク(PB)した。このシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク(PEB)を行った。
さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
(Formation and evaluation of resist pattern)
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to obtain a thickness of 78 nm. An organic antireflection film was formed.
Next, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying was 85 nm.
The obtained silicon wafer was pre-baked (PB) for 60 seconds on a direct hot plate at the temperature described in the “PB” column of Table 1. Using this silicon wafer, an ArF excimer stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY-polarized light] is used to change the exposure amount step by step. The space pattern was exposed.
After the exposure, post-exposure baking (PEB) was performed on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 1 for 60 seconds.
Further, paddle development was performed for 60 seconds with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution.

各レジスト膜において、50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。   In each resist film, the exposure amount at which the 50 nm line and space pattern becomes an exposure amount of 1: 1 was defined as the effective sensitivity.

解像度評価:実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、43nmを解像しているものを◎、45nmを解像しているものを○、解像していないもの×とした。   Resolution evaluation: In terms of effective sensitivity, the resist pattern was observed with a scanning electron microscope, and the resolution of 43 nm was evaluated as ◎, the resolution of 45 nm as ◯, and the resolution as low as ×.

ラインエッジラフネス評価(LER):リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の触れ幅が4.5nm以下であるものを◎、5nm以下であるものを○、5nmを超えるものを×とした。
これらの結果を表2に示す。
Line edge roughness evaluation (LER): The surface of the resist pattern after the lithography process is observed with a scanning electron microscope, and the contact width of the unevenness on the side wall of the resist pattern is 4.5 nm or less. Is over 5 nm.
These results are shown in Table 2.

このように、本発明のレジスト組成物によれば、得られるパターンの解像度及びラインエッジラフネスを顕著に向上させることができる。 Thus, according to the resist composition of the present invention, the resolution and line edge roughness of the resulting pattern can be significantly improved.

本発明の塩によれば、該塩を含むレジスト組成物から、優れた解像度及びラインエッジラフネス(LER)を有するパターンを得ることができる。   According to the salt of the present invention, a pattern having excellent resolution and line edge roughness (LER) can be obtained from a resist composition containing the salt.

Claims (10)

式(I)で表される塩。
[式(I)中、
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又はC1〜C6ペルフルオロアルキル基を表す。
Lは、2価のC1〜C17飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
は、C〜C36の複素環を表し、該複素環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C24の炭化水素基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該複素環に含まれる−CH−は、−O−で置き換わっていてもよく、W における−CO−は、同一環において窒素原子に隣接して配置されている
は、有機対イオンを表す。]
A salt represented by the formula (I).
[In the formula (I),
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1 -C 6 perfluoroalkyl group.
L represents a divalent C 1 to C 17 saturated hydrocarbon group, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—.
W 1 represents a C 2 to C 36 heterocycle, and the hydrogen atom contained in the heterocycle is a halogen atom, a hydroxyl group, a C 1 to C 24 hydrocarbon group, a C 1 to C 12 alkoxy group, C may be substituted by 2 -C 4 acyloxy group the acyl group or a C 2 ~C 4, -CH 2 contained in the heterocycle - may rather good be replaced by -O-, in W 1 -CO- is arranged adjacent to the nitrogen atom in the same ring .
Z + represents an organic counter ion. ]
式(I)で表される塩が、式(I−1)で表される塩である請求項1記載の塩。
[式(I−1)中、
、Q、L及びZは、上記と同じ意味を表す。
34〜R39は、それぞれ独立に、水素原子又はC〜C24の炭化水素基を表すか、R34〜R39の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合してC〜C30の環を形成し、該炭化水素基及び該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C12のアルキル基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基及び該環に含まれる−CH−は、−CO−又は−O−で置き換わっていてもよい。
nは、0〜3の整数を表す。]
The salt according to claim 1, wherein the salt represented by the formula (I) is a salt represented by the formula (I-1).
[In the formula (I-1),
Q 1 , Q 2 , L and Z + represent the same meaning as described above.
R 34 to R 39 each independently represent a hydrogen atom or a C 1 to C 24 hydrocarbon group, or at least two selected from R 34 to R 39 are bonded to each other to form C 3 to C 30 . It forms a ring, hydrogen atom contained in the hydrocarbon group and the ring, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group of C 1 -C 12, alkoxy group of C 1 -C 12, acyl group C 2 -C 4 Alternatively, it may be substituted with a C 2 to C 4 acyloxy group, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the ring may be replaced with —CO— or —O—.
n represents an integer of 0 to 3. ]
式(I)で表される塩が、式(I−2)で表される塩である請求項1又は2に記載の塩。
[式(I−2)中、
、Q、L、Z及びnは、上記と同じ意味を表す。
42〜R51は、それぞれ独立に、水素原子又はC〜C12の炭化水素基を表すか、R42〜R51の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合してC〜C24の環を形成し、該炭化水素基及び該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、水酸基、C〜C12のアルキル基、C〜C12のアルコキシ基、C〜Cのアシル基又はC〜Cのアシルオキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基及び該環に含まれる−CH−は、−CO−又は−O−で置き換わっていてもよい。
mは、0〜3の整数を表す。]
The salt according to claim 1 or 2, wherein the salt represented by the formula (I) is a salt represented by the formula (I-2).
[In the formula (I-2),
Q 1 , Q 2 , L, Z + and n represent the same meaning as described above.
R 42 to R 51 each independently represents a hydrogen atom or a C 1 to C 12 hydrocarbon group, or at least two selected from R 42 to R 51 are bonded to each other to form C 3 to C 24 . It forms a ring, hydrogen atom contained in the hydrocarbon group and the ring, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group of C 1 -C 12, alkoxy group of C 1 -C 12, acyl group C 2 -C 4 Alternatively, it may be substituted with a C 2 to C 4 acyloxy group, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the ring may be replaced with —CO— or —O—.
m represents an integer of 0 to 3. ]
式(I)で表される塩が、式(I−3)で表される塩又は式(I−4)で表される塩である請求項1〜3のいずれか記載の塩。
[式(I−3)及び式(I−4)中、Q、Q、L及びZは、上記と同じ意味を表す。]
The salt according to any one of claims 1 to 3, wherein the salt represented by the formula (I) is a salt represented by the formula (I-3) or a salt represented by the formula (I-4).
[In formula (I-3) and formula (I-4), Q 1 , Q 2 , L and Z + represent the same meaning as described above. ]
Lが、*−CO−又は*−CO−O−CH−CO−(*は、−C(Q)(Q)−との結合手を表す)である請求項1〜4のいずれか記載の塩。 L is, * - CO- or * -CO-O-CH 2 -CO - (* is, -C (Q 1) (Q 2) - bond to a representative) of any of claims 1 to 4 Or a salt thereof. が、アリールスルホニウムカチオンである請求項1〜5のいずれか記載の塩。 The salt according to any one of claims 1 to 5, wherein Z + is an arylsulfonium cation. 請求項1〜6のいずれか記載の塩を有効成分として含有する酸発生剤。   The acid generator which contains the salt in any one of Claims 1-6 as an active ingredient. 請求項7記載の酸発生剤と樹脂とを含有し、該樹脂は酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であるレジスト組成物。   The acid generator according to claim 7 and a resin, wherein the resin has an acid labile group and is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, and can be dissolved in an alkaline aqueous solution by acting with an acid. Resist composition which is resin. 塩基性化合物を含有する請求項8記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 8 containing a basic compound. (1)請求項8又は9記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光機を用いて露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、
(5)加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition of Claim 8 or 9 on a board | substrate,
(2) a step of removing the solvent from the composition after coating to form a composition layer;
(3) a step of exposing the composition layer using an exposure machine;
(4) A step of heating the composition layer after exposure,
(5) A method for producing a resist pattern, comprising a step of developing the heated composition layer using a developing device.
JP2010262073A 2009-12-21 2010-11-25 Salt, resist composition and method for producing resist pattern Active JP5677668B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010262073A JP5677668B2 (en) 2009-12-21 2010-11-25 Salt, resist composition and method for producing resist pattern

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009288838 2009-12-21
JP2009288838 2009-12-21
JP2010262073A JP5677668B2 (en) 2009-12-21 2010-11-25 Salt, resist composition and method for producing resist pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011148766A JP2011148766A (en) 2011-08-04
JP5677668B2 true JP5677668B2 (en) 2015-02-25

Family

ID=44404068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010262073A Active JP5677668B2 (en) 2009-12-21 2010-11-25 Salt, resist composition and method for producing resist pattern

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5677668B2 (en)
KR (1) KR101787102B1 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5750317B2 (en) * 2010-06-29 2015-07-22 住友化学株式会社 Salt, acid generator and resist composition
JP5512481B2 (en) * 2010-10-04 2014-06-04 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method
TWI525082B (en) * 2011-04-07 2016-03-11 住友化學股份有限公司 Salt and photoresist composition comprising the same
JP6167544B2 (en) * 2012-02-16 2017-07-26 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
JP6315748B2 (en) * 2012-04-27 2018-04-25 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
JP6134563B2 (en) * 2012-04-27 2017-05-24 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
JP6398159B2 (en) * 2013-09-24 2018-10-03 住友化学株式会社 Salt, resist composition and method for producing resist pattern
JP6311254B2 (en) * 2013-09-24 2018-04-18 住友化学株式会社 Salt, resist composition and method for producing resist pattern
JP7028136B2 (en) * 2018-10-24 2022-03-02 信越化学工業株式会社 New onium salt, chemically amplified resist composition, and pattern forming method
JP7056524B2 (en) * 2018-11-15 2022-04-19 信越化学工業株式会社 New salt compounds, chemically amplified resist compositions, and pattern forming methods
KR20210094191A (en) * 2020-01-20 2021-07-29 삼성전자주식회사 Photo-decomposable compound, photoresist composition comprising the same, and method of manufacturing integrated circuit device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4150509B2 (en) * 2000-11-20 2008-09-17 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive composition
JP5070814B2 (en) 2005-11-21 2012-11-14 住友化学株式会社 Salt for acid generator of chemically amplified resist composition
JP4866780B2 (en) 2007-04-24 2012-02-01 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same
JP5389411B2 (en) 2008-02-08 2014-01-15 東京応化工業株式会社 Resist composition, resist pattern forming method, novel compound and method for producing the same, and acid generator

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011148766A (en) 2011-08-04
KR20110073300A (en) 2011-06-29
KR101787102B1 (en) 2017-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5735284B2 (en) Salt, photoresist composition and method for producing resist pattern
JP5677668B2 (en) Salt, resist composition and method for producing resist pattern
JP5824320B2 (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP5703700B2 (en) Salt and resist composition for acid generator
JP5609569B2 (en) Salt and resist composition for acid generator
JP5677673B2 (en) Salt for acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern
JP5664328B2 (en) Salt and resist composition
JP5808902B2 (en) Salt and resist composition
KR20120001646A (en) Salt, acid generator and resist composition
JP5565231B2 (en) Resist composition
JP5605029B2 (en) Compound, resin and resist composition
JP5667463B2 (en) Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern
JP5523823B2 (en) Resist composition and pattern forming method
JP5909875B2 (en) Salt and resist composition
JP5750317B2 (en) Salt, acid generator and resist composition
JP2011123480A (en) Resist composition
JP5664312B2 (en) Salt and resist composition
JP5658534B2 (en) Resist composition
KR20120033224A (en) Salt and photoresist composition
JP2011180495A (en) Resist composition
JP2011164600A (en) Resist composition and method for producing resist pattern
JP2011197067A (en) Resist composition and method of manufacturing the same
JP6083462B2 (en) Salt and resist composition
JP5810550B2 (en) Salt and resist composition
JP5609570B2 (en) Salt and resist composition for acid generator

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131004

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141009

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141014

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141229

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5677668

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350