JP5379066B2 - Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。 The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
半導体素子の封止には、信頼性、生産性等の観点から、エポキシ樹脂組成物が広く用いられており、近年の高度実装方式に対応した性能の更なる向上が求められている。 For the sealing of semiconductor elements, epoxy resin compositions are widely used from the viewpoints of reliability, productivity, and the like, and further improvements in performance corresponding to recent advanced mounting methods are required.
これらエポキシ樹脂組成物においては難燃性も要求されていることから、従来では、難燃性付与成分として臭素化エポキシ樹脂等のハロゲン化合物や酸化アンチモン等のアンチモン化合物が配合されている。 Since these epoxy resin compositions are also required to have flame retardancy, conventionally, halogen compounds such as brominated epoxy resins and antimony compounds such as antimony oxide are blended as flame retardancy imparting components.
しかしながら近年では、環境保護の観点からハロゲン化合物やアンチモン化合物の使用を回避する必要性が高まっている。このため、半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、これらのハロゲン化合物やアンチモン化合物を含まずに難燃性を保持することが求められている。 However, in recent years, there is an increasing need to avoid the use of halogen compounds and antimony compounds from the viewpoint of environmental protection. For this reason, in the epoxy resin composition for semiconductor sealing, it is calculated | required to hold | maintain a flame retardance, without including these halogen compounds and antimony compounds.
そこで、従前より、代替の難燃剤として、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物を配合することが試みられている（特許文献１）。 Thus, attempts have been made to blend metal hydroxides such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide as alternative flame retardants (Patent Document 1).
また、代替手段としてエポキシ樹脂組成物による架橋密度を下げることで難燃性を付与すること、そして、低応力性とともに難燃性を付与するために特有の構造のフェノール化合物を硬化剤として用いることも提案されている（特許文献２）。 Also, as an alternative means to impart flame retardancy by lowering the crosslinking density with the epoxy resin composition, and to use a phenolic compound with a specific structure as a curing agent to impart flame retardancy with low stress properties Has also been proposed (Patent Document 2).
しかしながら、難燃剤として金属水酸化物を配合する場合には、その配合割合の調整は必ずしも容易ではなく、半導体封止用エポキシ樹脂としては耐薬品性、耐熱性、成形性等の点で問題が生じかねない。一方、架橋密度を下げることや低応力化によっては、エポキシ樹脂組成物の硬化物Ｔｇが低下し、成形性が悪化しやすいという問題があり、また、特許文献２のフェノール化合物硬化剤は、その特有の化学構造の故に入手は容易ではなく、高価なものとなりかねない。 However, when a metal hydroxide is blended as a flame retardant, it is not always easy to adjust the blending ratio, and the epoxy resin for semiconductor encapsulation has problems in terms of chemical resistance, heat resistance, moldability, etc. It can happen. On the other hand, there is a problem that the cured product Tg of the epoxy resin composition is lowered and the moldability is liable to deteriorate depending on lowering the crosslinking density or lowering the stress. Due to its unique chemical structure, it is not easy to obtain and can be expensive.
本発明は、このような背景から、ハロゲン化合物、アンチモン化合物、そして金属水酸化物等の難燃剤を添加配合しなくても、高い難燃性を達成し、しかも硬化物Ｔｇが高く、成形性にも優れ、信頼性、生産性ともに良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを課題としている。 In view of such a background, the present invention achieves a high flame retardancy without adding a flame retardant such as a halogen compound, an antimony compound, and a metal hydroxide, and has a high cured product Tg and a moldability. It is an object to provide an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor that is excellent in reliability and productivity.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材を含有し、（Ａ）エポキシ樹脂として、下記一般式（１）
で表される（Ａａ）フェノールアラルキル型エポキシ樹脂と、（Ａｂ）Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が、各々、（Ａ）エポキシ樹脂全体量の２０〜８０質量％の範囲内において配合され、（Ｂ）硬化剤として、ビフェニル型フェノール樹脂が、（Ｂ）硬化剤全体量の４０〜１００質量％の範囲内において配合され、（Ｃ）硬化促進剤として、ホスフィン化合物およびホスフィン化合物の塩のうちの１種以上が、エポキシ樹脂組成物全体量の０．１〜０．２質量％の範囲内において含有され、（Ｄ）無機充填材が、エポキシ樹脂組成物全体量の８０〜８８質量％の範囲内において含有されていることを特徴とする。
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is
(A) An epoxy resin, (B) a curing agent, (C) a curing accelerator, (D) an inorganic filler, and (A) an epoxy resin represented by the following general formula (1)
And represented by (Aa) phenol aralkyl type epoxy resin in, (Ab) O-cresol novolak type epoxy resin, respectively, are blended in the range of 20 to 80 wt% of the epoxy resin (A) the total amount, (B 1) Biphenyl type phenolic resin as a curing agent is blended in the range of 40 to 100% by mass of the total amount of (B) curing agent, and (C) 1 of phosphine compound and phosphine compound salt as curing accelerator. The seeds or more are contained within the range of 0.1 to 0.2% by mass of the total amount of the epoxy resin composition, and (D) the inorganic filler is within the range of 80 to 88% by mass of the total amount of the epoxy resin composition. It is contained in .
また、（Ｄ）無機充填材として、結晶シリカが（Ｄ）無機充填材の全体量の６０質量％以上含有されていることが好ましい。 Moreover , as (D) inorganic filler, it is preferable that crystalline silica contains 60 mass% or more of the whole quantity of (D) inorganic filler.
また、本発明は、以上いずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止されていることを特徴とする半導体装置も提供する。 The present invention also provides a semiconductor device that is sealed with any one of the above epoxy resin compositions for semiconductor sealing.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂によれば、従来のようにハロゲン化合物やアンチモン化合物等の難燃剤を添加配合しなくても、高い難燃性を達成し、しかも硬化物のＴｇが高く、成形性に優れた封止が可能となる。 According to the epoxy resin for semiconductor encapsulation of the present invention, high flame retardancy is achieved without adding a flame retardant such as a halogen compound or an antimony compound as in the prior art, and the Tg of the cured product is high. Sealing with excellent moldability is possible.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、その構成として、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤並びに（Ｄ）無機充填材を含有する。このうちの（Ａ）エポキシ樹脂については、（Ａａ）フェノールアラルキル型エポキシ樹脂と（Ａｂ）Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の配合が必須とされている。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention contains (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) a curing accelerator, and (D) an inorganic filler. Of these, the (A) epoxy resin must contain (Aa) a phenol aralkyl type epoxy resin and (Ab) an O-cresol novolac type epoxy resin.
（Ａａ）フェノールアラルキル型エポキシ樹脂は、その高分子構造において、フェノールエポキシ・アラルキル繰り返し単位を有するものとして特徴的である。代表的なものとしては、たとえば次式（１） (Aa) The phenol aralkyl type epoxy resin is characteristic in that its polymer structure has a phenol epoxy / aralkyl repeating unit. As a typical one, for example, the following formula (1)
（式中のｎは１以上の整数を示す。）
で表わされるフェノールアラルキル型エポキシ樹脂が挙げられる。式（１）において、ベンゼン環には本発明の所定の効果を阻害しない限り、アルキル基などの炭化水素基が１以上置換されていてもよい。この式（１）で表わされるフェノールアラルキル型エポキシ樹脂は、常法に従って合成されたものでも、あるいは市販品として利用可能なものであってもよい。
(In the formula, n represents an integer of 1 or more.)
The phenol aralkyl type epoxy resin represented by these is mentioned. In the formula (1), one or more hydrocarbon groups such as an alkyl group may be substituted on the benzene ring as long as the predetermined effect of the present invention is not inhibited. The phenol aralkyl type epoxy resin represented by the formula (1) may be synthesized according to a conventional method or may be available as a commercial product.
また、（Ａｂ）Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂も従来公知のものをはじめとして各種であってよく、常法により合成したもの、あるいは市販品であってもよい。（Ａ）エポキシ樹脂においては、その全体量に対して、（Ａａ）フェノールアラルキル型エポキシ樹脂が２０〜８０質量％の範囲内となるように、また（Ａｂ）Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂についても２０〜８０質量％の範囲内となるようにする。この範囲を満たすのであれば、その他各種のエポキシ樹脂が含有されてよい。 The (Ab) O-cresol novolac type epoxy resin may be various types including those conventionally known, and may be one synthesized by a conventional method or a commercially available product. In the (A) epoxy resin, the total amount of the (Aa) phenol aralkyl type epoxy resin is in the range of 20 to 80% by mass, and the (Ab) O-cresol novolak type epoxy resin is also used. The amount is within the range of 20 to 80% by mass. As long as this range is satisfied, various other epoxy resins may be contained.
（Ａ）エポキシ樹脂に配合可能なその他のエポキシ樹脂としては、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が例示される。 (A) Other epoxy resins that can be blended with the epoxy resin include biphenyl type epoxy resins, biphenyl aralkyl type epoxy resins, bisphenol type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, and the like.
（Ｂ）硬化剤としては、ビフェニル型フェノール樹脂が配合される。このものはその高分子構造においてビフェニルアラルキル・フェノールの繰り返し単位を有するものとして特徴的である。代表的なものとしては、たとえば次式（２） (B) As a hardening | curing agent, a biphenyl type phenol resin is mix | blended. This is characteristic in that it has a repeating unit of biphenylaralkyl / phenol in its polymer structure. As a typical one, for example, the following formula (2)
（式中のｍは１以上の整数を示す。）
で表わされるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂が挙げられる。この式（２）においても、ビフェニル環やベンゼン環には本発明の所定の効果を阻害しない限り、アルキル基などの炭化水素基が１以上置換されていてもよい。この式（２）で表わされるビフェニル型フェノール樹脂は、常法に従って合成されたものでも、あるいは市販品であってもよい。
(In the formula, m represents an integer of 1 or more.)
And a biphenylaralkyl type phenol resin represented by the formula: Also in this formula (2), at least one hydrocarbon group such as an alkyl group may be substituted on the biphenyl ring or benzene ring as long as the predetermined effect of the present invention is not inhibited. The biphenyl type phenol resin represented by the formula (2) may be synthesized according to a conventional method or may be a commercially available product.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物においては、前記のとおりの（Ａ）エポキシ樹脂とともに（Ｂ）硬化剤としてのビフェニル型フェノール樹脂、そしてさらに必須の構成成分として、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材を含有する。このような組成物としての必須の構成によって、ハロゲン化合物やアンチモン化合物等の難燃剤を添加配合しなくても、高い難燃性を達成し、しかも硬化物の高いＴｇと、優れた成形性が実現可能とされる。 In the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, (B) a biphenyl type phenol resin as a curing agent together with (A) the epoxy resin as described above, and (C) a curing accelerator as an essential constituent. (D) An inorganic filler is contained. By such an essential composition as a composition, high flame retardancy is achieved without adding a flame retardant such as a halogen compound or an antimony compound, and the cured product has a high Tg and excellent moldability. It can be realized.
ビフェニル型フェノール樹脂は、（Ｂ）硬化剤全体量の４０〜１００質量％の範囲内において配合される。ビフェニル型フェノール樹脂が（Ｂ）硬化剤全体量の４０質量％となる範囲内であれば他の硬化剤を配合してもよい。たとえば、フェノールノボラック、フェノールアラルキル、トリフェニルメタン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール等の各種の多価フェノールが挙げられる。 A biphenyl type phenol resin is mix | blended within the range of 40-100 mass% of (B) hardening agent whole quantity. If the biphenyl type phenol resin is within the range of 40% by mass of the total amount of the (B) curing agent, another curing agent may be blended. Examples thereof include various polyphenols such as phenol novolac, phenol aralkyl, triphenylmethane type phenol, dicyclopentadiene type phenol and the like.
ビフェニル型フェノール樹脂が（Ｂ）硬化剤全体量の４０質量％未満となる場合には、難燃性が低下する傾向となる。 When the biphenyl type phenol resin is less than 40% by mass of the total amount of the (B) curing agent, the flame retardancy tends to decrease.
（Ｃ）硬化促進剤については、その種類は各種の１種以上であってよい。たとえば、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン等のホスフィン化合物やホスホニウム塩等のホスフィン化合物の塩、２−メチルイミダゾール、フェニルイミダゾール、２−メチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、１，８−ジアザビシクロウンデセン、トリエタノールアミン、ベンジルメチルアミン等の３級アミン化合物が例示される。なかでも、ホスフィン化合物およびホスフィン化合物の塩のうちの１種以上が配合されることが好ましい。これによって、難燃性をさらに向上させることが可能となる。 (C) About a hardening accelerator, the kind may be 1 or more types of various types. For example, phosphine compounds such as triphenylphosphine and diphenylphosphine, phosphine compound salts such as phosphonium salts, imidazole compounds such as 2-methylimidazole, phenylimidazole and 2-methyl-4-methylimidazole, 1,8-diazabicyclo Examples are tertiary amine compounds such as undecene, triethanolamine, and benzylmethylamine. Especially, it is preferable that 1 or more types of a phosphine compound and the salt of a phosphine compound are mix | blended. This makes it possible to further improve the flame retardancy.
（Ｄ）無機充填材についても各種のものであってよく、たとえば結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、窒化ケイ素などの１種以上であってよい。なかでも結晶シリカの配合は難燃性の向上に有効である。 (D) Various inorganic fillers may be used, for example, one or more of crystalline silica, fused silica, alumina, silicon nitride, and the like. Among these, the blending of crystalline silica is effective for improving flame retardancy.
以上のとおりの（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の半導体封止用組成物の全体量に占める配合割合については、一般的には、（Ａ）エポキシ樹脂：３〜１５質量％、（Ｂ）硬化剤：５〜９質量％の範囲内とすることが考慮される。また、（Ｄ）無機充填材については、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の全体量に対して８０〜８８質量％の範囲内とすることが好ましい。（Ｄ）無機充填材の配合量が少ない場合には難燃性が低下する傾向となり、逆に過剰量である場合には成形時の流動性が低下し、ワイヤ変形や未充填などの不具合の発生が懸念される。なお、前記の結晶シリカを用いる場合には、（Ｄ）無機充填材全体量の６０質量％以上とすることが難燃性向上に寄与することになる。 About the mixture ratio which occupies for the whole quantity of the composition for semiconductor sealing of (A) epoxy resin and the (B) hardening | curing agent as mentioned above, generally (A) epoxy resin: 3-15 mass%, ( B) Curing agent: It is considered to be in the range of 5 to 9% by mass. Moreover, about (D) inorganic filler, it is preferable to set it as the inside of the range of 80-88 mass% with respect to the whole quantity of the epoxy resin composition for semiconductor sealing. (D) When the amount of the inorganic filler is small, the flame retardancy tends to decrease. Conversely, when the amount is excessive, the fluidity at the time of molding decreases, and defects such as wire deformation and unfilling occur. There is concern about the occurrence. In addition, when using the said crystalline silica, it will contribute to a flame-retardant improvement to be 60 mass% or more of (D) inorganic filler whole quantity.
また、本発明においては、上述以外に必要に応じて、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、カルナバワックス、ステアリン酸およびその誘導体、モンタン酸およびその誘導体、カルボキシル基含有ポリオレフィンなどの離型剤、変色防止剤、老化防止剤、染料、変性剤、可塑剤、希釈剤などを配合することが可能である。 In the present invention, in addition to the above, if necessary, silane coupling agents such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, carnauba wax, stearic acid and its derivatives, montanic acid And a derivative thereof, a release agent such as carboxyl group-containing polyolefin, a discoloration inhibitor, an anti-aging agent, a dye, a modifier, a plasticizer, a diluent, and the like.
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、必須成分およびその他の任意成分を均一に分散混合できる方法であれば、その調製方法に特に制限はないが、一般的な方法として、所定の配合量の成分をミキサー等により十分混合した後、ミキシングロールやニーダーにより、必要に応じて加熱しながら溶融混合させたものを冷却固化して粉砕する方法が挙げられる。この際、粉砕後の組成物は成形条件に合うような大きさおよび重さで打錠機などを用いてタブレットとすることもできる。 The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is not particularly limited in its preparation method as long as it can uniformly disperse and mix essential components and other optional components. An example is a method in which an amount of components are sufficiently mixed by a mixer or the like, and then melted and mixed by heating with a mixing roll or kneader as needed to cool and solidify. At this time, the pulverized composition can be made into a tablet with a size and weight suitable for molding conditions using a tableting machine.
本発明の樹脂封止型半導体装置は、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどの半導体素子および／または半導体集積回路が、本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止されているものであり、半導体素子および／または半導体集積回路の種類、封止方法、パッケージ形状などは特に限定されない。 In the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, semiconductor elements such as integrated circuits, large-scale integrated circuits, transistors, thyristors, and diodes and / or semiconductor integrated circuits are encapsulated with a cured product of the epoxy resin composition of the present invention. The type of semiconductor element and / or semiconductor integrated circuit, sealing method, package shape, etc. are not particularly limited.
封止の一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられるが、射出成形、圧縮成形、注型成形、ポッテイング等により封止することもできる。成形時および／または成形後の硬化条件は、エポキシ樹脂組成物の各成分の種類や、配合量により異なるが、通常、１５０〜２２０℃の温度で３０秒〜１０時間である。 As a general method of sealing, a low-pressure transfer molding method can be mentioned, but sealing can also be performed by injection molding, compression molding, cast molding, potting, or the like. The curing conditions at the time of molding and / or after molding vary depending on the type of each component of the epoxy resin composition and the blending amount, but are usually 30 seconds to 10 hours at a temperature of 150 to 220 ° C.
トランスファー成形などの方法で封止された半導体装置は、そのままあるいは８０〜２００℃の温度で１５秒〜１０時間かけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。 A semiconductor device sealed by a transfer molding method or the like is mounted on an electronic device or the like as it is or after being completely cured at a temperature of 80 to 200 ° C. for 15 seconds to 10 hours.
樹脂封止型半導体装置のパッケージ形状としては、ＤＩＰ、ＺＩＰ、ＳＯＰ、ＳＯＪ、ＱＦＰなどのリードフレームタイプ、ＢＧＡなどの片面封止タイプ、ＴＡＢ、ＣＳＰなどが挙げられる。 Examples of the package shape of the resin-encapsulated semiconductor device include lead frame types such as DIP, ZIP, SOP, SOJ, and QFP, single-side encapsulated types such as BGA, TAB, and CSP.
そこで以下に実施例を示し、さらに詳しく説明する。もちろん以下の例によって本発明が限定されることはない。 Therefore, an example will be shown below and will be described in more detail. Of course, the present invention is not limited to the following examples.
（実施例１〜８）（比較例１〜２）
表１に示した次の各成分を所定量（質量部）計量し、混合・分散した後に８０〜１２０℃の温度で溶融混練した。次いで冷却後に粉砕した。
(Examples 1-8) (Comparative Examples 1-2)
The following components shown in Table 1 were weighed in predetermined amounts (parts by mass), mixed and dispersed, and then melt-kneaded at a temperature of 80 to 120 ° C. Then, it was pulverized after cooling.
フェノールアラルキル型エポキシ樹脂：前記式（１）で表わされる、日本化薬ＮＣ−２０００−Ｌ
Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：住友化学ＥＯＣＮ−１０２０
ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジンＹＸ４０００
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：式（２）で表わされる、明和化成ＭＥＨ７８５１Ｍ
フェノールノボラック樹脂：明和化成Ｈ−１
トリフェニルホスフィン：北興化学ＴＰＰ
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート：北興化学ＴＰＰ−Ｋ
得られたエポキシ樹脂組成物について、次の評価を行った。
＜流動性の評価＞
スパイラルフロー（ＳＦ）を測定
＜Ｔｇの測定＞
材料を１７５℃の金型で所定の形状に成形後、１７５℃×６ｈ後硬化。ＴＭＡにより測定。
＜燃焼試験＞
３．２ｍｍ厚の試験片を成形後、１７５℃×６ｈ後硬化。ＵＬ−９４の試験法に則って５枚の試料を評価。
Phenol aralkyl type epoxy resin: Nippon Kayaku NC-2000-L represented by the above formula (1)
O-cresol novolac type epoxy resin: Sumitomo Chemical EOCN-1020
Biphenyl type epoxy resin: Japan Epoxy Resin YX4000
Biphenyl aralkyl type phenol resin: Meiwa Kasei MEH7851M represented by the formula (2)
Phenol novolac resin: Meiwa Kasei H-1
Triphenylphosphine: Hokuko Chemical TPP
Tetraphenylphosphonium ・ tetraphenylborate: Hokuko Chemical TPP-K
The following evaluation was performed about the obtained epoxy resin composition.
<Evaluation of fluidity>
Measure spiral flow (SF) <Measure Tg>
The material was molded into a predetermined shape with a mold at 175 ° C. and then post-cured at 175 ° C. for 6 hours. Measured with TMA.
<Combustion test>
After molding a 3.2 mm thick test piece, post-curing at 175 ° C. for 6 hours. Five samples were evaluated according to the UL-94 test method.
評価のランクは、Ａ：優良、Ｂ：良、Ｃ：不可とした。 The ranks of evaluation were A: excellent, B: good, and C: impossible.
Ａ：最大の残炎時間が５秒以下
Ｂ：最大の残炎時間が１０秒以下
Ｃ：最大の残炎時間が１０秒を超える
その結果も表１に示した。
A: Maximum afterflame time is 5 seconds or less B: Maximum afterflame time is 10 seconds or less C: Maximum afterflame time exceeds 10 seconds The results are also shown in Table 1.
実施例１〜５においては、高いＴｇと良好なＳＦ値としての優れた成形性とともに、高い難燃性が達成されていることがわかる。 In Examples 1-5, it turns out that high flame retardance is achieved with the high Tg and the outstanding moldability as a favorable SF value.
また、実施例１〜５と実施例６〜８との対比からは、ホスフィン化合物またはその塩の配合、結晶シリカの配合の有効性とその適切量での配合量の優良性がわかる。 Moreover, from the comparison with Examples 1-5 and Examples 6-8, the compounding of a phosphine compound or a salt thereof, the effectiveness of the compounding of crystalline silica, and the superiority of the compounding amount in an appropriate amount can be seen.
一方、硬化剤としてビフェニルアラルキル型フェノール樹脂の配合比の低い比較例１、そしてフェノールアラルキル型エポキシ樹脂の配合比の低い比較例２においては、上述の実施例１〜８のような効果が得られていないことがわかる。 On the other hand, in Comparative Example 1 where the blending ratio of the biphenyl aralkyl type phenolic resin as a curing agent is low and in Comparative Example 2 where the blending ratio of the phenol aralkyl type epoxy resin is low, the effects as in Examples 1 to 8 described above are obtained. You can see that it is not.
Claims (3)
（Ａ）エポキシ樹脂として、下記一般式（１）
で表される（Ａａ）フェノールアラルキル型エポキシ樹脂と、（Ａｂ）Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が、各々、（Ａ）エポキシ樹脂全体量の２０〜８０質量％の範囲内において配合され、
（Ｂ）硬化剤として、ビフェニル型フェノール樹脂が、（Ｂ）硬化剤全体量の４０〜１００質量％の範囲内において配合され、
（Ｃ）硬化促進剤として、ホスフィン化合物およびホスフィン化合物の塩のうちの１種以上が、エポキシ樹脂組成物全体量の０．１〜０．２質量％の範囲内において含有され、
（Ｄ）無機充填材が、エポキシ樹脂組成物全体量の８０〜８８質量％の範囲内において含有されていることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) a curing accelerator, and (D) an epoxy resin composition containing an inorganic filler,
(A) As an epoxy resin, the following general formula (1)
And represented by (Aa) phenol aralkyl type epoxy resin in, (Ab) O-cresol novolak type epoxy resin, respectively, are blended in the range of 20 to 80 wt% of the epoxy resin (A) the total amount,
(B) As a curing agent, a biphenyl type phenol resin is blended within a range of 40 to 100% by mass of the total amount of the (B) curing agent,
(C) As a hardening accelerator, 1 or more types in the phosphine compound and the salt of a phosphine compound are contained in the range of 0.1-0.2 mass% of the epoxy resin composition whole quantity,
(D) The epoxy resin composition for semiconductor sealing characterized by the inorganic filler being contained in the range of 80 to 88% by mass of the total amount of the epoxy resin composition.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010100231A JP5379066B2 (en) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010100231A JP5379066B2 (en) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011231154A JP2011231154A (en) | 2011-11-17 |
| JP5379066B2 true JP5379066B2 (en) | 2013-12-25 |
Family
ID=45320809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010100231A Active JP5379066B2 (en) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5379066B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105899566B (en) * | 2014-02-07 | 2018-10-26 | 日本化药株式会社 | Epoxy resin composition, composition epoxy resin, its solidfied material and semiconductor device |
| WO2015119195A1 (en) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 日本化薬株式会社 | Epoxy resin composition, cured product thereof, and semiconductor device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03258829A (en) * | 1990-03-07 | 1991-11-19 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Highly heat-hesistant epoxy resin composition |
| JP2002012654A (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-15 | Toray Ind Inc | Epoxy resin composition for sealing semiconductor |
| JP2004018786A (en) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Kyocera Chemical Corp | Sealing resin composition and electronic component sealing device |
| JP2008063371A (en) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device |
| JP5135993B2 (en) * | 2007-10-29 | 2013-02-06 | 住友ベークライト株式会社 | Method for applying liquid adhesive and method for manufacturing semiconductor device |
| JP5565081B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-08-06 | 住友ベークライト株式会社 | Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device |
-
2010
- 2010-04-23 JP JP2010100231A patent/JP5379066B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011231154A (en) | 2011-11-17 |
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| WO2018181601A1 (en) | Epoxy resin composition for sealing, and electronic component device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120117 |
|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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