JP5365851B2 - 電子部品 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 96
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 96
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 35
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
一方、水晶振動子、水晶フィルタやSAWフィルタなどの圧電素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な異物に影響されて特性が微妙に変化することや、機械的振動や衝撃によって破損しやすい。このため上述の素子は、パッケージに封止して使用に供されている。
また、先行文献2、先行文献3においては、金属粉または金属箔微粒子を貫通孔に溶解させながら堆積させているが、先に堆積された金属粉または金属箔微粒子の熱容量と照射されている金属粉または金属箔微粒子の熱容量の差が徐々に拡大し、照射されている金属粉または金属箔微粒子の溶解品質(ヌレ性)が徐々に低下して抵抗分が上昇し、接続信頼性が低下する虞があるという問題があった。
[適用例1]貫通孔、前記貫通孔を封止している封止部材を備えているベース基板と、
前記ベース基板側に一主面が向けられて前記ベース基板に搭載されており、かつ前記一主面側に凸部、前記凸部の表面上に導電膜を備えている電子素子片層と、を含み、前記導電膜が、前記貫通孔の前記電子素子片層側の開口面を貫通するとともに、前記導電膜の前記開口面を貫通した部分が前記貫通孔の内壁から離間していることを特徴とする電子部品。
これにより、凸部は貫通孔に嵌め込まれることになるので、電子素子片とベース基板との積層時のアライメントが容易になり作業効率を向上させることができる。
すなわち、ベース基板42の周縁と圧電振動片層12の支持枠24とを固相接合(直接接合)により接合し、同様に支持枠24とリッド40とを固相接合(直接接合)により接合する。
まず、図7(a)に示すように、圧電振動片層12用の水晶素板100を用意し、水晶素板100に第1連結部76(図6参照)、第2連結部78(図6参照)、第1引き出し部80、第2引き出し部82、支持枠84、延伸部86の外形を残して圧電振動片74の厚みになるまで両面からエッチングを行い(図7(b))、第1凸部88の外形、第2凸部90の外形、圧電振動片74の厚みまでエッチングされた領域を残して第1引き出し部80、第2引き出し部82、延伸部84のベース基板42に対向する面から支持枠84の厚みになるまで水晶基板100にエッチングを行い(図7(c))、支持枠84の外形、第1凸部88の外形、第2凸部90の外形、圧電振動片14の厚みまでエッチングされた領域の外形を残してベース基板42に対向する面から第1連結部76、第2連結部78、第1引き出し部80、第2引き出し部82、延伸部86(図7では不図示の厚みになるまで水晶基板100にエッチングを行い(図7(d))、支持枠84、第1凸部88、第2凸部90、第1連結部76、第2連結部78、第1引き出し部88、第2引き出し部90、圧電振動片74の外形を残して水晶基板100を貫通するまでエッチングすることにより、圧電振動片層74の外形を形成する(図7(e))。そして第1励振電極92、第2励振電極94、第1引き出し電96、第2引き出し電極98を所定の位置に形成する(図7(f))。
力を直接受けて撓む、例えば被測定圧力を受圧して撓む可撓部を有するダイアフラムに支持部を介して搭載された圧電振動子は、例えば、板状の圧電基板上に電極パターンが形成され、力の検出方向に検出軸を設定しており、前記検出軸の方向に直交する方向から被測定圧力がダイアフラムの受圧部で受圧すると前記可撓部が撓み、前記支持部を介して前記圧電振動子に力が加わると、前記圧電振動子は検出軸の方向に引張り応力が生じるため前記圧電振動子の共振周波数が変化し、前記共振周波数の変化から前記被測定圧力の圧力値を検出する。圧力センサー、受圧手段としてのダイアフラムと、前記ダイアフラムに形成した支持部に搭載された感圧素子(双音叉振動子)とを有し、これらを容器に収容しつつダイアフラムの受圧面を外面に臨ませるようにして真空封止した構成となっている。
感圧素子片772は、2本の柱状ビームからなる振動部705aと前記振動部705aの両端に位置する基部705bとから構成される双音叉振動子705と、前記双音叉振動子705を囲む矩形の支持枠部773と、前記支持枠部773と前記基部705bとを連結する梁707とを有する。また支持枠部773のベース基板742に対向する主面は、外枠773aと前記外枠の内側に形成され、前記外枠より薄肉に形成された内枠773bを有し、内枠773bに梁707が接続されている。さらに内枠773bの後述の第1貫通孔744に対向する位置に第1凸部736が形成され、後述の第2貫通孔746に対向する位置に第2凸部738が形成されている。また内枠773bには励振電極701に接続された第1引き出し電極702及び第2引き出し電極703が形成されている。なお図12において励振電極701はベース基板742側にのみ形成されたように描かれているが、実際には両面に形成されているものとする。
一方、第1実施形態と同様に、ベース基板742の第1面742aの反対側の第2面742bから第1面742aに向かって漸次内径を小さくするテーパー状に貫通孔(第1貫通孔744、第2貫通孔746)が形成されている。
Claims (6)
- 貫通孔、前記貫通孔を封止している封止部材を備えているベース基板と、
前記ベース基板側に一主面が向けられて前記ベース基板に搭載されており、かつ前記一主面側に凸部、前記凸部の表面上に導電膜を備えている電子素子片層と、
を含み、
前記導電膜が、前記貫通孔の前記電子素子片層側の開口面を貫通するとともに、前記導電膜の前記開口面を貫通した部分が前記貫通孔の内壁から離間していることを特徴とする電子部品。 - 前記凸部が、前記開口面を貫通していることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。
- 前記電子素子片層が、前記凸部を有している支持枠と、前記支持枠に囲まれており、かつ前記支持枠に支持されている電子素子片を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品。
- 前記支持枠は、前記ベース基板に固相接合により接合されることを特徴とする請求項3に記載の電子部品。
- 前記凸部は、前記支持枠の前記一方の主面より前記ベース基板側に突出していることを特徴とする請求項3または4に記載の電子部品。
- 前記電子素子片層が、前記導電膜と電気的に接続している励振電極を有している振動片層であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009114274A JP5365851B2 (ja) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009114274A JP5365851B2 (ja) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | 電子部品 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010263530A JP2010263530A (ja) | 2010-11-18 |
JP2010263530A5 JP2010263530A5 (ja) | 2012-06-21 |
JP5365851B2 true JP5365851B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=43361223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009114274A Expired - Fee Related JP5365851B2 (ja) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | 電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5365851B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112011105884T5 (de) * | 2011-11-28 | 2014-08-21 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Verbundsensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
JPWO2013080238A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2015-04-27 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 複合センサおよびその製造方法 |
JP6123266B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2017-05-10 | セイコーエプソン株式会社 | 封止構造、電子デバイス、電子機器、及び移動体 |
JP6254799B2 (ja) * | 2013-09-17 | 2017-12-27 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイスの製造方法 |
JP6245928B2 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-12-13 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
JP7211081B2 (ja) | 2018-12-28 | 2023-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316764A (ja) * | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動子 |
JP5263475B2 (ja) * | 2007-10-09 | 2013-08-14 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
-
2009
- 2009-05-11 JP JP2009114274A patent/JP5365851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010263530A (ja) | 2010-11-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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