JP5354289B2 - 製膜方法及び製膜装置 - Google Patents
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Description
検出装置28に係る光源30には赤色レーザー(Global Laser製Premier LC 1290-03(653nm,10mW))を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として赤色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を算出した。この算出には図3の特性に基づき構築した組成比計算プログラムを適用した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係るメインシャッター25の開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30には緑色レーザー(Global Laser製Fire Fly 532nm)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として緑色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係るメインシャッター25の開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30には青色レーザー(Global Laser製Blue Lyte 473nm DPSS)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係るメインシャッター25の開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30にはLED(Lumileds製LXK2-PW14-U00)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として赤色散乱光、緑色散乱光または青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係るメインシャッター25の開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30にはCuの蒸発源18aの坩堝からの輻射光を適用した(外部から光源を与えない)。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として赤色散乱光、緑色散乱光または青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係るメインシャッター25の開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30には赤色レーザー(Global Laser製Premier LC 1290-03(653nm,10mW))を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として赤色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係る蒸発源18bのセルシャッター181bの開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30には緑色レーザー(Global Laser製Fire Fly 532nm)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として緑色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係る蒸発源18bのセルシャッター181bの開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30には青色レーザー(Global Laser製Blue Lyte 473nm DPSS)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係る蒸発源18bのセルシャッター181bの開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30にはLED(Lumileds製LXK2-PW14-U00)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として赤色散乱光、緑色散乱光または青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係る蒸発源18bのセルシャッター181bの開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30にはCuの蒸発源18aの坩堝からの輻射光を適用した(外部から光源を与えない)。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として赤色散乱光、緑色散乱光または青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122に係る蒸発源18bのセルシャッター181bの開度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30には赤色レーザー(Global Laser製Premier LC 1290-03(653nm,10mW))を採用した。制御部29は光源30による基板10からの散乱光として赤色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122を通過する基板2の基板ホルダーの搬送速度調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30には緑色レーザー(Global Laser製Fire Fly 532nm)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として緑色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122を通過する基板2の基板ホルダーの搬送速度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30には青色レーザー(Global Laser製Blue Lyte 473nm DPSS)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122を通過する基板2の基板ホルダーの搬送速度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30にはLED(Lumileds製LXK2-PW14-U00)を採用した。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として赤色散乱光、緑色散乱光または青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122を通過する基板2の基板ホルダーの搬送速度を調節することで制御した。
検出装置28に係る光源30にはCuの蒸発源18aの坩堝からの輻射光を適用した(外部から光源を与えない)。制御部29は光源30による基板2からの散乱光として赤色散乱光、緑色散乱光または青色散乱光を検出し、これに基づき、ゾーン121の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を実施例1と同じ組成比計算プログラムによって算出した。そして、この算出に基づくCuの供給量はゾーン122を通過する基板2の基板ホルダーの搬送速度を調節することで制御した。
2…基板
11,12,13…製膜ゾーン
121,122…ゾーン
28…検出装置(位置検出手段)
29…制御部
30…光源
31…カメラ
32…画像処理部
Claims (8)
- インライン方式により基板に対してXが第IB族元素、Yが第IIIB族元素、Zが第VIB族元素であるXYZ2化合物薄膜を形成させる製膜方法であって、
基板上に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、薄膜を形成する第一の工程と、
この第一の工程で形成された薄膜に第IB族元素、第VIB族元素を蒸着し、XYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素が過剰である組成の薄膜を形成する第二の工程と、
この第二の工程で形成された薄膜に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、第IIIB族元素が化学量論的組成比に対して過剰である組成の薄膜を形成する第三の工程と
を有し、
前記第二の工程においてXYZ2が化学量論的組成比となる基板の位置を位置検出手段により検出し、この検出した位置に基づき当該位置検出を行った製膜ゾーンの終点における薄膜の第IB族元素と第IIIB族元素の組成比の予測値を算出し、前記第二の工程の終点におけるXYZ2化合物薄膜の組成比が予め設定された前記第二の工程の終点におけるXYZ2薄膜の第IB族元素と第IIIB族元素の組成比の目的値となるように、前記予測値に基づき前記第二の工程における第IB族元素の蒸着量を制御すること
を特徴とする製膜方法。 - 前記第二の工程は二つの製膜ゾーンからなり、
前記第二の工程の最初の製膜ゾーンにて、XYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素過剰の組成の薄膜となるように第IB族元素を蒸着すると共に、前記位置検出手段によって前記基板の位置を検出し、この検出した位置に基づき当該製膜ゾーンの終点における薄膜の第IB族元素と第IIIB族元素の組成比の予測値を算出し、
次の製膜ゾーンにて、この製膜ゾーンの終点における薄膜のXYZ2の組成比が前記目的値となるように、前記予測値に基づき第IB族元素の蒸着量を制御すること
を特徴とする請求項1に記載の製膜方法。 - 前記第二の工程は単一の製膜ゾーンからなり、
この製膜ゾーンにてXYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素過剰の組成の薄膜となるように第IB族元素を蒸着すると共に、前記位置検出手段によって前記基板の位置を検出し、この検出した位置に基づき当該製膜ゾーンの終点における薄膜の第IB族元素と第IIIB族元素の組成比の予測値を算出し、
当該製膜ゾーンの終点における薄膜のXYZ2の組成比が前記目的値となるように、前記予測値に基づき第IB族元素の蒸着量を制御すること
を特徴とする請求項1に記載の製膜方法。 - 前記第IB族元素はCuであり、前記第IIIB族元素はIn,Gaであり、第VIB族元素はSeであること
を特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の製膜方法。 - 前記位置検出手段は前記第二の工程における基板への光照射によって散乱した光の強度の変化に基づき当該工程におけるXYZ2化学量論的組成比となる位置を算出すること
を特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の製膜方法。 - インライン方式により基板に対してXが第IB族元素、Yが第IIIB族元素、Zが第VIB族元素であるXYZ2化合物薄膜を形成させる製膜装置であって、
基板上に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、薄膜を形成する第一の製膜ゾーンと、
この第一の製膜ゾーンで形成された薄膜に第IB族元素、第VIB族元素を蒸着し、XYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素が過剰である組成の薄膜を形成する第二の製膜ゾーンと、
この第二の製膜ゾーンで形成された薄膜に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、第IIIB族元素が化学量論的組成比に対して過剰である組成の薄膜を形成する第三の製膜ゾーンと、
前記第二の製膜ゾーンにおいてXYZ2が化学量論的組成比となる基板の位置を検出する位置検出手段と、
この検出した位置に基づき前記第二の製膜ゾーンの終点における薄膜の第IB族元素と第IIIB族元素の組成比の予測値を算出し、前記第二の製膜ゾーンの終点におけるXYZ2化合物薄膜の組成比が予め設定された前記第二の製膜ゾーンの終点におけるXYZ2薄膜の第IB族元素と第IIIB族元素の組成比の目的値となるように、前記予測値に基づき前記第二の工程における第IB族元素の蒸着量を制御する制御手段と
を備えたこと
を特徴とする製膜装置。 - 前記第二の製膜ゾーンは二つのゾーンからなり、
最初のゾーンにて、XYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素過剰の組成の薄膜となるように第IB族元素を蒸着し、
前記位置検出手段は前記基板の位置を検出し、
前記制御手段は、前記検出された位置に基づき当該製膜ゾーンの終点における薄膜の第IB族元素と第IIIB族元素の組成比の予測値を算出し、次のゾーンにて、このゾーンの終点における薄膜のXYZ2の組成比が前記目的値となるように、前記予測値に基づき第IB族元素の蒸着量を制御すること
を特徴とする請求項6に記載の製膜装置。 - 前記第二の製膜ゾーンは単一のゾーンからなり、
前記位置検出手段は前記基板の位置を検出し、
前記制御手段は、この検出した位置に基づき当該ゾーンの終点における薄膜の第IB族元素と第IIIB族元素の組成比の予測値を算出し、当該ゾーンの終点における薄膜のXYZ2の組成比が前記目的値となるように、前記予測値に基づき第IB族元素の蒸着量を制御すること
を特徴とする請求項6に記載の製膜装置。
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