JP5353542B2 - Semiconductor device and test method of semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device and test method of semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5353542B2 JP5353542B2 JP2009183576A JP2009183576A JP5353542B2 JP 5353542 B2 JP5353542 B2 JP 5353542B2 JP 2009183576 A JP2009183576 A JP 2009183576A JP 2009183576 A JP2009183576 A JP 2009183576A JP 5353542 B2 JP5353542 B2 JP 5353542B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- signal
- test
- clock signal
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
半導体装置及び半導体装置の試験方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device and a semiconductor device test method.
従来、半導体装置基板(ウェハ)に複数の半導体装置(チップ)を形成するプロセス工程が終了すると、形成された半導体装置の動作確認のために電気的特性の試験がウェハの状態で行われる。この電気的特性の試験の結果、不良と判定されたチップは、次の組立工程の組立対象から除外され、無駄な組み立てが行われることを防止している。さらに、この判定結果を解析し、異常がある場合には、プロセス条件等にフィードバックを行うことでプロセス条件の改善も行われる。 Conventionally, when a process step of forming a plurality of semiconductor devices (chips) on a semiconductor device substrate (wafer) is completed, an electrical characteristic test is performed in the state of the wafer in order to confirm the operation of the formed semiconductor device. Chips determined to be defective as a result of this electrical characteristic test are excluded from the assembly targets in the next assembly process, thereby preventing unnecessary assembly. Furthermore, the determination result is analyzed, and if there is an abnormality, the process condition is improved by feeding back the process condition.
近年、半導体装置は、コスト削減のために試験時間の短縮化が求められている。このため、試験装置(テスタ)は、ウェハに形成されたチップについて電気的特性の試験を複数回に分けて行っている。これは、試験装置は、ウェハに形成されたチップについて電気的特性の試験を一括で行うと、試験装置の許容電流を超えてしまう場合があるからである。そこで、試験装置は、その許容電流を超えない数のチップについて同時に評価試験を行っていた。 In recent years, semiconductor devices have been required to reduce test time in order to reduce costs. For this reason, the test apparatus (tester) performs the test of the electrical characteristics of the chip formed on the wafer in a plurality of times. This is because the test apparatus may exceed the allowable current of the test apparatus when the electrical characteristics of the chips formed on the wafer are collectively tested. Therefore, the test apparatus has simultaneously performed an evaluation test on a number of chips that do not exceed the allowable current.
この場合、ウェハにおいて、チップが形成された領域を除く領域に、試験装置から入力されるクロック信号などの電気信号を遅延させるための電気信号遅延回路が設けられていた(例えば、特許文献1参照)。電気信号遅延回路は、電気的特性の試験を同時に行うチップのグループ毎にウェハに設けられ、それぞれ異なる遅延量になっている。これにより、試験装置は、電気的特性の試験を同時に行うチップのグループ毎に異なるタイミングで電気的特性の試験を行っている。 In this case, an electric signal delay circuit for delaying an electric signal such as a clock signal input from the test apparatus is provided in an area of the wafer excluding the area where the chip is formed (see, for example, Patent Document 1). ). The electrical signal delay circuit is provided on the wafer for each group of chips for which electrical property tests are performed simultaneously, and has different delay amounts. As a result, the test apparatus tests the electrical characteristics at different timings for each group of chips that simultaneously perform electrical characteristics tests.
しかしながら、上記の試験方法では、各電気信号遅延回路は、遅延素子によってクロック信号などの電気信号を遅延させている。このため、半導体装置のプロセス工程において遅延素子が大きくばらつくと、各電気信号遅延回路の遅延量も大きくばらついてしまう。従って、チップのグループ毎に設定したタイミングが重なって、ウェハに形成されたチップの総消費電流が試験装置の許容電流を超えてしまう可能性がある。 However, in the above test method, each electric signal delay circuit delays an electric signal such as a clock signal by a delay element. For this reason, if the delay elements greatly vary in the process steps of the semiconductor device, the delay amount of each electric signal delay circuit also varies greatly. Therefore, the timing set for each group of chips may overlap, and the total current consumption of the chips formed on the wafer may exceed the allowable current of the test apparatus.
また、上記の試験方法では、試験プログラムの変更を行う場合、電気信号遅延回路の遅延量を変更する必要があるときがある。
上記の半導体装置のプロセス工程において遅延素子が大きくばらつく場合、又は、試験プログラムの変更を行う場合、電気信号遅延回路の遅延量を調整するため、回路変更を行うことになり、半導体装置の開発期間が長期化してしまう。
In the above test method, when the test program is changed, it is sometimes necessary to change the delay amount of the electric signal delay circuit.
When delay elements greatly vary in the process steps of the semiconductor device described above, or when a test program is changed, the circuit change is made to adjust the delay amount of the electric signal delay circuit, and the semiconductor device development period Will be prolonged.
この半導体装置及び半導体装置の試験方法は、半導体装置の開発時間を短縮することを目的とする。 An object of the semiconductor device and the semiconductor device testing method is to shorten the development time of the semiconductor device.
本発明の一観点によれば、半導体装置は、半導体装置基板にシリアル接続で複数形成され、試験装置にて試験される半導体装置であって、前段の前記試験装置又は前記半導体装置からの第1開始信号に基づいて、クロック信号を第1内部クロック信号として内部回路に供給するクロック信号制御回路と、前記第1内部クロック信号をカウントするカウンタ回路を有し、前記カウンタ回路が前記第1内部クロック信号をカウントしたカウント値に基づいて、前記クロック信号を後段の前記半導体装置の内部回路に第2内部クロック信号として供給させるための第2開始信号を後段の前記半導体装置に遅延させて出力する遅延制御回路とを有し、前記クロック信号制御回路は、前段の前記試験装置又は前記半導体装置からの第1開始信号及び第1休止信号に基づいて、前記クロック信号を前記第1内部クロック信号として前記内部回路に供給し、前記遅延制御回路は、前記カウンタ回路の前記カウント値に基づいて、自身の回路動作時に後段の前記半導体装置の内部回路への前記第2内部クロック信号の供給を休止させるための第2休止信号を後段の前記半導体装置に出力する。 According to an aspect of the present invention, a plurality of semiconductor devices are serially connected to a semiconductor device substrate and tested by a test device, the first test device from the previous stage or the first semiconductor device. A clock signal control circuit for supplying a clock signal as a first internal clock signal to an internal circuit based on a start signal; and a counter circuit for counting the first internal clock signal, wherein the counter circuit is configured to output the first internal clock signal. A delay for delaying and outputting a second start signal for supplying the clock signal to the internal circuit of the subsequent semiconductor device as a second internal clock signal based on the count value obtained by counting the signal to the subsequent semiconductor device possess a control circuit, said clock signal control circuit includes a first start signal and the first from the preceding the test device or the semiconductor device Based on a stop signal, the clock signal is supplied to the internal circuit as the first internal clock signal, and the delay control circuit is based on the count value of the counter circuit and operates in the subsequent stage of the semiconductor circuit during its circuit operation. A second pause signal for stopping the supply of the second internal clock signal to the internal circuit of the device is output to the semiconductor device at the subsequent stage .
本発明の一観点によれば、半導体装置及び半導体装置の試験方法は、半導体装置の開発時間を短縮することができる。 According to one aspect of the present invention, a semiconductor device and a test method for a semiconductor device can shorten the development time of the semiconductor device.
(第1実施形態)
以下、第1実施形態を図1〜図3に従って説明する。
図1は、ウェハW1に形成された同じ回路構成の第1〜第16チップC1〜C16を試験する概略説明図である。
(First embodiment)
Hereinafter, the first embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic explanatory diagram for testing the first to sixteenth chips C1 to C16 having the same circuit configuration formed on the wafer W1.
図1に示すように、ウェハW1は、第1〜第16チップC1〜C16を除く領域に第1〜第7パッドP1〜P7が形成されている。試験装置(テスタ)T1はウェハW1を搭載し、そのプローブをウェハW1の第1〜第7パッドP1〜P7に接触させて信号及び電圧を入出力して試験を行う。 As shown in FIG. 1, the wafer W1 has first to seventh pads P1 to P7 formed in a region excluding the first to sixteenth chips C1 to C16. The test apparatus (tester) T1 mounts the wafer W1, and makes a test by bringing the probe into contact with the first to seventh pads P1 to P7 of the wafer W1 and inputting and outputting signals and voltages.
本実施形態では、試験装置T1は、電源端子Te1、グランド端子Te2、クロック信号出力端子Te3、開始信号出力端子Te4、休止信号出力端子Te5、読み出し信号出力端子Te6、試験結果信号入力端子Te7を有している。 In the present embodiment, the test apparatus T1 includes a power supply terminal Te1, a ground terminal Te2, a clock signal output terminal Te3, a start signal output terminal Te4, a pause signal output terminal Te5, a read signal output terminal Te6, and a test result signal input terminal Te7. doing.
電源端子Te1、グランド端子Te2及びクロック信号出力端子Te3は、それぞれ第1〜第3パッドP1〜P3にプローブを介して接続され、試験装置T1は、電源VDD、グランドGND、クロック信号CKを第1〜第16チップC1〜C16にそれぞれ供給する。これにより、第1〜第16チップC1〜C16は、同じ電源VDD、グランドGNDが供給され、クロック信号CKに同期して動作する。 The power supply terminal Te1, the ground terminal Te2, and the clock signal output terminal Te3 are respectively connected to the first to third pads P1 to P3 via probes, and the test apparatus T1 receives the power supply VDD, the ground GND, and the clock signal CK as the first. ~ Supplied to the 16th chips C1 to C16, respectively. Accordingly, the first to sixteenth chips C1 to C16 are supplied with the same power supply VDD and ground GND and operate in synchronization with the clock signal CK.
開始信号出力端子Te4は、プローブを介して第4パッドP4に接続され、試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16に試験を開始させるための第1開始信号Ss1を開始信号出力端子Te4及び第4パッドP4を介して第1チップC1に出力する。試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16に試験を開始させる場合、Hレベル(開始モード)の第1開始信号Ss1を出力し、反対に、第1〜第16チップC1〜C16を待機状態にする場合、Lレベル(待機モード)の第1開始信号Ss1を出力する。 The start signal output terminal Te4 is connected to the fourth pad P4 via a probe, and the test apparatus T1 outputs a first start signal Ss1 for causing the first to sixteenth chips C1 to C16 to start a test. The data is output to the first chip C1 via Te4 and the fourth pad P4. When the test apparatus T1 causes the first to sixteenth chips C1 to C16 to start a test, the test apparatus T1 outputs the first start signal Ss1 of the H level (start mode), and conversely, the first to sixteenth chips C1 to C16 In order to enter the standby state, the first start signal Ss1 at the L level (standby mode) is output.
休止信号出力端子Te5は、プローブを介して第5パッドP5に接続され、試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16に試験を休止させるための第1休止信号Sh1を休止信号出力端子Te5及び第5パッドP5を介して第1チップC1に出力する。試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16に試験を休止させない場合、Hレベル(非休止モード)の第1休止信号Sh1を出力し、反対に、第1〜第16チップC1〜C16に試験を休止させる場合、Lレベル(休止モード)の第1休止信号Sh1を出力する。 The pause signal output terminal Te5 is connected to the fifth pad P5 via a probe, and the test apparatus T1 outputs the first pause signal Sh1 for causing the first to sixteenth chips C1 to C16 to pause the test. The data is output to the first chip C1 via Te5 and the fifth pad P5. When the test apparatus T1 does not cause the first to sixteenth chips C1 to C16 to suspend the test, the test apparatus T1 outputs the first pause signal Sh1 of H level (non-pause mode), and conversely, the first to sixteenth chips C1 to C16. When the test is paused, an L level (pause mode) first pause signal Sh1 is output.
読み出し信号出力端子Te6は、プローブを介して第6パッドP6に接続され、試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16の試験結果を読み出すための読み出し信号Seを読み出し信号出力端子Te6及び第6パッドP6を介して第1チップC1に出力する。試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16の試験結果を読み出す場合、Hレベル(読み出しモード)の読み出し信号Seを出力し、反対に、第1〜第16チップC1〜C16の試験結果を読み出さない場合、Lレベル(非読み出しモード)の読み出し信号Seを出力する。 The read signal output terminal Te6 is connected to the sixth pad P6 via the probe, and the test apparatus T1 reads the read signal Se for reading the test results of the first to sixteenth chips C1 to C16, and the read signal output terminal Te6. The data is output to the first chip C1 through the sixth pad P6. When the test apparatus T1 reads the test results of the first to sixteenth chips C1 to C16, the test apparatus T1 outputs a read signal Se of H level (read mode), and conversely, the test results of the first to sixteenth chips C1 to C16. When the signal is not read, a read signal Se of L level (non-read mode) is output.
試験結果信号入力端子Te7は、プローブを介して第7パッドP7に接続され、試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16の試験結果である試験結果信号Srを第7パッドP7及び試験結果信号入力端子Te7を介して第16チップC16から入力する。 The test result signal input terminal Te7 is connected to the seventh pad P7 via a probe, and the test apparatus T1 sends the test result signal Sr, which is the test result of the first to sixteenth chips C1 to C16, to the seventh pad P7 and the test. The result is input from the 16th chip C16 via the result signal input terminal Te7.
そして、第1〜第16チップC1〜C16の試験において、まず、試験装置T1は、第1チップC1の試験の待機状態において、Lレベル(待機モード)の第1開始信号Ss1、Hレベル(非休止モード)の第1休止信号Sh1、Lレベル(非読み出しモード)の読み出し信号Seを第1チップC1にそれぞれ出力する。この状態から、試験装置T1は、第1チップC1に試験を開始させるため、Hレベル(開始モード)の第1開始信号Ss1を第1チップC1に出力する。以後、試験装置T1は、Hレベルの第1開始信号Ss1の出力を維持する。 In the test of the first to sixteenth chips C1 to C16, first, the test apparatus T1 in the standby state of the test of the first chip C1, the first start signal Ss1 of the L level (standby mode), the H level (non-level). The first pause signal Sh1 in the pause mode) and the read signal Se in the L level (non-read mode) are output to the first chip C1. From this state, the test apparatus T1 outputs a first start signal Ss1 of H level (start mode) to the first chip C1 in order to cause the first chip C1 to start a test. Thereafter, the test apparatus T1 maintains the output of the first start signal Ss1 at the H level.
これにより、第1〜第16チップC1〜C16は、第1チップC1、第2チップC2、・・・・・・、第16チップC16の順で試験が行われるようになっている。
次に、第1〜第16チップC1〜C16の試験が終了すると、試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16の試験結果である試験結果信号Srを読み出すため、Hレベル(読み出しモード)の読み出し信号Seを第1チップC1に出力する。以後、試験装置T1は、Hレベル(読み出しモード)の読み出し信号Seの出力を維持する。
Thus, the first to sixteenth chips C1 to C16 are tested in the order of the first chip C1, the second chip C2,..., And the sixteenth chip C16.
Next, when the test of the first to sixteenth chips C1 to C16 is completed, the test apparatus T1 reads the test result signal Sr that is the test result of the first to sixteenth chips C1 to C16, so ) Is output to the first chip C1. Thereafter, the test apparatus T1 maintains the output of the read signal Se at the H level (read mode).
これによって、試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16の試験結果である試験結果信号Srを、第7パッドP7を介して第16チップC16から順番に入力するようになっている。 As a result, the test apparatus T1 sequentially inputs the test result signal Sr, which is the test result of the first to sixteenth chips C1 to C16, from the sixteenth chip C16 via the seventh pad P7.
図2に示すように、第1チップC1は、クロック信号制御回路11a、特定の機能を有する内部回路12a、内部回路12aの試験を行うBIST(built−in self−test)回路13a、後段(この場合、第2チップC2)の試験開始を遅延させる遅延制御回路14aを有している。
As shown in FIG. 2, the first chip C1 includes a clock
クロック信号制御回路11aは、アンド回路16a、クロックゲーティング回路(クロックゲーティングバッファセルともいう)17aを含んでいる。
アンド回路16aは、試験装置T1から第4及び第5パッドP4,P5を介して第1開始信号Ss1、第1休止信号Sh1が入力される。アンド回路16aは、第1開始信号Ss1と第1休止信号Sh1に基づいて、第1モード信号Sm1をクロックゲーティング回路17aに出力する。
The clock
The
すなわち、アンド回路16aは、第1開始信号Ss1及び第1休止信号Sh1が共にHレベル(開始及び非休止モード)のとき、Hレベル(試験実行モード)の第1モード信号Sm1をクロックゲーティング回路17aに出力する。
That is, the
アンド回路16aは、第1開始信号Ss1がLレベル(待機モード)のとき、又は、第1開始信号Ss1がHレベル(開始モード)であって第1休止信号Sh1がLレベル(休止モードという)のとき、Lレベル(試験停止モード)の第1モード信号Sm1をクロックゲーティング回路17aに出力する。
The AND
クロックゲーティング回路17aは、試験装置T1から第3パッドP3を介してクロック信号CKが入力される。クロックゲーティング回路17aは、第1モード信号Sm1に基づいて、クロック信号CKを第1内部クロック信号ICK1として、内部回路12a、BIST回路13a、遅延制御回路14aに出力する。
The
クロックゲーティング回路17aは、Hレベル(試験実行モード)の第1モード信号Sm1を入力すると、入力したクロック信号CKを第1内部クロック信号ICK1として出力する。反対に、クロックゲーティング回路17aは、Lレベル(待機又は試験停止モード)の第1モード信号Sm1を入力すると、なにも信号を出力しない、つまり、クロック信号CKを第1内部クロック信号ICK1として通過させない。
When the first mode signal Sm1 of H level (test execution mode) is input, the
内部回路12aは、クロックゲーティング回路17aからの第1内部クロック信号ICK1とBIST回路13aからのテストパターンDtが入力される。ここで、テストパターンDtとは、試験のための入力パターンデータをいう。本実施形態では、ウェハW1に形成される第1〜第16チップC1〜C16は、同じ回路構成になっている。このため、第1〜第16チップC1〜C16の内部回路12a〜12hは、同じテストパターンDtが入力される。内部回路12aは、入力された第1内部クロック信号ICK1に同期して、テストパターンDtを処理し、そのテストパターンDtを処理した第1処理データDd1をBIST回路13aに出力するようになっている。
The
また、内部回路12aは、複数の動作モードを備える場合がある。本実施形態では、内部回路12aは、通常動作モード及び低消費電力モードの2種類のモードを備えている。このため、テストパターンDtは、内部回路12aのこの2種類の動作モードを試験するためのテストデータを含んでいる。図3に示すように、内部回路12aは、通常モードを試験するためのテストデータを処理する第1テスト電流消費期間K1と、低消費電力モードを試験するためのテストデータを処理する第2テスト電流消費期間K2を有している。
The
詳しくは、このテストパターンDtにおいて、内部回路12aは、図3に示すように、2番目の第1内部クロック信号ICK1がレベルからHレベルに立ち上がると第1テスト電流消費期間K1が始まり、9番目の第1内部クロック信号ICK1がLレベルからHレベルに立ち上がると第1テスト電流消費期間K1が終了するようになっている。そして、内部回路12aは、16番目の第1内部クロック信号ICK1がLレベルからHレベルに立ち上がると第2テスト電流消費期間K2が始まり、18番目の第1内部クロック信号ICK1がLレベルからHレベルに立ち上がると第2テスト電流消費期間K2が終了するようになっている。
Specifically, in this test pattern Dt, as shown in FIG. 3, when the second first internal clock signal ICK1 rises from the level to the H level, the
以下、信号のLレベルからHレベルへの立ち上がりを、単に信号の立ち上がりという。また、信号のHレベルからLレベルへの立ち下がりを、単に信号の立ち下がりという。
なお、第2〜第16チップC2〜C16の内部回路12b〜12hにおいても、第1チップC1の内部回路12aと同じテストパターンDtが入力されるため、テストパターンDtが入力されると第1チップC1の内部回路12aと同じタイミングで回路動作する。
Hereinafter, the rise of the signal from the L level to the H level is simply referred to as the rise of the signal. Further, the fall of the signal from the H level to the L level is simply referred to as the fall of the signal.
In the internal circuits 12b to 12h of the second to sixteenth chips C2 to C16, the same test pattern Dt as that of the
BIST回路13aは、テスト回路21a、第1選択回路(セレクタ又はマルチプレクサともいう)22a、D−フリップフロップ(D−FF)回路23aを有している。
テスト回路21aは、クロックゲーティング回路17aからの第1内部クロック信号ICK1と内部回路12aからの第1処理データDd1が入力される。テスト回路21aは、第1内部クロック信号ICK1に同期して動作する。まず、テスト回路21aは、第1内部クロック信号ICK1に同期して内部回路12aにテストパターンDtを出力する。そして、テスト回路21aは、内部回路12aがテストパターンDtを処理したその第1処理データDd1を、内部回路12aから第1内部クロック信号ICK1に同期して入力する。次に、テスト回路21aは、内部回路12aから入力された第1処理データDd1と、内部回路12aに出力したテストパターンDtに対する期待値Dhとが等しいかどうか判定する。
The
The
つまり、テスト回路21aは、第1処理データDd1とテストパターンDtに対する期待値Dhとが等しい場合、内部回路12aがテストパターンDtを正常に処理したとして「良」の判定結果を示すHレベルの第1チップ判定データISr1を第1選択回路22aに出力する。反対に、テスト回路21aは、第1処理データDd1とテストパターンDtに対する期待値Dhとが等しくない場合、内部回路12aがテストパターンDtを正常に処理できなかったとして「不良」の判定結果を示すLレベルの第1チップ判定データISr1を第1選択回路22aに出力する。
That is, when the first processing data Dd1 and the expected value Dh with respect to the test pattern Dt are equal, the
第1選択回路22aは、テスト回路21aからHレベル又はLレベル(「良」又は「不良」)の第1チップ判定データISr1が入力される。そして、第1選択回路22aは、試験装置T1からの読み出し信号Seに基づいて、第1チップ判定データISr1を第1選択信号Sc1としてD−FF回路23aに出力するようになっている。
The
第1選択回路22aは、試験装置T1からのLレベル(非読み出しモード)の読み出し信号Seが出力されている時、第1チップ判定データISr1を第1選択信号Sc1としてD−FF回路23aに出力する。反対に、第1選択回路22aは、試験装置T1からのHレベル(読み出しモード)の読み出し信号Seが出力されている時、第1選択信号Sc1(第1チップ判定モードISr1)を出力させないようにしている。
The
D−FF回路23aは、そのデータ入力端子Dに第1選択回路22aから第1選択信号Sc1が入力され、そのクロック入力端子CKにクロックゲーティング回路17aから第1内部クロック信号ICK1が入力される。D−FF回路23aは、第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると、第1選択信号Sc1(第1チップ判定データISr1)を第1保持信号Sf1として保持するとともに出力端子Qから第2チップC2に出力する。
In the D-FF circuit 23a, the first selection signal Sc1 is input from the
遅延制御回路14aは、カウンタ回路25a、書き込み可能なROM又はRAM等で構成された第1及び第2記憶装置26a,27a、後段チップ(この場合、第2チップC2)の試験開始を制御する試験開始制御回路28a、後段チップ(この場合、第2チップC2)の試験休止を制御する試験休止制御回路29aを有している。
The
カウンタ回路25aは、クロックゲーティング回路17aから第1内部クロック信号ICK1が入力される。カウンタ回路25aは、第1内部クロック信号ICK1をカウントし、その第1カウント値Dc1をカウントアップしていく。カウンタ回路25aは、その第1カウント値Dc1を試験開始制御回路28a及び試験休止制御回路29aに出力する。
The
試験開始制御回路28aは、カウンタ回路25aからの第1カウント値Dc1と第1記憶装置26aからの試験開始値Dsを入力し、両値Dc1,Dsを比較し、その比較結果を第2開始信号Ss2として第2チップC2に出力する。そして、試験開始制御回路28aは、第1カウント値Dc1が試験開始値Dsより小さいとき、Lレベル(待機モード)の第2開始信号Ss2を出力し、反対に、第1カウント値Dc1が試験開始値Ds以上のとき、Hレベル(開始モード)の第2開始信号Ss2を出力する。
The test start
つまり、試験開始値Dsは、何番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がってから後段(この場合、第2チップC2)の試験を開始させるか示す値であって、本実施形態では、試験開始値Dsは「9」になっている。すなわち、試験開始値Dsは、図3に示すように、9番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がって第1テスト電流消費期間K1が終了した後に、第2チップC2の試験を開始させることを示している。つまり、試験開始制御回路28aは、試験時間の短縮を図るため、第1チップC1の第1テスト電流消費期間K1が終了後であって第2テスト電流消費期間K2が始まる前に第2チップC2の試験を開始させるためのHレベル(開始行モード)の第2開始信号Ss2を第2チップC2に出力するようになっている。
In other words, the test start value Ds is a value indicating what number the first internal clock signal ICK1 rises to start the test of the subsequent stage (in this case, the second chip C2). In this embodiment, the test start value Ds The value Ds is “9”. That is, as shown in FIG. 3, the test start value Ds indicates that the test of the second chip C2 is started after the ninth first internal clock signal ICK1 rises and the first test current consumption period K1 ends. Show. That is, in order to shorten the test time, the test
試験休止制御回路29aは、カウンタ回路25aから第1カウント値Dc1と、第2記憶装置27aから第1試験休止値Dh1及び第2試験休止値Dh2(>第1試験休止値Dh1)を入力する。試験休止制御回路29aは、第1カウント値Dc1を第1試験休止値Dh1及び第2試験休止値Dh2とそれぞれ比較する。そして、試験休止制御回路29aは、その比較結果を第2休止信号Sh2にして第2チップC2に出力する。
The test
詳述すると、試験休止制御回路29aは、第1カウント値Dc1が第1及び第2試験休止値Dh1,Dh2より小さいと、Hレベル(非休止モード)の第2休止信号Sh2を出力する。また、試験休止制御回路29aは、第1カウント値Dc1が第1試験休止値Dh1以上、且つ、第1カウント値Dc1が第2試験休止値Dh2より小さくなると、Lレベル(休止モード)の第2休止信号Sh2を出力する。さらに、試験休止制御回路29aは、第1カウント値Dc1が第1及び第2試験休止値Dh1,Dh2以上になると、試験休止制御回路29aは、Hレベル(非休止モード)の第2休止信号Sh2を出力するようになっている。
More specifically, when the first count value Dc1 is smaller than the first and second test pause values Dh1 and Dh2, the test
つまり、第1試験休止値Dh1は、何番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がってから後段チップ(この場合、第2チップC2)の試験を休止させるか示す値であって、本実施形態では、第1試験休止値Dh1は「16」になっている。すなわち、第1試験休止値Dh1は、図3に示すように、16番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がって第2テスト電流消費期間K2が開始するときに、第2チップC2の試験を休止させることを示している。 That is, the first test pause value Dh1 is a value indicating what number of the first internal clock signal ICK1 rises and the test of the subsequent chip (in this case, the second chip C2) is paused. The first test pause value Dh1 is “16”. That is, as shown in FIG. 3, the first test pause value Dh1 pauses the test of the second chip C2 when the 16th first internal clock signal ICK1 rises and the second test current consumption period K2 starts. Shows that
また、第2試験休止値Dh2は、何番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がってから後段チップ(この場合、第2チップC2)の試験を休止から再開させるか示す値であって、本実施形態では、第2試験休止値Dh2は「18」になっている。すなわち、第2試験休止値Dh2は、図3に示すように、18番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち下がって第2テスト電流消費期間K2が終了するときに、第2チップC2の試験を再開させることを示している。 The second test pause value Dh2 is a value indicating how many times the first internal clock signal ICK1 rises to restart the test of the subsequent chip (in this case, the second chip C2) from the pause. In the embodiment, the second test pause value Dh2 is “18”. That is, as shown in FIG. 3, the second test pause value Dh2 is used to test the second chip C2 when the 18th first internal clock signal ICK1 falls and the second test current consumption period K2 ends. Indicates to resume.
従って、遅延制御回路14aは、第1チップC1が行っている試験の第1テスト電流消費期間K1と第2テスト電流消費期間K2中においては、第2チップC2が試験を行わせないための信号を生成し出力する。
Accordingly, the
第2チップC2は、クロック信号制御回路11b、特定の機能を有する内部回路12b、内部回路12bの試験を行うBIST回路13b、後段チップ(この場合、第3チップC3)の試験開始を遅延させる遅延制御回路14bを有している。
The second chip C2 includes a clock signal control circuit 11b, an internal circuit 12b having a specific function, a
クロック信号制御回路11bは、アンド回路16b、クロックゲーティング回路17bを含んでいる。
アンド回路16bは、第1チップC1から第2開始信号Ss2、第2休止信号Sh2が入力される。アンド回路16bは、第2開始信号Ss2と第2休止信号Sh2に基づいて、第2モード信号Sm2をクロックゲーティング回路17bに出力する。
The clock signal control circuit 11b includes an AND
The AND
すなわち、アンド回路16bは、第2開始信号Ss2及び第2休止信号Sh2が共にHレベル(開始又は非休止モード)のとき、Hレベル(試験実行モード)の第2モード信号Sm2をクロックゲーティング回路17bに出力する。
In other words, the AND
クロックゲーティング回路17bは、第2開始信号Ss2がLレベル(待機モード)のとき、又は、入力した第2開始信号Ss2がHレベル(開始モード)であって第2休止信号Sh2がLレベル(休止モード)のとき、Lレベル(試験停止モード)の第2モード信号Sm2をクロックゲーティング回路17bに出力する。
When the second start signal Ss2 is at the L level (standby mode) or the input second start signal Ss2 is at the H level (start mode) and the second pause signal Sh2 is at the L level (
クロックゲーティング回路17bは、試験装置T1から第3パッドP3を介してクロック信号CKが入力される。クロックゲーティング回路17bは、第2モード信号Sm2に基づいて、クロック信号CKを第2内部クロック信号ICK2として内部回路12b、BIST回路13b、遅延制御回路14bに出力する。
The
クロックゲーティング回路17bは、Hレベル(試験実行モード)の第2モード信号Sm2を入力すると、クロック信号CKを第2内部クロック信号ICK2として出力する。反対に、クロックゲーティング回路17bは、Lレベル(試験停止モード)の第2モード信号Sm2を入力すると、なにも信号を出力しない、つまり、入力したクロック信号CKを第2内部クロック信号ICK2として通過させない。
When the second mode signal Sm2 of H level (test execution mode) is input, the
内部回路12bは、クロックゲーティング回路17bから第2内部クロック信号ICK2とBIST回路13bからのテストパターンDtが入力される。内部回路12bは、第2内部クロック信号ICK2に同期して、テストパターンDtを処理し、そのテストパターンDtを処理した第2処理データDd2をBIST回路13bに出力するようになっている。
The internal circuit 12b receives the second internal clock signal ICK2 from the
BIST回路13bは、テスト回路21b、第1選択回路22b、D−FF回路23bを有している。
テスト回路21bは、クロックゲーティング回路17bからの第2内部クロック信号ICK2と内部回路12bからの第2処理データDd2が入力される。テスト回路21bは、第2内部クロック信号ICK2に同期して動作する。まず、テスト回路21bは、第2内部クロック信号ICK2に同期して内部回路12bにテストパターンDtを出力する。そして、テスト回路21bは、内部回路12bがテストパターンDtを処理したその第2処理データDd2が、内部回路12bから第2内部クロック信号ICK2に同期して入力する。次に、テスト回路21bは、内部回路12bから入力された第2処理データDd2と、内部回路12bに出力したテストパターンDtに対する期待値Dhとが等しいかどうか判定する。
The
The
つまり、テスト回路21bは、第2処理データDd2と、テストパターンDtに対する期待値Dhとが等しい場合、内部回路12bがテストパターンDtを正常に処理したとして「良」の判定結果を示すHレベルの第2チップ判定データISr2を第1選択回路22bに出力する。反対に、テスト回路21bは、第2処理データDd2と、テストパターンDtに対する期待値Dhが等しくない場合、内部回路12bがテストパターンDtを正常に処理しなかったとして「不良」の試験結果を示すLレベルの第2チップ判定データISr2を第1選択回路22bに出力する。
That is, when the second processing data Dd2 is equal to the expected value Dh for the test pattern Dt, the
第1選択回路22bは、テスト回路21bからの第2チップ判定データISr2と第1チップC1のD−FF回路23aから第1保持信号Sf1(第1チップ判定データISr1)が入力される。そして、第1選択回路22bは、試験装置T1からのLレベル(非読み出しモード)の読み出し信号Seが出力されている時、第2チップ判定データISr2を第2選択信号Sc2としてD−FF回路23bに出力する。反対に、第1選択回路22bは、試験装置T1からのHレベル(読み出しモード)の読み出し信号Seが出力されている時、第1チップC1のD−FF回路23aからの第1保持信号Sf1(第1チップ判定データISr1)を第2選択信号Sc2として出力する。
The
D−FF回路23bは、そのデータ入力端子Dに第1選択回路22bから第2選択信号Sc2が入力され、そのクロック入力端子CKにクロックゲーティング回路17bから第2内部クロック信号ICK2が入力される。D−FF回路23bは、第2内部クロック信号ICK2が立ち上がると、第2選択信号Sc2を第2保持信号Sf2として保持するとともに出力端子Qから第3チップC3に出力する。
In the D-
すなわち、D−FF回路23bは、第1〜第16チップC1〜C16の試験において、第2チップ判定データISr2の第2選択信号Sc2を第2保持信号Sf2として保持するとともに第3チップC3に出力する。そして、D−FF回路23bは、第1〜第16チップC1〜C16の試験が終了してその試験結果を読み出すとき(読み出しモードのとき)、第1チップC1の第1保持信号Sf1(第1チップ判定データISr1)を第2保持信号Sf2として保持するとともに第3チップC3に出力する。
That is, in the test of the first to sixteenth chips C1 to C16, the D-
遅延制御回路14bは、カウンタ回路25b、書き込み可能なROM又はRAM等で構成された第1及び第2記憶装置26b,27b、後段チップ(この場合、第3チップC3)の試験開始を制御する試験開始制御回路28b、後段チップ(この場合、第3チップC3)の試験休止を制御する試験休止制御回路29bを有している。
The
カウンタ回路25bは、クロックゲーティング回路17bから第2内部クロック信号ICK2が入力される。カウンタ回路25bは、第2内部クロック信号ICK2をカウントし、その第2カウント値Dc2をカウントアップしていく。カウンタ回路25bは、その第2カウント値Dc2を試験開始制御回路28b及び試験休止制御回路29bに出力する。
The
試験開始制御回路28bは、カウンタ回路25bからの第2カウント値Dc2と第1記憶装置26bからの試験開始値Dsを入力し、両値Dc1,Dsを比較し、その比較結果を第3開始信号Ss3として第3チップC3に出力する。そして、試験開始制御回路28bは、第2カウント値Dc2が試験開始値Dsより小さいとき、Lレベル(待機モード)の第3開始信号Ss3を出力し、反対に、第2カウント値Dc2が試験開始値Ds以上のとき、Hレベル(開始モード)の第3開始信号Ss3を出力する。
The test start
試験休止制御回路29bは、カウンタ回路25bからの第2カウント値Dc2と、第2記憶装置27bからの第1試験休止値Dh1及び第2試験休止値Dh2(>第1試験休止値Dh1)を入力する。試験休止制御回路29bは、第2カウント値Dc2を第1試験休止値Dh1及び第2試験休止値Dh2とそれぞれ比較する。そして、試験休止制御回路29bは、その比較結果を第3休止信号Sh3にして第3チップC3に出力する。
The test
詳述すると、試験休止制御回路29bは、第2カウント値Dc2が第1及び第2試験休止値Dh1,Dh2より小さいと、Hレベル(非休止モード)の第3休止信号Sh3を出力する。また、試験休止制御回路29bは、第2カウント値Dc2が第1試験休止値Dh1以上、且つ、第2カウント値Dc2が第2試験休止値Dh2より小さくなると、Lレベル(休止モード)の第3休止信号Sh3を出力する。さらに、試験休止制御回路29bは、第2カウント値Dc2が第1及び第2試験休止値Dh1,Dh2以上になると、Hレベル(非休止モード)の第3休止信号Sh3を出力するようになっている。
More specifically, when the second count value Dc2 is smaller than the first and second test pause values Dh1 and Dh2, the test
従って、遅延制御回路14bは、第2チップC2が行っている試験の第1テスト電流消費期間K1と第2テスト電流消費期間K2中においては、第3チップC3が試験を行わせないための信号を生成し出力する。
Accordingly, the
次に、上記のように構成した第1及び第2チップC1,C2の動作を、図3に従って説明する。
さて、試験装置T1は、待機状態として、Lレベル(待機モード)の第1開始信号Ss1、Hレベル(非休止モード)の第1休止信号Sh1、クロック信号CKを第1チップC1に出力している。
Next, operations of the first and second chips C1 and C2 configured as described above will be described with reference to FIG.
Now, as a standby state, the test apparatus T1 outputs a first start signal Ss1 of L level (standby mode), a first pause signal Sh1 of H level (non-pause mode), and a clock signal CK to the first chip C1. Yes.
まず、時刻t1において、クロック信号CKが立ち上がると、試験装置T1は、Hレベル(開始モード)の第1開始信号Ss1を出力する。Hレベル(開始モード)の第1開始信号Ss1が出力されると、第1チップC1のクロックゲーティング回路17aがクロック信号CKを第1内部クロック信号ICK1として第1チップC1の内部回路12a、BIST回路13a、遅延制御回路14aに出力する。第1チップC1のBIST回路13aは、第1チップC1のクロックゲーティング回路17aからの第1内部クロック信号ICK1に同期して第1チップC1の内部回路12aの試験を開始する。
First, when the clock signal CK rises at time t1, the test apparatus T1 outputs a first start signal Ss1 of H level (start mode). When the H level (start mode) first start signal Ss1 is output, the
そして、時刻t2において、すなわち、時刻t1から数えて2番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると、第1チップC1の消費電流Iaが増加し、第1テスト電流消費期間K1に入る。 At time t2, that is, when the second first internal clock signal ICK1 rising from time t1 rises, the current consumption Ia of the first chip C1 increases and the first test current consumption period K1 is entered.
すなわち、内部回路12aは、BIST回路13aからのテストパターンDt、及び、クロックゲーティング回路17aからの第1内部クロック信号ICK1が入力される。そして、内部回路12aは、第1内部クロック信号ICK1に同期して、テストパターンDtの処理を開始し、その消費電流Iaを増加させていく。
That is, the
そして、時刻t3において、すなわち、時刻t1から数えて9番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると、第1チップC1の消費電流Iaが減少し、第1テスト電流消費期間K1が終了する。すなわち、時刻t3において、第1チップC1の内部回路12aは、テストパターンDtの処理が完了したため、その消費電流Iaが減少する。
At time t3, that is, when the ninth first internal clock signal ICK1 rises from time t1, the current consumption Ia of the first chip C1 decreases and the first test current consumption period K1 ends. That is, at time t3, the
また、時刻t3において、すなわち、時刻t1から数えて9番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると、第1チップC1のカウンタ回路25aが第1内部クロック信号ICK1をカウントし、第1カウント値Dc1が「9」となる。これにより、第1カウント値Dc1と試験開始値Dsが等しくなり、第1チップC1の試験開始制御回路28aは、次の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると(時刻t4)、Hレベル(開始モード)の第2開始信号Ss2を第2チップC2に出力する。
At the time t3, that is, when the ninth first internal clock signal ICK1 rises from the time t1, the
Hレベルの第2開始信号Ss2を入力すると、第2チップC2のクロックゲーティング回路17bは、クロック信号CKを第2内部クロック信号ICK2として第2チップC2の内部回路12b、BIST回路13b、遅延制御回路14bに出力する。第2チップC2のBIST回路13bは、第2チップC2のクロックゲーティング回路17bからの第2内部クロック信号ICK2に同期して、第2チップC2の内部回路12bの試験を開始する。
When the second start signal Ss2 of H level is input, the
そして、時刻t5において、すなわち、時刻t1から数えて11番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると、第2チップC2の消費電流Ibが増加し、第2チップC2は第1テスト電流消費期間K1に入る。すなわち、第2チップC2の内部回路12bは、第2チップC2のBIST回路13bからのテストパターンDt、及び、第2チップC2のクロックゲーティング回路17bからの第2内部クロック信号ICK2が入力される。第2チップC2の内部回路12bは、第2内部クロック信号ICK2に同期して、テストパターンDtの処理を開始し、その消費電流Ibを増加させていく。
At time t5, that is, when the eleventh first internal clock signal ICK1 rises from time t1, the current consumption Ib of the second chip C2 increases, and the second chip C2 has a first test current consumption period K1. to go into. That is, the internal circuit 12b of the second chip C2 receives the test pattern Dt from the
そして、時刻t6において、すなわち、時刻t1から数えて15番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると、第1チップC1のカウンタ回路25aは、その第1内部クロック信号ICK1の立ち上がりをカウントし、第1カウント値Dc1が「15」になる。
At time t6, that is, when the fifteenth first internal clock signal ICK1 rises from time t1, the
これにより、第1カウント値Dc1と第1試験休止値Dh1が等しくなり、次に第1内部クロック信号ICK1が立ち下がると(時刻t7)、第1チップC1の試験休止制御回路29aは、Lレベル(休止モード)の第2休止信号Sh2を第2チップC2に出力する。
As a result, when the first count value Dc1 and the first test pause value Dh1 become equal and then the first internal clock signal ICK1 falls (time t7), the test
Lレベルの第2休止信号Sh2を入力すると、第2チップC2のクロックゲーティング回路17bは、なにも出力しない、つまり、クロック信号CKを第2内部クロック信号ICK2として出力しなくなる。第2チップC2のBIST回路13bは、第2内部クロック信号ICK2が入力されないため、第2チップC2の内部回路12bの試験を一時休止して第2チップC2の消費電流Ibが減少する。
When the L-level second pause signal Sh2 is input, the
そして、時刻t8において、すなわち、時刻t1から数えて18番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると、第1チップC1のカウンタ回路25aは、その第1内部クロック信号ICK1の立ち上がりをカウントし、第1カウント値Dc1が「18」となる。
At time t8, that is, when the 18th first internal clock signal ICK1 rises from time t1, the
これにより、第1カウント値Dc1と第2試験休止値Dh2が等しくなり、次に第1内部クロック信号ICK1が立ち下がると(時刻t9)、第1チップC1の試験休止制御回路29aは、第1チップC1の内部回路12aがテストパターンDtの処理を終了したとして、Hレベル(非休止モード)の第2休止信号Sh2を第2チップC2に出力する。
As a result, when the first count value Dc1 and the second test pause value Dh2 become equal and then the first internal clock signal ICK1 falls (time t9), the test
第1チップC1の内部回路12aがテストパターンDtの処理を終了すると、テスト回路21aは、その第1処理データDd1及び期待値Dhに基づいて、第1チップC1の試験の良否を判定し、その判定結果である第1チップ判定データISr1を第1選択回路22aに出力する。
When the
一方、第2チップC2がHレベル(非休止モード)の第2休止信号Sh2が入力すると、第2チップC2のクロックゲーティング回路17bがクロック信号CKを第2内部クロック信号ICK2として、再び第2チップC2の内部回路12b、BIST回路13b、遅延制御回路14bに出力する。第2チップC2のBIST回路13bは、第2チップC2のクロックゲーティング回路17bからの第2内部クロック信号ICK2に同期して第2チップC2の内部回路12bの試験を再開する。
On the other hand, when the second chip C2 receives the second pause signal Sh2 at the H level (non-pause mode), the
そして、時刻t10において、すなわち、時刻t1から数えて19番目の第1内部クロック信号ICK1が立ち上がると、第2チップC2は、第1テスト電流消費期間K1に復帰してその消費電流Ibを増加させる。 At time t10, that is, when the 19th first internal clock signal ICK1 rises from time t1, the second chip C2 returns to the first test current consumption period K1 and increases its consumption current Ib. .
そして、時刻t11において、すなわち、時刻t4から数えて9番目の第2内部クロック信号ICK2が立ち上がると、第2チップC2の第1テスト消費期間が減少し、第2チップC2の第1テスト電流消費期間K1が終了する。 At time t11, that is, when the ninth second internal clock signal ICK2 rises from time t4, the first test consumption period of the second chip C2 decreases, and the first test current consumption of the second chip C2 decreases. Period K1 ends.
また、時刻t11において、第2チップC2のカウンタ回路25bは、第2内部クロック信号ICK2をカウントし、第2カウント値Dc2が「9」になる。これにより、第2カウント値Dc2と試験開始値Dsが等しくなり、第2チップC2の試験開始制御回路28bは、次に第2内部クロック信号ICK2が立ち上がると(時刻t12)、Hレベル(開始モード)の第3開始信号Ss3を第3チップC3に出力する。
At time t11, the
第3〜第16チップC3〜C16は、上記の第1及び第2チップC1,C2と同じ構成になっている。これにより、第1〜第16チップC1〜C16は、第1チップC1が試験装置T1からHレベルの第1開始信号Ss1を入力すると、第1チップC1、第2チップC2、第3チップC3、・・・・・・、第16チップC16の順で試験を行う。以下、上記の第1及び第2チップC1,C2を構成する各部材と同一の第3〜第16チップC3〜C16の部材には図示はしないがそれぞれ同一の符号とサフィックスc〜hを付して説明する。 The third to sixteenth chips C3 to C16 have the same configuration as the first and second chips C1 and C2. As a result, when the first chip C1 receives the first start signal Ss1 at the H level from the test apparatus T1, the first to sixteenth chips C1 to C16 receive the first chip C1, the second chip C2, the third chip C3, ··········· Test in order of 16th chip C16. Hereinafter, the members of the third to sixteenth chips C3 to C16, which are the same as the members constituting the first and second chips C1 and C2, are not shown, but are given the same reference numerals and suffixes c to h, respectively. I will explain.
すなわち、第1〜第16チップC1〜C16は、備える各カウント値が試験開始値Dsと等しくなる毎に、図1に示す第1〜第16開始信号Ss1〜Ss16を順番に立ち上げていく。従って、第1〜第16チップC1〜C16は、第1テスト電流消費期間K1の開始をずらすことができる。 That is, the first to sixteenth chips C1 to C16 sequentially start up the first to sixteenth start signals Ss1 to Ss16 shown in FIG. 1 each time each count value is equal to the test start value Ds. Therefore, the first to sixteenth chips C1 to C16 can shift the start of the first test current consumption period K1.
また、第1〜第16チップC1〜C16では、第1〜第16休止信号Sh1〜Sh16に基づいて、前段チップの第2テスト電流消費期間K2と後段チップの第1テスト電流消費期間K1が重ならないようにしている。 In the first to sixteenth chips C1 to C16, based on the first to sixteenth pause signals Sh1 to Sh16, the second test current consumption period K2 of the former stage chip and the first test current consumption period K1 of the latter stage chip overlap. I try not to be.
つまり、第1〜第16チップC1〜C16では、前段チップの第2テスト電流消費期間K2が始まり、各カウント値が第1試験休止値Dh1と等しくなると、後段チップの第1テスト電流消費期間K1の試験を休止する。そして、第1〜第16チップC1〜C16は、前段チップの第2テスト電流消費期間K2が終了し、備える各カウント値が第2試験休止値Dh2と等しくなると、後段チップの第1テスト電流消費期間K1の試験を再開する。 In other words, in the first to sixteenth chips C1 to C16, the second test current consumption period K2 of the preceding chip starts, and when each count value becomes equal to the first test pause value Dh1, the first test current consumption period K1 of the subsequent chip. Pause the test. The first to sixteenth chips C1 to C16 end the first test current consumption of the subsequent chip when the second test current consumption period K2 of the previous chip ends and each count value provided becomes equal to the second test pause value Dh2. The test for period K1 is resumed.
そして、最後に第16チップC16の試験が終了すると、第1〜第16チップC1〜C16のD−FF回路23a〜23hには、自身の内部回路12a〜12hの試験結果の第1〜第16チップ判定データISr1〜ISr16が保持される。
Finally, when the test of the sixteenth chip C16 is completed, the D-FF circuits 23a to 23h of the first to sixteenth chips C1 to C16 have the first to sixteenth test results of their own
次に、第1〜第16チップC1〜C16の試験が全て終了した後について説明する。
試験装置T1は、第1〜第16チップC1〜C16の試験が全て終了すると、Hレベル(読み出しモード)の読み出し信号Seを第1〜第16チップC1〜C16の第1選択回路22aに出力する。
Next, a description will be given of after the first to sixteenth chips C1 to C16 have all been tested.
When all the tests of the first to sixteenth chips C1 to C16 are completed, the test apparatus T1 outputs the H level (read mode) read signal Se to the
第1チップC1の第1選択回路22aは、Hレベルの読み出し信号Seを入力すると、第1チップC1は前段チップがないため、なにも選択しない。
第2チップC2の第1選択回路22bは、Hレベルの読み出し信号Seを入力すると、第1チップC1からの第1保持信号Sf1を第2選択信号Sc2として選択しD−FF回路23bに出力する。
When the
When the
第3チップC3の第1選択回路22cは、Hレベルの読み出し信号Seを入力すると、第2チップC2からの第2保持信号Sf2を第3選択信号Sc3として選択しD−FF回路23cに出力する。 When the first selection circuit 22c of the third chip C3 receives the H level read signal Se, the first selection signal Sc3 from the second chip C2 is selected as the third selection signal Sc3 and is output to the D-FF circuit 23c. .
第4〜第16チップC4〜C16の第1選択回路22d〜22hでは、上記と同様に、Hレベル(読み出しモード)の読み出し信号Seに基づいて、第1選択回路22d〜22hは、前段チップの第3〜第15保持信号Sf3〜15を選択し、第4〜第16選択信号Sc4〜Sc16としてD−FF回路23d〜23hに出力する。 Similarly to the above, in the first selection circuits 22d to 22h of the fourth to sixteenth chips C4 to C16, the first selection circuits 22d to 22h are based on the read signal Se of the H level (read mode). The third to fifteenth holding signals Sf3 to 15 are selected and output to the D-FF circuits 23d to 23h as the fourth to sixteenth selection signals Sc4 to Sc16.
すなわち、試験装置T1からHレベル(読み出しモード)の読み出し信号Seが出力されると、第1〜第16チップC1〜C16のD−FF回路23a〜23hはシフトレジスタの構成になる。そして、クロック信号CKが入力される毎に各D−FF回路で前段チップがそれぞれ保持している第1〜第16保持信号Sf1〜Sf16(第1〜第16チップ判定データISr1〜ISr16)は、第16保持信号Sf16、第15保持信号Sf15、第14保持信号Sf14、・・・・・・、第1保持信号Sf1の順で第16チップC16から試験結果信号Srとして第7パッドP7を介して試験装置T1に出力される。 That is, when the H level (read mode) read signal Se is output from the test apparatus T1, the D-FF circuits 23a to 23h of the first to sixteenth chips C1 to C16 have a shift register configuration. Each time the clock signal CK is input, the first to sixteenth holding signals Sf1 to Sf16 (first to sixteenth chip determination data ISr1 to ISr16) held by the preceding chip in each D-FF circuit are as follows. The sixteenth holding signal Sf16, the fifteenth holding signal Sf15, the fourteenth holding signal Sf14,..., The first holding signal Sf1 in this order from the sixteenth chip C16 as the test result signal Sr via the seventh pad P7. It is output to the test apparatus T1.
以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)クロック信号制御回路11aは、第1開始信号Ss1及び第1休止信号Sh1に基づいて、試験装置T1からのクロック信号CKを第1内部クロック信号ICK1として内部回路12a、BIST回路13a、遅延制御回路14aに出力する。BIST回路13aは、第1内部クロック信号ICK1に同期して内部回路12aの試験を開始する。遅延制御回路14aのカウンタ回路25aは、第1内部クロック信号ICK1の立ち上がりをカウントして、その第1カウント値Dc1をカウントアップしていく。そして、遅延制御回路14aの試験開始制御回路28aは、第1カウント値Dc1と試験開始値Dsとが等しくなると、Hレベルの第2開始信号Ss2を第2チップC2に出力するようにした。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) Based on the first start signal Ss1 and the first pause signal Sh1, the clock
従って、第1〜第16チップC1〜C16では、試験開始値Dsに基づいて、前段チップの第1テスト電流消費期間K1が終了後、後段チップの試験を開始することができる。この結果、プロセス工程の素子ばらつきが大きくなった場合や、試験プログラムの変更を行う場合、試験開始値Dsを変更するだけで回路変更をせずに、前段チップに対する後段チップの遅延量を調整することができる。 Therefore, in the first to sixteenth chips C1 to C16, the test of the subsequent chip can be started after the first test current consumption period K1 of the previous chip ends based on the test start value Ds. As a result, when the element variation in the process step becomes large or when the test program is changed, the delay amount of the subsequent chip with respect to the previous chip is adjusted without changing the circuit only by changing the test start value Ds. be able to.
(2)さらに、遅延制御回路14aの試験休止制御回路29aは、第1カウント値Dc1と第1試験休止値Dh1とが等しくなると、Lレベルの第2休止信号Sh2を第2チップC2に出力して第2チップC2の試験を休止させる。そして、遅延制御回路14aの試験休止制御回路29aは、第1カウント値Dc1と第2試験休止値Dh2とが等しくなると、Hレベルの第2休止信号Sh2を第2チップC2に出力して試験を再開させるようにした。
(2) Further, when the first count value Dc1 and the first test pause value Dh1 are equal, the test
従って、第1〜第16チップC1〜C16では、前段チップの第2テスト電流消費期間K2の試験において、後段チップの第1テスト電流消費期間K1の試験を休止することができる。この結果、第1〜第16チップC1〜C16の総消費電流を試験装置T1の許容電流以下に保ちつつ、試験装置T1は、前段チップの試験終了前に後段チップの試験を開始することができ、試験時間を短縮することができる。
(第2実施形態)
第1実施形態では、第1〜第16チップC1〜C16の試験を1つずつ行っていた。第2実施形態では、第1〜第16チップC1〜C16の試験を複数同時に行うことができるようになっている。以下、第1〜第16チップC1〜C16の試験を2つずつ行う場合について図4及び図5に従って、第1実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図1及び図2に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素については説明の便宜上その説明を省略する。
Therefore, in the first to sixteenth chips C1 to C16, the test of the first test current consumption period K1 of the subsequent stage chip can be suspended in the test of the second test current consumption period K2 of the previous stage chip. As a result, while maintaining the total current consumption of the first to sixteenth chips C1 to C16 below the allowable current of the test apparatus T1, the test apparatus T1 can start the test of the subsequent chip before the end of the test of the previous chip. Test time can be shortened.
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the first to sixteenth chips C1 to C16 are tested one by one. In the second embodiment, a plurality of tests of the first to sixteenth chips C1 to C16 can be performed simultaneously. Hereinafter, a case where two tests of the first to sixteenth chips C1 to C16 are performed will be described according to FIGS. 4 and 5 with a focus on differences from the first embodiment. The same members as those shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description of these elements is omitted for convenience of description.
図4に示すように、第1〜第16チップC1〜C16の試験を2つずつ同時に行うため、各チップC1〜C16は、第2及び第3選択回路32,33及び第3記憶装置34をそれぞれ備えている。第1〜第16チップC1〜C16の第3記憶装置34には、各チップC1〜C16に対応した第1〜第16選択制御値Da1〜Da16が記憶されている。
As shown in FIG. 4, in order to perform two tests on the first to sixteenth chips C1 to C16 simultaneously, each of the chips C1 to C16 includes the second and
各チップC1〜C16の第2選択回路32は、前段チップからの第1〜第16開始信号Ss1〜Ss16及び自身が生成した第1〜第16開始信号Ss1〜Ss16を第1〜第16選択制御値Da1〜Da16に応じてどちらか1つを通過させる。第2選択回路32は、「0」の第1〜第16選択制御値Da1〜Da16を入力すると、前段チップからの第1〜第16開始信号Ss1〜Ss16を通過させる。反対に、第2選択回路32は、「1」の第1〜第16選択制御値Da1〜Da16を入力すると、自身が生成した第1〜第16開始信号Ss1〜Ss16を通過させる。
The
第3選択回路33は、前段チップからの第1〜第16休止信号Sh1〜Sh16及び自身が生成した第1〜第16休止信号Sh1〜Sh16を第1〜第16選択制御値Da1〜Da16に応じてどちらか1つを通過させる。第3選択回路33は、「0」の第1〜第16選択制御値Da1〜Da16を入力すると、前段チップからの第1〜第16休止信号Sh1〜Sh16を通過させる。反対に、第3選択回路33は、「1」の第1〜第16選択制御値Da1〜Da16を入力すると、自身が生成した第1〜第16休止信号Sh1〜Sh16を通過させる。
The
第1及び第2チップC1,C2は、試験装置T1からの第1開始信号Ss1及び第1休止信号Sh1に基づいて同時に試験を行う。このため、第1チップC1の第2及び第3選択回路32,33は、試験装置T1からの第1開始信号Ss1及び第1休止信号Sh1を通過させ、自身が生成した第2開始信号Ss2及び第2休止信号Sh2を通過させないようにしている。従って、第1チップC1の第3記憶装置34に「0」の第1選択制御値Da1が記憶されている。
The first and second chips C1 and C2 perform a test simultaneously based on the first start signal Ss1 and the first pause signal Sh1 from the test apparatus T1. For this reason, the second and
第3及び第4チップC3,C4は、第2チップC2からの第3開始信号Ss3及び第3休止信号Sh3に基づいて同時に試験を行う。このため、第2チップC2の第2及び第3選択回路32,33は、自身が生成した第3開始信号Ss3及び第3休止信号Sh3を通過させ、第1チップC1からの第2開始信号Ss2及び第2休止信号Sh2を通過させないようにしている。従って、第2チップC2の第3記憶装置34には「1」の第2選択制御値Da2が記憶されている。
The third and fourth chips C3 and C4 simultaneously test based on the third start signal Ss3 and the third pause signal Sh3 from the second chip C2. Therefore, the second and
第3チップC3の第2及び第3選択回路32,33は、第2チップC2からの第3開始信号Ss3及び第3休止信号Sh3を通過させ、自身が生成した第4開始信号Ss4及び第4休止信号Sh4を通過させないようにしている。従って、第3チップC3の第3記憶装置34には「0」の第3選択制御値Da3が記憶されている。
The second and
第5〜第16チップC5〜C16は、上記と同様に、第5及び第6チップC5,C6が第4チップC4からの第5開始信号Ss5及び第5休止信号Sh5に基づいて、第7及び第8チップC7,C8が第6チップC6からの第7開始信号Ss7及び第7休止信号Sh7に基づいて、第9及び第10チップC9,C10が第8チップC8からの第9開始信号Ss9及び第9休止信号Sh9に基づいて、第11及び第12チップC11,C12が第10チップC10からの第11開始信号Ss11及び第11休止信号Sh11に基づいて、第13及び第14チップC13,C14が第12チップC12からの第13開始信号Ss13及び第13休止信号Sh13に基づいて、第15及び第16チップC15,C16が第14チップC14からの第15開始信号Ss15及び第15休止信号Sh15に基づいて試験をそれぞれ行う。 Similarly to the above, the fifth to sixteenth chips C5 to C16 have the fifth and sixth chips C5 and C6 based on the fifth start signal Ss5 and the fifth pause signal Sh5 from the fourth chip C4. Based on the seventh start signal Ss7 and the seventh pause signal Sh7 from the sixth chip C6, the ninth and tenth chips C9, C10 receive the ninth start signal Ss9 from the eighth chip C8 and the eighth chip C7, C8. Based on the ninth pause signal Sh9, the eleventh and twelfth chips C11, C12 are based on the eleventh start signal Ss11 and the eleventh pause signal Sh11 from the tenth chip C10, and the thirteenth and fourteenth chips C13, C14 are Based on the thirteenth start signal Ss13 and the thirteenth pause signal Sh13 from the twelfth chip C12, the fifteenth and sixteenth chips C15 and C16 receive the thirteenth from the fourteenth chip C14. For 5 start signal Ss15 and tested according to the 15 rest signal Sh15 respectively.
従って、第4〜第16チップC4〜C16の第4〜第16遅延制御値Da4〜Da16は、図5の表60に示すようになっている。
具体的には、第4チップC4の第4選択制御値Da4が「1」、第5チップC5の第5選択制御値Da5が「0」、第6チップC6の第6選択制御値Da6が「1」、・・・・・・、第15チップC15の第15選択制御値Da15が「0」、第16チップC16の第16選択制御値Da16が「1」になっている。
Accordingly, the fourth to sixteenth delay control values Da4 to Da16 of the fourth to sixteenth chips C4 to C16 are as shown in Table 60 of FIG.
Specifically, the fourth selection control value Da4 of the fourth chip C4 is “1”, the fifth selection control value Da5 of the fifth chip C5 is “0”, and the sixth selection control value Da6 of the sixth chip C6 is “ 1 ”,..., The fifteenth selection control value Da15 of the fifteenth chip C15 is“ 0 ”, and the sixteenth selection control value Da16 of the sixteenth chip C16 is“ 1 ”.
以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)第1〜第16チップC1〜C16の第2選択回路32は、第1〜第16選択制御値Da1〜Da16に基づいて、自身の第2〜第16開始信号Ss2〜Ss16又は前段からの第1〜第15開始信号Ss1〜Ss15のいずれか1つを通過させるようにした。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) Based on the first to sixteenth selection control values Da1 to Da16, the
また、第1〜第16チップC1〜C16の第3選択回路33は、第1〜第16選択制御値Da1〜Da16に基づいて、自身の第2〜第16休止信号Sh2〜Sh16又は前段からの第1〜第15休止信号Sh1〜Sh15のいずれか1つを通過させるようにした。
Further, the
従って、第1〜第16チップC1〜C16の試験において、2つのチップを同時に試験することができるため、試験時間を短縮することができる。
尚、上記実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
Therefore, since the two chips can be tested simultaneously in the test of the first to sixteenth chips C1 to C16, the test time can be shortened.
In addition, you may implement the said embodiment in the following aspects.
・本実施形態において、試験において2つの第1及び第2テスト電流消費期間K1,K2を有する第1〜第16チップC1〜C16について具体化したが、3つ以上のテスト電流消費期間を有する第1〜第16チップC1〜C16について具体化してもよい。 In the present embodiment, the first to sixteenth chips C1 to C16 having two first and second test current consumption periods K1 and K2 in the test are embodied. However, the first to sixteenth test current consumption periods have three or more test current consumption periods. The first to sixteenth chips C1 to C16 may be embodied.
この変更に伴い、第1〜第16チップC1〜C16の遅延制御回路14a〜14pは、テスト電流消費期間の数の試験休止回路と、テスト電流消費期間毎の第1及び第2試験休止値Dh1,Dh2が記憶されている記憶装置が設けられる。そして、前段チップは、自身のテスト電流消費期間毎に後段チップの試験を休止させる必要がある。
Along with this change, the
従って、試験において3つ以上のテスト電流消費期間を有する第1〜第16チップC1〜C16でも本実施形態と同様な効果を得ることができる。
・本実施形態において、ウェハW1は第1〜第16チップC1〜C16を有していた。これに限らず、ウェハW1が有するチップ数は特に制限されない。
Therefore, the same effects as in the present embodiment can be obtained even in the first to sixteenth chips C1 to C16 having three or more test current consumption periods in the test.
In the present embodiment, the wafer W1 has the first to sixteenth chips C1 to C16. However, the number of chips included in the wafer W1 is not particularly limited.
・第2実施形態において、第1〜第16チップC1〜C16の試験において、2つのチップを同時に試験していたが、これに限らず、3つ以上のチップを同時に試験してもよい。 In the second embodiment, two chips are tested simultaneously in the tests of the first to sixteenth chips C1 to C16. However, the present invention is not limited to this, and three or more chips may be tested simultaneously.
例えば、第1〜第16チップC1〜C16の試験において、4つのチップを同時に試験する場合、第1〜第4チップC1〜C4が試験装置T1から第1開始信号Ss1及び第1休止信号Sh1に基づいて、第5〜第8チップC5〜C8が第4チップC4からの第5開始信号Ss5及び第5休止信号Sh5に基づいて、第9〜第12チップC9〜C12が第8チップC8からの第9開始信号Ss9及び第9休止信号Sh9に基づいて、第13〜第16チップC13〜C16が第12チップC12からの第13開始信号Ss13及び第13休止信号Sh13に基づいて試験をそれぞれ行うようになる。 For example, in the test of the first to sixteenth chips C1 to C16, when four chips are tested simultaneously, the first to fourth chips C1 to C4 are changed from the test apparatus T1 to the first start signal Ss1 and the first pause signal Sh1. The fifth to eighth chips C5 to C8 are based on the fifth start signal Ss5 and the fifth pause signal Sh5 from the fourth chip C4, and the ninth to twelfth chips C9 to C12 are based on the eighth chip C8. Based on the ninth start signal Ss9 and the ninth pause signal Sh9, the thirteenth to sixteenth chips C13 to C16 perform tests based on the thirteenth start signal Ss13 and the thirteenth pause signal Sh13 from the twelfth chip C12, respectively. become.
従って、第1〜第16チップC1〜C16の試験において、3つ以上のチップを同時に試験する場合、2つのチップを同時に試験するより試験時間を短縮することができる。 Therefore, in the test of the first to sixteenth chips C1 to C16, when three or more chips are tested at the same time, the test time can be shortened compared to testing two chips simultaneously.
11a〜11p クロック信号制御回路
12a〜12p 内部回路
13a〜13p BIST回路
14a〜14p 遅延制御回路
26a〜26p、27a〜27p 記憶装置(第1及び第2記憶装置)
32 第1遅延選択回路(第2選択回路)
33 第2遅延選択回路(第3選択回路)
C1〜C16 半導体装置(チップ)
CK クロック信号
Dc1〜Dc16 カウント値(第1〜第16カウント値)
ICK1〜ICK16 第1及び第2内部クロック信号(第1〜第16内部クロック信号)
Sh1〜Sh16 第1及び第2休止信号(第1〜第16休止信号)
Ss1〜Ss16 第1及び第2開始信号(第1〜第16開始信号)
T1 試験装置
W1 半導体装置基板
11a to 11p Clock
32 First delay selection circuit (second selection circuit)
33 Second delay selection circuit (third selection circuit)
C1-C16 semiconductor device (chip)
CK clock signal Dc1 to Dc16 count value (first to sixteenth count value)
ICK1 to ICK16 first and second internal clock signals (first to sixteenth internal clock signals)
Sh1 to Sh16 first and second pause signals (first to sixteenth pause signals)
Ss1 to Ss16 first and second start signals (first to sixteenth start signals)
T1 test equipment W1 semiconductor device substrate
Claims (5)
前段の前記試験装置又は前記半導体装置からの第1開始信号に基づいて、クロック信号を第1内部クロック信号として内部回路に供給するクロック信号制御回路と、
前記第1内部クロック信号をカウントするカウンタ回路を有し、前記カウンタ回路が前記第1内部クロック信号をカウントしたカウント値に基づいて、前記クロック信号を後段の前記半導体装置の内部回路に第2内部クロック信号として供給させるための第2開始信号を後段の前記半導体装置に遅延させて出力する遅延制御回路とを有し、
前記クロック信号制御回路は、
前段の前記試験装置又は前記半導体装置からの第1開始信号及び第1休止信号に基づいて、前記クロック信号を前記第1内部クロック信号として前記内部回路に供給し、
前記遅延制御回路は、
前記カウンタ回路の前記カウント値に基づいて、自身の回路動作時に後段の前記半導体装置の内部回路への前記第2内部クロック信号の供給を休止させるための第2休止信号を後段の前記半導体装置に出力することを特徴とする半導体装置。 A plurality of semiconductor devices formed by serial connection to a semiconductor device substrate and tested by a test device,
A clock signal control circuit for supplying a clock signal to the internal circuit as a first internal clock signal based on the first start signal from the test apparatus or the semiconductor device in the previous stage;
Has a counter circuit for counting said first internal clock signal, said counter circuit based on a count value obtained by counting the first internal clock signal, the second internal the clock signal to the internal circuit in the subsequent stage of the semiconductor device have a delay control circuit for delaying and outputting the second start signal to a subsequent stage of the semiconductor device for supplying a clock signal,
The clock signal control circuit includes:
Based on the first start signal and the first pause signal from the previous test apparatus or the semiconductor device, the clock signal is supplied to the internal circuit as the first internal clock signal,
The delay control circuit includes:
Based on the count value of the counter circuit, a second pause signal for halting the supply of the second internal clock signal to the internal circuit of the subsequent semiconductor device during the circuit operation of the counter circuit is provided to the subsequent semiconductor device. semiconductor device and outputs.
前記遅延制御回路は、
前記第1開始信号又は前記第1開始信号を遅延させた信号を前記第2開始信号として後段の前記半導体装置に出力する第1遅延選択回路と、
前記第1休止信号又は前記第1休止信号を遅延させた信号を前記第2休止信号として後段の前記半導体装置に出力する第2遅延選択回路と
を有することを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1 ,
The delay control circuit includes:
A first delay selection circuit that outputs the first start signal or a signal obtained by delaying the first start signal as the second start signal to the subsequent semiconductor device;
A semiconductor device comprising: a second delay selection circuit that outputs the first pause signal or a signal obtained by delaying the first pause signal as the second pause signal to the subsequent semiconductor device.
前記遅延制御回路は、
試験において前記半導体装置に電流が大きく流れる期間の始まりと終わりが前記カウント値として記憶されている記憶装置と、
前記記憶装置に記憶されている前記カウント値と、前記第1内部クロック信号をカウントした前記カウント値とを比較し、その比較結果に応じて前記第2開始信号及び前記第2休止信号を出力することを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 2 ,
The delay control circuit includes:
A storage device in which the start and end of a period during which a large amount of current flows in the semiconductor device in the test is stored as the count value;
The count value stored in the storage device is compared with the count value obtained by counting the first internal clock signal, and the second start signal and the second pause signal are output according to the comparison result. A semiconductor device.
前記クロック信号制御回路から前記第1内部クロック信号が供給され、該第1内部クロック信号に同期して前記内部回路の試験を行うBIST回路を有することを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 3 ,
A semiconductor device comprising: a BIST circuit that receives the first internal clock signal from the clock signal control circuit and tests the internal circuit in synchronization with the first internal clock signal.
前段の前記試験装置又は前記半導体装置からの第1開始信号に基づいて、クロック信号を第1内部クロック信号として内部回路に供給する工程と、
前記第1内部クロック信号をカウントするカウンタ回路を有し、前記カウンタ回路が前記第1内部クロック信号をカウントしたカウント値に基づいて、前記クロック信号を後段の前記半導体装置の内部回路に第2内部クロック信号として供給させるための第2開始信号を後段の前記半導体装置に遅延させて出力する工程とを有し、
前記クロック信号を第1内部クロック信号として内部回路に供給する工程では、
前段の前記試験装置又は前記半導体装置からの第1開始信号及び第1休止信号に基づいて、前記クロック信号を前記第1内部クロック信号として前記内部回路に供給し、
前記第2開始信号を後段の前記半導体装置に遅延させて出力する工程では、
前記カウンタ回路の前記カウント値に基づいて、自身の回路動作時に後段の前記半導体装置の内部回路への前記第2内部クロック信号の供給を休止させるための第2休止信号を後段の前記半導体装置に出力する
ことを特徴とする半導体装置の試験方法。 A semiconductor device test method in which a plurality of semiconductor devices are serially connected to a semiconductor device substrate and tested by a test device,
Supplying a clock signal as a first internal clock signal to an internal circuit based on a first start signal from the test apparatus or the semiconductor device in the previous stage;
Has a counter circuit for counting said first internal clock signal, said counter circuit based on a count value obtained by counting the first internal clock signal, the second internal the clock signal to the internal circuit in the subsequent stage of the semiconductor device a second start signal for supplying a clock signal by delaying a subsequent stage of the semiconductor device have a and outputting,
In the step of supplying the clock signal to the internal circuit as a first internal clock signal,
Based on the first start signal and the first pause signal from the previous test apparatus or the semiconductor device, the clock signal is supplied to the internal circuit as the first internal clock signal,
In the step of delaying and outputting the second start signal to the subsequent semiconductor device,
Based on the count value of the counter circuit, a second pause signal for halting the supply of the second internal clock signal to the internal circuit of the subsequent semiconductor device during the circuit operation of the counter circuit is provided to the subsequent semiconductor device. A method for testing a semiconductor device, comprising: outputting .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009183576A JP5353542B2 (en) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Semiconductor device and test method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009183576A JP5353542B2 (en) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Semiconductor device and test method of semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011038787A JP2011038787A (en) | 2011-02-24 |
JP5353542B2 true JP5353542B2 (en) | 2013-11-27 |
Family
ID=43766732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009183576A Expired - Fee Related JP5353542B2 (en) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Semiconductor device and test method of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5353542B2 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE68926265T2 (en) * | 1988-06-22 | 1996-10-02 | Toshiba Kawasaki Kk | Self-diagnosis circuit for a logic circuit block |
JP2001318128A (en) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Nec Microsystems Ltd | Semiconductor device having self-test function and its testing method |
JP4339534B2 (en) * | 2001-09-05 | 2009-10-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | A semiconductor device with a memory chip and logic chip that enables testing of the memory chip |
JP2008209201A (en) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Renesas Technology Corp | Current measuring method and semiconductor integrated circuit |
-
2009
- 2009-08-06 JP JP2009183576A patent/JP5353542B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011038787A (en) | 2011-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0805460B1 (en) | Integrated circuit having a built-in selft-test arrangement | |
EP1291882A2 (en) | Memory chip and logic chip in same package | |
US20040230870A1 (en) | Built-in self test system and method | |
US20050246602A1 (en) | On-chip and at-speed tester for testing and characterization of different types of memories | |
US7526700B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2015514211A (en) | Edge trigger calibration | |
JP2008084461A (en) | Test control circuit | |
US6834366B2 (en) | Method of outputting internal information through test pin of semiconductor memory and output circuit thereof | |
US8341477B2 (en) | Test board having a plurality of test modules and a test system having the same | |
US7783943B2 (en) | Method and apparatus for testing a random access memory device | |
US8103925B2 (en) | On-chip logic to support compressed X-masking for BIST | |
CN103049599A (en) | Global clock handler object for HDL environment | |
JP5353542B2 (en) | Semiconductor device and test method of semiconductor device | |
JP2005300308A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US7177775B2 (en) | Testable digital delay line | |
JP2010135032A (en) | Semiconductor memory device and self-refresh test method | |
JP2011171666A (en) | Semiconductor device, and method of testing the same | |
US20120253731A1 (en) | Functional asic verification using initialization microcode sequence | |
US7227810B2 (en) | Semiconductor device and testing method for semiconductor device | |
US7433252B2 (en) | Semiconductor memory device capable of storing data of various patterns and method of electrically testing the semiconductor memory device | |
US10222418B2 (en) | Scan cell for dual port memory applications | |
US8503260B2 (en) | Semiconductor memory device, method of testing the same and system of testing the same | |
KR101034661B1 (en) | Method and apparatus for testing memory device using 2 loading memories | |
US20110267091A1 (en) | Semiconductor device and method for operating the same | |
KR100524925B1 (en) | Semiconductor memory device implemented parallel bit test capable of test time and parallel bit test method using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |