JP5348429B2 - 持続性メモリのためのキャッシュコヒーレンスプロトコル - Google Patents
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Description
Claims (17)
- メインメモリに対する少なくとも1つの第1のインターフェースと、2つ以上の処理エンティティに対する少なくとも1つの第2のインターフェースとを持つメモリコントローラを具備してなり、
前記メモリコントローラは、前記処理エンティティがキャッシュコヒーレンシプロトコルに従って前記メインメモリにアクセスすることを可能にすることができ、かつ、前記メインメモリの少なくとも一部は持続性メモリを備え、
前記キャッシュコヒーレンシプロトコルは、インプロセス状態とコミッテッド状態とを含み、
前記インプロセス状態は、前記メインメモリ内の情報が更新中であり、且つ、前記メモリコントローラは、前記更新の処理が完了するのを待って更新後の情報を再読み込みすること、あるいは、前記更新の処理の完了を待たずに旧いキャッシュコンテンツを読み込むこと、が可能であることを示し、
前記コミッテッド状態は、メモリの更新が完了し、キャッシュが前記メインメモリから情報を再読み込み可能であることを示す、
ことを特徴とするメモリデバイス。 - 前記メモリコントローラは、更に、持続性メモリを備える前記メインメモリの前記少なくとも一部をメモリ記述子が特定することを可能にすることができること特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記持続性メモリは、相変化メモリ(PCM)を備えることを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記持続性メモリは、非対称的な読み出し速度/書き込み速度を持つメモリを備えることを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記2以上の処理エンティティは、複数の中央処理装置(CPU)を備えることを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記メモリコントローラは、更に、前記2以上の処理エンティティに共有される1つまたは複数のレベルのキャッシュメモリを含むメモリ階層を有効にすることができることを特徴とする請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記1つまたは複数のレベルのキャッシュメモリの少なくとも一部は、持続性メモリを備えることを特徴とする請求項6に記載のメモリデバイス。
- 複数の処理エンティティがメインメモリを共有することを可能にするように、キャッシュコヒーレンシプロトコルを管理するステップを具備してなり、
前記メインメモリの少なくとも一部は、持続性メモリを備え、
前記キャッシュコヒーレンシプロトコルは、インプロセス状態とコミッテッド状態とを含み、
前記インプロセス状態は、前記メインメモリ内の情報が更新中であり、且つ、前記メモリコントローラは、前記更新の処理が完了するのを待って更新後の情報を再読み込みすること、あるいは、前記更新の処理の完了を待たずに旧いキャッシュコンテンツを読み込むこと、が可能であることを示し、
前記コミッテッド状態は、メモリの更新が完了し、キャッシュが前記メインメモリから情報を再読み込み可能であることを示す、
ことを特徴とする方法。 - 前記持続性メモリは、相変化メモリ(PCM)を備えることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記持続性メモリは、非対称的な読み出し速度/書き込み速度を持つメモリを備えることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記キャッシュコヒーレンシプロトコルは、少なくとも部分的には、前記持続性メモリの1つまたは複数の待ち時間プロパティに基づくことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記複数の処理エンティティは、1つまたは複数の中央処理装置(CPU)を備えることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 複数の処理エンティティと、メモリデバイスとを具備してなるシステムであって、
前記メモリデバイスは、メインメモリに対する少なくとも1つの第1のインターフェースと、前記複数の処理エンティティに対する少なくとも1つの第2のインターフェースとを持つメモリコントローラを備え、
前記メモリコントローラは、前記複数の処理エンティティがキャッシュコヒーレンシプロトコルに従って前記メインメモリにアクセスすることを可能にすることができ、かつ、前記メインメモリの少なくとも一部は持続性メモリを備え、
前記キャッシュコヒーレンシプロトコルは、インプロセス状態とコミッテッド状態とを含み、
前記インプロセス状態は、前記メインメモリ内の情報が更新中であり、且つ、前記メモリコントローラは、前記更新の処理が完了するのを待って更新後の情報を再読み込みすること、あるいは、前記更新の処理の完了を待たずに旧いキャッシュコンテンツを読み込むこと、が可能であることを示し、
前記コミッテッド状態は、メモリの更新が完了し、キャッシュが前記メインメモリから情報を再読み込み可能であることを示す、
ことを特徴とするシステム。 - 前記メモリコントローラは、更に、前記更新処理中に前記メインメモリにアクセスすることを待つように、前記2以上の処理エンティティの少なくとも1つに対して信号を送信することができることを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記処理エンティティは、前記更新処理中に前記メインメモリにアクセスすることを待つことができることを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)部分及び持続性メモリ部分と、
前記DRAM部分と前記持続性メモリ部分との間の待ち時間の差に適応するためのコードを実行するキャッシュコヒーレンスプロトコルブロックと、
を具備し、
前記キャッシュコヒーレンシプロトコルブロックは、インプロセス状態とコミッテッド状態とを含み、
前記インプロセス状態は、前記メインメモリ内の情報が更新中であり、且つ、前記メモリコントローラは、前記更新の処理が完了するのを待って更新後の情報を再読み込みすること、あるいは、前記更新の処理の完了を待たずに旧いキャッシュコンテンツを読み込むこと、が可能であることを示し、
前記コミッテッド状態は、メモリの更新が完了し、キャッシュが前記メインメモリから情報を再読み込み可能であることを示す、
ことを特徴とするメインメモリ。 - 前記持続性メモリ部分内におけるメモリロケーションのアドレス、又は、前記メモリロケーションのアドレス範囲を特定する持続性メモリ記述子を更に備えることを特徴とする請求項16に記載のメインメモリ。
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