JP5337661B2 - Memory control device and control method of memory control device - Google Patents

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Description

本発明は、自己診断機能を有するメモリ制御装置及びそのメモリ制御方法に関する。   The present invention relates to a memory control device having a self-diagnosis function and a memory control method thereof.

原子力プラントや化学プラントなど潜在的な危険性の高いプロセス設備では、万一の事態における作業員および周辺環境への影響を低減するため、隔壁等の防護設備による受動的な対策および緊急停止装置等の安全装置を用いる能動的な対策が講じられる。このうち、安全装置等の制御には、従来リレー等の電磁的、機械的な手段により実現されていた。   In potentially dangerous process facilities such as nuclear power plants and chemical plants, passive measures such as bulkheads and emergency stop devices are used to reduce the impact on workers and the surrounding environment in the event of an emergency. Active measures are taken using the safety device. Of these, control of safety devices and the like has been conventionally realized by electromagnetic and mechanical means such as relays.

しかし、近年、プログラマブル電子装置(Programmable Logic Controller:PLC)に代表されるプログラム可能な制御機器における技術の発展に伴い、これらを安全制御システムの制御手段として利用するニーズが高まっている。   However, in recent years, with the development of technology in programmable control equipment represented by programmable electronic devices (Programmable Logic Controller: PLC), there is an increasing need to use these as control means of a safety control system.

例えば、IEC61508は、そのような動向に対応して発行された国際規格であり、電気的/電子的/プログラム可能な電子的安全制御装置を安全制御システムの一部に利用する場合の要件が規定されている(非特許文献1参照)。   For example, IEC61508 is an international standard issued in response to such a trend, and defines requirements for using an electrical / electronic / programmable electronic safety control device as part of a safety control system. (See Non-Patent Document 1).

IEC61508では、安全制御システムの能力の尺度としてSafety Integrity Level(SIL)を定義し、レベル1から4までの各レベルに対応する水準の要求事項を規定している。SILが高いほどプロセス設備の持つ潜在的な危険性を低減できる度合が大きいことを示す。すなわち、SILはプロセス設備の異常を検出した際、どれだけ確実に所定の安全制御を実施できるかを意味する。   In IEC61508, Safety Integrity Level (SIL) is defined as a measure of the capability of a safety control system, and requirements for levels corresponding to each level from level 1 to level 4 are defined. The higher the SIL, the greater the degree to which the potential danger of the process equipment can be reduced. That is, SIL means how reliably certain safety control can be performed when an abnormality of a process facility is detected.

安全制御装置は、通常稼働状態で非活性となっていても、プロセス設備の異常発生時には直ちに活性化することを求められる。そのため、常時自己診断を行い、自身の健全性をチェックし続けることが重要となる。また、高いSILが要求される安全制御システムでは、未検出の故障によりシステムが不動作となる確率を極小とするため、これに用いられる安全制御装置に広範囲、高精度な自己診断を実施する必要がある。   Even if the safety control device is inactive in the normal operation state, it is required to be activated immediately when an abnormality occurs in the process equipment. Therefore, it is important to always perform self-diagnosis and check its own soundness. In addition, in a safety control system that requires a high SIL, the probability that the system will not operate due to an undetected failure is minimized, so it is necessary to perform a wide range and high-precision self-diagnosis on the safety control device used for this. There is.

IEC61508では、安全制御装置を構成する要素部品の種類ごとに、各々適用される自己診断技法を紹介し、それぞれの技法の有効性を診断率という形で示している。診断率は、各構成要素における全故障のうち、その診断技法を採用したとき検出可能な故障の割合を示す。例えば、RAMの診断技法である "Abraham" では、最高99%の診断率を主張可能であるとされている(特許文献2参照)。   In IEC61508, self-diagnosis techniques to be applied are introduced for each type of component parts constituting the safety control device, and the effectiveness of each technique is shown in the form of a diagnostic rate. The diagnosis rate indicates the proportion of failures that can be detected when the diagnosis technique is adopted among all failures in each component. For example, "Abraham", which is a RAM diagnostic technique, can claim a diagnosis rate of up to 99% (see Patent Document 2).

また、PLCの構成要素の一つであるプロセッサの故障検出手段として、複数のプロセッサを用いて、相互の出力結果の整合性を監視する方法が有効である。複数のプロセッサ出力を相互診断する方式としては、各プロセッサが同様の制御処理を同時に実行し、その出力が一致していることを確認しあう手段が効果的である。例えば、非同期に動作する複数のプロセッサの出力を照合することにより、プロセッサが故障しても即時検出するという技術がある(特許文献1)。   In addition, a method of monitoring the consistency of the output results of each other using a plurality of processors is effective as a failure detection means for a processor that is one of the components of the PLC. As a method for mutually diagnosing the outputs of a plurality of processors, it is effective to perform a similar control process at the same time and confirm that the outputs match each other. For example, there is a technique in which the outputs of a plurality of processors operating asynchronously are collated to detect immediately even if a processor fails (Patent Document 1).

複数のプロセッサによる相互診断に加えて、メモリやバスなどの入力出力の各要素ごとに入力に対する出力の健全性を確認することが診断率の向上に対して効果的である。   In addition to mutual diagnosis by a plurality of processors, it is effective for improving the diagnostic rate to check the soundness of the output for each input / output element such as a memory or a bus.

特開2007−11639号公報JP 2007-11639 A 米国登録6779128号公報US Registration No. 6779128

IEC61508−1〜7、“Functional safety of electrical/electronic/programmable electronic safety-related systems”part1〜part7IEC61508-1-7, “Functional safety of electrical / electronic / programmable electronic safety-related systems” part1-part7

メモリへのアクセス制御を行うメモリ制御回路において、メモリ素子の特性上アクセス動作は一方通行であり、メモリアクセス制御動作中に発生した一過性の異常を検出する手段が無かった。従って従来は、メモリ制御回路の異常を検出できす不安定なまま動作を継続する可能性があり、その信頼性を向上させる必要がある。   In a memory control circuit that controls access to a memory, the access operation is one-way due to the characteristics of the memory element, and there is no means for detecting a transient abnormality that occurs during the memory access control operation. Therefore, conventionally, there is a possibility that the operation may be continued in an unstable state where the abnormality of the memory control circuit can be detected, and it is necessary to improve its reliability.

また、異常が一過性であれば異常を検出した後にも動作を継続して可用性を向上する事が望ましい。   Also, if the abnormality is transient, it is desirable to continue operation after the abnormality is detected to improve availability.

本発明は、上位装置とメモリ装置の間に設けられ、前記メモリ装置へのアクセスを制御するメモリ制御装置であって、前記メモリ制御装置が同一の構成を有する主メモリ制御回路と従メモリ制御回路を有するメモリ制御装置において、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路は、各々前記メモリ装置へのアクセスに必要な信号の選択及びタイミングの生成を行うシーケンス回路と、該シーケンス回路の出力信号を監視する出力信号監視回路と、前記二つの出力信号監視回路の少なくとも一つが信号不一致を検出した時に前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の同期調整を行う同期調整回路を有することを特徴とする。   The present invention is a memory control device that is provided between a host device and a memory device and controls access to the memory device, wherein the memory control device has the same configuration as a main memory control circuit and a sub memory control circuit In the memory control device, the main memory control circuit and the sub memory control circuit each select a signal necessary for access to the memory device and generate a timing, and monitor an output signal of the sequence circuit An output signal monitoring circuit that performs synchronization adjustment of the main memory control circuit and the sub memory control circuit when at least one of the two output signal monitoring circuits detects a signal mismatch.

また、主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の前記同期調整回路が相互に同期調整完了を報告することにより、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の同期を完了することを特徴とする。   Further, the synchronization adjustment circuit of the main memory control circuit and the sub memory control circuit report completion of the synchronization adjustment to complete the synchronization of the main memory control circuit and the sub memory control circuit.

また、同期調整回路は、信号不一致に伴って出力する前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路への同期要求により前記シーケンス回路を初期状態に戻すことを特徴とする。   Further, the synchronization adjustment circuit is characterized in that the sequence circuit is returned to an initial state in response to a synchronization request to the main memory control circuit and the sub memory control circuit that are output in accordance with a signal mismatch.

また、主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路は、さらに、信号不一致に伴う前記同期調整回路の同期要求により前記シーケンス回路を初期状態に戻すアクセス調停回路を有することを特徴とする。   The main memory control circuit and the sub memory control circuit further include an access arbitration circuit that returns the sequence circuit to an initial state in response to a synchronization request from the synchronization adjustment circuit due to a signal mismatch.

また、同期調整回路は前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の同期調整を完了して次回アクセスに備えることを特徴とする。   The synchronization adjustment circuit is characterized in that the synchronization adjustment of the main memory control circuit and the sub memory control circuit is completed to prepare for the next access.

また、同期調整回路は前記アクセス調停回路の出力する同期完了応答に従って前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の同期調整を完了して次回アクセスに備えることを特徴とする。   The synchronization adjustment circuit may complete the synchronization adjustment of the main memory control circuit and the sub memory control circuit according to the synchronization completion response output from the access arbitration circuit, and prepare for the next access.

さらに、上記メモリ制御装置と、上位装置と、メモリ装置を有する電子回路において、前記メモリ制御装置の主メモリ制御回路にメモリ装置を接続したことを特徴とする。また、メモリ制御装置の従メモリ制御回路に新たなメモリ装置を接続したことを特徴とする。   Further, in the electronic circuit having the memory control device, the host device, and the memory device, the memory device is connected to the main memory control circuit of the memory control device. In addition, a new memory device is connected to the secondary memory control circuit of the memory control device.

さらに、メモリ制御装置と、上位装置と、メモリ装置を有する電子回路において、前記上位装置を複数個設けたことを特徴とする。   Furthermore, in an electronic circuit having a memory control device, a host device, and a memory device, a plurality of the host devices are provided.

さらに、複数の上位装置をプロセッサから形成し、各プロセッサによる制御処理の結果について、相互突き合わせ照合を実施することを特徴とする。   Furthermore, a plurality of higher-level devices are formed from processors, and mutual matching is performed on the results of control processing by each processor.

さらに、上位装置とメモリ装置の間に設けられ、前記メモリ装置へのアクセスを制御するメモリ制御装置が同一構成の主メモリ制御回路と従メモリ制御回路を有するメモリ制御装置の制御方法において、前記メモリ制御装置の主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路における前記メモリ装置へのアクセスに必要な信号を監視し、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の信号不一致を検出した時に、異常信号を出力するとともに、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路を初期状態に戻すことを特徴とする。   Further, in the control method of a memory control device provided between the host device and the memory device, wherein the memory control device for controlling access to the memory device has a main memory control circuit and a sub memory control circuit having the same configuration, the memory A signal necessary for accessing the memory device in the main memory control circuit and the sub memory control circuit of the control device is monitored, and an abnormal signal is output when a signal mismatch between the main memory control circuit and the sub memory control circuit is detected. In addition, the main memory control circuit and the sub memory control circuit are returned to their initial states.

さらに、メモリ制御装置の制御方法において、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の信号不一致を検出した時に、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路を同期調整を完了して次回アクセスに備えることを特徴とする。   Furthermore, in the control method of the memory control device, when a signal mismatch between the main memory control circuit and the sub memory control circuit is detected, the main memory control circuit and the sub memory control circuit are adjusted for synchronization and prepared for the next access. It is characterized by.

本発明は、メモリ制御装置において同一構造のメモリ制御回路を二つ設けて各々のメモリアクセスに必要な信号を比較し、メモリ制御装置内の異常を自己診断機能により検出して出力し、メモリ制御装置の安全性を向上させる。また、異常検出後にメモリ制御回路を初期状態に復帰させ、同期調整を完了して次のメモリアクセス動作を速やかに継続するよう可用性を向上させるという、実用上優れた効果を有する。   The present invention provides two memory control circuits having the same structure in a memory control device, compares signals necessary for each memory access, detects and outputs an abnormality in the memory control device by a self-diagnosis function, and controls memory control. Improve equipment safety. In addition, the memory control circuit is returned to the initial state after the abnormality is detected, and the availability is improved so that the synchronization adjustment is completed and the next memory access operation is immediately continued.

本発明の実施例1のメモリ制御回路を示す回路図である。1 is a circuit diagram illustrating a memory control circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施例2のメモリ制御回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the memory control circuit of Example 2 of this invention. 本発明の実施例3のメモリ制御回路を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the memory control circuit of Example 3 of this invention.

以下に、本発明を実施するための形態について、実施例につき以下の順序で説明を行う。以下に述べる実施例は本発明の好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかしながら、本発明の範囲は、下記の説明において特に記載がない限りこれらの実施例に限定されるものではない。例えば、以下の実施例で挙げる各パラメータの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における配置関係も概略的なものである。   Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described in the following order for each embodiment. Examples described below are preferred specific examples of the present invention, and various technically preferable limitations are given. However, the scope of the present invention is not limited to these examples unless otherwise specified in the following description. For example, the numerical conditions of each parameter given in the following examples are only suitable examples, and the arrangement relationship in each figure used for the description is also schematic.

本発明の実施例1であるメモリ制御回路の構成を図1に示す。ここでは、メモリ装置にアクセスするマスタとしての上位装置を2個備えた場合について説明するが、実際の実施において上位装置の個数に制限は無い。ここでマスタとは、メモリ装置にアクセスする全ての回路、装置等を含む。
〔基本構成〕
メモリアクセスマスタとして動作する上位装置1と上位装置2が設けられ、これらはメモリ制御装置9を介してメモリ装置17へアクセスを要求する。
FIG. 1 shows the configuration of a memory control circuit that is Embodiment 1 of the present invention. Here, a case will be described in which two host devices as masters accessing the memory device are provided, but there is no limit to the number of host devices in actual implementation. Here, the master includes all circuits and devices that access the memory device.
[Basic configuration]
A host device 1 and a host device 2 that operate as a memory access master are provided, and these request access to the memory device 17 via the memory control device 9.

メモリ制御装置9は、メモリ制御回路3とメモリ制御回路4から構成され、実施例1において、メモリ制御回路3は主メモリ制御回路として動作し、メモリ制御回路4は従メモリ制御回路として動作する。   The memory control device 9 includes a memory control circuit 3 and a memory control circuit 4. In the first embodiment, the memory control circuit 3 operates as a main memory control circuit, and the memory control circuit 4 operates as a sub memory control circuit.

上位装置1は、メモリ制御回路3及びメモリ制御回路4に対し信号18により接続され、上位装置2は、メモリ制御回路3及びメモリ制御回路4に対し信号19により接続される。上位装置1および上位装置2からは非同期にメモリアクセスが発生し、上位装置1のメモリアクセスの出力信号18と上位装置2のメモリアクセスの出力信号19は、メモリ制御回路3とメモリ制御回路4に並列に同一の信号が入力される。信号18、19にはメモリのアクセスに必要な情報(アドレス、データ、リードライトコマンド等)が全て含まれている。   The host device 1 is connected to the memory control circuit 3 and the memory control circuit 4 by a signal 18, and the host device 2 is connected to the memory control circuit 3 and the memory control circuit 4 by a signal 19. Memory access occurs asynchronously from the host device 1 and the host device 2, and the memory access output signal 18 of the host device 1 and the memory access output signal 19 of the host device 2 are sent to the memory control circuit 3 and the memory control circuit 4. The same signal is input in parallel. The signals 18 and 19 contain all information (address, data, read / write command, etc.) necessary for accessing the memory.

メモリ制御回路3は、アクセス調停回路7とシーケンサ回路8と、出力信号監視回路10と同期調整回路11とで構成される。またメモリ制御回路4は、アクセス調停回路12とシーケンサ回路13と、出力信号監視回路15と同期調整回路16とで構成される。メモリ制御回路3とメモリ制御回路4は、互いに全く同一構成の回路を形成している。   The memory control circuit 3 includes an access arbitration circuit 7, a sequencer circuit 8, an output signal monitoring circuit 10, and a synchronization adjustment circuit 11. The memory control circuit 4 includes an access arbitration circuit 12, a sequencer circuit 13, an output signal monitoring circuit 15, and a synchronization adjustment circuit 16. The memory control circuit 3 and the memory control circuit 4 form circuits with exactly the same configuration.

メモリ装置17は、主たるメモリ制御回路3にのみ接続され、メモリ制御回路4とは接続されていない。ここでメモリ制御回路4はメモリ制御回路3の監視に用いられる。メモリ装置17は、一般に使用される全てのメモリ素子、メモリ回路等を含む。
〔メモリ制御回路〕
以下メモリ制御回路について説明する。上位装置1、2からのメモリアクセスのための信号18、19は、メモリ装置17へのアクセスを調停するアクセス調停回路7とアクセス調停回路12とに接続される。アクセス調停回路7は、上位装置が複数有る場合に用いられ、上位装置1と2からのアクセス要求を調停し、選択した結果を信号20によりシーケンサ回路8に出力する。アクセス調停回路は、メモリラウンドロビン制御方式や固定優先方式など一般に使用される方式が使用可能であり、これらは本発明を限定するものではない。アクセス調停回路12はアクセス調停回路7と同一の構成とする。
〔シーケンサ回路〕
シーケンサ回路8は、アクセス調停回路7で選択されたアクセスを元に、内部シーケンサを動作させてメモリ装置17へのアクセスに必要な信号の選択及びタイミングの生成をおこなう。シーケンサ回路8は、その結果に基づきメモリアクセスのための信号30によりメモリ装置17と接続して情報を授受する。
The memory device 17 is connected only to the main memory control circuit 3 and is not connected to the memory control circuit 4. Here, the memory control circuit 4 is used for monitoring the memory control circuit 3. The memory device 17 includes all commonly used memory elements, memory circuits, and the like.
[Memory control circuit]
The memory control circuit will be described below. Signals 18 and 19 for memory access from the host devices 1 and 2 are connected to the access arbitration circuit 7 and the access arbitration circuit 12 that arbitrate access to the memory device 17. The access arbitration circuit 7 is used when there are a plurality of host devices, arbitrates access requests from the host devices 1 and 2, and outputs a selected result to the sequencer circuit 8 using a signal 20. As the access arbitration circuit, a commonly used method such as a memory round robin control method or a fixed priority method can be used, and these do not limit the present invention. The access arbitration circuit 12 has the same configuration as the access arbitration circuit 7.
[Sequencer circuit]
Based on the access selected by the access arbitration circuit 7, the sequencer circuit 8 operates the internal sequencer to select signals necessary for access to the memory device 17 and generate timing. Based on the result, the sequencer circuit 8 is connected to the memory device 17 by a signal 30 for memory access to exchange information.

また、シーケンサ回路8の信号30は、出力信号監視回路10及び出力信号監視回路15に接続されて比較される。さらに信号30は上位装置1及び上位装置2に接続され、リード要求時にはメモリ装置17に格納された情報を上位装置1または上位装置2に報告する。   The signal 30 of the sequencer circuit 8 is connected to the output signal monitoring circuit 10 and the output signal monitoring circuit 15 for comparison. Further, the signal 30 is connected to the host device 1 and the host device 2, and reports the information stored in the memory device 17 to the host device 1 or the host device 2 when a read request is made.

メモリ装置17のアクセスに必要な信号30は、アドレス、ライトデータ、リードデータ、制御信号、ライト/リード等の全ての信号を含む。   The signal 30 necessary for accessing the memory device 17 includes all signals such as address, write data, read data, control signal, and write / read.

シーケンサ回路8は、シーケンサ動作状態を信号24によりアクセス調停回路7に出力する。アクセス調停回路7は、信号24によりシーケンサ回路8の状態を認識して、動作指示をシーケンサ回路8に発行するタイミングを生成する。   The sequencer circuit 8 outputs the sequencer operation state to the access arbitration circuit 7 by the signal 24. The access arbitration circuit 7 recognizes the state of the sequencer circuit 8 based on the signal 24 and generates a timing for issuing an operation instruction to the sequencer circuit 8.

シーケンサ回路8は、応答信号26によって上位装置1、2にメモリアクセス完了を報告し、応答信号27によって上位装置2にメモリアクセス完了を報告する。この信号26、27により、上位装置1、2はメモリアクセスが完了したことを認識し、次のメモリアクセスを実施することが可能となる。また、この信号26、27は出力信号監視回路10及び出力信号監視回路15に接続される。   The sequencer circuit 8 reports the completion of memory access to the higher-level devices 1 and 2 by the response signal 26 and reports the completion of memory access to the higher-level device 2 by the response signal 27. From the signals 26 and 27, the higher-level devices 1 and 2 recognize that the memory access has been completed, and can perform the next memory access. The signals 26 and 27 are connected to the output signal monitoring circuit 10 and the output signal monitoring circuit 15.

シーケンサ回路13はシーケンサ回路8と同一の回路であるが、その信号31は、出力信号監視回路10及び出力信号監視回路15のみに接続され、メモリ装置17には接続されない。また、シーケンサ回路13の信号28、29は出力信号監視回路10及び出力信号監視回路15には接続されるが、上位装置1および上位装置2には接続されない。
〔出力信号監視回路〕
出力信号監視回路10は、シーケンサ回路8とシーケンサ回路13より出力された各々の制御、アドレス、データ信号などの全ての信号を比較監視することを目的とする。
The sequencer circuit 13 is the same circuit as the sequencer circuit 8, but its signal 31 is connected only to the output signal monitoring circuit 10 and the output signal monitoring circuit 15, and is not connected to the memory device 17. Further, the signals 28 and 29 of the sequencer circuit 13 are connected to the output signal monitoring circuit 10 and the output signal monitoring circuit 15, but are not connected to the host device 1 and the host device 2.
[Output signal monitoring circuit]
The output signal monitoring circuit 10 is intended to compare and monitor all signals such as control, address, and data signals output from the sequencer circuit 8 and the sequencer circuit 13.

出力信号監視回路10は、シーケンサ回路8とシーケンサ回路13より出力されたメモリ装置17へ出力する制御、アドレス、データなど全ての信号毎の一致性を確認する機能及び各信号の出力タイミングを比較する機能と、シーケンサ回路8、13から出力される上位装置1及び上位装置2へのメモリアクセス応答信号の比較判定を実施し一致性を確認する機能とを有する。これにより、メモリ装置へ出力する信号の一致性とシーケンサ回路の動作の健全性が確認できると共に、メモリアクセス応答信号の比較判定によりメモリ装置へのアクセス順序を確認出来ることから、アクセス調停回路の健全性も確認できる。   The output signal monitoring circuit 10 compares the output timing of each signal and the function for checking the coincidence of all signals such as control, address, and data output from the sequencer circuit 8 and the sequencer circuit 13 to the memory device 17. And a function of comparing and determining the memory access response signals output from the sequencer circuits 8 and 13 to the host device 1 and the host device 2 to confirm the consistency. As a result, the consistency of the signals output to the memory device and the soundness of the operation of the sequencer circuit can be confirmed, and the access order to the memory device can be confirmed by comparing and judging the memory access response signal. Sex can also be confirmed.

出力信号監視回路10の出力は、信号32によって上位装置1及び上位装置2、また、同期調整回路11及び同期調整回路16に接続される。出力信号監視回路10が信号を比較判定した結果、不一致を検出した場合には不一致の検出報告を上位装置1及び上位装置2と、同期調整回路11及び同期調整回路16に報告する。   The output of the output signal monitoring circuit 10 is connected to the host device 1 and the host device 2, and the synchronization adjustment circuit 11 and the synchronization adjustment circuit 16 by a signal 32. When the output signal monitoring circuit 10 compares and determines the signal, and detects a mismatch, it reports a mismatch detection report to the host device 1 and host device 2, and the synchronization adjustment circuit 11 and the synchronization adjustment circuit 16.

ここで、信号不一致の報告を、アクセス元である上位装置1又は上位装置2のどちらか一方のみに報告するか両方に報告するかは、システムの要求に従って決定され、本発明を制約するものではない。出力信号監視回路10および出力信号監視回路15は、出力不一致を検出しない時には何も出力しない。   Here, whether to report the signal mismatch to only one of the host device 1 and the host device 2 that is the access source or both is determined according to the request of the system and does not restrict the present invention. Absent. The output signal monitoring circuit 10 and the output signal monitoring circuit 15 do not output anything when no output mismatch is detected.

出力信号監視回路10および出力信号監視回路15の何れかで不一致が報告されても、メモリ制御回路3からのメモリ装置17へのアクセスは停止しない。但し、上位装置1及び上位装置2には直ちに不一致エラーを報告する。ここで、出力信号監視回路11および出力信号監視回路15の何れかで不一致が報告された時、メモリアクセスを停止するかどうかはシステムの要求に従って決定され、本発明を制約するものではない。
〔同期調整回路〕
同期調整回路11および同期調整回路16は、出力信号監視回路10または出力信号監視回路15からの信号不一致の報告があったときは、メモリ制御回路3とメモリ制御回路4の同期調整をおこなう。信号が一致している場合は、メモリ制御回路3とメモリ制御回路4が正常に動作している為に同期調整は行わない。
Even if a mismatch is reported by either the output signal monitoring circuit 10 or the output signal monitoring circuit 15, access to the memory device 17 from the memory control circuit 3 is not stopped. However, a mismatch error is immediately reported to the host device 1 and the host device 2. Here, when a mismatch is reported in either the output signal monitoring circuit 11 or the output signal monitoring circuit 15, whether or not to stop the memory access is determined according to the request of the system, and does not limit the present invention.
[Synchronization adjustment circuit]
The synchronization adjustment circuit 11 and the synchronization adjustment circuit 16 adjust the synchronization of the memory control circuit 3 and the memory control circuit 4 when a signal mismatch is reported from the output signal monitoring circuit 10 or the output signal monitoring circuit 15. If the signals match, the memory control circuit 3 and the memory control circuit 4 are operating normally, and therefore no synchronization adjustment is performed.

出力信号監視回路10または出力信号監視回路15の少なくとも一方で信号の不一致を検出した場合、その検出報告により同期調整回路11および同期調整回路15は、各々のメモリ制御回路3およびメモリ制御回路4の同期調整をおこなう。   When a signal mismatch is detected in at least one of the output signal monitoring circuit 10 and the output signal monitoring circuit 15, the synchronization adjustment circuit 11 and the synchronization adjustment circuit 15 detect that the memory control circuit 3 and the memory control circuit 4 Perform synchronization adjustment.

以下同期調整回路11の動作を中心として詳細に説明する。同期調整回路11は、出力信号監視回路10または出力信号監視回路15からの信号不一致報告により、メモリ制御回路の同期調整をおこなうため、同期要求を信号34によりアクセス調停回路7に発行する。
〔初期状態復帰〕
アクセス調停回路7は、同期調整回路11からの同期要求によりアクセス調停を停止させると共に、シーケンサ回路8を初期状態に戻す。シーケンサ回路を初期状態に戻す手法については、シーケンサ回路が初期状態に戻るまで待つか、シーケンサ回路を強制的に初期状態に戻すかについては何れでも良い。シーケンサ回路8を初期状態に戻す為、アクセス調停回路7の出力信号20から指示する。アクセス調停回路7は、シーケンサ回路8の状態信号24からシーケンサ回路8がアイドル状態になったことを確認した後に、同期完了応答を出力する信号35により、同期調整回路11及び同期調整回路16に報告する。
〔同期完了〕
同期調整回路11は、アクセス調停回路7の同期完了応答を出力する信号35かつアクセス調停回路12からの同期完了応答を出力する信号37の両方の応答により同期完了と判断し、同期要求の出力を停止して、メモリ制御回路3とメモリ制御回路4の相互の同期調整を完了させ、次のメモリアクセスを処理できるようにして、次回の上位装置からのアクセスに備える。同期調整回路16の構成及び動作は、同期調整回路11と同等である。
Hereinafter, the operation of the synchronization adjustment circuit 11 will be described in detail. The synchronization adjustment circuit 11 issues a synchronization request to the access arbitration circuit 7 by a signal 34 in order to adjust the synchronization of the memory control circuit based on the signal mismatch report from the output signal monitoring circuit 10 or the output signal monitoring circuit 15.
(Return to initial state)
The access arbitration circuit 7 stops access arbitration in response to the synchronization request from the synchronization adjustment circuit 11 and returns the sequencer circuit 8 to the initial state. The method for returning the sequencer circuit to the initial state may be either waiting until the sequencer circuit returns to the initial state or forcibly returning the sequencer circuit to the initial state. To return the sequencer circuit 8 to the initial state, an instruction is given from the output signal 20 of the access arbitration circuit 7. After confirming that the sequencer circuit 8 is in the idle state from the state signal 24 of the sequencer circuit 8, the access arbitration circuit 7 reports to the synchronization adjustment circuit 11 and the synchronization adjustment circuit 16 by a signal 35 that outputs a synchronization completion response. To do.
[Synchronization completed]
The synchronization adjustment circuit 11 determines that synchronization is completed by both the response of the signal 35 that outputs the synchronization completion response from the access arbitration circuit 7 and the signal 37 that outputs the synchronization completion response from the access arbitration circuit 12, and outputs the synchronization request. Stop and complete the mutual synchronization adjustment of the memory control circuit 3 and the memory control circuit 4 so that the next memory access can be processed to prepare for the next access from the host device. The configuration and operation of the synchronization adjustment circuit 16 are the same as those of the synchronization adjustment circuit 11.

上位装置が単一でアクセス調停回路を必要としないメモリ制御回路の場合は、同期調整回路は同期要求を直接シーケンサ回路に出力して初期状態に戻し、その結果を受け取って同期完了を判断する。   If the host device is a single memory control circuit that does not require an access arbitration circuit, the synchronization adjustment circuit outputs a synchronization request directly to the sequencer circuit to return to the initial state, and receives the result to determine the completion of synchronization.

本発明の実施例2であるメモリ制御回路の構成を図2に示す。なお、実施例1と同じ部分の説明は省略し、特徴となる部分の説明にとどめる。   FIG. 2 shows the configuration of a memory control circuit that is Embodiment 2 of the present invention. In addition, description of the same part as Example 1 is abbreviate | omitted, and only description of the part used as the characteristic is given.

図2は、本発明のメモリ制御方式により、実施例1の上位装置1、2に替えてプロセッサ40、41を接続し、両プロセッサ40、41を個別に制御処理を実施しながら、その動作を比較するマルチプロセッサによるメモリ制御方式を示す。各プロセッサによる制御処理の結果について相互突き合わせ照合を実施することにより、さらに正確な回路動作のチェックが可能となり信頼性が向上する。このときのメモリ制御装置9の構成及び動作は実施例と同様である。   FIG. 2 shows the operation of the memory control method according to the present invention, in which the processors 40 and 41 are connected in place of the host devices 1 and 2 of the first embodiment, and both the processors 40 and 41 are individually controlled. The memory control system by the multiprocessor to compare is shown. By performing mutual matching on the results of the control processing by each processor, it is possible to check the circuit operation more accurately and improve reliability. The configuration and operation of the memory control device 9 at this time are the same as in the embodiment.

本発明の実施例3であるメモリ制御回路の構成を図3に示す。なお、実施例1と同じ部分の説明は省略し、特徴となる部分の説明にとどめる。   FIG. 3 shows the configuration of a memory control circuit that is Embodiment 3 of the present invention. In addition, description of the same part as Example 1 is abbreviate | omitted, and only description of the part used as the characteristic is given.

図3は、メモリ装置を二個接続し、各メモリ装置に個別に制御処理を実施しながらその動作を比較するメモリ制御方式を示す。図3は、実施例1の上位装置1、上位装置2、メモリ制御装置9、メモリ装置17に加え、メモリ装置50を加えて構成される。   FIG. 3 shows a memory control system in which two memory devices are connected and their operations are compared while performing control processing on each memory device individually. FIG. 3 is configured by adding a memory device 50 in addition to the host device 1, host device 2, memory control device 9, and memory device 17 of the first embodiment.

実施例1では、メモリ制御回路4は従メモリ制御回路として実際のメモリ装置には接続していない。これに対し実施例3では、メモリ制御回路4はメモリアクセスに必要な信号31によりメモリ装置50に接続する。これにより両メモリ装置のデータを比較チェックでき、メモリ制御装置全体の信頼性をより向上できる。   In the first embodiment, the memory control circuit 4 is not connected to an actual memory device as a slave memory control circuit. On the other hand, in the third embodiment, the memory control circuit 4 is connected to the memory device 50 by a signal 31 necessary for memory access. Thereby, the data of both memory devices can be compared and checked, and the reliability of the entire memory control device can be further improved.

上位装置1及び上位装置2から要求されたアクセスは、メモリ制御回路3及びメモリ制御回路4で信号比較された後、メモリ装置17およびメモリ装置50に格納される。   The access requested by the host device 1 and the host device 2 is stored in the memory device 17 and the memory device 50 after the signals are compared in the memory control circuit 3 and the memory control circuit 4.

シーケンサ回路13は、シーケンサ回路8と同様に応答信号28、29によって上位装置1および上位装置2にメモリアクセス完了を報告する。上位装置1及び上位装置2にシーケンサ回路8及びシーケンサ回路13のどちらのメモリアクセス完了を報告するかについては、システムの運用に依り、本発明を制約するものではない。   The sequencer circuit 13 reports the completion of memory access to the higher order device 1 and the higher order device 2 by the response signals 28 and 29 in the same manner as the sequencer circuit 8. Whether the sequencer circuit 8 or the sequencer circuit 13 reports the completion of memory access to the host device 1 and the host device 2 does not limit the present invention depending on the operation of the system.

上位装置1及び上位装置2の要求により、メモリ装置に格納された情報を報告する場合において、メモリ装置17及びメモリ装置50に格納された情報のどちらかを報告するかについては、システムの運用に依る。   When reporting information stored in the memory device in response to a request from the host device 1 and the host device 2, whether to report information stored in the memory device 17 or the memory device 50 depends on the operation of the system. It depends.

1、2:上位装置
9:メモリ制御装置
3、4:メモリ制御回路
7、12:アクセス調停回路
8、13:シーケンサ回路
10、15:出力信号監視回路
11、16:同期調整回路
17、50:メモリ装置
40、41:プロセッサ
1, 2: Host device 9: Memory control device 3, 4: Memory control circuit 7, 12: Access arbitration circuit 8, 13: Sequencer circuit 10, 15: Output signal monitoring circuit 11, 16: Synchronization adjustment circuit 17, 50: Memory devices 40 and 41: processor

Claims (12)

上位装置とメモリ装置の間に設けられ、前記メモリ装置へのアクセスを制御するメモリ制御装置であって、同一の構成を有する主メモリ制御回路と従メモリ制御回路を有するメモリ制御装置において、
前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路は、各々前記メモリ装置へのアクセスに必要な信号の選択及びタイミングの生成を行うシーケンス回路と、前記主メモリ制御回路の前記シーケンス回路の出力信号と前記従メモリ制御回路の前記シーケンス回路の出力信号を比較する出力信号監視回路と、該出力信号監視回路が前記シーケンス回路の前記出力信号の不一致を検出した時に、前記メモリ制御装置から前記メモリ装置へのアクセスを継続しつつ信号不一致を検出した前記出力信号監視回路からの同期要求に基づき、前記シーケンス回路を初期化し、前記主メモリ制御回路と前記従メモリ制御回路を初期状態に戻しメモリアクセスを可能とする同期調整回路を有することを特徴とするメモリ制御装置。
A memory control device that is provided between a host device and a memory device and controls access to the memory device, and has a main memory control circuit and a sub memory control circuit having the same configuration.
The main memory control circuit and the sub memory control circuit respectively select a signal necessary for access to the memory device and generate a timing ; output signals of the sequence circuit of the main memory control circuit; An output signal monitoring circuit for comparing output signals of the sequence circuit of the memory control circuit, and an access from the memory control device to the memory device when the output signal monitoring circuit detects a mismatch of the output signals of the sequence circuit The sequence circuit is initialized based on the synchronization request from the output signal monitoring circuit that detects the signal mismatch while continuing the process, and the memory access is enabled by returning the main memory control circuit and the sub memory control circuit to the initial state. A memory control device comprising a synchronization adjustment circuit.
請求項1に記載のメモリ制御装置において、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の前記同期調整回路が相互に初期状態に戻ってメモリアクセス可能となる同期調整完了を報告することにより、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路の同期を完了することを特徴とするメモリ制御装置。 2. The memory control device according to claim 1, wherein the synchronization adjustment circuit of the main memory control circuit and the slave memory control circuit returns to the initial state and reports the completion of synchronization adjustment to enable memory access. A memory control device characterized by completing synchronization of a memory control circuit and a sub memory control circuit. 請求項1に記載のメモリ制御装置において、前記同期調整回路は、信号不一致に伴って出力する前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路への同期要求により前記シーケンス回路を初期状態に戻すことを特徴とするメモリ制御装置。   2. The memory control device according to claim 1, wherein the synchronization adjustment circuit returns the sequence circuit to an initial state in response to a synchronization request to the main memory control circuit and the sub memory control circuit that are output in accordance with a signal mismatch. Memory control device. 請求項1に記載のメモリ制御装置において、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路は、さらに、信号不一致に伴う前記同期調整回路の同期要求により前記シーケンス回路を初期状態に戻すアクセス調停回路を有することを特徴とするメモリ制御装置。   2. The memory control device according to claim 1, wherein the main memory control circuit and the sub memory control circuit further include an access arbitration circuit that returns the sequence circuit to an initial state in response to a synchronization request of the synchronization adjustment circuit due to a signal mismatch. A memory control device. 請求項3に記載のメモリ制御装置において、前記同期調整回路は前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路が初期状態に戻ってメモリアクセス可能となる同期調整を完了して次回アクセスに備えることを特徴とするメモリ制御装置。 4. The memory control device according to claim 3, wherein the synchronization adjustment circuit prepares for the next access after completing the synchronization adjustment in which the main memory control circuit and the sub memory control circuit return to an initial state and memory access becomes possible. Memory control device. 請求項4に記載のメモリ制御装置において、前記同期調整回路は前記アクセス調停回路の出力する同期完了応答に従って前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路が初期状態に戻ってメモリアクセス可能となる同期調整を完了して次回アクセスに備えることを特徴とするメモリ制御装置。 5. The memory control device according to claim 4, wherein the synchronization adjustment circuit is configured so that the main memory control circuit and the sub memory control circuit can return to the initial state and access the memory in accordance with a synchronization completion response output from the access arbitration circuit. And a memory control device for preparing for the next access. 請求項1乃至6のいずれかに記載のメモリ制御装置と、上位装置と、メモリ装置を有する電子回路において、前記メモリ制御装置の主メモリ制御回路にメモリ装置を接続したことを特徴とする電子回路。   7. An electronic circuit having a memory control device according to claim 1, a host device, and a memory device, wherein the memory device is connected to a main memory control circuit of the memory control device. . 請求項7に記載の電子回路において、前記メモリ制御装置の従メモリ制御回路に新たなメモリ装置を接続したことを特徴とする電子回路。   8. The electronic circuit according to claim 7, wherein a new memory device is connected to the slave memory control circuit of the memory control device. 請求項1乃至6のいずれかに記載のメモリ制御装置と、上位装置と、メモリ装置を有する電子回路において、前記上位装置を複数個設けたことを特徴とする電子回路。   7. An electronic circuit comprising: the memory control device according to claim 1; a host device; and an electronic circuit including the memory device, wherein a plurality of the host devices are provided. 請求項9に記載の電子回路において、前記複数個の上位装置をプロセッサから形成し、各プロセッサによる制御処理の結果について、相互突き合わせ照合を実施することを特徴とする電子回路。   The electronic circuit according to claim 9, wherein the plurality of higher-level devices are formed from processors, and the mutual matching is performed on the result of the control processing by each processor. 上位装置とメモリ装置の間に設けられ、前記メモリ装置へのアクセスを制御するメモリ制御装置が同一構成の主メモリ制御回路と従メモリ制御回路と、前記主メモリ制御回路と前記従メモリ制御回路に設けられるとともに、前記メモリ装置へのアクセスに必要な信号の選択及びタイミングの生成を行うシーケンス回路を有するメモリ制御装置の制御方法において、
前記主メモリ制御回路は、前記主メモリ制御回路の前記シーケンス回路の前記メモリ装置へ出力するデータ、アドレスを含む出力信号と前記従メモリ制御回路の前記シーケンス回路の出力信号を比較し、前記シーケンス回路の前記出力信号の不一致を検出したときに異常信号を出力するとともに、前記メモリ制御回路から前記メモリ装置へのアクセスを継続しつつ前記シーケンス回路を初期化して、前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路を初期状態に戻して前記主メモリ制御回路と前記従メモリ制御回路のメモリアクセスを可能とすることを特徴とするメモリ制御装置の制御方法。
A memory control device that is provided between the host device and the memory device and controls access to the memory device has the same configuration of the main memory control circuit, the sub memory control circuit , the main memory control circuit, and the sub memory control circuit. In a control method of a memory control device, comprising: a sequence circuit that is provided and selects a signal necessary for accessing the memory device and generates timing ;
The main memory control circuit compares an output signal including data and an address to be output to the memory device of the sequence circuit of the main memory control circuit with an output signal of the sequence circuit of the sub memory control circuit, and the sequence circuit When the output signal mismatch is detected, an abnormal signal is output, and the sequence circuit is initialized while continuing to access the memory device from the memory control circuit, so that the main memory control circuit and the sub memory control control method for a memory controller, characterized in that to enable memory accesses to return the circuit to the initial state to the main memory control circuit said slave memory control circuit.
請求項11に記載のメモリ制御装置の制御方法において、前記主メモリ制御回路は、前記主メモリ制御回路の前記シーケンス回路の出力信号と前記従メモリ制御回路の前記シーケンス回路の出力信号を比較し、前記シーケンス回路の前記出力信号の不一致を検出したときに前記主メモリ制御回路及び従メモリ制御回路を初期状態に戻して次回アクセスに備えることを特徴とするメモリ制御装置の制御方法。 12. The control method of a memory control device according to claim 11 , wherein the main memory control circuit compares an output signal of the sequence circuit of the main memory control circuit with an output signal of the sequence circuit of the sub memory control circuit, A control method for a memory control device , comprising: when a mismatch between the output signals of the sequence circuit is detected , returning the main memory control circuit and the sub memory control circuit to an initial state to prepare for the next access.
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