JP5334471B2 - ガラス基板の加工方法 - Google Patents

ガラス基板の加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5334471B2
JP5334471B2 JP2008171101A JP2008171101A JP5334471B2 JP 5334471 B2 JP5334471 B2 JP 5334471B2 JP 2008171101 A JP2008171101 A JP 2008171101A JP 2008171101 A JP2008171101 A JP 2008171101A JP 5334471 B2 JP5334471 B2 JP 5334471B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
scribing
divided
processing method
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008171101A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010006672A (ja
Inventor
正行 佐竹
進喜 大竹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Amorton Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Amorton Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Amorton Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2008171101A priority Critical patent/JP5334471B2/ja
Publication of JP2010006672A publication Critical patent/JP2010006672A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5334471B2 publication Critical patent/JP5334471B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを用いたガラス基板の加工方法及びその加工方法により形成された分割ガラス基板を用いた太陽電池時計に関する。
従来のガラス基板の加工方法には、板ガラスを円形状に切削する加工方法はあるが、熟練した技術が必要となる。そのため、一般的には板ガラスを四角板に切削した後に周囲を研磨して円形状に加工する方法が用いられる。
図7は、研磨機により、大部分を円加工し、その一部を直線加工して形成されるオリフラ(オリエンテーション フラットの略)付き分割ガラス基板の加工方法を説明する図である。
先ず、一辺が分割ガラス基板32の直径以上となるように、ガラス基板31を四角板状に切削する。その後、分割ガラス基板32となる部分を残して、その周囲(斜線部分)を研磨機により研磨する。
図8(A)及び(B)を用いて、研磨機に替えてスクライブ装置を用いた分割ガラス基板の加工方法を説明する。図8(A)は、普通刃を有するダイヤモンドカッターを使用した分割ガラス基板の加工方法である。図8(B)は、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを使用した分割ガラス基板の加工方法である。
図8(A)に示す如く、分割ガラス基板を加工する際、先ず、矢印[1]にて示すように、普通刃を有するダイヤモンドカッターを使用し、直線形状にスクライブする。次に、矢印[2]にて示すように、上記直線形状と交差するようにダイヤモンドカッターで円形状にスクライブする。尚、この時のスクライブ切削の条件は、矢印[1]及び[2]において送り速度と加圧とを同一とする。その後、スクライブ部分に押圧力を与えて、ガラス基板から分割ガラス基板33を分割する。
図8(B)では、上記図8(A)の説明と異なり、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを使用して分割ガラス基板を形成する加工方法である。この加工方法では、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターにて、直線形状と円形状とを繋げてスクライブする。その後、スクライブ部分に押圧力を加え、ガラス基板より分割ガラス基板34を分割する。具体的には、矢印[1]→矢印[2]→矢印[3]→矢印[4]の順序でガラス基板をスクライブする。そして、直線形状と繋がる円形状の最初と最後(図中矢印[2]及び[4])では、他の箇所よりもスクライブ速度を遅くすることで、垂直クラックの発生速度を調整する。例えば、スクライブ切削の条件は、矢印[1]及び[3]の送り速度は30mm/secとし、矢印[2]及び[4]の送り速度は10mm/secとし、矢印[1]〜[4]の全てにおける加圧は0.15Mpaとする。
該当なし
しかしながら、図7に示す従来の分割ガラス基板の加工方法では、加工形状は良いが、研磨機による作業のためリードタイムが長く生産性が低い。また、生産性を向上させるためには設備投資が必要となり、設備投資によるコストが高くなる問題点がある。
また、図8(A)に示す分割ガラス基板の加工方法では、その加工手段を研磨機から普通刃のダイヤモンドカッターを有するスクライブ装置に替えることで、分割ガラス基板を作成するリードタイムを大幅に短縮できる。しかしながら、生産性を向上させることはできたが、分割ガラス基板33における直線形状と円形状の境界部分では、製品不良の原因となる水平クラック35やツノ36が多発し、製品品質や歩留まりが悪化する問題点がある。
更に、図8(B)に示す分割ガラス基板の加工方法では、スクライブ装置のダイヤモンドカッターを普通刃から高浸透刃に替えることで、分割ガラス基板34における直線形状と円形状の境界部分での水平クラックの発生をゼロにすることができる。しかしながら、この加工方法においても、上記境界部分のツノ37の発生を解消できないという問題点がある。
上述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明のガラス基板の加工方法では、ガラス基板に対し、少なくとも円形状のスクライブと直線形状のスクライブとを組み合わせ、前記ガラス基板から分割ガラス基板を形成するガラス基板の加工方法において、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターにより前記ガラス基板に前記直線形状のスクライブを行う工程と、前記直線形状の一方の端部より少し離間した第1の離間領域から、前記ダイヤモンドカッターにより前記円形状のスクライブを開始し、前記直線形状の他方の端部より少し離間した第2の離間領域にて前記円形状のスクライブを終了する工程と、前記第1の離間領域と前記第2の離間領域に対し、前記ガラス基板のスクライブ面側から押圧力を加えることで、前記ガラス基板から前記分割ガラス基板を分割する工程とを有することを特徴とする。従って、本発明では、スクライブラインの直線形状と円形状の離間領域に水平クラックやツノの発生を抑制することができる。
また、本発明の太陽電池時計では、上記加工方法で形成した分割ガラス基板上に太陽電池を形成し、少なくとも前記太陽電池と、文字盤と、透光性蓋と、胴体とを有することを特徴とする。従って、本発明では、製品品質の優れた太陽電池を内蔵した太陽電池時計が実現できる。
本発明では、円形状と直線形状のスクライブを離間して行い、スクライブ後にその離間領域に押圧力を加え、ガラス基板から分割ガラス基板を分割する。この加工方法により、その離間領域での水平クラックの発生やツノの発生を抑制できる。
また、本発明では、研磨加工に替えてスクライブ加工により、ガラス基板から分割ガラス基板を分割する。この加工方法により、リードタイムを大幅に短縮でき、生産性が向上する。また、設備投資コストの抑制にも繋がる。
また、本発明では、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを用いてスクライブを行うことで、垂直クラックが、板厚の80%以上となる。この加工方法により、分割ガラス基板の分割面は研磨機で研磨した状態に近くなり、品質的にも優れた分割ガラス基板を提供できる。
また、本発明では、分割ガラス基板のツノの発生が抑制されることで、ツノを研磨する工程が不要となり、リードタイムの短縮や生産性の向上が実現される。
また、本発明では、上記加工方法による分割ガラス基板を太陽電池として組み込むことで、太陽電池時計の製品品質も向上させることができる。
以下に、本発明の第1の実施の形態であるガラス基板の加工方法について、図1〜図5を参照して説明する。図1は、ガラス基板に複数の分割ガラス基板をスクライブした状態を説明するための平面図である。図2は、スクライブ方法を説明するための平面図である。図3(A)は、普通刃を有するダイヤモンドカッターを用いてスクライブする加工方法を説明するための断面図である。図3(B)は、普通刃を有するダイヤモンドカッターを用いてスクライブすることで発生するクラックを説明するための断面図である。図4(A)は、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを用いてスクライブする加工方法を説明するための断面図である。図4(B)は、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを用いてスクライブすることで発生するクラックを説明するための断面図である。図5は、高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを用いてスクライブした後の分割断面を示す写真である。
図1に示す如く、ガラス基板1には、分割ガラス基板2の形状が多数個スクライブされる。分割ガラス基板2では、その大部分が円加工され、その一部が直線加工されることでオリフラが設けられた形状となる。
先ず、ガラス基板1から分割ガラス基板2へとスクライブ工程が行われる前に、各々の分割ガラス基板2上に太陽電池セルを形成する。太陽電池セルは、例えば、第1電極層、半導体層、第2電極層および保護膜からなり、それらは分割ガラス基板2上に、順次、堆積され、所望の形状に加工される。そして、太陽電池セルは、分割ガラス基板2のスクライブラインから1mm以内の領域には配置されない。この製造方法により、スクライブ時の鋭利な高浸透刃により、または、ガラス基板1から分割ガラス基板2の分割作業により太陽電池セルが破壊され、第1電極層と第2電極層とがショートすることを防止する。
次に、高浸透刃のダイヤモンドカッターを有するスクライブ装置を用い、ガラス基板1をスクライブする。
図2に示す如く、スクライブ切削の条件は、先ず、矢印[1]にて示すように、オリフラの直線形状の中心よりスクライブを開始し、直線形状と円形状の境界部近傍までガラス基板1をスクライブする。次に、矢印[2]〜矢印[4]にて示すように、円形状側の2箇所に約1mmの離間領域3、4となる未切削領域を設けて、ガラス基板1を円形状にスクライブする。最後に、矢印[5]にて示すように、直線形状の未切削領域をスクライブし、直線形状を繋げる。
具体的な条件としては、円形状の最初(矢印[2])と最後(矢印[4])のスクライブ切削送り速度は、途中(矢印[3])の送り速度よりも遅くし、垂直クラック11(図4(A)参照)の発生速度を調整する。そして、例えば、矢印[1]及び矢印[3]の送り速度は30mm/secとし、矢印[2]、矢印[4]及び矢印[5]の送り速度は10mm/secとし、加圧は矢印[1]〜[5]の全てにおいて0.15Mpaとする。このスクライブ切削送り速度の調整により、円形状の最初(矢印[2])と最後(矢印[4])の領域でのチッピングが、大幅に低減される。
ここで、図3及び図4を用いて、本実施の形態での高浸透刃のダイヤモンドカッターを用いてガラス基板をスクライブする際の特徴を説明する。高浸透刃とは、ガラス基板をスクライブする際に、ガラス基板の厚さ方向に対して約80%以上の垂直クラックを発生させる刃である。
先ず、図3(A)に示す如く、普通刃5のダイヤモンドカッターを用いてガラス基板6をスクライブした場合、ガラス基板6の厚さ方向に深さ約10%の垂直クラック7が発生する。具体的には、ガラス基板6の厚みが1.1mmの場合、普通刃5の刃先食込み量は約3μmとなり、垂直クラック7の深さは0.1〜0.15mmとなる。尚、垂直クラック7とは、ガラス基板を分割する場合において有用な厚さ方向のクラックのことである。
図3(B)に示す如く、普通刃5にてガラス基板6をスクライブした場合、垂直クラック7が浅いためガラス基板6の反力が大きくなり、不良の対象となる水平クラック8が発生する。尚、水平クラック8とは、垂直クラックの入った箇所からその水平方向に発生するクラックのことである。
次に、図4(A)に示す如く、高浸透刃9のダイヤモンドカッターを用いてガラス基板10をスクライブした場合、スクライブ直後に、ガラス基板10の厚さ方向に深さ80%近くの垂直クラック11が発生する。具体的には、ガラス基板10の厚みが1.1mmの場合、高浸透刃9の刃先食込み量は約6μmとなり、垂直クラック11の深さは0.8mm以上となる。図示したように、垂直クラック11の上側の斜線のハッチング部分が、高浸透刃9の刃先により、直接、切削される領域である。そして、その切削領域では、端部の角部(コーナー部)が、削り取られた形状となる。一方、垂直クラックの下側のハッチング無し部分は、高浸透刃9の刃先と、直接、接することなく、その断面に刃跡は形成されない。
図4(B)に示す如く、高浸透刃9にてガラス基板10をスクライブした場合、上述したように、垂直クッラク11が深く入ることで、ガラス基板の反力が微小となり、水平クラック8(図3(B)参照)の発生が抑制される。
従って、本実施の形態のように、ガラス基板1(図1参照)をスクライブし、分割ガラス基板2(図1参照)を形成する際、高浸透刃9のダイヤモンドカッターを有するスクライブ装置を用いることで、水平クラックによる不良の発生を抑制できる。
次に、ガラス基板1をスクライブした後、ガラス基板1から分割ガラス基板2を分割する。尚、適宜、図1及び図2を参照する。
先ず、ガラス基板1をスクライブした後、作業員の親指にて、ガラス基板1のスクライブした面側の離間部分3、4を押さえて押圧力を加える。次に、ガラス基板1の下面(スクライブ面の反対面)側からスクライブラインの両側を作業員の両手の人差し指で上側方向に折り曲げるように引き上げる。この作業により、例えば、チョコレートを割るような感覚で分割ガラス基板2が、ガラス基板1から分割する。
具体的には、スクライブラインの直線形状と円形状との離間領域3、4では、ガラス基板1のスクライブした面側から押圧力が働く。一方、離間領域3、4では、この押圧力への反力、つまり、ガラス基板1の状態を維持しようとする力が発生する。このとき、高浸透刃9によりスクライブした領域(直線形状と円形状の両領域)では、垂直クラック11が形成されているため、ガラス基板1は容易に破断する。そして、離間領域3、4では、ガラス基板1の下面側から破断が広がり、上記反力が横方向(深さ方向に対し垂直方向)への圧力となる。その結果、離間領域3、4では、円形状端部から直線形状の端部へ向けて横方向の割れが広がるため、離間領域3、4は綺麗に分割され、分割ガラス基板2はガラス基板1より分割される。そして、直線形状と円形状の境界領域では、従来問題であった水平クラックやツノの発生が抑制される。
尚、上記作業員による分割工程では、一気に素早く行うとスクライブラインの直線形状と円形状の境界領域に、切り欠けやチッピングが発生し易く、ゆっくり作業することが重要となる。
図5では、スクライブラインの直線形状と円形状の境界領域、つまり、離間領域3、4の分割断面を示す。図示したように、紙面左側の高浸透刃の刃跡12が、図2の矢印[1]の領域と対応し、紙面右側の高浸透刃の刃跡13が図2の矢印[2]の領域と対応し、その間に位置する分割跡14が、図2の離間領域3と対応する。そして、離間領域3では、上記反力により、円形状端部から直線形状端部へと横方向の割れが広がり、直線形状と円形状との境界部は綺麗に繋がっている。従って、離間領域3には、スクライブラインの直線形状と円形状のように、高浸透刃9(図4(A)参照)による刃跡12、13は生じない。尚、上述したように、刃跡12、13とは、高浸透刃9の刃先により、直接、切削され端部の角部(コーナー部)が、削り取られた領域である。
また、図示したように、スクライブラインの直線形状と円形状の刃跡12、13の下方断面では、その分割面が、研磨機で研磨した状態に近くなる。上述したように、高浸透刃のダイヤモンドカッターを用いることで、ガラス基板の板厚の厚さ方向に80%以上の割れが生じるからである。その結果、その分割断面の品質性にも優れた分割ガラス基板を提供することができる。
最後に、本実施の形態では、離間領域3、4(図2参照)の距離をガラス基板1(図1参照)の厚み以上(この場合は、約1mm)とすることで、離間領域3、4に上記反力が発生し易くなり、その結果、作業員による手割りを容易に実現することができる。
また、研磨機から高浸透刃のダイヤモンドカッターを有するスクライブ装置に変更することで、ガラス基板を四角板状に切削した分割ガラス基板の周囲を研磨する加工方法と比較して、リードタイムが大幅に短縮される。また、連続してスクライブできるため、一度に複数の分割ガラス基板を生産でき、生産性が向上し、設備投資コストの抑制にも繋がる。
次に、本発明の第2の実施の形態である太陽電池時計について、図6を参照し、詳細に説明する。図6は、本実施の形態の太陽電池時計を説明するための分解斜視図である。
図6に示す如く、太陽電池時計21は、例えば、時計の胴体22内に文字板23、太陽電池24、二次電池25を備えたムーブメント26が配置される。そして、胴体22は、透明なガラス、プラスチック等からなる透光性の高いカバー用蓋体27により封止される。
太陽電池24は、光起電力効果を利用し、光エネルギーから電力を発生させる変換器であり、例えば、4つのユニットに区切られた太陽電池セルを有する。各太陽電池セルでは、文字板23を通り抜けた光を受光し、電力を発電し、その電力は二次電池25に蓄えられる。そして、この電力により太陽電池時計21が駆動する。
このとき、太陽電池セルは、上記第1の実施の形態で形成された分割ガラス基板2(図1参照)上に、例えば、第1電極層、半導体層、第2電極層および保護膜が積層され、所望の形状に加工される。上述したように、分割ガラス基板2は、スクライブラインの直線形状と円形状の境界領域に、ツノ37(図8(B)参照)が発生することがない。そのため、太陽電池24は、確実に、時計の胴体22内に収納される。また、分割ガラス基板2は、スクライブラインの直線形状と円形状の境界領域に、切り欠きが発生することもない。そのため、太陽電池セルが、分割ガラス基板2の切り欠きにより破壊されることもなく、製品品質を向上させ、歩留まりも向上させる。
本発明の実施の形態におけるガラス基板の加工方法を説明するための平面図である。 本発明の実施の形態におけるガラス基板のスクライブ方法を説明する平面図である。 本発明の実施の形態における普通刃を有するダイヤモンドカッターを用いた(A)スクライブ方法を説明するための断面図、(B)スクライブにより発生するクラックを説明するための断面図である。 本発明の実施の形態における高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを用いた(A)スクライブ方法を説明するための断面図、(B)スクライブにより発生するクラックを説明するための断面図である。 本発明の実施の形態における高浸透刃を有するダイヤモンドカッターを用いてスクライブした後の分割断面を示す写真である。 本発明の実施の形態における太陽電池時計を説明するための分解斜視図である。 従来の実施の形態における研磨機を用いたガラス基板の加工方法を説明するための平面図である。 従来の実施の形態におけるスクライブ装置を用いたガラス基板の加工方法を説明するための(A)平面図、(B)平面図である。
符号の説明
1 ガラス基板
2 分割ガラス基板
3 離間領域
9 高浸透刃
11 垂直クラック
21 太陽電池時計
24 太陽電池

Claims (5)

  1. ガラス基板に対し、少なくとも円形状のスクライブと直線形状のスクライブとを組み合わせ、前記ガラス基板から分割ガラス基板を形成するガラス基板の加工方法において、
    高浸透刃を有するダイヤモンドカッターにより前記ガラス基板に前記直線形状のスクライブを行う工程と、
    前記直線形状の一方の端部より少し離間した第1の離間領域から、前記ダイヤモンドカッターにより前記円形状のスクライブを開始し、前記直線形状の他方の端部より少し離間した第2の離間領域にて前記円形状のスクライブを終了する工程と、
    前記第1の離間領域と前記第2の離間領域に対し、前記ガラス基板のスクライブ面側から押圧力を加えることで、前記ガラス基板から前記分割ガラス基板を分割する工程とを有することを特徴とするガラス基板の加工方法。
  2. 前記円形状のスクライブ工程では、前記第1の離間領域近傍のスクライブ速度と前記第2の離間領域近傍のスクライブ速度は、前記円形状のその他領域でのスクライブ速度よりも遅くなることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の加工方法。
  3. 前記分割工程では、前記ガラス基板に前記押圧力に対向して発生する反力を利用し、前記円形状の端部側から前記直線形状の両端部側へと向かう横方向の割れにより、前記第1の離間領域と前記第2の離間領域を前記ガラス基板から分割することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガラス基板の加工方法。
  4. 前記第1の離間領域及び前記第2の離間領域では、前記ダイヤモンドカッターによる刃跡が形成されないことを特徴とする請求項3に記載のガラス基板の加工方法。
  5. 前記第1の離間領域と前記第2の離間領域では、その離間距離は、前記ガラス基板の板厚以上に設定することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のガラス基板の加工方法。
JP2008171101A 2008-06-30 2008-06-30 ガラス基板の加工方法 Active JP5334471B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008171101A JP5334471B2 (ja) 2008-06-30 2008-06-30 ガラス基板の加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008171101A JP5334471B2 (ja) 2008-06-30 2008-06-30 ガラス基板の加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010006672A JP2010006672A (ja) 2010-01-14
JP5334471B2 true JP5334471B2 (ja) 2013-11-06

Family

ID=41587588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008171101A Active JP5334471B2 (ja) 2008-06-30 2008-06-30 ガラス基板の加工方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5334471B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5156085B2 (ja) * 2010-12-13 2013-03-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合せ基板の分断方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4559605B2 (ja) * 2000-09-28 2010-10-13 シチズンホールディングス株式会社 電子機器
JP2005225713A (ja) * 2004-02-12 2005-08-25 Hoya Corp 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
JP2006240948A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラス板製品を切り抜きにより製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010006672A (ja) 2010-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101275739B1 (ko) 파쇄되기 쉬운 평판 가공물 표면에 새긴 금을 따라기계적인 자동 절단법
DE60313900D1 (de) Methode zur Trennung von Substraten
JP2004259846A (ja) 基板上形成素子の分離方法
CN111029301A (zh) 一种碳化硅基晶圆的加工方法
CN106142761A (zh) 薄玻璃加工方法
CN111900081B (zh) 一种硅基led芯片的切割方法
JP4744517B2 (ja) フィルム切断剥離用刃物およびフィルム切断剥離装置
JP5334471B2 (ja) ガラス基板の加工方法
TW201622041A (zh) 基板之分斷方法及分斷裝置
JP5357580B2 (ja) 溝加工ツールおよびこれを用いた薄膜太陽電池の溝加工方法
JP2007045656A (ja) ワーク分断装置およびそれを用いて製作した表示板
CN108929042A (zh) 一种玻璃盖板加工方法、玻璃盖板及终端设备
JP5330907B2 (ja) 脆性材料基板の分断方法
JP2015070135A (ja) イメージセンサ用ウエハ積層体の分断方法並びに分断装置
CN202556603U (zh) 一种待切割的硅棒
JP2006150642A (ja) セル及びセルの製造方法
TW202122230A (zh) 透過刀鋒形狀調整鋒利度之切割刀輪
JP2007258321A (ja) 発光素子の製造方法
CN106458691B (zh) 脆性基板的分断方法
JP2007069477A (ja) スクライブ装置およびそれを用いて製作した表示板
CN204504511U (zh) 切割设备
CN107108322B (zh) 脆性衬底的分断方法
CN116300171A (zh) 一种改善端子线路划伤的分板方法
JP2017001191A (ja) 貼り合わせ基板の分断装置
JP2010083016A (ja) 脆性材料基板のスクライブ方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20101213

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20101213

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110527

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130702

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130730

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5334471

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250