本発明は、ナノオーダーサイズの三次元周期構造を有した三次元構造体に関する。特に、階層的な周期構造をも有した三次元構造体に関する。
機能性材料の薄膜を得る方法を、すでに本願発明者らは、下記特許文献1において開示している。特に、この特許文献1においては、ナノオーダーサイズの三次元周期構造を有した三次元構造体が開示されている。
特開平3−50111号公報
上記特許文献1の三次元構造体は、単一の大きさの繰り返し構造である三次元周期構造であったため、これをテンプレートとして、その表面を転写して三次元周期構造を有したセラミックス薄膜を形成すると、表面がほぼ均一なものを提供できる。しかしながら、このような薄膜では、表面において、物質拡散・反応界面を確保するという点では、十分とは言えなかった。
そこで、本発明の目的は、表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜などの機能性材料を形成することが可能なテンプレートとなる三次元構造体を提供することである。
課題を解決するための手段及び効果
(1) 本発明は、ナノオーダーサイズの三次元周期構造を有した三次元構造体であって、前記三次元周期構造の表面に、表面修飾された複数の粒子が周期的に付与されているものである。なお、前記粒子が、表面修飾されたものであることが好ましい。
上記(1)の構成により、三次元周期構造中に2次構造を持つ階層的な周期構造を有した三次元構造体を提供できる。なお、この三次元構造体をテンプレートとし、その空隙に、例えば、金属セラミックス薄膜を液相析出法などにより成長させ、前記三次元構造体を除去することで、2次構造を持つ階層的な周期構造を有したセラミックス薄膜を製造できる。したがって、表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜を製造できる。また、前記粒子が、表面修飾されたものである場合には、さらに階層のあるものとできる。
上記(1)の三次元構造体においては、前記三次元周期構造が、複数の円柱状構造体を周期的に並列させたものであり、前記粒子が、前記円柱状構造体の曲面に沿って円環状に配列されている。
上記の三次元構造体をテンプレートとし、その空隙に、例えば、金属セラミックス薄膜を液相析出法などにより成長させ、前記三次元構造体を除去することで、周期的に配列された複数の穴と、該穴の内部側壁に沿って円環状に形成された階層的な周期構造とを有したセラミックス薄膜を製造できる。したがって、確実に、表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜を製造できる。
(2) 或いは、前記粒子が、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、アセチルセルロース等の中から選ばれる1種以上のものである。
ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、アセチルセルロース等である粒子は、有機溶媒などで溶出することができるものである。したがって、上記三次元構造体をテンプレートとし、その空隙に、例えば、金属セラミックス薄膜を液相析出法などにより成長させ、前記三次元構造体を除去する際に、有機溶媒を用いれば、容易に粒子も除去できる。その結果として、階層的な周期構造を金属セラミックス薄膜に容易に形成できる。
(3) 上記(2)の三次元構造体においては、前記三次元周期構造が、円状断面の複数の穴を周期的に並列させたものであり、前記粒子が、前記穴の内部に装填されているものであってもよい。なお、ここでの「円状断面」とは、楕円断面などの略円状の断面も含むものとする。
上記(3)の三次元構造体をテンプレートとし、その空隙に、例えば、金属セラミックス薄膜を液相析出法などにより成長させ、前記三次元構造体を除去することで、周期的に並列させた複数の柱状構造体と、該柱状構造体の内部及び壁面に形成された階層的周期構造とを有したセラミックス薄膜を製造できる。したがって、確実に、表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜を製造できる。
(4) 上記(2)の三次元構造体においては、さらに他の観点として、前記三次元周期構造が、複数の溝部を周期的に並列させたものであり、前記粒子が、前記溝部内に装填されているものであってもよい。
上記(4)の三次元構造体をテンプレートとし、その空隙に、例えば、金属セラミックス薄膜を液相析出法などにより成長させ、前記三次元構造体を除去することで、周期的に並列させた長尺状突出部と、該長尺状突出部間の溝部に形成された階層的な周期構造とを有したセラミックス薄膜を製造できる。したがって、確実に、表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜を製造できる。
<第1実施形態>
次に、本発明の第1実施形態に係る三次元構造体について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る三次元構造体を示す模式図である。図2は、図1の粒子の拡大模式図である。図3は、図1の三次元構造体の製造工程について示した模式図であって、(a)が基板を所定の形状に形成した後の状態を示す図、(b)が(a)の基板に粒子を付与した後の三次元構造体を示す図である。
本実施形態の三次元構造体10は、複数の円柱状の突出部1、及び突出部1間に形成された間隙2を有した基体3(図3(a)参照)と、突出部1の壁面に周期的に付与された粒子4とを備えているものである。
基体3は、ポリスチレン、アセチルセルロース、PMMA、又はポリビニルアルコールなどからなるフィルム状のものである。
粒子4は、表面修飾されており、図2の模式図のように、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、アセチルセルロース等である粒子4aにアルキル基を有する界面活性剤又は長鎖アルキル基を有するイオン液体のカチオンなどの分子4bが付与されているものである。
次に、本実施形態の三次元構造体10の製造工程について説明する。
まず、電子ビーム描画法、フォトリソグラフィー法、又は、FIB法等の公知の方法で、基板の表面に、複数の穴を周期的に形成し、型を作製する。なお、必要に応じて、イオンエッチングなどのエッチングを基板表面に行ってもよい。
続いて、上記型の穴が形成されている側の表面に、ポリスチレン、アセチルセルロース、PMMA、又はポリビニルアルコールなどの樹脂を流し込み、固化させて、上記型の表面形状を転写し、突出部1及び間隙2を有した基体3を形成する。そして、上記型から、該基体3を取り外して、三次元構造体10の前駆体を形成する(図3(a)参照)。
そして、粒子4を突出部1の側面及び突出部1間に自己集積化させる(図3(b)参照)。これらの工程により、三次元構造体10が完成する。
ここで、使用できる上記型としては、金属、無機材料及び樹脂のいずれかで形成されているものを使用できる。例えば、Si、Au等を使用すると、公知のフォトリソグラフィー法によって、容易にナノオーダーサイズの三次元構造体を形成することができる。また、型に金属を使用する場合は、上記基体3に上記型の表面形状を転写した後、該基体3を取り外した後であっても、何度も繰返し使用できる。また、型に無機材料、例えば、SiO2、SiC、GaAs等を使用することもできる。
なお、図1及び図3(a)、(b)には、便宜のため、比較的少数の粒子4を突出部1の表面に付与したものしか示していないが、一変形例として、突出部1の曲面に沿って円環状(数珠状)に配列させてもよい(図示せず)。また、図4(第1実施形態の変形例に係る三次元構造体の突出部の上視拡大模式図)に示すように、突出部間の間隙の間隔にもよるが、分子が表面修飾された粒子5(図示していないが、表面修飾した分子が粒子5に付与されているものとする)を突出部6の曲面に沿って、複数の円環(数珠)が幾重にも積層されたような形状となるように配列させてもよい。
次に、上述した三次元構造体10を用いて、階層的な周期構造を有したセラミックス薄膜を形成する工程について説明する。
まず、上述した三次元構造体10の表面に、LPD法によって、セラミックス薄膜7を析出、積層させる(図5(a)〜図5(b)参照)。なお、図示しないが、この後、金属メッキのみ、又は、金属メッキ及び無機接着剤(金属、セラミックスに対して、高温下でも高い接着強度を示すもの)を用いて、セラミックス薄膜7の表面を固定してもよい。
続いて、樹脂製である三次元構造体10を、化学的又は熱的手法によって溶出する。これにより、セラミックス薄膜7を形成できる(図5(b)〜図5(c)参照)。
なお、LPD法に使用するセラミックス析出反応液においては、形成したいセラミックスが析出するように適宜選択してもよい。また、このセラミックス析出反応液をセラミックスの析出、積層の途中で濃度を変化させることで析出、積層するセラミックスの組織を連続的に変化する傾斜組織とすることができる。また、反応液自身を析出、積層の途中で変更することによって、組織、組成の異なる多組成積層組織を有するセラミックスを積層することができる。後述する各実施形態及び各変形例においても同様である。
LPD法によって形成されるセラミックスは、酸化物である。酸化物としては、例えば、TiO2、TaO、ZrO2、Fe2O3、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2等を例示することができる。これら酸化物を析出するためのセラミックス析出反応液は、順に(NH4)2TiF6、(NH4)2TaF6、(NH4)2ZrF6、(NH4)2FeF6、(NH4)2SiF6、(NH4)2AlF6、(NH4)2ZnF6、(NH4)2SnF6の夫々の溶液もしくはそれら金属フッ化錯体イオンを含む溶液にH3BO3を所定の濃度になるように混合して得られる水溶液を使用することができる。また、ドーピングもしくは析出状態、析出速度等の改善のための添加物、例えば、界面活性剤なども必要に応じて添加することも可能である。後述する各実施形態及び各変形例においても同様である。
本実施形態によれば、三次元周期構造中に2次構造を持つ階層的な周期構造を有した三次元構造体10を提供できる。なお、この三次元構造体10をテンプレートとし、その空隙に、例えば、金属セラミックス薄膜を液相析出法などにより成長させ、前記三次元構造体を除去することで、2次構造を持つ階層的な周期構造を有したセラミックス薄膜を製造できる。特に、本実施形態の三次元構造体10を用いれば、周期的に配列された複数の穴と、該穴の内部側壁に沿って円環状に形成された階層的な周期構造とを有したセラミックス薄膜7を製造できる。
なお、本実施形態においては、粒子4が表面修飾されているものであるが、一変形例として、粒子4の代わりに、表面修飾されていない粒子を用いてもよい。後述する各実施形態及び変形例においても同様である。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る三次元構造体について説明する。図6は、本発明の第2実施形態に係る三次元構造体の一部を示す拡大模式図である。
本実施形態の三次元構造体20は、断面が円状の複数の穴11を周期的に並列させた基体12と、穴11それぞれの内部に装填された複数の粒子13(図示していないが、表面修飾した分子が粒子13に付与されているものとする)とを有したものである。
粒子13は、第1実施形態の粒子4と同様のものである。また、基体12は、第1実施形態の基体3と同様の材料からなるものである。
次に、本実施形態の三次元構造体20の製造工程について説明する。
まず、電子ビーム描画法、フォトリソグラフィー法、又は、FIB法等の公知の方法で、第1実施形態で用いたものと同様の基板の表面に、複数の円柱状突起を周期的に形成し、型を作製する。なお、必要に応じて、イオンエッチングなどのエッチングを基板表面に行ってもよい。
続いて、上記型の円柱状突起が形成されている側の表面に、該円柱状突起を完全に覆った状態となるまで、ポリスチレン、アセチルセルロース、PMMA、又はポリビニルアルコールなどの樹脂を流し込み、固化させて、上記型の表面形状を転写し、基体12を形成する。そして、上記型から、該基体12を取り外して、三次元構造体20の前駆体を形成する。
そして、粒子13を基体12に形成された穴11の内部に自己集積化させ、装填する。これらの工程により、三次元構造体20が完成する。
次に、上述した三次元構造体20を用いて、階層的な周期構造を有したセラミックス薄膜を形成する工程について説明する。
まず、上述した三次元構造体20の穴11側の表面に、LPD法によって、セラミックス薄膜を析出、積層させる。LPD法を用いているので、穴11の間隙にはセラミックスが入り込む。なお、図示しないが、この後、金属メッキのみ、又は、金属メッキ及び無機接着剤(金属、セラミックスに対して、高温下でも高い接着強度を示すもの)を用いて、セラミックス薄膜の表面を固定してもよい。
続いて、樹脂製である三次元構造体20を、化学的又は熱的手法によって溶出する。これにより、粒子13の形状と同形状の空洞部分14aを内部又は壁面に有した複数の円柱状構造体14(図7の模式図参照)を周期的に並列させたセラミックス薄膜を形成できる。なお、空洞部分14aにおいては、一部が突出部25から露出しているものもある。
本実施形態によれば、三次元周期構造中に2次構造を持つ階層的な周期構造を有した三次元構造体20を提供できる。なお、この三次元構造体20をテンプレートとし、その空隙に、例えば、金属セラミックス薄膜を液相析出法などにより成長させ、前記三次元構造体を除去することで、2次構造を持つ階層的な周期構造を有したセラミックス薄膜を製造できる。特に、本実施形態の三次元構造体20を用いれば周期的に並列させた複数の円柱状構造体14と、円柱状構造体14の内部及び壁面に形成された階層的な周期構造(複数の空洞部分14a)とを有したセラミックス薄膜を製造できる。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る三次元構造体について説明する。図8は、本発明の第3実施形態に係る三次元構造体の一部を示す拡大模式図であって、(a)が上視図、(b)が側面図である。
本実施形態の三次元構造体30は、表面に沿って長尺状の複数の突出部21と突出部21間に形成された複数の溝部22とを有した基体23、各溝部22内に周期的に付与された粒子24とを備えているものである。
粒子24は、第1実施形態の粒子4と同様のものである。また、基体23は、第1実施形態の基体3と同様の材料からなるものである。
次に、本実施形態の三次元構造体30の製造工程について説明する。
まず、電子ビーム描画法、フォトリソグラフィー法、又は、FIB法等の公知の方法で、第1実施形態で用いたものと同様の基板の表面に、複数の長尺状の突出部を周期的に形成し、型を作製する。なお、必要に応じて、イオンエッチングなどのエッチングを基板表面に行ってもよい。
続いて、上記型の長尺状の突出部が形成されている側の表面に、該突出部を完全に覆った状態となるまで、ポリスチレン、アセチルセルロース、PMMA、又はポリビニルアルコールなどの樹脂を流し込み、固化させて、上記型の表面形状を転写し、基体12を形成する。そして、上記型から、該基体12を取り外して、三次元構造体20の前駆体を形成する。
そして、粒子24を基体23に形成された溝部22内に自己集積化させ、装填する。これらの工程により、三次元構造体30が完成する。
次に、上述した三次元構造体30を用いて、階層的な周期構造を有したセラミックス薄膜を形成する工程について説明する。
まず、上述した三次元構造体30の溝部22側の表面に、LPD法によって、セラミックス薄膜を析出、積層させる。LPD法を用いているので、溝部22の間隙にはセラミックスが入り込む。なお、図示しないが、この後、金属メッキのみ、又は、金属メッキ及び無機接着剤(金属、セラミックスに対して、高温下でも高い接着強度を示すもの)を用いて、セラミックス薄膜の表面を固定してもよい。
続いて、樹脂製である三次元構造体30を、化学的又は熱的手法によって溶出する。これにより、粒子24の形状と同形状の空洞部分25aを内部又は壁面に有した複数の突出部25及び突出部25間に形成された溝部26(図9の模式図参照)を周期的に並列させたセラミックス薄膜を形成できる。なお、空洞部分25aにおいては、一部が突出部25から露出しているものもある。
本実施形態によれば、三次元周期構造中に2次構造を持つ階層的な周期構造を有した三次元構造体30を提供できる。なお、この三次元構造体30をテンプレートとし、その空隙に、例えば、金属セラミックス薄膜を液相析出法などにより成長させ、前記三次元構造体を除去することで、2次構造を持つ階層的な周期構造を有したセラミックス薄膜を製造できる。特に、本実施形態の三次元構造体30を用いれば、周期的に並列させた長尺状の突出部25と、該突出部25の内部及び壁面に形成された階層的周期構造(複数の空洞部分25a)とを有したセラミックス薄膜を製造できる。
次に、実施例を用いて、本発明を説明する。なお、本実施例では、表面修飾していないポリスチレン粒子を用いているが、このポリスチレン粒子に所定の分子(アルキル基を有する界面活性剤又は長鎖アルキル基を有するイオン液体の陽イオンなど)を付与して表面修飾することが容易であることは、言うまでもない。
(実施例1)
本実施例では、粒子が表面修飾されていない以外、第1実施形態の三次元構造体10と同様の形態の三次元構造体を作製した。具体的には、以下のようにして作製した。
まず、スピンコート法により、Si基板の表面に、電子線レジストとしてZEP520A(日本ゼオン(株)製)をコーティングした。続いて、電子ビームを照射して、目的のレジストパターンの前駆体となるレジストをSi基板表面上に作製した(電子ビーム描画法)。このときの電子ビーム描画法の条件は、以下のとおりである。
(1)ラスタースキャン(raster scan:電子銃が全領域をなぞり、電子ビームのON/OFFで図形を描画する)モード
(2)加速電圧:30kV、電流値:1×10−10A、照射時間:0.2μs/dot、径1000nmの円の範囲を縦横方向のそれぞれに2500nm周期で照射せずに、該範囲以外に照射。
(3)照射範囲(1チップ):100μm×100μm(20000×20000dot)、チップ数:50(行)×20(列)個
そして、上述の電子ビーム照射されたレジストを有したSi基板を、23.0℃の電子線レジスト用現像液(オルトキシレン)に50秒間浸漬し、レジストパターン(高さ:380nm、幅:690nmの円柱状の突起物を周期2500nmで縦横方向に並列させたもの)をSi基板表面に形成した。このSi基板表面におけるレジストパターンのSEM写真を、図10に示す。
次に、このSi基板のレジストパターン側の表面を、反応性イオンエッチング法を用いて、エッチングした。具体的には、まず、SF6を用いてSi基板のレジストパターン側の表面に等方エッチングを行った(第1工程:ガス流量4sccm、10秒間エッチング)後、C4F8を用いてエッチング面に保護膜を形成した(第2工程:ガス流量10sccm、15秒間エッチング)。次に、これら第1工程及び第2工程を1回として、合計で10回繰り返した後、酸素プラズマにより、C4F8を用いて形成したエッチング面の保護膜をエッチングした。なお、酸素プラズマエッチングにおいては、ガス流量50sccmで、200秒間のエッチングを行った。これにより、深さ1000nm、径850nm、周期2500nmで並列された複数の穴を表面に有したSi基板を得ることができた。このエッチング後のSi基板表面のSEM写真を、図11に示す。
次に、図11に示したSi基板表面に軟化しているアセチルセルロースを流し込み、このアセチルセルロースを固化させ、フィルム状構造体を形成した。そして、このフィルム状構造体をSi基板から取り外した。このフィルム状構造体の表面には、複数の突起部が周期的に並列され、図11に示したSi基板表面の形状が転写されていた。続いて、このフィルム状構造体の突起部側の表面に、径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させた。このようにして、本発明の実施例1に係る三次元構造体を得た。この三次元構造体を図12に示す。なお、図12(a)はポリスチレンを自己集積化させた三次元構造体表面のSEM写真、図12(b)は図12(a)の三次元構造体を拡大したSEM写真、図12(c)は図12(a)の三次元構造体の表面及び断面を示したSEM写真である。
ここで、LPD法を用いて、図12に示した三次元構造体の突起部側の表面に、セラミックス薄膜を形成してみた。具体的には、図12に示した三次元構造体を、SnF2(0.025mol/dm3)とH3BO3(0.2mol/dm3)とを混合した水溶液(30℃)に36時間浸漬し、SiO2セラミックスを析出、積層させた。その後、上記水溶液から三次元構造体を引上げ、SiO2セラミックスの外側の表面にNiメッキを施した。続いて、SiO2セラミックス薄膜が形成されている三次元構造体を、有機溶媒中に浸漬して、樹脂製である三次元構造体を溶出させた。これにより、Niメッキが片面に形成され、もう一方の面に、階層的な周期構造を有した複数の穴が周期的に並列して形成されたSiO2セラミックス薄膜を得た。
(実施例2)
本実施例では、粒子が表面修飾されていない以外、第2実施形態のテンプレート20と同様の形態のテンプレートを作製した。具体的には、以下のようにして作製した。
まず、スピンコート法により、Si基板の表面に、電子線レジストとしてZEP520A(日本ゼオン(株)製)をコーティングした。続いて、電子ビームを照射して、目的のレジストパターンの前駆体となるレジストをSi基板表面上に作製した(電子ビーム描画法)。このときの電子ビーム描画法の条件は、以下のとおりである。
(1)ラスタースキャン(raster scan:電子銃が全領域をなぞり、電子ビームのON/OFFで図形を描画する)モード
(2)加速電圧:30kV、電流値:1×10−10A、照射時間:0.2μs/dot、径1000nmの円の範囲を縦横方向のそれぞれに2500nm周期で照射。
(3)照射範囲(1チップ):100μm×100μm(20000×20000dot)、チップ数:50(行)×20(列)個
そして、上述の電子ビーム照射されたレジストを有したSi基板を、23.0℃の電子線レジスト用現像液(オルトキシレン)に50秒間浸漬し、レジストパターン(高さ:380nm、幅:690nmの穴を周期2500nmで縦横方向に並列させたもの)をSi基板表面に形成した。このSi基板表面におけるレジストパターンのSEM写真を、図13に示す。
次に、このSi基板のレジストパターン側の表面を、反応性イオンエッチング法を用いて、エッチングした。具体的には、まず、SF6を用いてSi基板のレジストパターン側の表面に等方エッチングを行った(第1工程:ガス流量4sccm、10秒間エッチング)後、C4F8を用いてエッチング面に保護膜を形成した(第2工程:ガス流量10sccm、15秒間エッチング)。次に、これら第1工程及び第2工程を1回として、合計で10回繰り返した後、酸素プラズマにより、C4F8を用いて形成したエッチング面の保護膜をエッチングした。なお、酸素プラズマエッチングは、ガス流量50sccm、120秒間エッチングの条件で行った。これにより、高さ1000nm、幅1000nm、周期2500nmの円柱状の突起部を表面に有したSi基板を得ることができた。このエッチング後のSi基板表面のSEM写真を、図14に示す。
次に、図14に示したSi基板表面に軟化しているアセチルセルロースを流し込み、このアセチルセルロースを固化させ、フィルム状構造体を形成した。そして、このフィルム状構造体をSi基板から取り外した。このフィルム状構造体の表面には、複数の穴部が周期的に並列され、図14に示したSi基板表面の形状が転写されていた。続いて、このフィルム状構造体の穴部側の表面及び穴部内に、径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させた。このようにして、本発明の実施例2で使用するテンプレートを得た。このテンプレートを図15に示す。なお、図15(a)はポリスチレンを自己集積化させたテンプレート表面のSEM写真、図15(b)は図15(a)のテンプレート表面を拡大して示したSEM写真である。
ここで、実施例1と同様に、LPD法を用いて、図15に示したテンプレートの穴部側の表面に、本実施例に係る三次元構造体を試作してみた。具体的には、図15に示したテンプレートを、SnF2(0.025mol/dm3)とH3BO3(0.2mol/dm3)とを混合した水溶液(30℃)に36時間浸漬し、SiO2セラミックスを析出、積層させた。その後、上記水溶液からテンプレートを引上げ、SiO2セラミックスの外側の表面にNiメッキを施した。続いて、SiO2セラミックス薄膜が形成されているテンプレートを、有機溶媒中に浸漬して、樹脂製であるテンプレートを溶出させた。これにより、Niメッキが片面に形成され、もう一方の面に、階層的な周期構造を有した複数の円柱状構造体が周期的に並列して形成されたSiO2セラミックス薄膜からなる、本実施例に係る三次元構造体を得た。この本実施例に係る三次元構造体の表面のSEM写真を図16、図17に示す。なお、図16は、本実施例に係る三次元構造体の表面を真上から見た際のSEM写真であって、(a)〜(d)にかけて徐々に拡大表示したものであり、図17は、本実施例に係る三次元構造体の表面を斜視した際のSEM写真であって、(a)〜(d)にかけて徐々に拡大表示したものである。図16(d)及び図17(c)、(d)から、本実施例に係る三次元構造体の表面に形成された円柱状構造体が、内部に階層的な周期構造としての空洞(一部が表面に露出しているものもある)を複数有したものであることが確認できた。
(実施例3)
本実施例では、粒子が表面修飾されていない以外、第3実施形態のテンプレート30と同様の形態のテンプレートを作製した。具体的には、以下のようにして作製した。なお、本実施例においては、大きく、実施例3−1、実施例3−2、実施例3−3と分けて説明する。
まず、スピンコート法により、Si基板の表面に、電子線レジストとしてZEP520A(日本ゼオン(株)製)をコーティングした。続いて、電子ビームを照射して、目的のレジストパターンの前駆体となるレジストをSi基板表面上に作製した(電子ビーム描画法)。このときの電子ビーム描画法の条件は、以下のとおりである。
(1)ベクタースキャン(vector scan:電子銃を任意の位置に動かして描画する)モード
(2)実施例3−1、実施例3−2、実施例3−3の全てについて、加速電圧:30kV、電流値:1×10−10A、照射時間:0.2μs/dotとした。また、実施例3−1については、現像後、表面に沿って長尺状の突出部となる部分(電子ビームが照射されない部分。以下同様。)の幅210nm、現像後、溝となる部分(電子ビームが照射される部分。以下同様。)の幅290nmとした(溝となる部分の周期:500nm)。実施例3−2については、現像後、表面に沿って長尺状の突出部となる部分の幅370nm、現像後、溝となる部分の幅630nmとした(溝となる部分の周期:1000nm)。実施例3−3については、現像後、表面に沿って長尺状の突起部となる部分の幅740nm、現像後、溝となる部分の幅1260nmとした(溝となる部分の周期:2000nm)。
(3)照射範囲(1チップ):100μm×100μm(20000×20000dot)、チップ数:100(行)×90(列)個
そして、上述の電子ビーム照射されたレジストを有したSi基板を、23.0℃の電子線レジスト用現像液(オルトキシレン)に50秒間浸漬し、レジストパターンをSi基板表面に形成した。実施例3−1、実施例3−2、実施例3−3のSi基板表面におけるレジストパターンのSEM写真を、それぞれ順に図18(a)〜(c)に示す。
次に、これら実施例3−1、実施例3−2、実施例3−3に係るSi基板のレジストパターン側の表面それぞれを、反応性イオンエッチング法を用いて、エッチングした。具体的には、まず、SF6を用いてSi基板のレジストパターン側の表面に等方エッチングを行った(第1工程:ガス流量4sccm、10秒間エッチング)後、C4F8を用いてエッチング面に保護膜を形成した(第2工程:ガス流量10sccm、15秒間エッチング)。次に、これら第1工程及び第2工程を1回として、実施例3−1については合計で3回、実施例3−1については合計で6回、実施例3−1については合計で12回、それぞれ繰り返した後、酸素プラズマにより、C4F8を用いて形成したエッチング面の保護膜をエッチングした。なお、酸素プラズマエッチングは、ガス流量50sccm、120秒間エッチングの条件で行った。これにより、実施例3−1については、表面に沿って幅250nmで形成された長尺状の突出部と、長尺状の突出部の間に形成された幅250nm、深さ250nmの溝とを、周期500nmで有したSi基板を得ることができた。また、実施例3−2については、表面に沿って幅500nmで形成された長尺状の突出部と、長尺状の突出部の間に形成された幅500nm、深さ550nmの溝とを、周期1000nmで有したSi基板を得ることができた。また、実施例3−3については、表面に沿って幅1000nmで形成された長尺状の突出部と、長尺状の突出部の間に形成された幅1000nm、深さ1020nmの溝とを、周期2000nmで有したSi基板を得ることができた。実施例3−1、実施例3−2、実施例3−3に係るエッチング後のSi基板表面のSEM写真を、それぞれ順に図19(a)〜(c)に示す。
次に、図19(a)〜(c)に示したSi基板それぞれの表面に軟化しているアセチルセルロースを流し込み、このアセチルセルロースを固化させ、3種類のフィルム状構造体を形成した。そして、これらのフィルム状構造体をSi基板から取り外した。これらのフィルム状構造体の表面には、表面に沿って形成された複数の長尺状の突出部と、該突出部間に形成された複数の溝とが周期的に並列され、図19(a)〜(c)に示したSi基板それぞれの表面が転写されていた。続いて、図19(a)〜(c)に示したSi基板を用いて形成したフィルム状構造体それぞれの表面の溝内に、ポリスチレン粒子を自己集積化させた。
具体的には、図19(a)に示したSi基板を用いて形成したフィルム状構造体の表面の溝内に、径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものと、径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものとを作製し、本発明の実施例3−1で使用するテンプレート2つを得た。このようにして得られた、本発明の実施例3−1で使用するテンプレート(径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたもの)のSEM写真を、図20(a)〜(c)に示す。ここで、図20(a)は表面を示したもの、図20(b)は図20(a)の表面を拡大したもの、図20(c)は図20(a)の表面を拡大斜視したものである。また、図20(d)に、本発明の実施例3−1で使用する他のテンプレート(径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたもの)の表面のSEM写真を示す。
また、図19(b)に示したSi基板を用いて形成したフィルム状構造体の表面の溝内に、径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものと、径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものと、径が400nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものとを作製し、本発明の実施例3−2で使用するテンプレート3つを得た。このようにして得られた、本発明の実施例3−2で使用するテンプレート(径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたもの)のSEM写真を、図21(a)〜(c)に示す。ここで、図21(a)は表面を示したもの、図21(b)は図21(a)の表面を拡大したもの、図21(c)は図21(a)の表面及び断面部を拡大斜視したものである。また、図21(d)に、本発明の実施例3−2で使用する他のテンプレート(径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたもの)の表面のSEM写真を示す。また、図21(e)に、本発明の実施例3−2で使用する別のテンプレート(径が400nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたもの)の表面のSEM写真を示す。
また、図19(c)に示したSi基板を用いて形成したフィルム状構造体の表面の溝内に、径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものと、径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものと、径が400nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものとを作製し、本発明の実施例3−3で使用するテンプレート3つを得た。このようにして得られた、本発明の実施例3−3で使用するテンプレート(径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたもの)のSEM写真を、図22(a)〜(c)に示す。ここで、図22(a)は表面を示したもの、図22(b)は図22(a)の表面を拡大したもの、図22(c)は図22(a)の表面及び断面部を拡大斜視したものである。また、図22(d)に、本発明の実施例3−3で使用するテンプレート(径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたもの)の表面のSEM写真を示す。また、図22(e)に、本発明の実施例3−3で使用するテンプレート(径が400nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたもの)の表面のSEM写真を示す。
ここで、実施例1と同様に、LPD法を用いて、図20(a)、図20(d)、図21(a)、図21(d)、図21(e)、図22(a)、図22(d)、及び図22(e)それぞれに示したテンプレートの突出部側の表面に、本実施例に係る三次元構造体を試作した。具体的には、図20(a)、図20(d)、図21(a)、図21(d)、図21(e)、図22(a)、図22(d)、及び図22(e)それぞれに示したテンプレートを、SnF2(0.025mol/dm3)とH3BO3(0.2mol/dm3)とを混合した水溶液(30℃)に36時間浸漬し、SiO2セラミックスを析出、積層させた。その後、上記水溶液からテンプレートを引上げ、SiO2セラミックスの外側の表面にNiメッキを施した。続いて、SiO2セラミックス薄膜が形成されているテンプレートを、有機溶媒中に浸漬して、樹脂製であるテンプレートを溶出させた。これにより、Niメッキが片面に形成され、もう一方の面に、階層的な周期構造を有した複数の突出部及び溝部が周期的に並列して形成されたSiO2セラミックス薄膜からなる、本実施例に係る三次元構造体をそれぞれ得た。これらの本実施例に係る三次元構造体のうち、図20(a)、図21(a)、図22(a)に示したテンプレートを用いて作製したものの表面のSEM写真を、順に、図23、図24、図25に示す。なお、図23(a)、図24(a)、図25(a)は、順に実施例3−1、3−2、3−3に係る三次元構造体の表面を真上から見た際のSEM写真、図23(b)、図24(b)、図25(b)は、図23(a)、図24(a)、図25(a)のそれぞれを拡大表示したもの、図23(c)、図24(c)、図25(c)は、図23(a)、図24(a)、図25(a)の三次元構造体の表面及び断面部を拡大斜視したものである。このような図23、図24、図25に示したSEM写真から、本実施例に係る三次元構造体の表面に形成された突出部が、内部に階層的な周期構造としての空洞(一部が表面に露出しているものもある)を複数有したものであることが確認できた。
なお、本発明は、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で設計変更できるものであり、上記実施形態、変形例、及び実施例に限定されるものではない。
本発明の三次元構造体は、センサー、分子ふるい、エネルギー変換デバイス、とりわけ、薄膜電極として大面積が必要となる電池及びキャパシター材料などに適用できる。
本発明の第1実施形態に係る三次元構造体を示す模式図である。
図1の三次元構造体の階層的な周期構造を形成するのに用いた粒子の拡大模式図である。
本発明の第1実施形態に係る三次元構造体を製造するのに用いられるテンプレートの製造工程について示した模式図であって、(a)が基板を所定の形状に形成した後の状態を示す図、(b)が(a)の基板に図2の粒子を付与した後のテンプレートを示す図である。
第1実施形態の変形例に係るテンプレートの突出部の上視拡大模式図である。
図3(b)のテンプレートを用いて、本発明の第1実施形態に係る三次元構造体を形成する工程を示す模式図であって、(a)がセラミックス薄膜を形成する前のテンプレートを示す図、(b)が、LPD法により、セラミックス薄膜をテンプレートの表面に析出、積層している様子を示す図、(c)が完成した本発明の第1実施形態に係る三次元構造体を示す図、である。
本発明の第2実施形態に係る三次元構造体を製造するのに用いられるテンプレートの一部を示す拡大模式図である。
図6の構造を有したテンプレートを用いて作製した本発明の第2実施形態に係る三次元構造体の円柱状構造体を示す模式図である。
本発明の第3実施形態に係る三次元構造体を製造するのに用いられるテンプレートの一部を示す拡大模式図であって、(a)が上視図、(b)が側面図である。
本発明の第3実施形態に係る三次元構造体の一部を示す拡大模式図である。
実施例1で使用するテンプレートに係るSi基板表面におけるレジストパターンのSEM写真である。
実施例1で使用するテンプレートに係るエッチング後のSi基板表面のSEM写真である。
実施例1で使用するテンプレートに係るSEM写真であって、(a)はポリスチレンを自己集積化させたテンプレート表面のSEM写真、(b)は(a)のテンプレートの表面を拡大して示したSEM写真、(c)は(a)のテンプレートの表面及び断面を示したSEM写真である。
実施例2で使用するテンプレートに係るSi基板表面におけるレジストパターンのSEM写真である。
実施例2で使用するテンプレートに係るエッチング後のSi基板表面のSEM写真である。
実施例2に係るテンプレートのSEM写真であって、(a)はポリスチレンを自己集積化させたテンプレート表面のSEM写真、(b)は(a)のテンプレートの表面を拡大して示したSEM写真である。
本発明の実施例2に係る三次元構造体の表面を真上から見た際のSEM写真であって、(a)〜(d)にかけて徐々に拡大表示しているものである。
本発明の実施例2に係る三次元構造体の表面を斜視した際のSEM写真であって、(a)〜(d)にかけて徐々に拡大表示したものである。
(a)が実施例3−1で使用するテンプレートに係るSi基板表面におけるレジストパターンのSEM写真、(b)が実施例3−2で使用するテンプレートに係るSi基板表面におけるレジストパターンのSEM写真、(c)が実施例3−3で使用するテンプレートに係るSi基板表面におけるレジストパターンのSEM写真である。
(a)が実施例3−1で使用するテンプレートに係るエッチング後のSi基板表面のSEM写真、(b)が実施例3−2で使用するテンプレートに係るエッチング後のSi基板表面のSEM写真、(c)が実施例3−3で使用するテンプレートに係るエッチング後のSi基板表面のSEM写真である。
実施例3−1で使用するテンプレートに係るSEM写真であって、(a)は径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものの表面を示したもの、(b)は(a)の表面を拡大したもの、(c)は(a)の表面を拡大斜視したもの、(d)は径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものの表面を示したもの、である。
実施例3−2で使用するテンプレートに係るSEM写真であって、(a)は径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものの表面を示したもの、(b)は(a)の表面を拡大したもの、(c)は(a)の表面及び断面部を拡大斜視したもの、(d)は径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものの表面を示したもの、(e)は径が400nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものの表面を示したもの、である。
実施例3−3で使用するテンプレートに係るSEM写真であって、(a)は径が160nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものの表面を示したもの、(b)は(a)の表面を拡大したもの、(c)は(a)の表面及び断面部を拡大斜視したもの、(d)は径が230nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものの表面を示したもの、(e)は径が400nmのポリスチレン粒子を自己集積化させたものの表面を示したもの、である。
本発明の実施例3−1に係る三次元構造体のSEM写真であって、(a)はSiO2セラミックス薄膜の表面を真上から見たもの、(b)は(a)のそれぞれを拡大表示したもの、(c)は(a)のSiO2セラミックス薄膜の表面及び断面部を拡大斜視したものである。
本発明の実施例3−2に係る三次元構造体のSEM写真であって、(a)はSiO2セラミックス薄膜の表面を真上から見たもの、(b)は(a)のそれぞれを拡大表示したもの、(c)は(a)のSiO2セラミックス薄膜の表面及び断面部を拡大斜視したものである。
本発明の実施例3−3に係る三次元構造体のSEM写真であって、(a)はSiO2セラミックス薄膜の表面を真上から見たもの、(b)は(a)のそれぞれを拡大表示したもの、(c)は(a)のSiO2セラミックス薄膜の表面及び断面部を拡大斜視したものである。
符号の説明
1、6、21 突出部
2 間隙
3 基体
7 セラミックス薄膜
4、5、24 粒子(表面修飾されているもの)
4a 粒子(表面修飾されていないもの)
4b 分子
10、20、30 三次元構造体
11 穴
12 基体
13 粒子
14 円柱状構造体
14a 空洞部分
22、26 溝部
23 基体
25 突出部
25a 空洞部分