JP5324680B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
それぞれのプロセスを数式に表すと下記のようになる。
ジュール熱: η・I2 (2)
ペルチェ熱: α・T・I (3)
ここで、κ, η, αはそれぞれ熱伝導率、電気抵抗率、ゼーベック係数である。
κが小、
ηが低、
αが大
の材料が好適材料になる。例えばビスマス・テルル系の材料が多用され、半導体と言うより不純物を多く入れて金属的な性質にして利用している。条件を定量的に評価するために性能指数Zが導入される。性能指数Zは式(4)で与えられる。
Zが大きいとその材料の性能は高いことを意味する。Zの単位は[T-1]となるので、通常は絶対温度を乗じてZ・Tとして無次元にして評価する。熱流束などの計算ではZTとして入ってきて、Z単独では現れない。
冷却を行うペルチェ素子に接続される電源と、CPUやパワーデバイスの電源とは別電源系統で設けることが多い。これは、動作が全く異なるからである。例えば超伝導システムで利用されるペルチェ電流リード(PCL)(S. Yamaguchi et al, “Peltier current lead experiment and their applications for superconducting magnets”, Rev. Sci. Instrum., vol.75, pp. 207-212, 2004.)では、超伝導マグネットを励磁する電源と電流リードをペルチェ冷却する電源は同じである。同じ電源で冷却にも利用できれば電源システムの節約になる。
Y. Okamoto et al, “Infrared-reflection characterization of sintered SiC thermoelectric semiconductors with the use of a four-component effective medium model”, J. Applied Physics, vol. 85, pp. 6728-6737, 1999.
岡本庸一ほか、「ニッケルとシリコンを二重に添加したシリコンカーバイド焼結半導体の熱電特性」日本金属学会誌 第63巻第11号(1999)1443-1447.)。
本発明の自己冷却方式は、上記ダイオードのPN接合部以外にも、LED(Light Emitting Diode)、半導体レーザ等の素子のPN接合部にも適用できる。該素子を形成するP型素子とN型素子の少なくとも1方の素子に金属層を介して、前記1方の素子とは逆極性の熱電半導体素子を備える。前記P型素子のPN接合部に流れる電流の上流側に金属を介してN型熱電半導体素子を備えた構成としてもよい。あるいは、前記N型素子の前記PN接合部に流れる電流の下流側に金属を介してP型熱電半導体素子を備えた構成としてもよい。
また、上記実施例では、冷却手段(ペルチェ材料)として炭化ケイ素(SiC)を例に説明したが、窒化アルミニウムであってもよい。また、半導体素子がIGBTの場合、IGBTとN型材料(例えば図1の102)との間に金属層を備える。
102 N型材料
Claims (6)
- PN接合を形成し厚さが互いに異なるP型素子とN型素子のうち少なくとも厚さが薄い方の1方の素子に金属層を介して、前記厚さが薄い方の1方の素子とは逆極性の熱電半導体素子を備え、前記熱電半導体素子の断面は前記金属層と反対側の素子の断面よりも大とされる、半導体装置。
- 前記PN接合を形成する前記P型素子と前記N型素子について、前記P型素子の前記PN接合部に流れる電流の上流側に金属を介してN型熱電半導体素子を備えている請求項1記載の半導体装置。
- 前記PN接合を形成する前記P型素子と前記N型素子について、前記N型素子の前記PN接合部に流れる電流の下流側に金属を介してP型熱電半導体素子を備えている請求項1又は2記載の半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置が、前記PN接合を含むダイオード、LED(Light Emitting Diode)、半導体レーザのうちの少なくとも1つを含む半導体装置。
- 前記熱電半導体素子が炭化ケイ素又は窒化アルミニウムを含む請求項1乃至4のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記PN接合を通して電流が流れるとき、前記熱電半導体素子はペルチェ冷却素子として作用する請求項1乃至5のいずれか一に記載の半導体装置。
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