JP5323329B2 - Liquid crystal display - Google Patents

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本発明は、液晶表示装置に関し、特に、配向膜を有し、かつ、対向基板に設けられた柱状のスペーサとTFT基板に設けられた台座により液晶材料の厚さを均一にする液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having an alignment film and having a uniform thickness of liquid crystal material by columnar spacers provided on a counter substrate and a pedestal provided on a TFT substrate. It is related to effective technology when applied.

従来、液晶表示装置には、表示領域にアクティブ素子および画素電極をマトリクス状に配置したアクティブマトリクス型の液晶表示装置がある。前記アクティブマトリクス型の液晶表示パネルのうちの、前記アクティブ素子としてTFT素子を用いたアクティブマトリクス型TFT液晶表示装置は、たとえば、液晶テレビやPC用の液晶ディスプレイ、携帯型電子機器の液晶ディスプレイなどに用いられている。   Conventionally, liquid crystal display devices include active matrix liquid crystal display devices in which active elements and pixel electrodes are arranged in a matrix in a display area. Among the active matrix type liquid crystal display panels, active matrix type TFT liquid crystal display devices using TFT elements as the active elements include, for example, liquid crystal televisions, liquid crystal displays for PCs, and liquid crystal displays for portable electronic devices. It is used.

前記アクティブマトリクス型TFT液晶表示装置に用いられる液晶表示パネルは、2枚の基板の間に液晶材料が挟持(封入)されており、前記2枚の基板のうちの一方の基板は主にTFT基板と呼ばれ、他方の基板は主に対向基板と呼ばれている。   In the liquid crystal display panel used in the active matrix TFT liquid crystal display device, a liquid crystal material is sandwiched (encapsulated) between two substrates, and one of the two substrates is mainly a TFT substrate. The other substrate is mainly called a counter substrate.

前記TFT基板は、ガラス基板などの第1の絶縁基板の表面に、たとえば、複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、複数個のTFT素子(アクティブ素子)、および複数個の画素電極、第1の配向膜などが配置されている基板である。また、前記対向基板は、ガラス基板などの第2の絶縁基板の表面に、たとえば、表示領域を画素単位の領域に分割する遮光膜(一般に、ブラックマトリクスと呼ばれる。)、カラーフィルタ、第2の配向膜などが配置されている基板である。なお、前記画素電極と対になる対向電極(共通電極と呼ぶこともある。)は、前記TFT基板に設けられていることもあるし、前記対向基板に設けられていることもある。   The TFT substrate is formed on the surface of a first insulating substrate such as a glass substrate, for example, a plurality of scanning signal lines, a plurality of video signal lines, a plurality of TFT elements (active elements), and a plurality of pixel electrodes. , A substrate on which a first alignment film and the like are arranged. The counter substrate is formed on the surface of a second insulating substrate such as a glass substrate, for example, a light-shielding film (generally called a black matrix) that divides a display region into pixel unit regions, a color filter, and a second filter. A substrate on which an alignment film or the like is disposed. Note that a counter electrode (also referred to as a common electrode) that is paired with the pixel electrode may be provided on the TFT substrate, or may be provided on the counter substrate.

また、液晶テレビやPC用の液晶ディスプレイは、近年、大画面化が進んでおり、前記TFT基板や前記対向基板が大面積化している。そのため、たとえば、前記TFT基板や前記対向基板がたわみやすく、表示領域の各点における液晶材料の厚み(セルギャップと呼ぶこともある。)が不均一になりやすい。そこで、近年の大型の液晶表示パネルでは、表示領域の各点における液晶材料の厚みを均一にするために、たとえば、前記対向基板に円錐台状または柱状のスペーサを設ける方法が提案されている(たとえば、特許文献1や特許文献2を参照。)。   In recent years, liquid crystal televisions and liquid crystal displays for PCs have been increased in screen size, and the TFT substrate and the counter substrate have increased in area. For this reason, for example, the TFT substrate and the counter substrate are easily bent, and the thickness of the liquid crystal material (also referred to as a cell gap) at each point in the display region is likely to be uneven. Therefore, in recent large-sized liquid crystal display panels, in order to make the thickness of the liquid crystal material uniform at each point of the display region, for example, a method of providing a frustoconical or columnar spacer on the counter substrate has been proposed ( For example, see Patent Document 1 and Patent Document 2.)

また、前記対向基板に前記スペーサを設ける場合、前記対向基板側の配向膜は、たとえば、前記スペーサが設けられた面の上に配置(形成)されており、前記スペーサの頂上部にも配向膜が形成されている。しかしながら、前記スペーサの頂上部に配向膜があると、たとえば、前記TFT基板との摩擦で前記スペーサの頂上部にある配向膜が剥がれ、液晶材料中の異物になり、表示品質が低下するという問題が発生しやすい。このような問題を回避する方法として、たとえば、レベリングにより前記スペーサの頂上部における配向膜の厚さを実質的に0μmにする方法が提案されている(たとえば、特許文献3を参照。)。
特開2005−242297号公報 特開2005−316375号公報 特開2000−267114号公報
When the spacer is provided on the counter substrate, the alignment film on the counter substrate side is disposed (formed) on the surface on which the spacer is provided, and the alignment film is also formed on the top of the spacer. Is formed. However, if there is an alignment film on the top of the spacer, for example, the alignment film on the top of the spacer peels off due to friction with the TFT substrate, and becomes a foreign substance in the liquid crystal material, resulting in a deterioration in display quality. Is likely to occur. As a method for avoiding such a problem, for example, a method has been proposed in which the thickness of the alignment film on the top of the spacer is substantially 0 μm by leveling (see, for example, Patent Document 3).
JP 2005-242297 A JP 2005-316375 A JP 2000-267114 A

ところで、液晶表示パネルにおいて、前記対向基板に前記スペーサを配置する場合、前記スペーサは、たとえば、前記TFT基板の前記走査信号線のうちの、前記映像信号線と交差する領域および前記TFT素子が配置された領域以外の領域と対向する位置に配置することがある。このとき、前記TFT基板の前記スペーサと対向する位置には、前記スペーサを受ける突起状の台座が設けられる。   By the way, in the liquid crystal display panel, when the spacer is disposed on the counter substrate, for example, the spacer includes a region intersecting the video signal line and the TFT element in the scanning signal line of the TFT substrate. In some cases, it is arranged at a position facing a region other than the region that has been set. At this time, a projecting pedestal for receiving the spacer is provided at a position facing the spacer on the TFT substrate.

前記TFT基板の台座は、たとえば、前記走査信号線の上に、前記映像信号線と同じ材料からなる導電膜を形成して設けており、頂上部が概ね平坦な立体形状になっている。   The base of the TFT substrate is provided, for example, by forming a conductive film made of the same material as that of the video signal line on the scanning signal line, and has a substantially flat three-dimensional shape at the top.

また、前記TFT基板の配向膜は、前記台座が設けられた面に配置(形成)されるので、従来の液晶表示パネルでは、前記台座の頂上部にも配向膜が形成されている。そのため、従来の液晶表示パネルでは、たとえば、前記スペーサの頂上部との摩擦で前記台座の頂上部にある配向膜が剥がれ、液晶材料中の異物になり、表示品質が低下するという問題が発生しやすい。   Further, since the alignment film of the TFT substrate is disposed (formed) on the surface provided with the pedestal, in the conventional liquid crystal display panel, the alignment film is also formed on the top of the pedestal. Therefore, in the conventional liquid crystal display panel, for example, the alignment film on the top of the pedestal peels off due to friction with the top of the spacer, and becomes a foreign substance in the liquid crystal material, resulting in a problem that display quality is deteriorated. Cheap.

また、前記TFT基板の台座の高さは、前記対向基板のスペーサの高さよりも十分に低いので、たとえば、前記特許文献3に記載されたような方法で前記台座の頂上部における配向膜の厚さを実質的に0μmにするのは非常に難しいという問題もある。   Further, since the height of the pedestal of the TFT substrate is sufficiently lower than the height of the spacer of the counter substrate, for example, the thickness of the alignment film on the top of the pedestal by the method described in Patent Document 3 is used. There is also a problem that it is very difficult to make the thickness substantially 0 μm.

本発明の目的は、たとえば、液晶表示パネルにおいて、TFT基板の台座の周辺にある配向膜の剥がれを防ぐことが可能な技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique capable of preventing peeling of an alignment film around a base of a TFT substrate, for example, in a liquid crystal display panel.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。   The outline of typical inventions among the inventions disclosed in the present application will be described as follows.

(1)第1の基板と第2の基板との間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを有し、前記第1の基板は、第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の表面上に配置された複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、複数個のTFT素子、および複数個の画素電極と、前記第1の絶縁基板の前記走査信号線、前記映像信号線、前記TFT素子、および前記画素電極が配置された面の最上層に設けられた第1の配向膜とを有し、前記第2の基板は、第2の絶縁基板と、前記第2の絶縁基板の表面上に配置された複数個の概略柱状のスペーサと、前記第2の絶縁基板の前記スペーサが配置された面の最上層に設けられた第2の配向膜とを有する液晶表示装置であって、前記第1の基板の前記第1の配向膜を配置する面は、前記第2の基板の前記スペーサと対向する位置に、頂上部が概ね平坦な突出した台座を有し、前記第1の基板の前記台座は、前記第1の配向膜を配置する面からの高さが、前記第2の基板の前記第2の配向膜を配置する面からの前記スペーサの高さよりも低く、かつ、平面で見たときの前記頂上部の外周と前記第1の絶縁基板の前記表面との距離が、当該台座の前記頂上部の外周を1周する間に、1回以上変動する液晶表示装置。   (1) A liquid crystal display panel in which a liquid crystal material is sealed between a first substrate and a second substrate is included, and the first substrate is a first insulating substrate and a surface of the first insulating substrate. A plurality of scanning signal lines, a plurality of video signal lines, a plurality of TFT elements, and a plurality of pixel electrodes, and the scanning signal lines of the first insulating substrate, the video signal lines, The TFT element, and a first alignment film provided on an uppermost layer on the surface on which the pixel electrode is disposed, wherein the second substrate is a second insulating substrate and the second insulating substrate A plurality of substantially columnar spacers disposed on the surface of the second insulating substrate, and a second alignment film provided on the uppermost layer of the surface of the second insulating substrate on which the spacers are disposed. The surface of the first substrate on which the first alignment film is disposed is the space of the second substrate. And the top of the first substrate has a height from the surface on which the first alignment film is disposed, and the second substrate has a height from the surface on which the first alignment film is disposed. The distance between the outer periphery of the top and the surface of the first insulating substrate when viewed in a plane is lower than the height of the spacer from the surface on which the second alignment film is disposed. A liquid crystal display device that changes once or more during one round of the outer periphery of the top of the pedestal.

(2)前記(1)の液晶表示装置において、前記第2の基板の前記スペーサは、前記第1の基板の前記走査信号線のうちの、前記映像信号線と交差する領域および前記TFT素子が配置された領域以外の領域と対向する位置に配置されている液晶表示装置。   (2) In the liquid crystal display device according to (1), the spacer of the second substrate includes a region of the scanning signal line of the first substrate intersecting with the video signal line and the TFT element. A liquid crystal display device arranged at a position facing a region other than the arranged region.

(3)前記(1)または(2)の液晶表示装置において、前記第1の絶縁基板の前記表面のうちの、前記第2の基板の前記スペーサと対向する位置には、それぞれ、前記走査信号線、前記映像信号線、前記TFT素子、および前記画素電極のいずれとも独立した島状の膜が配置されており、前記島状の膜は、平面で見たときの外周の一部分が、当該島状の膜の中心側に後退している液晶表示装置。   (3) In the liquid crystal display device according to (1) or (2), each of the scanning signal is provided at a position of the surface of the first insulating substrate facing the spacer of the second substrate. An island-shaped film independent of any of the line, the video signal line, the TFT element, and the pixel electrode is disposed, and the island-shaped film has a part of the outer periphery when viewed in a plane. Liquid crystal display device which is receding to the center side of the film.

(4)前記(3)の液晶表示装置において、前記島状の膜は、前記映像信号線と同じ材料からなる導電膜である液晶表示装置。   (4) The liquid crystal display device according to (3), wherein the island-shaped film is a conductive film made of the same material as the video signal line.

(5)前記(1)または(2)の液晶表示装置において、前記第1の絶縁基板の前記表面のうちの、前記第2の基板の前記スペーサと対向する位置には、それぞれ、前記走査信号線、前記映像信号線、前記TFT素子、および前記画素電極のいずれとも独立した島状の第1の膜および第2の膜が配置されており、前記第1の膜は、平面で見たときに前記第2の膜と重なる領域および重ならない領域を有し、前記第2の膜は、平面で見たときに前記第1の膜と重なる領域および重ならない領域を有する液晶表示装置。   (5) In the liquid crystal display device according to (1) or (2), the scanning signal is provided at a position of the surface of the first insulating substrate facing the spacer of the second substrate. An island-shaped first film and a second film independent of any of a line, the video signal line, the TFT element, and the pixel electrode are disposed, and the first film is viewed in a plan view. The liquid crystal display device has a region overlapping with the second film and a region not overlapping with the second film, and the second film includes a region overlapping with the first film and a region not overlapping when viewed in a plane.

(6)前記(5)の液晶表示装置において、前記第2の膜のうちの、前記第1の膜と重なる領域は、前記第1の絶縁基板からみて前記第1の膜の上に乗り上げている液晶表示装置。   (6) In the liquid crystal display device according to (5), a region of the second film that overlaps the first film runs on the first film as viewed from the first insulating substrate. Liquid crystal display device.

(7)前記(6)の液晶表示装置において、前記第1の膜は、平面で見たときの外周のうちの、前記第2の膜と重ならない部分の一部分が、当該第1の膜の中心側に後退している液晶表示装置。   (7) In the liquid crystal display device according to (6), the first film has a portion of a portion of the outer periphery of the first film that does not overlap with the second film when viewed in a plane. A liquid crystal display that recedes to the center.

(8)前記(5)乃至(7)のいずれかの液晶表示装置において、前記第1の膜は、前記TFT素子の半導体層と同じ材料からなる半導体膜であり、前記第2の膜は、前記映像信号線と同じ材料からなる導電膜である液晶表示装置。   (8) In the liquid crystal display device according to any one of (5) to (7), the first film is a semiconductor film made of the same material as the semiconductor layer of the TFT element, and the second film is A liquid crystal display device which is a conductive film made of the same material as the video signal line.

本発明の液晶表示装置によれば、第1の基板(TFT基板)の台座の周辺にある配向膜の剥がれを防ぐことができる。   According to the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to prevent peeling of the alignment film around the base of the first substrate (TFT substrate).

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態(実施例)とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail together with embodiments (examples) with reference to the drawings.
In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same function are given the same reference numerals and their repeated explanation is omitted.

図1(a)および図1(b)と、図2(a)乃至図2(d)は、本発明に関わる液晶表示パネルの概略構成の一例と、従来の液晶表示パネルにおける問題点を説明するための模式図である。
図1(a)は、本発明に関わる液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。図1(b)は、図1(a)のA−A’線における液晶表示パネルの模式断面図である。
図2(a)は、従来の液晶表示パネルのTFT基板における1つの画素の構成の一例を示す模式平面図である。図2(b)は、図2(a)のB−B’線における液晶表示パネルの模式断面図である。図2(c)は、図2(a)のC−C’線における液晶表示パネルの模式断面図である。図2(d)は、図2(a)のD−D’線における液晶表示パネルの模式断面図である。
なお、図2(b)乃至図2(d)では、偏光板や位相差板は省略している。
1A and 1B and FIGS. 2A to 2D illustrate an example of a schematic configuration of a liquid crystal display panel according to the present invention and problems in a conventional liquid crystal display panel. It is a schematic diagram for doing.
FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of a schematic configuration of a liquid crystal display panel according to the present invention. FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display panel taken along line AA ′ in FIG.
FIG. 2A is a schematic plan view showing an example of the configuration of one pixel in a TFT substrate of a conventional liquid crystal display panel. FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display panel taken along the line BB ′ in FIG. FIG. 2C is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display panel taken along line CC ′ in FIG. FIG. 2D is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display panel taken along the line DD ′ in FIG.
In FIG. 2B to FIG. 2D, a polarizing plate and a retardation plate are omitted.

本発明は、たとえば、図1(a)および図1(b)に示すように、TFT基板1と対向基板2との間に液晶材料3が封入された液晶表示パネルに適用される。このとき、TFT基板1と対向基板2とは、表示領域DAを囲む環状のシール材4で接着されており、液晶材料3は、TFT基板1、対向基板2、およびシール材4で囲まれた空間に密封されている。   The present invention is applied, for example, to a liquid crystal display panel in which a liquid crystal material 3 is sealed between a TFT substrate 1 and a counter substrate 2 as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). At this time, the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 are bonded by an annular sealing material 4 surrounding the display area DA, and the liquid crystal material 3 is surrounded by the TFT substrate 1, the counter substrate 2, and the sealing material 4. Sealed in space.

また、液晶表示パネルが透過型または半透過型である場合、TFT基板1および対向基板2の外側を向いた面、すなわち液晶材料3と対向する面の裏面には、それぞれ、下偏光板5Aおよび上偏光板5Bが設けられている。またこのとき、たとえば、TFT基板1と下偏光板5Aとの間、および対向基板2と上偏光板5Bとの間に、それぞれ、1層または複数層の位相差板が設けられていてもよい。   When the liquid crystal display panel is a transmissive type or a transflective type, the lower polarizing plate 5A and the lower polarizing plate 5A and An upper polarizing plate 5B is provided. At this time, for example, one or more retardation plates may be provided between the TFT substrate 1 and the lower polarizing plate 5A and between the counter substrate 2 and the upper polarizing plate 5B, respectively. .

また、液晶表示パネルが反射型である場合は、通常、TFT基板1側の下偏光板5Aや位相差板などは不要である。   Further, when the liquid crystal display panel is of a reflective type, the lower polarizing plate 5A, the retardation plate, etc. are usually unnecessary on the TFT substrate 1 side.

また、本発明に関わる液晶表示パネルの表示領域DAは、たとえば、マトリクス状に配置された複数個の画素の集合で設定されており、1つの画素の構成は、たとえば、図2(a)乃至図2(d)に示したような構成になっている。   Further, the display area DA of the liquid crystal display panel according to the present invention is set, for example, as a set of a plurality of pixels arranged in a matrix, and the configuration of one pixel is, for example, that shown in FIGS. The configuration is as shown in FIG.

TFT基板1は、ガラス基板などの光透過率が高い第1の絶縁基板SUB1の表面上に、複数本の走査信号線GLおよび複数本の保持容量線CL、対向電極CT、第1の絶縁層PAS1、TFT素子の半導体層SCT、複数本の映像信号線DL、TFT素子のドレイン電極SD1およびソース電極SD2、第2の絶縁層PAS2、画素電極PX、配向膜ORI1が積層配置されている。   The TFT substrate 1 includes a plurality of scanning signal lines GL, a plurality of storage capacitor lines CL, a counter electrode CT, and a first insulating layer on the surface of a first insulating substrate SUB1 having a high light transmittance such as a glass substrate. A PAS1, a TFT element semiconductor layer SCT, a plurality of video signal lines DL, a TFT element drain electrode SD1 and a source electrode SD2, a second insulating layer PAS2, a pixel electrode PX, and an alignment film ORI1 are stacked.

対向電極CTは、たとえば、ITO膜などの光透過率が高い導電膜で形成されている。また、複数本の走査信号線GLおよび複数本の保持容量線CLは、たとえば、アルミニウム膜などの導電膜で形成されている。また、複数本の保持容量線CLは、2本の隣接する走査信号線GLの間ごとに配置されており、かつ、表示領域DAの外側においてバスラインなどで電気的に接続されている。   The counter electrode CT is formed of a conductive film having a high light transmittance such as an ITO film, for example. Further, the plurality of scanning signal lines GL and the plurality of storage capacitor lines CL are formed of a conductive film such as an aluminum film, for example. In addition, the plurality of storage capacitor lines CL are arranged between two adjacent scanning signal lines GL, and are electrically connected by a bus line or the like outside the display area DA.

対向電極CT、複数本の走査信号線GLおよび複数本の保持容量線CLを形成するときには、たとえば、まず、第1の絶縁基板SUB1の表面全体にITO膜およびアルミニウム膜を続けて成膜する。そして、当該アルミニウム膜をエッチングして複数本の走査信号線GLおよび複数本の保持容量線CLを形成した後、続けてITO膜をエッチングして対向電極CTを形成する。このような手順で形成すると、たとえば、図2(b)や図2(d)に示したように、第1の絶縁基板SUB1と走査信号線GLとの間、および第1の絶縁基板SUB1と保持容量線CLとの間にITO膜が残る。   When forming the counter electrode CT, the plurality of scanning signal lines GL, and the plurality of storage capacitor lines CL, for example, first, an ITO film and an aluminum film are successively formed on the entire surface of the first insulating substrate SUB1. Then, after the aluminum film is etched to form a plurality of scanning signal lines GL and a plurality of storage capacitor lines CL, the ITO film is subsequently etched to form the counter electrode CT. When formed in such a procedure, for example, as shown in FIGS. 2B and 2D, between the first insulating substrate SUB1 and the scanning signal line GL and the first insulating substrate SUB1. The ITO film remains between the storage capacitor line CL.

なお、対向電極CT、複数本の走査信号線GLおよび複数本の保持容量線CLを形成するときには、たとえば、第1の絶縁基板SUB1の表面全体にITO膜を成膜し、当該ITO膜をエッチングして対向電極CTを形成した後、第1の絶縁基板SUB1の表面全体にアルミニウム膜を成膜し、当該アルミニウム膜をエッチングして複数本の走査信号線GLおよび複数本の保持容量線CLを形成してもよい。またさらに、第1の絶縁基板SUB1の表面全体にアルミニウム膜を成膜し、当該アルミニウム膜をエッチングして複数本の走査信号線GLおよび複数本の保持容量線CLを形成した後、第1の絶縁基板SUB1の表面全体にITO膜を成膜し、当該ITO膜をエッチングして対向電極CTを形成してもよい。   When forming the counter electrode CT, the plurality of scanning signal lines GL, and the plurality of storage capacitor lines CL, for example, an ITO film is formed on the entire surface of the first insulating substrate SUB1, and the ITO film is etched. After forming the counter electrode CT, an aluminum film is formed on the entire surface of the first insulating substrate SUB1, and the aluminum film is etched to form a plurality of scanning signal lines GL and a plurality of storage capacitor lines CL. It may be formed. Furthermore, after forming an aluminum film on the entire surface of the first insulating substrate SUB1 and etching the aluminum film to form a plurality of scanning signal lines GL and a plurality of storage capacitor lines CL, the first film The counter electrode CT may be formed by forming an ITO film on the entire surface of the insulating substrate SUB1 and etching the ITO film.

第1の絶縁層PAS1は、たとえば、シリコン酸化膜で形成されており、TFT素子(アクティブ素子)のゲート絶縁膜としての機能の他に、たとえば、走査信号線GLと映像信号線DLとの接触、および保持容量線CLと映像信号線DLとの接触などを防ぐ絶縁膜としての機能を有し、第1の絶縁基板SUB1の表面全体に形成されている。   The first insulating layer PAS1 is formed of, for example, a silicon oxide film. In addition to the function as the gate insulating film of the TFT element (active element), for example, contact between the scanning signal line GL and the video signal line DL is performed. , And functions as an insulating film that prevents contact between the storage capacitor line CL and the video signal line DL, and is formed on the entire surface of the first insulating substrate SUB1.

TFT素子の半導体層SCTは、たとえば、アモルファスシリコンなどの非晶質半導体または多結晶シリコンなどの多結晶半導体で形成されている。TFT素子の半導体層SCTを形成するときには、たとえば、第1の絶縁層PAS1の表面全体にアモルファスシリコン膜を成膜した後、当該アモルファスシリコン膜をエッチングして形成する。また、アモルファスシリコン膜をエッチングして島状の半導体層SCTを形成するときには、たとえば、図2(a)および図2(b)に示すように、走査信号線GLと映像信号線DLとが交差する領域、および保持容量線CLと映像信号線DLとが交差する領域に、走査信号線GLと映像信号線DLとの接触、および保持容量線CLと映像信号線DLとの接触を防ぐための短絡防止層SCSを形成することもある。   The semiconductor layer SCT of the TFT element is formed of, for example, an amorphous semiconductor such as amorphous silicon or a polycrystalline semiconductor such as polycrystalline silicon. When forming the semiconductor layer SCT of the TFT element, for example, an amorphous silicon film is formed over the entire surface of the first insulating layer PAS1, and then the amorphous silicon film is etched. When the island-shaped semiconductor layer SCT is formed by etching the amorphous silicon film, for example, as shown in FIGS. 2A and 2B, the scanning signal line GL and the video signal line DL intersect. To prevent the contact between the scanning signal line GL and the video signal line DL and the contact between the storage capacitor line CL and the video signal line DL in a region where the storage capacitor line CL and the video signal line DL intersect. A short-circuit prevention layer SCS may be formed.

複数本の映像信号線DL、TFT素子のドレイン電極SD1およびソース電極SD2は、TFT素子の半導体層SCTなどが形成された第1の絶縁層PAS1の表面に形成されている。   The plurality of video signal lines DL, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 of the TFT element are formed on the surface of the first insulating layer PAS1 on which the semiconductor layer SCT of the TFT element and the like are formed.

複数本の映像信号線DL、TFT素子のドレイン電極SD1およびソース電極SD2を形成するときには、たとえば、TFT素子の半導体層SCTなどが形成された第1の絶縁層PAS1の表面全体にアルミニウム膜などの導電膜を成膜した後、当該アルミニウム膜をエッチングして形成する。このとき、TFT素子のドレイン電極SD1は、たとえば、映像信号線DLと一体形成する。なお、図2(a)に示したTFT素子では、ドレイン電極SD1の平面形状がU字型であるが、これに限らず、他の平面形状であってもよい。   When forming the plurality of video signal lines DL, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 of the TFT element, for example, an aluminum film or the like is formed on the entire surface of the first insulating layer PAS1 in which the semiconductor layer SCT of the TFT element is formed. After the conductive film is formed, the aluminum film is formed by etching. At this time, the drain electrode SD1 of the TFT element is formed integrally with the video signal line DL, for example. In the TFT element shown in FIG. 2A, the planar shape of the drain electrode SD1 is U-shaped. However, the planar shape is not limited to this, and may be other planar shapes.

第2の絶縁層PAS2は、たとえば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などで形成されており、第1の絶縁基板SUB1の表面全体に形成されている。   The second insulating layer PAS2 is formed of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film, and is formed over the entire surface of the first insulating substrate SUB1.

画素電極PXは、たとえば、ITO膜などの光透過率が高い導電膜で形成されており、スルーホールTHによってソース電極SD2と接続している。   The pixel electrode PX is formed of a conductive film having a high light transmittance such as an ITO film, for example, and is connected to the source electrode SD2 through the through hole TH.

また、画素電極PXと対向電極CTは、液晶材料3の液晶分子を駆動させる電界を制御するための電極であり、第1の絶縁基板SUB1からみて上層にある画素電極PXの平面形状は、たとえば、図2(c)に示すように、対向電極CTと平面でみて重なる領域に複数本のスリット(開口部)を有するくし歯状になっている。   The pixel electrode PX and the counter electrode CT are electrodes for controlling the electric field that drives the liquid crystal molecules of the liquid crystal material 3, and the planar shape of the pixel electrode PX in the upper layer as viewed from the first insulating substrate SUB1 is, for example, As shown in FIG. 2C, it has a comb-like shape having a plurality of slits (openings) in a region overlapping with the counter electrode CT when seen in a plan view.

配向膜ORI1は、たとえば、ポリイミド膜で形成されており、第1の絶縁基板SUB1の表面の最上層、言い換えると、第2の絶縁層PAS2の表面(画素電極PXが形成されている面)の上に配置(形成)される。   The alignment film ORI1 is formed of, for example, a polyimide film, and is the uppermost layer on the surface of the first insulating substrate SUB1, in other words, the surface of the second insulating layer PAS2 (the surface on which the pixel electrode PX is formed). Arranged (formed) on top.

一方、対向基板2の絶縁基板SUB2(以下、第2の絶縁基板SUB2と呼ぶ。)の表面(TFT基板1に対向する面)には、たとえば、図2(b)乃至図2(d)に示すように、遮光膜BM、カラーフィルタCFR,CFG,CFB、平坦化膜PAS3、スペーサPS、および配向膜ORI2などが設けられている。   On the other hand, the surface (surface facing the TFT substrate 1) of the insulating substrate SUB2 (hereinafter referred to as the second insulating substrate SUB2) of the counter substrate 2 is, for example, as shown in FIGS. 2 (b) to 2 (d). As shown, a light shielding film BM, color filters CFR, CFG, CFB, a planarizing film PAS3, a spacer PS, an alignment film ORI2, and the like are provided.

遮光膜BMは、たとえば、クロムなどの光透過率がほぼ0である材料を用いて形成されており、その平面形状は、たとえば、表示領域DAを画素ごとに分割するような網目状になっている。   The light shielding film BM is formed using a material having a light transmittance of almost 0, such as chromium, and the planar shape thereof is, for example, a mesh shape that divides the display area DA for each pixel. Yes.

カラーフィルタCFR,CFG,CFBは、液晶表示パネルがカラー表示に対応したものである場合に設けられるフィルタである。このとき、図2(a)に示した1つの画素は、たとえば、サブ画素と呼ばれ、走査信号線GLの延在方向に並んだ3つのサブ画素により映像または画像の1ドットが構成される。またこのとき、映像または画像の1ドットを構成する3つのサブ画素は、たとえば、赤色のカラーフィルタCFRが設けられたサブ画素と、緑色のカラーフィルタCFGが設けられたサブ画素と、青色のカラーフィルタCFBが設けられたサブ画素からなる。   The color filters CFR, CFG, and CFB are filters provided when the liquid crystal display panel is compatible with color display. At this time, one pixel shown in FIG. 2A is called, for example, a sub-pixel, and one sub-pixel of an image or an image is constituted by three sub-pixels arranged in the extending direction of the scanning signal line GL. . At this time, the three sub-pixels constituting one dot of the video or image are, for example, a sub-pixel provided with a red color filter CFR, a sub-pixel provided with a green color filter CFG, and a blue color It consists of a sub-pixel provided with a filter CFB.

平坦化膜PAS3は、たとえば、第2の絶縁基板SUB2の遮光膜BMおよびカラーフィルタCFR,CFG,CFBが形成された面の表面を平坦にするための膜である。   The flattening film PAS3 is a film for flattening the surface of the second insulating substrate SUB2 on which the light shielding film BM and the color filters CFR, CFG, CFB are formed, for example.

スペーサPSは、たとえば、TFT基板1と対向基板2を重ね合わせたときに表示領域DAの各点における両基板の距離、言い換えると、各画素の光が透過する領域における液晶材料3の厚さが均一になるようにするためのものである。このとき、スペーサPSは、たとえば、感光性レジストを部分的に露光、現像して形成された円錐台形または柱状の突起であり、第2の絶縁基板SUB2からみた頂上部分PSが概ね平坦な面になっている。また、スペーサPSは、たとえば、TFT基板1の走査信号線GLのうちの、映像信号線DLと交差する領域およびTFT素子が配置された領域の外側において、頂上部分PSの平坦な面が走査信号線GLに対向するような位置に形成される。 The spacer PS is, for example, the distance between the two substrates at each point of the display area DA when the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 are overlapped, in other words, the thickness of the liquid crystal material 3 in the area where the light of each pixel is transmitted. It is for making it uniform. In this case, the spacers PS, for example, partially exposing the photosensitive resist is developed frustoconical or cylindrical projection formed, top portion PS T is generally flat surface viewed from the second insulating substrate SUB2 It has become. The spacer PS, for example, of the scanning signal line GL of the TFT substrate 1, the outer area of the region and TFT elements are arranged to intersect with the video signal lines DL, the flat surface of the top portion PS T scan It is formed at a position facing the signal line GL.

配向膜ORI2は、たとえば、ポリイミド膜で形成されており、第2の絶縁基板SUB2の表面の最上層、言い換えると、平坦化膜PAS3の表面(スペーサPSが形成されている面)の上に配置(形成)される。   The alignment film ORI2 is formed of, for example, a polyimide film, and is disposed on the uppermost layer on the surface of the second insulating substrate SUB2, in other words, on the surface of the planarization film PAS3 (surface on which the spacer PS is formed). (It is formed.

またこのとき、TFT基板1の、スペーサPSに対向する部分には、たとえば、図2(a)および図2(d)に示すように、島状の第1の膜6および第2の膜7が配置されており、配向膜ORI1が形成される面(第2の絶縁層PAS2の表面)に突起状の台座が設けられている。第1の膜6は、たとえば、映像信号線DLと同じ材料で形成された導電膜であり、第2の膜7は、たとえば、TFT素子の半導体層SCTと同じ材料で形成された半導体膜である。   Further, at this time, the island-shaped first film 6 and the second film 7 are formed on the portion of the TFT substrate 1 facing the spacer PS, for example, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (d). Are arranged, and a projecting pedestal is provided on the surface on which the alignment film ORI1 is formed (the surface of the second insulating layer PAS2). For example, the first film 6 is a conductive film formed of the same material as the video signal line DL, and the second film 7 is a semiconductor film formed of the same material as the semiconductor layer SCT of the TFT element, for example. is there.

ところで、図2(a)乃至図2(d)のような構成の液晶表示パネルにおいて、TFT基板1の配向膜ORI1および対向基板2の配向膜ORI2は、それぞれ、第1の絶縁基板SUB1の表面および第2の絶縁基板SUB2の表面の最上層に形成されている。そのため、TFT基板1と対向基板2を重ね合わせると、スペーサPSの頂上部分PSの配向膜ORI2と、TFT基板1の前記台座部分の配向膜ORI1が接触している。このとき、たとえば、液晶表示パネルの曲げ変形などによりTFT基板1の配向膜ORI1と対向基板2の配向膜ORI2との接触部分で摩擦が生じると、その摩擦により当該接触部分において配向膜ORI1,ORI2が剥がれ、液晶材料3中の異物になることがある。そして、液晶材料3中に剥がれた配向膜ORI1,ORI2があると、その周辺における液晶分子の配向に乱れが生じ、表示品質が低下するという問題が発生する。 By the way, in the liquid crystal display panel configured as shown in FIGS. 2A to 2D, the alignment film ORI1 of the TFT substrate 1 and the alignment film ORI2 of the counter substrate 2 are respectively surfaces of the first insulating substrate SUB1. And formed on the uppermost layer of the surface of the second insulating substrate SUB2. Therefore, when overlapping the TFT substrate 1 and the opposing substrate 2, and the orientation film ORI2 the top portion PS T of the spacer PS, orientation film ORI1 of the pedestal portion of the TFT substrate 1 is in contact. At this time, for example, when friction occurs at the contact portion between the alignment film ORI1 of the TFT substrate 1 and the alignment film ORI2 of the counter substrate 2 due to bending deformation of the liquid crystal display panel, the alignment films ORI1 and ORI2 at the contact portions due to the friction. May peel off and become a foreign material in the liquid crystal material 3. If the alignment films ORI1 and ORI2 are peeled off in the liquid crystal material 3, the alignment of the liquid crystal molecules in the periphery thereof is disturbed, resulting in a problem that display quality is deteriorated.

このような問題に対し、従来の液晶表示パネルでは、たとえば、図2(d)に示すように、対向基板2のスペーサPSの頂上部分PSにおける配向膜ORI2の厚さを、実質的に0μmにするような方法が提案されている(たとえば、特許文献3を参照。)。 With respect to such problems, in the conventional liquid crystal display panel, for example, as shown in FIG. 2 (d), the thickness of the orientation film ORI2 on the top portion PS T of the spacer PS of the counter substrate 2, substantially 0μm A method has been proposed (see, for example, Patent Document 3).

しかしながら、図2(d)に示したような構成にした場合でも、TFT基板1の配向膜ORI1に関しては、前記台座上における配向膜ORI1の厚さと、前記台座の外側における配向膜ORI1の厚さが、ほぼ同じ厚さになっている。   However, even in the case of the configuration shown in FIG. 2D, regarding the alignment film ORI1 of the TFT substrate 1, the thickness of the alignment film ORI1 on the pedestal and the thickness of the alignment film ORI1 on the outside of the pedestal. However, they are almost the same thickness.

また、TFT基板1の前記台座の高さは、第1の膜6の厚さと第2の膜7の厚さの和と同程度であり、スペーサPSの高さに比べて十分に低い。そのため、たとえば、特許文献3などに記載されているようなレベリングと呼ばれる方法で、前記台座上における配向膜ORI1の厚さを実質的に0μmにすることは非常に難しい。   Further, the height of the pedestal of the TFT substrate 1 is about the same as the sum of the thickness of the first film 6 and the thickness of the second film 7, and is sufficiently lower than the height of the spacer PS. Therefore, for example, it is very difficult to make the thickness of the alignment film ORI1 on the pedestal substantially 0 μm by a method called leveling as described in Patent Document 3 and the like.

このようなことから、従来の液晶表示パネルでは、TFT基板1の前記台座上において配向膜ORI1が剥がれ、液晶材料3中の異物になりやすいという問題があった。   For this reason, the conventional liquid crystal display panel has a problem that the alignment film ORI1 is peeled off on the pedestal of the TFT substrate 1 and easily becomes a foreign substance in the liquid crystal material 3.

図3(a)乃至図3(e)は、本発明による実施例1の液晶表示パネルの一構成例および製造方法を説明するための模式図である。
図3(a)は、実施例1の液晶表示パネルにおけるTFT基板の一構成例を示す模式平面図である。図3(b)は、実施例1のTFT基板の製造方法のうちの、第1の膜および第2の膜を形成する工程が終了した直後の断面構成を示す模式断面図である。図3(c)は、実施例1のTFT基板の製造方法のうちの、画素電極を形成する工程が終了した直後の模式断面図である。図3(d)は、実施例1のTFT基板の製造方法のうちの、配向膜を形成する工程における第1段階の断面構成を示す模式断面図である。図3(e)は、実施例1のTFT基板の製造方法のうちの、配向膜を形成する工程における第2段階の断面構成を示す模式断面図である。
なお、図3(b)乃至図3(e)は、図3(a)のE−E’線における断面構成を示している。
FIGS. 3A to 3E are schematic views for explaining a configuration example and a manufacturing method of the liquid crystal display panel of Example 1 according to the present invention.
FIG. 3A is a schematic plan view showing one configuration example of the TFT substrate in the liquid crystal display panel of Example 1. FIG. FIG. 3B is a schematic cross-sectional view showing a cross-sectional configuration immediately after the step of forming the first film and the second film in the manufacturing method of the TFT substrate of Example 1 is completed. FIG. 3C is a schematic cross-sectional view immediately after the step of forming the pixel electrode in the manufacturing method of the TFT substrate of Example 1 is completed. FIG. 3D is a schematic cross-sectional view illustrating a first-stage cross-sectional configuration in the step of forming the alignment film in the TFT substrate manufacturing method according to the first embodiment. FIG. 3E is a schematic cross-sectional view illustrating a second-stage cross-sectional configuration in the step of forming the alignment film in the TFT substrate manufacturing method according to the first embodiment.
FIGS. 3B to 3E show cross-sectional structures taken along line EE ′ of FIG.

実施例1の液晶表示パネルにおけるTFT基板1は、たとえば、前記台座を設けるために配置する第1の膜6の平面形状を、図3(a)に示すような形状にする。すなわち、実施例1の液晶表示パネルにおける第1の膜6は、平面で見たときの外周の一部が、第1の膜6の中心方向に後退しており、扇状の欠損部分を有する円形になっている。   In the TFT substrate 1 in the liquid crystal display panel of Example 1, for example, the planar shape of the first film 6 disposed to provide the pedestal is formed as shown in FIG. That is, the first film 6 in the liquid crystal display panel of Example 1 has a circular shape with a part of the outer periphery when viewed in plan is set back in the center direction of the first film 6 and has a fan-shaped defect portion. It has become.

このとき、第1の膜6および第2の膜7は、従来のTFT基板1の製造方法と同じ手順で形成すればよい。そのため、第1の膜6を映像信号線DLと同じ材料で形成し、第2の膜7をTFT素子の半導体層SCTと同じ材料で形成する場合、第1の膜6および第2の膜7は、たとえば、図3(b)に示すように、第1の絶縁層PAS1の表面に配置(形成)される。   At this time, the first film 6 and the second film 7 may be formed by the same procedure as the conventional method for manufacturing the TFT substrate 1. Therefore, when the first film 6 is formed of the same material as the video signal line DL and the second film 7 is formed of the same material as the semiconductor layer SCT of the TFT element, the first film 6 and the second film 7 are formed. Is disposed (formed) on the surface of the first insulating layer PAS1, for example, as shown in FIG.

そして次に、第1の絶縁層PAS1の上に、第2の絶縁層PAS2および画素電極PXを形成すると、TFT基板1の前記台座の周囲における断面構成は、たとえば、図3(c)に示すような構成になる。第2の絶縁層PAS2は、たとえば、CVD法により形成されるシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの絶縁膜であるので、全体の膜厚がほぼ均一である。そのため、第2の絶縁層PAS2の表面のうちの第1の膜6および第2の膜7が形成されている部分は、その周囲よりも突出し、前記台座になる。ただし、前記台座の頂上部は、第1の膜6が欠損している部分が第1の膜6の上よりも低くなる。   Next, when the second insulating layer PAS2 and the pixel electrode PX are formed on the first insulating layer PAS1, the cross-sectional configuration around the pedestal of the TFT substrate 1 is shown in FIG. 3C, for example. It becomes the composition like this. Since the second insulating layer PAS2 is an insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by, for example, a CVD method, the entire film thickness is substantially uniform. For this reason, the portion of the surface of the second insulating layer PAS2 where the first film 6 and the second film 7 are formed protrudes from its periphery and becomes the pedestal. However, at the top of the pedestal, the portion where the first film 6 is missing is lower than the top of the first film 6.

次に、配向膜ORI1を形成するが、ポリイミド配向膜を形成する場合、たとえば、液状の配向膜材料ORI1’を印刷または塗布した後、当該配向膜材料ORI1’を焼成または乾燥させる。前記液状の配向膜材料ORI1’を印刷または塗布する場合、その直後における配向膜材料ORI1’の厚さは、たとえば、図3(d)に示すように、全体がほぼ均一な厚さになっている。しかしながら、実施例1の液晶表示パネル(TFT基板1)のように、前記台座部分における第2の絶縁層PAS2の表面に凹凸があると、当該台座の上に塗布された配向膜材料ORI1’は、たとえば、図3(a)に示すように、第1の膜6の欠損部分から、より低い位置に流れる。その結果、前記台座部分およびその周辺における配向膜材料ORI1’の厚さは、たとえば、図3(e)に示すような状態になる。そのため、図3(e)に示したような状態で配向膜材料ORI1’を焼成または乾燥させれば、前記台座の上における配向膜ORI1の厚さを実質的に0μmにすることができる。   Next, the alignment film ORI1 is formed. When a polyimide alignment film is formed, for example, after the liquid alignment film material ORI1 'is printed or applied, the alignment film material ORI1' is baked or dried. When printing or applying the liquid alignment film material ORI1 ′, the thickness of the alignment film material ORI1 ′ immediately after that is almost uniform as shown in FIG. 3D, for example. Yes. However, when the surface of the second insulating layer PAS2 in the pedestal portion is uneven as in the liquid crystal display panel (TFT substrate 1) of Example 1, the alignment film material ORI1 ′ applied on the pedestal is For example, as shown in FIG. 3 (a), it flows from a defective portion of the first film 6 to a lower position. As a result, the thickness of the alignment film material ORI1 'at and around the pedestal portion is in a state as shown in FIG. 3 (e), for example. Therefore, if the alignment film material ORI1 'is baked or dried in the state shown in FIG. 3E, the thickness of the alignment film ORI1 on the pedestal can be substantially 0 μm.

なお、液状の配向膜材料ORI1’を印刷または塗布する方法は、従来のTFT基板1の製造過程で適用されている方法のうちのいずれかであればよいが、前記台座の上にある配向膜材料ORI1’を低い位置に流れやすくするには、配向膜材料ORI1’の粘度を低くすることが望ましい。そのため、液状の配向膜材料ORI1’は、たとえば、インクジェット法で塗布することが望ましい。   The method of printing or applying the liquid alignment film material ORI1 ′ may be any of the methods applied in the manufacturing process of the conventional TFT substrate 1, but the alignment film on the pedestal In order to facilitate the flow of the material ORI1 ′ to a low position, it is desirable to lower the viscosity of the alignment film material ORI1 ′. Therefore, it is desirable to apply the liquid alignment film material ORI1 'by, for example, an inkjet method.

こうして得られたTFT基板1と、図2(b)乃至図2(d)に示したような構成の対向基板2を用いて液晶表示パネルを製造すれば、前記台座の上にある配向膜ORI1の剥がれによる表示品質の低下を防ぐことができる。   If a liquid crystal display panel is manufactured using the TFT substrate 1 thus obtained and the counter substrate 2 having the structure shown in FIGS. 2B to 2D, the alignment film ORI1 on the pedestal is formed. It is possible to prevent the display quality from being deteriorated due to peeling.

図4は、実施例1の液晶表示パネルの第1の変形例を示す模式平面図である。
図5(a)は、実施例1の液晶表示パネルの第2の変形例を示す模式平面図である。図5(b)は、実施例1の液晶表示パネルの第3の変形例を示す模式平面図である。図5(c)は、実施例1の液晶表示パネルの第4の変形例を示す模式平面図である。
FIG. 4 is a schematic plan view illustrating a first modification of the liquid crystal display panel according to the first embodiment.
FIG. 5A is a schematic plan view illustrating a second modification of the liquid crystal display panel according to the first embodiment. FIG. 5B is a schematic plan view illustrating a third modification of the liquid crystal display panel according to the first embodiment. FIG. 5C is a schematic plan view illustrating a fourth modification of the liquid crystal display panel according to the first embodiment.

実施例1の液晶表示パネルの構成を説明するに当たり、図3(a)に示した平面図では、第1の膜6のみを、扇状の欠損部を有する円形の平面パターンにしている。しかしながら、前記台座の表面に凹凸をつけるには、これに限らず、たとえば、図4に示すように、第1の膜6および第2の膜7の両方を、扇状の欠損部を有する円形の平面パターンにしてもよい。このようにすると、前記台座の表面に形成される段差が大きくなり、前記台座上に塗布された液状の配向膜材料ORI1’が低い位置に流れやすくなる。   In describing the configuration of the liquid crystal display panel of the first embodiment, in the plan view shown in FIG. 3A, only the first film 6 is formed into a circular plane pattern having a fan-shaped defect portion. However, the method for making the surface of the pedestal uneven is not limited to this. For example, as shown in FIG. 4, both the first film 6 and the second film 7 are formed in a circular shape having a fan-shaped defect portion. A planar pattern may be used. By doing so, the level difference formed on the surface of the pedestal becomes large, and the liquid alignment film material ORI1 'applied on the pedestal tends to flow to a low position.

また、第1の膜6や第2の膜7の平面パターンは、たとえば、図5(a)に示すように、矩形状の欠損部を有する円形の平面パターンであってもよい。   Further, the planar pattern of the first film 6 and the second film 7 may be a circular planar pattern having a rectangular defect as shown in FIG. 5A, for example.

また、第1の膜6や第2の膜7の平面パターンは、たとえば、図5(b)に示すように、扇状の欠損部を2箇所に有する円形の平面パターンであってもよい。   Further, the planar pattern of the first film 6 and the second film 7 may be a circular planar pattern having fan-shaped defects at two locations as shown in FIG. 5B, for example.

またさらに、第1の膜6や第2の膜7の平面パターンは、たとえば、図5(c)に示すように、外周の一部分が中心方向に後退した四角形の平面パターンであってもよい。また、図示は省略するが、四角形に限らず、任意の多角形の平面パターンであってもよいことはもちろんである。   Still further, the planar pattern of the first film 6 and the second film 7 may be a rectangular planar pattern in which a part of the outer periphery recedes in the center direction as shown in FIG. 5C, for example. Moreover, although illustration is abbreviate | omitted, it is needless to say that not only a quadrangle but the plane pattern of arbitrary polygons may be sufficient.

また、図5(a)乃至図5(c)には、第1の膜6および第2の膜7が相似形になっている場合を挙げているが、これに限らず、第1の膜6のみが、外周の一部分が中心方向に後退している平面パターンになっていてもよいことはもちろんである。   5A to 5C show the case where the first film 6 and the second film 7 have similar shapes, the present invention is not limited to this, and the first film is not limited thereto. Of course, only 6 may be a plane pattern in which a part of the outer periphery recedes in the central direction.

また、実施例1では、映像信号線DLと同じ材料で形成された第1の膜6およびTFT素子の半導体層SCTと同じ材料で形成された第2の膜7を用いてTFT基板1の前記台座を設ける場合を例に挙げたが、これに限らず、第1の膜6のみ、または第2の膜7のみを用いて前記台座を設けてもよいことはもちろんである。またさらに、第1の膜6や第2の膜7は、映像信号線DLやTFT素子の半導体層とは異なる材料で形成してもよいことはもちろんである。   In Example 1, the first film 6 formed of the same material as the video signal line DL and the second film 7 formed of the same material as the semiconductor layer SCT of the TFT element are used to form the above-described TFT substrate 1. Although the case where the pedestal is provided has been described as an example, the present invention is not limited thereto, and the pedestal may be provided using only the first film 6 or only the second film 7. Furthermore, it goes without saying that the first film 6 and the second film 7 may be formed of a material different from that of the video signal line DL and the semiconductor layer of the TFT element.

図6(a)および図6(b)は、本発明による実施例2の液晶表示パネルの一構成例を示す模式図である。
図6(a)は、実施例2の液晶表示パネルにおけるTFT基板の一構成例を示す模式平面図である。図6(b)は、図6(a)のF−F’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
FIGS. 6A and 6B are schematic views showing a configuration example of the liquid crystal display panel of Example 2 according to the present invention.
FIG. 6A is a schematic plan view showing one configuration example of the TFT substrate in the liquid crystal display panel of Example 2. FIG. FIG. 6B is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a cross-sectional configuration taken along the line FF ′ in FIG.

実施例2の液晶表示パネルにおけるTFT基板1は、たとえば、図6(a)および図6(b)に示すように、前記台座を設ける位置に、第1の膜6と、第1の膜6上に乗り上げる第3の膜8とを形成する。このとき、第1の膜6は、平面で見たときに第3の膜8と重なる領域および重ならない領域を有し、第3の膜8は、平面で見たときに第1の膜6と重なる領域および重ならない領域を有する。すなわち、第1の膜6および第3の膜8は、たとえば、前記台座およびその周囲を平面で見たときに、第1の膜6のみが存在する領域と、第3の膜8のみが存在する領域と、第1の膜6と第3の膜8とが重なって存在する領域ができるように形成する。   The TFT substrate 1 in the liquid crystal display panel of Example 2 includes, for example, a first film 6 and a first film 6 at the position where the pedestal is provided, as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b). A third film 8 is formed on the top. At this time, the first film 6 has a region that overlaps with and a region that does not overlap with the third film 8 when viewed in a plane, and the third film 8 has a first film 6 when viewed in a plane. And a non-overlapping region. That is, the first film 6 and the third film 8 include, for example, a region where only the first film 6 exists and only the third film 8 when the pedestal and its periphery are viewed in a plane. And a region where the first film 6 and the third film 8 overlap each other is formed.

また、実施例2のTFT基板1において、第1の膜6は、たとえば、映像信号線DLと同じ工程で形成された導電膜であり、第3の膜8は、映像信号線DLとは異なる工程で形成された導電膜、または第2の絶縁層PAS2とは異なる工程で形成された絶縁膜、もしくはTFT素子の半導体層SCTとは異なる工程で形成された半導体膜である。   In the TFT substrate 1 of Example 2, the first film 6 is, for example, a conductive film formed in the same process as the video signal line DL, and the third film 8 is different from the video signal line DL. The conductive film formed in the step, the insulating film formed in a step different from the second insulating layer PAS2, or the semiconductor film formed in a step different from the semiconductor layer SCT of the TFT element.

実施例2のTFT基板1における前記台座の頂上部は、すなわち第2の絶縁層PAS2の表面は、第1の膜6と第3の膜8とが重なっている部分が、他の部分よりも高くなっている。そのため、液状の配向膜材料ORI1’を塗布したときに、前記台座の頂上部のある配向膜材料ORI1’が、当該台座の頂上部にある段差に沿って、より低い位置に流れる。その結果、前記台座部分およびその周辺における配向膜材料ORI1’の厚さは、たとえば、図6(b)に示すような状態になる。そのため、図6(b)に示したような状態で配向膜材料ORI1’を焼成または乾燥させれば、前記台座の上における配向膜ORI1の厚さを実質的に0μmにすることができる。   In the TFT substrate 1 of Example 2, the top of the pedestal, that is, the surface of the second insulating layer PAS2, has a portion where the first film 6 and the third film 8 overlap each other than the other portions. It is high. Therefore, when the liquid alignment film material ORI1 'is applied, the alignment film material ORI1' at the top of the pedestal flows to a lower position along the step at the top of the pedestal. As a result, the thickness of the alignment film material ORI1 'at and around the pedestal portion is in a state as shown in FIG. 6B, for example. Therefore, if the alignment film material ORI1 'is baked or dried in the state shown in FIG. 6B, the thickness of the alignment film ORI1 on the pedestal can be substantially 0 μm.

こうして得られたTFT基板1と、図2(b)乃至図2(d)に示したような構成の対向基板2を用いて液晶表示パネルを製造すれば、前記台座の上にある配向膜ORI1の剥がれによる表示品質の低下を防ぐことができる。   If a liquid crystal display panel is manufactured using the TFT substrate 1 thus obtained and the counter substrate 2 having the structure shown in FIGS. 2B to 2D, the alignment film ORI1 on the pedestal is formed. It is possible to prevent the display quality from being deteriorated due to peeling.

図7は、実施例2の液晶表示パネルの第1の変形例を示す模式平面図である。
図8は、実施例2の液晶表示パネルの第2の変形例を示す模式平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view showing a first modification of the liquid crystal display panel of Example 2. FIG.
FIG. 8 is a schematic plan view illustrating a second modification of the liquid crystal display panel according to the second embodiment.

実施例2の液晶表示パネルの構成を説明するに当たり、図6(a)および図6(b)に示した構成では、映像信号線DLと同じ工程で形成した第1の膜6の上に、第3の膜8が乗り上げている。しかしながら、前記台座の表面に凹凸をつけるには、これに限らず、たとえば、図7に示すように、TFT素子の半導体層と同じ工程で形成した第2の膜7の上に、映像信号線DLと同じ工程で形成した第1の膜6が乗り上げている構成であってもよい。このような構成にすれば、第3の膜8を形成する工程が不要になり、従来のTFT基板1と同じプロセスで形成することができる。   In describing the configuration of the liquid crystal display panel of Example 2, in the configuration shown in FIGS. 6A and 6B, on the first film 6 formed in the same process as the video signal line DL, A third membrane 8 is on board. However, the method for making the surface of the pedestal uneven is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, a video signal line is formed on the second film 7 formed in the same process as the semiconductor layer of the TFT element. The structure which the 1st film | membrane 6 formed in the same process as DL rides on may be sufficient. With such a configuration, the step of forming the third film 8 becomes unnecessary, and the third film 8 can be formed by the same process as the conventional TFT substrate 1.

また、図6(a)に示した構成では、円形の第1の膜6の上を、帯状の第3の膜8が横切っているが、これに限らず、たとえば、図8に示すように、円形の第1の膜6と、円形の第3の膜8とを部分的に重ねた構成であってもよい。   In the configuration shown in FIG. 6A, the band-shaped third film 8 crosses the circular first film 6, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. Alternatively, the circular first film 6 and the circular third film 8 may be partially overlapped.

また、図示は省略するが、第1の膜6や第3の膜8の平面パターンは、任意の多角形であってもよいことはもちろんである。   Although not shown in the drawings, the plane pattern of the first film 6 and the third film 8 may be an arbitrary polygon.

またさらに、図示は省略するが、図6(a)に示したような構成において、第1の膜6が、たとえば、実施例1で説明したような扇状の欠損部を有する構成になっていてもよい。   Furthermore, although illustration is omitted, in the configuration as shown in FIG. 6A, the first film 6 has, for example, a fan-shaped defect portion as described in the first embodiment. Also good.

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。   The present invention has been specifically described above based on the above-described embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. is there.

たとえば、実施例1および実施例2では、1つの画素の構成が、たとえば、図2(a)乃至図2(d)に示したような構成の、いわゆる横電界駆動方式の液晶表示パネルに本発明を適用した場合を例に挙げている。しかしながら、本発明は、そのような横電界駆動方式の液晶表示パネルに限らず、画素電極PXがTFT基板1に配置され、対向電極CTが対向基板2に配置された縦電界駆動方式の液晶表示パネルにも適用可能である。   For example, in the first and second embodiments, the configuration of one pixel is a so-called horizontal electric field drive type liquid crystal display panel having a configuration as shown in FIGS. 2 (a) to 2 (d). The case where the invention is applied is taken as an example. However, the present invention is not limited to such a horizontal electric field drive type liquid crystal display panel, but a vertical electric field drive type liquid crystal display in which the pixel electrode PX is arranged on the TFT substrate 1 and the counter electrode CT is arranged on the counter substrate 2. It can also be applied to panels.

図9(a)乃至図9(d)は、本発明の応用例を説明するための模式図である。
図9(a)は、縦電界駆動方式の液晶表示パネルにおけるTFT基板の一構成例を示す模式平面図である。図9(b)は、図9(a)のG−G’線における液晶表示パネルの模式断面図である。図9(c)は、図9(a)のH−H’線における液晶表示パネルの模式断面図である。図9(d)は、図9(a)のJ−J’線における液晶表示パネルの模式断面図である。
なお、図9(b)乃至図9(d)では、偏光板や位相差板は省略している。
FIG. 9A to FIG. 9D are schematic views for explaining an application example of the present invention.
FIG. 9A is a schematic plan view showing a configuration example of a TFT substrate in a vertical electric field drive type liquid crystal display panel. FIG. 9B is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display panel taken along line GG ′ in FIG. FIG. 9C is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display panel taken along the line HH ′ of FIG. FIG. 9D is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display panel taken along line JJ ′ of FIG.
In FIGS. 9B to 9D, a polarizing plate and a retardation plate are omitted.

本発明のうちの、実施例1に係る発明を適用した縦電界駆動方式の液晶表示パネルは、たとえば、図9(a)乃至図9(d)に示したような構成になる。   Of the present invention, a vertical electric field drive type liquid crystal display panel to which the invention according to the first embodiment is applied has, for example, a configuration as shown in FIGS. 9 (a) to 9 (d).

TFT基板1は、第1の絶縁基板SUB1の表面に、たとえば、複数本の走査信号線GL、保持容量線CL、第1の絶縁層PAS1、TFT素子の半導体層SCT、映像信号線DL、TFT素子のドレイン電極SD1およびソース電極SD2、第2の絶縁層PAS2、画素電極PX、および配向膜ORI1が配置される。また、図9(a)乃至図9(d)に示したTFT基板1における各構成要素(走査信号線GL、映像信号線DLなど)は、図2(a)乃至図2(d)に示したものと同等の機能を有するものなので、詳細な説明は省略する。   The TFT substrate 1 is formed on the surface of the first insulating substrate SUB1, for example, a plurality of scanning signal lines GL, a storage capacitor line CL, a first insulating layer PAS1, a semiconductor layer SCT of TFT elements, a video signal line DL, a TFT. A drain electrode SD1 and a source electrode SD2, a second insulating layer PAS2, a pixel electrode PX, and an alignment film ORI1 are arranged. Further, each component (scanning signal line GL, video signal line DL, etc.) in the TFT substrate 1 shown in FIGS. 9A to 9D is shown in FIGS. 2A to 2D. The detailed description is omitted because it has the same function as the above.

また、対向基板2は、基本的な構成は、図2(b)乃至図2(d)に示したものと同じであるが、平坦化膜PAS3と、スペーサPSおよび配向膜ORI2との間に対向電極CTが介在している。   The counter substrate 2 has the same basic configuration as that shown in FIGS. 2B to 2D, but between the planarizing film PAS3, the spacer PS, and the alignment film ORI2. A counter electrode CT is interposed.

このような縦電界駆動方式の液晶表示パネルにおいても、各走査信号線GLの、映像信号線DLと交差する領域およびTFT素子が配置される領域の外側の上に、たとえば、第1の膜6および第2の膜7を配置することで、TFT基板1の前記台座の頂上部における配向膜ORI1の厚さを、実質的に0μmにすることができる。   Also in such a vertical electric field drive type liquid crystal display panel, for example, the first film 6 is formed on the scanning signal line GL on the outside of the region intersecting with the video signal line DL and the region where the TFT element is disposed. By disposing the second film 7, the thickness of the alignment film ORI 1 at the top of the pedestal of the TFT substrate 1 can be substantially 0 μm.

また、実施例1および実施例2では、第2の絶縁層PAS2を形成する前に第1の膜6および第2の膜7、または第1の膜6および第3の膜8を形成し、TFT基板1の前記台座の頂上部(第2の絶縁層PAS2の表面)に凹凸を形成している。しかしながら、本発明は、TFT基板1の配向膜ORI1が形成される面のうちの、対向基板2のスペーサPSに対向する箇所に突起状の台座が設けられており、かつ、前記台座の外周の高さが、当該台座の外周を1周する間に1回以上変動していればよい。したがって、TFT基板1の前記台座は、第1の膜6および第2の膜7、または第1の膜6および第3の膜8を形成する代わりに、たとえば、第2の絶縁層PAS2の表面に、別の絶縁膜などで突起状の台座を形成してもよい。このとき、前記台座の外周の高さが、当該台座の外周を1周する間に1回以上変動していれば、実施例1および実施例2の液晶表示パネルと同様の効果が得られる。   In Example 1 and Example 2, the first film 6 and the second film 7 or the first film 6 and the third film 8 are formed before forming the second insulating layer PAS2. Unevenness is formed on the top of the pedestal of the TFT substrate 1 (the surface of the second insulating layer PAS2). However, according to the present invention, a protruding pedestal is provided at a position of the surface of the TFT substrate 1 on which the alignment film ORI1 is formed, facing the spacer PS of the counter substrate 2, and the outer periphery of the pedestal is The height only needs to change once or more during one round of the outer periphery of the pedestal. Therefore, instead of forming the first film 6 and the second film 7, or the first film 6 and the third film 8, the pedestal of the TFT substrate 1 is, for example, the surface of the second insulating layer PAS2. In addition, a protruding pedestal may be formed of another insulating film or the like. At this time, if the height of the outer periphery of the pedestal changes once or more during one round of the outer periphery of the pedestal, the same effect as the liquid crystal display panels of the first and second embodiments can be obtained.

本発明に関わる液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of schematic structure of the liquid crystal display panel concerning this invention. 図1(a)のA−A’線における液晶表示パネルの模式断面図である。It is a schematic cross section of the liquid crystal display panel in the A-A 'line | wire of Fig.1 (a). 従来の液晶表示パネルのTFT基板における1つの画素の構成の一例を示す模式平面図である。It is a schematic top view which shows an example of a structure of one pixel in the TFT substrate of the conventional liquid crystal display panel. 図2(a)のB−B’線における液晶表示パネルの模式断面図である。It is a schematic cross section of the liquid crystal display panel in the B-B 'line of Fig.2 (a). 図2(a)のC−C’線における液晶表示パネルの模式断面図である。It is a schematic cross section of the liquid crystal display panel in the C-C 'line of Fig.2 (a). 図2(a)のD−D’線における液晶表示パネルの模式断面図である。It is a schematic cross section of the liquid crystal display panel in the D-D 'line | wire of Fig.2 (a). 実施例1の液晶表示パネルにおけるTFT基板の一構成例を示す模式平面図である。3 is a schematic plan view illustrating a configuration example of a TFT substrate in the liquid crystal display panel of Example 1. FIG. 実施例1のTFT基板の製造方法のうちの、第1の膜および第2の膜を形成する工程が終了した直後の断面構成を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the cross-sectional structure immediately after the process of forming the 1st film | membrane and the 2nd film | membrane among the manufacturing methods of the TFT substrate of Example 1 was complete | finished. 実施例1のTFT基板の製造方法のうちの、画素電極を形成する工程が終了したした直後の模式断面図である。It is a schematic cross section immediately after the process of forming a pixel electrode in the manufacturing method of the TFT substrate of Example 1 is completed. 実施例1のTFT基板の製造方法のうちの、配向膜を形成する工程における第1段階の断面構成を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the cross-sectional structure of the 1st step in the process of forming alignment film among the manufacturing methods of the TFT substrate of Example 1. FIG. 実施例1のTFT基板の製造方法のうちの、配向膜を形成する工程における第2段階の断面構成を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the cross-sectional structure of the 2nd step in the process of forming the alignment film among the manufacturing methods of the TFT substrate of Example 1. 実施例1の液晶表示パネルの第1の変形例を示す模式平面図である。6 is a schematic plan view illustrating a first modification of the liquid crystal display panel of Embodiment 1. FIG. 実施例1の液晶表示パネルの第2の変形例を示す模式平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing a second modification of the liquid crystal display panel of Example 1. 実施例1の液晶表示パネルの第3の変形例を示す模式平面図である。6 is a schematic plan view illustrating a third modification of the liquid crystal display panel of Embodiment 1. FIG. 実施例1の液晶表示パネルの第4の変形例を示す模式平面図である。10 is a schematic plan view illustrating a fourth modification of the liquid crystal display panel of Embodiment 1. FIG. 実施例2の液晶表示パネルにおけるTFT基板の一構成例を示す模式平面図である。6 is a schematic plan view illustrating a configuration example of a TFT substrate in a liquid crystal display panel of Example 2. FIG. 図6(a)のF−F’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows an example of the cross-sectional structure in the F-F 'line | wire of Fig.6 (a). 実施例2の液晶表示パネルの第1の変形例を示す模式平面図である。10 is a schematic plan view illustrating a first modification of the liquid crystal display panel of Embodiment 2. FIG. 実施例2の液晶表示パネルの第2の変形例を示す模式平面図である。12 is a schematic plan view showing a second modification of the liquid crystal display panel of Example 2. FIG. 縦電界駆動方式の液晶表示パネルにおけるTFT基板の一構成例を示す模式平面図である。It is a schematic top view which shows the example of 1 structure of the TFT substrate in the liquid crystal display panel of a vertical electric field drive system. 図9(a)のG−G’線における液晶表示パネルの模式断面図である。It is a schematic cross section of the liquid crystal display panel in the G-G 'line | wire of Fig.9 (a). 図9(a)のH−H’線における液晶表示パネルの模式断面図である。It is a schematic cross section of the liquid crystal display panel in the H-H 'line | wire of Fig.9 (a). 図9(a)のJ−J’線における液晶表示パネルの模式断面図である。It is a schematic cross section of the liquid crystal display panel in the J-J 'line | wire of Fig.9 (a).

符号の説明Explanation of symbols

1…TFT基板
2…対向基板
3…液晶材料
4…シール材
5A…下偏光板
5B…上偏光板
SUB1…第1の絶縁基板
GL…走査信号線
CL…保持容量線
PAS1…第1の絶縁層
SC…TFT素子の半導体層
DL…映像信号線
SD1…ドレイン電極
SD2…ソース電極
PAS2…第2の絶縁層
PX…画素電極
CT…対向電極
SUB2…第2の絶縁基板
BM…遮光膜
CFR,CFG,CFB…カラーフィルタ
PAS3…平坦化膜
PS…スペーサ
ORI1,ORI2…配向膜
ORI1’…配向膜材料
6…第1の膜
7…第2の膜
8…第3の膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TFT substrate 2 ... Opposite substrate 3 ... Liquid crystal material 4 ... Sealing material 5A ... Lower polarizing plate 5B ... Upper polarizing plate SUB1 ... First insulating substrate GL ... Scanning signal line CL ... Retention capacitance line PAS1 ... First insulating layer SC ... TFT semiconductor layer DL ... Video signal line SD1 ... Drain electrode SD2 ... Source electrode PAS2 ... Second insulating layer PX ... Pixel electrode CT ... Counter electrode SUB2 ... Second insulating substrate BM ... Light shielding film CFR, CFG, CFB ... Color filter PAS3 ... Planarization film PS ... Spacer ORI1, ORI2 ... Alignment film ORI1 '... Alignment film material 6 ... First film 7 ... Second film 8 ... Third film

Claims (8)

第1の基板と第2の基板との間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを有し、
前記第1の基板は、第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の表面上に配置された複数本の走査信号線、複数本の映像信号線、複数個のTFT素子、および複数個の画素電極と、前記第1の絶縁基板の前記走査信号線、前記映像信号線、前記TFT素子、および前記画素電極が配置された面の最上層に設けられた第1の配向膜とを有し、
前記第2の基板は、第2の絶縁基板と、前記第2の絶縁基板の表面上に配置された複数個の概略柱状のスペーサと、前記第2の絶縁基板の前記スペーサが配置された面の最上層に設けられた第2の配向膜とを有する液晶表示装置であって、
前記第1の基板の前記第1の配向膜を配置する面は、前記第2の基板の前記スペーサと対向する位置に、頂上部が概ね平坦な突出した台座を有し、
前記第1の基板の前記台座は、前記第1の配向膜を配置する面からの高さが、前記第2の基板の前記第2の配向膜を配置する面からの前記スペーサの高さよりも低く、かつ、平面で見たときの前記頂上部の外周と前記第1の絶縁基板の前記表面との距離が、当該台座の前記頂上部の外周を1周する間に、1回以上変動することを特徴とする液晶表示装置であって、
前記台座には、絶縁層で挟まれた島状の膜が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display panel in which a liquid crystal material is sealed between the first substrate and the second substrate;
The first substrate includes a first insulating substrate, a plurality of scanning signal lines, a plurality of video signal lines, a plurality of TFT elements, and a plurality of elements disposed on the surface of the first insulating substrate. and pixel electrodes, the scanning signal lines of the first insulating substrate, the video signal line, the TFT element, and a first alignment film the pixel electrodes are provided on the uppermost layer of the placed surface Have
The second substrate includes a second insulating substrate, a plurality of substantially columnar spacers disposed on the surface of the second insulating substrate, and a surface on which the spacers of the second insulating substrate are disposed. A second alignment film provided on the uppermost layer of the liquid crystal display device,
The surface of the first substrate on which the first alignment film is disposed has a projecting pedestal whose top is substantially flat at a position facing the spacer of the second substrate,
The height of the pedestal of the first substrate from the surface on which the first alignment film is disposed is higher than the height of the spacer from the surface of the second substrate on which the second alignment film is disposed. The distance between the outer periphery of the top and the surface of the first insulating substrate when viewed in a low plane is varied one or more times during one round of the outer periphery of the top of the pedestal. A liquid crystal display device characterized in that
It said pedestal, a liquid crystal display device characterized by island-shaped film sandwiched between an insulating layer is arranged.
前記第2の基板の前記スペーサは、前記第1の基板の前記走査信号線のうちの、前記映像信号線と交差する領域および前記TFT素子が配置された領域以外の領域と対向する位置に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The spacer of the second substrate is disposed at a position facing a region other than the region intersecting the video signal line and the region where the TFT element is disposed, of the scanning signal line of the first substrate. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device. 前記島状の膜は、平面で見たときの外周の一部分が、当該島状の膜の中心側に後退していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶表示装置。   3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a part of an outer periphery of the island-shaped film recedes toward a center side of the island-shaped film when viewed in a plane. 前記島状の膜は、前記映像信号線と同じ材料からなる導電膜であることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the island-shaped film is a conductive film made of the same material as the video signal line. 前記第1の絶縁基板の前記表面のうちの、前記第2の基板の前記スペーサと対向する位置には、前記絶縁層で挟まれた島状の第1の膜および第2の膜が配置されており、
前記第1の膜は、平面で見たときに前記第2の膜と重なる領域および重ならない領域を有し、
前記第2の膜は、平面で見たときに前記第1の膜と重なる領域および重ならない領域を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶表示装置。
An island-shaped first film and a second film sandwiched between the insulating layers are disposed in positions on the surface of the first insulating substrate facing the spacers of the second substrate. And
The first film has a region overlapping with the second film when viewed in a plane and a region not overlapping with the second film;
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the second film includes a region overlapping with the first film and a region not overlapping when viewed in a plan view.
前記第2の膜のうちの、前記第1の膜と重なる領域は、前記第1の絶縁基板からみて前記第1の膜の上に乗り上げていることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。   6. The liquid crystal according to claim 5, wherein a region of the second film overlapping the first film runs on the first film as viewed from the first insulating substrate. Display device. 前記第1の膜は、平面で見たときの外周のうちの、前記第2の膜と重ならない部分の一部分が、当該第1の膜の中心側に後退していることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。   The first film is characterized in that a part of a portion of the outer periphery of the first film that does not overlap with the second film recedes toward the center of the first film when viewed in plan. Item 7. A liquid crystal display device according to item 6. 前記第1の膜は、前記TFT素子の半導体層と同じ材料からなる半導体膜であり、前記第2の膜は、前記映像信号線と同じ材料からなる導電膜であることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の液晶表示装置。   The first film is a semiconductor film made of the same material as the semiconductor layer of the TFT element, and the second film is a conductive film made of the same material as the video signal line. The liquid crystal display device according to claim 5.
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