JP5323038B2 - Encapsulant for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same - Google Patents

Encapsulant for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealant for an optical semiconductor device having excellent defoaming properties. <P>SOLUTION: The sealant for an optical semiconductor device contains: a first silicone resin having an aryl group and an alkenyl group and substantially not having an alkoxy group (excepting a silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicone atom); a second silicone resin having an aryl group and a hydrogen atom bonded to a silicone atom and substantially not having an alkoxy group; and a catalyst for hydrosilylation reaction. The first silicone resin is obtained by hydrolysis polycondensation of at least one kind of alkoxysilane compound and disiloxane compound using a basic catalyst. The second silicone resin is obtained by hydrolysis polycondensation of at least one kind of alkoxysilane compound and disiloxane compound using an acid catalyst. <P>COPYRIGHT: (C)2012,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、光半導体装置において光半導体素子を封止するために用いられる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor device sealing agent used for sealing an optical semiconductor element in an optical semiconductor device, and an optical semiconductor device using the optical semiconductor device sealing agent.

発光ダイオード(LED)装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。   An optical semiconductor device such as a light emitting diode (LED) device has low power consumption and long life. Moreover, the optical semiconductor device can be used even in a harsh environment. Accordingly, optical semiconductor devices are used in a wide range of applications such as mobile phone backlights, liquid crystal television backlights, automobile lamps, lighting fixtures, and signboards.

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子(例えばLED)が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。   When an optical semiconductor element (for example, an LED), which is a light emitting element used in an optical semiconductor device, is in direct contact with the atmosphere, the light emission characteristics of the optical semiconductor element rapidly deteriorate due to moisture in the atmosphere or floating dust. For this reason, the said optical semiconductor element is normally sealed with the sealing compound for optical semiconductor devices.

下記の特許文献1には、光半導体装置用封止剤として、水素添加ビスフェノールAグリシジルエーテルと、脂環式エポキシモノマーと、潜在性触媒とを含むエポキシ樹脂材料が開示されている。このエポキシ樹脂材料は、熱カチオン重合により硬化する。   Patent Document 1 listed below discloses an epoxy resin material containing hydrogenated bisphenol A glycidyl ether, an alicyclic epoxy monomer, and a latent catalyst as a sealant for an optical semiconductor device. This epoxy resin material is cured by thermal cationic polymerization.

特開2003−73452号公報JP 2003-73452 A

特許文献1に記載のような従来の光半導体装置用封止剤では、光半導体装置用封止剤の作製時に、脱泡性が低いことがある。さらに、該光半導体装置用封止剤により発光素子を封止したときにも、脱泡性が低く、硬化した封止剤に気泡が含まれることがある。硬化した封止剤中に気泡があると、得られた光半導体装置から取り出される光の明るさが低下する。   In the conventional encapsulant for optical semiconductor devices as described in Patent Document 1, the defoaming property may be low when producing the encapsulant for optical semiconductor devices. Furthermore, even when the light emitting element is sealed with the optical semiconductor device sealant, the defoaming property is low, and the cured sealant may contain bubbles. If there are bubbles in the hardened sealant, the brightness of the light extracted from the obtained optical semiconductor device is lowered.

本発明の目的は、脱泡性に優れた光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。   The objective of this invention is providing the optical semiconductor device using the sealing agent for optical semiconductor devices excellent in defoaming property, and this sealing agent for optical semiconductor devices.

本発明の広い局面によれば、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第1のシリコーン樹脂(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く)と、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第1のシリコーン樹脂が、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、塩基性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第1のシリコーン樹脂であり、上記第2のシリコーン樹脂が、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、酸性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第2のシリコーン樹脂である、光半導体装置用封止剤が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a first silicone resin having an aryl group and an alkenyl group and having substantially no alkoxy group (excluding a silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom) And a second silicone resin having a hydrogen atom bonded to an aryl group and a silicon atom and substantially free of an alkoxy group, and a hydrosilylation reaction catalyst, wherein the first silicone resin comprises: A first silicone resin obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using a basic catalyst, wherein the second silicone resin comprises an alkoxysilane compound and a disiloxane compound. An optical semiconductor device, which is a second silicone resin obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of the siloxane compounds using an acidic catalyst. Use sealant is provided.

本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂は、下記式(1A)で表され、上記第2のシリコーン樹脂は、下記式(51A)で表されるIn a specific aspect of the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention, the first silicone resin is represented by the following formula (1A), and the second silicone resin is represented by the following formula (51A). It represented.

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(1A)中、a、b及びcは、a/(a+b+c)=0〜0.50、b/(a+b+c)=0.40〜1.0及びc/(a+b+c)=0〜0.50を満たし、R1〜R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR1〜R6は、炭素数1〜8の炭化水素基を表す。   In the above formula (1A), a, b and c are a / (a + b + c) = 0 to 0.50, b / (a + b + c) = 0.40 to 1.0 and c / (a + b + c) = 0 to 0. 50, R1 to R6 represent at least one aryl group, at least one represents an alkenyl group, and R1 to R6 other than the aryl group and the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. .

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(51A)中、p、q及びrは、p/(p+q+r)=0.05〜0.50、q/(p+q+r)=0.05〜0.50及びr/(p+q+r)=0.20〜0.80を満たし、R51〜R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合した水素原子を表し、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子以外のR51〜R56は、炭素数1〜8の炭化水素基を表す。   In the above formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r) = 0.05 to 0.50 and r / (p + q + r) = 0. 20 to 0.80 are satisfied, R51 to R56 each represent at least one aryl group, at least one represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and R51 to R51 other than an aryl group and a hydrogen atom bonded to a silicon atom R56 represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂及び上記第2のシリコーン樹脂における下記式(X)より求められるアリール基の含有比率がそれぞれ、30重量%以上かつ70重量%以下である。 In another specific aspect of the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention, the content ratios of aryl groups obtained from the following formula (X) in the first silicone resin and the second silicone resin are 30 respectively. % By weight or more and 70% by weight or less.

アリール基の含有比率(重量%)=(上記第1のシリコーン樹脂又は上記第2のシリコーン樹脂の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂又は上記第2のシリコーン樹脂の数平均分子量)×100 ・・・式(X) Content ratio (% by weight ) of aryl group = (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin or the second silicone resin × molecular weight of the aryl group / the first silicone resin or the above Number average molecular weight of second silicone resin) × 100 Formula (X)

本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体装置用封止剤とを備える。   An optical semiconductor device according to the present invention includes an optical semiconductor element and an encapsulant for an optical semiconductor device that is provided so as to seal the optical semiconductor element and is configured according to the present invention.

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第1のシリコーン樹脂(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く)と、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含むので、更に上記第1のシリコーン樹脂が、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を塩基性触媒により加水分解重縮合して得られる第1のシリコーン樹脂であり、かつ上記第2のシリコーン樹脂が、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を酸性触媒により加水分解重縮合して得られる第2のシリコーン樹脂であるので、封止剤の脱泡性を高めることができる。従って、本発明に係る光半導体装置用封止剤により光半導体素子を封止したときに、硬化した封止剤中に気泡が含まれるのを抑制できる。   The encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is a first silicone resin having an aryl group and an alkenyl group, and having substantially no alkoxy group (however, a silicone having a hydrogen atom bonded to a silicon atom) 2) a second silicone resin having a hydrogen atom bonded to an aryl group and a silicon atom and having substantially no alkoxy group, and a catalyst for hydrosilylation reaction. 1 is a first silicone resin obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound with a basic catalyst, and the second silicone resin is an alkoxy A second silicone resin obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of a silane compound and a disiloxane compound with an acidic catalyst. Since, it is possible to improve the degassing properties of the sealant. Therefore, when an optical semiconductor element is sealed with the sealing agent for optical semiconductor devices according to the present invention, it is possible to suppress bubbles from being contained in the cured sealing agent.

図1は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第1のシリコーン樹脂と、第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。   The encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention includes a first silicone resin, a second silicone resin, and a hydrosilylation reaction catalyst.

上記第1のシリコーン樹脂(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く)は、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない。上記第2のシリコーン樹脂は、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない。   The first silicone resin (excluding a silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom) has an aryl group and an alkenyl group, and has substantially no alkoxy group. The second silicone resin has a hydrogen atom bonded to an aryl group and a silicon atom, and has substantially no alkoxy group.

本明細書において、「実質的にアルコキシ基を有さない」とは、第1,第2のシリコーン樹脂におけるアルコキシ基の含有量が、0.5モル%以下であることを意味する。該アルコキシ基の含有量(モル%)は、第1,第2のシリコーン樹脂の平均組成式中に含まれるアルコキシ基の量を意味する。硬化した封止剤中に気泡が含まれるのをより一層抑制する観点からは、第1,第2のシリコーン樹脂におけるアルコキシ基の含有量は、0モル%であることが特に好ましく、第1,第2のシリコーン樹脂はアルコキシ基を有さないことが特に好ましい。   In the present specification, “substantially no alkoxy group” means that the content of alkoxy groups in the first and second silicone resins is 0.5 mol% or less. The alkoxy group content (mol%) means the amount of alkoxy groups contained in the average composition formula of the first and second silicone resins. From the viewpoint of further suppressing the inclusion of bubbles in the cured sealant, the content of alkoxy groups in the first and second silicone resins is particularly preferably 0 mol%, It is particularly preferable that the second silicone resin does not have an alkoxy group.

特定の上記第1,第2のシリコーン樹脂とヒドロシリル化反応用触媒との併用によって、特に第1,第2のシリコーン樹脂が実質的にアルコキシ基を有さないことによって、封止剤の脱泡性をかなり高めることができる。さらに、第1のシリコーン樹脂が、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、塩基性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第1のシリコーン樹脂であり、かつ第2のシリコーン樹脂が、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、酸性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第2のシリコーン樹脂であることによっても、脱泡性をかなり高めることができる。本発明に係る光半導体装置用封止剤では、光半導体装置用封止剤の作製時及び該光半導体装置用封止剤の使用時に、気泡が効果的に取り除かれる。このため、硬化した封止剤中に気泡が含まれ難くなり、硬化した封止剤中でボイドも生じ難くなる。硬化した封止剤中に気泡が含まれていないと、光半導体装置において取り出される光の明るさが高くなる。   Due to the combined use of the specific first and second silicone resins and the hydrosilylation reaction catalyst, in particular, the first and second silicone resins are substantially free of alkoxy groups, thereby defoaming the sealant. Sexually can be enhanced considerably. Further, the first silicone resin is a first silicone resin obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using a basic catalyst, and the second silicone resin Even if the silicone resin is a second silicone resin obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using an acidic catalyst, the defoaming property is considerably enhanced. Can do. In the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention, bubbles are effectively removed when the encapsulant for optical semiconductor devices is produced and when the encapsulant for optical semiconductor devices is used. For this reason, it is difficult for bubbles to be included in the cured sealant, and voids are less likely to occur in the cured sealant. If bubbles are not contained in the cured sealant, the brightness of the light extracted in the optical semiconductor device is increased.

ところで、従来の光半導体装置用封止剤では、加熱と冷熱とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。   By the way, in the conventional sealing agent for optical semiconductor devices, when used in a harsh environment that is repeatedly subjected to heating and cooling, the sealing agent is cracked or the sealing agent is peeled off from the housing material or the like. Sometimes.

また、発光素子の背面側に達した光を反射させるために、発光素子の背面に、銀めっきされた電極が形成されていることがある。封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材から剥離したりすると、銀めっきされた電極が大気に晒される。この場合には、大気中に存在する硫化水素ガス又は亜硫酸ガス等の腐食性ガスによって、銀めっきが変色することがある。電極が変色すると反射率が低下するため、発光素子が発する光の明るさが低下するという問題がある。   Moreover, in order to reflect the light which reached the back surface side of the light emitting element, an electrode plated with silver may be formed on the back surface of the light emitting element. When a crack occurs in the sealant or the sealant peels from the housing material, the silver-plated electrode is exposed to the atmosphere. In this case, the silver plating may be discolored by a corrosive gas such as hydrogen sulfide gas or sulfurous acid gas present in the atmosphere. When the color of the electrode changes, the reflectance decreases, which causes a problem that the brightness of the light emitted from the light emitting element decreases.

このような問題に対して、封止剤のガスバリア性を高める観点からは、上記第1のシリコーン樹脂は、式(1A)で表され、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第1のシリコーン樹脂(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く)であることが好ましく、上記第2のシリコーン樹脂は、式(51A)で表され、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第2のシリコーン樹脂であることが好ましい。さらに、封止剤のガスバリア性を高める観点からは、第1,第2のシリコーン樹脂における下記式(X)より求められるアリール基の含有比率はそれぞれ、30重量%以上かつ70重量%以下であることが好ましい。 In view of such a problem, from the viewpoint of improving the gas barrier property of the sealant, the first silicone resin is represented by the formula (1A), has an aryl group and an alkenyl group, and is substantially alkoxy. Preferably, the first silicone resin does not have a group (excluding a silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom), and the second silicone resin is represented by the formula (51A) and is aryl The second silicone resin preferably has a hydrogen atom bonded to a group and a silicon atom, and has substantially no alkoxy group. Furthermore, from the viewpoint of enhancing the gas barrier property of the sealant, the content ratios of the aryl groups obtained from the following formula (X) in the first and second silicone resins are 30% by weight or more and 70% by weight or less, respectively. It is preferable.

アリール基の含有比率(重量%)=(上記第1のシリコーン樹脂又は上記第2のシリコーン樹脂の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂又は上記第2のシリコーン樹脂の数平均分子量)×100 ・・・式(X) Content ratio (% by weight ) of aryl group = (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin or the second silicone resin × molecular weight of the aryl group / the first silicone resin or the above Number average molecular weight of second silicone resin) × 100 Formula (X)

すなわち、式(1A)又は式(51A)で表される特定の上記第1,第2のシリコーン樹脂の使用によって、更にアリール基の含有比率がそれぞれ30重量%以上かつ70重量%以下である第1,第2のシリコーン樹脂の使用によって、封止剤のガスバリア性を高めることができる。このため、封止剤にクラックが生じ難くなり、更に封止剤がハウジング材等から剥離し難くなる。 That is, by using the specific first and second silicone resins represented by the formula (1A) or the formula (51A), the content ratios of the aryl groups are 30% by weight or more and 70% by weight or less, respectively. By using the first and second silicone resins, the gas barrier property of the sealant can be enhanced. For this reason, it becomes difficult to produce a crack in sealing agent, and also sealing agent becomes difficult to peel from a housing material etc.

以下、本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, the detail of each component contained in the sealing compound for optical semiconductor devices which concerns on this invention is demonstrated.

(第1のシリコーン樹脂)
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第1のシリコーン樹脂(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く)は、アリール基と、アルケニル基とを有する。第1のシリコーン樹脂は、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、塩基性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる。
(First silicone resin)
The first silicone resin (excluding the silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom) contained in the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention has an aryl group and an alkenyl group. The first silicone resin is obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using a basic catalyst.

上記第1のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子を有さず、アリール基とアルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂である。第1のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、第2のシリコーン樹脂とは異なる。アリール基とアルケニル基とはそれぞれ、珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。なお、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。第1のシリコーン樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The first silicone resin is a first silicone resin that does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom and has an aryl group and an alkenyl group. The first silicone resin is different from the second silicone resin because it does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom. Each of the aryl group and the alkenyl group is preferably directly bonded to the silicon atom. As said aryl group, an unsubstituted phenyl group and a substituted phenyl group are mentioned. The carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group may be bonded to the silicon atom, and the carbon atom different from the carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group is in the silicon atom. It may be bonded. As for the 1st silicone resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

ガスバリア性により一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第1のシリコーン樹脂は、下記式(1A)で表される第1のシリコーン樹脂であることが好ましい。但し、第1のシリコーン樹脂として、下記式(1A)で表される第1のシリコーン樹脂以外のシリコーン樹脂を用いてもよい。   From the viewpoint of obtaining a sealing agent that is more excellent in gas barrier properties, the first silicone resin is preferably a first silicone resin represented by the following formula (1A). However, a silicone resin other than the first silicone resin represented by the following formula (1A) may be used as the first silicone resin.

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(1A)中、a、b及びcは、a/(a+b+c)=0〜0.50、b/(a+b+c)=0.40〜1.0及びc/(a+b+c)=0〜0.50を満たし、R1〜R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR1〜R6は、炭素数1〜8の炭化水素基を表す。なお、上記式(1A)中、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位及び(R6SiO3/2)で表される構造単位はそれぞれ、ヒドロキシ基を有していてもよい。 In the above formula (1A), a, b and c are a / (a + b + c) = 0 to 0.50, b / (a + b + c) = 0.40 to 1.0 and c / (a + b + c) = 0 to 0. 50, R1 to R6 represent at least one aryl group, at least one represents an alkenyl group, and R1 to R6 other than the aryl group and the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. . In the above formula (1A), the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) may each have a hydroxy group.

上記式(1A)は平均組成式を示す。上記式(1A)における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式(1A)中のR1〜R6は同一であってもよく、異なっていてもよい。   The above formula (1A) represents an average composition formula. The hydrocarbon group in the above formula (1A) may be linear or branched. R1 to R6 in the above formula (1A) may be the same or different.

上記式(1A)中、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位における酸素原子部分、(R6SiO3/2)で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。 In the above formula (1A), the oxygen atom part in the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) and the oxygen atom part in the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) each form a siloxane bond. An oxygen atom part or an oxygen atom part of a hydroxy group is shown.

なお、一般に、上記式(1A)の各構造単位において、ヒドロキシ基の含有量は少ない。これは、一般に、第1のシリコーン樹脂を得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、ヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、ヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式(1A)の各構造単位がヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式(51A)の各構造単位がヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。   In general, in each structural unit of the above formula (1A), the hydroxy group content is small. This is because, in general, when an organosilicon compound such as an alkoxysilane compound is hydrolyzed and polycondensed to obtain a first silicone resin, most of the hydroxy groups are converted into a partial skeleton of a siloxane bond. is there. That is, most of the oxygen atoms of the hydroxy group are converted into oxygen atoms forming a siloxane bond. When each structural unit of the above formula (1A) has a hydroxy group, it indicates that a slight amount of unreacted hydroxy group that has not been converted into a partial skeleton of a siloxane bond remains. The same applies to the case where each structural unit of formula (51A) described later has a hydroxy group.

上記式(1A)中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第1のシリコーン樹脂におけるアルケニル基及び上記式(1A)中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。   In the above formula (1A), examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group. From the viewpoint of further improving gas barrier properties, the alkenyl group in the first silicone resin and the alkenyl group in the above formula (1A) are preferably vinyl groups or allyl groups, and more preferably vinyl groups.

上記式(1A)における炭素数1〜8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、イソへキシル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。   It does not specifically limit as a C1-C8 hydrocarbon group in the said Formula (1A), For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, Examples thereof include n-heptyl group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group and cyclohexyl group.

上記第1のシリコーン樹脂における下記式(X1)より求められるアリール基の含有比率は30重量%以上かつ70重量%以下であることが好ましい。このアリール基の含有比率が30重量%以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が70重量%以下であると、封止剤の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は35重量%以上であることがより好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、65重量%以下であることがより好ましい。 The aryl group content as determined from the following formula (X1) in the first silicone resin is preferably at most 30% by weight or more and 70 wt%. When the content ratio of the aryl group is 30% by weight or more, the gas barrier property is further enhanced. When the content ratio of the aryl group is 70% by weight or less, the sealant is hardly peeled off. From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, the aryl group content is more preferably 35% by weight or more. From the viewpoint of making peeling more difficult, the aryl group content is more preferably 65% by weight or less.

アリール基の含有比率(重量%)=(平均組成式が式(1A)で表される第1のシリコーン樹脂の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/平均組成式が式(1A)で表される第1のシリコーン樹脂の数平均分子量)×100 ・・・式(X1) Content ratio of aryl group (% by weight ) = (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin whose average composition formula is represented by formula (1A) × molecular weight of aryl group / average composition formula Number average molecular weight of first silicone resin represented by formula (1A)) × 100 Formula (X1)

上記式(1A)で表される第1のシリコーン樹脂において、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位(以下、二官能構造単位ともいう)は、下記式(1−2)で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the first silicone resin represented by the above formula (1A), the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) is represented by the following formula (1-2). A structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxy group may be included.

(R4R5SiXO1/2) ・・・式(1−2) (R4R5SiXO 1/2 ) (Formula (1-2))

(R4R5SiO2/2)で表される構造単位は、下記式(1−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式(1−2−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R4及びR5で表される基を有し、かつヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位は、下記式(1−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。アルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、ヒドロキシ基を有する(R4R5SiO2/2)で表される構造単位は、下記式(1−2−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。また、下記式(1−b)で表される構造単位において、Si−O−Si結合中の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、Si−O−Si結合中の1つの酸素原子を「O1/2」とする。 The structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-b), and is further represented by the following formula (1-2b). A portion surrounded by a broken line of the structural unit may be included. That is, a structural unit having a group represented by R4 and R5 and having a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ). Specifically, when the alkoxy group is converted into a partial skeleton of a siloxane bond, the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) is a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-b) The part enclosed by is shown. When an alkoxy group is converted into a hydroxy group, the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) having a hydroxy group is surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-2b) The part indicated. In the structural unit represented by the following formula (1-b), the oxygen atom in the Si—O—Si bond forms a siloxane bond with the adjacent silicon atom, and the adjacent structural unit and oxygen atom Sharing. Accordingly, one oxygen atom in the Si—O—Si bond is defined as “O 1/2 ”.

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(1−2)及び(1−2−b)中、XはOHを表す。上記式(1−b)、(1−2)及び(1−2−b)中のR4及びR5は、上記式(1A)中のR4及びR5と同様の基である。   In the above formulas (1-2) and (1-2b), X represents OH. R4 and R5 in the above formulas (1-b), (1-2) and (1-2b) are the same groups as R4 and R5 in the above formula (1A).

上記式(1A)で表される第1のシリコーン樹脂において、(R6SiO3/2)で表される構造単位(以下、三官能構造単位ともいう)は、下記式(1−3)又は(1−4)で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the first silicone resin represented by the above formula (1A), the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) is represented by the following formula (1-3) or (1 -4), that is, a structure in which two of the oxygen atoms bonded to the silicon atom in the trifunctional structural unit each form a hydroxy group, or the oxygen atom bonded to the silicon atom in the trifunctional structural unit One of these may include a structure constituting a hydroxy group.

(R6SiX1/2) ・・・式(1−3)
(R6SiXO2/2) ・・・式(1−4)
(R6SiX 2 O 1/2 ) Formula (1-3)
(R6SiXO 2/2 ) Formula (1-4)

(R6SiO3/2)で表される構造単位は、下記式(1−c)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式(1−3−c)又は(1−4−c)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R6で表される基を有し、かつヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、(R6SiO3/2)で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-c), and further includes the following formula (1-3-c) or (1 The part enclosed with the broken line of the structural unit represented by -4-c) may be included. That is, a structural unit having a group represented by R6 and having a hydroxyl group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ).

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(1−3)、(1−3−c)、(1−4)及び(1−4−c)中、XはOHを表す。上記式(1−c)、(1−3)、(1−3−c)、(1−4)及び(1−4−c)中のR6は、上記式(1A)中のR6と同様の基である。   In the above formulas (1-3), (1-3-c), (1-4) and (1-4-c), X represents OH. R6 in the above formulas (1-c), (1-3), (1-3-c), (1-4) and (1-4-c) is the same as R6 in the above formula (1A). It is the basis of.

上記式(1A)中、a/(a+b+c)の下限は0、上限は0.50である。a/(a+b+c)が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式(1A)中、a/(a+b+c)の好ましい上限は0.45、より好ましい上限は0.40である。なお、aが0であり、a/(a+b+c)が0である場合、上記式(1A)中、(R1R2R3SiO1/2)の構造単位は存在しない。 In the above formula (1A), the lower limit of a / (a + b + c) is 0, and the upper limit is 0.50. When a / (a + b + c) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the sealant can be further increased, and peeling of the sealant can be further suppressed. In said formula (1A), the preferable upper limit of a / (a + b + c) is 0.45, and a more preferable upper limit is 0.40. When a is 0 and a / (a + b + c) is 0, there is no structural unit (R1R2R3SiO 1/2 ) in the above formula (1A).

上記式(1A)中、b/(a+b+c)の下限は0.40、上限は1.0である。b/(a+b+c)が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式(1A)中、b/(a+b+c)の好ましい下限は0.50である。   In the above formula (1A), the lower limit of b / (a + b + c) is 0.40, and the upper limit is 1.0. When b / (a + b + c) satisfies the above lower limit, the cured product of the sealant does not become too hard, and cracks are hardly generated in the sealant. In said formula (1A), the minimum with preferable b / (a + b + c) is 0.50.

上記式(1A)中、c/(a+b+c)の下限は0、上限は0.50である。c/(a+b+c)が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。上記式(1A)中、c/(a+b+c)の好ましい上限は0.45、より好ましい上限は0.40、更に好ましい上限は0.35である。なお、cが0であり、c/(a+b+c)が0である場合、上記式(1A)中、(R6SiO3/2)の構造単位は存在しない。 In the above formula (1A), the lower limit of c / (a + b + c) is 0, and the upper limit is 0.50. When c / (a + b + c) satisfies the above upper limit, it is easy to maintain an appropriate viscosity as a sealant, and adhesion can be further enhanced. In the above formula (1A), the preferable upper limit of c / (a + b + c) is 0.45, the more preferable upper limit is 0.40, and the still more preferable upper limit is 0.35. In addition, when c is 0 and c / (a + b + c) is 0, the structural unit of (R6SiO 3/2 ) does not exist in the above formula (1A).

上記式(1A)中のc/(a+b+c)は0であることが好ましい。すなわち、上記式(1A)で表される第1のシリコーン樹脂は、下記式(1Aa)で表される第1のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。   C / (a + b + c) in the above formula (1A) is preferably 0. That is, the first silicone resin represented by the above formula (1A) is preferably the first silicone resin represented by the following formula (1Aa). As a result, cracks are less likely to occur in the sealant, and the sealant is more difficult to peel from the housing material or the like.

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(1Aa)中、a及びbは、a/(a+b)=0〜0.50及びb/(a+b)=0.50〜1.0を満たし、R1〜R5は、少なくとも1個がアリール基を表し、R4〜R5は少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR1〜R5は、炭素数1〜8の炭化水素基を表す。   In the above formula (1Aa), a and b satisfy a / (a + b) = 0 to 0.50 and b / (a + b) = 0.50 to 1.0, and at least one of R1 to R5 is aryl. R4 to R5 each represents an alkenyl group, and R1 to R5 other than the aryl group and the alkenyl group each represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

上記式(1Aa)中、a/(a+b)の好ましい上限は0.45、より好ましい上限は0.40である。上記式(1Aa)中、b/(a+b)の好ましい下限は0.55、より好ましい下限は0.60である。   In said formula (1Aa), the preferable upper limit of a / (a + b) is 0.45, and a more preferable upper limit is 0.40. In said formula (1Aa), the preferable minimum of b / (a + b) is 0.55, and a more preferable minimum is 0.60.

上記第1のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン(以下、TMS)を基準に29Si−核磁気共鳴分析(以下、NMR)を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式(1A)中の(R1R2R3SiO1/2で表される構造単位に相当するピークは+10〜−5ppm付近に現れ、上記式(1A)中の(R4R5SiO2/2及び(1−2)の二官能構造単位に相当する各ピークは−10〜−50ppm付近に現れ、上記式(1A)中の(R6SiO3/2、並びに(1−3)及び(1−4)の三官能構造単位に相当する各ピークは−50〜−80ppm付近に現れる。 When the first silicone resin is subjected to 29 Si-nuclear magnetic resonance analysis (hereinafter referred to as NMR) based on tetramethylsilane (hereinafter referred to as TMS), although the above formula shows a slight variation depending on the type of substituent. The peak corresponding to the structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) a in (1A) appears in the vicinity of +10 to −5 ppm, and (R4R5SiO 2/2 ) b and (1-2) in the above formula (1A) ) Appearing in the vicinity of −10 to −50 ppm, (R6SiO 3/2 ) c in the above formula (1A), and (1-3) and (1-4) Each peak corresponding to the functional structural unit appears in the vicinity of −50 to −80 ppm.

従って、29Si−NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式(1A)中の各構造単位の比率を測定できる。 Therefore, the ratio of each structural unit in the above formula (1A) can be measured by measuring 29 Si-NMR and comparing the peak areas of the respective signals.

但し、上記TMSを基準にした29Si−NMRの測定で上記式(1A)中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si−NMRの測定結果だけではなく、H−NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式(1A)中の各構造単位の比率を見分けることができる。 However, in the case where the structural unit in the formula (1A) cannot be distinguished by the 29 Si-NMR measurement based on the TMS, not only the 29 Si-NMR measurement result but also the 1 H-NMR measurement result. Can be used to distinguish the proportion of each structural unit in the above formula (1A).

(第2のシリコーン樹脂)
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第2のシリコーン樹脂は、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子とを有する。アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。水素原子は珪素原子に直接結合している。第2のシリコーン樹脂は、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、酸性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる。第2のシリコーン樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Second silicone resin)
The second silicone resin contained in the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention has an aryl group and a hydrogen atom bonded to a silicon atom. The aryl group is preferably directly bonded to the silicon atom. Hydrogen atoms are directly bonded to silicon atoms. The second silicone resin is obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using an acidic catalyst. As for the 2nd silicone resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

ガスバリア性により一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第2のシリコーン樹脂は、下記式(51A)で表される第2のシリコーン樹脂であることが好ましい。但し、第2のシリコーン樹脂として、下記式(51A)で表される第2のシリコーン樹脂以外のシリコーン樹脂を用いてもよい。   From the viewpoint of obtaining a sealant that is more excellent in gas barrier properties, the second silicone resin is preferably a second silicone resin represented by the following formula (51A). However, a silicone resin other than the second silicone resin represented by the following formula (51A) may be used as the second silicone resin.

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(51A)中、p、q及びrは、p/(p+q+r)=0.05〜0.50、q/(p+q+r)=0.05〜0.50及びr/(p+q+r)=0.20〜0.80を満たし、R51〜R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合した水素原子を表し、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子以外のR51〜R56は、炭素数1〜8の炭化水素基を表す。なお、上記式(51A)中、(R54R55SiO2/2)で表される構造単位及び(R56SiO3/2)で表される構造単位はそれぞれ、ヒドロキシ基を有していてもよい。 In the above formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r) = 0.05 to 0.50 and r / (p + q + r) = 0. 20 to 0.80 are satisfied, R51 to R56 each represent at least one aryl group, at least one represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and R51 to R51 other than an aryl group and a hydrogen atom bonded to a silicon atom R56 represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. In the above formula (51A), the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) may each have a hydroxy group.

上記式(51A)は平均組成式を示す。上記式(51A)における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式(51A)中のR51〜R56は同一であってもよく、異なっていてもよい。   The above formula (51A) represents an average composition formula. The hydrocarbon group in the above formula (51A) may be linear or branched. R51 to R56 in the above formula (51A) may be the same or different.

上記式(51A)中、(R54R55SiO2/2)で表される構造単位における酸素原子部分、(R56SiO3/2)で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。 In the formula (51A), the oxygen atom part in the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) and the oxygen atom part in the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) each form a siloxane bond. An oxygen atom part or an oxygen atom part of a hydroxy group is shown.

上記式(51A)における炭素数1〜8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基が挙げられる。   It does not specifically limit as a C1-C8 hydrocarbon group in the said Formula (51A), For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, cyclohexyl group, vinyl group and allyl group Is mentioned.

封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式(51A)中の(R51R52R53SiO1/2)で表される構造単位は、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53が水素原子、アリール基又は炭素数1〜8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。上記式(51A)中の(R51R52R53SiO1/2)で表される構造単位は、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53がアリール基又は炭素数1〜8の炭化水素基を表す構造単位を含むことがより好ましい。 From the viewpoint of enhancing the curability of the sealant and further suppressing cracking and peeling in the thermal cycle, the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) in the above formula (51A) is such that R51 is a silicon atom. It is preferable that the hydrogen atom couple | bonded with and R52 and R53 contain the structural unit which represents a hydrogen atom, an aryl group, or a C1-C8 hydrocarbon group. The structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) in the above formula (51A) represents a hydrogen atom in which R51 is bonded to a silicon atom, and R52 and R53 represent an aryl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. It is more preferable that the structural unit to represent is included.

すなわち、上記式(51A)中、(R51R52R53SiO1/2)で表される構造単位は、下記式(51−a)で表される構造単位を含むことが好ましい。(R51R52R53SiO1/2)で表される構造単位は、下記式(51−a)で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式(51−a)で表される構造単位と下記式(51−a)で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。 That is, in the above formula (51A), the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) preferably includes a structural unit represented by the following formula (51-a). The structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) may include only the structural unit represented by the following formula (51-a), and the structural unit represented by the following formula (51-a) and the following And a structural unit other than the structural unit represented by Formula (51-a).

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(51−a)中、R52及びR53はそれぞれ、水素原子、アリール基又は炭素数1〜8の炭化水素基を表す。R52及びR53はそれぞれ、アリール基又は炭素数1〜8の炭化水素基を表すことが好ましい。   In said formula (51-a), R52 and R53 represent a hydrogen atom, an aryl group, or a C1-C8 hydrocarbon group, respectively. R52 and R53 each preferably represent an aryl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式(51A)中の全構造単位100モル%中、(R51R52R53SiO1/2)で表される構造単位であって、R51が珪素原子に結合した水素原子を表し、R52及びR53が水素原子、アリール基又は炭素数1〜8の炭化水素基を表す構造単位(上記式(51−a)で表される構造単位)の割合は、好ましくは5モル%以上、より好ましくは10モル%以上、好ましくは50モル%以下、より好ましくは45モル%以下である。 From the viewpoint of enhancing the curability of the sealant and further suppressing cracking and peeling in the thermal cycle, it is represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) in 100 mol% of all structural units in the above formula (51A). A structural unit in which R51 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and R52 and R53 represent a hydrogen atom, an aryl group, or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms (in the above formula (51-a)). The proportion of the structural unit represented is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, preferably 50 mol% or less, more preferably 45 mol% or less.

上記第2のシリコーン樹脂における下記式(X51)より求められるアリール基の含有比率は30重量%以上かつ70重量%以下であることが好ましい。このアリール基の含有比率が30重量%以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が70重量%以下であると、封止剤の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は35重量%以上であることがより好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、65重量%以下であることがより好ましい。 The aryl group content as determined from the following equation (X51) in the second silicone resin is preferably at most 30% by weight or more and 70 wt%. When the content ratio of the aryl group is 30% by weight or more, the gas barrier property is further enhanced. When the content ratio of the aryl group is 70% by weight or less, the sealant is hardly peeled off. From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, the aryl group content is more preferably 35% by weight or more. From the viewpoint of making peeling more difficult, the aryl group content is more preferably 65% by weight or less.

アリール基の含有比率(重量%)=(平均組成式が上記式(51A)で表される第2のシリコーン樹脂の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/平均組成式が上記式(51A)で表される第2のシリコーン樹脂の数平均分子量)×100 ・・・式(X51) Content ratio (% by weight ) of aryl group = (average number of aryl groups contained in one molecule of the second silicone resin whose average composition formula is represented by the above formula (51A) × molecular weight of aryl group / average composition formula Is the number average molecular weight of the second silicone resin represented by the above formula (51A)) × 100 Formula (X51)

上記式(51A)で表される第2のシリコーン樹脂において、(R54R55SiO2/2)で表される構造単位(以下、二官能構造単位ともいう)は、下記式(51−2)で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the second silicone resin represented by the above formula (51A), the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) is represented by the following formula (51-2). A structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxy group may be included.

(R54R55SiXO1/2) ・・・式(51−2) (R54R55SiXO 1/2 ) Formula (51-2)

(R54R55SiO2/2)で表される構造単位は、下記式(51−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式(51−2−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R54及びR55で表される基を有し、かつヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、(R54R55SiO2/2)で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-b), and is further represented by the following formula (51-2-b). A portion surrounded by a broken line of the structural unit may be included. That is, a structural unit having a group represented by R54 and R55 and having a hydroxyl group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ).

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(51−2)及び(51−2−b)中、XはOHを表す。上記式(51−b)、(51−2)及び(51−2−b)中のR54及びR55は、上記式(51A)中のR54及びR55と同様の基である。   In the above formulas (51-2) and (51-2-b), X represents OH. R54 and R55 in the above formulas (51-b), (51-2) and (51-2-b) are the same groups as R54 and R55 in the above formula (51A).

上記式(51A)で表される第2のシリコーン樹脂において、(R56SiO3/2)で表される構造単位(以下、三官能構造単位ともいう)は、下記式(51−3)又は(51−4)で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the second silicone resin represented by the above formula (51A), the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) is represented by the following formula (51-3) or (51 -4), that is, a structure in which two of the oxygen atoms bonded to the silicon atom in the trifunctional structural unit each form a hydroxy group, or the oxygen atom bonded to the silicon atom in the trifunctional structural unit One of these may include a structure constituting a hydroxy group.

(R56SiX1/2) ・・・式(51−3)
(R56SiXO2/2) ・・・式(51−4)
(R56SiX 2 O 1/2 ) (Formula (51-3)
(R56SiXO 2/2 ) Formula (51-4)

(R56SiO3/2)で表される構造単位は、下記式(51−c)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式(51−3−c)又は(51−4−c)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R56で表される基を有し、かつヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、(R56SiO3/2)で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-c), and further includes the following formula (51-3-c) or (51 The part enclosed with the broken line of the structural unit represented by -4-c) may be included. That is, a structural unit having a group represented by R56 and having a hydroxyl group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ).

Figure 0005323038
Figure 0005323038

上記式(51−3)、(51−3−c)、(51−4)及び(51−4−c)中、XはOHを表す。上記式(51−c)、(51−3)、(51−3−c)、(51−4)及び(51−4−c)中のR56は、上記式(51A)中のR56と同様の基である。   In the above formulas (51-3), (51-3-c), (51-4) and (51-4-c), X represents OH. R56 in the above formulas (51-c), (51-3), (51-3-c), (51-4) and (51-4-c) is the same as R56 in the above formula (51A). It is the basis of.

上記式(51A)中、p/(p+q+r)の下限は0.05、上限は0.50である。p/(p+q+r)が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式(51A)中、p/(p+q+r)の好ましい下限は0.10、より好ましい上限は0.45である。   In the above formula (51A), the lower limit of p / (p + q + r) is 0.05, and the upper limit is 0.50. When p / (p + q + r) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the sealant can be further increased, and peeling of the sealant can be further suppressed. In said formula (51A), the preferable minimum of p / (p + q + r) is 0.10, and a more preferable upper limit is 0.45.

上記式(51A)中、q/(p+q+r)の下限は0.05、上限は0.50である。q/(p+q+r)が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。q(p+q+r)が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式(51A)中、q/(p+q+r)の好ましい下限は0.10、より好ましい上限は0.45である。   In the above formula (51A), the lower limit of q / (p + q + r) is 0.05, and the upper limit is 0.50. When q / (p + q + r) satisfies the above lower limit, the cured product of the sealant does not become too hard, and cracks are hardly generated in the sealant. When q (p + q + r) satisfies the above upper limit, the gas barrier property of the sealant is further enhanced. In said formula (51A), the preferable minimum of q / (p + q + r) is 0.10, and a more preferable upper limit is 0.45.

上記式(51A)中、r/(p+q+r)の下限は0.20、上限は0.80である。r/(p+q+r)が上記下限を満たすと、封止剤の硬度が上がり、傷及びゴミの付着を防止でき、封止剤の耐熱性が高くなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少し難くなる。r/(p+q+r)が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。   In the above formula (51A), the lower limit of r / (p + q + r) is 0.20, and the upper limit is 0.80. When r / (p + q + r) satisfies the above lower limit, the hardness of the encapsulant is increased, the adhesion of scratches and dust can be prevented, the heat resistance of the encapsulant is increased, and the cured product of the encapsulant in a high temperature environment It becomes difficult to reduce the thickness. When r / (p + q + r) satisfies the above upper limit, it is easy to maintain an appropriate viscosity as a sealant, and adhesion can be further enhanced.

上記第2のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン(以下、TMS)を基準に29Si−核磁気共鳴分析(以下、NMR)を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式(51A)中の(R51R52R53SiO1/2で表される構造単位に相当するピークは+10〜−5ppm付近に現れ、上記式(51A)中の(R54R55SiO2/2及び(51−2)の二官能構造単位に相当する各ピークは−10〜−50ppm付近に現れ、上記式(51A)中の(R56SiO3/2、並びに(51−3)及び(51−4)の三官能構造単位に相当する各ピークは−50〜−80ppm付近に現れる。 For the second silicone resin, when 29 Si-nuclear magnetic resonance analysis (hereinafter referred to as NMR) is performed with reference to tetramethylsilane (hereinafter referred to as TMS), although some variation is observed depending on the type of substituent, the above formula The peak corresponding to the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) p in (51A) appears in the vicinity of +10 to −5 ppm, and (R54R55SiO 2/2 ) q and (51-2) in the above formula (51A). ) Appearing in the vicinity of −10 to −50 ppm, and (R56SiO 3/2 ) r in the above formula (51A) and three of (51-3) and (51-4) Each peak corresponding to the functional structural unit appears in the vicinity of −50 to −80 ppm.

従って、29Si−NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式(51A)中の各構造単位の比率を測定できる。 Therefore, the ratio of each structural unit in the above formula (51A) can be measured by measuring 29 Si-NMR and comparing the peak areas of the respective signals.

但し、上記TMSを基準にした29Si−NMRの測定で上記式(51A)中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si−NMRの測定結果だけではなく、H−NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式(51A)中の各構造単位の比率を見分けることができる。 However, in the case where the structural unit in the formula (51A) cannot be identified by the 29 Si-NMR measurement based on the TMS, not only the 29 Si-NMR measurement result but also the 1 H-NMR measurement result. Can be used to distinguish the proportion of each structural unit in the above formula (51A).

上記第1のシリコーン樹脂100重量部に対して、上記第2のシリコーン樹脂の含有量は10重量部以上、400重量部以下であることが好ましい。第1,第2のシリコーン樹脂の含有量がこの範囲内であると、ガスバリア性により一層優れた封止剤を得ることができる。ガスバリア性にさらに一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第1のシリコーン樹脂100重量部に対して、上記第2のシリコーン樹脂の含有量のより好ましい下限は30重量部、更に好ましい下限は50重量部、より好ましい上限は300重量部、更に好ましい上限は200重量部である。   The content of the second silicone resin is preferably 10 parts by weight or more and 400 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin. When the content of the first and second silicone resins is within this range, a sealant that is more excellent in gas barrier properties can be obtained. From the viewpoint of obtaining a sealant that is further excellent in gas barrier properties, the more preferable lower limit of the content of the second silicone resin is 30 parts by weight, and still more preferable lower limit with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin. Is 50 parts by weight, a more preferred upper limit is 300 parts by weight, and a still more preferred upper limit is 200 parts by weight.

(第1,第2のシリコーン樹脂の他の性質及びその合成方法)
第1のシリコーン樹脂は、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、塩基性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる。第2のシリコーン樹脂は、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、酸性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる。アルコキシシラン化合物は、アルコキシ基を有する珪素化合物である。ジシロキサン化合物は、シロキサン結合を有し、かつ2つの珪素原子を有する珪素化合物である。
(Other properties of the first and second silicone resins and their synthesis methods)
The first silicone resin is obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using a basic catalyst. The second silicone resin is obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using an acidic catalyst. The alkoxysilane compound is a silicon compound having an alkoxy group. The disiloxane compound is a silicon compound having a siloxane bond and having two silicon atoms.

上記第1,第2のシリコーン樹脂は、実質的にアルコキシ基を有さない。上記第1,第2のシリコーン樹脂は、アルコキシ化合物を加水分解重縮合して得られた第1,第2のシリコーン樹脂であってもよい。この場合には、アルコキシ基が実質的に残存しないように、加水分解重縮合反応が行われることが好ましい。また、加水分解重集合反応の後に、アルコキシ基を他の基に置換してもよい。また、第1,第2のシリコーン樹脂は、アルコキシ基を有さないジシロキサン化合物などを用いて得られた第1,第2のシリコーン樹脂であってもよい。   The first and second silicone resins substantially have no alkoxy group. The first and second silicone resins may be first and second silicone resins obtained by hydrolytic polycondensation of an alkoxy compound. In this case, the hydrolysis polycondensation reaction is preferably performed so that the alkoxy group does not substantially remain. Moreover, you may substitute an alkoxy group by another group after a hydrolysis heavy assembly reaction. The first and second silicone resins may be the first and second silicone resins obtained using a disiloxane compound having no alkoxy group.

アルコキシ基を有する珪素化合物を加水分解重縮合して、第1,第2のシリコーン樹脂を得る場合に、残存アルコキシ基を有さないようにする反応は、溶媒を用いた反応であることが好ましい。このような反応に用いられる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール溶媒とヘキサン、トルエン、キシレン等の低極性溶媒との混合溶媒、並びにテトラヒドロフラン、ジオキサン、N,N−ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシド等が挙げられる。中でもN,N−ジメチルホルムアミドが特に好ましい。   In the case where the first and second silicone resins are obtained by hydrolytic polycondensation of a silicon compound having an alkoxy group, the reaction that does not have a residual alkoxy group is preferably a reaction using a solvent. . Solvents used in such a reaction include mixed solvents of alcohol solvents such as methanol, ethanol and isopropanol and low polar solvents such as hexane, toluene and xylene, and tetrahydrofuran, dioxane, N, N-dimethylformamide and dimethyl sulfoxide. Etc. Of these, N, N-dimethylformamide is particularly preferred.

上記第1,第2のシリコーン樹脂はシラノール基を含有しないほうが好ましい。第1,第2のシリコーン樹脂がシラノール基を含有しないと、第1,第2のシリコーン樹脂及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。   The first and second silicone resins preferably do not contain silanol groups. When the first and second silicone resins do not contain a silanol group, the storage stability of the first and second silicone resins and the sealant is increased. The silanol group can be reduced by heating under vacuum. The content of silanol groups can be measured using infrared spectroscopy.

上記第1,第2のシリコーン樹脂の数平均分子量(Mn)の好ましい下限は500、より好ましい下限は800、更に好ましい下限は1000、好ましい上限は50000、より好ましい上限は15000である。数平均分子量が上記好ましい下限を満たすと、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記好ましい上限を満たすと、粘度調節が容易である。   The preferable lower limit of the number average molecular weight (Mn) of the first and second silicone resins is 500, the more preferable lower limit is 800, the still more preferable lower limit is 1000, the preferable upper limit is 50000, and the more preferable upper limit is 15000. When the number average molecular weight satisfies the above preferable lower limit, the volatile components are reduced at the time of thermosetting, and the thickness of the cured product of the sealant is hardly reduced under a high temperature environment. When the number average molecular weight satisfies the above preferable upper limit, viscosity adjustment is easy.

上記数平均分子量(Mn)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量(Mn)は、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製 Shodex GPC LF−804(長さ300mm)を2本、測定温度:40℃、流速:1mL/分、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いて測定された値を意味する。   The number average molecular weight (Mn) is a value obtained by using polystyrene as a standard substance using gel permeation chromatography (GPC). The number average molecular weight (Mn) was measured using two measuring devices manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: Tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene) means a value measured.

アルコキシシラン化合物を加水分解し重縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。   Examples of the method of hydrolyzing the alkoxysilane compound and causing the polycondensation reaction include a method of reacting the alkoxysilane compound in the presence of water and an acidic catalyst or a basic catalyst. Further, the disiloxane compound may be hydrolyzed and used.

上記第1,第2のシリコーン樹脂にアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル(フェニル)ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing an aryl group into the first and second silicone resins include triphenylmethoxysilane, triphenylethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, methyl (phenyl) dimethoxysilane, and Examples thereof include phenyltrimethoxysilane.

上記第1のシリコーン樹脂にアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing an alkenyl group into the first silicone resin include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, methoxydimethylvinylsilane, vinyldimethylethoxysilane, and 1,3-divinyl- Examples include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane.

上記第2のシリコーン樹脂に珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   Examples of organosilicon compounds for introducing hydrogen atoms bonded to silicon atoms into the second silicone resin include trimethoxysilane, triethoxysilane, methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, and 1,1,3,3. -Tetramethyldisiloxane and the like.

上記第1,第2のシリコーン樹脂を得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル(メチル)ジメトキシシラン、シクロヘキシル(メチル)ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of other organosilicon compounds that can be used to obtain the first and second silicone resins include trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, and isopropyl (methyl) dimethoxysilane. Cyclohexyl (methyl) dimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, and octyltrimethoxysilane.

上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。   Examples of the acidic catalyst include inorganic acids, organic acids, acid anhydrides of inorganic acids and derivatives thereof, and acid anhydrides of organic acids and derivatives thereof.

上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、オレイン酸、パラトルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸及びトルフルオロメタンスルホン酸等が挙げられる。中でも、パラトルエンスルホン酸又はトルフルオロメタンスルホン酸が好ましく用いられる。   Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, phosphoric acid, boric acid, and carbonic acid. Examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, fumaric acid, maleic acid, and oleic acid. , Paratoluenesulfonic acid, trifluoroacetic acid, trifluoromethanesulfonic acid and the like. Of these, p-toluenesulfonic acid or trifluoromethanesulfonic acid is preferably used.

上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。   Examples of the basic catalyst include alkali metal hydroxides, alkali metal alkoxides, and alkali metal silanol compounds.

上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−t−ブトキシド、カリウム−t−ブトキシド及びセシウム−t−ブトキシドが挙げられる。   Examples of the alkali metal hydroxide include sodium hydroxide, potassium hydroxide, and cesium hydroxide. Examples of the alkali metal alkoxide include sodium-t-butoxide, potassium-t-butoxide, and cesium-t-butoxide.

上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。   Examples of the alkali metal silanol compound include a sodium silanolate compound, a potassium silanolate compound, and a cesium silanolate compound. Of these, a potassium-based catalyst or a cesium-based catalyst is preferable.

(ヒドロシリル化反応用触媒)
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第1のシリコーン樹脂中のアルケニル基と、上記第2のシリコーン樹脂中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。
(Catalyst for hydrosilylation reaction)
The hydrosilylation reaction catalyst contained in the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention includes an alkenyl group in the first silicone resin and a hydrogen atom bonded to a silicon atom in the second silicone resin. Is a catalyst for hydrosilylation reaction.

上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   As the hydrosilylation reaction catalyst, various catalysts that cause the hydrosilylation reaction to proceed can be used. As for the said catalyst for hydrosilylation reaction, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。   Examples of the hydrosilylation reaction catalyst include platinum-based catalysts, rhodium-based catalysts, and palladium-based catalysts. Since the transparency of the sealant can be increased, a platinum-based catalyst is preferable.

上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。   Examples of the platinum-based catalyst include platinum powder, chloroplatinic acid, a platinum-alkenylsiloxane complex, a platinum-olefin complex, and a platinum-carbonyl complex. In particular, a platinum-alkenylsiloxane complex or a platinum-olefin complex is preferable.

上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、及び1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び1,6−ヘプタジエン等が挙げられる。   Examples of the alkenylsiloxane in the platinum-alkenylsiloxane complex include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5. , 7-tetravinylcyclotetrasiloxane and the like. Examples of the olefin in the platinum-olefin complex include allyl ether and 1,6-heptadiene.

上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは1,6−ヘプタジエンである。   Since the stability of the platinum-alkenylsiloxane complex and platinum-olefin complex can be improved, alkenylsiloxane, organosiloxane oligomer, allyl ether or olefin is added to the platinum-alkenylsiloxane complex or platinum-olefin complex. Is preferred. The alkenylsiloxane is preferably 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane. The organosiloxane oligomer is preferably a dimethylsiloxane oligomer. The olefin is preferably 1,6-heptadiene.

高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をより一層抑制し、かつ封止剤の変色をより一層抑制する観点からは、上記ヒドロシリル化反応用触媒は、白金のアルケニル錯体であることが好ましい。高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をさらに一層抑制し、かつ封止剤の変色をさらに一層抑制する観点からは、上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であることが好ましい。この場合に、白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物との反応物である。また、上記白金のアルケニル錯体の使用により、封止剤の透明性を高くすることもできる。上記白金のアルケニル錯体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of further suppressing the decrease in luminous intensity when used in a harsh environment under high temperature and high humidity, and further suppressing discoloration of the sealant, the hydrosilylation reaction catalyst is An alkenyl complex of platinum is preferable. From the viewpoint of further suppressing the decrease in luminous intensity when used in a state of being energized in a severe environment under high temperature and high humidity, and further suppressing discoloration of the sealant, the platinum alkenyl complex is: It is preferably a platinum alkenyl complex obtained by reacting chloroplatinic acid hexahydrate with 6 equivalents or more of a bifunctional or higher alkenyl compound. In this case, the platinum alkenyl complex is a reaction product of chloroplatinic acid hexahydrate and 6 equivalents or more of a bifunctional or higher alkenyl compound. Moreover, the transparency of the sealant can be increased by using the platinum alkenyl complex. As for the said platinum alkenyl complex, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記白金のアルケニル錯体を得るための白金原料として、上記塩化白金酸6水和物(HPtCl・6HO)を用いることが好ましい。 It is preferable to use the chloroplatinic acid hexahydrate (H 2 PtCl 6 .6H 2 O) as a platinum raw material for obtaining the platinum alkenyl complex.

上記白金のアルケニルを得るための上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物としては、例えば、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジメチル−1,3−ジフェニル−1,3−ジビニルジシロキサン及び1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。   Examples of the bifunctional or higher alkenyl compound of 6 equivalents or more for obtaining the platinum alkenyl include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethyl- Examples include 1,3-diphenyl-1,3-divinyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane.

上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物における「当量」に関しては、上記塩化白金酸6水和物1モルに対して上記2官能以上のアルケニル化合物が1モルである重量を1当量とする。上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物は、50当量以下であることが好ましい。   Regarding the “equivalent” in the bifunctional or higher alkenyl compound of 6 equivalents or more, the equivalent weight of 1 mol of the bifunctional or higher alkenyl compound is 1 equivalent to 1 mol of the chloroplatinic acid hexahydrate. . It is preferable that the bifunctional or higher alkenyl compound having 6 equivalents or more is 50 equivalents or less.

上記白金のアルケニル錯体を得るために用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、2−プロパノール及び1−ブタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。トルエン及びキシレン等の芳香族系溶媒を用いてもよい。上記溶媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the solvent used to obtain the platinum alkenyl complex include alcohol solvents such as methanol, ethanol, 2-propanol, and 1-butanol. Aromatic solvents such as toluene and xylene may be used. As for the said solvent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記白金のアルケニル錯体を得るために、上記成分に加えて単官能のビニル化合物を用いてもよい。上記単官能のビニル化合物としては、例えば、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン及びビニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。   In order to obtain the platinum alkenyl complex, a monofunctional vinyl compound may be used in addition to the above components. Examples of the monofunctional vinyl compound include trimethoxyvinylsilane, triethoxyvinylsilane, and vinylmethyldimethoxysilane.

塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物との反応物に関して、白金元素と6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とは、共有結合していたり、配位していたり、又は共有結合しかつ配位していたりする。   Regarding the reaction product of chloroplatinic acid hexahydrate and 6 equivalents or more of bifunctional or higher alkenyl compound, platinum element and 6 equivalents or more of bifunctional or higher alkenyl compound are covalently bonded or distributed. Or are covalently bonded and coordinated.

封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子(白金のアルケニル錯体の場合には白金原子)の重量単位で0.01ppm以上、1000ppm以下であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が0.01ppm以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が1000ppm以下であると、硬化物の着色の問題が生じ難い。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、より好ましくは1ppm以上、より好ましくは500ppm以下である。   In the sealant, the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is preferably 0.01 ppm or more and 1000 ppm or less in terms of weight units of metal atoms (in the case of platinum alkenyl complexes, platinum atoms). When the content of the hydrosilylation reaction catalyst is 0.01 ppm or more, it is easy to sufficiently cure the sealant. When the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is 1000 ppm or less, the problem of coloring the cured product hardly occurs. The content of the hydrosilylation catalyst is more preferably 1 ppm or more, and more preferably 500 ppm or less.

(酸化珪素粒子)
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。
(Silicon oxide particles)
The encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention preferably further contains silicon oxide particles.

上記酸化珪素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。   By using the silicon oxide particles, the viscosity of the sealant before curing can be adjusted to an appropriate range without impairing the heat resistance and light resistance of the cured product of the sealant. Therefore, the handleability of the sealing agent can be improved.

上記酸化珪素粒子の一次粒子径の好ましい下限は5nm、より好ましい下限は8nm、好ましい上限は200nm、より好ましい上限は150nmである。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記好ましい下限を満たすと、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記好ましい上限を満たすと、25℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。   The preferable lower limit of the primary particle diameter of the silicon oxide particles is 5 nm, the more preferable lower limit is 8 nm, the preferable upper limit is 200 nm, and the more preferable upper limit is 150 nm. When the primary particle diameter of the silicon oxide particles satisfies the preferable lower limit, the dispersibility of the silicon oxide particles is further increased, and the transparency of the cured product of the sealant is further increased. When the primary particle diameter of the silicon oxide particles satisfies the above preferable upper limit, the effect of increasing the viscosity at 25 ° C. can be sufficiently obtained and the decrease in the viscosity due to the temperature increase can be suppressed.

上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡(商品名「JEM−2100」、日本電子社製)を用いて観察する。視野中の100個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。   The primary particle diameter of the silicon oxide particles is measured as follows. The cured product of the encapsulant for optical semiconductor devices is observed using a transmission electron microscope (trade name “JEM-2100”, manufactured by JEOL Ltd.). The size of the primary particles of 100 silicon oxide particles in the visual field is measured, and the average value of the measured values is defined as the primary particle diameter. The primary particle diameter means an average value of the diameters of the silicon oxide particles when the silicon oxide particles are spherical, and an average value of the major diameters of the silicon oxide particles when the silicon oxide particles are non-spherical.

上記酸化珪素粒子のBET比表面積の好ましい下限は30m/g、好ましい上限が400m/gである。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が30m/g以上であると、封止剤の25℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が400m/g以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更に封止剤の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。 The minimum with a preferable BET specific surface area of the said silicon oxide particle is 30 m < 2 > / g, and a preferable upper limit is 400 m < 2 > / g. When the BET specific surface area of the silicon oxide particles is 30 m 2 / g or more, the viscosity of the sealant at 25 ° C. can be controlled within a suitable range, and a decrease in viscosity due to a temperature rise can be suppressed. When the BET specific surface area of the silicon oxide particles is 400 m 2 / g or less, the aggregation of the silicon oxide particles hardly occurs, the dispersibility can be increased, and the transparency of the cured product of the sealant is further increased. Can be high.

上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。   The silicon oxide particles are not particularly limited, and examples thereof include silica produced by a dry method such as fumed silica and fused silica, and silica produced by a wet method such as colloidal silica, sol-gel silica and precipitated silica. It is done. Among these, fumed silica is suitably used as the silicon oxide particles from the viewpoint of obtaining a sealant with less volatile components and higher transparency.

上記フュームドシリカとしては、例えば、Aerosil 50(比表面積:50m/g)、Aerosil 90(比表面積:90m/g)、Aerosil 130(比表面積:130m/g)、Aerosil 200(比表面積:200m/g)、Aerosil 300(比表面積:300m/g)、及びAerosil 380(比表面積:380m/g)(いずれも日本アエロジル社製)等が挙げられる。 Examples of the fumed silica include Aerosil 50 (specific surface area: 50 m 2 / g), Aerosil 90 (specific surface area: 90 m 2 / g), Aerosil 130 (specific surface area: 130 m 2 / g), Aerosil 200 (specific surface area). : 200 m 2 / g), Aerosil 300 (specific surface area: 300 m 2 / g), Aerosil 380 (specific surface area: 380 m 2 / g) (all manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and the like.

上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。   The silicon oxide particles are preferably surface-treated with an organosilicon compound. By this surface treatment, the dispersibility of the silicon oxide particles becomes very high, and the decrease in the viscosity due to the increase in the temperature of the sealant before curing can be further suppressed.

上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、(メタ)アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「(メタ)アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。   The organosilicon compound is not particularly limited. For example, a silane compound having an alkyl group, a silicon compound having a siloxane skeleton such as dimethylsiloxane, a silicon compound having an amino group, and a silicon compound having a (meth) acryloyl group. Examples thereof include a compound and a silicon compound having an epoxy group. The “(meth) acryloyl group” means an acryloyl group and a methacryloyl group.

酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、酸化珪素粒子は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物又はポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the dispersibility of the silicon oxide particles, the silicon oxide particles are preferably surface-treated with an organosilicon compound having a trimethylsilyl group or an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group.

有機珪素化合物により表面処理する方法の一例として、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。   As an example of a method for surface treatment with an organosilicon compound, when an organosilicon compound having a trimethylsilyl group is used, the silicon oxide particles are surface-treated using, for example, hexamethyldisilazane, trimethylsilyl chloride, trimethylmethoxysilane, or the like. A method is mentioned. In the case of using an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, a method of surface-treating silicon oxide particles using a compound having a silanol group at the terminal of the polydimethylsiloxane group, cyclic siloxane, or the like can be mentioned.

上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RX200(比表面積:140m/g)、及びR8200(比表面積:140m/g)(いずれも日本アエロジル社製)等が挙げられる。 Commercially available silicon oxide particles surface-treated with the above organosilicon compound having a trimethylsilyl group include RX200 (specific surface area: 140 m 2 / g) and R8200 (specific surface area: 140 m 2 / g) (both from Nippon Aerosil Co., Ltd.) Manufactured) and the like.

上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RY200(比表面積:120m/g)(日本アエロジル社製)等が挙げられる。 RY200 (specific surface area: 120 m 2 / g) (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and the like can be mentioned as a commercial product of silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group.

上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びV型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。   The method for surface-treating the silicon oxide particles with the organosilicon compound is not particularly limited. As this method, for example, a dry method in which silicon oxide particles are added to a mixer and an organosilicon compound is added while stirring, a slurry method in which an organosilicon compound is added to a slurry of silicon oxide particles, and silicon oxide particles And a direct treatment method such as a spray method in which an organosilicon compound is sprayed after drying. Examples of the mixer used in the dry method include a Henschel mixer and a V-type mixer. In the dry method, the organosilicon compound is added directly or as an alcohol aqueous solution, an organic solvent solution or an aqueous solution.

上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第1,第2のシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。   In order to obtain silicon oxide particles surface-treated with the organosilicon compound, when preparing a sealant for an optical semiconductor device, the silicon oxide particles and the matrix resin such as the first and second silicone resins An integral blend method in which an organosilicon compound is directly added during mixing may be used.

上記第1のシリコーン樹脂と上記第2のシリコーン樹脂との合計100重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は、0.5重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。上記第1のシリコーン樹脂と上記第2のシリコーン樹脂との合計100重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量のより好ましい下限は1重量部、より好ましい上限は35重量部である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限を満たすと、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限を満たすと、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。   The content of the silicon oxide particles is preferably 0.5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight in total of the first silicone resin and the second silicone resin. A more preferable lower limit of the content of the silicon oxide particles is 1 part by weight and a more preferable upper limit is 35 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of the first silicone resin and the second silicone resin. When the content of the silicon oxide particles satisfies the lower limit, it is possible to suppress a decrease in viscosity during curing. When content of the said silicon oxide particle satisfy | fills the said upper limit, the viscosity of sealing agent can be controlled to a more suitable range, and the transparency of sealing agent can be improved further.

(蛍光体)
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含有してもよい。上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。
(Phosphor)
The encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention may further contain a phosphor. The above phosphor acts to absorb light emitted from a light emitting element that is sealed using a sealant for an optical semiconductor device and generate fluorescence to finally obtain light of a desired color. To do. The phosphor is excited by light emitted from the light emitting element to emit fluorescence, and light of a desired color can be obtained by a combination of light emitted from the light emitting element and fluorescence emitted from the phosphor.

例えば、発光素子として紫外線LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   For example, when it is intended to finally obtain white light using an ultraviolet LED chip as a light emitting element, it is preferable to use a combination of a blue phosphor, a red phosphor and a green phosphor. When it is intended to finally obtain white light using a blue LED chip as a light emitting element, it is preferable to use a combination of a green phosphor and a red phosphor, or a yellow phosphor. As for the said fluorescent substance, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、(Sr、Ca、Ba、Mg)10(POCl:Eu、(Ba、Sr)MgAl1017:Eu、(Sr、Ba)MgSi:Eu等が挙げられる。 The blue phosphor is not particularly limited. For example, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, (Ba, Sr) MgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ba) 3 MgSi 2 O 8 : Eu and the like.

上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、(Sr、Ca)S:Eu、(Ca、Sr)SI:Eu、CaSiN:Eu、CaAlSiN:Eu、YS:Eu、LaS:Eu、LiW:(Eu、Sm)、(Sr、Ca、Bs、Mg)10(POCl:(Eu、Mn)、BaMgSi:(Eu、Mn)等が挙げられる。 The red phosphor is not particularly limited. For example, (Sr, Ca) S: Eu, (Ca, Sr) 2 SI 5 N 8 : Eu, CaSiN 2 : Eu, CaAlSiN 3 : Eu, Y 2 O 2 S : Eu, La 2 O 2 S: Eu, LiW 2 O 8 : (Eu, Sm), (Sr, Ca, Bs, Mg) 10 (PO 4 ) 8 Cl 2 : (Eu, Mn), Ba 3 MgSi 2 And O 8 : (Eu, Mn).

上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y(Al、Ga)12:Ce、SrGa:Eu、CaScSi12:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:(Cu、Al)、BaMgAl1017(Eu、Mn)、SrAl:Eu等が挙げられる。 The green phosphor is not particularly limited, and for example, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, SrGa 2 S 4 : Eu, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce, SrSiON: Eu, ZnS: (Cu, Al), BaMgAl 10 O 17 (Eu, Mn), SrAl 2 O 4 : Eu, and the like.

上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、YAl12:Ce、(Y、Gd)Al12:Ce、TbAl12:Ce、CaGa:Eu、SrSiO:Eu等が挙げられる。 Is not particularly restricted but includes the yellow phosphor, for example, Y 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce, Tb 3 Al 5 O 12: Ce, CaGa 2 S 4: Eu , Sr 2 SiO 4 : Eu, and the like.

さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。   Furthermore, examples of the phosphor include perylene compounds that are organic phosphors.

(カップリング剤)
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。
(Coupling agent)
The encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention may further contain a coupling agent in order to impart adhesiveness.

上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びN−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   It does not specifically limit as said coupling agent, For example, a silane coupling agent etc. are mentioned. Examples of the silane coupling agent include vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxy. Examples include silane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane. As for a coupling agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

(他の成分)
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含有してもよい。
(Other ingredients)
The encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention includes a dispersant, an antioxidant, an antifoaming agent, a colorant, a modifier, a leveling agent, a light diffusing agent, a thermally conductive filler, a flame retardant, and the like as necessary. The additive may be further contained.

なお、上記第1のシリコーン樹脂と、上記第2のシリコーン樹脂と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを1種又は2種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第1のシリコーン樹脂及びヒドロシリル化反応用触媒を含むA液と、第2のシリコーン樹脂を含むB液とを別々に調製しておき、使用直前にA液とB液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。この場合に、酸化珪素粒子及び蛍光体はそれぞれ、A液に添加してもよく、B液に添加してもよい。このように上記第1のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第2のシリコーン樹脂とを別々に、第1の液と第2の液との2液にすることによって保存安定性を向上させることができる。   In addition, the said 1st silicone resin, the said 2nd silicone resin, and the said catalyst for hydrosilylation reaction prepare the liquid containing these 1 type (s) or 2 or more types separately, and just before use, several The encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention may be prepared by mixing the liquid. For example, liquid A containing the first silicone resin and hydrosilylation reaction catalyst and liquid B containing the second silicone resin are prepared separately, and liquid A and liquid B are mixed immediately before use. The encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention may be prepared. In this case, the silicon oxide particles and the phosphor may be added to the liquid A or the liquid B, respectively. Thus, the storage stability is improved by separately forming the first silicone resin and the hydrosilylation reaction catalyst and the second silicone resin into two liquids of the first liquid and the second liquid. Can be made.

(光半導体装置用封止剤の詳細及び用途)
本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度の好ましい下限は80℃、より好ましい下限は100℃、好ましい上限は180℃、より好ましい上限は150℃である。硬化温度が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記好ましい上限を満たすと、パッケージの熱劣化が起こり難い。
(Details and applications of sealants for optical semiconductor devices)
The curing temperature of the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is not particularly limited. The preferable lower limit of the curing temperature of the encapsulant for optical semiconductor devices is 80 ° C., the more preferable lower limit is 100 ° C., the preferable upper limit is 180 ° C., and the more preferable upper limit is 150 ° C. When the curing temperature satisfies the above preferable lower limit, curing of the sealant proceeds sufficiently. When the curing temperature satisfies the above preferable upper limit, the package is unlikely to be thermally deteriorated.

硬化には特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮を抑えることができる。   Although it does not specifically limit to hardening, It is preferable to use a step cure system. The step cure method is a method in which the resin is temporarily cured at a low temperature and then cured at a high temperature. By using the step cure method, curing shrinkage of the sealant can be suppressed.

本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第1のシリコーン樹脂、上記第2のシリコーン樹脂、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。   The method for producing the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is not particularly limited, for example, using a mixer such as a homodisper, a homomixer, a universal mixer, a planetarium mixer, a kneader, a three roll or a bead mill, Examples thereof include a method of mixing the first silicone resin, the second silicone resin, the hydrosilylation reaction catalyst, and other components blended as necessary at room temperature or under heating.

上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にLED形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及びSiC等が挙げられる。   The light emitting element is not particularly limited as long as it is a light emitting element using a semiconductor. For example, when the light emitting element is a light emitting diode, for example, a structure in which a semiconductor material for LED type is stacked on a substrate can be given. In this case, examples of the semiconductor material include GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN, and SiC.

上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、及びGaN単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、GaN及びAlN等が挙げられる。   Examples of the material for the substrate include sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, and GaN single crystal. Further, a buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor material as necessary. Examples of the material of the buffer layer include GaN and AlN.

本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。   Specific examples of the optical semiconductor device according to the present invention include a light emitting diode device, a semiconductor laser device, and a photocoupler. Such optical semiconductor devices include, for example, backlights such as liquid crystal displays, illumination, various sensors, light sources such as printers and copiers, vehicle measuring instrument light sources, signal lights, indicator lights, display devices, and light sources for planar light emitters. , Displays, decorations, various lights, switching elements and the like.

本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、LEDなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。   In the optical semiconductor device according to the present invention, the light emitting element formed of the optical semiconductor is sealed with the cured product of the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention. In the optical semiconductor device according to the present invention, a cured product of an encapsulant for optical semiconductor devices is arranged so as to seal a light emitting element formed of an optical semiconductor such as an LED. For this reason, it is hard to produce a crack in the hardened | cured material of the sealing compound for optical semiconductor devices which has sealed the light emitting element, it is hard to peel from a package, and improves light transmittance, heat resistance, a weather resistance, and gas barrier property. be able to.

(光半導体装置の実施形態)
図1は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
(Embodiment of optical semiconductor device)
FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

本実施形態の光半導体装置1は、ハウジング2を有する。ハウジング2内にLEDからなる光半導体素子3が実装されている。この光半導体素子3の周囲を、ハウジング2の光反射性を有する内面2aが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子3が用いられている。   The optical semiconductor device 1 of this embodiment has a housing 2. An optical semiconductor element 3 made of LEDs is mounted in the housing 2. The optical semiconductor element 3 is surrounded by an inner surface 2 a having light reflectivity of the housing 2. In the present embodiment, the optical semiconductor element 3 is used as a light emitting element formed of an optical semiconductor.

内面2aは、内面2aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面2aに到達した光が内面2aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。光半導体素子3を封止するように、内面2aで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤4が充填されている。光半導体装置用封止剤4は、光半導体装置用封止剤の硬化物である。   The inner surface 2a is formed so that the diameter of the inner surface 2a increases toward the opening end. Therefore, of the light emitted from the optical semiconductor element 3, the light that has reached the inner surface 2 a is reflected by the inner surface 2 a and travels forward of the optical semiconductor element 3. In a region surrounded by the inner surface 2 a so as to seal the optical semiconductor element 3, an optical semiconductor device sealing agent 4 is filled. The encapsulant 4 for optical semiconductor devices is a cured product of the encapsulant for optical semiconductor devices.

なお、図1に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体素子3の実装構造等には適宜変形され得る。   The structure shown in FIG. 1 is merely an example of an optical semiconductor device according to the present invention, and can be appropriately modified to the mounting structure of the optical semiconductor element 3.

以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples.

(合成例1)第1のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン56g、ジメチルジメトキシシラン198g、ジフェニルジメトキシシラン183g及びN,N−ジメチルホルムアミド150gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.7gを水92gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.8gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(A)を得た。
(Synthesis Example 1) Synthesis of first silicone resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 56 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and dimethyl 198 g of dimethoxysilane, 183 g of diphenyldimethoxysilane and 150 g of N, N-dimethylformamide were added and stirred at 50 ° C. A solution obtained by dissolving 0.7 g of potassium hydroxide in 92 g of water was slowly dropped therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, 0.8 g of acetic acid was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (A).

得られたポリマー(A)の数平均分子量(Mn)は1400であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(A)は、下記の平均組成式(A1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (A) was 1400. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (A) had the following average composition formula (A1).

(ViMeSiO1/20.16(MeSiO2/20.55(PhSiO2/20.29 …式(A1) (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.16 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.55 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.29 ... Formula (A1)

上記式(A1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the above formula (A1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー(A)のフェニル基の含有比率は40重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は0モル%であった。 The content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (A) was 40% by weight , and the content of the alkoxy group was 0 mol% by 1 H-NMR.

なお、合成例1及び合成例2〜10で得られた各ポリマーの分子量は、各ポリマー10mgにテトラヒドロフラン1mLを加え、溶解するまで攪拌し、GPC測定により測定した。GPC測定では、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製 Shodex GPC LF−804(長さ300mm)×2本、測定温度:40℃、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いた。   In addition, the molecular weight of each polymer obtained in Synthesis Example 1 and Synthesis Examples 2 to 10 was measured by GPC measurement by adding 1 mL of tetrahydrofuran to 10 mg of each polymer, stirring until dissolved. In GPC measurement, a measuring device manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) x 2 manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: tetrahydrofuran, standard substance: Polystyrene) was used.

(合成例2)第1のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン56g、ジメチルジメトキシシラン108g、ジフェニルジメトキシシラン367g及びN,N−ジメチルホルムアミド150gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.7gを水92gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.8gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(B)を得た。
(Synthesis Example 2) Synthesis of First Silicone Resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 56 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and dimethyl 108 g of dimethoxysilane, 367 g of diphenyldimethoxysilane and 150 g of N, N-dimethylformamide were added and stirred at 50 ° C. A solution obtained by dissolving 0.7 g of potassium hydroxide in 92 g of water was slowly dropped therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, 0.8 g of acetic acid was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (B).

得られたポリマー(B)の数平均分子量(Mn)は1500であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(B)は、下記の平均組成式(B1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (B) was 1500. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (B) had the following average composition formula (B1).

(ViMeSiO1/20.15(MeSiO2/20.31(PhSiO2/20.54 …式(B1) (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.15 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.31 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.54 Formula (B1)

上記式(B1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the above formula (B1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー(B)のフェニル基の含有比率は58重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は0モル%であった。 The content ratio of the phenyl group in the obtained polymer (B) was 58% by weight , and the content of the alkoxy group was 0 mol% by 1 H-NMR.

(合成例3)第1のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン78g、ジフェニルジメトキシシラン318g、ビニルメチルジメトキシシラン119g、トリメチルメトキシシラン16g及びN,N−ジメチルホルムアミド150gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水105gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(C)を得た。
Synthesis Example 3 Synthesis of First Silicone Resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 78 g of dimethyldimethoxysilane, 318 g of diphenyldimethoxysilane, 119 g of vinylmethyldimethoxysilane, 16 g of trimethylmethoxysilane and N, N-dimethylformamide 150 g was added and stirred at 50 ° C. A solution obtained by dissolving 0.8 g of potassium hydroxide in 105 g of water was slowly added dropwise thereto, and after the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours to be reacted to obtain a reaction solution. Next, 0.9 g of acetic acid was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (C).

得られたポリマー(C)の数平均分子量(Mn)は5100であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(C)は、下記の平均組成式(C1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (C) was 5100. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (C) had the following average composition formula (C1).

(MeSiO1/20.05(MeSiO2/20.22(PhSiO2/20.43(ViMeSiO2/20.30 …式(C1) (Me 3 SiO 1/2 ) 0.05 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.22 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.43 (ViMeSiO 2/2 ) 0.30 ... Formula (C1)

上記式(C1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the above formula (C1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー(C)のフェニル基の含有比率は50重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は0モル%であった。 The content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (C) was 50% by weight , and the content of the alkoxy group was 0 mol% by 1 H-NMR.

(合成例4)第2のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン31g、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン50g、ジメチルジメトキシシラン108g、フェニルトリメトキシシラン208g及びN,N−ジメチルホルムアミド215gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、パラトルエスルホン酸2.5gと水101gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(D)を得た。
(Synthesis Example 4) Synthesis of Second Silicone Resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 31 g of trimethylmethoxysilane, 50 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, dimethyldimethoxy 108 g of silane, 208 g of phenyltrimethoxysilane and 215 g of N, N-dimethylformamide were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.5 g of p-toluesulfonic acid and 101 g of water was slowly added dropwise, and after the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (D) was obtained.

得られたポリマー(D)の数平均分子量(Mn)は1200であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(D)は、下記の平均組成式(D1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (D) was 1200. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (D) had the following average composition formula (D1).

(MeSiO1/20.09(HMeSiO1/20.23(MeSiO2/20.28(PhSiO3/20.40 …式(D1) (Me 3 SiO 1/2 ) 0.09 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.23 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.28 (PhSiO 3/2 ) 0.40 ... Formula (D1)

上記式(D1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。   In the above formula (D1), Me represents a methyl group, and Ph represents a phenyl group.

得られたポリマー(D)のフェニル基の含有比率は32重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は0モル%であった。 The content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (D) was 32% by weight , and the content of the alkoxy group was 0 mol% by 1 H-NMR.

(合成例5)第2のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン16g、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン50g、ジメチルジメトキシシラン36g、ジフェニルジメトキシシラン183g、フェニルトリメトキシシラン149g、ビニルトリメトキシシラン45g及びN,N−ジメチルホルムアミド215gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、パラトルエスルホン酸2.5gと水104gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(E)を得た。
Synthesis Example 5 Synthesis of Second Silicone Resin A 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer was charged with 16 g of trimethylmethoxysilane, 50 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, and dimethyldimethoxy. 36 g of silane, 183 g of diphenyldimethoxysilane, 149 g of phenyltrimethoxysilane, 45 g of vinyltrimethoxysilane and 215 g of N, N-dimethylformamide were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.5 g of p-toluesulfonic acid and 104 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the solution was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (E) was obtained.

得られたポリマー(E)の数平均分子量(Mn)は1100であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(E)は、下記の平均組成式(E1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (E) was 1100. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (E) had the following average composition formula (E1).

(MeSiO1/20.05(HMeSiO1/20.23(MeSiO2/20.09(PhSiO2/20.26(PhSiO3/20.27(ViSiO3/20.10 …式(E1) (Me 3 SiO 1/2 ) 0.05 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.23 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.09 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.26 (PhSiO 3/2 ) 0.27 (ViSiO 3/2 ) 0.10 Formula (E1)

上記式(E1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the above formula (E1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー(E)のフェニル基の含有比率は50重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は0モル%であった。 The content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (E) was 50% by weight , and the content of the alkoxy group was 0 mol% by 1 H-NMR.

(合成例6)第2のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン31g、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン40g、ジフェニルジメトキシシラン110g、フェニルトリメトキシシラン268g、ビニルトリメトキシシラン45g及びN,N−ジメチルホルムアミド215gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、パラトルエスルホン酸2.5gと水116gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(F)を得た。
Synthesis Example 6 Synthesis of Second Silicone Resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 31 g of trimethylmethoxysilane, 40 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, diphenyldimethoxy 110 g of silane, 268 g of phenyltrimethoxysilane, 45 g of vinyltrimethoxysilane and 215 g of N, N-dimethylformamide were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.5 g of p-toluesulfonic acid and 116 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the solution was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (F) was obtained.

得られたポリマー(F)の数平均分子量(Mn)は1200であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(F)は、下記の平均組成式(F1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (F) was 1200. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (F) had the following average composition formula (F1).

(MeSiO1/20.09(HMeSiO1/20.19(PhSiO2/20.16(PhSiO3/20.46(ViSiO3/20.10 …式(F1) (Me 3 SiO 1/2 ) 0.09 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.19 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.16 (PhSiO 3/2 ) 0.46 (ViSiO 3/2 ) 0. 10 : Formula (F1)

上記式(F1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the above formula (F1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー(F)のフェニル基の含有比率は51重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は0モル%であった。 The content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (F) was 51 wt %, and the content of alkoxy groups was 0 mol% by 1 H-NMR.

(合成例7)第2のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン31g、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン40g、ジフェニルジメトキシシラン44g、フェニルトリメトキシシラン321g、ビニルトリメトキシシラン45g及びN,N−ジメチルホルムアミド215gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、パラトルエスルホン酸2.5gと水121gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(G)を得た。
(Synthesis Example 7) Synthesis of Second Silicone Resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 31 g of trimethylmethoxysilane, 40 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, diphenyldimethoxy 44 g of silane, 321 g of phenyltrimethoxysilane, 45 g of vinyltrimethoxysilane and 215 g of N, N-dimethylformamide were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.5 g of p-toluesulfonic acid and 121 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the solution was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (G) was obtained.

得られたポリマー(G)の数平均分子量(Mn)は1100であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(G)は、下記の平均組成式(G1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (G) was 1100. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (G) had the following average composition formula (G1).

(MeSiO1/20.09(HMeSiO1/20.19(PhSiO2/20.06(PhSiO3/20.56(ViSiO3/20.10 …式(G1) (Me 3 SiO 1/2 ) 0.09 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.19 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.06 (PhSiO 3/2 ) 0.56 (ViSiO 3/2 ) 0. 10 : Formula (G1)

上記式(G1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the above formula (G1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー(G)のフェニル基の含有比率は47重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は0モル%であった。 The content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (G) was 47% by weight , and the content of the alkoxy group was 0 mol% by 1 H-NMR.

(合成例8)[比較例用]第1のシリコーン樹脂に類似したシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン94g、ジメチルジメトキシシラン99g、ジフェニルジメトキシシラン92g、及びビニルトリメトキシシラン133gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(H)を得た。
Synthesis Example 8 [Comparative Example] Synthesis of a silicone resin similar to the first silicone resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 94 g of trimethylmethoxysilane, 99 g of dimethyldimethoxysilane, diphenyl 92 g of dimethoxysilane and 133 g of vinyltrimethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. A solution obtained by dissolving 0.8 g of potassium hydroxide in 108 g of water was slowly dropped therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, 0.9 g of acetic acid was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (H).

得られたポリマー(H)の数平均分子量(Mn)は1800であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(H)は、下記の平均組成式(H1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (H) was 1800. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (H) had the following average composition formula (H1).

(MeSiO1/20.29(MeSiO2/20.27(PhSiO2/20.13(ViSiO3/20.31 …式(H1) (Me 3 SiO 1/2 ) 0.29 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.27 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.13 (ViSiO 3/2 ) 0.31 ... Formula (H1)

上記式(H1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the above formula (H1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー(H)のフェニル基の含有比率は21重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は1.8モル%であった。 The obtained polymer (H) had a phenyl group content of 21% by weight , and an alkoxy group content of 1.8 mol% by 1 H-NMR.

(合成例9)[比較例用]第1のシリコーン樹脂に類似したシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン180g、ジフェニルジメトキシシラン73g、ビニルメチルジメトキシシラン119g、及び1,4−ビス(ジメチルメトキシシリル)ベンゼン76gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水108gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(I)を得た。
(Synthesis Example 9) [For Comparative Example] Synthesis of a silicone resin similar to the first silicone resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 180 g of dimethyldimethoxysilane, 73 g of diphenyldimethoxysilane, vinyl 119 g of methyldimethoxysilane and 76 g of 1,4-bis (dimethylmethoxysilyl) benzene were added and stirred at 50 ° C. A solution obtained by dissolving 0.8 g of potassium hydroxide in 108 g of water was slowly dropped therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, 0.9 g of acetic acid was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and potassium acetate was removed by filtration to obtain polymer (I).

得られたポリマー(I)の数平均分子量(Mn)は3400であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(I)は、下記の平均組成式(I1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (I) was 3400. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (I) had the following average composition formula (I1).

(MeSiO2/20.49(PhSiO2/20.10(ViMeSiO2/20.31(MeSiPheO2/20.10 …式(I1) (Me 2 SiO 2/2 ) 0.49 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.10 (ViMeSiO 2/2 ) 0.31 (Me 4 SiPheO 2/2 ) 0.10 ... Formula (I1)

上記式(I1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基、Pheはフェニレン基を示す。   In the above formula (I1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, Vi represents a vinyl group, and Phe represents a phenylene group.

得られたポリマー(I)のフェニル基とフェニレン基との合計の含有比率は22重量%であり、H−NMRによりアルコキシ基の含有量は1.4モル%であった。 The total content ratio of the phenyl group and the phenylene group in the obtained polymer (I) was 22% by weight , and the content of the alkoxy group was 1.4 mol% by 1 H-NMR.

(合成例10)[比較例用]第2のシリコーン樹脂に類似したシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン31g、1,1,3,3−ヘキサメチルジシロキサン50g、ジメチルジメトキシシラン140g、ジフェニルジメトキシシラン59g、フェニルトリメトキシシラン48g、及びビニルトリメトキシシラン45gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸1.4gと水92gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(J)を得た。
Synthesis Example 10 [Comparative Example] Synthesis of a silicone resin similar to the second silicone resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 31 g of trimethylmethoxysilane, 1,1,3, 50 g of 3-hexamethyldisiloxane, 140 g of dimethyldimethoxysilane, 59 g of diphenyldimethoxysilane, 48 g of phenyltrimethoxysilane and 45 g of vinyltrimethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 1.4 g of hydrochloric acid and 92 g of water was slowly added dropwise, and after the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (J) was obtained.

得られたポリマー(J)の数平均分子量(Mn)は600であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(J)は、下記の平均組成式(J1)を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (J) was 600. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (J) had the following average composition formula (J1).

(MeSiO1/20.09(HMeSiO1/20.24(MeSiO2/20.38(PhSiO2/20.08(PhSiO3/20.10(ViSiO3/20.10 …式(J1) (Me 3 SiO 1/2 ) 0.09 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.24 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.38 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.08 (PhSiO 3/2 ) 0.10 (ViSiO 3/2 ) 0.10 Formula (J1)

上記式(J1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。   In the above formula (J1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー(J)のフェニル基の含有比率は23重量%であり、H−NMRに
よりアルコキシ基の含有量は2.2モル%であった。
The obtained polymer (J) had a phenyl group content of 23% by weight , and an alkoxy group content of 2.2 mol% by 1 H-NMR.

(白金アルケニル錯体Aの合成)
環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸6水和物(HPtCl・6HO、300mg)、及び2−プロパノール(4.6ml)を入れて、窒素雰囲気下にて室温で20分間攪拌した。20分後、炭酸水素ナトリウム(NaHCO、400mg)を加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(8当量、864mg)を加え、反応溶液を60℃で24時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム(300mg)を加えて5分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が5gになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Aの溶液を得た。
(Synthesis of platinum alkenyl complex A)
A reaction flask equipped with a reflux condenser, chloroplatinic acid hexahydrate (H 2 PtCl 6 · 6H 2 O, 300mg), and placed 2-propanol (4.6 ml), at room temperature under a nitrogen atmosphere 20 Stir for minutes. After 20 minutes, sodium bicarbonate (NaHCO 3 , 400 mg) was added and stirred until no gas was evolved, then 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (8 equivalents, 864 mg) was added and the reaction solution was stirred at 60 ° C. for 24 hours. The reaction solution was returned to room temperature, anhydrous magnesium sulfate (300 mg) was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. Thereafter, celite filtration was performed using diethyl ether as a solvent, and the solution was concentrated until the amount of the solution became 5 g to obtain a solution of platinum alkenyl complex A.

(実施例1)
ポリマーA(10g)、ポリマーD(20g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
Example 1
A solution of polymer A (10 g), polymer D (20 g), and platinum alkenyl complex A (amount in which the content of platinum element in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例2)
ポリマーA(10g)、ポリマーE(20g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Example 2)
A solution of polymer A (10 g), polymer E (20 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the platinum element content in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例3)
ポリマーA(10g)、ポリマーF(20g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Example 3)
A solution of polymer A (10 g), polymer F (20 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the platinum element content in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例4)
ポリマーA(10g)、ポリマーG(20g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
Example 4
A solution of polymer A (10 g), polymer G (20 g), and platinum alkenyl complex A (amount of platinum element in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例5)
ポリマーB(10g)、ポリマーE(20g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Example 5)
A solution of polymer B (10 g), polymer E (20 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the platinum element content in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例6)
ポリマーB(10g)、ポリマーF(20g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Example 6)
A solution of polymer B (10 g), polymer F (20 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the platinum element content in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例7)
ポリマーB(10g)、ポリマーG(20g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Example 7)
A solution of polymer B (10 g), polymer G (20 g), and platinum alkenyl complex A (amount in which the content of platinum element in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例8)
ポリマーC(10g)、ポリマーE(10g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Example 8)
A solution of polymer C (10 g), polymer E (10 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the content of platinum element in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例9)
ポリマーC(10g)、ポリマーF(10g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
Example 9
A solution of polymer C (10 g), polymer F (10 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the content of platinum element in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(実施例10)
ポリマーC(10g)、ポリマーG(10g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Example 10)
A solution of polymer C (10 g), polymer G (10 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the platinum element content in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(比較例1)
ポリマーH(10g)、ポリマーD(10g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Comparative Example 1)
A solution of polymer H (10 g), polymer D (10 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the platinum element content in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(比較例2)
ポリマーI(10g)、ポリマーD(10g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Comparative Example 2)
A solution of polymer I (10 g), polymer D (10 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the content of platinum element in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(比較例3)
ポリマーH(10g)、ポリマーJ(10g)及び白金アルケニル錯体Aの溶液(封止剤中での白金元素の含有量が10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
(Comparative Example 3)
A solution of polymer H (10 g), polymer J (10 g) and platinum alkenyl complex A (amount in which the content of platinum element in the sealant is 10 ppm) is mixed, defoamed, and sealed for an optical semiconductor device. A stop was obtained.

(評価)
(光半導体装置の作製)
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、150℃で2時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の評価項目について評価を実施した。
(Evaluation)
(Production of optical semiconductor device)
In a structure in which a light emitting element having a main emission peak of 460 nm is mounted on a silver-plated polyphthalamide housing material with a lead electrode by a die bond material, and the light emitting element and the lead electrode are connected by a gold wire. The obtained sealant for optical semiconductor device was injected, and heated and cured at 150 ° C. for 2 hours to produce an optical semiconductor device. Using this optical semiconductor device, the following evaluation items were evaluated.

(ガス腐食試験)
得られた光半導体装置を、40℃及び相対湿度90%RH雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が5ppm、二酸化硫黄ガスの濃度が15ppmとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、24時間後、48時間後、96時間後、168時間後及び500時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。
(Gas corrosion test)
The obtained optical semiconductor device was placed in a chamber at 40 ° C. and a relative humidity of 90% RH, and the chamber was filled with gas so that the concentration of hydrogen sulfide gas was 5 ppm and the concentration of sulfur dioxide gas was 15 ppm. . From the gas filling, the lead electrodes plated with silver were visually observed after 24 hours, 48 hours, 96 hours, 168 hours and 500 hours.

銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。   “○○” indicates no discoloration in the silver plating, “○” indicates that the silver plating is slightly browned, “△” indicates that almost all of the silver plating has changed to brown, The case where almost all of the plating changed to black was judged as “x”.

(熱衝撃試験)
得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機(「TSB−51」、ESPEC社製)を用いて、−50℃で5分間保持した後、135℃まで昇温し、135℃で5分間保持した後−50℃まで降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。500サイクル後、1000サイクル及び1500サイクル後にそれぞれ20個のサンプルを取り出した。
(Thermal shock test)
The obtained optical semiconductor device was held at −50 ° C. for 5 minutes using a liquid tank thermal shock tester (“TSB-51”, manufactured by ESPEC), then heated to 135 ° C., and at 135 ° C. A cold cycle test was conducted in which the process of holding for 5 minutes and then lowering the temperature to −50 ° C. was one cycle. After 500 cycles, 20 samples were taken after 1000 cycles and 1500 cycles, respectively.

実体顕微鏡(「SMZ−10」、ニコン社製)にてサンプルを観察した。20個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数(NG数)を数えた。   The sample was observed with a stereomicroscope (“SMZ-10”, manufactured by Nikon Corporation). It is observed whether or not each of the 20 samples of the encapsulant for optical semiconductor devices has cracks, or whether or not the encapsulant for optical semiconductor devices has peeled off from the package or electrode, and cracks or delamination occurred. The number of samples (NG number) was counted.

(脱泡性)
得られた100個光半導体装置において、硬化した封止剤中に気泡が含まれているか否かを、実体顕微鏡(「SMZ−10」、ニコン社製)を用いて確認した。脱泡性を下記の判定基準で判定した。
(Defoaming property)
In the obtained 100 optical semiconductor devices, it was confirmed using a stereomicroscope (“SMZ-10”, manufactured by Nikon Corporation) whether or not bubbles were contained in the cured sealant. The defoaming property was determined according to the following criteria.

[脱泡性の判定基準]
○○:気泡が封止剤中に混入している光半導体装置がない
○:気泡が封止剤中に混入している光半導体装置が5個未満
△:気泡が封止剤中に混入している光半導体装置が5以上20個未満
×:気泡が封止剤中に混入している光半導体装置が20個以上
[Degassing criteria]
○○: No optical semiconductor device in which bubbles are mixed in the sealant ○: Less than 5 optical semiconductor devices in which bubbles are mixed in the sealant Δ: Bubbles are mixed in the sealant 5 to less than 20 optical semiconductor devices ×: 20 or more optical semiconductor devices in which bubbles are mixed in the sealant

結果を下記の表1に示す。   The results are shown in Table 1 below.

Figure 0005323038
Figure 0005323038

1…光半導体装置
2…ハウジング
2a…内面
3…光半導体素子
4…光半導体装置用封止剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical semiconductor device 2 ... Housing 2a ... Inner surface 3 ... Optical semiconductor element 4 ... Sealant for optical semiconductor devices

Claims (4)

アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第1のシリコーン樹脂(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く)と、
アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第2のシリコーン樹脂と、
ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、
前記第1のシリコーン樹脂が、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、塩基性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第1のシリコーン樹脂であり、
前記第2のシリコーン樹脂が、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも1種を、酸性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第2のシリコーン樹脂である、光半導体装置用封止剤。
A first silicone resin having an aryl group and an alkenyl group and having substantially no alkoxy group (excluding a silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom);
A second silicone resin having a hydrogen atom bonded to an aryl group and a silicon atom, and having substantially no alkoxy group;
A catalyst for hydrosilylation reaction,
The first silicone resin is a first silicone resin obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using a basic catalyst,
The sealing for optical semiconductor device, wherein the second silicone resin is a second silicone resin obtained by hydrolytic polycondensation of at least one of an alkoxysilane compound and a disiloxane compound using an acidic catalyst. Agent.
前記第1のシリコーン樹脂が、下記式(1A)で表され、
前記第2のシリコーン樹脂が、下記式(51A)で表される、請求項1に記載の光半導体装置用封止剤。
Figure 0005323038
前記式(1A)中、a、b及びcは、a/(a+b+c)=0〜0.50、b/(a+b+c)=0.40〜1.0及びc/(a+b+c)=0〜0.50を満たし、R1〜R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR1〜R6は、炭素数1〜8の炭化水素基を表す。
Figure 0005323038
前記式(51A)中、p、q及びrは、p/(p+q+r)=0.05〜0.50、q/(p+q+r)=0.05〜0.50及びr/(p+q+r)=0.20〜0.80を満たし、R51〜R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が珪素原子に結合した水素原子を表し、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子以外のR51〜R56は、炭素数1〜8の炭化水素基を表す。
The first silicone resin is represented by the following formula (1A) ,
It said second silicone resin is represented by the following formula (51A), a sealant for an optical semiconductor device according to claim 1.
Figure 0005323038
In the formula (1A), a, b and c are a / (a + b + c) = 0 to 0.50, b / (a + b + c) = 0.40 to 1.0 and c / (a + b + c) = 0 to 0. 50, R1 to R6 represent at least one aryl group, at least one represents an alkenyl group, and R1 to R6 other than the aryl group and the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. .
Figure 0005323038
In the formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r) = 0.05 to 0.50 and r / (p + q + r) = 0. 20 to 0.80 are satisfied, R51 to R56 each represent at least one aryl group, at least one represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and R51 to R51 other than an aryl group and a hydrogen atom bonded to a silicon atom R56 represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
前記第1のシリコーン樹脂及び前記第2のシリコーン樹脂における下記式(X)より求められるアリール基の含有比率がそれぞれ、30重量%以上かつ70重量%以下である、請求項1又は2に記載の光半導体装置用封止剤。
アリール基の含有比率(重量%)=(前記第1のシリコーン樹脂又は前記第2のシリコーン樹脂の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/前記第1のシリコーン樹脂又は前記第2のシリコーン樹脂の数平均分子量)×100 ・・・式(X)
The content ratio of the aryl group calculated | required from the following formula (X) in the said 1st silicone resin and the said 2nd silicone resin is 30 weight % or more and 70 weight % or less, respectively. Sealant for optical semiconductor devices.
Content ratio (% by weight ) of aryl group = (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin or the second silicone resin × molecular weight of the aryl group / the first silicone resin or the above Number average molecular weight of second silicone resin) × 100 Formula (X)
光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた請求項1〜3のいずれか1項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。   An optical semiconductor device comprising: an optical semiconductor element; and the encapsulant for an optical semiconductor device according to claim 1, which is provided so as to seal the optical semiconductor element.
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