JP2013181061A - Lens material for optical semiconductor apparatus, optical semiconductor apparatus, and method for producing optical semiconductor apparatus - Google Patents

Lens material for optical semiconductor apparatus, optical semiconductor apparatus, and method for producing optical semiconductor apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lens material for an optical semiconductor apparatus, capable of enhancing thermal shock resistance of a lens and of inhibiting stickiness of a lens surface when forming the lens in the optical semiconductor apparatus.SOLUTION: A liquid lens material used for forming a lens 5 in an optical semiconductor apparatus 1 includes: a first organopolysiloxane represented by formula (1A) and having a methyl group bonded to an alkenyl group and silicon atom; a second organopolysiloxane represented by formula (51A) and having a hydrogen atom and a methyl group, both bonded to the silicon atom; a catalyst for hydrosilylation reaction; and silicon oxide particles. The containing ratios of the methyl group bonded to the silicon atom in the first and second organopolysiloxanes are 80 mol% or more.

Description

本発明は、光半導体装置においてレンズを形成するために用いられる液状の光半導体装置用レンズ材料に関する。また、本発明は、該光半導体装置用レンズ材料を用いた光半導体装置及び光半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid lens material for an optical semiconductor device used for forming a lens in an optical semiconductor device. The present invention also relates to an optical semiconductor device using the lens material for an optical semiconductor device and a method for manufacturing the optical semiconductor device.

発光ダイオード(LED)装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。   An optical semiconductor device such as a light emitting diode (LED) device has low power consumption and long life. Moreover, the optical semiconductor device can be used even in a harsh environment. Accordingly, optical semiconductor devices are used in a wide range of applications such as mobile phone backlights, liquid crystal television backlights, automobile lamps, lighting fixtures, and signboards.

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子(例えばLED)が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は一般的に、封止剤により封止されている。   When an optical semiconductor element (for example, an LED), which is a light emitting element used in an optical semiconductor device, is in direct contact with the atmosphere, the light emission characteristics of the optical semiconductor element rapidly deteriorate due to moisture in the atmosphere or floating dust. For this reason, the said optical semiconductor element is generally sealed with the sealing agent.

また、光半導体装置において、光の出射方向を制御したり、正面輝度が高くなりすぎるのを抑制したりするために、光半導体装置用レンズ材料を用いてレンズが形成されていることがある。上記レンズは、例えば、上記封止剤の表面上に配置されている。また、上記レンズは、光半導体素子上に又は光半導体素子を被覆するように配置されていることもある。   Further, in an optical semiconductor device, a lens may be formed using a lens material for an optical semiconductor device in order to control the light emission direction or to prevent the front luminance from becoming too high. The lens is disposed on the surface of the sealant, for example. The lens may be disposed on the optical semiconductor element or so as to cover the optical semiconductor element.

下記の特許文献1には、上記光半導体装置用レンズ材料として、(A)脂肪族不飽和結合を2個以上有するオルガノポリシロキサンと、(B)珪素原子に結合した水素原子を2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、(C)白金族金属系触媒と、(D)離型剤とを含むレンズ材料が開示されている。   Patent Document 1 listed below includes (A) an organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds and (B) two or more hydrogen atoms bonded to silicon atoms as the lens material for the optical semiconductor device. A lens material including an organohydrogenpolysiloxane, (C) a platinum group metal catalyst, and (D) a release agent is disclosed.

特開2006−328103号公報JP 2006-328103 A

特許文献1に記載のような従来の光半導体装置用レンズ材料を用いて、光半導体装置においてレンズを形成した場合には、光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されると、レンズが他の部材から剥離することがある。発光素子の背面側に達した光を反射させるために、発光素子の背面に、銀めっきされた電極が形成されていることがある。レンズが他の部材から剥離すると、銀めっきされた電極が大気と接触する可能性が高くなる。また、大気中に存在する硫化水素ガス又は亜硫酸ガス等の腐食性ガスによって、銀めっきが変色する可能性が高くなる。電極が変色すると反射率が低下するため、発光素子が発する光の明るさが低下するという問題がある。   When a conventional lens material for an optical semiconductor device as described in Patent Document 1 is used to form a lens in an optical semiconductor device, the optical semiconductor device is used in a harsh environment that is repeatedly subjected to heating and cooling. Then, the lens may be peeled off from other members. In order to reflect light reaching the back side of the light emitting element, a silver plated electrode may be formed on the back side of the light emitting element. When the lens is peeled off from other members, there is a high possibility that the silver-plated electrode comes into contact with the atmosphere. Further, there is a high possibility that the silver plating will be discolored by a corrosive gas such as hydrogen sulfide gas or sulfurous acid gas present in the atmosphere. When the color of the electrode changes, the reflectance decreases, which causes a problem that the brightness of the light emitted from the light emitting element decreases.

さらに、従来の光半導体装置用レンズ材料により形成されたレンズの表面は、べたつくことがある。   Furthermore, the surface of a lens formed of a conventional lens material for an optical semiconductor device may become sticky.

本発明の目的は、光半導体装置においてレンズを形成したときに、レンズの耐熱衝撃性を高めることができ、レンズの表面のべたつきを抑制できる光半導体装置用レンズ材料、並びに該光半導体装置用レンズ材料を用いた光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a lens material for an optical semiconductor device capable of improving the thermal shock resistance of the lens and suppressing stickiness of the surface of the lens when the lens is formed in the optical semiconductor device, and the lens for the optical semiconductor device. To provide an optical semiconductor device using the material and a method of manufacturing the optical semiconductor device.

本発明の限定的な目的は、良好なレンズ形状のレンズを形成でき、更に透明性が高いレンズを形成できる光半導体装置用レンズ材料、並びに該光半導体装置用レンズ材料を用いた光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供することである。   A limited object of the present invention is to provide a lens material for an optical semiconductor device capable of forming a lens having a favorable lens shape and capable of forming a highly transparent lens, an optical semiconductor device using the lens material for an optical semiconductor device, It is to provide a method for manufacturing an optical semiconductor device.

本発明のさらに限定的な目的は、ディスペンサーを用いて吐出したり、真空印刷したりすることができ、ディスペンサーにより吐出したり、真空印刷したりしても良好なレンズ形状のレンズを形成できる光半導体装置用レンズ材料、並びに該光半導体装置用レンズ材料を用いた光半導体装置及び光半導体装置の製造方法を提供することである。   A more limited object of the present invention is that light that can be ejected using a dispenser or vacuum printed, and that can form a lens having a good lens shape even if ejected by a dispenser or vacuum printed. An object is to provide a lens material for a semiconductor device, an optical semiconductor device using the lens material for an optical semiconductor device, and a method for manufacturing the optical semiconductor device.

本発明の広い局面によれば、光半導体装置においてレンズを形成するために用いられる液状のレンズ材料であって、下記式(1A)で表され、かつアルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第1のオルガノポリシロキサンと、下記式(51A)で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子を含み、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式(X)より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、80モル%以上である、光半導体装置用レンズ材料が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, there is provided a liquid lens material used for forming a lens in an optical semiconductor device, which is represented by the following formula (1A) and has an alkenyl group and a methyl group bonded to a silicon atom. A first organopolysiloxane having the following formula (51A) and having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and a methyl group bonded to a silicon atom; a hydrosilylation reaction catalyst; In addition, the content ratio of the methyl group bonded to the silicon atom obtained from the following formula (X) in the first organopolysiloxane and the second organopolysiloxane is 80 mol% or more. A lens material for an optical semiconductor device is provided.

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(1A)中、a、b及びcは、a/(a+b+c)=0〜0.30、b/(a+b+c)=0.70〜1.0及びc/(a+b+c)=0〜0.10を満たし、R1〜R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1〜R6は、炭素数2〜8の炭化水素基を表す。   In the formula (1A), a, b, and c are a / (a + b + c) = 0 to 0.30, b / (a + b + c) = 0.70 to 1.0, and c / (a + b + c) = 0 to 0. 10, R1 to R6 each represents at least one alkenyl group, at least one represents a methyl group, and R1 to R6 other than the alkenyl group and the methyl group represent a hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms. .

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(51A)中、p、q及びrは、p/(p+q+r)=0.10〜0.50、q/(p+q+r)=0〜0.40、r/(p+q+r)=0.40〜0.90を満たし、R51〜R56は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51〜R56は、炭素数2〜8の炭化水素基を表す。   In the above formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.10 to 0.50, q / (p + q + r) = 0 to 0.40, r / (p + q + r) = 0.40 0.90 is satisfied, R51 to R56 each represents at least one hydrogen atom, at least one represents a methyl group, and R51 to R56 other than the hydrogen atom and the methyl group are hydrocarbon groups having 2 to 8 carbon atoms. Represents.

珪素原子に結合したメチル基の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)}×100 ・・・式(X)   Content ratio (mol%) of methyl groups bonded to silicon atoms = {(Average number of methyl groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane or the second organopolysiloxane × Molecular weight of methyl group) / (average number of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane or the second organopolysiloxane × the first organopolysiloxane or the first organopolysiloxane) 2) The average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the organopolysiloxane)} × 100 (Formula (X))

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料では、E型粘度計を用いて測定された25℃における10rpmでの粘度が1000mPa・s以上、100000mPa・s以下であり、かつ、E型粘度計を用いて測定された25℃における1rpmでの粘度のE型粘度計を用いて測定された25℃における10rpmでの粘度に対する比(1rpmでの粘度/10rpmでの粘度)が1.5以上、5.0以下であることが好ましい。   In the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, the viscosity at 10 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer is 1000 mPa · s to 100,000 mPa · s, and the E-type viscometer is used. 4. The ratio of the viscosity at 1 rpm at 25 ° C. measured to the viscosity at 10 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer (viscosity at 1 rpm / 10 viscosity at 10 rpm) is 1.5 or more. It is preferably 0 or less.

上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましい。   The silicon oxide particles are preferably surface-treated with an organosilicon compound. The organosilicon compound is preferably at least one selected from the group consisting of an organosilicon compound having a dimethylsilyl group, an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, and an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料の他の特定の局面では、レンズ材料中における上記オルガノポリシロキサンの下記式(Y)より求められる珪素原子に結合した水素原子の含有比率の、レンズ材料中における上記オルガノポリシロキサンの下記式(Z)より求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率に対する比(珪素原子に結合した水素原子の含有比率/珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率)は、0.5以上、5.0以下である。   In another specific aspect of the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, in the lens material, the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms determined by the following formula (Y) of the organopolysiloxane in the lens material The ratio (content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms / content ratio of alkenyl groups bonded to silicon atoms) to the content ratio of alkenyl groups bonded to silicon atoms obtained from the following formula (Z) of the organopolysiloxane in 0.5 or more and 5.0 or less.

珪素原子に結合した水素原子の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100+{(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量)/(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100 ・・・式(Y)   Content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms (mol%) = {(average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane × molecular weight of hydrogen atoms) / (above Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the first organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the first organopolysiloxane) X blending amount of the first organopolysiloxane in the lens material / (blending amount of the first organopolysiloxane in the lens material + blending amount of the second organopolysiloxane in the lens material)} x 100+ {(Average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms contained in one molecule of the second organopolysiloxane × molecular weight of hydrogen atoms) / (second Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the second organopolysiloxane) × the above 2 in the lens material of the organopolysiloxane / (the amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the amount of the second organopolysiloxane in the lens material)} × 100 Formula (Y)

珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100+{(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量)/(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量))}×100 ・・・式(Z)   Content ratio of alkenyl group bonded to silicon atom (mol%) = {(average number of alkenyl groups bonded to silicon atom per molecule of the first organopolysiloxane × the number of alkenyl groups bonded to silicon atom) Molecular weight) / (average number of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane × functional group bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane) Of the first organopolysiloxane in the lens material / (the amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the amount of the second organopolysiloxane in the lens material) Amount)} × 100 + {(average number of alkenyl groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the second organopolysiloxane) × Molecular weight of alkenyl group bonded to silicon atom) / (average number of functional groups bonded to silicon atom contained in one molecule of the second organopolysiloxane × per molecule of the second organopolysiloxane) Average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained) × Amount of the second organopolysiloxane in the lens material / (Amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the second Compounding amount of the organopolysiloxane in the lens material))} × 100 (Z)

上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は、20000以上、100000以下であることが好ましい。   The number average molecular weight of the first organopolysiloxane represented by the above formula (1A) is preferably 20,000 or more and 100,000 or less.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料の別の特定の局面では、上記式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンは、アルケニル基を有する。   In another specific aspect of the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, the second organopolysiloxane represented by the above formula (51A) has an alkenyl group.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料の別の特定の局面では、上記式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンは、下記式(51−a)で表される構造単位を有する。   In another specific aspect of the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, the second organopolysiloxane represented by the above formula (51A) has a structural unit represented by the following formula (51-a). .

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(51−a)中、R52及びR53はそれぞれ、メチル基又は炭素数2〜8の炭化水素基を示す。   In said formula (51-a), R52 and R53 show a methyl group or a C2-C8 hydrocarbon group, respectively.

本発明の広い局面によれば、光半導体素子と、上述した光半導体装置用レンズ材料により形成されているレンズとを備える、光半導体装置が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, there is provided an optical semiconductor device including an optical semiconductor element and a lens formed of the above-described lens material for an optical semiconductor device.

本発明に係る光半導体装置のある特定の局面では、該光半導体装置は、上記光半導体素子を封止している封止剤をさらに備え、上記レンズが上記封止剤上に配置されている。   On the specific situation with the optical semiconductor device which concerns on this invention, this optical semiconductor device is further equipped with the sealing agent which has sealed the said optical semiconductor element, and the said lens is arrange | positioned on the said sealing agent. .

本発明の広い局面によれば、光半導体素子とレンズとを備える光半導体装置の製造方法であって、上述した光半導体装置用レンズ材料により、上記レンズを形成する、光半導体装置の製造方法が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an optical semiconductor device comprising an optical semiconductor element and a lens, wherein the lens is formed using the lens material for an optical semiconductor device described above. Provided.

本発明に係る光半導体装置の製造方法のある特定の局面では、基板と、該基板上に配置されている上記光半導体素子と、上記レンズとを備える光半導体装置の製造方法において、上記光半導体素子が配置されている上記基板上に、ディスペンサーを用いて、上記光半導体装置用レンズ材料を直接吐出して、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成する。   In a specific aspect of the method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention, in the method for manufacturing an optical semiconductor device comprising a substrate, the optical semiconductor element disposed on the substrate, and the lens, the optical semiconductor The lens material for an optical semiconductor device is directly discharged onto the substrate on which the element is arranged by using a dispenser, and the lens is formed from the lens material for an optical semiconductor device.

本発明に係る光半導体装置の製造方法の他の特定の局面では、基板と、該基板上に配置されている上記光半導体素子と、上記レンズとを備える光半導体装置の製造方法において、上記光半導体素子が配置されている上記基板上に、真空印刷装置を用いて、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成する。   In another specific aspect of the method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention, in the method for manufacturing an optical semiconductor device comprising a substrate, the optical semiconductor element disposed on the substrate, and the lens, the light The lens is formed of the lens material for an optical semiconductor device on the substrate on which the semiconductor element is arranged by using a vacuum printing apparatus.

本発明に係る光半導体装置の製造方法の別の特定の局面では、上記光半導体素子と、上記光半導体素子を封止している封止剤と、上記レンズとを備える光半導体装置の製造方法において、上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に、ディスペンサーを用いて、上記光半導体装置用レンズ材料を直接吐出して、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成する。   In another specific aspect of the method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention, a method for manufacturing an optical semiconductor device comprising the optical semiconductor element, a sealing agent that seals the optical semiconductor element, and the lens. The lens material for an optical semiconductor device is directly discharged onto the encapsulant sealing the optical semiconductor element by using a dispenser to form the lens with the lens material for an optical semiconductor device. .

本発明に係る光半導体装置の製造方法の他の特定の局面では、上記光半導体素子と、上記光半導体素子を封止している封止剤と、上記レンズとを備える光半導体装置の製造方法において、上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に、真空印刷装置を用いて、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成する。   In another specific aspect of the method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention, a method for manufacturing an optical semiconductor device comprising the optical semiconductor element, a sealing agent that seals the optical semiconductor element, and the lens. Then, the lens is formed of the lens material for an optical semiconductor device by using a vacuum printing device on the sealant sealing the optical semiconductor element.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、式(1A)で表されかつアルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第1のオルガノポリシロキサンと、式(51A)で表されかつ珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子を含み、上記第1,第2のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ80モル%以上であるので、光半導体装置においてレンズを形成したときに、レンズの耐熱衝撃性を高めることができる。さらに、レンズの表面のべたつきを抑制できる。   A lens material for an optical semiconductor device according to the present invention includes a first organopolysiloxane represented by the formula (1A) and having an alkenyl group and a methyl group bonded to a silicon atom, and a silicon atom represented by the formula (51A). A second organopolysiloxane having a hydrogen atom bonded to and a methyl group bonded to a silicon atom, a hydrosilylation catalyst, and silicon oxide particles, wherein the silicon atoms in the first and second organopolysiloxanes are Since the content ratio of the bonded methyl groups is 80 mol% or more, when the lens is formed in the optical semiconductor device, the thermal shock resistance of the lens can be improved. Furthermore, stickiness of the lens surface can be suppressed.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。FIG. 2 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. 図3(a)及び(b)は、従来の光半導体装置用レンズ材料を用いたレンズを説明するための正面断面図である。3A and 3B are front sectional views for explaining a lens using a conventional lens material for an optical semiconductor device.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、光半導体装置においてレンズを形成するために用いられる。本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、25℃で液状である。   The lens material for optical semiconductor devices according to the present invention is used for forming a lens in an optical semiconductor device. The lens material for optical semiconductor devices according to the present invention is liquid at 25 ° C.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、第1のオルガノポリシロキサンと、第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。   The lens material for optical semiconductor devices according to the present invention includes a first organopolysiloxane, a second organopolysiloxane, a hydrosilylation catalyst, and silicon oxide particles.

上記第1のオルガノポリシロキサンは、アルケニル基と珪素原子に結合したメチル基とを有する。上記第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子と珪素原子に結合したメチル基とを有する。   The first organopolysiloxane has an alkenyl group and a methyl group bonded to a silicon atom. The second organopolysiloxane has a hydrogen atom bonded to a silicon atom and a methyl group bonded to the silicon atom.

上記第1のオルガノポリシロキサンは、式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンである。上記第2のオルガノポリシロキサンは、式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンである。   The first organopolysiloxane is a first organopolysiloxane represented by the formula (1A). The second organopolysiloxane is a second organopolysiloxane represented by the formula (51A).

さらに、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料では、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式(X)より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率はそれぞれ、80モル%以上である。   Furthermore, in the lens material for optical semiconductor devices according to the present invention, the content ratios of methyl groups bonded to silicon atoms obtained from the following formula (X) in the first organopolysiloxane and the second organopolysiloxane are respectively 80 mol% or more.

珪素原子に結合したメチル基の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)}×100 ・・・式(X)   Content ratio (mol%) of methyl groups bonded to silicon atoms = {(Average number of methyl groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane or the second organopolysiloxane × Molecular weight of methyl group) / (average number of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane or the second organopolysiloxane × the first organopolysiloxane or the first organopolysiloxane) 2) The average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the organopolysiloxane)} × 100 (Formula (X))

上記「官能基」は、上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に直接結合している基を意味する。上記官能基が複数種ある場合に、「官能基の分子量」は、官能基それぞれの「官能基の平均個数×官能基の分子量」の総和を意味する。   The “functional group” means a group directly bonded to a silicon atom in the first organopolysiloxane or the second organopolysiloxane. In the case where there are a plurality of types of functional groups, the “molecular weight of the functional group” means the sum of “average number of functional groups × functional group molecular weight” of each functional group.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料における上記組成を採用することによって、光半導体装置においてレンズを形成したときに、レンズの耐熱衝撃性を高めることができる。例えば、レンズの冷熱サイクル特性を高めることができ、ガスバリア性を高めることができる。このため、レンズにクラックが生じ難くなり、レンズの剥離を抑制できる。さらに、上記組成の採用により、レンズの表面のべたつきを抑制することもできる。   By adopting the above composition in the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, the thermal shock resistance of the lens can be enhanced when the lens is formed in the optical semiconductor device. For example, the thermal cycle characteristics of the lens can be enhanced, and the gas barrier property can be enhanced. For this reason, it becomes difficult to produce a crack in a lens and it can suppress peeling of a lens. Furthermore, the stickiness of the lens surface can be suppressed by employing the above composition.

また、従来の光半導体装置用レンズ材料では、レンズ形状が良好なレンズを形成できないことがある。例えば、従来のレンズ材料を用いてレンズを有する複数の光半導体装置を作製したときに、レンズ形状にばらつきが生じることがある。このため、得られた複数の光半導体装置から発せられる光の明るさにばらつきが生じることがある。   In addition, conventional lens materials for optical semiconductor devices may not be able to form a lens having a good lens shape. For example, when a plurality of optical semiconductor devices having a lens is manufactured using a conventional lens material, the lens shape may vary. For this reason, the brightness of the light emitted from the obtained plurality of optical semiconductor devices may vary.

さらに、従来の光半導体装置用レンズ材料では、得られるレンズの透明性が低くなることがある。このため、レンズを備える光半導体装置において、光半導体素子から発せられる光の明るさが低くなることがある。   Furthermore, in the conventional lens material for optical semiconductor devices, the transparency of the obtained lens may be lowered. For this reason, in an optical semiconductor device including a lens, the brightness of light emitted from the optical semiconductor element may be lowered.

これに対して、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料における上記組成を採用することによって、光半導体装置において本発明に係る光半導体装置用レンズ材料を用いてレンズを形成したときに、レンズ形状を良好にすることができる。また、複数の光半導体装置を作製したときに、得られた複数の光半導体装置から発せられる光の明るさのばらつきを少なくすることができる。特に、酸化珪素粒子の使用は、レンズ材料のディスペンス性を良好にし、レンズ形状を良好にするために大きく寄与する。また、酸化珪素粒子の使用は、レンズ材料の真空印刷性を良好にし、レンズ形状を良好にするために大きく寄与する。さらに、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料における上記組成を採用することによって、光半導体装置用レンズ材料を用いたレンズの透明性も高くなる。   In contrast, when the lens is formed using the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention in the optical semiconductor device by adopting the above composition in the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, the lens shape Can be improved. In addition, when a plurality of optical semiconductor devices are manufactured, variation in brightness of light emitted from the obtained plurality of optical semiconductor devices can be reduced. In particular, the use of silicon oxide particles greatly contributes to improving the dispensing property of the lens material and the lens shape. Further, the use of silicon oxide particles greatly contributes to improving the vacuum printability of the lens material and the lens shape. Furthermore, by adopting the above composition in the lens material for optical semiconductor devices according to the present invention, the transparency of the lens using the lens material for optical semiconductor devices is also increased.

さらに、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料における上記組成を採用することによって、特に特定の上記第1,第2のオルガノポリシロキサンの組み合わせによって、レンズの耐熱性を高めることができる。レンズの耐熱性が高くなることによって、高温下に晒されたときにレンズの変色を抑制することができ、レンズが黄変し難くなる。   Furthermore, by employing the above composition in the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, the heat resistance of the lens can be enhanced particularly by a combination of the specific first and second organopolysiloxanes. By increasing the heat resistance of the lens, it is possible to suppress the discoloration of the lens when exposed to high temperatures, and the lens is difficult to yellow.

レンズの耐熱性及び冷熱サイクル特性を効果的に高める観点からは、レンズ材料中における上記オルガノポリシロキサンの下記式(Y)より求められる珪素原子に結合した水素原子の含有比率の、レンズ材料中における上記オルガノポリシロキサンの下記式(Z)より求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率に対する比(珪素原子に結合した水素原子の含有比率/珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率)が、0.5以上、5.0以下であることが好ましい。上記第1のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合した水素原子を有する場合には、上記比において、珪素原子に結合した水素原子の含有比率には、第1のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率も考慮される。上記第2のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアルケニル基を有する場合には、上記比において、珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率には、第2のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率も考慮される。   From the viewpoint of effectively increasing the heat resistance and cooling cycle characteristics of the lens, the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms obtained from the following formula (Y) of the organopolysiloxane in the lens material is determined in the lens material. The ratio (content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms / content ratio of alkenyl groups bonded to silicon atoms) to the content ratio of alkenyl groups bonded to silicon atoms obtained from the following formula (Z) of the organopolysiloxane is: It is preferable that it is 0.5 or more and 5.0 or less. In the case where the first organopolysiloxane has a hydrogen atom bonded to a silicon atom, the content ratio of the hydrogen atom bonded to the silicon atom in the above ratio is bonded to the silicon atom of the first organopolysiloxane. The content ratio of hydrogen atoms is also considered. When the second organopolysiloxane has an alkenyl group bonded to a silicon atom, the content ratio of the alkenyl group bonded to the silicon atom in the above ratio is bonded to the silicon atom of the second organopolysiloxane. The content ratio of the alkenyl group is also considered.

珪素原子に結合した水素原子の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100+{(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量)/(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100 ・・・式(Y)   Content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms (mol%) = {(average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane × molecular weight of hydrogen atoms) / (above Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the first organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the first organopolysiloxane) X blending amount of the first organopolysiloxane in the lens material / (blending amount of the first organopolysiloxane in the lens material + blending amount of the second organopolysiloxane in the lens material)} x 100+ {(Average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms contained in one molecule of the second organopolysiloxane × molecular weight of hydrogen atoms) / (second Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the second organopolysiloxane) × the above 2 in the lens material of the organopolysiloxane / (the amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the amount of the second organopolysiloxane in the lens material)} × 100 Formula (Y)

珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率は、下記式(Z)より求められる。   The content ratio of the alkenyl group bonded to the silicon atom is obtained from the following formula (Z).

珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100+{(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量)/(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量))}×100 ・・・式(Z)   Content ratio of alkenyl group bonded to silicon atom (mol%) = {(average number of alkenyl groups bonded to silicon atom per molecule of the first organopolysiloxane × the number of alkenyl groups bonded to silicon atom) Molecular weight) / (average number of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane × functional group bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane) Of the first organopolysiloxane in the lens material / (the amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the amount of the second organopolysiloxane in the lens material) Amount)} × 100 + {(average number of alkenyl groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the second organopolysiloxane) × Molecular weight of alkenyl group bonded to silicon atom) / (average number of functional groups bonded to silicon atom contained in one molecule of the second organopolysiloxane × per molecule of the second organopolysiloxane) Average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained) × Amount of the second organopolysiloxane in the lens material / (Amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the second Compounding amount of the organopolysiloxane in the lens material))} × 100 (Z)

なお、上記第1のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合した水素原子を有さない場合には、レンズ材料中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率は、上記第2のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率を表し、下記式(Y1)より求められる。   When the first organopolysiloxane does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom, the content ratio of the hydrogen atom bonded to the silicon atom of the organopolysiloxane in the lens material is the second It represents the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms of the organopolysiloxane, and is determined from the following formula (Y1).

珪素原子に結合した水素原子の含有比率(モル%)={(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量)/(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第2のオルガノポリシロキサンの内の配合量/(上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100 ・・・式(Y1)   Content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms (mol%) = {(average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms contained in one molecule of the second organopolysiloxane × molecular weight of hydrogen atoms) / (above Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the second organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the second organopolysiloxane) X blending amount of the second organopolysiloxane / (blending amount of the second organopolysiloxane in the lens material + mixing amount of the second organopolysiloxane in the lens material)} × 100・ Formula (Y1)

なお、上記第2のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアルケニル基を有さない場合には、レンズ材料中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率は、上記第1のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率を表し、下記式(Z1)より求められる。   In the case where the second organopolysiloxane does not have an alkenyl group bonded to a silicon atom, the content ratio of the alkenyl group bonded to the silicon atom of the organopolysiloxane in the lens material is as described above. The content ratio of the alkenyl group bonded to the silicon atom of the organopolysiloxane is represented by the following formula (Z1).

珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100 ・・・式(Z1)   Content ratio of alkenyl group bonded to silicon atom (mol%) = {(average number of alkenyl groups bonded to silicon atom per molecule of the first organopolysiloxane × the number of alkenyl groups bonded to silicon atom) Molecular weight) / (average number of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane × functional group bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane) Of the first organopolysiloxane in the lens material / (the amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the amount of the second organopolysiloxane in the lens material) Amount)} × 100 Formula (Z1)

レンズ材料の耐熱性をより一層高める観点からは、上記比(珪素原子に結合した水素原子の含有比率/珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率)は、1.0以上であることが好ましい。   From the viewpoint of further increasing the heat resistance of the lens material, the above ratio (content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms / content ratio of alkenyl groups bonded to silicon atoms) is preferably 1.0 or more.

レンズ材料を用いた光半導体装置の信頼性を高める観点からは、上記比(珪素原子に結合した水素原子の含有比率/珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率)は、0.5以上、2.0以下であることが好ましい。上記比が2.0以下であると、レンズ材料が長期に渡り高温で保管されても硬度が上昇し難くなる。高温での硬度上昇の抑制は、冷熱サイクル時に発生する熱応力の低減に繋がるので、レンズ材料を用いた光半導体装置の信頼性を高くすることに寄与する。   From the viewpoint of improving the reliability of the optical semiconductor device using the lens material, the above ratio (content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms / content ratio of alkenyl groups bonded to silicon atoms) is 0.5 or more, 2 0.0 or less is preferable. When the ratio is 2.0 or less, the hardness hardly increases even when the lens material is stored at a high temperature for a long period of time. Suppression of hardness increase at high temperature leads to reduction of thermal stress generated during the cooling / heating cycle, and thus contributes to increasing the reliability of the optical semiconductor device using the lens material.

以下、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料に含まれている各成分の詳細を説明する。   Details of each component contained in the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention will be described below.

(第1のオルガノポリシロキサン)
本発明に係る光半導体装置用レンズ材料に含まれている第1のオルガノポリシロキサンは、下記式(1A)で表され、アルケニル基と珪素原子に結合したメチル基とを有する。上記第1のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有していてもよく、珪素原子に結合した水素原子を有していなくてもよい。アルケニル基は、珪素原子に直接結合していることが好ましい。なお、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。メチル基は珪素原子に直接結合している。上記第1のオルガノポリシロキサンは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(First organopolysiloxane)
The first organopolysiloxane contained in the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention is represented by the following formula (1A) and has an alkenyl group and a methyl group bonded to a silicon atom. The first organopolysiloxane may have a hydrogen atom bonded to a silicon atom or may not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom. The alkenyl group is preferably directly bonded to the silicon atom. The carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group may be bonded to the silicon atom, and the carbon atom different from the carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group is in the silicon atom. It may be bonded. The methyl group is directly bonded to the silicon atom. As for said 1st organopolysiloxane, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(1A)中、a、b及びcは、a/(a+b+c)=0〜0.30、b/(a+b+c)=0.70〜1.0及びc/(a+b+c)=0〜0.10を満たし、R1〜R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1〜R6は、炭素数2〜8の炭化水素基を表す。   In the formula (1A), a, b, and c are a / (a + b + c) = 0 to 0.30, b / (a + b + c) = 0.70 to 1.0, and c / (a + b + c) = 0 to 0. 10, R1 to R6 each represents at least one alkenyl group, at least one represents a methyl group, and R1 to R6 other than the alkenyl group and the methyl group represent a hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms. .

なお、上記式(1A)中、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位及び(R6SiO3/2)で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。 In the above formula (1A), the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) may each have an alkoxy group, and have a hydroxy group. You may have.

上記式(1A)は平均組成式を示す。上記式(1A)における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式(1A)中のR1〜R6はそれぞれ、同一であってもよく、異なっていてもよい。   The above formula (1A) represents an average composition formula. The hydrocarbon group in the above formula (1A) may be linear or branched. R1 to R6 in the above formula (1A) may be the same or different.

上記式(1A)中の(R4R5SiO2/2)及び(R6SiO3/2)で表される構造単位における酸素原子部分は、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。 The oxygen atom part in the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) and (R6SiO 3/2 ) in the above formula (1A) is an oxygen atom part forming a siloxane bond, an oxygen atom part of an alkoxy group, Or the oxygen atom part of a hydroxy group is shown.

なお、一般に、上記式(1A)の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第1のオルガノポリシロキサンを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式(1A)の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式(51A)の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことが言える。   In general, in each structural unit of the above formula (1A), the content of alkoxy groups is small, and the content of hydroxy groups is also small. Generally, when an organosilicon compound such as an alkoxysilane compound is hydrolyzed and polycondensed to obtain a first organopolysiloxane, most of the alkoxy groups and hydroxy groups are converted into a partial skeleton of siloxane bonds. It is to be done. That is, most of oxygen atoms of the alkoxy group and oxygen atoms of the hydroxy group are converted into oxygen atoms forming a siloxane bond. When each structural unit of the above formula (1A) has an alkoxy group or a hydroxy group, it indicates that a slight amount of unreacted alkoxy group or hydroxy group that has not been converted into a partial skeleton of a siloxane bond remains. The same applies to the case where each structural unit of the formula (51A) described later has an alkoxy group or a hydroxy group.

上記式(1A)中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式(1A)中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。   In the above formula (1A), examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group. From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, the alkenyl group in the above formula (1A) is preferably a vinyl group or an allyl group, and more preferably a vinyl group.

上記式(1A)における炭素数2〜8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基及びアリール基が挙げられる。   It does not specifically limit as a C2-C8 hydrocarbon group in said formula (1A), For example, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl Group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, cyclohexyl group and aryl group.

レンズ材料の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式(1A)中、(R1R2R3SiO1/2)で表される構造単位は、R1がビニル基を表し、R2及びR3がメチル基又は炭素数2〜8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、レンズ材料の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンは、(CH=CHR2R3SiO1/2)で表される構造単位を有することが好ましく、下記式(1−a)で表される構造単位を有することが好ましい。(R1R2R3SiO1/2)で表される構造単位は、下記式(1−a)で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式(1−a)で表される構造単位と下記式(1−a)で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式(1−a)で表される構造単位の存在により、末端にビニル基を存在させることができ、末端にビニル基が存在することによって反応機会が多くなり、レンズ材料の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式(1−a)で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子を「O1/2」とする。 From the viewpoint of enhancing the curability of the lens material and further suppressing cracking and peeling during thermal cycling, the structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) in the above formula (1A) is such that R1 is a vinyl group. It is preferable that R2 and R3 include a structural unit representing a methyl group or a hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms. That is, from the viewpoint of enhancing the curability of the lens material and further suppressing cracking and peeling during thermal cycling, the first organopolysiloxane represented by the above formula (1A) is (CH 2 = CHR2R3SiO 1 / It is preferable to have a structural unit represented by 2 ), and it is preferable to have a structural unit represented by the following formula (1-a). The structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) may contain only the structural unit represented by the following formula (1-a), and the structural unit represented by the following formula (1-a) and It may contain a structural unit other than the structural unit represented by the formula (1-a). Due to the presence of the structural unit represented by the following formula (1-a), a vinyl group can be present at the terminal, and the presence of the vinyl group at the terminal increases the chance of reaction, thereby further increasing the curability of the lens material. It can be further enhanced. In the structural unit represented by the following formula (1-a), the terminal oxygen atom generally forms a siloxane bond with an adjacent silicon atom, and shares an oxygen atom with the adjacent structural unit. Therefore, one oxygen atom at the terminal is defined as “O 1/2 ”.

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(1−a)中、R2及びR3はそれぞれ、メチル基又は炭素数2〜8の炭化水素基を示す。   In said formula (1-a), R2 and R3 respectively show a methyl group or a C2-C8 hydrocarbon group.

上記第1のオルガノポリシロキサンにおける下記式(X1)より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は80モル%以上である。このメチル基の含有比率が80モル%以上であると、レンズの耐熱性がかなり高くなり、更に光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くなりかつレンズの変色が生じ難くなる。上記第1のオルガノポリシロキサンにおける下記式(X1)より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは85モル%以上、更に好ましくは90モル%以上、好ましくは99.9モル%以下、より好ましくは99モル%以下、更に好ましくは98モル%以下である。上記メチル基の含有比率が好ましい上記下限以上であると、レンズの耐熱性がより一層高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、アルケニル基を充分に導入でき、レンズ材料の硬化性を高めることが容易である。   The content ratio of the methyl group couple | bonded with the silicon atom calculated | required from the following formula (X1) in the said 1st organopolysiloxane is 80 mol% or more. When the methyl group content is 80 mol% or more, the heat resistance of the lens is considerably increased, and even if the optical semiconductor device is used in a harsh environment under high temperature and high humidity, the luminous intensity is high. It is difficult to decrease and lens discoloration hardly occurs. The content ratio of the methyl group bonded to the silicon atom obtained from the following formula (X1) in the first organopolysiloxane is preferably 85 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, preferably 99.9 mol%. Hereinafter, it is more preferably 99 mol% or less, and still more preferably 98 mol% or less. When the content ratio of the methyl group is not less than the preferable lower limit, the heat resistance of the lens is further increased. When the content ratio of the methyl group is not more than the above upper limit, alkenyl groups can be sufficiently introduced, and the curability of the lens material can be easily improved.

珪素原子に結合したメチル基の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)}×100 ・・・式(X1)   Content ratio (mol%) of methyl groups bonded to silicon atoms = {(average number of methyl groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane × molecular weight of methyl groups) / (above Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the first organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the first organopolysiloxane) } × 100 Formula (X1)

上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンにおいて、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位(以下、二官能構造単位ともいう)は、下記式(1−2)で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the first organopolysiloxane represented by the above formula (1A), the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) is represented by the following formula (1-2). Or a structure in which one of the oxygen atoms bonded to the silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxy group or an alkoxy group.

(R4R5SiXO1/2) ・・・式(1−2) (R4R5SiXO 1/2 ) (Formula (1-2))

(R4R5SiO2/2)で表される構造単位は、下記式(1−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式(1−2−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R4及びR5で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位は、下記式(1−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する(R4R5SiO2/2)で表される構造単位は、下記式(1−2−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。また、下記式(1−b)で表される構造単位において、Si−O−Si結合中の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、Si−O−Si結合中の1つの酸素原子を「O1/2」とする。 The structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-b), and is further represented by the following formula (1-2b). A portion surrounded by a broken line of the structural unit may be included. That is, a structural unit having a group represented by R4 and R5 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ). Specifically, when the alkoxy group is converted into a partial skeleton of a siloxane bond, the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) is a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-b) The part enclosed by is shown. When an unreacted alkoxy group remains, or when the alkoxy group is converted to a hydroxy group, the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) having the remaining alkoxy group or hydroxy group has the following formula: The part enclosed with the broken line of the structural unit represented by (1-2-b) is shown. In the structural unit represented by the following formula (1-b), the oxygen atom in the Si—O—Si bond forms a siloxane bond with the adjacent silicon atom, and the adjacent structural unit and oxygen atom Sharing. Accordingly, one oxygen atom in the Si—O—Si bond is defined as “O 1/2 ”.

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(1−2)及び式(1−2−b)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。上記式(1−b)、式(1−2)及び式(1−2−b)中のR4及びR5は、上記式(1A)中のR4及びR5と同様の基である。   In the above formulas (1-2) and (1-2b), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. R4 and R5 in the above formula (1-b), formula (1-2), and formula (1-2b) are the same groups as R4 and R5 in the above formula (1A).

上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンにおいて、(R6SiO3/2)で表される構造単位(以下、三官能構造単位ともいう)は、下記式(1−3)又は式(1−4)で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the first organopolysiloxane represented by the above formula (1A), the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) is represented by the following formula (1-3) or formula The structure represented by (1-4), that is, the structure in which two oxygen atoms bonded to the silicon atom in the trifunctional structural unit each constitute a hydroxy group or an alkoxy group, or the silicon atom in the trifunctional structural unit One of the oxygen atoms bonded to may include a structure constituting a hydroxy group or an alkoxy group.

(R6SiX1/2) ・・・式(1−3)
(R6SiXO2/2) ・・・式(1−4)
(R6SiX 2 O 1/2 ) Formula (1-3)
(R6SiXO 2/2 ) Formula (1-4)

(R6SiO3/2)で表される構造単位は、下記式(1−c)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式(1−3−c)又は式(1−4−c)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R6で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、(R6SiO3/2)で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-c), and further includes the following formula (1-3-c) or formula ( The part enclosed with the broken line of the structural unit represented by 1-4-4-c) may be included. That is, a structural unit having a group represented by R6 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ).

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(1−3)、式(1−3−c)、式(1−4)及び式(1−4−c)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。上記式(1−c)、式(1−3)、式(1−3−c)、式(1−4)及び式(1−4−c)中のR6は、上記式(1A)中のR6と同様の基である。   In the above formula (1-3), formula (1-3-c), formula (1-4) and formula (1-4-c), X represents OH or OR, and OR is linear or A branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is represented. R6 in the above formula (1-c), formula (1-3), formula (1-3-c), formula (1-4) and formula (1-4-c) is the same as in formula (1A). R6 is the same group as R6.

上記式(1−b)及び式(1−c)、上記式(1−2)〜(1−4)、並びに上記式(1−2−b)、式(1−3−c)及び式(1−4−c)において、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基及びt−ブトキシ基が挙げられる。   Formula (1-b) and Formula (1-c), Formulas (1-2) to (1-4), Formula (1-2-b), Formula (1-3-c), and Formula In (1-4-c), the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an n-butoxy group, and an iso group. Examples thereof include a propoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, and a t-butoxy group.

上記式(1A)中、a/(a+b+c)の下限は0、上限は0.30である。a/(a+b+c)が上記上限以下であると、レンズの耐熱性がより一層高くなり、かつレンズの剥離をより一層抑制できる。上記式(1A)中、a/(a+b+c)は、好ましくは0.25以下、より好ましくは0.20以下である。なお、aが0であり、a/(a+b+c)が0である場合、上記式(1A)中、(R1R2R3SiO1/2)の構造単位は存在しない。 In the above formula (1A), the lower limit of a / (a + b + c) is 0, and the upper limit is 0.30. When a / (a + b + c) is less than or equal to the above upper limit, the heat resistance of the lens is further increased, and lens peeling can be further suppressed. In said formula (1A), a / (a + b + c) becomes like this. Preferably it is 0.25 or less, More preferably, it is 0.20 or less. When a is 0 and a / (a + b + c) is 0, there is no structural unit (R1R2R3SiO 1/2 ) in the above formula (1A).

上記式(1A)中、b/(a+b+c)の下限は0.70、上限は1.0である。上記式(1A)中、b/(a+b+c)は好ましくは0.75以上、より好ましくは0.80以上である。b/(a+b+c)が上記下限以上であると、レンズが硬くなりすぎず、レンズにクラックが生じ難くなる。   In the above formula (1A), the lower limit of b / (a + b + c) is 0.70, and the upper limit is 1.0. In the above formula (1A), b / (a + b + c) is preferably 0.75 or more, more preferably 0.80 or more. When b / (a + b + c) is not less than the above lower limit, the lens does not become too hard and cracks are hardly generated in the lens.

上記式(1A)中、c/(a+b+c)の下限は0、上限は0.10である。c/(a+b+c)が上記上限以下であると、レンズ材料としての適正な粘度を維持することが容易であり、レンズの密着性がより一層高くなる。上記式(1A)中、c/(a+b+c)は、好ましくは0.05以下である。なお、cが0であり、c/(a+b+c)が0である場合、上記式(1A)中、(R6SiO3/2)の構造単位は存在しない。 In the above formula (1A), the lower limit of c / (a + b + c) is 0, and the upper limit is 0.10. When c / (a + b + c) is not more than the above upper limit, it is easy to maintain an appropriate viscosity as a lens material, and the adhesion of the lens is further enhanced. In the above formula (1A), c / (a + b + c) is preferably 0.05 or less. In addition, when c is 0 and c / (a + b + c) is 0, the structural unit of (R6SiO 3/2 ) does not exist in the above formula (1A).

上記式(1A)中のc/(a+b+c)は、0であることが好ましい。すなわち、上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンは、下記式(1Aa)で表される第1のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、レンズにクラックがより一層生じ難くなり、かつレンズがハウジング材等からより一層剥離し難くなる。   C / (a + b + c) in the above formula (1A) is preferably 0. That is, the first organopolysiloxane represented by the above formula (1A) is preferably the first organopolysiloxane represented by the following formula (1Aa). As a result, cracks are less likely to occur in the lens, and the lens is more difficult to peel from the housing material or the like.

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(1Aa)中、a及びbは、a/(a+b)=0〜0.30及びb/(a+b)=0.70〜1.0を満たし、R1〜R5は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1〜R5は、炭素数2〜8の炭化水素基を表す。   In the above formula (1Aa), a and b satisfy a / (a + b) = 0 to 0.30 and b / (a + b) = 0.70 to 1.0, and at least one of R1 to R5 is alkenyl Represents at least one group, and R1 to R5 other than the alkenyl group and the methyl group represent a hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms.

上記式(1Aa)中、a/(a+b)は好ましくは0.25以下、より好ましくは0.20以下、更に好ましくは0.15以下である。上記式(1Aa)中、b/(a+b)は好ましくは0.80以上、より好ましくは0.85以上である。   In the above formula (1Aa), a / (a + b) is preferably 0.25 or less, more preferably 0.20 or less, and still more preferably 0.15 or less. In the above formula (1Aa), b / (a + b) is preferably 0.80 or more, more preferably 0.85 or more.

上記第1のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン(以下、TMS)を基準に29Si−核磁気共鳴分析(以下、NMR)を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式(1A)及び上記式(1Aa)中の(R1R2R3SiO1/2)で表される構造単位に相当するピークは+10〜−5ppm付近に現れ、上記式(1A)及び上記式(1Aa)中の(R4R5SiO2/2)で表される構造単位及び上記式(1−2)の二官能構造単位に相当する各ピークは−10〜−50ppm付近に現れ、上記式(1A)中の(R6SiO3/2)で表される構造単位、並びに上記式(1−3)及び上記式(1−4)の三官能構造単位に相当する各ピークは−50〜−80ppm付近に現れる。 When the first organopolysiloxane was subjected to 29 Si-nuclear magnetic resonance analysis (hereinafter referred to as NMR) based on tetramethylsilane (hereinafter referred to as TMS), although some variation was observed depending on the type of substituent, A peak corresponding to the structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) in the formula (1A) and the above formula (1Aa) appears in the vicinity of +10 to −5 ppm, and in the above formula (1A) and the above formula (1Aa) Each peak corresponding to the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) and the bifunctional structural unit of the above formula (1-2) appears in the vicinity of −10 to −50 ppm, and (R6SiO 3 in the above formula (1A) / 2 ) and the peaks corresponding to the trifunctional structural units of the above formula (1-3) and the above formula (1-4) appear in the vicinity of −50 to −80 ppm.

従って、29Si−NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって、上記式(1A)及び上記式(1Aa)中の各構造単位の比率を測定できる。 Therefore, by measuring 29 Si-NMR and comparing the peak areas of the respective signals, the ratio of each structural unit in the above formula (1A) and the above formula (1Aa) can be measured.

但し、上記TMSを基準にした29Si−NMRの測定で上記式(1A)及び上記式(1Aa)中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si−NMRの測定結果だけではなく、H−NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式(1A)及び上記式(1Aa)中の各構造単位の比率を見分けることができる。 However, in the case where the structural unit in the above formula (1A) and the above formula (1Aa) cannot be distinguished by the 29 Si-NMR measurement based on the TMS, not only the 29 Si-NMR measurement result but also 1 By using the measurement result of H-NMR as necessary, the ratio of each structural unit in the above formula (1A) and the above formula (1Aa) can be distinguished.

(第2のオルガノポリシロキサン)
本発明に係る光半導体装置用レンズ材料に含まれている第2のオルガノポリシロキサンは、下記式(51A)で表され、珪素原子に結合した水素原子と、珪素原子に結合したメチル基とを有する。水素原子とメチル基とは珪素原子に直接結合している。上記第2のオルガノポリシロキサンは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Second organopolysiloxane)
The second organopolysiloxane contained in the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention is represented by the following formula (51A), and includes a hydrogen atom bonded to a silicon atom and a methyl group bonded to the silicon atom. Have. The hydrogen atom and the methyl group are directly bonded to the silicon atom. As for said 2nd organopolysiloxane, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(51A)中、p、q及びrは、p/(p+q+r)=0.10〜0.50、q/(p+q+r)=0〜0.40、r/(p+q+r)=0.40〜0.90を満たし、R51〜R56は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51〜R56は、炭素数2〜8の炭化水素基を表す。   In the above formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.10 to 0.50, q / (p + q + r) = 0 to 0.40, r / (p + q + r) = 0.40 0.90 is satisfied, R51 to R56 each represents at least one hydrogen atom, at least one represents a methyl group, and R51 to R56 other than the hydrogen atom and the methyl group are hydrocarbon groups having 2 to 8 carbon atoms. Represents.

なお、上記式(51A)中、(R54R55SiO2/2)で表される構造単位及び(R56SiO3/2)で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。 In the formula (51A), the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) may each have an alkoxy group, You may have.

上記式(51A)は平均組成式を示す。上記式(51A)における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式(51A)中のR51〜R56は、同一であってもよく、異なっていてもよい。   The above formula (51A) represents an average composition formula. The hydrocarbon group in the above formula (51A) may be linear or branched. R51 to R56 in the above formula (51A) may be the same or different.

上記式(51A)中、(R54R55SiO2/2)及び(R56SiO3/2)で表される構造単位における酸素原子部分は、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。 In the above formula (51A), the oxygen atom part in the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) and (R56SiO 3/2 ) is an oxygen atom part forming a siloxane bond, an oxygen atom part of an alkoxy group, Or the oxygen atom part of a hydroxy group is shown.

上記式(51A)における炭素数2〜8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基及びアリール基が挙げられる。   It does not specifically limit as a C2-C8 hydrocarbon group in the said Formula (51A), For example, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl Group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, cyclohexyl group, vinyl group, allyl group and aryl group Is mentioned.

レンズ材料の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式(51A)中、(R51R52R53SiO1/2)で表される構造単位は、R51が水素原子を表し、R52及びR53がメチル基又は炭素数2〜8の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、レンズ材料の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第2のオルガノポリシロキサンは、(HR52R53SiO1/2)で表される構造単位を有することが好ましく、下記式(51−a)で表される構造単位を有することが好ましい。(R51R52R53SiO1/2)で表される構造単位は、下記式(51−a)で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式(51−a)で表される構造単位と下記式(51−a)で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式(51−a)で表される構造単位の存在により、末端に水素原子を存在させることができる。末端に水素原子が存在することによって反応機会が多くなり、レンズ材料の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式(51−a)で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子を「O1/2」とする。 From the viewpoint of enhancing the curability of the lens material and further suppressing cracking and peeling in the thermal cycle, the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) in the above formula (51A) is such that R51 represents a hydrogen atom. It is preferable that R52 and R53 include a structural unit representing a methyl group or a hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms. That is, the second organopolysiloxane has a structural unit represented by (HR52R53SiO 1/2 ) from the viewpoint of enhancing the curability of the lens material and further suppressing cracking and peeling during thermal cycling. It is preferable that it has a structural unit represented by the following formula (51-a). The structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) may include only the structural unit represented by the following formula (51-a), and the structural unit represented by the following formula (51-a) and the following And a structural unit other than the structural unit represented by Formula (51-a). Due to the presence of the structural unit represented by the following formula (51-a), a hydrogen atom can be present at the terminal. The presence of a hydrogen atom at the end increases the opportunity for reaction and can further enhance the curability of the lens material. In the structural unit represented by the following formula (51-a), the terminal oxygen atom generally forms a siloxane bond with an adjacent silicon atom, and shares an oxygen atom with the adjacent structural unit. Therefore, one oxygen atom at the terminal is defined as “O 1/2 ”.

Figure 2013181061
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上記式(51−a)中、R52及びR53はそれぞれ、メチル基又は炭素数2〜8の炭化水素基を示す。   In said formula (51-a), R52 and R53 show a methyl group or a C2-C8 hydrocarbon group, respectively.

レンズ材料の硬化性をより一層高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をさらに一層抑制する観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサンが、上記式(1−a)で表される構造単位を有し、かつ上記第2のオルガノポリシロキサンが、上記式(51−a)で表される構造単位を有することが特に好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the curability of the lens material and further suppressing cracking and peeling during thermal cycling, the first organopolysiloxane has a structural unit represented by the above formula (1-a). And it is particularly preferable that the second organopolysiloxane has a structural unit represented by the formula (51-a).

レンズ材料の硬化性をより一層高める観点からは、上記式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアルケニル基を有することが好ましい。この場合には、R51〜R56は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、水素原子、メチル基及びアルケニル基以外のR51〜R56は、炭素数2〜8の炭化水素基を表す。   From the viewpoint of further enhancing the curability of the lens material, the second organopolysiloxane represented by the above formula (51A) preferably has an alkenyl group bonded to a silicon atom. In this case, at least one of R51 to R56 represents a hydrogen atom, at least one represents a methyl group, at least one represents an alkenyl group, and R51 to R56 other than a hydrogen atom, a methyl group, and an alkenyl group. Represents a hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms.

上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式(X51)より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は80モル%以上である。このメチル基の含有比率が80モル%以上であると、レンズの耐熱性がかなり高くなり、更に光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くなりかつレンズの変色が生じ難くなる。上記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式(X51)より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは85モル%以上、好ましくは99.9モル%以下、より好ましくは99モル%以下、更に好ましくは98モル%以下である。上記メチル基の含有比率が好ましい上記下限以上であると、レンズの耐熱性がより一層高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、珪素原子に結合した水素原子を充分に導入でき、レンズ材料の硬化性を高めることが容易である。   The content ratio of the methyl group couple | bonded with the silicon atom calculated | required from the following formula (X51) in the said 2nd organopolysiloxane is 80 mol% or more. When the methyl group content is 80 mol% or more, the heat resistance of the lens is considerably increased, and even if the optical semiconductor device is used in a harsh environment under high temperature and high humidity, the luminous intensity is high. It is difficult to decrease and lens discoloration hardly occurs. The content ratio of the methyl group bonded to the silicon atom obtained from the following formula (X51) in the second organopolysiloxane is preferably 85 mol% or more, preferably 99.9 mol% or less, more preferably 99 mol%. Hereinafter, it is more preferably 98 mol% or less. When the content ratio of the methyl group is not less than the preferable lower limit, the heat resistance of the lens is further increased. When the content ratio of the methyl group is not more than the above upper limit, hydrogen atoms bonded to silicon atoms can be sufficiently introduced, and the curability of the lens material can be easily improved.

珪素原子に結合したメチル基の含有比率(モル%)={(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量)/(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)}×100 ・・・式(X51)   Content ratio (mol%) of methyl groups bonded to silicon atoms = {(average number of methyl groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the second organopolysiloxane × molecular weight of methyl groups) / (above Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the second organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the second organopolysiloxane) } × 100 Formula (X51)

上記式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンにおいて、(R54R55SiO2/2)で表される構造単位(以下、二官能構造単位ともいう)は、下記式(51−2)で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the second organopolysiloxane represented by the above formula (51A), the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) is represented by the following formula (51-2). Or a structure in which one of the oxygen atoms bonded to the silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxy group or an alkoxy group.

(R54R55SiXO1/2) ・・・式(51−2) (R54R55SiXO 1/2 ) Formula (51-2)

(R54R55SiO2/2)で表される構造単位は、下記式(51−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式(51−2−b)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R54及びR55で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、(R54R55SiO2/2)で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-b), and is further represented by the following formula (51-2-b). A portion surrounded by a broken line of the structural unit may be included. That is, a structural unit having a group represented by R54 and R55 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ).

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(51−2)及び式(51−2−b)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。上記式(51−b)、式(51−2)及び式(51−2−b)中のR54及びR55は、上記式(51A)中のR54及びR55と同様の基である。   In the above formulas (51-2) and (51-2-b), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. R54 and R55 in the above formula (51-b), formula (51-2) and formula (51-2-b) are the same groups as R54 and R55 in the above formula (51A).

上記式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンにおいて、(R56SiO3/2)で表される構造単位(以下、三官能構造単位ともいう)は、下記式(51−3)又は式(51−4)で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the second organopolysiloxane represented by the above formula (51A), the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) is represented by the following formula (51-3) or formula (51-4), that is, a structure in which two oxygen atoms bonded to a silicon atom in a trifunctional structural unit each constitute a hydroxy group or an alkoxy group, or a silicon atom in a trifunctional structural unit One of the oxygen atoms bonded to may include a structure constituting a hydroxy group or an alkoxy group.

(R56SiX1/2) ・・・式(51−3)
(R56SiXO2/2) ・・・式(51−4)
(R56SiX 2 O 1/2 ) (Formula (51-3)
(R56SiXO 2/2 ) Formula (51-4)

(R56SiO3/2)で表される構造単位は、下記式(51−c)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式(51−3−c)又は式(51−4−c)で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R56で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、(R56SiO3/2)で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-c), and further includes the following formula (51-3-c) or formula ( The part enclosed by the broken line of the structural unit represented by 51-4-c) may be included. That is, a structural unit having a group represented by R56 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ).

Figure 2013181061
Figure 2013181061

上記式(51−3)、式(51−3−c)、式(51−4)及び式(51−4−c)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。上記式(51−c)、式(51−3)、式(51−3−c)、式(51−4)及び式(51−4−c)中のR56は、上記式(51A)中のR56と同様の基である。   In the above formula (51-3), formula (51-3-c), formula (51-4) and formula (51-4-c), X represents OH or OR, and OR is linear or A branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is represented. R56 in the above formula (51-c), formula (51-3), formula (51-3-c), formula (51-4) and formula (51-4-c) is the same as in formula (51A). R56 is the same group as R56.

上記式(51−b)及び式(51−c)、上記式(51−2)〜(51−4)、並びに上記式(51−2−b)、式(51−3−c)、式(51−4−c)において、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基及びt−ブトキシ基が挙げられる。   Formula (51-b) and Formula (51-c), Formulas (51-2) to (51-4), Formula (51-2-b), Formula (51-3-c), Formula In (51-4-c), the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an n-butoxy group, and an iso group. Examples thereof include a propoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, and a t-butoxy group.

上記式(51A)中、p/(p+q+r)の下限は0.10、上限は0.50である。p/(p+q+r)が上記上限以下であると、レンズの耐熱性がより一層高くなり、かつレンズの表面のべたつきを抑制できる。上記式(51A)中、p/(p+q+r)は、好ましくは0.40以下、より好ましくは0.35以下である。   In the above formula (51A), the lower limit of p / (p + q + r) is 0.10, and the upper limit is 0.50. When p / (p + q + r) is less than or equal to the above upper limit, the heat resistance of the lens is further increased and stickiness of the lens surface can be suppressed. In said formula (51A), p / (p + q + r) becomes like this. Preferably it is 0.40 or less, More preferably, it is 0.35 or less.

上記式(51A)中、q/(p+q+r)の下限は0、上限は0.40である。q/(p+q+r)が上記上限以下であると、レンズの剥離をより一層抑制でき、かつレンズの表面のべたつきを抑制できる。上記式(51A)中、q/(p+q+r)は、好ましくは0.10以上、好ましくは0.35以下である。なお、qが0であり、q/(p+q+r)が0である場合、上記式(51A)中、(R54R55SiO2/2)の構造単位は存在しない。 In the above formula (51A), the lower limit of q / (p + q + r) is 0, and the upper limit is 0.40. When q / (p + q + r) is less than or equal to the above upper limit, lens peeling can be further suppressed and stickiness of the lens surface can be suppressed. In said formula (51A), q / (p + q + r) becomes like this. Preferably it is 0.10 or more, Preferably it is 0.35 or less. In addition, when q is 0 and q / (p + q + r) is 0, the structural unit of (R54R55SiO 2/2 ) does not exist in the above formula (51A).

上記式(51A)中、r/(p+q+r)の下限は0.40、上限は0.90である。r/(p+q+r)が上記下限以上であると、レンズの剥離をより一層抑制でき、かつレンズの表面のべたつきを抑制できる。上記式(51A)中、r/(p+q+r)は、好ましくは0.80以下、より好ましくは0.70以下である。   In the above formula (51A), the lower limit of r / (p + q + r) is 0.40, and the upper limit is 0.90. When r / (p + q + r) is not less than the above lower limit, it is possible to further suppress the peeling of the lens and to suppress the stickiness of the lens surface. In the above formula (51A), r / (p + q + r) is preferably 0.80 or less, more preferably 0.70 or less.

上記第2のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン(以下、TMS)を基準に29Si−核磁気共鳴分析(以下、NMR)を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式(51A)中の(R51R52R53SiO1/2)で表される構造単位に相当するピークは+10〜−5ppm付近に現れ、上記式(51A)中の(R54R55SiO2/2)で表される構造単位及び上記式(51−2)の二官能構造単位に相当する各ピークは−10〜−50ppm付近に現れ、上記式(51A)中の(R56SiO3/2)で表される構造単位、並びに上記式(51−3)及び上記式(51−4)の三官能構造単位に相当する各ピークは−50〜−80ppm付近に現れる。 When the second organopolysiloxane was subjected to 29 Si-nuclear magnetic resonance analysis (hereinafter referred to as NMR) based on tetramethylsilane (hereinafter referred to as TMS), although some variation was observed depending on the type of substituent, The peak corresponding to the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) in the formula (51A) appears in the vicinity of +10 to −5 ppm, and the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) in the above formula (51A) And each peak corresponding to the bifunctional structural unit of the above formula (51-2) appears in the vicinity of −10 to −50 ppm, the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) in the above formula (51A), and the above Each peak corresponding to the trifunctional structural unit of formula (51-3) and formula (51-4) appears in the vicinity of −50 to −80 ppm.

従って、29Si−NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式(51A)中の各構造単位の比率を測定できる。 Therefore, the ratio of each structural unit in the above formula (51A) can be measured by measuring 29 Si-NMR and comparing the peak areas of the respective signals.

但し、上記TMSを基準にした29Si−NMRの測定で上記式(51A)中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si−NMRの測定結果だけではなく、H−NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式(51A)中の各構造単位の比率を見分けることができる。 However, in the case where the structural unit in the formula (51A) cannot be identified by the 29 Si-NMR measurement based on the TMS, not only the 29 Si-NMR measurement result but also the 1 H-NMR measurement result. Can be used to distinguish the proportion of each structural unit in the above formula (51A).

上記第1のオルガノポリシロキサン100重量部に対して、上記第2のオルガノポリシロキサンの含有量は10重量部以上、400重量部以下であることが好ましい。第1,第2のオルガノポリシロキサンの含有量がこの範囲内であると、硬化性により一層優れたレンズ材料を得ることができる。硬化性にさらに一層優れたレンズ材料を得る観点からは、上記第1のオルガノポリシロキサン100重量部に対して、上記第2のオルガノポリシロキサンの含有量は、より好ましくは15重量部以上、更に好ましくは20重量部以上、より好ましくは300重量部以下、更に好ましくは200重量部以下である。   The content of the second organopolysiloxane is preferably 10 parts by weight or more and 400 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the first organopolysiloxane. When the content of the first and second organopolysiloxanes is within this range, a lens material that is more excellent in curability can be obtained. From the viewpoint of obtaining a lens material that is further excellent in curability, the content of the second organopolysiloxane is more preferably 15 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the first organopolysiloxane. Preferably it is 20 weight part or more, More preferably, it is 300 weight part or less, More preferably, it is 200 weight part or less.

(第1,第2のオルガノポリシロキサンの他の性質及びその合成方法)
上記第1,第2のオルガノポリシロキサンのアルコキシ基の含有量は、好ましくは0.1モル%以上、好ましくは10モル%以下、より好ましくは5モル%以下である。アルコキシ基の含有量が上記下限以上であると、レンズの密着性が高くなる。アルコキシ基の含有量が上記上限以下であると、上記第1,第2のオルガノポリシロキサン及びレンズ材料の貯蔵安定性が高くなり、レンズの耐熱性がより一層高くなる。
(Other properties of the first and second organopolysiloxanes and synthesis methods thereof)
The content of alkoxy groups in the first and second organopolysiloxanes is preferably 0.1 mol% or more, preferably 10 mol% or less, more preferably 5 mol% or less. When the content of the alkoxy group is not less than the above lower limit, the adhesion of the lens becomes high. When the alkoxy group content is not more than the above upper limit, the storage stability of the first and second organopolysiloxanes and the lens material is increased, and the heat resistance of the lens is further increased.

上記アルコキシ基の含有量は、上記第1,第2のオルガノポリシロキサンの平均組成式中に含まれるアルコキシ基の量を意味する。   The content of the alkoxy group means the amount of the alkoxy group contained in the average composition formula of the first and second organopolysiloxanes.

上記第1,第2のオルガノポリシロキサンはシラノール基を含有しないほうが好ましい。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンがシラノール基を含有しないと、上記第1,第2のオルガノポリシロキサン及びレンズ材料の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。   The first and second organopolysiloxanes preferably do not contain silanol groups. When the first and second organopolysiloxanes do not contain silanol groups, the storage stability of the first and second organopolysiloxanes and the lens material is increased. The silanol group can be reduced by heating under vacuum. The content of silanol groups can be measured using infrared spectroscopy.

レンズ材料の粘度を良好は範囲内に調整する観点からは、上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は好ましくは10000以上、より好ましくは20000以上、好ましくは100000以下である。レンズ材料の粘度を良好な範囲内に調整する観点からは、上記式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は好ましくは1000以上、より好ましくは2000以上、好ましくは10000以下である。   From the viewpoint of favorably adjusting the viscosity of the lens material within the range, the number average molecular weight of the first organopolysiloxane represented by the above formula (1A) is preferably 10,000 or more, more preferably 20,000 or more, preferably 100,000. It is as follows. From the viewpoint of adjusting the viscosity of the lens material within a favorable range, the number average molecular weight of the second organopolysiloxane represented by the above formula (51A) is preferably 1000 or more, more preferably 2000 or more, preferably 10,000. It is as follows.

冷熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は好ましくは20000以上であり、高ければ高いほど好ましいと考えられる。しかしながら冷熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式(1A)中のアルケニル基はオルガノポリシロキサンの末端に配置さていることが好ましいため、上記数平均分子量が高ければ高い程アルケニル基並びに水素原子の含有比率が下がることがある。レンズの表面のべたつきを低減する観点からは、上記式(1A)中のアルケニル基の含有比率は好ましくは0.05モル%以上、より好ましくは0.3モル%以上である。   From the viewpoint of further suppressing cracking and peeling in the cooling and heating cycle, the number average molecular weight of the first organopolysiloxane represented by the above formula (1A) is preferably 20000 or more, and a higher value is considered to be preferable. It is done. However, from the viewpoint of further suppressing cracking and peeling in the cold cycle, the alkenyl group in the above formula (1A) is preferably located at the end of the organopolysiloxane, so that the higher the number average molecular weight, the higher the number average molecular weight. The content ratio of alkenyl groups and hydrogen atoms may decrease. From the viewpoint of reducing the stickiness of the lens surface, the content ratio of the alkenyl group in the above formula (1A) is preferably 0.05 mol% or more, more preferably 0.3 mol% or more.

レンズの表面のべたつきを抑制する観点からは、上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は、50000以下であることが好ましい。特に、上記式(1A)中のアルケニル基の含有比率が上記下限以上である場合に、上記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの数平均分子量が50000以下であると、レンズの表面のべたつきを効果的に抑制できる。   From the viewpoint of suppressing the stickiness of the lens surface, the number average molecular weight of the first organopolysiloxane represented by the above formula (1A) is preferably 50000 or less. In particular, when the content ratio of the alkenyl group in the formula (1A) is not less than the above lower limit, the number average molecular weight of the first organopolysiloxane represented by the formula (1A) is not more than 50,000. The stickiness of the surface can be effectively suppressed.

上記数平均分子量(Mn)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて、ポリスチレンを標準物質として求めた値である。上記数平均分子量(Mn)は、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製 Shodex GPC LF−804(長さ300mm)を2本、測定温度:40℃、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いて測定された値を意味する。   The number average molecular weight (Mn) is a value obtained by using polystyrene as a standard substance using gel permeation chromatography (GPC). The number average molecular weight (Mn) was measured using two measuring devices manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: Tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene) means a value measured.

上記第1,第2のオルガノポリシロキサンを合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、及びクロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が好ましい。   The method for synthesizing the first and second organopolysiloxanes is not particularly limited, and examples thereof include a method in which an alkoxysilane compound is hydrolyzed and subjected to a condensation reaction, and a method in which a chlorosilane compound is hydrolyzed and condensed. Especially, the method of hydrolyzing and condensing an alkoxysilane compound from a viewpoint of reaction control is preferable.

上記アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。   Examples of the method for hydrolyzing and condensing the alkoxysilane compound include a method in which an alkoxysilane compound is reacted in the presence of water and an acidic catalyst or a basic catalyst. Further, the disiloxane compound may be hydrolyzed and used.

上記第1のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing an alkenyl group into the first organopolysiloxane include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, methoxydimethylvinylsilane, vinyldimethylethoxysilane, and 1,3-divinyl. -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and the like.

上記第2のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing a hydrogen atom bonded to a silicon atom into the second organopolysiloxane include trimethoxysilane, triethoxysilane, methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, and 1,1,3, Examples include 3-tetramethyldisiloxane.

上記第1,第2のオルガノポリシロキサンを得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル(メチル)ジメトキシシラン、シクロヘキシル(メチル)ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of other organosilicon compounds that can be used to obtain the first and second organopolysiloxanes include trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, and isopropyl (methyl) dimethoxy. Examples include silane, cyclohexyl (methyl) dimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, and octyltrimethoxysilane.

上記第1,第2のオルガノポリシロキサンに必要に応じてアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル(フェニル)ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing an aryl group into the first and second organopolysiloxanes as necessary include triphenylmethoxysilane, triphenylethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, methyl (phenyl) ) Dimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane and the like.

上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。   Examples of the acidic catalyst include inorganic acids, organic acids, acid anhydrides of inorganic acids and derivatives thereof, and acid anhydrides of organic acids and derivatives thereof.

上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。   Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, phosphoric acid, boric acid, and carbonic acid. Examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, fumaric acid, maleic acid and oleic acid. Is mentioned.

上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。   Examples of the basic catalyst include alkali metal hydroxides, alkali metal alkoxides, and alkali metal silanol compounds.

上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−t−ブトキシド、カリウム−t−ブトキシド及びセシウム−t−ブトキシドが挙げられる。   Examples of the alkali metal hydroxide include sodium hydroxide, potassium hydroxide, and cesium hydroxide. Examples of the alkali metal alkoxide include sodium-t-butoxide, potassium-t-butoxide, and cesium-t-butoxide.

上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好ましい。   Examples of the alkali metal silanol compound include a sodium silanolate compound, a potassium silanolate compound, and a cesium silanolate compound. Among these, a potassium catalyst or a cesium catalyst is preferable.

(ヒドロシリル化反応用触媒)
本発明に係る光半導体装置用レンズ材料に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第1のオルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、上記第2のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。
(Catalyst for hydrosilylation reaction)
The hydrosilylation reaction catalyst contained in the optical semiconductor device lens material according to the present invention includes an alkenyl group in the first organopolysiloxane and a hydrogen bonded to a silicon atom in the second organopolysiloxane. It is a catalyst that causes a hydrosilylation reaction with atoms.

上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   As the hydrosilylation reaction catalyst, various catalysts that cause the hydrosilylation reaction to proceed can be used. As for the said catalyst for hydrosilylation reaction, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。レンズの透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。   Examples of the hydrosilylation reaction catalyst include platinum-based catalysts, rhodium-based catalysts, and palladium-based catalysts. A platinum-based catalyst is preferable because the transparency of the lens can be increased.

上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。   Examples of the platinum-based catalyst include platinum powder, chloroplatinic acid, a platinum-alkenylsiloxane complex, a platinum-olefin complex, and a platinum-carbonyl complex. In particular, a platinum-alkenylsiloxane complex or a platinum-olefin complex is preferable.

上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、及び1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び1,6−ヘプタジエン等が挙げられる。   Examples of the alkenylsiloxane in the platinum-alkenylsiloxane complex include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5. , 7-tetravinylcyclotetrasiloxane and the like. Examples of the olefin in the platinum-olefin complex include allyl ether and 1,6-heptadiene.

上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは1,6−ヘプタジエンである。   Since the stability of the platinum-alkenylsiloxane complex and platinum-olefin complex can be improved, alkenylsiloxane, organosiloxane oligomer, allyl ether or olefin is added to the platinum-alkenylsiloxane complex or platinum-olefin complex. Is preferred. The alkenylsiloxane is preferably 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane. The organosiloxane oligomer is preferably a dimethylsiloxane oligomer. The olefin is preferably 1,6-heptadiene.

高温下又は高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をより一層抑制し、かつレンズの変色をより一層抑制する観点からは、上記ヒドロシリル化反応用触媒は、白金のアルケニル錯体であることが好ましい。高温下又は高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をさらに一層抑制し、かつレンズの変色をさらに一層抑制する観点からは、上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であることが好ましい。この場合に、白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物との反応物である。また、上記白金のアルケニル錯体の使用により、レンズの透明性を高くすることもできる。上記白金のアルケニル錯体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of further suppressing the decrease in luminous intensity when used in a state of being energized in a harsh environment under high temperature or high humidity, and further suppressing the discoloration of the lens, the hydrosilylation reaction catalyst is An alkenyl complex of platinum is preferable. From the viewpoint of further suppressing the decrease in luminous intensity when used in a state of being energized in a harsh environment under high temperature or high humidity, and further suppressing discoloration of the lens, the platinum alkenyl complex is: It is preferably a platinum alkenyl complex obtained by reacting chloroplatinic acid hexahydrate with 6 equivalents or more of a bifunctional or higher alkenyl compound. In this case, the platinum alkenyl complex is a reaction product of chloroplatinic acid hexahydrate and 6 equivalents or more of a bifunctional or higher alkenyl compound. In addition, the use of the platinum alkenyl complex can increase the transparency of the lens. As for the said platinum alkenyl complex, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記白金のアルケニル錯体を得るための白金原料として、上記塩化白金酸6水和物(HPtCl・6HO)を用いることが好ましい。 It is preferable to use the chloroplatinic acid hexahydrate (H 2 PtCl 6 .6H 2 O) as a platinum raw material for obtaining the platinum alkenyl complex.

上記白金のアルケニルを得るための上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物としては、例えば、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジメチル−1,3−ジフェニル−1,3−ジビニルジシロキサン及び1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。   Examples of the bifunctional or higher alkenyl compound of 6 equivalents or more for obtaining the platinum alkenyl include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethyl- Examples include 1,3-diphenyl-1,3-divinyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane.

上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物における「当量」に関しては、上記塩化白金酸6水和物1モルに対して上記2官能以上のアルケニル化合物が1モルである重量を1当量とする。上記6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物は、50当量以下であることが好ましい。   Regarding the “equivalent” in the bifunctional or higher alkenyl compound of 6 equivalents or more, the equivalent weight of 1 mol of the bifunctional or higher alkenyl compound is 1 equivalent to 1 mol of the chloroplatinic acid hexahydrate. . It is preferable that the bifunctional or higher alkenyl compound having 6 equivalents or more is 50 equivalents or less.

上記白金のアルケニル錯体を得るために用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、2−プロパノール及び1−ブタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。トルエン及びキシレン等の芳香族系溶媒を用いてもよい。上記溶媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the solvent used to obtain the platinum alkenyl complex include alcohol solvents such as methanol, ethanol, 2-propanol, and 1-butanol. Aromatic solvents such as toluene and xylene may be used. As for the said solvent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記白金のアルケニル錯体を得るために、上記成分に加えて単官能のビニル化合物を用いてもよい。上記単官能のビニル化合物としては、例えば、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン及びビニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。   In order to obtain the platinum alkenyl complex, a monofunctional vinyl compound may be used in addition to the above components. Examples of the monofunctional vinyl compound include trimethoxyvinylsilane, triethoxyvinylsilane, and vinylmethyldimethoxysilane.

塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物との反応物に関して、白金元素と6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とは、共有結合していたり、配位していたり、又は共有結合しかつ配位していたりする。   Regarding the reaction product of chloroplatinic acid hexahydrate and 6 equivalents or more of bifunctional or higher alkenyl compound, platinum element and 6 equivalents or more of bifunctional or higher alkenyl compound are covalently bonded or distributed. Or are covalently bonded and coordinated.

レンズ材料中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子(白金のアルケニル錯体の場合には白金原子)の重量単位で0.01ppm以上、1000ppm以下であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が0.01ppm以上であると、レンズ材料を十分に硬化させることが容易である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が1000ppm以下であると、硬化物の着色の問題が生じ難い。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、より好ましくは1ppm以上、より好ましくは500ppm以下である。   In the lens material, the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is preferably 0.01 ppm or more and 1000 ppm or less in terms of weight units of metal atoms (in the case of platinum alkenyl complexes, platinum atoms). When the content of the hydrosilylation reaction catalyst is 0.01 ppm or more, it is easy to sufficiently cure the lens material. When the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is 1000 ppm or less, the problem of coloring the cured product hardly occurs. The content of the hydrosilylation catalyst is more preferably 1 ppm or more, and more preferably 500 ppm or less.

(酸化珪素粒子)
本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、酸化珪素粒子を含む。この酸化珪素粒子の使用により、レンズの耐熱性及び耐光性を損なうことなく、レンズ材料の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、レンズ材料の取り扱い性を高めることができる。また、上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、レンズ材料の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。
(Silicon oxide particles)
The lens material for an optical semiconductor device according to the present invention contains silicon oxide particles. By using the silicon oxide particles, the viscosity of the lens material can be adjusted to an appropriate range without impairing the heat resistance and light resistance of the lens. Therefore, the handleability of the lens material can be improved. The silicon oxide particles are preferably surface-treated with an organosilicon compound. By this surface treatment, the dispersibility of the silicon oxide particles becomes very high, and the decrease in the viscosity due to the temperature increase of the lens material can be further suppressed.

上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、好ましくは5nm以上、より好ましくは8nm以上、好ましくは200nm以下、より好ましくは150nm以下である。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記下限以上であると、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、レンズの透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記上限以下であると、25℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。   The primary particle diameter of the silicon oxide particles is preferably 5 nm or more, more preferably 8 nm or more, preferably 200 nm or less, more preferably 150 nm or less. When the primary particle diameter of the silicon oxide particles is not less than the above lower limit, the dispersibility of the silicon oxide particles is further increased, and the transparency of the lens is further increased. When the primary particle diameter of the silicon oxide particles is not more than the above upper limit, it is possible to sufficiently obtain the effect of increasing the viscosity at 25 ° C. and to suppress the decrease in the viscosity due to the temperature increase.

上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用レンズ材料の硬化物を透過型電子顕微鏡(商品名「JEM−2100」、日本電子社製)を用いて観察する。視野中の100個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。   The primary particle diameter of the silicon oxide particles is measured as follows. The cured product of the lens material for an optical semiconductor device is observed using a transmission electron microscope (trade name “JEM-2100”, manufactured by JEOL Ltd.). The size of the primary particles of 100 silicon oxide particles in the visual field is measured, and the average value of the measured values is defined as the primary particle diameter. The primary particle diameter means an average value of the diameters of the silicon oxide particles when the silicon oxide particles are spherical, and an average value of the major diameters of the silicon oxide particles when the silicon oxide particles are non-spherical.

上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用レンズ材料の硬化物を透過型電子顕微鏡(商品名「JEM−2100」、日本電子社製)を用いて観察する。視野中の100個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。   The primary particle diameter of the silicon oxide particles is measured as follows. The cured product of the lens material for an optical semiconductor device is observed using a transmission electron microscope (trade name “JEM-2100”, manufactured by JEOL Ltd.). The size of the primary particles of 100 silicon oxide particles in the visual field is measured, and the average value of the measured values is defined as the primary particle diameter. The primary particle diameter means an average value of the diameters of the silicon oxide particles when the silicon oxide particles are spherical, and an average value of the major diameters of the silicon oxide particles when the silicon oxide particles are non-spherical.

上記酸化珪素粒子のBET比表面積は、好ましくは30m/g以上、好まししくは400m/g以下である。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が30m/g以上であると、レンズ材料の25℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が400m/g以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更にレンズの透明性をより一層高くすることができる。 The BET specific surface area of the silicon oxide particles is preferably 30 m 2 / g or more, and preferably 400 m 2 / g or less. When the BET specific surface area of the silicon oxide particles is 30 m 2 / g or more, the viscosity of the lens material at 25 ° C. can be controlled within a suitable range, and a decrease in viscosity due to a temperature rise can be suppressed. When the BET specific surface area of the silicon oxide particles is 400 m 2 / g or less, the aggregation of the silicon oxide particles hardly occurs, the dispersibility can be increased, and the transparency of the lens can be further increased. .

上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高いレンズを得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。   The silicon oxide particles are not particularly limited, and examples thereof include silica produced by a dry method such as fumed silica and fused silica, and silica produced by a wet method such as colloidal silica, sol-gel silica and precipitated silica. It is done. Among these, fumed silica is suitably used as the silicon oxide particles from the viewpoint of obtaining a lens having less volatile components and higher transparency.

上記フュームドシリカとしては、例えば、Aerosil 50(比表面積:50m/g)、Aerosil 90(比表面積:90m/g)、Aerosil 130(比表面積:130m/g)、Aerosil 200(比表面積:200m/g)、Aerosil 300(比表面積:300m/g)、及びAerosil 380(比表面積:380m/g)(いずれも日本アエロジル社製)等が挙げられる。 Examples of the fumed silica include Aerosil 50 (specific surface area: 50 m 2 / g), Aerosil 90 (specific surface area: 90 m 2 / g), Aerosil 130 (specific surface area: 130 m 2 / g), Aerosil 200 (specific surface area). : 200 m 2 / g), Aerosil 300 (specific surface area: 300 m 2 / g), Aerosil 380 (specific surface area: 380 m 2 / g) (all manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and the like.

上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、(メタ)アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「(メタ)アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。   The organosilicon compound is not particularly limited. For example, a silane compound having an alkyl group, a silicon compound having a siloxane skeleton such as dimethylsiloxane, a silicon compound having an amino group, and a silicon compound having a (meth) acryloyl group. Examples thereof include a compound and a silicon compound having an epoxy group. The “(meth) acryloyl group” means an acryloyl group and a methacryloyl group.

酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing dispersibility of the silicon oxide particles, the organosilicon compound is selected from the group consisting of an organosilicon compound having a dimethylsilyl group, an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, and an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group. It is preferable that at least one selected.

有機珪素化合物による表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。   As an example of a surface treatment method using an organosilicon compound, when an organosilicon compound having a dimethylsilyl group or an organosilicon compound having a trimethylsilyl group is used, for example, dichlorodimethylsilane, dimethyldimethoxysilane, hexamethyldisilazane, trimethylsilyl A method of surface-treating silicon oxide particles using chloride, trimethylmethoxysilane, or the like can be given. In the case of using an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, a method of surface-treating silicon oxide particles using a compound having a silanol group at the terminal of the polydimethylsiloxane group, cyclic siloxane, or the like can be mentioned.

上記ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、R974(比表面積:170m/g)、及びR964(比表面積:250m/g)(いずれも日本アエロジル社製)等が挙げられる。 Examples of commercially available silicon oxide particles surface-treated with the above organosilicon compound having a dimethylsilyl group include R974 (specific surface area: 170 m 2 / g) and R964 (specific surface area: 250 m 2 / g) (both Nippon Aerosil Etc.).

上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RX200(比表面積:140m/g)、及びR8200(比表面積:140m/g)(いずれも日本アエロジル社製)等が挙げられる。 Commercially available silicon oxide particles surface-treated with the above organosilicon compound having a trimethylsilyl group include RX200 (specific surface area: 140 m 2 / g) and R8200 (specific surface area: 140 m 2 / g) (both from Nippon Aerosil Co., Ltd.) Manufactured) and the like.

上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RY200(比表面積:120m/g)(日本アエロジル社製)等が挙げられる。 RY200 (specific surface area: 120 m 2 / g) (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and the like can be mentioned as a commercial product of silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group.

上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びV型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。   The method for surface-treating the silicon oxide particles with the organosilicon compound is not particularly limited. As this method, for example, a dry method in which silicon oxide particles are added to a mixer and an organosilicon compound is added while stirring, a slurry method in which an organosilicon compound is added to a slurry of silicon oxide particles, and silicon oxide particles And a direct treatment method such as a spray method in which an organosilicon compound is sprayed after drying. Examples of the mixer used in the dry method include a Henschel mixer and a V-type mixer. In the dry method, the organosilicon compound is added directly or as an alcohol aqueous solution, an organic solvent solution or an aqueous solution.

上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用レンズ材料を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第1,第2のオルガノポリシロキサン等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。   In preparing a lens material for an optical semiconductor device in order to obtain silicon oxide particles surface-treated with the organosilicon compound, the silicon oxide particles and the matrix resin such as the first and second organopolysiloxane are used. An integral blend method in which an organosilicon compound is directly added during mixing may be used.

上記第1のオルガノポリシロキサンと上記第2のオルガノポリシロキサンとの合計100重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.5重量部以上、好ましくは40重量部以下、より好ましくは35重量部以下、更に好ましくは20重量部以下である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限以上であると、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限以下であると、レンズ材料の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつレンズの透明性をより一層高めることができる。   The content of the silicon oxide particles is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.5 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of the first organopolysiloxane and the second organopolysiloxane. The amount is preferably 40 parts by weight or less, more preferably 35 parts by weight or less, and still more preferably 20 parts by weight or less. When the content of the silicon oxide particles is equal to or higher than the lower limit, it is possible to suppress a decrease in viscosity at the time of curing. When the content of the silicon oxide particles is not more than the above upper limit, the viscosity of the lens material can be controlled to a more appropriate range, and the transparency of the lens can be further enhanced.

(蛍光体)
本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、蛍光体を含んでいてもよい。また、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、蛍光体を含んでいなくてもよい。この場合には、レンズ材料は、使用時に蛍光体が添加されて、用いられ得る。
(Phosphor)
The lens material for optical semiconductor devices according to the present invention may contain a phosphor. Moreover, the lens material for optical semiconductor devices according to the present invention may not contain a phosphor. In this case, the lens material can be used with a phosphor added at the time of use.

上記蛍光体は、光半導体装置用レンズ材料を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。   The phosphor acts to absorb light emitted from a light emitting element that is sealed using a lens material for an optical semiconductor device and generate fluorescence to finally obtain light of a desired color. . The phosphor is excited by light emitted from the light emitting element to emit fluorescence, and light of a desired color can be obtained by a combination of light emitted from the light emitting element and fluorescence emitted from the phosphor.

例えば、発光素子として紫外線LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   For example, when it is intended to finally obtain white light using an ultraviolet LED chip as a light emitting element, it is preferable to use a combination of a blue phosphor, a red phosphor and a green phosphor. When it is intended to finally obtain white light using a blue LED chip as a light emitting element, it is preferable to use a combination of a green phosphor and a red phosphor, or a yellow phosphor. As for the said fluorescent substance, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、(Sr、Ca、Ba、Mg)10(POCl:Eu、(Ba、Sr)MgAl1017:Eu、(Sr、Ba)MgSi:Eu等が挙げられる。 The blue phosphor is not particularly limited. For example, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, (Ba, Sr) MgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ba) 3 MgSi 2 O 8 : Eu and the like.

上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、(Sr、Ca)S:Eu、(Ca、Sr)Si:Eu、CaSiN:Eu、CaAlSiN:Eu、YS:Eu、LaS:Eu、LiW:(Eu、Sm)、(Sr、Ca、Bs、Mg)10(POCl:(Eu、Mn)、BaMgSi:(Eu、Mn)等が挙げられる。 It is not particularly restricted but includes the red phosphor, for example, (Sr, Ca) S: Eu, (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: Eu, CaSiN 2: Eu, CaAlSiN 3: Eu, Y 2 O 2 S : Eu, La 2 O 2 S: Eu, LiW 2 O 8 : (Eu, Sm), (Sr, Ca, Bs, Mg) 10 (PO 4 ) 8 Cl 2 : (Eu, Mn), Ba 3 MgSi 2 And O 8 : (Eu, Mn).

上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y(Al、Ga)12:Ce、SrGa:Eu、CaScSi12:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:(Cu、Al)、BaMgAl1017(Eu、Mn)、SrAl:Eu等が挙げられる。 The green phosphor is not particularly limited, and for example, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, SrGa 2 S 4 : Eu, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce, SrSiON: Eu, ZnS: (Cu, Al), BaMgAl 10 O 17 (Eu, Mn), SrAl 2 O 4 : Eu, and the like.

上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、YAl12:Ce、(Y、Gd)Al12:Ce、TbAl12:Ce、CaGa:Eu、SrSiO:Eu等が挙げられる。 Is not particularly restricted but includes the yellow phosphor, for example, Y 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce, Tb 3 Al 5 O 12: Ce, CaGa 2 S 4: Eu , Sr 2 SiO 4 : Eu, and the like.

さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。   Furthermore, examples of the phosphor include perylene compounds that are organic phosphors.

所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用レンズ材料100重量部に対して、上記蛍光体の含有量は、0.1重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。光半導体装置用レンズ材料の蛍光体を除く全成分100重量部に対して、上記蛍光体の含有量は0.1重量部以上、40重量部以下であることが好ましい。   The phosphor content can be adjusted as appropriate so as to obtain light of a desired color, and is not particularly limited. The content of the phosphor is preferably 0.1 parts by weight or more and 40 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the lens material for optical semiconductor devices according to the present invention. The content of the phosphor is preferably 0.1 parts by weight or more and 40 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of all components excluding the phosphor of the lens material for an optical semiconductor device.

(他の成分)
本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含有してもよい。
(Other ingredients)
The lens material for an optical semiconductor device according to the present invention includes a dispersant, an antioxidant, an antifoaming agent, a colorant, a modifier, a leveling agent, a light diffusing agent, a heat conductive filler, a flame retardant, and the like as necessary. An additive may be further contained.

なお、上記第1のオルガノポリシロキサンと、上記第2のオルガノポリシロキサンと、上記ヒドロシリル化反応用触媒と、上記酸化珪素粒子とは、これらを1種又は2種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料を調製してもよい。例えば、上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むA液と、上記第2のオルガノポリシロキサンを含むB液とを別々に調製しておき、使用直前にA液とB液を混合して、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料を調製してもよい。この場合に、上記酸化珪素粒子及び上記蛍光体はそれぞれ、A液に添加してもよく、B液に添加してもよい。また、このように上記第1のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第2のオルガノポリシロキサンとを別々に、第1の液と第2の液との2液にすることによって、レンズ材料の保存安定性を向上させることができる。   The first organopolysiloxane, the second organopolysiloxane, the hydrosilylation reaction catalyst, and the silicon oxide particles are prepared separately in a liquid containing one or more of these. A lens material for an optical semiconductor device according to the present invention may be prepared by mixing a plurality of liquids immediately before use. For example, the liquid A containing the first organopolysiloxane and the hydrosilylation reaction catalyst and the liquid B containing the second organopolysiloxane are prepared separately, and the liquid A and liquid B immediately before use. May be mixed to prepare the lens material for optical semiconductor devices according to the present invention. In this case, the silicon oxide particles and the phosphor may be added to the A liquid or the B liquid, respectively. In addition, by separately making the first organopolysiloxane and the hydrosilylation reaction catalyst and the second organopolysiloxane into two liquids, a first liquid and a second liquid, The storage stability of the lens material can be improved.

(光半導体装置用レンズ材料の詳細及び用途)
本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、液状である。液状にはペースト状も含まれる。
(Details and applications of lens materials for optical semiconductor devices)
The lens material for optical semiconductor devices according to the present invention is liquid. Liquid forms include pastes.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料のE型粘度計を用いて測定された25℃における10rpmでの粘度η10は、1000mPa・s以上、100000mPa・s以下であることが好ましい。この場合には、光半導体装置用レンズ材料により形成されたレンズ形状をより一層良好にすることができ、ディスペンサーによりレンズ材料を精度よく吐出することが可能になり、真空印刷におけるレンズ材料の印刷精度を高めることが可能になる。レンズ形状を更に一層良好にし、ディスペンサーによるレンズ材料の吐出精度をより一層高め、更に真空印刷におけるレンズ材料の印刷精度をより一層高める観点からは、上記粘度η10はより好ましくは5000mPa・s以上、より好ましくは50000mPa・s以下である。   The viscosity η10 at 10 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer of the optical semiconductor device lens material according to the present invention is preferably 1000 mPa · s or more and 100,000 mPa · s or less. In this case, the lens shape formed by the lens material for the optical semiconductor device can be further improved, and the lens material can be accurately discharged by the dispenser. Can be increased. From the viewpoint of further improving the lens shape, further increasing the discharge accuracy of the lens material by the dispenser, and further increasing the print accuracy of the lens material in vacuum printing, the viscosity η10 is more preferably 5000 mPa · s or more, more Preferably it is 50000 mPa · s or less.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料の型粘度計を用いて測定された25℃における1rpmでの粘度η1の、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料の型粘度計を用いて測定された25℃における10rpmでの粘度η10に対する比(η1/η10)は1.5以上、5.0以下であることが好ましい。この場合には、光半導体装置用レンズ材料により形成されたレンズ形状をより一層良好にすることができ、ディスペンサーによりレンズ材料を精度よく吐出することが可能になり、真空印刷におけるレンズ材料の印刷精度を高めることが可能になる。レンズ形状を更に一層良好にし、ディスペンサーによるレンズ材料の吐出精度をより一層高め、更に真空印刷におけるレンズ材料の印刷精度をより一層高める観点からは、上記比(η1/η10)は、より好ましくは1.8以上、より好ましくは4.0以下である。   The viscosity η1 at 1 rpm at 25 ° C. measured using the mold viscometer of the lens material for optical semiconductor devices according to the present invention was measured using the mold viscometer of the lens material for optical semiconductor devices according to the present invention. The ratio (η1 / η10) to viscosity η10 at 10 rpm at 25 ° C. is preferably 1.5 or more and 5.0 or less. In this case, the lens shape formed by the lens material for the optical semiconductor device can be further improved, and the lens material can be accurately discharged by the dispenser. Can be increased. The ratio (η1 / η10) is more preferably 1 from the viewpoint of further improving the lens shape, further increasing the discharge accuracy of the lens material by the dispenser, and further increasing the print accuracy of the lens material in vacuum printing. .8 or more, more preferably 4.0 or less.

レンズ形状を更に一層良好にし、ディスペンサーによるレンズ材料の吐出精度をより一層高め、更に真空印刷におけるレンズ材料の印刷精度をより一層高める観点からは、上記粘度η10が上記下限以上及び上記上限以下であり、かつ上記比(η1/η10)が上記下限以上及び上記上限以下であることが好ましい。   From the viewpoint of further improving the lens shape, further improving the discharge accuracy of the lens material by the dispenser, and further increasing the printing accuracy of the lens material in vacuum printing, the viscosity η10 is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit. The ratio (η1 / η10) is preferably not less than the above lower limit and not more than the above upper limit.

なお、光半導体装置用レンズ材料における上記「粘度」は、E型粘度計(TV−22型、東機産業社製)を用いて測定された値である。   The “viscosity” in the lens material for an optical semiconductor device is a value measured using an E-type viscometer (TV-22 type, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用レンズ材料の硬化温度は、好ましくは80℃以上、より好ましくは100℃以上、好ましくは180℃以下、より好ましくは150℃以下である。硬化温度が上記下限以上であると、レンズ材料の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記上限以下であると、パッケージの熱劣化が起こり難い。   The curing temperature of the optical semiconductor device lens material according to the present invention is not particularly limited. The curing temperature of the lens material for optical semiconductor devices is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 180 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower. When the curing temperature is equal to or higher than the above lower limit, the lens material is sufficiently cured. When the curing temperature is not more than the above upper limit, the package is unlikely to be thermally deteriorated.

硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、レンズ材料の硬化収縮を抑えることができる。   The curing method is not particularly limited, but it is preferable to use a step cure method. The step cure method is a method in which the resin is temporarily cured at a low temperature and then cured at a high temperature. By using the step cure method, curing shrinkage of the lens material can be suppressed.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第1のオルガノポリシロキサン、上記第2のオルガノポリシロキサン、上記ヒドロシリル化反応用触媒、上記酸化珪素粒子及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。   The method for producing a lens material for an optical semiconductor device according to the present invention is not particularly limited. Alternatively, a method of mixing the first organopolysiloxane, the second organopolysiloxane, the hydrosilylation reaction catalyst, the silicon oxide particles, and other components blended as necessary under heating, etc. Can be mentioned.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、ディスペンサー又は真空印刷装置を用いてレンズを形成するために用いられるレンズ材料であることが好ましい。   The lens material for an optical semiconductor device according to the present invention is preferably a lens material used for forming a lens using a dispenser or a vacuum printing apparatus.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、上記光半導体素子が配置されている上記基板上又は上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に、レンズを形成するために用いられるレンズ材料であることが好ましい。   The lens material for optical semiconductor devices according to the present invention is used for forming a lens on the substrate on which the optical semiconductor element is disposed or on the sealant sealing the optical semiconductor element. A lens material is preferred.

本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、上記光半導体素子が配置されている上記基板上又は上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に、ディスペンサー又は真空印刷装置を用いてレンズを形成するために用いられるレンズ材料であることが好ましい。   The lens material for an optical semiconductor device according to the present invention uses a dispenser or a vacuum printing apparatus on the substrate on which the optical semiconductor element is disposed or on the sealant that seals the optical semiconductor element. It is preferably a lens material used to form a lens.

本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。   Specific examples of the optical semiconductor device according to the present invention include a light emitting diode device, a semiconductor laser device, and a photocoupler. Such optical semiconductor devices include, for example, backlights such as liquid crystal displays, illumination, various sensors, light sources such as printers and copiers, vehicle measuring instrument light sources, signal lights, indicator lights, display devices, and light sources for planar light emitters. , Displays, decorations, various lights, switching elements and the like.

本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料により形成されているレンズとを備える。この光半導体装置は、上述した光半導体装置用レンズ材料により、上記レンズを形成することで得られる。該レンズは、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料を硬化させることにより得られ、レンズ材料の硬化物である。   An optical semiconductor device according to the present invention includes an optical semiconductor element and a lens formed of the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention. This optical semiconductor device can be obtained by forming the lens using the above-described lens material for an optical semiconductor device. The lens is obtained by curing the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, and is a cured product of the lens material.

本発明に係る光半導体装置は、基板を備えることが好ましい。上記光半導体素子は基板上に配置されていることが好ましい。本発明に係る光半導体装置において、レンズは上記光半導体素子が配置されている上記基板上に配置されていることが好ましい。レンズは、上記光半導体素子の表面上に配置されていることが好ましく、上記基板上と上記光半導体素子上とに配置されていることが好ましい。   The optical semiconductor device according to the present invention preferably includes a substrate. The optical semiconductor element is preferably disposed on a substrate. In the optical semiconductor device according to the present invention, the lens is preferably disposed on the substrate on which the optical semiconductor element is disposed. The lens is preferably disposed on the surface of the optical semiconductor element, and is preferably disposed on the substrate and the optical semiconductor element.

本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子を封止している封止剤をさらに備えることが好ましい。封止剤の表面(上面)は、平坦であることが好ましい。また、本発明に係る光半導体装置において、レンズは上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に配置されていることが好ましい。   The optical semiconductor device according to the present invention preferably further includes a sealing agent that seals the optical semiconductor element. The surface (upper surface) of the sealant is preferably flat. In the optical semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the lens is disposed on the sealing agent that seals the optical semiconductor element.

レンズ形状は特に限定されない。光半導体装置における光の出射方向を制御し、かつ正面輝度が高くなりすぎるのをより一層抑制する観点からは、レンズ形状は、球体の一部又は回転楕円体の一部であることが好ましい。   The lens shape is not particularly limited. From the viewpoint of controlling the light emission direction in the optical semiconductor device and further suppressing the front luminance from becoming too high, the lens shape is preferably a part of a sphere or a part of a spheroid.

上記光半導体装置を得る際には、上記光半導体素子が配置されている上記基板上に、ディスペンサーを用いて、上記光半導体装置用レンズ材料を直接吐出して、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成するか、又は上記光半導体素子が配置されている上記基板上に、真空印刷装置を用いて、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成することが好ましい。上記光半導体素子が配置されている上記基板上に、ディスペンサーを用いて、上記光半導体装置用レンズ材料を直接吐出して、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成することが好ましい。上記光半導体素子が配置されている上記基板上に、真空印刷装置を用いて、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成することも好ましい。   When obtaining the optical semiconductor device, the lens material for the optical semiconductor device is directly discharged onto the substrate on which the optical semiconductor element is disposed by using a dispenser, and the lens material for the optical semiconductor device is used. Preferably, the lens is formed, or the lens is formed of the lens material for an optical semiconductor device by using a vacuum printing device on the substrate on which the optical semiconductor element is disposed. It is preferable that the lens material for the optical semiconductor device is directly ejected onto the substrate on which the optical semiconductor element is disposed by using a dispenser to form the lens with the lens material for the optical semiconductor device. It is also preferable that the lens is formed of the lens material for an optical semiconductor device on the substrate on which the optical semiconductor element is disposed by using a vacuum printing apparatus.

上記光半導体装置を得る際には、上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に、ディスペンサーを用いて、上記光半導体装置用レンズ材料を直接吐出して、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成するか、又は上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に、真空印刷装置を用いて、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成することが好ましい。上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に、ディスペンサーを用いて、上記光半導体装置用レンズ材料を直接吐出して、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成することが好ましい。上記光半導体素子を封止している上記封止剤上に、真空印刷装置を用いて、上記光半導体装置用レンズ材料により上記レンズを形成することが好ましい。   When obtaining the optical semiconductor device, the lens material for the optical semiconductor device is directly discharged onto the encapsulant sealing the optical semiconductor element by using a dispenser, and the optical semiconductor device is used. The lens may be formed of a lens material, or the lens may be formed of the lens material for an optical semiconductor device using a vacuum printing device on the sealant sealing the optical semiconductor element. preferable. Using the dispenser, the lens material for an optical semiconductor device is directly ejected onto the encapsulant sealing the optical semiconductor element to form the lens with the lens material for an optical semiconductor device. preferable. It is preferable that the lens is formed of the lens material for an optical semiconductor device using a vacuum printing device on the sealant sealing the optical semiconductor element.

上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にLED形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及びSiC等が挙げられる。   The light emitting element is not particularly limited as long as it is a light emitting element using a semiconductor. For example, when the light emitting element is a light emitting diode, for example, a structure in which a semiconductor material for LED type is stacked on a substrate can be given. In this case, examples of the semiconductor material include GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN, and SiC.

上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、及びGaN単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、GaN及びAlN等が挙げられる。   Examples of the material for the substrate include sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, and GaN single crystal. Further, a buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor material as necessary. Examples of the material of the buffer layer include GaN and AlN.

(光半導体装置の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
(Embodiment of optical semiconductor device)
FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

図1に示す光半導体装置1は、ハウジング2を有する。ハウジング2内に光半導体素子3が配置されている。光半導体素子3の周囲を、ハウジング2の光反射性を有する内面2aが取り囲んでいる。光半導体素子3は、LEDなどの発光素子である。   An optical semiconductor device 1 shown in FIG. 1 has a housing 2. An optical semiconductor element 3 is disposed in the housing 2. The optical semiconductor element 3 is surrounded by an inner surface 2 a having light reflectivity of the housing 2. The optical semiconductor element 3 is a light emitting element such as an LED.

内面2aは、内面2aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面2aに到達した光が内面2aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。光半導体素子3を封止するように、ハウジング2の内面2aで囲まれた領域内には、封止剤4が充填されている。すなわち、ハウジング2内で光半導体素子3が封止剤4により封止されている。光半導体装置1では、光半導体素子3を封止するように、封止剤4が配置されている。   The inner surface 2a is formed so that the diameter of the inner surface 2a increases toward the opening end. Therefore, of the light emitted from the optical semiconductor element 3, the light that has reached the inner surface 2 a is reflected by the inner surface 2 a and travels forward of the optical semiconductor element 3. A sealing agent 4 is filled in a region surrounded by the inner surface 2 a of the housing 2 so as to seal the optical semiconductor element 3. That is, the optical semiconductor element 3 is sealed with the sealant 4 in the housing 2. In the optical semiconductor device 1, a sealing agent 4 is disposed so as to seal the optical semiconductor element 3.

さらに、光半導体装置1では、封止剤4の表面4a上に、レンズ5が配置されている。   Furthermore, in the optical semiconductor device 1, the lens 5 is disposed on the surface 4 a of the sealant 4.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。   FIG. 2 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

図2に示す光半導体装置11では、端子12aが上面に設けられた基板12上に、光半導体素子13が配置されている。光半導体素子13の上面に設けられた電極13aと、基板12の上面に設けられた端子12aとが、ボンディングワイヤー14により電気的に接続されている。さらに、光半導体装置11では、光半導体素子13が配置された基板12上に、レンズ15が配置されている。レンズは、光半導体素子13上に配置されている。レンズ15は、光半導体素子13の表面とボンディングワイヤー14とを覆っている。   In the optical semiconductor device 11 shown in FIG. 2, the optical semiconductor element 13 is disposed on the substrate 12 having the terminals 12a provided on the upper surface. An electrode 13 a provided on the upper surface of the optical semiconductor element 13 and a terminal 12 a provided on the upper surface of the substrate 12 are electrically connected by a bonding wire 14. Furthermore, in the optical semiconductor device 11, a lens 15 is disposed on the substrate 12 on which the optical semiconductor element 13 is disposed. The lens is disposed on the optical semiconductor element 13. The lens 15 covers the surface of the optical semiconductor element 13 and the bonding wire 14.

レンズ5,15は、本発明に係る光半導体装置用レンズ材料を硬化させることにより形成されており、該レンズ材料の硬化物である。従って、レンズ5,15のレンズ形状は良好である。また、レンズ5,15の透明性は高いので、光半導体装置1,11において取り出される光の明るさが高くなる。   The lenses 5 and 15 are formed by curing the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, and are a cured product of the lens material. Therefore, the lens shapes of the lenses 5 and 15 are good. Further, since the lenses 5 and 15 are highly transparent, the brightness of the light extracted from the optical semiconductor devices 1 and 11 is increased.

一方で、従来の光半導体装置用レンズ材料をディスペンサーにより吐出し、レンズを形成した場合には、図3(a)に示すように、レンズ101の上端に、ディスペンサーからの吐出跡101aが残ったり、図3(b)に示すように、レンズ材料が側方に濡れ拡がって、レンズ102に濡れ拡がった跡102aが残ったりすることがある。本発明に係る光半導体装置用レンズ材料の使用により、このような吐出跡101a及び濡れ拡がった跡102aが形成されるのを効果的に抑制できる。   On the other hand, when a conventional lens material for an optical semiconductor device is ejected by a dispenser to form a lens, an ejection trace 101a from the dispenser may remain on the upper end of the lens 101 as shown in FIG. As shown in FIG. 3B, the lens material may spread laterally, leaving a trace 102a remaining on the lens 102. By using the lens material for an optical semiconductor device according to the present invention, it is possible to effectively suppress the formation of the discharge trace 101a and the wet spread mark 102a.

なお、図1,2に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体装置の実装構造等は適宜変形され得る。   The structures shown in FIGS. 1 and 2 are merely examples of the optical semiconductor device according to the present invention, and the mounting structure and the like of the optical semiconductor device can be modified as appropriate.

以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples.

(合成例1)式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン476g、及び1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン5.3gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水144gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(A)を得た。
(Synthesis Example 1) Synthesis of first organopolysiloxane represented by formula (1A) To a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 476 g of dimethyldimethoxysilane and 1,3-divinyl- 5.3 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added and stirred at 50 ° C. A solution prepared by dissolving 2.2 g of potassium hydroxide in 144 g of water was slowly added dropwise thereto, and after the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, volatile components were removed under reduced pressure, 2.4 g of acetic acid was added to the reaction solution, and the mixture was heated under reduced pressure. Thereafter, potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (A).

得られたポリマー(A)の数平均分子量は5830であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(A)は、下記の平均組成式(A1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (A) was 5830. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (A) had the following average composition formula (A1).

(MeSiO2/20.98(ViMeSiO1/20.022 …式(A1)
上記式(A1)中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(A)のメチル基の含有比率は98モル%、ビニル基の含有比率は1.2モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.98 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.022 Formula (A1)
In the above formula (A1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group. The polymer (A) had a methyl group content of 98 mol% and a vinyl group content of 1.2 mol%.

なお、合成例1及び合成例2〜12で得られた各ポリマーの分子量は、10mgにテトラヒドロフラン1mLを加え、溶解するまで攪拌し、GPC測定により測定した。GPC測定では、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製 Shodex GPC LF−804(長さ300mm)×2本、測定温度:40℃、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いた。   In addition, the molecular weight of each polymer obtained in Synthesis Example 1 and Synthesis Examples 2 to 12 was measured by GPC measurement by adding 1 mL of tetrahydrofuran to 10 mg, stirring until dissolved. In GPC measurement, a measuring device manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) x 2 manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: tetrahydrofuran, standard substance: Polystyrene) was used.

(合成例2)式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン486g、及び1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン2.7gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水144gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(B)を得た。
(Synthesis Example 2) Synthesis of the first organopolysiloxane represented by the formula (1A) In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 486 g of dimethyldimethoxysilane and 1,3-divinyl- 2.7 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added and stirred at 50 ° C. A solution prepared by dissolving 2.2 g of potassium hydroxide in 144 g of water was slowly added dropwise thereto, and after the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, volatile components were removed under reduced pressure, 2.4 g of acetic acid was added to the reaction solution, and the mixture was heated under reduced pressure. Thereafter, potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (B).

得られたポリマー(B)の数平均分子量は37400であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(B)は、下記の平均組成式(B1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (B) was 37400. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (B) had the following average composition formula (B1).

(MeSiO2/20.992(ViMeSiO1/20.008 …式(B1)
上記式(B1)中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(B)のメチル基の含有比率は99モル%、ビニル基の含有比率は0.5モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.992 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.008 Formula (B1)
In the above formula (B1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group. The resulting polymer (B) had a methyl group content of 99 mol% and a vinyl group content of 0.5 mol%.

(合成例3)式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン465g、メチルフェニルジメトキシシラン10g、及び1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン2.7gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水144gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(C)を得た。
(Synthesis Example 3) Synthesis of first organopolysiloxane represented by formula (1A) In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 465 g of dimethyldimethoxysilane, 10 g of methylphenyldimethoxysilane, and 2.7 g of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added and stirred at 50 ° C. A solution prepared by dissolving 2.2 g of potassium hydroxide in 144 g of water was slowly added dropwise thereto, and after the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, volatile components were removed under reduced pressure, 2.4 g of acetic acid was added to the reaction solution, and the mixture was heated under reduced pressure. Thereafter, potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (C).

得られたポリマー(C)の数平均分子量は34000であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(C)は、下記の平均組成式(C1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (C) was 34,000. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (C) had the following average composition formula (C1).

(MeSiO2/20.96(MePhSiO2/20.03(ViMeSiO1/20.008 …式(C1)
上記式(C1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(C)のメチル基の含有比率は94モル%、ビニル基の含有比率は0.5モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.96 (MePhSiO 2/2 ) 0.03 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.008 ... Formula (C1)
In the above formula (C1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group. The resulting polymer (C) had a methyl group content of 94 mol% and a vinyl group content of 0.5 mol%.

(合成例4)式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン488g、及び1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン1.2gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム2.2gを水144gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸2.4gを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー(D)を得た。
(Synthesis Example 4) Synthesis of first organopolysiloxane represented by formula (1A) Into a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 488 g of dimethyldimethoxysilane and 1,3-divinyl- 1.2 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added and stirred at 50 ° C. A solution prepared by dissolving 2.2 g of potassium hydroxide in 144 g of water was slowly added dropwise thereto, and after the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, volatile components were removed under reduced pressure, 2.4 g of acetic acid was added to the reaction solution, and the mixture was heated under reduced pressure. Thereafter, potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (D).

得られたポリマー(D)の数平均分子量は82800であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(D)は、下記の平均組成式(D1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (D) was 82800. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (D) had the following average composition formula (D1).

(MeSiO2/20.998(ViMeSiO1/20.002 …式(D1)
上記式(D1)中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(D)のメチル基の含有比率は99モル%、ビニル基の含有比率は0.1モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.998 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.002 Formula (D1)
In the above formula (D1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group. The resulting polymer (D) had a methyl group content of 99 mol% and a vinyl group content of 0.1 mol%.

(合成例5)式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン90.2g、メチルトリメトキシシラン217g、メチルジエトキシシラン50g、及びトリメチルメトキシシラン50gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(E)を得た。
Synthesis Example 5 Synthesis of Second Organopolysiloxane Represented by Formula (51A) In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 90.2 g of dimethyldimethoxysilane and 217 g of methyltrimethoxysilane , 50 g of methyldiethoxysilane and 50 g of trimethylmethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.0 g of hydrochloric acid and 134 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (E) was obtained.

得られたポリマー(E)の数平均分子量は3420であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(E)は、下記の平均組成式(E1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (E) was 3420. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (E) had the following average composition formula (E1).

(MeSiO2/20.25(MeSiO3/20.49(HMeSiO2/20.10(MeSiO1/20.16 …式(E1)
上記式(E1)中、Meはメチル基を示す。得られたポリマー(E)のメチル基の含有比率は91モル%、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は6.9モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.25 (MeSiO 3/2 ) 0.49 (HMeSiO 2/2 ) 0.10 (Me 3 SiO 1/2 ) 0.16 ... Formula (E1)
In the above formula (E1), Me represents a methyl group. In the obtained polymer (E), the content ratio of methyl groups was 91 mol%, and the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms was 6.9 mol%.

(合成例6)式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン90.2g、メチルトリメトキシシラン200g、フェニルトリメトキシシラン17g、メチルジエトキシシラン50g、及びトリメチルメトキシシラン50gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(F)を得た。
(Synthesis Example 6) Synthesis of second organopolysiloxane represented by formula (51A) In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 90.2 g of dimethyldimethoxysilane and 200 g of methyltrimethoxysilane Then, 17 g of phenyltrimethoxysilane, 50 g of methyldiethoxysilane, and 50 g of trimethylmethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.0 g of hydrochloric acid and 134 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (F) was obtained.

得られたポリマー(F)の数平均分子量は3100であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(F)は、下記の平均組成式(F1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (F) was 3100. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (F) had the following average composition formula (F1).

(MeSiO2/20.25(MeSiO3/20.44(PhSiO3/20.05(HMeSiO2/20.10(MeSiO1/20.16 …式(F1)
上記式(F1)中、Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマー(F)のメチル基の含有比率は89モル%、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は7.0モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.25 (MeSiO 3/2 ) 0.44 (PhSiO 3/2 ) 0.05 (HMeSiO 2/2 ) 0.10 (Me 3 SiO 1/2 ) 0.16 ... Formula (F1)
In the above formula (F1), Me represents a methyl group and Ph represents a phenyl group. In the obtained polymer (F), the content ratio of methyl groups was 89 mol%, and the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms was 7.0 mol%.

(合成例7)式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン90.2g、メチルトリメトキシシラン200g、ビニルトリメトキシシラン31g、メチルジエトキシシラン50g、及びトリメチルメトキシシラン50gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(G)を得た。
(Synthesis Example 7) Synthesis of second organopolysiloxane represented by formula (51A) In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 90.2 g of dimethyldimethoxysilane and 200 g of methyltrimethoxysilane Then, 31 g of vinyltrimethoxysilane, 50 g of methyldiethoxysilane, and 50 g of trimethylmethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.0 g of hydrochloric acid and 134 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (G) was obtained.

得られたポリマー(G)の数平均分子量は3510であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(G)は、下記の平均組成式(G1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (G) was 3510. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (G) had the following average composition formula (G1).

(MeSiO2/20.25(MeSiO3/20.42(ViSiO3/20.07(HMeSiO2/20.10(MeSiO1/20.16 …式(G1)
上記式(G1)中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(G)のメチル基の含有比率は90モル%、ビニル基の含有比率は2.5モル%、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は7.0モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.25 (MeSiO 3/2 ) 0.42 (ViSiO 3/2 ) 0.07 (HMeSiO 2/2 ) 0.10 (Me 3 SiO 1/2 ) 0.16 ... Formula (G1)
In the above formula (G1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group. In the obtained polymer (G), the content ratio of methyl groups was 90 mol%, the content ratio of vinyl groups was 2.5 mol%, and the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms was 7.0 mol%.

(合成例8)式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン90.2g、メチルトリメトキシシラン217g、ビニルトリメトキシシラン31g、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン40g、及びトリメチルメトキシシラン16gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(H)を得た。
Synthesis Example 8 Synthesis of Second Organopolysiloxane Represented by Formula (51A) In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 90.2 g of dimethyldimethoxysilane and 217 g of methyltrimethoxysilane Then, 31 g of vinyltrimethoxysilane, 40 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 16 g of trimethylmethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.0 g of hydrochloric acid and 134 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, and reduced in pressure to remove volatile components, thereby obtaining a polymer (H).

得られたポリマー(H)の数平均分子量は3200であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(H)は、下記の平均組成式(H1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (H) was 3200. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (H) had the following average composition formula (H1).

(MeSiO2/20.25(MeSiO3/20.52(ViSiO3/20.07(HMeSiO1/20.10(MeSiO1/20.06 …式(H1)
上記式(H1)中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(H)のメチル基の含有比率は90モル%、ビニル基の含有比率は2.5モル%、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は7.0モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.25 (MeSiO 3/2 ) 0.52 (ViSiO 3/2 ) 0.07 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.10 (Me 3 SiO 1/2 ) 0. 06 ... Formula (H1)
In the above formula (H1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group. In the obtained polymer (H), the content ratio of methyl groups was 90 mol%, the content ratio of vinyl groups was 2.5 mol%, and the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms was 7.0 mol%.

(合成例9)式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン90.2g、メチルトリメトキシシラン200g、ビニルトリメトキシシラン31g、フェニルトリメトキシシラン17g、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン40g、及びトリメチルメトキシシラン16gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(I)を得た。
(Synthesis Example 9) Synthesis of second organopolysiloxane represented by formula (51A) In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 90.2 g of dimethyldimethoxysilane and 200 g of methyltrimethoxysilane Then, 31 g of vinyltrimethoxysilane, 17 g of phenyltrimethoxysilane, 40 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 16 g of trimethylmethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.0 g of hydrochloric acid and 134 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (I) was obtained.

得られたポリマー(I)の数平均分子量は2900であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(I)は、下記の平均組成式(I1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (I) was 2900. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (I) had the following average composition formula (I1).

(MeSiO2/20.25(MeSiO3/20.47(ViSiO3/20.07(PhSiO3/20.05(HMeSiO1/20.10(MeSiO1/20.06 …式(I1)
上記式(I1)中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはビニル基を示す。得られたポリマー(I)のメチル基の含有比率は88モル%、ビニル基の含有比率は2.5モル%、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は7.0モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.25 (MeSiO 3/2 ) 0.47 (ViSiO 3/2 ) 0.07 (PhSiO 3/2 ) 0.05 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.10 ( Me 3 SiO 1/2 ) 0.06 ... Formula (I1)
In the above formula (I1), Me represents a methyl group, Vi represents a vinyl group, and Ph represents a vinyl group. In the obtained polymer (I), the content ratio of methyl groups was 88 mol%, the content ratio of vinyl groups was 2.5 mol%, and the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms was 7.0 mol%.

(合成例10)式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン54g、ビニルトリメトキシシラン37g、メチルトリメトキシシラン343g、及びトリメチルメトキシシラン84gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(J)を得た。
Synthesis Example 10 Synthesis of Second Organopolysiloxane Represented by Formula (51A) In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane 54 g, vinyltrimethoxysilane 37 g, methyltrimethoxysilane 343 g, and trimethylmethoxysilane 84 g were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.0 g of hydrochloric acid and 134 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (J) was obtained.

得られたポリマー(J)の数平均分子量は2320であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(J)は、下記の平均組成式(J1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (J) was 2320. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (J) had the following average composition formula (J1).

(HMeSiO1/20.09(MeSiO1/20.21(ViSiO3/20.07(MeSiO3/20.63 …式(J1)
上記式(J1)中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(J)のメチル基の含有比率は93モル%、ビニル基の含有比率は2.5モル%、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は7.0モル%であった。
(HMe 2 SiO 1/2 ) 0.09 (Me 3 SiO 1/2 ) 0.21 (ViSiO 3/2 ) 0.07 (MeSiO 3/2 ) 0.63 Formula (J1)
In the above formula (J1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group. In the obtained polymer (J), the content ratio of methyl groups was 93 mol%, the content ratio of vinyl groups was 2.5 mol%, and the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms was 7.0 mol%.

(合成例11)第1のオルガノポリシロキサンに類似したオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン150.2g、メチルトリメトキシシラン49g、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン1.2g、及びトリメチルメトキシシラン51gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(K)を得た。
(Synthesis Example 11) Synthesis of an organopolysiloxane similar to the first organopolysiloxane In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 150.2 g of dimethyldimethoxysilane, 49 g of methyltrimethoxysilane, , 3-Divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane 1.2 g and trimethylmethoxysilane 51 g were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.0 g of hydrochloric acid and 134 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (K) was obtained.

得られたポリマー(K)の数平均分子量は8100であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(K)は、下記の平均組成式(K1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (K) was 8,100. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (K) had the following average composition formula (K1).

(MeSiO2/20.60(MeSiO3/20.19(ViMeSiO1/20.008(MeSiO1/20.20 …式(K1)
上記式(K1)中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(K)のメチル基の含有比率は94モル%、ビニル基の含有比率は1.2モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.60 (MeSiO 3/2 ) 0.19 (ViMe 2 SiO 1/2 ) 0.008 (Me 3 SiO 1/2 ) 0.20 ... Formula (K1)
In the above formula (K1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group. The resulting polymer (K) had a methyl group content of 94 mol% and a vinyl group content of 1.2 mol%.

(合成例12)第2のオルガノポリシロキサンに類似したオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン180.2g、メチルトリメトキシシラン51g、ビニルトリメトキシシラン31g、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン32g、及びトリメチルメトキシシラン27gを入れ、50℃で攪拌した。その中に、塩酸2.0gと水134gの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50℃で6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー(L)を得た。
Synthesis Example 12 Synthesis of Organopolysiloxane Similar to Second Organopolysiloxane In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 180.2 g of dimethyldimethoxysilane, 51 g of methyltrimethoxysilane, vinyl 31 g of trimethoxysilane, 32 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 27 g of trimethylmethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 2.0 g of hydrochloric acid and 134 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (L) was obtained.

得られたポリマー(L)の数平均分子量は3320であった。29Si−NMRより化学構造を同定した結果、ポリマー(L)は、下記の平均組成式(L1)を有していた。 The number average molecular weight of the obtained polymer (L) was 3320. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (L) had the following average composition formula (L1).

(MeSiO2/20.6(MeSiO3/20.13(ViSiO3/20.07(HMeSiO1/20.08(MeSiO1/20.12 …式(L1)
上記式(L1)中、Meはメチル基、Viはビニル基を示す。得られたポリマー(L)のメチル基の含有比率は92モル%、ビニル基の含有比率は2.5モル%、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は4.5モル%であった。
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.6 (MeSiO 3/2 ) 0.13 (ViSiO 3/2 ) 0.07 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.08 (Me 3 SiO 1/2 ) 0. 12 ... Formula (L1)
In the above formula (L1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group. In the obtained polymer (L), the content ratio of methyl groups was 92 mol%, the content ratio of vinyl groups was 2.5 mol%, and the content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms was 4.5 mol%.

(ヒドロシリル化反応用触媒)
白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体
(Catalyst for hydrosilylation reaction)
1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum

(酸化珪素粒子)
無処理シリカ(Cabot社製「CAB−O−SIL」、比表面積200m/g)
表面処理シリカ1(日本アエロジル社製「Aerosil 200」、珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積200m/g)
表面処理シリカ2(日本アエロジル社製「R974」、ジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積170m/g)
表面処理シリカ3(日本アエロジル社製「R8200」、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積140m/g)
表面処理シリカ4(日本アエロジル社製「RY200」、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積120m/g)
(Silicon oxide particles)
Untreated silica (“CAB-O-SIL” manufactured by Cabot, specific surface area 200 m 2 / g)
Surface-treated silica 1 (“Aerosil 200” manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silicon oxide particles surface-treated with a silicon compound, specific surface area 200 m 2 / g)
Surface-treated silica 2 (“R974” manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a dimethylsiloxane group, specific surface area 170 m 2 / g)
Surface-treated silica 3 (“R8200” manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, specific surface area 140 m 2 / g)
Surface-treated silica 4 (“RY200” manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g)

(実施例1)
ポリマーA(10g)、ポリマーE(10g)、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(レンズ材料全体に対して白金金属が重量単位で10ppmとなる量)、及び無処理シリカ(Cabot社製「CAB−O−SIL」、比表面積200m/g)(0.4g)を混合し、光半導体装置用レンズ材料を得た。
Example 1
Polymer A (10 g), Polymer E (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (amount in which platinum metal is 10 ppm by weight with respect to the entire lens material) ) And untreated silica (“CAB-O-SIL” manufactured by Cabot, specific surface area 200 m 2 / g) (0.4 g) were mixed to obtain a lens material for an optical semiconductor device.

(実施例2〜17及び比較例1,2)
配合成分の種類及び配合量を下記の表1,2に示すように変更したこと以外は実施例1と同様にして、光半導体装置用レンズ材料を得た。
(Examples 2 to 17 and Comparative Examples 1 and 2)
A lens material for an optical semiconductor device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the types and blending amounts of the blending components were changed as shown in Tables 1 and 2 below.

(評価)
(25℃における粘度の測定)
E型粘度計(TV−22型、東機産業社製)を用いて、光半導体装置用レンズ材料の25℃における1rpmでの粘度η1(mPa・s)を測定した。また、E型粘度計(TV−22型、東機産業社製)を用いて、得られた光半導体装置用レンズ材料の25℃における10rpmでの粘度η10(mPa・s)を測定した。また、粘度η1の粘度η10に対する比である粘度比(η1/η10)を求めた。
(Evaluation)
(Measurement of viscosity at 25 ° C.)
Using an E-type viscometer (TV-22 type, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.), the viscosity η1 (mPa · s) at 1 rpm at 25 ° C. of the lens material for optical semiconductor devices was measured. Moreover, the viscosity (eta) 10 (mPa * s) in 10 rpm in 25 degreeC of the obtained lens material for optical semiconductor devices was measured using the E-type viscosity meter (TV-22 type, the Toki Sangyo company make). Further, a viscosity ratio (η1 / η10), which is a ratio of the viscosity η1 to the viscosity η10, was obtained.

(レンズ形状(ディスペンサー))
ポリマーA(10g)、ポリマーE(10g)、及び白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(封止剤全体に対して白金金属が重量単位で10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を用意した。
(Lens shape (dispenser))
Polymer A (10 g), Polymer E (10 g), and platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum metal is 10 ppm by weight with respect to the whole sealant) To obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.

銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、150℃で2時間加熱して硬化させた。   In a structure in which a light emitting element having a main emission peak of 460 nm is mounted on a silver-plated polyphthalamide housing material with a lead electrode by a die bond material, and the light emitting element and the lead electrode are connected by a gold wire. The obtained sealant for optical semiconductor devices was injected and cured by heating at 150 ° C. for 2 hours.

次に、得られた光半導体装置用レンズ材料をディスペンサー装置(「SHOTMASTER―300」武蔵エンジニアリング社製)から、封止剤の平坦な表面(上面)に直接吐出した後、レンズ材料を50℃で2時間加熱して硬化させた。このようにして、封止剤の表面上に、レンズ径5mm及びレンズ高さ2.1mmとなるようにレンズを形成し、光半導体装置を作製した。   Next, the obtained lens material for an optical semiconductor device is directly discharged from a dispenser device (“SHOTMASTER-300” manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) onto the flat surface (upper surface) of the sealant, and then the lens material is heated at 50 ° C. It was cured by heating for 2 hours. In this way, a lens was formed on the surface of the encapsulant so as to have a lens diameter of 5 mm and a lens height of 2.1 mm, thereby producing an optical semiconductor device.

目視にてレンズの形状を確認した。100回ディスペンスしたときのレンズ径とレンズ高さとのばらつきから、レンズ形状(ディスペンサー)を下記の基準で判定した。   The shape of the lens was confirmed visually. The lens shape (dispenser) was determined based on the following criteria from the variation in lens diameter and lens height when dispensed 100 times.

[レンズ形状(ディスペンサー)の判定基準]
○○:レンズ径とレンズ高さのバラツキ無し
○:レンズ径のバラツキが0.1mm未満、レンズ高さのバラツキが0.1mm未満
△:レンズ径のバラツキが0.1mm以上0.2mm未満、レンズ高さのバラツキが0.1mm以上0.2mm未満
×:レンズ径のバラツキが0.2mm以上、レンズ高さのバラツキが0.2mm以上
[Criteria for lens shape (dispenser)]
◯: No variation in lens diameter and lens height ○: Variation in lens diameter is less than 0.1 mm, variation in lens height is less than 0.1 mm △: Variation in lens diameter is 0.1 mm or more and less than 0.2 mm, Lens height variation is 0.1 mm or more and less than 0.2 mm ×: Lens diameter variation is 0.2 mm or more, Lens height variation is 0.2 mm or more

(レンズ形状(真空印刷))
ポリマーA(10g)、ポリマーE(10g)、及び白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(封止剤全体に対して白金金属が重量単位で10ppmとなる量)を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を用意した。
(Lens shape (vacuum printing))
Polymer A (10 g), Polymer E (10 g), and platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum metal is 10 ppm by weight with respect to the whole sealant) To obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.

銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが460nmの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、150℃で2時間加熱して硬化させた。   In a structure in which a light emitting element having a main emission peak of 460 nm is mounted on a silver-plated polyphthalamide housing material with a lead electrode by a die bond material, and the light emitting element and the lead electrode are connected by a gold wire. The obtained sealant for optical semiconductor devices was injected and cured by heating at 150 ° C. for 2 hours.

次に、得られた光半導体装置用レンズ材料を、封止剤の平坦な表面(上面)に、直径5mm及び厚み2.5mmの穴が開いた印刷版を用いて、レンズ径5mm、レンズ高さ2.1mmとなるように直接真空印刷した後、レンズ材料を50℃で2時間加熱して硬化させた。このようにして、封止剤の表面上にレンズを形成し、光半導体装置を作製した。   Next, the obtained lens material for an optical semiconductor device was obtained by using a printing plate in which a hole having a diameter of 5 mm and a thickness of 2.5 mm was formed on a flat surface (upper surface) of an encapsulant. After direct vacuum printing to a thickness of 2.1 mm, the lens material was cured by heating at 50 ° C. for 2 hours. In this way, a lens was formed on the surface of the sealant, and an optical semiconductor device was manufactured.

目視にてレンズの形状を確認した。100回真空印刷したときのレンズ径とレンズ高さとのばらつきから、レンズ形状(真空印刷)を下記の基準で判定した。   The shape of the lens was confirmed visually. The lens shape (vacuum printing) was determined from the following criteria from the variation in lens diameter and lens height when 100 times of vacuum printing was performed.

[レンズ形状(真空印刷)の判定基準]
○○:レンズ径とレンズ高さのバラツキ無し
○:レンズ径のバラツキが0.1mm未満、レンズ高さのバラツキが0.1mm未満
△:レンズ径のバラツキが0.1mm以上0.2mm未満、レンズ高さのバラツキが0.1mm以上0.2mm未満
×:レンズ径のバラツキが0.2mm以上、レンズ高さのバラツキが0.2mm以上
[Criteria for lens shape (vacuum printing)]
◯: No variation in lens diameter and lens height ○: Variation in lens diameter is less than 0.1 mm, variation in lens height is less than 0.1 mm △: Variation in lens diameter is 0.1 mm or more and less than 0.2 mm, Lens height variation is 0.1 mm or more and less than 0.2 mm ×: Lens diameter variation is 0.2 mm or more, Lens height variation is 0.2 mm or more

(初期透過率)
得られた光半導体装置用レンズ材料を150℃で2時間加熱して1mmの厚さになるように硬化させた。硬化した光半導体装置用レンズ材料の透過率をUV−VIS光度計(日立製作所社製「U−3000」)にて測定した。400nmの値を初期透過率の値とした。初期透過率を下記の基準で判定した。
(Initial transmittance)
The obtained lens material for an optical semiconductor device was heated at 150 ° C. for 2 hours to be cured to a thickness of 1 mm. The transmittance of the cured lens material for an optical semiconductor device was measured with a UV-VIS photometer (“U-3000” manufactured by Hitachi, Ltd.). The value of 400 nm was set as the initial transmittance value. The initial transmittance was determined according to the following criteria.

[初期透過率の判定基準]
○○:初期透過率が90%以上
○:初期透過率が85%以上、90%未満
△:初期透過率が80%以上、85%未満
×:初期透過率が80%未満
[Initial transmittance criteria]
◯: Initial transmittance is 90% or more ○: Initial transmittance is 85% or more and less than 90% △: Initial transmittance is 80% or more and less than 85% ×: Initial transmittance is less than 80%

(耐熱試験後の透過率の保持性)
得られた光半導体装置用レンズ材料を150℃で2時間加熱して硬化させた。硬化した光半導体装置用レンズ材料の透過率をUV−VIS光度計(日立製作所社製「U−3000」)にて測定し、400nmの値を初期透過率の値とした。耐熱試験として、硬化した光半導体装置用レンズ材料を200℃のオーブンに500時間入れた後、透過率をUV−VIS光度計(日立製作所社製「U−3000」)にて測定し、400nmの値の初期値に対しての透過率の保持率をパーセンテージで計算した。耐熱試験後の透過率の保持性を下記の基準で判定した。
(Retainability of transmittance after heat test)
The obtained lens material for an optical semiconductor device was cured by heating at 150 ° C. for 2 hours. The transmittance of the cured lens material for an optical semiconductor device was measured with a UV-VIS photometer (“U-3000” manufactured by Hitachi, Ltd.), and a value of 400 nm was defined as the initial transmittance value. As a heat resistance test, the cured lens material for an optical semiconductor device was placed in an oven at 200 ° C. for 500 hours, and the transmittance was measured with a UV-VIS photometer (“U-3000” manufactured by Hitachi, Ltd.). The transmittance retention relative to the initial value was calculated as a percentage. The transmittance retention after the heat test was determined according to the following criteria.

[耐熱試験後の透過率の保持性の判定基準]
○○:耐熱試験後の透過率の保持率が98%以上
○:耐熱試験後の透過率の保持率が95%以上、98%未満
△:耐熱試験後の透過率の保持率が90%以上、95%未満
×:耐熱試験後の透過率の保持率が90%未満
[Criteria for permeability retention after heat test]
◯: The transmittance retention after the heat test is 98% or more ○: The transmittance retention after the heat test is 95% or more and less than 98% △: The transmittance retention after the heat test is 90% or more , Less than 95% ×: less than 90% transmittance retention after heat test

(熱衝撃試験後の接着力の低下)
レンズ形状(ディスペンサー)の評価で作製した光半導体装置を用意した。作製直後の光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機(ESPEC社製「TSB−51」)を用いて、−50℃で5分間保持した後、135℃まで昇温し、135℃で5分間保持した後−50℃まで降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。1000サイクル後に20個のサンプルを取り出した。
(Decrease in adhesive strength after thermal shock test)
An optical semiconductor device prepared by evaluating the lens shape (dispenser) was prepared. The optical semiconductor device immediately after fabrication was held at −50 ° C. for 5 minutes using a liquid tank thermal shock tester (“TSB-51” manufactured by ESPEC), then heated to 135 ° C. and 5 ° C. at 135 ° C. A cold cycle test was conducted in which the temperature was lowered to -50 ° C after being held for 1 minute, and the cycle was one cycle. Twenty samples were removed after 1000 cycles.

熱衝撃試験前後の接着力を測定した。熱衝撃試験後の接着力の低下を下記の基準で判定した。   The adhesive strength before and after the thermal shock test was measured. The decrease in adhesive strength after the thermal shock test was determined according to the following criteria.

[熱衝撃試験後の接着力の低下の判定基準]
○○:接着力の低下が2%未満
○:接着力の低下が2%以上、5%未満
△:接着力の低下が5%以上、10%未満
×:接着力の低下が10%以上
[Judgment criteria for decrease in adhesive strength after thermal shock test]
○: Adhesive force decrease is less than 2% ○: Adhesive force decrease is 2% or more and less than 5% Δ: Adhesion force decrease is 5% or more and less than 10% ×: Adhesion force decrease is 10% or more

(レンズの表面の粘着性(べたつき)の評価)
得られた光半導体装置を、23℃及び50RH%の雰囲気下で24時間放置した。24時間放置した後直ちに、光半導体装置用レンズ材料の硬化物の表面の粘着性(べたつき)を、硬化物に指を接触させて確認した。粘着性(べたつき)を下記の基準で判定した。
(Evaluation of adhesion (stickiness) of the lens surface)
The obtained optical semiconductor device was allowed to stand for 24 hours in an atmosphere of 23 ° C. and 50 RH%. Immediately after leaving for 24 hours, the adhesiveness (stickiness) of the surface of the cured product of the lens material for optical semiconductor devices was confirmed by bringing a finger into contact with the cured product. Tackiness (stickiness) was determined according to the following criteria.

[粘着性(べたつき)の判定基準]
○○:粘着性(べたつき)を全く感じない
○:粘着性(べたつき)をほぼ感じない
△:粘着性(べたつき)を若干感じた
×:粘着性(べたつき)を多く感じた
[Criteria for tackiness (stickiness)]
○○: No stickiness (stickiness) ○: Stickiness (stickiness) hardly felt △: Stickiness (stickiness) felt a little ×: Stickiness (stickiness) felt a lot

結果を下記の表1,2に示す。なお、下記の表1,2に、上記比(珪素原子に結合した水素原子の含有比率/珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率)の値も示した。   The results are shown in Tables 1 and 2 below. Tables 1 and 2 below also show the values of the above ratios (content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms / content ratio of alkenyl groups bonded to silicon atoms).

Figure 2013181061
Figure 2013181061

Figure 2013181061
Figure 2013181061

1…光半導体装置
2…ハウジング
2a…内面
3…光半導体素子
4…封止剤
4a…表面
5…レンズ
11…光半導体装置
12…基板
12a…端子
13…光半導体素子
13a…電極
14…ボンディングワイヤー
15…レンズ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical semiconductor device 2 ... Housing 2a ... Inner surface 3 ... Optical semiconductor element 4 ... Sealing agent 4a ... Surface 5 ... Lens 11 ... Optical semiconductor device 12 ... Substrate 12a ... Terminal 13 ... Optical semiconductor element 13a ... Electrode 14 ... Bonding wire 15 ... Lens

Claims (15)

光半導体装置においてレンズを形成するために用いられる液状のレンズ材料であって、
下記式(1A)で表され、かつアルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第1のオルガノポリシロキサンと、
下記式(51A)で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第2のオルガノポリシロキサンと、
ヒドロシリル化反応用触媒と、
酸化珪素粒子と含み、
前記第1のオルガノポリシロキサン及び前記第2のオルガノポリシロキサンにおける下記式(X)より求められる珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、80モル%以上である、光半導体装置用レンズ材料。
Figure 2013181061
前記式(1A)中、a、b及びcは、a/(a+b+c)=0〜0.30、b/(a+b+c)=0.70〜1.0及びc/(a+b+c)=0〜0.10を満たし、R1〜R6は、少なくとも1個がアルケニル基を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のR1〜R6は、炭素数2〜8の炭化水素基を表す。
Figure 2013181061
前記式(51A)中、p、q及びrは、p/(p+q+r)=0.10〜0.50、q/(p+q+r)=0〜0.40、r/(p+q+r)=0.40〜0.90を満たし、R51〜R56は、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のR51〜R56は、炭素数2〜8の炭化水素基を表す。
珪素原子に結合したメチル基の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサン又は上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)}×100 ・・・式(X)
A liquid lens material used to form a lens in an optical semiconductor device,
A first organopolysiloxane represented by the following formula (1A) and having an alkenyl group and a methyl group bonded to a silicon atom;
A second organopolysiloxane represented by the following formula (51A) and having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and a methyl group bonded to the silicon atom;
A catalyst for hydrosilylation reaction;
Including silicon oxide particles,
A lens material for an optical semiconductor device, wherein the content ratios of methyl groups bonded to silicon atoms obtained from the following formula (X) in the first organopolysiloxane and the second organopolysiloxane are each 80 mol% or more. .
Figure 2013181061
In the formula (1A), a, b and c are a / (a + b + c) = 0 to 0.30, b / (a + b + c) = 0.70 to 1.0 and c / (a + b + c) = 0 to 0. 10, R1 to R6 each represents at least one alkenyl group, at least one represents a methyl group, and R1 to R6 other than the alkenyl group and the methyl group represent a hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms. .
Figure 2013181061
In the formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.10 to 0.50, q / (p + q + r) = 0 to 0.40, r / (p + q + r) = 0.40. 0.90 is satisfied, R51 to R56 each represents at least one hydrogen atom, at least one represents a methyl group, and R51 to R56 other than the hydrogen atom and the methyl group are hydrocarbon groups having 2 to 8 carbon atoms. Represents.
Content ratio (mol%) of methyl groups bonded to silicon atoms = {(Average number of methyl groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane or the second organopolysiloxane × Molecular weight of methyl group) / (average number of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane or the second organopolysiloxane × the first organopolysiloxane or the first organopolysiloxane) 2) The average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the organopolysiloxane)} × 100 (Formula (X))
E型粘度計を用いて測定された25℃における10rpmでの粘度が1000mPa・s以上、100000mPa・s以下であり、かつ、
E型粘度計を用いて測定された25℃における1rpmでの粘度のE型粘度計を用いて測定された25℃における10rpmでの粘度に対する比が1.5以上、5.0以下である、請求項1に記載の光半導体装置用レンズ材料。
The viscosity at 10 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer is 1000 mPa · s or more and 100000 mPa · s or less, and
The ratio of the viscosity at 1 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer to the viscosity at 10 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer is 1.5 or more and 5.0 or less, The lens material for optical semiconductor devices according to claim 1.
前記酸化珪素粒子が、有機珪素化合物により表面処理されている、請求項1又は2に記載の光半導体装置用レンズ材料。   The lens material for optical semiconductor devices according to claim 1, wherein the silicon oxide particles are surface-treated with an organosilicon compound. 前記有機珪素化合物が、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも1種である、請求項3に記載の光半導体装置用レンズ材料。   4. The organosilicon compound is at least one selected from the group consisting of an organosilicon compound having a dimethylsilyl group, an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, and an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group. Lens material for optical semiconductor devices. レンズ材料中における前記オルガノポリシロキサンの下記式(Y)より求められる珪素原子に結合した水素原子の含有比率の、レンズ材料中における前記オルガノポリシロキサンの下記式(Z)より求められる珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率に対する比が、0.5以上、5.0以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光半導体装置用レンズ材料。
珪素原子に結合した水素原子の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100+{(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量)/(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100 ・・・式(Y)
珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率(モル%)={(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量)/(上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第1のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量)}×100+{(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量)/(上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×上記第2のオルガノポリシロキサンの1分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の分子量の平均)×上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量/(上記第1のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量+上記第2のオルガノポリシロキサンのレンズ材料内の配合量))}×100 ・・・式(Z)
Bonded to the silicon atom obtained from the following formula (Z) of the organopolysiloxane in the lens material in the content ratio of the hydrogen atom bonded to the silicon atom obtained from the following formula (Y) of the organopolysiloxane in the lens material. 5. The lens material for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein a ratio with respect to the content ratio of the alkenyl group is 0.5 or more and 5.0 or less.
Content ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms (mol%) = {(average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane × molecular weight of hydrogen atoms) / (above Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the first organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the first organopolysiloxane) X blending amount of the first organopolysiloxane in the lens material / (blending amount of the first organopolysiloxane in the lens material + blending amount of the second organopolysiloxane in the lens material)} x 100+ {(Average number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms contained in one molecule of the second organopolysiloxane × molecular weight of hydrogen atoms) / (second Average number of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of organopolysiloxane × average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained per molecule of the second organopolysiloxane) × the above 2 in the lens material of the organopolysiloxane / (the amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the amount of the second organopolysiloxane in the lens material)} × 100 Formula (Y)
Content ratio of alkenyl group bonded to silicon atom (mol%) = {(average number of alkenyl groups bonded to silicon atom per molecule of the first organopolysiloxane × the number of alkenyl groups bonded to silicon atom) Molecular weight) / (average number of functional groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane × functional group bonded to silicon atoms contained in one molecule of the first organopolysiloxane) Of the first organopolysiloxane in the lens material / (the amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the amount of the second organopolysiloxane in the lens material) Amount)} × 100 + {(average number of alkenyl groups bonded to silicon atoms contained in one molecule of the second organopolysiloxane) × Molecular weight of alkenyl group bonded to silicon atom) / (average number of functional groups bonded to silicon atom contained in one molecule of the second organopolysiloxane × per molecule of the second organopolysiloxane) Average molecular weight of functional groups bonded to silicon atoms contained) × Amount of the second organopolysiloxane in the lens material / (Amount of the first organopolysiloxane in the lens material + the second Compounding amount of the organopolysiloxane in the lens material))} × 100 Formula (Z)
前記式(1A)で表される第1のオルガノポリシロキサンの数平均分子量が、20000以上、100000以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置用レンズ材料。   6. The lens material for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the number-average molecular weight of the first organopolysiloxane represented by the formula (1A) is 20000 or more and 100000 or less. 前記式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンが、アルケニル基を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光半導体装置用レンズ材料。   The lens material for optical semiconductor devices according to claim 1, wherein the second organopolysiloxane represented by the formula (51A) has an alkenyl group. 前記式(51A)で表される第2のオルガノポリシロキサンが、下記式(51−a)で表される構造単位を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光半導体装置用レンズ材料。
Figure 2013181061
前記式(51−a)中、R52及びR53はそれぞれ、メチル基又は炭素数2〜8の炭化水素基を示す。
7. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the second organopolysiloxane represented by the formula (51A) has a structural unit represented by the following formula (51-a). Lens material.
Figure 2013181061
In the formula (51-a), R52 and R53 each represent a methyl group or a hydrocarbon group having 2 to 8 carbon atoms.
光半導体素子と、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の光半導体装置用レンズ材料により形成されているレンズとを備える、光半導体装置。
An optical semiconductor element;
An optical semiconductor device comprising: a lens formed of the lens material for an optical semiconductor device according to claim 1.
前記光半導体素子を封止している封止剤をさらに備え、
前記レンズが前記封止剤上に配置されている、請求項9に記載の光半導体装置。
A sealant that seals the optical semiconductor element;
The optical semiconductor device according to claim 9, wherein the lens is disposed on the sealant.
光半導体素子とレンズとを備える光半導体装置の製造方法であって、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の光半導体装置用レンズ材料により、前記レンズを形成する、光半導体装置の製造方法。
An optical semiconductor device manufacturing method comprising an optical semiconductor element and a lens,
The manufacturing method of an optical semiconductor device which forms the said lens with the lens material for optical semiconductor devices of any one of Claims 1-8.
基板と、前記基板上に配置されている前記光半導体素子と、前記レンズとを備える光半導体装置の製造方法であって、
前記光半導体素子が配置されている前記基板上に、ディスペンサーを用いて、前記光半導体装置用レンズ材料を直接吐出して、前記光半導体装置用レンズ材料により前記レンズを形成する、請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
A method of manufacturing an optical semiconductor device comprising a substrate, the optical semiconductor element disposed on the substrate, and the lens,
The lens is formed of the lens material for an optical semiconductor device by directly discharging the lens material for the optical semiconductor device onto the substrate on which the optical semiconductor element is disposed using a dispenser. The manufacturing method of the optical semiconductor device of description.
基板と、前記基板上に配置されている前記光半導体素子と、前記レンズとを備える光半導体装置の製造方法であって、
前記光半導体素子が配置されている前記基板上に、真空印刷装置を用いて、前記光半導体装置用レンズ材料により前記レンズを形成する、請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
A method of manufacturing an optical semiconductor device comprising a substrate, the optical semiconductor element disposed on the substrate, and the lens,
The method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 11, wherein the lens is formed from the lens material for the optical semiconductor device on a substrate on which the optical semiconductor element is disposed by using a vacuum printing apparatus.
前記光半導体素子と、前記光半導体素子を封止している封止剤と、前記レンズとを備える光半導体装置の製造方法であって、
前記光半導体素子を封止している前記封止剤上に、ディスペンサーを用いて、前記光半導体装置用レンズ材料を直接吐出して、前記光半導体装置用レンズ材料により前記レンズを形成する、請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
A method of manufacturing an optical semiconductor device comprising: the optical semiconductor element; a sealing agent that seals the optical semiconductor element; and the lens.
The lens is formed by the lens material for an optical semiconductor device by directly discharging the lens material for the optical semiconductor device onto the sealant sealing the optical semiconductor element by using a dispenser. Item 12. A method for manufacturing an optical semiconductor device according to Item 11.
前記光半導体素子と、前記光半導体素子を封止している封止剤と、前記レンズとを備える光半導体装置の製造方法であって、
前記光半導体素子を封止している前記封止剤上に、真空印刷装置を用いて、前記光半導体装置用レンズ材料により前記レンズを形成する、請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
A method of manufacturing an optical semiconductor device comprising: the optical semiconductor element; a sealing agent that seals the optical semiconductor element; and the lens.
The method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 11, wherein the lens is formed of the lens material for the optical semiconductor device using a vacuum printing device on the sealant sealing the optical semiconductor element. .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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