JP5309848B2 - Manufacturing method of laminate - Google Patents

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Description

本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a laminate that can efficiently fill the pores of a porous substrate with a metal oxide and can form a metal oxide film having excellent surface smoothness and denseness.

従来より、金属酸化物膜は様々な優れた物性を示すことが知られており、その特性を活かして、透明導電膜、光学薄膜、燃料電池用電解質等、幅広い分野において使用されている。このような金属酸化物膜の製造方法としては、例えば、ゾルゲル法、スパッタリング法、CVD法、PVD法、印刷法、レーザーアブレーション法等が知られている(例えば特許文献1〜3)。   Conventionally, it has been known that metal oxide films exhibit various excellent physical properties. Taking advantage of these properties, metal oxide films have been used in a wide range of fields such as transparent conductive films, optical thin films, and fuel cell electrolytes. As a method for producing such a metal oxide film, for example, a sol-gel method, a sputtering method, a CVD method, a PVD method, a printing method, a laser ablation method and the like are known (for example, Patent Documents 1 to 3).

一方、このような金属酸化物膜を得る別の方法として、スプレー熱分解法が提案されている。スプレー熱分解法は、金属酸化物膜を構成する金属源を含有した溶液を、高温の基材に噴霧することにより金属酸化物膜を得る方法であり、通常500℃程度に加熱した基材を使用することから、瞬時に溶媒が蒸発し、金属源が熱分解反応を起こすため、短時間かつ簡略化された工程で金属酸化物膜を得ることができるという利点を有する。   On the other hand, a spray pyrolysis method has been proposed as another method for obtaining such a metal oxide film. The spray pyrolysis method is a method in which a metal oxide film is obtained by spraying a solution containing a metal source constituting the metal oxide film onto a high temperature substrate, and a substrate heated to about 500 ° C. is usually used. Since it is used, the solvent instantly evaporates and the metal source undergoes a thermal decomposition reaction, so that the metal oxide film can be obtained in a short and simplified process.

このようなスプレー熱分解法の研究として、例えば、特許文献4においては、TiO前駆体を含む溶液に過酸化水素又はアルミニウムアセチルアセトナートを添加して原料溶液を調製し、500℃程度に高温保持された基材に上記原料溶液を間歇噴霧することによりTiO前駆体をTiOに熱分解し、基材上に多孔質のTiO薄膜を得る方法が開示されている。 As a study of such spray pyrolysis method, for example, in Patent Document 4, a raw material solution is prepared by adding hydrogen peroxide or aluminum acetylacetonate to a solution containing a TiO 2 precursor, and the temperature is as high as about 500 ° C. A method is disclosed in which a TiO 2 precursor is thermally decomposed into TiO 2 by intermittently spraying the raw material solution onto a held substrate to obtain a porous TiO 2 thin film on the substrate.

特開2002−348665号公報JP 2002-348665 A 特開平4−361239号公報JP-A-4-361239 特開2005−213105号公報JP-A-2005-213105 特開2002−145615号公報JP 2002-145615 A

従来、スプレー熱分解法においては、基材に対して金属酸化物膜を垂直に噴射する方法が一般的であった。しかしながら、このような方法では、多孔質基材を用いた場合に、多孔質基材の孔部を金属酸化物で埋めることが困難な場合があり、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を得ることができない場合があった。   Conventionally, in the spray pyrolysis method, a method of injecting a metal oxide film perpendicularly to a substrate has been common. However, in such a method, when a porous base material is used, it may be difficult to fill the pores of the porous base material with a metal oxide, and a metal excellent in surface smoothness, denseness, etc. In some cases, an oxide film could not be obtained.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and can provide a metal oxide film that can efficiently fill the pores of a porous base material with a metal oxide and has excellent surface smoothness and denseness. The main object is to provide a method for manufacturing a laminate that can be formed.

上記課題を解決するために、本発明においては、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供する。   In order to solve the above-described problems, in the present invention, a porous substrate obtained by heating a metal oxide film forming solution in which a metal salt or an organometallic compound is dissolved as a metal source to a temperature equal to or higher than the metal oxide film forming temperature. The laminate is a method for producing a laminate in which a metal oxide film is formed on the porous substrate, and the injection direction of the metal oxide film forming solution is directed toward the porous substrate. And the manufacturing method of the laminated body characterized by inclining with respect to the normal line direction of the said porous base material surface is provided.

本発明によれば、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を所定の角度に傾けることにより、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる。   According to the present invention, by inclining the injection direction of the metal oxide film forming solution to a predetermined angle, the pores of the porous substrate can be efficiently filled with the metal oxide, and surface smoothness and denseness can be achieved. A metal oxide film excellent in the above can be formed.

上記発明においては、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材表面の法線方向に対して、10°以上傾けることが好ましい。さらに効率良く、多孔質基材の孔部を金属酸化物で埋めることができるからである。   In the said invention, it is preferable to incline the spray direction of the said metal oxide film formation solution 10 degrees or more with respect to the normal line direction of the said porous base material surface. This is because the pores of the porous substrate can be filled with the metal oxide more efficiently.

上記発明においては、上記金属酸化物膜形成用溶液を、扇状に噴射することが好ましい。さらに効率良く、多孔質基材の孔部を金属酸化物で埋めることができるからである。   In the said invention, it is preferable to inject the said metal oxide film formation solution in fan shape. This is because the pores of the porous substrate can be filled with the metal oxide more efficiently.

また、本発明においては、多孔質基材を支持する支持手段と、上記多孔質基材を加熱する加熱手段と、上記多孔質基材表面の法線方向に対して、所定の角度で金属酸化物膜形成用溶液を噴射する噴射手段と、を有することを特徴とする積層体の製造装置を提供する。   In the present invention, the supporting means for supporting the porous substrate, the heating means for heating the porous substrate, and the metal oxide at a predetermined angle with respect to the normal direction of the surface of the porous substrate. There is provided an apparatus for manufacturing a laminate, characterized by having an injection unit for injecting a solution for forming a film.

本発明によれば、所定の角度で金属酸化物膜形成用溶液を噴射することにより、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる。   According to the present invention, by injecting the metal oxide film forming solution at a predetermined angle, the pores of the porous substrate can be efficiently filled with the metal oxide, and the surface smoothness and denseness can be improved. An excellent metal oxide film can be formed.

本発明においては、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができるという効果を奏する。   In the present invention, the pores of the porous base material can be efficiently filled with the metal oxide, and the metal oxide film excellent in surface smoothness and denseness can be formed.

以下、本発明の積層体の製造方法、および積層体の製造装置について、詳細に説明する。   Hereafter, the manufacturing method of the laminated body of this invention and the manufacturing apparatus of a laminated body are demonstrated in detail.

A.積層体の製造方法
まず、本発明の積層体の製造方法について説明する。本発明の積層体の製造方法は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とするものである。
A. First, the manufacturing method of the laminated body of this invention is demonstrated. In the method for producing a laminate of the present invention, a metal oxide film forming solution in which a metal salt or an organometallic compound is dissolved as a metal source is sprayed onto a porous substrate heated to a temperature equal to or higher than the metal oxide film forming temperature. By this, it is a manufacturing method of the layered product which forms a metal oxide film on the above-mentioned porous substrate, and it is directed to the above-mentioned porous substrate side for the injection direction of the above-mentioned metal oxide film formation solution, and It is inclined with respect to the normal direction of the porous substrate surface.

本発明によれば、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を所定の角度に傾けることにより、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる。特に本発明によれば、多孔質基材上に、緻密な金属酸化物膜を形成することができる。そのため、例えば、色素増感型太陽電池の透明電極として有用なITO膜を形成した場合には、その透明電極層の薄膜化による全光線透過率の向上や表面平滑化による基材との密着性向上を図ることができる。また、固体酸化物型燃料電池の電解質として有用なYSZ膜を形成した場合には、その電解質の厚さを薄くすることができ、電池の高出力化を図ることができる等の利点を有する。   According to the present invention, by inclining the injection direction of the metal oxide film forming solution to a predetermined angle, the pores of the porous substrate can be efficiently filled with the metal oxide, and surface smoothness and denseness can be achieved. A metal oxide film excellent in the above can be formed. In particular, according to the present invention, a dense metal oxide film can be formed on a porous substrate. Therefore, for example, when an ITO film useful as a transparent electrode of a dye-sensitized solar cell is formed, the total light transmittance is improved by reducing the thickness of the transparent electrode layer and the adhesion to the substrate by smoothing the surface Improvements can be made. In addition, when a YSZ film useful as an electrolyte of a solid oxide fuel cell is formed, the thickness of the electrolyte can be reduced, and there is an advantage that the output of the battery can be increased.

次に、本発明の積層体の製造方法について、図面を用いて説明する。図1は、本発明の積層体の製造方法の一例を示す概略断面図である。図1に示される積層体の製造方法においては、まず多孔質基材1を金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱する。次に、加熱した多孔質基材1に対して、金属源を含有する金属酸化物膜形成用溶液(図示せず)を、スプレーノズル2を用いて噴射する。この際、スプレーノズル2から噴射される金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向Dを、多孔質基材1側に向け、かつ、多孔質基材1表面の法線方向Dに対して角度θで傾ける。 Next, the manufacturing method of the laminated body of this invention is demonstrated using drawing. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for producing a laminate according to the present invention. In the method for producing a laminate shown in FIG. 1, first, the porous substrate 1 is heated to a temperature equal to or higher than the metal oxide film formation temperature. Next, a metal oxide film forming solution (not shown) containing a metal source is sprayed onto the heated porous substrate 1 using the spray nozzle 2. At this time, the jetting direction D a metal oxide film forming solution sprayed from the spray nozzle 2, toward the porous substrate 1 side, and, with respect to the normal direction D b of the porous surface of the substrate 1 Tilt at an angle θ.

本発明においては、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を多孔質基材側に向ける。そのため、図1に示すように、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向Dは、通常、多孔質基材1のある図面下側に向く。一方、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、多孔質基材側ではなく、その反対側(図1における図面上側)に向けた場合、金属酸化物膜形成用溶液を霧状にすることで、金属酸化物膜を形成することは可能であるが、このような場合は、通常、本発明には含まれない。金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向性が失われ、多孔質基材の孔部を効率良く埋めることができないからである。 In the present invention, the injection direction of the metal oxide film forming solution is directed to the porous substrate side. Therefore, as shown in FIG. 1, the injection direction D a of the metal oxide film-forming solution is usually directed to the lower side in the drawing with a porous substrate 1. On the other hand, when the injection direction of the metal oxide film forming solution is directed not to the porous substrate side but to the opposite side (the upper side of the drawing in FIG. 1), the metal oxide film forming solution is made into a mist. Thus, it is possible to form a metal oxide film, but such a case is usually not included in the present invention. This is because the injection directionality of the metal oxide film forming solution is lost, and the pores of the porous substrate cannot be filled efficiently.

また、後述するように、本発明においては、例えばフラットスプレーノズルを用いて、扇状に金属酸化物膜形成用溶液を噴射しても良い。フラットスプレーノズルを用いた場合、図2に示すように、金属酸化物膜形成用溶液3は、所定の角度の広がりを持って扇状に噴射される。このような場合は、フラットスプレーノズル2aの噴射軸Dの方向を、金属酸化物膜形成用溶液3の噴射方向Dとする。そのため、図3に示すように、金属酸化物膜形成用溶液3の噴射方向Dと、多孔質基材1の法線方向Dとが平行である場合は、例えば領域Aで金属酸化物膜形成用溶液3が多孔質基材1の法線方向Dに対して傾いた状態で噴射されていたとしても、本発明には含まれない。本発明において、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向は、全ての方向成分において、多孔質基材表面の法線方向に対して傾いていることが好ましい。 Further, as will be described later, in the present invention, the metal oxide film forming solution may be sprayed in a fan shape using, for example, a flat spray nozzle. When a flat spray nozzle is used, as shown in FIG. 2, the metal oxide film forming solution 3 is sprayed in a fan shape with a predetermined angular spread. In this case, the direction of the injection axis D c of the flat spray nozzle 2a, and the injection direction D a of the metal oxide film-forming solution 3. Therefore, as shown in FIG. 3, a metal oxide film and the injection direction D a of the forming solution 3, if the normal direction D b of the porous substrate 1 is parallel, for example, a metal oxide in the region A even if it is injected in a state where the film-forming solution 3 is inclined with respect to the normal direction D b of the porous substrate 1, not included in the present invention. In this invention, it is preferable that the injection direction of the solution for forming a metal oxide film is inclined with respect to the normal direction of the surface of the porous substrate in all directional components.

また、本発明において、多孔質基材の孔部を、金属酸化物で効率良く埋めることができるメカニズムは未だ定かではないが、図4(a)に示すように、多孔質基材1の表面に形成された孔部1aは、最表面よりも内部の径が大きい構造を有していることが予想されるため、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向Dを、多孔質基材1表面の法線方向Dに対して傾けることで、孔部1aの側面部に金属酸化物4aを効率良く形成できるからであると考えられる。これにより、図4(b)に示すように、多孔質基材1bの孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜4を形成することができると考えられる。なお、図4における孔部は、大きく誇張したものであり、実際とは異なる場合がある。
以下、本発明の積層体の製造方法について、構成毎に詳細に説明する。
Further, in the present invention, the mechanism by which the pores of the porous substrate can be efficiently filled with the metal oxide is not yet known, but the surface of the porous substrate 1 as shown in FIG. hole 1a formed in the order it is expected that the diameter of the inner has a larger structure than the outermost surface, the jet direction D a of the metal oxide film-forming solution, the porous substrate 1 by tilting with respect to the normal direction D b of the surface, believed to be because the metal oxide 4a efficiently formed on the side surface of the hole 1a. As a result, as shown in FIG. 4 (b), the pores of the porous substrate 1b can be efficiently filled with the metal oxide, and the metal oxide film 4 excellent in surface smoothness and denseness is formed. I think it can be done. Note that the hole in FIG. 4 is greatly exaggerated and may differ from the actual one.
Hereinafter, the manufacturing method of the laminated body of this invention is demonstrated in detail for every structure.

1.金属酸化物膜形成用溶液
まず、本発明に用いられる金属酸化物膜形成用溶液について説明する。本発明に用いられる金属酸化物膜形成用溶液は、少なくとも金属源を含有する。さらに、必要に応じて、ホウ素化合物、酸化剤、還元剤、および添加剤等を含有していても良い。
1. Metal Oxide Film Forming Solution First, the metal oxide film forming solution used in the present invention will be described. The metal oxide film forming solution used in the present invention contains at least a metal source. Furthermore, a boron compound, an oxidizing agent, a reducing agent, an additive, and the like may be contained as necessary.

(1)金属源
まず、本発明に用いられる金属源について説明する。本発明に用いられる金属源は、通常、金属塩または有機金属化合物である。本発明においては、2種類以上の金属源を併用しても良い。
(1) Metal source First, the metal source used in the present invention will be described. The metal source used in the present invention is usually a metal salt or an organometallic compound. In the present invention, two or more kinds of metal sources may be used in combination.

上記金属源を構成する金属元素としては、金属酸化物膜を形成可能なものであれば特に限定されるものではないが、例えば、Mg、Al、Si、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Ag、In、Sn、Ce、Sm、Pb、La、Hf、Sc、Gd、Ca、Cr、Ga、Sr、Nb、Mo、Pd、Sb、Te、Ba、WおよびTaからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素を挙げることができ、中でもAl、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、In、Sn、CeおよびLaからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素が好ましい。   The metal element constituting the metal source is not particularly limited as long as a metal oxide film can be formed. For example, Mg, Al, Si, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Ag, In, Sn, Ce, Sm, Pb, La, Hf, Sc, Gd, Ca, Cr, Ga, Sr, Nb, Mo, Pd, Sb, Te, Ba, Mention may be made of at least one metal element selected from the group consisting of W and Ta, among which Al, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, In, Sn, Ce and At least one metal element selected from the group consisting of La is preferred.

上記金属塩としては、金属酸化物膜を形成可能なものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記金属元素を含む塩化物、硝酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩、リン酸塩、臭素酸塩等を挙げることができる。中でも、本発明においては、塩化物、硝酸塩、酢酸塩を使用することが好ましい。これらの化合物は汎用品として入手が容易だからである。上記金属塩としては、具体的には塩化マグネシウム、硝酸アルミニウム、塩化アルミニウム、塩化カルシウム、酢酸スカンジウム、四塩化チタン、オキソ硫酸バナジウム、クロム酸アンモニウム、塩化クロム、二クロム酸アンモニウム、酢酸クロム、硝酸クロム、硫酸クロム、酢酸マンガン、硝酸マンガン、硫酸マンガン、塩化鉄(I)、塩化鉄(III)、酢酸鉄(II)、硝酸鉄(III)、硫酸鉄(II)、硫酸アンモニウム鉄(III)、塩化コバルト、硝酸コバルト、酢酸コバルト、塩化ニッケル、硝酸ニッケル、酢酸ニッケル、塩化銅、硝酸銅、塩化亜鉛、酢酸亜鉛、塩化亜鉛、硝酸イットリウム、塩化イットリウム、塩化酸化ジルコニウム、硝酸酸化ジルコニウム、四塩化ジルコニウム、塩化銀、酢酸銀、塩化インジウム、酢酸インジウム、塩化スズ、酢酸スズ、硫酸スズ、塩化セリウム、酢酸セリウム、硝酸セリウム、シュウ酸セリウム、硝酸二アンモニウムセリウム、硫酸セリウム、塩化サマリウム、硝酸サマリウム、塩化鉛、酢酸鉛、硝酸鉛、ヨウ化鉛、リン酸鉛、硫酸鉛、塩化ランタン、酢酸ランタン、硝酸ランタン、硝酸ガドリニウム、塩化ストロンチウム、酢酸ストロンチウム、硝酸ストロンチウム、五塩化ニオブ、りん酸モリブデン酸アンモニウム、硫化モリブデン、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、硝酸パラジウム、五塩化アンチモン、三塩化アンチモン、三フッ化アンチモン、テルル酸、亜硫酸バリウム、塩化バリウム、塩素酸バリウム、過塩素酸バリウム、酢酸バリウム、硝酸バリウム、タングステン酸、タングステン酸アンモニウム、六塩化タングステン、五塩化タンタル、塩化ハフニウム、硫酸ハフニウム等を挙げることができる。   The metal salt is not particularly limited as long as it can form a metal oxide film. For example, chlorides, nitrates, sulfates, perchlorates, acetates containing the above metal elements, A phosphate, a bromate, etc. can be mentioned. Among these, in the present invention, it is preferable to use chloride, nitrate, and acetate. This is because these compounds are easily available as general-purpose products. Specific examples of the metal salt include magnesium chloride, aluminum nitrate, aluminum chloride, calcium chloride, scandium acetate, titanium tetrachloride, vanadium oxosulfate, ammonium chromate, chromium chloride, ammonium dichromate, chromium acetate, chromium nitrate. , Chromium sulfate, manganese acetate, manganese nitrate, manganese sulfate, iron chloride (I), iron chloride (III), iron acetate (II), iron nitrate (III), iron sulfate (II), ammonium iron sulfate (III), chloride Cobalt, cobalt nitrate, cobalt acetate, nickel chloride, nickel nitrate, nickel acetate, copper chloride, copper nitrate, zinc chloride, zinc acetate, zinc chloride, yttrium nitrate, yttrium chloride, zirconium chloride, zirconium nitrate, zirconium tetrachloride, Silver chloride, silver acetate, indium chloride, indium acetate, chloride Tin, tin acetate, tin sulfate, cerium chloride, cerium acetate, cerium nitrate, cerium oxalate, diammonium cerium nitrate, cerium sulfate, samarium chloride, samarium nitrate, lead chloride, lead acetate, lead nitrate, lead iodide, phosphoric acid Lead, lead sulfate, lanthanum chloride, lanthanum acetate, lanthanum nitrate, gadolinium nitrate, strontium chloride, strontium acetate, strontium nitrate, niobium pentachloride, ammonium molybdate phosphate, molybdenum sulfide, palladium chloride, palladium acetate, palladium nitrate, pentachloride Antimony, antimony trichloride, antimony trifluoride, telluric acid, barium sulfite, barium chloride, barium chlorate, barium perchlorate, barium acetate, barium nitrate, tungstic acid, ammonium tungstate, tungsten hexachloride, five Tantalum, hafnium chloride, can be exemplified sulfuric hafnium.

上記有機金属化合物としては、金属酸化物膜を形成可能なものであれば特に限定されるものではないが、具体的には、アセチルアセトナート系錯体を挙げることができる。上記アセチルアセトナート系錯体としては、例えば、アルミニウムアセチルアセトナート、鉄(III)アセチルアセトナート、ニッケル(II)アセチルアセトナート二水和物、銅(II)アセチルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナート、ジルコニウムテトラアセチルアセトナート、ジルコニウムモノアセチルアセトナート、クロム(III)アセチルアセトナート、コバルトアセチルアセトナート、トリス(アセチルアセトナト)インジウム(III)、セリウムアセチルアセトナート、ランタンアセチルアセトナート、チタンアセチルアセトナート、カルシウムアセチルアセトナート、モリブデニルアセチルアセトナート、パラジウムアセチルアセトナート等を挙げることができる。   The organometallic compound is not particularly limited as long as it can form a metal oxide film, and specific examples include acetylacetonate complexes. Examples of the acetylacetonate-based complex include aluminum acetylacetonate, iron (III) acetylacetonate, nickel (II) acetylacetonate dihydrate, copper (II) acetylacetonate, zinc acetylacetonate, zirconium Tetraacetylacetonate, zirconium monoacetylacetonate, chromium (III) acetylacetonate, cobalt acetylacetonate, tris (acetylacetonato) indium (III), cerium acetylacetonate, lanthanum acetylacetonate, titanium acetylacetonate, Examples thereof include calcium acetylacetonate, molybdenyl acetylacetonate, and palladium acetylacetonate.

アセチルアセトナート系錯体以外の有機金属化合物としては、例えば、マグネシウムジエトキシド、カルシウムジ(メトキシエトキシド)、グルコン酸カルシウム一水和物、クエン酸カルシウム四水和物、サリチル酸カルシウム二水和物、チタンラクテート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、ブチルチタネートダイマー、チタニウムビス(エチルヘキソキシ)ビス(2−エチル−3−ヒドロキシヘキソキシド)、ジイソプロポキシチタンビス(トリエタノールアミネート)、ジヒドロキシビス(アンモニウムラクテート)チタニウム、ジイソプロポキシチタンビス(エチルアセトアセテート)、チタンペロキソクエン酸アンモニウム四水和物、ジシクロペンタジエニル鉄(II)、乳酸鉄(II)三水和物、銅(II)ジピバロイルメタナート、エチルアセト酢酸銅(II)、乳酸亜鉛三水和物、サリチル酸亜鉛三水和物、ステアリン酸亜鉛、ストロンチウムジピバロイルメタナート、イットリウムジピバロイルメタナート、ジルコニウムテトラ−n−ブトキシド、ジルコニウム(IV)エトキシド、ジルコニウムノルマルプロピレート、ジルコニウムノルマルブチレート、ジルコニウムアセチルアセトナートビスエチルアセトアセテート、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムモノステアレート、ペンタ−n−ブトキシニオブ、ペンタエトキシニオブ、ペンタイソプロポキシニオブ、2−エチルヘキサン酸インジウム(III)、テトラエチルすず、酸化ジブチルすず(IV)、トリシクロヘキシルすず(IV)ヒドロキシド、トリ(メトキシエトキシ)ランタン、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、タンタル(V)エトキシド、クエン酸鉛(II)三水和物、シクロヘキサン酪酸鉛、トリフルオロメタンスルホン酸ガリウム(III)、ストロンチウムジピバロイルメタナート等を挙げることができる。   Examples of organometallic compounds other than acetylacetonate complexes include magnesium diethoxide, calcium di (methoxyethoxide), calcium gluconate monohydrate, calcium citrate tetrahydrate, and calcium salicylate dihydrate. , Titanium lactate, tetraisopropyl titanate, tetranormal butyl titanate, tetra (2-ethylhexyl) titanate, butyl titanate dimer, titanium bis (ethylhexoxy) bis (2-ethyl-3-hydroxyhexoxide), diisopropoxy titanium bis (tri Ethanolaminate), dihydroxybis (ammonium lactate) titanium, diisopropoxytitanium bis (ethylacetoacetate), ammonium peroxocitrate tetrahydrate, dicyclopentadi Nyl iron (II), iron (II) lactate trihydrate, copper (II) dipivaloylmethanate, copper (II) ethyl acetoacetate, zinc lactate trihydrate, zinc salicylate trihydrate, stearic acid Zinc, strontium dipivaloylmethanate, yttrium dipivaloylmethanate, zirconium tetra-n-butoxide, zirconium (IV) ethoxide, zirconium normal propylate, zirconium normal butyrate, zirconium acetylacetonate bisethylacetoacetate, Zirconium acetate, zirconium monostearate, penta-n-butoxy niobium, pentaethoxy niobium, pentaisopropoxy niobium, indium (III) 2-ethylhexanoate, tetraethyl tin, dibutyl tin oxide (IV), tricyclohexyl tin (IV) Hydroxide, Li (methoxyethoxy) lanthanum, pentaisopropoxytantalum, pentaethoxytantalum, tantalum (V) ethoxide, lead (II) citrate trihydrate, lead cyclohexanebutyrate, gallium (III) trifluoromethanesulfonate, strontium dipivalo Ilmethanate and the like can be mentioned.

金属酸化物膜形成用溶液における金属源の濃度としては、特に限定されるものではないが、例えば0.001〜1mol/lの範囲内、中でも0.01〜0.5mol/lの範囲内であることが好ましい。濃度が上記範囲内にあれば、比較的短時間で金属酸化物膜を形成することができるからである。   The concentration of the metal source in the metal oxide film forming solution is not particularly limited, but for example, within the range of 0.001 to 1 mol / l, particularly within the range of 0.01 to 0.5 mol / l. Preferably there is. This is because if the concentration is within the above range, the metal oxide film can be formed in a relatively short time.

また、本発明においては、金属酸化物膜のドーピングを目的としたドーピング金属源を添加することも可能である。ドーピング金属源を用いることにより、機能性金属酸化物膜を得ることができる。   In the present invention, it is also possible to add a doping metal source for the purpose of doping the metal oxide film. A functional metal oxide film can be obtained by using a doping metal source.

上記ドーピング金属源の種類は、目的とする金属酸化物膜の種類に応じて適宜選択することが好ましい。例えば固体酸化物型燃料電池の電解質として有用なイットリア安定化ジルコニア膜(YSZ膜)を得る場合は、ジルコニウム元素を有する金属源の他に、ドーピング金属源としてイットリウム元素を有する金属源を用いる。イットリウム元素を有する金属源としては、具体的には、硝酸イットリウム・六水和物等を挙げることができる。すなわち、本発明においては、上記金属源が、ジルコニウム元素を含有するジルコニウム含有金属源と、イットリウム元素を含有するイットリウム含有金属源との組み合わせであることが好ましい。所望のYSZ膜を得ることができるからである。上記ジルコニウム含有金属源としては、上述したように、ジルコニウム元素を含有する金属塩であっても良く、ジルコニウム元素を含有する有機金属化合物であっても良いが、中でも、ジルコニウム元素を含有する有機金属化合物であることが好ましい。特に本発明においては、ジルコニウム含有金属源がジルコニウムテトラアセチルアセトナートであることが好ましい。上記イットリウム含有金属源としては、イットリウム元素を含有するものであれば特に限定されるものではなく、上述したように、イットリウム元素を含有する金属塩であっても良く、イットリウム元素を含有する有機金属化合物であっても良いが、中でも、イットリウム元素を含有する金属塩であることが好ましい。特に本発明においては、イットリウム含有金属源が硝酸イットリウムであることが好ましい。金属酸化物膜形成用溶液に含まれる、ジルコニウム含有金属源およびイットリウム含有金属源の割合は、所望のYSZを得ることができれば特に限定されるものではないが、例えば、ジルコニウム含有金属源を100とした場合に、モル換算で、イットリウム含有金属源が、3〜30の範囲内、中でも5〜20の範囲内であることが好ましい。   The kind of the doping metal source is preferably selected as appropriate according to the kind of the target metal oxide film. For example, when obtaining a yttria-stabilized zirconia film (YSZ film) useful as an electrolyte of a solid oxide fuel cell, a metal source having a yttrium element is used as a doping metal source in addition to a metal source having a zirconium element. Specific examples of the metal source having an yttrium element include yttrium nitrate hexahydrate. That is, in the present invention, the metal source is preferably a combination of a zirconium-containing metal source containing a zirconium element and an yttrium-containing metal source containing an yttrium element. This is because a desired YSZ film can be obtained. As described above, the zirconium-containing metal source may be a metal salt containing a zirconium element or an organometallic compound containing a zirconium element, and among them, an organic metal containing a zirconium element. A compound is preferred. Particularly in the present invention, the zirconium-containing metal source is preferably zirconium tetraacetylacetonate. The yttrium-containing metal source is not particularly limited as long as it contains an yttrium element. As described above, it may be a metal salt containing an yttrium element, or an organic metal containing an yttrium element. A compound may be used, but among them, a metal salt containing an yttrium element is preferable. Particularly in the present invention, the yttrium-containing metal source is preferably yttrium nitrate. The ratio of the zirconium-containing metal source and the yttrium-containing metal source contained in the metal oxide film forming solution is not particularly limited as long as a desired YSZ can be obtained. In this case, the yttrium-containing metal source is preferably in the range of 3 to 30, more preferably in the range of 5 to 20, in terms of mole.

また、本発明においては、上記金属源が、インジウム元素を含有するインジウム含有金属源と、スズ元素を含有するスズ含有金属源との組み合わせであることが好ましい。上記インジウム含有金属源としては、インジウム元素を含有するものであれば特に限定されるものではなく、上述したように、インジウム元素を含有する金属塩であっても良く、インジウム元素を含有する有機金属化合物であっても良いが、中でも、インジウム元素を含有する金属塩であることが好ましい。特に本発明においては、インジウム含有金属源が硝酸インジウムであることが好ましい。一方、上記スズ含有金属源としては、スズ元素を含有するものであれば特に限定されるものではなく、上述したように、スズ元素を含有する金属塩であっても良く、スズ元素を含有する有機金属化合物であっても良いが、中でも、スズ元素を含有する金属塩であることが好ましい。特に本発明においては、スズ含有金属源が塩化スズであることが好ましい。   In the present invention, the metal source is preferably a combination of an indium-containing metal source containing an indium element and a tin-containing metal source containing a tin element. The indium-containing metal source is not particularly limited as long as it contains an indium element. As described above, the indium-containing metal source may be a metal salt containing an indium element, or an organic metal containing an indium element. A compound may be used, but among them, a metal salt containing an indium element is preferable. In particular, in the present invention, the indium-containing metal source is preferably indium nitrate. On the other hand, the tin-containing metal source is not particularly limited as long as it contains a tin element, and as described above, it may be a metal salt containing a tin element, and contains a tin element. An organic metal compound may be used, but among them, a metal salt containing a tin element is preferable. In particular, in the present invention, the tin-containing metal source is preferably tin chloride.

(2)溶媒
本発明に用いられる溶媒は、上述した金属源を溶解することができるものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、水;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、プロパノール、ブタノール等の総炭素数が5以下の低級アルコール;トルエン;アセチルアセトン、ジアセチル、ベンゾイルアセトン等のジケトン類;アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、ベンゾイル酢酸エチル、ベンゾイル蟻酸エチル等のケトエステル類;およびこれらの混合溶媒等を挙げることができる。中でも、水、メタノール、エタノール、アセトン、トルエン、アセチルアセトンまたはこれらの混合溶媒が好ましい。また、本発明においては、溶媒の全部または一部として、上記ジケトン類および上記ケトエステル類の少なくとも一方を用いることが好ましい。成膜性が向上するからである。
(2) Solvent The solvent used in the present invention is not particularly limited as long as it can dissolve the above-described metal source. For example, water; methanol, ethanol, isopropyl alcohol, propanol, butanol, etc. Lower alcohols having a total carbon number of 5 or less; toluene; diketones such as acetylacetone, diacetyl, and benzoylacetone; ketoesters such as ethyl acetoacetate, ethyl pyruvate, ethyl benzoylacetate, and ethyl benzoylformate; and mixed solvents thereof Can be mentioned. Among these, water, methanol, ethanol, acetone, toluene, acetylacetone or a mixed solvent thereof is preferable. In the present invention, it is preferable to use at least one of the diketones and the ketoesters as all or part of the solvent. This is because the film forming property is improved.

(3)ホウ素化合物
次に、本発明に用いられるホウ素化合物について説明する。本発明においては、金属酸化物膜形成用溶液が、ホウ素化合物を含有していても良い。ホウ素化合物を添加することにより、得られる金属酸化物膜の結晶性を低下させることができる。その結果、粒界の発生を抑制することができ、密着性や凹凸追従性に優れた金属酸化物膜を得ることができる。
(3) Boron compound Next, the boron compound used for this invention is demonstrated. In the present invention, the metal oxide film forming solution may contain a boron compound. By adding a boron compound, the crystallinity of the resulting metal oxide film can be reduced. As a result, the generation of grain boundaries can be suppressed, and a metal oxide film excellent in adhesion and unevenness followability can be obtained.

上記ホウ素化合物としては、金属酸化物膜の結晶性を低下させることができるものであれば特に限定されるものではないが、中でも金属元素を有しないものであることが好ましい。ホウ素化合物に由来する金属元素が、金属酸化物膜に取り込まれることを防止できるからである。上記ホウ素化合物としては、具体的には、ホウ酸、三フッ化ホウ素−ジエチルエーテル、四ホウ酸リチウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素ナトリウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、トリス(ジメチルアミノ)ホウ素、ホウ酸トリイソプロピル、ペルオキソホウ酸ナトリウム四水和物、テトラフルオロホウ酸等を挙げることができ、中でも、金属元素を有しないという観点から、ホウ酸、三フッ化ホウ素−ジエチルエーテル、トリス(ジメチルアミノ)ホウ素、ホウ酸トリイソプロピル、テトラフルオロホウ酸が好ましく、特に、ホウ酸が好ましい。より効果的に、金属酸化物膜の結晶性を低下させることができるからである。   The boron compound is not particularly limited as long as it can reduce the crystallinity of the metal oxide film, but it is preferable that the boron compound has no metal element. This is because the metal element derived from the boron compound can be prevented from being taken into the metal oxide film. Specific examples of the boron compound include boric acid, boron trifluoride-diethyl ether, lithium tetraborate, potassium borohydride, sodium borohydride, lithium tetrafluoroborate, tris (dimethylamino) boron, Examples thereof include triisopropyl borate, sodium peroxoborate tetrahydrate, and tetrafluoroboric acid. Among them, boric acid, boron trifluoride-diethyl ether, tris (dimethyl) are used from the viewpoint of having no metal element. Amino) boron, triisopropyl borate, and tetrafluoroboric acid are preferable, and boric acid is particularly preferable. This is because the crystallinity of the metal oxide film can be reduced more effectively.

なお、ホウ酸(HBO)は、300℃程度に加熱されると、酸化ホウ素(B)になることが知られている。詳細な原理は明らかではないが、幾つかの実験から、この酸化ホウ素が、金属酸化物膜の結晶性を低下させるための重要な要因となっている可能性がある。このような観点からは、上記ホウ素化合物は、加熱された多孔質基材と接触する際に、酸化ホウ素を生じる化合物であることが好ましい。 It is known that boric acid (H 3 BO 3 ) becomes boron oxide (B 2 O 3 ) when heated to about 300 ° C. Although the detailed principle is not clear, from some experiments, this boron oxide may be an important factor for reducing the crystallinity of the metal oxide film. From such a viewpoint, the boron compound is preferably a compound that generates boron oxide when it comes into contact with a heated porous substrate.

金属酸化物膜形成用溶液に含まれるホウ素化合物の濃度としては、金属酸化物膜の結晶性を低下させることができる濃度であれば特に限定されるものではないが、例えば0.01mol/l以上、中でも0.05〜1mol/lの範囲内、特に0.1〜0.5mol/lの範囲内であることが好ましい。   The concentration of the boron compound contained in the metal oxide film forming solution is not particularly limited as long as it is a concentration that can reduce the crystallinity of the metal oxide film. For example, 0.01 mol / l or more In particular, it is preferably in the range of 0.05 to 1 mol / l, particularly preferably in the range of 0.1 to 0.5 mol / l.

(4)添加剤
また、本発明に用いられる金属酸化物膜形成用溶液は、界面活性剤等の添加剤を含有していても良い。上記界面活性剤は、金属酸化物膜形成用溶液と多孔質基材との界面に作用するものである。上記界面活性剤を用いることにより、金属酸化物膜形成用溶液と多孔質基材との接触面積を向上させることができ、均一な金属酸化物膜を得ることができる。なお、上記界面活性剤の使用量は、使用する金属源等に合わせて適宜選択して使用することが好ましい。
(4) Additive The solution for forming a metal oxide film used in the present invention may contain an additive such as a surfactant. The surfactant acts on the interface between the metal oxide film forming solution and the porous substrate. By using the surfactant, the contact area between the metal oxide film forming solution and the porous substrate can be improved, and a uniform metal oxide film can be obtained. In addition, it is preferable to select and use the usage-amount of the said surfactant suitably according to the metal source etc. to be used.

上記界面活性剤の種類としては、例えば、サーフィノール485、サーフィノールSE、サーフィノールSE−F、サーフィノール504、サーフィノールGA、サーフィノール104A、サーフィノール104BC、サーフィノール104PPM、サーフィノール104E、サーフィノール104PA等のサーフィノールシリーズ(以上、全て日信化学工業(株)社製)、NIKKOL AM301、NIKKOL AM313ON(以上、全て日光ケミカル社製)等を挙げることができる。   Examples of the surfactant include Surfinol 485, Surfinol SE, Surfinol SE-F, Surfinol 504, Surfinol GA, Surfinol 104A, Surfinol 104BC, Surfinol 104PPM, Surfinol 104E, Surfinol. Examples include Surfinol series such as Nord 104PA (all manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.), NIKKOL AM301, NIKKOL AM313ON (all manufactured by Nikko Chemical Co., Ltd.), and the like.

2.多孔質基材
次に、本発明に用いられる多孔質基材について説明する。本発明に用いられる多孔質基材の材料としては、上記加熱温度に対する耐熱性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、例えばガラス、SUS、金属、セラミックス、耐熱性プラスチック等を挙げることができ、中でもガラス、SUS、金属、セラミックスであることが好ましい。汎用性があり、充分な耐熱性を有しているからである。
2. Next, the porous substrate used in the present invention will be described. The material of the porous substrate used in the present invention is not particularly limited as long as it has heat resistance to the above heating temperature. For example, glass, SUS, metal, ceramics, heat resistant plastic, etc. Among them, glass, SUS, metal, and ceramic are preferable. This is because it is versatile and has sufficient heat resistance.

多孔質基材の平均孔径は、例えば1nm〜500μmの範囲内、中でも10nm〜100μmの範囲内であることが好ましい。多孔質基材の平均孔径は、全自動ガス吸着量測定装置(AUTOSORB−1−AG、ユアサアイオニクス株式会社製)を用い、キャリアガスとしてNガスを用い、測定温度77Kで測定することによって求めることができる。また、多孔質部材の平均孔径が200nmを超える場合は、水銀ポロシメーター(PoreMaster、ユアサアイオニクス)により測定することができる。 The average pore diameter of the porous substrate is, for example, preferably in the range of 1 nm to 500 μm, and more preferably in the range of 10 nm to 100 μm. The average pore diameter of the porous substrate is measured by using a fully automatic gas adsorption amount measuring device (AUTOSORB-1-AG, manufactured by Yuasa Ionics Co., Ltd.), using N 2 gas as a carrier gas, and measuring at 77K. Can be sought. Moreover, when the average pore diameter of a porous member exceeds 200 nm, it can measure with a mercury porosimeter (PoreMaster, Yuasa Ionics).

また、多孔質基材の膜厚は、特に限定されるものではなく、積層体の用途に応じて適宜選択することが好ましい。   Moreover, the film thickness of a porous base material is not specifically limited, It is preferable to select suitably according to the use of a laminated body.

3.金属酸化物膜の形成方法
本発明においては、金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する。
3. Method for forming metal oxide film In the present invention, a metal oxide film forming solution is sprayed onto a porous base material heated to a temperature equal to or higher than the metal oxide film forming temperature, whereby a metal is formed on the porous base material. An oxide film is formed.

本発明において、「金属酸化物膜形成温度」とは、金属源に含まれる金属元素が酸素と結合し、多孔質基材上に金属酸化物膜を形成することが可能な温度をいい、金属源、溶媒等の金属酸化物膜形成用溶液の組成によって異なるものである。本発明において、このような「金属酸化物膜形成温度」は、以下の方法により測定することができる。すなわち、実際に所望の金属源を含有する金属酸化物膜形成用溶液を用意し、この金属酸化物膜形成用溶液を多孔質基材の加熱温度を変化させて接触させ、金属酸化物膜を形成することができる最低の加熱温度を測定する。この最低の加熱温度を本発明における「金属酸化物膜形成温度」とすることができる。この際、金属酸化物膜が形成したか否かは、通常、X線回折装置(リガク製、RINT−1500)より得られた結果から判断し、結晶性のないアモルファス膜の場合は、光電子分光分析装置(V.G.Scientific社製、ESCALAB 200i−XL)より得られた結果から判断するものとする。   In the present invention, the “metal oxide film forming temperature” refers to a temperature at which a metal element contained in a metal source can combine with oxygen and form a metal oxide film on a porous substrate. It depends on the composition of the metal oxide film forming solution such as the source and the solvent. In the present invention, such “metal oxide film formation temperature” can be measured by the following method. That is, a solution for forming a metal oxide film actually containing a desired metal source is prepared, and this metal oxide film forming solution is brought into contact with the porous substrate while changing the heating temperature. Measure the lowest heating temperature that can be formed. This minimum heating temperature can be used as the “metal oxide film forming temperature” in the present invention. At this time, whether or not the metal oxide film is formed is usually judged from the result obtained from an X-ray diffraction apparatus (Rigaku, RINT-1500). In the case of an amorphous film having no crystallinity, photoelectron spectroscopy is performed. It shall judge from the result obtained from the analyzer (the product made by VG Scientific, ESCALAB 200i-XL).

金属酸化物膜形成温度は、上述したように、用いられる金属源等の種類により異なるものであるが、通常200〜600℃の範囲内である。また、本発明において、多孔質基材の加熱温度は、金属酸化物膜形成温度以上の温度であれば特に限定されるものではないが、例えば、金属酸化物膜形成温度+300℃以下、中でも金属酸化物膜形成温度+200℃以下、特に金属酸化物膜形成温度+100℃以下であることが好ましい。多孔質基材の加熱温度は、通常300〜600℃の範囲内である。   As described above, the metal oxide film formation temperature varies depending on the type of the metal source used, but is usually in the range of 200 to 600 ° C. In the present invention, the heating temperature of the porous substrate is not particularly limited as long as it is a temperature equal to or higher than the metal oxide film formation temperature. For example, the metal oxide film formation temperature + 300 ° C. or lower, especially metal It is preferable that the oxide film formation temperature + 200 ° C. or lower, particularly the metal oxide film formation temperature + 100 ° C. or lower. The heating temperature of the porous substrate is usually in the range of 300 to 600 ° C.

また、多孔質基材の加熱方法としては、例えばホットプレート、オーブン、焼成炉、赤外線ランプ、熱風送風機を用いる方法等を挙げることができ、中でも多孔質基材の温度を保持できる方法が好ましく、具体的にはホットプレートを用いる方法が好ましい。   Examples of the method for heating the porous substrate include a method using a hot plate, an oven, a baking furnace, an infrared lamp, a hot air blower, etc., among which a method capable of maintaining the temperature of the porous substrate is preferable. Specifically, a method using a hot plate is preferable.

次に、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方法について説明する。本発明においては、上述した図1に示すように、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向Dを、多孔質基材1側に向け、かつ、多孔質基材1表面の法線方向Dに対して傾ける。本発明においては、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、多孔質基材表面の法線方向に対して、10°以上傾けることが好ましく、20°以上傾けることがより好ましく、30°以上傾けることがさらに好ましい。一方、本発明においては、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、多孔質基材表面の法線方向に対して、90°以下で傾けることが好ましく、80°以下で傾けることがより好ましい。上記の範囲内であれば、さらに効率良く、多孔質基材の孔部を金属酸化物で埋めることができるからである。 Next, a method for spraying the metal oxide film forming solution will be described. In the present invention, as shown in FIG. 1 described above, the injection direction D a of the metal oxide film-forming solution, toward the porous substrate 1 side, and the normal direction D of the porous surface of the substrate 1 Tilt to b . In the present invention, the injection direction of the metal oxide film forming solution is preferably inclined by 10 ° or more, more preferably by 20 ° or more, more preferably by 30 ° or more with respect to the normal direction of the surface of the porous substrate. It is more preferable to tilt. On the other hand, in the present invention, the injection direction of the metal oxide film forming solution is preferably inclined at 90 ° or less and more preferably at 80 ° or less with respect to the normal direction of the porous substrate surface. . This is because the pores of the porous substrate can be more efficiently filled with the metal oxide within the above range.

本発明においては、通常、スプレー装置を用いて金属酸化物膜形成用溶液を噴射する。スプレー装置に備え付けられるスプレーノズルの種類は、所定の角度で金属酸化物膜形成用溶液を噴射することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、フラットスプレーノズルおよびスリットノズル等を挙げることができる。   In the present invention, the metal oxide film forming solution is usually sprayed using a spray device. The type of spray nozzle provided in the spray device is not particularly limited as long as it can spray the metal oxide film forming solution at a predetermined angle. For example, a flat spray nozzle, a slit nozzle, etc. Can be mentioned.

また、本発明において、スプレーノズルから噴射される金属酸化物膜形成用溶液は、より液滴の径が小さいことが好ましい。液滴の径が小さければ、金属酸化物膜形成用溶液の溶媒が瞬時に蒸発し、多孔質基材の温度低下を抑制することができるからである。液滴の径としては、例えば0.01μm〜1000μmの範囲内、中でも0.1μ〜300μmの範囲内であることが好ましい。   In the present invention, the metal oxide film forming solution sprayed from the spray nozzle preferably has a smaller droplet diameter. This is because if the diameter of the droplet is small, the solvent of the metal oxide film forming solution is instantly evaporated, and the temperature drop of the porous substrate can be suppressed. The diameter of the droplet is, for example, preferably in the range of 0.01 μm to 1000 μm, and more preferably in the range of 0.1 μm to 300 μm.

また、スプレー装置は、圧力で溶液を噴射するものであっても良く、噴射ガスで溶液を噴射するものであっても良い。噴射ガスとしては、金属酸化物膜の形成を阻害しない限り特に限定されるものではないが、例えば空気、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素等を挙げることができ、中でも不活性な気体である窒素、アルゴン、ヘリウムが好ましい。また、金属酸化物膜形成用溶液の噴射量としては、例えば0.01〜50L/minの範囲内、中でも0.05〜1L/minの範囲内であることが好ましい。   Moreover, the spray device may inject the solution with pressure, or may inject the solution with an injection gas. The propellant gas is not particularly limited as long as it does not hinder the formation of the metal oxide film, and examples thereof include air, nitrogen, argon, helium, oxygen, etc. Among them, nitrogen, which is an inert gas, Argon and helium are preferred. Further, the injection amount of the metal oxide film forming solution is, for example, preferably in the range of 0.01 to 50 L / min, and more preferably in the range of 0.05 to 1 L / min.

本発明においては、金属酸化物膜形成用溶液を噴射する際に、スプレーノズルおよび多孔質基材の少なくとも一方を相対的に移動させることが好ましい。より均一な膜厚の金属酸化物膜を形成することができるからである。具体的には、スプレーノズルを固定し多孔質基材を移動させても良く、スプレーノズルを移動させ多孔質基材を固定しても良く、スプレーノズルおよび多孔質基材の両方を、互いに異なる動きで移動させても良い。   In the present invention, it is preferable to relatively move at least one of the spray nozzle and the porous substrate when injecting the metal oxide film forming solution. This is because a metal oxide film having a more uniform thickness can be formed. Specifically, the spray nozzle may be fixed and the porous substrate may be moved, or the spray nozzle may be moved and the porous substrate may be fixed. Both the spray nozzle and the porous substrate are different from each other. It may be moved by movement.

4.その他
また、本発明の積層体の製造方法においては、得られた金属酸化物膜の洗浄を行っても良い。金属酸化物膜を洗浄することにより、金属酸化物膜の表面等に存在する不純物を取り除くことができる。具体的には、金属酸化物膜形成用溶液に使用した溶媒を用いて洗浄する方法等を挙げることができる。
4). Others In the method for producing a laminate of the present invention, the obtained metal oxide film may be washed. By cleaning the metal oxide film, impurities present on the surface of the metal oxide film can be removed. Specific examples include a method of washing using a solvent used in the metal oxide film forming solution.

B.積層体の製造装置
次に、本発明の積層体の製造装置について説明する。本発明の積層体の製造装置は、多孔質基材を支持する支持手段と、上記多孔質基材を加熱する加熱手段と、上記多孔質基材表面の法線方向に対して、所定の角度で金属酸化物膜形成用溶液を噴射する噴射手段と、を有することを特徴とするものである。
B. Next, the manufacturing apparatus of the laminated body of this invention is demonstrated. The laminate manufacturing apparatus of the present invention includes a supporting means for supporting a porous substrate, a heating means for heating the porous substrate, and a predetermined angle with respect to a normal direction of the surface of the porous substrate. And a spraying means for spraying the metal oxide film forming solution.

本発明によれば、所定の角度で金属酸化物膜形成用溶液を噴射することにより、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる。   According to the present invention, by injecting the metal oxide film forming solution at a predetermined angle, the pores of the porous substrate can be efficiently filled with the metal oxide, and the surface smoothness and denseness can be improved. An excellent metal oxide film can be formed.

図5は、本発明の積層体の製造装置の一例を示す概略断面図である。図5に示される積層体の製造装置は、多孔質基材1を支持する支持手段11と、多孔質基材1を加熱する加熱手段12と、多孔質基材1表面の法線方向Dに対して、所定の角度θで金属酸化物膜形成用溶液(図示せず)を噴射するスプレーノズル2を有する噴射手段13と、を有するものである。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of the laminate manufacturing apparatus of the present invention. Apparatus for producing a laminate shown in FIG. 5 and the support means 11 for supporting the porous substrate 1, a heating means 12 for heating the porous substrate 1, the normal direction D b of the porous surface of the substrate 1 On the other hand, it has an injection means 13 having a spray nozzle 2 for injecting a metal oxide film forming solution (not shown) at a predetermined angle θ.

本発明における支持手段は、多孔質基材を支持できる手段であれば特に限定されるものではない。また、支持手段は、後述する加熱手段の機能を兼ね備えたものであっても良い。また、支持手段は、移動自由な移動手段を有していても良い。   The support means in the present invention is not particularly limited as long as it is a means capable of supporting the porous substrate. Moreover, the support means may have a function of a heating means described later. Further, the support means may have a movement means that can move freely.

本発明における加熱手段は、多孔質基材を加熱できる手段であれば特に限定されるものではない。加熱手段については、上記「A.積層体の製造方法」に記載した多孔質基材の加熱方法で用いられる手段と同様であるので、ここでの記載は省略する。   The heating means in the present invention is not particularly limited as long as it can heat the porous substrate. About a heating means, since it is the same as the means used with the heating method of the porous base material described in said "A. Manufacturing method of a laminated body", description here is abbreviate | omitted.

本発明における噴射手段は、通常、金属酸化物膜形成用溶液を噴射するスプレーノズルを有する。また、噴射手段は、スプレーノズルの角度を調整する角度調整手段、スプレーノズルの角度を連続的に変動させる角度変動手段、移動自由な移動手段を有していても良い。   The spraying means in the present invention usually has a spray nozzle for spraying a metal oxide film forming solution. The spraying unit may include an angle adjusting unit that adjusts the angle of the spray nozzle, an angle changing unit that continuously changes the angle of the spray nozzle, and a movable unit that can move freely.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples.

[実施例1−1]
(多孔質基材の作製)
まず、一次粒径50nmのTiO微粒子(日本アエロジル社製P25)、アセチルアセトンおよびポリエチレングリコール(平均分子量3000)を用意した。次に、これらをホモジナイザーにより水およびイソプロピルアルコールに溶解および分散させて、TiO微粒子37.5重量%、アセチルアセトン1.25重量%、ポリエチレングリコール1.88重量%のスラリーを作製した。次に、ガラス基材上にドクターブレードにて上記スラリーを塗布し、室温下にて20分放置し、その後、上記スラリーを100℃、30分間の条件で乾燥させた。次に、乾燥後のスラリー塗布部材を電気マッフル炉(デンケン社製P90)に入れ、500℃、30分間、大気圧雰囲気の条件で焼成した。これにより、多孔質基材を得た。多孔質基材の表面粗さを原子間力顕微鏡(AFM、ナノピクス(SII製))を用いて測定したところ、Ra=1μmであった。
[Example 1-1]
(Preparation of porous substrate)
First, TiO 2 fine particles having a primary particle diameter of 50 nm (P25 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.), acetylacetone and polyethylene glycol (average molecular weight 3000) were prepared. Next, these were dissolved and dispersed in water and isopropyl alcohol by a homogenizer to prepare a slurry of 37.5 wt% TiO 2 fine particles, 1.25 wt% acetylacetone, and 1.88 wt% polyethylene glycol. Next, the slurry was applied onto a glass substrate with a doctor blade and allowed to stand at room temperature for 20 minutes, and then the slurry was dried at 100 ° C. for 30 minutes. Next, the dried slurry application member was placed in an electric muffle furnace (P90 manufactured by Denken) and baked at 500 ° C. for 30 minutes in an atmospheric pressure atmosphere. This obtained the porous base material. When the surface roughness of the porous substrate was measured using an atomic force microscope (AFM, Nanopics (manufactured by SII)), Ra = 1 μm.

(積層体の作製)
硝酸インジウム(関東化学社製)および塩化スズ(関東化学社製)を、それぞれの濃度が0.1mol/リットル、0.0052mol/リットルとなるように、エタノール溶媒に溶解させて金属酸化物膜形成溶液を調製した。次に、500℃に加熱した多孔質基材上に対して、金属酸化物形成用溶液(500ミリリットル)をエアレススプレー(A74エアレスオートガン、クロスカットノズル(フラットスプレーノズル)1/15、噴射液圧2MPa、ノードソン社製)を用いて噴射した。この際、金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向と、多孔質基材表面の法線方向との角度θは、10°であった。これにより、多孔質基材および金属酸化物膜を有する積層体を得た。
(Production of laminate)
Indium nitrate (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) and tin chloride (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) are dissolved in an ethanol solvent to form metal oxide films so that the respective concentrations are 0.1 mol / liter and 0.0052 mol / liter. A solution was prepared. Next, an airless spray (A74 airless auto gun, cross cut nozzle (flat spray nozzle) 1/15, spray liquid pressure) on a porous substrate heated to 500 ° C. is applied to a metal oxide forming solution (500 ml). 2 MPa, manufactured by Nordson). At this time, the angle θ between the spraying direction of the metal oxide film forming solution and the normal direction of the porous substrate surface was 10 °. This obtained the laminated body which has a porous base material and a metal oxide film.

[実施例1−2]
角度θを30°としたこと以外は、実施例1−1と同様にして、積層体を得た。
[Example 1-2]
A laminated body was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that the angle θ was 30 °.

[実施例1−3]
角度θを45°としたこと以外は、実施例1−1と同様にして、積層体を得た。
[Example 1-3]
A laminate was obtained in the same manner as in Example 1-1, except that the angle θ was 45 °.

[実施例1−4]
角度θを60°としたこと以外は、実施例1−1と同様にして、積層体を得た。
[Example 1-4]
A laminated body was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that the angle θ was 60 °.

[実施例1−5]
角度θを90°としたこと以外は、実施例1−1と同様にして、積層体を得た。
[Example 1-5]
A laminate was obtained in the same manner as Example 1-1 except that the angle θ was 90 °.

[比較例1]
角度θを0°としたこと以外は、実施例1−1と同様にして、積層体を得た。
[Comparative Example 1]
A laminated body was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that the angle θ was set to 0 °.

[評価1]
実施例1−1〜実施例1−6、および比較例1で得られた積層体の表面粗さ(Ra)、および金属酸化物膜の膜厚を測定した。積層体の表面粗さ(Ra)は、原子間力顕微鏡(AFM、ナノピクス(SII製))を用いて測定した。また、金属酸化物膜の膜厚は、走査型電子顕微鏡(SEM)による断面写真を観察することにより測定した。その結果を表1に示す。
[Evaluation 1]
The surface roughness (Ra) of the laminates obtained in Example 1-1 to Example 1-6 and Comparative Example 1 and the film thickness of the metal oxide film were measured. The surface roughness (Ra) of the laminate was measured using an atomic force microscope (AFM, Nanopics (manufactured by SII)). The thickness of the metal oxide film was measured by observing a cross-sectional photograph with a scanning electron microscope (SEM). The results are shown in Table 1.

表1に示されるように、実施例1−1〜実施例1−6は、比較例1に比べて、表面粗さが小さく、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を得ることができた。   As shown in Table 1, Example 1-1 to Example 1-6 obtain a metal oxide film having a smaller surface roughness and superior surface smoothness, denseness, and the like compared to Comparative Example 1. I was able to.

[実施例2]
ジルコニウムテトラアセチルアセトナ−ト(関東化学社製)、硝酸イットリウム(関東化学社製)およびホウ酸(関東化学製)を、それぞれの濃度が0.2mol/リットル、0.061mol/リットルおよび0.1mol/リットルとなるように、トルエン:エタノール:アセチルアセトン=50:25:25となる混合溶媒に溶解させて金属酸化物膜形成用溶液を調製した。そして、500℃に加熱した多孔質基材(燃料電池の燃料極、日本ファインセラミックス社製、サマリウムドーピングセリア&酸化ニッケル多孔質部材、平均孔径1μm、厚み800μm、平均粒子径1μm))上へ金属酸化物膜形成用溶液(1000ミリリットル)を、エアレススプレー(A74エアレスオートガン、クロスカットノズル(フラットスプレーノズル)1/12、噴射液圧2MPa、ノードソン社製)を用いて、多孔質基材表面の法線方向に対して、45°傾けて噴射した。これにより、多孔質基材上にYSZからなる金属酸化物電解質膜(多孔質基材上の厚み:3μm)を有する積層体を得た。
[Example 2]
Zirconium tetraacetylacetonate (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.), yttrium nitrate (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) and boric acid (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) were added at respective concentrations of 0.2 mol / liter, 0.061 mol / liter and 0.001. A metal oxide film forming solution was prepared by dissolving in a mixed solvent of toluene: ethanol: acetylacetone = 50: 25: 25 so as to be 1 mol / liter. And metal on the porous substrate (fuel cell fuel electrode, manufactured by Nippon Fine Ceramics Co., Ltd., samarium-doped ceria & nickel oxide porous member, average pore diameter 1 μm, thickness 800 μm, average particle diameter 1 μm) heated to 500 ° C. Using an airless spray (A74 airless auto gun, cross-cut nozzle (flat spray nozzle) 1/12, injection fluid pressure 2 MPa, manufactured by Nordson), the oxide film forming solution (1000 ml) was applied to the surface of the porous substrate. Injected at an angle of 45 ° with respect to the normal direction. Thereby, the laminated body which has the metal oxide electrolyte membrane (thickness on a porous base material: 3 micrometers) which consists of YSZ on a porous base material was obtained.

[比較例2]
エアレススプレーの噴射角度を、多孔質基材表面の法線方向に対して傾けなかったこと(鉛直下向きにしたこと)以外は、実施例2と同様にして、積層体を得た。
[Comparative Example 2]
A laminate was obtained in the same manner as in Example 2 except that the spray angle of the airless spray was not tilted (vertically downward) with respect to the normal direction of the porous substrate surface.

[評価2]
実施例2および比較例2で得られた積層体のYSZ膜表面を、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察した。その結果を図6に示す。図6に示されるように、実施例2で得られたYSZ膜は、比較例2で得られたYSZ膜と比較して、粒界が軽減されており、表面平滑性および緻密性に優れた膜であった。これは、金属酸化物膜形成用溶液を斜めから噴射することで、平面方向への膜成長が促進されたためであると考えられる。また、金属酸化物膜形成用溶液を斜めから噴射することで、多孔質基材の孔部を効率良く埋めることができ、膜厚が小さく、緻密性の高いYSZ膜を形成することができた。
[Evaluation 2]
The YSZ film surfaces of the laminates obtained in Example 2 and Comparative Example 2 were observed using a scanning electron microscope (SEM). The result is shown in FIG. As shown in FIG. 6, the YSZ film obtained in Example 2 has a reduced grain boundary and excellent surface smoothness and denseness compared to the YSZ film obtained in Comparative Example 2. It was a membrane. This is considered to be because the film growth in the planar direction was promoted by spraying the metal oxide film forming solution from an oblique direction. In addition, by injecting the metal oxide film forming solution obliquely, the pores of the porous substrate could be filled efficiently, and a YSZ film having a small film thickness and high density could be formed. .

本発明の積層体の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the laminated body of this invention. 本発明の積層体の製造方法を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the manufacturing method of the laminated body of this invention. 従来の積層体の製造方法を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the manufacturing method of the conventional laminated body. 本発明により得られる積層体を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the laminated body obtained by this invention. 本発明の積層体の製造装置の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing apparatus of the laminated body of this invention. 実施例および比較例で得られた金属酸化物膜のSEM写真である。It is a SEM photograph of the metal oxide film obtained by the Example and the comparative example.

符号の説明Explanation of symbols

1 … 多孔質基材
1a … 孔部
2 … スプレーノズル
2a … フラットスプレーノズル
3 … 金属酸化物形成用溶液
4 … 金属酸化物膜
4a … 金属酸化物
11 … 支持手段
12 … 加熱手段
13 … 噴射手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Porous base material 1a ... Hole 2 ... Spray nozzle 2a ... Flat spray nozzle 3 ... Metal oxide formation solution 4 ... Metal oxide film 4a ... Metal oxide 11 ... Support means 12 ... Heating means 13 ... Injection means

Claims (3)

金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、前記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、
前記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、前記多孔質基材側に向け、かつ、前記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法。
By spraying a metal oxide film forming solution in which a metal salt or an organometallic compound is dissolved as a metal source onto a porous substrate heated to a temperature equal to or higher than the metal oxide film forming temperature, A method for producing a laminate for forming a metal oxide film,
A method for producing a laminate, wherein the metal oxide film-forming solution spray direction is inclined toward the porous substrate side and with respect to the normal direction of the porous substrate surface.
前記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、前記多孔質基材表面の法線方向に対して、10°以上傾けることを特徴とする請求項1に記載の積層体の製造方法。   The method for producing a laminate according to claim 1, wherein the injection direction of the metal oxide film forming solution is tilted by 10 ° or more with respect to the normal direction of the surface of the porous substrate. 前記金属酸化物膜形成用溶液を、扇状に噴射することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の積層体の製造方法。   The method for producing a laminate according to claim 1 or 2, wherein the metal oxide film forming solution is sprayed in a fan shape.
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WO1984000537A1 (en) * 1982-07-29 1984-02-16 Ford Motor Canada Process for developing a coating film on a heated glass sheet
JPS60102970A (en) * 1983-11-11 1985-06-07 Central Glass Co Ltd Sprayer
JPH04177811A (en) * 1990-11-13 1992-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of forming electrolytic layer of solid electrolytic capacitor
JP4745720B2 (en) * 2004-06-03 2011-08-10 キヤノン株式会社 Film forming method, and spacer and thin flat panel display manufacturing method using the same
JP5055747B2 (en) * 2004-11-10 2012-10-24 大日本印刷株式会社 Method for producing metal oxide film
JP4839785B2 (en) * 2004-11-10 2011-12-21 大日本印刷株式会社 Method for producing metal oxide film
JP2006326560A (en) * 2005-05-30 2006-12-07 Toyota Motor Corp Surface treatment device, surface treatment method, and surface-treated substrate
JP4708130B2 (en) * 2005-09-13 2011-06-22 株式会社フジクラ Film forming apparatus and method for producing transparent conductive film
JP2007087866A (en) * 2005-09-26 2007-04-05 Fujikura Ltd Transparent conductive substrate and its manufacturing method, and photoelectric transfer element
JP4821380B2 (en) * 2006-03-09 2011-11-24 大日本印刷株式会社 Method for producing metal oxide film
JP2008119634A (en) * 2006-11-14 2008-05-29 Fujikura Ltd Film forming apparatus

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