JP5307778B2 - Substrate heating / cooling system - Google Patents
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Description
本発明は真空蒸着法、スパッタリング法等により、半導体ウエハ等の基板の表面にコーティングしたり、或いは表面をエッチングする等の表面処理を行うに当たり、基板を加熱し、冷却する装置に関する。さらに具体的には基板を加熱した後の冷却を容易且つ高速化することが出来る基板加熱冷却装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for heating and cooling a substrate when performing surface treatment such as coating or etching the surface of a substrate such as a semiconductor wafer by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like. More specifically, the present invention relates to a substrate heating / cooling apparatus capable of easily and speeding up cooling after heating the substrate.
スパッタリング法や真空蒸着法により、半導体ウエハ等の基板の上に薄膜を形成する場合、真空チャンバ内において、分子線源から成膜材料の分子を放出し、これを基板上に被着させて成膜する。このような成膜工程において、基板は基板ホルダに装着され、その成膜面を分子線源に向けた状態で真空チャンバ内の成膜位置に設置される。成膜時に、基板は成膜に必要な温度に加熱され、成膜が終わった後、基板ホルダごと前記成膜位置から取り外され、次の基板が成膜位置に新たに設置される。以下、この動作を繰り返しながら順次基板に成膜が行われる。 When a thin film is formed on a substrate such as a semiconductor wafer by sputtering or vacuum evaporation, molecules of the film forming material are released from a molecular beam source in a vacuum chamber and deposited on the substrate. Film. In such a film forming process, the substrate is mounted on a substrate holder, and is placed at a film forming position in the vacuum chamber with the film forming surface facing the molecular beam source. At the time of film formation, the substrate is heated to a temperature necessary for film formation. After film formation is completed, the substrate holder is removed from the film formation position, and the next substrate is newly installed at the film formation position. Thereafter, film formation is sequentially performed on the substrate while repeating this operation.
成膜時における基板の加熱温度は、成膜する材料や成膜条件等により様々であるが、数百℃に及ぶことが多い。成膜時に加熱した基板と基板ホルダは、その交換時に常温近くまで冷却する必要がある。
従来の成膜装置は、基板を保持したホルダの背後にヒータと冷却器とを設け、熱輻射を介して基板と基板ホルダの加熱と冷却を行う構造となっている。
The heating temperature of the substrate at the time of film formation varies depending on the material to be formed, film formation conditions, and the like, but often reaches several hundred degrees Celsius. The substrate and substrate holder heated at the time of film formation need to be cooled to near room temperature at the time of replacement.
A conventional film forming apparatus has a structure in which a heater and a cooler are provided behind a holder holding a substrate, and the substrate and the substrate holder are heated and cooled via thermal radiation.
図6に本件特許出願人がこれまで製造していた基板加熱冷却装置の例を示している。
真空チェンバ24の上側に向けて開口したポート部にリング板形状のポートフランジ25が設けられ、このポートフランジ25にその上から円板状のフランジ23がガスケット(図示せず)等を介して気密に接合され、このフランジ23がネジ(図示せず)等の手段でポートフランジ25に固定されている。
FIG. 6 shows an example of a substrate heating / cooling device that has been manufactured so far by the present applicant.
A ring plate-
このポートフランジ25に接合したフランジ23の下に円板リング状のホルダーサポート27が配置されている。このホルダーサポート27の中に基板ホルダ1が着脱自在に取り付けられる。基板ホルダ1のホルダーサポート27への取り付けと取り外しは、真空チャンバ24の側壁に設けたロードロック室(図示せず)を通してトランスファーロッド等(図示せず)により行われる。この基板ホルダ1の下面には、In等の金属によりSi等の半導体ウエハ等の基板sが装着されている。
A disk ring-
基板ホルダ1の背面、すなわち基板sが装着されたのと反対側の面の上には、同基板ホルダ1と所望の間隔をおいてヒータ5が取り付けられている。このヒータ5は、真空チャンバ24の内部の配線10を介して前記フランジ20に設けた電流導入端子21に接続され、さらにこの電流導入端子21を介して、真空チャンバ24の外側に配置した電源(図示せず)に接続されている。この電源により、ヒータ5が加熱される。ヒータ5としては、例えばランプヒータが使用される。
A
このヒータ5の背後及びその周囲は、ヒータ5で発生する熱を基板ホルダ1側に反射するための反射板7が配置されている。さらにこの反射板7及び前記ヒータ5の中心を貫通するようにして冷媒通路29が配置されている。この冷媒通路29は外筒30と内筒31とを有し、外筒30の下端に設けた放冷部32が前記基板ホルダ1の背面、すなわち上面に近接して配置されている。この冷媒通路29は、フランジ23に設けた流体ジョイント22を介して真空チャンバ24の外側に配置した冷却器(図示せず)に連結されている。この冷却器で冷却した冷却水等の冷媒が冷媒通路29を流通することで、基板ホルダ1とそれに装着した基板sとが冷却される。
A reflector 7 for reflecting the heat generated by the
基板ホルダ1の下面に取り付けられた基板sの下を覆うように、シャッタ2が設けられる。このシャッタ2は、フランジ23から真空チャンバ24の中に垂下したシャフト4に連結され、このシャフト4は、フランジ23の上、すなわち真空チャンバ24の外側に設けた回転導入機20により往復回転される。この往復回転されるシャフト4を中心としてシャッタ2が回転することにより、基板ホルダ1の下面に取り付けられた基板sの下面、すなわち処理面が開閉される。
A
図7では図示してないが、前記シャッタ4の下方にクヌードセンセル、衝撃型電子線セル等の分子線源やイオン原が配置され、1つ以上配置されたそれらの分子線源やイオン原から発射された分子やイオン等が、シャッタ2が開いたときのみ、基板ホルダ1の基板sの表面に入射する。これによって、基板sの表面に薄膜を形成したり、イオンを注入したりする。
Although not shown in FIG. 7, molecular beam sources and ion sources such as Knudsen cells and impact electron beam cells are arranged below the shutter 4, and one or more of these molecular beam sources and ions are arranged. Only when the
しかしながら、このような従来の薄膜成膜装置では、ヒータ5と基板ホルダ1との間に冷媒通路29の下端に設けた放冷部32が配置されているため、基板sの加熱温度はせいぜい500〜600℃であった。また、基板と基板ホルダの加熱と冷却は、真空チャンバ内での熱輻射により行われているため、時間がかかるという課題があった。特に基板の加熱より冷却に時間がかかり、これが基板の交換時間が長くなる要因となっている。
However, in such a conventional thin film deposition apparatus, since the
図7は、本発明の一実施例による基板加熱冷却装置において、基板sを600℃に加熱した状態から基板ホルダ1の周辺部を反射鏡6の両側下縁に当接した直後経過した時間と基板温度の関係を示すグラフである。この例では、図7のグラフから明らかな通り、冷却開始から基板sの温度が50℃前後に下降するまでに420〜480分要しており、温度の下降が鈍い。この結果、基板の1枚当たりの処理時間が長くなり、スループットが低いという課題があった。 FIG. 7 shows the time elapsed immediately after the periphery of the substrate holder 1 is brought into contact with the lower edges of both sides of the reflecting mirror 6 from the state in which the substrate s is heated to 600 ° C. It is a graph which shows the relationship of substrate temperature. In this example, as apparent from the graph of FIG. 7, it takes 420 to 480 minutes from the start of cooling until the temperature of the substrate s drops to around 50 ° C., and the temperature drop is slow. As a result, there is a problem that the processing time per one substrate becomes long and the throughput is low.
本発明は、従来の薄膜成膜に使用されている前記従来の基板加熱冷却装置における前述した課題に鑑み、簡単な操作により基板と基板ホルダの急速冷却を可能とし、これにより成膜等の基板処理工程において基板と基板ホルダの冷却が占める時間を短縮し、基板処理のスループットの向上を図ることを目的とする。 In view of the above-described problems in the conventional substrate heating / cooling apparatus used for conventional thin film deposition, the present invention enables rapid cooling of the substrate and the substrate holder by a simple operation. It is an object of the present invention to reduce the time required for cooling the substrate and the substrate holder in the processing step and improve the throughput of the substrate processing.
本発明は、前記の目的を達成するため、基板ホルダの背後にヒータ5と反射鏡6とを配置し、この反射鏡6に冷却手段、具体的には冷媒が流通する冷媒通路8を設け、基板ホルダ1と基板sとの冷却時に、この冷媒通路6を有する反射鏡6に基板ホルダ1を当接し、基板ホルダ1とこれに装着された基板sの熱を反射鏡6に吸収させて、急速冷却出来るようにした。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention arranges the
すなわち、本発明による基板加熱冷却装置は、基板ホルダ1とこれに装着された基板sを加熱するヒータ5と、このヒータ5から発射される熱を基板ホルダ1と基板s側に反射する反射鏡6とを有し、前記反射鏡6に冷却手段を設け、前記基板sを装着した基板ホルダ1を移動させることにより、同基板ホルダ1を前記反射鏡6に当接し、離間する移動機構を備えるものである。
That is, the substrate heating / cooling device according to the present invention includes a
より具体的には、基板ホルダ1は、その背面の周辺部分が反射鏡6に当接される。この基板ホルダ1が反射鏡6に当接するとき、基板ホルダ1は弾性部材11を介して押し上げられる。反射鏡6の冷却手段としては、基板sが配置される真空チャンバ24の外側で冷却される冷媒を流通させる冷媒通路8を反射鏡6の内部に設けることが挙げられる。
More specifically, the substrate holder 1 is in contact with the reflecting mirror 6 at the peripheral portion of the back surface thereof. When the substrate holder 1 comes into contact with the reflecting mirror 6, the substrate holder 1 is pushed up via the
このような本発明による基板加熱冷却装置では、基板ホルダ1を反射鏡6から離間した状態でヒータ5により加熱することで、基板ホルダ1を介してそれに保持された基板sを所要の温度に加熱することが出来る。続いて基板sの冷却時は、移動機構により基板ホルダ1を移動し、同基板ホルダ1を前記反射鏡6に当接することで、同反射鏡6の冷媒通路8内に流通する冷媒に熱を吸収させ、基板ホルダ1とそれに保持された基板sとを急速冷却する。このような基板ホルダ1と基板sの冷却手段により、基板ホルダ1と基板sとを短時間に加熱、冷却することが出来る。
In such a substrate heating / cooling device according to the present invention, the substrate holder 1 is heated by the
基板ホルダ1は、その背後の周囲の部分を反射鏡6に当接させる。これにより、基板ホルダ1をその周囲から冷却出来るので、基板sにヒートショックを与えることなく急速冷却することが出来る。
さらに本発明による基板加熱冷却装置では、移動機構と基板ホルダ1とを、弾性を付勢した弾性部材11を介して連結することにより、基板ホルダ1を反射鏡6に弾性的に当接させることが出来る。これにより、基板sに衝撃を与えることなく、基板ホルダ1を反射鏡6に確実に密着させることが出来る。
The substrate holder 1 causes the surrounding part behind the substrate holder 1 to abut the reflecting mirror 6. Thereby, since the substrate holder 1 can be cooled from the periphery, it can be rapidly cooled without giving a heat shock to the substrate s.
Furthermore, in the substrate heating / cooling device according to the present invention, the substrate holder 1 is elastically brought into contact with the reflecting mirror 6 by connecting the moving mechanism and the substrate holder 1 via the
以上説明した通り、本発明に基板加熱冷却装置では、基板ホルダ1を前記反射鏡6に当接し、基板ホルダ1とそれに保持された基板sとを急速冷却することが出来るので、基板ホルダ1とそれに保持された基板sの加熱の後の冷却時間を短縮することが出来る。これにより、基板sの交換、加熱、成膜、冷却のサイクル時間を短縮化することが出来、基板sの処理工程のスループットの向上を図ることが出来る。 As described above, in the substrate heating / cooling apparatus according to the present invention, the substrate holder 1 can be brought into contact with the reflecting mirror 6 to rapidly cool the substrate holder 1 and the substrate s held thereby. The cooling time after heating the substrate s held by the substrate s can be shortened. Thereby, the cycle time of the exchange, heating, film formation, and cooling of the substrate s can be shortened, and the throughput of the processing process of the substrate s can be improved.
本発明では、前記の目的を達成するため、基板ホルダ1を移動させることで、加熱時に反射鏡6から離れていた基板ホルダ1を冷媒通路8を有する反射鏡6に当接させ、これにより、同反射鏡6の中の冷媒通路8内に流通する冷媒に基板ホルダ1が保有する熱を吸収させ、基板ホルダ1とそれに保持された基板sとを急速冷却するようにした。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、実施例をあげて詳細に説明する。
In the present invention, in order to achieve the above-mentioned object, the substrate holder 1 is moved so that the substrate holder 1 separated from the reflecting mirror 6 at the time of heating is brought into contact with the reflecting mirror 6 having the
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to examples.
図1に本発明による基板加熱冷却装置の一実施例を示し、図2にこの基板加熱冷却装置の一実施例を使用した薄膜形成装置を示している。図2には一部の符合が省略されて表示されており、以下主に図1の符合を参照しながら説明する。なお、図6に示した従来例と同じ部分は同じ符合で示している。 FIG. 1 shows an embodiment of a substrate heating / cooling apparatus according to the present invention, and FIG. 2 shows a thin film forming apparatus using the embodiment of the substrate heating / cooling apparatus. In FIG. 2, some symbols are omitted and will be described below with reference mainly to the symbols in FIG. The same parts as those in the conventional example shown in FIG.
真空チェンバ24の上側に向けて開口したポート部にリング板形状のポートフランジ25が設けられ、このポートフランジ25にその上から円板状のフランジ23がガスケット(図示せず)等を介して気密に接合され、このフランジ23がネジ(図示せず)等の手段でポートフランジ25に固定されている。
A ring plate-shaped
このポートフランジ25に接合したフランジ23から真空チャンバ24内にサポートロッド17、17が垂下されている。この真空チャンバ24の内部であって、前記フランジ23の直下に第一のフレーム12が配置され、この第一のフレーム12に縦に貫通するようにスライドブッシュ18、18が設けられ、これらのスライドブッシュ18、18に前記サポートロッド17、17がスライド自在に嵌め込まれている。従って、前記フランジ23の直下に配置された前記第一のフレーム12は、サポートロッド17、17にガイドされながらその長手方向、すなわち上下方向にスライド自在である。
前記第一のフレーム12の中心のボス部分16には、縦にねじ孔が貫通しており、このボス部分16のねじ孔に前記フランジ23から垂下したスクリューシャフト14がねじ対偶をなすように貫通している。このスクリューシャフト14は、フランジ23の上、すなわち真空チャンバ24の外側に設けた回転導入機19により回転される。この回転導入機19によりスクリューシャフト14が何れかの方向に回転されることにより、第一のフレーム12は上昇又は下降する。前記サポートロッド17、17は、この第一のフレーム12の上下動をガイドする。
A screw hole penetrates the
この第一のフレーム12には、前記スライドブッシュ18、18とは別にもう一組のスライドブッシュ15、15が同第一のフレーム12を縦に貫通するよう設けられている。このスライドブッシュ15、15には、上下にスライド自在にサポートロッド13、13が嵌め込まれている。このサポートロッド13、13の頂部とスライドブッシュ15、15の上端との間に圧縮バネからなる弾性部材11、11が挿入され、この弾性部材11、11は、第一のフレーム12に設けられたスライドブッシュ15、15が上昇すると圧縮され、この圧縮歪みに伴う弾力が付勢される。
In addition to the
このサポートロッド13、13の下端には、円板リング状の第二のフレーム28が取り付けられている。さらにこの第二のフレーム28から支柱26、26が垂下され、この支柱26、26の下端に円板リング状のホルダーサポート27が取り付けられている。このホルダーサポート27の中に基板ホルダ1が着脱自在に取り付けられる。基板ホルダ1のホルダーサポート27への取り付けと取り外しは、真空チャンバ24の側壁に設けたロードロック室(図示せず)を通してトランスファーロッド等(図示せず)により行われる。この基板ホルダ1の下面には、In等の金属によりSi等の半導体ウエハ等の基板sが装着されている。
A disc ring-shaped
基板ホルダ1の背面、すなわち基板sが装着されたのと反対側の面の上には、同基板ホルダ1と所望の間隔をおいてヒータ5が取り付けられている。このヒータ5は、真空チャンバ24の内部の配線10を介して前記フランジ20に設けた電流導入端子21に接続され、さらにこの電流導入端子21を介して、真空チャンバ24の外側に配置した電源(図示せず)に接続されている。この電源により、ヒータ5が加熱される。ヒータ5としては、例えばランプヒータが使用される。
A
このヒータ5の背後及びその周囲は、反射鏡6で囲まれている。この反射鏡6の周囲はさらに反射板7で囲まれている。これら反射鏡6と反射板7とは、ヒータ5で発生する熱を基板ホルダ1側に反射するためのものである。これらヒータ5、反射鏡6及び反射板7は、互いに固定されると共に、その位置が変動しないよう真空チャンバ24内で固定されている。
また、この基板ホルダ1の上面中心部には、それに設けた基板sの温度を測定するための熱電対3の測温接点が接触させられる。
The back of the
Further, a temperature measuring contact of the
前記反射鏡6の内部には、冷却水等の冷媒を流通させる冷媒通路8が形成され、この冷媒通路8は、真空チャンバ24内の内部配管9とフランジ23に設けた流体ジョイント22を介して真空チャンバ24の外側に配置した冷却器(図示せず)に連結されている。この冷却器で冷却した冷却水等の冷媒が反射鏡6の内部の冷媒通路8を流通することで、反射鏡6が冷却される。ヒータ5の周囲を囲む反射鏡6は、下方が開口したカップ状となっている。この反射鏡6の周辺部分は円筒形となっていて、その下縁面はヒータ5より下方に位置している。
Inside the reflecting mirror 6 is formed a
基板ホルダ1の下面に取り付けられた基板sの下を覆うように、シャッタ2が設けられる。このシャッタ2は、フランジ23から真空チャンバ24の中に垂下したシャフト4に連結され、このシャフト4は、フランジ23の上、すなわち真空チャンバ24の外側に設けた回転導入機20により往復回転される。この往復回転されるシャフト4を中心としてシャッタ2が回転することにより、基板ホルダ1の下面に取り付けられた基板sの下面、すなわち処理面が開閉される。
A
図1では図示しておらず、図2にのみ図示しているが、前記シャッタ4の下方にクヌードセンセル、衝撃型電子線セル等の分子線源mやイオン原が配置され、1つ以上配置されたそれらの分子線源mやイオン原から発射された分子やイオン等が、シャッタ2が開いたときのみ、基板ホルダ1の基板sの表面に入射する。これによって、基板sの表面に薄膜を形成したり、イオンを注入したりする。
Although not shown in FIG. 1 and only shown in FIG. 2, a molecular beam source m such as a Knudsen cell or an impact electron beam cell or an ion source is disposed below the shutter 4. Molecules, ions, and the like emitted from the molecular beam source m and ion source arranged as described above enter the surface of the substrate s of the substrate holder 1 only when the
このような基板加熱冷却装置において、基板ホルダ1に装着された基板sを加熱するときは、図1〜図3に示すように、基板ホルダ1の周辺部は反射鏡6の両側下縁から離れている。この状態でヒータ5により基板ホルダ1をその背面から加熱し、それに装着した基板sを所定の温度に加熱する。
In such a substrate heating / cooling apparatus, when the substrate s mounted on the substrate holder 1 is heated, the peripheral portion of the substrate holder 1 is separated from the lower edges on both sides of the reflecting mirror 6 as shown in FIGS. ing. In this state, the substrate holder 1 is heated from the back surface by the
次にこの状態から、基板ホルダ1に装着された基板sを冷却するときは、回転導入機19によりスクリューシャフト14を回転し、第一のフレーム12を上昇させる。この時、第一のフレーム12は、スライドブッシュ18、18にスライド自在に嵌め込まれたサポートロッド17、17に沿ってガイドされる。これにより、第一のフレーム12に設けられたスライドブッシュ15が上昇し、弾性部材11が圧縮され、この圧縮歪みにより弾性部材11に圧縮方向の弾力が付勢される。この弾性部材11の弾力により、サポートロッド13、13が上昇され、第二のフレーム28及び支柱26、26を介してホルダーサポート27が押し上げられる。従って、このホルダーサポート27に取り付けられた基板ホルダ1が上昇する。この結果、図4に示すように、基板ホルダ1の背面の周辺部分が反射鏡6の両側下縁に当接する。
Next, when the substrate s mounted on the substrate holder 1 is cooled from this state, the screw shaft 14 is rotated by the
基板ホルダ1の周辺部が反射鏡6の両側下縁に当接すると、基板ホルダ1の熱が反射鏡6に伝達され、この熱が反射鏡6の内部の冷媒通路8を通る冷却水等の冷媒に吸収される。熱を吸収した冷媒は、真空チャンバ24内の内部配管9とフランジ23に設けた流体ジョイント22を介して真空チャンバ24の外側に配置した冷却器(図示せず)に送られ、そこで冷媒の保有する熱が放熱される。これにより、基板ホルダ1は急速に冷却され、それに取り付けられた基板sも急速冷却される。
When the peripheral part of the substrate holder 1 comes into contact with the lower edges on both sides of the reflecting mirror 6, the heat of the substrate holder 1 is transmitted to the reflecting mirror 6, and this heat is transferred to the
前述のように、基板ホルダ1は弾性部材11を介して押し上げられ、同弾性部材11の弾力により反射鏡6に当接されるため、当接時に基板ホルダ1が受ける衝撃が前記弾性部材11の弾力により吸収され、緩和される。なお且つ弾性部材11の弾力により基板ホルダ1の周辺部が反射鏡6の両側下縁に確実に当接する。
As described above, since the substrate holder 1 is pushed up via the
基板ホルダ1とそれに取り付けられた基板sの冷却が完了した後は、回転導入機19によりスクリューシャフト14を反転し、第一のフレーム12を下降させる。これにより、第一のフレーム12に設けられたスライドブッシュ15も下降し、弾性部材11の圧縮が解除され、サポートロッド13、13が下降し、第二のフレーム28、支柱26、26及びホルダーサポート27も下降する。この結果、ホルダーサポート27に取り付けられた基板ホルダ1が下降し、図1〜図3に示すように、基板ホルダ1の周辺部が反射鏡6の両側下縁から離れる。
After the cooling of the substrate holder 1 and the substrate s attached thereto is completed, the screw shaft 14 is reversed by the
以下、基板ホルダ1とそれに取り付けられた基板sの加熱と冷却を繰り返す毎に基板ホルダ1が上下動する。すなわち、基板sの加熱時に基板ホルダ1の周辺部が反射鏡6の両側下縁から離れ、基板sの冷却時に基板ホルダ1の周辺部が反射鏡6の両側下縁に当接される。これにより特に基板ホルダ1とそれに取り付けられた基板sの冷却時間が短縮され、加熱−冷却サイクルの短縮化を図ることが出来る。 Thereafter, each time the heating and cooling of the substrate holder 1 and the substrate s attached thereto are repeated, the substrate holder 1 moves up and down. That is, the peripheral part of the substrate holder 1 is separated from the lower edges on both sides of the reflecting mirror 6 when the substrate s is heated, and the peripheral part of the substrate holder 1 is brought into contact with the lower edges on both sides of the reflecting mirror 6 when the substrate s is cooled. Thereby, in particular, the cooling time of the substrate holder 1 and the substrate s attached thereto can be shortened, and the heating-cooling cycle can be shortened.
図5は、本発明の一実施例による基板加熱冷却装置において、基板sを600℃に加熱した状態から基板ホルダ1の周辺部を反射鏡6の両側下縁に当接した直後経過した時間と基板温度の関係を示すグラフである。この例では、図5のグラフから明らかな通り、基板ホルダ1の周辺部を反射鏡6の両側下縁に当接した直後60分で基板sの温度は600℃から52℃に下降しており、急激な温度の下降が見られる。すなわち急速冷却が可能となっている。 FIG. 5 shows the time elapsed immediately after the periphery of the substrate holder 1 is brought into contact with the lower edges of both sides of the reflecting mirror 6 from the state in which the substrate s is heated to 600 ° C. in the substrate heating / cooling device according to one embodiment of the present invention. It is a graph which shows the relationship of substrate temperature. In this example, as is apparent from the graph of FIG. 5, the temperature of the substrate s drops from 600 ° C. to 52 ° C. in 60 minutes immediately after the peripheral portion of the substrate holder 1 is brought into contact with the lower edges of both sides of the reflecting mirror 6. A sudden drop in temperature is observed. That is, rapid cooling is possible.
本発明は真空蒸着法、スパッタリング法等により、半導体ウエハ等の基板の表面にコーティングしたり、或いは表面をエッチングする等の表面処理を行うに当たり、基板を加熱、冷却する装置として利用することが出来る。基板の急速冷却が可能であるため、基板の加熱した状態での表面処理工程においてスループットの向上を図ることが出来る。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used as an apparatus for heating and cooling a substrate when coating the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or performing a surface treatment such as etching the surface by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like. . Since the substrate can be rapidly cooled, the throughput can be improved in the surface treatment process with the substrate heated.
1 基板ホルダ
5 ヒータ
6 反射鏡
8 反射鏡の冷媒通路
11 弾性部材
24 真空チャンバ
s 基板
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