JP5307723B2 - Sputtering film forming method for three-dimensional workpiece and apparatus used therefor - Google Patents

Sputtering film forming method for three-dimensional workpiece and apparatus used therefor Download PDF

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    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target

Description

本発明はスパッタリングにより複雑な３次元形状のワークに均一に成膜する方法および装置に関する。   The present invention relates to a method and an apparatus for uniformly forming a film on a complicated three-dimensional shape by sputtering.

これまで、スパッタリングは、半導体、液晶、プラズマディスプレイ、光ディスク等の分野において、金属、プラスチック等の２次元の平滑なワーク上にスパッタ粒子を均一に成膜する技術として用いられてきた。   So far, sputtering has been used as a technique for uniformly forming sputtered particles on a two-dimensional smooth work such as metal or plastic in the fields of semiconductors, liquid crystals, plasma displays, optical disks and the like.

しかし、近年では、上記のような２次元の平滑なワーク上だけでなく、カメラ、携帯電話等の本体、外装品等の複雑な３次元形状のワークにもスパッタ粒子を均一に成膜することが要求されてきている。   However, in recent years, sputtered particles can be uniformly deposited not only on the above-described two-dimensional smooth workpiece but also on a complicated three-dimensional workpiece such as a camera, a mobile phone body, or an exterior product. Has been required.

従来からあるスパッタリング装置を用いて複雑な３次元形状のワークに成膜する場合には、ターゲットからスパッタされた粒子には直線性が強く、回り込みがあまりないため、ターゲットと対向しない側面や上下面のつきまわりが悪いという問題があった。   When a conventional sputtering apparatus is used to form a film on a complicated three-dimensional workpiece, the particles sputtered from the target have strong linearity and do not wrap around so much that the side and upper and lower surfaces that do not face the target There was a problem that the surroundings were bad.

従って、本発明は複雑な３次元形状のワークにもスパッタ粒子を均一に成膜することのできるスパッタリング技術を提供することを課題とした。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a sputtering technique capable of uniformly forming sputtered particles even on a complicated three-dimensional workpiece.

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、カルーセル型ワークホルダーに取り付けられた三次元形状のワークを回転させながらターゲットをスパッタリングして成膜する際に、前記ターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向を、全スパッタリング時間中の少なくとも一部の時間において、前記カルーセル型ワークホルダーの回転軸中心方向から偏心させた方向とすることにより、複雑な３次元形状のワークにスパッタ粒子を均一に成膜できることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the inventors of the present invention used a sputtering target to form a film while rotating a three-dimensional workpiece attached to a carousel type work holder. By making the main scattering direction of the sputtered particles to be scattered from the central direction of the rotation axis of the carousel-type work holder at least during a part of the total sputtering time, a complicated three-dimensional workpiece can be obtained. The present invention was completed by finding that sputtered particles can be uniformly formed.

すなわち本発明は、ターゲットをスパッタリングすることにより、ターゲットと対向して設置され、回転するカルーセル型ワークホルダーに取り付けられた三次元形状のワークに成膜する方法であって、
前記三次元形状のワークを前記ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転させ、
かつ、
全スパッタリング時間中の少なくとも一部の時間において、前記ターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向を、前記カルーセル型ワークホルダーの回転軸中心方向から偏心させた方向とすることを特徴とする三次元形状のワークへのスパッタリング成膜方法である。That is, the present invention is a method of forming a film on a three-dimensional workpiece attached to a rotating carousel-type workpiece holder by sputtering the target,
Rotating the three-dimensional workpiece with an axis in a plane perpendicular to the plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
And,
A three-dimensional shape characterized in that the main scattering direction of the sputtered particles scattered from the target is a direction decentered from the rotation axis center direction of the carousel type work holder in at least a part of the total sputtering time. It is the sputtering film-forming method to this work.

また、本発明は、真空チャンバー内に、ターゲットと、ターゲットに対向して設置され、回転軸を有するカルーセル型ワークホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記カルーセル型ワークホルダーは、ワークホルダー支持部と複数のワーク保持部を備え、前記ワーク保持部は前記ワークホルダー支持部の外周部に設置され、前記カルーセル型ワークホルダーおよび／またはワーク保持部は、ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転可能に設置されたものであり、
前記ターゲットが回転軸を有し、左右方向に回動可能に設置したことを特徴とするスパッタリング装置である。Further, the present invention is a sputtering apparatus comprising a target and a carousel-type work holder that is installed opposite to the target and has a rotating shaft in a vacuum chamber,
The carousel type work holder includes a work holder support part and a plurality of work holding parts, the work holding part is installed on an outer peripheral part of the work holder support part, and the carousel type work holder and / or the work holding part are: It is installed so that it can rotate on an axis that is in a plane perpendicular to the plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
The sputtering apparatus is characterized in that the target has a rotating shaft and is installed so as to be rotatable in the left-right direction.

更に、本発明は、真空チャンバー内に、ターゲットと、前記ターゲット用マグネットと、ターゲットに対向して設置され、回転軸を有するカルーセル型ワークホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記カルーセル型ワークホルダーは、ワークホルダー支持部と複数のワーク保持部を備え、前記ワーク保持部は前記ワークホルダー支持部の外周部に設置され、前記カルーセル型ワークホルダーおよび／またはワーク保持部は、ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転可能に設置されたものであり、
前記ターゲット用マグネットが回転軸を有し、左右方向に回動可能に設置したことを特徴とするスパッタリング装置である。Furthermore, the present invention is a sputtering apparatus comprising a target, a magnet for the target, and a carousel-type work holder that is disposed opposite to the target and has a rotation axis in a vacuum chamber,
The carousel type work holder includes a work holder support part and a plurality of work holding parts, the work holding part is installed on an outer peripheral part of the work holder support part, and the carousel type work holder and / or the work holding part are: It is installed so that it can rotate on an axis that is in a plane perpendicular to the plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
The sputtering apparatus is characterized in that the target magnet has a rotation shaft and is installed so as to be rotatable in the left-right direction.

また更に、本発明は、真空チャンバー内に、ターゲットと、ターゲットに対向して設置され、回転軸を有するカルーセル型ワークホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記カルーセル型ワークホルダーは、ワークホルダー支持部と複数のワーク保持部を備え、前記ワーク保持部は前記ワークホルダー支持部の外周部に設置され、前記カルーセル型ワークホルダーおよび／またはワーク保持部は、ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転可能に設置されたものであり、
前記ターゲットをターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向が前記カルーセル型ワークホルダーの回転軸中心方向から偏心した方向となるように設置したことを特徴とするスパッタリング装置である。Furthermore, the present invention is a sputtering apparatus comprising a target in a vacuum chamber and a carousel-type work holder installed opposite to the target and having a rotation axis,
The carousel type work holder includes a work holder support part and a plurality of work holding parts, the work holding part is installed on an outer peripheral part of the work holder support part, and the carousel type work holder and / or the work holding part are: It is installed so that it can rotate on an axis that is in a plane perpendicular to the plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
The sputtering apparatus is characterized in that the target is installed so that the main scattering direction of the sputtered particles that scatter from the target is decentered from the rotation axis center direction of the carousel work holder.

更にまた、本発明は、真空チャンバー内に、ターゲットと、前記ターゲット用マグネットと、ターゲットに対向して設置され、回転軸を有するカルーセル型ワークホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記カルーセル型ワークホルダーは、ワークホルダー支持部と複数のワーク保持部を備え、前記ワーク保持部は前記ワークホルダー支持部の外周部に設置され、前記カルーセル型ワークホルダーおよび／またはワーク保持部は、ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転可能に設置されたものであり、
前記ターゲット用マグネットを、前記ターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向が前記カルーセル型ワークホルダーの回転軸中心方向から偏心した方向となるように設置したことを特徴とするスパッタリング装置である。Furthermore, the present invention is a sputtering apparatus comprising a target, a magnet for the target, and a carousel-type work holder that is disposed opposite to the target and has a rotation axis in a vacuum chamber,
The carousel type work holder includes a work holder support part and a plurality of work holding parts, the work holding part is installed on an outer peripheral part of the work holder support part, and the carousel type work holder and / or the work holding part are: It is installed so that it can rotate on an axis that is in a plane perpendicular to the plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
The sputtering apparatus is characterized in that the target magnet is installed such that the main scattering direction of the sputtered particles scattered from the target is decentered from the rotation axis center direction of the carousel type work holder.

本発明によれば、三次元形状のワークにスパッタリングをする場合であっても、ターゲットと対向しない側面や上下面のつきまわりが良好なものとなる。   According to the present invention, even when sputtering is performed on a three-dimensional workpiece, the contact between the side surface and the upper and lower surfaces that do not face the target is good.

従って、カメラ、携帯電話等の本体、外装品等の複雑な三次元形状のワークにもスパッタ粒子を均一に成膜することができる。   Therefore, sputtered particles can be uniformly formed on a complicated three-dimensional workpiece such as a main body of a camera, a mobile phone, or an exterior product.

以下、本発明の一態様である、ターゲットに円筒型のものを用いたマグネトロンスパッタリング装置（以下、「同軸型マグネトロンスパッタリング装置」という）を示す図面と共に、本発明の説明を続ける。   Hereinafter, the description of the present invention will be continued with drawings showing a magnetron sputtering apparatus (hereinafter, referred to as “coaxial magnetron sputtering apparatus”) using a cylindrical target as a target, which is one embodiment of the present invention.

図１は、同軸型マグネトロンスパッタリング装置の主要部を模式的に示す図面である。図中、１は同軸型マグネトロンスパッタリング装置、２は真空チャンバー、３は円筒型ターゲット、４はマグネット収納部、５はターゲット用マグネット、６はカルーセル型ワークホルダー、７は三次元形状のワーク、８は排気口および９はガス導入口をそれぞれ示す。   FIG. 1 is a drawing schematically showing the main part of a coaxial magnetron sputtering apparatus. In the figure, 1 is a coaxial magnetron sputtering apparatus, 2 is a vacuum chamber, 3 is a cylindrical target, 4 is a magnet housing, 5 is a target magnet, 6 is a carousel work holder, 7 is a three-dimensional workpiece, 8 Indicates an exhaust port and 9 indicates a gas inlet.

また、図２は図１のＡ−Ａ’における断面図である。図中、１〜９は上記と同様のものを示し、１０はプラズマ用高圧電源および１１は接地アースをそれぞれ示す。   FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 1. In the figure, 1 to 9 are the same as described above, 10 is a high-voltage power source for plasma, and 11 is a ground.

真空チャンバー２は、その内部にターゲット３およびカルーセル型ワークホルダー６を設置できるものであれば、大きさおよび形状は特に限定されない。また、真空チャンバー２には、排気口８が設けられている。この排気口８には、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ等の真空用ポンプ（図示せず）が接続される。更に、真空チャンバー２にはスパッタに用いられるガスを導入するためのガス導入口９が設けられている。スパッタに用いられるガスとしては特に限定されず、例えば、アルゴン、窒素、酸素等が挙げられる。   The size and shape of the vacuum chamber 2 are not particularly limited as long as the target 3 and the carousel type work holder 6 can be installed therein. The vacuum chamber 2 is provided with an exhaust port 8. A vacuum pump (not shown) such as a rotary pump or a turbo molecular pump is connected to the exhaust port 8. Further, the vacuum chamber 2 is provided with a gas inlet 9 for introducing a gas used for sputtering. The gas used for sputtering is not particularly limited, and examples thereof include argon, nitrogen, oxygen, and the like.

円筒型ターゲット３は上端および／または下端を支持部とした円筒状のパイプに、前記支持部を除いた外面にターゲット材を溶射等により所定の厚さに付着させたものである。ターゲット材としては、ケイ素、チタン、ジルコニウム、金、銀、銅、インジウム、錫、クロム、アルミニウム、炭素等の金属およびこれらの酸化物または窒化物等が挙げられる。また、パイプの材質としては、ステンレス、銅、アルミニウム等が挙げられる。この円筒型ターゲット３は真空チャンバー２の長手方向（図１の紙面直角方向）に対して十分長く配置されている。この円筒型ターゲット３は真空チャンバー２から電気的に絶縁され、高圧電源の一端に接続される。また、高圧電源の別の一端は真空チャンバー２と接地アース１１に接続される（図２参照）。   The cylindrical target 3 is obtained by attaching a target material to a predetermined thickness on the outer surface excluding the support portion by thermal spraying or the like on a cylindrical pipe having an upper end and / or a lower end as a support portion. Examples of the target material include metals such as silicon, titanium, zirconium, gold, silver, copper, indium, tin, chromium, aluminum, and carbon, and oxides or nitrides thereof. Examples of the material of the pipe include stainless steel, copper, and aluminum. This cylindrical target 3 is disposed sufficiently long with respect to the longitudinal direction of the vacuum chamber 2 (the direction perpendicular to the plane of FIG. 1). This cylindrical target 3 is electrically insulated from the vacuum chamber 2 and connected to one end of a high voltage power source. The other end of the high-voltage power supply is connected to the vacuum chamber 2 and the ground earth 11 (see FIG. 2).

円筒型ターゲット３の内部には、マグネット収納部４が設置され、更に、その内部には円筒型ターゲット３に対して十分な長さのターゲット用マグネット５が設置される。円筒型ターゲット３とマグネット収納部４の間には円筒型ターゲット３を冷却するための冷却水が供給される。ターゲット用マグネット５は、マグネット支持棒５ａに固定された３つのマグネット５ｂ、５ｃおよび５ｄで構成される。マグネット５ｂおよび５ｄは磁石支持棒側にＮ極、ターゲット側をＳ極とし、マグネット５ｃはその逆の磁極で設置される（図３参照）。また、このマグネット５ｂおよび５ｄはターゲット用マグネット５の上下端で接続し、ループを形成する（図４参照）。上記マグネット５に、平衡の磁場を発生させるためには、マグネット５ｃの磁力と、マグネット５ｂおよび５ｄからなるマグネットとの磁力が等価なものを用いればよく、非平衡の磁場を発生させるためには、マグネット５ｃの磁力が、マグネット５ｃおよび５ｄからなるマグネットの磁力より弱いものを用いればよい。   Inside the cylindrical target 3, a magnet storage unit 4 is installed, and further, a target magnet 5 having a sufficient length relative to the cylindrical target 3 is installed therein. Cooling water for cooling the cylindrical target 3 is supplied between the cylindrical target 3 and the magnet storage portion 4. The target magnet 5 is composed of three magnets 5b, 5c and 5d fixed to the magnet support bar 5a. The magnets 5b and 5d have an N pole on the magnet support bar side and an S pole on the target side, and the magnet 5c is installed with the opposite magnetic pole (see FIG. 3). The magnets 5b and 5d are connected at the upper and lower ends of the target magnet 5 to form a loop (see FIG. 4). In order to generate a balanced magnetic field in the magnet 5, it is sufficient to use an equivalent magnetic force of the magnet 5c and that of the magnets 5b and 5d. In order to generate a non-equilibrium magnetic field. The magnet 5c may have a magnetic force weaker than that of the magnets 5c and 5d.

上記した円筒型ターゲット３とターゲット用マグネット５を用いて、全スパッタリング時間中の少なくとも一部の時間において、前記円筒型ターゲット３から飛散するスパッタ粒子の主飛散方向を、後述するカルーセル型ワークホルダー６の回転軸から偏心させた方向（以下、「偏心方向」という）とする。ここでスパッタ粒子の主飛散方向とは、内部に設置されたターゲット用マグネット５の磁界が最も強い２つの場所の中心と、円筒型ターゲット３の中心とを結んだ方向をいう。   Using the cylindrical target 3 and the target magnet 5, the main scattering direction of the sputtered particles scattered from the cylindrical target 3 during at least a part of the total sputtering time is set to a carousel type work holder 6 described later. The direction decentered from the rotation axis (hereinafter referred to as “eccentric direction”). Here, the main scattering direction of the sputtered particles refers to a direction connecting the centers of the two locations where the magnetic field of the target magnet 5 installed inside is strongest with the center of the cylindrical target 3.

スパッタ粒子の主飛散方向を偏心方向にするには、例えば、図１に示すように、円筒型ターゲット３を、後述するカルーセル型ワークホルダー６に対向して設置し、更に、前記円筒型ターゲット３の内部に設置されたターゲット用マグネット５を、円筒型ターゲット３と同軸で左右方向に回動可能に設置する。ターゲット用マグネット５の回動範囲は、三次元形状のワーク７にスパッタ粒子を均一に成膜することのできる範囲であれば特に限定されない。また、前記回動は、三次元形状のワーク７に対し、中心方向よりも偏心方向からのスパッタが長くなるように制御することが好ましい。   In order to make the main scattering direction of the sputtered particles eccentric, for example, as shown in FIG. 1, a cylindrical target 3 is installed facing a carousel type work holder 6 described later, and further, the cylindrical target 3 The target magnet 5 installed inside is installed coaxially with the cylindrical target 3 so as to be rotatable in the left-right direction. The rotation range of the target magnet 5 is not particularly limited as long as the sputter particles can be uniformly formed on the three-dimensional workpiece 7. The rotation is preferably controlled such that the sputter from the eccentric direction is longer than the center direction with respect to the three-dimensional workpiece 7.

また、スパッタ粒子の主飛散方向を偏心方向にする別の手段としては、例えば、図５に示すように、円筒型ターゲット３を、後述するカルーセル型ワークホルダー６に対向して設置し、更に、ターゲット用マグネット５を、円筒型ターゲット３から飛散するスパッタ粒子の主飛散方向がカルーセル型ワークホルダー６の回転軸から偏心した方向となるように設置する。この場合、ターゲット用マグネット５は回動させずに、位置を固定し、全スパッタリング時間において円筒型ターゲット３から飛散するスパッタ粒子の主飛散方向を偏心方向とすることが好ましい。また、この場合に円筒型ターゲット３は複数個、好ましくは２個設置することが好ましい。   In addition, as another means for changing the main scattering direction of the sputtered particles to an eccentric direction, for example, as shown in FIG. 5, a cylindrical target 3 is installed facing a carousel type work holder 6 described later, The target magnet 5 is installed so that the main scattering direction of the sputtered particles scattered from the cylindrical target 3 is eccentric from the rotation axis of the carousel type work holder 6. In this case, it is preferable that the target magnet 5 is not rotated but fixed in position, and the main scattering direction of the sputtered particles scattered from the cylindrical target 3 during the entire sputtering time is the eccentric direction. In this case, a plurality of, preferably two, cylindrical targets 3 are preferably installed.

カルーセル型ワークホルダー６は、円筒型ターゲット３に対向して設置される。このカルーセル型のワークホルダー６は、図６に示すように、ワークホルダー支持部６ａおよび複数のワーク保持部６ｂでほぼ円筒状に構成され、ワーク保持部６ｂは、ワークを固定するための複数のフック６ｃを備える。ワーク保持部６ｂは前記ワークホルダー支持部６ａの外周部に設置され。前記カルーセル型ワークホルダー６および／またはワーク保持部６ｂは、円筒型のターゲット３の軸とカルーセル型ワークホルダー６の回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する平行な軸で回転可能に設置、好ましくは円筒型のターゲット３と軸が平行となる軸で回転可能に設置され、それぞれ独立または同調して回転（公転・自転）する。このカルーセル型のワークホルダー６は真空チャンバー２から電気的に絶縁される。   The carousel type work holder 6 is installed facing the cylindrical target 3. As shown in FIG. 6, the carousel type work holder 6 is formed in a substantially cylindrical shape by a work holder support portion 6a and a plurality of work holding portions 6b. The work holding portion 6b includes a plurality of work holding portions 6b. A hook 6c is provided. The work holding part 6b is installed on the outer periphery of the work holder support part 6a. The carousel type work holder 6 and / or the work holding part 6b are installed so as to be rotatable on a parallel axis in a plane perpendicular to a plane connecting the axis of the cylindrical target 3 and the rotation axis of the carousel type work holder 6. Preferably, the cylindrical target 3 is installed so as to be rotatable about an axis parallel to the axis, and rotates (revolves and rotates) independently or in synchronization. This carousel type work holder 6 is electrically insulated from the vacuum chamber 2.

更に、本発明においては、三次元形状のワーク７により均一に成膜するため、図７〜９に示すように、カルーセル型ワークホルダー６に対向して設置された円筒型ターゲット３とは別にカルーセル型ワークホルダー６の上方および／または下方に、円筒型ターゲット３（その内部にはマグネット収納部４およびターゲット用マグネット５が設置される）を設置することが好ましい。また、この場合には、円筒型ターゲット３の内部に設置されたターゲット用マグネット５は、前記と同様にして回動させ、三次元形状のワーク７の上下の付回りを調整可能としてもよい。   Further, in the present invention, in order to form a uniform film with the three-dimensional workpiece 7, as shown in FIGS. 7 to 9, the carousel is separated from the cylindrical target 3 installed facing the carousel type work holder 6. It is preferable to install the cylindrical target 3 (with the magnet storage unit 4 and the target magnet 5 installed therein) above and / or below the mold work holder 6. In this case, the target magnet 5 installed inside the cylindrical target 3 may be rotated in the same manner as described above so that the up and down rotation of the three-dimensional workpiece 7 can be adjusted.

以上説明した装置において、スパッタリングを行うには、まず、真空チャンバー２を排気した後、スパッタガスを供給する。次いで、ターゲット３と真空チャンバー２に接続された高圧電源１０から、電力を供給（直流電源の場合にはターゲット３を陰極とする）することによりグロー放電が始まり、スパッタリングを開始することができる。   In order to perform sputtering in the apparatus described above, first, the vacuum chamber 2 is evacuated and then a sputtering gas is supplied. Next, by supplying power from the high-voltage power source 10 connected to the target 3 and the vacuum chamber 2 (in the case of a DC power source, the target 3 is used as a cathode), glow discharge starts and sputtering can be started.

上記装置において、全スパッタリング時間中の少なくとも一部の時間において、前記ターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向を、カルーセル型ワークホルダーの回転軸から偏心させた方向とすることにより、カルーセル型ワークホルダーに取り付けられた三次元形状のワークにスパッタ粒子を均一に成膜することができた。   In the above apparatus, the main scattering direction of the sputtered particles that scatter from the target during at least a part of the total sputtering time is set to be a direction that is decentered from the rotation axis of the carousel type work holder. Sputtered particles could be uniformly deposited on the three-dimensional workpiece attached to the substrate.

また、前記三次元形状のワークの上方および／または下方からスパッタリングを行うことにより、付回りのよい膜厚が均一な成膜ができる。   In addition, by performing sputtering from above and / or below the three-dimensional workpiece, a film with a uniform thickness can be formed.

以上説明した本発明の同軸型マグネトロンスパッタリング装置を用い、以下の条件で３次元形状のワークに成膜したところ均一に成膜することができた。   Using the coaxial magnetron sputtering apparatus of the present invention described above, a film was formed uniformly on a three-dimensional workpiece under the following conditions.

＜成膜条件＞
ワーク（形状）：ＡＢＳ樹脂（携帯電話のケース）
スパッタガス：アルゴン
ターゲット：チタン
ターゲットの配置：（１）図１の配置
（２）図５の配置
（３）図６の配置
（４）図７の配置
（５）図８の配置
磁場：アンバランス型
チャンバー内真空度：１０−３〜１０−４Ｔｏｒｒ
入力電力：１０ｋＷ
電源方式：直流
時間：２０〜３０分<Film formation conditions>
Workpiece (shape): ABS resin (cell phone case)
Sputtering gas: Argon target: Titanium target arrangement: (1) Arrangement of FIG.
(2) Arrangement of FIG.
(3) Arrangement of FIG.
(4) Arrangement of FIG.
(5) Arrangement magnetic field in FIG. 8: Degree of vacuum in unbalanced chamber: 10 −3 to 10 −4 Torr
Input power: 10kW
Power supply method: DC time: 20-30 minutes

なお、上記においては、ターゲットとして円筒型のターゲットを用いた同軸型のマグネトロンスパッタリング装置について説明したが、本発明は、ターゲットとして平板型のターゲットを用いるマグネトロンスパッタリング装置、ターゲット用マグネットを使用しないスパッタリング装置等についても実施できるのはいうまでもない。   In the above description, a coaxial magnetron sputtering apparatus using a cylindrical target as a target has been described. However, the present invention relates to a magnetron sputtering apparatus that uses a flat target as a target, and a sputtering apparatus that does not use a target magnet. Needless to say, it can also be implemented.

すなわち、ターゲットとして平板型のターゲットを用いるスパッタリング装置の場合には、三次元形状のワークを、平板型のターゲットのスパッタリングを行う面内に有する軸と、カルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転させればよい。また、ターゲット用マグネットを使用しないスパッタリング装置の場合には、ターゲットを左右方向に回動可能に設置したり、ターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向が前記カルーセル型ワークホルダーの回転軸中心方向から偏心した方向となるようにターゲットを設置すればよい。   That is, in the case of a sputtering apparatus using a flat plate target as a target, a three-dimensional workpiece is connected to a plane connecting the axis having a flat target sputtering surface and the rotation axis of the carousel type work holder. What is necessary is just to rotate with the axis | shaft which has in a perpendicular | vertical surface. Further, in the case of a sputtering apparatus that does not use a target magnet, the target is installed so as to be able to rotate in the left-right direction, or the main scattering direction of the sputtered particles scattered from the target is from the direction of the rotation axis of the carousel type work holder What is necessary is just to install a target so that it may become an eccentric direction.

本発明は、複雑な形状のワークに対し、種々の方向からスパッタリングすることにより均一に成膜を行うことができる。従って、２次元の平滑なワーク上だけでなく、カメラ、携帯電話等の本体、外装品等の三次元形状のワークにもスパッタ粒子を均一に成膜する際に有利に利用できるものである。   According to the present invention, a film having a complicated shape can be uniformly formed by sputtering from various directions. Therefore, it can be advantageously used not only on a two-dimensional smooth work but also on a three-dimensional work such as a camera, a main body of a mobile phone, an exterior product, etc., when depositing sputter particles uniformly.

本発明の同軸型マグネトロンスパッタリング装置の主要部を示す図面である（図中、白抜き矢印はターゲット用マグネット５の回動方向を示す）。It is drawing which shows the principal part of the coaxial magnetron sputtering apparatus of this invention (in the figure, a white arrow shows the rotation direction of the magnet 5 for targets). 図１のＡ−Ａ’における断面図である。It is sectional drawing in A-A 'of FIG. マグネットの構造を示す図面である（図中、白抜き矢印はターゲット用マグネット５の回動方向を示す）。It is drawing which shows the structure of a magnet (in the figure, a white arrow shows the rotation direction of the magnet 5 for targets). 図３のＢ方向からみたマグネットの構造を示す図面である。It is drawing which shows the structure of the magnet seen from the B direction of FIG. 本発明の別の態様の同軸型マグネトロンスパッタリング装置の主要部を示す図面である（図中、白抜き矢印はスパッタ粒子の主飛散方向を示す）。It is drawing which shows the principal part of the coaxial magnetron sputtering device of another aspect of this invention (in the figure, a white arrow shows the main scattering direction of a sputtered particle). カルーセル型のワークホルダーの構造を示す図面である。It is drawing which shows the structure of a carousel type work holder. 本発明の別の態様の同軸型マグネトロンスパッタリング装置の主要部を示す図面である（図中、白抜き矢印はターゲット用マグネット５の回動方向を示す）。It is drawing which shows the principal part of the coaxial magnetron sputtering apparatus of another aspect of this invention (in the figure, a white arrow shows the rotation direction of the magnet 5 for targets). 本発明の別の態様の同軸型マグネトロンスパッタリング装置の主要部を示す図面である。It is drawing which shows the principal part of the coaxial magnetron sputtering device of another aspect of this invention. 本発明の別の態様の同軸型マグネトロンスパッタリング装置の主要部を示す図面である。It is drawing which shows the principal part of the coaxial magnetron sputtering device of another aspect of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 同軸型マグネトロンスパッタリング装置
２ 真空チャンバー
３ ターゲット
４ マグネット収納部
５ ターゲット用マグネット
５ａ マグネット支持棒
５ｂ マグネット
５ｃ マグネット
５ｄ マグネット
６ カルーセル型のワークホルダー
６ａ ワークホルダー支持部
６ｂ ワーク保持部
６ｃ フック
７ ワーク
８ 排気口
９ ガス導入口
１０ プラズマ用高圧電源
１１ 接地アースDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coaxial magnetron sputtering apparatus 2 Vacuum chamber 3 Target 4 Magnet storage part 5 Target magnet 5a Magnet support bar 5b Magnet 5c Magnet 5d Magnet 6 Carousel type work holder 6a Work holder support part 6b Work holding part 6c Hook 7 Work 8 Exhaust Port 9 Gas inlet 10 High voltage power supply for plasma 11 Grounding earth

Claims (9)

ターゲットをスパッタリングすることにより、ターゲットと対向して設置され、回転するカルーセル型ワークホルダーに取り付けられた三次元形状のワークに成膜する方法であって、
前記三次元形状のワークを前記ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転させ、
かつ、
全スパッタリング時間中の少なくとも一部の時間において、前記ターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向を、前記カルーセル型ワークホルダーの回転軸中心方向から偏心させた方向とすることを特徴とする三次元形状のワークへのスパッタリング成膜方法。Sputtering the target is a method of forming a film on a three-dimensional workpiece that is placed opposite the target and attached to a rotating carousel type work holder,
Rotating the three-dimensional workpiece with an axis in a plane perpendicular to the plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
And,
A three-dimensional shape characterized in that the main scattering direction of the sputtered particles scattered from the target is a direction decentered from the rotation axis center direction of the carousel type work holder in at least a part of the total sputtering time. Sputtering film formation method on the workpiece. 更に、三次元形状のワークの上方および／または下方からスパッタリングを行う請求項１記載の三次元形状のワークへのスパッタリング成膜方法。  The sputtering film-forming method on a three-dimensional workpiece according to claim 1, wherein sputtering is performed from above and / or below the three-dimensional workpiece. ターゲットのスパッタリングを、マグネトロンスパッタリングで行うものである請求項１または２記載の三次元形状のワークへのスパッタリング成膜方法。  The sputtering film forming method for a three-dimensional workpiece according to claim 1 or 2, wherein sputtering of the target is performed by magnetron sputtering. 真空チャンバー内に、ターゲットと、ターゲットに対向して設置され、回転軸を有するカルーセル型ワークホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記カルーセル型ワークホルダーは、ワークホルダー支持部と複数のワーク保持部を備え、前記ワーク保持部は前記ワークホルダー支持部の外周部に設置され、前記カルーセル型ワークホルダーおよび／またはワーク保持部は、ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転可能に設置されたものであり、
前記ターゲットが回転軸を有し、左右方向に回動可能に設置したことを特徴とするスパッタリング装置。In a vacuum chamber, a sputtering apparatus comprising a target and a carousel-type work holder installed opposite to the target and having a rotation axis,
The carousel type work holder includes a work holder support part and a plurality of work holding parts, the work holding part is installed on an outer peripheral part of the work holder support part, and the carousel type work holder and / or the work holding part are: It is installed so that it can rotate on an axis that is in a plane perpendicular to the plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
A sputtering apparatus, wherein the target has a rotation shaft and is installed so as to be rotatable in the left-right direction. 真空チャンバー内に、ターゲットと、前記ターゲット用マグネットと、ターゲットに対向して設置され、回転軸を有するカルーセル型ワークホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記カルーセル型ワークホルダーは、ワークホルダー支持部と複数のワーク保持部を備え、前記ワーク保持部は前記ワークホルダー支持部の外周部に設置され、前記カルーセル型ワークホルダーおよび／またはワーク保持部は、ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転可能に設置されたものであり、
前記ターゲット用マグネットが回転軸を有し、左右方向に回動可能に設置したことを特徴とするスパッタリング装置。In a vacuum chamber, a sputtering apparatus comprising a target, the target magnet, and a carousel type work holder installed opposite to the target and having a rotation axis,
The carousel type work holder includes a work holder support part and a plurality of work holding parts, the work holding part is installed on an outer peripheral part of the work holder support part, and the carousel type work holder and / or the work holding part are: It is installed so that it can rotate on an axis that is in a plane perpendicular to the plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the target magnet has a rotating shaft and is installed so as to be rotatable in the left-right direction. 真空チャンバー内に、ターゲットと、ターゲットに対向して設置され、回転軸を有するカルーセル型ワークホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記カルーセル型ワークホルダーは、三次元形状のワークを取り付けるためのものであり、ワークホルダー支持部と複数のワーク保持部を備え、前記ワーク保持部は前記ワークホルダー支持部の外周部に設置され、前記カルーセル型ワークホルダーおよび／またはワーク保持部は、ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転可能に設置されたものであり、
前記ターゲットをターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向が前記カルーセル型ワークホルダーの回転軸中心方向から偏心した方向となるように設置したことを特徴とする三次元形状のワークへの成膜用スパッタリング装置。In a vacuum chamber, a sputtering apparatus comprising a target and a carousel-type work holder installed opposite to the target and having a rotation axis,
The carousel type work holder is for attaching a work having a three-dimensional shape, and includes a work holder support part and a plurality of work holding parts, and the work holding part is installed on an outer peripheral part of the work holder support part, The carousel type work holder and / or the work holding part is rotatably installed on an axis having a plane perpendicular to a plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
Sputtering for film formation on a three-dimensional workpiece characterized in that the target is disposed such that the main scattering direction of the sputtered particles that scatter from the target is decentered from the rotation axis center direction of the carousel type work holder apparatus. 真空チャンバー内に、ターゲットと、前記ターゲット用マグネットと、ターゲットに対向して設置され、回転軸を有するカルーセル型ワークホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、
前記カルーセル型ワークホルダーは、三次元形状のワークを取り付けるためのものであり、ワークホルダー支持部と複数のワーク保持部を備え、前記ワーク保持部は前記ワークホルダー支持部の外周部に設置され、前記カルーセル型ワークホルダーおよび／またはワーク保持部は、ターゲットとカルーセル型ワークホルダーの回転軸を結ぶ面に垂直な面内に有する軸で回転可能に設置されたものであり、
前記ターゲット用マグネットを、前記ターゲットから飛散するスパッタ粒子の主飛散方向が前記カルーセル型ワークホルダーの回転軸中心方向から偏心した方向となるように設置したことを特徴とする三次元形状のワークへの成膜用スパッタリング装置。In a vacuum chamber, a sputtering apparatus comprising a target, the target magnet, and a carousel type work holder installed opposite to the target and having a rotation axis,
The carousel type work holder is for attaching a work having a three-dimensional shape, and includes a work holder support part and a plurality of work holding parts, and the work holding part is installed on an outer peripheral part of the work holder support part, The carousel type work holder and / or the work holding part is rotatably installed on an axis having a plane perpendicular to a plane connecting the rotation axis of the target and the carousel type work holder,
The target magnet is installed so that the main scattering direction of the sputtered particles scattered from the target is eccentric from the center of the rotation axis of the carousel type work holder. Sputtering apparatus for film formation. 更に、ターゲットを、前記カルーセル型ワークホルダーの上方および／または下方に設置したものである請求項４ないし７の何れかに記載のスパッタリング装置または三次元形状のワークへの成膜用スパッタリング装置。  The sputtering apparatus according to any one of claims 4 to 7 or a sputtering apparatus for forming a film on a three-dimensional shape, wherein the target is disposed above and / or below the carousel type work holder. ターゲットが円筒型であり、ターゲット用マグネットが前記ターゲット内部に設置されたものである請求項５、７ないし８の何れかに記載のスパッタリング装置または三次元形状のワークへの成膜用スパッタリング装置。  The sputtering apparatus according to any one of claims 5, 7 to 8, or a sputtering apparatus for forming a film on a three-dimensional workpiece, wherein the target is a cylindrical type, and a target magnet is installed inside the target.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11274364B2 (en) 2017-06-28 2022-03-15 Solayer Gmbh Sputter devices and methods
EP3508611B1 (en) * 2018-01-04 2023-03-15 Raytheon Technologies Corporation Metallic coating process for combustor panels using a barrel configuration
KR102399748B1 (en) * 2018-10-01 2022-05-19 주식회사 테토스 A device for depositing a metal film on a surface of a three-dimensional object
KR20230172016A (en) * 2021-04-16 2023-12-21 에바텍 아크티엔게젤샤프트 Sputtering device for coating 3D objects

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0768614B2 (en) * 1990-03-05 1995-07-26 宇部興産株式会社 Carousel type sputtering device and spattering method thereof
JP2005133110A (en) * 2003-10-28 2005-05-26 Konica Minolta Opto Inc Sputtering system
JP2007162049A (en) * 2005-12-12 2007-06-28 Asahi Techno Glass Corp Carousel type sputtering system
JP2007170215A (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Yamaha Motor Co Ltd Component for internal combustion engines and its manufacturing method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86205741U (en) * 1986-08-16 1987-07-15 北京市有色金属研究总院 Coating device for physical vapor deposition
JP2004300465A (en) * 2003-03-28 2004-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering apparatus
JP2005163151A (en) * 2003-12-04 2005-06-23 Seinan Kogyo Kk Three-dimensional sputter film deposition apparatus and method
CN1308484C (en) * 2004-05-20 2007-04-04 中国科学院上海光学精密机械研究所 Fixture three-dimensional motion control device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0768614B2 (en) * 1990-03-05 1995-07-26 宇部興産株式会社 Carousel type sputtering device and spattering method thereof
JP2005133110A (en) * 2003-10-28 2005-05-26 Konica Minolta Opto Inc Sputtering system
JP2007162049A (en) * 2005-12-12 2007-06-28 Asahi Techno Glass Corp Carousel type sputtering system
JP2007170215A (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Yamaha Motor Co Ltd Component for internal combustion engines and its manufacturing method

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