JP5303948B2 - オーミック電極形成方法、および電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
また、n型のIII 族窒化物半導体表面上にオーミック電極を形成する方法において、III 族窒化物半導体表面に接するTiからなる第1層を形成する工程と、第1層上にAlからなる第2層を形成する工程と、第2層上に、Alよりも融点の高い金属からなり、Niからなる単層もしくはNiを含む複層である第3層を形成する工程と、第3層上にAuからなる第4層を形成する工程と、瞬間熱処理(RTA)により、(−3/10)×T+285≦t≦(−3/10)×T+295、900≦T≦950、ただしTは熱処理温度、tは処理時間、を満たす熱処理温度、処理時間で熱処理を行う工程と、を有することを特徴とするオーミック電極形成方法が記載されている。
また、上記の熱処理温度と熱処理時間熱との関係に代えて、処理は、875〜925度で15〜20秒間行うことを特徴とするオーミック電極形成方法が記載されている。
また、上記の熱処理温度と熱処理時間熱との関係に代えて、熱処理は、925〜975度で0〜10秒間行うことを特徴とするオーミック電極形成方法が記載されている。
また、熱処理温度が875〜925度においては、処理時間を15〜20秒間とすると、より低コンタクト抵抗なオーミック電極を形成することができる。
11:バッファ層
12:ノンドープGaN層
13:ノンドープAlGaN層
14:ソース電極
15:ドレイン電極
16:ゲート電極
100:第1層
101:第2層
102:第3層
103:第4層
Claims (4)
- n型のIII 族窒化物半導体表面上にオーミック電極を形成する方法において、
前記III 族窒化物半導体表面に接するVからなる第1層を形成する工程と、
前記第1層上にAlからなる第2層を形成する工程と、
前記第2層上に、Alよりも融点の高い金属からなり、Niからなる単層もしくはNiを含む複層である第3層を形成する工程と、
前記第3層上にAuからなる第4層を形成する工程と、
瞬間熱処理(RTA)により850〜950度で5〜20秒間熱処理を行う工程と、
を有することを特徴とするオーミック電極形成方法。 - n型のIII 族窒化物半導体表面上にオーミック電極を形成する方法において、
前記III 族窒化物半導体表面に接するVからなる第1層を形成する工程と、
前記第1層上にAlからなる第2層を形成する工程と、
前記第2層上に、Alよりも融点の高い金属からなり、Niからなる単層もしくはNiを含む複層である第3層を形成する工程と、
前記第3層上にAuからなる第4層を形成する工程と、
瞬間熱処理(RTA)により、(−3/10)×T+285≦t≦(−3/10)×T+295、900≦T≦950、ただしTは熱処理温度、tは処理時間、を満たす熱処理温度、処理時間で熱処理を行う工程と、
を有することを特徴とするオーミック電極形成方法。 - III 族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタの製造方法において、
請求項1又は請求項2に記載のオーミック電極形成方法を用いて、n型のIII 族窒化物半導体表面上にオーミック電極を形成する工程を有することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 前記電界効果トランジスタはHFETであることを特徴とする請求項3に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
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