JP5294319B2 - Multilayer chip balun element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高周波回路において不平衡信号と平衡信号を相互に変換するために用いるチップ型積層構造のバラン素子に関し、更に詳しく述べると、相互に電磁結合しているλ/4結合線路の組を2組、誘電体チップ中に埋設し、不平衡側の結合線路をインダクタパターンで接続した積層チップバラン素子に関するものである。 The present invention relates to a chip-type laminated balun element used to mutually convert an unbalanced signal and a balanced signal in a high-frequency circuit. More specifically, the present invention relates to a set of λ / 4 coupled lines that are electromagnetically coupled to each other. The present invention relates to a multilayer chip balun element in which two sets are embedded in a dielectric chip and the unbalanced coupling lines are connected by an inductor pattern.
バラン素子は、周知のように、高周波回路において不平衡信号と平衡信号を相互に変換するために用いる変換器である。近年、各種電子デバイスの小型化の要求に伴って、相互に電磁結合している結合線路を誘電体チップ中に埋設した構造の積層チップバラン素子が使用されている。 As is well known, the balun element is a converter used to mutually convert an unbalanced signal and a balanced signal in a high-frequency circuit. In recent years, with the demand for miniaturization of various electronic devices, multilayer chip balun elements having a structure in which coupling lines that are electromagnetically coupled to each other are embedded in a dielectric chip are used.
従来技術の例としては、相互に電磁結合しているλ/4結合線路(λ:使用波長)の組を2組、誘電体チップ中に、実装面(実装基板に対向する面)に対して垂直方向に重畳した状態で埋設し、誘電体チップ内に位置する結合線路端と外部電極との間を引出しパターンで繋ぐ構成がある(特許文献1参照)。具体的には、相互に電磁結合している第1のλ/4結合線路と第3のλ/4結合線路の組と、相互に電磁結合している第2のλ/4結合線路と第4のλ/4結合線路の組とが、誘電体チップの内部で実装面に対して垂直方向に重畳した状態で埋設されており、第1のλ/4結合線路の一端が不平衡端子に接続され、他端は第2のλ/4結合線路の一端に接続され、その第2のλ/4結合線路の他端は開放(オープン)であり、他方、第3及び第4のλ/4結合線路の両端がそれぞれ平衡端子と接地端子との間に接続されている構造である。 As an example of the prior art, two sets of λ / 4 coupled lines (λ: used wavelength) that are electromagnetically coupled to each other are mounted on the mounting surface (the surface facing the mounting substrate) in the dielectric chip. There is a configuration in which the coupling line is embedded in a vertically superposed state and the coupling line end located in the dielectric chip and the external electrode are connected by a lead pattern (see Patent Document 1). Specifically, the first λ / 4 coupled line and the third λ / 4 coupled line that are electromagnetically coupled to each other, the second λ / 4 coupled line that is electromagnetically coupled to each other, and the first 4 λ / 4 coupled lines are embedded in the dielectric chip so as to be superposed in the direction perpendicular to the mounting surface, and one end of the first λ / 4 coupled line serves as an unbalanced terminal. Connected, the other end is connected to one end of the second λ / 4 coupled line, the other end of the second λ / 4 coupled line is open (open), while the third and fourth λ / Both ends of the four coupled lines are connected between the balanced terminal and the ground terminal.
この構造は、1つのλ/2結合線路と2つのλ/4結合線路との組み合わせではなく、2組の相互に電磁結合するλ/4結合線路の組を用いているために、広いチップ面積を必要とせず、小型化に有利であった。しかし最近、チップ素子に対するより一層の小型化の要求が一層強まっている。 Since this structure uses two sets of λ / 4 coupled lines that are electromagnetically coupled to each other, not a combination of one λ / 2 coupled line and two λ / 4 coupled lines, a large chip area is obtained. This is advantageous for downsizing. Recently, however, there is an increasing demand for further downsizing of chip elements.
小型化の要求に対する解決策としては、
(1)結合線路の幅及び線路間隔を小さくして、結合線路を構成する渦巻き状パターンの巻数を増やし、小さなチップ面積に対しても同じ線路長を確保できるようにする、
(2)誘電体材料の誘電率を大きくし、必要な線路長を短くする、
などの方法がある。しかし、(1)の対策では、線路幅や線路間隔を小さくするには断線などの不都合が生じる恐れがあるため自ずから限界があり、同じ線路長を確保することは難しい。また、(2)の対策では、新規材料開発が必要となり、時間とコストがかかるばかりでなく、材料が多品種必要になる他、誘電率が大きくなると結合間距離を大きくする必要が生じ、低背化が困難となる。更に、(1)と(2)いずれにしても従来構造のままでは、使用周波数を変更したい場合に、4つのλ/4結合線路全てについてパターンを設計し直す必要があり、コストが増大する欠点も生じる。
As a solution to the demand for miniaturization,
(1) The width of the coupled line and the line interval are reduced, the number of turns of the spiral pattern constituting the coupled line is increased, and the same line length can be secured even for a small chip area.
(2) Increase the dielectric constant of the dielectric material and shorten the required line length.
There are methods. However, in the measure of (1), there is a possibility that inconvenience such as disconnection may occur in order to reduce the line width and the line interval. Therefore, it is difficult to secure the same line length. In addition, the measure (2) requires development of a new material, which not only takes time and cost, but also requires a wide variety of materials. In addition, if the dielectric constant increases, the distance between the couplings must be increased. It becomes difficult to turn up. Furthermore, in both cases (1) and (2), if the conventional frequency is to be changed, it is necessary to redesign the pattern for all four λ / 4 coupled lines, which increases the cost. Also occurs.
そこで、別の解決策として、第1の結合線路と第2の結合線路との直列接続に対して並列にキャパシタンスを形成する構成が提案されている(特許文献2参照)。ここでは、誘電体チップ内にキャパシタンス形成用電極を設け、第2の結合線路との間で必要なキャパシタンスを形成している。このようにキャパシタンスを付加すると、結合線路の長さをλ/4以下に短縮でき、その分、素子サイズを減小できるとされている。しかし、そのためには、大きなキャパシタンスを付加する必要があり、キャパシタンス形成用電極の面積を大きくしなければならず、逆に小型化を阻害する恐れがある。 Therefore, as another solution, there has been proposed a configuration in which a capacitance is formed in parallel with the series connection of the first coupled line and the second coupled line (see Patent Document 2). Here, a capacitance forming electrode is provided in the dielectric chip to form a necessary capacitance with the second coupling line. If the capacitance is added in this way, the length of the coupled line can be reduced to λ / 4 or less, and the element size can be reduced accordingly. However, for that purpose, it is necessary to add a large capacitance, and it is necessary to increase the area of the capacitance forming electrode, which may hinder downsizing.
本発明が解決しようとする課題は、結合線路の長さを容易にλ/4以下に短縮できるようにして素子サイズをより一層縮小可能とし、しかも特性劣化が生じないようにすることである。本発明が解決しようとする他の課題は、使用周波数の調整を容易に且つ低コストで実施できるようにすることである。 The problem to be solved by the present invention is to make it possible to easily reduce the length of the coupled line to λ / 4 or less so that the element size can be further reduced, and to prevent characteristic deterioration. Another problem to be solved by the present invention is to enable adjustment of the used frequency easily and at low cost.
本発明は、相互に電磁結合しているいずれもλ/4以下の長さの結合線路の組を2組、誘電体チップ内で実装面に対して垂直方向に重畳した状態で埋設されている積層チップバラン素子において、一端が不平衡端子に接続される第1の結合線路と、一端が開放(オープン)の第2の結合線路とを、インダクタパターンで接続し、且つ前記インダクタパターンが結合線路とは別の1枚のシートで形成されているものである。このように、不平衡側で、第1の結合線路と第2の結合線路の間をインダクタパターンで接続し、且つ前記インダクタパターンが結合線路とは別の1枚のシートで形成されている点が、本発明の主要な特徴である。なお、インダクタパターンとしては、渦巻き形状が好ましいが、ミアンダ形状でもよい。
In the present invention, two sets of coupled lines each having a length of λ / 4 or less that are electromagnetically coupled to each other are embedded in a dielectric chip in a state of being superimposed in a direction perpendicular to the mounting surface. In the multilayer chip balun element, a first coupling line whose one end is connected to an unbalanced terminal and a second coupling line whose one end is open (open) are connected by an inductor pattern, and the inductor pattern is a coupling line. It is formed of a separate sheet . In this way, on the unbalanced side, the first coupling line and the second coupling line are connected by an inductor pattern, and the inductor pattern is formed by a single sheet different from the coupling line . This is the main feature of the present invention. The inductor pattern is preferably a spiral shape, but may be a meander shape.
本発明の積層チップバラン素子は、不平衡側の第1の結合線路と第2の結合線路の間をインダクタで接続しているため、使用周波数を低くすることができる。従って、同じ使用周波数の場合を比較すれば、従来技術に比して結合線路長を短縮できることになり、その分、素子の小型化を図ることができる。 Since the multilayer chip balun element of the present invention connects the unbalanced first coupling line and the second coupling line with an inductor, the operating frequency can be lowered. Accordingly, if the same frequency is used, the coupled line length can be shortened as compared with the prior art, and the device can be downsized accordingly.
また本発明では、インダクタパターンによるインダクタンス値を変えれば、使用周波数が変わる。従って本発明では、使用周波数の調整を、4つの結合線路のパターン全てを変更することなく、単にインダクタパターンの部分を変えるだけで実現できるため、容易であり且つ低コストで行える。 In the present invention, if the inductance value by the inductor pattern is changed, the operating frequency is changed. Therefore, in the present invention, the adjustment of the operating frequency can be realized simply by changing the portion of the inductor pattern without changing all the patterns of the four coupled lines.
本発明は、相互に電磁結合しているいずれもλ/4(λ:使用波長)以下の長さの第1の結合線路と第3の結合線路の組と、相互に電磁結合しているいずれもλ/4以下の長さの第2の結合線路と第4の結合線路の組とが、誘電体チップの内部で実装面に対して垂直方向に重畳した状態で埋設されており、第1の結合線路の一端が不平衡端子に接続され、他端は第2の結合線路の一端に導かれ、該第2の結合線路の他端は開放(オープン)であり、第3及び第4の結合線路の両端がそれぞれ平衡端子と接地端子との間に接続されている構造の積層チップバラン素子において、前記第1の結合線路の他端は、誘電体チップ内に埋設されているインダクタパターンを介して第2の結合線路の一端に接続されていることを特徴とする積層チップバラン素子である。 In the present invention, both of the first coupling line and the third coupling line having a length equal to or shorter than λ / 4 (λ: used wavelength) are electromagnetically coupled to each other. The second coupled line and the fourth coupled line set having a length of λ / 4 or less are embedded in the dielectric chip so as to be superposed in the direction perpendicular to the mounting surface. One end of the coupled line is connected to the unbalanced terminal, the other end is led to one end of the second coupled line, the other end of the second coupled line is open (open), and the third and fourth In the laminated chip balun element having a structure in which both ends of the coupled line are connected between the balanced terminal and the ground terminal, respectively, the other end of the first coupled line has an inductor pattern embedded in the dielectric chip. A multilayer chip balun characterized by being connected to one end of the second coupled line via It is a child.
インダクタパターンとしては、例えば渦巻き形状が好ましい。渦巻き形状の場合は、その渦巻きの巻き方向を第1の結合線路の渦巻きの巻き方向と同じに設定する。インダクタパターンは、その他、ミアンダ形状でもよい。 For example, a spiral shape is preferable as the inductor pattern. In the case of the spiral shape, the spiral winding direction is set to be the same as the spiral winding direction of the first coupled line. In addition, the inductor pattern may have a meander shape.
図1は本発明に係る積層チップバラン素子の一実施例を示す説明図であり、内部構造を分解して示している。これは誘電体シート上に必要な導体パターンを印刷形成して積層する例である。下から上へ、次のような順序で誘電体シートを積層する。 FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a multilayer chip balun device according to the present invention, and shows an exploded internal structure. This is an example in which a necessary conductor pattern is printed and laminated on a dielectric sheet. Dielectric sheets are stacked in the following order from bottom to top.
最下層(実装面側)は、後述する最上層と同様の外部電極パターンを下面に印刷した誘電体シート10である(外部電極パターンは、シート下面に形成されているため図示されていない)。
The lowermost layer (mounting surface side) is a
その上に、第1の引出しパターン12を印刷した誘電体シート14、及び第4の結合線路16を印刷した誘電体シート18が、その順に位置する。第4の結合線路16は矩形渦巻き状パターンであり、その内周端はシート中心に位置し、外周端はシート後縁右端近傍dに達する。他方、第1の引出しパターン12は直線状であって、シート中心からシート前縁中央bに至るように設ける。そしてシート中心で、第1の引出しパターン12と第4の結合線路16との間をビア穴接続(点線で示す)で繋ぐ。
On top of that, the
その上に、第2の結合線路20を印刷した誘電体シート22が位置する。第2の結合線路20は矩形渦巻き状パターンであり、その内周端はシート中心に位置し、外周端はシート後縁左端近傍fに達する。更にその上に、必要に応じてブランク(導体パターン無し)の誘電体シート24を配置する。
On top of this, the
その上に、インダクタパターン26を印刷した誘電体シート28、及び第1の結合線路30を印刷した誘電体シート32が位置する。インダクタパターン26も矩形渦巻き状パターンであり、その内周端はシート中心に位置し、外周端はシート後縁左端近傍fに達する。このインダクタパターン26は、シートの外周に沿って大きく巡るような1ターン以上の渦巻きパターンである。第1の結合線路30は矩形渦巻き状パターンであり、その内周端はシート中心に位置し、外周端はシート前縁左端近傍aに達する。ここで、インダクタパターン26の内周端と第1の結合線路30の内周端の間はビア穴接続(点線で示す)される。図示されているように、第1の結合線路30はシート前縁左端近傍aからシート中心に向かって反時計回りの渦巻きであり、それに対してインダクタパターン26もシート中心からシート後縁左端近傍fに向かう、同様に反時計回りの渦巻きである。
A
更に、その上に、第3の結合線路34を印刷した誘電体シート36、及び第2の引出しパターン38を印刷した誘電体シート40が位置する。第3の結合線路34は矩形渦巻き状パターンであり、その内周端はシート中心に位置し、外周端はシート前縁中央bに達する。他方、第2の引出しパターン38はクランク状であって、シート中心からシート前縁右端近傍cに至るように設ける。そしてシート中心で、第2の引出しパターン38と第3の結合線路34との間をビア穴接続(点線で示す)で繋ぐ。
Furthermore, a
最上層として、外部電極パターン42を印刷した誘電体シート44を設ける。外部電極パターン42は矩形状であり、対向する2辺(図1では手前の辺と後ろの辺)に間隔をおいて3個ずつ、合計6個、印刷法により均等に配列形成されている。最上層の外部電極パターンと最下層の外部電極パターンは、それらの大きさが異なっていてもよい。
A dielectric sheet 44 on which the
なお、積層する各層の間には、必要に応じて任意枚数のブランクの誘電体シートが介在していてもよい。 It should be noted that an arbitrary number of blank dielectric sheets may be interposed between the layers to be laminated as necessary.
第1の結合線路〜第4の結合線路の長さは、いずれもλ/4以下の所定の長さに設定されている。第1の結合線路30と第3の結合線路34とは、大部分が同じ形状で且つ互いに重なるような位置関係にあり、第2の結合線路20と第4の結合線路16とは、大部分が同じ形状で且つ互いに重なるような位置関係にあり、それによって対応する結合線路は相互に電磁結合する。
The lengths of the first coupled line to the fourth coupled line are all set to a predetermined length of λ / 4 or less. The first coupled
上記のような順序で誘電体シートを積層して一体化し、焼成してチップ素子とする。相互に電磁結合している結合線路の組が2組(第1の結合線路30と第3の結合線路34の組、及び第2の結合線路20と第4の結合線路16の組)、誘電体チップ中で実装面に対して垂直方向に重畳した状態で埋設された構造となる。即ち、各組で共通の矩形渦巻き状パターンの部分が実質的にλ/4相当の結合線路を構成していることになり、それ以外の部分は接続用のパターンということになる。
The dielectric sheets are laminated and integrated in the order as described above, and fired to obtain a chip element. Two sets of coupled lines that are electromagnetically coupled to each other (a set of the first coupled
最終的には図2に示すように、誘電体チップ50の外側面に6箇所の外部電極52を設け、チップ側面にて各結合線路の端部及び各引出しラインの端部を接続する。従って、各外部電極52は、導体パターンの端部が露出している側面から上面と下面(実装面)の両方に至るように形成する。そして、6箇所の外部電極52のうちの左奥の位置の外部電極(符号fで示す)によって、インダクタパターン26と第2の結合線路20とが接続されることになる。なお、図示されていないが、不平衡端子を明示できるように何らかの方向識別マーカを設ける。このようにインダクタパターン26を組み込むことによって、使用周波数は低周波側へ移動する。
Finally, as shown in FIG. 2, six
前記のように、結合線路としての長さ(組を構成している結合線路同士で同一形状となっている矩形渦巻き状パターンの長さ)は、全て使用波長λの1/4の長さ以下に設定されている。従って、この積層チップバラン素子は、等価回路的には図3のように表せる。各端子の符号は、図1の位置を示す符号、及び図2の外部電極の符号に対応している。aが不平衡端子、bとeがアース端子(GND)、cとdが平衡端子となり、fはインダクタパターンと第2の結合線路を繋ぐ内部接続用の端子となる。各結合線路の符号も、図1に対応している。 As described above, the length of the coupled line (the length of the rectangular spiral pattern having the same shape between the coupled lines constituting the set) is all equal to or less than ¼ of the wavelength λ used. Is set to Therefore, this multilayer chip balun element can be expressed as shown in FIG. 3 in terms of an equivalent circuit. The symbols of the terminals correspond to the symbols indicating the positions in FIG. 1 and the symbols of the external electrodes in FIG. a is an unbalanced terminal, b and e are ground terminals (GND), c and d are balanced terminals, and f is an internal connection terminal connecting the inductor pattern and the second coupling line. The reference numerals of the respective coupled lines also correspond to those in FIG.
使用する誘電体シートは、例えばアルミナ等からなる。小型化のためには比誘電率の大きな材料が望ましい。典型的な製造方法としては、未焼成の誘電体セラミックシート(グリーンシート)を用い、その上にスクリーン印刷法によって導体ペースト(例えば銀ペースト)で所望の導体パターンを印刷し、所定の順序で積層して、加圧一体化した後、焼成するシート積層法がある。 The dielectric sheet used is made of alumina, for example. A material with a large relative dielectric constant is desirable for miniaturization. As a typical manufacturing method, an unfired dielectric ceramic sheet (green sheet) is used, on which a desired conductor pattern is printed with a conductor paste (for example, silver paste) by screen printing, and laminated in a predetermined order. In addition, there is a sheet lamination method in which after pressure integration, firing is performed.
その他、印刷積層法で製造することも可能である。印刷積層法は、セラミックスペースト(例えばアルミナとガラスなどの粉末を含むスラリー)を用いたセラミックスパターンと導体ペースト(銀ペーストなど)を用いた導体パターンをスクリーン印刷して重ねていくことで積層体とする方法である。このようにしても積層一体化したチップ素子が得られる。実際には、生産効率を高めるために、同じパターンが前後左右に規則的に配列されるように印刷し、積層後に縦横に切断して1個1個のチップに切り出す多数個取り方式とする。そして、焼成後に側面に外部端子を設ける方法でもよいし、あるいは逆に側面に外部端子を形成した後に焼成する方法でもよい。なお、多数個取りの方法は、シート積層法でも用いられる。 In addition, it is also possible to manufacture by a printing lamination method. In the printing lamination method, a ceramic pattern using a ceramic paste (for example, a slurry containing powders such as alumina and glass) and a conductive pattern using a conductive paste (silver paste, etc.) are screen-printed and overlapped. It is a method to do. In this way, a laminated and integrated chip element can be obtained. In practice, in order to increase the production efficiency, a multi-cavity method is employed in which the same pattern is printed so that it is regularly arranged in the front, rear, left, and right directions, and after stacking, cut vertically and horizontally into chips. And the method of providing an external terminal in a side surface after baking may be sufficient, or the method of baking after forming an external terminal in a side surface conversely may be used. The multi-cavity method is also used in the sheet lamination method.
あるいは、誘電体基板上に導体パターンを形成し、所定の順序で接着層を介して積層し一体化する方法で製造してもよい。この方法では、焼結済みの誘電体セラミック基板を用いることもできるし、その他の樹脂基板を用いることもできる。 Alternatively, the conductive pattern may be formed on the dielectric substrate, and the layers may be laminated and integrated via an adhesive layer in a predetermined order. In this method, a sintered dielectric ceramic substrate can be used, and other resin substrates can be used.
本発明の特徴は、不平衡側となる第1の結合線路30と第2の結合線路20をインダクタパターン26で接続した点である。インダクタパターン26としては渦巻き形状が好ましい。前述のように図1の例では、インダクタパターン26は、誘電体シートの外周に沿って大きく巡るような1ターン以上の矩形渦巻き状パターンである。そして、その渦巻きの巻き方向は、第1の結合線路30の渦巻きの巻き方向と同じに設定される。つまり、第1の結合線路30は、シート前縁左端近傍a(不平衡端子)からシート中心に向かう反時計回りの渦巻きパターンであり、それに連続するようにビア穴で接続されるインダクタパターン26も、シート中心からシート後縁左端近傍fに向かう反時計回りの渦巻きパターンである。因みに、試作実験の結果によれば、渦巻き形状の場合、インダクタパターンの巻き方向が第1の結合線路の巻き方向と異なると、必要な特性が得られないことが分かっている。
A feature of the present invention is that the
インダクタパターンが単なる引出しパターンと異なる点は、引出しパターンが、必要な接続点間を、最短距離で直線的に、あるいは単にクランク状に繋ぐのに対して、インダクタパターンは、必要な接続点間を意図的に迂回したルートで繋ぐように設計されていることである。パターン長(迂回したルートの長さ)によってインダクタンス値を調整することができる。このことから本発明では、インダクタパターンが印刷されている1枚の誘電体シートのみを変えるだけで、簡単に使用周波数変更ができることになる。 The difference between the inductor pattern and the simple lead pattern is that the lead pattern connects the necessary connection points linearly or simply in a crank shape at the shortest distance, whereas the inductor pattern has a gap between the necessary connection points. It is designed to be connected by a deliberate route. The inductance value can be adjusted by the pattern length (the length of the bypass route). Therefore, in the present invention, the operating frequency can be easily changed by changing only one dielectric sheet on which the inductor pattern is printed.
インダクタパターンの他の例を図4に示す。(A)は矩形渦巻き形状のインダクタパターン54であり、パターン長を短くした例である(点線は図1のインダクタパターンを示している)。パターン長を短くすることでインダクタンス値は小さくなる。低周波側へ移行する度合いは、インダクタンス値が大きいほど大きく、従って(A)の例では、実線で示すインダクタパターンよりも点線で示すインダクタパターンを用いる方が低周波側への移行の度合いは大きい。つまり、パターン形状及びインダクタンス値によって、使用周波数の調整が行えると言うことである。(B)はミアンダ形状のインダクタパターン56の例である。インダクタパターンは、原理的には、このようなミアンダ形状でもよい。しかし、実際に小型のチップ素子を構成する場合、チップ面積が限られているので、必要なパターン幅及びパターン間隔を考慮すると、ミアンダ形状よりも渦巻き形状の方が製作し易い。
Another example of the inductor pattern is shown in FIG. (A) is the rectangular
図5に試作品についての測定結果の一例を示す。(A)は従来例、(B)は本発明品による平衡出力の周波数特性を表している。(A)の従来例は、図中に示されているようにクランク状の引出しパターンで第1の結合線路と第2の結合線路を接続した場合である。それに対して(B)の本発明品は、図中に示されているように渦巻き形状のインダクタパターンで第1の結合線路と第2の結合線路を接続している。材料、チップ形状、各結合線路の形状及び長さなど、インダクタパターン(引出しパターン)を除く他の構成は、全て両者同一である。(A)の従来例では中心周波数が約3.6GHzであったのに対して、(B)の本発明品では中心周波数が約2.4GHzとなり、1.2GHz程度も中心周波数が低くなっていることが分かる。 FIG. 5 shows an example of measurement results for the prototype. (A) shows a conventional example, and (B) shows frequency characteristics of a balanced output according to the present invention. The conventional example of (A) is a case where the first coupling line and the second coupling line are connected in a crank-shaped lead pattern as shown in the drawing. On the other hand, as shown in the figure, the product of the present invention in (B) connects the first coupled line and the second coupled line with a spiral inductor pattern. Except for the inductor pattern (drawer pattern), such as the material, chip shape, and shape and length of each coupled line, all are the same. In the conventional example of (A), the center frequency is about 3.6 GHz, whereas in the product of the present invention of (B), the center frequency is about 2.4 GHz, and the center frequency is lowered by about 1.2 GHz. I understand that.
16 第4の結合線路
20 第2の結合線路
26 インダクタパターン
30 第1の結合線路
34 第3の結合線路
16 Fourth coupled
Claims (3)
前記第1の結合線路の他端は、誘電体チップ内に埋設されているインダクタパターンを介して第2の結合線路の一端に接続されており、前記インダクタパターンが結合線路とは別の1枚のシートで形成されていることを特徴とする積層チップバラン素子。 Any of the first coupling line and the third coupling line having a length equal to or shorter than λ / 4 (λ: used wavelength) are electromagnetically coupled to each other, and both are electromagnetically coupled to each other. The second coupled line and the fourth coupled line set having the following length are embedded in the dielectric chip so as to be superposed in the vertical direction with respect to the mounting surface. One end is connected to the unbalanced terminal, the other end is led to one end of the second coupled line, the other end of the second coupled line is open, and both ends of the third and fourth coupled lines are balanced In the multilayer chip balun element having a structure connected between the terminal and the ground terminal,
The other end of the first coupled line is connected to one end of the second coupled line via an inductor pattern embedded in a dielectric chip, and the inductor pattern is a separate sheet from the coupled line. A multilayer chip balun element characterized by being formed of a sheet of
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