JP5291564B2 - Oscillator - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oscillator device capable of suppressing variation in oscillation frequency of an output signal, even if an ambient temperature of the oscillator abruptly changes. <P>SOLUTION: The oscillator device includes a switch SW and a switch control circuit 1000 connected between a gain control unit 900 and an addition unit 600, the switch being turned ON in timing t20 wherein a control signal SI supplied from outside changes from a first potential to a second potential higher than the first potential to output a correction voltage VC generated by the gain control unit 900 to the addition unit 600 to add it, and then being turned OFF in timing t30 a time T, that correction time data stored in a memory 700 indicates, later to limit the output of the correction voltage VC to the addition unit 600. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、発振器に関する。   The present invention relates to an oscillator.

従来、発振器としては、種々のものが開発されており、例えば温度補償水晶発振器がある。この温度補償水晶発振器は、圧電素子として使用する水晶振動子の周波数温度特性を補償するための温度補償回路を有し、例えば携帯電話機やパーソナル・ナビゲーション・デバイス(PND)などの電子機器に搭載され使用される。   Conventionally, various oscillators have been developed, such as a temperature compensated crystal oscillator. This temperature-compensated crystal oscillator has a temperature compensation circuit for compensating the frequency temperature characteristics of a crystal resonator used as a piezoelectric element, and is mounted on an electronic device such as a mobile phone or a personal navigation device (PND). used.

ここで図3に、かかる温度補償水晶発振器の一例として発振器10の構成を示す。この発振器10は、圧電素子としての水晶振動子X10と、当該水晶振動子X10と電気的に接続されたICチップ20とを有し、所望の発振周波数を有する出力信号Foutを生成する。   Here, FIG. 3 shows a configuration of an oscillator 10 as an example of such a temperature compensation crystal oscillator. The oscillator 10 includes a crystal resonator X10 as a piezoelectric element and an IC chip 20 electrically connected to the crystal resonator X10, and generates an output signal Fout having a desired oscillation frequency.

ICチップ20の内部には、水晶振動子X10に接続された水晶発振回路30と、水晶振動子X10の周波数温度特性を補償するための温度補償回路40とが形成されている。   Inside the IC chip 20, a crystal oscillation circuit 30 connected to the crystal resonator X10 and a temperature compensation circuit 40 for compensating the frequency temperature characteristics of the crystal resonator X10 are formed.

より具体的には、水晶振動子X10の一端は、水晶発振回路30のうち、帰還抵抗としての抵抗R10の一端に接続されると共に、インバータINV10の入力端子に接続されている。また、水晶振動子X10の一端と、グランドGNDとの間には、可変コンデンサC10が接続されている。   More specifically, one end of the crystal unit X10 is connected to one end of a resistor R10 as a feedback resistor in the crystal oscillation circuit 30, and is also connected to an input terminal of the inverter INV10. A variable capacitor C10 is connected between one end of the crystal unit X10 and the ground GND.

一方、水晶振動子X10の他端は、水晶発振回路30のうち、抵抗R10の他端に接続されると共に、インバータINV10の出力端子に接続されている。また、水晶振動子X10の他端と、グランドGNDとの間には、可変コンデンサC20が接続されている。   On the other hand, the other end of the crystal unit X10 is connected to the other end of the resistor R10 in the crystal oscillation circuit 30 and to the output terminal of the inverter INV10. A variable capacitor C20 is connected between the other end of the crystal unit X10 and the ground GND.

インバータINV10の出力端子には、バッファとしてのインバータINV20の入力端子が接続され、当該インバータINV20の出力端子から、所望の発振周波数を有する出力信号Foutが出力される。   The output terminal of the inverter INV10 is connected to the input terminal of the inverter INV20 as a buffer, and an output signal Fout having a desired oscillation frequency is output from the output terminal of the inverter INV20.

温度補償回路40は、温度の変化にかかわらず、一定の発振周波数を有する出力信号Foutを発振器10から出力させるため、水晶振動子X10の周波数温度特性を補償するための回路である。   The temperature compensation circuit 40 is a circuit for compensating the frequency-temperature characteristics of the crystal unit X10 in order to output the output signal Fout having a constant oscillation frequency from the oscillator 10 regardless of a change in temperature.

具体的には、温度補償回路40は、水晶振動子X10の周囲の温度を測定するための温度センサを有し、当該温度センサによって得られた温度に基づいて、所望の補償電圧を生成する。   Specifically, the temperature compensation circuit 40 includes a temperature sensor for measuring the temperature around the crystal unit X10, and generates a desired compensation voltage based on the temperature obtained by the temperature sensor.

そして温度補償回路40は、この補償電圧を可変コンデンサC10及びC20に印加し、これら可変コンデンサC10及びC20の容量を変化させることにより、出力信号Foutの発振周波数を調整して温度補償を行う。   The temperature compensation circuit 40 applies the compensation voltage to the variable capacitors C10 and C20, and changes the capacitance of the variable capacitors C10 and C20, thereby adjusting the oscillation frequency of the output signal Fout to perform temperature compensation.

このようにして、発振器10は、所望の発振周波数を有する出力信号Foutを生成し、外部に出力する。   In this way, the oscillator 10 generates an output signal Fout having a desired oscillation frequency and outputs it to the outside.

特開2008−271355号公報JP 2008-271355 A

ところで、かかる発振器10が搭載される、携帯電話機やパーソナル・ナビゲーション・デバイス(PND)などの電子機器は、小型化が進んでいる。このため、当該電子機器に搭載される電子部品も小型化され、また、各電子部品間の距離が短くなっている。   By the way, electronic devices such as mobile phones and personal navigation devices (PND) on which such an oscillator 10 is mounted are becoming smaller. For this reason, the electronic component mounted in the said electronic device is also reduced in size, and the distance between each electronic component is shortened.

これにより、発振器10と、例えばパワーアンプなどの熱を発生する電子部品との間の距離が短くなり、発振器10は、動作時に、パワーアンプが発生する熱の影響を受け易くなる。   As a result, the distance between the oscillator 10 and an electronic component that generates heat, such as a power amplifier, is shortened, and the oscillator 10 is easily affected by the heat generated by the power amplifier during operation.

すなわち、発振器10が、所望の発振周波数を有する出力信号Foutを出力している状態において、発振器10の近傍に配置されたパワーアンプが起動することにより熱を発生すると、発振器10の周囲の温度が、急激に変化し上昇する。   That is, when the oscillator 10 is outputting the output signal Fout having a desired oscillation frequency and heat is generated by starting a power amplifier disposed in the vicinity of the oscillator 10, the ambient temperature of the oscillator 10 is increased. , Change rapidly and rise.

ところで、発振器10は、水晶振動子X10と、温度センサを有する温度補償回路40が形成されたICチップ20とによって構成され、水晶振動子X10及びICチップ20は、これらを搭載する基板や容器の形状に応じて、所定の距離だけ離間するようにして配置される。   Incidentally, the oscillator 10 includes a crystal resonator X10 and an IC chip 20 on which a temperature compensation circuit 40 having a temperature sensor is formed. The crystal resonator X10 and the IC chip 20 are provided on a substrate or a container on which these are mounted. According to the shape, they are arranged so as to be separated by a predetermined distance.

このため、水晶振動子X10及びICチップ20には、パワーアンプから発せられた熱が、それぞれ異なるタイミングで到達する。このようにして、パワーアンプの起動直後に発生する急激な温度変化は、水晶振動子X10の周囲と、ICチップ20の周囲との間に温度差が発生することを引き起こす。その後、水晶振動子X10の周囲と、ICチップ20の周囲との間に発生した温度差がなくなるまでには、一定の時間を要する。   For this reason, the heat generated from the power amplifier reaches the crystal unit X10 and the IC chip 20 at different timings. Thus, the rapid temperature change that occurs immediately after the power amplifier is started causes a temperature difference to occur between the periphery of the crystal unit X10 and the periphery of the IC chip 20. After that, a certain time is required until the temperature difference generated between the periphery of the crystal unit X10 and the periphery of the IC chip 20 disappears.

従って、パワーアンプの起動直後であって、水晶振動子X10の周囲と、ICチップ20の周囲との間に温度差が発生している間には、ICチップ20の内部に形成された温度補償回路40は、水晶振動子X10の周囲の温度を正しく測定することができない。   Therefore, immediately after the power amplifier is started up and while a temperature difference is generated between the periphery of the crystal unit X10 and the periphery of the IC chip 20, the temperature compensation formed in the IC chip 20 is compensated. The circuit 40 cannot correctly measure the temperature around the crystal unit X10.

これにより、温度補償回路40が、水晶振動子X10の周波数温度特性を補償することができず、発振器10から出力される出力信号Foutの発振周波数が変動するいわゆる周波数ドリフトが発生する問題があった。   As a result, the temperature compensation circuit 40 cannot compensate the frequency temperature characteristic of the crystal unit X10, and there is a problem that a so-called frequency drift occurs in which the oscillation frequency of the output signal Fout output from the oscillator 10 fluctuates. .

本発明は、発振器の周囲の温度が急激に変化しても、出力信号の発振周波数が変動することを抑制することができる発振器を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an oscillator that can suppress fluctuations in the oscillation frequency of an output signal even when the ambient temperature of the oscillator changes rapidly.

本発明の一態様による発振器は、圧電素子と、前記圧電素子に接続され、前記圧電素子とグランドとの間に接続された可変容量素子を有し、所望の発振周波数を有する出力信号を生成し出力する発振部と、前記可変容量素子の容量を変化させるための補償電圧を生成する温度補償部と、前記補償電圧を補正するための補正電圧を生成する際に使用されるゲインデータと、補正前の前記出力信号に発生している周波数ドリフトの時間を示す補正時間データとを予め記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶されている前記ゲインデータに基づいて、ゲインを調整しながら、所望の電圧レベルを有する前記補正電圧を生成するゲイン調整部と、前記温度補償部によって生成された前記補償電圧に、前記ゲイン調整部によって生成された前記補正電圧を、必要に応じて加算することにより、前記補償電圧を補正し、当該補正された前記補償電圧を前記可変容量素子に印加する加算部と、前記ゲイン調整部と前記加算部との間に接続され、外部から与えられる制御信号が第1の電位から前記第1の電位より高い第2の電位に変化するタイミングで、オン状態に切り換えることにより、前記ゲイン調整部によって生成された前記補正電圧を前記加算部に出力して加算させ、その後、前記記憶部に記憶されている前記補正時間データが示す時間が経過したタイミングで、オフ状態に切り換えることにより、前記補正電圧を前記加算部に出力することを制限するスイッチ部とを備え、前記制御信号は、前記発振器が搭載される電子機器が動作状態に遷移することに対応して、前記第1の電位から前記第2の電位に変化する。 An oscillator according to one embodiment of the present invention includes a piezoelectric element and a variable capacitance element connected to the piezoelectric element and connected between the piezoelectric element and a ground, and generates an output signal having a desired oscillation frequency. An oscillation unit that outputs, a temperature compensation unit that generates a compensation voltage for changing the capacitance of the variable capacitance element, gain data that is used to generate a correction voltage for correcting the compensation voltage, and correction A storage unit that preliminarily stores correction time data indicating the time of frequency drift occurring in the previous output signal, and a desired adjustment while adjusting the gain based on the gain data stored in the storage unit The correction voltage generated by the gain adjustment unit is added to the gain adjustment unit that generates the correction voltage having a voltage level of: and the compensation voltage generated by the temperature compensation unit. An addition unit that corrects the compensation voltage by adding as necessary and applies the corrected compensation voltage to the variable capacitance element, and is connected between the gain adjustment unit and the addition unit, The correction voltage generated by the gain adjustment unit is added to the addition signal by switching to an ON state at a timing when an externally applied control signal changes from a first potential to a second potential that is higher than the first potential. Outputting the correction voltage to the adding unit by switching to an off state at a timing when the time indicated by the correction time data stored in the storage unit has elapsed. and a limit switch unit, the control signal, in response to the electronic device the oscillator is mounted is shifted to the operating state, from said first potential first Changes of potential.

また、本発明の一態様による発振器は、前記ゲインデータ及び前記補正時間データは、前記制御信号が前記第1の電位から前記第2の電位に変化するタイミングから、前記補正時間データが示す時間が経過するまで、前記出力信号の発振周波数を一定に維持する程度の前記補正電圧を生成するように選定された。   Further, in the oscillator according to one aspect of the present invention, the gain data and the correction time data are obtained from a timing at which the control signal changes from the first potential to the second potential. The correction voltage is selected so as to maintain a constant oscillation frequency of the output signal until the time has elapsed.

本発明の発振器によれば、発振器の周囲の温度が急激に変化しても、出力信号の発振周波数が変動することを抑制することができる。   According to the oscillator of the present invention, it is possible to suppress fluctuations in the oscillation frequency of the output signal even if the temperature around the oscillator changes rapidly.

また、本発明の発振器によれば、発振器が搭載される電子機器が動作状態に遷移するタイミングを正確に検出することができる。   Further, according to the oscillator of the present invention, it is possible to accurately detect the timing at which an electronic device in which the oscillator is mounted transitions to an operating state.

また、本発明の発振器によれば、一定の発振周波数を有する出力信号を出力し続けることができる。   Further, according to the oscillator of the present invention, it is possible to continue outputting an output signal having a constant oscillation frequency.

本発明の実施の形態による発振器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the oscillator by embodiment of this invention. 同発振器におけるタイミングチャートである。It is a timing chart in the same oscillator. 従来の発振器の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the conventional oscillator.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1に、本発明の実施の形態による発振器100の構成を示し、図2に、発振器100におけるタイミングチャートの一例を示す。この発振器100は、例えば携帯電話機などの電子機器に搭載され、当該携帯電話機において要求される発振周波数を有する出力信号Foutを生成し出力する。かかる携帯電話機は、発振器100から出力される出力信号Foutをクロック信号として使用することにより、内蔵する各種回路の動作を制御する。   FIG. 1 shows a configuration of an oscillator 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows an example of a timing chart in the oscillator 100. The oscillator 100 is mounted on an electronic device such as a mobile phone, for example, and generates and outputs an output signal Fout having an oscillation frequency required for the mobile phone. Such a cellular phone uses the output signal Fout output from the oscillator 100 as a clock signal, thereby controlling the operation of various built-in circuits.

この発振器100は、圧電素子としての水晶振動子X100と、当該水晶振動子X100と電気的に接続されたICチップ200とを有し、所望の発振周波数を有する出力信号Foutを生成する。なお、本実施の形態の場合、圧電素子として水晶振動子X100を使用したが、例えば圧電セラミックなど、他の種々の圧電素子を使用することができる。   The oscillator 100 includes a crystal resonator X100 as a piezoelectric element and an IC chip 200 electrically connected to the crystal resonator X100, and generates an output signal Fout having a desired oscillation frequency. In the present embodiment, the crystal resonator X100 is used as the piezoelectric element, but various other piezoelectric elements such as a piezoelectric ceramic can be used.

ICチップ200は、水晶振動子X100に接続された水晶発振回路300と、水晶振動子X100の周波数温度特性を補償するための補償電圧を生成する温度補償回路400と、温度補償回路400によって生成された補償電圧を補正するための補正電圧を発生する補正電圧発生回路500と、補償電圧と補正電圧とを加算するための加算回路600とを有する。   The IC chip 200 is generated by a crystal oscillation circuit 300 connected to the crystal resonator X100, a temperature compensation circuit 400 that generates a compensation voltage for compensating the frequency temperature characteristics of the crystal resonator X100, and the temperature compensation circuit 400. A correction voltage generation circuit 500 that generates a correction voltage for correcting the compensation voltage, and an addition circuit 600 that adds the compensation voltage and the correction voltage.

より具体的には、水晶振動子X100の一端は、水晶発振回路300のうち、帰還抵抗としての抵抗R100の一端に接続されると共に、インバータINV100の入力端子に接続されている。また、水晶振動子X100の一端と、グランドGNDとの間には、可変コンデンサC100が接続されている。   More specifically, one end of the crystal unit X100 is connected to one end of a resistor R100 as a feedback resistor in the crystal oscillation circuit 300, and is also connected to an input terminal of the inverter INV100. A variable capacitor C100 is connected between one end of the crystal unit X100 and the ground GND.

一方、水晶振動子X100の他端は、水晶発振回路300のうち、抵抗R100の他端に接続されると共に、インバータINV100の出力端子に接続されている。また、水晶振動子X100の他端と、グランドGNDとの間には、可変コンデンサC200が接続されている。   On the other hand, the other end of the crystal unit X100 is connected to the other end of the resistor R100 in the crystal oscillation circuit 300 and to the output terminal of the inverter INV100. Further, a variable capacitor C200 is connected between the other end of the crystal unit X100 and the ground GND.

可変コンデンサC100及びC200は、印加される電圧に応じて、出力信号Foutの発振周波数を調整するための可変容量素子として動作する。なお、この場合、可変コンデンサC100及びC200ではなく、可変容量ダイオードを使用しても良い。   The variable capacitors C100 and C200 operate as a variable capacitance element for adjusting the oscillation frequency of the output signal Fout according to the applied voltage. In this case, a variable capacitance diode may be used instead of the variable capacitors C100 and C200.

インバータINV100の出力端子には、バッファとしてのインバータINV200の入力端子が接続され、当該インバータINV200の出力端子から、所望の発振周波数を有する出力信号Foutが出力される。   The output terminal of the inverter INV100 is connected to the input terminal of the inverter INV200 as a buffer, and an output signal Fout having a desired oscillation frequency is output from the output terminal of the inverter INV200.

このように、水晶発振回路300は、発振部に対応し、水晶振動子X100に接続され、当該水晶振動子X100とグランドとの間に接続された可変コンデンサC100及びC200を有し、所望の発振周波数を有する出力信号Foutを生成し出力する。   As described above, the crystal oscillation circuit 300 corresponds to the oscillation unit, is connected to the crystal resonator X100, has the variable capacitors C100 and C200 connected between the crystal resonator X100 and the ground, and has a desired oscillation. An output signal Fout having a frequency is generated and output.

温度補償回路400は、温度の変化にかかわらず、一定の発振周波数を有する出力信号Foutを発振器100から出力させるため、水晶振動子X100の周波数温度特性を補償するための回路である。   The temperature compensation circuit 400 is a circuit for compensating the frequency temperature characteristic of the crystal unit X100 in order to output the output signal Fout having a constant oscillation frequency from the oscillator 100 regardless of the change in temperature.

具体的には、温度補償回路400は、水晶振動子X100の周囲の温度を測定するための温度センサを有し、当該温度センサによって得られた温度に基づいて、所望の補償電圧を生成する。   Specifically, the temperature compensation circuit 400 includes a temperature sensor for measuring the temperature around the crystal unit X100, and generates a desired compensation voltage based on the temperature obtained by the temperature sensor.

そして温度補償回路400は、通常時には、この補償電圧を加算回路600を介して可変コンデンサC100及びC200に印加し、これら可変コンデンサC100及びC200の容量を変化させることにより、出力信号Foutの発振周波数を調整して温度補償を行う。   The temperature compensation circuit 400 normally applies this compensation voltage to the variable capacitors C100 and C200 via the adder circuit 600, and changes the capacitance of the variable capacitors C100 and C200, thereby changing the oscillation frequency of the output signal Fout. Adjust to compensate for temperature.

すなわち、温度補償回路400は、温度補償部に対応し、可変コンデンサC100及びC200の容量を変化させるための補償電圧を生成する。   That is, the temperature compensation circuit 400 corresponds to the temperature compensation unit, and generates a compensation voltage for changing the capacitances of the variable capacitors C100 and C200.

このようにして、発振器100は、所望の発振周波数を有する出力信号Foutを生成し、外部に出力する。   In this way, the oscillator 100 generates an output signal Fout having a desired oscillation frequency and outputs it to the outside.

ところで、携帯電話機は、一定の時間間隔毎に、GPS衛星から送信される電波を受信して測位情報を取得することにより、当該携帯電話機の現在位置を算出するようになされており、間欠的に動作する(図2(a))。   By the way, the mobile phone is configured to calculate the current position of the mobile phone by receiving radio waves transmitted from GPS satellites and acquiring positioning information at regular time intervals. It operates (FIG. 2 (a)).

すなわち、携帯電話機は、測位情報を取得して現在位置を算出する動作状態(時点t20〜t40)と、測位情報の取得を停止する待機状態(時点t40〜t60)とを交互に順次繰り返す。   That is, the mobile phone alternately repeats an operation state (time t20 to t40) in which the positioning information is acquired and the current position is calculated, and a standby state (time t40 to t60) in which the positioning information acquisition is stopped.

この携帯電話機に搭載される発振器100は、消費電流を低減するため、当該携帯電話機が間欠的に動作することに対応して、一定の時間間隔毎に、所望の発振周波数を有する出力信号Fout(図2(c))を出力する。   In order to reduce current consumption, the oscillator 100 mounted on the cellular phone corresponds to the intermittent operation of the cellular phone, and outputs an output signal Fout () having a desired oscillation frequency at regular time intervals. FIG. 2 (c)) is output.

すなわち、発振器100は、所望の発振周波数を有する出力信号Foutを出力するオン状態(時点t10〜t40)と、当該出力信号Foutを出力することを停止するオフ状態(時点t40〜t50)とを交互に順次繰り返す。   That is, the oscillator 100 alternates between an on state (time t10 to t40) in which the output signal Fout having a desired oscillation frequency is output and an off state (time t40 to t50) in which the output signal Fout is stopped. Repeat in order.

なお、発振器100がオン状態に切り換えられたタイミングから、出力信号Fout(図2(c))の発振周波数が安定状態に遷移するまでには、一定の時間を要する。このため、発振器100は、携帯電話機が動作状態に遷移するタイミング(時点t20)より早いタイミング(時点t10)で、オン状態に切り換えられる。   It should be noted that a certain time is required from the timing when the oscillator 100 is switched to the ON state until the oscillation frequency of the output signal Fout (FIG. 2C) transitions to the stable state. Therefore, the oscillator 100 is switched to the on state at a timing (time t10) earlier than the timing (time t20) at which the mobile phone transitions to the operation state.

本実施の形態の場合、携帯電話機に搭載される電子部品のうち、測位を実行する際に使用される、例えばパワーアンプなどの熱を発生する電子部品は、携帯電話機が動作状態に遷移するタイミング(時点t20)で、オン状態になって起動し、その後、携帯電話機が待機状態に遷移するタイミング(時点t40)で、オフ状態になる。   In the case of the present embodiment, among electronic components mounted on a mobile phone, an electronic component that generates heat, such as a power amplifier, used when performing positioning, is a timing at which the mobile phone transitions to an operating state. At (time t20), the mobile phone is turned on and activated, and then turned off at the timing (time t40) when the mobile phone transitions to the standby state.

すなわち、発振器100が、所望の発振周波数を有する出力信号Fout(図2(c))を出力している状態において、発振器100の近傍に配置されたパワーアンプが起動することにより熱を発生すると、発振器100の周囲の温度が、急激に変化し上昇する。   That is, when the oscillator 100 outputs an output signal Fout having a desired oscillation frequency (FIG. 2C), heat is generated by starting a power amplifier disposed in the vicinity of the oscillator 100. The temperature around the oscillator 100 rapidly changes and rises.

ところで、発振器100は、水晶振動子X100と、温度センサを有する温度補償回路400が形成されたICチップ200とによって構成され、水晶振動子X100及びICチップ200は、これらを搭載する基板や容器の形状に応じて、所定の距離だけ離間するようにして配置される。   By the way, the oscillator 100 includes a crystal resonator X100 and an IC chip 200 on which a temperature compensation circuit 400 having a temperature sensor is formed. The crystal resonator X100 and the IC chip 200 are provided on a substrate or a container on which these are mounted. According to the shape, they are arranged so as to be separated by a predetermined distance.

このため、水晶振動子X100及びICチップ200には、パワーアンプから発せられた熱が、それぞれ異なるタイミングで到達する。このようにして、パワーアンプの起動直後に発生する急激な温度変化は、水晶振動子X100の周囲と、ICチップ200の周囲との間に温度差が発生することを引き起こす。その後、水晶振動子X100の周囲と、ICチップ200の周囲との間に発生した温度差がなくなるまでには、一定の時間を要する。   For this reason, the heat generated from the power amplifier reaches the crystal unit X100 and the IC chip 200 at different timings. Thus, the rapid temperature change that occurs immediately after the power amplifier is started causes a temperature difference to occur between the periphery of the crystal unit X100 and the periphery of the IC chip 200. After that, a certain time is required until the temperature difference generated between the periphery of the crystal unit X100 and the periphery of the IC chip 200 disappears.

従って、パワーアンプの起動直後であって、水晶振動子X100の周囲と、ICチップ200の周囲との間に温度差が発生している間には(時点t20〜t30)、ICチップ200の内部に形成された温度補償回路400は、水晶振動子X100の周囲の温度を正しく測定することができない。   Therefore, immediately after the activation of the power amplifier, while the temperature difference is generated between the periphery of the crystal unit X100 and the periphery of the IC chip 200 (time t20 to t30), the inside of the IC chip 200 The temperature compensation circuit 400 formed in (1) cannot correctly measure the temperature around the crystal unit X100.

これにより、温度補償回路400が、水晶振動子X100の周波数温度特性を補償することができず、発振器100から出力される出力信号Fout(図2(c))の発振周波数が変動するいわゆる周波数ドリフトDが発生する。   As a result, the temperature compensation circuit 400 cannot compensate the frequency temperature characteristic of the crystal unit X100, and the so-called frequency drift in which the oscillation frequency of the output signal Fout (FIG. 2C) output from the oscillator 100 fluctuates. D is generated.

本実施の形態の場合、発振器100を製造する製造工程において、実際に発振器100を携帯電話機に搭載して動作させることにより、発振器100から出力される出力信号Fout(図2(c))の発振周波数をチェックするためのテストを実行する。   In the case of the present embodiment, in the manufacturing process for manufacturing the oscillator 100, the oscillator 100 is actually mounted on the mobile phone and operated, whereby the oscillation of the output signal Fout (FIG. 2 (c)) output from the oscillator 100 is performed. Run a test to check the frequency.

これにより、周波数ドリフトDが発生している時間T(時点t20〜t30)を測定すると共に、出力信号Fout(図2(c))の発振周波数が変動することなく一定になるように、温度補償回路400によって生成された補償電圧を補正するための補正電圧を発生させる際に使用されるゲインGを算出する。   As a result, the time T (time t20 to t30) during which the frequency drift D is generated is measured, and the temperature compensation is performed so that the oscillation frequency of the output signal Fout (FIG. 2C) remains constant without fluctuation. A gain G used to generate a correction voltage for correcting the compensation voltage generated by the circuit 400 is calculated.

このようにして得られた時間Tは、補正時間データとして、補正電圧発生回路500のメモリ700に記憶されると共に、ゲインGは、ゲインデータとして、メモリ700に記憶される。   The time T thus obtained is stored as correction time data in the memory 700 of the correction voltage generation circuit 500, and the gain G is stored in the memory 700 as gain data.

すなわち、メモリ700は、記憶部に対応し、補償電圧を補正するための補正電圧を生成する際に使用されるゲインデータと、補償電圧を補正する時間を示す補正時間データとを予め記憶する。   That is, the memory 700 corresponds to the storage unit, and stores in advance gain data used when generating a correction voltage for correcting the compensation voltage and correction time data indicating a time for correcting the compensation voltage.

その後、発振器100は、製造工程が終了し出荷されると、携帯電話機に搭載され使用される。   Thereafter, the oscillator 100 is mounted and used in a mobile phone when the manufacturing process is completed and shipped.

すなわち、発振器100が、所定のタイミング(時点t10)で、オン状態になると、水晶発振回路300及び温度補償回路400が動作状態となって、所望の発振周波数を有する出力信号Fout(図2(c))を出力する。   That is, when the oscillator 100 is turned on at a predetermined timing (time point t10), the crystal oscillation circuit 300 and the temperature compensation circuit 400 are activated, and the output signal Fout having a desired oscillation frequency (FIG. 2 (c) )) Is output.

一方、補正電圧発生回路500の電圧発生回路800は、所定の電圧を発生し、これをゲイン調整回路900に出力する。ゲイン調整回路900は、例えばオペアンプなどからなり、メモリ700に記憶されているゲインデータに基づいて、電圧発生回路800から与えられた電圧を調整することにより、補正電圧を生成し、これをスイッチSWに出力する。   On the other hand, the voltage generation circuit 800 of the correction voltage generation circuit 500 generates a predetermined voltage and outputs it to the gain adjustment circuit 900. The gain adjustment circuit 900 is composed of, for example, an operational amplifier, and generates a correction voltage by adjusting the voltage supplied from the voltage generation circuit 800 based on the gain data stored in the memory 700. Output to.

すなわち、ゲイン調整回路900は、ゲイン調整部に対応し、メモリ700に記憶されているゲインデータに基づいて、ゲインを調整しながら、所望の電圧レベルを有する補正電圧を生成する。   That is, the gain adjustment circuit 900 corresponds to the gain adjustment unit, and generates a correction voltage having a desired voltage level while adjusting the gain based on the gain data stored in the memory 700.

ところで、発振器100には、携帯電話機が間欠的に動作することに対応して、信号レベルが変化する間欠信号SI(図2(a))が、外部(携帯電話機に搭載される他の信号処理回路)から与えられ、この間欠信号SIは、補正電圧発生回路500のスイッチ制御回路1000に入力される。   By the way, the oscillator 100 receives an intermittent signal SI (FIG. 2 (a)) whose signal level changes corresponding to the intermittent operation of the mobile phone. The intermittent signal SI is input to the switch control circuit 1000 of the correction voltage generation circuit 500.

スイッチ制御回路1000は、例えばフリップフロップなどからなり、与えられた間欠信号SI(図2(a))と、メモリ700に記憶されている補正時間データとに基づいて、スイッチSWの接続状態を切り換えるための回路である。   The switch control circuit 1000 includes, for example, a flip-flop, and switches the connection state of the switch SW based on the given intermittent signal SI (FIG. 2A) and the correction time data stored in the memory 700. It is a circuit for.

スイッチ制御回路1000は、間欠信号SI(図2(a))が“L”レベルを維持している場合には(時点t10〜t20)、スイッチSWをオフ状態にすることにより、補正電圧VC(図2(b))が加算回路600に与えられることを制限する。   When the intermittent signal SI (FIG. 2A) is maintained at the “L” level (time t10 to t20), the switch control circuit 1000 turns off the switch SW, thereby correcting the correction voltage VC ( 2B is limited to the addition circuit 600.

この状態において、間欠信号SI(図2(a))が“L”レベルから“H”レベルに変化すると(時点t20)、スイッチ制御回路1000は、スイッチSWをオン状態にし、その後、補正時間データが示す時間Tの間(時点t20〜t30)、スイッチSWをオン状態に維持する。   In this state, when the intermittent signal SI (FIG. 2A) changes from the “L” level to the “H” level (time t20), the switch control circuit 1000 turns on the switch SW, and then the correction time data. The switch SW is maintained in the ON state for the time T indicated by (time t20 to t30).

この場合、ゲイン調整回路900は、メモリ700に記憶されているゲインデータに基づいて、電圧発生回路800から与えられた電圧を調整しながら、補正電圧VC(図2(b))を生成し、これをスイッチSWを介して加算回路600に出力する(時点t20〜t30)。   In this case, the gain adjustment circuit 900 generates the correction voltage VC (FIG. 2B) while adjusting the voltage applied from the voltage generation circuit 800 based on the gain data stored in the memory 700, This is output to the adder circuit 600 via the switch SW (time t20 to t30).

加算回路600は、温度補償回路400によって生成された補償電圧と、補正電圧発生回路500によって生成された補正電圧とを加算することにより、補償電圧を補正する。そして、加算回路600は、得られた補償電圧を、時間Tの間(時点t20〜t30)、可変コンデンサC100及びC200に印加し、これら可変コンデンサC100及びC200の容量を変化させることにより、一定の発振周波数を有する出力信号Fout(図2(c))を出力することを維持する。   The adder circuit 600 corrects the compensation voltage by adding the compensation voltage generated by the temperature compensation circuit 400 and the correction voltage generated by the correction voltage generation circuit 500. Then, the adding circuit 600 applies the obtained compensation voltage to the variable capacitors C100 and C200 during the time T (time t20 to t30), and changes the capacitance of these variable capacitors C100 and C200, thereby making the constant voltage constant. The output signal Fout having the oscillation frequency (FIG. 2C) is maintained to be output.

このように、間欠信号SI(図2(a))が“L”レベルから“H”レベルに変化したタイミング(時点t20)、すなわち携帯電話機が動作状態に遷移し、パワーアンプが起動したタイミングから、水晶振動子X100の周囲と、ICチップ200の周囲との間に温度差が発生している時間Tの間(時点t20〜t30)には、補正された補償電圧が、可変コンデンサC100及びC200に印加される。   As described above, from the timing when the intermittent signal SI (FIG. 2A) changes from the “L” level to the “H” level (time t20), that is, from the timing when the mobile phone transitions to the operating state and the power amplifier is activated. During the time T (time point t20 to t30) in which a temperature difference is generated between the periphery of the crystal unit X100 and the periphery of the IC chip 200, the corrected compensation voltage is changed to the variable capacitors C100 and C200. To be applied.

すなわち、加算回路600は、加算部に対応し、温度補償回路400によって生成された補償電圧に、ゲイン調整回路900によって生成された補正電圧を、必要に応じて加算することにより、補償電圧を補正し、当該補正された補償電圧を可変コンデンサC100及びC200に印加する。   That is, the adder circuit 600 corresponds to the adder, and corrects the compensation voltage by adding the compensation voltage generated by the gain adjustment circuit 900 to the compensation voltage generated by the temperature compensation circuit 400 as necessary. Then, the corrected compensation voltage is applied to the variable capacitors C100 and C200.

その後、時間Tが経過し、水晶振動子X100の周囲と、ICチップ200の周囲との間に発生した温度差がなくなるタイミング(時点t30)で、スイッチ制御回路1000は、スイッチSWをオフ状態にすることにより、補正電圧VC(図2(b))を加算回路600に与えることを制限する。これにより、温度補償回路400によって生成された補償電圧が、可変コンデンサC100及びC200に印加される。   Thereafter, at a timing (time t30) when the time T elapses and the temperature difference generated between the periphery of the crystal unit X100 and the periphery of the IC chip 200 disappears, the switch control circuit 1000 turns off the switch SW. By doing so, it is limited that the correction voltage VC (FIG. 2B) is supplied to the adder circuit 600. As a result, the compensation voltage generated by the temperature compensation circuit 400 is applied to the variable capacitors C100 and C200.

この状態において、発振器100は、携帯電話機が待機状態に遷移するタイミング(時点t40)で、オフ状態に切り換えられ、これ以降、上述の動作を順次繰り返す。   In this state, the oscillator 100 is switched to the off state at a timing (time t40) when the mobile phone transitions to the standby state, and thereafter, the above-described operation is sequentially repeated.

このように、スイッチ制御回路1000と共にスイッチ部を形成するスイッチSWは、ゲイン調整回路900と加算回路600との間に接続され、外部から与えられる制御信号としての間欠信号SI(図2(a))が“L”レベルに対応する第1の電位から第1の電位より高い“H”レベルに対応する第2の電位に変化するタイミング(時点t20)で、オン状態に切り換えることにより、ゲイン調整回路900によって生成された補正電圧VC(図2(b))を加算回路600に出力して加算させ、その後、メモリ700に記憶されている補正時間データが示す時間Tが経過したタイミング(時点t30)で、オフ状態に切り換えることにより、補正電圧VC(図2(b))を加算回路600に出力することを制限する。   In this way, the switch SW that forms a switch unit together with the switch control circuit 1000 is connected between the gain adjustment circuit 900 and the addition circuit 600, and is an intermittent signal SI (FIG. 2A) as a control signal given from the outside. ) Is switched to the ON state at a timing (time t20) when the first potential corresponding to the “L” level changes from the first potential corresponding to the “L” level to the second potential corresponding to the “H” level higher than the first potential. The correction voltage VC (FIG. 2B) generated by the circuit 900 is output to the addition circuit 600 for addition, and then the timing at which the time T indicated by the correction time data stored in the memory 700 has elapsed (time point t30). ), The output of the correction voltage VC (FIG. 2B) to the adder circuit 600 is restricted by switching to the OFF state.

なお、制御信号としての間欠信号SI(図2(a))は、発振器100が搭載される携帯電話機が動作状態に遷移することに対応して、“L”レベルから“H”レベルに変化する(時点t20)。   Note that the intermittent signal SI (FIG. 2A) as the control signal changes from the “L” level to the “H” level in response to the transition of the mobile phone on which the oscillator 100 is mounted to the operating state. (Time t20).

また、ゲインデータ及び補正時間データは、間欠信号が“L”レベルから“H”レベルに変化するタイミングから、補正時間データが示す時間Tが経過するまで、出力信号Foutの発振周波数を一定に維持する程度の補正電圧VC(図2(b))を生成するように選定されている。   Further, the gain data and the correction time data keep the oscillation frequency of the output signal Fout constant from the timing when the intermittent signal changes from the “L” level to the “H” level until the time T indicated by the correction time data elapses. The correction voltage VC is selected so as to generate the correction voltage VC (FIG. 2B).

このように本実施の形態によれば、発振器100の周囲の温度が急激に変化しても、出力信号Foutの発振周波数が変動することを抑制することができ、従って一定の発振周波数を有する出力信号Foutを出力し続けることができる。   As described above, according to the present embodiment, even when the ambient temperature of the oscillator 100 changes rapidly, it is possible to suppress the fluctuation of the oscillation frequency of the output signal Fout, and accordingly, an output having a constant oscillation frequency. The signal Fout can be continuously output.

これにより、かかる発振器100を携帯電話機に搭載すれば、測位ミスや、測位時間の遅延が発生することを防止することができ、従って正確な測位を行うことができる。   As a result, if such an oscillator 100 is mounted on a mobile phone, it is possible to prevent positioning errors and positioning time delays from occurring, and therefore accurate positioning can be performed.

なお上述の実施の形態は一例であって、本発明を限定するものではない。例えば、水晶振動子X100及び可変コンデンサC200の接続点と、水晶振動子X100の他端との間に、抵抗を接続しても良い。また、水晶振動子X100の他端、可変コンデンサC200の一端、抵抗R100の他端、インバータINV100の出力端子を接続するための接続線のうち、当該接続線及び水晶振動子X100の接続点と、当該接続線及び抵抗R100の接続点との間に、抵抗を接続しても良い。   The above-described embodiment is an example and does not limit the present invention. For example, a resistor may be connected between the connection point of the crystal unit X100 and the variable capacitor C200 and the other end of the crystal unit X100. Of the connection lines for connecting the other end of the crystal unit X100, one end of the variable capacitor C200, the other end of the resistor R100, and the output terminal of the inverter INV100, the connection line and the connection point of the crystal unit X100, A resistor may be connected between the connection line and the connection point of the resistor R100.

また上述の実施の形態においては、携帯電話機に発振器100を搭載する場合について述べたが、例えばGPS機能を有するナビゲーション装置など、他の種々の電子機器に発振器100を搭載するようにしても良い。   In the above-described embodiment, the case where the oscillator 100 is mounted on the mobile phone has been described. However, the oscillator 100 may be mounted on various other electronic devices such as a navigation device having a GPS function.

10、100 発振器
20、200 ICチップ
30、300 水晶発振回路
40、400 温度補償回路
500 補正電圧発生回路
600 加算回路
700 メモリ
800 電圧発生回路
900 ゲイン調整回路
1000 スイッチ制御回路
X10、X100 水晶振動子
R10、R100 抵抗
C10、C20、C100、C200 可変コンデンサ
INV10、INV20、INV100、INV200 インバータ
SW スイッチ
10, 100 Oscillator 20, 200 IC chip 30, 300 Crystal oscillation circuit 40, 400 Temperature compensation circuit 500 Correction voltage generation circuit 600 Addition circuit 700 Memory 800 Voltage generation circuit 900 Gain adjustment circuit 1000 Switch control circuit X10, X100 Crystal resonator R10 , R100 Resistors C10, C20, C100, C200 Variable capacitors INV10, INV20, INV100, INV200 Inverter SW switch

Claims (2)

圧電素子と、
前記圧電素子に接続され、前記圧電素子とグランドとの間に接続された可変容量素子を有し、所望の発振周波数を有する出力信号を生成し出力する発振部と、
前記可変容量素子の容量を変化させるための補償電圧を生成する温度補償部と、
前記補償電圧を補正するための補正電圧を生成する際に使用されるゲインデータと、補正前の前記出力信号に発生している周波数ドリフトの時間を示す補正時間データとを予め記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶されている前記ゲインデータに基づいて、ゲインを調整しながら、所望の電圧レベルを有する前記補正電圧を生成するゲイン調整部と、
前記温度補償部によって生成された前記補償電圧に、前記ゲイン調整部によって生成された前記補正電圧を、必要に応じて加算することにより、前記補償電圧を補正し、当該補正された前記補償電圧を前記可変容量素子に印加する加算部と、
前記ゲイン調整部と前記加算部との間に接続され、外部から与えられる制御信号が第1の電位から前記第1の電位より高い第2の電位に変化するタイミングで、オン状態に切り換えることにより、前記ゲイン調整部によって生成された前記補正電圧を前記加算部に出力して加算させ、その後、前記記憶部に記憶されている前記補正時間データが示す時間が経過したタイミングで、オフ状態に切り換えることにより、前記補正電圧を前記加算部に出力することを制限するスイッチ部と
を備え
前記制御信号は、
前記発振器が搭載される電子機器が動作状態に遷移することに対応して、前記第1の電位から前記第2の電位に変化する
ことを特徴とする発振器。
A piezoelectric element;
An oscillation unit connected to the piezoelectric element, having a variable capacitance element connected between the piezoelectric element and a ground, and generating and outputting an output signal having a desired oscillation frequency;
A temperature compensation unit for generating a compensation voltage for changing the capacitance of the variable capacitance element;
A storage unit for preliminarily storing gain data used when generating a correction voltage for correcting the compensation voltage, and correction time data indicating a time of frequency drift occurring in the output signal before correction; ,
A gain adjusting unit that generates the correction voltage having a desired voltage level while adjusting the gain based on the gain data stored in the storage unit;
The correction voltage generated by the gain adjustment unit is added to the compensation voltage generated by the temperature compensation unit as necessary to correct the compensation voltage, and the corrected compensation voltage is An adding unit applied to the variable capacitance element;
By switching to an ON state at a timing when a control signal supplied from outside is connected between the gain adjustment unit and the addition unit and changes from a first potential to a second potential higher than the first potential. The correction voltage generated by the gain adjustment unit is output to the addition unit for addition, and then switched to the off state at the timing when the time indicated by the correction time data stored in the storage unit has elapsed. And a switch unit that restricts output of the correction voltage to the adder unit, and
The control signal is
The oscillator that changes from the first potential to the second potential in response to a transition of an electronic device in which the oscillator is mounted to an operating state .
前記ゲインデータ及び前記補正時間データは、
前記制御信号が前記第1の電位から前記第2の電位に変化するタイミングから、前記補正時間データが示す時間が経過するまで、前記出力信号の発振周波数を一定に維持する程度の前記補正電圧を生成するように選定された
ことを特徴とする請求項1に記載の発振器。
The gain data and the correction time data are
The correction voltage is such that the oscillation frequency of the output signal is kept constant until the time indicated by the correction time data elapses from the timing when the control signal changes from the first potential to the second potential. The oscillator according to claim 1, wherein the oscillator is selected to generate .
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