JP5287763B2 - Sensor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensor device, capable of securing parallelism between a package and a sensor chip, even if the sensor chip having a movable electrode is mounted onto the package with an adhesive agent, and capable of preventing degradation of a stress shutoff capability of the adhesive agent, and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The adhesive agent 20 formed with a silicone resin for adhering a ceramic package 2 and a circuit chip 3 contains a plurality of first adhesive agents 21 formed at the same height as spacers keeping a constant distance between the ceramic package 2 and the circuit chip 3, and a second adhesive agent 22 disposed in a gap between the ceramic package 2 and the circuit chip 3 formed by the first adhesive agents 21 and adhering the ceramic package 2 and the circuit chip 3. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、パッケージにセンサチップが実装されたセンサ装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a sensor device in which a sensor chip is mounted on a package and a manufacturing method thereof.

従来より、加速度を検出するための固定電極と可動電極とを備えたセンサチップが接着剤を介してパッケージに実装されてなる加速度センサ装置が、例えば特許文献１で提案されている。   Conventionally, for example, Patent Document 1 proposes an acceleration sensor device in which a sensor chip including a fixed electrode and a movable electrode for detecting acceleration is mounted on a package via an adhesive.

センサチップは、半導体基板に可動電極と固定電極とが形成され、加速度が印加されたときに可動電極が固定電極に対して移動することで、両電極間の容量変化に基づいて加速度が検出されるように構成されている。固定電極に対して可動電極が変位する方向が加速度の検出軸方向である。   In a sensor chip, a movable electrode and a fixed electrode are formed on a semiconductor substrate, and when the acceleration is applied, the movable electrode moves relative to the fixed electrode, so that the acceleration is detected based on a change in capacitance between the two electrodes. It is comprised so that. The direction in which the movable electrode is displaced with respect to the fixed electrode is the acceleration detection axis direction.

そして、特許文献１では、センサチップが固定された回路チップとパッケージとの間に介在する接着剤の配置パターンが、検出軸方向よりも検出軸方向と直交する方向の方が長くなっている。このように、接着剤の配置パターンを工夫することで、センサチップにおいて温度による出力値の変動を抑制している。   In Patent Document 1, the arrangement pattern of the adhesive interposed between the circuit chip to which the sensor chip is fixed and the package is longer in the direction orthogonal to the detection axis direction than in the detection axis direction. Thus, by devising the arrangement pattern of the adhesive, fluctuations in the output value due to temperature in the sensor chip are suppressed.

特開２００６−２２０４５３号公報JP 2006-220453 A

しかしながら、上記従来の技術では、パッケージに外乱応力が加わると、この外乱応力が接着剤および回路チップを介してセンサチップに伝達されてしまい、センサチップの検出精度が低下してしまうという問題がある。   However, in the above conventional technique, when a disturbance stress is applied to the package, the disturbance stress is transmitted to the sensor chip via the adhesive and the circuit chip, and there is a problem that the detection accuracy of the sensor chip is lowered. .

そこで、接着剤として低弾性のペーストを用いることで外乱応力を遮断する方法が考えられる。しかし、ペーストはフィルムのように厚さが一定ではないため、ペーストの厚さの保持やセンサチップの傾きを防止するために硬質樹脂等のスペーサをペーストに混入する必要がある。   Therefore, a method of blocking disturbance stress by using a low-elasticity paste as an adhesive can be considered. However, since the thickness of the paste is not constant like a film, it is necessary to mix a spacer such as a hard resin in the paste in order to maintain the thickness of the paste and prevent tilting of the sensor chip.

具体的には、図５に示されるように、センサ装置３０は、回路チップ３１の上にフィルム状の接着剤３２を介してセンサチップ３３が固定され、回路チップ３１が硬質樹脂ビーズ等のスペーサ３４が混入されたペースト３５を介してパッケージ３６に接着固定されて構成されている。このようなスペーサ３４は例えば数ＧＰａの高弾性率であると共に硬いため、例えば数ＭＰａの低弾性率であるペースト３５の応力遮断能力が低下する問題があった。   Specifically, as shown in FIG. 5, in the sensor device 30, the sensor chip 33 is fixed on the circuit chip 31 via a film adhesive 32, and the circuit chip 31 is a spacer such as a hard resin bead. 34 is bonded and fixed to the package 36 via a paste 35 mixed with the paste. Since such a spacer 34 has a high elastic modulus of several GPa and is hard, for example, there is a problem that the stress blocking ability of the paste 35 having a low elastic modulus of several MPa, for example, is lowered.

このように、パッケージ３６と回路チップ３１との間に硬いスペーサ３４が介在すると、セラミック等で形成されたパッケージ３６と半導体材料で形成された回路チップ３１との熱膨張係数が異なることにより、パッケージ３６の応力がスペーサ３４を介して回路チップ３１やセンサチップ３３に伝達してしまう。実際に、発明者らは、センサ装置３０の温度を変化させたときの２５℃のセンサチップ３３の出力に対する出力誤差（Ｇ）を調べた。その結果を図６に示す。この図に示されるように、センサ装置３０がさらされる温度が高温または低温になると、センサチップ３３に加速度を与えていないときの出力に大きな誤差が生じている。すなわち、センサ装置３０の温度に応じてパッケージ３６からスペーサ３４を介して回路チップ３１およびセンサチップ３３に熱膨張係数の差に基づく応力が伝達したことによりセンサチップ３３の出力に影響が出てしまっている。   As described above, when the hard spacer 34 is interposed between the package 36 and the circuit chip 31, the package 36 formed of ceramic or the like and the circuit chip 31 formed of a semiconductor material have different thermal expansion coefficients. The stress of 36 is transmitted to the circuit chip 31 and the sensor chip 33 through the spacer 34. Actually, the inventors examined the output error (G) with respect to the output of the sensor chip 33 at 25 ° C. when the temperature of the sensor device 30 was changed. The result is shown in FIG. As shown in this figure, when the temperature to which the sensor device 30 is exposed becomes high or low, a large error occurs in the output when the sensor chip 33 is not accelerated. That is, the stress based on the difference in thermal expansion coefficient is transmitted from the package 36 to the circuit chip 31 and the sensor chip 33 via the spacer 34 according to the temperature of the sensor device 30, thereby affecting the output of the sensor chip 33. ing.

したがって、スペーサ３４を用いずに接着することが考えられるが、パッケージ３６に対してセンサチップ３３が傾いてしまう可能性があり、パッケージ３６とセンサチップ３３との平行度を確保することが困難になってしまう。この解決策として、例えば特開２００９−１２８１２１号公報では、ペーストにスペーサを混入させるものの、ペーストの塗布位置を工夫することにより応力遮断能力が低下しないようにする方法が提案されている。しかし、ペーストの位置や量の制御の手間がかかり製造コストが高くなる問題があった。また、硬いスペーサを用いることにかわりはなく、ペーストの応力遮断能力の低下を阻止できるとまでは言えない。   Therefore, although it is conceivable to bond without using the spacer 34, the sensor chip 33 may be inclined with respect to the package 36, and it is difficult to ensure parallelism between the package 36 and the sensor chip 33. turn into. As a solution to this problem, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-128121 proposes a method in which a spacer is mixed in the paste, but the stress blocking ability is not lowered by devising the paste application position. However, there is a problem in that it takes time and effort to control the position and amount of the paste, which increases the manufacturing cost. In addition, there is no substitute for using a hard spacer, and it cannot be said that a reduction in the stress shielding ability of the paste can be prevented.

本発明は上記点に鑑み、可動電極を有するセンサチップを接着剤を介してパッケージに実装したとしても、パッケージとセンサチップとの平行度を確保しつつ、接着剤の応力遮断能力が低下しないようにすることができるセンサ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above points, the present invention ensures that even if a sensor chip having a movable electrode is mounted on a package via an adhesive, the stress shielding ability of the adhesive does not decrease while ensuring the parallelism between the package and the sensor chip. It is an object of the present invention to provide a sensor device and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、接着剤（２０）は、シリコーン系樹脂で複数同じ高さで形成され、パッケージ（２）と回路チップ（３）との間の距離を一定に保持するスペーサとしての第１の接着剤（２１）と、シリコーン系樹脂で形成され、第１の接着剤（２１）により形成されたパッケージ（２）と回路チップ（３）との間の隙間に配置されると共に、パッケージ（２）と回路チップ（３）とを接着する第２の接着剤（２２）と、を備えて構成されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to the invention described in claim 1, a plurality of adhesives (20) are formed of silicone resin at the same height, and the distance between the package (2) and the circuit chip (3). Between the first adhesive (21) as a spacer that holds the substrate constant and the package (2) formed of the silicone-based resin and the first adhesive (21) and the circuit chip (3) And a second adhesive (22) for bonding the package (2) and the circuit chip (3).

これによると、スペーサとしての第１の接着剤（２１）は軟らかい材料のシリコーン系樹脂で形成され、第２の接着剤（２２）もシリコーン系樹脂で形成されているので、パッケージ（２）から第１の接着剤（２１）および第２の接着剤（２２）を介して回路チップ（３）およびセンサチップ（４）に応力が伝達しにくくなる。また、スペーサとしての第１の接着剤（２１）によりパッケージ（２）と回路チップ（３）との間が一定に保持されるので、パッケージ（２）に対してセンサチップ（４）が傾くこともない。したがって、パッケージ（２）とセンサチップ（４）との平行度を確保しつつ、接着剤（２０）の応力遮断能力が低下しないようにすることができる。   According to this, since the first adhesive (21) as the spacer is formed of a soft silicone resin and the second adhesive (22) is also formed of a silicone resin, the package (2) Stress is hardly transmitted to the circuit chip (3) and the sensor chip (4) via the first adhesive (21) and the second adhesive (22). Further, since the space between the package (2) and the circuit chip (3) is held constant by the first adhesive (21) as the spacer, the sensor chip (4) is inclined with respect to the package (2). Nor. Therefore, it is possible to prevent the stress blocking ability of the adhesive (20) from being lowered while ensuring the parallelism between the package (2) and the sensor chip (4).

また、請求項２に記載の発明のように、第１の接着剤（２１）はフィラーが配合されていても良いし、請求項３に記載の発明のように、第２の接着剤（２２）はフィラーが配合されていても良い。   Further, as in the invention described in claim 2, the first adhesive (21) may contain a filler, and as in the invention described in claim 3, the second adhesive (22 ) May contain a filler.

このように、第１の接着剤（２１）や第２の接着剤（２２）にフィラーが配合されているので、パッケージ（２）と回路チップ（３）およびセンサチップ（４）との共振点を合わせることができる。   Thus, since the filler is blended in the first adhesive (21) or the second adhesive (22), the resonance point between the package (2), the circuit chip (3), and the sensor chip (4). Can be combined.

請求項４に記載の発明では、センサチップ（４）が固定された回路チップ（３）とパッケージ（２）とを用意し、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第１の接着剤（２１）を、パッケージ（２）のうち回路チップ（３）が実装される領域内に同じ高さに複数塗布すると共に熱硬化させる工程と、第１の接着剤（２１）を形成した後、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第２の接着剤（２２）を、パッケージ（２）のうち回路チップ（３）が実装される領域内に塗布する工程と、第１の接着剤（２１）をパッケージ（２）と回路チップ（３）との間の距離を一定に保持するスペーサとして、第１の接着剤（２１）および第２の接着剤（２２）の上に回路チップ（３）を配置すると共に、第２の接着剤（２２）を熱硬化させることにより回路チップ（３）をパッケージ（２）に固定する工程と、を含んでいることを特徴とする。   In the invention described in claim 4, a circuit chip (3) to which the sensor chip (4) is fixed and a package (2) are prepared, and a paste-like first adhesive (21) formed of silicone resin is prepared. ) In the region of the package (2) where the circuit chip (3) is mounted, and the step of thermally curing and forming the first adhesive (21), the silicone-based A step of applying a paste-like second adhesive (22) formed of resin in a region of the package (2) where the circuit chip (3) is mounted; and a first adhesive (21). The circuit chip (3) is disposed on the first adhesive (21) and the second adhesive (22) as a spacer for maintaining a constant distance between the package (2) and the circuit chip (3). And heat curing the second adhesive (22). Characterized in that it includes a step of fixing the circuit chip (3) in the package (2), the by.

これによると、第１の接着剤（２１）をスペーサとしているので、パッケージ（２）とセンサチップ（４）との平行度を確保することができる。また、第１の接着剤（２１）および第２の接着剤（２２）としてシリコーン系樹脂で形成されたものを用いているので、パッケージ（２）から第１の接着剤（２１）および第２の接着剤（２２）を介して回路チップ（３）およびセンサチップ（４）に応力が伝達されにくくなる。したがって、パッケージ（２）とセンサチップ（４）との平行度を確保しつつ、接着剤（２１、２２）の応力遮断能力が低下しないようにすることができる構造を得ることができる。   According to this, since the 1st adhesive agent (21) is used as the spacer, the parallelism of a package (2) and a sensor chip (4) is securable. In addition, since the first adhesive (21) and the second adhesive (22) made of silicone resin are used, the first adhesive (21) and the second adhesive from the package (2) are used. Stress is hardly transmitted to the circuit chip (3) and the sensor chip (4) through the adhesive (22). Therefore, it is possible to obtain a structure that can ensure that the parallelism between the package (2) and the sensor chip (4) is maintained and the stress shielding ability of the adhesive (21, 22) is not lowered.

また、請求項５に記載の発明のように、第１の接着剤（２１）を塗布する工程では第１の接着剤（２１）としてフィラーが配合されたものを用いても良いし、請求項６に記載の発明のように、第２の接着剤（２２）を塗布する工程では、第２の接着剤（２２）としてフィラーが配合されたものを用いても良い。   Further, as in the invention described in claim 5, in the step of applying the first adhesive (21), a filler mixed with the first adhesive (21) may be used. As in the invention described in 6, the step of applying the second adhesive (22) may be one in which a filler is blended as the second adhesive (22).

このように、第１の接着剤（２１）や第２の接着剤（２２）としてフィラーが配合されたものを用いているので、パッケージ（２）と回路チップ（３）およびセンサチップ（４）との共振点を操作することができる。   Thus, since the thing with which the filler was mix | blended is used as the 1st adhesive agent (21) or the 2nd adhesive agent (22), a package (2), a circuit chip (3), and a sensor chip (4) And the resonance point can be manipulated.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の一実施形態に係るセンサ装置の断面図である。It is sectional drawing of the sensor apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. センサチップの平面図である。It is a top view of a sensor chip. センサ装置の製造工程を示した図である。It is the figure which showed the manufacturing process of the sensor apparatus. 図１に示されるセンサチップの出力の温度依存性を示した図である。It is the figure which showed the temperature dependence of the output of the sensor chip shown by FIG. 課題を説明するためのセンサ装置の断面図である。It is sectional drawing of the sensor apparatus for demonstrating a subject. 図５に示されるセンサチップの出力の温度依存性を示した図である。It is the figure which showed the temperature dependence of the output of the sensor chip shown by FIG.

以下、本発明の一実施形態について図を参照して説明する。本発明に係るセンサ装置は例えば加速度を検出するために車両に搭載され、エアバッグを動作させるために用いられる。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The sensor device according to the present invention is mounted on a vehicle to detect acceleration, for example, and is used to operate an airbag.

図１は、一実施形態に係るセンサ装置の断面図である。この図に示されるように、センサ装置１は、セラミックパッケージ２と回路チップ３とセンサチップ４とを備えて構成されている。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a sensor device according to an embodiment. As shown in this figure, the sensor device 1 includes a ceramic package 2, a circuit chip 3, and a sensor chip 4.

セラミックパッケージ２は、センサ装置１を車両等の被測定体に取り付けるための容器状のケースである。このセラミックパッケージ２の表面には、回路チップ３と外部とを電気的に接続するための中継部となる図示しない配線が設けられている。そして、この配線と回路チップ３とが図示しないボンディングワイヤで電気的に接続されていると共に、この配線と外部とが電気的に接続される。なお、セラミックパッケージ２の材質はセラミックスに限らず、樹脂等で形成されたパッケージでも良い。   The ceramic package 2 is a container-like case for attaching the sensor device 1 to a measured object such as a vehicle. On the surface of the ceramic package 2, wiring (not shown) serving as a relay portion for electrically connecting the circuit chip 3 and the outside is provided. The wiring and the circuit chip 3 are electrically connected by a bonding wire (not shown), and the wiring and the outside are electrically connected. The material of the ceramic package 2 is not limited to ceramics, but may be a package formed of resin or the like.

回路チップ３は、センサチップ４から入力される検出信号の信号処理を行うためのスイッチドキャパシタ回路等の各種回路が形成されたものである。   The circuit chip 3 is formed with various circuits such as a switched capacitor circuit for performing signal processing of detection signals input from the sensor chip 4.

センサチップ４は物理量を検出するセンサであり、当該センサ素子は例えばＭＥＭＳ技術によって形成されている。本実施形態では、センサ素子として、加速度を検出する加速度センサが形成されている。   The sensor chip 4 is a sensor that detects a physical quantity, and the sensor element is formed by, for example, MEMS technology. In the present embodiment, an acceleration sensor that detects acceleration is formed as the sensor element.

具体的に、センサチップ４の構造について説明する。センサチップ４は、図示しない支持基板と半導体層とにより犠牲層が挟み込まれたＳＯＩ基板により構成されたものである。支持基板および半導体層として、例えばＮ型の単結晶シリコンが採用される。また、犠牲層として例えばＳｉＯ２が採用される。 Specifically, the structure of the sensor chip 4 will be described. The sensor chip 4 is configured by an SOI substrate in which a sacrificial layer is sandwiched between a support substrate (not shown) and a semiconductor layer. For example, N-type single crystal silicon is employed as the support substrate and the semiconductor layer. Further, for example, SiO 2 is employed as the sacrificial layer.

図２は、センサチップ４の平面図である。上記の加速度センサ素子はＳＯＩ基板のうち、図２に示される半導体層５に形成されている。   FIG. 2 is a plan view of the sensor chip 4. The acceleration sensor element is formed in the semiconductor layer 5 shown in FIG. 2 of the SOI substrate.

半導体層５は、可動部６と、固定部７と、および周辺部８とを有するものである。これら可動部６、固定部７、および周辺部８は、半導体層５を貫通した開口部９により構成されている。つまり、半導体層５は開口部９が形成されていることにより、可動部６、固定部７、および周辺部８にそれぞれ画定されている。そして、可動部６および固定部７により加速度を検出するためのセンシング部が構成されている。   The semiconductor layer 5 has a movable part 6, a fixed part 7, and a peripheral part 8. The movable part 6, the fixed part 7, and the peripheral part 8 are constituted by an opening 9 that penetrates the semiconductor layer 5. That is, the semiconductor layer 5 is demarcated by the movable part 6, the fixed part 7, and the peripheral part 8 by forming the opening 9. The movable unit 6 and the fixed unit 7 constitute a sensing unit for detecting acceleration.

可動部６は、アンカー部１０、錘部１１、可動電極１２、および梁部１３を備えて構成されている。このうちのアンカー部１０は、支持基板に対して錘部１１を浮かせて支持するためのものである。このアンカー部１０はブロック状をなしており、犠牲層の上に２箇所設けられている。また、錘部１１は、センサ装置１に加速度が印加されたときに各アンカー部１０に対して可動電極１２を移動させる錘として機能するものであり、細長状をなしている。   The movable part 6 includes an anchor part 10, a weight part 11, a movable electrode 12, and a beam part 13. Among these, the anchor part 10 is for floating and supporting the weight part 11 with respect to the support substrate. The anchor portion 10 has a block shape and is provided at two locations on the sacrificial layer. Further, the weight portion 11 functions as a weight for moving the movable electrode 12 with respect to each anchor portion 10 when acceleration is applied to the sensor device 1 and has an elongated shape.

可動電極１２は、錘部１１の長手方向に対して直角方向に延設され、複数本が設けられることで櫛歯状に配置されている。各可動電極１２の間隔は、一定間隔とされており、各可動電極１２の幅、長さも一定とされている。   The movable electrode 12 extends in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the weight portion 11 and is arranged in a comb shape by providing a plurality of movable electrodes 12. The interval between the movable electrodes 12 is constant, and the width and length of each movable electrode 12 are also constant.

梁部１３は、アンカー部１０と錘部１１とを連結するものである。この梁部１３は、平行な２本の梁がその両端で連結された矩形枠状をなしており、２本の梁の長手方向と直交する方向に変位するバネ機能を有するものである。このような梁部１３により、錘部１１がアンカー部１０に一体に連結されて支持されている。本実施形態では、２つの梁部１３がアンカー部１０と錘部１１とをそれぞれ連結している。   The beam portion 13 connects the anchor portion 10 and the weight portion 11. The beam portion 13 has a rectangular frame shape in which two parallel beams are connected at both ends thereof, and has a spring function of being displaced in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the two beams. The weight portion 11 is integrally connected to the anchor portion 10 and supported by the beam portion 13. In the present embodiment, the two beam portions 13 connect the anchor portion 10 and the weight portion 11 respectively.

そして、梁部１３、錘部１１、および可動電極１２の下部の犠牲層、すなわち図２に示される破線で囲まれた領域１４の犠牲層が部分的に除去され、梁部１３、錘部１１、および可動電極１２は支持基板の上に一定の間隔で浮遊した状態になっている。   Then, the beam portion 13, the weight portion 11, and the sacrificial layer under the movable electrode 12, that is, the sacrifice layer in the region 14 surrounded by the broken line shown in FIG. , And the movable electrode 12 is in a state of floating on the support substrate at regular intervals.

一方、固定部７は、可動部６を構成する細長状の錘部１１の長辺と対向するように配置されている。したがって、２つの固定部７が錘部１１を挟むように配置されている。このような固定部７は、配線部１５と固定電極１６とを備えて構成されている。   On the other hand, the fixed portion 7 is disposed so as to face the long side of the elongated weight portion 11 constituting the movable portion 6. Therefore, the two fixing portions 7 are arranged so as to sandwich the weight portion 11. Such a fixing portion 7 includes a wiring portion 15 and a fixed electrode 16.

配線部１５は、固定電極１６と外部とを電気的に接続するための配線として機能する部位である。また、固定電極１６は、配線部１５のうちの錘部１１と対向する辺から直角方向に延設され、配線部１５に複数本ずつ備えられることで櫛歯状に配置されている。各固定電極１６の間隔は、一定間隔とされており、各固定電極１６の幅、長さも一定とされている。   The wiring part 15 is a part that functions as a wiring for electrically connecting the fixed electrode 16 and the outside. The fixed electrode 16 extends in a direction perpendicular to the side of the wiring portion 15 that faces the weight portion 11, and a plurality of fixed electrodes 16 are provided in the wiring portion 15 so as to be arranged in a comb shape. The intervals between the fixed electrodes 16 are constant, and the width and length of each fixed electrode 16 are also constant.

上述のように、図２に示された領域１４の犠牲層が取り除かれているので、配線部１５は犠牲層を介して支持基板に固定されている一方、固定電極１６は支持基板に対して浮いた状態になっている。   As described above, since the sacrificial layer in the region 14 shown in FIG. 2 is removed, the wiring portion 15 is fixed to the support substrate via the sacrificial layer, while the fixed electrode 16 is fixed to the support substrate. It is in a floating state.

そして、各固定電極１６が各可動電極１２に対向配置され、各固定電極１６と各可動電極１２との間にコンデンサが形成されている。つまり、可動部６および固定部７は、可動電極１２と固定電極１６との間に形成される静電容量に基づいて物理量（加速度）を検出するように構成されている。このため、支持基板の平面方向であって錘部１１の長手方向に加速度が印加されたときに、該コンデンサの静電容量値の変化に基づいてその加速度を検出することが可能になっている。   Each fixed electrode 16 is disposed opposite to each movable electrode 12, and a capacitor is formed between each fixed electrode 16 and each movable electrode 12. That is, the movable part 6 and the fixed part 7 are configured to detect a physical quantity (acceleration) based on the capacitance formed between the movable electrode 12 and the fixed electrode 16. For this reason, when an acceleration is applied in the plane direction of the support substrate and in the longitudinal direction of the weight portion 11, the acceleration can be detected based on a change in the capacitance value of the capacitor. .

周辺部８は、可動部６や固定部７の周囲に配置されたものである。本実施形態では、可動部６および固定部７の周囲を一周して囲むように形成されている。   The peripheral portion 8 is disposed around the movable portion 6 and the fixed portion 7. In the present embodiment, the movable portion 6 and the fixed portion 7 are formed so as to surround the periphery of the movable portion 6 and the fixed portion 7.

上記の構成において、２つのアンカー部１０のうちの一方には可動部用パッド１７が設けられている。また、各固定部７の各配線部１５には固定部用パッド１８がそれぞれ設けられている。例えば、アンカー部１０や配線部１５には所定電位が印加される。このようなパッド１７、１８としては、例えばＡｌが採用される。   In the above configuration, the movable portion pad 17 is provided on one of the two anchor portions 10. Also, each wiring portion 15 of each fixing portion 7 is provided with a fixing portion pad 18. For example, a predetermined potential is applied to the anchor unit 10 and the wiring unit 15. As such pads 17 and 18, for example, Al is adopted.

上記の構造において、可動電極１２と固定電極１６とが対向配置された第１コンデンサおよび第２コンデンサが直列に接続され、各コンデンサにおける差動容量の変化が出力されるようになっている。ここで、第１コンデンサの容量をＣＳ１、第２コンデンサの容量をＣＳ２とすると、各コンデンサの差動容量の変化（ＣＳ１−ＣＳ２）が回路チップ３に設けられたスイッチドキャパシタ回路に入力される。   In the above structure, the first capacitor and the second capacitor in which the movable electrode 12 and the fixed electrode 16 are arranged to face each other are connected in series, and a change in differential capacitance in each capacitor is output. Here, assuming that the capacitance of the first capacitor is CS1 and the capacitance of the second capacitor is CS2, the change in the differential capacitance of each capacitor (CS1-CS2) is input to the switched capacitor circuit provided in the circuit chip 3. .

スイッチドキャパシタ回路は、第１、第２コンデンサの出力、すなわち差動容量の変化を電圧に変換するものであり、図示しないオペアンプ、容量がＣｆであるコンデンサ、スイッチを有して構成されている。そして、オペアンプの反転入力端子には第１、第２コンデンサに共通の可動電極１２が接続されており、オペアンプの反転入力端子と出力端子との間に容量Ｃｆのコンデンサおよびスイッチが並列に接続されている。   The switched capacitor circuit converts the output of the first and second capacitors, that is, changes in differential capacitance into voltage, and includes an operational amplifier (not shown), a capacitor having a capacitance of Cf, and a switch. . The movable electrode 12 common to the first and second capacitors is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier, and a capacitor and a switch having a capacitance Cf are connected in parallel between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier. ing.

第１、第２コンデンサの各固定電極１６に位相差が１８０°の矩形波電圧Ｖｃｃがそれぞれ周期的に印加され、スイッチドキャパシタ回路の非反転入力端子に基準電圧（Ｖｃｃ／２）が入力され、スイッチが所定のタイミングでオン／オフされる。そして、センサチップ４において錘部１１の長手方向に加速度が加わり、第１、第２コンデンサの可動電極１２の変位に応じた差動容量変化ＣＳ１−ＣＳ２がスイッチドキャパシタ回路に入力されると、スイッチドキャパシタ回路から（ＣＳ１−ＣＳ２）・Ｖｃｃ／Ｃｆに相当する信号が出力される。この出力が回路チップ３に設けられた他の処理回路にて処理され、センサ装置１の外部に出力されるようになっている。   A rectangular wave voltage Vcc having a phase difference of 180 ° is periodically applied to each fixed electrode 16 of the first and second capacitors, and a reference voltage (Vcc / 2) is input to the non-inverting input terminal of the switched capacitor circuit. The switch is turned on / off at a predetermined timing. Then, when acceleration is applied in the longitudinal direction of the weight portion 11 in the sensor chip 4 and the differential capacitance change CS1-CS2 corresponding to the displacement of the movable electrode 12 of the first and second capacitors is input to the switched capacitor circuit, A signal corresponding to (CS1-CS2) · Vcc / Cf is output from the switched capacitor circuit. This output is processed by another processing circuit provided in the circuit chip 3 and output to the outside of the sensor device 1.

上記構成のセンサチップ４は、図１に示されるように、例えば、ポリイミドフィルムやシリコーンフィルム等の接着剤１９を介して回路チップ３に固定されている。なお、センサチップ４と回路チップ３とは例えばボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。   As shown in FIG. 1, the sensor chip 4 having the above configuration is fixed to the circuit chip 3 via an adhesive 19 such as a polyimide film or a silicone film. The sensor chip 4 and the circuit chip 3 are electrically connected through, for example, bonding wires.

また、センサチップ４と回路チップ３とが一体化されたものが、接着剤２０を介してセラミックパッケージ２に固定されている。本実施形態では、接着剤２０は、第１の接着剤２１と第２の接着剤２２とを備えて構成されている。   In addition, the sensor chip 4 and the circuit chip 3 integrated with each other are fixed to the ceramic package 2 via the adhesive 20. In the present embodiment, the adhesive 20 includes a first adhesive 21 and a second adhesive 22.

第１の接着剤２１は、セラミックパッケージ２と回路チップ３との間の距離を一定に保持するスペーサとしての役割を果たすものである。このような第１の接着剤２１は、シリコーン系樹脂でドット状に形成され、セラミックパッケージ２の底面２ａに複数同じ高さで形成されている。第１の接着剤２１は、ペースト状のものがセラミックパッケージ２の底面２ａに塗布されて熱硬化されることで形成される。本実施形態では、例えば四角形状の回路チップ３の四隅に対応するように４箇所設けられている。   The first adhesive 21 serves as a spacer that keeps the distance between the ceramic package 2 and the circuit chip 3 constant. Such first adhesives 21 are formed in a dot shape with a silicone-based resin, and are formed on the bottom surface 2a of the ceramic package 2 at the same height. The first adhesive 21 is formed by applying a paste-like material to the bottom surface 2 a of the ceramic package 2 and thermosetting it. In the present embodiment, for example, four locations are provided so as to correspond to the four corners of the rectangular circuit chip 3.

第２の接着剤２２は、セラミックパッケージ２と回路チップ３とを接着固定するものであり、シリコーン系樹脂で形成されている。この第２の接着剤２２は、第１の接着剤２１により形成されたセラミックパッケージ２の底面２ａと回路チップ３との間の隙間に配置されており、熱硬化されることでセラミックパッケージ２と回路チップ３とを接着している。   The second adhesive 22 is for bonding and fixing the ceramic package 2 and the circuit chip 3 and is formed of a silicone resin. The second adhesive 22 is disposed in a gap between the bottom surface 2a of the ceramic package 2 formed by the first adhesive 21 and the circuit chip 3, and is thermally cured to be separated from the ceramic package 2. The circuit chip 3 is bonded.

上述のように、第１の接着剤２１および第２の接着剤２２は、共にシリコーン系樹脂で形成されており、弾性率が例えば１〜１０ＭＰａ程度の低弾性のものである。このため、第１の接着剤２１および第２の接着剤２２は軟らかい材料となっており、応力等の力を伝達しにくくなっている。以上が、本実施形態に係るセンサ装置１の全体構成である。   As described above, the first adhesive 21 and the second adhesive 22 are both made of a silicone-based resin and have a low elasticity with an elastic modulus of, for example, about 1 to 10 MPa. For this reason, the 1st adhesive agent 21 and the 2nd adhesive agent 22 are soft materials, and cannot transmit force, such as stress. The above is the overall configuration of the sensor device 1 according to the present embodiment.

次に、図１に示されるセンサ装置１の製造方法について、図３を参照して説明する。図３は、センサ装置１の製造工程図を示したものである。   Next, a method for manufacturing the sensor device 1 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows a manufacturing process diagram of the sensor device 1.

センサ装置１を製造するべく、まず、セラミックパッケージ２、回路チップ３、およびセンサチップ４を用意する。センサチップ４には上述のように固定電極１６と可動電極１２とが半導体層５にパターニングされている。そして、回路チップ３にフィルム状の接着剤１９を介してセンサチップ４を固定する。   In order to manufacture the sensor device 1, first, the ceramic package 2, the circuit chip 3, and the sensor chip 4 are prepared. In the sensor chip 4, the fixed electrode 16 and the movable electrode 12 are patterned on the semiconductor layer 5 as described above. Then, the sensor chip 4 is fixed to the circuit chip 3 through a film adhesive 19.

続いて、図３（ａ）に示す工程では、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第１の接着剤２１を、セラミックパッケージ２の底面２ａに同じ高さに複数塗布する。塗布の方法としては、例えばインクジェットの方法等が採用される。本実施形態では、例えばセラミックパッケージ２の底面２ａのうち回路チップ３が実装される領域内の４箇所にペースト状の第１の接着剤２１をドット状に塗布する。そして、ペースト状の第１の接着剤２１を熱硬化させる。これにより、第１の接着剤２１がスペーサとして機能する。   3A, a plurality of paste-like first adhesives 21 formed of silicone resin are applied to the bottom surface 2a of the ceramic package 2 at the same height. As a coating method, for example, an inkjet method or the like is employed. In the present embodiment, for example, the paste-like first adhesive 21 is applied in the form of dots at four locations in the area where the circuit chip 3 is mounted on the bottom surface 2a of the ceramic package 2. Then, the paste-like first adhesive 21 is thermally cured. Thereby, the 1st adhesive agent 21 functions as a spacer.

この後、図３（ｂ）に示す工程では、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第２の接着剤２２を、セラミックパッケージ２の底面２ａのうち回路チップ３が実装される領域にインクジェットの方法等で塗布する。この場合、図３（ｂ）に示されるように、ペースト状の第２の接着剤２２で第１の接着剤２１を覆う。なお、これは塗布の一例であり、例えば第１の接着剤２１の頂上がわずかに露出するように第２の接着剤２２を塗布しても良い。   Thereafter, in the step shown in FIG. 3B, the paste-like second adhesive 22 formed of silicone resin is applied to the region of the bottom surface 2a of the ceramic package 2 where the circuit chip 3 is mounted. Apply by the method. In this case, as shown in FIG. 3B, the first adhesive 21 is covered with the paste-like second adhesive 22. This is an example of application, and for example, the second adhesive 22 may be applied so that the top of the first adhesive 21 is slightly exposed.

そして、図３（ｂ）に示す工程では、センサチップ４と回路チップ３とが一体化されたものを、第１の接着剤２１をスペーサとして第２の接着剤２２の上に配置する。上述のように、第２の接着剤２２はスペーサとしての第１の接着剤２１を覆っているが、第２の接着剤２２はペースト状で流動するので、第２の接着剤２２の上に回路チップ３を配置すると、スペーサとしての第１の接着剤２１と回路チップ３との間の第２の接着剤２２が押し出され、第１の接着剤２１が回路チップ３に接触する。もしくは、第１の接着剤２１と回路チップ３との間に極薄の第２の接着剤２２が残された状態となる。このように、第１の接着剤２１をセラミックパッケージ２と回路チップ３との間の距離を一定に保持するスペーサとして利用することで、セラミックパッケージ２と回路チップ３およびセンサチップ４との平行度を確保できる。この後、第２の接着剤２２を熱硬化させることにより回路チップ３をセラミックパッケージ２に固定する。   In the step shown in FIG. 3B, the sensor chip 4 and the circuit chip 3 are integrated on the second adhesive 22 using the first adhesive 21 as a spacer. As described above, the second adhesive 22 covers the first adhesive 21 as a spacer. However, since the second adhesive 22 flows in a paste form, the second adhesive 22 is placed on the second adhesive 22. When the circuit chip 3 is disposed, the second adhesive 22 between the first adhesive 21 serving as a spacer and the circuit chip 3 is pushed out, and the first adhesive 21 contacts the circuit chip 3. Alternatively, the ultrathin second adhesive 22 is left between the first adhesive 21 and the circuit chip 3. Thus, by using the first adhesive 21 as a spacer that keeps the distance between the ceramic package 2 and the circuit chip 3 constant, the parallelism between the ceramic package 2, the circuit chip 3, and the sensor chip 4. Can be secured. Thereafter, the circuit chip 3 is fixed to the ceramic package 2 by thermosetting the second adhesive 22.

次に、センサチップ４と回路チップ３とをボンディングワイヤで電気的に接続し、回路チップ３とセラミックパッケージ２に設けられた配線とをボンディングワイヤで電気的に接続することでセンサ装置１が完成する。   Next, the sensor device 1 is completed by electrically connecting the sensor chip 4 and the circuit chip 3 with bonding wires, and electrically connecting the circuit chip 3 and the wiring provided in the ceramic package 2 with bonding wires. To do.

このような構造においては、セラミックパッケージ２と回路チップ３およびセンサチップ４とが異なる材料で構成されているので、温度に対する熱膨張係数がそれぞれ異なる。このため、センサ装置１の温度に従ってセラミックパッケージ２に応力が生じる。そこで、発明者らは、上記構造のセンサ装置１において、センサチップ４の出力の温度依存性を調べた。その結果を図４に示す。   In such a structure, since the ceramic package 2, the circuit chip 3, and the sensor chip 4 are made of different materials, the thermal expansion coefficients with respect to temperature are different. For this reason, stress is generated in the ceramic package 2 according to the temperature of the sensor device 1. Therefore, the inventors investigated the temperature dependence of the output of the sensor chip 4 in the sensor device 1 having the above structure. The result is shown in FIG.

図４において横軸はセンサ装置１の温度であり、縦軸は２５℃のセンサチップ４の出力に対する出力誤差（Ｇ）である。そして、センサ装置１の温度が５０℃を超える高温となっても、図４に示されるように、センサチップ４の出力誤差は０Ｇ付近になっている。同様に、センサ装置１の温度が−５０℃付近になっても、出力誤差は０Ｇ付近になっている。図６に示された従来品の出力誤差と比較すると、本発明に係るセンサチップ４の出力誤差が小さくなっていることがわかる。   In FIG. 4, the horizontal axis represents the temperature of the sensor device 1, and the vertical axis represents the output error (G) with respect to the output of the sensor chip 4 at 25 ° C. Even when the temperature of the sensor device 1 exceeds 50 ° C., as shown in FIG. 4, the output error of the sensor chip 4 is around 0G. Similarly, even when the temperature of the sensor device 1 is around −50 ° C., the output error is around 0 G. Compared with the output error of the conventional product shown in FIG. 6, it can be seen that the output error of the sensor chip 4 according to the present invention is small.

このような結果は、接着剤２０の全体が軟らかい低弾性のシリコーン系樹脂で形成されているため、セラミックパッケージ２と回路チップ３およびセンサチップ４との熱膨張係数の差に基づく応力がセラミックパッケージ２から回路チップ３およびセンサチップ４に伝達しにくくなったためである。このように、シリコーン系樹脂の接着剤２０を用いているため、接着剤２０の応力遮断能力が低下するということは起こらないし、センサチップ４の出力の精度が低下することもない。   As a result, since the entire adhesive 20 is made of a soft, low-elasticity silicone-based resin, stress based on the difference in thermal expansion coefficient between the ceramic package 2 and the circuit chip 3 and the sensor chip 4 is applied to the ceramic package. This is because it is difficult to transmit from 2 to the circuit chip 3 and the sensor chip 4. As described above, since the silicone resin adhesive 20 is used, the stress blocking ability of the adhesive 20 does not decrease, and the output accuracy of the sensor chip 4 does not decrease.

以上説明したように、本実施形態では、セラミックパッケージ２にシリコーン系樹脂で形成された接着剤２０を介して回路チップ３およびセンサチップ４を実装した構造が特徴となっている。   As described above, the present embodiment is characterized by the structure in which the circuit chip 3 and the sensor chip 4 are mounted on the ceramic package 2 via the adhesive 20 formed of silicone resin.

このように、接着剤２０は軟らかいシリコーン系樹脂で形成されているので、セラミックパッケージ２から第１の接着剤２１および第２の接着剤２２を介して回路チップ３およびセンサチップ４に応力を伝達しにくくすることができる。つまり、接着剤２０の応力遮断能力が低下しないようにすることができる。   Thus, since the adhesive 20 is formed of a soft silicone resin, stress is transmitted from the ceramic package 2 to the circuit chip 3 and the sensor chip 4 via the first adhesive 21 and the second adhesive 22. Can be difficult. That is, the stress blocking ability of the adhesive 20 can be prevented from decreasing.

また、接着剤２０を構成する第１の接着剤２１をスペーサとして利用しているので、第１の接着剤２１によりセラミックパッケージ２と回路チップ３との間を一定の距離に保持することができる。したがって、セラミックパッケージ２とセンサチップ４との平行度を確保することができる。   In addition, since the first adhesive 21 constituting the adhesive 20 is used as a spacer, the first adhesive 21 can hold the ceramic package 2 and the circuit chip 3 at a certain distance. . Therefore, the parallelism between the ceramic package 2 and the sensor chip 4 can be ensured.

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、セラミックパッケージ２が特許請求の範囲のパッケージに対応する。   Regarding the correspondence between the description of this embodiment and the description of the claims, the ceramic package 2 corresponds to the package of the claims.

（他の実施形態）
上記の実施形態では、センサチップ４は加速度を検出するものとして構成されているが、これは一例であり、角速度や圧力を検出するものでも良い。 (Other embodiments)
In the above embodiment, the sensor chip 4 is configured to detect acceleration. However, this is only an example, and an angular velocity or pressure may be detected.

上記の実施形態では、第１の接着剤２１はドット状に形成されていたが、第１の接着剤２１の形状はこれに限らず、突起状に形成されていれば良い。また、第１の接着剤２１の数も４箇所に限らず、３箇所でも５箇所以上でも良い。   In the above embodiment, the first adhesive 21 is formed in a dot shape. However, the shape of the first adhesive 21 is not limited to this, and it may be formed in a protruding shape. Further, the number of the first adhesives 21 is not limited to four, and may be three or five or more.

上記の実施形態で示された接着剤２０はフィラーが配合されたものでも良い。この場合、第１の接着剤２１にフィラーが配合され第２の接着剤２２にフィラーが配合されない場合や、第１の接着剤２１にフィラーが配合されずに第２の接着剤２２にフィラーが配合される場合や、第１の接着剤２１および第２の接着剤２２の両方にフィラーが配合される場合がある。このように接着剤２０にフィラーが配合されることで、セラミックパッケージ２と回路チップ３およびセンサチップ４との共振点を操作することができる。なお、製造の際には、フィラーが配合された第１の接着剤２１を用いたり、フィラーが配合された第２の接着剤２２を用いることとなる。また、フィラーとしては、例えば銀フィラーやガラスフィラー等を用いることができる。   The adhesive 20 shown in the above embodiment may contain a filler. In this case, a filler is blended in the first adhesive 21 and a filler is not blended in the second adhesive 22, or a filler is blended in the second adhesive 22 without blending a filler in the first adhesive 21. In some cases, a filler is blended in both the first adhesive 21 and the second adhesive 22. Thus, by blending the filler into the adhesive 20, the resonance point between the ceramic package 2, the circuit chip 3, and the sensor chip 4 can be manipulated. In addition, in the case of manufacture, the 1st adhesive agent 21 with which the filler was mix | blended will be used, or the 2nd adhesive agent 22 with which the filler was mix | blended will be used. Moreover, as a filler, a silver filler, a glass filler, etc. can be used, for example.

上記の実施形態では、第１の接着剤２１をスペーサとして利用していたが、例えば、低弾性の接着剤にスペーサを混入させて回路チップ３をセラミックパッケージ２に実装し、このときには接着剤中にスペーサが存在していたとしても、センサチップ４の使用時までに当該スペーサを熱処理等で除去したり当該スペーサの弾性率を低下させる等の処理を施すことで、接着剤の厚さやセンサチップ４の傾きを制御しても良い。   In the above embodiment, the first adhesive 21 is used as a spacer. For example, the circuit chip 3 is mounted on the ceramic package 2 by mixing the spacer with a low-elasticity adhesive. Even if there is a spacer, the thickness of the adhesive or the sensor chip can be reduced by removing the spacer by heat treatment or reducing the elastic modulus of the spacer before the sensor chip 4 is used. The inclination of 4 may be controlled.

２ セラミックパッケージ
３ 回路チップ
４ センサチップ
５ 半導体層
１２ 可動電極
１６ 固定電極
２０ 接着剤
２１ 第１の接着剤
２２ 第２の接着剤 2 Ceramic Package 3 Circuit Chip 4 Sensor Chip 5 Semiconductor Layer 12 Movable Electrode 16 Fixed Electrode 20 Adhesive 21 First Adhesive 22 Second Adhesive

Claims (6)

半導体層（５）がパターニングされることで固定電極（１６）と可動電極（１２）とが対向するように形成され、前記可動電極（１２）と前記固定電極（１６）との間に形成される静電容量に基づいて物理量を検出するセンサチップ（４）が回路チップ（３）の上に固定され、前記回路チップ（３）が接着剤（２０）を介してパッケージ（２）に固定されたセンサ装置であって、
前記接着剤（２０）は、
シリコーン系樹脂で複数同じ高さで形成され、前記パッケージ（２）と前記回路チップ（３）との間の距離を一定に保持するスペーサとしての第１の接着剤（２１）と、
シリコーン系樹脂で形成され、前記第１の接着剤（２１）により形成された前記パッケージ（２）と前記回路チップ（３）との間の隙間に配置されると共に、前記パッケージ（２）と前記回路チップ（３）とを接着する第２の接着剤（２２）と、を備えて構成されていることを特徴とするセンサ装置。 The semiconductor layer (5) is patterned so that the fixed electrode (16) and the movable electrode (12) are opposed to each other, and is formed between the movable electrode (12) and the fixed electrode (16). A sensor chip (4) for detecting a physical quantity based on the electrostatic capacitance is fixed on the circuit chip (3), and the circuit chip (3) is fixed to the package (2) via an adhesive (20). Sensor device,
The adhesive (20)
A plurality of silicone-based resins having the same height, and a first adhesive (21) as a spacer for maintaining a constant distance between the package (2) and the circuit chip (3);
It is formed of a silicone-based resin and is arranged in a gap between the package (2) and the circuit chip (3) formed by the first adhesive (21), and the package (2) and the A sensor device comprising: a second adhesive (22) for bonding the circuit chip (3). 前記第１の接着剤（２１）は、フィラーが配合されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置。   The sensor device according to claim 1, wherein the first adhesive (21) contains a filler. 前記第２の接着剤（２２）は、フィラーが配合されていることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサ装置。   The sensor device according to claim 1, wherein the second adhesive (22) is mixed with a filler. 半導体層（５）がパターニングされることで固定電極（１６）と可動電極（１２）とが対向するように形成されると共に前記可動電極（１２）と前記固定電極（１６）との間に形成される静電容量に基づいて物理量を検出するセンサチップ（４）が回路チップ（３）の上に固定され、前記回路チップ（３）が接着剤（２１、２２）を介してパッケージ（２）に固定されたセンサ装置の製造方法であって、
前記センサチップ（４）が固定された前記回路チップ（３）と前記パッケージ（２）とを用意し、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第１の接着剤（２１）を、前記パッケージ（２）のうち前記回路チップ（３）が実装される領域内に同じ高さに複数塗布すると共に熱硬化させる工程と、
前記第１の接着剤（２１）を形成した後、シリコーン系樹脂で形成されたペースト状の第２の接着剤（２２）を、前記パッケージ（２）のうち前記回路チップ（３）が実装される領域内に塗布する工程と、
前記第１の接着剤（２１）を前記パッケージ（２）と前記回路チップ（３）との間の距離を一定に保持するスペーサとして、前記第１の接着剤（２１）および前記第２の接着剤（２２）の上に前記回路チップ（３）を配置すると共に、前記第２の接着剤（２２）を熱硬化させることにより前記回路チップ（３）を前記パッケージ（２）に固定する工程と、を含んでいることを特徴とするセンサ装置の製造方法。 The semiconductor layer (5) is patterned so that the fixed electrode (16) and the movable electrode (12) are opposed to each other, and is formed between the movable electrode (12) and the fixed electrode (16). A sensor chip (4) for detecting a physical quantity based on the electrostatic capacitance is fixed on the circuit chip (3), and the circuit chip (3) is packaged via an adhesive (21, 22). A method of manufacturing a sensor device fixed to
The circuit chip (3) to which the sensor chip (4) is fixed and the package (2) are prepared, and a paste-like first adhesive (21) formed of silicone resin is applied to the package ( A step of applying a plurality of the same to the same height in a region where the circuit chip (3) is mounted in 2) and thermally curing;
After forming the first adhesive (21), the circuit chip (3) of the package (2) is mounted on the paste-like second adhesive (22) formed of silicone resin. A process of applying in a region to be
The first adhesive (21) and the second adhesive are used as a spacer for keeping the distance between the package (2) and the circuit chip (3) constant as the first adhesive (21). Arranging the circuit chip (3) on the agent (22) and fixing the circuit chip (3) to the package (2) by thermosetting the second adhesive (22); The manufacturing method of the sensor apparatus characterized by the above-mentioned. 前記第１の接着剤（２１）を塗布する工程では、前記第１の接着剤（２１）としてフィラーが配合されたものを用いることを特徴とする請求項４に記載のセンサ装置の製造方法。   The method for manufacturing a sensor device according to claim 4, wherein in the step of applying the first adhesive (21), a filler is used as the first adhesive (21). 前記第２の接着剤（２２）を塗布する工程では、前記第２の接着剤（２２）としてフィラーが配合されたものを用いることを特徴とする請求項４または５に記載のセンサ装置の製造方法。   The sensor device manufacturing method according to claim 4 or 5, wherein in the step of applying the second adhesive (22), a filler is used as the second adhesive (22). Method.
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