JP2005233889A - Sensor device - Google Patents

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Toshiya Ikezawa
敏哉 池沢
Masaaki Tanaka
昌明 田中
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain defective sensor characteristics from being generated by falling-down impact, in an acceleration sensor having a stacked structure layered with a sensor chip on a circuit chip via a film-like silicone-based adhesive. <P>SOLUTION: In this sensor device S1 provided with the circuit chip 3 having a bonding part 3a, and the sensor chip 5 for detecting an acceleration layered on the bonding part 3a in the circuit chip 3, the circuit chip 3 is bonded to the sensor chip 5 via the film-like silicone adhesive 4, and the thickness of the adhesive 4 is 100 μm or smaller. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、回路チップの上にセンサチップをフィルム状接着剤を介して積層してなるセンサ装置に関する。   The present invention relates to a sensor device in which a sensor chip is laminated on a circuit chip via a film adhesive.

従来より、この種のセンサ装置としては、ボンディング部を有する回路チップと、回路チップにおけるボンディング部の上に積層されたセンサチップとを備え、回路チップとセンサチップとがフィルム状接着剤を介して接着されてなる加速度センサや角速度センサが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。   Conventionally, this type of sensor device includes a circuit chip having a bonding portion and a sensor chip laminated on the bonding portion of the circuit chip, and the circuit chip and the sensor chip are interposed via a film adhesive. Adhesive acceleration sensors and angular velocity sensors have been proposed (see, for example, Patent Document 1).

このような加速度センサ、角速度センサでは、コストダウンのため実装面積を小さくする手法として回路チップ上にセンサチップを積層したスタック構造を採用している。特に、車両制御用に用いる加速度レンジの低い高感度の加速度センサなどにおいては、回路チップとセンサチップの接合には、シリコーン系のフィルム状接着剤を採用している。
特開2003−21647号公報
Such an acceleration sensor and an angular velocity sensor employ a stack structure in which sensor chips are stacked on a circuit chip as a technique for reducing the mounting area for cost reduction. In particular, in a high-sensitivity acceleration sensor having a low acceleration range used for vehicle control, a silicone-based film adhesive is used for bonding the circuit chip and the sensor chip.
JP 2003-21647 A

ところで、上記センサ装置において、回路チップとセンサチップの接合にシリコーン系のフィルム状接着剤を採用する理由としては、パッケージなど、チップ下からの熱応力を緩和する目的が挙げられる。   By the way, in the sensor device described above, the reason why the silicone-based film adhesive is used for joining the circuit chip and the sensor chip is to relieve thermal stress from below the chip such as a package.

しかしながら、従来のシリコーン系のフィルム状接着剤は、たとえば175μm程度の厚いものしかなかった。このように、シリコーン系のフィルム状接着剤が厚い場合、本発明者の検討によれば、センサ装置の落下衝撃時において、センサチップが動き位置ずれを生じ、センサ特性に不良が発生することがわかった。   However, conventional silicone-based film adhesives have only a thickness of about 175 μm, for example. Thus, when the silicone-based film adhesive is thick, according to the inventor's study, the sensor chip may move and be displaced at the time of a drop impact of the sensor device, resulting in poor sensor characteristics. all right.

たとえば、センサ装置の落下に伴い、センサチップが動いてしまうと、センサチップにボンディングワイヤが接続されているような場合に、ワイヤの変形など、ワイヤ接続部の劣化が生じ、センサ特性の変動が発生する可能性がある。   For example, if the sensor chip moves as the sensor device falls, if the bonding wire is connected to the sensor chip, the wire connection part will deteriorate, such as deformation of the wire, and the sensor characteristics will fluctuate. May occur.

そこで、本発明は上記問題に鑑み、回路チップ上にシリコーン系のフィルム状接着剤を介してセンサチップを積層したスタック構造を有するセンサ装置において、落下衝撃によるセンサ特性不良を抑制すること、すなわち落下耐量を向上できるようにすることを目的とする。   Therefore, in view of the above problems, the present invention suppresses sensor characteristic failure due to a drop impact in a sensor device having a stack structure in which a sensor chip is laminated on a circuit chip via a silicone-based film adhesive. The purpose is to improve the tolerance.

上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、ボンディング部(3a)を有する回路チップ(3)と、回路チップ(3)におけるボンディング部(3a)の上に積層されたセンサチップ(5)とを備えるセンサ装置において、回路チップ(3)とセンサチップ(5)とは、シリコーン系のフィルム状接着剤(4)を介して接着されており、接着剤(4)の厚さは、100μm以下であることを特徴としている。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a circuit chip (3) having a bonding portion (3a) and a sensor chip (3) laminated on the bonding portion (3a) in the circuit chip (3). 5), the circuit chip (3) and the sensor chip (5) are bonded via a silicone-based film adhesive (4), and the thickness of the adhesive (4) is , 100 μm or less.

本発明は、本発明者が行った検討の結果、実験的に見出されたものであり、シリコーン系のフィルム状接着剤(4)の厚さを、100μm以下とすることにより、実用上、十分な落下耐量が得られる(図2参照)。   The present invention has been found experimentally as a result of studies conducted by the present inventors. By making the thickness of the silicone-based film adhesive (4) 100 μm or less, Sufficient drop tolerance can be obtained (see FIG. 2).

よって、本発明によれば、回路チップ(3)上にシリコーン系のフィルム状接着剤(4)を介してセンサチップ(5)を積層したスタック構造を有するセンサ装置において、落下衝撃によるセンサ特性不良を抑制すること、すなわち、落下耐量を向上させることができる。   Therefore, according to the present invention, in the sensor device having a stack structure in which the sensor chip (5) is laminated on the circuit chip (3) via the silicone-based film adhesive (4), the sensor characteristics are poor due to the drop impact. In other words, the drop resistance can be improved.

ここで、請求項1に記載のセンサ装置において、落下耐量の余裕度を考慮した場合、請求項2に記載の発明のように、接着剤(4)の厚さは、50μm以下であることが好ましい。   Here, in the sensor device according to claim 1, when considering the allowance for drop resistance, the thickness of the adhesive (4) may be 50 μm or less as in the invention according to claim 2. preferable.

また、請求項3に記載の発明では、請求項1または請求項2に記載のセンサ装置において、センサチップ(5)には、ボンディングワイヤ(6)が電気的に接続されていることを特徴としている。   According to a third aspect of the present invention, in the sensor device according to the first or second aspect, the bonding wire (6) is electrically connected to the sensor chip (5). Yes.

このように、センサチップ(5)に、ボンディングワイヤ(6)が電気的に接続されている構成とした場合、上記した請求項1や請求項2に記載の発明の効果が発揮されることにより、落下衝撃によってセンサチップ(5)が動きボンディングワイヤ(6)が変形するなどの不良が抑制できる。   Thus, when it is set as the structure by which the bonding wire (6) is electrically connected to the sensor chip (5), by exhibiting the effect of the invention of the above-described claim 1 or claim 2, Defectives such as the sensor chip (5) moving due to the drop impact and the bonding wire (6) being deformed can be suppressed.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。図1は本発明の実施形態に係るセンサ装置としての加速度センサS1を示す概略断面図である。この加速度センサS1は、たとえば自動車に搭載されて運転制御用のものとして用いることができる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an acceleration sensor S1 as a sensor device according to an embodiment of the present invention. This acceleration sensor S1 can be used, for example, for driving control by being mounted on an automobile.

図1において、セラミックパッケージ1は、センサS1の基部となるとともに、センサS1を被測定体の適所に取り付けるためのものである。セラミックパッケージ1の上には、シリコーン系樹脂よりなる液状状の接着剤2を介して、回路チップ3が搭載され固定されている。   In FIG. 1, a ceramic package 1 serves as a base part of a sensor S1 and is used to attach the sensor S1 to an appropriate position of a measurement object. A circuit chip 3 is mounted and fixed on the ceramic package 1 via a liquid adhesive 2 made of silicone resin.

なお、好ましい形態として、本例では、接着剤2には、接着剤2の厚みを均一にして回路チップ3の高さを均一にするための樹脂などからなるビーズ2aが混合されている。つまり、このビーズ2aは、スペーサとして機能する。   In a preferred embodiment, in this example, the adhesive 2 is mixed with beads 2a made of resin or the like for making the thickness of the adhesive 2 uniform and the height of the circuit chip 3 uniform. That is, this bead 2a functions as a spacer.

この回路チップ3の上面には、センサチップ5を搭載するための領域であるボンディング部3aが設けられており、このボンディング部3aには、シリコーン系のフィルム状接着剤4を介してセンサチップ5が積層されている。   On the upper surface of the circuit chip 3, a bonding portion 3 a which is a region for mounting the sensor chip 5 is provided, and the sensor chip 5 is interposed in the bonding portion 3 a through a silicone-based film adhesive 4. Are stacked.

センサチップ5は、加速度検出を行う検出素子として構成されており、たとえば、シリコン基板等に対して一般に知られている櫛歯構造を有する梁構造体を形成し、印加された加速度に応じた可動電極と固定電極間の静電容量変化(電気信号)を検出するものにすることができる。   The sensor chip 5 is configured as a detection element that performs acceleration detection. For example, the sensor chip 5 forms a beam structure having a generally known comb-tooth structure with respect to a silicon substrate or the like, and is movable in accordance with the applied acceleration. The capacitance change (electric signal) between the electrode and the fixed electrode can be detected.

また、回路チップ3としては、シリコン基板等に対してMOSトランジスタやバイポーラトランジスタ等が、周知の半導体プロセスを用いて形成されており、センサチップ5の電気信号を処理して出力する等の機能を有するものを採用することができる。   Further, as the circuit chip 3, a MOS transistor, a bipolar transistor, or the like is formed on a silicon substrate or the like using a known semiconductor process, and functions such as processing and outputting an electric signal of the sensor chip 5. What has is employable.

そして、センサチップ5と回路チップ3、および、回路チップ3とセラミックパッケージ1は、それぞれ金やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ6、7を介して電気的に接続されている。   The sensor chip 5 and the circuit chip 3 and the circuit chip 3 and the ceramic package 1 are electrically connected through bonding wires 6 and 7 made of gold, aluminum, or the like, respectively.

こうして、センサチップ5からの電気信号(容量変化)は、回路チップ3へ送られて回路チップ3に備えられたC/V変換回路などにより電圧信号に変換されて、加速度信号として出力されるようになっている。   Thus, the electrical signal (capacitance change) from the sensor chip 5 is sent to the circuit chip 3 and converted into a voltage signal by a C / V conversion circuit or the like provided in the circuit chip 3 so as to be output as an acceleration signal. It has become.

ここで、センサチップ5を回路チップ3へ接着するシリコーン系のフィルム状接着剤4は、その厚さが100μm以下、好ましくは50μm以下のものである。また、このフィルム状の接着剤4の厚さの下限は、フィルム状に加工するための製造上の制約や接着強度の確保などの観点から、約25μm以上であることが好ましい。   Here, the silicone film adhesive 4 for adhering the sensor chip 5 to the circuit chip 3 has a thickness of 100 μm or less, preferably 50 μm or less. In addition, the lower limit of the thickness of the film-like adhesive 4 is preferably about 25 μm or more from the viewpoints of manufacturing restrictions for processing into a film and securing of adhesive strength.

このようなセンサS1は、次のようにして製造することができる。まず、セラミックパッケージ1に接着剤2を塗布し、この接着剤2介して回路チップ3を組み付け、接着剤2を硬化させる。ここで、上述したように、接着剤2には、接着剤2の厚みを均一にして回路チップ3の高さを均一にするためのビーズ2a等を、あらかじめ混合することが好ましい。   Such a sensor S1 can be manufactured as follows. First, the adhesive 2 is applied to the ceramic package 1, the circuit chip 3 is assembled through the adhesive 2, and the adhesive 2 is cured. Here, as described above, it is preferable that the adhesive 2 is previously mixed with beads 2a and the like for making the thickness of the adhesive 2 uniform and the height of the circuit chip 3 uniform.

次に、センサチップ5の組み付けを行うが、これには2通りの方法が挙げられる。1つには、センサチップとなるウェハにフィルム状の接着剤4を貼り付けた後、フィルム状の接着剤4が付いた状態でダイシングカットを行い、分断されたセンサチップ5を拾い上げて回路チップ3上にマウントする方法である。   Next, the sensor chip 5 is assembled, and there are two methods. For example, after a film-like adhesive 4 is attached to a wafer to be a sensor chip, a dicing cut is performed with the film-like adhesive 4 attached, and the divided sensor chip 5 is picked up to obtain a circuit chip. 3 is a method of mounting on top.

もう1つの方法としては、センサチップとなるウェハをダイシングカットしてセンサチップ5に分断する一方、フィルム状の接着剤4をセンサチップ5のサイズにカットする。そして、フィルム状の接着剤4、センサチップ5の順に回路チップ3上にマウントする方法である。   As another method, a wafer to be a sensor chip is diced and cut into sensor chips 5, while the film adhesive 4 is cut to the size of the sensor chip 5. And it is the method of mounting on the circuit chip 3 in order of the film adhesive 4 and the sensor chip 5.

なお、本実施形態では、液状接着剤ではなく、フィルム状の接着剤4を用いて回路チップ3のボンディング部3a上にセンサチップ3を搭載するようにしているため、液状接着剤を用いた場合に懸念される低分子量成分の染みだし(つまりブリード)による回路チップ3の汚染を防止することができる。   In this embodiment, since the sensor chip 3 is mounted on the bonding portion 3a of the circuit chip 3 using the film adhesive 4 instead of the liquid adhesive, the liquid adhesive is used. It is possible to prevent contamination of the circuit chip 3 due to bleeding of low molecular weight components (that is, bleeding).

このブリードによる回路チップ3の汚染とは、具体的には、当該低分子量成分がボンディング部3a周辺のボンディングパッド部を汚染することによるワイヤボンディング接合性の悪化などのことである。   Specifically, the contamination of the circuit chip 3 due to the bleed is a deterioration in wire bonding connectivity due to contamination of the bonding pad portion around the bonding portion 3a by the low molecular weight component.

上記したどちらかの方法で回路チップ3上にフィルム状の接着剤4を介してセンサチップ5を組み付けた後、本硬化(キュア)を行うことによって、フィルム状の接着剤4の接着力を安定させ、耐久性の高いものにする。   After assembling the sensor chip 5 on the circuit chip 3 with the film-like adhesive 4 on the circuit chip 3 by one of the methods described above, the adhesive force of the film-like adhesive 4 is stabilized by performing the main curing (curing). Make it highly durable.

その後、金やアルミニウム等の線材を用いてワイヤボンディングを行うことにより、それぞれのボンディングワイヤ6、7を形成する。こうして、上記加速度センサS1ができあがる。   Thereafter, bonding wires 6 and 7 are formed by performing wire bonding using a wire such as gold or aluminum. Thus, the acceleration sensor S1 is completed.

ここで、本実施形態において、センサチップ5を回路チップ3へ接着するシリコーン系のフィルム状接着剤4の厚さを、100μm以下、好ましくは50μm以下としていることの根拠について述べる。   Here, in this embodiment, the basis for the fact that the thickness of the silicone-based film adhesive 4 for adhering the sensor chip 5 to the circuit chip 3 is 100 μm or less, preferably 50 μm or less will be described.

これは、次に示されるような本発明者が行ったフィルム状の接着剤4の厚さと落下耐量との関係についての調査結果に基づくものである。図2は、この調査結果の一例を示す図である。   This is based on the result of the investigation on the relationship between the thickness of the film-like adhesive 4 and the drop resistance, which was performed by the inventor as shown below. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the investigation result.

図2では、横軸にフィルム状の接着剤4の厚さとしてのフィルム厚さ(単位:μm)、縦軸に落下耐量(単位:cm)を示してある。ここでは、フィルム状の接着剤4の厚さを変えたセンサ装置S1をサンプルとして作製し、これら各サンプルを所定の高さからコンクリートなどの硬い面上へ落下させた。また、落下の方向は3軸方向とした。   In FIG. 2, the horizontal axis indicates the film thickness (unit: μm) as the thickness of the film-like adhesive 4, and the vertical axis indicates the drop resistance (unit: cm). Here, the sensor device S1 in which the thickness of the film adhesive 4 was changed was produced as a sample, and each sample was dropped from a predetermined height onto a hard surface such as concrete. The direction of dropping was a triaxial direction.

そして、この落下の高さすなわち落下耐量を変えて、当該落下に伴ってセンサチップ5が動くことによるボンディングワイヤ6の変形など、センサ特性の不良の発生の有無を調査した。図2では、センサ特性の不良が発生した場合を「×」プロット、当該不良が発生しなかった場合を「○」プロットにて表してある。   Then, the height of the drop, that is, the drop withstand capability was changed, and the presence or absence of a defect in sensor characteristics such as deformation of the bonding wire 6 due to the movement of the sensor chip 5 accompanying the drop was investigated. In FIG. 2, a case where a sensor characteristic failure occurs is represented by an “X” plot, and a case where the failure does not occur is represented by a “◯” plot.

ここで、落下耐量は60cmであれば実用上、十分なものである。つまり、落下高さが60cmのときに、上記センサ特性の不良が発生しないようであれば、実用上、十分な落下耐量が確保できていると言える。   Here, if the drop resistance is 60 cm, it is practically sufficient. In other words, if the sensor characteristics do not fail when the drop height is 60 cm, it can be said that a sufficient drop resistance is practically secured.

図2に示されるように、フィルム状の接着剤4の厚さと落下耐量との関係は、ほぼ線形の関係にあることがわかった。ここで、フィルム状の接着剤4の厚さが従来レベルである175μmの場合、落下耐量は40cm程度しかない。   As shown in FIG. 2, it was found that the relationship between the thickness of the film-like adhesive 4 and the drop resistance is substantially linear. Here, when the thickness of the film adhesive 4 is 175 μm, which is a conventional level, the drop resistance is only about 40 cm.

そして、目標の落下耐量である60cmを確保するためには、フィルム状の接着剤4の厚さが100μm以下であればよいことがわかる。また、このフィルム状の接着剤4の厚さが50μmの場合、落下耐量は80cmであり、余裕度を考慮すれば、フィルム状の接着剤4の厚さは50μm以下程度であることが好ましいと言える。   And in order to ensure 60 cm which is a target drop tolerance, it turns out that the thickness of the film adhesive 4 should just be 100 micrometers or less. Further, when the thickness of the film-like adhesive 4 is 50 μm, the drop resistance is 80 cm, and considering the margin, the thickness of the film-like adhesive 4 is preferably about 50 μm or less. I can say that.

したがって、この図2に示されるような検討結果から、本実施形態では、センサ装置S1におけるフィルム状の接着剤4の厚さを、100μm以下、好ましくは50μm以下としている。   Therefore, from the examination results as shown in FIG. 2, in this embodiment, the thickness of the film adhesive 4 in the sensor device S1 is set to 100 μm or less, preferably 50 μm or less.

以上述べてきたように、本実施形態によれば、ボンディング部3aを有する回路チップ3と、回路チップ3におけるボンディング部3aの上に積層されたセンサチップ5とを備えるセンサ装置S1において、回路チップ3とセンサチップ5とは、シリコーン系のフィルム状接着剤4を介して接着されており、当該接着剤4の厚さは、100μm以下であることを特徴とするセンサ装置S1が提供される。   As described above, according to this embodiment, in the sensor device S1 including the circuit chip 3 having the bonding portion 3a and the sensor chip 5 stacked on the bonding portion 3a in the circuit chip 3, the circuit chip 3 and the sensor chip 5 are bonded to each other via a silicone-based film adhesive 4, and the thickness of the adhesive 4 is 100 μm or less, thereby providing a sensor device S 1.

上記図2の検討結果に示されるように、シリコーン系のフィルム状接着剤4の厚さを、100μm以下とすることにより、実用上、十分な落下耐量が得られる。また、上述したように、落下耐量の余裕度を考慮した場合、接着剤4の厚さは、50μm以下であることが好ましい。   As shown in the examination result of FIG. 2 described above, by setting the thickness of the silicone-based film adhesive 4 to 100 μm or less, a practically sufficient drop resistance can be obtained. Further, as described above, when considering the allowance for drop resistance, the thickness of the adhesive 4 is preferably 50 μm or less.

よって、本実施形態によれば、回路チップ3上にシリコーン系のフィルム状接着剤4を介してセンサチップ5を積層したスタック構造を有するセンサ装置において、落下衝撃によるセンサ特性不良を抑制すること、すなわち落下耐量を向上することができる。   Therefore, according to the present embodiment, in the sensor device having a stack structure in which the sensor chip 5 is laminated on the circuit chip 3 via the silicone-based film adhesive 4, the sensor characteristic failure due to the drop impact is suppressed. That is, the drop resistance can be improved.

また、本実施形態では、センサチップ5には、ボンディングワイヤ6が電気的に接続されている。   In the present embodiment, the bonding wire 6 is electrically connected to the sensor chip 5.

このように、センサチップ5に、ボンディングワイヤ6が電気的に接続されている構成とした場合、上記した本実施形態の効果が適切に発揮されることにより、落下衝撃によってセンサチップ5が動き、それによってボンディングワイヤ6が変形するなどの不良が抑制できる。   Thus, when it is set as the structure by which the bonding wire 6 is electrically connected to the sensor chip 5, the sensor chip 5 moves by a drop impact by exhibiting the effect of this embodiment mentioned above appropriately, Thereby, defects such as deformation of the bonding wire 6 can be suppressed.

また、本実施形態では、回路チップ3上にシリコーン系のフィルム状の接着剤4を介してセンサチップ5を接着固定しているが、この接着剤4は弾性率が低く非常に柔らかい性質を持っている。   In this embodiment, the sensor chip 5 is bonded and fixed on the circuit chip 3 via the silicone film adhesive 4, but this adhesive 4 has a low elasticity and a very soft property. ing.

そのため、セラミックパッケージ1、接着剤2および回路チップ3からの熱応力は、両チップ3、5の間に介在するフィルム状の接着剤4によって、十分に緩和することができる。つまり、本実施形態では、下側の回路チップ3からの熱応力によるセンサチップ5の特性変動を極力抑制することができ、好ましい。   Therefore, the thermal stress from the ceramic package 1, the adhesive 2, and the circuit chip 3 can be sufficiently relaxed by the film-like adhesive 4 interposed between the chips 3 and 5. That is, in the present embodiment, it is possible to suppress the characteristic variation of the sensor chip 5 due to the thermal stress from the lower circuit chip 3 as much as possible, which is preferable.

(他の実施形態)
以上、本発明のセンサ装置として加速度センサを例にとって説明してきたが、本発明は、加速度センサに限定されるものではなく、角速度センサ、圧力センサ、温度センサ、光センサにも適用が可能である。
(Other embodiments)
As described above, the acceleration sensor has been described as an example of the sensor device of the present invention. However, the present invention is not limited to the acceleration sensor, and can be applied to an angular velocity sensor, a pressure sensor, a temperature sensor, and an optical sensor. .

つまり、上記実施形態に示されるセンサ装置S1において、上記センサチップ5が角速度検出素子であったり、圧力検出素子であったり、温度検出素子であったり、光検出素子であってもよい。   That is, in the sensor device S1 shown in the embodiment, the sensor chip 5 may be an angular velocity detection element, a pressure detection element, a temperature detection element, or a light detection element.

また、回路チップとしては、MOSトランジスタやバイポーラトランジスタなどを用いた回路、メモリ回路など何でも良い。   The circuit chip may be anything such as a circuit using a MOS transistor or a bipolar transistor, a memory circuit, or the like.

要するに、本発明は、ボンディング部を有する回路チップと、回路チップにおけるボンディング部の上に積層されたセンシング部としてのセンサチップとを備え、回路チップとセンサチップとが、シリコーン系のフィルム状接着剤を介して接着されているセンサ装置において、フィルム状接着剤の厚さを100μm以下に規定したことを要部としたものであり、他の部分は適宜設計変更が可能なものである。   In short, the present invention includes a circuit chip having a bonding part, and a sensor chip as a sensing part laminated on the bonding part in the circuit chip, and the circuit chip and the sensor chip are made of a silicone-based film adhesive. In the sensor device that is bonded via the film, the main part is that the thickness of the film adhesive is regulated to 100 μm or less, and the other parts can be appropriately changed in design.

本発明の実施形態に係るセンサ装置としての加速度センサを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the acceleration sensor as a sensor apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明者が行ったフィルム状の接着剤の厚さと落下耐量との関係についての調査結果の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the investigation result about the relationship between the thickness of the film-form adhesive agent and drop tolerance which the inventor performed.

符号の説明Explanation of symbols

3…回路チップ、3a…回路チップのボンディング部、4…フィルム状の接着剤、
5…センサチップ、6…ボンディングワイヤ。
3 ... Circuit chip, 3a ... Bonding part of circuit chip, 4 ... Film adhesive,
5 ... sensor chip, 6 ... bonding wire.

Claims (3)

ボンディング部(3a)を有する回路チップ(3)と、
前記回路チップ(3)における前記ボンディング部(3a)の上に積層されたセンサチップ(5)とを備えるセンサ装置において、
前記回路チップ(3)と前記センサチップ(5)とは、シリコーン系のフィルム状接着剤(4)を介して接着されており、
前記接着剤(4)の厚さは、100μm以下であることを特徴とするセンサ装置。
A circuit chip (3) having a bonding part (3a);
In the sensor device comprising the sensor chip (5) laminated on the bonding part (3a) in the circuit chip (3),
The circuit chip (3) and the sensor chip (5) are bonded via a silicone-based film adhesive (4),
The thickness of the said adhesive agent (4) is 100 micrometers or less, The sensor apparatus characterized by the above-mentioned.
前記接着剤(4)の厚さは、50μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のセンサ装置。 The sensor device according to claim 1, wherein a thickness of the adhesive (4) is 50 μm or less. 前記センサチップ(5)には、ボンディングワイヤ(6)が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサ装置。
3. The sensor device according to claim 1, wherein a bonding wire (6) is electrically connected to the sensor chip (5).
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JP2011174803A (en) * 2010-02-24 2011-09-08 Denso Corp Sensor device and method of manufacturing the same
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