JP5284635B2 - Electron multiplier - Google Patents

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Description

本発明は、多段に積層させたダイノードからなる電子増倍部によって入射電子流を増倍する電子増倍管に関するものである。   The present invention relates to an electron multiplier that multiplies an incident electron current by an electron multiplier made of dynodes stacked in multiple stages.

従来、ダイノードが積層された構造の電子増倍部を有する電子増倍装置として、複数のダイノードを互いに分離して配置させるために、チャンネルを形成する孔が形成された導電層とライン状のセパレータ層とが交互に配置された装置が知られている(下記特許文献1参照)。また、このような装置においてセパレータに抵抗性材料を用いた場合には、中間電極の電位を設定する外部抵抗或いは外部装置を省略することができることが明らかにされている。
特開昭48−74167号公報
2. Description of the Related Art Conventionally, as an electron multiplying device having an electron multiplying portion having a structure in which dynodes are stacked, a conductive layer and a line-shaped separator in which holes for forming a channel are formed in order to arrange a plurality of dynodes separately from each other An apparatus in which layers are alternately arranged is known (see Patent Document 1 below). Further, it has been clarified that when a resistive material is used for the separator in such a device, an external resistor or an external device for setting the potential of the intermediate electrode can be omitted.
JP-A-48-74167

しかしながら、上述した電子増倍装置においては、抵抗性のセパレータとした場合にそのセパレータが電子増倍部の内部空間に露出されているため、増倍電子がセパレータに入射してしまうことでセパレータに対してダメージを与え、セパレータの抵抗値が変化してしまう可能性がある。その結果、各ダイノードへの印加電圧が変化し、電子の増倍効率や検出効率を変化させる場合があった。例えば、セパレータの抵抗値が著しく上昇した場合は、各電極への電荷の供給量が少なくなり電子の増倍効率が小さくなるし、セパレータの抵抗値が著しく低下した場合は、ダイノード間の電位差が低くなり電子の増倍効率が小さくなる。つまり、同じ大きさの入力に対して、得られる出力が変化してしまい、検出感度が不安定になる場合があった。   However, in the above-described electron multiplier, when the separator is a resistive separator, the separator is exposed in the internal space of the electron multiplier, so that the multiplier electrons are incident on the separator. On the other hand, damage may be caused and the resistance value of the separator may change. As a result, the voltage applied to each dynode may change, changing the electron multiplication efficiency and detection efficiency in some cases. For example, when the resistance value of the separator is remarkably increased, the amount of charge supplied to each electrode is reduced and the electron multiplication efficiency is reduced. When the resistance value of the separator is remarkably reduced, the potential difference between the dynodes is reduced. The electron multiplication efficiency becomes lower. In other words, for the same size input, the obtained output changes, and the detection sensitivity may become unstable.

そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、電子増倍部における給電部を削減することで電子増倍部を小型化しつつ検出感度を安定化することが可能な電子増倍管を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made in view of such problems, and by reducing the power feeding section in the electron multiplier section, the electron multiplier capable of stabilizing the detection sensitivity while reducing the size of the electron multiplier section. The purpose is to provide a double tube.

上記課題を解決するため、本発明の電子増倍管は、入射電子を増倍する電子増倍孔を有する平板電極であるダイノードが複数段に積層された電子増倍部を備えた電子増倍管であって、隣接する2段のダイノードの間には、それぞれ、2段のダイノードの間を電気的に接続する導電路を有する絶縁性の枠状部材であるスペーサが配置されており、導電路の一部は、絶縁体によって覆われた抵抗体によって形成されていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, an electron multiplier of the present invention is an electron multiplier having an electron multiplier section in which dynodes, which are plate electrodes having electron multiplier holes for multiplying incident electrons, are stacked in a plurality of stages. Between the adjacent two-stage dynodes, spacers, which are insulating frame-like members having conductive paths that electrically connect the two-stage dynodes, are arranged between the adjacent two-stage dynodes. A part of the path is formed by a resistor covered with an insulator.

このような電子増倍管によれば、複数段のダイノードからなる電子増倍部のうちの2つの隣接するダイノードが、それらの間に配置されたスペーサの導電路によって抵抗体を介して電気的に接続されるので、直列的に接続された複数段のダイノードの両端に電圧を印加することにより隣接するダイノード間に所望の電位差を生じさせることができる結果、電子増倍部における給電部を削減することができる。また、その抵抗体は絶縁体によって覆われており管内の空間に対して露出していないので、増倍電子の影響による抵抗体の抵抗値の変化を抑制することができ、電子増倍効率の安定化が可能になる。これにより、電子増倍部を小型化しながら検出感度を安定化することができる。   According to such an electron multiplier, two adjacent dynodes in the electron multiplier section composed of a plurality of dynodes are electrically connected via a resistor by a conductive path of a spacer disposed between them. As a result, it is possible to generate a desired potential difference between adjacent dynodes by applying a voltage across the dynodes of a plurality of stages connected in series. can do. In addition, since the resistor is covered with an insulator and not exposed to the space in the tube, a change in the resistance value of the resistor due to the influence of the multiplying electrons can be suppressed, and the electron multiplication efficiency can be reduced. Stabilization is possible. Thereby, it is possible to stabilize the detection sensitivity while reducing the size of the electron multiplier.

導電路は、2段のダイノードのうちの一方と電気的に接続するための第1接続部と、2段のダイノードのうちの他方と電気的に接続するための第2接続部と、第1接続部と第2の接続部とを抵抗体を介して電気的に接続する、絶縁体で覆われた配線部と、を含むことが好ましい。この場合、導電路が、隣接する2段のダイノードのそれぞれと接続部において接続され、これらの2段のダイノードが、絶縁体で覆われた配線部によって抵抗体を介して接続されるので、配線部への電子入射によるノイズの発生を抑制し、検出感度を安定化することができる。   The conductive path has a first connection portion for electrically connecting with one of the two-stage dynodes, a second connection portion for electrically connecting with the other of the two-stage dynodes, It is preferable that the wiring part covered with the insulator which electrically connects a connection part and a 2nd connection part via a resistor is included. In this case, the conductive path is connected to each of the adjacent two-stage dynodes at the connection portion, and these two-stage dynodes are connected via the resistor by the wiring portion covered with the insulator. The generation of noise due to the incidence of electrons on the part can be suppressed, and the detection sensitivity can be stabilized.

また、第1接続部及び第2接続部は複数である、ことも好ましい。接続部を複数設けることで、確実に隣接する2段のダイノードと電気的に接続されるので、安定した電位供給を行うことができ、検出感度をさらに安定することができる。   It is also preferable that there are a plurality of first connection portions and second connection portions. By providing a plurality of connection portions, it is surely electrically connected to two adjacent dynodes, so that a stable potential can be supplied and detection sensitivity can be further stabilized.

また、配線部は、複数の第1接続部を連結する第1の配線部と、複数の第2接続部を連結する第2の配線部と、第1の配線部と第2の配線部とを接続する中間配線部とを含み、抵抗体は、中間配線部の一部を形成していることも好ましい。かかる構成を備えれば、スペーサと隣接する2段のダイノードとを電気的に接続するための複数の第1接続部及び第2接続部が、第1及び第2の配線部によって連結され、第1及び第2の配線部が抵抗体を含む中間配線部によって接続されているので、第1の接続部および第2の接続部と抵抗体との接続構造が簡略化される。   The wiring unit includes a first wiring unit that couples the plurality of first connection units, a second wiring unit that couples the plurality of second connection units, a first wiring unit, and a second wiring unit. It is also preferable that the resistor forms a part of the intermediate wiring portion. With such a configuration, a plurality of first connection portions and second connection portions for electrically connecting the spacer and the adjacent two-stage dynodes are connected by the first and second wiring portions, Since the 1st and 2nd wiring part is connected by the intermediate | middle wiring part containing a resistor, the connection structure of a 1st connection part and a 2nd connection part, and a resistor is simplified.

また、スペーサは、ダイノードの電子増倍孔が形成された領域を取り囲むような枠状の形状を有することも好ましい。こうすれば、ダイノード間の距離を安定して保持することにより、検出感度を安定化することができる。   It is also preferable that the spacer has a frame shape surrounding the region where the electron multiplying holes of the dynode are formed. In this way, the detection sensitivity can be stabilized by stably maintaining the distance between the dynodes.

また、第1接続部及び第2接続部には窪み又は突起が形成され、2段のダイノードのそれぞれには、少なくとも1つの突起又は窪みが形成されており、2段のダイノードのうち一方のダイノードの突起又は窪みが、第1接続部の窪み又は突起に嵌め合わされることにより、一方のダイノードと配線部とが電気的に接続され、2段のダイノードのうち他方のダイノードの突起又は窪みが、第2接続部の窪み又は突起に嵌め合わされることにより、他方のダイノードと配線部とが電気的に接続されることも好ましい。こうすれば、隣接する2段のダイノードに形成された突起又は窪みが、1つのスペーサに設けられた接続部に嵌め合わされるので、ダイノード同士の位置決めが容易となり検出感度のより一層な安定化が可能になる。   The first connection portion and the second connection portion are formed with depressions or protrusions, and each of the two-stage dynodes is formed with at least one protrusion or depression, and one dynode of the two-stage dynodes. Are fitted into the depressions or protrusions of the first connection part, so that one dynode and the wiring part are electrically connected, and the protrusions or depressions of the other dynode of the two-stage dynodes are It is also preferable that the other dynode and the wiring portion are electrically connected by being fitted in the recess or protrusion of the second connection portion. In this way, since the protrusions or depressions formed in the two adjacent dynodes are fitted into the connecting portion provided in one spacer, the positioning of the dynodes is facilitated, and the detection sensitivity is further stabilized. It becomes possible.

スペーサは、2段のダイノードのうちの一方のダイノード側に設けられ、一方のダイノードと電気的に接続するための第1接続部を含む第1の絶縁部材と、2段のダイノードのうちの他方のダイノード側に設けられ、他方のダイノードと電気的に接続するための第2接続部を含む第2の絶縁部材と、第1及び第2の絶縁部材の間に把持された第3の絶縁部材と、第1の絶縁部材と第3の絶縁部材との間に設けられ、第1接続部に電気的に接続された第1の配線部と、第2の絶縁部材と第3の絶縁部材との間に設けられ、第2接続部に電気的に接続された第2の配線部と、第3の絶縁部材を貫通して設けられ、第1の配線部と第2の配線部とを接続する中間配線部とを有し、中間配線部の一部は、抵抗体によって形成されている、ことが好ましい。この場合、抵抗体は確実に絶縁部材で包囲されるため、検出感度を安定化することができる。   The spacer is provided on one dynode side of the two-stage dynodes, and includes a first insulating member including a first connection portion for electrically connecting to the one dynode, and the other of the two-stage dynodes. A second insulating member provided on the dynode side and including a second connecting portion for electrically connecting to the other dynode, and a third insulating member held between the first and second insulating members A first wiring portion provided between the first insulating member and the third insulating member and electrically connected to the first connecting portion, a second insulating member, and a third insulating member Between the second wiring part electrically connected to the second connecting part and the third insulating member, and connecting the first wiring part and the second wiring part. It is preferable that a part of the intermediate wiring part is formed by a resistor. . In this case, since the resistor is surely surrounded by the insulating member, the detection sensitivity can be stabilized.

また、第1の配線部、第2の配線部、及び中間配線部は、第3の絶縁部材に形成されていることも好ましい。かかる構成を採れば、スペーサにおける導電路の形成が容易となり製造効率が向上する。   Moreover, it is also preferable that the first wiring portion, the second wiring portion, and the intermediate wiring portion are formed on the third insulating member. By adopting such a configuration, it is easy to form a conductive path in the spacer, and the manufacturing efficiency is improved.

本発明によれば、電子増倍部における給電部を削減することで電子増倍部を小型化しつつ検出感度を安定化することが可能な電子増倍管を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electron multiplier which can stabilize a detection sensitivity can be provided, reducing an electron multiplier part by reducing the electric power feeding part in an electron multiplier part.

以下、図面を参照しつつ本発明に係る電子増倍管の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of an electron multiplier according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図1は、本発明の好適な一実施形態に係る電子増倍管である光電子増倍管1の管軸方向に沿った端面図である。この光電子増倍管1は、入射光を受ける円形状の透光性を有する受光面板2、その受光面板2の外縁部に取り付けられた円筒状の金属側管3、及び金属側管3を挟んで受光面板2に対面して配置された円形のステム4によって構成された真空容器5と、この真空容器5内に配設された収束電極6、電子増倍部7、及びアノード8とを備えている。この光電子増倍管1のサイズとしては特定のサイズには限定されないが、例えば、真空容器5の管軸Z方向の長さが12mm、管軸Zに垂直な方向の幅が15mmである。   FIG. 1 is an end view along a tube axis direction of a photomultiplier tube 1 which is an electron multiplier tube according to a preferred embodiment of the present invention. The photomultiplier tube 1 sandwiches a circular light-receiving surface plate 2 that receives incident light, a cylindrical metal side tube 3 attached to the outer edge of the light-receiving surface plate 2, and the metal side tube 3. The vacuum vessel 5 is constituted by a circular stem 4 disposed so as to face the light receiving face plate 2, and the focusing electrode 6, the electron multiplier 7, and the anode 8 arranged in the vacuum vessel 5. ing. The size of the photomultiplier tube 1 is not limited to a specific size. For example, the length of the vacuum vessel 5 in the tube axis Z direction is 12 mm, and the width in the direction perpendicular to the tube axis Z is 15 mm.

受光面板2の内面には、光電陰極2aが設けられ、この光電陰極2aと電子増倍部7との間において、管軸Z方向に対して垂直な方向(図1のX軸方向)に略等間隔に並ぶように線状の収束電極6が設けられている。この収束電極6は、外部から受光面板2への光の入射に伴い光電陰極2aから真空容器5内に放出された光電子を、その軌道を収束させることにより電子増倍部7に入射させる。   A photocathode 2a is provided on the inner surface of the light-receiving face plate 2. Between the photocathode 2a and the electron multiplying unit 7, the photocathode 2a is substantially perpendicular to the tube axis Z direction (X-axis direction in FIG. 1). Linear focusing electrodes 6 are provided so as to be arranged at equal intervals. The converging electrode 6 causes the photoelectrons emitted from the photocathode 2a into the vacuum vessel 5 as light enters the light-receiving face plate 2 from the outside to enter the electron multiplier 7 by converging the trajectory.

電子増倍部7は、多数の電子増倍孔9を有するダイノード10が、管軸Z方向に複数段で積層されて構成されており、最終段のダイノード10の後段側には、最終段のダイノード10の電子増倍孔9に対向して略矩形状のアノード8が配設されている。また、ステム4には、外部のブリーダ回路と接続して、光電陰極2a、収束電極6、電子増倍部7、及びアノード8に所定の電圧を印加するステムピン11が貫通して設けられている。   The electron multiplying unit 7 includes a plurality of dynodes 10 having a plurality of electron multiplying holes 9 stacked in the tube axis Z direction. A substantially rectangular anode 8 is disposed facing the electron multiplying hole 9 of the dynode 10. The stem 4 is connected to an external bleeder circuit, and is provided with a stem pin 11 through which a predetermined voltage is applied to the photocathode 2a, the focusing electrode 6, the electron multiplier 7 and the anode 8. .

このダイノード10の段数及びステムピン11への印加電圧は様々に設定されうるが、例えば、ダイノード10は8段で積層され、光電陰極2a、収束電極6、各ダイノード10、及びアノード8への印加電圧は、それぞれ、-900V、-900V、-800〜-100V(100V間隔)、0V(グラウンド電位)と、光電陰極2aからアノード8に向かうに従って高くなるように設定されている。これにより、入射電子流は、電子増倍経路における上流から下流に向かうにつれて、具体的には最前段のダイノード10から最後段のダイノード10に向かうにつれて増倍されて、アノード8で検出信号として外部に取り出される。   The number of stages of the dynodes 10 and the voltage applied to the stem pin 11 can be set variously. For example, the dynodes 10 are stacked in eight stages, and the voltages applied to the photocathode 2a, the focusing electrode 6, each dynode 10 and the anode 8 are stacked. Are set to -900 V, -900 V, -800 to -100 V (100 V interval), and 0 V (ground potential), respectively, so as to increase from the photocathode 2 a toward the anode 8. As a result, the incident electron current is multiplied from upstream to downstream in the electron multiplication path, specifically, from the foremost dynode 10 toward the last dynode 10, and externally detected as a detection signal at the anode 8. To be taken out.

各ダイノード10は、略矩形状のステンレスや、アルミニウム等の金属製の平板電極に、管軸Z方向に対して垂直な方向(図1のY軸方向)に沿って互いに並列にスリット状の電子増倍孔9が複数形成されて成る。そして、これらの複数のダイノード10が、枠状のスペーサ12aを介して互いに所定の間隔を空けて積み重ねられている。例えば、ダイノード10は、9mm四方、厚さ0.1mmのステンレス平板に1mm間隔で電子増倍孔9が形成され、0.8mmピッチで積層される。このとき、隣接する2つのダイノード10は、スペーサ12aを介して積み重ねられることにより、管軸Zに対して垂直な平面(X−Y平面)に沿った方向及び管軸Zに沿った方向に互いに位置合わせされる。これにより、ダイノード10に形成された電子増倍孔9は、その前段側(収束電極6側)の開口9aが前段のダイノード10の電子増倍孔9の後段側(アノード8側)の開口9bの延長線上に位置するように設定され、管軸Z方向に沿ったジグザグ状の電子増倍用チャネルを並列に形成する。   Each dynode 10 has slit-like electrons parallel to each other along a direction perpendicular to the tube axis Z direction (Y-axis direction in FIG. 1) on a substantially rectangular plate electrode made of stainless steel or aluminum. A plurality of multiplication holes 9 are formed. The plurality of dynodes 10 are stacked at predetermined intervals with each other through a frame-like spacer 12a. For example, the dynode 10 has electron multiplying holes 9 formed at intervals of 1 mm on a 9 mm square, 0.1 mm thick stainless steel flat plate, and is laminated at a pitch of 0.8 mm. At this time, the two adjacent dynodes 10 are stacked via the spacers 12a, so that they are mutually in the direction along the plane perpendicular to the tube axis Z (XY plane) and the direction along the tube axis Z. Aligned. Thereby, the electron multiplying hole 9 formed in the dynode 10 has an opening 9a on the front stage side (focusing electrode 6 side) thereof and an opening 9b on the rear stage side (anode 8 side) of the electron multiplying hole 9 of the preceding dynode 10. Zigzag-shaped electron multiplying channels are formed in parallel along the tube axis Z direction.

最前段のダイノード10と収束電極6とは、スペーサ12bを介して積み重ねられることにより、X−Y平面に沿った方向及びZ軸に沿った方向に互いに位置合わせされている。同様に、最後段のダイノード10とアノード8とは、スペーサ13を介して積み重ねられることにより、X−Y平面に沿った方向及びZ軸に沿った方向に互いに位置合わせされている。なお、スペーサ12a,12bは、後述するように、セラミック等の絶縁材料からなる3層構造の枠状の絶縁体の内部に導電路が形成された構造を有する一方で、スペーサ13は、1層構造の全体がセラミック等の絶縁材料からなる枠状の絶縁部材である。   The foremost dynode 10 and the focusing electrode 6 are stacked with each other via the spacers 12b, so that they are aligned with each other in the direction along the XY plane and the direction along the Z axis. Similarly, the last dynode 10 and the anode 8 are stacked with the spacer 13 interposed therebetween, so that they are aligned with each other in the direction along the XY plane and the direction along the Z axis. As will be described later, the spacers 12a and 12b have a structure in which a conductive path is formed inside a three-layered frame-shaped insulator made of an insulating material such as ceramic, while the spacer 13 has one layer. The entire structure is a frame-like insulating member made of an insulating material such as ceramic.

次に、図2及び図3を参照して、電子増倍部7の積層構造について詳細に説明する。図2は、図1の収束電極6を含む電子増倍部7の平面図、図3は、図1の収束電極6及び電子増倍部7の一部を示す分解斜視図である。   Next, with reference to FIG. 2 and FIG. 3, the laminated structure of the electron multiplier section 7 will be described in detail. 2 is a plan view of the electron multiplier section 7 including the focusing electrode 6 of FIG. 1, and FIG. 3 is an exploded perspective view showing a part of the focusing electrode 6 and the electron multiplier section 7 of FIG.

収束電極6の受光面板2側の表面6aの辺縁部の四隅のうちの対角線上の二隅には、2つの略円形状の突起部14a,14bが形成され、表面6aの別の対角線上に位置する辺縁部の二隅には、2つの略円形状の窪み部15c,15dが形成されている。また、収束電極6の電子増倍部7側の表面6bにおける突起部14a,14bに対して反対側の位置には、それぞれ、突起部14a,14bとほぼ同一の大きさを有する略円形状の窪み部15a,15bが形成され、表面6bにおける窪み部15c,15dに対して反対側の位置には、それぞれ、窪み部15c,15dとほぼ同一の大きさを有する略円形状の突起部14c,14dが形成されている。   Two substantially circular protrusions 14a and 14b are formed on two diagonal corners of the four corners of the edge 6a of the surface 6a on the light receiving face plate 2 side of the focusing electrode 6, and on the other diagonal of the surface 6a. Two substantially circular depressions 15c and 15d are formed at the two corners of the edge located at. Further, at the positions on the opposite side of the projections 14a and 14b on the surface 6b of the focusing electrode 6 on the electron multiplication unit 7 side, substantially circular shapes having substantially the same size as the projections 14a and 14b, respectively. Recesses 15a and 15b are formed, and substantially circular projections 14c having substantially the same size as the recesses 15c and 15d, respectively, at positions opposite to the recesses 15c and 15d on the surface 6b. 14d is formed.

同様に、ダイノード10の前段側の表面10aの辺縁部の四隅のうちの対角線上の二隅には、2つの略円形状の突起部16a,16bが形成され、表面10aの別の対角線上に位置する辺縁部の二隅には、2つの略円形状の窪み部17c,17dが形成されている。また、同一のダイノード10の後段側の表面10bにおける突起部16a,16bに対して反対側の位置には、それぞれ、突起部16a,16bとほぼ同一の大きさを有する略円形状の窪み部17a,17bが形成され、表面10bにおける窪み部17c,17dに対して反対側の位置には、それぞれ、窪み部17c,17dとほぼ同一の大きさを有する略円形状の突起部16c,16dが形成されている。   Similarly, two substantially circular projections 16a and 16b are formed at two corners on the diagonal line among the four corners of the edge portion of the front surface 10a of the dynode 10 on another diagonal line of the surface 10a. Two substantially circular depressions 17c and 17d are formed at the two corners of the edge located at. Further, at the position on the opposite side to the protrusions 16a and 16b on the surface 10b on the rear stage side of the same dynode 10, the substantially circular recess 17a having substantially the same size as the protrusions 16a and 16b, respectively. 17b are formed, and substantially circular projections 16c and 16d having substantially the same size as the depressions 17c and 17d are formed at positions opposite to the depressions 17c and 17d on the surface 10b, respectively. Has been.

スペーサ12a,12bは、収束電極6及びダイノード10の縁形状とほぼ同一の縁形状を有する枠状部材である。このスペーサ12a及びスペーサ12bは、それぞれ、2つのダイノード10の間及び収束電極6と最前段のダイノード10との間に配置された際に電子増倍部7の電子増倍孔9が形成された領域A(図1参照)にかからないように、当該領域Aを取り囲むのに十分な大きさでその中央部が矩形状に切り抜かれている。また、このスペーサ12bには、収束電極6とダイノード10との間に配置される際に突起部14c,14d,16a,16bに対向する隅部において円形状の穴部(窪み)18が穿たれている。同様に、スペーサ12aには、2つのダイノード10間に配置される際に突起部16a,16b,16c,16dに対向する隅部において円形状の穴部(窪み)19が穿たれている。これらの穴部18,19は、それぞれ、スペーサ12b,12aの隅部の両面に形成されている。   The spacers 12 a and 12 b are frame-shaped members having edge shapes that are substantially the same as the edge shapes of the focusing electrode 6 and the dynode 10. When the spacer 12a and the spacer 12b are disposed between the two dynodes 10 and between the focusing electrode 6 and the frontmost dynode 10, the electron multiplying hole 9 of the electron multiplying portion 7 is formed. In order not to cover the region A (see FIG. 1), the central portion is cut out in a rectangular shape with a size sufficient to surround the region A. In addition, the spacer 12b has a circular hole (dent) 18 formed at a corner facing the protrusions 14c, 14d, 16a, and 16b when the spacer 12b is disposed between the focusing electrode 6 and the dynode 10. ing. Similarly, the spacer 12a is formed with a circular hole (dent) 19 at a corner facing the protrusions 16a, 16b, 16c, 16d when the spacer 12a is disposed between the two dynodes 10. These holes 18 and 19 are formed on both surfaces of the corners of the spacers 12b and 12a, respectively.

上述した形状を有する2つのダイノード10がスペーサ12aを介して積層される際には、前段のダイノード10の突起部16c,16dが、スペーサ12aの対角線上の2つの穴部19に嵌め合わされ、後段のダイノード10の突起部16a,16bが、スペーサ12aの別の対角線上の2つの穴部19に嵌め合わされることによって互いに積み重ねられる。また、収束電極6と最前段のダイノード10とがスペーサ12bを介して積層される際には、ダイノード10の突起部16a,16bが、スペーサ12bの対角線上の2つの穴部18に嵌め合わされ、収束電極6の突起部14c,14dが、スペーサ12bの別の対角線上の2つの穴部18に嵌め合わされることによって互いに積み重ねられる。これにより、収束電極6と複数段のダイノード10とは、互いに管軸Zに垂直な方向及び管軸Zに沿った方向において位置合わせがなされる。このようにして、収束電極6から最終段のダイノード10までがスペーサ12a,12bを介して積み重ねられている。   When the two dynodes 10 having the above-described shape are stacked via the spacer 12a, the protrusions 16c and 16d of the front dynode 10 are fitted into the two holes 19 on the diagonal line of the spacer 12a, and the rear stage The protrusions 16a and 16b of the dynodes 10 are stacked on each other by being fitted into two holes 19 on another diagonal line of the spacer 12a. Further, when the focusing electrode 6 and the foremost dynode 10 are stacked via the spacer 12b, the protrusions 16a and 16b of the dynode 10 are fitted into the two holes 18 on the diagonal line of the spacer 12b, The protrusions 14c and 14d of the focusing electrode 6 are stacked on each other by being fitted into the two holes 18 on another diagonal line of the spacer 12b. As a result, the focusing electrode 6 and the plurality of stages of dynodes 10 are aligned in the direction perpendicular to the tube axis Z and the direction along the tube axis Z. In this way, the focusing electrode 6 to the final stage dynode 10 are stacked via the spacers 12a and 12b.

次に、スペーサ12a(スペーサ12b)の詳細構成について説明する。図4は、スペーサ12aの平面図、図5は、図4のスペーサ12aのV-V線に沿った断面図、図6は、図4のスペーサ12aのVI-VI線に沿った断面図、図7は、図4のスペーサ12aを上方から見た斜視図、図8は、図4のスペーサ12aを下方から見た斜視図である。なお、スペーサ12bは、スペーサ12aとその厚さにおいて異なるが基本構成は同一であるので、その説明を省略する。   Next, a detailed configuration of the spacer 12a (spacer 12b) will be described. 4 is a plan view of the spacer 12a, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV of the spacer 12a in FIG. 4, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of the spacer 12a in FIG. FIG. 8 is a perspective view of the spacer 12a of FIG. 4 as viewed from above, and FIG. 8 is a perspective view of the spacer 12a of FIG. 4 as viewed from below. The spacer 12b differs from the spacer 12a in its thickness, but the basic configuration is the same, and thus the description thereof is omitted.

スペーサ12aは、3つの矩形枠状の絶縁部材21A,21B,21Cが重ね合わされて、互いの融着により一体化されて成り、絶縁部材21Aは、前段のダイノード10側に配置され、絶縁部材21Cは、後段側のダイノード10側に配置され、絶縁部材21Bは、2つの絶縁部材21A,21Cの間に把持される。絶縁部材21Bの両面及び貫通孔内部には、第1配線部22、第2配線部23、及び中間配線部24からなる配線部を含み、スペーサ12aを挟む2段のダイノード10の間を電気的に接続する導電路25が形成されている。さらに、導電路25には、絶縁部材21Aの四隅に形成され、前段のダイノード10と第1配線部22とを電気的に接続するための4つの穴部19(第1接続部)と、絶縁部材21Cの四隅に形成され、後段のダイノード10と第2配線部23とを電気的に接続するための4つの穴部19(第2接続部)とが、それぞれ設けられている。   The spacer 12a is formed by superimposing three rectangular frame-shaped insulating members 21A, 21B, and 21C and integrating them with each other. The insulating member 21A is disposed on the dynode 10 side of the previous stage, and the insulating member 21C. Is disposed on the dynode 10 side on the rear stage side, and the insulating member 21B is held between the two insulating members 21A and 21C. The insulating member 21B includes a wiring portion including a first wiring portion 22, a second wiring portion 23, and an intermediate wiring portion 24 on both surfaces and inside of the through hole, and electrically connects the two dynodes 10 sandwiching the spacer 12a. A conductive path 25 is formed to connect to the. Further, the conductive path 25 is formed at the four corners of the insulating member 21A, and has four holes 19 (first connection portions) for electrically connecting the dynode 10 and the first wiring portion 22 in the previous stage, and insulation. Four holes 19 (second connection portions) are provided at the four corners of the member 21C and electrically connected to the second dynode 10 and the second wiring portion 23, respectively.

第1配線部22は、絶縁部材21Bの前段のダイノード10側の面26上に、1つの辺の中間部から3つの隅部26a,26b,26cを経由して他の隅部26dに至るまで、面26からはみ出ることなく面26の外縁に沿って形成され(図7)、第2配線部23は、絶縁部材21Bの後段のダイノード10側の面27上に、1つの辺の中間部から3つの隅部27a,27b,27cを経由して他の隅部27dに至るまで、面27からはみ出ることなく面27の外縁に沿って形成されている(図8)。   The first wiring portion 22 extends from the middle portion of one side to the other corner portion 26d via the three corner portions 26a, 26b, and 26c on the surface 26 on the dynode 10 side of the preceding stage of the insulating member 21B. The second wiring portion 23 is formed along the outer edge of the surface 26 without protruding from the surface 26 (FIG. 7). The second wiring portion 23 is formed on the surface 27 on the dynode 10 side after the insulating member 21B from the middle portion of one side. It is formed along the outer edge of the surface 27 without protruding from the surface 27 until it reaches the other corner portion 27d via the three corner portions 27a, 27b, 27c (FIG. 8).

また、第2配線部23の隅部27aと隅部27dとの間の端部には、スクリーン印刷により面27からはみ出ることなく形成された抵抗体28と、絶縁部材21Bの両面26,27の間に貫通して形成された層間接続用のスルーホール29とから成る中間配線部24が接続されている(図6、図8)。この抵抗体28の一端は第2配線部23の端部に接続され、抵抗体28の他端は面27上においてスルーホール29に接続され、スルーホール29は、さらに面26上において第1配線部22の端部に接続されている(図6)。すなわち、中間配線部24は、第1配線部22と第2配線部23とを抵抗体28を介して電気的に接続する機能を有する。   In addition, a resistor 28 formed without protruding from the surface 27 by screen printing at the end portion between the corner portion 27a and the corner portion 27d of the second wiring portion 23, and both surfaces 26, 27 of the insulating member 21B. An intermediate wiring portion 24 including an interlayer connection through hole 29 formed therethrough is connected (FIGS. 6 and 8). One end of the resistor 28 is connected to the end of the second wiring portion 23, the other end of the resistor 28 is connected to the through hole 29 on the surface 27, and the through hole 29 is further connected to the first wiring on the surface 26. It is connected to the end of the part 22 (FIG. 6). That is, the intermediate wiring portion 24 has a function of electrically connecting the first wiring portion 22 and the second wiring portion 23 via the resistor 28.

絶縁部材21Aに形成された穴部19は、その内面から絶縁部材21Bの面26側にかけて導電性材料30でコーティングされており、この導電性材料30が第1配線部22に接触することにより、穴部19と第1配線部22とが電気的に接続される。同様に、絶縁部材21Cに形成された穴部19は、その内面から絶縁部材21Bの面27側にかけて導電性材料30でコーティングされており、この導電性材料30が第2配線部23に接触することにより、穴部19と第2配線部23とが電気的に接続される(図5)。これにより、第1配線部22及び第2配線部23は、絶縁部材21Aの4つの穴部19及び絶縁部材21Cの4つの穴部19のそれぞれを連結して接続することによって、絶縁部材21Aの穴部19と絶縁部材21Cの穴部19とを抵抗体28を介して接続する。   The hole portion 19 formed in the insulating member 21A is coated with the conductive material 30 from the inner surface to the surface 26 side of the insulating member 21B, and when the conductive material 30 comes into contact with the first wiring portion 22, The hole 19 and the first wiring part 22 are electrically connected. Similarly, the hole 19 formed in the insulating member 21 </ b> C is coated with the conductive material 30 from the inner surface to the surface 27 side of the insulating member 21 </ b> B, and the conductive material 30 comes into contact with the second wiring portion 23. Thereby, the hole part 19 and the 2nd wiring part 23 are electrically connected (FIG. 5). Thereby, the 1st wiring part 22 and the 2nd wiring part 23 connect and connect each of the four hole parts 19 of the insulating member 21A, and the four hole parts 19 of the insulating member 21C, so that the insulating member 21A can be connected. The hole 19 and the hole 19 of the insulating member 21 </ b> C are connected via a resistor 28.

図9を参照して、上記構成のスペーサ12aが2つのダイノード10の間に配置された場合のダイノード間の給電方向について説明する。同図の矢印Bに示すように、前段のダイノード10の突起部16c,16dとスペーサ12aの2つの穴部19とが接続されることにより、前段のダイノード10からスペーサ12aの2つの隅部に電荷が流れ込む。2つの隅部に流れ込んだ電荷は、第1配線部22、抵抗体28を含む中間配線部24及び第2配線部23を経由して、後段のダイノード10側の4つ穴部19に到達する。そして、穴部19に到達した電荷は、その穴部19に嵌め込まれた突起部16a,16bを伝わって後段側のダイノード10に流れ込む。このようにして、隣接する2つのダイノード10間においては、抵抗体28を経由して電荷が供給されることがわかる。このとき、2つのダイノード10間に挟まれたスペーサ12aにおいては、第1配線部22、抵抗体28を含む中間配線部24及び第2配線部23が、絶縁部材21A,21B,21Cに覆われることになり、真空容器5の内部空間に露出されることはない。ここでは、1つのダイノード10と導電路25とが2点で接続されているが、穴部19に形成された導電性材料30がダイノード10の窪み部17a,17b,17c,17dの周辺と接触することにより、4点で接続することも可能である。   With reference to FIG. 9, the feeding direction between dynodes when the spacer 12a having the above-described configuration is arranged between two dynodes will be described. As shown by the arrow B in the figure, the projections 16c and 16d of the preceding dynode 10 and the two holes 19 of the spacer 12a are connected, so that two ridges from the preceding dynode 10 to the two corners of the spacer 12a are connected. Charge flows in. The electric charge flowing into the two corners reaches the four holes 19 on the dynode 10 side in the subsequent stage via the first wiring part 22, the intermediate wiring part 24 including the resistor 28 and the second wiring part 23. . Then, the electric charge that has reached the hole 19 flows through the protrusions 16 a and 16 b fitted in the hole 19 and flows into the dynode 10 on the rear stage side. In this way, it can be seen that charges are supplied between the two adjacent dynodes 10 via the resistor 28. At this time, in the spacer 12a sandwiched between the two dynodes 10, the first wiring part 22, the intermediate wiring part 24 including the resistor 28, and the second wiring part 23 are covered with the insulating members 21A, 21B, and 21C. That is, it is not exposed to the internal space of the vacuum vessel 5. Here, one dynode 10 and the conductive path 25 are connected at two points, but the conductive material 30 formed in the hole 19 is in contact with the periphery of the recesses 17a, 17b, 17c, and 17d of the dynode 10. By doing so, it is possible to connect at four points.

なお、絶縁部材21Bの面27上に形成された抵抗体28は、レーザトリミング加工により抵抗値の調整を施されてもよい。その際、絶縁部材21A,21B,21Cを重ね合わせてスペーサ12aとして形成された時点での調整が好ましいために、絶縁部材21Cの抵抗体28に対向する部分に開口を設け、その開口を介して抵抗値の調整を行った後、抵抗体28を増倍電子等からより確実に保護するために、絶縁部材21Cの開口をガラス材等の絶縁材によって充填又はコーティングするのが好ましい。   Note that the resistance value of the resistor 28 formed on the surface 27 of the insulating member 21B may be adjusted by laser trimming. At this time, since adjustment is preferably performed when the insulating members 21A, 21B, and 21C are overlapped to form the spacer 12a, an opening is provided in a portion of the insulating member 21C that faces the resistor 28, and the opening is formed through the opening. After adjusting the resistance value, it is preferable to fill or coat the opening of the insulating member 21C with an insulating material such as a glass material in order to more reliably protect the resistor 28 from the multiplying electrons.

以上説明した光電子増倍管1によれば、電子増倍部7を構成する複数段のダイノード10のうちの2つの隣接するダイノード10が、それらの間に配置されたスペーサ12aの導電路25によって抵抗体28を介して電気的に接続されるので、直列的に接続された複数段のダイノード10の両端に電圧を印加することにより隣接するダイノード10間に所望の電位差を生じさせることができる結果、ダイノード10に電圧を印加するための給電部としての接続端子数を削減することができ、電子増倍部7を小型化することができる。例えば、収束電極6、複数段のダイノード10からなる電子増倍部7、及びアノード8の組立図である図10に示すように、ステムピン11(図1参照)のいずれかである接続ピン31A、接続ピン31B、接続ピン31Cを、それぞれ収束電極6、最後段のダイノード10、アノード8に接続して、スペーサ12a,12bに内蔵される抵抗体28の抵抗値を約100kΩ〜数100kΩに設定する。この場合、接続ピン31Aと接続ピン31Bとの間に電圧を印加すれば、抵抗体28が分圧(分電圧)抵抗として機能することにより、最後段以外の各ダイノード10に外部から直接電圧を印加することなく所定電圧に設定することができる。よって、接続端子数の削減による電子増倍部7の小型化とともに、真空容器5内でのステムピン11用の空間およびステム4に対してのステムピン11の占有面積を非常に小さくできるため、結果として、真空容器5の大きさに対する有効面積(電子増倍部7の電子増倍孔9が形成された領域A(図1参照))を大きくすることができる。勿論、ピン数の少ない電子管とすることができコストも削減できる。なお、収束電極6を不要とする場合は、最前段と最後段のダイノード10に接続された接続ピン31Aと接続ピン31Bに電圧を印加する。   According to the photomultiplier tube 1 described above, two adjacent dynodes 10 among the plurality of dynodes 10 constituting the electron multiplier section 7 are connected by the conductive path 25 of the spacer 12a disposed between them. As a result of being electrically connected via the resistor 28, a desired potential difference can be generated between adjacent dynodes 10 by applying a voltage across the dynodes 10 connected in series. In addition, the number of connection terminals as a power feeding unit for applying a voltage to the dynode 10 can be reduced, and the electron multiplying unit 7 can be reduced in size. For example, as shown in FIG. 10 which is an assembly drawing of the focusing electrode 6, the electron multiplying unit 7 composed of a plurality of stages of dynodes 10, and the anode 8, a connection pin 31A that is one of the stem pins 11 (see FIG. 1), The connection pin 31B and the connection pin 31C are connected to the convergence electrode 6, the last dynode 10 and the anode 8, respectively, and the resistance value of the resistor 28 built in the spacers 12a and 12b is set to about 100 kΩ to several hundred kΩ. . In this case, if a voltage is applied between the connection pin 31A and the connection pin 31B, the resistor 28 functions as a voltage dividing (divided voltage) resistor, whereby a voltage is directly applied from the outside to each dynode 10 other than the last stage. It can be set to a predetermined voltage without application. As a result, the electron multiplier 7 can be reduced in size by reducing the number of connection terminals, and the space for the stem pins 11 in the vacuum vessel 5 and the area occupied by the stem pins 11 with respect to the stem 4 can be greatly reduced. The effective area with respect to the size of the vacuum vessel 5 (the region A (see FIG. 1) where the electron multiplying holes 9 of the electron multiplying portion 7 are formed) can be increased. Of course, an electron tube with a small number of pins can be obtained, and the cost can be reduced. When the convergence electrode 6 is not necessary, a voltage is applied to the connection pin 31A and the connection pin 31B connected to the dynodes 10 at the foremost stage and the last stage.

また、抵抗体28は絶縁部材21B,21Cによって覆われており真空容器5内の空間に対して露出していないので、増倍電子の影響による抵抗体28の抵抗値の変化を抑制することができ、電子増倍効率の安定化が可能になる。また、光電子増倍管1の場合、光電陰極2aを形成する際のアルカリ物質が抵抗体28に付着した場合、その影響により抵抗体28の抵抗値が変化してしまう可能性があるが、それも抑制することができ、電子増倍効率の安定化が可能になる。さらに、この抵抗体28は、絶縁部材21B上にスクリーン印刷で形成されるので、所望の抵抗値に容易に設定することができる。一方、ダイノード10の段間距離は、絶縁部材21A,21B,21C自体の厚さで容易に調整することができる。つまり、スペーサ全体で抵抗値を発生する場合に比べ、ダイノード10の段間距離と抵抗値との間に関連性を持つことなく、それぞれが最適な状態を選択することが可能となる。これにより、電子増倍部7を小型化しながら検出感度を安定化することができる。   Further, since the resistor 28 is covered with the insulating members 21B and 21C and is not exposed to the space in the vacuum vessel 5, it is possible to suppress a change in the resistance value of the resistor 28 due to the influence of the multiplying electrons. This makes it possible to stabilize the electron multiplication efficiency. In the case of the photomultiplier tube 1, when an alkaline substance for forming the photocathode 2 a adheres to the resistor 28, there is a possibility that the resistance value of the resistor 28 changes due to the influence. And the electron multiplication efficiency can be stabilized. Further, since the resistor 28 is formed on the insulating member 21B by screen printing, it can be easily set to a desired resistance value. On the other hand, the interstage distance of the dynode 10 can be easily adjusted by the thickness of the insulating members 21A, 21B, and 21C itself. That is, as compared with the case where the resistance value is generated in the entire spacer, it is possible to select an optimal state for each of them without having a relationship between the interstage distance of the dynode 10 and the resistance value. Thereby, it is possible to stabilize the detection sensitivity while reducing the size of the electron multiplier section 7.

また、導電路25が、隣接する2段のダイノード10の複数の接続点(接続部)と連結して接続され、これらの2段のダイノード10が、絶縁体で覆われた第1配線部22、第2配線部23、及び中間配線部24によって抵抗体28を介して互いに接続されるので、各配線部への電子入射によるノイズの発生や配線部のはがれを抑制することができる。また、各ダイノード10に対して複数の接続部を有することから、例えばダイノード10に反り等が生じた場合であっても、確実に接点を保つことができ、安定した電位供給を行うことができるとともに、ダイノード全体に亘ってより均一な電位を設定することができる。また、形成されたスペーサ12a,12bに関して表裏なく使用することができ、装置全体の製造効率が向上する。さらに、複数の接続部が第1配線部22、第2配線部23によって連結され、それらが互いに中間配線部24によって抵抗体28を介して互いに接続されるので、各接続部ごとに抵抗体28まで配線を設けることなく、各接続部と抵抗体28との接続構造が簡略されるとともに、配線部全体の長さが短縮化されて、ダイノード全体に亘ってより均一な電位を設定することができる。これらにより、結果として、検出感度を安定化することができる。   In addition, the conductive path 25 is connected to and connected to a plurality of connection points (connection portions) of the adjacent two-stage dynodes 10, and these two-stage dynodes 10 are covered with an insulator. Since the second wiring part 23 and the intermediate wiring part 24 are connected to each other via the resistor 28, it is possible to suppress the generation of noise and the peeling of the wiring part due to the incidence of electrons on each wiring part. Further, since each dynode 10 has a plurality of connecting portions, for example, even when warpage or the like occurs in the dynode 10, the contact can be reliably maintained and stable potential supply can be performed. At the same time, a more uniform potential can be set over the entire dynode. Further, the formed spacers 12a and 12b can be used without any front and back, and the manufacturing efficiency of the entire apparatus is improved. Further, since the plurality of connecting portions are connected by the first wiring portion 22 and the second wiring portion 23 and are connected to each other via the resistor 28 by the intermediate wiring portion 24, the resistor 28 is provided for each connecting portion. The connection structure between each connection portion and the resistor 28 can be simplified without providing wiring until the entire wiring portion is shortened, and a more uniform potential can be set over the entire dynode. it can. As a result, the detection sensitivity can be stabilized as a result.

さらに、スペーサ12a,12bは、ダイノード10の電子増倍孔9が形成された領域Aを取り囲むような枠状の形状を有するので、ダイノード10の辺縁部との接触面積の増加によってダイノード10間の距離を安定して保持することにより、複数段のダイノード10による電子増倍機能を維持し、検出感度を安定化することができる。また、外部衝撃等への耐震性も高く、ダイノード10を積層して電子増倍部7を組上げる際にも、容易に組上げることができ、装置全体の製造効率が向上する。さらに、電子増倍部7の内部の電子増倍空間をダイノード10等とともに密閉することで、電子が電子増倍部7の外へ出てしまうことに起因するノイズを抑制することができる。   Furthermore, since the spacers 12a and 12b have a frame-like shape surrounding the region A in which the electron multiplier holes 9 of the dynode 10 are formed, an increase in the contact area with the edge of the dynode 10 increases the distance between the dynodes 10. , The electron multiplication function by the dynodes 10 in a plurality of stages can be maintained, and the detection sensitivity can be stabilized. Moreover, it has high earthquake resistance against external impacts and the like, and can be easily assembled even when the dynodes 10 are stacked to assemble the electron multiplying unit 7, thereby improving the manufacturing efficiency of the entire apparatus. Further, by sealing the electron multiplying space inside the electron multiplying unit 7 together with the dynode 10 and the like, it is possible to suppress noise caused by the electrons coming out of the electron multiplying unit 7.

またさらに、スペーサ12a,12bは、絶縁部材21A,21B,21Cの3層構造であり、絶縁部材21Bに形成された抵抗体28を含む中間配線部24、第1配線部22、及び第2配線部23がこれらの絶縁部材21A,21B,21Cによって覆われていることで、抵抗体28を含む配線部をスペーサ12a,12b内部で絶縁体によって確実に包囲することができるので、検出感度を安定化することができる。また、抵抗体28を含む配線部が絶縁部材21Bに一括に形成されているので、製造時の導電路25の形成が容易となり、装置全体の製造効率が向上する。また、抵抗体28の抵抗値を変更したスペーサ12a,12bを作成する場合にも、絶縁部材21Bを交換するのみで対応可能であることから、抵抗値の変更したスペーサの作成も容易に行うことができる。さらに、絶縁部材21A,21B,21Cの接合に関しては、接着剤等を介することなく絶縁部材同士の融着で行われているために、接着剤等による抵抗体28および各配線部への影響やガス放出といった問題を生じることもない。   Furthermore, the spacers 12a and 12b have a three-layer structure of insulating members 21A, 21B, and 21C, and include an intermediate wiring portion 24 including a resistor 28 formed on the insulating member 21B, a first wiring portion 22, and a second wiring. Since the portion 23 is covered with these insulating members 21A, 21B, and 21C, the wiring portion including the resistor 28 can be reliably surrounded by the insulator inside the spacers 12a and 12b, so that the detection sensitivity is stable. Can be In addition, since the wiring portion including the resistor 28 is collectively formed on the insulating member 21B, it is easy to form the conductive path 25 at the time of manufacturing, and the manufacturing efficiency of the entire device is improved. In addition, when creating the spacers 12a and 12b with the resistance value of the resistor 28 changed, it is possible to handle the spacers 12a and 12b by simply replacing the insulating member 21B. Can do. Furthermore, since the insulating members 21A, 21B, and 21C are joined by fusion of the insulating members without using an adhesive or the like, the influence of the adhesive or the like on the resistor 28 and each wiring portion can be reduced. There is no problem of outgassing.

さらにまた、前段側のダイノード10の突起部16c,16dが、スペーサ12aの前段側の穴部19に嵌め合わされ、後段側のダイノード10の突起部16a,16bが、スペーサ12aの後段側の穴部19に嵌め合わされることにより、2段のダイノード10とスペーサ12aの導電路25とが電気的に接続されるので、ダイノード10同士およびダイノード10とスペーサ12aとの位置決めが容易となると同時に確実かつ安定な電気的接続が為される。ダイノード同士の位置関係の変化は各チャンネルの出力の変化につながり、ダイノード10とスペーサ12aとの位置関係の変化は、両者の電気的接続状態の変化(例えば接続部における接触面積の変化による電気的抵抗の変化)にもつながるため、検出感度のより一層な安定化が可能になる。   Furthermore, the protrusions 16c and 16d of the dynode 10 on the front stage side are fitted into the holes 19 on the front stage side of the spacer 12a, and the protrusion parts 16a and 16b of the dynode 10 on the rear stage side are fitted to the hole parts on the rear stage side of the spacer 12a. 19, the two-stage dynodes 10 and the conductive paths 25 of the spacers 12 a are electrically connected to each other, so that positioning between the dynodes 10 and between the dynodes 10 and the spacers 12 a is facilitated and at the same time reliable and stable. Electrical connection is made. A change in the positional relationship between the dynodes leads to a change in the output of each channel, and a change in the positional relationship between the dynode 10 and the spacer 12a indicates a change in the electrical connection state between them (for example, an electrical change caused by a change in the contact area at the connection portion). This also leads to a change in resistance), so that the detection sensitivity can be further stabilized.

なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、スペーサに形成される導電路の形状としては、以下の様々な変形態様を採ることができる。   In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above. For example, the following various modifications can be employed as the shape of the conductive path formed in the spacer.

図11〜13には、本発明の第1の変形例であるスペーサ112aを示す。このスペーサ112aにおいては、第1配線部122が、絶縁部材21Bの面26上に1つの辺の中間部から隅部26aを経由して隅部26bに至るまで略L字状に形成され(図12)、第2配線部123は、絶縁部材21Bの面27上に1つの辺の中間部から隅部27aを経由して隅部27bに至るまで略L字状で形成されている(図13)。そして、これらの配線部122,123が、抵抗体28とスルーホール29とから成る中間配線部24によって接続される。図14を参照して、上記構成のスペーサ112aが2つのダイノード10の間に配置された場合のダイノード間の給電方向について説明する。同図の矢印Cに示すように、前段のダイノード10の突起部16cとスペーサ112aの穴部19とが接続されることにより、前段のダイノード10からスペーサ112aの1つの隅部に電荷が流れ込む。隅部に流れ込んだ電荷は、第1配線部122、抵抗体28を含む中間配線部24及び第2配線部123を経由して、後段のダイノード10側の2つの穴部19に到達する。そして、穴部19に到達した電荷は、その穴部19に嵌め込まれた突起部16bを伝わって後段側のダイノード10に流れ込む。このことから、スペーサ112aによっても、隣接する2つのダイノード10間において抵抗体28を経由して電荷を流れ込ませることが可能である。ここで、スペーサ112aの各面の四隅の穴部19のうちの1箇所がダイノード10に接続されれば済むため、それ以外の三隅にある穴部19の内部は導電コーティングが省略されてもよい。   11 to 13 show a spacer 112a which is a first modification of the present invention. In the spacer 112a, the first wiring part 122 is formed in a substantially L shape on the surface 26 of the insulating member 21B from the middle part of one side to the corner part 26b via the corner part 26a (see FIG. 12), the second wiring portion 123 is formed in a substantially L shape on the surface 27 of the insulating member 21B from the middle portion of one side to the corner portion 27b via the corner portion 27a (FIG. 13). ). These wiring parts 122 and 123 are connected by an intermediate wiring part 24 composed of the resistor 28 and the through hole 29. With reference to FIG. 14, the feeding direction between the dynodes when the spacer 112 a having the above configuration is arranged between two dynodes 10 will be described. As indicated by an arrow C in the figure, the protrusion 16c of the preceding dynode 10 and the hole 19 of the spacer 112a are connected, so that charge flows from the preceding dynode 10 into one corner of the spacer 112a. The electric charge flowing into the corner reaches the two holes 19 on the dynode 10 side in the subsequent stage via the first wiring part 122, the intermediate wiring part 24 including the resistor 28, and the second wiring part 123. Then, the electric charge that has reached the hole 19 flows through the protrusion 16b fitted in the hole 19 and flows into the dynode 10 on the rear stage side. Thus, the spacer 112a can also cause charge to flow between the two adjacent dynodes 10 via the resistor 28. Here, since one of the four corner holes 19 on each surface of the spacer 112a only needs to be connected to the dynode 10, the conductive coating may be omitted in the holes 19 at the other three corners. .

また、図15には、本発明の第2の変形例であるスペーサ212aを示す。このスペーサ212aにおいては、2つの配線部と抵抗体28及びスルーホール29を含む中間配線部24とから成る導電路225が、絶縁部材21Bの辺の中間部から1つの隅部に至るまで略直線状に形成されている。このようなスペーサ212aを用いた場合のダイノード間の給電方向は、図16の矢印Dに示すようになる。具体的には、前段のダイノード10からスペーサ212aの1つの隅部に電荷が流れ込み、その電荷は、抵抗体28を含む導電路225、及び後段のダイノード10側に接続された1つの穴部19を経由して後段側のダイノード10に流れ込む。本変形例においても、第1の変形例と同様に、スペーサ212aの各面の四隅の穴部19のうちの1箇所がダイノード10に接続されれば済むため、それ以外の三隅にある穴部19の内部は導電コーティングが省略されてもよい。   FIG. 15 shows a spacer 212a which is a second modification of the present invention. In this spacer 212a, a conductive path 225 composed of two wiring portions and an intermediate wiring portion 24 including the resistor 28 and the through hole 29 is substantially straight from the middle portion of the side of the insulating member 21B to one corner portion. It is formed in a shape. The feeding direction between the dynodes when such a spacer 212a is used is as shown by an arrow D in FIG. Specifically, a charge flows from the dynode 10 at the front stage into one corner of the spacer 212a, and the charge is connected to the conductive path 225 including the resistor 28 and one hole 19 connected to the dynode 10 side at the rear stage. And then flows into the dynode 10 on the rear stage side. Also in this modified example, as in the first modified example, it is only necessary that one of the four corner hole portions 19 of each surface of the spacer 212a is connected to the dynode 10, and therefore, the hole portions in the other three corners. The interior of 19 may be omitted from the conductive coating.

さらに、図17及び図18に示す本発明の第3の変形例であるスペーサ312aのように、絶縁部材21A,21Cを含む2層構造とし、絶縁部材21Aに形成された穴部19の底面と絶縁部材21Cに形成された穴部19の底面との間に抵抗体328を埋め込ませてもよい。このようなスペーサ312aによっても、隣接する2段のダイノード10を抵抗体を介して接続することができる。なお、本変形例においても絶縁部材21Bに抵抗体328を埋め込むようにすることで3層構造としてもよい。また、スペーサ212aの各面の四隅の穴部19の全てに抵抗体328を埋め込ませてもよく、一部の穴部19でも良い。その場合、抵抗体328を埋め込ませていない穴部19の内部は導電コーティングは省略されてもよい。   Further, like a spacer 312a which is a third modification of the present invention shown in FIGS. 17 and 18, a two-layer structure including the insulating members 21A and 21C is formed, and the bottom surface of the hole portion 19 formed in the insulating member 21A and A resistor 328 may be embedded between the bottom surface of the hole 19 formed in the insulating member 21C. Even with such a spacer 312a, adjacent two-stage dynodes 10 can be connected via a resistor. In this modification as well, a three-layer structure may be formed by embedding the resistor 328 in the insulating member 21B. Further, the resistor 328 may be embedded in all of the four corner holes 19 of each surface of the spacer 212a, or a part of the holes 19 may be used. In that case, the conductive coating may be omitted inside the hole 19 in which the resistor 328 is not embedded.

また、図19に示す本発明の第4の変形例であるスペーサ412aのように、絶縁部材による1層構造を採用してもよい。このようなスペーサ412aでは、絶縁部材21Bの第1配線部22が形成された面26、及び第2配線部23と中間配線部24とが形成された面27のうち、少なくとも抵抗体28を、好ましくは面26および面27の両面をガラス材等の絶縁材でコーティングすればよい。   Moreover, you may employ | adopt the 1 layer structure by an insulating member like the spacer 412a which is the 4th modification of this invention shown in FIG. In such a spacer 412a, at least the resistor 28 is selected from the surface 26 on which the first wiring portion 22 of the insulating member 21B is formed and the surface 27 on which the second wiring portion 23 and the intermediate wiring portion 24 are formed. Preferably, both surfaces 26 and 27 may be coated with an insulating material such as a glass material.

また、ダイノードがエッチング加工により製造されるような場合であってダイノードに突起を形成することが困難なときは、スペーサ側に突起を、ダイノード側に窪み又は孔を形成してもよい。図20は、このような場合の本発明の第5の変形例であるスペーサ512aの斜視図である。同図に示すスペーサ512aでは、絶縁部材21Bの両面においてそれぞれ異なる対角線上の隅部に配線部425と電気的に接続された導電性の突起部419が設けられ、その絶縁部材21Bの両面の突起部419を除いた領域が、ガラス材によってコーティングされている。このような構造によっても、抵抗体28の抵抗値の変化を防ぎつつ、ダイノード間を配線部425を介して接続することができる。   In the case where the dynode is manufactured by etching and it is difficult to form the protrusion on the dynode, the protrusion may be formed on the spacer side, and the depression or hole may be formed on the dynode side. FIG. 20 is a perspective view of a spacer 512a which is a fifth modification of the present invention in such a case. In the spacer 512a shown in the figure, conductive protrusions 419 that are electrically connected to the wiring portions 425 are provided at the corners on different diagonal lines on both surfaces of the insulating member 21B, and the protrusions on both surfaces of the insulating member 21B. The region excluding the portion 419 is coated with a glass material. Even with such a structure, it is possible to connect the dynodes via the wiring portion 425 while preventing the resistance value of the resistor 28 from changing.

また、光電子増倍管1におけるダイノード10とアノード8との配置関係は図10に示すものには限定されず、アノード8の後段に1段以上のダイノード10が配置されてもよい。その場合は、アノード8の前段側及び後段側のダイノード10との間には別途抵抗を設ける必要がある。例えば、アノード8とアノード8の前段側及び後段側に配置されたダイノード10との間は、絶縁体のみから成るスペーサが設けられ、ダイノード10に対してのステムピン11は、最前段、アノード8の前段側及び後段側のダイノード10に接続される。そして、アノード8の前段側のダイノード10に接続されたステムピン11と、アノード8の後段側のダイノード10に接続されたステムピン11との間において、別途ブリーダ抵抗等の抵抗体を設けることで、各ダイノード10への分圧(分電圧)を行う。   Further, the arrangement relationship between the dynode 10 and the anode 8 in the photomultiplier tube 1 is not limited to that shown in FIG. 10, and one or more dynodes 10 may be arranged downstream of the anode 8. In that case, it is necessary to provide a separate resistor between the dynodes 10 on the front and rear sides of the anode 8. For example, a spacer made of only an insulator is provided between the anode 8 and the dynode 10 disposed on the front side and the rear side of the anode 8, and the stem pin 11 for the dynode 10 is connected to the front stage, the anode 8. It is connected to the dynode 10 on the front side and the rear side. By separately providing a resistor such as a bleeder resistor between the stem pin 11 connected to the dynode 10 on the front stage side of the anode 8 and the stem pin 11 connected to the dynode 10 on the rear stage side of the anode 8, Divide the voltage (divided voltage) to the dynode 10.

また、以上説明した実施形態では、電子増倍部を備えた電子増倍管として光電子増倍管を示したが、それ以外にも光電陰極を有さない電子増倍管、入力光像を輝度増幅するイメージ増倍管等の電子増倍部を備えた電子増倍管であってもよい。   In the embodiment described above, the photomultiplier tube is shown as the electron multiplier tube provided with the electron multiplier section. However, the electron multiplier tube having no other photocathode, the input light image has a luminance. It may be an electron multiplier provided with an electron multiplier such as an image multiplier to be amplified.

本発明の好適な一実施形態に係る光電子増倍管1の管軸方向に沿った端面図である。1 is an end view along the tube axis direction of a photomultiplier tube 1 according to a preferred embodiment of the present invention. 図1の収束電極を含む電子増倍部の平面図である。It is a top view of the electron multiplication part containing the convergence electrode of FIG. 図1の収束電極及び電子増倍部の一部を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows a part of focusing electrode and electron multiplication part of FIG. 図1のスペーサの平面図である。It is a top view of the spacer of FIG. 図4のスペーサのV-V線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VV line of the spacer of FIG. 図4のスペーサのVI-VI線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VI-VI line of the spacer of FIG. 図4のスペーサを上方から見た分解斜視図である。It is the disassembled perspective view which looked at the spacer of FIG. 4 from upper direction. 図4のスペーサを下方から見た分解斜視図である。It is the disassembled perspective view which looked at the spacer of FIG. 4 from the downward direction. 図1のダイノード間の給電方向を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the electric power feeding direction between the dynodes of FIG. 図1の収束電極、ダイノード、及びアノードの組立図である。FIG. 2 is an assembly diagram of a focusing electrode, a dynode, and an anode of FIG. 1. 本発明の第1の変形例にかかるスペーサの平面図である。It is a top view of the spacer concerning the 1st modification of the present invention. 図11のスペーサを上方から見た分解斜視図である。It is the disassembled perspective view which looked at the spacer of FIG. 11 from upper direction. 図11のスペーサを下方から見た分解斜視図である。It is the disassembled perspective view which looked at the spacer of FIG. 11 from the downward direction. 図11のスペーサを用いた場合のダイノード間の給電方向を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the electric power feeding direction between dynodes at the time of using the spacer of FIG. 本発明の第2の変形例にかかるスペーサの平面図である。It is a top view of the spacer concerning the 2nd modification of the present invention. 図15のスペーサを用いた場合のダイノード間の給電方向を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the electric power feeding direction between dynodes at the time of using the spacer of FIG. 本発明の第3の変形例にかかるスペーサの平面図である。It is a top view of the spacer concerning the 3rd modification of the present invention. 図17のスペーサのVII-VII線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VII-VII line of the spacer of FIG. 本発明の第4の変形例にかかるスペーサを示す斜視図であり、(a)はスペーサの一方の面から見た斜視図、(b)は、スペーサの他方の面から見た斜視図である。It is the perspective view which shows the spacer concerning the 4th modification of this invention, (a) is the perspective view seen from one surface of the spacer, (b) is the perspective view seen from the other surface of the spacer. . 本発明の第5の変形例にかかるスペーサを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the spacer concerning the 5th modification of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…光電子増倍管、2a…光電陰極、7…電子増倍部、9…電子増倍孔、10…ダイノード、12a,12b,112a,212a,312a,412a,512a…スペーサ、16a,16b,16c,16d…突起部、18,19…穴部(第1又は第2接続部)、21A,21B,21C…絶縁部材、22,122…第1の配線部(配線部)、23,123…第2の配線部(配線部)、24…中間配線部(配線部)、25,225,425…導電路、28,328…抵抗体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photomultiplier tube, 2a ... Photocathode, 7 ... Electron multiplication part, 9 ... Electron multiplication hole, 10 ... Dynode, 12a, 12b, 112a, 212a, 312a, 412a, 512a ... Spacer, 16a, 16b, 16c, 16d ... projection, 18, 19 ... hole (first or second connecting part), 21A, 21B, 21C ... insulating member, 22, 122 ... first wiring part (wiring part), 23, 123 ... 2nd wiring part (wiring part), 24 ... intermediate wiring part (wiring part), 25, 225, 425 ... conductive path, 28, 328 ... resistor.

Claims (8)

入射電子を増倍する電子増倍孔を有する平板電極であるダイノードが複数段に積層された電子増倍部を備えた電子増倍管であって、
隣接する2段の前記ダイノードの間には、それぞれ、前記2段のダイノードの間を電気的に接続する導電路を有する絶縁性の枠状部材であるスペーサが配置されており、
前記導電路の一部は、絶縁体によって覆われた抵抗体によって形成されている、
ことを特徴とする電子増倍管。
An electron multiplier having an electron multiplier section in which dynodes, which are plate electrodes having electron multiplier holes for multiplying incident electrons, are stacked in a plurality of stages,
Between the adjacent two-stage dynodes, spacers that are insulating frame-like members each having a conductive path that electrically connects the two-stage dynodes are disposed,
A part of the conductive path is formed by a resistor covered with an insulator,
An electron multiplier characterized by that.
前記導電路は、
前記2段のダイノードのうちの一方と電気的に接続するための第1接続部と、
前記2段のダイノードのうちの他方と電気的に接続するための第2接続部と、
前記第1接続部と前記第2の接続部とを前記抵抗体を介して電気的に接続する、絶縁体で覆われた配線部と、
を含むことを特徴とする請求項1記載の電子増倍管。
The conductive path is
A first connection for electrically connecting to one of the two-stage dynodes;
A second connection for electrically connecting to the other of the two-stage dynodes;
A wiring portion covered with an insulator for electrically connecting the first connection portion and the second connection portion via the resistor;
The electron multiplier according to claim 1, comprising:
前記第1接続部及び前記第2接続部は複数である、
ことを特徴とする請求項2記載の電子増倍管。
The first connection part and the second connection part are plural.
The electron multiplier according to claim 2, wherein:
前記配線部は、
前記複数の第1接続部を連結する第1の配線部と、
前記複数の第2接続部を連結する第2の配線部と、
前記第1の配線部と前記第2の配線部とを接続する中間配線部とを含み、
前記抵抗体は、前記中間配線部の一部を形成している、
ことを特徴とする請求項3記載の電子増倍管。
The wiring part is
A first wiring portion connecting the plurality of first connection portions;
A second wiring portion connecting the plurality of second connection portions;
An intermediate wiring portion connecting the first wiring portion and the second wiring portion;
The resistor forms a part of the intermediate wiring portion.
The electron multiplier as claimed in claim 3.
前記スペーサは、前記ダイノードの前記電子増倍孔が形成された領域を取り囲むような枠状の形状を有する、
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子増倍管。
The spacer has a frame shape surrounding the region where the electron multiplier hole of the dynode is formed.
The electron multiplier as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
前記第1接続部及び前記第2接続部には窪み又は突起が形成され、
前記2段のダイノードのそれぞれには、少なくとも1つの突起又は窪みが形成されており、
前記2段のダイノードのうち一方のダイノードの前記突起又は前記窪みが、前記第1接続部の前記窪み又は前記突起に嵌め合わされることにより、前記一方のダイノードと前記配線部とが電気的に接続され、
前記2段のダイノードのうち他方のダイノードの前記突起又は前記窪みが、前記第2接続部の前記窪み又は前記突起に嵌め合わされることにより、前記他方のダイノードと前記配線部とが電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の電子増倍管。
A depression or a protrusion is formed in the first connection portion and the second connection portion,
Each of the two-stage dynodes is formed with at least one protrusion or depression,
The one dynode and the wiring portion are electrically connected by fitting the protrusion or the recess of one dynode of the two-stage dynodes to the recess or the protrusion of the first connection portion. And
The other dynode and the wiring portion are electrically connected by fitting the protrusion or the recess of the other dynode of the two-stage dynodes to the recess or the protrusion of the second connection portion. To be
The electron multiplier tube according to claim 2, wherein the electron multiplier tube is provided.
前記スペーサは、
前記2段のダイノードのうちの一方のダイノード側に設けられ、前記一方のダイノードと電気的に接続するための前記第1接続部を含む第1の絶縁部材と、
前記2段のダイノードのうちの他方のダイノード側に設けられ、前記他方のダイノードと電気的に接続するための前記第2接続部を含む第2の絶縁部材と、
前記第1及び第2の絶縁部材の間に把持された第3の絶縁部材と、
前記第1の絶縁部材と前記第3の絶縁部材との間に設けられ、前記第1接続部に電気的に接続された第1の配線部と、
前記第2の絶縁部材と前記第3の絶縁部材との間に設けられ、前記第2接続部に電気的に接続された第2の配線部と、
前記第3の絶縁部材を貫通して設けられ、前記第1の配線部と前記第2の配線部とを接続する中間配線部とを有し、
前記中間配線部の一部は、抵抗体によって形成されている、
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の電子増倍管。
The spacer is
A first insulating member provided on one dynode side of the two-stage dynodes and including the first connecting portion for electrically connecting to the one dynode;
A second insulating member provided on the other dynode side of the two-stage dynodes and including the second connecting portion for electrically connecting to the other dynode;
A third insulating member gripped between the first and second insulating members;
A first wiring portion provided between the first insulating member and the third insulating member and electrically connected to the first connecting portion;
A second wiring portion provided between the second insulating member and the third insulating member and electrically connected to the second connecting portion;
An intermediate wiring portion provided through the third insulating member and connecting the first wiring portion and the second wiring portion;
A part of the intermediate wiring part is formed of a resistor.
The electron multiplier according to claim 2 or 3, wherein
前記第1の配線部、前記第2の配線部、及び前記中間配線部は、前記第3の絶縁部材に形成されている、
ことを特徴とする請求項7記載の電子増倍管。
The first wiring portion, the second wiring portion, and the intermediate wiring portion are formed on the third insulating member,
The electron multiplier according to claim 7.
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