JP5281504B2 - 電磁波遮蔽体 - Google Patents
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巨大化するという欠点を有していた。
しかしながら、上記従来の電磁波遮蔽体を用いようとした場合にはさまざまな問題が生じる。
まず、金属やカーボンブラック等の導電性材料を使用する場合は、電子レンジの中で金属部分との間で放電が生じ大変危険である。また、フェライト等の磁性損失材料や水等の誘電損失材料を使用する場合は、被加熱材料自体の発熱は抑えられるものの、損失材料自体が発熱するために本用途には不向きである。
また、公知のフォトニック結晶を使用する場合には、周期構造物を大きくする必要があったため、局所的な電磁波の遮断には不向きである。
すなわち本発明は、以下に示される二次元フォトニック結晶を有する電磁波遮蔽体、およびその製造方法を提供することにある。
(2)前記高誘電率部位Aがチタン酸カルシウムおよびチタン酸バリウムの少なくとも
一方を含有する上記(1)に記載の電磁波遮蔽体。
(3)前記低誘電率部位Bが空気またはプラスチックである上記(1)または(2)に記載の電磁波遮蔽体。
(5)二次元周期構造部Dが担持体C上に高誘電率部位Aおよび低誘電率部位Bを交互に二次元配列した構造である上記(1)〜(4)のいずれかに記載の電磁波遮蔽体。
(6)二次元周期構造部Dが低誘電率部位Bの中に高誘電率部位Aを二次元配列した構造である上記(1)〜(4)のいずれかに記載の電磁波遮蔽体。
(7)二次元周期構造部Dが高誘電率部位Aの中に低誘電率部位Bとして開口部を二次元配列した構造である上記(1)〜(4)に記載の電磁波遮蔽体。
(8)上記(1)〜(7)に記載の電磁波遮蔽体を使用して製造した包装材料。
(9)上記(1)〜(7)に記載の電磁波遮蔽体を使用して製造した電波遮蔽体。
(10)上記(1)〜(7)に記載の電磁波遮蔽体を使用して製造した帯域フィルター。
本明細書において下記高誘電率部位Aおよび低誘電率部位Bのそれぞれの誘電率は比誘電率を示す。
[高誘電率部位A]
本発明における高誘電率部位Aとは、下記のインピーダンス測定法で測定される比誘電
率εAが、100〜10,000であることを特徴とするものである。同比誘電率εAは120〜5,000であることが好ましく、140〜1,000であることがより好ましい。
インピーダンス測定法とは、電極間に充填層として固体試料を入れた状態と、充填層として空気を介在させた状態とでそれぞれインピーダンスを実測し、それらの値から正確な誘電率を求めるものである。
一般的に光領域においてフォトニックバンドギャップ効果を発現する物体をフォトニック結晶と称する。
電磁波の波長λは、kC/fで表される。ここで、kは定数、Cは電磁波の伝播する速さ、fは電磁波の周波数である。波長λの電磁波に対してフォトニックバンドギャップ効果を発現する周期構造体の周期dはλ/2nに比例する。nは周期構造体の単位構成要素の材質の光学的屈折率である。この屈折率nは材質の比誘電率εの平方根に比例するので、周期dはλ/2√εに比例する。光と同様にマイクロ波帯域においても、周期構造体が有する固有の比誘電率を選択するとともに周期を調整することにより、特定の波長に対応したフォトニックバンドギャップ効果を得ることが可能となる。この際、光領域における屈折率とマイクロ波領域における比誘電率が対応する。
同時に、本発明に用いる高誘電率部位の誘電損率はできるだけ低いことが望ましい。それは電磁波を照射したときに電磁波遮蔽体自身が発熱することを防ぐためである。本発明の目的は、電子レンジで食品を加熱する際に本発明の電磁波遮蔽体を被覆した部分のみの加熱の抑制にあるので、電磁波遮蔽体自身が発熱することは本発明の目的に反する。同様な理由で、高磁性損失材料も使用することができない。金属等の導電性材料もまた内部抵抗によって発熱するため使用することができない。更に、金属は金属探知機で検知される欠点もあるので、弁当等出荷時の異物検知の観点から望ましくない。以上のことから、本発明で用いる高誘電率部位としては、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、酒石酸カリウムナトリウム(ロッシェル塩)等が好ましい。
これらの高誘電率部位を構成する成分は、2種以上を混合して用いることもできる。混合物の比誘電率は、混合する成分の比誘電率と体積分率との積の総和として算出することができる。
本発明における低誘電率部位Bとは、上記インピーダンス測定法で測定される比誘電率εBが、1〜20であることを特徴とするものである。該比誘電率εBは1.2〜10であることが好ましく、1.4〜5であることがより好ましい。
本発明に用いる低誘電率部位の比誘電率はできるだけ低いことが望ましい。一般にフォトニック結晶中において、電磁波のブラッグ回折が起こるときには、二種類の定在波が形成される。図3はその二種類の定在波を示している。定在波Aは、波の振動が低誘電率領域で高いエネルギーを有し、定在波Bは、波の振動が高誘電率領域で高いエネルギーを有する。この2つの異なるモードにスプリットした定在波間のエネルギーを有する波は結晶中に存在できないので、バンドギャップが生じる。バンドギャップを広げたいのであれば、2つの定常波のエネルギー差を広げてやればよい。そのためには、2つの媒質で比誘電率のコントラストを強くすることが効果的である。以上のことから製造の容易さ等を鑑みて低誘電率部位Bとしては、空気、ガラス、陶器、プラスチック(樹脂)等から適宜選択
される。
低誘電率部位にプラスチックを用いれば、低誘電率部位をマトリクスとして高誘電率部位を一定周期に配置し包埋した二次元周期構造部を作成することができる。高誘電率の材料は人体等の有害な場合もあるので、樹脂で包埋した二次元周期構造部はこの有害性の問題も解決できる。該プラスチックとしては、アクリル系樹脂、アクリロニトリル系樹脂、アニリン樹脂、アニリンホルムアルデヒド樹脂、アミノアルキル樹脂、アルキッド樹脂、AS樹脂、ABS樹脂、エチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、塩素化ポリエーテル樹脂、カゼイン樹脂、ゴム、フッ化エチレン系樹脂、シリコン樹脂、酢酸ビニル樹脂、スチレン系樹脂、SBR、スチロール樹脂、ポリアミド系樹脂、フェノール樹脂、ブチルゴム、不飽和ポリエステル系樹脂、ベークライト、ポリアセタール樹脂、ポリウレタン、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリブチレン系樹脂、ポリプロピレン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、メタクリル系樹脂、メラミン樹脂などが挙げられる。
本発明における電磁波遮蔽体は、二次元面内に高誘電率部位と低誘電率部位を一定のピッチ(周期)で交互に配置した二次元周期構造部を有するものである。ここで「二次元」とは単に平面や平坦面に限定されるものではなく、例えば二次元面は若干の曲率があっても良く、波打っていても良く、凹凸があっても良い。該二次元面が1層構成である限り二次元周期構造体とみなしてよい。同一形状の二次元周期構造体をその形状を合致させるように重ね合わせて積層構造を形成した場合であっても、電磁波入射方向に有意な誘電率コントラストがない限り1層構成とみなしてよく、二次元周期構造体とみなされる。
高誘電率部位を二次元面に配列するにあたり、担持体Cを用いて、これの上に配置することが可能である。担持体Cとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、アクリル板、ポリエチレンテレフタレート板、紙、板紙、ポリエチレンラミネート紙等を用いることができる。
担持体Cの厚さは電磁波の波長に対して殆んど無視できる。例えば、厚さ6mm、比誘電率1.2の基板は実施例のマイクロ波透過スペクトル測定装置で透過強度の減衰がなく無視できるものである。基板の厚さに関しても、λ/2√εと比例関係にあるので、比誘電率が低いほど基板の厚さが厚くなる。
ト化したものを担持体Cの上に配列したものでもよく、さらに高誘電率部位間に樹脂を流し込んで包埋したものでもかまわない。
また上記構成は、上記高誘電率部位からなる板状体に二次元配列した開口部を設けたものでもよく、さらに同開口部に樹脂を流し込んで樹脂包埋したものでもかまわないし、或いは、低誘電性のセラミック材料板の中に高誘電率部位からなる材料を焼結したペレットを埋め込んで、外観上は低誘電体セラミック板となっていてもかまわない。
スラブにあける穴は、高誘電率部位からなるスラブ1枚毎に開孔してもよいし、スラブを複数枚重ねて開孔してもよい
本発明における電磁波遮蔽体による透過減衰の測定は、後述する実施例に記載の測定方法によって測定した。
本発明の電磁波遮蔽体は、その二次元面内を1.4GHz〜3.4GHzの電磁波が通過するとき、該周波数領域内で10dB以上の透過減衰を示すことを特徴とする。該周波数領域内で12dB以上の透過減衰を示すことが好ましい。
特に本発明の電磁波遮蔽体は、その二次元面内を2.45GHzの電磁波が通過するとき、同周波数における透過減衰が20dB以上であることが好ましい。
以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の技術的な範囲は以下に示す具体例により何ら限定されるものではない。
[高誘電率部位A1の作成]
(1)チタン酸カルシウム焼結原料の調製:
フラックス成分として炭酸カリウム(和光純薬(株)製、試薬)結晶25g、成形助剤としてメチルセルロース粉末(和光純薬(株)製、試薬)25gを水1500gに溶解し、これにアナターゼ型二酸化チタン粉末(和光純薬(株)製、試薬)600gおよび炭酸カルシウム粉末(和光純薬(株)製、試薬)1000gを加え、ニーダー((株)井上製作所製、KH−10−F)を用いて攪拌混合してスラリーを調製した。このスラリーを乾燥温度75℃で8時間加熱乾燥し、チタン酸カルシウム焼結原料を得た。
(2)加圧成形:
得られたチタン酸カルシウム焼結原料を、真空土練機((株)林田鉄工製、VM−05)を用いて水を添加しながら混練し、湿式ラバープレス(油研工業(株)製、YSRP4−10W)を用いて200MPaで30秒間加圧して直径10.5mm、高さ8.5mmの円柱形状物に成形した。
(3)焼結処理:
得られた円柱形状の成形体を電気炉内で1200℃、2時間焼結処理し、そのまま放冷し、高誘電率部位A1を得た。得られた高誘電率部位A1の直径は9.6mm、高さ8mm、密度4.0であった。
担持体Cとしてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラーS10、厚さ75μm)を用いて、担持体C上に1mmの間隔をあけて高誘電率部位A1を格子状に縦10列×横5列に配置し、エポキシ系接着剤(ニチバン社製、アラルダイトAR−R30)で固定して二次元周期構造部D1を得た。この場合、低誘電率部位B1は空気である。
[マイクロ波透過スペクトル測定装置の製作]
断面形状が109.22mm×54.61mmの長方形である直線導波管(日本高周波(株)製)の両端に同軸導波管変換器(日本高周波(株)製)を取り付け、同軸ケーブルの一方をネットワークアナライザー(Agilent Technologies社製、E8364B)の出力側に接続し、他方を同機器の入力側に接続し、直線導波管と同軸導波管変換器の接合面にサンプルシートを挟みこんで透過スペクトルが測定可能な装置を製作した。
上記で製作したマイクロ波透過スペクトル測定装置に、二次元周期構造部D1を挟み込み、1.4〜3.4GHzの範囲で透過スペクトルを測定したところ、2.23GHzに−60dB、2.57GHzに−32dBの2つの谷を持ち、2.42GHzに−14.7dBの極大値を持つ透過スペクトルが観測された。2.45GHzでの透過強度は−15.2dBであった。
[数1]
L = 10log10T/100 ・・・ (1)
実施例1で得た電磁波遮蔽体の電磁波遮蔽効果を追確認するために、TLM3次元電磁界解析ソフトウエア(商品名:CST MICROSTRIPES、株式会社エーイーティー製)を用いて、TLM(Transmission Line Matrix:伝送線路行列)法によるシミュレーションを行った。
TLM法とは、電磁界解析手法の一つで、空間の離散点間を1次元線路と仮定し、各格子点でホイヘンスの原理に基づく波動伝播(Maxwell方程式)を計算により逐次的に解くものである。高誘電率部位Aの比誘電率を166.5と仮定し、下記条件でシミュレーションモデルを作成したところ、得られた透過スペクトルは実測の透過スペクトルに対してよく近似するものであった。シミュレーションより得られた透過スペクトルを図5に示す。
・厚み:8mm
・ペレット間の距離:1mm
・ユニットセル:縦10列×横5列配置
・寸法:109×54×8mm
・高誘電率部位Aの比誘電率:166.5
・低誘電率部位Bの比誘電率:1.0
また同シミュレーションからは、2.45GHzのマイクロ波が、二次元周期構造部D1に隣接した部位においてその電場強度が20%程度まで減衰しており、二次元周期構造部D1を殆ど透過しないという結果が得られた。結果の模式図を図6に示す。同図下部の
四角形がペレットを示している。
あらかじめ冷蔵庫で保冷した米飯を縦120mm×横80mm×深さ20mmの容器に入れ、米飯の上に実施例1の二次元周期構造部D1をかぶせ、500W設定の家庭用電子レンジで1分間加熱した。その際の米飯の表面温度は赤外線カメラによって撮影した。結果を図7に示す。該図7中、左側が電磁波遮蔽体有りであり、右側が電磁波遮蔽体無しである。米飯の加熱前の表面温度は20℃以下で、二次元周期構造部D1がない部分の加熱後の表面温度は60℃に達していたのに対し、二次元周期構造部D1で保護された部分の加熱直後の表面温度は30℃であった。また、二次元周期構造部D1を構成する高誘電率部位A1の表面温度は35℃であった。
[高誘電率部位A2の作成]
(1)加工成形:
高誘電材料としてチタン酸バリウム粉末(和光純薬(株)製、試薬)500gと成形助剤としてメチルセルロース粉末(和光純薬(株)製、試薬)25gと水約100gを真空混練押出成形機(三庄インダストリー(株)製、V−20)に仕込み、直径5mmのチューブ状に押し出した。押し出したチューブを5mmの長さに切断し、75℃で2時間乾燥して円柱形状の成形体を得た。
(2)焼結処理:
得られた円柱形の成形体を電気炉内で1200℃で2時間の焼結処理し、そのまま放冷し高誘電率部位A2を得た。高誘電率部位A2の直径は4.6mm、高さ4.5mm、密度4.2であった。
実施例1と同様に担持体Cとしてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラーS10、厚さ75μm)上に1mmの間隔をあけて高誘電率部位A2を格子状に縦19列×横9列に配置し、エポキシ系接着剤(ニチバン社製、アラルダイトAR−R30)で固定して二次元周期構造部D2を得た。この場合、低誘電率部位B2は空気である。
実施例1と同様に二次元周期構造部D2の、1.4〜3.4GHzの範囲における透過スペクトルを測定したところ、3.12GHzに−40dB、3.30GHzに−25dBの2つの谷を持ち、3.23GHzに−4.6dBの極大を持つ透過スペクトルが観測された。2.45GHzでの透過強度は−2.5dBであった。シミュレーションより高誘電率部位A2の比誘電率は880と見積もられた。
[高誘電率部位A3の作成]
(1)加工成形:
実施例1で作成したチタン酸カルシウム焼結原料を真空押出成形機(高浜工業(株)製、SSE330)を用いて水を添加しながら混練し、ダイスから押し出し7mm厚の板状物を得た。得られた板状物にパンチングメタル(奥谷金網製作所(株)製、No.1042、開孔径6mm、ピッチ9mm、60°千鳥配置)をかぶせて、けがき針で上記板状物をくりぬき、板状物に開孔を形成して室温で乾燥させた。
上記の開孔を成形した板状物を800℃で2時間予備焼結した後、1150℃まで加熱
して2時間焼結させて厚さ6.1mm、開孔径5.3mm、配列周期7.9mm、密度3.9の高誘電率部位A3を得た。
[二次元周期構造部D3の作成]
上記で得られた高誘電率部位A3の2枚を穴の位置が一致するように重ねあわせ、両面テープを介して貼り合わせて二次元周期構造部D3を作成した。この場合、低誘電率部位B3は空気である。
上記二次元周期構造部D3の片面に、補強材としてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラーS10、厚さ75μm)をエポキシ系接着剤(ニチバン社製、アラルダイトAR−R30)で貼り合わせ、マイクロ波透過スペクトル測定装置に二次元周期構造部D3を挟み込み、1.4〜3.4GHzの範囲で透過スペクトルを測定したところ、1.53GHzに−35dB、1.87GHzに−22dBの2つの谷を持ち、1.71GHzに−12.3dBの極大を持つ透過スペクトルが観測された。2.45GHzでの透過強度は−6.4dBであった。
[高誘電率部位A4の作成]
実施例1で作成した高誘電率部位A1を用いた。
[低誘電率部位B4の作成]
アクリル酸メチル(和光純薬(株)製、試薬)10g、メタクリル酸メチル(和光純薬(株)製、試薬)70g、アクリロニトリル(和光純薬(株)製、試薬)20g、2,2−アゾビスイソブチロニトリル(和光純薬(株)製、試薬)0.05gを混合し、低誘電率部位B4の材料となるMMA(メタクリル酸メチル)系モノマー混合液を調製した。
3mm厚のアクリル樹脂板を用いて内寸が長さ105mm×幅50mm×高さ10mmの箱状容器を作成し、容器内に実施例1で得られた高誘電率部位A1を1mmの間隔をあ
けて格子状に縦9列×横4列に配置し、エポキシ系接着剤(ニチバン社製、アラルダイトAR−R30)で固定した。
次いで、作成した容器内に上記で調整したMMA系モノマー混合液を充填し、120mm×60mm×厚さ3mmのアクリル樹脂版を用いて容器内に空気が混入しないように塞ぎ、60℃でMMA系モノマー混合液を重合させ、低誘電率部位B4がMMA系樹脂よりなり、高誘電率部位A4と低誘電率部位B4が一体化した二次元周期構造部D4を作成した。従来公知の文献より低誘電率部位B4の比誘電率は約3.0と見積もられた。
[マイクロ波透過スペクトルの測定]
マイクロ波透過強度測定装置に二次元周期構造部D4を挟み込み、1.4〜3.4GHzの範囲で透過強度を測定したところ、2.48GHzに−43dB、2.61GHzに−28dBの2つの谷を持ち、2.55GHzに−8dBの極大を持つ透過スペクトルが観測された。2.45GHzでの透過強度は−36dBであった。
[高誘電率部位A5の作成]
高誘電率部位材料としてチタン酸カルシウム粉末を酸化チタン粉末に置き換えた以外は、実施例1と同様にして高誘電率部位A5を得た。この高誘電率部位A5の直径は9.7mm、高さ7.9mm、密度3.8であった。
なお、用いた酸化チタンの比誘電率は95で本発明の範囲外であった。
[二次元周期構造部D5の作成]
実施例1の二次元周期構造部D1の作成と同様に、二次元周期構造部D5を作成した。しかしながら、実施例1と配列周期を合わせるため、0.9mm間隔で高誘電率部位A5
を格子状に縦10列×横5列に配置し、エポキシ系接着剤(ニチバン社製、アラルダイトAR−R30)で固定して二次元周期構造部D5を得た。
[マイクロ波透過スペクトルの測定]
実施例1と同様に、二次元周期構造部D5の1.4〜3.4GHzの範囲における透過スペクトルを測定したが、フォトニックバンドギャップに由来する明確な遮蔽効果は観察されなかった。
[二次元周期構造部D6の作成]
実施例1で得られた高誘電率部位A1を用い、担持体Cとしてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ(株)製、ルミラーS10、厚さ75μm)を用い、担持体C上に高誘電率部位A1と低誘電率部位(空気)の配列周期が遮蔽対象の電磁波(2.45GHz)の波長の4分の1を下回るように、17.0mmの間隔をあけて高誘電率部位A1を格子状に縦4列×横2列に配置し、エポキシ系接着剤(ニチバン社製、アラルダイトAR−R30)で固定して二次元周期構造部D6を得た。
[マイクロ波透過スペクトルの測定]
実施例1と同様に、二次元周期構造部D6の1.4〜3.4GHzの範囲における透過スペクトルを測定したが、フォトニックバンドギャップに由来する明確な遮蔽効果は観察されなかった。
Claims (10)
- 比誘電率εA が100〜10000である高誘電率部位Aと、比誘電率εB が1〜20である低誘電率部位Bが二次元面内に0.5mm〜25.0mmの範囲の周期性をもって分布する二次元周期構造部Dを有する電磁波遮蔽体であって、該二次元面を1.4GHz〜3.4GHzの電磁波が通過するとき、該周波数領域内に10dB以上の透過減衰を示すことを特徴とする電磁波遮蔽体。
- 前記高誘電率部位Aがチタン酸カルシウムおよびチタン酸バリウムの少なくとも一方を含有することを特徴とする請求項1記載の電磁波遮蔽体。
- 前記低誘電率部位Bが空気またはプラスチックであることを特徴とする請求項1又は2記載の電磁波遮蔽体。
- 2.45GHzにおける透過減衰が20dB以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽体。
- 二次元周期構造部Dが担持体C上に高誘電率部位Aおよび低誘電率部位Bを交互に二次元配列した構造であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽体。
- 二次元周期構造部Dが低誘電率部位Bの中に高誘電率部位Aを二次元配列した構造であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽体。
- 二次元周期構造部Dが高誘電率部位Aに低誘電率部位Bとして二次元配列した開口部を有する構造であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽体。
- 請求項1〜7記載の電磁波遮蔽体を使用してなることを特徴とする包装材料。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽体を使用してなることを特徴とする電波遮蔽体。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽体を使用してなることを特徴とする帯域フィルター。
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