JP5274748B2 - 中空コアのマルチモード干渉光学装置 - Google Patents
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Description
本発明のMMI装置における基本モード導波路の断面寸法の変化は、基本モード導波路の一定の長さを光が通過する際に、光の位相を制御するのに便利な手段を提供する。この位相シフトは、導波路の断面寸法の変化が導波路の基本モードの波長(すなわち位相定数)を変更することによって発生する。必要とされる位相シフトを与えるのに必要な変化量は、以下で図5を参照してより詳細に記載される。
本発明のMMI装置を用いて製造された光学装置(ルータ、スイッチなど)は、透過型の位相シフト要素を包含することを必要としない。このことは、操作されるべきより高い光出力を使用可能にする。従前には、ミラー動作が基本モード導波路の経路長さを効果的に変更した光学レイアウトに配置された高性能の反射型ミラーを用いて、可動ミラーの位相シフタが実装された。角度の反射率が、本来的には、ほぼ通常の入射反射率より高いことに注視すると、高性能の反射型ミラー付きの表面を提供するための要件は、本発明によって克服されることになる。さらに、本発明は、可動ミラーの位相シフトすることを実行する従来技術に開示された特定光学レイアウトを必要としない。
中空コアの光導波路構造が生成される場合には、中空コアは空気で満たされやすいことに注意すべきである。この点でコアの屈折率は、したがって、大気圧及び温度(すなわちn=1)における空気の屈折率であると仮定される。しかしながら、このことは、決して本発明の範囲を限定するものとして理解されるべきではない。中空コアは、流体(例えば、窒素などの不活性ガス)のいかなるものも含むことができ、また、真空とすることもできる。中空コアという用語は、単に、いかなる固体物質も存在しないコアを意味する。
中空コアの導波路の内面は、反射材料で被覆されるのが便利である。
様々な方法で装置を製造できることに注目すべきである。導波路を単体の材料部品で形成することができ、それらを2つの別個の(底と蓋のような)材料部品から形成することができ、又は、それらを複数の異なる材料部品(例えば、共に位置するときに必要とされる基本モード及びマルチモード導波路領域を規定する別個の材料部分)から形成することができる。
例えば、導波路は、MEMS技術を用いて可動となる側壁を含むことができる。導波路の可動部分は基板の一体化部分として形成されるか、又は別個に製造されハイブリッド様式で一体化されるかして導波路の可動部分を形成することができる。底と蓋とから形成される装置の場合には、MEMS手段は、蓋部分に形成され、蓋をする処理の間に底と一体化されることになる。
或いは、基本モード導波路の部分の内部断面寸法を変化させるための手段は、基本モード導波路の寸法が外部から加えられた力に応答して可変となるように、配置することができる。このように、外力を用いて基本モード導波路の内部断面寸法を変更する運動又は変位センサを提供することができる。
本発明の第3の態様によれば、光ルータは、MMIのビーム・スプリッタに光学的に結合される少なくとも1つの基本モード入力導波路を含み、そのMMIのビーム・スプリッタはまた、2つ又はそれ以上のリレー導波路を介して、2つ又はそれ以上の基本モード出力導波路を有するMMIのビーム再結合器に光学的に結合され、そこで、リレー導波路は、そのリレー導波路を通り伝搬する2つ又はそれ以上のビーム間の相対位相を変更するための手段を含み、それにより、2つ又はそれ以上の基本モード出力導波路のいずれか1つに、基本モード入力導波路から受信された放射線を選択可能に経路指定することができるようにし、その2つ又はそれ以上のビーム間の相対位相を変更するための手段が、リレー導波路の1つ又はそれ以上の部分の断面寸法を変更するための手段を含むことを特徴とする。
本発明は、ここで、以下の図面を参照して実施例のみによって記載される。
ビーム分割部分4は、マルチモード導波路領域10に光学的に結合される基本モードの入力導波路8を含む。マルチモード導波路領域10の寸法は、モード分散が入力導波路8から受信された基本モードのビームを4つの基本モードのリレー導波路12aから12d(まとめて12という)の間で実質的に均等に分割されるように、選択される。
マルチモード領域10及び14の必要な寸法ついての詳細な説明は、別に見出すことができる、例えば、米国特許第5428698号を参照されたい。
リレー導波路幅を、上記したように所望の位相シフトを与えるために(例えば、MEMSアクチュエータを用いて)制御可能に変化させることができる。或いは、導波路の幅を、外部から加えられる力と結果として生じる測定される位相シフトとによって変化させることができる。このように、外力が用いられ導波路の内部断面寸法を変更する運動又は変位センサを提供することができる。
図2aは、MMIのビーム分割部分4のマルチモード導波路領域10に沿う4つの部分における電磁放射線の横断強度のグラフを表す。入力導波路8を介してマルチモード導波路領域10に入る基本モードの入力ビームが、リレー導波路12に結合される4つの等しい強度のビームに分割されるということが明らかになる。
図2bは、リレー導波路12によって加えられる位相シフトの第1組が、出力導波路16aに対していかに放射線が経路指定されるようにするかを表す一方で、図2cは、位相シフトの第2組が、出力導波路16bに対していかに放射線を経路指定することになるかを表す。放射線は、適当な位相シフトを加えることによって出力導波路16c及び16dに対して経路指定されることにもなる。適当な位相シフトに関するより詳細な記載は、米国特許第5428698号に見出すことができる。
ビームが星形カプラ装置におけるリレー導波路を2回(すなわち、ミラーからの反射の前と後に)通過することに注目すべきである。それゆえに、導波路を通る単一通路によって生成されることになる誘起される位相シフトは、2倍である。図1を参照して記載されたものと類似する方法でリレー導波路によって与えられる相対位相シフトの適当な選択は、したがって、出力ビームが入力/出力導波路24のいずれか1つ又はそれ以上を介して装置から経路指定されるようにする。
図4aは、入力/出力導波路24dからのマルチモード導波路領域26に結合される基本モードの放射線が、いかにモード分散によって4つの等しい強度のビームに分割されるかを表す。図4b及び4cは、適当な相対位相シフトがリレー導波路によって加えられた後に、その4つの等しい強度のビームのモード分散が、いかに入力/出力導波路24b又は24aのそれぞれに結合されるような位置にビームを形成することができるかを表す。また、リレー導波路によって適当な位相シフトを加えることは、入力/出力導波路24のいずれか1つ又はそれ以上に対する出力信号を経路指定することができるということに注目すべきである。
図1及び図3を参照して記載される種類の装置は、様々な公知の半導体マイクロ製造技術、例えば、フォトリソグラフィ又はディープ・ドライエッチングを用いて、シリコンベースの基板に中空チャネルとして形成されるのが便利である。こうした装置の製造における使用に適するシリコンベースの基板は、バルクシリコン、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)、シリコン・オン・グラス(SOG)及びシリコン・オン・サファイア(SOS)を含む。或いは、公知のマイクロエンジニアリング技術(例えば、高温エンボス加工又はレーザ・アブレーション)を用いてウェハ表面に位置するポリマなどの層に中空チャネルを形成することができる。
最適な装置性能を保証するためには、可動側壁(すなわち側壁の関連部分)は、その形状に深刻な歪のいずれをも誘起させることなく直線的に移動可能となるようにすべきである。このことは、直線運動を効果的に強制する適当な懸垂装置、すなわち、所望の運動方向に順応するが他の(例えば、回転)運動には順応しない装置を有することによって、達成することができる。適切な懸垂装置は、ねじれを防ぐ高いアスペクト比(すなわち高い奥行対幅比)のばねを用いるものが提供されることになる。同様に、懸垂要素は、可動壁に対して適当に寸法付けすることができるため、効果的に、移動が懸垂において完全に適応され(例えば、さらに一層順応して)、それにより歪を防ぐものである。
当業者であれば、光は、多くの方法で図1から図4を参照して記載される装置の基本モード導波路内に結合され、又はそこから出て行くことができるということを理解するであろう。例えば、本発明の光経路指定装置は、光ファイバケーブルを介して他の光構成要素に結合されることになるか又は引用によりここに組み入れる内容のWO03/065091号で記載された種類の光集積回路の一体化部分を形成することになる。
その導波路の有効屈折率の変化として基本モード導波路幅における変化のいずれも考察することは可能である。波長λの光について近軸の近似値(すなわち、{λ/2w}2<<1.0)内においては、したがって、導波路幅(∂w)における所与の変化についての基本モード(EH11)の位相(∂φ)における変化は、長さがLで最初の幅がwの導波路について、
このように、その導波路を通り伝搬している基本モードの放射線に対してπ位相シフトを与えるための基本モード導波路幅における変化は、以下の数式によって与えられることになる。
このように、図5は、約10μm幅を有する基本モード導波路について、0.1μm幅における変化(すなわち、約1%)が、図1及び図3を参照して記載される種類の光経路指定装置を実行するのに必要なπ位相シフトを与えるために必要とされることを示す。このレベルの導波路幅の変化は、MEMS技術を用いて容易に達成することができる。
Claims (10)
- 少なくとも2つであって断面が正方形又は長方形の中空コア基本モード導波路に光学的に結合された中空コアマルチモード導波路を包含する中空コアマルチモード干渉(MMI)装置であって、
(a)前記中空コア基本モード導波路は、前記少なくとも2つの中空コア基本モード導波路を通って伝搬する2つ又はそれ以上のビームの間の相対位相を変更するための手段を含み、及び
(b)前記2つ又はそれ以上のビームの間の相対位相を変更するための手段は、前記中空コア基本モード導波路の1つ又はそれ以上の部分の幅方向の両側壁を歪み無しで幅方法に直線的に移動させるための手段を含み、前記2つ又はそれ以上のビーム間の前記位相を相対変更する
ことを特徴とする中空コアマルチモード干渉(MMI)装置。 - 前記中空コアの導波路の内面が、反射材料からなる少なくとも1つの層によって被覆されたことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記装置が半導体材料で形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の装置。
- 前記装置がシリコンで形成されたことを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記中空コア基本モード導波路の1つ又はそれ以上の部分の幅方向の両側壁を歪み無しで幅方法に直線的に移動させるための手段が、マイクロ電子機械的(MEMS)作動手段を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の装置。
- 請求項1から5のいずれか1つに記載の装置の少なくとも1つを含む放射線経路指定装置。
- 前記中空コア基本モード導波路の1つ又はそれ以上の部分の幅方向の両側壁を歪み無しで幅方向に直線的に移動させるための手段が、外力を加えることによって前記中空コア基本モード導波路の幅を変化させることができるように配置されたことを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の装置。
- 中空コアMMIビーム・スプリッタに光学的に結合された少なくとも1つの基本モードの中空コア入力導波路を含み、前記中空コアMMIビームスプリッタが、断面が正方形又は長方形の2つ又はそれ以上の基本モードの中空コアリレー導波路を介して 2つ又はそれ以上の基本モードの中空コア出力導波路を有する中空コアMMIビーム再結合器に光学的に結合されており
前記基本モードの中空コアリレー導波路が、該中空コアリレー導波路を通り伝搬する2つ又はそれ以上のビーム間の相対位相を変更させるための手段を含み、それにより、前記2つ又はそれ以上の基本モードの中空コア出力導波路のいずれか1つに、前記基本モードの中空コア入力導波路から受信された放射線を選択的に経路指定することができ、
前記2つ又はそれ以上のビーム間の前記相対位相を変更するための手段が、前記基本モードの中空コアリレー導波路の1つ又はそれ以上の部分の幅方向の両側壁を歪み無しで幅方向に直線的に移動させるための手段を含むことを特徴とする、
中空コア光ルータ。 - 複数の中空コア入力/出力基本モード導波路と、断面が正方形又は長方形の複数の基本モードの中空コアリレー導波路とに、光学的に結合される中空コアマルチモード導波路領域を含み、
前記複数の中空コア入力/出力基本モード導波路の1つを介し、かつ、前記中空コアマルチモード導波路領域のモード分散を介して放射線ビームを受信し、該受信されたビームを前記基本モードの中空コアリレー導波路に結合される複数のビームに分割するように構成されており、
前記基本モードの中空コアリレー導波路は前記複数のビーム間の相対位相を変更するための手段を含み、かつ、前記基本モードの中空コアリレー導波路の各々が反射手段で終了しており、それにより、前記中空コアマルチモード導波路領域に放射線が戻され、戻されたビームの前記相対位相に依存して、前記放射線が前記中空コア入力/出力基本モード導波路のいずれか1つに経路指定されるようになった中空コア光ルータであって、
前記複数のビーム間の前記相対位相を変更するための前記手段が、前記基本モードの中空コアリレー導波路の1つ又はそれ以上の部分の幅方向の両側壁を歪み無しで幅方向に直線的に移動させるための手段を含むことを特徴とする、
中空コア光ルータ。 - 断面が正方形又は長方形の中空コア基本モード導波路を含む光位相シフタであって、
中空コア基本モード導波路が、前記中空コア基本モード導波路を通って伝搬されるビームの位相シフトをなすための手段を含み、
前記位相シフトをなすための手段が、前記中空コア基本モード導波路の1つ又はそれ以上の部分の幅方向の両側壁を歪み無しで幅方法に直線的に移動させるための手段を含み、前記位相シフトをなす
ことを特徴とする光位相シフタ。
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