JP5274176B2 - マスク検査装置及びマスク検査方法 - Google Patents

マスク検査装置及びマスク検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5274176B2
JP5274176B2 JP2008241628A JP2008241628A JP5274176B2 JP 5274176 B2 JP5274176 B2 JP 5274176B2 JP 2008241628 A JP2008241628 A JP 2008241628A JP 2008241628 A JP2008241628 A JP 2008241628A JP 5274176 B2 JP5274176 B2 JP 5274176B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
image
optical image
unit
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008241628A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010071893A (ja
Inventor
修 岩瀬
敏 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2008241628A priority Critical patent/JP5274176B2/ja
Publication of JP2010071893A publication Critical patent/JP2010071893A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5274176B2 publication Critical patent/JP5274176B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本発明は、マスクの欠陥を検査するマスク検査装置及びマスク検査方法に関する。
半導体デバイスの製造過程において、基板上にパターンを形成するためにレチクル又はフォトマスク(以下「マスク」という)が用いられている。マスクが欠陥を有すると、パターンに欠陥が転写されるため、マスク検査装置を用いてマスクの欠陥検査が行われている。
マスクの検査方法としては、ダイ・トゥ・ダイ(Die-to-Die)検査と、ダイ・トゥ・データベース(Die-to-Database)検査とが知られている。
ダイ・トゥ・ダイ検査では、1枚のマスクの異なる位置に描画された同一パターンの光学画像同士が比較される。これに対し、ダイ・トゥ・データベース検査では、マスク作成時に使用した設計データ(CADデータ)から生成した参照画像と、マスクに描画されたパターンの光学画像とが比較される。
近年、半導体デバイスの回路パターンの微細化及び複雑化が進んでおり、マスク検査装置において処理されるデータ量が増大している。一方、処理データ量の増大に伴い、検査時間の増大が懸念されている。
検査時間を短縮するため、例えば、特許文献1記載のマスク検査装置では、光学画像を分割し、各光学画像と比較される参照画像の生成及び両画像の比較を行う画像比較部を多重化することで、当該マスク検査装置におけるデータ処理を並行処理化している。
然し、このような並行処理を行うためには、マスク検査装置の構成が複雑かつ大型化する。従って、マスク検査装置の製造コストが上昇し、結果として半導体デバイスやマスクの価格の上昇を招くという問題がある。
また、上記特許文献1記載のマスク検査装置では、光学画像をフレーム単位に分割するタイミングと同期して、その分割された光学画像とフレーム単位で生成された参照画像とが比較されていた。このため、フレーム単位ではなくマスク全体の光学画像と参照画像とを用いてマスクパターンの欠陥検出を行うことができなかった。
特開平11−304719号公報
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の課題は、マスク全体の光学画像及び参照画像を用いてマスクの欠陥検査を行うことが可能なマスク検査装置及びマスク検査方法を提供することにある。
本発明の他の課題および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
上記課題を解決するため、本発明の第1の態様は、検査対象物であるマスクの光学画像を所定の単位毎に取得する光学画像取得部と、前記マスクの設計データから参照画像を所定の単位毎に生成する参照画像生成部と、前記光学画像取得部により取得された所定の単位の光学画像を逐次格納すると共に、前記参照画像生成部により生成された所定の単位の参照画像を逐次格納する画像格納部と、前記画像格納部にマスク全体の光学画像及び参照画像が格納された後、前記画像格納部に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いて前記マスクに描画されたパターンの欠陥検査を行う欠陥検査部とを備えたことを特徴とする。
本発明の第1の態様において、前記画像格納部は、フラッシュメモリであることが好適である。
本発明の第1の態様において、前記光学画像取得部により取得された所定の単位の光学画像と、前記参照画像生成部により生成された所定の単位の参照画像を用いて、前記光学画像の取得タイミングと同期して予備検査を行う予備検査部を更に備えるように構成してもよい。
本発明の第1の態様において、テストマスクの所定の単位の光学画像及び参照画像を逐次格納するテストマスク用画像格納部と、前記光学画像取得部により取得された所定の単位の光学画像がテストマスクの光学画像であるか否かを判定し、その判定結果に基づいて、前記光学画像取得部により取得された光学画像の格納先を前記画像格納部と前記テストマスク用画像格納部との間で切り換える切換手段とを更に備えるように構成してもよい。
また、上記課題を解決するため、本発明の第2の態様は、検査対象物であるマスクの光学画像を所定の単位毎に取得するステップと、前記マスクの設計データから参照画像を前記所定の単位毎に生成するステップと、前記所定の単位毎に取得された光学画像を画像格納部に逐次格納すると共に、前記所定の単位毎に生成された参照画像を前記画像格納部に逐次格納するステップと、前記画像格納部にマスク全体の光学画像及び参照画像が格納された後、前記画像格納部に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いて前記マスクに描画されたパターンの欠陥検査を行うステップとを含むことを特徴とする。
本発明の第1の態様では、光学画像取得部により取得された所定単位の光学画像と、参照画像生成部により生成された所定単位の参照画像とが画像格納部により逐次格納される。画像格納部にマスク全体の光学画像及び参照画像が格納された後、画像格納部に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いてマスクに描画されたパターンの欠陥検査が欠陥検査部により行われる。従って、この第1の態様によれば、マスク全体の光学画像及び参照画像を用いてマスクの欠陥検査を行うことができる。
本発明の第2の態様では、所定単位毎に取得されたマスクの光学画像と、所定単位毎に生成されたマスクの参照画像とが画像格納部に逐次格納される。そして、画像格納部にマスク全体の光学画像及び参照画像が格納された後、この格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いてパターン欠陥検査が行われる。従って、この第2の態様によれば、マスク全体の光学画像及び参照画像を用いてマスクの欠陥検査を行うことができる。
図1は、本発明の実施の形態によるマスク検査装置100の構成を示す概念図である。マスク検査装置100は、検査対象物たるマスク101を保持するステージ102を備えている。
ステージ102は、図示省略するモータにより、X方向及びY方向に駆動可能である。ステージ102の駆動制御は、制御部150によって実行される。制御部150は、マスク検査に関する全体的な制御を実行するものである。
ステージ102のY方向及びX方向に平行な側面にはそれぞれミラー111、113が設けられている。これらミラー111、113に対向してX軸レーザ干渉計112及びY軸レーザ干渉計114が配置されている。
X軸及びY軸レーザ干渉計112、114は、ミラー111、113に向けてレーザ光を発し、ミラー111、113による反射光を受光することにより、ステージ102のX方向及びY方向の位置を測定するものである。
X軸及びY軸レーザ干渉計112、114の測定結果は、光学画像取得部116に送信され、光学画像を格納する際に用いられる。
また、マスク検査装置100は、レーザ光を発する光源104を備えている。光源104からのレーザ光は、照明光学系106を介して、マスク101に照射される。
マスク101を透過したレーザ光は、対物レンズ108を介して画像センサ110に結像される。画像センサ110は、例えば、2048画素×512画素の撮像領域を有するTDIセンサである。
図示省略するが、画像センサ110は、TDI方向(電荷蓄積方向)に並ぶ複数段(例えば、512段)のラインによって構成され、各ラインはTDI方向に垂直な方向に並ぶ複数の画素(例えば、2048画素)によって構成されている。尚、画像センサ110は、蓄積した電荷を双方向から出力可能に構成されている。
画像センサ110は、TDI方向とステージ102のX方向が一致するように配置されている。従って、ステージ102をX方向に移動させると、画像センサ110がマスク101に対して相対的に移動するため、画像センサ110によりマスク101のパターンが撮像される(図2参照)。
画像センサ110の出力(光学画像)は、図示しないアンプにより増幅された後、光学画像取得部116に格納される。このとき、上記X軸及びY軸レーザ干渉計112、114により測定されたX方向及びY方向の位置と関連づけて1ライン分の光学画像が格納される。
図2に示すように、マスク101の被検査領域Rは、Y方向に沿って短冊状の複数の検査ストライプに仮想分割される。各検査ストライプの幅(スキャン幅)は、上記TDIセンサ110のライン長に応じて設定される。
マスク101を保持した状態でステージ102をX方向に連続移動させながら、上記仮想分割された1つの検査ストライプの光学画像を画像センサ110によって撮像する。その検査ストライプの終端に達すると、ステージ102をY方向に移動させる。その後、ステージ102を反対のX方向に連続移動させながら、次の検査ストライプの光学画像を画像センサ110によって撮像する。
光学画像取得部116に格納された1検査ストライプ分の光学画像は、後述する予備検査部120に入力される。
また、図1に示すマスク検査装置100は、参照画像生成部118を備えている。参照画像生成部118は、記憶装置152に格納されたマスク101生成時の設計データ(CADデータ)から参照画像を検査ストライプ単位で生成するものである。
参照画像生成部118により生成された1検査ストライプ分の参照画像は、予備検査部120に入力される。この予備検査部120は、光学画像を取得するタイミングと同期して、後述する欠陥検査部124による詳細なパターン欠陥検査よりも簡易かつ予備的な検査を行うものである。
ここで、簡易かつ予備的な検査とは、レーザ光の光量不足やフォーカスずれのような光学系の異常や、光学画像と比較される参照画像の間違いや、修復不可能な巨大欠陥の発見などの検査である。これらの検査は、欠陥検査部124による詳細な欠陥検査を行う前に行うことが望ましい。また検査結果は、予備検査部120から制御部150に転送され、図示しない表示部に表示される。これにより、オペレータは、上記光学系の異常などを知ることができる。
予備検査部120による検査で用いられた検査ストライプ単位の光学画像と参照画像は、フラッシュメモリ122にシーケンシャルに格納される。例えば、フラッシュメモリ122の光学画像格納領域122Aに光学画像が順次格納されると共に、参照画像格納領域122Bに参照画像が順次格納される。
これらの格納時には、図3に示すように、光学画像及び参照画像を格納する領域(メモリアクセス領域)の周辺だけを荷電するため、荷電領域を必要最小限の面積に抑えることができる。従って、消費電力及び発熱量を抑えることができるため、環境負荷を低減できる。
フラッシュメモリ122としては、例えば、容量が40テラバイトのNAND型フラッシュメモリを用いることができる。
図4は、フラッシュメモリ122の容量を説明するための参考図である。図4に示すように、マスク101の検査領域Rのサイズは、例えば、130mm×130mmである。この検査領域Rにおける50nm×50nmの微小領域を256階調の1つのピクセルで表現するために必要な容量は1バイトである。そうすると、検査領域R全ての光学画像及び参照画像を格納するためには、それぞれ約7テラバイトの計約14テラバイトの容量が必要となる。尚、図1には、透過照明のみを図示しているが、反射照明を用いる場合にはさらに約14テラバイトの容量が必要となる。従って、フラッシュメモリ122は、例えば、容量が40テラバイトのものを用いることが好適である。
ところで、上記マスク101の被検査領域Rよりも狭い被検査範囲を有するテストマスクを用いて、光学画像と参照画像の位置ずれの検査(繰り返し検査)を行うことが知られている。このとき、上記フラッシュメモリ122にテストマスクの光学画像及び参照画像を格納させると、フラッシュメモリ122の狭い範囲に書き込み及び読み込みが集中し、フラッシュメモリ122の寿命が短くなる。フラッシュメモリの弱点として、読み込み及び書き込み回数の制限があることが知られている。
図1に示すマスク検査装置100は、フラッシュメモリ122とは別に、テストマスク用DRAM126を備えている。
このテストマスク用DRAM126は、繰り返し検査時に取得されるテストマスクの光学画像を格納する領域126Aと、この光学画像と同期して生成される参照画像を格納する領域126Bとを有する。このテストマスク用DRAM126を設けることで、繰り返し検査時にフラッシュメモリ122の書き込み及び読み込みが行われないため、フラッシュメモリ122の寿命を延ばすことができる。
尚、前述したように、テストマスクの被検査領域は上記マスク101の被検査領域Rよりも狭い。このため、全体が荷電されるDRAM126を用いても、さほど消費電力は問題とならない。
欠陥検査部124は、高速データ伝送LANを介してフラッシュメモリ122及び繰り返し検査用DRAMにそれぞれ接続されている。
欠陥検査部124は、フラッシュメモリ122にアクセスし、フラッシュメモリ122に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いて、マスク101に描画されたパターン(例えば、ラインパターンやホールパターンなど)の欠陥の有無を検査するものである。
例えば、2〜3列の検査ストライプ分の光学画像をフラッシュメモリ122から読み出すと共に、その読み出した光学画像を纏める。2〜3列の検査ストライプ分の参照画像をフラッシュメモリ122から読み出し、その読み出した参照画像を纏める。それらの纏められた光学画像と参照画像とを比較することで、ラフな欠陥検出を短時間で行うことができる。
尚、画像読み出し時には、上述した画像格納時と同様に、荷電領域を必要最小限の面積に抑えることができる(図3参照)。従って、メモリ全体を荷電するDRAMに比べて、消費電力及び発熱量を抑えることができ、環境負荷を低減できる。
欠陥検査部124は、マスク全体の光学画像及び参照画像がフラッシュメモリ122に格納された後であれば、フラッシュメモリ122にアクセス可能である。
また、欠陥検査部124は、繰り返し検査用DRAM126にアクセスし、そのDRAM126に格納されたテストマスクの光学画像と参照画像とを用いて繰り返し検査を行うことが可能である。
次に、図5を参照して、本実施の形態によるマスク検査方法を説明する。図5に示すルーチンは、制御部150により起動される。
図5に示すルーチンによれば、先ず、マスク101の光学画像を検査ストライプ単位で取得する(ステップS100)。
次に、マスク101作製時の設計データを用いて、マスク101の参照画像を検査ストライプ単位で生成する(ステップS102)。
次に、上記ステップS100で取得された1検査ストライプ分の光学画像と、上記ステップS102で生成された1検査ストライプ分の参照画像とを用いて、予備検査部120により予備検査を実行する(ステップS104)。
このステップS104では、光学系の異常や、光学画像と比較される参照画像の間違いや、修復不可能な巨大欠陥の発見などの簡易かつ予備的な検査が行われる。
次に、上記ステップS100で取得された光学画像がテストマスクの光学画像であるか否かを判別する(ステップS106)。このステップS106では、ステージ102上にマスク101をセットする際の情報に基づいて、テストマスクの光学画像であるか否かが判別される。
上記ステップS106でテストマスクの光学画像ではないと判別された場合、フラッシュメモリ122に光学画像及び参照画像を格納する(ステップS108)。このステップS108では、1検査ストライプ分の光学画像が光学画像格納領域122Aに順次格納されると共に、1検査ストライプ分の参照画像が参照画像格納領域122Bに順次格納される。
一方、上記ステップS106でテストマスクの光学画像であると判別された場合、テストマスク用DRAM126に光学画像及び参照画像を格納する(ステップS110)。その後、後述するステップS112に移行する。
尚、上記ステップS106乃至S110の処理を行うことで、特許請求の範囲に記載の「切換手段」が実現される。
マスク全体の光学画像及び参照画像がフラッシュメモリ122に格納された後、オペレータにより入力された検査要求が有るか否かを判別する(ステップS112)。このステップS112で検査要求が無いと判別された場合、再度ステップS112を繰り返す。
一方、上記ステップS112で検査要求が有ると判別された場合、フラッシュメモリ122に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いて、マスク101に描画されたパターンの欠陥検査を実行する(ステップS114)。
このステップS114では、例えば、2〜3列の検査ストライプ分の光学画像をフラッシュメモリ122から読み出すと共に、その読み出した光学画像を纏める。2〜3列の検査ストライプ分の参照画像をフラッシュメモリ122から読み出し、その読み出した参照画像を纏める。それらの纏められた光学画像と参照画像とを比較することで、欠陥検出が行われる。
上記ステップS114の処理後、本ルーチンを終了する。
以上説明したように、本実施の形態では、検査ストライプ単位で取得された光学画像と、検査ストライプ単位で生成された参照画像とをフラッシュメモリ122に順次格納することで、マスク全体の光学画像及び参照画像が格納される。このとき、DRAMに格納する場合に比べて、荷電領域を最小限に抑えることができ、消費電力及び発熱量を抑えることができる。さらに、フラッシュメモリ122に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いてマスク101のパターン欠陥検査を行うため、マスク全体の光学画像及び参照画像の格納後であればいつでもパターン欠陥検査を行うことができる。
また、本実施の形態では、光学画像の取得タイミングと同期して、予備検査部120により簡易な予備検査が行われるため、欠陥検査部124による検査前に光学系の異常などを検査することができる。
また、本実施の形態では、テストマスクの光学画像を取得した場合、テストマスクの光学画像及び参照画像をテストマスク用DRAM126に格納するため、フラッシュメモリ122へのアクセス回数を減らすことができ、フラッシュメモリ122の寿命を延ばすことができる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
例えば、上記実施の形態では、透過照明系を用いて光学画像を取得しているが、本発明はこれに限られるものではなく、反射照明系を用いて光学画像を取得してもよく、透過照明系と反射照明系の2系統の照明系を用いた構成であってもよい。
また、上記実施の形態では、マスク全体の光学画像と参照画像をフラッシュメモリ122に格納しているが、このフラッシュメモリ122に代えて、ハードディスクなどを用いてもよい。但し、処理速度の観点からは、フラッシュメモリ122を用いることが好適である。
本発明の実施の形態によるマスク検査装置100の構成を示す概念図である。 マスク101の検査ストライプを示す概念図である。 フラッシュメモリ122の荷電領域を説明する概念図である。 フラッシュメモリ122の容量を説明するための参考図である。 本発明の実施の形態によるマスク検査方法を説明するフローチャートである。
符号の説明
100 マスク検査装置
101 マスク
116 光学画像取得部
118 参照画像生成部
120 予備検査部
122 フラッシュメモリ
122A 光学画像格納領域
122B 参照画像格納領域
124 欠陥検査部
126 テストマスク用DRAM
150 制御部

Claims (6)

  1. 検査対象物であるマスクの光学画像を所定の単位毎に取得する光学画像取得部と、
    前記マスクの設計データから参照画像を所定の単位毎に生成する参照画像生成部と、
    前記光学画像取得部により取得された所定の単位の光学画像と、前記参照画像生成部により生成された所定の単位の参照画像を用いて、前記光学画像の取得タイミングと同期して予備検査を行う予備検査部と、
    前記光学画像取得部により取得された所定の単位の光学画像を逐次格納すると共に、前記参照画像生成部により生成された所定の単位の参照画像を逐次格納する画像格納部と、
    前記画像格納部にマスク全体の光学画像及び参照画像が格納された後、前記画像格納部に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いて前記マスクに描画されたパターンの欠陥検査を行う欠陥検査部とを備えたことを特徴とするマスク検査装置。
  2. テストマスクの所定の単位の光学画像及び参照画像を逐次格納するテストマスク用画像格納部と、
    前記光学画像取得部により取得された所定の単位の光学画像が前記テストマスクの光学画像であるか否かを判定し、その判定結果に基づいて、前記光学画像取得部により取得された光学画像の格納先を前記画像格納部と前記テストマスク用画像格納部との間で切り換える切換手段とを更に備えたことを特徴とする請求項1に記載のマスク検査装置。
  3. 検査対象物であるマスクの光学画像を所定の単位毎に取得する光学画像取得部と、
    前記マスクの設計データから参照画像を所定の単位毎に生成する参照画像生成部と、
    前記光学画像取得部により取得された所定の単位の光学画像を逐次格納すると共に、前記参照画像生成部により生成された所定の単位の参照画像を逐次格納する画像格納部と、
    テストマスクの所定の単位の光学画像及び参照画像を逐次格納するテストマスク用画像格納部と、
    前記光学画像取得部により取得された所定の単位の光学画像が前記テストマスクの光学画像であるか否かを判定し、その判定結果に基づいて、前記光学画像取得部により取得された光学画像の格納先を前記画像格納部と前記テストマスク用画像格納部との間で切り換える切換手段と
    前記画像格納部にマスク全体の光学画像及び参照画像が格納された後、前記画像格納部に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いて前記マスクに描画されたパターンの欠陥検査を行う欠陥検査部とを備えたことを特徴とするマスク検査装置。
  4. 前記画像格納部は、フラッシュメモリであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマスク検査装置。
  5. 検査対象物であるマスクの光学画像を所定の単位毎に取得するステップと、
    前記マスクの設計データから参照画像を前記所定の単位毎に生成するステップと、
    前記所定の単位の光学画像と、前記所定の単位の参照画像を用いて、予備検査を行うステップと、
    前記所定の単位毎に取得された光学画像を画像格納部に逐次格納すると共に、前記所定の単位毎に生成された参照画像を前記画像格納部に逐次格納するステップと、
    前記画像格納部にマスク全体の光学画像及び参照画像が格納された後、前記画像格納部に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いて前記マスクに描画されたパターンの欠陥検査を行うステップとを含むことを特徴とするマスク検査方法。
  6. 検査対象物であるマスクの光学画像を所定の単位毎に取得するステップと、
    前記マスクの設計データから参照画像を前記所定の単位毎に生成するステップと、
    前記所定の単位の光学画像がテストマスクの光学画像であるか否かを判定するステップと、
    前記判定の結果に基づいて、前記光学画像の格納先を画像格納部とテストマスク用画像格納部との間で切り換え、前記所定の単位毎に取得された光学画像を画像格納部に逐次格納すると共に、前記所定の単位毎に生成された参照画像を前記画像格納部に逐次格納するステップと、
    前記画像格納部にマスク全体の光学画像及び参照画像が格納された後、前記画像格納部に格納されたマスク全体の光学画像及び参照画像を用いて前記マスクに描画されたパターンの欠陥検査を行うステップとを含むことを特徴とするマスク検査方法。
JP2008241628A 2008-09-19 2008-09-19 マスク検査装置及びマスク検査方法 Expired - Fee Related JP5274176B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008241628A JP5274176B2 (ja) 2008-09-19 2008-09-19 マスク検査装置及びマスク検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008241628A JP5274176B2 (ja) 2008-09-19 2008-09-19 マスク検査装置及びマスク検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010071893A JP2010071893A (ja) 2010-04-02
JP5274176B2 true JP5274176B2 (ja) 2013-08-28

Family

ID=42203810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008241628A Expired - Fee Related JP5274176B2 (ja) 2008-09-19 2008-09-19 マスク検査装置及びマスク検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5274176B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012021959A (ja) 2010-07-16 2012-02-02 Toshiba Corp パターン検査装置、パターン検査方法、およびパターンを有する構造体
JP6251647B2 (ja) 2014-07-15 2017-12-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マスク検査装置及びマスク検査方法
JP7456272B2 (ja) 2020-05-11 2024-03-27 コニカミノルタ株式会社 画像検査装置、及び、画像形成システム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848838A (ja) * 1981-09-18 1983-03-22 Fujitsu Ltd レチクルおよびフオトマスクの検査方法
JPH04100045A (ja) * 1990-08-20 1992-04-02 Nikon Corp フォトマスク検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010071893A (ja) 2010-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9710905B2 (en) Mask inspection apparatus and mask inspection method
US10026011B2 (en) Mask inspection apparatus, mask evaluation method and mask evaluation system
US8213703B2 (en) Method and apparatus for reviewing defects on mask
JP5274293B2 (ja) マスク検査装置、それを用いた露光方法及びマスク検査方法
EP2508871A1 (en) Inspection apparatus, measurement method for three-dimensional shape, and production method for structure
US8452074B2 (en) Apparatus and method for pattern inspection
US20170316557A1 (en) Pattern inspection method and pattern inspection apparatus
CN104854677A (zh) 使用缺陷特定的信息检测晶片上的缺陷
JP5121642B2 (ja) マスク検査装置及びマスク検査方法
JP2009222624A (ja) 試料検査装置及び試料検査方法
US8031932B2 (en) Pattern inspection apparatus and method
JP5514754B2 (ja) 検査装置および検査方法
US20070146707A1 (en) Pattern inspection apparatus and method along with workpiece tested thereby and management method of workpiece under testing
US8078012B2 (en) Pattern inspection apparatus and method
JP2012251785A (ja) 検査装置および検査方法
US20070165938A1 (en) Pattern inspection apparatus and method and workpiece tested thereby
US9626755B2 (en) Mask inspection apparatus and mask inspection method
JP5274176B2 (ja) マスク検査装置及びマスク検査方法
KR101800493B1 (ko) 데이터베이스 기반 셀-대-셀 레티클 검사
US10586323B2 (en) Reference-image confirmation method, mask inspection method, and mask inspection device
JP5684628B2 (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法
JP4634478B2 (ja) 試料検査装置及び試料検査方法
JP6513582B2 (ja) マスク検査方法およびマスク検査装置
JP4131728B2 (ja) 画像作成方法、画像作成装置及びパターン検査装置
JP6938397B2 (ja) 検査装置および検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130430

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130514

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees