JP5265279B2 - ナノワイヤ・マルチスペクトル画像化アレイ - Google Patents

ナノワイヤ・マルチスペクトル画像化アレイ Download PDF

Info

Publication number
JP5265279B2
JP5265279B2 JP2008233443A JP2008233443A JP5265279B2 JP 5265279 B2 JP5265279 B2 JP 5265279B2 JP 2008233443 A JP2008233443 A JP 2008233443A JP 2008233443 A JP2008233443 A JP 2008233443A JP 5265279 B2 JP5265279 B2 JP 5265279B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
antennas
nanowire
gap
antenna
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008233443A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009133824A (ja
JP2009133824A5 (ja
Inventor
アンディ・エム・ペクザルスキ
バーレット・イー・コール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honeywell International Inc
Original Assignee
Honeywell International Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honeywell International Inc filed Critical Honeywell International Inc
Publication of JP2009133824A publication Critical patent/JP2009133824A/ja
Publication of JP2009133824A5 publication Critical patent/JP2009133824A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5265279B2 publication Critical patent/JP5265279B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/08Optical arrangements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/30Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
    • G01J3/36Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/0225Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
    • G01J5/024Special manufacturing steps or sacrificial layers or layer structures
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/08Optical arrangements
    • G01J5/0837Microantennas, e.g. bow-tie
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/08Optical arrangements
    • G01J5/0853Optical arrangements having infrared absorbers other than the usual absorber layers deposited on infrared detectors like bolometers, wherein the heat propagation between the absorber and the detecting element occurs within a solid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/08Optical arrangements
    • G01J5/0881Compact construction
    • G01J5/0884Monolithic
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • G01J5/22Electrical features thereof
    • G01J5/24Use of specially adapted circuits, e.g. bridge circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14669Infrared imagers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J2005/0077Imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)

Description

本発明は、一般に画像化アレイ及び赤外線検出器に関する。本発明は、マイクロボロメータ・コンポーネントを使用するマイクロボロメータ及び画像化システムにも関する。本発明はまた、ナノワイヤ及びナノテクノロジーに基づくコンポーネントに関する。
仮特許出願の相互参照
本出願は、2007年9月13日提出の「Nanowire Multispectral Imaging Array」と題する米国仮特許出願第60/972,120号の利益を主張する。
赤外線(IR)検出器は、火、過熱している機械、飛行機、車両、人々、及び熱放射を放つ他の物を検出するためにしばしば利用される。赤外線検出器は、煙又は霧等の大気中の周辺の光条件又は粒子状物質に影響されない。したがって、赤外線検出器は、暗視、及び煙や霧によって通常の視界が遮られるときのように視界の条件が悪い場合において潜在的な用途がある。IR検出器はまた、放射計、ガス検出器及び他のIRセンサ等の非画像化用途において使用される。赤外線検出器は、通常、状況における様々な物の熱放射輝度(thermal radiance)の差異を検出することにより動作する。その差異は、その後、その状況における温度差に関連する出力を生成するために処理される電気信号に変換される。
いくつかの種類の赤外線検出器は、当技術分野においてマイクロボロメータとして知られているものを使用する。製造後、検知装置に最適な環境を提供するために、マイクロボロメータは、一般に真空パッケージ内に配置される。パッケージ内部の真空の質は検出器の感度に大きく影響し、高真空が必要である。従来のマイクロボロメータは、マイクロボロメータが熱放射に露出された後、検出素子の抵抗値変化を測定する。マイクロボロメータはガス検出器、暗視及び他の多くの状況における用途がある。
「ボロメータ」は、吸収された入射赤外線の量に応じてボロメータの温度が変化し、そのボロメータの温度に対してボロメータ材料の電気抵抗が変化するという原理で動作する。これらの特性はその抵抗における結果として生じる変化を検知することによりボロメータへの入射赤外線を測定するために利用することができる。赤外線検出器として使用される場合、ボロメータは、通常、その支持基板又は環境から熱的に分離されて、吸収された入射赤外線がボロメータ材料中の温度変化を生成し、かつ基板温度によって受ける影響を小さくすることを可能にする。現在のマイクロボロメータ構造はハネウェル株式会社によって開発された。背景として、例えばハネウェル社によって製造された或る従来技術の検出器及び/又はアレイは、米国特許第5,286,976号、第5,300,915号、及び第5,021,663号に述べられており、これらの各々は参照によって本明細書に組込まれる。そのような検出器は、2レベルのマイクロブリッジ構成を有するマイクロボロメータ検出器を含んでいる。上部のレベル及び下部のレベルは、波長の特別の範囲の放射に対してボロメータを敏感にする空洞を形成する。上部のレベルは熱検知部を含んでいる「マイクロブリッジ」を形成する。下部のレベルは読み出し集積回路と、空胴を形成するための反射材料とを含んでいる。上部のマイクロブリッジは、下部のレベルから上部のレベルを熱的に分離し、内部の電気的な情報を集積回路に伝える脚部により支持される。
前述の構造と関係する参考文献一覧は、米国特許第5,420,419号に見ることができる。前述の特許は、通常はモノリシックのシリコン基板又は集積回路上に製造される、緊密に間隔を置かれたマイクロボロメータ検出器の2次元アレイについて記述する。一般に、これらのマイクロボロメータ検出器の各々は、基板から実質的に熱的に分離される温度を感知する抵抗素子を含む、通常「ブリッジ」構造と呼ばれる方法で基板上に製造される。この前述のマイクロボロメータ検出器構造は、ここでは「熱的に分離されたマイクロボロメータ」と呼ばれる。抵抗素子は、例えば、赤外線を吸収する酸化バナジウム材料で構成されてもよい。構成されたブリッジ構造は、各マイクロボロメータ検出器の抵抗素子とシリコン基板との間に良好な熱的分離を提供する。例示的なマイクロボロメータ構造は、寸法として、およそ50ミクロン×50ミクロンのオーダとすることができる。
対照的に、ブリッジ構造を用いず、基板上に直接製造されるマイクロボロメータ検出器は、基板及び/又はパッケージの温度が直接それに影響するので「熱的に短絡したマイクロボロメータ」と呼ばれる。又は、基板に短絡されるので、「ヒートシンクされた」マイクロボロメータと見てもよい。
マイクロボロメータ検出器アレイは入射する放射(典型的には赤外線)の焦点面を検知するために使用することができる。アレイのマイクロボロメータ検出器の各々は、入射する放射を吸収し、これは結果として対応する温度の変化をもたらし、これが結果として対応する抵抗の変化をもたらす。画素として機能する各マイクロボロメータを用いて、入射赤外線の二次元画像又は画像表現が、各マイクロボロメータの抵抗値変化を、モニターに表示可能又はコンピューターに格納可能な時分割多重された電気信号に変換することにより生成することができる。ここに使用されるように、「画素(ピクセル)」なる用語は「マイクロボロメータ」なる用語と等価である。この変換を実行するのに使用される回路は、一般に、読み出し集積回路(ROIC)として知られ、一般にシリコン基板上に集積回路として製造される。マイクロボロメータアレイはROIC上に製造されてもよい。ROIC及びマイクロボロメータアレイの組み合わせは、マイクロボロメータ赤外焦点面アレイ(Focal Plane Array、FPA)として一般に知られている。
単一のマイクロボロメータFPAの一部として製造される場合であっても、個々のマイクロボロメータピクセルは、入射赤外線を均一にするために不均一な応答を持つ。これは、製造プロセスの結果として生じる検出器の電気的及び熱的性質における小さな変化による。一般に空間不均一性と呼ばれる個々のマイクロボロメータ応答特性中におけるこの不均一性は、画像処理と表示のために十分な信号対雑音比を備えた電気信号を生成するために修正しなければならない。空間の不均一性に寄与する特性は特に、個々の検出器の、赤外線吸収係数、抵抗、抵抗の温度係数(TCR)、熱容量及び熱伝導率を含んでいる。
米国特許第5,286,976号明細書 米国特許第5,300,915号明細書 米国特許第5,021,663号明細書 米国特許第5,420,419号明細書
画像化アレイは、500×500以上のピクセルを備えた赤外線スペクトル範囲に存在する。しかしながら、新しい用途(例えば武器検出)を容易にするためには、スペクトルのTHz領域以下にアレイ動作の範囲を拡張しなければならない。広いスペクトル範囲の使用により、より明瞭な画像、コントラスト及びしたがってよりよい検出可能性のためのアレイの有用性が改善される。現在のシステムでは、画像化システムのフレームレートは、ほとんどの用途にとって10Hzより高くなければならず、1000x1000ピクセルのオーダーの分解能が望まれる。従来技術のシステム及び構成はこの目標を効果的に達成していない。
本発明についての以下の概要は、本発明に特有の革新的な特徴のうちのいくつかについての理解を容易にするために提供されており、十分な記述とすることを意図していない。本発明の様々な態様についての十分な認識は、明細書全体、特許請求の範囲、図面及び要約を全体として理解することにより得られる。
したがって、本発明の1つの態様は、改善された赤外線及び/又はテラヘルツ検出システム及び方法を提供するものである。
本発明の別の態様は、赤外線及び/又はテラヘルツ検出用途で利用されるナノワイヤのマルチスペクトル・アレイを提供するものである。
本明細書に記述されるように、本発明の上述の態様並びに他の目的及び利点が達成される。
マルチスペクトル画像化アレイシステムは、基板と、複数のそれぞれのギャップが複数のアンテナ中の各アンテナ間に形成されるように当該基板上に互いに関して配置された複数のアンテナとを具備し、複数のアンテナ中のアンテナの各グループはそれぞれ異なるアンテナサイズを含む。さらに、1つ又は複数のナノワイヤは、それぞれのギャップ中の1つ又は複数のギャップに配置されて、その結果、アンテナと通信するナノワイヤと基板とがマルチスペクトル画像化システムを構成し、ナノワイヤの使用により熱時定数したがってアンテナからの読み出しレートが低減する一方、読み出しレートに関連して周囲の気体冷却速度を低減し、マルチスペクトル画像化アレイシステムの製造可能性を増加させる。
開示される実施例は、マイクロボロメータ検出要素としてナノワイヤを使用することにより、高画素数に対して高いフレームレートがどのようにして得られるかを示す。ナノワイヤは、それがマイクロブリッジにとって代わり、アンテナ間のギャップが異なる周波数範囲に対して変化する際に当該ギャップと一致するように長さで計ることができるので、広いスペクトル範囲(例えば0.8−54THz)をカバーするサイズで同一の誘電体基板上にプリントされたアンテナを使用することを可能にする。さらに、ナノワイヤの非常に小さな直径により、熱時定数が減少し、したがって、読み出しレートが増加する。同時に、ナノワイヤの小さな直径により、パッケージ内の読み出しレートに対する周囲の気体冷却速度は減少し、パッケージ内の必要な圧力を増加させ、したがって、真空パッケージをより製造可能なものとする。ナノワイヤの材料特性は、各センサ中に多数のワイヤを提供し、したがってセンサの製造バラツキを減少させるように選択することができる。他のマイクロボロメータアレイとの基本的な差は、抵抗性の実装、熱電気的な実装の両方のためのナノワイヤによってマイクロブリッジ検知要素が置き換えられるということである。
1つの実施例では、4つの異なるアンテナサイズを同じ基板上にプリントすることができ、ナノワイヤは、アンテナ間のギャップに配置することができる。制限された帯域幅にのみ各アンテナをそれぞれ同調することができるので、4つのアンテナサイズがある。ギャップのサイズは波長の約1/10のオーダーでなければならず、したがって、ナノワイヤの長さはより高い周波数に対してはより小さい。製作過程は、接地平面基板上の薄い誘電体層上にアンテナをプリントするステップを含む。その後、ナノワイヤはアンテナ間のギャップに配置される。続いて、各アンテナギャップにわたる局所的なパッケージが製造される。パッケージは脆弱なナノワイヤを保護し、気体冷却時定数が読み出し時定数より長くなるよう十分に低い周囲圧力を生成する。読出し電子素子(readout electronics)はナノワイヤで作られてもよいし、後に別個のダイ上でアレイに追加されてもよい。画素と電子素子の間の電気的接続及びバイアスがプリントされる。
添付の図面においては、類似の参照番号は別個の図面にわたる同一又は機能的に類似の要素を指し、添付の図面は、本明細書内に組み込まれてその一部を形成し、発明の詳細な説明とともに本発明を説明し、本発明の原理について説明する役割をもつ。
本発明を制限しない例において説明される特定の値及び構成は変更可能であり、単に本発明の少なくとも1つの実施例を説明するために引用されるものであって、本発明の範囲を制限するようには意図されない。
本明細書に開示される実施例は、マイクロボロメータ検知要素としてナノワイヤを利用することにより高画素数に対して高いフレームレートをどのように得るかについて説明する。ナノワイヤは、効果的にマイクロブリッジにとって代わり、アンテナ間のギャップと一致するように長さで計ることができるので、0.8−54THzの範囲をカバーするサイズで同一の誘電体基板上にプリントされたアンテナを使用することが可能となる。さらに、ナノワイヤは非常に小さな直径を有することにより、熱時定数が減少し、したがって、読み出しレートが増加する。
同時に、ナノワイヤの小さな直径により、真空パッケージをより製造可能とするパッケージ中の読み出しレートに関連のある周囲の気体冷却速度が減少する。ナノワイヤの材料特性は、各センサ中に多数のワイヤを提供し、したがってセンサの製造バラツキを減少させるように選択することができる。他のマイクロボロメータアレイとの基本的な差は、マイクロブリッジ検出要素が、抵抗性の実装及び熱電気的な実装の両方のためにナノワイヤで置き換えられるということである。
図1は、好ましい実施例に従って、ナノワイヤのマルチスペクトル画像化アレイシステム100の概略図を示す。システム100は、一般に、画素アレイ102を含む。図1に示す実施例において、画素アレイは1,000×1,000の画素アレイとして提供されている。しかし、これは単なる説明のための一例であって、設計条件に依存して、より多数の又はより少数の画素を実装し得ることが理解される。図1の例では、画素アレイ102全体のうち3×3画素セグメント104を示している。単一の例示的な画素106もまた、画素セグメント104及び画素アレイ102に関して示される。2つのアンテナ115と117との間のギャップ108はナノワイヤ・ブリッジ110を含んでおり、画素106中のすべてのアンテナ対に関して図1に示される。図1に示す例において、ナノワイヤ・ブリッジ110は、例えば20nmの直径を備えた2つ乃至6つの並列のナノワイヤ112からなってもよい。ナノワイヤ112は、プラチナ(Pt)の熱電気読出し、又は熱抵抗読出しのためのPtセクション111及び金(Au)−ニッケル(Ni)セクション113からなってもよい。
このように、システム100は、同一基板上にプリントされた4つの異なるアンテナサイズを含み、ナノワイヤはアンテナ間のギャップに配置される。制限された帯域幅のみに各アンテナを同調させることができるので4つのアンテナサイズがある。ギャップのサイズは波長の約1/10のオーダーが好適であり、したがって、ナノワイヤの長さはより高い周波数に対してはより小さい。システム100の画像表現114もまた図1に示される。
図2は、好ましい実施例に従ってナノワイヤのマルチスペクトル画像化アレイシステムを形成する方法200の動作ステップを示す動作の高レベルのフローチャートを示している。方法200は、図1に示されたシステム100を構成するために実施することができる。図1の例は、同一基板上にプリントされた4つの異なるアンテナサイズとアンテナ間のギャップに配置されたナノワイヤとを示している。見出されたアンテナサイズは、図1で示された構成に関して議論されるが、「4つ」という数は、単に例示的な一例であることに留意されたい。設計の検討に依存して、さらに多くの又はより少ないアンテナサイズを実施することができる。
したがって、ブロック202に示されるように、プロセスが開始する。その後、ブロック204において示されるように、接地平面(ground plane)基板を用意してもよい。次に、ブロック206で示されるように、接地平面基板上の薄い誘電体層上にアンテナをプリントすることができる。その後、ブロック208で示されるように、ギャップがアンテナ間に形成される。次に、ブロック210、212及び214で示されるように、選択されたアンテナ間のギャップにわたってナノワイヤを配置してパターン化することができる。ブロック210で示された動作は選択されたアンテナ間のギャップに犠牲層を配置することを含んでいる。その後、ブロック212で示されるように、選択されたアンテナ間のギャップを橋渡しするためにナノワイヤが配置されてパターン化される動作を処理してもよい。次に、ブロック214で示されるように、犠牲層が、各ナノワイヤが懸垂した状態となるように、各ナノワイヤの下から除去され得る。すなわち、ギャップにわたってナノワイヤをぶら下げておくために、ステップ214で示されるように、ナノワイヤの下の犠牲層は除去される。その後、ブロック216で示されるように、各アンテナ・ギャップにわたって局所的なパッケージを構成してもよい。パッケージは脆弱なナノワイヤを保護し、気体冷却時定数が読み出し時定数より長くなるよう、十分に低い周囲気圧を生成する。次に、ブロック218に示されるように、読出し電子素子(readout electronics)は、ナノワイヤで作られてもよいし、後に別個のダイ上のアレイに追加されてもよい。その後、ブロック220で示されるように、画素と電子素子との間の電気的接続及びバイアスが基板に関してプリントされ得る。その後、ブロック222で示されるように、プロセスは終了する。
図2に示された方法200は、図1のマルチスペクトル画像化アレイ/システム100の形成のためにこのように利用することができる。高レベルでは、基板が最初に用意される。その後、複数のアンテナが基板上で互いに関して構成されて配置され、複数のアンテナは複数のアンテナグループを含む。それぞれのギャップが複数のアンテナ中の各アンテナグループ間で形成される。その後、1つ又は複数のナノワイヤがそれぞれのギャップ中の少なくとも1つのギャップに配置され、その結果、1つ又は複数のナノワイヤは、アンテナ及び基板と通信することができ、マルチスペクトル画像化アレイ/システム100が提供される。ナノワイヤは熱時定数を減少させ、したがって、複数のアンテナからの読み出しレートを低減する一方、読み出しレートに対して周囲の気体冷却速度を減少させて、マルチスペクトル画像化アレイシステムの製造可能性を増加させる。方法200に固有のものは、異なるスペクトル範囲に対して最適に応答するためにナノワイヤに関してアンテナサイズ及びナノワイヤの長さを変えるアンテナを含むようにアンテナを提供するステップである。既に示されたように、ナノワイヤは熱抵抗性のコンポーネントとして構成することができ、熱電気検知を可能にする少なくとも2つの異なる種類の材料から構成されてもよい。
上述の及び他の特徴及び機能、又はその代替手段を、他の多くの異なるシステム又は用途に望ましく組み合わせられてもよいことが理解されるであろう。現在予期できない様々な代替構成、変更、変化又は改良が後に当業者によってなされ得ること、それは添付の特許請求の範囲に包含されるものと意図されることもまた理解されよう。
好ましい実施例に従うナノワイヤのマルチスペクトル画像化アレイシステムの概略図である。 好ましい実施例に従うナノワイヤのマルチスペクトル画像化アレイシステムを形成するための動作ステップを示す動作の高レベルのフローチャートである。

Claims (3)

  1. 基板と、
    各アンテナ対を構成する2つのアンテナにギャップが形成されるように、前記基板上に配置された複数のアンテナであって、各アンテナ対を構成する2つのアンテナ間のギャップのサイズがアンテナ対のサイズに応じて異なる、複数のアンテナと、
    数のそれぞれのギャップ中の少なくとも1つのギャップに配置された、対応するアンテナ対及び前記基板と通信する少なくとも1つのナノワイヤと
    を具備し、前記少なくとも1つのナノワイヤが前記少なくとも1つのギャップのサイズに対応する長さを有する、マルチスペクトル画像化アレイシステム。
  2. 基板と、
    各アンテナ対を構成する2つのアンテナにギャップが形成されるように、前記基板上に配置された複数のアンテナであって、各アンテナ対を構成する2つのアンテナ間のギャップのサイズがアンテナ対のサイズに応じて異なる、複数のアンテナと、
    アンテナ対間の少なくとも1つのギャップに配置された、該アンテナ対及び前記基板と通信する少なくとも1つのナノワイヤであって、前記少なくとも1つのナノワイヤが前記アンテナ対間の前記少なくとも1つのギャップのサイズに対応する長さを有する、少なくとも1つのナノワイヤと、
    前記複数のアンテナ、前記少なくとも1つのナノワイヤ及び前記基板に配置された複数の画素からなる画素アレイであって、前記複数の画素のうちの各画素が異なるサイズの複数のアンテナ対を含む、画素アレイと
    を具備するマルチスペクトル画像化アレイシステム。
  3. マルチスペクトル画像化アレイを形成する方法であって、
    基板を用意するステップと、
    アンテナ対を形成するように前記基板上に配置され複数のアンテナを構成するステップと、
    各アンテナ対を構成する2つのアンテナ間にギャップを形成するステップであって、各アンテナ対を構成する2つのアンテナ間のギャップのサイズはアンテナ対のサイズに応じて異なる、ステップと、
    アンテナ対間の少なくとも1つのギャップに、該アンテナ対及び前記基板と通信する少なくとも1つのナノワイヤを配置するステップであって、前記少なくとも1つのナノワイヤが前記アンテナ対間の前記少なくとも1つのギャップのサイズに対応する長さを有する、ステップとを含む方法。
JP2008233443A 2007-09-13 2008-09-11 ナノワイヤ・マルチスペクトル画像化アレイ Expired - Fee Related JP5265279B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97212007P 2007-09-13 2007-09-13
US60/972,120 2007-09-13
US11/977,767 2007-10-26
US11/977,767 US7786440B2 (en) 2007-09-13 2007-10-26 Nanowire multispectral imaging array

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009133824A JP2009133824A (ja) 2009-06-18
JP2009133824A5 JP2009133824A5 (ja) 2011-05-19
JP5265279B2 true JP5265279B2 (ja) 2013-08-14

Family

ID=40128121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008233443A Expired - Fee Related JP5265279B2 (ja) 2007-09-13 2008-09-11 ナノワイヤ・マルチスペクトル画像化アレイ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7786440B2 (ja)
EP (1) EP2037243A3 (ja)
JP (1) JP5265279B2 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8791470B2 (en) 2009-10-05 2014-07-29 Zena Technologies, Inc. Nano structured LEDs
US8835831B2 (en) 2010-06-22 2014-09-16 Zena Technologies, Inc. Polarized light detecting device and fabrication methods of the same
US8269985B2 (en) 2009-05-26 2012-09-18 Zena Technologies, Inc. Determination of optimal diameters for nanowires
US8889455B2 (en) 2009-12-08 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Manufacturing nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8748799B2 (en) 2010-12-14 2014-06-10 Zena Technologies, Inc. Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors
US9406709B2 (en) 2010-06-22 2016-08-02 President And Fellows Of Harvard College Methods for fabricating and using nanowires
US20100148221A1 (en) * 2008-11-13 2010-06-17 Zena Technologies, Inc. Vertical photogate (vpg) pixel structure with nanowires
US8299472B2 (en) 2009-12-08 2012-10-30 Young-June Yu Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors
US9478685B2 (en) 2014-06-23 2016-10-25 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same
US8866065B2 (en) 2010-12-13 2014-10-21 Zena Technologies, Inc. Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires
US8890271B2 (en) 2010-06-30 2014-11-18 Zena Technologies, Inc. Silicon nitride light pipes for image sensors
US9000353B2 (en) 2010-06-22 2015-04-07 President And Fellows Of Harvard College Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires
US8229255B2 (en) 2008-09-04 2012-07-24 Zena Technologies, Inc. Optical waveguides in image sensors
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
US8546742B2 (en) 2009-06-04 2013-10-01 Zena Technologies, Inc. Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate
US9082673B2 (en) 2009-10-05 2015-07-14 Zena Technologies, Inc. Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same
US9515218B2 (en) * 2008-09-04 2016-12-06 Zena Technologies, Inc. Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings
US9299866B2 (en) 2010-12-30 2016-03-29 Zena Technologies, Inc. Nanowire array based solar energy harvesting device
US8274039B2 (en) 2008-11-13 2012-09-25 Zena Technologies, Inc. Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits
US9343490B2 (en) 2013-08-09 2016-05-17 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same
US8519379B2 (en) 2009-12-08 2013-08-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire structured photodiode with a surrounding epitaxially grown P or N layer
US8495048B2 (en) * 2009-08-26 2013-07-23 International Business Machines Applying user-generated deployment events to a grouping of deployable portlets
JP5641420B2 (ja) * 2010-11-15 2014-12-17 日本信号株式会社 テラヘルツ検出器
US8729456B2 (en) * 2011-02-02 2014-05-20 The Boeing Company Frequency selective electromagnetic detector
US9800805B2 (en) * 2011-02-02 2017-10-24 The Boeing Company Frequency selective imaging system
US8664583B2 (en) * 2011-07-01 2014-03-04 The Boeing Company Nonlinear optical surface sensing with a single thermo-electric detector
US11674850B1 (en) * 2020-04-22 2023-06-13 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Continuous full-resolution two-color infrared detector
CN113991284B (zh) * 2021-11-03 2022-12-30 中国科学技术大学 对微波场局域的器件及其制备方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4638345A (en) * 1983-06-01 1987-01-20 Rca Corporation IR imaging array and method of making same
US4584475A (en) * 1984-05-29 1986-04-22 Allied Corporation Surface acoustic wave infrared line imaging array
US5300915A (en) 1986-07-16 1994-04-05 Honeywell Inc. Thermal sensor
US5021663B1 (en) 1988-08-12 1997-07-01 Texas Instruments Inc Infrared detector
US5286976A (en) 1988-11-07 1994-02-15 Honeywell Inc. Microstructure design for high IR sensitivity
US5237334A (en) * 1989-06-29 1993-08-17 Waters William M Focal plane antenna array for millimeter waves
JPH05264343A (ja) * 1992-03-19 1993-10-12 Advance Co Ltd 遠赤外線分光検出素子
EP0672325B2 (en) 1992-06-19 2008-08-27 Honeywell Inc. Infrared camera with thermoelectric temperature stabilization
JPH0661465A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Mitsubishi Electric Corp 赤外線撮像素子
US5729019A (en) * 1995-12-29 1998-03-17 Honeywell Inc. Split field-of-view uncooled infrared sensor
US5990469A (en) * 1997-04-02 1999-11-23 Gentex Corporation Control circuit for image array sensors
US6310346B1 (en) * 1997-05-30 2001-10-30 University Of Central Florida Wavelength-tunable coupled antenna uncooled infrared (IR) sensor
FI107407B (fi) * 1997-09-16 2001-07-31 Metorex Internat Oy Alimillimetriaalloilla toimiva kuvausjärjestelmä
US6953932B2 (en) * 1999-10-07 2005-10-11 Infrared Solutions, Inc. Microbolometer focal plane array with temperature compensated bias
FR2826725B1 (fr) * 2001-06-28 2004-02-27 Commissariat Energie Atomique Microbolometres resistants aux temperatures de scenes elevees.
US7199358B2 (en) * 2002-08-20 2007-04-03 Lockheed Martin Corporation Antenna-coupled microbolometer
US20050060884A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Canon Kabushiki Kaisha Fabrication of nanoscale thermoelectric devices
US7038623B2 (en) * 2003-12-04 2006-05-02 Raytheon Company Method and apparatus for detecting radiation at one wavelength using a detector for a different wavelength
US7095027B1 (en) * 2004-02-25 2006-08-22 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Multispectral multipolarization antenna-coupled infrared focal plane array
FR2867273B1 (fr) * 2004-03-04 2006-09-08 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif pour la detection thermique d'un rayonnement comportant un microbolometre actif et un microbolometre passif
KR100584188B1 (ko) * 2004-03-08 2006-05-29 한국과학기술연구원 나노선 광센서 및 이를 포함하는 키트
US7126330B2 (en) * 2004-06-03 2006-10-24 Honeywell International, Inc. Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device
US7280068B2 (en) * 2005-07-14 2007-10-09 Agilent Technologies, Inc. System and method for microwave imaging with suppressed sidelobes using a sparse antenna array
US7385199B2 (en) * 2005-09-26 2008-06-10 Teledyne Licensing, Llc Microbolometer IR focal plane array (FPA) with in-situ mirco vacuum sensor and method of fabrication
US7510668B2 (en) * 2005-11-10 2009-03-31 General Electric Company Low cost antenna array fabrication technology
US7937054B2 (en) * 2005-12-16 2011-05-03 Honeywell International Inc. MEMS based multiband receiver architecture

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009133824A (ja) 2009-06-18
US20090072145A1 (en) 2009-03-19
EP2037243A2 (en) 2009-03-18
EP2037243A3 (en) 2011-03-16
US7786440B2 (en) 2010-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5265279B2 (ja) ナノワイヤ・マルチスペクトル画像化アレイ
US7385199B2 (en) Microbolometer IR focal plane array (FPA) with in-situ mirco vacuum sensor and method of fabrication
US7847253B2 (en) Wideband semiconducting light detector
US7491938B2 (en) Multi-spectral uncooled microbolometer detectors
JP6745121B2 (ja) メタマテリアル構造を含む赤外線吸収薄膜を有する温度センサ
US7288765B2 (en) Device for detecting infrared radiation with bolometric detectors
US6335478B1 (en) Thermopile infrared sensor, thermopile infrared sensors array, and method of manufacturing the same
KR100876459B1 (ko) 경량 적외선 카메라
Niklaus et al. Performance model for uncooled infrared bolometer arrays and performance predictions of bolometers operating at atmospheric pressure
US7791026B2 (en) Microbolometer infrared security sensor
US6621083B2 (en) High-absorption wide-band pixel for bolometer arrays
US7750301B1 (en) Microbolometer optical cavity tuning and calibration systems and methods
US10677656B2 (en) Devices and methods for infrared reference pixels
US7095027B1 (en) Multispectral multipolarization antenna-coupled infrared focal plane array
JP2011145296A (ja) モノリシックシリコン微細加工式サーモパイル赤外線センサー
Kimata Trends in small-format infrared array sensors
US20120085990A1 (en) Superlattice quantum well infrared detector having exposed layers
US9606016B2 (en) Devices and methods for determining vacuum pressure levels
Schimert et al. Advances in small-pixel, large-format α-Si bolometer arrays
Tankut et al. An 80x80 microbolometer type thermal imaging sensor using the LWIR-band CMOS infrared (CIR) technology
Tankut et al. A 160x120 LWIR-band CMOS Infrared (CIR) microbolometer
EP3243052A1 (en) Devices and methods for infrared reference pixels
Sesek et al. A microbolometer system for radiation detection in the THz frequency range with a resonating cavity fabricated in the CMOS technology
WO2006038213A2 (en) Millimeter wave pixel and focal plane array imaging sensors thereof
US7485860B2 (en) Thermoelectric bridge IR detector

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110330

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110330

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120517

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120704

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120907

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130501

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5265279

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees