JP5264963B2 - Infrared data communication module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an infrared data communication module in which a malfunction of an integrated circuit element caused by optical noise can be prevented at a low cost. <P>SOLUTION: The infrared data communication module comprises a light-emitting element 4, a light-receiving element 5, and an integrated circuit element 6 which are mounted to the surface of a substrate 3, and a molded body 9 which is integrally formed of a mold resin so as to cover the respective elements 4, 5, 6 where a shielding body 7 for preventing an influence of optical noise is formed around the integrated circuit element 6 to cover the element, and the shielding body 7 contains an oxide for blocking infrared light. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本願発明は、IrDA(Infrared Data Association )方式による赤外線データ通信を行うために用いられる赤外線データ通信モジュールに関する。   The present invention relates to an infrared data communication module used for performing infrared data communication by an IrDA (Infrared Data Association) system.

従来より、携帯型情報機器やノート型パーソナルコンピュータ等において、それらの機器同士あるいはプリンタ等の周辺機器との間では、IrDA方式による赤外線データ通信が行われている。   Conventionally, in portable information devices, notebook personal computers, and the like, infrared data communication by IrDA method is performed between these devices or peripheral devices such as printers.

このような赤外線データ通信においては、内部に赤外線用の発光素子および受光素子が備えられた赤外線データ通信モジュール(以下、単に「モジュール」という)が用いられる。このモジュール1では、図12および図13に示すように、導体パターン2が形成された基板3上に発光素子4、受光素子5、および集積回路素子6がそれぞれ搭載されている。上記各素子4,5,6は、導体パターン2に金線Wを介して接続されている。   In such infrared data communication, an infrared data communication module (hereinafter simply referred to as “module”) including an infrared light emitting element and a light receiving element is used. In this module 1, as shown in FIGS. 12 and 13, a light emitting element 4, a light receiving element 5, and an integrated circuit element 6 are mounted on a substrate 3 on which a conductor pattern 2 is formed. Each of the elements 4, 5, 6 is connected to the conductor pattern 2 via a gold wire W.

基板3の表面3aには、上記各素子4,5,6を一体的に覆うようにモールド樹脂によるモールド体9が形成されている。モールド体9の上面9aには、発光素子4に対応して発光用レンズ部11が、受光素子5に対応して受光用レンズ部12がそれぞれ形成されている。また、基板3の裏面3bには、図示しない外部の回路基板と半田によって接続される接続端子部13(図12参照)が形成されている。この接続端子部13は、基板3の側面3cに形成された溝部14を介して、基板3の表面3aに形成された導体パターン2と導通接続されている。   A mold body 9 made of a mold resin is formed on the surface 3 a of the substrate 3 so as to integrally cover the elements 4, 5, and 6. On the upper surface 9 a of the mold body 9, a light emitting lens portion 11 corresponding to the light emitting element 4 and a light receiving lens portion 12 corresponding to the light receiving element 5 are formed. Further, a connection terminal portion 13 (see FIG. 12) connected to an external circuit board (not shown) by solder is formed on the back surface 3b of the substrate 3. The connection terminal portion 13 is conductively connected to the conductor pattern 2 formed on the surface 3 a of the substrate 3 through a groove portion 14 formed on the side surface 3 c of the substrate 3.

上記モジュール1は、図示しない外部の回路基板等に実装され、回路基板は、たとえば携帯電話やノート型パーソナルコンピュータ等に内装される。このような電子機器では、内部電源等において発生するノイズや外部から到来する外来ノイズ等によって電子部品に悪影響を及ぼす場合がある。外来ノイズには、電磁波(光を除く)によるノイズの他に、蛍光灯の光や太陽光によるノイズが含まれる。   The module 1 is mounted on an external circuit board (not shown) or the like, and the circuit board is housed in, for example, a mobile phone or a notebook personal computer. In such an electronic device, there is a case where an electronic component is adversely affected by noise generated in an internal power source or the like or external noise coming from the outside. External noise includes noise caused by fluorescent light and sunlight in addition to noise caused by electromagnetic waves (excluding light).

ここで、上記した集積回路素子6では、素子内に組み込まれた電子回路の構成によって上記電磁波によるノイズの対策が施されている場合がある。しかし、光によるノイズに対しては、集積回路素子6自体でその対策が施されていないことが多い。   Here, in the integrated circuit element 6 described above, countermeasures against noise due to the electromagnetic waves may be taken depending on the configuration of an electronic circuit incorporated in the element. However, in many cases, the integrated circuit element 6 itself does not take measures against noise caused by light.

そこで、上記モジュール1では、図14に示すような金属性のシールドケース28がモジュール1を覆うように装着されることがある。モジュール1では、このシールドケース28によって、電磁波あるいは光によるノイズ信号が遮断され、ノイズの影響を回避することができる。すなわち、モジュール1内の集積回路素子6では、上記ノイズによる誤動作を防止することができる。   Therefore, in the module 1, a metallic shield case 28 as shown in FIG. In the module 1, the shield case 28 blocks a noise signal due to electromagnetic waves or light, thereby avoiding the influence of noise. That is, the integrated circuit element 6 in the module 1 can prevent malfunction due to the noise.

しかしながら、シールドケース28は、一般的に高価であるため、モジュール1の部品コストが増大するといった問題点がある。また、モジュール1の製造工程においては、シールドケース28を各モジュール1に対してひとつひとつ装着していく必要があるため、製造コストの増大を招くといった問題点もある。   However, since the shield case 28 is generally expensive, there is a problem that the component cost of the module 1 increases. Further, in the manufacturing process of the module 1, since it is necessary to attach the shield cases 28 to each module 1 one by one, there is a problem that the manufacturing cost is increased.

本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、光ノイズによる集積回路素子の誤動作を低コストで防止することのできる赤外線データ通信モジュールを提供することを、その課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and it is an object of the present invention to provide an infrared data communication module that can prevent malfunction of an integrated circuit element due to optical noise at low cost. To do.

上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。   In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.

本願発明によって提供される赤外線データ通信モジュールは、所定の導体パターンが形成された基板の表面に搭載された発光素子、受光素子および集積回路素子と、上記各素子を覆うようにモールド樹脂により一体的に形成されたモールド体とを備えた赤外線データ通信モジュールであって、上記集積回路素子の周囲には、当該集積回路素子の上記基板に対する当接面を除く全表面と、当該集積回路素子の上面と上記導体パターンの所定箇所間を接続するワイヤのすべてを覆うシールド体が形成されており、上記シールド体は、赤外光を遮断する酸化物を含有して上記集積回路素子への光ノイズの影響を防止するとともに、上記集積回路素子と上記モールド体との間にあって緩衝部材として機能することを特徴とする。 The infrared data communication module provided by the present invention is integrated with a light emitting element, a light receiving element and an integrated circuit element mounted on the surface of a substrate on which a predetermined conductor pattern is formed, and a mold resin so as to cover each element. An infrared data communication module including a molded body formed on the integrated circuit element, wherein the integrated circuit element has a whole surface except for a contact surface of the integrated circuit element with respect to the substrate, and an upper surface of the integrated circuit element. And a shield body that covers all of the wires that connect between the predetermined portions of the conductor pattern, and the shield body contains an oxide that blocks infrared light and contains optical noise to the integrated circuit element. In addition to preventing the influence, it functions as a buffer member between the integrated circuit element and the mold body .

好ましい実施の形態では、上記酸化物は、赤外光を遮断するとともに吸収する。この場合において上記酸化物は、好ましくは酸化チタンを含む。   In a preferred embodiment, the oxide blocks and absorbs infrared light. In this case, the oxide preferably contains titanium oxide.

好ましい実施の形態では、上記シールド体における上記酸化チタンの重量比は、35〜40%である。   In a preferred embodiment, the weight ratio of the titanium oxide in the shield body is 35 to 40%.

好ましい実施の形態では、上記集積回路素子の表面から上記シールド体の表面までの距離は、少なくとも75μm以上である。   In a preferred embodiment, the distance from the surface of the integrated circuit element to the surface of the shield body is at least 75 μm or more.

好ましい実施の形態では、上記シールド体は、可視光を遮断するための染料と、赤外光の一部および紫外光の一部を遮断するためのカーボンブラックをさらに含有する。   In a preferred embodiment, the shield body further contains a dye for blocking visible light and carbon black for blocking part of infrared light and part of ultraviolet light.

本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの内部構成を示す図である。It is a figure which shows the internal structure of the infrared data communication module which concerns on this invention. 基板の平面透視図である。It is a plane perspective view of a substrate. 基板の裏面図である。It is a reverse view of a board | substrate. 赤外線データ通信モジュールの外部回路基板に対する実装状態を示す図である。It is a figure which shows the mounting state with respect to the external circuit board of an infrared data communication module. 赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an infrared data communication module. 赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an infrared data communication module. 赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an infrared data communication module. 赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an infrared data communication module. 赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an infrared data communication module. 赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an infrared data communication module. 赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of an infrared data communication module. 赤外線データ通信モジュールの斜視図である。It is a perspective view of an infrared data communication module. 従来の赤外線データ通信モジュールの内部構成を示す図である。It is a figure which shows the internal structure of the conventional infrared data communication module. シールドケースが装着された従来の赤外線データ通信モジュールの斜視図である。It is a perspective view of the conventional infrared data communication module with which the shield case was mounted | worn.

以下、本願発明の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。なお、以下の説明では、従来の説明の欄で説明した図12を再び参照する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. In the following description, FIG. 12 described in the conventional description column will be referred to again.

図1は、本実施形態に係る赤外線データ通信モジュール(以下、単に「モジュール」という)1の内部構成を示す図である。図1および図12によれば、モジュール1は、略矩形状の基板3と、基板3に実装された発光素子4、受光素子5、および集積回路素子6と、集積回路素子6の周囲にそれを覆うように形成されるシールド体7と、発光素子4および受光素子5に対してそれぞれ形成される保護体8と、これらを一体的にモールド樹脂により封止するモールド体9とを具備して構成されている。   FIG. 1 is a diagram showing an internal configuration of an infrared data communication module (hereinafter simply referred to as “module”) 1 according to the present embodiment. 1 and 12, the module 1 includes a substantially rectangular substrate 3, a light emitting element 4 mounted on the substrate 3, a light receiving element 5, an integrated circuit element 6, and an integrated circuit element 6 around it. A shield body 7 formed so as to cover the light emitting element 4, a protective body 8 formed for each of the light emitting element 4 and the light receiving element 5, and a mold body 9 for integrally sealing them with a mold resin. It is configured.

図2は、上記基板3の平面透視図であり、図3は、基板3の裏面図である。基板3は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなり、その表面3aには、所定の導体パターン2が形成され、導体パターン2の適所には必要に応じて金メッキが施されている。導体パターン2は、各素子4,5,6が直接的に搭載される導体パターン、および各素子4,5,6と接続するためにワイヤボンディングが施される導体パターン等によって構成される。   FIG. 2 is a plan perspective view of the substrate 3, and FIG. 3 is a rear view of the substrate 3. The substrate 3 is made of, for example, glass epoxy resin, and a predetermined conductor pattern 2 is formed on the surface 3a thereof, and gold plating is applied to appropriate portions of the conductor pattern 2 as necessary. The conductor pattern 2 includes a conductor pattern on which the elements 4, 5, and 6 are directly mounted, a conductor pattern on which wire bonding is performed to connect the elements 4, 5, and 6.

基板3の裏面3b(図3参照)には、それのほぼ全面を覆う導体パターン2(ダミーパターン)と、このモジュール1を実装するための外部回路基板(図示せず)に接続される導体パターン2としての接続端子部13とが形成されている。基板3の側面3cには、断面略円弧状の溝部14が形成され、溝部14の内周面には、メッキされた銅による導体層(図示せず)が形成されている。この導体層を介して、基板3の表面3aの導体パターン2と裏面3bの接続端子部13とが電気的に接続されている。   On the back surface 3b (see FIG. 3) of the substrate 3, a conductor pattern 2 (dummy pattern) covering almost the entire surface thereof, and a conductor pattern connected to an external circuit board (not shown) for mounting the module 1 2 is formed. A groove portion 14 having a substantially arc-shaped cross section is formed on the side surface 3 c of the substrate 3, and a conductor layer (not shown) made of plated copper is formed on the inner peripheral surface of the groove portion 14. Through this conductor layer, the conductor pattern 2 on the front surface 3a of the substrate 3 and the connection terminal portion 13 on the back surface 3b are electrically connected.

また、基板3の表面3a上および裏面3b上の適当な領域には、グリーンレジストと呼称され、それらを保護するための絶縁層(図示せず)が形成されている。この絶縁層は、外部に露出する必要のあるべき部分以外を覆うもので、たとえば、接続端子部13は、外部の回路基板(図示せず)との間で半田フィレットを介して接合されるため、絶縁層によって覆われていない。   In addition, in appropriate regions on the front surface 3a and the back surface 3b of the substrate 3, called a green resist, an insulating layer (not shown) for protecting them is formed. This insulating layer covers a portion other than the portion that should be exposed to the outside. For example, the connection terminal portion 13 is joined to an external circuit board (not shown) via a solder fillet. Not covered by an insulating layer.

発光素子4は、発光ダイオード等からなり、基板3の表面3aの一端側であって、金メッキが施された導体パターン2の所定領域2Aに実装されている。発光素子4は、その上面が金線Wによってワイヤボンディングされて所定の導体パターン2と接続されている。   The light emitting element 4 is formed of a light emitting diode or the like, and is mounted on a predetermined region 2A of the conductor pattern 2 on which one end of the surface 3a of the substrate 3 is plated. The top surface of the light emitting element 4 is connected to a predetermined conductor pattern 2 by wire bonding with a gold wire W.

受光素子5は、PINフォトダイオード等からなり、基板3の表面3aの他端側であって、導体パターン2の所定領域2Bに実装されている。受光素子5は、その上面が金線Wによってワイヤボンディングされて所定の導体パターン2と接続されている。   The light receiving element 5 is composed of a PIN photodiode or the like, and is mounted on a predetermined region 2B of the conductor pattern 2 on the other end side of the surface 3a of the substrate 3. The upper surface of the light receiving element 5 is connected to a predetermined conductor pattern 2 by wire bonding using a gold wire W.

また、集積回路素子6は、発光素子4および受光素子5による送受信動作を制御するものであり、基板3の表面3aの中央部に位置する、導体パターン2の所定領域2Cに実装されている。集積回路素子6は、その上面が金線Wによってワイヤボンディングされて所定の導体パターン2と接続されている。集積回路素子6は、詳細には図示していないが、金線Wおよび導体パターン2によって発光素子4および受光素子5と接続されている。なお、本実施形態における集積回路素子6では、素子内に組み込まれた電子回路の構成により、電磁波によるノイズを回避できるような対策が施されている。   The integrated circuit element 6 controls transmission / reception operations by the light emitting element 4 and the light receiving element 5, and is mounted on a predetermined region 2 </ b> C of the conductor pattern 2 located at the center of the surface 3 a of the substrate 3. The upper surface of the integrated circuit element 6 is wire-bonded with a gold wire W and connected to a predetermined conductor pattern 2. Although not shown in detail, the integrated circuit element 6 is connected to the light emitting element 4 and the light receiving element 5 by the gold wire W and the conductor pattern 2. In the integrated circuit element 6 in the present embodiment, measures are taken to avoid noise due to electromagnetic waves due to the configuration of the electronic circuit incorporated in the element.

図1に戻り、シールド体7は、集積回路素子6における光ノイズによる誤動作を防止するためのものであるが、このシールド体7については後述する。   Returning to FIG. 1, the shield body 7 is for preventing malfunction due to optical noise in the integrated circuit element 6, and the shield body 7 will be described later.

保護体8は、たとえばシリコーン樹脂等の透光性樹脂からなり、ゲル状にされたシリコーン樹脂が各素子4,5に対してそれぞれ塗布され、所定温度で加熱固化されることにより形成される。保護体8は、発光素子4の周囲にそれに接続された金線Wを覆うように形成される。また、保護体8は、受光素子5の上面を覆うように形成される。このようにして形成された保護体8は、ゴム性を有し、モールド体9のモールド樹脂による応力を緩和することができる。   The protector 8 is made of a translucent resin such as a silicone resin, for example, and is formed by applying a gelled silicone resin to each of the elements 4 and 5 and heating and solidifying at a predetermined temperature. The protector 8 is formed around the light emitting element 4 so as to cover the gold wire W connected thereto. The protector 8 is formed so as to cover the upper surface of the light receiving element 5. The protective body 8 formed in this way has rubber properties and can relieve stress due to the mold resin of the mold body 9.

モールド体9は、たとえば顔料を含んだエポキシ樹脂の熱硬化性樹脂からなり、集積回路素子6を覆うシールド体7および上記各素子4,5に対して形成された保護体8を一体的に封止するように形成されている。モールド体9の上面であって、発光素子4および受光素子5に対応する面9aには、発光用レンズ部11および受光用レンズ部12がそれぞれ形成されている。このモールド体9は、可視光に対しては透光性を有しないが、赤外光に対しては透光性を有する。   The mold body 9 is made of, for example, an epoxy resin thermosetting resin containing a pigment, and integrally seals the shield body 7 covering the integrated circuit element 6 and the protective body 8 formed for the elements 4 and 5. It is formed to stop. A light emitting lens portion 11 and a light receiving lens portion 12 are formed on a surface 9 a corresponding to the light emitting element 4 and the light receiving element 5 on the upper surface of the mold body 9. The mold body 9 has no translucency for visible light, but has translucency for infrared light.

ここで、本実施形態の特徴であるシールド体7について説明する。シールド体7は、光ノイズの影響を防止するために、基板3上に搭載された略直方体形状の集積回路素子6の周囲にそれを覆うように形成されている。具体的には、シールド体7は、集積回路素子6の周囲、すなわち集積回路素子6における基板3に対する当接面を除く、上面6aおよび4つの側面6bを全て覆うように形成されている。   Here, the shield body 7 which is a feature of the present embodiment will be described. The shield body 7 is formed so as to cover the periphery of the substantially rectangular parallelepiped integrated circuit element 6 mounted on the substrate 3 in order to prevent the influence of optical noise. Specifically, the shield body 7 is formed so as to cover all of the upper surface 6a and the four side surfaces 6b excluding the periphery of the integrated circuit element 6, that is, the contact surface of the integrated circuit element 6 with the substrate 3.

シールド体7は、遮光性樹脂が塗布され所定温度で加熱固化されることにより形成される。この遮光性樹脂は、たとえば熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を主成分として、赤外光の一部を遮断吸収するための酸化物と、可視光を遮断吸収するための染料と、紫外光の一部および赤外光の一部を遮断吸収するための黒色顔料であるカーボンブラックとが含有されたものである。酸化物としては、たとえば酸化チタンが用いられ、染料としては、一般に繊維等の着色に用いられる有機色素を含むアゾ染料等が用いられる。上記遮光性樹脂の具体的な重量比は、たとえばエポキシ樹脂が25〜35%重量比、酸化チタンが35〜40%重量比、染料が0.5%重量比、カーボンブラックが0.5〜1.5%重量比、硬化剤が25〜35%重量比、およびその他の材料が残りの重量比とされている。   The shield body 7 is formed by applying a light shielding resin and solidifying by heating at a predetermined temperature. This light-shielding resin comprises, for example, an epoxy resin as a thermosetting resin as a main component, an oxide for blocking and absorbing part of infrared light, a dye for blocking and absorbing visible light, and ultraviolet light. Carbon black which is a black pigment for blocking and absorbing part of infrared light and part of infrared light is contained. As the oxide, for example, titanium oxide is used, and as the dye, an azo dye containing an organic pigment generally used for coloring fibers or the like is used. Specific weight ratios of the light-shielding resin are, for example, 25 to 35% by weight for epoxy resin, 35 to 40% by weight for titanium oxide, 0.5% by weight for dye, and 0.5 to 1 for carbon black. 0.5% weight ratio, 25-35% weight ratio for curing agent, and remaining weight ratio for other materials.

このシールド体7によって、約100〜1200nmの波長の光を遮断吸収することが可能となる。たとえば、300〜780nm程度の波長の可視光は染料によって遮断吸収され、780〜1000nm程度の波長の赤外光は酸化チタンによって遮断吸収される。そして、100〜300nm程度の波長の紫外光、および1000〜1200nm程度の波長の赤外光はカーボンブラックによって遮断吸収される。すなわち、カーボンブラックは、その優れた吸熱性により紫外光の一部および赤外光の一部を遮断吸収する。   The shield body 7 can block and absorb light having a wavelength of about 100 to 1200 nm. For example, visible light having a wavelength of about 300 to 780 nm is blocked and absorbed by the dye, and infrared light having a wavelength of about 780 to 1000 nm is blocked and absorbed by titanium oxide. Then, ultraviolet light having a wavelength of about 100 to 300 nm and infrared light having a wavelength of about 1000 to 1200 nm are blocked and absorbed by carbon black. That is, carbon black blocks and absorbs part of ultraviolet light and part of infrared light due to its excellent endothermic property.

シールド体7は、その厚みが50μm以上300μm以下に設定されて形成されている。すなわち、シールド体7は、図1に示すように、略楕円球状に形成されるが、この場合、集積回路素子6の表面からシールド体7の表面までの距離が少なくとも75μmより小にならないようにされている。上記距離は、本願発明者の実験により光ノイズを遮断することが可能な厚みとして求められたものであり、このような構成により、シールド体7によって集積回路素子6に対する光ノイズの侵入を完全に遮断することに寄与することができる。   The shield body 7 is formed with a thickness of 50 μm or more and 300 μm or less. That is, as shown in FIG. 1, the shield body 7 is formed in a substantially elliptical spherical shape. In this case, the distance from the surface of the integrated circuit element 6 to the surface of the shield body 7 should not be smaller than at least 75 μm. Has been. The above-mentioned distance is obtained as a thickness capable of blocking the optical noise by the inventor's experiment. With such a configuration, the shield body 7 completely prevents the optical noise from entering the integrated circuit element 6. Can contribute to blocking.

上記のように、このシールド体7によれば、約100〜1200nmの波長の光を遮断吸収することができるので、その波長領域における光ノイズを効果的に遮断することができ、集積回路素子6には光ノイズが到達しなくなる。そのため、集積回路素子6は、光ノイズの影響を受けて誤動作したりせず安定して動作するため、発光素子4および受光素子5を良好に制御することができる。したがって、信頼性の高いモジュール1を提供することができる。   As described above, according to the shield body 7, light having a wavelength of about 100 to 1200 nm can be cut off and absorbed, so that optical noise in the wavelength region can be effectively cut off, and the integrated circuit element 6 Light noise will not reach. Therefore, since the integrated circuit element 6 operates stably without being erroneously affected by the influence of optical noise, the light emitting element 4 and the light receiving element 5 can be controlled well. Therefore, the module 1 with high reliability can be provided.

また、上記シールド体7が用いられることにより、従来の構成においてモジュール1に装着されていた、外来ノイズの影響を防止するためのシールドケース28(図14参照)が不要となる。そのため、本実施形態によれば、比較的高価であったシールドケース28が上記シールド体7によって省略できるので、部品コストを低減させることができる。また、製造工程において、上記シールドケース28をモジュール1に装着するための工程が省略できるので、製造時間の短縮化や作業コストの低減化を図ることができる。さらには、シールドケース28は、金属からなるため多少重量があったが、シールドケース28に代わり樹脂等からなるシールド体7を採用することにより、モジュール1の軽量化を図ることができ、製品の取り扱いが容易となる。   Further, since the shield body 7 is used, the shield case 28 (see FIG. 14) for preventing the influence of external noise, which is mounted on the module 1 in the conventional configuration, becomes unnecessary. For this reason, according to the present embodiment, the shield case 28 that is relatively expensive can be omitted by the shield body 7, so that the component cost can be reduced. Further, since the process for mounting the shield case 28 on the module 1 can be omitted in the manufacturing process, the manufacturing time can be shortened and the operation cost can be reduced. Furthermore, the shield case 28 is somewhat heavy because it is made of metal, but by adopting the shield body 7 made of resin or the like instead of the shield case 28, the module 1 can be reduced in weight, Handling becomes easy.

また、集積回路素子6は、シールド体7に覆われた上で、さらにモールド体9に覆われた恰好となっている。そのため、モールド体9が形成される際に、たとえばモールド体9が多少膨張、収縮するようなことがあっても、集積回路素子6とモールド体9との間にあるシールド体7が緩衝部材として機能する。したがって、シールド体7は、発光素子4および受光素子5に対して形成される保護体8と同様に、集積回路素子6を保護する機能を備えもち、保護体8の代用として充分にその機能を発揮することができる。   Further, the integrated circuit element 6 is covered with the shield body 7 and further covered with the mold body 9. Therefore, when the mold body 9 is formed, for example, even if the mold body 9 expands and contracts somewhat, the shield body 7 between the integrated circuit element 6 and the mold body 9 serves as a buffer member. Function. Therefore, the shield body 7 has a function of protecting the integrated circuit element 6 as well as the protection body 8 formed for the light emitting element 4 and the light receiving element 5, and sufficiently functions as a substitute for the protection body 8. It can be demonstrated.

なお、シールド体7を構成する材質やそれらの構成比等は、上記したような波長の光を遮断吸収できるものであれば、上記した材質や構成比等に限定されるものではない。また、上記シールド体7を形成する透光性樹脂には、少なくとも赤外光を遮断するための酸化物と、可視光を遮断するための染料とが含有されておればよい。これら酸化物および染料によって300〜1000μm程度の波長を遮断することができるので、この波長領域における光ノイズによる影響を回避することができる。   Note that the materials constituting the shield body 7 and the composition ratios thereof are not limited to the above-described materials and composition ratios as long as they can block and absorb light having the above wavelengths. Further, the translucent resin forming the shield body 7 may contain at least an oxide for blocking infrared light and a dye for blocking visible light. Since these oxides and dyes can block wavelengths of about 300 to 1000 μm, the influence of optical noise in this wavelength region can be avoided.

このような構成のモジュール1は、図4に示すように、外部の回路基板Cに実装されて用いられる。具体的には、モジュー1は、基板3の裏面3bが外部の回路基板Cの実装面に対して直交方向に沿うように、すなわち、発光素子4および受光素子5(図4には図示せず)の受発光の方向が外部の回路基板Cの実装面と平行になるように実装される。より詳細には、基板3の裏面3bの接続端子部13および溝部14と、外部の回路基板Cの実装面に形成された配線パターンPとの間に、半田フィレットFが形成されることにより、モジュール1は、外部の回路基板Cに半田付けされて接続される。   The module 1 having such a configuration is used by being mounted on an external circuit board C as shown in FIG. Specifically, the module 1 is arranged so that the back surface 3b of the substrate 3 is perpendicular to the mounting surface of the external circuit board C, that is, the light emitting element 4 and the light receiving element 5 (not shown in FIG. 4). ) Is mounted so that the direction of light emission and emission is parallel to the mounting surface of the external circuit board C. More specifically, the solder fillet F is formed between the connection terminal portion 13 and the groove portion 14 on the back surface 3b of the substrate 3 and the wiring pattern P formed on the mounting surface of the external circuit substrate C. The module 1 is connected to an external circuit board C by soldering.

そして、図示しない相手側機器の他のモジュールと対向して配されることにより、赤外線によるデータ通信が行われる。すなわち、発光素子4では、集積回路素子6から送られてくる電気信号を光信号に変換し、外部に対してその光信号としての赤外光を出射する。一方、受光素子5は、外部から受けた光信号としての赤外光を電気信号に変換し、それを集積回路素子6に対して与える。   In addition, data communication by infrared rays is performed by being arranged opposite to other modules of the counterpart device (not shown). That is, the light emitting element 4 converts an electrical signal sent from the integrated circuit element 6 into an optical signal, and emits infrared light as the optical signal to the outside. On the other hand, the light receiving element 5 converts infrared light as an optical signal received from the outside into an electric signal and supplies it to the integrated circuit element 6.

次に、上記モジュール1の製造方法について説明する。この製造方法では、図5に示すように、帯状に延びたシート状の集合基板18を用いる。この集合基板18は、多数個のモジュール1を配列できる大きさを有し、各モジュール1のそれぞれに対応して一定の大きさの領域19が縦横に区画されている。集合基板18の両サイドには、モジュール1の製作工程において、必要に応じて集合基板18を固定するための係合孔20が形成されている。また、集合基板18には、所定数の領域19ごとに、集合基板18の反れを防止するための縦方向に延びたスリット21が形成されている。   Next, a method for manufacturing the module 1 will be described. In this manufacturing method, as shown in FIG. 5, a sheet-like collective substrate 18 extending in a strip shape is used. The collective substrate 18 has a size that allows a large number of modules 1 to be arranged, and a region 19 having a certain size is partitioned vertically and horizontally corresponding to each module 1. Engagement holes 20 for fixing the collective substrate 18 are formed on both sides of the collective substrate 18 as needed in the manufacturing process of the module 1. In the collective substrate 18, a slit 21 extending in the vertical direction for preventing warpage of the collective substrate 18 is formed for each predetermined number of regions 19.

図6は、図5の領域19を拡大した図である。この図6に示すように、各領域19には、それごとに、集合基板18の表面および裏面に対して、公知のフォトリソグラフィー法により所定の導体パターン2が形成される。すなわち、表面に銅箔を施した集合基板18に対してレジスト材料を塗布し、所望のパターンが描かれたマスク(図示せず)を用いて露光・現像し、エッチングにより銅箔の不要部分を除去することにより、導体パターン2を形成する。その後、各領域19ごとに、集合基板18の表裏面を導通させるための最終的に溝部14となるスルーホール22を適宜数形成する。なお、スルーホール22は、導体パターン2を形成する前に形成されてもよい。   FIG. 6 is an enlarged view of the region 19 of FIG. As shown in FIG. 6, in each region 19, a predetermined conductor pattern 2 is formed on the front surface and the back surface of the collective substrate 18 by a known photolithography method. That is, a resist material is applied to the collective substrate 18 having a copper foil on the surface, exposed and developed using a mask (not shown) on which a desired pattern is drawn, and unnecessary portions of the copper foil are etched away. By removing, the conductor pattern 2 is formed. Thereafter, for each region 19, an appropriate number of through holes 22 that finally become the groove portions 14 for conducting the front and back surfaces of the collective substrate 18 are formed. The through hole 22 may be formed before the conductor pattern 2 is formed.

次に、集合基板18の表面および裏面に対して、絶縁層を形成し、外部に露出する必要のあるべき部分以外を覆う。この場合も、フォトリソグラフィー法を用い、たとえば、導体パターン2のうち、露出させるべき部分と対応した窓孔をもつマスク(図示せず)を用いて、予め集合基板18全面に形成した絶縁層に露光処理を行い続いて現像を行うことにより、絶縁層に開口を形成する。   Next, an insulating layer is formed on the front surface and the back surface of the collective substrate 18 to cover portions other than those that should be exposed to the outside. Also in this case, an insulating layer formed in advance on the entire surface of the collective substrate 18 by using a photolithography method, for example, using a mask (not shown) having a window hole corresponding to the exposed portion of the conductor pattern 2. An opening is formed in the insulating layer by performing exposure processing and then developing.

次いで、図7に示すように、集合基板18上の各領域19ごとに、導体パターン2の所定領域2A,2B,2Cに対して、発光素子4、受光素子5および集積回路素子6をそれぞれ実装し、各素子4,5,6に対してワイヤボンディングを施す。   Next, as shown in FIG. 7, the light emitting element 4, the light receiving element 5, and the integrated circuit element 6 are respectively mounted on the predetermined areas 2 </ b> A, 2 </ b> B, and 2 </ b> C of the conductor pattern 2 for each area 19 on the collective substrate 18. Then, wire bonding is applied to each element 4, 5, 6.

その後、図8に示すように、集積回路素子6に対して、それを覆うようにシールド体7を形成する。これには、予め作製されたシールド体7用の遮光性樹脂を用いる。すなわち、この遮光性樹脂は、たとえばエポキシ樹脂と、赤外光の一部を遮断吸収するための酸化チタンと、可視光を遮断吸収するための染料と、紫外光の一部および赤外光の一部を遮断吸収するためのカーボンブラックとを所定の重量比で混合させることにより作製される。   After that, as shown in FIG. 8, a shield body 7 is formed on the integrated circuit element 6 so as to cover it. For this, a light-shielding resin for the shield body 7 prepared in advance is used. That is, the light-shielding resin includes, for example, an epoxy resin, titanium oxide for blocking and absorbing part of infrared light, a dye for blocking and absorbing visible light, part of ultraviolet light and infrared light. It is produced by mixing carbon black for blocking and absorbing a part at a predetermined weight ratio.

そして、ゲル状の遮光性樹脂が放出可能なノズル(図示せず)を用いて、遮光性樹脂を集積回路素子6に対して供給する。この場合、集積回路素子6の上面6aおよび4つの側面6b、並びに集積回路素子6に接続された金線Wが遮光性樹脂によって覆われるように塗布する。その後、塗布された遮光性樹脂を所定温度で加熱することによって固化させ、その厚みが少なくとも75μm以上となるようにシールド体7を形成する。   Then, the light shielding resin is supplied to the integrated circuit element 6 by using a nozzle (not shown) capable of discharging the gel light shielding resin. In this case, the upper surface 6a and the four side surfaces 6b of the integrated circuit element 6 and the gold wire W connected to the integrated circuit element 6 are coated so as to be covered with a light shielding resin. Thereafter, the applied light shielding resin is solidified by heating at a predetermined temperature, and the shield body 7 is formed so that the thickness thereof is at least 75 μm or more.

次いで、発光素子4および受光素子5に対して、それを覆うように保護体8をそれぞれ形成する。これには、ゲル状のシリコーン樹脂が放出可能なノズル(図示せず)を用いて、シリコーン樹脂を各素子4,5にそれぞれ供給し、各素子4,5およびそれに接続された金線Wがシリコーン樹脂によって覆われるように塗布する。その後、塗布されたシリコーン樹脂を所定温度で加熱することによって固化させ、保護体8を形成する。   Next, a protector 8 is formed on the light emitting element 4 and the light receiving element 5 so as to cover them. For this, a nozzle (not shown) capable of discharging a gel-like silicone resin is used to supply silicone resin to each element 4, 5, and each element 4, 5 and the gold wire W connected thereto are Apply so that it is covered with silicone resin. Thereafter, the applied silicone resin is solidified by heating at a predetermined temperature, and the protective body 8 is formed.

なお、シリコーン樹脂を固化させるとき、シールド体7の遮光性樹脂の塗布後に、遮光性樹脂と同時に加熱して固化させるようにしてもよい。また、保護体8は、シールド体7に対して多少オーバラップして形成されてもよい。また、逆に、シールド体7は、発光素子4や受光素子5の上面を覆わない程度に、保護体8に対して多少オーバラップして形成されてもよい。   When the silicone resin is solidified, it may be solidified by heating simultaneously with the light-shielding resin after the light-shielding resin is applied to the shield body 7. Further, the protective body 8 may be formed so as to slightly overlap the shield body 7. Conversely, the shield body 7 may be formed so as to slightly overlap the protection body 8 so as not to cover the upper surface of the light emitting element 4 or the light receiving element 5.

次に、図9および図10に示すように、エポキシ樹脂によって各領域19ごとに、トランスファーモールド成形を用いてモールド体9を形成する。これには、集合基板18の上下方向から所定の金型24,25を挟み込むようにして装着する。そして、金型24,25によるキャビティ26内に流動状態のエポキシ樹脂を流入、固化することにより、集合基板18に形成されたシールド体7および各保護体8を一体的にモールドする。モールド体9の上面9aには、略半球形状の発光用レンズ部11および受光用レンズ部12がそれぞれ形成される。   Next, as shown in FIGS. 9 and 10, a mold body 9 is formed by transfer molding for each region 19 using an epoxy resin. For this, the predetermined molds 24 and 25 are mounted so as to be sandwiched from above and below the collective substrate 18. Then, by flowing and solidifying the fluidized epoxy resin into the cavity 26 by the molds 24 and 25, the shield body 7 and the respective protection bodies 8 formed on the collective substrate 18 are integrally molded. A substantially hemispherical light emitting lens portion 11 and a light receiving lens portion 12 are formed on the upper surface 9a of the mold body 9, respectively.

その後、集合基板18を縦横に切断し、単体のモジュール1を得る。具体的には、図11の斜線部Aに示す切除領域を、所定のブレード(図示せず)を用いて切除することにより、集合基板18を横方向に沿って切断し、横長の中間品を得る。次に、図11の斜線部Bに示す切除領域を切除することにより、横長の中間品を縦方向に切断する。上記のように、集合基板18を縦横に切断することにより、多数個のモジュール1が得られる。このように、この製造方法によれば、集合基板18を用いることにより、本実施形態のモジュール1を一度にかつ多量に製造することができるので、製造コストを低減することができる。   Thereafter, the collective substrate 18 is cut vertically and horizontally to obtain a single module 1. Specifically, the cut region shown in the hatched portion A of FIG. 11 is cut using a predetermined blade (not shown), so that the collective substrate 18 is cut along the horizontal direction, and a horizontally long intermediate product is obtained. obtain. Next, a horizontally long intermediate product is cut in the vertical direction by cutting the cut region indicated by the hatched portion B in FIG. As described above, a large number of modules 1 can be obtained by cutting the collective substrate 18 vertically and horizontally. Thus, according to this manufacturing method, by using the collective substrate 18, the module 1 of this embodiment can be manufactured in large quantities at a time, so that the manufacturing cost can be reduced.

上記のようにして製造されたモジュール1は、上述した外部の回路基板C等に実装され、携帯電話機やノート型パーソナルコンピュータ等に用いられる。   The module 1 manufactured as described above is mounted on the above-described external circuit board C or the like and used for a mobile phone, a notebook personal computer, or the like.

もちろん、この発明の範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の範囲内で種々の変更が可能である。   Of course, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the invention.

1 赤外線データ通信モジュール
2 導体パターン
3 基板
4 発光素子
5 受光素子
6 集積回路素子
7 シールド体
8 保護体
9 モールド体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Infrared data communication module 2 Conductor pattern 3 Substrate 4 Light emitting element 5 Light receiving element 6 Integrated circuit element 7 Shield body 8 Protective body 9 Mold body

Claims (6)

所定の導体パターンが形成された基板の表面に搭載された発光素子、受光素子および集積回路素子と、上記各素子を覆うようにモールド樹脂により一体的に形成されたモールド体とを備えた赤外線データ通信モジュールであって、
上記集積回路素子の周囲には、当該集積回路素子の上記基板に対する当接面を除く全表面と、当該集積回路素子の上面と上記導体パターンの所定箇所間を接続するワイヤのすべてを覆うシールド体が形成されており、
上記シールド体は、赤外光を遮断する酸化物を含有して上記集積回路素子への光ノイズの影響を防止するとともに、上記集積回路素子と上記モールド体との間にあって緩衝部材として機能することを特徴とする、赤外線データ通信モジュール。
Infrared data comprising a light emitting element, a light receiving element and an integrated circuit element mounted on the surface of a substrate on which a predetermined conductor pattern is formed, and a mold body integrally formed of a mold resin so as to cover each element. A communication module,
Around the integrated circuit device, the integrated and the total surface except the contact surface circuit with respect to the substrate of the device, the shield member which covers all the wires for connecting the predetermined portion of the upper surface and the conductor pattern of the integrated circuit device Is formed,
The shield body contains an oxide that blocks infrared light to prevent the influence of optical noise on the integrated circuit element, and functions as a buffer member between the integrated circuit element and the mold body. An infrared data communication module.
上記酸化物は、赤外光を遮断するとともに吸収する、請求項1に記載の赤外線データ通信モジュール。   The infrared data communication module according to claim 1, wherein the oxide blocks and absorbs infrared light. 上記酸化物は、酸化チタンを含む、請求項2に記載の赤外線データ通信モジュール。   The infrared data communication module according to claim 2, wherein the oxide includes titanium oxide. 上記シールド体における上記酸化チタンの重量比は、35〜40%である、請求項3に記載の赤外線データ通信モジュール。   The infrared data communication module according to claim 3, wherein a weight ratio of the titanium oxide in the shield body is 35 to 40%. 上記集積回路素子の表面から上記シールド体の表面までの距離は、少なくとも75μm以上である、請求項1ないし4のいずれかに記載の赤外線データ通信モジュール。 5. The infrared data communication module according to claim 1, wherein a distance from a surface of the integrated circuit element to a surface of the shield body is at least 75 μm or more. 上記シールド体は、可視光を遮断するための染料と、赤外光の一部および紫外光の一部を遮断するためのカーボンブラックをさらに含有する、請求項1ないしのいずれかに記載の赤外線データ通信モジュール。 The said shield body contains the dye for interrupting | blocking visible light, and the carbon black for interrupting | blocking a part of infrared light and a part of ultraviolet light in any one of Claim 1 thru | or 5 Infrared data communication module.
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US10943894B2 (en) * 2018-10-05 2021-03-09 Asahi Kasei Microdevices Corporation Optical device having lens block having recessed portion covering photoelectric conversion block

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57193075A (en) * 1981-05-22 1982-11-27 Nec Corp Resin-sealed type photoelectric conversion module
JPH04354386A (en) * 1991-05-31 1992-12-08 Nec Corp Photoelectric transfer device
JPH0936394A (en) * 1995-07-24 1997-02-07 Sony Corp Infrared photodetector
JPH09175066A (en) * 1995-12-25 1997-07-08 Asahi Chem Ind Co Ltd Plastic card
JP3637809B2 (en) * 1999-05-26 2005-04-13 松下電工株式会社 Infrared data communication module

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