JP5248092B2 - Synthetic silica glass manufacturing apparatus and synthetic silica glass manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は合成シリカガラスの製造装置に係わり、特に密閉された炉体を備えた密閉系の合成シリカガラスの製造装置及び合成シリカガラスの製造方法に関する。   The present invention relates to a synthetic silica glass production apparatus, and more particularly to a closed synthetic silica glass production apparatus and a synthetic silica glass production method including a closed furnace body.

現在、紫外線透過材料として250nm以下の波長の光透過性がよく、不純物含有量の極めて少ない合成シリカガラスが用いられている。
この合成シリカガラスは、一般的には紫外線(400nm以下)傾城の波長を吸収してしまう原因となりうる金属不純物の混入を避ける目的で、高純度のケイ素化合物、例えば四塩化ケイ素(SiCl4)などの気体を、酸水素炎中に導入し、火炎加水分解させてシリカ微粒子を直接回転する耐熱性ターゲット上に堆積・溶融ガラス化させ、透明なガラスとして製造される。
At present, synthetic silica glass having good light transmissivity at a wavelength of 250 nm or less and extremely low impurity content is used as an ultraviolet light transmitting material.
This synthetic silica glass is generally a high-purity silicon compound such as silicon tetrachloride (SiCl 4 ) for the purpose of avoiding the incorporation of metal impurities that can cause absorption of ultraviolet (400 nm or less) wavelengths. This gas is introduced into an oxyhydrogen flame, flame-hydrolyzed, and deposited on a heat-resistant target in which silica fine particles are directly rotated and melted into a glass to produce transparent glass.

合成シリカガラスを製造する製造装置は、大きく分けて、炉体の一部が大気に解放された開放系の製造装置と、炉体内を大気と遮断した密閉系の製造装置とがある。これらは、それぞれ用途によって使い分けられる。たとえば、シリカガラスにSiO2以外の成分をドープするような場合、反応により生成する有毒ガスが炉体外に流出しないように密閉系の製造装置を使用する。
また、大口径の光学部材用のシリカガラスを製造するにはインゴットも大口径化するが、この場合には炉体内の雰囲気を均一に保つことが容易な開放系の製造装置を使用する。
The production apparatus for producing synthetic silica glass is roughly classified into an open production apparatus in which a part of the furnace body is released to the atmosphere and a closed production apparatus in which the furnace body is shut off from the atmosphere. These are used properly depending on the application. For example, when silica glass is doped with a component other than SiO 2 , a closed production apparatus is used so that toxic gas generated by the reaction does not flow out of the furnace body.
In addition, in order to produce silica glass for a large-diameter optical member, the ingot is also made large-diameter. In this case, an open-type production apparatus that can easily maintain the atmosphere in the furnace body is used.

前記開放系の製造装置は、下部が大気に常時開放されている炉体と、この炉体内部に設置された耐火物と、この耐火物内部に設置されたインゴット形成用のバーナーと、ターゲットに堆積されなかったシリカ微粒子を排気する排気手段とからなっている。
この装置を用いて、火炎加水分解法によりターゲットを、鉛直軸を中心に回転させながらこの上にシリカ微粒子を堆積させ、堆積速度に合わせてバーナーからインゴット上部の合成面までの距離を一定に保つように引き下げながら合成シリカガラスの製造を行う。
The open-type manufacturing apparatus includes a furnace body whose lower part is always open to the atmosphere, a refractory installed inside the furnace body, an ingot-forming burner installed inside the refractory, and a target. It comprises exhaust means for exhausting silica particles that have not been deposited.
Using this apparatus, silica particles are deposited on this target while rotating the target around the vertical axis by the flame hydrolysis method, and the distance from the burner to the synthetic surface at the top of the ingot is kept constant according to the deposition rate. The synthetic silica glass is produced while pulling down.

前記密閉系の製造装置は、密閉された炉体内に設けられたバーナーが炉体の上部からターゲットにその先端部を向けて設置されており、排気手段は排気口、除害装置、排気ファンを排気ラインで連設して構成されている。
この装置を用いて、火炎加水分解法によりターゲットを、鉛直軸を中心に回転させながらこの上にシリカ微粒子を堆積させ、排気手段により排気しながら合成シリカガラスの製造を行う。
In the closed-system manufacturing apparatus, a burner provided in a closed furnace body is installed with its front end facing the target from the top of the furnace body, and the exhaust means includes an exhaust port, a detoxifying device, and an exhaust fan. Consecutively arranged in the exhaust line.
Using this apparatus, silica fine particles are deposited on the target while rotating the target around the vertical axis by the flame hydrolysis method, and synthetic silica glass is produced while exhausting by the exhaust means.

一方、ターゲット上に堆積せず浮遊するシリカ微粒子は、排気設備により炉体外に排出されるが、製造が繰り返されるにつれて炉体内壁面、炉体内構造物壁面、排気口部、バーナー等に堆積していく。炉体内や部材に堆積したシリカが剥離し、落下あるいは炉壁面に沿った気流に従い、インゴット溶融面に落下すると、インゴット内部に欠陥として残存するという問題点がある。   On the other hand, the silica fine particles that are not deposited on the target and are floating are discharged out of the furnace body by the exhaust equipment, but are deposited on the wall surface of the furnace body, the wall surface of the furnace structure, the exhaust port, the burner, etc. Go. There is a problem that when the silica deposited on the inside of the furnace or the member peels off and falls onto the ingot melting surface in accordance with the fall or the air flow along the furnace wall, it remains as a defect inside the ingot.

この問題を解決する方策として、開放系において、炉内壁面へのシリカの付着を防止するために、インゴットの溶融シリカ付着面より上方から炉内壁面に沿って下方に常温の不活性ガスを流すシリカガラス製造装置が提案され(特許文献1)、また、合成炉の内壁面に沿った火炎流を形成する方法が提案されている(特許文献2)。   As a measure to solve this problem, in an open system, in order to prevent silica from adhering to the inner wall of the furnace, a normal temperature inert gas is allowed to flow from the upper surface of the ingot to the lower surface along the inner wall of the furnace. A silica glass production apparatus has been proposed (Patent Document 1), and a method for forming a flame flow along the inner wall surface of a synthesis furnace has been proposed (Patent Document 2).

また、密閉系において、屈折率の均質性に最適な排気状態を安定して得るために、密閉された炉体内からの排気ガス量を変えることなく、排気ラインにガスを導入することで、見かけ上排気ガス量を増加させる合成シリカガラスの製造装置が提案されている(特許文献3)。   In addition, in a closed system, in order to stably obtain an optimal exhaust state for the homogeneity of the refractive index, it is apparent by introducing gas into the exhaust line without changing the amount of exhaust gas from the closed furnace body. An apparatus for producing synthetic silica glass that increases the amount of upper exhaust gas has been proposed (Patent Document 3).

しかし、特許文献1のものはインゴットの溶融シリカ付着面より上方から炉内壁面に常温の不活性ガスを流した場合には溶融シリカ付着面近傍の温度を低下させてシリカガラスの合成条件が変化してしまうという欠点があった。また、常温の不活性ガスを炉体内へ流出するためのバーナーの温度が低くなるため、バーナーの周辺にシリカ微粒子が溶融面へ付着する可能性があった。   However, in the case of Patent Document 1, when an inert gas at room temperature is flowed from above the fused silica adhering surface of the ingot to the wall surface of the furnace, the temperature near the fused silica adhering surface is lowered to change the synthesis conditions of the silica glass. There was a drawback that it would. In addition, since the temperature of the burner for allowing the inert gas at room temperature to flow into the furnace body is lowered, silica fine particles may adhere to the melt surface around the burner.

また、特許文献2のものは、合成炉の内壁面に沿った火炎流を形成する方法があるが、合成バーナーからの火炎と干渉する恐れがあり、このため、脈理等の欠陥が生じやすいという欠点があった。   Moreover, although the thing of patent document 2 has the method of forming the flame flow along the inner wall surface of a synthesis furnace, there exists a possibility of interfering with the flame from a synthesis burner, For this reason, defects, such as striae, are easy to arise. There was a drawback.

さらに、特許文献3のものは、吸気口が設けられておらず、また、吸気口の数、傾き、空気の吸気方向などが規制されていないため、浮遊するシリカ微粒子を確実に排出できず、シリカ微粒子がインゴット溶融面に付着して内部に欠陥が生じる問題があった。
特開平7−109134号公報 特開2000−26126号公報 特開平8−165130号公報
Furthermore, since the thing of patent document 3 is not provided with the inlet port, and since the number, inclination of the inlet port, the intake direction of air, etc. are not regulated, the floating silica fine particles cannot be discharged reliably, There was a problem that the silica fine particles adhered to the ingot melting surface to cause defects inside.
JP-A-7-109134 JP 2000-26126 A JP-A-8-165130

本発明は上述した事情を考慮してなされたもので、脈理がなく、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造装置を提供することを目的とする。
また、脈理が無く、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a synthetic silica glass production apparatus capable of producing synthetic silica glass having no striae and having no defects inside.
Moreover, it aims at providing the synthetic silica glass manufacturing method which can manufacture the synthetic silica glass without a striae and a defect inside.

上述した目的を達成するため、本発明に係る合成シリカガラス製造装置は、密閉された炉体と、前記炉体の上部に設けられた複数の吸気口と、前記炉体の下部に設けたられた排気口と、前記排気口に接続された排気設備と、前記炉体内部に回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲットと、前記ターゲットに先端が対向して設けられたシリカガラス合成用のバーナーとを備え、前記吸気口は前記インゴットの溶融シリカ付着面よりも常に低い位置に設けられ、吸気口から供給されるガスが前記インゴットに直接当たらないような方向かつ水平に対して下方に傾斜して設置された合成シリカガラス製造装置であって、前記吸気口から供給されたガスが、インゴット形成用のターゲットの回転方向と同方向に旋回する旋回下降流として形成されることを特徴としている。   In order to achieve the above-described object, a synthetic silica glass manufacturing apparatus according to the present invention is provided with a sealed furnace body, a plurality of air inlets provided at an upper part of the furnace body, and a lower part of the furnace body. An exhaust port connected to the exhaust port, a target for ingot formation that is rotatably installed inside the furnace body, and a silica glass composition provided with a tip facing the target. A burner, and the intake port is always provided at a position lower than the fused silica adhering surface of the ingot, and the gas supplied from the intake port is inclined downward in a direction and horizontally so that the gas does not directly hit the ingot The synthetic silica glass manufacturing apparatus installed as described above, wherein the gas supplied from the intake port is formed as a swirling downward flow that swirls in the same direction as the rotation direction of the target for forming the ingot It is characterized in that.

このように、本発明にかかる前記合成シリカガラス製造装置にあっては、炉内のガスの流れは、インゴットの回転方向に沿った旋回下降流となる。しかも、吸気口から導入される吸気ガスの流れをインゴット回転方向と同方向に導入することによって、排気ガスは吸気ガスとの合流で流れが加速され、炉内に上昇気流を発生させることなく、炉外に排出することができる。
前記排気ガス中には、インゴットとして堆積しなかった浮遊シリカ粒子なども含まれており、そのシリカ粒子がインゴット合成堆積面(溶融シリカ付着面)に付着するのを抑制でき、インゴット内部の欠陥(泡、インクルージョン)を抑制することができる。
Thus, in the synthetic silica glass manufacturing apparatus according to the present invention, the gas flow in the furnace is a swirling downward flow along the rotation direction of the ingot. Moreover, by introducing the flow of the intake gas introduced from the intake port in the same direction as the ingot rotation direction, the flow of the exhaust gas is accelerated by merging with the intake gas, and without generating an updraft in the furnace, It can be discharged out of the furnace.
The exhaust gas also includes floating silica particles that have not been deposited as ingots, and the silica particles can be prevented from adhering to the ingot synthetic deposition surface (fused silica adhesion surface), and defects inside the ingot ( (Foam, inclusion) can be suppressed.

ここで、前記炉体は、前記シリカガラス合成用のバーナーが頂部に設置された耐火物製のマッフルと、前記マッフルの下方に設けられた複数の吸気口を有する吸気炉部と、前記吸気炉部の下方に設けられた複数の排気口を有する排気炉部とを備えることが望ましい。   Here, the furnace body includes a refractory muffle having a silica glass synthesis burner installed at the top, an intake furnace portion having a plurality of intake ports provided below the muffle, and the intake furnace. It is desirable to provide an exhaust furnace part having a plurality of exhaust ports provided below the part.

また、前記マッフルの内径が、前記インゴットの外径をrとした場合に1.3r以上2.5r以下であって、マッフル内の高さが300mm以上800mm以下であり、前記吸気炉部の内径が、前記マッフルの内径をaとした場合に1.2a以上2.0a以下であって、吸気炉部内の高さが150mm以上600mm以下であり、前記排気炉部の内径が、前記吸気炉部の内径をbとした場合に1.2b以上3.0b以下であって、排気炉部内の高さが300mm以上2000mm以下であることが望ましい。
前記炉体が、このような寸法形状を有する場合には、脈理、欠陥のより抑制され、物性や品質がより均一な合成シリカガラスを得ることができる。
Further, the inner diameter of the muffle is 1.3r to 2.5r, where r is the outer diameter of the ingot, the height in the muffle is 300mm to 800mm, and the inner diameter of the intake furnace section However, when the inner diameter of the muffle is a, it is 1.2a or more and 2.0a or less, the height in the intake furnace section is 150mm or more and 600mm or less, and the inner diameter of the exhaust furnace section is the intake furnace section It is desirable that the inner diameter of the exhaust gas is 1.2b or more and 3.0b or less, and the height in the exhaust furnace section is 300mm or more and 2000mm or less.
When the furnace body has such a dimensional shape, it is possible to obtain synthetic silica glass that is more suppressed in striae and defects and has more uniform physical properties and quality.

更に、前記インゴット形成用のターゲットの下方には、下方向に延びる鍔部を有する風向変更板が設置されていることが望ましい。
この風向変更板を用いることによりインゴット昇降軸に沿った上昇気流を遮断し、インゴット内部の欠陥の発生を抑制することができる。
Furthermore, it is desirable that a wind direction changing plate having a flange portion extending downward is installed below the ingot forming target.
By using this wind direction changing plate, it is possible to block the upward air flow along the ingot lifting shaft and suppress the occurrence of defects inside the ingot.

また前記風向変更板の直径が、インゴットの直径に対して−10mm以上+10mm以下の範囲にあり、前記鍔部の下方の長さが50mm以上、100mm以下であることが望ましい。   The diameter of the wind direction changing plate is preferably in the range of −10 mm to +10 mm with respect to the diameter of the ingot, and the length below the flange is preferably 50 mm to 100 mm.

更にまた、前記排気設備は、前記排気炉部に設けられた炉内圧力と炉外圧力差を測定する差圧センサと、前記排気炉部に形成された排気口に接続された排気管と、前記排気管に接続された外気導入管と、外気導入管の開度を制御する回動弁とを備え、前記差圧センサの差圧が一定になるように、回動弁の開度を制御し、総排気量を変化させることなく、排気炉部からの排気量と外気導入管からの外気導入量の配分を可変するように構成したことが望ましい。   Furthermore, the exhaust equipment includes a differential pressure sensor that measures a pressure difference inside and outside the furnace provided in the exhaust furnace part, an exhaust pipe connected to an exhaust port formed in the exhaust furnace part, An outside air introduction pipe connected to the exhaust pipe and a turning valve for controlling the opening degree of the outside air introduction pipe, and the opening degree of the turning valve is controlled so that the differential pressure of the differential pressure sensor is constant. However, it is desirable that the distribution of the amount of exhaust from the exhaust furnace and the amount of outside air introduced from the outside air introduction pipe can be varied without changing the total amount of exhaust.

このように、総排気量が変化することなく、排気炉部からの排気量と外気導入管からの外気導入量の配分が可変するため、安定した排気を行なうことができ、炉内の雰囲気を安定させるができる。しかも、総排気量が変化しないため、排気管における石英ガラス粉の付着を抑制できる。また、炉内を安定した排気を行なうことができるため、インゴット内に気泡、異物の混入がより抑制され、屈折率がより均質な石英ガラスを得ることができる。   As described above, since the distribution of the exhaust amount from the exhaust furnace part and the outside air introduction amount from the outside air introduction pipe is variable without changing the total exhaust amount, stable exhaust can be performed, and the atmosphere in the furnace can be changed. Can stabilize. Moreover, since the total displacement does not change, it is possible to suppress the adhesion of quartz glass powder in the exhaust pipe. In addition, since stable evacuation can be performed in the furnace, it is possible to obtain a quartz glass with a more uniform refractive index, in which bubbles and foreign substances are further prevented from entering the ingot.

また、前記排気管には除害装置が接続され、更に前記除害装置に排気ファンが接続されていることが望ましい。   Further, it is desirable that a detoxifying device is connected to the exhaust pipe, and further an exhaust fan is connected to the detoxifying device.

更に、前記炉体を構成するマッフルの水平断面、前記マッフルの下方に設けられた複数の吸気口を有する吸気炉部の水平断面、前記吸気炉部の下方に設けられた複数の排気口を有する排気炉部の水平断面のいずれもが円形であることが望ましい。   Furthermore, it has a horizontal cross section of the muffle constituting the furnace body, a horizontal cross section of an intake furnace portion having a plurality of intake ports provided below the muffle, and a plurality of exhaust ports provided below the intake furnace portion. It is desirable that all horizontal sections of the exhaust furnace section are circular.

また上述した目的を達成するため、本発明に係る合成シリカガラス製造方法は、シリカガラス合成用バーナーを用いて炉体内に設けられたターゲットに溶融シリカを付着させる合成シリカガラス製造方法において、炉体上部に設けられた複数の吸気口からガスを吸気し、前記吸気したガスによって、インゴットに直接当たらないような方向及び水平に対して下方に傾斜し、更にターゲットの回転方向と同方向に旋回するガス流れを形成し、かつインゴットの溶融シリカ付着面より常に低い位置から吸気されるようにターゲット上面位置を調整すると共に、炉体下部近傍から排気しながら、ターゲットに溶融シリカを付着させることを特徴としている。   In order to achieve the above-mentioned object, the synthetic silica glass production method according to the present invention is a synthetic silica glass production method in which fused silica is adhered to a target provided in a furnace body using a silica glass synthesis burner. Gas is sucked in from a plurality of air inlets provided at the upper part, and is tilted downward with respect to the direction and the horizontal so as not to directly hit the ingot by the sucked gas, and further swivels in the same direction as the target rotation direction. The target top surface position is adjusted so that a gas flow is formed and air is always drawn from a position lower than the fused silica adhesion surface of the ingot, and fused silica is adhered to the target while exhausting from the vicinity of the lower part of the furnace body. It is said.

このように、本発明にかかる前記合成シリカガラス製造方法にあっては、炉内のガスの流れは、インゴットの回転方向に沿った旋回下降流を形成する。しかも、吸気口から導入される吸気ガスの流れをインゴット回転方向と同方向に導入することによって、排気ガスは吸気ガスとの合流で流れが加速され、炉内に上昇気流を発生させることなく、炉外に排出することができる。
前記排気ガス中には、インゴットとして堆積しなかった浮遊シリカ粒子なども含まれており、そのシリカ粒子がインゴット合成堆積面(溶融シリカ付着面)に付着するのを抑制でき、インゴット内部の欠陥(泡、インクルージョン)抑制することができる。
Thus, in the synthetic silica glass manufacturing method according to the present invention, the gas flow in the furnace forms a swirling downward flow along the rotation direction of the ingot. Moreover, by introducing the flow of the intake gas introduced from the intake port in the same direction as the ingot rotation direction, the flow of the exhaust gas is accelerated by merging with the intake gas, and without generating an updraft in the furnace, It can be discharged out of the furnace.
The exhaust gas also includes floating silica particles that have not been deposited as ingots, and the silica particles can be prevented from adhering to the ingot synthetic deposition surface (fused silica adhesion surface), and defects inside the ingot ( Bubbles, inclusions).

本発明に係わる合成シリカガラス製造装置によれば、脈理がなく、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造装置を提供することができる。また、本発明に係わる合成シリカガラス製造方法によれば、脈理がなく、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造方法を提供することができる。   According to the synthetic silica glass manufacturing apparatus concerning this invention, the synthetic silica glass manufacturing apparatus which can manufacture the synthetic silica glass which does not have a striae and does not have a defect inside can be provided. Moreover, according to the synthetic silica glass manufacturing method concerning this invention, there can be provided the synthetic silica glass manufacturing method which can manufacture the synthetic silica glass which does not have striae and does not have a defect inside.

以下、本発明の一実施形態に係わる合成シリカガラス製造装置について添付図面を参照して説明する。尚、図1は本発明の一実施形態に係わる合成シリカガラス製造装置の概略構成図、図2はその吸気口の配置状態を示す平面図、図3は風向変更板を示す斜視図である。   Hereinafter, a synthetic silica glass manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a synthetic silica glass manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing an arrangement state of intake ports thereof, and FIG. 3 is a perspective view showing a wind direction changing plate.

図1に示すように、本発明の一実施形態に係わる合成シリカガラス製造装置1は、密閉系の製造装置である。この製造装置1に設けられた炉体2は密閉されており、この炉体2は、耐火物製のマッフル3と、この炉体2の上部に設けられた、複数の吸気口4aを有する吸気炉部4と、前記炉体2の下部に設けられた、排気口5aを有する排気炉部5とから構成されている。
なお、ここでいう密閉系とは完全密閉状態及び設計上不可避的開放状態を含む実質的な密閉状態を含む。
As shown in FIG. 1, a synthetic silica glass production apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is a closed production apparatus. The furnace body 2 provided in the manufacturing apparatus 1 is hermetically sealed. The furnace body 2 is an air intake having a refractory muffle 3 and a plurality of air inlets 4 a provided on the top of the furnace body 2. The furnace part 4 and an exhaust furnace part 5 having an exhaust port 5 a provided at the lower part of the furnace body 2 are configured.
In addition, the sealed system here includes a substantially sealed state including a completely sealed state and an inevitable open state in terms of design.

また、前記炉体2を構成するマッフル3の水平断面、前記マッフル3の下方に設けられた複数の吸気口4aを有する吸気炉部4の水平断面、前記吸気炉部4の下方に設けられた複数の排気口5aを有する排気炉部5の水平断面のいずれもが円形に形成されている。   Further, the horizontal cross section of the muffle 3 constituting the furnace body 2, the horizontal cross section of the intake furnace section 4 having a plurality of intake ports 4 a provided below the muffle 3, and provided below the intake furnace section 4. All of the horizontal cross sections of the exhaust furnace portion 5 having a plurality of exhaust ports 5a are formed in a circular shape.

また、前記炉体2の内部には、回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲット6と、前記ターゲット6を回転及び昇降するインゴット昇降軸6aが設けられている。更に、前記マッフル3の頂部には、ターゲット6に先端が対向してシリカガラス合成用のバーナー7が設けられている。   Further, an ingot forming target 6 that is rotatably installed and an ingot lifting shaft 6 a that rotates and lifts the target 6 are provided inside the furnace body 2. Furthermore, a burner 7 for synthesizing silica glass is provided at the top of the muffle 3 with the tip facing the target 6.

前記吸気口4aは、図2に示すように、複数例えば4個等間隔(90°毎)で設けられ、ターゲット6上に形成されたインゴット8の溶融シリカ付着面8aよりも常に低い位置に設けられている。また、前記吸気口4aから供給されるガス例えば空気がインゴット8に直接当たらないような方向(図2において、インゴット8の径方向から45度ずれた方向)かつ水平に対して下方に傾斜して設置されている。
尚、この吸気口4aの傾斜は水平に対して5〜60°の角度(図1では、15度下方に傾斜しや状態を図示)をもって形成されているのが好ましい。また、前記排気口5aは炉体2及びインゴット昇降軸6aに対して軸対称に少なくとも2個設けられている。
As shown in FIG. 2, a plurality of, for example, four intake ports 4a are provided at regular intervals (every 90 °), and are always provided at a position lower than the fused silica adhering surface 8a of the ingot 8 formed on the target 6. It has been. In addition, the gas supplied from the intake port 4a, for example, air is inclined in a direction (45 ° away from the radial direction of the ingot 8 in FIG. 2) so as not to directly hit the ingot 8 and horizontally downward. is set up.
In addition, it is preferable that the inclination of the intake port 4a is formed at an angle of 5 to 60 ° with respect to the horizontal (in FIG. 1, it is inclined 15 degrees downward and its state is shown). Further, at least two exhaust ports 5a are provided symmetrically with respect to the furnace body 2 and the ingot elevating shaft 6a.

前記マッフル3の内壁の内径aは、前記インゴット8の外径をrとした場合に1.3r以上2.5r以下に形成されている。
前記マッフル内径が1.3r未満の場合には、マッフル3内部の過度の蓄熱によりインゴット8の形状維持が困難となる。その結果、インゴット8の形状が変化することによって合成位置(溶融シリカ付着面8a位置)が変化し、合成面(溶融シリカ付着面8a)の温度分布が変化し、また加水分解反応により生成されるシリカ微粒子の反応状態が変化し、合成シリカガラスの物性や品質にバラツキを生じさせるため、好ましくない。
また、マッフル3の内壁とインゴット8間の距離が小さくなるため、排気ガスがマッフル3の下方外部(吸気炉部4)に抜けにくくなり、マッフル3の内壁やバーナー7等に堆積するシリカガラス粉の量が増加し、これがインゴット8の合成面(溶融シリカ付着面8a)への飛来し欠陥等が生じるため、好ましくない。
An inner diameter a of the inner wall of the muffle 3 is formed to be 1.3r or more and 2.5r or less, where r is the outer diameter of the ingot 8.
When the inner diameter of the muffle is less than 1.3r, it is difficult to maintain the shape of the ingot 8 due to excessive heat storage inside the muffle 3. As a result, when the shape of the ingot 8 is changed, the synthesis position (the fused silica adhering surface 8a position) is changed, the temperature distribution of the synthetic surface (the fused silica adhering surface 8a) is changed, and is generated by a hydrolysis reaction. This is not preferable because the reaction state of the silica fine particles changes and the physical properties and quality of the synthetic silica glass vary.
Further, since the distance between the inner wall of the muffle 3 and the ingot 8 is reduced, the exhaust gas is difficult to escape to the lower outside (intake furnace section 4) of the muffle 3, and the silica glass powder deposited on the inner wall of the muffle 3, the burner 7, etc. This is not preferable because this increases the amount of slag, which causes flying defects on the synthetic surface (fused silica adhesion surface 8a) of the ingot 8 and the like.

一方、マッフル3の内壁の内径が2.5rを超える場合には、マッフル3内の高温維持が困難となり、熱量不足によりインゴット8の合成面(溶融シリカ付着面8a)にしわが発生し、脈理が発生するため好ましくない。
また、高温となるようにバーナー7からのガス量を増加させることが必要となり、製造コストが嵩み、好ましくない。更に、バーナー7からのガス量を増加させると、インゴットの合成面(溶融シリカ付着面8a)の温度分布が変化するため、品質にバラツキを生じ、好ましくない。
On the other hand, if the inner diameter of the inner wall of the muffle 3 exceeds 2.5r, it is difficult to maintain the high temperature in the muffle 3, and wrinkles occur on the synthetic surface (fused silica adhering surface 8a) of the ingot 8 due to insufficient heat quantity, causing striae. Is not preferable.
Moreover, it is necessary to increase the amount of gas from the burner 7 so that the temperature becomes high, which is not preferable because the manufacturing cost increases. Furthermore, if the amount of gas from the burner 7 is increased, the temperature distribution on the synthetic surface (fused silica adhering surface 8a) of the ingot changes, which causes variations in quality and is not preferable.

また、マッフル3の内の高さh1が300mm以上800mm以下に形成されている。
このマッフル3の高さh1が800mmを超える場合には、マッフル3内温度を高温維持するために必要なバーナー7からのガス量が多くなり,製造コストが嵩み好ましくない。
一方、マッフル3内の高さh1が300mm未満の場合には、マッフル3内部の温度が上昇しすぎるため、インゴット8の形状維持が困難になり、好ましくない。またマッフル3内のガスの排気が悪化し、マッフル3の内壁面にシリカガラス粉が付着し、これが落下することによりインゴット8の合成面(溶融シリカ付着面8a)への飛来し、欠陥等が生じるため好ましくない。
Further, the height h1 of the muffle 3 is formed to be 300 mm or more and 800 mm or less.
When the height h1 of the muffle 3 exceeds 800 mm, the amount of gas from the burner 7 necessary for maintaining the temperature inside the muffle 3 is increased, which is not preferable because the manufacturing cost increases.
On the other hand, when the height h1 in the muffle 3 is less than 300 mm, the temperature inside the muffle 3 rises too much, which makes it difficult to maintain the shape of the ingot 8, which is not preferable. Further, exhaust of gas in the muffle 3 deteriorates, silica glass powder adheres to the inner wall surface of the muffle 3, and when this falls, it flies to the synthetic surface of the ingot 8 (fused silica adhesion surface 8a), and there are defects, etc. Since it occurs, it is not preferable.

また、前記吸気炉部4内壁の内径bは、前記マッフル3の内壁の内径をaとした場合に1.2a以上2.0a以下に形成されている。
吸気炉部4の内壁の内径が1.2a未満の場合には、吸気炉部4内温度が上昇しすぎるため、インゴット8の外径維持が困難となり、インゴット8の形状が変化することによって、合成位置(溶融シリカ付着面8a)が変化し、合成面(溶融シリカ付着面8a)の温度分布が変化し、また加水分解反応により生成されるシリカ微粒子の反応状態が変化し、合成シリカガラスの物性や品質にバラツキを生じるため、好ましくない。また、吸気炉部4内温度が高い場合、内部圧力が上昇し吸気ガスを安定的に供給することが困難となるため、好ましくない。
Further, the inner diameter b of the inner wall of the intake furnace section 4 is formed to be 1.2a or more and 2.0a or less, where a is the inner diameter of the inner wall of the muffle 3.
When the inner diameter of the inner wall of the intake furnace section 4 is less than 1.2a, the temperature inside the intake furnace section 4 rises too much, so it becomes difficult to maintain the outer diameter of the ingot 8, and the shape of the ingot 8 changes, The synthetic position (fused silica adhering surface 8a) changes, the temperature distribution of the synthetic surface (fused silica adhering surface 8a) changes, and the reaction state of the silica fine particles produced by the hydrolysis reaction changes. This is not preferable because it causes variations in physical properties and quality. Moreover, when the temperature in the intake furnace section 4 is high, the internal pressure rises and it is difficult to stably supply intake gas, which is not preferable.

一方、吸気炉部4の内径が2.0aを超える場合には、流速の低下した大きな旋回流となるため、吸気炉部4の上面付近にシリカガラス粉が堆積しやすくなり、またにインゴット8の近傍の旋回流速が低下し排気効率が悪化し、部分的に上昇気流を生じさせ、これによりインゴット8の内部に欠陥を生じさせるため、好ましくない。   On the other hand, when the inner diameter of the intake furnace section 4 exceeds 2.0a, a large swirl flow with a reduced flow velocity is generated, so that silica glass powder is likely to be deposited near the upper surface of the intake furnace section 4, and the ingot 8 Since the swirling flow velocity in the vicinity of is reduced, the exhaust efficiency is deteriorated, and an upward air flow is partially generated, thereby causing a defect in the ingot 8, which is not preferable.

また、吸気炉部4内の高さh2が150mm以上600mm以下に形成されている。
吸気炉部4の高さ(長さ)h2が150mm未満の場合、吸気炉部4内で全周域に渡る旋回流を形成することができず、排気ガスの上昇流を発生させ、この上昇流によって、インゴット8の溶融シリカ付着面8aに浮遊シリカガラス粉などが付着し、インゴット8の内部に欠陥を生じさせるため、好ましくない。
Further, the height h2 in the intake furnace section 4 is formed to be 150 mm or more and 600 mm or less.
If the height (length) h2 of the intake furnace section 4 is less than 150 mm, a swirl flow over the entire circumference cannot be formed in the intake furnace section 4, and an upward flow of exhaust gas is generated, and this rise Since the floating silica glass powder or the like adheres to the fused silica adhering surface 8a of the ingot 8 due to the flow and causes defects inside the ingot 8, it is not preferable.

また、吸気炉部4の高さ(長さ)h2が600mmを越えると、吸気口4aと排気口5aの距離が遠く、圧損を受け、排気効率が低下するため、好ましくない。また旋回流は下方向に向かう程、流速が低下するため排気ガス中に含まれるシリカガラス粉が吸気炉部4の内壁面に付着するため、好ましくない。   In addition, if the height (length) h2 of the intake furnace section 4 exceeds 600 mm, the distance between the intake port 4a and the exhaust port 5a is long, and pressure loss occurs and exhaust efficiency decreases, which is not preferable. Further, the swirling flow is not preferable because the flow velocity decreases as it goes downward, and the silica glass powder contained in the exhaust gas adheres to the inner wall surface of the intake furnace section 4.

更に、前記排気炉部5の内壁の内径cは、前記吸気炉部4の内径をbとした場合に1.2b以上3.0b以下に形成されている。
前記吸気炉部5から旋回して降りてくる流れは排気炉部5の内壁に沿って下降し排気口5aより排気されるが、排気口5aに到達しなかった気流が一部存在し、この流れは排気炉部5内を循環する。この流れは、インゴット昇降軸6aに沿って上昇し、吸気炉部5下面で上部から降りてくる旋回流と衝突する流れとなる。このような流れの衝突を回避するには排気炉部5内を循環するガスを排気口5aから充分排気し、排気炉部5内の流速をある程度低下させることが必要である。そのため、排気炉部5の内径cは、吸気炉部4の内径をbとすると1.2b〜3.0bであることが必要である。
Further, the inner diameter c of the inner wall of the exhaust furnace section 5 is formed to be 1.2b or more and 3.0b or less, where b is the inner diameter of the intake furnace section 4.
The flow swirling and descending from the intake furnace section 5 descends along the inner wall of the exhaust furnace section 5 and is exhausted from the exhaust port 5a, but there is a part of the airflow that has not reached the exhaust port 5a. The flow circulates in the exhaust furnace section 5. This flow rises along the ingot elevating shaft 6a, and becomes a flow that collides with the swirling flow that descends from the upper portion of the lower surface of the intake furnace portion 5. In order to avoid such a flow collision, it is necessary to sufficiently exhaust the gas circulating in the exhaust furnace unit 5 from the exhaust port 5a and reduce the flow velocity in the exhaust furnace unit 5 to some extent. Therefore, the inner diameter c of the exhaust furnace section 5 needs to be 1.2b to 3.0b, where b is the inner diameter of the intake furnace section 4.

前記排気炉部5の内径cが、1.2b未満の場合には、排気炉部5内の排気ガス流速が速いため、排気口5から排気される効率が悪く、排気炉部5内を循環するガス成分(ガス流れ)が多くなる。
この場合、吸気炉部4から降りてくる旋回流と衝突する頻度が高くなり、この部分でガス流れが乱流となり、インゴット昇降軸6aに沿った上昇気流が生じる。これは、インゴット8の合成面(溶融シリカ付着面8a)まで影響し、インゴット8の内部の欠陥を生じさせる原因となるため、好ましくない。また、排気炉部5が非常に高温となり、部材の劣化が激しくなり、製造コストが嵩み、好ましくない。
また、排気炉部5内壁の内径cが3.0bを超える場合には、排気炉部5内の排気ガスの流速が遅いため、排気炉部5の内壁面へシリカガラス粉が堆積しやすく、排気効率が低下するため、好ましくない。
When the inner diameter c of the exhaust furnace part 5 is less than 1.2b, the exhaust gas flow rate in the exhaust furnace part 5 is fast, so the efficiency of exhaust from the exhaust port 5 is poor, and the exhaust furnace part 5 circulates in the exhaust furnace part 5. The gas component (gas flow) to be increased.
In this case, the frequency of collision with the swirling flow descending from the intake furnace unit 4 increases, and the gas flow becomes turbulent in this portion, and an ascending airflow along the ingot elevating shaft 6a is generated. This affects the synthetic surface (fused silica adhering surface 8a) of the ingot 8 and causes a defect inside the ingot 8, which is not preferable. Moreover, the exhaust furnace part 5 becomes very high temperature, deterioration of a member becomes severe, and manufacturing cost increases, which is not preferable.
Further, when the inner diameter c of the inner wall of the exhaust furnace section 5 exceeds 3.0b, the flow rate of the exhaust gas in the exhaust furnace section 5 is slow, so that silica glass powder is easily deposited on the inner wall surface of the exhaust furnace section 5, Since exhaust efficiency falls, it is not preferable.

排気炉部5内の高さh3が300mm以上2000mm以下であることが望ましい。
前記排気炉部5の高さh3が300mm未満であると、排気炉部5内の流速が速いため、排気炉部5内を循環するガス成分が多くなる。この場合、吸気炉部4から降りてくる旋回流と衝突する頻度が高くなり、この部分でガス流れが乱流となり、インゴット昇降軸6aに沿った上昇気流が生じる。これは、インゴット8合成面(溶融シリカ付着面8a)まで影響し、インゴット8の内部の欠陥を生じさせるため、好ましくない。
It is desirable that the height h3 in the exhaust furnace section 5 is 300 mm or more and 2000 mm or less.
When the height h3 of the exhaust furnace section 5 is less than 300 mm, the flow rate in the exhaust furnace section 5 is fast, and therefore the gas components circulating in the exhaust furnace section 5 increase. In this case, the frequency of collision with the swirling flow descending from the intake furnace unit 4 increases, and the gas flow becomes turbulent in this portion, and an ascending airflow along the ingot elevating shaft 6a is generated. This affects the synthetic surface of the ingot 8 (fused silica adhesion surface 8a) and causes defects inside the ingot 8, which is not preferable.

一方、排気炉部5の高さh3が2000mmを越えると、吸気口4aと排気口5aの距離が遠いため、圧損を受け排気効率が低下するため、好ましくない。また吸気炉部4内を旋回する気流の速度が遅くなるため、昇気流が発生し易くなり、インゴット8の内部の欠陥を生じさせる原因となるため、好ましくない。   On the other hand, if the height h3 of the exhaust furnace section 5 exceeds 2000 mm, the distance between the intake port 4a and the exhaust port 5a is long, and this is not preferable because the exhaust efficiency is reduced due to pressure loss. In addition, since the speed of the airflow swirling in the intake furnace section 4 is slow, an ascending airflow is likely to be generated, causing a defect in the ingot 8, which is not preferable.

更に、前記インゴット形成用のターゲット6の下方には、図1,3に示すように、下方向に延びる鍔部6cを有する風向変更板9が設置されている。
この風向変更板9は天井部9aを有する円筒状に形成され、前記天井部9aには、インゴット昇降軸6aが貫通する貫通孔9bが形成されている。また、この風向変更板9の外周壁(鍔部9c)は、前記インゴット昇降軸6aに沿って下方に延設されている。
Further, as shown in FIGS. 1 and 3, a wind direction changing plate 9 having a flange portion 6c extending in the downward direction is installed below the target 6 for forming the ingot.
The wind direction changing plate 9 is formed in a cylindrical shape having a ceiling portion 9a, and a through hole 9b through which the ingot elevating shaft 6a passes is formed in the ceiling portion 9a. Further, the outer peripheral wall (the flange portion 9c) of the wind direction changing plate 9 is extended downward along the ingot elevating shaft 6a.

前記吸気炉部4から旋回して降りてくる流れは排気炉部5の内壁に沿って下降し排気口5aより排気されるが、排気口5aに到達しなかった気流が一部存在し、この流れは排気炉部5の内部を循環する。   The flow swirling and descending from the intake furnace section 4 descends along the inner wall of the exhaust furnace section 5 and is exhausted from the exhaust port 5a, but there is a part of the airflow that has not reached the exhaust port 5a. The flow circulates inside the exhaust furnace section 5.

この流れは、図4に矢印で示すように、インゴット昇降軸6aに沿って上昇し、吸気炉部4の下面で上部から降りてくる旋回流と衝突する流れとなる。吸気炉部4から降りてくる旋回流と衝突する頻度が高くなると、この部分でガス流れが乱流となり、インゴット昇降軸6aに沿った上昇気流が生じる。これは、インゴット8の合成面(溶融シリカ付着面8a)まで影響し、インゴット8の内部の欠陥を生じさせる原因となる。   As shown by the arrows in FIG. 4, this flow rises along the ingot elevating shaft 6 a and collides with the swirl flow that descends from the upper surface on the lower surface of the intake furnace unit 4. When the frequency of collision with the swirling flow descending from the intake furnace portion 4 increases, the gas flow becomes turbulent in this portion, and an ascending air current along the ingot elevating shaft 6a is generated. This affects the synthetic surface of the ingot 8 (the fused silica adhesion surface 8a) and causes a defect inside the ingot 8.

これに対して、図5に示すように風向変更板9が設置されている場合には、前記風向変更板9の鍔部9cによって、インゴット昇降軸6aに沿った上昇気流は遮断されるため、前記したインゴット8の内部の欠陥の発生が抑制される。   On the other hand, when the wind direction changing plate 9 is installed as shown in FIG. 5, the updraft along the ingot lifting shaft 6a is blocked by the flange portion 9c of the wind direction changing plate 9, The occurrence of defects inside the ingot 8 is suppressed.

また、前記風向変更板9の直径がインゴット8の直径に対して−10mm以上+10mm以下であり、前記鍔部の下方の長さが50mm以上、100mm以下であることが望ましい。
この風向変更板9の直径は、所望のインゴット8の直径と同等にすることが望ましいが、インゴット8の直径に対し±10mm以内であれば、上記した効果は得られる。しかしながら、前記風向変更板9の直径がインゴット8の直径よりも10mmを超える場合には、吸気炉部4からの排気ガスが風向変更板9の上面(天井部外面)に衝突し、上昇流を発生させる。逆に、前記風向変更板9の直径がインゴット8の直径よりも10mmを下回る場合には、上昇流を十分に遮断することができない。
The diameter of the wind direction changing plate 9 is preferably −10 mm or more and +10 mm or less with respect to the diameter of the ingot 8, and the lower length of the flange is preferably 50 mm or more and 100 mm or less.
The diameter of the wind direction changing plate 9 is desirably equal to the diameter of the desired ingot 8, but the above-described effect can be obtained as long as it is within ± 10 mm with respect to the diameter of the ingot 8. However, when the diameter of the wind direction change plate 9 exceeds 10 mm than the diameter of the ingot 8, the exhaust gas from the intake furnace section 4 collides with the upper surface (outer surface of the ceiling portion) of the wind direction change plate 9, and the upward flow is generated. generate. On the contrary, when the diameter of the wind direction changing plate 9 is less than 10 mm than the diameter of the ingot 8, the upward flow cannot be sufficiently blocked.

また、前記鍔部の下方の長さが50mm以上であれば、風向変更板9の内部で上昇流を受け止め、その上昇流を風向変更板9の内部で十分に対流(下降流に変更)させることによって、流速を低下させ、吸気炉部4方向へ向かう上昇流を弱める効果が得られる。
一方、前記鍔部9cの下方の長さが50mm以下の場合、風向変更板9の内部での対流(下降流に変更)が不足し、流速低下が十分でなく、風向変更板9から上昇流が漏れ出し、吸気炉部4に向かう上昇流を形成することになる。
逆に、風向変更板9の鍔部9cの下方の長さが100mmを超える場合には、鍔部9cの外部で発生した上昇流を受け止めることができない範囲が大きくなり、結果として上昇流を抑制することができない。
If the length of the lower part of the flange is 50 mm or more, the upward flow is received inside the wind direction changing plate 9 and the upward flow is sufficiently convected (changed to the downward flow) inside the wind direction changing plate 9. As a result, the effect of reducing the flow velocity and weakening the upward flow toward the intake furnace section 4 is obtained.
On the other hand, when the length below the flange portion 9c is 50 mm or less, the convection (changed to the downflow) inside the wind direction change plate 9 is insufficient, the flow velocity is not sufficiently lowered, and the upflow from the wind direction change plate 9 Leaks out and forms an upward flow toward the intake furnace section 4.
On the contrary, when the length below the flange portion 9c of the wind direction changing plate 9 exceeds 100 mm, the range in which the upward flow generated outside the flange portion 9c cannot be received increases, and as a result, the upward flow is suppressed. Can not do it.

更に、この製造装置1には、図1に示すように、前記排気口5aに排気設備10が接続されている。
この排気設備10は、前記排気炉部5に形成された排気口5aに接続された排気管11と、前記排気管11に接続された外気導入管12と、外気導入管12の開度を制御する回動弁13と,前記排気炉部5に設けられた炉内圧力と炉外圧力差を測定する差圧センサ15と、前記排気管11に接続された除害装置17、排気ファン18とを備えている。
尚、排気ガス中のシリカガラス粉の付着によって差圧の測定が不能になるのを防止するため、差圧センサ14は排気口5aより下部に設置されている。図1にあっては、左側の排気管11に接続された除害装置17、排気ファン18を省略して図示している。
Further, as shown in FIG. 1, in the manufacturing apparatus 1, an exhaust facility 10 is connected to the exhaust port 5a.
The exhaust facility 10 controls an exhaust pipe 11 connected to an exhaust port 5 a formed in the exhaust furnace section 5, an outside air introduction pipe 12 connected to the exhaust pipe 11, and an opening degree of the outside air introduction pipe 12. A rotary valve 13, a differential pressure sensor 15 for measuring a pressure difference inside and outside the furnace provided in the exhaust furnace section 5, a detoxifying device 17 connected to the exhaust pipe 11, an exhaust fan 18, It has.
The differential pressure sensor 14 is installed below the exhaust port 5a in order to prevent the measurement of the differential pressure from becoming impossible due to the adhesion of silica glass powder in the exhaust gas. In FIG. 1, the abatement apparatus 17 and the exhaust fan 18 connected to the left exhaust pipe 11 are omitted.

前記回動弁(ダンパ)12は、前記差圧センサ14からの測定データに基づいて、制御装置15によってステッピングモータ14を制御することによって回動される。即ち、前記差圧センサ14からの測定データが、制御装置15にフィードバックされ、この制御装置10によりステッピングモータ14は制御(P.I.D制御)され、回動弁13の開度が調整されるように構成されている。   The rotating valve (damper) 12 is rotated by controlling the stepping motor 14 by the control device 15 based on the measurement data from the differential pressure sensor 14. That is, the measurement data from the differential pressure sensor 14 is fed back to the control device 15, and the control device 10 controls the stepping motor 14 (PID control) to adjust the opening degree of the rotary valve 13. It is comprised so that.

このように、回動弁13の開度が調整されることにより、外気導入管12から排気管11内に導入される外気量が調整され、排気炉部5からの排気量と外気導入管12からの外気導入量の総排気量を変化させることなく、排気炉部5からの排気量と外気導入管12からの外気導入量の配分を可変する制御がなされる。   Thus, by adjusting the opening degree of the rotary valve 13, the amount of outside air introduced into the exhaust pipe 11 from the outside air introduction pipe 12 is adjusted, and the amount of exhaust from the exhaust furnace section 5 and the outside air introduction pipe 12 are adjusted. Control is made to vary the distribution of the exhaust amount from the exhaust furnace section 5 and the outside air introduction amount from the outside air introduction pipe 12 without changing the total exhaust amount of the outside air introduction amount from the outside.

この排気設備10がこのように構成されているため、排気管11の排気量の制御は、排気部5に設けられた差圧センサ14の値を、排気管10に設けられた外気導入管11の開度を調節する回動弁12(制御装置15)にフィードバックし、回動弁12の開閉度によって、炉内外の差圧が一定になるように排気量の制御を行うことができる。   Since the exhaust equipment 10 is configured in this way, the exhaust amount of the exhaust pipe 11 is controlled by using the value of the differential pressure sensor 14 provided in the exhaust part 5 as the outside air introduction pipe 11 provided in the exhaust pipe 10. The amount of exhaust can be controlled so that the differential pressure inside and outside the furnace becomes constant depending on the degree of opening and closing of the rotary valve 12.

そのため、排気炉部5からの排気量が大きい場合には、外気導入管12の開度を小さくし、外気の導入量を小さくする。一方、排気部5からの排気量が小さい場合には、外気導入管12の開度を大きくし、外気の導入量を大きくする。しかも、排気部5からの排気量と外気導入管12からの外気導入量を合わせた総排気量は変化しないように制御する。
尚、総排気量はバーナー7より供給されるガス量で決定される炉体2からの排ガス量と、吸気口4aからの導入ガス量の総量と、排気口下流側の2次ガス流入口(外気導入管12)からのガス導入量を加えた量を総排気量とすることが必要である。
Therefore, when the amount of exhaust from the exhaust furnace 5 is large, the opening degree of the outside air introduction pipe 12 is reduced, and the amount of outside air introduced is reduced. On the other hand, when the amount of exhaust from the exhaust section 5 is small, the opening degree of the outside air introduction pipe 12 is increased, and the amount of outside air introduced is increased. In addition, the total exhaust amount, which is the sum of the exhaust amount from the exhaust unit 5 and the outside air introduction amount from the outside air introduction pipe 12, is controlled so as not to change.
The total exhaust amount is determined by the amount of gas supplied from the burner 7, the total amount of exhaust gas from the furnace body 2, the total amount of introduced gas from the intake port 4a, and the secondary gas inlet ( It is necessary to make the total exhaust amount the sum of the amount of gas introduced from the outside air introduction pipe 12).

その結果、排気炉部5から安定した排気を行うことができ、マッフル3内の雰囲気を安定させることができる。しかも、総排気量が変化しないため、排気管11におけるシリカガラス粉の付着を抑制できる。
更に、この合成石英ガラスの製造装置の排気管11の総排気量が変化しないため、一基の除害装置17、排気ファン18に多数の炉体2を連結させることが可能となり経済的である。
As a result, stable exhaust from the exhaust furnace unit 5 can be performed, and the atmosphere in the muffle 3 can be stabilized. In addition, since the total displacement is not changed, the silica glass powder can be prevented from adhering to the exhaust pipe 11.
Further, since the total exhaust amount of the exhaust pipe 11 of the synthetic quartz glass manufacturing apparatus does not change, it is economical because a large number of furnace bodies 2 can be connected to one abatement apparatus 17 and exhaust fan 18. .

そして、本発明の合成石英ガラスの製造装置を用いて製造することにより、合成石英ガラスインゴット8内に気泡、異物の混入が抑制され、屈折率が均質な合成石英ガラスを得ることができる。   Then, by using the synthetic quartz glass production apparatus of the present invention, it is possible to obtain a synthetic quartz glass having a uniform refractive index, in which bubbles and foreign substances are prevented from entering the synthetic quartz glass ingot 8.

次に本発明に係わる合成シリカガラス製造方法について説明する。
図1に示すように、高純度のケイ素化合物、例えば四塩化ケイ素(SiCl4)などの気体を約600℃のマッフル3内に開口するバーナー7を用いて酸水素炎中に導入し、火炎加水分解させてガラス微粒子を直接回転するターゲット6上に堆積・溶融ガラス化させ、堆積速度に合わせてバーナー7からインゴット8の溶融シリカ付着面8aまでの距離を一定に保つように引き下げながら合成シリカガラスの製造を行う。
Next, the synthetic silica glass production method according to the present invention will be described.
As shown in FIG. 1, a high purity silicon compound such as silicon tetrachloride (SiCl 4 ) is introduced into an oxyhydrogen flame using a burner 7 that opens into a muffle 3 at about 600 ° C. The synthetic silica glass is decomposed and deposited on the target 6 that directly rotates the glass fine particles and melted into glass, and the distance from the burner 7 to the fused silica adhering surface 8a of the ingot 8 is kept constant in accordance with the deposition speed. Manufacture.

一方、図2に示すように、吸気口4aは4個等間隔で設けられ、溶融シリカ付着面8aよりも常に低い位置に設けられ、逆に言えば、インゴット8の溶融シリカ付着面8aより常に低い位置に吸気ガスが導入されるようにターゲット6上面位置を調整し、かつ吸気口4aから供給される空気がインゴット8に直接当たらないような方向かつ水平に対して5〜60°の角度で下方に傾斜して導入している。   On the other hand, as shown in FIG. 2, the four intake ports 4a are provided at equal intervals, and are always provided at a position lower than the fused silica adhering surface 8a. In other words, the intake ports 4a are always arranged from the fused silica adhering surface 8a of the ingot 8. The upper surface position of the target 6 is adjusted so that the intake gas is introduced at a low position, and the air supplied from the intake port 4a does not directly hit the ingot 8 and at an angle of 5 to 60 ° with respect to the horizontal. It is tilted downward and introduced.

前記吸気口4aから供給された空気は、インゴット8の周囲に沿って上方から下方に旋回流となって流れ、排気口5aから炉体2外に排気される。しかも、前記吸気口5aから供給されたガスが、インゴット形成用のターゲット6の回転方向と同方向に旋回する旋回下降流として形成される。   The air supplied from the intake port 4a flows as a swirling flow from the upper side to the lower side along the periphery of the ingot 8, and is exhausted out of the furnace body 2 from the exhaust port 5a. Moreover, the gas supplied from the intake port 5a is formed as a swirling downward flow that swirls in the same direction as the rotation direction of the target 6 for forming the ingot.

前記吸気口4aは、4個等間隔で設けられているので、炉内雰囲気に偏りがなく、また、炉内空気は常に上方から下方に旋回流となって流れるので、浮遊するシリカは空気と共に速やかかつ確実に炉体2外に排気され、逆流して溶融シリカ付着面8aに付着することがなく、インゴット8の内部に欠陥として残存することがない。
更に、風向変更板9により、インゴット昇降軸6aに沿った上昇気流は遮断されるため、前記したインゴット8の内部の欠陥の発生をより抑制することができる。
Since the four intake ports 4a are provided at equal intervals, there is no bias in the furnace atmosphere, and the furnace air always flows as a swirling flow from the upper side to the lower side. It is quickly and reliably exhausted out of the furnace body 2 and does not flow backward and adhere to the fused silica adhering surface 8a and does not remain as a defect inside the ingot 8.
Furthermore, since the ascending airflow along the ingot elevating shaft 6a is blocked by the wind direction changing plate 9, the occurrence of defects inside the ingot 8 can be further suppressed.

更にまた、上記排気過程において吸気口4aからのガス導入量は、必要以上に増加させると炉内壁に沿った溶融面方向への気流を助長させるため、理論上、合成に必要なガス量の2〜10倍以下が好ましい。   Furthermore, if the amount of gas introduced from the inlet 4a in the exhaust process is increased more than necessary, the air flow in the direction of the melting surface along the inner wall of the furnace is promoted. -10 times or less is preferable.

さらに、吸気口4aは、インゴット8の溶融シリカ付着面8aよりも常に低い位置に設けられているので、溶融シリカ付着面8a近傍の温度を低下させることがなく、バーナー7の周囲にシリカガラス粉が付着せず、バーナー7を詰まらせることもなく、シリカガラス粉が溶融面へ付着することもない。
また、吸気口4aは,この吸気口4aから供給されるガスがインゴット8に直接当たらないような方向に向いて設置されているので、バーナー7からの火炎と干渉するおそれがなく、脈理等の欠陥が生じることもない。
Further, since the intake port 4a is always provided at a position lower than the fused silica adhering surface 8a of the ingot 8, the silica glass powder around the burner 7 does not decrease the temperature near the fused silica adhering surface 8a. Does not adhere, does not clog the burner 7, and the silica glass powder does not adhere to the molten surface.
In addition, since the intake port 4a is installed in such a direction that the gas supplied from the intake port 4a does not directly hit the ingot 8, there is no possibility of interfering with the flame from the burner 7, and striae, etc. There will be no defects.

さらに、吸気口4a3から供給されるガス温度は、30℃以下、好ましくは20℃以下でかつ、±5℃の範囲にするのが好ましい。これにより、高い直径制御が可能となる。   Furthermore, the temperature of the gas supplied from the intake port 4a3 is preferably 30 ° C. or lower, preferably 20 ° C. or lower, and within a range of ± 5 ° C. Thereby, high diameter control becomes possible.

また、外気導入管12から排気管11に常温空気を取り入れ排気ガス温度を低下させることで、排気設備10の保護を図り、また排気量を容易に一定になすことができる。   Further, by introducing normal temperature air from the outside air introduction pipe 12 into the exhaust pipe 11 and lowering the exhaust gas temperature, the exhaust equipment 10 can be protected and the exhaust amount can be easily made constant.

(実施例)
図1及び図2に示すような本発明に係る合成シリカガラス製造装置を用い、吸気口はこの吸気口と同高さ位置の合成炉中心軸とを結ぶ直線(直径)に対し45°(好ましい範囲は、30°〜50°)の角度でかつ、インゴット回転方向にガスを導入するように設け、さらに、吸気口とインゴット昇降軸に対し水平に対して下方に15°傾けた。排気口は吸気口よりも下方に設置し、インゴット昇降軸に対し対称となる位置で2ヶ所設けた(実施例)。
(Example)
The synthetic silica glass manufacturing apparatus according to the present invention as shown in FIGS. 1 and 2 is used, and the inlet is 45 ° (preferably) with respect to a straight line (diameter) connecting the inlet and the synthetic furnace central axis at the same height position. The range was 30 ° to 50 °) so as to introduce gas in the ingot rotation direction, and further, it was inclined 15 ° downward with respect to the horizontal with respect to the intake port and the ingot lifting shaft. The exhaust port was installed below the intake port and provided at two positions symmetrical to the ingot lifting axis (Example).

この実施例の装置を用い、吸気口からの導入ガス温度を20℃とし、炉体からの排ガス量と、4ヶ所の吸気口からの導入ガス量の総量と、排気口下流側の2次ガス流入口からのガス導入量を加えた量を総排気量とし、吸気口からの導入ガス量を合成炉内から排出される排ガス量の5倍の流量を導入して、また、排気管には外気導入管を設け、空気を排気管内に導入することで合成シリカインゴットを溶融した。
この結果、インゴット内部の欠陥は検出されなかった。
Using the apparatus of this embodiment, the temperature of the introduced gas from the intake port is 20 ° C., the amount of exhaust gas from the furnace body, the total amount of introduced gas from the four intake ports, and the secondary gas downstream of the exhaust port Add the amount of gas introduced from the inlet to the total exhaust amount, introduce the amount of introduced gas from the inlet to a flow rate five times the amount of exhaust gas discharged from the synthesis furnace, An external air introduction pipe was provided, and the synthetic silica ingot was melted by introducing air into the exhaust pipe.
As a result, no defects inside the ingot were detected.

(比較例)
図4に示すように炉体2に設けられた吸気口4aの方向をインゴット昇降軸6aに向けて設置し、他は実施例と同様にして合成シリカインゴットを溶融した。この結果インゴット内部に残存する欠陥が5点検出された。
(Comparative example)
As shown in FIG. 4, the direction of the intake port 4a provided in the furnace body 2 was set toward the ingot elevating shaft 6a, and the synthetic silica ingot was melted in the same manner as in the example. As a result, five defects remaining in the ingot were detected.

本発明の一実施形態に係る合成シリカガラス製造装置の概略構成図。The schematic block diagram of the synthetic silica glass manufacturing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る合成シリカガラス製造装置に設けられた吸気口の配置状態を示す平面図。The top view which shows the arrangement | positioning state of the inlet port provided in the synthetic silica glass manufacturing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示した風向変更板を示す斜視図。The perspective view which shows the wind direction change board shown in FIG. 風向変更板が設置されていない場合の炉内のガス流れを示す概略図。Schematic which shows the gas flow in a furnace when the wind direction change board is not installed. 風向変更板が設置された場合の炉内のガス流れを示す概略図。Schematic which shows the gas flow in a furnace when a wind direction change board is installed. 比較試験における比較例に用いられる吸気口の配置状態を示す平面図。The top view which shows the arrangement | positioning state of the inlet port used for the comparative example in a comparative test.

符号の説明Explanation of symbols

1 合成シリカガラス製造装置
2 炉体
3 マッフル
4 吸気炉部
4a 吸気口
5 排気炉部
5a 排気口
6 ターゲット
7 バーナー
8 インゴット
8a 溶融シリカ付着面
9 風向変更板
10 排気設備
11 排気管
12 外気導入管
13 回動弁
15 差圧センサ
16 制御装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Synthetic silica glass manufacturing apparatus 2 Furnace body 3 Muffle 4 Intake furnace part 4a Inlet part 5 Exhaust part 5a Exhaust part 6 Target 7 Burner 8 Ingot 8a Fused silica adhesion surface 9 Wind direction change board 10 Exhaust equipment 11 Exhaust pipe 12 Outside air introduction pipe 13 Rotating valve 15 Differential pressure sensor 16 Control device

Claims (9)

密閉された炉体と、前記炉体の上部に設けられた複数の吸気口と、前記炉体の下部に設けたられた排気口と、前記排気口に接続された排気設備と、前記炉体内部に回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲットと、前記ターゲットに先端が対向して設けられたシリカガラス合成用のバーナーとを備え、
前記吸気口は前記インゴットの溶融シリカ付着面よりも常に低い位置に設けられ、吸気口から供給されるガスが前記インゴットに直接当たらないような方向かつ水平に対して下方に傾斜して設置された合成シリカガラス製造装置であって、
前記吸気口から供給されたガスが、インゴット形成用のターゲットの回転方向と同方向に旋回する旋回下降流として形成されることを特徴とする合成シリカガラス製造装置。
A closed furnace body, a plurality of intake ports provided in an upper portion of the furnace body, an exhaust port provided in a lower portion of the furnace body, an exhaust facility connected to the exhaust port, and the furnace body A target for ingot formation that is rotatably installed inside, and a burner for synthesizing silica glass provided with a tip facing the target,
The intake port is always provided at a position lower than the fused silica adhering surface of the ingot, and is installed so that the gas supplied from the intake port does not directly hit the ingot and is inclined downward with respect to the horizontal. A synthetic silica glass manufacturing device,
The synthetic silica glass manufacturing apparatus, wherein the gas supplied from the intake port is formed as a swirling downward flow swirling in the same direction as the rotation direction of the target for forming the ingot.
前記炉体は、前記シリカガラス合成用のバーナーが頂部に設置された耐火物製のマッフルと、前記マッフルの下方に設けられた複数の吸気口を有する吸気炉部と、前記吸気炉部の下方に設けられた複数の排気口を有する排気炉部とを備えることを特徴とする請求項1記載の合成シリカガラス製造装置。   The furnace body includes a refractory muffle having a burner for synthesizing silica glass installed at the top, an intake furnace portion having a plurality of intake ports provided below the muffle, and a lower portion of the intake furnace portion. The synthetic silica glass manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising: an exhaust furnace section having a plurality of exhaust ports provided in the apparatus. 前記マッフルの内径が、前記インゴットの外径をrとした場合に1.3r以上2.5r以下であって、マッフル内の高さが300mm以上800mm以下であり、
前記吸気炉部の内径が、前記マッフルの内径をaとした場合に1.2a以上2.0a以下であって、吸気炉部内の高さが150mm以上600mm以下であり、
前記排気炉部の内径が、前記吸気炉部の内径をbとした場合に1.2b以上3.0b以下であって、排気炉部内の高さが300mm以上2000mm以下であることを特徴とする請求項2記載の合成シリカガラス製造装置。
The inner diameter of the muffle is 1.3r to 2.5r, where r is the outer diameter of the ingot, and the height in the muffle is 300mm to 800mm,
The inner diameter of the intake furnace section is 1.2a or more and 2.0a or less when the inner diameter of the muffle is a, and the height in the intake furnace section is 150mm or more and 600mm or less,
The inner diameter of the exhaust furnace part is 1.2b or more and 3.0b or less, where b is the inner diameter of the intake furnace part, and the height in the exhaust furnace part is 300mm or more and 2000mm or less. The synthetic silica glass manufacturing apparatus according to claim 2.
前記インゴット形成用のターゲットの下方には、下方向に延びる鍔部を有する風向変更板が設置されていることを特徴とする請求項1記載の合成シリカガラス製造装置。   2. The synthetic silica glass manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a wind direction changing plate having a flange extending downward is installed below the ingot-forming target. 前記風向変更板の直径が、インゴットの直径に対して−10mm以上+10mm以下の範囲にあり、前記鍔部の下方の長さが50mm以上、100mm以下であることを特徴とする請求項4記載の合成シリカガラス製造装置。   The diameter of the said wind direction change board exists in the range of -10 mm or more +10 mm or less with respect to the diameter of an ingot, The length below the said collar part is 50 mm or more and 100 mm or less, The said Claim 5 characterized by the above-mentioned. Synthetic silica glass production equipment. 前記排気設備は、前記排気炉部に設けられた炉内圧力と炉外圧力差を測定する差圧センサと、前記排気炉部に形成された排気口に接続された排気管と、前記排気管に接続された外気導入管と、外気導入管の開度を制御する回動弁とを備え、
前記差圧センサの差圧が一定になるように、回動弁の開度を制御し、総排気量を変化させることなく、排気炉部からの排気量と外気導入管からの外気導入量の配分を可変するように構成したことを特徴とする請求項2記載の合成石英ガラスの製造装置。
The exhaust equipment includes a differential pressure sensor for measuring a pressure difference inside and outside the furnace provided in the exhaust furnace part, an exhaust pipe connected to an exhaust port formed in the exhaust furnace part, and the exhaust pipe And an outside air introduction pipe connected to the rotary valve for controlling the opening degree of the outside air introduction pipe,
The opening of the rotary valve is controlled so that the differential pressure of the differential pressure sensor becomes constant, and the amount of exhaust from the exhaust furnace and the amount of outside air introduced from the outside air introduction pipe can be adjusted without changing the total displacement. 3. The apparatus for producing synthetic quartz glass according to claim 2, wherein the distribution is variable.
前記排気管には除害装置が接続され、更に前記除害装置に排気ファンが接続されていることを特徴とする請求項6記載の合成石英ガラスの製造装置。   The synthetic quartz glass manufacturing apparatus according to claim 6, wherein a detoxifying device is connected to the exhaust pipe, and an exhaust fan is connected to the detoxifying device. 前記炉体を構成するマッフルの水平断面、前記マッフルの下方に設けられた複数の吸気口を有する吸気炉部の水平断面、前記吸気炉部の下方に設けられた複数の排気口を有する排気炉部の水平断面のいずれもが円形であることを特徴とする請求項2記載の合成シリカガラス製造装置。   A horizontal cross section of a muffle constituting the furnace body, a horizontal cross section of an intake furnace portion having a plurality of intake ports provided below the muffle, and an exhaust furnace having a plurality of exhaust ports provided below the intake furnace portion 3. The synthetic silica glass manufacturing apparatus according to claim 2, wherein all of the horizontal cross sections of the portions are circular. シリカガラス合成用バーナーを用いて炉体内に設けられたターゲットに溶融シリカを付着させる合成シリカガラス製造方法において、
炉体上部に設けられた複数の吸気口からガスを吸気し、前記吸気したガスによって、インゴットに直接当たらないような方向及び水平に対して下方に傾斜し、更にターゲットの回転方向と同方向に旋回するガス流れを形成し、
かつインゴットの溶融シリカ付着面より常に低い位置から吸気されるようにターゲット上面位置を調整すると共に、炉体下部近傍から排気しながら、ターゲットに溶融シリカを付着させることを特徴とする合成シリカガラス製造方法。
In the synthetic silica glass manufacturing method in which fused silica is attached to a target provided in the furnace using a silica glass synthesis burner,
Gas is sucked from a plurality of air inlets provided in the upper part of the furnace body, and is inclined downward with respect to the direction and the horizontal so as not to directly hit the ingot by the sucked gas, and further in the same direction as the rotation direction of the target. Forming a swirling gas flow,
In addition, the surface of the target is adjusted so that air is always drawn from a position lower than the fused silica adhesion surface of the ingot, and the fused silica is adhered to the target while exhausting from the vicinity of the lower part of the furnace body. Method.
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