JP5246082B2 - Gas barrier sheet, gas barrier sheet manufacturing method, sealing body, and apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、ガスバリア性シート、このガスバリア性シートの製造方法、このガスバリア性シートを用いた封止体、及びこの封止体を用いた装置に関する。   The present invention relates to a gas barrier sheet, a method for producing the gas barrier sheet, a sealing body using the gas barrier sheet, and an apparatus using the sealing body.

有機EL(Organic Electro−Luminescence)素子等のディスプレイの封止構造についての検討は従来から行われている。例えば、フレキシブルディスプレイや電子デバイスの実現のためには、水蒸気に対して高いガスバリア性能を持ったガスバリア性シートの開発が求められている。また、高いガスバリア性能を実現しても、封止材料や基材からの脱ガス(主に水蒸気)もあり、このガスを吸収する機能を有するガスバリア性シートの開発も求められている。   Studies on the sealing structure of a display such as an organic EL (Organic Electro-Luminescence) element have been conventionally performed. For example, in order to realize a flexible display or an electronic device, development of a gas barrier sheet having high gas barrier performance against water vapor is required. Moreover, even if high gas barrier performance is realized, there is degassing (mainly water vapor) from the sealing material and the base material, and development of a gas barrier sheet having a function of absorbing this gas is also demanded.

特許文献1には、ポリアルキレンナフタレート樹脂基材フィルム上に少なくとも一層の無機ガスバリア層を有する水蒸気バリアフィルムにおいて、ポリアルキレンナフタレート樹脂のガラス転移点(Tg)を所定の範囲とし、所定の抵抗を有する導電性層を少なくとも一層有する水蒸気バリアフィルムが記載されている。そして、上記水蒸気バリアフィルムが少なくとも二層の無機ガスバリア層を有し、かつ無機ガスバリア層の間に少なくとも一層の2属金属一酸化物からなる吸湿性層を有する旨が記載されている。   Patent Document 1 discloses that a water vapor barrier film having at least one inorganic gas barrier layer on a polyalkylene naphthalate resin base film has a glass transition point (Tg) of the polyalkylene naphthalate resin within a predetermined range and a predetermined resistance. A water vapor barrier film is described which has at least one conductive layer having. And it is described that the said water vapor | steam barrier film has an at least 2 layer inorganic gas barrier layer, and has a hygroscopic layer which consists of at least one group 2 metal monoxide between inorganic gas barrier layers.

そして、無機ガスバリア層に含まれる成分は、特にSi、Al、Sn、Tiから選ばれる金属酸化物が好ましい、とのことである。また、吸湿性層は、2属金属一酸化物から構成される層を挙げることができ、コスト、高純度材料の入手性、実用性を考慮すると、Mg、Ca、Sr、Baが好適であり、吸湿能や安全性の観点からはCa、Srが好ましく、Srが最も好ましい、とのことである。   The component contained in the inorganic gas barrier layer is particularly preferably a metal oxide selected from Si, Al, Sn, and Ti. In addition, the hygroscopic layer can include a layer composed of a Group 2 metal monoxide, and Mg, Ca, Sr, and Ba are preferable in consideration of cost, availability of high-purity materials, and practicality. From the viewpoint of hygroscopicity and safety, Ca and Sr are preferable, and Sr is most preferable.

特開2006−239883号公報(請求項1,7、第0017段落、第0021段落、第0027段落、第0113段落、第0114段落、及び第0131段落)JP-A-2006-23983 (Claims 1, 7, paragraphs 0017, 0021, 0027, 0113, 0114, and 0131)

特許文献1においては、上述のとおり、無機ガスバリア層と吸湿性層とをそれぞれ別の層としている。ここで、吸湿性層は、封止材料や基材からの脱ガス(主に水蒸気)を吸収して膨張する。このため、吸湿性層は無機ガスバリア層から剥がれやすくなるという課題がある。   In Patent Document 1, as described above, the inorganic gas barrier layer and the hygroscopic layer are separate layers. Here, the hygroscopic layer expands by absorbing degassing (mainly water vapor) from the sealing material and the base material. For this reason, there exists a subject that a hygroscopic layer becomes easy to peel from an inorganic gas barrier layer.

特許文献1においては、無機ガスバリア層や吸湿性層の脆性を向上させるために、無機ガスバリア層や吸湿性層に隣接するように隣接有機層を設けることができる旨が記載されている。そして、実施例では、吸湿性層に隣接してアクリル系の紫外線硬化性樹脂で構成される隣接有機層が設けられている。   Patent Document 1 describes that an adjacent organic layer can be provided adjacent to an inorganic gas barrier layer or a hygroscopic layer in order to improve the brittleness of the inorganic gas barrier layer or the hygroscopic layer. In the embodiment, an adjacent organic layer made of an acrylic ultraviolet curable resin is provided adjacent to the hygroscopic layer.

しかしながら、無機ガスバリア層(以下、単にガスバリア膜という。)と吸湿性層(以下、単に吸湿膜という。)との間に、ガスバリア性や吸湿性への寄与の少ない隣接有機層を設けることは、その技術的な意義が低いとともに、製造工程上も工程数が増えることになり生産効率やコストの面からも不利となりやすい課題がある。   However, providing an adjacent organic layer having little contribution to gas barrier properties and hygroscopicity between an inorganic gas barrier layer (hereinafter simply referred to as a gas barrier film) and a hygroscopic layer (hereinafter simply referred to as a hygroscopic film) The technical significance is low, and the number of processes increases in the manufacturing process, and there is a problem that it tends to be disadvantageous in terms of production efficiency and cost.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その第1の目的は、ガスバリア膜と吸湿膜との分離がしにくく、生産効率やコスト面からも有利な構造のガスバリア性シートを提供することにある。   The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems. The first object of the present invention is to make it difficult to separate the gas barrier film and the hygroscopic film, and to have a gas barrier property that is advantageous in terms of production efficiency and cost. To provide a sheet.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その第2の目的は、上記のガスバリア性シートの製造方法を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above problems, and a second object of the present invention is to provide a method for producing the gas barrier sheet.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その第3の目的は、上記のガスバリア性シートを用いた封止体を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above problems, and a third object of the present invention is to provide a sealing body using the gas barrier sheet.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、上記の封止体を用いた装置を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides an apparatus using the above-described sealing body.

本発明者は、ガスバリア膜と吸湿膜との接着性を改善するために鋭意検討したところ、上記2層構造で設けるという発想を転換して、ガスバリア膜と吸湿膜との界面を存在させないようにこれら2つの膜を一体的に形成することにより、上記課題を解決できることを見出した。そして、こうしたガスバリア性シートを被封止物の封止に適用することにより、より高いガスバリア性を有する構造の封止体、装置が得られることを見出した。   The present inventor has diligently studied to improve the adhesion between the gas barrier film and the hygroscopic film. As a result, the idea of providing the gas barrier film and the hygroscopic film is changed so that the interface between the gas barrier film and the hygroscopic film does not exist. It has been found that the above-mentioned problems can be solved by integrally forming these two films. And it discovered that the sealing body and apparatus of a structure which have higher gas-barrier property were obtained by applying such a gas-barrier sheet | seat to sealing of a to-be-sealed thing.

上記課題を解決するための本発明のガスバリア性シートは、基材と、該基材の上に設けられたガスバリア吸湿膜とを有し、該ガスバリア吸湿膜が、前記基材側から順番に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域A、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域B、及びアルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cより形成されることを特徴とする。   The gas barrier sheet of the present invention for solving the above problems has a base material and a gas barrier hygroscopic film provided on the base material, the gas barrier hygroscopic film in order from the base material side, Region A where the atomic ratio of alkaline earth metal to silicon 1 is 0.1 or less, region B where the atomic ratio of alkaline earth metal to silicon 1 is greater than 0.1 and less than 10, and alkaline earth metal 1 It is formed from the area | region C from which the atomic ratio of silicon with respect to becomes 0.1 or less.

この発明によれば、ガスバリア性シートが、基材と、基材の上に設けられたガスバリア吸湿膜とを有し、ガスバリア吸湿膜が、基材側から順番に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域A、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域B、及びアルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cより形成されるので、ケイ素が含有されガスバリア性に主に寄与する領域Aと、アルカリ土類金属が含有され吸湿性に主に寄与する領域Cと、が領域Bにより界面を有することなく一体的に形成されることになり、その結果、ガスバリア吸湿膜が分離しにくくなり、生産効率やコスト面からも有利な構造のガスバリア性シートを提供することができる。   According to this invention, the gas barrier sheet has a base material and a gas barrier hygroscopic film provided on the base material, and the gas barrier hygroscopic film is an alkaline earth metal with respect to silicon 1 in order from the base material side. A region A in which the atomic ratio of A is 0.1 or less, a region B in which the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is greater than 0.1 and less than 10, and the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is Since region C is 0.1 or less, region A contains silicon and mainly contributes to gas barrier properties, and region C contains alkaline earth metal and mainly contributes to hygroscopicity. As a result, it is difficult to separate the gas barrier hygroscopic film, and a gas barrier sheet having a structure advantageous in terms of production efficiency and cost can be provided.

本発明のガスバリア性シートの好ましい態様においては、前記基材と前記ガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜を設ける。   In a preferred embodiment of the gas barrier sheet of the present invention, a planarizing film is provided between the base material and the gas barrier hygroscopic film.

この発明によれば、基材とガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜を設けるので、ガスバリア吸湿膜の平坦性が向上し、その結果、ガスバリア性シートのガスバリア性をより向上させやすくなる。   According to the present invention, since the planarization film is provided between the base material and the gas barrier hygroscopic film, the flatness of the gas barrier hygroscopic film is improved, and as a result, the gas barrier property of the gas barrier sheet is easily improved.

本発明のガスバリア性シートの好ましい態様においては、基板上に配置された被封止物の少なくとも上面及び側面を封止するために前記ガスバリア性シートが用いられる場合に、前記ガスバリア吸湿膜が前記被封止物の上面及び側面を被覆する大きさに形成されている。   In a preferred embodiment of the gas barrier sheet according to the present invention, when the gas barrier sheet is used to seal at least the upper surface and the side surface of an object to be sealed disposed on the substrate, the gas barrier moisture absorption film is the film to be covered. It is formed in a size that covers the upper and side surfaces of the sealed object.

この発明によれば、基板上に配置された被封止物の少なくとも上面及び側面を封止するためにガスバリア性シートが用いられる場合に、ガスバリア吸湿膜が被封止物の上面及び側面を被覆する大きさに形成されているので、ガスバリア吸湿膜の側面からの水蒸気の侵入が遮断されやすくなり、その結果、ガスバリア吸湿膜の利点を損なうことなく、より高いガスバリア性を有する構造のガスバリア性シートを提供することができる。   According to this invention, when the gas barrier sheet is used to seal at least the upper surface and the side surface of the object to be sealed disposed on the substrate, the gas barrier moisture absorption film covers the upper surface and the side surface of the object to be sealed. The gas barrier sheet has a structure having a higher gas barrier property without impairing the advantages of the gas barrier hygroscopic film as a result. Can be provided.

本発明のガスバリア性シートの好ましい態様においては、前記ガスバリア吸湿膜の上にガスバリア膜を設ける。   In a preferred embodiment of the gas barrier sheet of the present invention, a gas barrier film is provided on the gas barrier hygroscopic film.

この発明によれば、ガスバリア吸湿膜の上にガスバリア膜を設けるので、ガスバリア性を発揮する2つの膜の積層となり、その結果、より高いガスバリア性を有する構造のガスバリア性シートを提供することができる。   According to this invention, since the gas barrier film is provided on the gas barrier hygroscopic film, the two films exhibiting the gas barrier property are laminated, and as a result, a gas barrier sheet having a higher gas barrier property can be provided. .

上記課題を解決するための本発明のガスバリア性シートの製造方法は、基材上にガスバリア吸湿膜を有するガスバリア性シートの製造方法であって、前記ガスバリア吸湿膜を形成するガスバリア吸湿膜形成工程が、前記基材上に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域Aを成膜する第1成膜工程と、前記領域A上に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域Bを成膜する第2成膜工程と、前記領域B上に、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cを成膜する第3成膜工程と、を備えることを特徴とする。   The method for producing a gas barrier sheet of the present invention for solving the above-described problem is a method for producing a gas barrier sheet having a gas barrier hygroscopic film on a substrate, wherein the gas barrier hygroscopic film forming step for forming the gas barrier hygroscopic film comprises A first film forming step of forming a region A in which the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is 0.1 or less on the substrate; and an alkaline earth to silicon 1 on the region A A second film forming step of forming a region B in which the atomic ratio of the metal is greater than 0.1 and smaller than 10; and the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is 0.1 or less on the region B And a third film forming step for forming the region C to be formed.

この発明によれば、ガスバリア吸湿膜を形成するガスバリア吸湿膜形成工程が、基材上に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域Aを成膜する第1成膜工程と、領域A上に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域Bを成膜する第2成膜工程と、領域B上に、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cを成膜する第3成膜工程と、を備えるので、ケイ素を多く含有する領域A、ケイ素とアルカリ土類金属との両方をバランスよく含有する領域B、及びアルカリ土類金属を多く含有する領域Cから形成されるガスバリア吸湿膜を工業的に生産することが可能となり、その結果、ガスバリア吸湿膜が分離しにくくなり、生産効率やコスト面からも有利な構造のガスバリア性シートの製造方法を提供することができる。   According to the present invention, the gas barrier hygroscopic film forming step of forming the gas barrier hygroscopic film forms the region A on the substrate where the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is 0.1 or less. A film forming step, a second film forming step for forming a region B in which the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is larger than 0.1 and smaller than 10 on the region A; A third film forming step of forming a region C in which the atomic ratio of silicon to the metal 1 is 0.1 or less, so that both the region A containing a large amount of silicon, both silicon and alkaline earth metal It is possible to industrially produce a gas barrier hygroscopic film formed from a region B containing a good balance and a region C containing a large amount of alkaline earth metal. As a result, the gas barrier hygroscopic membrane is difficult to separate and produced. Efficiency and cost Method for producing a gas barrier sheet advantageous structure from the standpoint can be provided.

本発明のガスバリア性シートの製造方法の好ましい態様においては、前記第1成膜工程、前記第2成膜工程、及び前記第3成膜工程が、スパッタリング法で行われる。   In a preferred aspect of the method for producing a gas barrier sheet of the present invention, the first film forming step, the second film forming step, and the third film forming step are performed by a sputtering method.

この発明によれば、第1成膜工程、第2成膜工程、及び第3成膜工程が、スパッタリング法で行われるので、ガスバリア吸湿膜を工業的に一体的に成膜することが可能となり、その結果、ガスバリア吸湿膜をより良好に得やすくなる。   According to this invention, since the first film-forming process, the second film-forming process, and the third film-forming process are performed by the sputtering method, it becomes possible to form the gas barrier hygroscopic film integrally industrially. As a result, it becomes easier to obtain a gas barrier moisture absorption film better.

本発明のガスバリア性シートの製造方法の好ましい態様においては、前記基材と前記ガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜を設ける平坦化膜形成工程を有する。   In a preferred embodiment of the method for producing a gas barrier sheet of the present invention, the method includes a planarization film forming step of providing a planarization film between the base material and the gas barrier hygroscopic film.

この発明によれば、基材とガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜を設ける平坦化膜形成工程を有するので、ガスバリア吸湿膜の平坦性が向上し、その結果、ガスバリア性シートのガスバリア性をより向上させやすくなる。   According to the present invention, the flattening film forming step of providing a flattening film between the base material and the gas barrier hygroscopic film improves the flatness of the gas barrier hygroscopic film. As a result, the gas barrier property of the gas barrier sheet is improved. It becomes easier to improve.

上記課題を解決するための本発明の封止体は、基板と、該基板上に配置された被封止物と、該被封止物上に配置された本発明の好ましい態様のガスバリア性シートと、を有する封止体であって、前記ガスバリア性シートのガスバリア吸湿膜が、前記被封止物の上面及び側面を被覆していることを特徴とする。   The sealing body of the present invention for solving the above problems includes a substrate, an object to be sealed disposed on the substrate, and a gas barrier sheet according to a preferred embodiment of the present invention disposed on the object to be sealed. The gas barrier moisture-absorbing film of the gas barrier sheet covers the upper surface and the side surface of the object to be sealed.

この発明によれば、ガスバリア吸湿膜が被封止物の上面及び側面を被覆する大きさに形成されたガスバリア性シートや、ガスバリア吸湿膜の上にガスバリア膜を設けたガスバリア性シート等の本発明の好ましい態様のガスバリア性シートを用い、ガスバリア性シートのガスバリア吸湿膜又はガスバリア膜が、被封止物の上面及び側面を被覆しているので、ガスバリア吸湿膜が分離しにくくなるとともに、被封止物内へ水蒸気や酸素等のガスが侵入しにくくなり、その結果、より高いガスバリア性を有する構造の封止体を提供することができる。   According to the present invention, the present invention includes a gas barrier sheet in which the gas barrier hygroscopic film is formed to have a size covering the top and side surfaces of the object to be sealed, and a gas barrier sheet in which the gas barrier film is provided on the gas barrier hygroscopic film. Since the gas barrier moisture absorbing film or the gas barrier film of the gas barrier sheet covers the upper surface and side surfaces of the object to be sealed, the gas barrier moisture absorbing film is difficult to separate and sealed. Gases such as water vapor and oxygen are less likely to enter the object, and as a result, a sealed structure having a higher gas barrier property can be provided.

本発明の封止体の好ましい態様においては、前記ガスバリア性シートの基材と前記ガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜が設けられている。   In the preferable aspect of the sealing body of this invention, the planarization film | membrane is provided between the base material of the said gas barrier sheet | seat, and the said gas barrier moisture absorption film | membrane.

この発明によれば、ガスバリア性シートの基材とガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜が設けられているので、ガスバリア吸湿膜の平坦性が向上し、その結果、封止体のガスバリア性をより向上させやすくなる。   According to this invention, since the planarization film is provided between the base material of the gas barrier sheet and the gas barrier hygroscopic film, the flatness of the gas barrier hygroscopic film is improved. As a result, the gas barrier property of the sealing body is improved. It becomes easier to improve.

本発明の封止体の好ましい態様においては、前記被封止物が、有機ELディスプレイ素子、液晶ディスプレイ素子、又は太陽電池素子である。   In the preferable aspect of the sealing body of this invention, the said to-be-sealed thing is an organic EL display element, a liquid crystal display element, or a solar cell element.

この発明によれば、被封止物が、有機ELディスプレイ素子、液晶ディスプレイ素子、又は太陽電池素子であるので、高いガスバリア性を必要とする被封止物を採用することになり、その結果、本発明を適用する意義が大きくなる。   According to this invention, since the object to be sealed is an organic EL display element, a liquid crystal display element, or a solar cell element, the object to be sealed that requires a high gas barrier property is adopted. The significance of applying the present invention increases.

上記課題を解決するための本発明の装置は、本発明の封止体を有することを特徴とする。   An apparatus of the present invention for solving the above-described problems has the sealing body of the present invention.

この発明によれば、本発明の装置が本発明の封止体を有するので、被封止物内に侵入する水蒸気や酸素等のガスが侵入しにくくなり、その結果、より高いガスバリア性を有する構造の装置を提供することができる。   According to this invention, since the apparatus of the present invention has the sealing body of the present invention, it is difficult for gases such as water vapor and oxygen that enter the sealed object to enter, resulting in higher gas barrier properties. A structure device can be provided.

本発明のガスバリア性シートによれば、ガスバリア吸湿膜が分離しにくく、生産効率やコスト面からも有利な構造のガスバリア性シートを提供することができる。   According to the gas barrier sheet of the present invention, it is possible to provide a gas barrier sheet having a structure that is difficult to separate the gas barrier moisture-absorbing film and that is advantageous in terms of production efficiency and cost.

本発明のガスバリア性シートの製造方法によれば、ガスバリア吸湿膜が分離しにくく、生産効率やコスト面からも有利な構造のガスバリア性シートの製造方法を提供することができる。   According to the method for producing a gas barrier sheet of the present invention, it is possible to provide a method for producing a gas barrier sheet having a structure that is difficult to separate a gas barrier moisture-absorbing film and that is advantageous in terms of production efficiency and cost.

本発明の封止体によれば、より高いガスバリア性を有する構造の封止体を提供することができる。   According to the sealing body of the present invention, it is possible to provide a sealing body having a structure having higher gas barrier properties.

本発明の装置によれば、より高いガスバリア性を有する構造の装置を提供することができる。   According to the apparatus of the present invention, an apparatus having a structure having higher gas barrier properties can be provided.

本発明のガスバリア性シートの一例を示す模式的な断面図である。It is a typical sectional view showing an example of the gas barrier sheet of the present invention. ガスバリア吸湿膜の厚さ方向におけるケイ素とアルカリ土類金属との組成比の理想的な一例を示す模式的なグラフである。It is a typical graph which shows an ideal example of the composition ratio of silicon and alkaline-earth metal in the thickness direction of a gas barrier moisture absorption film. 本発明のガスバリア性シートの他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the gas barrier sheet | seat of this invention. 本発明のガスバリア性シートのさらに他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the gas barrier sheet | seat of this invention. 本発明のガスバリア性シートのさらに他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the gas barrier sheet | seat of this invention. ガスバリア吸湿膜の作製装置の一例を示す模式的な構成図である。It is a typical block diagram which shows an example of the production apparatus of a gas barrier hygroscopic film. 本発明の封止体の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows an example of the sealing body of this invention. 本発明の封止体の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the sealing body of this invention. 本発明の封止体の他の一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows another example of the sealing body of this invention.

次に、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。   Next, embodiments of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.

(ガスバリア性シート)
図1は本発明のガスバリア性シートの一例を示す模式的な断面図である。
(Gas barrier sheet)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the gas barrier sheet of the present invention.

ガスバリア性シート1Aは、基材2と、基材2の上に設けられたガスバリア吸湿膜3とを有し、ガスバリア吸湿膜3が、基材2側から順番に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域A、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域B、及びアルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cより形成される。これにより、ケイ素が含有されガスバリア性に主に寄与する領域Aと、アルカリ土類金属が含有され吸湿性に主に寄与する領域Cと、が領域Bにより界面を有することなく一体的に形成されることになり、その結果、ガスバリア吸湿膜3が分離しにくくなり、生産効率やコスト面からも有利な構造のガスバリア性シート1Aを提供することができる。   The gas barrier sheet 1A has a base material 2 and a gas barrier hygroscopic film 3 provided on the base material 2. The gas barrier hygroscopic film 3 is an alkaline earth metal with respect to silicon 1 in order from the base material 2 side. A region A in which the atomic ratio of A is 0.1 or less, a region B in which the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is greater than 0.1 and less than 10, and the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is It is formed from a region C that is 0.1 or less. Thereby, the region A containing silicon and mainly contributing to the gas barrier property and the region C containing alkaline earth metal and mainly contributing to the hygroscopic property are integrally formed by the region B without having an interface. As a result, the gas barrier hygroscopic film 3 is difficult to separate, and the gas barrier sheet 1A having a structure advantageous from the viewpoint of production efficiency and cost can be provided.

ガスバリア性シート1Aのガスバリア吸湿膜3においては、主にガスバリア性に寄与するのが、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下であり、ケイ素がリッチな領域Aであり、主に吸湿性に寄与するのが、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となり、アルカリ土類金属がリッチな領域Cである。そして、中間に位置し、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域Bは、主に領域Aと領域Cとが分離しないように接着領域としての機能を有する。具体的には、領域Cは、アルカリ土類金属又はその化合物の作用によって水分を吸収して相対的に大きく体積膨張をする一方で、領域Aは、ケイ素又はその化合物がガスバリア機能を有する一方でアルカリ土類金属又はその化合物の含有量が少ないので、相対的に体積変化がしにくくなる。このため、領域Aと領域Cとは層分離がしやすくなる傾向に向かうところ、中間に位置する領域Bが領域Cほどではないにせよアルカリ土類金属(例えば、アルカリ土類金属の酸化物)を含有するので、一定の体積膨張を起こして領域Cの体積膨張に追従しつつも、この体積膨張は領域Cよりも少ないので領域Aとの接着性も確保することができる。このように、ガスバリア吸湿膜3内の組成を制御することにより、ガスバリア性、吸湿性、及び接着性の確保(分離性の抑制)が可能となる。以下、ガスバリア性シート1Aの各構成要素について説明する。   In the gas barrier moisture-absorbing film 3 of the gas barrier sheet 1A, it is the region A where the atomic ratio of the alkaline earth metal to the silicon 1 is 0.1 or less and the silicon is rich, which mainly contributes to the gas barrier property. The region C rich in alkaline earth metal has a silicon atomic ratio to the alkaline earth metal 1 of 0.1 or less, which mainly contributes to hygroscopicity. The region B located in the middle and having an atomic ratio of alkaline earth metal to silicon 1 larger than 0.1 and smaller than 10 mainly functions as an adhesion region so that the region A and the region C are not separated. Have. Specifically, the region C absorbs moisture by the action of an alkaline earth metal or a compound thereof and relatively expands in volume while the region A has a gas barrier function while silicon or a compound thereof has a gas barrier function. Since the content of the alkaline earth metal or its compound is small, the volume change is relatively difficult. For this reason, the region A and the region C tend to be easily separated from each other. However, even though the region B located in the middle is not as large as the region C, an alkaline earth metal (for example, an alkaline earth metal oxide) is used. Thus, the volume expansion is smaller than that in the region C while causing a certain volume expansion to follow the volume expansion in the region C, so that the adhesion to the region A can be ensured. In this way, by controlling the composition in the gas barrier hygroscopic film 3, it is possible to ensure gas barrier properties, hygroscopic properties, and adhesiveness (suppression of separability). Hereinafter, each component of the gas barrier sheet 1A will be described.

基材2としては、各種の基材を用いることができ、主にはシート状やフィルム状、巻き取りロール状のものが用いられるが、具体的な用途や目的等に応じて、非フレキシブル基板やフレキシブル基板を用いることができる。例えば、ガラス基板、硬質樹脂基板、ウエハ、プリント基板、様々なカード、樹脂シート等の非フレキシブル基板を用いてもよいし、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PEI)、シクロポリオレフィン(CPO)、ポリアリレート(PAR)、ポリプロピレン(PP)、及びポリアミド(PA)等のフレキシブル基板を用いてもよい。基材2が樹脂製である場合、高分子基材であれば特に制限はない。これらのうち、例えば、ディスプレイ用途では透明である程度の耐熱性が必要とされるので、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーポネート(PC)、ポリエーテルスルホン(PES)、透明ポリイミド(PI)、シクロポリオレフィン(CPO)、及びポリアリレート(PAR)を用いることが好ましい。基材2が樹脂製である場合、用いる樹脂としては上記例示した樹脂を適宜混合して用いてもよい。また、基材2が樹脂製である場合、好ましくは100℃以上、特に好ましくは150℃以上の耐熱性を有するものが適当である。   Various base materials can be used as the base material 2, and mainly a sheet shape, a film shape, or a take-up roll shape is used. However, depending on a specific application or purpose, a non-flexible substrate is used. Alternatively, a flexible substrate can be used. For example, non-flexible substrates such as glass substrates, hard resin substrates, wafers, printed substrates, various cards, resin sheets, etc. may be used. For example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC ), Polyethersulfone (PES), polyimide (PI), polyetherimide (PEI), cyclopolyolefin (CPO), polyarylate (PAR), polypropylene (PP), and polyamide (PA). Also good. When the substrate 2 is made of resin, there is no particular limitation as long as it is a polymer substrate. Among these, for example, display applications are transparent and require a certain degree of heat resistance. Therefore, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyethersulfone (PES), transparent It is preferable to use polyimide (PI), cyclopolyolefin (CPO), and polyarylate (PAR). In the case where the substrate 2 is made of resin, the resin exemplified above may be appropriately mixed and used as the resin to be used. Moreover, when the base material 2 is resin, what has heat resistance of 100 degreeC or more preferably 150 degreeC or more is suitable suitably.

こうした樹脂製の基材2としては、具体的には、非晶質シクロポリオレフィン樹脂フィルム(例えば、日本ゼオン株式会社のゼオネックス(登録商標)やゼオノア(登録商標)、JSR株式会社のARTON等)、ポリカーボネートフィルム(例えば、帝人化成株式会社のピュアエース等)、ポリエチレンテレフタレートフィルム(例えば、東洋紡績株式会社製のA4100、帝人化成株式会社製のもの等)、ポリエチレンナフタレートフィルム(例えば、帝人デュポンフィルム株式会社のテオネックス(登録商標)等)の市販品を挙げることができる。   As such a resin base material 2, specifically, an amorphous cyclopolyolefin resin film (for example, ZEONEX (registered trademark) or ZEONOR (registered trademark) of Nippon Zeon Co., Ltd., ARTON of JSR Corporation, etc.), Polycarbonate film (for example, Teijin Kasei Co., Ltd. Pure Ace), polyethylene terephthalate film (for example, A4100 manufactured by Toyobo Co., Ltd., Teijin Chemicals Co., Ltd.), polyethylene naphthalate film (for example, Teijin DuPont Films Ltd. A commercial product of Teonex (registered trademark) of the company can be listed.

基材2の厚さは、可撓性及び形態保持性の観点から、通常10μm以上、好ましくは50μm以上、また、通常200μm以下、好ましくは150μm以下、より好ましくは100μm以下とする。   The thickness of the substrate 2 is usually 10 μm or more, preferably 50 μm or more, and usually 200 μm or less, preferably 150 μm or less, more preferably 100 μm or less, from the viewpoints of flexibility and shape retention.

基材2を含むガスバリア性シート1Aを、例えば、有機ELディスプレイ素子等のディスプレイ装置の発光面や映像面側に設ける場合には、基材2は透明であることが好ましい。基材2とともにガスバリア吸湿膜3等の他の膜を透明とすることにより、ガスバリア性シート1Aを透明とすることが可能となる。より具体的には、例えば400nm〜700nmの範囲内での基材2の平均光透過度が80%以上の透明性を有するように構成することが好ましい。こうした光透過度は基材2の材質と厚さに影響されるので両者を考慮して構成される。   For example, when the gas barrier sheet 1A including the base material 2 is provided on the light emitting surface or the image surface side of a display device such as an organic EL display element, the base material 2 is preferably transparent. By making other films such as the gas barrier hygroscopic film 3 transparent together with the substrate 2, the gas barrier sheet 1A can be made transparent. More specifically, for example, it is preferable that the substrate 2 has a transparency with an average light transmittance of 80% or more within a range of 400 nm to 700 nm. Since such light transmittance is influenced by the material and thickness of the base material 2, both are considered.

基材2の表面は、所定の平滑性を有することが好ましい。具体的には、基材2の表面の算術平均粗さ(Ra)は、通常0.3nm以上とする。この範囲とすれば、基材2に適度な表面粗さを付与することができ、基材2を巻き取りロールとした際に互いに接触する基材2同士の接触面に滑りが生じにくくなる。また、基材2の表面の算術平均粗さ(Ra)は、通常100nm以下、好ましくは50nm以下、より好ましくは30nm以下とする。この範囲とすれば、基材2の平滑性が向上し、有機ELディスプレイ等の表示素子を作製する際に発生することのある短絡を抑制できる利点が発揮されやすくなる。なお、算術平均粗さ(Ra)は、JIS B 0601−2001(ISO4287−1997準拠)に従って測定すればよい。また、基材2の表面が上記のような算術平均粗さ(Ra)を有する場合においても、ガスバリア性と吸湿性とを兼ね備え、一定の厚さを有するガスバリア吸湿膜3で基材2の表面を十分に被覆できるので、ガスバリア性シート1Aのガスバリア性を確保しやすくなる。   The surface of the substrate 2 preferably has a predetermined smoothness. Specifically, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the substrate 2 is usually set to 0.3 nm or more. If it is this range, moderate surface roughness can be provided to the base material 2, and when the base material 2 is used as a take-up roll, slippage hardly occurs on the contact surfaces of the base materials 2 that are in contact with each other. The arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the substrate 2 is usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less. If it is this range, the smoothness of the base material 2 will improve and it will become easy to exhibit the advantage which can suppress the short circuit which may generate | occur | produce when producing display elements, such as an organic EL display. The arithmetic average roughness (Ra) may be measured according to JIS B 0601-2001 (based on ISO 4287-1997). Moreover, even when the surface of the base material 2 has the arithmetic mean roughness (Ra) as described above, the surface of the base material 2 is composed of the gas barrier hygroscopic film 3 having both a gas barrier property and a hygroscopic property and having a certain thickness. Can be sufficiently covered, it becomes easy to ensure the gas barrier property of the gas barrier sheet 1A.

基材2は、熱に対して変形しにくいことが好ましい。ガスバリア性シート1Aが有機ELディスプレイ素子に適用される場合には、ヒートサイクル試験のような加熱・冷却のストレスに対してもガスバリア性シート1Aが変形しないことが求められるからである。具体的には、基材2の線膨張係数は、通常5ppm/℃以上、また、通常80ppm/℃以下、好ましくは50ppm/℃以下とする。線膨張係数の測定は、従来公知の方法を用いて行えばよく、例えばTMA法(熱機械分析法)を挙げることができる。TMA法に用いる測定装置としては、例えば、示差膨張方式熱機械分析装置であるリガク 製 CN8098F1を用いることができる。   It is preferable that the base material 2 is not easily deformed by heat. This is because when the gas barrier sheet 1A is applied to an organic EL display element, the gas barrier sheet 1A is required not to be deformed even by heating / cooling stress such as a heat cycle test. Specifically, the linear expansion coefficient of the base material 2 is usually 5 ppm / ° C. or more, usually 80 ppm / ° C. or less, preferably 50 ppm / ° C. or less. The linear expansion coefficient may be measured using a conventionally known method, for example, a TMA method (thermomechanical analysis method). As a measuring apparatus used for the TMA method, for example, Rigaku CN8098F1 which is a differential expansion type thermomechanical analyzer can be used.

基材2として樹脂製のものを用いる場合には、その製造方法も従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。また、樹脂製の基材2を用いる場合には、延伸フィルムを用いてもよい。延伸の方法も従来公知の一般的な方法を用いればよい。延伸倍率は、基材2の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ2〜10倍とすることが好ましい。   When a resin-made material is used as the substrate 2, the production method thereof can also be produced by a conventionally known general method. Moreover, when using resin-made base material 2, you may use a stretched film. The stretching method may be a conventionally known general method. Although a draw ratio can be suitably selected according to resin used as the raw material of the base material 2, it is preferable to set it as 2-10 times in a vertical axis direction and a horizontal axis direction, respectively.

基材2の表面は、コロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、加熱処理、薬品処理、易接着処理等の表面処理を行ってもよい。こうした表面処理の具体的な方法は従来公知のものを適宜用いることができる。   The surface of the substrate 2 may be subjected to surface treatment such as corona treatment, flame treatment, plasma treatment, glow discharge treatment, roughening treatment, heat treatment, chemical treatment, and easy adhesion treatment. As a specific method of such surface treatment, a conventionally known method can be appropriately used.

ガスバリア吸湿膜3は、基材2側から順番に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域A、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域B、及びアルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cより形成される。   In the gas barrier hygroscopic film 3, the atomic ratio of the alkaline earth metal to the silicon 1 is 0.1 or less, and the atomic ratio of the alkaline earth metal to the silicon 1 is 0.1. A region B that is larger and smaller than 10 and a region C in which the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is 0.1 or less are formed.

ガスバリア吸湿膜3の領域Aは、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる。ガスバリア性を最大限に確保するという見地からは、領域Aは、アルカリ土類金属を含有しないこと、すなわち原子数比でケイ素1に対してアルカリ土類金属は0となることが好ましい。もっとも、製造に用いる装置、製造条件、分析の条件、精度その他の要因により一定量のアルカリ土類金属が含有される場合があり、この場合には、原子数比でケイ素1に対してアルカリ土類金属が0.1以下となるように組成を制御すれば、ガスバリア性を確保することができる。   In the region A of the gas barrier hygroscopic film 3, the atomic number ratio of the alkaline earth metal to the silicon 1 is 0.1 or less. From the standpoint of ensuring the maximum gas barrier properties, it is preferable that the region A does not contain an alkaline earth metal, that is, the alkaline earth metal is zero with respect to silicon 1 in terms of the atomic ratio. However, a certain amount of alkaline earth metal may be contained depending on the equipment used for production, production conditions, analysis conditions, accuracy, and other factors. If the composition is controlled so that the metal species is 0.1 or less, gas barrier properties can be ensured.

ガスバリア吸湿膜3の領域Aに含有されるケイ素は、通常、ケイ素を含むガスバリア性を発揮できる材料を用いる。こうした材料としては特に制限はないが、例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つを含有することが好ましい。これにより、領域Aのガスバリア性をより高くしやすくなる。なお、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素の組成は、それぞれ化学量論比である必要はない。あくまでケイ素を酸化、窒化、酸窒化したものであり、その組成は化学量論比からずれていてもよい。例えば、有機ELディスプレイ素子においては、水蒸気透過率で10−6g/m/day程度のガスバリア性が求められる場合があるが、領域Aの材料に、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸窒化ケイ素のいずれを用いることにより、上記高度なガスバリア性を得やすくなる。 As the silicon contained in the region A of the gas barrier hygroscopic film 3, a material that can exhibit gas barrier properties including silicon is usually used. Although there is no restriction | limiting in particular as such material, For example, it is preferable to contain at least 1 chosen from silicon nitride, silicon oxide, and silicon oxynitride. Thereby, it becomes easy to make the gas barrier property of the area | region A higher. Note that the compositions of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride do not have to be in stoichiometric ratios. The silicon is only oxidized, nitrided, and oxynitrided, and its composition may deviate from the stoichiometric ratio. For example, in an organic EL display element, a gas barrier property of about 10 −6 g / m 2 / day may be required in terms of water vapor transmission rate, but silicon nitride, silicon oxide, and silicon oxynitride may be used as the material for region A. By using any of these, it becomes easy to obtain the above-mentioned high gas barrier properties.

ガスバリア吸湿膜3の領域Aに用いる、窒化ケイ素はSiNで表される組成であり、aは通常0.7以上、1.4以下とする。また、酸化ケイ素はSiOで表される組成であり、bは通常1.5以上、1.8以下とする。さらに、酸窒化ケイ素はSiNで表される組成であり、cは通常0.7以上、1.2以下、dは通常0.1以上、0.5以下とする。 Silicon nitride used in the region A of the gas barrier moisture absorption film 3 has a composition represented by SiN a , and a is usually 0.7 or more and 1.4 or less. Silicon oxide has a composition represented by SiO b , and b is usually 1.5 or more and 1.8 or less. Further, silicon oxynitride has a composition represented by SiN c O d , where c is usually 0.7 or more and 1.2 or less, and d is usually 0.1 or more and 0.5 or less.

ガスバリア吸湿膜3の領域Aに含有されることのあるアルカリ土類金属は、特に制限はないが、通常、アルカリ土類金属又はアルカリ土類金属の酸化物を用いる。アルカリ土類金属としては、好ましくは、Mg、Ca、Sr、及びBaを挙げることができるが、より好ましくはMg、Ca又はSrであり、さらに好ましくはCa又はSrである。また、アルカリ土類金属の酸化物として好ましくは、Mg酸化物、Ca酸化物、Sr酸化物、及びBa酸化物を挙げることができるが、より好ましくはMg酸化物、Ca酸化物又はSr酸化物であり、さらに好ましくはCa酸化物又はSr酸化物である。Ca、Sr、及びこれら元素の酸化物は、一度水分を吸収すると加熱しても当該水分が外に出てきにくく、水分の保持力が高いので、ガスバリア性フィルム1Aに用いるのに適している。この傾向は、Ca酸化物、Sr酸化物を用いた場合により顕著となる。これは、おそらく、Ca酸化物及びSr酸化物が水と吸着して水酸化物に変化するためではないかと推測される。   The alkaline earth metal that may be contained in the region A of the gas barrier moisture absorption film 3 is not particularly limited, but an alkaline earth metal or an alkaline earth metal oxide is usually used. Preferred examples of the alkaline earth metal include Mg, Ca, Sr, and Ba, more preferably Mg, Ca, or Sr, and further preferably Ca or Sr. Further, preferred examples of the alkaline earth metal oxide include Mg oxide, Ca oxide, Sr oxide, and Ba oxide, and more preferred are Mg oxide, Ca oxide, and Sr oxide. More preferably, it is Ca oxide or Sr oxide. Ca, Sr, and oxides of these elements are suitable for use in the gas barrier film 1A because once the moisture is absorbed, the moisture does not easily come out even when heated, and has a high moisture retention. This tendency becomes more prominent when Ca oxide and Sr oxide are used. It is presumed that this is probably because Ca oxide and Sr oxide are adsorbed with water and changed to hydroxide.

ガスバリア吸湿膜3の領域Aには、上記例示した材料の他、不純物や添加剤を含有してもよい。例えば、成膜中に基材2を樹脂製とした場合における基材成分、又はその他の有機物である炭素が領域Aに含まれていてもよい。   The region A of the gas barrier moisture absorption film 3 may contain impurities and additives in addition to the materials exemplified above. For example, the region A may contain carbon which is a base material component or other organic substance when the base material 2 is made of resin during film formation.

ガスバリア吸湿膜3の領域Aでは、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比は0.1以下となる。換言すると、ケイ素100原子%(at%)に対して、アルカリ土類金属の含有量は10原子%以下となる。この範囲とすれば、ガスバリア性を確保しやすくなる。   In the region A of the gas barrier moisture absorption film 3, the atomic ratio of the alkaline earth metal to the silicon 1 is 0.1 or less. In other words, the alkaline earth metal content is 10 atomic% or less with respect to 100 atomic% (at%) of silicon. If it is this range, it will become easy to ensure gas-barrier property.

ガスバリア吸湿膜3の領域Bは、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さくなる。領域Bは、アルカリ土類金属又はアルカリ土類金属の酸化物と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸窒化ケイ素と、の混合領域となる。こうした混合領域とすることにより、水分を吸着して体積膨張を起こす領域Cと領域Aとの分離・剥がれを抑制しやすくなる。   In the region B of the gas barrier moisture absorption film 3, the atomic ratio of the alkaline earth metal to the silicon 1 is greater than 0.1 and less than 10. The region B is a mixed region of an alkaline earth metal or an alkaline earth metal oxide and silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. By setting it as such a mixing area | region, it becomes easy to suppress isolation | separation and peeling of the area | region C and the area | region A which adsorb | suck a water | moisture content and cause volume expansion.

ガスバリア吸湿膜3の領域Bに含有されるケイ素は、通常、ケイ素を含むガスバリア性を発揮できる材料を用いる。こうした材料としては、領域Aで説明したものと同様のものを用いればよい。また、領域Bに含有されるアルカリ土類金属は、特に制限はないが、通常、アルカリ土類金属又はアルカリ土類金属の酸化物を用いる。こうした材料としては、領域Aで説明したものと同様のものを用いればよい。また、領域Aと同様に、領域Bには、上記例示した材料の他、不純物や添加剤を含有してもよい。   As the silicon contained in the region B of the gas barrier hygroscopic film 3, a material that can exhibit gas barrier properties including silicon is usually used. As such a material, the same material as described in the region A may be used. The alkaline earth metal contained in the region B is not particularly limited, but usually an alkaline earth metal or an alkaline earth metal oxide is used. As such a material, the same material as described in the region A may be used. Similarly to the region A, the region B may contain impurities and additives in addition to the materials exemplified above.

ガスバリア吸湿膜3の領域Bでは、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比は、0.1より大きく10より小さくなる。換言すると、ケイ素100原子%(at%)に対して、アルカリ土類金属の含有量を、10原子%より大きく1000原子%よりも小さくする。これを、アルカリ土類金属を基準とすると、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比は、10より小さく0.1より大きくなる。同様に、アルカリ土類金属を基準とすると、アルカリ土類金属100原子%に対して、ケイ素の含有量を、1000原子%より小さく10原子%大きくする。上記範囲とすれば、領域Aと領域Cとの分離・剥がれをより良好に抑制しやすくなる。   In the region B of the gas barrier moisture-absorbing film 3, the atomic number ratio of the alkaline earth metal to the silicon 1 is greater than 0.1 and less than 10. In other words, the content of the alkaline earth metal is made larger than 10 atomic% and smaller than 1000 atomic% with respect to 100 atomic% (at%) of silicon. When this is based on alkaline earth metal, the atomic ratio of silicon to alkaline earth metal 1 is smaller than 10 and larger than 0.1. Similarly, when the alkaline earth metal is used as a reference, the silicon content is smaller than 1000 atomic% and larger than 10 atomic% with respect to 100 atomic% of the alkaline earth metal. If it is the said range, it will become easy to suppress the separation and peeling of the area | region A and the area | region C more favorably.

ガスバリア吸湿膜3の領域Cは、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下とする。吸湿性を最大限に確保するという見地からは、領域Cは、ケイ素を含有しないこと、すなわち原子数比でアルカリ土類金属1に対してケイ素は0となることが好ましい。もっとも、製造に用いる装置、製造条件、分析の条件、精度その他の要因により一定量のケイ素が含有される場合があり、この場合には、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となるように組成を制御すれば、吸湿性を確保することができる。   In the region C of the gas barrier hygroscopic film 3, the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is 0.1 or less. From the standpoint of ensuring the maximum hygroscopicity, it is preferable that the region C does not contain silicon, that is, silicon is 0 with respect to the alkaline earth metal 1 in terms of the atomic ratio. However, a certain amount of silicon may be contained depending on equipment used for production, production conditions, analysis conditions, accuracy, and other factors. In this case, the atomic ratio of silicon to alkaline earth metal 1 is 0. If the composition is controlled to be 1 or less, hygroscopicity can be ensured.

ガスバリア吸湿膜3の領域Cに含有されることのあるケイ素は、通常、ケイ素を含むガスバリア性を発揮できる材料を用いる。こうした材料としては、領域Aで説明したものと同様のものを用いればよい。また、領域Cに含有されるアルカリ土類金属は、特に制限はないが、通常、アルカリ土類金属又はアルカリ土類金属の酸化物を用いる。こうした材料としては、領域Aで説明したものと同様のものを用いればよい。また、領域Aと同様に、領域Cには、上記例示した材料の他、不純物や添加剤を含有してもよい。   As the silicon that may be contained in the region C of the gas barrier moisture-absorbing film 3, a material that can exhibit gas barrier properties including silicon is usually used. As such a material, the same material as described in the region A may be used. Further, the alkaline earth metal contained in the region C is not particularly limited, but usually an alkaline earth metal or an alkaline earth metal oxide is used. As such a material, the same material as described in the region A may be used. Similarly to the region A, the region C may contain impurities and additives in addition to the materials exemplified above.

ガスバリア吸湿膜3の領域Cでは、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比を0.1以下とする。換言すると、アルカリ土類金属100原子%(at%)に対して、ケイ素の含有量を10原子%以下とする。この範囲とすれば、吸湿性を確保しやすくなる。   In the region C of the gas barrier hygroscopic film 3, the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is set to 0.1 or less. In other words, the silicon content is 10 atomic% or less with respect to 100 atomic% (at%) of the alkaline earth metal. If it is this range, it becomes easy to ensure hygroscopicity.

ガスバリア吸湿膜3の厚さは、通常10nm以上、好ましくは20nm以上、より好ましくは40nm以上、また、通常20μm以下、好ましくは2μm以下、より好ましくは400nm以下、さらに好ましくは300nm以下とする。上記範囲とすれば、ガスバリア性を確保しつつ、透明性が高く、クラックが入りにくくするとともに生産性を高くしやすくなる。   The thickness of the gas barrier hygroscopic film 3 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, more preferably 40 nm or more, and usually 20 μm or less, preferably 2 μm or less, more preferably 400 nm or less, and even more preferably 300 nm or less. If it is the said range, while ensuring gas-barrier property, transparency will be high, it will become difficult to make a crack, and it will become easy to make productivity high.

ガスバリア吸湿膜3における領域A、領域B、及び領域Cの厚さの比は、領域Aの厚さを1とした場合に、通常、領域Aの厚さ:領域Bの厚さ:領域Cの厚さ=1:0.01〜10:0.1〜1000とし、好ましくは、領域Aの厚さ:領域Bの厚さ:領域Cの厚さ=1:0.1〜1.5:0.7〜1000とする。この範囲とすれば、領域Aのガスバリア性を確保しつつ、領域Cでの吸湿性を確保でき、さらに、領域Bが接着領域としての機能を果たしやすくなる。   The ratio of the thicknesses of the region A, the region B, and the region C in the gas barrier moisture-absorbing film 3 is normally set such that when the thickness of the region A is 1, the thickness of the region A: the thickness of the region B: the thickness of the region C Thickness = 1: 0.01-10: 0.1-1000, preferably, region A thickness: region B thickness: region C thickness = 1: 0.1-1.5: 0 7 to 1000. Within this range, it is possible to ensure the hygroscopicity in the region C while ensuring the gas barrier property of the region A, and it is easy for the region B to function as an adhesion region.

ガスバリア吸湿膜3における領域Bの厚さの下限は、ガスバリア吸湿膜3の厚さを1とし、領域Aの基材2側の端部(下面35)を0、反対側の領域Cの端部(上面36)を1とした場合に、通常0.25以上の領域、好ましくは0.3以上の領域、より好ましくは0.35以上の領域、さらに好ましくは0.4以上の領域に形成される。また、領域Bの厚さの上限は、通常0.85以下の領域、好ましくは0.7以下の領域、より好ましくは0.65以下の領域、さらに好ましくは0.6以下の領域に形成される。領域Bは、ガスバリア吸湿膜3に所望されるガスバリア性及び吸水性の程度を考慮して、適宜その形成領域や位置を制御すればよい。   The lower limit of the thickness of the region B in the gas barrier hygroscopic film 3 is that the thickness of the gas barrier hygroscopic film 3 is 1, the substrate 2 side end (lower surface 35) of the region A is 0, and the opposite end of the region C is When (upper surface 36) is 1, it is usually formed in a region of 0.25 or more, preferably 0.3 or more, more preferably 0.35 or more, and further preferably 0.4 or more. The In addition, the upper limit of the thickness of the region B is usually formed in a region of 0.85 or less, preferably 0.7 or less, more preferably 0.65 or less, and even more preferably 0.6 or less. The In the region B, the formation region and the position thereof may be appropriately controlled in consideration of the gas barrier property desired for the gas barrier hygroscopic film 3 and the degree of water absorption.

ガスバリア吸湿膜3の表面の算術平均粗さ(Ra)は、通常、1nm以上、10nm以下とする。この範囲とすれば、水の吸着の作用が発揮されやすくなる。算術平均粗さ(Ra)は、JIS B 0601−2001(ISO4287−1997準拠)に従って測定すればよい。   The arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the gas barrier hygroscopic film 3 is usually 1 nm or more and 10 nm or less. If it is in this range, the action of water adsorption is easily exhibited. The arithmetic average roughness (Ra) may be measured according to JIS B 0601-2001 (based on ISO 4287-1997).

ガスバリア吸湿膜3における、領域A、領域B、及び領域Cの組成の分析は、例えば、ケイ素、アルカリ土類金属、炭素、窒素、及び酸素の組成比を分析することによって求めることができる。具体的には、Si、アルカリ土類金属、C、N、Oの原子数比を求めることにより確認することができる。こうした原子数比を求める方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、XPS(X線光電子分析装置)等の分析装置で得られた結果で評価できる。本発明においては、XPSの測定は、XPS(VG Scientific社製ESCA LAB220i−XL)により測定している。X線源としては、Ag−3d−5/2ピーク強度が300Kcps〜1McpsとなるX線源であるMgKα線を用い、直径約1mmのスリットを使用している。測定は、測定に供した試料面の法線上に検出器をセットした状態で行い、適正な帯電補正を行っている。測定後の解析は、上述のXPS装置に付属されたソフトウエアEclipseバージョン2.1を使用し、Si:2p、アルカリ土類金属(Mg:2p、Ca:2p、Sr:3d、Ba:3d)、C:1s、N:1s、O:1sのバインディングエネルギーに相当するピークを用いて行っている。このとき、C:1sのピークのうち、炭化水素に該当するピークを基準として、各ピークシフトを修正し、ピークの結合状態を帰属させる。そして、各ピークに対して、シャーリーのバックグラウンド除去を行い、ピーク面積に各元素の感度係数補正(C=1.0に対して、Si=0.87、アルカリ土類金属(Mg=0.36、Ca=5.07、Sr=5.05、Ba=43.76)、N=1.77、O=2.85)を行い、原子数比を求めている。得られた原子数比について、Siの原子数を1とし、他の成分であるアルカリ土類金属、C,N,Oの原子数を算出して成分割合としている。但し、Mgを含むガスバリア吸湿膜3を測定する場合は、X線源のMgKα線を検出する場合があるので、X線源としてAlKα線を用いるのが好ましい。このように、アルカリ土類金属は、X線源としてAlKα線を用いた場合の値とする。   The analysis of the composition of the region A, the region B, and the region C in the gas barrier moisture absorption film 3 can be obtained, for example, by analyzing the composition ratio of silicon, alkaline earth metal, carbon, nitrogen, and oxygen. Specifically, it can be confirmed by determining the atomic ratio of Si, alkaline earth metal, C, N, and O. As a method for obtaining such an atomic ratio, a conventionally known method can be used, and for example, evaluation can be made based on results obtained by an analyzer such as XPS (X-ray photoelectron analyzer). In the present invention, XPS is measured by XPS (ESCA LAB220i-XL manufactured by VG Scientific). As the X-ray source, MgKα ray which is an X-ray source having an Ag-3d-5 / 2 peak intensity of 300 Kcps to 1 Mcps is used, and a slit having a diameter of about 1 mm is used. The measurement is performed with the detector set on the normal line of the sample surface subjected to the measurement, and appropriate charge correction is performed. The analysis after the measurement uses the software Eclipse version 2.1 attached to the above-mentioned XPS apparatus, Si: 2p, alkaline earth metal (Mg: 2p, Ca: 2p, Sr: 3d, Ba: 3d) , C: 1s, N: 1s, and O: 1s. At this time, among the peaks of C: 1s, each peak shift is corrected with the peak corresponding to the hydrocarbon as a reference, and the binding state of the peaks is attributed. Then, Shirley background is removed from each peak, and sensitivity coefficient correction of each element is performed on the peak area (Si = 0.87, alkaline earth metal (Mg = 0.0 for C = 1.0). 36, Ca = 0.07, Sr = 0.05, Ba = 43.76), N = 1.77, O = 2.85) to obtain the atomic ratio. With respect to the obtained atomic ratio, the number of Si atoms is set to 1, and the number of atoms of alkaline earth metals, C, N, and O, which are other components, is calculated and used as the component ratio. However, when measuring the gas barrier hygroscopic film 3 containing Mg, it is preferable to use AlKα rays as the X-ray source because MgKα rays of the X-ray source may be detected. Thus, the alkaline earth metal has a value when AlKα rays are used as the X-ray source.

ガスバリア吸湿膜3において、領域Aの基材2側の端面(下面35)から領域Cの端面(上面36)までの単位厚さあたりの組成比(例えばケイ素とアルカリ土類金属)の変化は、ガスバリア吸湿膜3の厚さ(深さ)方向の組成比の分析を行うことによって見積もることができる。こうした方法としては、従来公知のものを用いることができ、例えば、ガスバリア吸湿膜3の上面36にスパッタリングを施してガスバリア吸湿膜3を徐々に削っていき、削りながら経時的に削り出されたガスバリア吸湿膜3の表面の組成を上記XPS等によって測定することによって行うことができる。より具体的には、XPSにて深さ方向の分析を行えばよい。測定試料の表面を極薄に削るイオン銃としては、一般には電子衝撃型が用いられる。こうしたイオン銃を用いる場合、フィラメントから発生した熱電子をアルゴン気体中(0.01〜0.001Paレベル)に導入することによってアルゴンをイオン化し、これを数keVに加速して試料表面に照射する。この衝撃によって、試料の表面はエッチングされることになるので、所定時間後にイオン銃を停止する。その後、X線を照射し、X線により励起された薄膜中の光電子を光電子倍増管にて検出する(通常のXPS分析を行う)。なお、分光器には同心静電型分析器や円筒鏡型分析器が用いられる。イオン銃の照射と削り出された表面のXPS分析を繰り返すという工程を繰り返すことで、深さ方向の分析が可能となる。ここで、イオン銃の照射やXPS分析の条件は、エッチング時間が60秒、エッチング前後の待機時間が20秒とすればよい。そして、測定試料の定量分析及びエッチングの繰り返し回数は、ガスバリア吸湿膜3の組成及び膜厚に依存するために、適宜、最適値を選択すればよい。   In the gas barrier hygroscopic film 3, the change in the composition ratio (for example, silicon and alkaline earth metal) per unit thickness from the end surface (lower surface 35) of the region A on the substrate 2 side to the end surface (upper surface 36) of the region C is It can be estimated by analyzing the composition ratio in the thickness (depth) direction of the gas barrier hygroscopic film 3. As such a method, a conventionally known method can be used. For example, the gas barrier hygroscopic film 3 is gradually shaved by performing sputtering on the upper surface 36 of the gas barrier hygroscopic film 3, and the gas barrier which has been shaved over time while being shaved. It can be performed by measuring the composition of the surface of the hygroscopic film 3 by the XPS or the like. More specifically, analysis in the depth direction may be performed by XPS. Generally, an electron impact type is used as an ion gun that cuts the surface of a measurement sample into an extremely thin shape. When such an ion gun is used, argon is ionized by introducing thermoelectrons generated from the filament into argon gas (0.01 to 0.001 Pa level), and this is accelerated to several keV and irradiated to the sample surface. . Since the surface of the sample is etched by this impact, the ion gun is stopped after a predetermined time. Thereafter, X-rays are irradiated, and photoelectrons in the thin film excited by the X-rays are detected with a photomultiplier tube (normal XPS analysis is performed). As the spectroscope, a concentric electrostatic analyzer or a cylindrical mirror analyzer is used. By repeating the process of repeating the irradiation of the ion gun and the XPS analysis of the machined surface, analysis in the depth direction becomes possible. Here, the conditions of ion gun irradiation and XPS analysis may be that the etching time is 60 seconds and the waiting time before and after etching is 20 seconds. The number of repetitions of quantitative analysis and etching of the measurement sample depends on the composition and film thickness of the gas barrier hygroscopic film 3, so that an optimal value may be selected as appropriate.

図2は、ガスバリア吸湿膜の厚さ方向におけるケイ素とアルカリ土類金属との組成比の理想的な一例を示す模式的なグラフである。図2の縦軸は、Si及びアルカリ土類金属の量比の相対的な値を示している。図2に示すように、ガスバリア吸湿膜3中のケイ素とアルカリ土類金属との分布に着目した場合に、領域Aの基材2側の端面(下面35)から領域Bまでは、原子数比でケイ素を1としたときに、アルカリ土類金属は0.1以下検出される。次いで、領域B中では、上面36に向かうにつれ、徐々にケイ素の含有量が減少する一方でアルカリ土類金属の含有量が増加する。そして、領域C中では、原子数比でアルカリ土類金属を1としたときに、ケイ素は0.1以下検出される。こうしたガスバリア吸湿膜3の組成分布が理想的である。   FIG. 2 is a schematic graph showing an ideal example of the composition ratio of silicon and alkaline earth metal in the thickness direction of the gas barrier hygroscopic film. The vertical axis | shaft of FIG. 2 has shown the relative value of the quantity ratio of Si and alkaline-earth metal. As shown in FIG. 2, when attention is paid to the distribution of silicon and alkaline earth metal in the gas barrier moisture absorption film 3, the atomic ratio is from the end surface (lower surface 35) on the base material 2 side in the region A to the region B. In this case, when silicon is set to 1, alkaline earth metal is detected to 0.1 or less. Next, in the region B, as it moves toward the upper surface 36, the content of silicon gradually decreases while the content of alkaline earth metal increases. And in the area | region C, when an alkaline-earth metal is set to 1 by atomic ratio, silicon is detected 0.1 or less. Such a composition distribution of the gas barrier hygroscopic film 3 is ideal.

図3は、本発明のガスバリア性シートの他の一例を示す模式的な断面図である。ガスバリア性シート1Bは、基材2の上に平坦化膜15が設けられ、平坦化膜15の上にガスバリア吸湿膜3が設けられている。これにより、ガスバリア吸湿膜3の平坦性が向上し、その結果、ガスバリア性シート1Bのガスバリア性をより向上させやすくなる。また、平坦化膜15により、応力緩和の機能を付与することもできる。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another example of the gas barrier sheet of the present invention. In the gas barrier sheet 1 </ b> B, a planarization film 15 is provided on the base material 2, and a gas barrier moisture absorption film 3 is provided on the planarization film 15. Thereby, the flatness of the gas barrier hygroscopic film 3 is improved, and as a result, the gas barrier property of the gas barrier sheet 1B can be more easily improved. Further, the planarizing film 15 can provide a stress relaxation function.

ガスバリア性シート1Bは、基材2とガスバリア吸湿膜3との間に平坦化膜15を設けること以外は、ガスバリア性シート1Aと同様の構成を採用している。そこで、説明の重複を避けるため、以下では相違点である平坦化膜15についてのみ説明する。   The gas barrier sheet 1B adopts the same configuration as that of the gas barrier sheet 1A except that the planarizing film 15 is provided between the base material 2 and the gas barrier hygroscopic film 3. In order to avoid duplication of explanation, only the planarizing film 15 which is a difference will be described below.

平坦化膜15に用いる材料としては、所定の平坦性を得ることができるものであれば特に制限はなく、例えば、アクリレートを含む高分子化合物(アクリル樹脂)を挙げることができる。より具体的には、例えば、スチレン、フェノール、エポキシ、ニトリル、アクリル、アミン、エチレンイミン、エステル、シリコーン、アルキルチタネート化合物、イオン高分子錯体等、光硬化あるいは熱硬化性の樹脂を用いることができる。また、平坦化膜15の材料としては、高分子化合物と金属アルコキシドの加水分解生成物の混合物等を含む、高分子化合物を適宜使用することもできる。   The material used for the planarizing film 15 is not particularly limited as long as a predetermined planarity can be obtained. Examples thereof include a polymer compound (acrylic resin) containing acrylate. More specifically, for example, curable resin such as styrene, phenol, epoxy, nitrile, acrylic, amine, ethyleneimine, ester, silicone, alkyl titanate compound, ionic polymer complex, etc. can be used. . Further, as the material of the planarizing film 15, a polymer compound including a mixture of a polymer compound and a hydrolysis product of a metal alkoxide or the like can be used as appropriate.

平坦化膜15の厚さは、通常10nm以上、好ましくは100nm以上、また、通常50μm以下、好ましくは20μm以下とする。この範囲とすれば、所望の平坦性と応力緩和の機能が付与されやすくなる。   The thickness of the planarizing film 15 is usually 10 nm or more, preferably 100 nm or more, and usually 50 μm or less, preferably 20 μm or less. If it is in this range, the desired flatness and stress relaxation functions are easily provided.

図4は、本発明のガスバリア性シートのさらに他の一例を示す模式的な断面図である。ガスバリア性シート1C,1C’は、基材2の上にガスバリア吸湿膜3が図4には図示しない被封止物の上面及び側面を被覆する大きさに形成されている。これにより、ガスバリア吸湿膜3の側面からの水蒸気の侵入が遮断されやすくなり、その結果、ガスバリア吸湿膜3の利点を損なうことなく、より高いガスバリア性を有する構造のガスバリア性シート1Cを提供することができる。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing still another example of the gas barrier sheet of the present invention. In the gas barrier sheets 1C and 1C ', the gas barrier hygroscopic film 3 is formed on the base material 2 so as to cover the upper surface and side surfaces of an object to be sealed (not shown in FIG. 4). Thereby, invasion of water vapor from the side surface of the gas barrier hygroscopic film 3 is easily blocked, and as a result, the gas barrier sheet 1C having a higher gas barrier property is provided without impairing the advantages of the gas barrier hygroscopic film 3. Can do.

ガスバリア性シート1Cは、図4(a)には図示しない基板上に配置された被封止物の少なくとも上面及び側面を封止するために用いられ、ガスバリア吸湿膜3が被封止物の上面及び側面を被覆する大きさに形成されていること以外は、ガスバリア性シート1Aと同様の構成を採用している。また、図4(b)に示すガスバリア性シート1C’は、ガスバリア性シート1Cにおいてガスバリア吸湿膜3と基材2との間に平坦化膜15を設けたものである。そして、ガスバリア性シート1Aや平坦化層15についてはすでに説明したとおりであり、ガスバリア吸湿膜3を被封止物の上面及び側面を被覆する大きさに形成する意義や、ガスバリア吸湿膜3の側面からの水蒸気の侵入の遮断についての詳細は後述する。そこで、説明の重複を避けるためにここではこれ以上の説明は控える。   The gas barrier sheet 1C is used to seal at least the upper surface and the side surface of the object to be sealed disposed on the substrate (not shown in FIG. 4A), and the gas barrier moisture absorption film 3 is the upper surface of the object to be sealed. And the structure similar to 1 A of gas-barrier sheets is employ | adopted except being formed in the magnitude | size which coat | covers a side surface. Further, the gas barrier sheet 1C ′ shown in FIG. 4B is obtained by providing a planarizing film 15 between the gas barrier hygroscopic film 3 and the substrate 2 in the gas barrier sheet 1C. The gas barrier sheet 1A and the flattening layer 15 are as described above, and the significance of forming the gas barrier hygroscopic film 3 so as to cover the upper surface and side surfaces of the object to be sealed, and the side surfaces of the gas barrier hygroscopic film 3 Details of blocking the intrusion of water vapor from will be described later. Therefore, no further explanation is given here to avoid duplication of explanation.

図5は、本発明のガスバリア性シートのさらに他の一例を示す模式的な断面図である。ガスバリア性シート1Dは、基材2の上にガスバリア吸湿膜3が全面に設けられ、ガスバリア吸湿膜3の上にガスバリア膜4が全面に設けられている。これにより、ガスバリア性を発揮する2つの膜の積層となり、その結果、より高いガスバリア性を有する構造のガスバリア性シート1Dを提供することができる。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing still another example of the gas barrier sheet of the present invention. In the gas barrier sheet 1 </ b> D, the gas barrier hygroscopic film 3 is provided on the entire surface of the substrate 2, and the gas barrier film 4 is provided on the entire surface of the gas barrier hygroscopic film 3. Thereby, it becomes the lamination | stacking of two films | membranes which exhibit gas barrier property, As a result, gas barrier sheet | seat 1D of a structure which has higher gas barrier property can be provided.

ガスバリア性シート1Dは、ガスバリア吸湿膜3の上にガスバリア膜4を設けること以外は、ガスバリア性シート1Aと同様の構成を採用している。そこで、説明の重複を避けるため、以下では相違点であるガスバリア膜4についてのみ説明する。   The gas barrier sheet 1D adopts the same configuration as the gas barrier sheet 1A except that the gas barrier film 4 is provided on the gas barrier hygroscopic film 3. Therefore, in order to avoid duplication of explanation, only the gas barrier film 4 which is a difference will be described below.

ガスバリア膜4は、特に制限はないが、ガスバリア吸湿膜3に含有されるケイ素又はその化合物と同様の材料で形成すればよい。すなわち、ガスバリア膜4は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸窒化ケイ素から選ばれる少なくとも1つを含有することが好ましい。これにより、ガスバリア膜4のガスバリア性をより高くしやすくなる。窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸窒化ケイ素が化学量論比である必要はないこと、それぞれの組成比、及び不純物を含有してもよい点等についてはガスバリア吸湿膜3で説明したものと同様とすればよい。   The gas barrier film 4 is not particularly limited, but may be formed of a material similar to silicon or a compound thereof contained in the gas barrier moisture absorption film 3. That is, the gas barrier film 4 preferably contains at least one selected from silicon nitride, silicon oxide, and silicon oxynitride. Thereby, it becomes easy to make the gas barrier property of the gas barrier film 4 higher. The silicon nitride, silicon oxide, and silicon oxynitride do not have to be in a stoichiometric ratio, the respective composition ratios, and the points that may contain impurities are the same as those described in the gas barrier moisture absorption film 3. do it.

ガスバリア膜4の厚さは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、より好ましくは20nm以上、また、通常10μm以下、好ましくは1μm以下、より好ましくは200nm以下、さらに好ましくは150nm以下とする。上記範囲とすれば、ガスバリア性を確保しつつ、透明性が高く、クラックが入りにくくするとともに生産性を高くしやすくなる。   The thickness of the gas barrier film 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more, and usually 10 μm or less, preferably 1 μm or less, more preferably 200 nm or less, and further preferably 150 nm or less. If it is the said range, while ensuring gas-barrier property, transparency will be high, it will become difficult to make a crack, and it will become easy to make productivity high.

ガスバリア膜4の表面の算術平均粗さ(Ra)は、通常、5nm以上、1000nm以下とする。この範囲とすれば、水の表面吸着の作用が発揮されやすくなる。算術平均粗さ(Ra)は、JIS B 0601−2001(ISO4287−1997準拠)に従って測定すればよい。   The arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the gas barrier film 4 is usually 5 nm or more and 1000 nm or less. If it is this range, it will become easy to exhibit the effect | action of water surface adsorption | suction. The arithmetic average roughness (Ra) may be measured according to JIS B 0601-2001 (based on ISO 4287-1997).

ガスバリア性シート1Dは、ガスバリア性シート1Aにさらにガスバリア膜4を設けたものであるが、ガスバリア膜4を用いたガスバリア性シートはこうした態様に限られるものではない。例えば、ガスバリア性シート1B,1Cのガスバリア吸湿膜の上にもガスバリア膜を設けてもよい。ガスバリア性シート1Cの場合は、ガスバリア吸湿膜3と、このガスバリア吸湿膜の周囲の基材2の表面をガスバリア膜が覆うことになる。   The gas barrier sheet 1D is obtained by further providing the gas barrier film 4 on the gas barrier sheet 1A, but the gas barrier sheet using the gas barrier film 4 is not limited to such an embodiment. For example, a gas barrier film may be provided on the gas barrier hygroscopic film of the gas barrier sheets 1B and 1C. In the case of the gas barrier sheet 1C, the gas barrier film covers the gas barrier hygroscopic film 3 and the surface of the base material 2 around the gas barrier hygroscopic film.

以上、本発明のガスバリア性シートについて説明したが、ガスバリア性シートの層構成は、上記例示に限られるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々のバリエーションを採用することができる。例えば、ガスバリア性シートの少なくとも片面にハードコート膜を設けることもできる。ハードコート膜は、通常、基材において、ガスバリア膜が設けられた側とは反対側の面に設けられる。また、基材とガスバリア膜との間にアンカーコート剤膜を設けてもよい。この他、必要に応じて、反射防止膜、帯電防止膜、防汚膜、防眩膜、及びカラーフィルタを適宜用いることもできる。こうした、ハードコート膜、平滑化膜、アンカーコート剤膜、反射防止膜、帯電防止膜、防汚膜、防眩膜、及びカラーフィルタ等の各層は、特に説明したもの以外は従来公知のものを適宜用いればよい。こうした層は、いずれもハードコート膜の表面に形成されることが多いが、反射防止機能や視野角制御機能をハードコート膜に付随することもできる。これらのうち、反射防止膜、帯電防止膜、防汚膜、防眩膜、カラーフィルタは、光学粘着剤を介して本発明のガスバリア性シートと貼り合わせることで、所望の機能を得てもよい。   Although the gas barrier sheet of the present invention has been described above, the layer configuration of the gas barrier sheet is not limited to the above examples, and various variations can be employed within the scope of the gist of the present invention. For example, a hard coat film can be provided on at least one side of the gas barrier sheet. The hard coat film is usually provided on the surface of the substrate opposite to the side on which the gas barrier film is provided. An anchor coating agent film may be provided between the base material and the gas barrier film. In addition, an antireflection film, an antistatic film, an antifouling film, an antiglare film, and a color filter can be appropriately used as necessary. Such hard coat film, smoothing film, anchor coat agent film, antireflection film, antistatic film, antifouling film, antiglare film, color filter, and the like are conventionally known ones other than those specifically described. What is necessary is just to use suitably. All of these layers are often formed on the surface of the hard coat film, but an antireflection function and a viewing angle control function can be attached to the hard coat film. Among these, an antireflection film, an antistatic film, an antifouling film, an antiglare film, and a color filter may obtain a desired function by being bonded to the gas barrier sheet of the present invention via an optical adhesive. .

(ガスバリア性シートの製造方法)
本発明のガスバリア性シートの製造方法は、基材上にガスバリア吸湿膜を有するガスバリア性シートの製造方法であって、ガスバリア吸湿膜を形成するガスバリア吸湿膜形成工程が、基材上に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域Aを成膜する第1成膜工程と、領域A上に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域Bを成膜する第2成膜工程と、領域B上に、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cを成膜する第3成膜工程と、を備える。これにより、ケイ素を多く含有する領域A、ケイ素とアルカリ土類金属との両方をバランスよく含有する領域B、及びアルカリ土類金属を多く含有する領域Cから形成されるガスバリア吸湿膜を工業的に生産することが可能となり、その結果、ガスバリア吸湿膜が分離しにくくなり、生産効率やコスト面からも有利な構造のガスバリア性シートの製造方法を提供することができる。
(Method for producing gas barrier sheet)
The method for producing a gas barrier sheet of the present invention is a method for producing a gas barrier sheet having a gas barrier hygroscopic film on a substrate, wherein the gas barrier hygroscopic film forming step of forming the gas barrier hygroscopic film comprises silicon 1 on the substrate. A first film forming step of forming a region A in which the atomic ratio of the alkaline earth metal to 0.1 is 0.1 or less; and the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is 0.1 on the region A A second film formation step for forming a region B that is larger than 10 and a third film formation for forming a region C on the region B where the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is 0.1 or less. A process. Accordingly, a gas barrier moisture absorption film formed from the region A containing a large amount of silicon, the region B containing both silicon and an alkaline earth metal in a well-balanced manner, and the region C containing a large amount of alkaline earth metal is industrially produced. As a result, it becomes difficult to separate the gas barrier hygroscopic film, and a method for producing a gas barrier sheet having a structure advantageous in terms of production efficiency and cost can be provided.

ガスバリア吸湿膜形成工程では、基材上にガスバリア吸湿膜を形成する。基材の材料や製法等、またガスバリア吸湿膜に用いる材料についてはガスバリア性シートで説明したとおりであるので、重複を避けるためここでの説明は省略する。   In the gas barrier hygroscopic film forming step, a gas barrier hygroscopic film is formed on the substrate. Since the material and manufacturing method of the base material and the material used for the gas barrier hygroscopic film are as described in the gas barrier sheet, the description here is omitted to avoid duplication.

ガスバリア吸湿膜形成工程におけるガスバリア吸湿膜の形成方法は、特に制限はないが、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、Cat−CVD法、プラズマCVD法、大気圧プラズマCVD法等を用いればよい。こうした形成方法は、成膜材料の種類、成膜のしやすさ、工程効率等を考慮して選択すればよい。これら形成方法のうち好ましくはスパッタリング法を用いる。すなわち、ガスバリア吸湿膜形成工程を構成する、第1成膜工程、第2成膜工程、及び第3成膜工程が、スパッタリング法で行われることが好ましい。これにより、ガスバリア吸湿膜を工業的に一体的に成膜することが可能となり、その結果、ガスバリア吸湿膜をより良好に得やすくなる。より好ましくは、第1成膜工程、第2成膜工程、及び第3成膜工程が、スパッタリング法で連続的に行われる。これにより、工業生産性をより向上させやすくなる。   The method for forming the gas barrier hygroscopic film in the gas barrier hygroscopic film forming step is not particularly limited. For example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a Cat-CVD method, a plasma CVD method, an atmospheric pressure plasma CVD method, etc. Use it. Such a formation method may be selected in consideration of the type of film forming material, easiness of film formation, process efficiency, and the like. Of these forming methods, sputtering is preferably used. That is, it is preferable that the first film forming process, the second film forming process, and the third film forming process that constitute the gas barrier hygroscopic film forming process are performed by a sputtering method. This makes it possible to industrially integrally form the gas barrier hygroscopic film, and as a result, it becomes easier to obtain the gas barrier hygroscopic film better. More preferably, the first film forming step, the second film forming step, and the third film forming step are continuously performed by a sputtering method. Thereby, it becomes easier to improve industrial productivity.

スパッタリング法は、真空チャンバー内にターゲットを設置し、高電圧をかけてイオン化した希ガス元素(通常はアルゴン)をターゲットに衝突させて、ターゲット表面の原子をはじき出し、基材に付着させ、ガスバリア吸湿膜を得る方法である。このとき、チャンバー内に窒素ガスや酸素ガスを流すことにより、アルゴンガスによってターゲットからはじき出された元素と、窒素や酸素とを反応させてガスバリア吸湿膜を形成する、反応性スパッタリング法を用いてもよい。スパッタリング法としては、例えば、DC2極スパッタリング、RF2極スパッタリング、3極・4極スパッタリング、ECRスパッタリング、イオンビームスパッタリング、及びマグネトロンスパッタリング等を挙げることができるが、工業的にはマグネトロンスパッタリングを用いることが好ましい。   In the sputtering method, a target is placed in a vacuum chamber, a high-voltage ionized rare gas element (usually argon) is collided with the target, ejects atoms from the target surface, adheres to the substrate, and absorbs gas barrier moisture. This is a method for obtaining a film. At this time, a reactive sputtering method may be used in which a gas barrier moisture absorption film is formed by causing nitrogen and oxygen gas to flow in the chamber to react nitrogen and oxygen with an element ejected from the target by argon gas. Good. Examples of the sputtering method include DC dipolar sputtering, RF dipolar sputtering, tripolar and quadrupolar sputtering, ECR sputtering, ion beam sputtering, and magnetron sputtering. Industrially, magnetron sputtering is used. preferable.

図6は、ガスバリア吸湿膜の作製装置の一例を示す模式的な構成図である。ガスバリア吸湿膜の作製装置40は、ガスバリア吸湿膜形成工程を構成する、第1成膜工程、第2成膜工程、及び第3成膜工程を、スパッタリング法で行うための作製装置である。具体的には、作製装置40は、長尺の基材フィルム41の移動方向にケイ素を含有する第1の成膜用ターゲット42Aと、アルカリ土類金属を含有する第2の成膜用ターゲット42Bと、を近づけて並列に設置し、成膜用ターゲット42Aと成膜用ターゲット42Bとからはじき出されるそれぞれ原子が一部重複して堆積する領域ができるようになっている。   FIG. 6 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a gas barrier hygroscopic film manufacturing apparatus. The gas barrier hygroscopic film production apparatus 40 is a production apparatus for performing the first film formation process, the second film formation process, and the third film formation process, which constitute the gas barrier hygroscopic film formation process, by a sputtering method. Specifically, the manufacturing apparatus 40 includes a first film formation target 42A containing silicon in the moving direction of the long base film 41 and a second film formation target 42B containing alkaline earth metal. Are placed close to each other in parallel to form a region where the atoms ejected from the deposition target 42A and the deposition target 42B partially overlap.

作製装置40は、基材フィルム42を供給する供給装置43と、ガスバリア吸湿膜3を形成した後の基材フィルム41’を巻き取る巻取装置44と、供給装置43と巻取装置44との間に設けられてガスバリア吸湿膜3を形成する成膜装置45とを有している。   The production apparatus 40 includes a supply device 43 that supplies the base film 42, a winding device 44 that winds up the base film 41 ′ after the gas barrier hygroscopic film 3 is formed, and a supply device 43 and a winding device 44. And a film forming device 45 for forming the gas barrier hygroscopic film 3 provided therebetween.

供給装置43は、長尺の基材フィルム41を供給する装置であり、例えば芯材46上に巻かれたロール状フィルム47を両側から回転可能に保持するクランプ部材(図示しない)等を有している。この供給装置43は、一定の速度で基材フィルム41を送り出すことができるように制御可能な駆動モータ(図示しない)を備えている。駆動モータによる送り出しの制御は、例えば、いずれかのガイドローラ48に設けられたロータリーエンコーダ(図示しない)の回転信号を受信して行うことができる。また、この供給装置43から送り出された基材フィルム41を成膜室(成膜装置45)に一定の張力下で安定して供給するために、供給装置43と成膜装置45との間のガイドローラ48が設けられている領域に、張力調製のためのダンパー(図示しない)を設けてもよい。   The supply device 43 is a device for supplying a long base film 41 and has, for example, a clamp member (not shown) for holding a roll film 47 wound on a core material 46 so as to be rotatable from both sides. ing. The supply device 43 includes a controllable drive motor (not shown) so that the base film 41 can be sent out at a constant speed. The feed control by the drive motor can be performed, for example, by receiving a rotation signal of a rotary encoder (not shown) provided on any one of the guide rollers 48. Further, in order to stably supply the base film 41 sent out from the supply device 43 to the film formation chamber (film formation device 45) under a constant tension, it is provided between the supply device 43 and the film formation device 45. A damper (not shown) for adjusting the tension may be provided in an area where the guide roller 48 is provided.

巻取装置44は、基材フィルム41上にガスバリア吸湿膜を作製したもの(基材フィルム41’ともいう。)を芯材46上に巻き取る装置である。この巻取装置44も上記の供給装置43と同様、一定の速度で基材フィルム41’を巻き取ることができるように制御可能な駆動モータ(図示しない)を備えている。駆動モータによる巻き取り制御は、例えば、いずれかのガイドローラ48に設けられたロータリーエンコーダ(図示しない)の回転信号を受信して行うことができる。また、基材フィルム41’を一定の張力下で安定して巻き取るために、巻取装置44には可変可能なトルク装置を設けることが好ましい。   The winding device 44 is a device that winds up a material (also referred to as a base film 41 ′) in which a gas barrier hygroscopic film is formed on the base film 41 onto the core material 46. The winding device 44 is also provided with a drive motor (not shown) that can be controlled so that the base film 41 ′ can be wound at a constant speed, like the supply device 43. The winding control by the drive motor can be performed, for example, by receiving a rotation signal of a rotary encoder (not shown) provided on one of the guide rollers 48. Further, in order to stably wind the base film 41 ′ under a constant tension, it is preferable to provide a variable torque device in the winding device 44.

供給装置43と巻取装置44が配置される領域には、1又は2以上の排気ポンプ90が圧力調整バルブ91を介して接続され、内部の圧力を調整している。なお、供給装置43と仕切板92との間で、成膜前の基材フィルム41を脱ガスしてもよく、例えば加熱ロール(図示しない)を設置してもよい。また、同様に、基材フィルム41を表面処理してガスバリア膜との密着を高める等の目的のため、プラズマ処理装置による表面処理を行ってもよい。   One or two or more exhaust pumps 90 are connected to a region where the supply device 43 and the winding device 44 are arranged via a pressure adjusting valve 91 to adjust the internal pressure. In addition, you may degas the base film 41 before film-forming between the supply apparatus 43 and the partition plate 92, for example, you may install a heating roll (not shown). Similarly, surface treatment by a plasma treatment apparatus may be performed for the purpose of surface treatment of the base film 41 to enhance adhesion with the gas barrier film.

成膜装置45は、成膜用ターゲット42A,42Bを有し、酸素及び/又は窒素等を含んだ組成の異なるガスを供給することが可能な供給配管49A,49Bが設けられている。具体的には、成膜装置45は、1つのドラム50の外周面上に2つの成膜用ターゲット42A,42Bを回転方向に近づけて並列に配置した装置であり、全体としてチャンバー51内に収容されている。チャンバー51には内部を減圧するための排気ポンプ90が圧力調整バルブ91を介して接続されている。また、成膜用ターゲット42A,42B毎に、成膜用電源52が接続されている。以上の構成により、ドラム50上を搬送される基材フィルム41上へのスパッタリング成膜が可能となる。   The film forming apparatus 45 includes film forming targets 42A and 42B and is provided with supply pipes 49A and 49B capable of supplying gases having different compositions including oxygen and / or nitrogen. Specifically, the film formation apparatus 45 is an apparatus in which two film formation targets 42A and 42B are arranged in parallel on the outer peripheral surface of one drum 50 close to the rotation direction, and are accommodated in the chamber 51 as a whole. Has been. An exhaust pump 90 for depressurizing the inside is connected to the chamber 51 via a pressure adjusting valve 91. Further, a film-forming power source 52 is connected to each of the film-forming targets 42A and 42B. With the above configuration, sputtering film formation can be performed on the base film 41 conveyed on the drum 50.

成膜装置45においては、上述のとおり、成膜用ターゲット42Aがケイ素を含有する材料で構成されており、成膜用ターゲット42Bがアルカリ土類金属を含有する材料で構成されている。そして、成膜用ターゲット42Aと成膜用ターゲット43Bとを近づけて並列に配置することにより、スパッタリング成膜により、成膜用ターゲット42Aからはじき出されるケイ素を含む材料と、成膜用ターゲット42Bからはじき出されるアルカリ土類金属を含む材料とが重複して堆積される領域が作り出されるようになっている。   In the film forming apparatus 45, as described above, the film forming target 42A is made of a material containing silicon, and the film forming target 42B is made of a material containing an alkaline earth metal. Then, the deposition target 42A and the deposition target 43B are arranged close to each other in parallel, so that the material containing silicon ejected from the deposition target 42A and the deposition target 42B are ejected by sputtering deposition. A region is created in which the material containing the alkaline earth metal is deposited in an overlapping manner.

成膜装置45において以上の構成を採用することにより、ガスバリア吸湿膜形成工程の第1成膜工程、第2成膜工程、及び第3成膜工程の実現が可能となる。すなわち、成膜用ターゲット42Aからケイ素を含有する材料がはじき出されて基材フィルム41上に成膜されることにより、ガスバリア吸湿膜の領域Aが形成される。このとき、製造条件によっては、成膜用ターゲット42Bからはじき出されたアルカリ土類金属を含む材料が領域Aに含有されることがある。以上が第1成膜工程である。次に、成膜用ターゲット42Aからはじき出されるケイ素を含む材料と、成膜用ターゲット42Bとからはじき出されるアルカリ土類金属を含む材料とを同時に堆積させて成膜することにより、ガスバリア吸湿膜の領域Bが形成される。これが第2成膜工程にあたる。最後に、成膜用ターゲット42Bからアルカリ土類金属を含む材料がはじき出されて基材フィルム41上に成膜されることにより、ガスバリア吸湿膜の領域Cが形成される。このとき、製造条件によっては、成膜用ターゲット42Aからはじき出されたケイ素を含有する材料が領域Cに含有されることがある。以上が第3成膜工程である。   By adopting the above configuration in the film forming apparatus 45, the first film forming process, the second film forming process, and the third film forming process of the gas barrier moisture absorption film forming process can be realized. That is, the region A of the gas barrier hygroscopic film is formed by ejecting the silicon-containing material from the film formation target 42A and forming the film on the base film 41. At this time, depending on the manufacturing conditions, the region A may contain a material containing an alkaline earth metal ejected from the film formation target 42B. The above is the first film forming step. Next, the region of the gas barrier hygroscopic film is formed by simultaneously depositing the film containing the silicon-containing material ejected from the film-forming target 42A and the material containing the alkaline earth metal ejected from the film-forming target 42B. B is formed. This corresponds to the second film forming step. Finally, a material containing an alkaline earth metal is ejected from the film formation target 42B and formed on the base film 41, thereby forming a region C of the gas barrier moisture absorption film. At this time, depending on the manufacturing conditions, the region C may contain a silicon-containing material ejected from the film formation target 42A. The above is the third film forming step.

なお、成膜装置40は、成膜用電源52と成膜用ターゲット42A,42Bとを設けているので、スパッタリング法による成膜装置となっているが、特に制限はなく、イオンプレーティング成膜装置、イオンビームアシスト成膜装置、クラスターイオンビーム成膜装置、プラズマCVD成膜装置、プラズマ重合成膜装置、熱CVD成膜装置、触媒反応型CVD成膜装置等に適宜改良することもできる。なお、プラズマの種類は特に限定なく、CCPプラズマ、ICPプラズマ、マイクロ波プラズマ、リモートプラズマ、等各種のプラズマを使用できる。また、成膜装置40のドラム50には、基材フィルム41を加熱又は冷却するための温度制御手段が付加されていてもよい。   The film forming apparatus 40 is provided with a film forming power source 52 and film forming targets 42A and 42B. Therefore, the film forming apparatus 40 is a film forming apparatus using a sputtering method. The apparatus, ion beam assisted film forming apparatus, cluster ion beam film forming apparatus, plasma CVD film forming apparatus, plasma polymerization film forming apparatus, thermal CVD film forming apparatus, catalytic reaction type CVD film forming apparatus and the like can be appropriately improved. The type of plasma is not particularly limited, and various plasmas such as CCP plasma, ICP plasma, microwave plasma, and remote plasma can be used. The drum 50 of the film forming apparatus 40 may be provided with a temperature control unit for heating or cooling the base film 41.

本発明のガスバリア性シートの製造方法においては、基材とガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜を設ける平坦化膜形成工程をさらに設けることが好ましい。これにより、ガスバリア吸湿膜の平坦性が向上し、その結果、ガスバリア性シートのガスバリア性をより向上させやすくなる。   In the method for producing a gas barrier sheet of the present invention, it is preferable to further provide a planarization film forming step of providing a planarization film between the base material and the gas barrier hygroscopic film. Thereby, the flatness of the gas barrier hygroscopic film is improved, and as a result, the gas barrier property of the gas barrier sheet is more easily improved.

平坦化膜に用いる材料については、ガスバリア性シートで説明したとおりであるので、重複を避けるためここでの説明は省略する。   The material used for the planarizing film is the same as that described in the gas barrier sheet, and thus the description thereof is omitted here to avoid duplication.

平坦化膜の形成方法は、用いる材料によって適宜選択すればよい。例えば、アクリレートを含む高分子化合物(アクリル樹脂)のような硬化性樹脂で平坦化膜を形成する場合には、液体状の硬化性樹脂の材料等に必要に応じて所定の溶媒や添加剤を配合し、これを、例えば基材上に塗布・硬化させることによって得ることができる。塗布の方法は、例えば、グラビア印刷法、グラビアリバース法、ダイコート法、3本ロール法、コンマコート法、及びスライドコート法等を適宜用いればよい。また、硬化の方法は、熱硬化、光硬化の方法を適宜用いることができる。   The method for forming the planarization film may be selected as appropriate depending on the material to be used. For example, when the planarization film is formed with a curable resin such as a polymer compound (acrylic resin) containing acrylate, a predetermined solvent or additive is added to the liquid curable resin material as necessary. It can be obtained by blending and applying, for example, curing on a substrate. As a coating method, for example, a gravure printing method, a gravure reverse method, a die coating method, a three-roll method, a comma coating method, a slide coating method, or the like may be used as appropriate. Moreover, the method of hardening can use the method of thermosetting and photocuring suitably.

(封止体)
図7は、本発明の封止体の一例を示す模式的な断面図である。
(Sealed body)
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of the sealing body of the present invention.

封止体10Aは、基板7と、基板7上に配置された被封止物5と、被封止物5上に配置された、ガスバリア性シート1Cと、を有し、ガスバリア性シート1Cのガスバリア吸湿膜3が、被封止物5の上面及び側面を被覆している。これにより、ガスバリア吸湿膜3が分離しにくくなるとともに、被封止物5内へ水蒸気や酸素等のガスが侵入しにくくなり、その結果、より高いガスバリア性を有する構造の封止体10Aを提供することができる。   10A of sealing bodies have the board | substrate 7, the to-be-sealed object 5 arrange | positioned on the board | substrate 7, and the gas-barrier sheet | seat 1C arrange | positioned on the to-be-sealed object 5 of the gas-barrier sheet | seat 1C. The gas barrier moisture absorption film 3 covers the upper surface and side surfaces of the object 5 to be sealed. This makes it difficult for the gas barrier hygroscopic film 3 to be separated and makes it difficult for gases such as water vapor and oxygen to enter the sealed object 5, thereby providing a sealed body 10 </ b> A having a structure having higher gas barrier properties. can do.

封止体10Aにおける、ガスバリア吸湿膜3の側面から侵入する水蒸気の遮断のメカニズムについてより詳しく説明する。水蒸気は、図7の矢印に示すように、基板7とガスバリア性シート1Cとが接触する界面に存在する接着剤膜6から、水蒸気を積極的に吸着する領域Cを有するガスバリア吸湿膜3へと侵入しようとする。しかしながら、接着剤膜6は薄く形成され、また後述するように、アルカリ土類金属やアルカリ土類金属の酸化物の粒子等の吸湿材料が含まれていないので、相対的に水蒸気が侵入しにくくなっている。このため、水蒸気が接着剤膜6でブロックされる結果、ガスバリア吸湿膜3の側面からの水蒸気の侵入が相対的に阻止されやすくなるとともに、ガスバリア吸湿膜3は、基材2を通過して被封止物5に侵入しようとする水蒸気を主に吸着することができるようになる。   The mechanism for blocking water vapor entering from the side surface of the gas barrier moisture-absorbing film 3 in the sealing body 10A will be described in more detail. As shown by the arrows in FIG. 7, the water vapor is transferred from the adhesive film 6 present at the interface where the substrate 7 and the gas barrier sheet 1 </ b> C are contacted to the gas barrier moisture absorption film 3 having a region C that actively adsorbs water vapor. Try to invade. However, since the adhesive film 6 is formed thin and does not include a hygroscopic material such as alkaline earth metal or alkaline earth metal oxide particles, as will be described later, it is relatively difficult for water vapor to enter. It has become. For this reason, as a result of the water vapor being blocked by the adhesive film 6, the intrusion of water vapor from the side surface of the gas barrier hygroscopic film 3 is relatively easily prevented, and the gas barrier hygroscopic film 3 passes through the substrate 2 and is covered. It becomes possible to mainly adsorb water vapor entering the sealing material 5.

封止体10Aを構成する各要素につき以下に説明する。   Each element constituting the sealing body 10A will be described below.

基板7は、被封止物5を支持しつつ、所定のガスバリア性を有すればよく、特に制限はない。こうした基板7としては、例えば、ガラス基板、ガスバリア性シート等を挙げることができる。ガスバリア性シートを用いる場合には、本発明において用いるガスバリア性シートを適宜用いてもよいし、通常のガスバリア性シートを用いてもよい。なお、ガスバリア吸湿膜が所定の大きさに形成されたガスバリア性シートを用いる場合には、ガスバリア吸湿膜の大きさを被封止物5の下面の大きさと同程度とすればよい。こうすることで、基板7においてもガスバリア吸湿膜の側面からの水蒸気の侵入が抑制されてガスバリア性をより確保しやすくなる。   The board | substrate 7 should just have predetermined | prescribed gas barrier property, supporting the to-be-sealed thing 5, and there is no restriction | limiting in particular. Examples of such a substrate 7 include a glass substrate and a gas barrier sheet. In the case of using a gas barrier sheet, the gas barrier sheet used in the present invention may be appropriately used, or a normal gas barrier sheet may be used. In addition, when using the gas barrier sheet | seat in which the gas barrier moisture absorption film | membrane was formed in the predetermined | prescribed magnitude | size, what is necessary is just to make the magnitude | size of a gas barrier moisture absorption film | membrane the same size as the size of the lower surface of the to-be-sealed thing 5. FIG. By doing so, also in the substrate 7, the invasion of water vapor from the side surface of the gas barrier moisture absorption film is suppressed, and it becomes easier to secure the gas barrier property.

基板7は、陽極11を透明電極としてその上に形成する場合には、透明であることが好ましい。具体的には、例えば可視光の範囲内での基板7の全光線透過度が80%以上の透明性を有するように構成することが好ましい。   The substrate 7 is preferably transparent when the anode 11 is formed thereon as a transparent electrode. Specifically, for example, the total light transmittance of the substrate 7 in the visible light range is preferably configured to have a transparency of 80% or more.

基板7の厚さは、通常25μm以上、好ましくは50μm以上、また、通常1mm以下、好ましくは300μm以下、より好ましくは200μm以下とする。この範囲とすれば、被封止物5を支持できる程度の機械的強度を保持することができる。   The thickness of the substrate 7 is usually 25 μm or more, preferably 50 μm or more, and usually 1 mm or less, preferably 300 μm or less, more preferably 200 μm or less. If it is this range, the mechanical strength of the grade which can support the to-be-sealed thing 5 can be hold | maintained.

被封止物5は、有機ELディスプレイ素子である。被封止物5を有機ELディスプレイ素子とすると、高いガスバリア性を必要とする被封止物5を採用することになり、その結果本発明を適用する意義が大きくなる。但し、被封止物5は、有機ELディスプレイ素子に限られない。すなわち、高いガスバリア性を必要とするものであれば特に制限はなく、被封止物として液晶ディスプレイ素子や太陽電池素子を用いることも好ましい。液晶ディスプレイ素子や太陽電池素子も高いガスバリア性を必要とする被封止物となるので、本発明のガスバリア性シートを適用する意義が大きくなる。   The sealed object 5 is an organic EL display element. When the object to be sealed 5 is an organic EL display element, the object to be sealed 5 that requires high gas barrier properties is adopted, and as a result, the significance of applying the present invention increases. However, the sealed object 5 is not limited to the organic EL display element. That is, there is no particular limitation as long as a high gas barrier property is required, and it is also preferable to use a liquid crystal display element or a solar cell element as an object to be sealed. Since the liquid crystal display element and the solar cell element also become objects to be sealed that require high gas barrier properties, the significance of applying the gas barrier sheet of the present invention is increased.

被封止物5は、有機ELディスプレイ素子の通常の構成を有し、陽極11、正孔輸送層12、発光層13、及び陰極14からなる。こうした各層の構成は従来公知のものを適宜用いればよい。   The sealed object 5 has a normal configuration of an organic EL display element, and includes an anode 11, a hole transport layer 12, a light emitting layer 13, and a cathode 14. A conventionally well-known structure may be appropriately used for each layer.

陽極11は、正孔輸送層12に正孔を供給する電極としての機能を有していればよい。このため、陽極11の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ELディスプレイ素子の用途、目的に応じて、従来公知の材料を適宜用いればよい。ディスプレイの視認性のために、陽極11を透明電極とすることが多いので、陽極11の材料としては、通常ITO又はIZOが使用される。陽極11は、上記の材料を、スパッタリング法等により基板7上の所定位置に成膜することによって形成することができる。また、必要に応じて、エッチングによるパターニングを行ってもよい。陽極11の厚さは、透明性と導電性とを兼ね備えるために、薄膜の光学干渉を考慮して、通常140nm以上、160nm以下とする。   The anode 11 only needs to have a function as an electrode for supplying holes to the hole transport layer 12. For this reason, there is no restriction | limiting in particular about the shape of the anode 11, a structure, a magnitude | size, etc., A conventionally well-known material should just be used suitably according to the use and objective of an organic EL display element. Since the anode 11 is often a transparent electrode for the visibility of the display, ITO or IZO is usually used as the material of the anode 11. The anode 11 can be formed by depositing the above material at a predetermined position on the substrate 7 by sputtering or the like. Moreover, you may perform the patterning by an etching as needed. The thickness of the anode 11 is usually set to 140 nm or more and 160 nm or less in consideration of optical interference of the thin film in order to have both transparency and conductivity.

正孔輸送層12は、陽極11から正孔を受け取り発光層13へと輸送する機能を有する。こうした正孔輸送層12は、従来公知の正孔輸送機能を有する材料を含有させればよい。こうした材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体等の各種の誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン等を挙げることができる。これら材料のうち、工業的な点から好ましいのは、フェニレンジアミン誘導体であり、より具体的には、α−ナフチルフェニルジアミン(α−NPD)である。こうした正孔輸送層12は、例えば、真空蒸着法等の従来公知の製法により陽極11上に成膜することによって形成することができる。正孔輸送層12の厚さは、通常1nm以上、100nm以下とする。   The hole transport layer 12 has a function of receiving holes from the anode 11 and transporting them to the light emitting layer 13. Such a hole transport layer 12 may contain a conventionally known material having a hole transport function. Examples of such materials include various derivatives such as carbazole derivatives, triazole derivatives, phenylenediamine derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, organosilane derivatives, carbon, and the like. Can be mentioned. Among these materials, a phenylenediamine derivative is preferable from an industrial point of view, and more specifically, α-naphthylphenyldiamine (α-NPD). Such a hole transport layer 12 can be formed, for example, by forming a film on the anode 11 by a conventionally known production method such as a vacuum deposition method. The thickness of the hole transport layer 12 is usually 1 nm or more and 100 nm or less.

発光層13は、電界印加時に、陽極11及び正孔輸送層12から正孔を受け取り、陰極14から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する。発光層13は、従来公知の材料から構成することができる。例えば、発光層13は、発光材料のみで構成されていてもよく、発光材料とホスト材料との混合層とした構成でもよい。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料でもよいが、ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であってもよく、2種類以上用いる場合は、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げることができる。さらに、発光層13中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。また、発光層13は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。   The light emitting layer 13 has a function of receiving holes from the anode 11 and the hole transport layer 12, receiving electrons from the cathode 14, and providing a field for recombination of holes and electrons to emit light when an electric field is applied. The light emitting layer 13 can be comprised from a conventionally well-known material. For example, the light emitting layer 13 may be composed only of a light emitting material, or may be a mixed layer of a light emitting material and a host material. The light emitting material may be a fluorescent light emitting material or a phosphorescent light emitting material, but the host material is preferably a charge transport material. The host material may be one type or two or more types. When two or more types are used, for example, a configuration in which an electron transporting host material and a hole transporting host material are mixed can be given. Furthermore, the light emitting layer 13 may include a material that does not have charge transporting properties and does not emit light. Further, the light emitting layer 13 may be one layer or two or more layers, and each layer may emit light in different emission colors.

発光材料に用いる蛍光発光材料としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体等の各種の誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。これら材料のうち、工業的な点から好ましいのは、8−キノリノール誘導体の金属錯体であり、より具体的には、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)である。   Examples of the fluorescent light-emitting material used for the light-emitting material include various derivatives such as benzoxazole derivatives, aromatic dimethylidin compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives and various metal complexes represented by metal complexes of pyromethene derivatives, polythiophene, Examples include polymer compounds such as polyphenylene and polyphenylene vinylene, and compounds such as organic silane derivatives. Among these materials, a metal complex of 8-quinolinol derivative is preferable from an industrial point of view, and more specifically, tris (8-quinolinol) aluminum (Alq3).

発光材料に用いる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。また、ホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するもの等を挙げることができる。   Examples of the phosphorescent light emitting material used for the light emitting material include complexes containing a transition metal atom or a lanthanoid atom. Examples of the host material include those having a carbazole skeleton, those having a diarylamine skeleton, those having a pyridine skeleton, those having a pyrazine skeleton, those having a triazine skeleton, and those having an arylsilane skeleton. Can do.

発光層13は、例えば、真空蒸着法等により正孔輸送層12上に成膜することによって形成することができる。発光層13の厚さは、通常1nm以上、100nm以下とする。   The light emitting layer 13 can be formed, for example, by forming a film on the hole transport layer 12 by a vacuum deposition method or the like. The thickness of the light emitting layer 13 is usually 1 nm or more and 100 nm or less.

陰極14は、発光層13に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。このため、陰極14の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機ELディスプレイ素子の用途、目的に応じて、公知の材料を適宜用いればよい。   The cathode 14 only needs to have a function as an electrode for injecting electrons into the light emitting layer 13. For this reason, there is no restriction | limiting in particular about the shape of the cathode 14, a structure, a magnitude | size, etc., What is necessary is just to use a well-known material suitably according to the use and objective of an organic EL display element.

陰極14は、通常金属電極として用いられる。こうした陰極14を構成する材料としては、例えば、金属、合金等を挙げることができる。より具体的には、MgやCa等の第2族元素の金属、金、銀、鉛、アルミニウム、インジウム、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、イッテルビウム等の希土類金属等を挙げることができる。これら材料のうち、アルミニウムを用いることが好ましい。また、安定性や電子注入性を考慮して、上記の材料を2種類以上併用して用いてもよく、この場合、好ましくはカルシウム及び銀を用いる。   The cathode 14 is usually used as a metal electrode. Examples of the material constituting the cathode 14 include metals and alloys. More specifically, examples include metals of Group 2 elements such as Mg and Ca, rare earth metals such as gold, silver, lead, aluminum, indium, lithium-aluminum alloy, magnesium-silver alloy, and ytterbium. Of these materials, aluminum is preferably used. In consideration of stability and electron injection properties, two or more of the above materials may be used in combination. In this case, calcium and silver are preferably used.

陰極14の厚さは、陰極14を構成する材料により適宜選択することができ、通常10nm以上、好ましくは50nm以上、また、通常5μm以下、好ましくは1μm以下とする。陰極14は、透明でも不透明であってもよいが、陰極14を透明とする場合、厚さを1nm以上10nm以下と薄くするか、ITOやIZO等の透明な導電性材料を用いればよい。陰極14は、真空蒸着法等を用いて発光層13上に成膜することによって形成することができる。   The thickness of the cathode 14 can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode 14, and is usually 10 nm or more, preferably 50 nm or more, and usually 5 μm or less, preferably 1 μm or less. The cathode 14 may be transparent or opaque, but when the cathode 14 is transparent, the thickness may be reduced to 1 nm or more and 10 nm or less, or a transparent conductive material such as ITO or IZO may be used. The cathode 14 can be formed by forming a film on the light emitting layer 13 using a vacuum deposition method or the like.

被封止物5の有機ELディスプレイ素子には、以上説明した各層の他、有機ELディスプレイ素子に求められる機能により、さらに他の層を付加することもできる。こうした層としては、例えば、電子輸送層、電荷ブロック層、及び電子注入層を挙げることができる。さらに、有機ELディスプレイ素子上に封止膜を設けてもよい。封止膜としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸窒化ケイ素等の無機薄膜を用いることが好ましく、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素の無機薄膜を用いることがより好ましい。これは、ガラスや金属を用いるよりも、軽量で安価に封止することが可能となるからである。   In addition to the above-described layers, other layers can be added to the organic EL display element of the object to be sealed 5 according to functions required for the organic EL display element. Examples of such a layer include an electron transport layer, a charge blocking layer, and an electron injection layer. Further, a sealing film may be provided on the organic EL display element. As the sealing film, an inorganic thin film such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride is preferably used, and an inorganic thin film of silicon nitride or silicon oxynitride is more preferably used. This is because it is possible to seal lightly and inexpensively than using glass or metal.

ガスバリア性シート1Cは、基板7上に配置された被封止物5の少なくとも上面及び側面を封止するために用いられ、ガスバリア吸湿膜3が被封止物5の上面及び側面を被覆する大きさに形成されているものである。より具体的には、ガスバリア吸湿膜3が被封止物5の上面及び側面を覆うようにして、ガスバリア性シート1Cが被封止物5を封止している。こうしたガスバリア性シート1Cについては既に説明したとおりであるので、説明の重複を避けるためにここでの説明は省略する。   The gas barrier sheet 1 </ b> C is used for sealing at least the upper surface and the side surface of the object to be sealed 5 disposed on the substrate 7, and the gas barrier moisture absorption film 3 covers the upper surface and the side surface of the object to be sealed 5. That is what is formed. More specifically, the gas barrier sheet 1 </ b> C seals the object to be sealed 5 such that the gas barrier hygroscopic film 3 covers the upper surface and the side surface of the object to be sealed 5. Since such a gas barrier sheet 1C has already been described, its description is omitted here to avoid duplication of explanation.

接着剤膜6は、ガスバリア性シート1Cと、被封止物5周辺の基板7表面とを接着するために用いられるものである。より詳しくは、接着剤膜6は、ガスバリア性シート1Cのガスバリア吸湿膜3が形成されていない領域と、基材7とを接着するために用いられるものであればよく、特に制限はない。こうした接着剤膜6に用いる材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、瞬間接着剤等を挙げることができる。より具体的には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル樹脂、及びポリエステル樹脂等を挙げることができる。これら材料のうち、透湿度が低く、耐熱性が良好となる観点から、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びアクリロニトリル樹脂を用いることが好ましい。   The adhesive film 6 is used for bonding the gas barrier sheet 1C and the surface of the substrate 7 around the object 5 to be sealed. More specifically, the adhesive film 6 is not particularly limited as long as it is used for bonding the region where the gas barrier moisture absorption film 3 of the gas barrier sheet 1C is not formed and the base material 7. Examples of the material used for the adhesive film 6 include a thermosetting resin, a photocurable resin, and an instantaneous adhesive. More specifically, an epoxy resin, an acrylic resin, an acrylonitrile resin, a polyester resin, etc. can be mentioned, for example. Of these materials, it is preferable to use an epoxy resin, an acrylic resin, and an acrylonitrile resin from the viewpoint of low moisture permeability and good heat resistance.

接着剤膜6は、通常、所定の粘度を有する接着剤をスピンコート法、ダイコート法等で、基板7の表面のうち、被封止物5の周辺に塗布した後、ガスバリア性シート1Aを被覆して、硬化させることによって形成できる。接着剤膜6の厚さは、通常100nm以上、また、通常1μm以下、好ましくは500nm以下とする。   The adhesive film 6 is usually coated with a gas barrier sheet 1A after applying an adhesive having a predetermined viscosity around the object to be sealed 5 on the surface of the substrate 7 by spin coating or die coating. And can be formed by curing. The thickness of the adhesive film 6 is usually 100 nm or more, and usually 1 μm or less, preferably 500 nm or less.

図8は、本発明の封止体の他の一例を示す模式的な断面図である。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing another example of the sealing body of the present invention.

封止体10Bは、基板7と、基板7上に配置された被封止物5と、被封止物5上に配置された、ガスバリア性シート1Dと、を有し、ガスバリア性シート1Dのガスバリア吸湿膜3が、被封止物5の上面及び側面を被覆している。これにより、ガスバリア吸湿膜3が分離しにくくなるとともに、被封止物5内へ水蒸気や酸素等のガスが侵入しにくくなり、その結果、より高いガスバリア性を有する構造の封止体10Bを提供することができる。   The sealing body 10B includes a substrate 7, an object 5 to be sealed disposed on the substrate 7, and a gas barrier sheet 1D disposed on the object 5 to be sealed. The gas barrier moisture absorption film 3 covers the upper surface and side surfaces of the object 5 to be sealed. This makes it difficult for the gas barrier hygroscopic film 3 to be separated and makes it difficult for gases such as water vapor and oxygen to enter the sealed object 5, thereby providing a sealed body 10 </ b> B having a higher gas barrier property. can do.

封止体10Bは、封止体10Aにおいてガスバリア性シート1Cの代わりにガスバリア性シート1Dを用いたものである。すなわち、封止体10Bにおいては、ガスバリア吸湿膜3の上にガスバリア膜4が設けられたガスバリア性シート1Dを用いている。ここで、基材2の上にガスバリア吸湿膜3が全面に設けられ、ガスバリア吸湿膜3の上にガスバリア膜4が全面に設けられたガスバリア性シート1Dを用いる場合は、水蒸気や酸素がガスバリア吸湿膜3の側面から侵入して、領域Cの体積が膨張する傾向が強くなる。しかしながら、領域Bの追従によって領域Cと領域Aとの分離が抑制されるとともに、ガスバリア吸湿膜3上の全面にガスバリア膜4が設けられているので、被封止物5にも水蒸気が侵入しにくくなっている。   The sealing body 10B uses a gas barrier sheet 1D instead of the gas barrier sheet 1C in the sealing body 10A. That is, in the sealing body 10B, the gas barrier sheet 1D in which the gas barrier film 4 is provided on the gas barrier hygroscopic film 3 is used. Here, in the case of using the gas barrier sheet 1D in which the gas barrier hygroscopic film 3 is provided on the entire surface of the substrate 2 and the gas barrier film 4 is provided on the entire surface of the gas barrier hygroscopic film 3, water vapor and oxygen are absorbed by the gas barrier. There is a strong tendency for the volume of the region C to expand from the side surface of the film 3. However, the separation of the region C and the region A is suppressed by following the region B, and the gas barrier film 4 is provided on the entire surface of the gas barrier hygroscopic film 3, so that water vapor enters the sealed object 5. It has become difficult.

なお、封止体10Bでは、ガスバリア性シートとして、ガスバリア性シート1Aにガスバリア膜4を付与したガスバリア性シート1Dを用いている。しかし、ガスバリア性シートはこうした態様に限られるものではなく、例えば、ガスバリア性シート1B,1Cのガスバリア吸湿膜3の上にガスバリア膜を設けたものを用いてもよい。例えば、ガスバリア性シート1Cにガスバリア膜を付与したガスバリア性シートを用いる場合には、ガスバリア吸湿膜3と、このガスバリア吸湿膜3の周囲の基材2の表面をガスバリア膜が覆うことになる。   In the sealing body 10B, a gas barrier sheet 1D obtained by adding the gas barrier film 4 to the gas barrier sheet 1A is used as the gas barrier sheet. However, the gas barrier sheet is not limited to such an embodiment, and for example, a sheet in which a gas barrier film is provided on the gas barrier hygroscopic film 3 of the gas barrier sheets 1B and 1C may be used. For example, when a gas barrier sheet provided with a gas barrier film on the gas barrier sheet 1C is used, the gas barrier film covers the gas barrier hygroscopic film 3 and the surface of the base material 2 around the gas barrier hygroscopic film 3.

封止体10Bを構成する各要素や、ガスバリア性シート1Dについてはすでに説明したとおりであるから、説明の重複を避けるため、ここでの説明は省略する。   Since each element constituting the sealing body 10B and the gas barrier sheet 1D are as already described, the description here is omitted to avoid duplication of explanation.

図9は、本発明の封止体の他の一例を示す模式的な断面図である。   FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing another example of the sealing body of the present invention.

封止体10Cは、基板7と、基板7上に配置された被封止物5と、被封止物5上に配置された、ガスバリア性シート1C’と、を有し、ガスバリア性シート1C’のガスバリア吸湿膜3が、被封止物5の上面及び側面を被覆している。ガスバリア性シート1C’では平坦化膜15を用いているので、これにより、ガスバリア吸湿膜3の平坦性が向上し、その結果、封止体10Cのガスバリア性をより向上させやすくなる。   10 C of sealing bodies have the board | substrate 7, the to-be-sealed object 5 arrange | positioned on the board | substrate 7, and gas-barrier sheet | seat 1C 'arrange | positioned on the to-be-sealed object 5, and gas-barrier sheet | seat 1C The gas barrier hygroscopic film 3 of 'covers the upper surface and side surface of the object 5 to be sealed. Since the planarizing film 15 is used in the gas barrier sheet 1C ′, this improves the planarity of the gas barrier hygroscopic film 3, and as a result, it becomes easier to improve the gas barrier property of the sealing body 10C.

封止体10Cは、基材2とガスバリア吸湿膜3との間に平坦化膜15が設けられているガスバリア性シート1C’を用いていること以外は、封止体10Aと同様とすればよく、ガスバリア性シート1C’についてもすでに説明したとおりである。そこで、説明の重複をさけるため、ここでの説明は省略する。   The sealing body 10C may be the same as the sealing body 10A, except that the gas barrier sheet 1C ′ in which the planarizing film 15 is provided between the substrate 2 and the gas barrier moisture absorption film 3 is used. The gas barrier sheet 1C ′ is also as already described. Therefore, in order to avoid duplication of explanation, explanation here is omitted.

(装置)
本発明の装置は、本発明の封止体を有する。これにより、被封止物内に侵入する水蒸気や酸素等のガスが侵入しにくくなり、その結果、より高いガスバリア性を有する構造の装置を提供することができる。こうした装置としては、例えば、有機ELディスプレイ、液晶ディスプレイ、又は太陽電池を挙げることができる。これら装置は、吸湿により被封止物たる有機ELディスプレイ素子、液晶ディスプレイ素子、及び太陽電池素子が劣化しやすい性質を有するので、本発明の封止体を用いる意義が大きい。
(apparatus)
The apparatus of this invention has the sealing body of this invention. This makes it difficult for gases such as water vapor and oxygen that enter the object to be sealed to enter, and as a result, an apparatus having a structure having higher gas barrier properties can be provided. Examples of such a device include an organic EL display, a liquid crystal display, and a solar cell. Since these devices have the property that the organic EL display element, the liquid crystal display element, and the solar cell element, which are objects to be sealed, easily deteriorate due to moisture absorption, the use of the sealing body of the present invention is significant.

上記装置のうち、有機ELディスプレイは、上記説明した本発明の封止体を用いる以外は、従来公知の部材、部品等を用いればよい。また製造方法についても従来公知の方法を適宜用いることができる。また、液晶ディスプレイや太陽電池についても、上記説明した本発明の封止体を用いる以外は、従来公知の部材、部品等を用いればよい。また製造方法についても従来公知の方法を適宜用いることができる。   Among the above devices, the organic EL display may use conventionally known members, components, etc., except that the above-described sealing body of the present invention is used. Moreover, a conventionally well-known method can be used suitably also about a manufacturing method. In addition, as for the liquid crystal display and the solar cell, conventionally known members and components may be used except that the above-described sealing body of the present invention is used. Moreover, a conventionally well-known method can be used suitably also about a manufacturing method.

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

(実施例1)
(ガスバリア性シート、封止体の製造)
基板として厚さ0.7mmのガラス基板を用い、被封止物として有機ELディスプレイ素子を用いた。具体的には、上記のガラス基板上に、ITOをスパッタリング法で成膜した後、エッチングによりパターンニングして透明電極(陽極)を形成した。そして、陽極上に蒸着法により正孔輸送層、発光層、及び金属電極(陰極)を順次形成した。ここで、正孔輸送層の材料としてはα−ナフチルフェニルジアミン(α−NPD)を、発光層の材料としてはトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)を、金属電極(陰極)の材料としてカルシウム及び銀を用いた。
Example 1
(Manufacture of gas barrier sheet and sealing body)
A glass substrate having a thickness of 0.7 mm was used as the substrate, and an organic EL display element was used as the object to be sealed. Specifically, an ITO film was formed on the glass substrate by a sputtering method, and then patterned by etching to form a transparent electrode (anode). Then, a hole transport layer, a light emitting layer, and a metal electrode (cathode) were sequentially formed on the anode by vapor deposition. Here, α-naphthylphenyldiamine (α-NPD) is used as the material for the hole transport layer, tris (8-quinolinol) aluminum (Alq3) is used as the material for the light emitting layer, and calcium is used as the material for the metal electrode (cathode). And silver were used.

ガスバリア性シートは、基材、平坦化膜、ガスバリア吸湿膜、及びガスバリア膜の4層構造のものを用いた。   As the gas barrier sheet, a four-layer structure of a base material, a planarizing film, a gas barrier hygroscopic film, and a gas barrier film was used.

基材としては、厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(A4100、東洋紡績株式会社製)を用いた。このポリエチレンテレフタレートフィルムは、巻取り成膜機構を有する製造装置を用いることとの関係で、製造時は長尺の基材フィルムとしての形態で用い、平坦化膜、ガスバリア吸湿膜等を形成後、最終的には1つ1つのガスバリア性シートの形状に切り出すことによって実験に用いた。   As the substrate, a polyethylene terephthalate film (A4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm was used. This polyethylene terephthalate film is used in the form of a long base film at the time of manufacture in relation to using a manufacturing apparatus having a winding film forming mechanism, and after forming a flattened film, a gas barrier hygroscopic film, etc. Finally, it was used in the experiment by cutting out into the shape of each gas barrier sheet.

平坦化膜形成工程においては、巻取り成膜機構を有するダイコート装置を用い、ダイコート法により液体状のアクリル樹脂の材料(OELV3、ザ・インクテック株式会社製)を基材上に塗布した後、ヒュージョン Hバルブ 300mJの条件下で硬化させることにより、厚さ2μmの平坦化膜を形成した。   In the flattening film forming process, after applying a liquid acrylic resin material (OELV3, manufactured by The Inktec Co., Ltd.) on a substrate by a die coating method using a die coating apparatus having a winding film forming mechanism, Fusion H bulb By curing under the condition of 300 mJ, a flattened film having a thickness of 2 μm was formed.

ガスバリア吸湿膜形成工程においては、図6に示す作製装置40を用い、平坦化膜が形成された基材フィルムを供給装置43と巻取装置44に装着して、第1の成膜用ターゲット42AにSiNで構成されるターゲットを用い、第2の成膜用ターゲット42BにMgOで構成されるターゲットを用いて、スパッタリング法でガスバリア吸湿膜を形成した。すなわち、第1の材料として窒化ケイ素を用い、第2の材料として酸化マグネシウムを用いている。   In the gas barrier hygroscopic film forming step, using the production apparatus 40 shown in FIG. 6, the base film on which the planarized film is formed is mounted on the supply apparatus 43 and the winding apparatus 44, and the first film formation target 42 </ b> A. A gas barrier hygroscopic film was formed by sputtering using a target composed of SiN and a target composed of MgO as the second deposition target 42B. That is, silicon nitride is used as the first material and magnesium oxide is used as the second material.

第1成膜工程は、平坦化膜が形成された基材フィルム上に窒化ケイ素をスパッタリング法により成膜することにより、所定の厚さの領域A(SiNの組成でc=1、d=0.2)を形成した。ここで、スパッタリング法の条件は、成膜圧力:0.2Pa、Ar:40sccm、N:30sccm、印加周波数:13.56MHz、印加電力:1.47kWとした。 In the first film forming step, silicon nitride is formed on the base film on which the planarizing film is formed by a sputtering method, whereby a region A having a predetermined thickness (c = 1, with a composition of SiN c O d , d = 0.2). Here, the conditions of the sputtering method were set to film forming pressure: 0.2 Pa, Ar: 40 sccm, N 2 : 30 sccm, applied frequency: 13.56 MHz, applied power: 1.47 kW.

第2成膜工程は、第1の成膜用ターゲット42Aからはじき出される元素(ケイ素、窒素)と、第2の成膜用ターゲット42Bからはじき出される元素(マグネシウム、酸素)と、を同時に領域A上に堆積させて所定の厚さの領域Bを形成した。   In the second film formation step, an element (silicon, nitrogen) ejected from the first film formation target 42A and an element (magnesium, oxygen) ejected from the second film formation target 42B are simultaneously formed on the region A. A region B having a predetermined thickness was formed by depositing on the substrate.

そして、第3成膜工程は、領域B上に酸化マグネシウム(MgO)をスパッタリング法により成膜することにより、所定の厚さの領域C(MgOの組成でe=0.9)を形成した。ここで、スパッタリング法の条件は、成膜圧力:0.2Pa、Ar:40sccm、印加周波数:13.56MHz、印加電力:2kWとした。 Then, in the third film forming step, magnesium oxide (MgO) was formed on the region B by a sputtering method, thereby forming a region C having a predetermined thickness (e = 0.9 in the composition of MgO e ). . Here, the conditions of the sputtering method were set to film forming pressure: 0.2 Pa, Ar: 40 sccm, applied frequency: 13.56 MHz, and applied power: 2 kW.

次いで、ガスバリア吸湿膜の全面に、酸窒化ケイ素をスパッタリング法により成膜することにより、厚さ70nmのガスバリア膜(SiNの組成でc=1、d=0.2)を形成した。ここで、スパッタリング法の条件は、成膜圧力:0.2Pa、Ar:40sccm、N:30sccm、印加周波数:13.56MHz、印加電力:1.47kWとした。以上を経てガスバリア性シートを製造した。 Then, a silicon oxynitride film was formed on the entire surface of the gas barrier hygroscopic film by a sputtering method to form a gas barrier film having a thickness of 70 nm (c = 1, d = 0.2 in the composition of SiN c O d ). Here, the conditions of the sputtering method were set to film forming pressure: 0.2 Pa, Ar: 40 sccm, N 2 : 30 sccm, applied frequency: 13.56 MHz, applied power: 1.47 kW. Through the above, a gas barrier sheet was produced.

次いで、基板上に形成された有機ELディスプレイ素子の周辺の基板表面に、接着剤をスピンコート法で塗布した。そして、有機ELディスプレイ素子の上面、すなわち金属電極(陰極)の表面と、側面とがガスバリア吸湿膜(ガスバリア膜)で覆われるようにして、有機ELディスプレイ素子全体にガスバリア性シートをかぶせた。そして、接着剤を硬化させることにより、ガスバリア性シートと、有機ELディスプレイ素子の周辺の基板表面と、を接着した。ここで、接着剤としては、UV硬化型エポキシ樹脂を用いた。以上を経て封止体を製造した。   Next, an adhesive was applied to the substrate surface around the organic EL display element formed on the substrate by a spin coating method. Then, the entire surface of the organic EL display element was covered with a gas barrier sheet so that the upper surface of the organic EL display element, that is, the surface and side surface of the metal electrode (cathode) was covered with a gas barrier hygroscopic film (gas barrier film). And the gas barrier sheet | seat and the board | substrate surface of the periphery of an organic electroluminescent display element were adhere | attached by hardening an adhesive agent. Here, a UV curable epoxy resin was used as the adhesive. The sealing body was manufactured through the above.

(組成の分析)
ガスバリア吸湿膜やガスバリア膜の組成、より具体的にはSi,C,N,O,アルカリ土類金属(Mg)の原子数比は、XPS(VG Scientific社製ESCA LAB220i−XL)により測定した。X線源としては、Ag−3d−5/2ピーク強度が300Kcps〜1McpsとなるX線源であるAlKα線を用い、直径約1mmのスリットを使用した。測定は、測定に供した試料面の法線上に検出器をセットした状態で行い、適正な帯電補正を行った。測定後の解析は、上述のXPS装置に付属されたソフトウエアEclipseバージョン2.1を使用し、Si:2p、C:1s、N:1s、O:1s、Mg:2pのバインディングエネルギーに相当するピークを用いて行った。このとき、各ピークに対して、シャーリーのバックグラウンド除去を行い、ピーク面積に各元素の感度係数補正(C=1.0に対して、Si=0.87、N=1.77、O=2.85、Mg=0.36)を行い、原子数比を求めた。得られた原子数比について、Si原子数を1とし、他の成分であるC,N,O,Mgの原子数を算出して成分割合とした。
(Analysis of composition)
The composition of the gas barrier hygroscopic film and the gas barrier film, more specifically, the atomic ratio of Si, C, N, O, and alkaline earth metal (Mg) was measured by XPS (ESCA LAB220i-XL manufactured by VG Scientific). As the X-ray source, AlKα ray which is an X-ray source having an Ag-3d-5 / 2 peak intensity of 300 Kcps to 1 Mcps was used, and a slit having a diameter of about 1 mm was used. The measurement was performed with the detector set on the normal line of the sample surface used for the measurement, and appropriate charge correction was performed. The analysis after the measurement uses the software Eclipse version 2.1 attached to the above-mentioned XPS apparatus, and corresponds to the binding energy of Si: 2p, C: 1s, N: 1s, O: 1s, Mg: 2p. Performed using peaks. At this time, the background of Shirley is removed for each peak, and the sensitivity coefficient correction of each element is performed on the peak area (Si = 0.87, N = 1.77, O = for C = 1.0). 2.85, Mg = 0.36), and the atomic ratio was determined. About the obtained atomic ratio, the number of Si atoms was set to 1, and the number of atoms of C, N, O, and Mg which are other components was calculated, and it was set as the component ratio.

ガスバリア吸湿膜の下面から上面までの厚さ方向の組成分析は、ガスバリア膜を形成する前の段階の平坦化膜上にガスバリア吸湿膜のみが形成されたサンプルを用意し、ガスバリア吸湿膜の上面にArイオンによるエッチングを施してガスバリア膜を徐々に削っていき、削りながら経時的に削り出されたガスバリア吸湿膜の表面の組成を上記XPSによって測定することによって行った。より具体的には、エッチング時間を60秒とし、エッチング前後の待機時間を20秒とし、X線源をAlKα線とし、測定元素はSiとMgとし、測定の繰り返し回数は10回とした。厚さ方向におけるSiの原子数比を1としてガスバリア吸湿膜の厚さ方向に対する組成の変化を分析した。得られたデータを、表−1に示す。表−1には、厚さ方向におけるMgの原子数比を1とした場合における、ガスバリア吸湿膜の厚さ方向に対する組成の変化も示した。   The composition analysis in the thickness direction from the lower surface to the upper surface of the gas barrier hygroscopic film is prepared by preparing a sample in which only the gas barrier hygroscopic film is formed on the planarized film before the gas barrier film is formed. Etching with Ar ions was performed to gradually scrape the gas barrier film, and the composition of the surface of the gas barrier hygroscopic film that was shaved over time while being shaved was measured by the XPS. More specifically, the etching time was 60 seconds, the waiting time before and after etching was 20 seconds, the X-ray source was AlKα radiation, the measurement elements were Si and Mg, and the number of measurement repetitions was 10. The compositional change with respect to the thickness direction of the gas barrier moisture absorption film was analyzed with the atomic ratio of Si in the thickness direction being 1. The obtained data is shown in Table-1. Table 1 also shows the change in composition with respect to the thickness direction of the gas barrier moisture absorption film when the atomic ratio of Mg in the thickness direction is 1.

Figure 0005246082
Figure 0005246082

表−1の結果からわかるように、0(領域Aの端部)〜0.3の厚さの部分は領域Aとみることができ、0.3〜0.7の厚さの部分は領域Bとみることができ、0.8〜1の厚さの部分は領域Cとみることができる。   As can be seen from the results in Table 1, a portion having a thickness of 0 (end of region A) to 0.3 can be regarded as a region A, and a portion having a thickness of 0.3 to 0.7 is a region. B can be seen, and a portion with a thickness of 0.8-1 can be seen as region C.

(発光特性の評価)
封止体の発光特性は以下のように評価した。すなわち、封止体を常温/常湿の環境下で5日間保存した後、有機ELディスプレイ素子の発光特性を確認したところ、水蒸気の侵入によるダークスポットは発生せず、良好な発光特性が得られた。
(Evaluation of luminous characteristics)
The light emission characteristics of the sealing body were evaluated as follows. That is, after the sealed body was stored for 5 days in a room temperature / humidity environment, the light emission characteristics of the organic EL display element were confirmed. As a result, no dark spots were generated due to intrusion of water vapor, and good light emission characteristics were obtained. It was.

(ガスバリア吸湿膜の分離性の評価)
ガスバリア膜を形成する前の段階の平坦化膜上にガスバリア吸湿膜のみが形成されたサンプルを用意し、以下の評価を行うことにより、ガスバリア吸湿膜の領域Aと領域Cとの状態を観察した。すなわち、上記サンプルを、40℃/90%RHの環境下に5日保存した後に、ガスバリア吸湿膜の様子を観察した。その結果、特に外観上の変化はなく、領域Aと領域Cとの分離は観察されなかった。
(Evaluation of gas barrier hygroscopic membrane separation)
A sample in which only the gas barrier hygroscopic film was formed on the planarizing film at the stage before forming the gas barrier film was prepared, and the following evaluation was performed to observe the state of the region A and the region C of the gas barrier hygroscopic film. . That is, after the sample was stored for 5 days in an environment of 40 ° C./90% RH, the appearance of the gas barrier moisture absorption film was observed. As a result, there was no particular change in appearance, and no separation between region A and region C was observed.

(実施例2)
ガスバリア性シートの製造のガスバリア吸湿膜形成工程において、酸化マグネシウムを酸化カルシウムとしたことや成膜条件を適宜調整したこと以外は、実施例1と同様にして封止体を製造した。なお、XPS測定は、Ca:2pのバインディングエネルギーに相当するピークを用い、感度係数補正はCa=5.07とした。その結果、領域Cの組成は、CaOの組成でe=0.9であった。また、厚さ方向におけるSiの原子数比を1としてガスバリア吸湿膜の厚さ方向に対する組成の変化を実施例1と同様にして分析した。得られたデータを、表−2に示す。
(Example 2)
A sealed body was manufactured in the same manner as in Example 1 except that in the gas barrier hygroscopic film forming step of manufacturing the gas barrier sheet, magnesium oxide was changed to calcium oxide and the film forming conditions were appropriately adjusted. In the XPS measurement, a peak corresponding to the binding energy of Ca: 2p was used, and the sensitivity coefficient correction was Ca = 5.07. As a result, the composition of the region C was e = 0.9 in terms of the composition of CaO e . Further, the change in the composition in the thickness direction of the gas barrier hygroscopic film was analyzed in the same manner as in Example 1 with the Si atomic ratio in the thickness direction being 1. The obtained data is shown in Table-2.

Figure 0005246082
Figure 0005246082

表−2の結果からわかるように、0(領域Aの端部)〜0.3の厚さの部分は領域Aとみることができ、0.4〜0.6の厚さの部分は領域Bとみることができ、0.7〜1の厚さの部分は領域Cとみることができる。   As can be seen from the results in Table 2, a portion having a thickness of 0 (end of region A) to 0.3 can be regarded as a region A, and a portion having a thickness of 0.4 to 0.6 is a region. B can be seen, and the 0.7 to 1 thick portion can be seen as region C.

また、封止体に対し、実施例1同様の発光特性を評価したところ、水蒸気の侵入によるダークスポットは発生せず、良好な発光特性が得られた。さらに、ガスバリア膜を形成する前の段階の平坦化膜上にガスバリア吸湿膜のみが形成されたサンプルを用意して、実施例1と同様にしてガスバリア吸湿膜の分離性の評価を行った。その結果、領域Aと領域Cとの分離は観察されなかった。   Moreover, when the light emission characteristic similar to Example 1 was evaluated with respect to the sealing body, the dark spot by the penetration | invasion of water vapor | steam did not generate | occur | produce but the favorable light emission characteristic was acquired. Further, a sample in which only the gas barrier hygroscopic film was formed on the planarizing film at the stage before forming the gas barrier film was prepared, and the separation property of the gas barrier hygroscopic film was evaluated in the same manner as in Example 1. As a result, separation between the region A and the region C was not observed.

(比較例1)
ガスバリア性シートの製造のガスバリア吸湿膜形成工程において、スパッタリング法で酸窒化ケイ素と、酸化マグネシウムとを別々に成膜したこと及び成膜条件を適宜調整したこと以外は、実施例1と同様にして封止体を製造した。具体的には、平坦化膜が形成された基材フィルム上に酸窒化ケイ素をスパッタリング成膜してガスバリア膜(SiNの組成でc=1、d=0.2)を形成した。その後、酸窒化ケイ素のガスバリア膜の上に酸化マグネシウムをスパッタリング成膜して吸湿膜(MgOの組成でe=0.9)を形成した。
(Comparative Example 1)
In the gas barrier hygroscopic film forming step of manufacturing the gas barrier sheet, the same procedure as in Example 1 was conducted except that silicon oxynitride and magnesium oxide were separately formed by sputtering and the film formation conditions were adjusted appropriately. A sealed body was manufactured. Specifically, a silicon oxynitride film was formed by sputtering on a base film on which a planarizing film was formed to form a gas barrier film (SiN c O d composition: c = 1, d = 0.2). Thereafter, a magnesium oxide film was formed by sputtering on the silicon oxynitride gas barrier film to form a moisture absorption film (e = 0.9 in the MgO e composition).

こうして得た封止体に対し、実施例1同様の発光特性を評価したところ、発光特性は良好であった。しかし、平坦化膜上にガスバリア膜及び吸湿膜のみが形成されたサンプルを用意して、実施例1と同様にしてガスバリア膜と吸湿膜との分離性の評価を行ったところ、吸湿膜が体積膨張によりガスバリア膜から剥がれる現象が観察された。   The sealing body thus obtained was evaluated for light emission characteristics similar to those of Example 1. The light emission characteristics were good. However, when a sample in which only a gas barrier film and a hygroscopic film were formed on a planarizing film was prepared and the separability of the gas barrier film and the hygroscopic film was evaluated in the same manner as in Example 1, the hygroscopic film had a volume. The phenomenon of peeling from the gas barrier film due to expansion was observed.

(比較例2)
ガスバリア性シートの製造のガスバリア吸湿膜形成工程において、酸化マグネシウムを酸化カルシウムとしたこと及び成膜条件を適宜調整したこと以外は、比較例1と同様にして封止体を製造した。吸湿膜の組成は、CaOの組成でe=0.9であった。
(Comparative Example 2)
A sealed body was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1 except that magnesium oxide was changed to calcium oxide and the film formation conditions were appropriately adjusted in the gas barrier hygroscopic film forming step of manufacturing the gas barrier sheet. The hygroscopic film had a composition of CaO e with e = 0.9.

こうして得た封止体に対し、実施例1同様の発光特性を評価したところ、発光特性は良好であった。しかし、平坦化膜上にガスバリア膜及び吸湿膜のみが形成されたサンプルを用意して、実施例1と同様にしてガスバリア膜と吸湿膜との分離性の評価を行ったところ、吸湿膜が体積膨張によりガスバリア膜から剥がれる現象が観察された。   The sealing body thus obtained was evaluated for light emission characteristics similar to those of Example 1. The light emission characteristics were good. However, when a sample in which only a gas barrier film and a hygroscopic film were formed on a planarizing film was prepared and the separability of the gas barrier film and the hygroscopic film was evaluated in the same manner as in Example 1, the hygroscopic film had a volume. The phenomenon of peeling from the gas barrier film due to expansion was observed.

(比較例3)
ガスバリア性シートの製造のガスバリア吸湿膜形成工程において、吸湿膜を設けなかったこと以外は、比較例1と同様にして封止体を製造した。
(Comparative Example 3)
A sealing body was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1 except that the hygroscopic film was not provided in the gas barrier hygroscopic film forming step of the production of the gas barrier sheet.

こうして得た封止体に対し、実施例1同様の発光特性を評価したところ、水蒸気の侵入によるダークスポットが多発して、発光特性は不良であった。   The sealing body thus obtained was evaluated for light emission characteristics similar to those of Example 1. As a result, many dark spots were generated due to the penetration of water vapor, and the light emission characteristics were poor.

1A,1B,1C,1C’,1D ガスバリア性シート
2 基材
3 ガスバリア吸湿膜
4 ガスバリア膜
5 被封止物(有機ELディスプレイ素子)
6 接着剤膜
7 基板
10A,10B,10C 封止体
11 陽極
12 正孔輸送層
13 発光層
14 陰極
15 平坦化膜
35 下面
36 上面
40 作製装置
41,41’ 基材フィルム
42A,42B 成膜用ターゲット
43 供給装置
44 巻取装置
45 成膜装置
46 芯材
47 ロール状フィルム
48 ガイドローラ
49A,49B 供給配管
50 ドラム
51 チャンバー
52 成膜用電源
90 排気ポンプ
91 圧力調整バルブ
92 仕切板
1A, 1B, 1C, 1C ′, 1D Gas barrier sheet 2 Base material 3 Gas barrier hygroscopic film 4 Gas barrier film 5 Object to be sealed (organic EL display element)
6 Adhesive film 7 Substrate 10A, 10B, 10C Sealing body 11 Anode 12 Hole transport layer 13 Light emitting layer 14 Cathode 15 Planarization film 35 Lower surface 36 Upper surface 40 Fabrication apparatus 41, 41 ′ Base film 42A, 42B For film formation Target 43 Supply device 44 Winding device 45 Film formation device 46 Core material 47 Rolled film 48 Guide rollers 49A and 49B Supply piping 50 Drum 51 Chamber 52 Power source for film formation 90 Exhaust pump 91 Pressure adjustment valve 92 Partition plate

Claims (11)

基材と、該基材の上に設けられたガスバリア吸湿膜とを有し、
該ガスバリア吸湿膜が、前記基材側から順番に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域A、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域B、及びアルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cより形成されることを特徴とするガスバリア性シート。
A substrate and a gas barrier moisture-absorbing film provided on the substrate;
In the gas barrier hygroscopic film, in order from the substrate side, the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is 0.1 or less, and the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is 0.1. A gas barrier sheet characterized by being formed from a region B that is larger and smaller than 10 and a region C in which the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is 0.1 or less.
前記基材と前記ガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜を設ける、請求項1に記載のガスバリア性シート。   The gas barrier sheet according to claim 1, wherein a planarizing film is provided between the base material and the gas barrier hygroscopic film. 基板上に配置された被封止物の少なくとも上面及び側面を封止するために前記ガスバリア性シートが用いられる場合に、前記ガスバリア吸湿膜が前記被封止物の上面及び側面を被覆する大きさに形成されている、請求項1又は2に記載のガスバリア性シート。   When the gas barrier sheet is used to seal at least the upper surface and the side surface of the object to be sealed disposed on the substrate, the gas barrier moisture absorption film covers the upper surface and the side surface of the object to be sealed. The gas barrier sheet according to claim 1 or 2, wherein the gas barrier sheet is formed as described above. 前記ガスバリア吸湿膜の上にガスバリア膜を設ける、請求項1〜3のいずれか1項に記載のガスバリア性シート。   The gas barrier sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein a gas barrier film is provided on the gas barrier hygroscopic film. 基材上にガスバリア吸湿膜を有するガスバリア性シートの製造方法であって、前記ガスバリア吸湿膜を形成するガスバリア吸湿膜形成工程が、
前記基材上に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1以下となる領域Aを成膜する第1成膜工程と、
前記領域A上に、ケイ素1に対するアルカリ土類金属の原子数比が0.1より大きく10より小さい領域Bを成膜する第2成膜工程と、
前記領域B上に、アルカリ土類金属1に対するケイ素の原子数比が0.1以下となる領域Cを成膜する第3成膜工程と、
を備えることを特徴とするガスバリア性シートの製造方法。
A method for producing a gas barrier sheet having a gas barrier hygroscopic film on a substrate, wherein the gas barrier hygroscopic film forming step of forming the gas barrier hygroscopic film comprises:
A first film forming step of forming a region A in which the atomic ratio of the alkaline earth metal to silicon 1 is 0.1 or less on the substrate;
A second film forming step of forming a region B having an atomic number ratio of alkaline earth metal to silicon 1 of greater than 0.1 and less than 10 on the region A;
A third film forming step of forming a region C in which the atomic ratio of silicon to the alkaline earth metal 1 is 0.1 or less on the region B;
A method for producing a gas barrier sheet, comprising:
前記第1成膜工程、前記第2成膜工程、及び前記第3成膜工程が、スパッタリング法で行われる、請求項5に記載のガスバリア性シートの製造方法。   The method for producing a gas barrier sheet according to claim 5, wherein the first film forming step, the second film forming step, and the third film forming step are performed by a sputtering method. 前記基材と前記ガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜を設ける平坦化膜形成工程を有する、請求項5又は6に記載のガスバリア性シートの製造方法。   The manufacturing method of the gas barrier sheet | seat of Claim 5 or 6 which has the planarization film | membrane formation process which provides a planarization film | membrane between the said base material and the said gas barrier moisture absorption film | membrane. 基板と、該基板上に配置された被封止物と、該被封止物上に配置された請求項3又は4に記載のガスバリア性シートと、を有する封止体であって、
前記ガスバリア性シートのガスバリア吸湿膜が、前記被封止物の上面及び側面を被覆していることを特徴とする封止体。
A sealing body comprising a substrate, a sealed object disposed on the substrate, and the gas barrier sheet according to claim 3 or 4 disposed on the sealed object,
A sealing body, wherein a gas barrier moisture absorption film of the gas barrier sheet covers an upper surface and a side surface of the object to be sealed.
前記ガスバリア性シートの基材と前記ガスバリア吸湿膜との間に平坦化膜が設けられている、請求項8に記載の封止体。   The sealing body according to claim 8, wherein a planarization film is provided between a base material of the gas barrier sheet and the gas barrier moisture absorption film. 前記被封止物が、有機ELディスプレイ素子、液晶ディスプレイ素子、又は太陽電池素子である、請求項8又は9に記載の封止体。   The sealing body according to claim 8 or 9, wherein the object to be sealed is an organic EL display element, a liquid crystal display element, or a solar cell element. 請求項8〜10のいずれか1項に記載の封止体を有することを特徴とする装置。   The apparatus which has the sealing body of any one of Claims 8-10.
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