JP5242016B2 - COMPOUND FOR ORGANIC EL ELEMENT AND ORGANIC EL ELEMENT - Google Patents
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Description
本発明は、有機EL素子用化合物及び有機EL素子に関する。 The present invention relates to a compound for an organic EL device and an organic EL device.
有機ELディスプレイ等の表示装置に用いられる有機EL素子は、例えば、ホール注入電極(陽極)と電子注入電極(陰極)との間に、発光性有機材料を含む発光層等の有機層を備えるものである。この発光層に上記電極から電界を印加することにより、発光性有機材料を励起・発光させる。 An organic EL element used in a display device such as an organic EL display has an organic layer such as a light emitting layer containing a light emitting organic material between a hole injection electrode (anode) and an electron injection electrode (cathode), for example. It is. By applying an electric field from the electrode to the light emitting layer, the light emitting organic material is excited and emits light.
この有機EL素子の発光原理は、おおむね以下のように考えられている。即ち、まず、ホール注入電極から注入されたホール(正孔)と電子注入電極から注入された電子とが、発光層において再結合することにより、発光性有機材料の励起子が生成する。次いで、その励起子が失活する際に、エネルギーが光(蛍光、燐光)成分として放出される。これにより発光が生じると考えられている。 The light emission principle of this organic EL element is generally considered as follows. That is, first, the holes injected from the hole injection electrode and the electrons injected from the electron injection electrode are recombined in the light emitting layer, thereby generating excitons of the light emitting organic material. Then, when the exciton is deactivated, energy is released as a light (fluorescence, phosphorescence) component. This is believed to cause light emission.
このような有機EL素子の発光効率を向上させ、駆動電圧を抑制する方法の1つとして、ホール注入電極と発光層との間に発光層とは別の有機層、例えば、ホール注入層を設ける方法が挙げられる。これにより、ホール注入電極から発光層に円滑にホールを注入することが可能となる。 As one method for improving the light emission efficiency of such an organic EL element and suppressing the driving voltage, an organic layer different from the light emitting layer, for example, a hole injection layer is provided between the hole injection electrode and the light emitting layer. A method is mentioned. This makes it possible to smoothly inject holes from the hole injection electrode into the light emitting layer.
このホール注入層の材料としては様々なものが知られているが、その代表的なものとしては、例えば、特許文献1のテトラフェニルベンジジン化合物、特許文献2のN,N’型ジ−ビフェニルアミノ化合物が挙げられる。これらの化合物をホール注入層の材料とすることにより、駆動電圧を抑制することができる。
しかしながら、特許文献1のテトラフェニルベンジジン化合物は、その対称性の高い構造に起因して結晶性が高く、有機EL素子中で結晶化して発光率の低下や駆動電圧の上昇を引き起こすという問題点があった。更にこの有機EL素子では、駆動電圧を十分に抑制することができないという問題点もあった。
However, the tetraphenylbenzidine compound of
これに対し、特許文献2のN,N’型ジ−ビフェニルアミノ化合物を用いた有機EL素子では、駆動電圧を抑制することが可能であるものの、分子量が大きく対称性が高いために、化合物を真空蒸着し、有機EL素子の有機層を形成する際に高い蒸着温度が必要であることが問題となっていた。即ち、高い温度で蒸着を行うと化合物の分解を伴う虞がある。化合物が分解されるとその化合物の有機層での純度が低下し、得られる有機EL素子は、電気的及び化学的に不安定となり、駆動寿命が低下して、駆動電圧が上昇してしまう。
In contrast, in the organic EL device using the N, N′-type di-biphenylamino compound of
そこで、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、十分に駆動電圧を抑制することが可能であり、且つ有機層を形成するための蒸着温度を十分に低くすることが可能な有機EL素子用化合物及びこの化合物を用いた有機EL素子を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and an organic EL capable of sufficiently suppressing a driving voltage and capable of sufficiently lowering a vapor deposition temperature for forming an organic layer. It aims at providing the compound for elements, and the organic electroluminescent element using this compound.
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式(1)で表される化合物を有機EL素子用に用いることにより、上記目的を達成できることを見出した。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above object can be achieved by using a compound represented by the following general formula (1) for an organic EL device.
すなわち、本発明は下記一般式(1)で表される有機EL素子用化合物を提供するものである。 That is, this invention provides the compound for organic EL elements represented by following General formula (1).
なお、式(1)中、Arは上記一般式(a)で表される二価の基、R1は水素原子又は置換基を有していてもよいフェニル基を示す。R2〜R4はそれぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基、炭素数1〜4のアルコキシ基、置換基を有していてもよいフェニル基又は炭素数3〜5且つ窒素数1〜3の含窒素複素環基を示す。R5〜R8はそれぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基又は炭素数1〜4のアルコキシ基を示す。n2〜n4は0又は1〜5の整数、n5〜n8は0又は1〜4の整数を示す。但し、R1が水素原子である時、n2は1〜5の整数であり、且つR2の少なくとも1つは置換基を有してもよいフェニル基である。式(a)中、R11〜R13はそれぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基、総炭素数2〜6のN,N−ジアルキルアミノ基又は炭素数1〜3のアルコキシ基を示し、m1〜m3は0又は1〜4の整数を示す。但し、R11〜R13を除いた上記一般式(a)が上記一般式(1)中で、4,4”−ジアミノ−[1,1’;4’,1”]ターフェニル骨格を形成する場合を除く。 In the formula (1), Ar represents a divalent group represented by the general formula (a), and R 1 represents a hydrogen atom or a phenyl group which may have a substituent. R 2 to R 4 each independently have an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an N, N-dialkylamino group having 2 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or a substituent. Or a nitrogen-containing heterocyclic group having 3 to 5 carbon atoms and 1 to 3 carbon atoms. R 5 to R 8 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an N, N-dialkylamino group having 2 to 8 carbon atoms in total, or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. n2 to n4 represent 0 or an integer of 1 to 5, and n5 to n8 represent 0 or an integer of 1 to 4. However, when R 1 is a hydrogen atom, n2 is an integer of 1 to 5, and at least one of R 2 is a phenyl group which may have a substituent. In formula (a), R 11 to R 13 each independently represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an N, N-dialkylamino group having 2 to 6 carbon atoms in total, or an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms. , M1 to m3 represent 0 or an integer of 1 to 4. However, the general formula (a) excluding R 11 to R 13 forms a 4,4 ″ -diamino- [1,1 ′; 4 ′, 1 ″] terphenyl skeleton in the general formula (1). Except when doing.
ここで「R11〜R13を除いた上記一般式(a)が上記一般式(1)中で、4,4”−ジアミノ−[1,1’;4’,1”]ターフェニル骨格を形成する」とは、一般式(a)が以下の骨格(一般式(a’))を有することをいう。 Here, the above general formula (a) excluding R 11 to R 13 is the above general formula (1), wherein the 4,4 ″ -diamino- [1,1 ′; 4 ′, 1 ″] terphenyl skeleton is “Form” means that the general formula (a) has the following skeleton (general formula (a ′)).
このような有機EL素子用化合物が本発明の目的を達成できる要因は、現在のところ詳細には明らかにされていないが、本発明者らはその要因の1つを以下のように考えている。但し、要因はこれに限らない。 The reason why such a compound for an organic EL device can achieve the object of the present invention is not clarified in detail at present, but the present inventors consider one of the factors as follows. . However, the factor is not limited to this.
本発明の有機EL素子用化合物は、上記一般式(1)に示すように、N−Ar−N骨格に結合する基のうち4個全て、若しくは少なくとも3個はp−ビフェニル骨格を有する。このため本発明の有機EL素子用化合物は、従来のものに比べ、高いホール輸送性と高いホール注入性とを有すると考えられる。よって、このような化合物を、有機EL素子のホール注入電極と発光層との間に備えられるホール注入層及び/又はホール輸送層の構成材料に用いると、その高いホール注入性と輸送性とに起因して、ホール注入電極とホール注入層及び/又はホール輸送層との密着性が向上し、駆動電圧が低くなると考えられる。 The compound for organic EL devices of the present invention has a p-biphenyl skeleton, as shown in the general formula (1), in which all four or at least three groups bonded to the N—Ar—N skeleton are present. For this reason, it is thought that the compound for organic EL elements of this invention has high hole transportability and high hole injection property compared with the conventional one. Therefore, when such a compound is used as a constituent material of the hole injection layer and / or the hole transport layer provided between the hole injection electrode and the light emitting layer of the organic EL element, the high hole injection property and the transport property are obtained. As a result, it is considered that the adhesion between the hole injection electrode and the hole injection layer and / or the hole transport layer is improved, and the driving voltage is lowered.
本発明の有機EL素子用化合物は、上記一般式(1)及び(a)に示すように、2個の窒素原子間の−Ar−基が、ターフェニル構造を有している。これにより、本発明の有機EL素子用化合物は、−Ar−基として4,4’−ビフェニル構造を有するテトラフェニルベンジジン化合物に比べ、嵩高さが大きいことから、駆動電圧が低下すると考えられる。また、上記一般式(a’)で表されるターフェニル構造が除かれた本発明の有機EL素子用化合物は、−Ar−基が上記一般式(a’)である化合物に比べて、分子の対称性が低下しており、有機EL素子の有機層を形成する際に十分に低い温度で蒸着を行うことが可能となると考えられる。このため、本発明の有機EL素子用化合物においては、従来の有機EL素子用化合物において問題となっていた400℃を超える高い蒸着温度は不要となり、化合物の分解を伴う虞がなくなる。 In the compound for an organic EL device of the present invention, the -Ar- group between two nitrogen atoms has a terphenyl structure as shown in the general formulas (1) and (a). As a result, the compound for an organic EL device of the present invention is considered to have a high bulk as compared with a tetraphenylbenzidine compound having a 4,4′-biphenyl structure as an —Ar— group, and thus the driving voltage is considered to be lowered. Further, the compound for an organic EL device of the present invention from which the terphenyl structure represented by the general formula (a ′) is removed has a molecule as compared with the compound in which the —Ar— group is the general formula (a ′). It is considered that vapor deposition can be performed at a sufficiently low temperature when the organic layer of the organic EL element is formed. For this reason, in the compound for organic EL elements of this invention, the high vapor deposition temperature exceeding 400 degreeC which was a problem in the conventional compound for organic EL elements becomes unnecessary, and there is no possibility of accompanying the decomposition | disassembly of a compound.
本発明の有機EL素子用化合物は、有機EL素子の駆動電圧をより低下させるという観点から、R1が置換基を有していてもよいフェニル基を表し、R2〜R4及びR5〜R8がそれぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表すことが好ましい。 The compound for an organic EL device of the present invention represents a phenyl group which R 1 may have a substituent from the viewpoint of further reducing the driving voltage of the organic EL device, and R 2 to R 4 and R 5 to Preferably, each R 8 independently represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an N, N-dialkylamino group having 2 to 8 carbon atoms or a phenyl group which may have a substituent.
本発明の有機EL素子用化合物は、発光効率を維持し、かつ駆動電圧をより低下させるという観点から、m1〜m3が0であるのがよく、蒸着温度を低くすることが可能であるという観点から、有機EL素子用化合物全体として11〜13個のベンゼン環を有することが好ましく、11個のベンゼン環を有することがより好ましい。 From the viewpoints of maintaining the luminous efficiency and lowering the driving voltage, the compound for an organic EL device of the present invention should preferably have m1 to m3 of 0, and can reduce the deposition temperature. Therefore, the organic EL device compound as a whole preferably has 11 to 13 benzene rings, and more preferably 11 benzene rings.
本発明の有機EL素子用化合物は、R1がフェニル基、n2〜n4及びn5〜n8が0であることが好ましい。このような場合、発光効率を維持し、駆動電圧をより低下させ、かつ蒸着温度を低くすることが可能となる。 In the compound for an organic EL device of the present invention, R 1 is preferably a phenyl group, and n2 to n4 and n5 to n8 are preferably 0. In such a case, it is possible to maintain the luminous efficiency, lower the driving voltage, and lower the vapor deposition temperature.
本発明の有機EL素子は、互いに対向して配置されている2つの電極間に、1又は2以上の有機層を備える有機EL素子であって、この有機層のうち少なくとも1層は、前述した有機EL素子用化合物を含む。これにより上記のような効果が得られる有機EL素子を製造することが可能となる。有機EL素子の駆動電圧をより低下させるためには、前述した有機EL素子用化合物を含む有機層は、ホール注入層、ホール輸送層及び発光層のうちの少なくとも1層であることが好ましく、ホール注入層であることがより好ましい。 The organic EL device of the present invention is an organic EL device including one or more organic layers between two electrodes arranged to face each other, and at least one of the organic layers is the same as described above. Contains compounds for organic EL devices. This makes it possible to manufacture an organic EL element that can achieve the above effects. In order to further reduce the driving voltage of the organic EL element, the organic layer containing the compound for organic EL element is preferably at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer. More preferably, it is an injection layer.
本発明によれば、十分に駆動電圧を抑制することが可能であり、且つ有機層を形成するための蒸着温度を十分に低くする(例えば、400℃以下)ことが可能な有機EL素子用化合物及び有機EL素子を提供することが可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the compound for organic EL elements which can fully suppress a drive voltage and can make vapor deposition temperature for forming an organic layer low enough (for example, 400 degrees C or less) is possible. And it becomes possible to provide an organic EL element.
以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明するが、本発明は下記実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as the case may be, but the present invention is not limited to the following embodiments. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.
(有機EL素子用化合物)
本発明の好適な実施形態に係る有機EL素子に用いられる化合物(有機EL素子用化合物)は、上述の一般式(1)で表されるテトラアリールジアミン誘導体(以下、場合により「化合物(1)」という。)である。
(Compound for organic EL device)
The compound (organic EL device compound) used in the organic EL device according to a preferred embodiment of the present invention is a tetraaryldiamine derivative represented by the above general formula (1) (hereinafter referred to as “compound (1)” in some cases. ").
一般式(1)におけるR1の「置換基を有していてもよいフェニル基」に用いられる置換基としては、例えば、炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基、炭素数1〜4のアルコキシ基、フェニル基又は炭素数3〜5且つ窒素数1〜3の含窒素複素環基が挙げられ、炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基又はフェニル基であることが好ましく、メチル基又はフェニル基であることがより好ましい。これらの置換基の置換位置としては、特に限定されないが、フェニル基のm−位又はp−位であることがより好ましい。R1は置換基を有していないフェニル基であることが特に好ましい。 Examples of the substituent used in the “optionally substituted phenyl group” of R 1 in the general formula (1) include, for example, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, N having 2 to 8 carbon atoms in total, N-dialkylamino group, alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, phenyl group, or nitrogen-containing heterocyclic group having 3 to 5 carbon atoms and 1 to 3 nitrogen atoms, alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, total carbon It is preferably an N, N-dialkylamino group or a phenyl group of 2 to 8, and more preferably a methyl group or a phenyl group. Although it does not specifically limit as a substituted position of these substituents, It is more preferable that it is the m-position or p-position of a phenyl group. R 1 is particularly preferably a phenyl group having no substituent.
R2〜R4の炭素数1〜4のアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。その具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基が挙げられる。 The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms of R 2 to R 4 may be linear or branched. Specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group and t-butyl group.
R2〜R4の総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基は、直鎖状でも分岐状でもよい。その具体例としては、N,N−ジメチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基、N,N−ジ−n−プロピルアミノ基、N,N−ジ−i−プロピルアミノ基、N,N−ジ−n−ブチルアミノ基、N,N−ジ−i−ブチルアミノ基、N,N−ジ−s−ブチルアミノ基、N,N−ジ−t−ブチルアミノ基が挙げられる。 The N, N-dialkylamino group having 2 to 8 carbon atoms in total from R 2 to R 4 may be linear or branched. Specific examples thereof include N, N-dimethylamino group, N, N-diethylamino group, N, N-di-n-propylamino group, N, N-di-i-propylamino group, N, N-di -N-Butylamino group, N, N-di-i-butylamino group, N, N-di-s-butylamino group, N, N-di-t-butylamino group can be mentioned.
R2〜R4の炭素数1〜4のアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよい。その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基が挙げられる。 An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms R 2 to R 4 may be linear or branched. Specific examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, an i-butoxy group, an s-butoxy group, and a t-butoxy group.
R2〜R4の「置換基を有していてもよいフェニル基」における置換基としては、特に限定されないが、例えば、炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基、炭素数1〜4のアルコキシ基、フェニル基又は炭素数3〜5且つ窒素数1〜3の含窒素複素環基が挙げられ、炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基又はフェニル基であることが好ましく、メチル基又はフェニル基であることがより好ましい。これらの置換基の置換位置としては、特に限定されないが、フェニル基のm−位又はp−位であることがより好ましい。 The substituent in "optionally substituted phenyl group" in R 2 to R 4, is not particularly limited, for example, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, the total carbon number 2-8 N, N-dialkylamino group, alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, phenyl group, or nitrogen-containing heterocyclic group having 3 to 5 carbon atoms and 1 to 3 nitrogen atoms, alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, total carbon It is preferably an N, N-dialkylamino group or a phenyl group of 2 to 8, and more preferably a methyl group or a phenyl group. Although it does not specifically limit as a substituted position of these substituents, It is more preferable that it is the m-position or p-position of a phenyl group.
上記炭素数3〜5且つ窒素数1〜3の含窒素複素環基としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、ピロリル基が挙げられる。 The nitrogen-containing heterocyclic group having 3 to 5 carbon atoms and 1 to 3 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include an imidazolyl group, a pyridyl group, and a pyrrolyl group.
R5〜R8の炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基又は炭素数1〜4のアルコキシ基は、R2〜R4の場合と同義である。R5〜R8としては炭素数1〜4のアルキル基、総炭素数2〜8のN,N−ジアルキルアミノ基又は置換基を有していてもよいフェニル基が好ましく、メチル基又はフェニル基であることがより好ましい。 The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms of R 5 to R 8 , the N, N-dialkylamino group having 2 to 8 carbon atoms or the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms has the same meaning as in the case of R 2 to R 4. is there. R 5 to R 8 are preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an N, N-dialkylamino group having 2 to 8 carbon atoms, or an optionally substituted phenyl group, a methyl group or a phenyl group. It is more preferable that
R11〜R13の炭素数1〜3のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基が挙げられる。R11〜R13の総炭素数2〜6のN,N−ジアルキルアミノ基としては、例えば、N,N−ジメチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基、N,N−ジ−n−プロピルアミノ基、N,N−ジ−i−プロピルアミノ基が挙げられる。
Examples of the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms of R 11 to R 13 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, and an i-propyl group. Examples of the
R11〜R13の炭素数1〜3のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基が挙げられる。 Examples of the alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms of R 11 to R 13 include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, and an i-propoxy group.
m1〜m3は、発光効率を維持し、かつ駆動電圧をより低下させるという観点から、0であることが好ましい。 m1 to m3 are preferably 0 from the viewpoint of maintaining luminous efficiency and further reducing the driving voltage.
n2〜4は、発光効率を維持し、かつ駆動電圧をより低下させるという観点から、0又は1であることが好ましく、さらに、昇華温度を低くする観点から、0であることが最も好ましい。 n2 to 4 are preferably 0 or 1 from the viewpoint of maintaining luminous efficiency and lowering the driving voltage, and more preferably 0 from the viewpoint of lowering the sublimation temperature.
n5〜n8は、発光効率を維持し、かつ駆動電圧をより低下させるという観点から、0であることが好ましい。 n5 to n8 are preferably 0 from the viewpoint of maintaining luminous efficiency and further reducing the driving voltage.
化合物(1)中のベンゼン環の数としては、蒸着温度を低くすることが可能であるという観点から、11個〜13個であることが好ましく、11個であることがより好ましい。また、化合物(1)の分子量は、昇華温度を低くするという観点から、1000以下であることが好ましい。 The number of benzene rings in the compound (1) is preferably 11 to 13 and more preferably 11 from the viewpoint that the deposition temperature can be lowered. Moreover, it is preferable that the molecular weight of a compound (1) is 1000 or less from a viewpoint of making sublimation temperature low.
式(a)における結合位置としては、駆動電圧を低くするという観点から、隣接ベンゼン環及び窒素原子との結合を有するベンゼン環において、隣接ベンゼン環中の炭素と隣接窒素原子は、パラ位で当該ベンゼン環に結合していることが最も好ましい。 As the bonding position in formula (a), from the viewpoint of lowering the driving voltage, in the benzene ring having a bond with the adjacent benzene ring and the nitrogen atom, the carbon and the adjacent nitrogen atom in the adjacent benzene ring are in the para position. Most preferably, it is bonded to a benzene ring.
化合物(1)は、例えば、以下に述べる2つの方法で製造される。 Compound (1) is produced, for example, by the two methods described below.
(A)下記一般式(a)で表される2級アミン(Ar2及びAr3はそれぞれ独立に、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等を表す。)と、下記一般式(b)で表される二置換ベンゼン(式(b)中、X1は臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基(−OSO2CF3)を表す。)とを反応させて、下記一般式(c)で表される置換アリールアミンを得、当該置換アリールアミンをn−ブチルアミン等でリチオ化したのち、ホウ酸化試薬(例えば、ホウ酸トリエチル、2−イソプロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン等)でホウ酸化させて、下記一般式(d)で表されるアリールアミンのホウ酸(又はホウ酸エステル)化合物(式(d)中、Rは水素原子又はシクロアルキル基等を表す。)を得る。 (A) Secondary amine represented by the following general formula (a) (Ar 2 and Ar 3 each independently represents a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc.) and the following general formula (b) A disubstituted benzene represented (in formula (b), X 1 represents a bromine atom, an iodine atom, or a trifluoromethanesulfonyloxy group (—OSO 2 CF 3 )) is reacted with the following general formula (c ) And lithiated the substituted arylamine with n-butylamine or the like, and then a borated reagent (for example, triethyl borate, 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetra A boric acid (or boric acid ester) compound of an arylamine represented by the following general formula (d) (wherein R is hydrogen) Atom or atom Represents a cycloalkyl group or the like).
最後に、当該アリールアミンのホウ酸(又はホウ酸エステル)化合物と、下記一般式(e)で表される二置換ベンゼン(式(e)中、X2及びX3はそれぞれ独立に、臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基(−OSO2CF3)を表す。)とを、パラジウム触媒及び塩基存在下クロスカップリングさせることにより、式(7)で表される目的の化合物が得られる。なお、(A)の製造方法に基づいた反応スキームは以下の通りである。 Finally, a boric acid (or borate ester) compound of the arylamine and a disubstituted benzene represented by the following general formula (e) (in the formula (e), X 2 and X 3 are each independently a bromine atom. , An iodine atom, or a trifluoromethanesulfonyloxy group (—OSO 2 CF 3 )) is cross-coupled in the presence of a palladium catalyst and a base to obtain the target compound represented by the formula (7). It is done. In addition, the reaction scheme based on the manufacturing method of (A) is as follows.
(B)下記一般式(f)で表される2級アミン(Ar2及びAr3はそれぞれ独立に、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等を表す。)と、下記一般式(g)で表される二置換ベンゼン(式(g)中、X4は臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基(−OSO2CF3)を表す。)とを反応させて、下記一般式(h)で表される置換アリールアミンを得、当該置換アリールアミンをn−ブチルリチウム等でリチオ化したのち、ホウ酸化試薬でホウ酸化させて、下記一般式(i)で表されるアリールアミンのホウ酸(又はホウ酸エステル)化合物を得る。当該アリールアミンのホウ酸(又はホウ酸エステル)化合物(式(d)中、Rは水素原子又はシクロアルキル基等を表す。)と下記一般式(j)で表される二置換ベンゼン(式(e)中、X5及びX6はそれぞれ独立に、臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基(−OSO2CF3)を表す。)とをパラジウム触媒及び塩基存在下クロスカップリングさせることにより、下記一般式(k)で表される置換アリールアミンを得る。 (B) Secondary amine represented by the following general formula (f) (Ar 2 and Ar 3 each independently represents a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc.) and the following general formula (g) (in the formula (g), X 4 is. representing a bromine atom, an iodine atom or trifluoromethanesulfonyloxy group (-OSO 2 CF 3)) disubstituted benzene represented by reacting the following general formula (h ), And after lithiation with n-butyllithium or the like, the substituted arylamine is borated with a borated reagent to form an arylamine boron represented by the following general formula (i). An acid (or borate ester) compound is obtained. A boric acid (or borate ester) compound of the arylamine (in the formula (d), R represents a hydrogen atom or a cycloalkyl group) and a disubstituted benzene represented by the following general formula (j) (formula ( In e), X 5 and X 6 each independently represent a bromine atom, an iodine atom, or a trifluoromethanesulfonyloxy group (—OSO 2 CF 3 )) and a cross-coupling in the presence of a palladium catalyst and a base. Thus, a substituted arylamine represented by the following general formula (k) is obtained.
次に、下記一般式(l)で表される2級アミン(式(l)中、Ar4及びAr5はビフェニル基等を表す。)と、下記一般式(m)で表される二置換ベンゼン(式(m)中、X7は臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルフォニルオキシ基(−OSO2CF3)を表す。)とを反応させて、下記一般式(n)で表される置換アリールアミン化合物を得、当該置換アリールアミンをn−ブチルリチウム等でリチオ化したのち、ホウ酸化試薬でホウ酸化させて、下記一般式(o)で表されるアリールアミンのホウ酸(又はホウ酸エステル)化合物(式(o)中、Rは水素原子又はシクロアルキル基等を表す。)を得る。 Next, a secondary amine represented by the following general formula (l) (in the formula (l), Ar 4 and Ar 5 represent a biphenyl group and the like) and a disubstituted group represented by the following general formula (m) Benzene (in formula (m), X 7 represents a bromine atom, an iodine atom, or a trifluoromethanesulfonyloxy group (—OSO 2 CF 3 )) and is represented by the following general formula (n). A substituted arylamine compound is obtained, and the substituted arylamine is lithiated with n-butyllithium or the like, then borated with a borated reagent, and boric acid (or boronic acid) of the arylamine represented by the following general formula (o) is obtained. Acid ester) compound (in the formula (o), R represents a hydrogen atom or a cycloalkyl group).
最後に、下記一般式(k)で表される置換アリールアミン化合物と、下記一般式(o)で表されるアリールアミンのホウ酸(又はホウ酸エステル)化合物とをパラジウム触媒存在下、クロスカップリングさせることにより、式(8)で表される目的の化合物が得られる。なお、(B)の製造方法に基づいた反応スキームは以下の通りである。 Finally, a substituted arylamine compound represented by the following general formula (k) and a boric acid (or borate ester) compound of an arylamine represented by the following general formula (o) are cross-cups in the presence of a palladium catalyst. By ringing, the target compound represented by the formula (8) is obtained. In addition, the reaction scheme based on the manufacturing method of (B) is as follows.
化合物(1)の具体例としては、上記一般式(1)におけるAr、R1〜R8、R11〜R13、n2〜n8及びm1〜m3の組み合わせがそれぞれ下記表1〜75に示された、化合物番号(I−1)〜(I−300)、(II−1)〜(II―300)、(III−1)〜(III−300)、(IV−1)〜(IV−300)、(V−1)〜(V−300)の化合物が挙げられるが、これらには限定されない。ただし、表中、Meはメチル基、Etはエチル基、nPrはn−プロピル基、iPrはi−プロピル基、nBuはn−ブチル基、iBuはi−ブチル基、sBuはs−ブチル基、tBuはt−ブチル基、Phはフェニル基をそれぞれ表す。 As specific examples of the compound (1), combinations of Ar, R 1 to R 8 , R 11 to R 13 , n2 to n8 and m1 to m3 in the general formula (1) are shown in Tables 1 to 75 below, respectively. Compound Nos. (I-1) to (I-300), (II-1) to (II-300), (III-1) to (III-300), (IV-1) to (IV-300) ) And (V-1) to (V-300), but are not limited thereto. However, in the table, Me is methyl group, Et is ethyl group, n Pr is n-propyl group, i Pr is i-propyl group, n Bu is n-butyl group, i Bu is i-butyl group, and s Bu is s- butyl group, t Bu is t- butyl group, Ph represents respectively a phenyl group.
(有機EL素子)
図1は、本発明に係る有機EL素子の第1実施形態を示す模式断面図である。図4に示す有機EL素子100は、互いに対向して配置されている2つの電極(第1の電極1及び第2の電極2)により、ホール注入層14、ホール輸送層11、発光層10及び電子注入層13が挟持された構造を有している。ホール注入層14、ホール輸送層11、発光層10及び電子注入層13はいずれも有機層であり、第1の電極1側からこの順に積層されている。なお、電子注入層13は無機層(金属層、金属化合物層等)とすることもできる(以下同様)。
(Organic EL device)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of an organic EL element according to the present invention. An
図2は、本発明に係る有機EL素子の第2実施形態を示す模式断面図である。図2に示す有機EL素子200は、図1における有機EL素子100の電子注入層13と発光層10との間に電子輸送層12を設けた構造を有している。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the organic EL element according to the present invention. An
図3は、本発明に係る有機EL素子の第3実施形態を示す模式断面図である。図3に示す有機EL素子300は、図2における有機EL素子200の発光層10が、第1の発光層10aと、第2発光層10bとに置き換わった構造を有している。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a third embodiment of the organic EL element according to the present invention. The
なお、第1〜第3実施形態において第1の電極1は基板4上に形成されているが、基板4側からの積層の順番を逆にしてもよい。つまり、第1実施形態の有機EL素子の場合は、基板4側から第2の電極2、電子注入層13、発光層10、ホール輸送層11、ホール注入層14、第1の電極1の順で積層されてもよい。また、本発明の有機EL素子用化合物は、上述したホール注入層14、ホール輸送層11及び発光層10のうち少なくとも1層に含有されていることが好ましく、ホール注入層14に含有されていることが最も好ましい。
In the first to third embodiments, the
上記実施形態においては、第1の電極1及び第2の電極2がそれぞれホール注入電極(陽極)及び電子注入電極(陰極)として機能し、電源Pによる電界の印加により、第1の電極1からホール(正孔)が注入されるとともに、第2の電極2から電子が注入され、これらの再結合に基づいて発光層中の有機EL素子用化合物が発光する。
In the above embodiment, the
また、発光層、ホール輸送層、電子輸送層、ホール注入層及びホール輸送層の好適な厚さは、いずれも5〜200nmである。 The preferred thicknesses of the light emitting layer, hole transport layer, electron transport layer, hole injection layer and hole transport layer are all 5 to 200 nm.
(基板)
基板4としては、従来の有機EL素子が備えているものであれば、特に限定されることなく用いることができ、ガラス、石英等の非晶質基板、Si、GaAs、ZnSe、ZnS、GaP、InP等の結晶基板、Mo、Al、Pt、Ir、Au、Pd、SUS等の金属基板等を用いることができる。また、結晶質又は非晶質のセラミック、金属、有機物等の薄膜を所定基板上に形成したものを用いてもよい。
基板4の側を光取出し側とする場合には、基板4としてガラスや石英等の透明基板を用いることが好ましく、特に、安価なガラスの透明基板を用いることが好ましい。透明基板には、発色光の調整のために、色フィルター膜や蛍光物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜等を設けてもよい。
(substrate)
The
When the
(第1の電極)
第1の電極1はホール注入電極(陽極)として機能する。そのため、第1の電極1の材料としては、従来の有機EL素子が備えているものであれば、特に限定されることなく用いられるが、その第1の電極1に隣接する層に効率よく且つ均一に電界を印可できる材料が好ましい。
(First electrode)
The
また、基板4の側を光取り出し側とする場合、有機EL素子の発光波長領域である波長400〜700nmにおける透過率、特にRGB各色の波長における第1の電極1の透過率は、50%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更に好ましい。第1の電極1の透過率が50%未満であると、発光層10からの発光が減衰されて画像表示に必要な輝度が得られにくくなる。
When the
光透過率の比較的高い第1の電極1は、各種酸化物で構成される透明導電膜を用いて構成することができる。かかる材料としては、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)等が好ましく、中でも、ITOは、面内の比抵抗が均一な薄膜を容易に得ることができる点で特に好ましい。
The
第1の電極1の膜厚は、上述の光透過率を考慮して決定することが好ましい。例えば酸化物透明導電膜を用いる場合、その膜厚は、好ましくは10〜500nm、より好ましくは30〜300nmであることが好ましい。第1の電極1の膜厚が500nmを超えると、光透過率が不充分となると共に、基板4からの第1の電極1の剥離が発生する場合がある。また、膜厚の減少に伴い光透過性は向上するが、膜厚が10nm未満の場合、抵抗率が大きくなり有機EL素子の駆動電圧を上昇させる傾向にある。
The film thickness of the
(第2の電極)
第2の電極2は電子注入電極(陰極)として機能する。第2の電極2の材料としては、従来の有機EL素子が備えているものであれば、特に限定されることなく用いられるが、金属材料、有機金属錯体もしくは金属化合物等が挙げられ、発光層10へ効率的且つ確実に電子を注入できるように、仕事関数が比較的低い材料を用いると好ましく、また透明であってもよい。
(Second electrode)
The
第2の電極2を構成する金属材料の具体例としては、Li、Na、KもしくはCs等のアルカリ金属、Mg、Ca、SrもしくはBa等のアルカリ土類金属、あるいはAl(アルミニウム)が挙げられる。また、La、Ce、Sn、ZnもしくはZr等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属と特性が近い金属を用いることもできる。更には、上記金属材料の酸化物もしくはハロゲン化物を用いることもできる。更に、上記材料を含む混合物もしくは合金であってもよく、これらを複数積層してもよい。
Specific examples of the metal material constituting the
第2の電極2の膜厚は、電子を均一に注入できる程度であればよく、0.1nm以上とすればよい。
The film thickness of the
なお、第2の電極2上には補助電極を設けてもよい。これにより、発光層10等への電子注入効率を向上させることができ、また、発光層10や電子注入層13への水分又は有機溶媒の侵入を防止することができる。補助電極の材料としては、仕事関数及び電荷注入能力に関する制限がないため、一般的な金属を用いることができるが、導電率が高く取り扱いが容易な金属を用いることが好ましい。また、特に第2の電極2が有機材料を含む場合には、有機材料の種類や密着性等に応じて適宜選択することが好ましい。
An auxiliary electrode may be provided on the
補助電極に用いられる材料としては、Al、Ag、In、Ti、Cu、Au、Mo、W、Pt、Pd、Ni等が挙げられるが、中でもAl及びAg等の低抵抗の金属を用いると電子注入効率を更に高めることができる。また、TiN等の金属化合物を用いることにより一層高い封止性を得ることができる。これらの材料は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせてもよい。また、2種以上の金属を用いる場合は合金として用いてもよい。このような補助電極は、例えば、真空蒸着法等によって形成可能である。 Examples of the material used for the auxiliary electrode include Al, Ag, In, Ti, Cu, Au, Mo, W, Pt, Pd, and Ni. Among them, when a low-resistance metal such as Al and Ag is used, electrons are used. The injection efficiency can be further increased. Moreover, higher sealing properties can be obtained by using a metal compound such as TiN. These materials may be used alone or in combination of two or more. Moreover, when using 2 or more types of metals, you may use as an alloy. Such an auxiliary electrode can be formed by, for example, a vacuum deposition method or the like.
(ホール注入層)
ホール注入層14の材料としては、上述した本実施形態の有機EL素子用化合物、即ち化合物(1)が用いられる。このようなホール注入層14を備える有機EL素子は、従来の有機EL素子と比較して、十分に優れた発光効率を有し、駆動電圧の低下を十分に抑制できる。
(Hole injection layer)
As a material for the
ホール注入層14は、構成材料として化合物(1)を単独で用いられていてもよく、化合物(1)を主成分の材料として含有し、更に従来のホール輸送層の材料として用いられているものを1種もしくは2種以上含有していてもよい。そのような材料としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の低分子材料が挙げられる。また、ホール注入層14に構成材料のガラス転移温度(Tg)以上の温度で熱処理を加えても良い。
The
ホール注入層14における化合物(1)以外の材料の含有割合は、発光効率、駆動電圧及び/又は駆動寿命を向上させる観点から、体積基準で、10%以下であると好ましく、5%以下であるとより好ましい。
The content ratio of materials other than the compound (1) in the
(ホール輸送層)
ホール輸送層には、低分子材料、高分子材料のいずれのホール輸送性材料も使用可能であり、化合物(1)を含有していてもよい。ホール輸送性低分子材料としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などが挙げられる。また、ホール輸送性高分子材料としては、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸共重合体(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリスチレンスルホン酸共重合体(Pani/PSS)などが挙げられる。ホール輸送層の構成材料としては、化合物(1)が単独で用いられていてもよく、化合物(1)を主成分の材料として含有し、さらにホール輸送性材料を1種もしくは2種以上含有していてもよい。
(Hall transport layer)
For the hole transport layer, any of a low molecular material and a high molecular material can be used, and the compound may contain the compound (1). Examples of the hole transporting low molecular weight material include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives. Also, hole transporting polymer materials include polyvinyl carbazole (PVK), polyethylenedioxythiophene (PEDOT), polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid copolymer (PEDOT / PSS), polyaniline / polystyrene sulfonic acid copolymer. (Pani / PSS). As a constituent material of the hole transport layer, the compound (1) may be used alone, containing the compound (1) as a main component material, and further containing one or more hole transport materials. It may be.
(発光層)
発光層10の材料としては、電子とホールとの再結合により励起子が生成し、その励起子がエネルギーを放出して基底状態に戻る際に発光するような有機化合物であれば、特に限定されることなく用いることができる。具体的には、例えば、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体、イリジウム錯体もしくは希土類金属錯体等の有機金属錯体化合物、アントラセン、ナフタセン、ベンゾフルオランテン、ナフトフルオランテン、スチリルアミンもしくはテトラアリールジアミン又はこれらの誘導体、ペリレン、キナクリドン、クマリン、DCMもしくはDCJTBなどの低分子有機化合物、あるいは、ポリアセチレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体もしくはポリチオフェン誘導体等のπ共役系ポリマー、又は、ポリビニル化合物、ポリスチレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアクリレート誘導体もしくはポリメタクリレート誘導体等の非π共役系の側鎖型ポリマーもしくは主鎖型ポリマー等に色素を含有させたものなどの高分子有機化合物などを挙げることができる。また、構成材料として化合物(1)を含有させても良い。
(Light emitting layer)
The material of the
(電子輸送層)
電子輸送層12の材料としては、従来知られているものであれば、特に限定されることなく用いることができ、低分子材料、高分子材料のいずれの電子輸送材料も使用可能である。電子輸送性低分子材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、フェナントロリン及びその誘導体、並びにこれらの化合物を配位子とする金属錯体などが挙げられる。また、電子輸送性高分子材料としては、ポリキノキサリン、ポリキノリンなどが挙げられる。電子輸送層12の材料は、1種を単独で用いてもよく、また、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Electron transport layer)
As the material of the
(電子注入層)
電子注入層13の構成材料は、従来の有機EL素子において電子注入層に用いられているものであれば特に限定されることはなく、リチウム等のアルカリ金属、フッ化リチウム、酸化リチウム等を用いることができる。この電子注入層13を備えることにより、有機EL素子は、第2の電極(電子注入電極)2からの電子の注入を容易にし、電子を安定に輸送し、更には有機発光層10からのホールを妨げる機能を有するものとなる。それにより、有機EL素子の発光効率が向上するとともに駆動電圧が全体的に低下する傾向にある。
(Electron injection layer)
The constituent material of the
本実施形態に係る有機EL素子は、上記化合物(1)を用いてホール注入層14を形成する以外は、公知の製造方法で製造できる。そのようなホール注入層14を含めて各有機層の形成方法としては、真空蒸着法、イオン化蒸着法、塗布法等を、有機層を構成する材料に応じて適宜選択して採用できる。
The organic EL device according to this embodiment can be manufactured by a known manufacturing method except that the
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples.
(合成例1)
N,N,N’,N’−テトラキス−(p−ビフェニル)−[1,1’;3’,1’’]−ターフェニル−4,4’’−ジアミン(化合物(I))の合成
標記化合物を以下の反応式にしたがって、下記の方法で合成した。
(Synthesis Example 1)
Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis- (p-biphenyl)-[1,1 ′; 3 ′, 1 ″]-terphenyl-4,4 ″ -diamine (compound (I)) The title compound was synthesized by the following method according to the following reaction formula.
ビス−(p−ビフェニル)アミン20.0g(0.062モル)と、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン52.8g(0.186モル)と、無水炭酸カリウム25.8g(0.186モル)と、銅粉6.0g(0.094モル)と、デカヒドロナフタレン40mLとを混合し、180〜200℃で約40時間反応させた。次いで、反応生成物をトルエン700mLで抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=1/2(体積比))により精製したところ、ビス−(p−ビフェニル)−4−ブロモフェニルアミン(以下、化合物(I−1)という。)15.4g(収率52%)が得られた。 20.0 g (0.062 mol) of bis- (p-biphenyl) amine, 52.8 g (0.186 mol) of 1-bromo-4-iodobenzene, and 25.8 g (0.186 mol) of anhydrous potassium carbonate Then, 6.0 g (0.094 mol) of copper powder and 40 mL of decahydronaphthalene were mixed and reacted at 180 to 200 ° C. for about 40 hours. Next, the reaction product was extracted with 700 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 1/2 (volume ratio)). Bis- (p-biphenyl) ) -4-bromophenylamine (hereinafter referred to as compound (I-1)) 15.4 g (yield 52%) was obtained.
上記化合物(I−1)15.0g(0.032モル)と、テトラヒドロフラン120mLとの混合溶液に、1.57mol/Lのn−ブチルリチウム−ヘキサン溶液24.0mL(0.038モル)を加え、−78℃で約1時間反応させた。次いで、2−イソプロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン17.9g(0.096モル)を加え、約6時間反応させた。反応生成物を500mLのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=5/1(体積比))により精製したところ、ビス−(p−ビフェニル)−4−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラニル)フェニルアミン(以下、化合物(I−2)という。)7.38g(収率44%)が得られた。 To a mixed solution of 15.0 g (0.032 mol) of the above compound (I-1) and 120 mL of tetrahydrofuran was added 24.0 mL (0.038 mol) of a 1.57 mol / L n-butyllithium-hexane solution. The mixture was reacted at -78 ° C for about 1 hour. Then, 17.9 g (0.096 mol) of 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl- [1,3,2] dioxaborolane was added and reacted for about 6 hours. The reaction product was extracted with 500 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 5/1 (volume ratio)). Bis- (p-biphenyl) 7.38 g (44% yield) of -4- (4,4,5,5-tetramethyl- [1,3,2] dioxaborolanyl) phenylamine (hereinafter referred to as compound (I-2)) )was gotten.
上記化合物(I−2)3.5g(0.0067モル)と、m−ジブロモベンゼン0.65g(0.0028モル)と、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.19g(0.00017モル)と、2M炭酸ナトリウム水溶液40mLと、エタノール20mLと、トルエン80mLとを混合し、80〜90℃で約10時間反応させた。次に、反応生成物を400mLのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=3/1(体積比))により精製したところ、化合物(I)2.43g(収率78%)が得られた。これを、更に昇華精製することにより、純度99.98%(高速液体クロマトグラフィー(HPLC)により純度確認)の化合物(I)を得た。 3.5 g (0.0067 mol) of the above compound (I-2), 0.65 g (0.0028 mol) of m-dibromobenzene, 0.19 g (0.00017) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) Mol), 40 mL of a 2M aqueous sodium carbonate solution, 20 mL of ethanol, and 80 mL of toluene were mixed and reacted at 80 to 90 ° C. for about 10 hours. Next, the reaction product was extracted with 400 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 3/1 (volume ratio)) to obtain compound (I). 2.43 g (yield 78%) was obtained. This was further purified by sublimation to obtain Compound (I) having a purity of 99.98% (purity confirmed by high performance liquid chromatography (HPLC)).
なお、得られた化合物の質量分析を行ったところ、図4に示すようにm/e=869にピークが確認された。また、この化合物を赤外吸収分光(IR)法を用いて分析したところ、図5に示すIRスペクトルが得られた。更に、この化合物を1H−核磁気共鳴(1H−NMR)法を用いて分析したところ、図6に示すNMRスペクトルが得られ、13C−核磁気共鳴(13C−NMR)法を用いて分析したところ、図7に示すNMRスペクトルが得られた。これらのことから、合成例1において得られた化合物が、化合物(I)であることが確認された。 As a result of mass spectrometry of the obtained compound, a peak was confirmed at m / e = 869 as shown in FIG. Moreover, when this compound was analyzed using the infrared absorption spectroscopy (IR) method, IR spectrum shown in FIG. 5 was obtained. Furthermore, Analysis of this compound 1 H- using nuclear magnetic resonance (1 H-NMR) method, obtained NMR spectrum shown in FIG. 6, 13 C-nuclear using magnetic resonance (13 C-NMR) method As a result, the NMR spectrum shown in FIG. 7 was obtained. From these results, it was confirmed that the compound obtained in Synthesis Example 1 was compound (I).
(合成例2)
N,N,N’,N’−テトラキス−(p−ビフェニル)−[1,1’;3’,1’’]−ターフェニル−3,3’’−ジアミン(化合物(II))の合成
標記化合物を以下の反応式にしたがって、下記の方法で合成した。
(Synthesis Example 2)
Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis- (p-biphenyl)-[1,1 ′; 3 ′, 1 ″]-terphenyl-3,3 ″ -diamine (compound (II)) The title compound was synthesized by the following method according to the following reaction formula.
ビス−(p−ビフェニル)アミン20.0g(0.062モル)と、1−ブロモ−3−ヨードベンゼン52.8g(0.186モル)と、無水炭酸カリウム25.8g(0.186モル)と、銅粉6.0g(0.094モル)と、デカヒドロナフタレン40mLとを混合し、180〜200℃で約40時間反応させた。次いで、反応生成物をトルエン600mLで抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=1/2(体積比))により精製したところ、ビス−(p−ビフェニル)−3−ブロモフェニルアミン(以下、化合物(II−1)という。)12.7g(収率43%)が得られた。 20.0 g (0.062 mol) of bis- (p-biphenyl) amine, 52.8 g (0.186 mol) of 1-bromo-3-iodobenzene, and 25.8 g (0.186 mol) of anhydrous potassium carbonate Then, 6.0 g (0.094 mol) of copper powder and 40 mL of decahydronaphthalene were mixed and reacted at 180 to 200 ° C. for about 40 hours. Next, the reaction product was extracted with 600 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 1/2 (volume ratio)). Bis- (p-biphenyl) 12.7 g (43% yield) of 3-bromophenylamine (hereinafter referred to as compound (II-1)) was obtained.
上記化合物(II−1)12.0g(0.026モル)と、テトラヒドロフラン120mLとの混合溶液に、1.57mol/Lのn−ブチルリチウム−ヘキサン溶液18.2mL(0.030モル)を加え、−78℃で約1時間反応させた。次いで、2−イソプロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン7.24g(0.040モル)を加え、約6時間反応させた。反応生成物を300mLのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=5/1(体積比))により精製したところ、ビス−(p−ビフェニル)−3−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラニル)フェニルアミン(以下、化合物(II−2)という。)4.76g(収率35%)が得られた。 To a mixed solution of 12.0 g (0.026 mol) of the above compound (II-1) and 120 mL of tetrahydrofuran was added 18.2 mL (0.030 mol) of a 1.57 mol / L n-butyllithium-hexane solution. The mixture was reacted at -78 ° C for about 1 hour. Subsequently, 7.24 g (0.040 mol) of 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl- [1,3,2] dioxaborolane was added and reacted for about 6 hours. The reaction product was extracted with 300 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 5/1 (volume ratio)). Bis- (p-biphenyl) -3- (4,4,5,5-tetramethyl- [1,3,2] dioxaborolanyl) phenylamine (hereinafter referred to as compound (II-2)) 4.76 g (yield 35%) )was gotten.
上記化合物(II−2)2.3g(0.0044モル)と、m−ジブロモベンゼン0.43g(0.0018モル)と、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.12g(0.00011モル)と、2M炭酸ナトリウム水溶液40mLと、エタノール20mLと、トルエン80mLとを混合し、80〜90℃で約10時間反応させた。次に、反応生成物を400mLのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=3/1(体積比))により精製したところ、化合物(II)(収率67%)が得られた。これを、昇華精製することにより、純度99.92%(高速液体クロマトグラフィー(HPLC)により純度確認)の化合物(II)を得た。 2.3 g (0.0044 mol) of the above compound (II-2), 0.43 g (0.0018 mol) of m-dibromobenzene, and 0.12 g (0.00011) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0). Mol), 40 mL of a 2M aqueous sodium carbonate solution, 20 mL of ethanol, and 80 mL of toluene were mixed and reacted at 80 to 90 ° C. for about 10 hours. Next, the reaction product was extracted with 400 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 3/1 (volume ratio)) to obtain compound (II). (Yield 67%) was obtained. This was purified by sublimation to obtain Compound (II) having a purity of 99.92% (purity confirmed by high performance liquid chromatography (HPLC)).
なお、得られた化合物の質量分析を行ったところ、図8に示すようにm/e=869にピークが確認された。また、この化合物を赤外吸収分光(IR)法を用いて分析したところ、図9に示すIRスペクトルが得られた。更に、この化合物を1H−核磁気共鳴(1H−NMR)法を用いて分析したところ、図10に示すNMRスペクトルが得られ、13C−核磁気共鳴(13C−NMR)法を用いて分析したところ、図11に示すNMRスペクトルが得られた。これらのことから、合成例2において得られた化合物が、化合物(II)であることが確認された。 When the obtained compound was subjected to mass spectrometry, a peak was confirmed at m / e = 869 as shown in FIG. Moreover, when this compound was analyzed using the infrared absorption spectroscopy (IR) method, IR spectrum shown in FIG. 9 was obtained. Furthermore, Analysis of this compound 1 H- using nuclear magnetic resonance (1 H-NMR) method, obtained NMR spectrum shown in FIG. 10, 13 C-nuclear using magnetic resonance (13 C-NMR) method As a result, the NMR spectrum shown in FIG. 11 was obtained. From these, it was confirmed that the compound obtained in Synthesis Example 2 was compound (II).
(合成例3)
N,N,N’,N’−テトラキス−(p−ビフェニル)−[1,1’;3’,1’’]−ターフェニル−4,3’’−ジアミン(化合物(III))の合成
標記化合物を以下の反応式にしたがって、下記の方法で合成した。
(Synthesis Example 3)
Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis- (p-biphenyl)-[1,1 ′; 3 ′, 1 ″]-terphenyl-4,3 ″ -diamine (compound (III)) The title compound was synthesized by the following method according to the following reaction formula.
上記化合物(I−2)3.5g(0.0067モル)と、m−ジブロモベンゼン15.7g(0.067モル)と、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.23g(0.00020モル)と、2M炭酸ナトリウム水溶液40mLと、エタノール20mLと、トルエン80mLとを混合し、80〜90℃で約6時間反応させた。次に、反応生成物を300mLのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=1/1(体積比))により精製したところ、ビス−(p−ビフェニル)−(3’−ブロモ−4,4’−ビフェニル)アミン(以下、化合物(III−1)という。)2.66g(収率72%)が得られた。 3.5 g (0.0067 mol) of the above compound (I-2), 15.7 g (0.067 mol) of m-dibromobenzene, 0.23 g (0.00020) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0). Mol), 40 mL of a 2M aqueous sodium carbonate solution, 20 mL of ethanol, and 80 mL of toluene were mixed and reacted at 80 to 90 ° C. for about 6 hours. Next, the reaction product was extracted with 300 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 1/1 (volume ratio)). -Biphenyl)-(3′-bromo-4,4′-biphenyl) amine (hereinafter referred to as compound (III-1)) 2.66 g (yield 72%) was obtained.
上記化合物(III−1)1.40g(0.0025モル)と、上記化合物(II−2)1.57g(0.0030モル)と、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.087g(0.000075モル)と、2M炭酸ナトリウム水溶液40mLと、エタノール20mLと、トルエン80mLとを混合し、80〜90℃で約10時間反応させた。次に、反応生成物を400mLのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=3/1(体積比))により精製したところ、化合物(III)1.34g(収率62%)が得られた。これを、更に昇華精製することにより、純度99.91%(高速液体クロマトグラフィー(HPLC)により純度確認)の化合物(III)を得た。 1.40 g (0.0025 mol) of the above compound (III-1), 1.57 g (0.0030 mol) of the above compound (II-2), 0.087 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) ( 0.000075 mol), 40 mL of a 2M aqueous sodium carbonate solution, 20 mL of ethanol, and 80 mL of toluene were mixed and reacted at 80 to 90 ° C. for about 10 hours. Next, the reaction product was extracted with 400 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 3/1 (volume ratio)) to obtain compound (III). 1.34 g (yield 62%) was obtained. This was further purified by sublimation to obtain compound (III) having a purity of 99.91% (purity confirmed by high performance liquid chromatography (HPLC)).
なお、得られた化合物の質量分析を行ったところ、図12に示すようにm/e=869にピークが確認された。また、この化合物を赤外吸収分光(IR)法を用いて分析したところ、図13に示すIRスペクトルが得られた。更に、この化合物を1H−核磁気共鳴(1H−NMR)法を用いて分析したところ、図14に示すNMRスペクトルが得られ、13C−核磁気共鳴(13C−NMR)法を用いて分析したところ、図15に示すNMRスペクトルが得られた。これらのことから、合成例1において得られた化合物が、化合物(III)であることが確認された。 When the obtained compound was subjected to mass spectrometry, a peak was confirmed at m / e = 869 as shown in FIG. Moreover, when this compound was analyzed using the infrared absorption spectroscopy (IR) method, IR spectrum shown in FIG. 13 was obtained. Furthermore, Analysis of this compound 1 H- with nuclear magnetic resonance (1 H-NMR) method, obtained NMR spectrum shown in FIG. 14, 13 C-nuclear using magnetic resonance (13 C-NMR) method As a result, the NMR spectrum shown in FIG. 15 was obtained. From these results, it was confirmed that the compound obtained in Synthesis Example 1 was compound (III).
(合成例4)
N,N,N’,N’−テトラキス−(p−ビフェニル)−[1,1’;4’,1’’]−ターフェニル−3,3’’−ジアミン(化合物(IV))の合成
標記化合物を以下の反応式にしたがって、下記の方法で合成した。
(Synthesis Example 4)
Synthesis of N, N, N ′, N′-tetrakis- (p-biphenyl)-[1,1 ′; 4 ′, 1 ″]-terphenyl-3,3 ″ -diamine (compound (IV)) The title compound was synthesized by the following method according to the following reaction formula.
上記化合物(II−2)1.70g(0.0033モル)と、p−ジブロモベンゼン0.32g(0.0014モル)と、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.087g(0.000075モル)と、2M炭酸ナトリウム水溶液40mLと、エタノール20mLと、トルエン80mLとを混合し、80〜90℃で約10時間反応させた。次に、反応生成物を400mLのトルエンにより抽出し水洗後、カラムクロマトグラフィー(担体:シリカゲル、溶離液:トルエン/n−ヘキサン=3/1(体積比))により精製したところ、化合物(IV)0.61g(収率52%)が得られた。これを、更に昇華精製することにより、純度99.93%(高速液体クロマトグラフィー(HPLC)により純度確認)の化合物(IV)を得た。 1.70 g (0.0033 mol) of the above compound (II-2), 0.32 g (0.0014 mol) of p-dibromobenzene, 0.087 g (0.000075) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0). Mol), 40 mL of a 2M aqueous sodium carbonate solution, 20 mL of ethanol, and 80 mL of toluene were mixed and reacted at 80 to 90 ° C. for about 10 hours. Next, the reaction product was extracted with 400 mL of toluene, washed with water, and purified by column chromatography (carrier: silica gel, eluent: toluene / n-hexane = 3/1 (volume ratio)) to obtain compound (IV). 0.61 g (52% yield) was obtained. This was further purified by sublimation to obtain Compound (IV) having a purity of 99.93% (purity confirmed by high performance liquid chromatography (HPLC)).
(実施例1)
まず、用意したガラス基板上に、ホール注入電極(陽極)としてのITOを200nmの厚さに成膜し、パターニングした。次に、中性洗剤、アセトン及びエタノールの混合液を用いて、該ガラス基板の超音波洗浄を行った。続いて、そのガラス基板を混合液から引き上げて乾燥した後、酸素置換されたチャンバー内で、赤外線照射を行うことにより、酸素をオゾン化し、基盤表面をオゾン洗浄した。そして洗浄後のガラス基板を蒸着装置(アルバック製)の基板ホルダーに固定して、1×10−4Paまで減圧した。次いで、合成例1で得られた化合物(I)をそのガラス基板上に蒸着し、100nmの厚さを有するホール注入層を形成した。
Example 1
First, ITO as a hole injection electrode (anode) was formed to a thickness of 200 nm on a prepared glass substrate and patterned. Next, the glass substrate was subjected to ultrasonic cleaning using a mixed solution of neutral detergent, acetone and ethanol. Subsequently, the glass substrate was pulled up from the mixed solution and dried, and then the substrate was subjected to ozone irradiation by performing infrared irradiation in a chamber substituted with oxygen to clean the substrate surface with ozone. And the glass substrate after washing | cleaning was fixed to the substrate holder of the vapor deposition apparatus (product made from ULVAC), and was pressure-reduced to 1 * 10 <-4> Pa. Next, the compound (I) obtained in Synthesis Example 1 was deposited on the glass substrate to form a hole injection layer having a thickness of 100 nm.
続いて、系内を減圧状態に維持したまま、下記式(11)で表される化合物をホール注入層上に蒸着し、30nmの厚さを有するホール輸送層を形成した。次いで、系内を減圧状態に維持したまま、下記式(12)で表される化合物と、下記式(11)で表される化合物と、下記式(13)で表される化合物とを、質量比60:38:2の割合で、ホール輸送層上に共蒸着させ、20nmの厚さを有する第1発光層を形成した。 Subsequently, a compound represented by the following formula (11) was vapor-deposited on the hole injection layer while maintaining the system in a reduced pressure state to form a hole transport layer having a thickness of 30 nm. Next, while maintaining the reduced pressure inside the system, the compound represented by the following formula (12), the compound represented by the following formula (11), and the compound represented by the following formula (13) A first light emitting layer having a thickness of 20 nm was formed by co-evaporation on the hole transport layer at a ratio of 60: 38: 2.
次いで、系内を減圧状態に維持したまま、上記式(12)で表される化合物(アントラセン誘導体)と、上記式(11)で表される化合物と、下記式(14)で表される化合物とを、質量比60:38:2の割合で、第1発光層上に共蒸着させ、20nmの厚さを有する第2発光層を形成した。 Next, the compound represented by the above formula (12) (anthracene derivative), the compound represented by the above formula (11), and the compound represented by the following formula (14), while maintaining the reduced pressure in the system Were vapor-deposited on the first light emitting layer at a mass ratio of 60: 38: 2 to form a second light emitting layer having a thickness of 20 nm.
更に、系内を減圧状態に維持したまま、下記式(15)で表される化合物を第2発光層上に蒸着し、20nmの厚さを有する電子輸送層を形成した。そして、系内を減圧状態に維持したまま、電子注入層してのフッ化リチウムを蒸着法により電子輸送層上に形成した。この電子注入層の膜厚は0.3nmであった。そして、その上に電子注入電極(陰極)としてのアルミニウムを150nmの膜厚で成膜し、実施例1の有機EL素子を得た。 Furthermore, the compound represented by the following formula (15) was vapor-deposited on the second light emitting layer while maintaining the reduced pressure in the system, thereby forming an electron transport layer having a thickness of 20 nm. And the lithium fluoride as an electron injection layer was formed on the electron carrying layer by the vapor deposition method, maintaining the pressure-reduced state in the system. The thickness of this electron injection layer was 0.3 nm. And the aluminum as an electron injection electrode (cathode) was formed into a film with a film thickness of 150 nm on it, and the organic EL element of Example 1 was obtained.
(実施例2)
合成例1で得られた化合物(I)を用いる代わりに合成例2で得られた化合物(II)を用いてホール注入層を形成した以外は実施例1と同様にして、実施例2の有機EL素子を得た。
(Example 2)
In the same manner as in Example 1 except that the hole injection layer was formed using Compound (II) obtained in Synthesis Example 2 instead of using Compound (I) obtained in Synthesis Example 1, the organic of Example 2 was used. An EL element was obtained.
(実施例3)
合成例1で得られた化合物(I)を用いる代わりに合成例3で得られた化合物(III)を用いてホール注入層を形成した以外は実施例1と同様にして、実施例3の有機EL素子を得た。
(Example 3)
In the same manner as in Example 1 except that the hole injection layer was formed using the compound (III) obtained in Synthesis Example 3 instead of using the compound (I) obtained in Synthesis Example 1, the organic of Example 3 was used. An EL element was obtained.
(実施例4)
合成例1で得られた化合物(I)を用いる代わりに合成例4で得られた化合物(IV)を用いてホール注入層を形成した以外は実施例1と同様にして、実施例4の有機EL素子を得た。
Example 4
In the same manner as in Example 1 except that the hole injection layer was formed using the compound (IV) obtained in Synthesis Example 4 instead of using the compound (I) obtained in Synthesis Example 1, the organic of Example 4 was used. An EL element was obtained.
(比較例1)
合成例1で得られた化合物(I)を用いる代わりに下記式(16)で表される化合物(以下、化合物(16)ともいう。)を用いてホール注入層を形成した以外は実施例1と同様にして、比較例1の有機EL素子を得た。
(Comparative Example 1)
Example 1 except that the hole injection layer was formed using a compound represented by the following formula (16) (hereinafter also referred to as compound (16)) instead of using the compound (I) obtained in Synthesis Example 1. In the same manner, an organic EL device of Comparative Example 1 was obtained.
(比較例2)
合成例1で得られた化合物(I)を用いる代わりに下記式(17)で表される化合物(以下、化合物(17)ともいう。)を用いてホール注入層を形成した以外は実施例1と同様にして、比較例2の有機EL素子を得た。
(Comparative Example 2)
Example 1 except that the hole injection layer was formed using a compound represented by the following formula (17) (hereinafter also referred to as compound (17)) instead of using the compound (I) obtained in Synthesis Example 1. In the same manner, an organic EL device of Comparative Example 2 was obtained.
<ホール注入層に用いた化合物の熱特性>
上記の実施例1〜4及び比較例1、2に用いた化合物(I)〜(IV)、(16)及び(17)のガラス転移温度(Tg)及び蒸着温度を表76に示す。なお、ガラス転移温度は示差走査熱量測定により決定した。
<Thermal characteristics of the compound used for the hole injection layer>
Table 76 shows the glass transition temperatures (Tg) and vapor deposition temperatures of the compounds (I) to (IV), (16) and (17) used in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2. The glass transition temperature was determined by differential scanning calorimetry.
<素子特性評価試験>
上記のようにして得られた実施例1〜4及び比較例1、2の有機EL素子について、真空中、室温にて、10mA/cm2の定電流駆動時の初期輝度及び駆動電圧、並びに、50mA/cm2の定電流駆動時の輝度が半減するまでの寿命(輝度半減寿命)をそれぞれ測定した。それらの結果を表77に示す。
<Element characteristic evaluation test>
About the organic EL elements of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 obtained as described above, initial luminance and driving voltage at a constant current of 10 mA / cm 2 in vacuum at room temperature, and The lifetime (luminance half-life) until the luminance was reduced by half when driven at a constant current of 50 mA / cm 2 was measured. The results are shown in Table 77.
1…第1の電極、2…第2の電極、4…基板、10…発光層、11…ホール輸送層、12…電子輸送層、13…電子注入層、14…ホール注入層、100…第1実施形態に係る有機EL素子、200…第2実施形態に係る有機EL素子、300…第3実施形態に係る有機EL素子、P…電源。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記有機層のうち少なくとも1層は、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL素子用化合物を含む、有機EL素子。 An organic EL device comprising one or more organic layers between two electrodes arranged opposite to each other,
At least 1 layer is an organic EL element containing the compound for organic EL elements of any one of Claims 1-4 among the said organic layers.
The organic EL device according to claim 5, wherein the organic layer containing the compound for organic EL device is a hole injection layer.
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