JP5235180B2 - 光学微小機械装置 - Google Patents
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Description
前記所定間隔は、前記2枚のフォトニック結晶スラブの定在波モードの波長の光が前記フォトニック結晶スラブの面上に照射されたときに、該定在波モードが結合して結合モードとなる距離であることを特徴とする。
前記結合モードのときに、光輻射力を発生させることを特徴とする。
前記結合モードは、前記2枚のフォトニック結晶スラブ間で対称な電界分布を有する対称モードと、前記2枚のフォトニック結晶スラブ間で反対称な電界分布を有する反対称モードとを有し、
前記輻射力は、前記対称モードでは斥力を発生し、前記反対称モードでは引力を発生することを特徴とする。
前記フォトニック結晶スラブの力学的変位又は前記フォトニック結晶スラブに印加された力の大きさを、前記フォトニック結晶スラブに照射した光の反射波又は透過波から検出することを特徴とする。
前記結合モードは、前記2枚のフォトニック結晶スラブに形成された穴の径、周期又は前記2枚のフォトニック結晶スラブの厚さにより調整されることを特徴とする。
前記2枚のフォトニック結晶スラブに形成された穴の径は、前記フォトニック結晶スラブの最も外側に形成された穴の径が最も大きく、最も中心に近い穴の径が最も小さいことを特徴とする。
前記2枚のフォトニック結晶スラブは、半導体基板で構成され、
前記所定間隔を有して対向して配置された2枚のフォトニック結晶スラブの側面は、前記半導体基板を含む多層構造を有する支持部で囲まれていることを特徴とする。
前記支持部により、前記2枚のフォトニック結晶スラブの片側端又は両側端が支持されたことを特徴とする。
12 間隔
13、14 空気穴
20、21 支持基板
22 中間層
25、26、27 支持部
30 反射率検出手段
31、33 演算手段
32 透過率検出手段
40 光源
50 レンズ
Claims (8)
- 所定間隔を有して対向して配置された2枚のフォトニック結晶スラブを有し、
前記所定間隔は、前記2枚のフォトニック結晶スラブの定在波モードの波長の光が前記フォトニック結晶スラブの面上に照射されたときに、該定在波モードが結合して結合モードとなる距離であることを特徴とする光学微小機械装置。 - 前記結合モードのときに、光輻射力を発生させることを特徴とする請求項1に記載の光学微小機械装置。
- 前記結合モードは、前記2枚のフォトニック結晶スラブ間で対称な電界分布を有する対称モードと、前記2枚のフォトニック結晶スラブ間で反対称な電界分布を有する反対称モードとを有し、
前記輻射力は、前記対称モードでは斥力を発生し、前記反対称モードでは引力を発生することを特徴とする請求項2に記載の光学微小機械装置。 - 前記フォトニック結晶スラブの力学的変位又は前記フォトニック結晶スラブに印加された力の大きさを、前記フォトニック結晶スラブに照射した光の反射波又は透過波から検出することを特徴とする請求項1に記載の光学微小機械装置。
- 前記結合モードは、前記2枚のフォトニック結晶スラブに形成された穴の径、周期又は前記2枚のフォトニック結晶スラブの厚さにより調整されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光学微小機械装置。
- 前記2枚のフォトニック結晶スラブに形成された穴の径は、前記フォトニック結晶スラブの最も外側に形成された穴の径が最も大きく、最も中心に近い穴の径が最も小さいことを特徴とする請求項5に記載の光学微小機械装置。
- 前記2枚のフォトニック結晶スラブは、半導体基板で構成され、
前記所定間隔を有して対向して配置された2枚のフォトニック結晶スラブの側面は、前記半導体基板を含む多層構造を有する支持部で囲まれていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光学微小機械装置。 - 前記支持部により、前記2枚のフォトニック結晶スラブの片側端又は両側端が支持されたことを特徴とする請求項7に記載の光学微小機械装置。
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- 2009-09-01 JP JP2009201988A patent/JP5235180B2/ja active Active
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