JP5235090B2 - 積層型圧電素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、超音波トランスデューサや圧電アクチュエータ等として利用される積層構造を有する圧電素子（積層型圧電素子）に関し、さらに、そのような積層型圧電素子の製造方法に関する。

ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等の鉛系ペロブスカイト構造を有する材料に代表される圧電体は、電圧を印加することにより伸縮する圧電効果を生じる。このような性質を有する圧電素子は、超音波トランスデューサや、圧電アクチュエータや、圧電ポンプ等の様々な用途に利用されている。

圧電素子の構造は、１つの圧電体の両側に電極が形成された単層構造が基本であるが、近年のＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）関連の機器の開発に伴う圧電素子の微細化及び集積化により、複数の圧電体と複数の電極とが交互に積層された積層型の圧電素子も用いられるようになっている。そのような圧電素子においては、複数の圧電体層に電界を印加するための電極を並列に接続することにより、圧電素子全体としての静電容量を大きくすることができるので、圧電素子のサイズを小さくしても、電気インピーダンスの上昇を抑えることができる。

図７Ａ及び図７Ｂは、従来の積層型圧電素子の製造方法を説明するための断面図である。図７Ａに示すように、３層の圧電体層１０と２層の内部電極２１及び２２とを交互に積層することにより、積層構造体が構成される。さらに、積層構造体の側面における所定の位置に、側面絶縁膜２３が形成される。その後、積層構造体の周囲に電極材をコートすることにより、側面電極２４及び２５と、下部電極２６及び上部電極２７とが形成される。

次に、ダイシングソーを用いて、図７Ｂに示す部分Ｇ及びＨを除去することにより、側面電極２４が下部電極２６から分離され、側面電極２５が上部電極２７から分離される。これにより、下部電極２６と上部電極２７との間の短絡を解除して、３層の圧電体層１０にそれぞれ電界を印加することが可能となる。

ところで、超音波探触子によって送受信される超音波の周波数が高くなると、圧電素子の厚さを薄くする必要が生じる。これに伴って、積層構造体の側面に形成される側面絶縁膜の幅も狭くする必要がある。積層構造体の側面に絶縁膜を形成するための方法としては、エマルジョン電着法、フォトリソグラフィ法、印刷法、及び、ディスペンス法が用いられるが、それらの方法が絶縁膜の幅を狭くすることに対応できるか否かが問題となる。

樹脂エマルジョン電着法においては、一般に、エマルジョン粒子の直径が約５０μｍ以上と大きいので、絶縁膜の幅を１００μｍ程度まで狭くすることが限界である。ガラスエマルジョン電着法も提案されているが、硬質材であるガラスを絶縁膜として用いると、圧電体の電気機械結合係数ｋが低下してしまう。例えば、第３の方向（Ｚ軸方向）に分極処理（ポーリング処理）が施された圧電体を、同じ第３の方向に電界を印加して振動させた場合の振動モードである３３振動モードにおける電気機械結合係数ｋ３３について比較すると、圧電体のｋ３３が０．７４である場合に、樹脂を絶縁膜として用いるとｋ３３が０．６８程度以上であるが、ガラスを絶縁膜として用いるとｋ３３が０．６０〜０．６２程度まで低下してしまう。

レジスト膜を感光させてパターニングするフォトリソグラフィ法によれば、サブミクロンオーダの精細なパターンを形成することが可能であるが、レジスト膜を厚く形成して絶縁膜とすることは困難であり、レジスト膜を厚く形成できたとしても、パターンが粗くなってしまう。さらに、フォトリソグラフィ法においては、各工程に要する時間が長く、また、現像工程において、圧電素子をアルカリ薬液に浸漬したりレジスト材料を高温でベーキングしたりするので、圧電体に対するダメージが大きいことも問題である。

スクリーン印刷法を用いる場合には、版の精度が不十分であり、スクリーンの位置合わせも困難である。また、ディスペンス法による絶縁膜の形成においては、主に、ディスペンスノズルの大きさによって絶縁膜の幅の下限が規定される。現在市販されているディスペンスノズルの内径と、塗布可能な絶縁用素材の粘度との組み合わせによれば、絶縁膜の幅を９０μｍ〜１００μｍ程度にするのが限界である。高粘度の絶縁用素材を用いることも考えられるが、そのような絶縁用素材は、内径の小さいディスペンスノズルから安定して供給することができない。

関連する技術として、特許文献１には、５００℃以下の低温で絶縁層を形成することが可能な積層型圧電セラミック素子の製造方法が開示されている。この製造方法は、圧電セラミック層が３層以上で内部電極が２層以上となるように積層した積層体の側面に露出する内部電極が１層おきに対向電極となるように絶縁物で絶縁した上に外部電極を有する積層型圧電セラミック素子の製造方法であって、ペースト状に加工された絶縁材をディスペンサで塗布することにより絶縁物を形成する工程を特徴とする。

また、特許文献２には、内部電極と外部電極との接続を十分に確保でき、外部電極と内部電極の放電現象による絶縁劣化や破壊を抑制する積層型圧電アクチュエータの製造方法が開示されている。この製造方法は、複数の圧電体と複数の内部電極とを交互に積層して積層体を形成し、該積層体の表面に露出した内部電極を一層おきに外部電極に接続した積層型圧電アクチュエータの製造方法であって、露出した内部電極に一層ごとに切り欠き溝を形成した後、内部電極が露出した側面に絶縁層を形成して外部電極と同じ極性となる内部電極の端部のみを表面に露出させ、側面に外部電極を形成する工程を備えている。

しかしながら、超音波探触子においては高周波数化が望まれており、中心周波数が１０ＭＨｚ〜１５ＭＨｚの超音波を送受信する超音波探触子を作成する必要がある。その場合には、圧電素子の厚さが１２０μｍ〜１５０μｍとなり、２層又は３層構造の積層型圧電素子の場合には、１層の厚さが４０μｍ〜７５μｍとなる。そのため、ディスペンス法による絶縁膜の形成も困難になりつつある。また、特許文献２に開示されているように露出した内部電極に一層ごとに溝を形成することも困難になりつつある。
特開２００４−７９８２５号公報（第２−３頁、図３） 特開２００４−１１１７１８号公報（第２−３頁、図１）

そこで、上記の点に鑑み、本発明は、超音波トランスデューサや圧電アクチュエータ等として利用される積層型圧電素子において、薄い積層構造体に対しても側面絶縁膜を正確に形成することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の１つの観点に係る積層型圧電素子は、（ｉ）複数の圧電体層と少なくとも１つの内部電極とが交互に積層された積層構造体であって、積層構造体の少なくとも第１の側面に段差が形成されていることにより、少なくとも１つの内部電極の端部がいずれかの側面の凸部に位置する積層構造体と、（ii）積層構造体の少なくとも第１の側面の凸部の一方のエッジから他方のエッジまでの幅で形成され、円柱の一部又は曲面を含む形状を有し、該凸部において少なくとも１つの内部電極の端部を被覆する少なくとも１つの側面絶縁膜と、（iii）積層構造体の一方の主面上に形成された第１の平面電極と、（iv）積層構造体の他方の主面上に形成された第２の平面電極と、（ｖ）積層構造体の第１の側面上に第１又は第２の平面電極と連続的に形成され、第１及び第２の平面電極及び少なくとも１つの内部電極の内で奇数番目の電極である第１の電極群に接続された第１の側面電極と、（vi）積層構造体の第２の側面上に形成され、第１及び第２の平面電極及び少なくとも１つの内部電極の内で第１の電極群に属さない第２の電極群に接続された第２の側面電極とを具備する。

また、本発明の１つの観点に係る積層型圧電素子の製造方法は、複数の圧電体層と少なくとも１つの内部電極とが交互に積層された積層構造体を作製する工程（ａ）と、積層構造体の少なくとも第１の側面に段差を形成することにより、少なくとも１つの内部電極の端部がいずれかの側面の凸部に位置する状態とする工程（ｂ）と、積層構造体の少なくとも第１の側面の凸部において少なくとも１つの内部電極の端部を被覆する少なくとも１つの側面絶縁膜を、円柱の一部又は曲面を含む形状を有するように、該凸部の一方のエッジから他方のエッジまでの幅で形成する工程（ｃ）と、積層構造体の一方の主面上に第１の平面電極を形成し、積層構造体の他方の主面上に第２の平面電極を形成し、積層構造体の第１の側面上に、第１及び第２の平面電極及び少なくとも１つの内部電極の内で奇数番目の電極である第１の電極群に接続された第１の側面電極を第１又は第２の平面電極と連続的に形成し、積層構造体の第２の側面上に、第１及び第２の平面電極及び少なくとも１つの内部電極の内で第１の電極群に属さない第２の電極群に接続された第２の側面電極を形成するステップ（ｄ）とを具備する。

本発明によれば、積層構造体の少なくとも第１の側面に段差を形成し、該第１の側面の凸部の一方のエッジから他方のエッジまでの幅で、円柱の一部又は曲面を含む形状を有し該凸部において内部電極の端部を被覆する側面絶縁膜を形成することにより、薄い積層構造体に対しても側面絶縁膜を正確に形成することができる。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る積層型圧電素子を示す斜視図である。この積層型圧電素子は、３層の圧電体層１０と第１の内部電極１１及び第２の内部電極１２とが交互に積層された積層構造体と、積層構造体の一方の側面（図中右側）に形成された側面絶縁膜１３ａと、積層構造体の他方の側面（図中左側）に形成された側面絶縁膜１３ｂと、側面電極１４及び１５と、下部電極１６と、上部電極１７とを有している。図１には、３層の圧電体層１０が示されているが、圧電体層は４層以上であっても構わない。圧電体層が５層以上の場合には、積層構造体が、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とを含むことになる。

図１に示すように、積層構造体の両側面に段差Ａ及びＢが形成されていることにより、内部電極１１の右端部が右側面の凸部に位置し、内部電極１２の左端部が左側面の凸部に位置するようになっている。これにより、後で説明するように、側面絶縁膜１３ａ及び１３ｂの形成が容易になる。側面絶縁膜１３ａは、積層構造体の右側面の凸部において、内部電極１１の右端部を被覆し、側面絶縁膜１３ｂは、積層構造体の左側面の凸部において、内部電極１２の左端部を被覆している。側面絶縁膜１３ａ及び１３ｂの各々は、円柱の一部又は曲面を含む形状を有しているので、側面電極１４及び１５を形成することが容易となり、側面電極１４及び１５が切断され難くなる。

ここで、側面電極１４及び１５と下部電極１６と上部電極１７とは、同時に形成しても良いし、別個に形成しても良い。いずれにしても、側面電極１４は、奇数番目の電極（第１の電極群）である下部電極１６及び第２の内部電極１２に接続されて、偶数番目の電極（第１の電極群に属さない第２の電極群）である第１の内部電極１１及び上部電極１７から絶縁される。また、側面電極１５は、偶数番目の電極（第１の電極群に属さない第２の電極群）である第１の内部電極１１及び上部電極１７に接続されて、奇数番目の電極（第１の電極群）である下部電極１６及び第２の内部電極１２から絶縁される。下部電極１６と上部電極１７との間に電圧を印加すると、３層の圧電体層１０にそれぞれ電界が印加され、各圧電体層１０における圧電効果によって、積層型圧電素子が全体として伸縮する。

圧電体層１０は、例えば、４０μｍ〜５０μｍ程度の厚さを有しており、底面の長辺は、例えば、３ｍｍ〜４ｍｍ程度である。圧電体層１０は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等の圧電材料を用いて形成される。

第１及び第２の内部電極１１及び１２の各々は、例えば、１μｍ〜３μｍ程度の厚さを有しており、１種類の材料によって形成されていても良いし、複数の異なる材料によって形成される多層構造を有していても良い。前者の例においては、白金（Ｐｔ）や銀パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）等の金属材料が用いられる。また、後者の例においては、酸化チタン（ＴｉＯ_２）を用いて５０ｎｍ程度の厚さに形成される密着層と、白金（Ｐｔ）を用いて３μｍ程度の厚さに形成される導電層とを含む２層構造が用いられる。

側面絶縁膜１３ａ及び１３ｂは、例えば、エポキシ系、シリコーン系、ウレタンアクリレート系、又は、オキセタン系等の高絶縁性樹脂によって形成される。このような樹脂においては、ヤング率が、１．３×１０^９Ｐａ〜２．０×１０^９Ｐａと、ガラス等に比較して非常に小さい。そのため、圧電体層１０が伸縮しようとするときに、側面絶縁膜１３ａ及び１３ｂも圧電体層１０の伸縮（変位）に追随できるので、側面絶縁膜１３ａ及び１３ｂに起因する圧電体層１０の変位の制動は殆どない。

側面電極１４及び１５、下部電極１６、及び、上部電極１７としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）等の内から選択された１種類の材料の電極や、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）の２層構造の電極や、ニッケル（Ｎｉ）とチタン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）の３層構造の電極が用いられる。

次に、本発明の第２の実施形態に係る積層型圧電素子について説明する。第２の実施形態においては、２層の圧電体層が形成される場合について説明する。その他の点は、第１の実施形態と同様である。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る積層型圧電素子を示す斜視図である。この積層型圧電素子は、２層の圧電体層１０と内部電極１１とが交互に積層された積層構造体と、積層構造体の一方の側面（図中左側）に形成されている側面絶縁膜１３と、側面電極１８及び１９と、下部電極１６と、上部電極１７とを有している。

図２に示すように、積層構造体の一方の側面（図中左側）に段差Ｃ及びＤが形成されていることにより、内部電極１１の左端部が左側面の凸部に位置するようになっている。これにより、後で説明するように、側面絶縁膜１３の形成が容易になる。側面絶縁膜１３は、積層構造体の左側面の凸部において、内部電極１１の左端部を被覆している。側面絶縁膜１３は、円柱の一部又は曲面を含む形状を有しているので、側面電極１８及び１９を形成することが容易となり、側面電極１８及び１９が切断され難くなる。

ここで、側面電極１８と下部電極１６と上部電極１７とは、同時に形成しても良いし、別個に形成しても良い。いずれにしても、側面電極１８は、奇数番目の電極（第１の電極群）である下部電極１６及び上部電極１７に接続されて、偶数番目の電極（第１の電極群に属さない第２の電極群）である内部電極１１から絶縁される。また、側面電極１９は、偶数番目の電極（第１の電極群に属さない第２の電極群）である内部電極１１に接続されて、奇数番目の電極（第１の電極群）である下部電極１６及び上部電極１７から絶縁される。下部電極１６と側面電極１９との間に電圧を印加すると、２層の圧電体層１０にそれぞれ電界が印加され、各圧電体層１０における圧電効果によって、積層型圧電素子が全体として伸縮する。

次に、本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法について説明する。
図３Ａ〜図３Ｇは、本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。ここでは、第１の実施形態と同様に３層の圧電体層を有する積層型圧電素子を製造する場合について説明する。

まず、図３Ａに示すように、３層の圧電体層１０と第１の内部電極１１及び第２の内部電極１２とを積層することにより、積層構造体を作製する。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、圧電体層１０を挟んで交互に積層されることになる。下層、中層、上層の圧電体層１０の厚さは、例えば、それぞれ４０μｍ、５０μｍ、４０μｍ程度であって、底面の長辺は、例えば、３ｍｍ〜４ｍｍ程度である。

この積層構造体は、例えば、グリーンシート法を用いて作製しても良いし、内部電極を形成した圧電体のバルク材を積層することにより作製しても良いし、粉体状の材料を下層に向けて高速で吹き付けることにより材料を堆積させるエアロゾルデポジション（ＡＤ）法を用いて作製しても良い。なお、ＡＤ法は、セラミックス膜の形成方法として近年注目されている成膜方法である。

次に、図３Ｂ及び図３Ｃに示すように、ダイシングブレードを用いて、積層構造体の各側面の一部に、内部電極１２又は１１に達する切り欠き（カット部分）を形成することにより、段差Ａ及びＢを形成する。切り欠きＡ及びＢの幅は、例えば、３０μｍ程度以下とする。これにより、積層構造体の両側面に凸部が設けられる。

次に、図３Ｄに示すように、ディスペンサを用いて、液体状態の樹脂２０を積層構造体の側面の凸部に塗布する。樹脂２０としては、例えば、光硬化型（紫外線硬化型を含む）の合成樹脂、又は、熱硬化型の合成樹脂を用いることができる。ディスペンサのディスペンスノズルから排出された液体状態の樹脂２０は、積層構造体の側面に形成された段差部において表面張力が増加するエッジ効果によって、積層構造体の側面の凸部に沿って分布する。そのため、ディスペンス作業が非常に容易となる。通常、段差がない場合には、均一な太さの側面絶縁膜を形成しようとすると、ディスペンスノズルが通過する軌跡と積層構造体の主面とを略平行にする必要がある。一方、本実施形態によれば、段差部のエッジが側面絶縁膜の幅を最終的に決定することになるので、ディスペンスノズルの高さや並行調整が従来よりも簡単になる。

その後、液体状態の樹脂２０に光を照射したり熱を加えたりして樹脂を硬化させることにより、図３Ｅに示すように、側面絶縁膜１３ａ及び１３ｂが形成される。側面絶縁膜１３ａは、一方の側面において内部電極１１の端部を覆い、側面絶縁膜１３ｂは、他方の側面において内部電極１２の端部を覆う。

次に、図３Ｆに示すように、例えば、スパッタ等の物理的蒸着法によって、積層構造体の第１及び第２の主面と第１及び第２の側面との上に、電極材（導電材料）３０をコートする。ここで、電極材３０の形成は、２つの主面と２つの側面とについて連続的に行われても良いし、別個に行われても良い。また、積層構造体の前面及び背面には電極材が形成されないようにする。

次に、図３Ｇに示すように、電極材が形成された積層構造体の一部に、圧電体層１０に達する切り欠きＥ及びＦを設ける。その結果、残った電極材によって、第１の内部電極１１に接続されて第２の内部電極１２から絶縁された電極（側面電極１５及び上部電極１７）が形成されると共に、第２の内部電極１２に接続されて第１の内部電極１１から絶縁された電極（側面電極１４及び下部電極１６）が形成される。

図４は、本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法によって製造された積層型圧電素子の断面を示す写真である。図４においては、図３Ｅに示す状態における積層型圧電素子が示されている。図４に示すように、３層の圧電体層が２層の内部電極を挟んで積層されることにより積層構造体が構成されている。積層構造体の側面に切り欠き（カット部）が形成されることにより凸部が設けられており、この凸部上に、側面絶縁膜が形成されている。側面絶縁膜の断面は、略円形となっている。

次に、本発明の第４の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法について説明する。第４の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法においては、側面絶縁膜の形成工程のみが第３の実施形態（図３Ｄ）と異なっており、その他の点に関しては第３の実施形態と同様である。

図５は、本発明の第４の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。第４の実施形態においては、凸部が設けられた積層構造体の側面を、容器内に収納された液体状態の樹脂２０に浸すディップ法を用いて、液体状態の樹脂２０を積層構造体の側面における凸部に付着させる。その後、積層構造体を液体状態の樹脂２０から引き上げて、樹脂を硬化させることにより、側面絶縁膜１３ｂが形成される。

以上の実施形態によれば、薄い積層構造体に対しても側面絶縁膜を正確に形成し易くなる。そのために、積層型圧電素子の応用範囲が広がり、例えば、従来は困難であった高い周波数（１０ＭＨｚ以上）用の超音波探触子における圧電体の積層化も可能となる。また、段差部における表面張力の増加を利用することにより、幅が狭くても従来よりも厚い側面絶縁膜を形成することができるので、絶縁破壊が起こり難い。従って、超音波トランスデューサや圧電アクチュエータ等において、高電圧駆動が可能となり、振幅（変位量）を大きくとることも可能となる。さらに、積層構造体において、内部電極が圧電体層の主面に対して平行とならずにうねっている場合においても、側面絶縁膜がはみ出ることを防止することができる。

図６は、本発明と従来例とにおける積層構造体及び側面絶縁膜の形状を比較して示す図である。図６の（ａ）は、本発明における積層構造体及び側面絶縁膜の側面図及び断面図であり、積層構造体に段差が形成されているので、側面絶縁膜１３ｂが積層構造体の凸部のみに形成される。従って、内部電極１１及び１２が圧電体層１０の主面に対して平行とならずにうねっていても、側面絶縁膜１３ｂが内部電極１２の端部を確実に覆う一方、側面絶縁膜１３ｂと内部電極１１の端部との間の間隔が確保される。各部の精度は、ダイシングソー等の加工機の精度（３μｍ〜５μｍ）によって十分確保することができる。

図６の（ｂ）は、従来例における積層構造体及び側面絶縁膜の側面図及び断面図である。側面絶縁膜２３が内部電極２２の端部を確実に覆うようにすると、側面絶縁膜２３と内部電極２１の端部との間の間隔がとれなくなり、側面絶縁膜２３が内部電極２１の端部を覆ってしまうおそれがある。

本発明は、超音波トランスデューサや圧電アクチュエータ等として利用される積層構造を有する圧電素子（積層型圧電素子）において利用することが可能である。

本発明の第１の実施形態に係る積層型圧電素子を示す斜視図である。 本発明の第２の実施形態に係る積層型圧電素子を示す斜視図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 本発明の第３の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法によって製造された積層型圧電素子の断面を示す写真である。 本発明の第４の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 本発明と従来例とにおける積層構造体及び側面絶縁膜の形状を比較して示す図である。 従来の積層型圧電素子の製造方法を説明するための断面図である。 従来の積層型圧電素子の製造方法を説明するための断面図である。

符号の説明

１０ 圧電体層
１１ 第１の内部電極
１２ 第２の内部電極
１３ａ、１３ｂ 側面絶縁膜
１４、１５、１８、１９ 側面電極
１６ 下部電極
１７ 上部電極
２０ 液体状態の樹脂
３０ 電極材
Ａ〜Ｄ 段差
Ｅ、Ｆ 切り欠き

Claims (4)

1. 複数の圧電体層と少なくとも１つの内部電極とが交互に積層された積層構造体であって、前記積層構造体の少なくとも第１の側面に段差が形成されていることにより、前記少なくとも１つの内部電極の端部がいずれかの側面の凸部に位置する前記積層構造体と、
   前記積層構造体の少なくとも第１の側面の凸部の一方のエッジから他方のエッジまでの幅で形成され、円柱の一部又は曲面を含む形状を有し、該凸部において前記少なくとも１つの内部電極の端部を被覆する少なくとも１つの側面絶縁膜と、
   前記積層構造体の一方の主面上に形成された第１の平面電極と、
   前記積層構造体の他方の主面上に形成された第２の平面電極と、
   前記積層構造体の第１の側面上に前記第１又は第２の平面電極と連続的に形成され、前記第１及び第２の平面電極及び前記少なくとも１つの内部電極の内で奇数番目の電極である第１の電極群に接続された第１の側面電極と、
   前記積層構造体の第２の側面上に形成され、前記第１及び第２の平面電極及び前記少なくとも１つの内部電極の内で前記第１の電極群に属さない第２の電極群に接続された第２の側面電極と、
   を具備する積層型圧電素子。
2. 複数の圧電体層と少なくとも１つの内部電極とが交互に積層された積層構造体を作製する工程（ａ）と、
   前記積層構造体の少なくとも第１の側面に段差を形成することにより、前記少なくとも１つの内部電極の端部がいずれかの側面の凸部に位置する状態とする工程（ｂ）と、
   前記積層構造体の少なくとも第１の側面の凸部において前記少なくとも１つの内部電極の端部を被覆する少なくとも１つの側面絶縁膜を、円柱の一部又は曲面を含む形状を有するように、該凸部の一方のエッジから他方のエッジまでの幅で形成する工程（ｃ）と、
   前記積層構造体の一方の主面上に第１の平面電極を形成し、前記積層構造体の他方の主面上に第２の平面電極を形成し、前記積層構造体の第１の側面上に、前記第１及び第２の平面電極及び前記少なくとも１つの内部電極の内で奇数番目の電極である第１の電極群に接続された第１の側面電極を前記第１又は第２の平面電極と連続的に形成し、前記積層構造体の第２の側面上に、前記第１及び第２の平面電極及び前記少なくとも１つの内部電極の内で前記第１の電極群に属さない第２の電極群に接続された第２の側面電極を形成するステップ（ｄ）と、
   を具備する積層型圧電素子の製造方法。
3. 工程（ｃ）が、ディスペンサを用いて液体状態の樹脂を前記積層構造体の側面の凸部に塗布し、その後、前記樹脂を硬化させることにより、前記少なくとも１つの側面絶縁膜を形成することを含む、請求項２記載の積層型圧電素子の製造方法。
4. 工程（ｃ）が、ディップ法を用いて液体状態の樹脂を前記積層構造体の側面の凸部に付着させ、その後、前記樹脂を硬化させることにより、前記少なくとも１つの側面絶縁膜を形成することを含む、請求項２記載の積層型圧電素子の製造方法。