JP5196526B2 - 遺伝子導入による内在性遺伝子の転写活性化 - Google Patents
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Description
〔1〕 内在性遺伝子の転写を活性化するDNAであって、内在性遺伝子の発現制御領域に対応する順方向配列および逆方向配列とが結合した構造を有するRNAをコードするDNA、
〔2〕 前記順方向配列および逆方向配列との間にスペーサー配列が結合した構造を有する、〔1〕に記載のDNA、
〔3〕 前記DNAの上流にプロモーター活性を有するDNA、および前記DNAの下流にターミネーター活性を有するDNAが結合した構造を有する、〔1〕または〔2〕に記載のDNA、
〔4〕 前記RNA(二本鎖を形成する領域に相当するRNA)の鎖長が、100塩基対以上、1000塩基対以下であることを特徴とする、〔1〕に記載のDNA、
〔5〕 前記発現制御領域に、転写調節領域またはその一部が含まれる、〔1〕に記載のDNA、
〔6〕 前記転写調節領域が、転写抑制領域である、〔5〕に記載のDNA、
〔7〕 前記転写抑制領域に、サイレンサー、またはネガティブ-シス-エレメントが含まれる、〔6〕に記載のDNA、
〔8〕 前記転写調節領域に、配列番号:10に記載の塩基配列からなるDNAが含まれる、〔5〕に記載のDNA、
〔9〕 前記転写調節領域に、以下の(a)〜(c)のいずれかに記載のDNAが含まれる、〔5〕に記載のDNA、
(a)CCAATCAモチーフ配列をコードするDNA
(b)CArGモチーフ配列をコードするDNA
(c)BELLRINGER結合サイト様配列をコードするDNA
〔10〕 内在性遺伝子が、MADS3遺伝子またはそのホモログである、〔1〕に記載のDNA、
〔11〕 発現制御領域が、配列番号:9に記載の塩基配列における1,001位-2,000位の塩基配列を少なくとも含むことを特徴とする、〔1〕または〔10〕に記載のDNA、
〔12〕 発現制御領域が、配列番号:9に記載の塩基配列における1701位〜1800位の塩基配列、または1251位〜1500位の塩基配列を少なくとも含むことを特徴とする、〔1〕、〔10〕、または〔11〕のいずれかに記載のDNA、
〔13〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNAを含むベクター、
〔14〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを保持する宿主細胞、
〔15〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを保持する植物細胞、
〔16〕 〔15〕に記載の植物細胞を含む形質転換植物体、
〔17〕 〔16〕に記載の形質転換植物体の子孫またはクローンである、形質転換植物体、
〔18〕 〔16〕または〔17〕に記載の形質転換植物体の繁殖材料、
〔19〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを有効成分として含有する、内在性遺伝子の転写活性化剤、
〔20〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを有効成分として含有する、内在性遺伝子のエクトピック発現誘導剤、
〔21〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを有効成分として含有する、非ヒト生物の形質改変用薬剤、
〔22〕 非ヒト生物が植物である、〔21〕に記載の薬剤、
〔23〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを、内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させることにより、内在性遺伝子の転写を活性化する方法、
〔24〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを、内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させることによる、内在性遺伝子のエクトピック発現を誘導する方法、
〔25〕 〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを、内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させることによる、植物体の形質を改変する方法、
〔26〕 以下の(a)〜(c)の工程を含む、内在性遺伝子が転写活性化された形質転換植物体系統の作出方法、
(a)〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNAまたは〔13〕に記載のベクターを、該内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させる工程
(b)内在性遺伝子が活性化した形質転換植物体を選抜する工程
(c)前記選抜した形質転換植物体を自殖または他の系統の植物体と交配し、交雑後代から内在性遺伝子が転写活性化された形質転換植物体系統を得る工程
〔27〕 前記発現制御領域のゲノムDNAをメチル化することを特徴とする、〔23〕〜〔26〕のいずれかに記載の方法、
〔28〕 以下の(a)および(b)の工程を含む、内在性遺伝子が活性化した植物の製造方法、
(a)〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNA、または〔13〕に記載のベクターを植物細胞に導入および発現させる工程
(b)該植物細胞から植物体を再生させる工程
〔29〕 以下の(a)および(b)の工程を含む、内在性遺伝子が活性化した植物の製造方法、
(a)〔1〕〜〔12〕のいずれかに記載のDNAを有する植物と交雑させる工程
(b)前記DNAを有する改変された植物体を選抜する工程
〔30〕 〔28〕または〔29〕に記載の工程を含む、内在性遺伝子のエクトピック発現が誘導された植物の製造方法、
〔31〕 〔28〕または〔29〕に記載の工程を含む、形質が改変された植物の製造方法、に関する。
(a)CCAATCAモチーフ配列をコードするDNA
(b)CArGモチーフ配列をコードするDNA
(c)BELLRINGER結合サイト様配列をコードするDNA
(a)本発明のDNAまたはベクターを内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させる工程
(b)内在性遺伝子が活性化した形質転換植物体を選抜する工程
(c)前記選抜した形質転換植物体を自殖または他の系統の植物体と交配し、交雑後代から内在性遺伝子が転写活性化された形質転換植物体系統を得る工程
(a)本発明のDNAまたはベクターを植物細胞に導入および発現させる工程
(b)該植物細胞から植物体を再生させる工程
(a)本発明のDNAを有する植物と交雑させる工程
(b)前記DNAを有する改変された植物体を選抜する工程
pMADS3第2イントロン(全長4010 bp、配列番号:9)中の部分配列である領域II(第2イントロンの開始部位を1とした時の部位1001-2000)の逆反復配列を発現させるための植物発現ベクターpBiMADS-I2-2は以下の手順に従って作成した。
実施例1で構築したプラスミドベクターを、アグロバクテリウム・チュメファシエンスGV3101株を用いたリーフディスク法(Jorgensen, R.A. et al., (1996). Chalcone synthase cosuppression phenotypes in petunia flowers: comparison of sense vs. antisense constructs and single-copy vs. complex T-DNA sequences. Plant Mol. Biol. 31, 957-973.)によってペチュニアへ導入した。形質転換されたペチュニア細胞の選抜は、カナマイシンを用いて行った。pBiMADS-I2-1およびpBiMADS-I2-2、pBiMADS-I2-3、pBiMADS-I2-4を導入した形質転換体を、各々V001系統およびV002系統、V003系統、V004系統とした。
V002形質転換系統は、内在性のpMADS3が花弁で異所的に発現したペチュニア(Tsuchimoto, S. et al., (1993). Ectopic expression of pMADS3 in transgenic petunia phenocopies the petunia blind mutant. Plant Cell 5, 843-853.、Kapoor, M. et al., (2005). Transgene-triggered, epigenetically regulated ectopic expression of a flower homeotic gene pMADS3 in Petunia. Plant J. 43, 649-661.)と同様な表現型(ect-pMADS3)を示した。図3Aに示すように、花弁が脈組織に沿ってくびれ、そのくびれた脈組織の先端部に葯様構造が認められた。これらの花では、雌ずいおよび雄ずいは正常な外見を呈していた。13系統のうち12系統においてect-pMADS3が現れ、残り1系統は、野生形と同一の形質を示した。また、V001およびV003、V004系統では、花器官におけるホメオティック変化は認められなかった(表2:各表現型を示す形質転換体の系統数(T0世代))。
形質転換体における内在性pMADS3の発現解析は、内在性pMADS3のみを特異的に検出し、導入pMADS3を検出しないDIG標識RNAプローブ(pMADS3 cDNA3’領域のHindIII/SpeI断片、464 bp)を用い、ロシュ社のマニュアルに従って行った。内在性pMADS3は本来雄ずいおよび雌ずいに特異的に発現している(非形質転換体、WT V26)。これに対し、V002系統の花では、雄ずいおよび雌ずいに加え、花弁においても内在性pMADS3が異所的(エクトピック)に発現していた(図3B)。実施例3および4の結果は、pMADS3第2イントロン領域IIの逆反復配列を発現させることにより、内在性pMADS3を活性化できることを示していると同時に、領域IIがpMADS3エクトピック発現に必要十分であることを示している。
pMADS3エクトピック発現形質を示したV002系統を野生型ペチュニアと交配してT1種子を得、T1世代における花の表現型および導入遺伝子の有無を調べた。導入遺伝子を特異的に増幅するプライマーセットを用い、ゲノムDNAを鋳型としてPCRを行った結果、T1世代においては、12個体中7個体が導入遺伝子を保持し、そのうち6個体がpMADS3エクトピック発現形質を示した。一方、5個体は導入遺伝子を分離により失っていたが、そのうち少なくとも1個体(T1-5)がpMADS3エクトピック発現形質を示した(図5A)。すなわち、この結果は遺伝子導入によって誘導されたpMADS3エクトピック発現形質が、後代においては導入遺伝子非依存的に発現していることを示している。1,501-1800 bpの300 bpの領域を逆反復配列の標的とした系統(V008)についても同様の解析を行った結果、この系統においても導入遺伝子非依存的に内在性pMADS3異所的発現が誘導されていることが確認された(図5B)。
形質転換体のDNAメチル化状態を解析するには、つぼみからゲノムDNAを抽出し、Methylamp DNA Modification Kit(エピジェンテック社)を用いてbisulfite処理した。次にBisulfite処理後のDNAを鋳型としてPCRを行い、得られたPCR産物をpGEM-T easyベクター(プロメガ社)にクローニング後、常法により塩基配列を決定した。その結果、V002系統のT1世代において、通常はメチル化されていないpMADS3第2イントロンの領域IIの配列に著しいDNAメチル化が検出された。
実施例4において作製し、花の表現型を調べた形質転換ペチュニアの各系統において、各花器官における内在性pMADS3遺伝子の発現をリアルタイムRT-qPCRによって詳細に解析した(図7A)。その結果、逆反復配列の標的とする領域が短くなるにしたがってがく片および花弁におけるpMADS3遺伝子の発現レベルが高まる傾向を示し(図7A)、pMADS3遺伝子の発現レベルと比例した花弁の雄ずい化などのホメオティック変化が認められた(図7B)。
実施例4において作製した形質転換ペチュニアの各系統におけるDNAメチル化パターンを調べた結果、内在性pMADS3遺伝子のイントロン2中の逆反復配列発現領域に対応するDNA配列にシトシンメチル化が検出された(図8)。この結果は、実施例4および実施例7の結果と考え合わせ、pMADS3イントロン2中の特定DNA配列(1700-1800)におけるシトシンメチル化と内在性pMADS3のがく片および花弁でのエクトピック発現との因果関係を示している。以上の結果を総合すると、逆反復配列発現によって内在性pMADS3遺伝子のイントロン2中のDNAのシトシンメチル化が誘導され、おそらくその部分に含まれるpMADS3発現の負の制御に関わるシスエレメントが不活性化された結果、内在性pMADS3のがく片および花弁でのエクトピック発現に至ったと考えられる。
実施例5において、pMADS3エクトピック発現形質が導入遺伝子の分離後も保持されることを示した。そこで、pMADS3エクトピック発現と直接関わるDNAメチル化が導入遺伝子分離後も保持されているかどうかについて調べた(図9)。pMADS3エクトピック発現が観察されたT0世代の形質転換ペチュニア系統pMADS3:GUS (73-6)およびpMADS3:PhSUP1 (71-14)を非形質転換ペチュニア(cv. Mitchell)とそれぞれアウトクロスして得られたT1世代の後代のうち数個体において、導入遺伝子を分離で失っていることがPCRによって確認されたにもかかわらず、内在性pMADS3遺伝子(形質転換体由来のsu2のみ)が花弁でエクトピック発現していることがわかった。そのうちの2個体についてbisulfite法によるDNAメチル化分析を行った結果いずれの場合も、花弁でエクトピック発現しているpMADS3遺伝子(su2)のイントロン2部分配列に強いシトシンメチル化が検出された。シトシンメチル化が検出された配列は対称メチル化部位(CGおよびCNG)が多く、非対称メチル化部位(CNN)は少なかった。このことは、導入遺伝子が分離した後、maintenanceメチル化部位(CGおよびCNG)のメチル化は保存され、de novoメチル化部位(CNN)のメチル化は失われていったことを示している。この結果は、実施例5において観察された導入遺伝子の分離後も保持される内在性pMADS3エクトピック発現がDNAメチル化によって媒介されていることを示している。
Claims (29)
- 内在性遺伝子の転写を活性化するDNAであって、内在性遺伝子の発現制御領域に対応する順方向配列および逆方向配列が結合した構造を有するRNAをコードし、
前記発現制御領域が、配列番号:9に記載の塩基配列における1,001位〜2,000位の塩基配列、1701位〜1800位の塩基配列、または1251位〜1500位の塩基配列を少なくとも含むことを特徴とする、前記DNA。 - 前記順方向配列および逆方向配列との間にスペーサー配列が結合した構造を有する、請求項1に記載のDNA。
- 前記DNAの上流にプロモーター活性を有するDNA、および前記DNAの下流にターミネーター活性を有するDNAが結合した構造を有する、請求項1または2に記載のDNA。
- 前記RNAの鎖長が、100塩基対以上、1000塩基対以下であることを特徴とする、請求項1に記載のDNA。
- 前記発現制御領域に、転写調節領域またはその一部が含まれる、請求項1に記載のDNA。
- 前記転写調節領域が、転写抑制領域である、請求項5に記載のDNA。
- 前記転写抑制領域に、サイレンサー、またはネガティブ-シス-エレメントが含まれる、請求項6に記載のDNA。
- 前記転写調節領域に、配列番号:10に記載の塩基配列からなるDNAが含まれる、請求項5に記載のDNA。
- 前記転写調節領域に、以下の(a)〜(c)のいずれかに記載のDNAが含まれる、請求項5に記載のDNA。
(a)CCAATCAモチーフ配列をコードするDNA
(b)CArGモチーフ配列をコードするDNA
(c)BELLRINGER結合サイト様配列をコードするDNA - 内在性遺伝子が、MADS3遺伝子またはそのホモログである、請求項1に記載のDNA。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNAを含むベクター。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを保持する宿主細胞。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを保持する植物細胞。
- 請求項13に記載の植物細胞を含む形質転換植物体。
- 請求項14に記載の形質転換植物体の子孫またはクローンである、形質転換植物体。
- 請求項14または15に記載の形質転換植物体の繁殖材料。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを有効成分として含有する、内在性遺伝子の転写活性化剤。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを有効成分として含有する、内在性遺伝子のエクトピック発現誘導剤。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを有効成分として含有する、非ヒト生物の形質改変用薬剤。
- 非ヒト生物が植物である、請求項19に記載の薬剤。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを、内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させることにより、内在性遺伝子の転写を活性化する方法。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを、内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させることによる、内在性遺伝子のエクトピック発現を誘導する方法。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを、内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させることによる、植物体の形質を改変する方法。
- 以下の(a)〜(c)の工程を含む、内在性遺伝子が転写活性化された形質転換植物体系統の作出方法。
(a)請求項1〜10のいずれかに記載のDNAまたは請求項11に記載のベクターを、該内在性遺伝子を有する細胞内に導入および発現させる工程
(b)内在性遺伝子が活性化した形質転換植物体を選抜する工程
(c)前記選抜した形質転換植物体を自殖または他の系統の植物体と交配し、交雑後代から内在性遺伝子が転写活性化された形質転換植物体系統を得る工程 - 前記発現制御領域のゲノムDNAをメチル化することを特徴とする、請求項21〜24のいずれかに記載の方法。
- 以下の(a)および(b)の工程を含む、内在性遺伝子が活性化した植物の製造方法。
(a)請求項1〜10のいずれかに記載のDNA、または請求項11に記載のベクターを植物細胞に導入および発現させる工程
(b)該植物細胞から植物体を再生させる工程 - 以下の(a)および(b)の工程を含む、内在性遺伝子が活性化した植物の製造方法。
(a)請求項1〜10のいずれかに記載のDNAを有する植物と交雑させる工程
(b)前記DNAを有する改変された植物体を選抜する工程 - 請求項26または27に記載の工程を含む、内在性遺伝子のエクトピック発現が誘導された植物の製造方法。
- 請求項26または27に記載の工程を含む、形質が改変された植物の製造方法。
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