JP5194036B2 - Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and cleaning method - Google Patents
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Description
本発明は、密閉された反応空間で反応ガスを使って固体デバイスの基板に所定の処理を施す基板処理装置および半導体デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate of a solid device using a reaction gas in a sealed reaction space, and a method for manufacturing a semiconductor device.
一般に、半導体デバイスを製造するためには、そのウェーハに所定の処理を施すウェーハ処理装置が必要になる。 Generally, in order to manufacture a semiconductor device, a wafer processing apparatus that performs a predetermined process on the wafer is required.
このウェーハ処理装置としては、ウェーハの表面に所定の薄膜を形成する成膜装置がある。 As this wafer processing apparatus, there is a film forming apparatus that forms a predetermined thin film on the surface of a wafer.
この成膜装置としては、密閉された反応空間で反応ガスを使ってウェーハの表面に所定の薄膜を形成するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置がある。 As this film forming apparatus, there is a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus that forms a predetermined thin film on the surface of a wafer using a reaction gas in a sealed reaction space.
このＣＶＤ装置としては、複数のウェーハに同時に成膜処理を施すバッチ式のＣＶＤ装置がある。 As this CVD apparatus, there is a batch type CVD apparatus that simultaneously performs film formation on a plurality of wafers.
このバッチ式のＣＶＤ装置としては、複数のウェーハを鉛直方向に並べる縦型のＣＶＤ装置がある。 As this batch-type CVD apparatus, there is a vertical CVD apparatus that arranges a plurality of wafers in the vertical direction.
この縦型のＣＶＤ装置としては、従来、１系統ノズル型の装置が用いられていた。この１系統ノズル型のＣＶＤ装置は、成膜処理用のノズルを各反応ガスごとに１つずつ設ける装置である。 Conventionally, as this vertical CVD apparatus, a one-system nozzle type apparatus has been used. This one-system nozzle type CVD apparatus is an apparatus in which one film forming process nozzle is provided for each reaction gas.
しかしながら、このＣＶＤ装置では、各反応ガスが１箇所からしか出力されない。これにより、この装置では、各反応ガスをウェーハ配置領域全体に均一に供給することが難しかった。ここで、ウェーハ配置領域とは、反応空間において、複数のウェーハが配置される領域をいう。これにより、この装置では、複数のウェーハの間で膜厚等を均一にすることが難しかった。 However, in this CVD apparatus, each reaction gas is output only from one place. Thus, in this apparatus, it is difficult to uniformly supply each reaction gas to the entire wafer arrangement region. Here, the wafer arrangement area refers to an area where a plurality of wafers are arranged in the reaction space. Thus, with this apparatus, it has been difficult to make the film thickness uniform among a plurality of wafers.
この問題を解決するために、近年、縦型のＣＶＤ装置においては、多系統ノズル型の装置が開発されている。この多系統ノズル型のＣＶＤ装置は、成膜処理用のノズルを１つまたは複数の反応ガスについて複数ずつ設け、これらを異なる位置に配設した装置である。 In order to solve this problem, in recent years, a multi-system nozzle type apparatus has been developed as a vertical CVD apparatus. This multi-system nozzle type CVD apparatus is an apparatus in which a plurality of nozzles for film formation are provided for one or a plurality of reactive gases, and these are arranged at different positions.
この多系統ノズル型のＣＶＤ装置によれば、反応ガスを複数箇所から出力することができる。これにより、反応ガスをウェーハ配置領域全体に均一に供給することができる。その結果、複数のウェーハの間で膜厚等を均一にすることができる。 According to this multi-system nozzle type CVD apparatus, the reaction gas can be output from a plurality of locations. Thereby, the reaction gas can be uniformly supplied to the entire wafer arrangement region. As a result, the film thickness and the like can be made uniform among the plurality of wafers.
ところで、ＣＶＤ装置では、ウェーハの表面だけでなく、反応空間を形成する真空容器の内壁等にも反応生成物が堆積する。この堆積量が多くなると、反応生成物が剥がれ、パーティクルとなる。その結果、ウェーハが汚染される。 By the way, in the CVD apparatus, the reaction product is deposited not only on the surface of the wafer but also on the inner wall of the vacuum vessel forming the reaction space. When this accumulation amount increases, the reaction product peels off and becomes particles. As a result, the wafer is contaminated.
このため、このＣＶＤ装置においては、通常、所定の周期で、真空容器の内壁等に堆積した反応生成物を除去するためのクリーニング処理を行うようになっている。このクリーニング処理としては、通常、クリーニングガスを用いたドライクリーニング処理が用いられる。 For this reason, in this CVD apparatus, a cleaning process for removing reaction products deposited on the inner wall of the vacuum vessel or the like is usually performed at a predetermined cycle. As this cleaning process, a dry cleaning process using a cleaning gas is usually used.
このドライクリーニング処理を行う場合、従来のＣＶＤ装置は、クリーニング処理専用のノズルを設け、このノズルによって反応空間にクリーニングガスを出力するようになっていた。 When this dry cleaning process is performed, a conventional CVD apparatus is provided with a nozzle dedicated to the cleaning process, and the nozzle outputs a cleaning gas to the reaction space.
このような構成によれば、真空容器の内壁等に堆積した反応生成物をクリーニングガスによりエッチングすることができる。これにより、この反応生成物を除去することができる。 According to such a configuration, the reaction product deposited on the inner wall or the like of the vacuum vessel can be etched with the cleaning gas. Thereby, this reaction product can be removed.
しかしながら、このような構成では、１系統ノズル型のＣＶＤ装置においては、問題がないが、多系統ノズル型のＣＶＤ装置においては、成膜処理用のノズルの内壁に堆積した反応生成物を除去することができないという問題があった。 However, in such a configuration, there is no problem in the single-system nozzle type CVD apparatus, but in the multi-system nozzle type CVD apparatus, the reaction product deposited on the inner wall of the film forming nozzle is removed. There was a problem that I could not.
すなわち、１系統ノズル型のＣＶＤ装置では、通常、成膜処理用のノズルは、ウェーハ加熱用のヒータが設けられる領域とは異なる領域に設けられる。これを図２を用いて説明する。この図２は、１系統ノズル型のＣＶＤ装置の構成を示す側面図である。図において、１１は、反応空間形成用の反応管を示し、１２は、ウェーハ加熱用のヒータを示し、１３は、成膜処理用のノズルを示し、１４は、成膜処理とアフタパージ処理と大気戻し処理に兼用されるノズルを示し、１５は、クリーニング処理用のノズルを示す。所定の薄膜として、例えば、ドープトポリシリコン膜を形成する場合、ノズル１３は、例えば、ＰＨ３ガスの出力に使用され、ノズル１４は、ＳｉＨ４ガスの出力に使用される。 That is, in a one-system nozzle type CVD apparatus, the film formation processing nozzle is usually provided in a region different from the region in which the heater for heating the wafer is provided. This will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a side view showing a configuration of a one-system nozzle type CVD apparatus. In the figure, 11 indicates a reaction tube for forming a reaction space, 12 indicates a heater for heating a wafer, 13 indicates a nozzle for film formation, and 14 indicates a film formation process, an after purge process, and air. A nozzle also used for the returning process is shown. Reference numeral 15 denotes a cleaning process nozzle. For example, when a doped polysilicon film is formed as the predetermined thin film, the nozzle 13 is used, for example, for outputting PH 3 gas, and the nozzle 14 is used for outputting SiH 4 gas.
図示のごとく、成膜処理用のノズル１３，１４は、ヒータ１２が設けられる領域の下方に設けられる。このような構成では、成膜処理用のノズル１３，１４の内部の温度が成膜温度まで上昇することはない。これにより、この装置では、ノズル１３，１４の内壁に反応生成物が堆積することがない。その結果、この装置では、ノズル１３，１４の内壁をクリーニングする必要がない。 As illustrated, the nozzles 13 and 14 for film formation are provided below the region where the heater 12 is provided. In such a configuration, the temperature inside the film forming nozzles 13 and 14 does not rise to the film forming temperature. Thereby, in this apparatus, a reaction product does not accumulate on the inner walls of the nozzles 13 and 14. As a result, in this apparatus, it is not necessary to clean the inner walls of the nozzles 13 and 14.
これに対し、多系統ノズル型のＣＶＤ装置では、成膜処理用のノズルがウェーハ加熱用のヒータが設けられる領域と同じ領域に設けられる。これを図３を用いて説明する。この図３は、多系統ノズル型のＣＶＤ装置の構成を示す側面図である。なお、図３において、先の図２に示す装置の構成要素とほぼ同じ機能を果たす構成要素には、同一符号を付す。図３において、２１，２２，２３は、ＰＨ３ガス出力用のノズルを示す。 On the other hand, in a multi-system nozzle type CVD apparatus, the nozzle for film formation is provided in the same region as the region where the heater for heating the wafer is provided. This will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a side view showing the configuration of a multi-system nozzle type CVD apparatus. In FIG. 3, the same reference numerals are given to components that perform substantially the same functions as the components of the apparatus shown in FIG. 2. In FIG. 3, 21, 22, and 23 denote nozzles for PH 3 gas output.
図示のごとく、ノズル２１，２２，２３は、ヒータ１２が設けられる領域に設けられている。このような構成では、ノズル２１，２２，２３の内部の温度が成膜温度まで上昇する。これにより、この装置では、ノズル２１，２２，２３の内壁に、図４に示すように、反応生成物２４，２５，２６が堆積する。この堆積量が多くなると、反応生成物２４，２５，２６が剥がれ、パーティクルとなる。したがって、ノズル２１，２２，２３の内壁は、真空容器の内壁等と同様に、クリーニングする必要がある。 As illustrated, the nozzles 21, 22, and 23 are provided in an area where the heater 12 is provided. In such a configuration, the temperature inside the nozzles 21, 22, and 23 rises to the film forming temperature. Thereby, in this apparatus, the reaction products 24, 25, and 26 are deposited on the inner walls of the nozzles 21, 22, and 23 as shown in FIG. When the amount of deposition increases, the reaction products 24, 25, and 26 are peeled off and become particles. Therefore, the inner walls of the nozzles 21, 22, and 23 need to be cleaned in the same manner as the inner walls of the vacuum vessel.
ノズル２１，２２，２３の内壁をクリーニングする場合、従来のＣＶＤ装置では、ノズル１５から反応管１１の内部（反応空間）にクリーニングガスを出力することによってクリーニングするようになっていた。 When cleaning the inner walls of the nozzles 21, 22, and 23, the conventional CVD apparatus performs cleaning by outputting a cleaning gas from the nozzle 15 to the inside of the reaction tube 11 (reaction space).
しかしながら、このような構成では、クリーニングガスは、成膜処理用のノズル２１，２２，２３の内部の先端部ぐらいまでしか侵入することができない。これにより、このような構成では、図５に示すように、ノズル２１，２２，２３の内壁の先端部に堆積した反
応生成物２４，２５，２６は除去することができるが、中央部や基端部に堆積した反応生成物２４，２５，２６は除去することができないという問題があった。
However, in such a configuration, the cleaning gas can penetrate only to the tip portions inside the nozzles 21, 22, and 23 for film formation processing. Accordingly, in such a configuration, as shown in FIG. 5, the reaction products 24, 25, and 26 deposited on the tip portions of the inner walls of the nozzles 21, 22, and 23 can be removed. There was a problem that the reaction products 24, 25, and 26 deposited on the end portions could not be removed.
この問題に対処するため、従来の多系統ノズル型のＣＶＤ装置では、ノズル２１，２２，２３の内壁に堆積した反応生成物２４，２５，２６の堆積量が所定量に達すると、ノズル２１，２２，２３を交換するようになっていた。 In order to cope with this problem, in the conventional multi-system nozzle type CVD apparatus, when the deposition amount of the reaction products 24, 25, 26 deposited on the inner walls of the nozzles 21, 22, 23 reaches a predetermined amount, 22 and 23 were exchanged.
しかしながら、このような構成では、ノズル２１，２２，２３の寿命が短くなる。これにより、手間のかかるノズル交換作業を頻繁に行わなければならない。その結果、装置の稼働率が低下するという問題があった。 However, with such a configuration, the life of the nozzles 21, 22, and 23 is shortened. As a result, troublesome nozzle replacement work must be frequently performed. As a result, there has been a problem that the operating rate of the apparatus is lowered.
そこで、本発明は、ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can clean the entire inner wall of a gas output means such as a nozzle with a cleaning gas.
上記課題を解決するために本発明の第１の態様の基板処理装置は、所定の処理用のノズル等の反応ガス出力手段の内部の壁をクリーニングする場合、この反応ガス出力手段にクリーニングガスを供給することによりクリーニングするようにしたものである。 In order to solve the above problems, the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention provides a cleaning gas to the reactive gas output means when cleaning the internal walls of the reactive gas output means such as a predetermined processing nozzle. It is made to clean by supplying.
これを実現するために第１の態様の基板処理装置は、反応空間形成手段と、反応ガス出力手段と、ガス供給手段とを備えたことを特徴とする。 In order to realize this, the substrate processing apparatus of the first aspect is characterized by comprising a reaction space forming means, a reaction gas output means, and a gas supply means.
ここで、反応空間形成手段は、反応ガスを使って固体デバイスの基板に所定の処理を施すための密閉された反応空間を形成する手段である。また、反応ガス出力手段は、ガス入力口とガス出力口とを有し、基板に所定の処理を施す場合、ガス入力口に供給される反応ガスをガス出力口から反応空間に出力する手段である。さらに、ガス供給手段は、基板に所定の処理を施す場合は、反応ガス出力手段のガス入力口に反応ガスを供給し、反応ガス出力手段の内部をクリーニングする場合は、ガス入力口にクリーニングガスを供給する手段である。 Here, the reaction space forming means is means for forming a sealed reaction space for performing a predetermined process on the substrate of the solid device using the reaction gas. The reaction gas output means has a gas input port and a gas output port, and outputs a reaction gas supplied to the gas input port from the gas output port to the reaction space when performing predetermined processing on the substrate. is there. Further, the gas supply means supplies a reaction gas to the gas input port of the reaction gas output means when performing a predetermined process on the substrate, and cleans the inside of the reaction gas output means when cleaning the inside of the reaction gas output means. It is a means to supply.
この第１の態様の基板処理装置では、基板に所定の処理を施す場合は、反応ガス出力手段のガス入力口に反応ガスが供給される。この反応ガスは、ガス出力口から反応空間に出力される。これにより、この場合は、反応ガスを使って、基板に所定の処理が施される。 In the substrate processing apparatus of the first aspect, when a predetermined process is performed on the substrate, the reaction gas is supplied to the gas input port of the reaction gas output means. This reaction gas is output from the gas output port to the reaction space. Thereby, in this case, a predetermined process is performed on the substrate using the reaction gas.
これに対し、反応ガス出力手段の内部をクリーニングする場合は、反応ガス出力手段のガス入力口にクリーニングガスが供給される。これにより、反応ガス出力手段の内部全体にクリーニングガスを供給することができる。その結果、反応ガス出力手段の内部全体をクリーニングすることができる。 On the other hand, when cleaning the inside of the reaction gas output means, the cleaning gas is supplied to the gas input port of the reaction gas output means. Thereby, the cleaning gas can be supplied to the entire interior of the reaction gas output means. As a result, the entire inside of the reaction gas output means can be cleaned.
本発明の第２の態様の基板処理装置は、第１の態様の装置において、反応ガス出力手段が複数設けられていることを特徴とする。また、この装置は、ガス供給手段が、複数のガス出力手段の内壁をクリーニングする場合、複数のガス出力手段を予め定めた順序に従って順次所定の数ずつ選択し、選択した反応ガス出力手段のガス入力口にクリーニングガスを供給し、選択していない反応ガス出力手段のガス入力口には不活性ガスを供給するように構成されていることを特徴とする。 The substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention is characterized in that a plurality of reaction gas output means are provided in the apparatus according to the first aspect. Further, in this apparatus, when the gas supply means cleans the inner walls of the plurality of gas output means, the gas output means sequentially selects a predetermined number of the gas output means according to a predetermined order, and the gas of the selected reaction gas output means The cleaning gas is supplied to the input port, and the inert gas is supplied to the gas input port of the non-selected reactive gas output means.
この第２の態様の基板処理装置では、複数の反応ガス出力手段の内壁をクリーニングする場合、複数のガス出力手段が予め定めた順序に従って順次選択される。そして、この選択された反応ガス出力手段のガス入力口には、クリーニングガスが供給され、選択されていない反応ガス出力手段のガス入力口には、不活性ガスが供給される。 In the substrate processing apparatus of the second aspect, when cleaning the inner walls of the plurality of reaction gas output means, the plurality of gas output means are sequentially selected according to a predetermined order. The cleaning gas is supplied to the gas input port of the selected reaction gas output means, and the inert gas is supplied to the gas input ports of the reaction gas output means that are not selected.
これにより、クリーニングガスの単位時間当たりの流量を制御する流量制御手段の数を反応ガス出力手段の数より少なくすることができる。その結果、装置の製造経費を低減することができる。 As a result, the number of flow rate control means for controlling the flow rate of cleaning gas per unit time can be made smaller than the number of reaction gas output means. As a result, the manufacturing cost of the apparatus can be reduced.
また、不活性ガスによりクリーニング処理の終了した反応ガス出力手段の内部に残存するクリーニングガスを追い出すことができる。これにより、クリーニングガスの残存による反応ガス出力手段の内壁のオーバーエッチングを防止することができる。 Further, the cleaning gas remaining inside the reaction gas output means that has been cleaned by the inert gas can be driven out. Thereby, overetching of the inner wall of the reactive gas output means due to the remaining cleaning gas can be prevented.
さらに、反応ガス出力手段の内壁のクリーニング処理と同時に、反空空間のクリーニング処理を行う場合、このクリーニング処理用のクリーニングガスがクリーニング処理の終了した反応ガス出力手段やクリーニング処理が行われていない反応ガス出力手段の内部に侵入するのを阻止することができる。その結果、クリーニングガスの侵入による反応ガス出力手段の内壁のオーバーエッチングを防止することができる。 Further, when the anti-vacant space cleaning process is performed simultaneously with the cleaning process of the inner wall of the reaction gas output means, the cleaning gas for the cleaning process is a reaction gas output means for which the cleaning process is completed or a reaction in which the cleaning process is not performed. Intrusion into the gas output means can be prevented. As a result, it is possible to prevent overetching of the inner wall of the reaction gas output means due to the penetration of the cleaning gas.
以上詳述したように第１の態様の基板処理装置によれば、基板に所定の処理を施す場合は、反応ガス出力手段に反応ガスが供給され、この反応ガス出力手段の内壁のクリーニング処理を行う場合は、これにクリーニングガスが供給される。これにより、反応ガス出力手段の内壁をクリーニングする場合、その内壁全体にクリーニングガスを供給することができる。その結果、反応ガス出力手段の内壁全体をクリーニングすることができる。 As described above in detail, according to the substrate processing apparatus of the first aspect, when a predetermined process is performed on the substrate, the reactive gas is supplied to the reactive gas output means, and the inner wall of the reactive gas output means is cleaned. When performing, a cleaning gas is supplied to this. Thereby, when cleaning the inner wall of the reactive gas output means, the cleaning gas can be supplied to the entire inner wall. As a result, the entire inner wall of the reactive gas output means can be cleaned.
これにより、反応ガス出力手段の寿命を延ばすことができる。その結果、反応ガス出力手段の交換周期を延ばすことができる。これにより、手間のかかる反応ガス出力手段の交換作業の回数を減らすことができる。その結果、装置の稼働率を向上させることができる。 Thereby, the lifetime of the reactive gas output means can be extended. As a result, the exchange period of the reaction gas output means can be extended. Thereby, the frequency | count of the replacement | exchange operation | work of the reactive gas output means which requires time can be reduced. As a result, the operating rate of the apparatus can be improved.
第２の態様の基板処理装置によれば、第１の態様の装置において、複数の反応ガス出力手段にクリーニングガスを供給する場合、これらが予め定めた順序に従って順次選択され、選択された反応ガス出力手段にのみクリーニングガスが供給される。これにより、クリーニングガスの単位時間当たりの流量を制御する流量制御手段の数を反応ガス出力手段の数より少なくすることができる。その結果、装置の製造経費を低減することができる。 According to the substrate processing apparatus of the second aspect, in the case of supplying the cleaning gas to the plurality of reaction gas output means in the apparatus of the first aspect, these are sequentially selected according to a predetermined order, and the selected reaction gas Cleaning gas is supplied only to the output means. As a result, the number of flow rate control means for controlling the flow rate of cleaning gas per unit time can be made smaller than the number of reaction gas output means. As a result, the manufacturing cost of the apparatus can be reduced.
また、この第２の態様の基板処理装置によれば、複数の反応ガス出力手段のうち、クリーニングガスが供給されていない反応ガス出力手段には不活性ガスが供給される。これにより、反応ガス出力手段の内壁のオーバーエッチングを防止することができる。 Further, according to the substrate processing apparatus of the second aspect, the inert gas is supplied to the reaction gas output means to which the cleaning gas is not supplied among the plurality of reaction gas output means. Thereby, over-etching of the inner wall of the reactive gas output means can be prevented.
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、本発明を、減圧下で成膜処理を行う減圧ＣＶＤ装置に適用した場合を代表として説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the case where the present invention is applied to a low pressure CVD apparatus that performs film formation under reduced pressure will be described as a representative.
［１］一実施の形態
［１−１］構成
図１は、本発明の一実施の形態の構成を示す図である。
[1] One Embodiment [1-1] Configuration FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an embodiment of the present invention.
（１）装置の構成要素と各構成要素の機能
図示の装置は、反応系３１と、ガス供給系３２と、排気系３３とを有する。ここで、反応系３１は、密閉された反応空間３４で、反応ガスを使って、半導体デバイスのウェーハの表面に所定の薄膜を形成するための系である。また、ガス供給系３２は、この反応系３１の反応空間３４に反応ガス、クリーニングガス、不活性ガス等を供給するための系である。さらに、排気系３３は、反応空間３４の雰囲気を排出するための系である。
(1) Components of the apparatus and functions of each component The illustrated apparatus includes a reaction system 31, a gas supply system 32, and an exhaust system 33. Here, the reaction system 31 is a system for forming a predetermined thin film on the surface of a wafer of a semiconductor device using a reaction gas in a sealed reaction space 34. The gas supply system 32 is a system for supplying a reaction gas, a cleaning gas, an inert gas, and the like to the reaction space 34 of the reaction system 31. Further, the exhaust system 33 is a system for exhausting the atmosphere of the reaction space 34.
（２）反応系３１の構成要素と各構成要素の機能
上記反応系３１は、反応管３７と、蓋３８と、ヒータ３９とを有する。ここで、反応管３７は、反応空間３４を形成するための管状の真空容器である。また、蓋３８は、この反応管３７のウェーハ出し入れ口４０を塞ぐための蓋である。さらに、ヒータ３９は、反応空間３４に搬入された複数のウェーハを加熱するためのヒータである。
(2) Components of Reaction System 31 and Functions of Each Component The reaction system 31 includes a reaction tube 37, a lid 38, and a heater 39. Here, the reaction tube 37 is a tubular vacuum container for forming the reaction space 34. The lid 38 is a lid for closing the wafer loading / unloading port 40 of the reaction tube 37. Further, the heater 39 is a heater for heating a plurality of wafers carried into the reaction space 34.
（３）ガス供給系３２の構成要素と各構成要素の機能
上記ガス供給系３２は、ノズル４３〜４７と、配管部４８〜６７，１０６〜１０８と、エアバルブ７０〜８９と、マスフローコントローラ９３〜１００と、コントローラ１０３とを有する。
(3) Components of Gas Supply System 32 and Functions of Each Component The gas supply system 32 includes nozzles 43 to 47, piping sections 48 to 67, 106 to 108, air valves 70 to 89, and mass flow controllers 93 to 100 and a controller 103.
ここで、ノズル４３〜４５は、成膜処理用のノズルである。また、ノズル４６は、成膜処理とアフタパージ処理と大気戻し処理とに兼用されるノズルである。ここで、アフタパージ処理とは、成膜処理が終了した後、反空空間３４を不活性ガスで浄化する処理である。大気戻し処理とは、アフタパージ処理が終了した後に、反応空間３４の圧力を大気圧に戻す処理である。さらに、ノズル４７は、反応空間３４をクリーニングするためのノズルである。これらのノズル４３〜４７は、例えば、石英により構成されている。 Here, the nozzles 43 to 45 are nozzles for film formation processing. The nozzle 46 is a nozzle that is used for both the film forming process, the after purge process, and the atmosphere returning process. Here, the after purge process is a process of purifying the anti-air space 34 with an inert gas after the film forming process is completed. The atmosphere returning process is a process for returning the pressure of the reaction space 34 to the atmospheric pressure after the after purge process is completed. Further, the nozzle 47 is a nozzle for cleaning the reaction space 34. These nozzles 43 to 47 are made of, for example, quartz.
配管部４８〜６８，１０６〜１０８は、ノズル４３〜４７に各種ガスを供給するための配管部である。エアバルブ７０〜８９は、配管部４８〜６８，１０６〜１０８を開閉するためのバルブである。マスフローコントローラ９３〜１００は、配管部４９〜５１，５３，５４，５８，５９を流れるガスの単位時間当たりの流量を制御するコントローラである。コントローラ１０３は、エアバルブ７０〜８８の開閉と、マスフローコントローラ９３〜１００の動作を制御するコントローラである。 The piping parts 48 to 68 and 106 to 108 are piping parts for supplying various gases to the nozzles 43 to 47. The air valves 70 to 89 are valves for opening and closing the pipe portions 48 to 68 and 106 to 108. The mass flow controllers 93 to 100 are controllers that control the flow rate per unit time of the gas flowing through the piping parts 49 to 51, 53, 54, 58, and 59. The controller 103 is a controller that controls the opening and closing of the air valves 70 to 88 and the operation of the mass flow controllers 93 to 100.
なお、エアバルブ７０〜７２とエアバルブ７５〜７７は、配管部４９〜５１を流れる反応ガスと配管部５５〜５７を流れる不活性ガスを選択的に配管部６５〜６７に供給する機能を有する。また、エアバルブ８３〜８５とエアバルブ８６〜８８は、配管部６１〜６３を流れるクリーニングガスと配管部６５〜６７を流れるガス（反応ガスまたは不活性ガス）を選択的に配管部１０６〜１０８に流す機能を有する。 The air valves 70 to 72 and the air valves 75 to 77 have a function of selectively supplying the reaction gas flowing through the piping parts 49 to 51 and the inert gas flowing through the piping parts 55 to 57 to the piping parts 65 to 67. Further, the air valves 83 to 85 and the air valves 86 to 88 selectively flow the cleaning gas flowing through the piping parts 61 to 63 and the gas (reactive gas or inert gas) flowing through the piping parts 65 to 67 to the piping parts 106 to 108. It has a function.
（４）排気系３３の構成要素と各構成要素の機能
排気系３３は、反応空間３４の雰囲気を排出するための配管部１１１を有する。この配管１１１は、反応管３７に設けられた排気口部１１２に接続されている。
(4) Components of Exhaust System 33 and Functions of Each Component Exhaust system 33 has a piping part 111 for exhausting the atmosphere of reaction space 34. The pipe 111 is connected to an exhaust port 112 provided in the reaction tube 37.
（５）反応系３１の具体的構成
上記反応管３７としては、例えば、同軸的に配設された円筒状のアウタチューブ１１５とインナチューブ１１６とを有する２重構造の反応管が用いられる。アウタチューブ１１
５は、円筒状のフランジ１１７の上端部に載置されている。インナチューブ１１６の下端部とフランジ１１２の上端部の間は閉塞されている。フランジ１１２の下端部の開口は、ボート搬入・搬出口４０とされている。上記ヒータ３９は、アウタチューブ１１５の周囲を囲むように配設されている。また、上記排気口部１１２は、フランジ１１７に設けられている。この場合、排気口部１１２は、インナチューブ１１６とフランジ１１７との閉塞位置より少し上方に設けられている。
(5) Specific Configuration of Reaction System 31 As the reaction tube 37, for example, a double-structure reaction tube having a cylindrical outer tube 115 and an inner tube 116 arranged coaxially is used. Outer tube 11
5 is placed on the upper end of a cylindrical flange 117. The lower end portion of the inner tube 116 and the upper end portion of the flange 112 are closed. The opening at the lower end of the flange 112 is a boat loading / unloading port 40. The heater 39 is disposed so as to surround the outer tube 115. The exhaust port 112 is provided in the flange 117. In this case, the exhaust port 112 is provided slightly above the closed position of the inner tube 116 and the flange 117.
（６）ノズル４３〜４７の配置構成
上記ノズル４３〜４５の先端部は、ウェーハ配置領域Ｒに位置決めされている。この場合、この先端部は、鉛直方向にずれるように位置決めされている。上記ノズル４６，４７の先端部は、ヒータ配置領域の下方に位置決めされている。これらのノズル４３〜４７の基端部は、フランジ１１７に形成されたノズル通し穴を介して反応管３７の外部に位置決めされている。
(6) Arrangement Configuration of Nozzles 43 to 47 The tip portions of the nozzles 43 to 45 are positioned in the wafer arrangement region R. In this case, the tip is positioned so as to be displaced in the vertical direction. The tip portions of the nozzles 46 and 47 are positioned below the heater arrangement area. The base end portions of these nozzles 43 to 47 are positioned outside the reaction tube 37 through nozzle through holes formed in the flange 117.
（７）配管部４８〜６８，１０６〜１０８の接続構成
上記配管部４８の上流側端部は、第１の反応ガスの蓄積源（図示せず）に接続され、下流側端部は、配管部４９〜５１の上流側端部に接続されている。この配管部４９〜５１の下流側端部は、それぞれ配管部６５〜６７の上流側端部に接続されている。この配管部６５〜６７の下流側端部は、それぞれ配管部１０６，１０７，１０８の上流側端部に接続されている。この配管部１０６，１０７，１０８の下流側端部は、ノズル４３〜４５の基端部に接続されている。
(7) Connection Configuration of Piping Portions 48 to 68, 106 to 108 The upstream end portion of the piping portion 48 is connected to a first reactive gas accumulation source (not shown), and the downstream end portion is connected to piping. It is connected to the upstream end of the portions 49 to 51. The downstream end portions of the piping portions 49 to 51 are connected to the upstream end portions of the piping portions 65 to 67, respectively. Downstream end portions of the pipe portions 65 to 67 are connected to upstream end portions of the pipe portions 106, 107, and 108, respectively. The downstream end portions of the pipe portions 106, 107, 108 are connected to the base end portions of the nozzles 43 to 45.
上記配管部５２の上流側端部は、不活性ガスの蓄積源（図示せず）に接続され、下流側端部は、配管部５３，５４の上流側端部に接続されている。配管部５３の下流側端部は、配管部６８の上流側端部に接続されている。この配管部６８の下流側端部は、ノズル４６の基端部に接続されている。配管部５４の下流側端部は、配管部５５〜５７の上流側端部に接続されている。この配管部５５〜５７の下流側端部は、配管部６５〜６７の上流側端部に接続されている。 The upstream end of the pipe 52 is connected to an inert gas accumulation source (not shown), and the downstream end is connected to the upstream ends of the pipes 53 and 54. The downstream end of the piping part 53 is connected to the upstream end of the piping part 68. The downstream end portion of the pipe portion 68 is connected to the base end portion of the nozzle 46. The downstream end of the piping part 54 is connected to the upstream end of the piping parts 55 to 57. The downstream ends of the pipes 55 to 57 are connected to the upstream ends of the pipes 65 to 67.
上記配管部５８の上流側端部は、第２の反応ガスの蓄積源（図示せず）に接続され、下流側端部は、配管部６８の上流側端部に接続されている。上記配管部５９の上流側端部は、クリーニングガスの蓄積源（図示せず）に接続され、下流側端部は、配管部６０，６４の上流側端部に接続されている。配管部６０の下流側端部は、配管部６１〜６３の上流側端部に接続されている。この配管部６１〜６３の下流側端部は、それぞれ配管部１０６〜１０８の上流側端部に接続されている。上記配管部６４の下流側端部は、ノズル４７の基端部に接続されている。 The upstream end of the piping part 58 is connected to a second reactive gas accumulation source (not shown), and the downstream end is connected to the upstream end of the piping part 68. The upstream end of the pipe 59 is connected to a cleaning gas accumulation source (not shown), and the downstream end is connected to the upstream ends of the pipes 60 and 64. The downstream end of the piping part 60 is connected to the upstream end of the piping parts 61 to 63. The downstream ends of the piping parts 61 to 63 are connected to the upstream ends of the piping parts 106 to 108, respectively. A downstream end portion of the piping portion 64 is connected to a proximal end portion of the nozzle 47.
なお、所定の薄膜として、例えば、ドープトポリシリコン膜を形成する場合は、第１の反応ガスとして、例えば、ＰＨ３ガスが用いられ、第２の反応ガスとして、例えば、ＳｉＨ４ガスが用いられる。この場合、成膜と同時に、リン（Ｐ）のドーピングが行われる。 For example, when forming a doped polysilicon film as the predetermined thin film, for example, PH 3 gas is used as the first reaction gas, and for example, SiH 4 gas is used as the second reaction gas. It is done. In this case, phosphorus (P) doping is performed simultaneously with the film formation.
（８）エアバルブ７０〜８８とマスフローコントローラ９３〜１００の挿入構成
上記エアバルブ７０〜７２とマスフローコントローラ９３〜９５は、それぞれ配管部４９〜５１に挿入されている。この場合、マスフローコントローラ９３〜９５は、それぞれエアバルブ７０〜７２の上流側に挿入されている。上記エアバルブ７３，７４と、マスフローコントローラ９６は、配管部５３に挿入されている。この場合、マスフローコントローラ９６は、エアバルブ７３，７４の間に挿入されている。上記マスフローコントローラ９７は、配管部５４に挿入されている。
(8) Insertion configuration of air valves 70 to 88 and mass flow controllers 93 to 100 The air valves 70 to 72 and the mass flow controllers 93 to 95 are inserted into the piping parts 49 to 51, respectively. In this case, the mass flow controllers 93 to 95 are inserted upstream of the air valves 70 to 72, respectively. The air valves 73 and 74 and the mass flow controller 96 are inserted into the piping portion 53. In this case, the mass flow controller 96 is inserted between the air valves 73 and 74. The mass flow controller 97 is inserted into the piping section 54.
上記エアバルブ７８，７９とマスフローコントローラ９８は、配管部５８に挿入されて
いる。この場合、マスフローコントローラ９８は、エアバルブ７８，７９の間に挿入されている。上記エアバルブ８０とマスフローコントローラ９９は、配管部６０に挿入されている。この場合、マスフローコントローラ９９は、エアバルブ８０の下流側に挿入されている。上記エアバルブ８１，８２とマスフローコントローラ１００は、配管部６４に挿入されている。この場合、マスフローコントローラ１００は、エアバルブ８１，８２の間に挿入されている。上記エアバルブ８３〜８５は、それぞれ配管６１〜６３に挿入されている。上記エアバルブ８６〜８８は、それぞれ配管６５〜６７に挿入されている。
The air valves 78 and 79 and the mass flow controller 98 are inserted into the piping part 58. In this case, the mass flow controller 98 is inserted between the air valves 78 and 79. The air valve 80 and the mass flow controller 99 are inserted into the piping section 60. In this case, the mass flow controller 99 is inserted on the downstream side of the air valve 80. The air valves 81 and 82 and the mass flow controller 100 are inserted into the piping part 64. In this case, the mass flow controller 100 is inserted between the air valves 81 and 82. The air valves 83 to 85 are inserted into the pipes 61 to 63, respectively. The air valves 86 to 88 are inserted into the pipes 65 to 67, respectively.
（９）本発明との関係上記構成においては、反応管３７が本発明の反応空間形成手段に対応する。また、成膜処理用のノズル４３〜４５が本発明の反応ガス出力手段に対応する。さらに、配管部４８〜５２，５４〜５７，５９〜６３，６５〜６７，１０６〜１０８と、エアバルブ７０〜７２，７５〜７７，８０，８３〜８５，８６〜８８と、マスフローコントローラ９３〜９５，９７，９９と、コントローラ１０３が本発明のガス供給手段に対応する。 (9) Relationship with the present invention In the above configuration, the reaction tube 37 corresponds to the reaction space forming means of the present invention. Further, the nozzles 43 to 45 for film formation process correspond to the reaction gas output means of the present invention. Furthermore, piping parts 48-52, 54-57, 59-63, 65-67, 106-108, air valves 70-72, 75-77, 80, 83-85, 86-88, and mass flow controllers 93-95. 97, 99 and the controller 103 correspond to the gas supply means of the present invention.
［２］動作
上記構成において、動作を説明する。
[2] Operation In the above configuration, the operation will be described.
（１）全体的な動作
まず、ウェーハの表面に所定の薄膜を形成する場合の全体的な動作を説明する。
(1) Overall Operation First, the overall operation when a predetermined thin film is formed on the wafer surface will be described.
この場合、まず、ウェーハチャージ処理が実行される。これにより、反応管３７から搬出されているボート（図示せず）に、成膜すべき複数のウェーハが収容される。このウェーハチャージ処理が終了すると、ボートロード処理が実行される。これにより、蓋３８が昇降機構（図示せず）により上昇駆動される。その結果、ボートが反応管３７の内部（反応空間３４）に搬入される。また、反応管３７のボート搬入・搬出口４０が蓋３８により閉じられる。 In this case, first, a wafer charge process is executed. As a result, a plurality of wafers to be deposited are accommodated in a boat (not shown) being unloaded from the reaction tube 37. When this wafer charging process is completed, a boat loading process is executed. As a result, the lid 38 is driven up by an elevating mechanism (not shown). As a result, the boat is carried into the reaction tube 37 (reaction space 34). Further, the boat loading / unloading port 40 of the reaction tube 37 is closed by the lid 38.
このボートロード処理が終了すると、真空排気処理が実行される。これにより、反応空間３４の雰囲気が排気系３３を介して排出される。この真空排気処理が終了すると、成膜処理が実行される。これにより、ノズル４３〜４６のガス出力口から反応空間３４に反応ガスが出力される。その結果、この反応ガスの化学反応によってウェーハの表面に所定の薄膜が形成される。 When this boat loading process is completed, an evacuation process is executed. As a result, the atmosphere in the reaction space 34 is exhausted through the exhaust system 33. When this evacuation process is completed, a film forming process is performed. As a result, the reaction gas is output to the reaction space 34 from the gas output ports of the nozzles 43 to 46. As a result, a predetermined thin film is formed on the wafer surface by the chemical reaction of the reaction gas.
この成膜処理が終了すると、アフタパージ処理が実行される。これにより、ノズル４６のガス出力口から反応空間３４に不活性ガスが出力される。その結果、反応空間３４の雰囲気が不活性ガスにより浄化される。このアフタパージ処理が終了すると、大気戻し処理が実行される。これにより、真空排気処理が停止され、不活性ガスの供給処理だけ実行される。その結果、反空空間３４の圧力が大気圧に戻される。 When this film forming process is completed, an after purge process is executed. Thereby, an inert gas is output from the gas output port of the nozzle 46 to the reaction space 34. As a result, the atmosphere in the reaction space 34 is purified by the inert gas. When the after purge process is completed, the atmosphere returning process is executed. As a result, the evacuation process is stopped and only the inert gas supply process is executed. As a result, the pressure in the anti-air space 34 is returned to atmospheric pressure.
この大気戻し処理が終了すると、ボートアンロード処理が実行される。これにより、蓋３８が下降駆動される。その結果、ボートが反応空間３４から搬出される。このボートアンロード処理が終了すると、ウェーハディスチャージ処理が実行される。これにより、成膜処理の済んだウェーハがボートから回収される。以下、同様に、次の複数のウェーハに対して上述した処理が実行される。 When this atmospheric return process is completed, a boat unload process is executed. Thereby, the lid 38 is driven downward. As a result, the boat is carried out from the reaction space 34. When this boat unload process is completed, a wafer discharge process is executed. As a result, the wafer having undergone the film forming process is recovered from the boat. Thereafter, similarly, the above-described processing is performed on the next plurality of wafers.
（２）反応管３７の内壁等をクリーニングする場合の動作
次に、反応管３７の内部等をクリーニングする場合の動作を説明する。
(2) Operation when Cleaning the Inner Wall of the Reaction Tube 37 Next, the operation when cleaning the inside of the reaction tube 37 will be described.
この場合、クリーニング処理用のノズル４７のガス出力口から反応空間３４にクリーニ
ングガスが出力される。これにより、反応管３７の内壁やノズル４３〜４７の外壁等に堆積した反応生成物がエッチングされる。また、このとき、真空排気処理が実行される。これにより、エッチングされた反応生成物が排気系３３を介して排出される。
In this case, the cleaning gas is output to the reaction space 34 from the gas output port of the nozzle 47 for the cleaning process. Thereby, the reaction product deposited on the inner wall of the reaction tube 37 and the outer walls of the nozzles 43 to 47 is etched. At this time, an evacuation process is executed. Thereby, the etched reaction product is discharged through the exhaust system 33.
（３）ノズル４３〜４５の内壁をクリーニングする場合の動作
次に、ノズル４３〜４５の内壁をクリーニングする場合の動作を説明する。
(3) Operation for Cleaning Inner Walls of Nozzles 43 to 45 Next, an operation for cleaning inner walls of the nozzles 43 to 45 will be described.
本実施の形態では、このクリーニング処理は、反応管３７の内壁のクリーニング処理と同時に行われる。この場合、成膜処理用のノズル４３〜４５のガス入力口にはクリーニングガスが供給される。これにより、ノズル４３〜４５の内壁に堆積している反応生成物がクリーニングガスによってエッチングされる。エッチングされた反応生成物は、ノズル４３〜４５のガス出力口から反応空間３４に出力される。反応空間３４に出力された反応生成物は、排気系３３を介して排出される。 In the present embodiment, this cleaning process is performed simultaneously with the cleaning process of the inner wall of the reaction tube 37. In this case, a cleaning gas is supplied to the gas input ports of the nozzles 43 to 45 for film formation. Thereby, the reaction product deposited on the inner walls of the nozzles 43 to 45 is etched by the cleaning gas. The etched reaction product is output to the reaction space 34 from the gas output ports of the nozzles 43 to 45. The reaction product output to the reaction space 34 is discharged through the exhaust system 33.
なお、このクリーニング処理は、例えば、３本のノズル４３〜４５を予め定めた順序に従って順次１本ずつ選択することにより、１本ずつ行われる。この場合、選択されていない２本のノズルには、不活性ガスが供給される。これにより、オーバーエッチングが防止される。 In addition, this cleaning process is performed one by one, for example, by selecting the three nozzles 43 to 45 one by one in accordance with a predetermined order. In this case, the inert gas is supplied to the two nozzles that are not selected. This prevents overetching.
すなわち、クリーニング処理が終了したノズルの内部には、通常、クリーニングガスが残存する。したがって、これをそのまま放置すると、ノズルの内壁全体がオーバーエッチングされる。しかしながら、本実施の形態では、クリーニング処理の終了したノズルに不活性ガスが供給される。これにより、このノズルの内部に残存するクリーニングガスが追い出される。その結果、クリーニングガスの残存によるオーバーエッチングが防止される。 That is, the cleaning gas usually remains in the nozzle after the cleaning process. Therefore, if this is left as it is, the entire inner wall of the nozzle is over-etched. However, in this embodiment, an inert gas is supplied to the nozzle that has undergone the cleaning process. As a result, the cleaning gas remaining inside the nozzle is expelled. As a result, over-etching due to remaining cleaning gas is prevented.
また、本実施の形態では、ノズル４３〜４５の内壁のクリーニング処理は、反応管３７の内壁のクリーニング処理と同時に行われる。これにより、ノズル４７により反応空間３４に出力されたクリーニングガスがクリーニング処理の行われていないノズルの内部に侵入する。その結果、ノズル４３〜４５の内壁の先端部でオーバーエッチングが発生する。しかしながら、本実施の形態では、クリーニング処理が終了したノズルやクリーニング処理が行われていないノズルに不活性ガスが供給される。これにより、このノズルに対するクリーニングガスの侵入が阻止される。その結果、クリーニングガスの侵入によるオーバーエッチングが防止される。 In the present embodiment, the cleaning process of the inner walls of the nozzles 43 to 45 is performed simultaneously with the cleaning process of the inner wall of the reaction tube 37. As a result, the cleaning gas output to the reaction space 34 by the nozzle 47 enters the inside of the nozzle that has not been subjected to the cleaning process. As a result, overetching occurs at the tips of the inner walls of the nozzles 43 to 45. However, in the present embodiment, an inert gas is supplied to nozzles that have been cleaned or nozzles that have not been cleaned. This prevents the cleaning gas from entering the nozzle. As a result, over-etching due to the penetration of the cleaning gas is prevented.
（４）ガス供給系３２のガス供給動作
次に、ガス供給系３２のガス供給動作について説明する。
(4) Gas Supply Operation of Gas Supply System 32 Next, the gas supply operation of the gas supply system 32 will be described.
（４−１）成膜処理を行う場合の動作
まず、成膜処理を行う場合の動作を説明する。
(4-1) Operation when performing film forming process First, an operation when performing a film forming process will be described.
この場合は、コントローラ１０３により、エアバルブ７０〜７２，７８，７９，８６〜８８が開かれ、その他のエアバルブ７３〜７７，８０〜８５は閉じられる。これにより、配管部４８，４９〜５１，６５〜６７，１０６〜１０８を介してノズル４３〜４５に第１の反応ガス（ＰＨ３ガス）が供給される。また、配管部５８，６８を介してノズル４６に第２の反応ガス（ＳｉＨ４ガス）が供給される。 In this case, the air valve 70-72, 78, 79, 86-88 is opened by the controller 103, and the other air valves 73-77, 80-85 are closed. As a result, the first reaction gas (PH 3 gas) is supplied to the nozzles 43 to 45 through the piping parts 48, 49 to 51, 65 to 67, and 106 to 108. Further, the second reaction gas (SiH 4 gas) is supplied to the nozzle 46 via the piping parts 58 and 68.
また、この場合、コントローラ１０３により、ノズル４３〜４６に供給される第１の反応ガスの単位時間当たりの流量の目標値が指定される。これにより、マスフローコントローラ９３〜９５によって、ノズル４３〜４５に供給される第１の反応ガスの単位時間当た
りの流量が制御される。その結果、ノズル４３〜４５に供給される第１の反応ガスの単位時間当たりの流量が上記目標値に設定される。また、マスフローコントローラ９８によって、ノズル４６に供給される第２の反応ガスの単位時間当たりの流量が制御される。その結果、ノズル４６に供給される第２の反応ガスの単位時間当たりの流量が上記目標値に設定される。
In this case, the controller 103 designates a target value for the flow rate per unit time of the first reaction gas supplied to the nozzles 43 to 46. Accordingly, the flow rate per unit time of the first reaction gas supplied to the nozzles 43 to 45 is controlled by the mass flow controllers 93 to 95. As a result, the flow rate per unit time of the first reaction gas supplied to the nozzles 43 to 45 is set to the target value. Further, the mass flow controller 98 controls the flow rate of the second reactive gas supplied to the nozzle 46 per unit time. As a result, the flow rate per unit time of the second reactive gas supplied to the nozzle 46 is set to the target value.
（４−２）アフタパージ処理を行う場合の動作
次に、アフタパージ処理を行う場合の動作を説明する。
(4-2) Operation when performing an after purge process Next, an operation when performing an after purge process will be described.
この場合は、エアバルブ７３，７４が開かれ、その他のエアバルブ７０〜７２，７５〜７７，７８〜８８は閉じられる。これにより、配管部５２，５３，６８を介してノズル４６に不活性ガスが供給される。この場合、ノズル４６に供給される不活性ガスの単位時間当たりの流量が、コントローラ１０３の指示に基づいて、マスフローコントローラ９６により制御される。 In this case, the air valves 73 and 74 are opened, and the other air valves 70 to 72, 75 to 77, and 78 to 88 are closed. As a result, the inert gas is supplied to the nozzle 46 via the piping parts 52, 53, and 68. In this case, the flow rate per unit time of the inert gas supplied to the nozzle 46 is controlled by the mass flow controller 96 based on an instruction from the controller 103.
（４−３）クリーニング処理を行う場合の動作
次に、反応管３７の内壁等とノズル４３〜４５の内壁のクリーニング処理を行う場合の動作を説明する。 この場合は、コントローラ１０３によりエアバルブ７３，７４，７８，７９が閉じられる。これにより、ノズル４６に対する不活性ガスと第２の反応ガスの供給が禁止される。また、この場合、エアバルブ８１，８２が開かれる。これにより、配管部５９，６４を介してノズル４７にクリーニングガスが供給される。この場合、ノズル４７に供給されるクリーニングガスの単位時間当たりの流量は、コントローラ１０３の指示に基づいて、マスフローコントローラ１００により制御される。さらに、この場合、エアバルブ７０〜７２が閉じられ、エアバルブ７５〜７７が開かれる。これにより、ノズル４３〜４５に対する第１の反応ガスの供給が禁止され、不活性ガスの供給が可能となる。この場合、どのノズル４３〜４５に不活性ガスを供給するかは、どのノズル４３〜４５の内壁をクリーニングするかによって決定される。さらにまた、この場合、エアバルブ８０が開かれる。これにより、ノズル４３〜４５に対するクリーニングガスの供給が可能となる。この場合、どのノズル４３〜４５にクリーニングガスを供給するかは、どのノズル４３〜４５の内壁をクリーニングするかによって決定される。
(4-3) Operation When Performing Cleaning Process Next, an operation when performing the cleaning process on the inner wall of the reaction tube 37 and the inner walls of the nozzles 43 to 45 will be described. In this case, the air valve 73, 74, 78, 79 is closed by the controller 103. Thereby, the supply of the inert gas and the second reactive gas to the nozzle 46 is prohibited. In this case, the air valves 81 and 82 are opened. As a result, the cleaning gas is supplied to the nozzle 47 via the piping portions 59 and 64. In this case, the flow rate per unit time of the cleaning gas supplied to the nozzle 47 is controlled by the mass flow controller 100 based on an instruction from the controller 103. Further, in this case, the air valves 70 to 72 are closed and the air valves 75 to 77 are opened. Thereby, supply of the 1st reaction gas with respect to the nozzles 43-45 is prohibited, and supply of an inert gas is attained. In this case, which nozzle 43 to 45 is supplied with the inert gas is determined by which nozzle 43 to 45 is cleaned. Furthermore, in this case, the air valve 80 is opened. Thereby, the cleaning gas can be supplied to the nozzles 43 to 45. In this case, which nozzle 43 to 45 is supplied with the cleaning gas is determined depending on which nozzle 43 to 45 is cleaned.
今、ノズル４３の内壁をクリーニングするものとする。この場合は、エアバルブ８３が開かれ、エアバルブ８４，８５が閉じられる。また、この場合は、エアバルブ８７，８８が開かれ、エアバルブ８６が閉じられる。これにより、この場合は、ノズル４３のガス入力口にクリーニングガスが供給され、ノズル４４，４５のガス入力口に不活性ガスが供給される。その結果、この場合は、ノズル４３の内壁がクリーニングされ、ノズル４４，４５の内壁のオーバエッチングが防止される。 Now, the inner wall of the nozzle 43 is to be cleaned. In this case, the air valve 83 is opened and the air valves 84 and 85 are closed. In this case, the air valves 87 and 88 are opened and the air valve 86 is closed. Thereby, in this case, the cleaning gas is supplied to the gas input port of the nozzle 43, and the inert gas is supplied to the gas input ports of the nozzles 44 and 45. As a result, in this case, the inner wall of the nozzle 43 is cleaned, and overetching of the inner walls of the nozzles 44 and 45 is prevented.
この状態からクリーニング対象がノズル４４に切り替えられると、今度は、エアバルブ８４が開かれ、エアバルブ８３，８５が閉じられる。また、この場合は、エアバルブ８６，８８が開かれ、エアバルブ８７が閉じられる。これにより、この場合は、ノズル４４のガス入力口にクリーニングガスが供給され、ノズル４３，４５のガス入力口に不活性ガスが供給される。その結果、この場合は、ノズル４４の内壁がクリーニングされ、ノズル４３，４５の内壁のオーバエッチングが防止される。 When the object to be cleaned is switched to the nozzle 44 from this state, the air valve 84 is now opened and the air valves 83 and 85 are closed. In this case, the air valves 86 and 88 are opened and the air valve 87 is closed. Thereby, in this case, the cleaning gas is supplied to the gas input port of the nozzle 44, and the inert gas is supplied to the gas input ports of the nozzles 43 and 45. As a result, in this case, the inner wall of the nozzle 44 is cleaned, and overetching of the inner walls of the nozzles 43 and 45 is prevented.
この状態からクリーニング対象がノズル４５に切り替えられると、今度は、エアバルブ８５が開かれ、エアバルブ８３，８４が閉じられる。また、この場合、エアバルブ８６，８７が開かれ、エアバルブ８８が閉じられる。これにより、この場合は、ノズル４５のガス入力口にクリーニングガスが供給され、ノズル４３，４４のガス入力口に不活性ガスが供給される。その結果、この場合は、ノズル４５の内壁がクリーニングされ、ノズル４３
，４４の内壁のオーバエッチングが防止される。
When the object to be cleaned is switched to the nozzle 45 from this state, the air valve 85 is opened and the air valves 83 and 84 are closed. In this case, the air valves 86 and 87 are opened, and the air valve 88 is closed. Thereby, in this case, the cleaning gas is supplied to the gas input port of the nozzle 45, and the inert gas is supplied to the gas input ports of the nozzles 43 and 44. As a result, in this case, the inner wall of the nozzle 45 is cleaned, and the nozzle 43
44 are prevented from being over-etched.
なお、以上のクリーニング動作においては、ノズル４３〜４５に供給されるクリーニングガスの単位時間当たりの流量は、コントローラ１０３の指示に基づいて、マスフローコントローラ９９により制御される。同様に、ノズル４３〜４５に供給される不活性ガスの単位時間当たりの流量は、コントローラ１０３の指示に基づいて、マスフローコントローラ９７により制御される。 In the above cleaning operation, the flow rate per unit time of the cleaning gas supplied to the nozzles 43 to 45 is controlled by the mass flow controller 99 based on an instruction from the controller 103. Similarly, the flow rate per unit time of the inert gas supplied to the nozzles 43 to 45 is controlled by the mass flow controller 97 based on an instruction from the controller 103.
この場合、ノズル４３〜４５に供給されるクリーニングガスの単位時間当たりの流量は、例えば、反応生成物が堆積している部分の長さに基づいて決定される。これは、ノズル４３〜４５のクリーニング時間を同じにするためである。これにより、ノズル４３〜４５に供給されるクリーニングガスの単位時間当たりの流量は、ノズル４３で最も大きく、ノズル４４で２番目に大きく、ノズル４５で最も小さくなる。 In this case, the flow rate per unit time of the cleaning gas supplied to the nozzles 43 to 45 is determined based on, for example, the length of the portion where the reaction product is deposited. This is to make the cleaning times of the nozzles 43 to 45 the same. Thereby, the flow rate per unit time of the cleaning gas supplied to the nozzles 43 to 45 is the largest at the nozzle 43, the second largest at the nozzle 44, and the smallest at the nozzle 45.
［１−３］効果
以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を得ることができる。
[1-3] Effects According to the embodiment described in detail above, the following effects can be obtained.
（１）まず、本実施の形態によれば、成膜処理を行う場合は、ノズル４３〜４５に反応ガスが供給され、このノズル４３〜４５の内壁のクリーニング処理を行う場合は、これにクリーニングガスが供給される。これにより、ノズル４３〜４５の内壁をクリーニングする場合、内壁全体にクリーニングガスを供給することができる。その結果、ノズル４３〜４５の内壁全体をクリーニングすることができる。 (1) First, according to the present embodiment, when a film forming process is performed, a reactive gas is supplied to the nozzles 43 to 45, and when a cleaning process is performed on the inner walls of the nozzles 43 to 45, a cleaning process is performed. Gas is supplied. Thereby, when cleaning the inner walls of the nozzles 43 to 45, the cleaning gas can be supplied to the entire inner walls. As a result, the entire inner walls of the nozzles 43 to 45 can be cleaned.
これにより、ノズル４３〜４５の寿命を延ばすことができる。その結果、ノズル４３〜４５の交換周期を伸ばすことができる。具体的には、従来の装置におけるノズル４３〜４５の交換周期を１ヶ月とすると、本実施の形態では、これを６ヶ月まで伸ばすことができる。これにより、手間のかかるノズル４３〜４５の交換作業（取外し、取付け作業）の回数を従来の６分の１に減らすことができる。その結果、装置の稼働率を向上させることができる。 Thereby, the lifetime of the nozzles 43 to 45 can be extended. As a result, the replacement cycle of the nozzles 43 to 45 can be extended. Specifically, if the replacement period of the nozzles 43 to 45 in the conventional apparatus is 1 month, in the present embodiment, this can be extended to 6 months. Thereby, the frequency | count of the replacement | exchange operation | work (removal and attachment operation | work) of the nozzles 43-45 which requires time can be reduced to 1/6 of the past. As a result, the operating rate of the apparatus can be improved.
（２）また、本実施の形態によれば、ノズル４３〜４５の内壁をクリーニングする場合、これらが予め定めた順序に従って順次１本ずつ選択され、選択されたノズルにクリーニングガスが供給される。これにより、ノズル４３〜４５用のマスフローコントローラの数を３個ではなく、１個に減らすことができる。その結果、装置の製造経費を低減することができる。 (2) Further, according to the present embodiment, when cleaning the inner walls of the nozzles 43 to 45, these are sequentially selected one by one according to a predetermined order, and the cleaning gas is supplied to the selected nozzle. Thereby, the number of mass flow controllers for the nozzles 43 to 45 can be reduced to one instead of three. As a result, the manufacturing cost of the apparatus can be reduced.
（３）さらに、本実施の形態によれば、ノズル４３〜４５のうち、クリーニングガスが供給されていないノズルに不活性ガスが供給される。これにより、ノズル４３〜４５のオーバーエッチングを防止することができる。 (3) Furthermore, according to the present embodiment, among the nozzles 43 to 45, the inert gas is supplied to the nozzles to which the cleaning gas is not supplied. Thereby, over-etching of the nozzles 43 to 45 can be prevented.
（４）さらにまた、本実施の形態によれば、ノズル４４〜４６に供給されるクリーニングガスの単位時間当たりの流量が、例えば、反応生成物が堆積している部分の長さに基づいて決定される。これにより、ノズル４３〜４５の内壁のクリーニング時間を同じにすることができる。 (4) Furthermore, according to the present embodiment, the flow rate per unit time of the cleaning gas supplied to the nozzles 44 to 46 is determined based on, for example, the length of the portion where the reaction product is deposited. Is done. Thereby, the cleaning time of the inner walls of the nozzles 43 to 45 can be made the same.
［２］その他の実施の形態
以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明した。しかしながら、本発明は、上述したような実施の形態に限定されるものではない。
[2] Other Embodiments One embodiment of the present invention has been described in detail above. However, the present invention is not limited to the embodiment described above.
（１）例えば、先の実施の形態では、ノズル４３〜４５に供給するクリーニングガスの
単位時間当たりの流量を異なる値に設定し、クリーニング時間を同じにする場合を説明した。しかしながら、本発明は、単位時間当たりの流量を同じにし、クリーニング時間を異ならせるようにしてもよい。また、本発明は、単位時間当たりの流量とクリーニング時間の両方を異ならせるようにしてもよい。
(1) For example, in the previous embodiment, the case where the flow rate per unit time of the cleaning gas supplied to the nozzles 43 to 45 is set to different values and the cleaning time is made the same has been described. However, according to the present invention, the flow rate per unit time may be the same and the cleaning time may be different. In the present invention, both the flow rate per unit time and the cleaning time may be different.
（２）また、先の実施の形態では、ノズル４３〜４５にクリーニングガスを供給する場合、これらを予め定めた順序に従って順次１本ずつ選択し、選択したノズルに供給する場合を説明した。しかしながら、本発明では、これを総数より少ない複数本ずつ選択し、選択した複数本のノズルに供給するようにしてもよい。また、本発明は、すべてのノズルに同時に供給するようにしてもよい。 (2) In the previous embodiment, when supplying the cleaning gas to the nozzles 43 to 45, the nozzles were selected one by one in accordance with a predetermined order and supplied to the selected nozzle. However, in the present invention, a plurality of nozzles smaller than the total number may be selected and supplied to the selected nozzles. Moreover, you may make it this invention supply to all the nozzles simultaneously.
（３）さらに、先の実施の形態では、ノズル４３〜４５の内壁のクリーニング処理を反応管３７の内壁等のクリーニング処理と同時に行う場合を説明した。しかしながら、本発明では、これらを別々に行うようにしてもよい。この場合、クリーニング処理中のノズルから出力されるクリーニングガスが他のノズルに侵入することが問題にならなければ、不活性ガスガスをクリーニング処理が終了したばかりのノズルにのみ供給することができる。これにより、不活性ガスの使用量を減らすことができる。 (3) Furthermore, in the previous embodiment, the case where the cleaning process of the inner walls of the nozzles 43 to 45 is performed simultaneously with the cleaning process of the inner wall of the reaction tube 37 has been described. However, in the present invention, these may be performed separately. In this case, if it does not matter that the cleaning gas output from the nozzle being cleaned enters another nozzle, the inert gas gas can be supplied only to the nozzle that has just finished the cleaning process. Thereby, the usage-amount of an inert gas can be reduced.
（４）さらにまた、本発明は、多系統ノズル型ＣＶＤ装置だけでなく、１系統ノズル型ＣＶＤ装置にも適用することができる。また、本発明は、縦型のＣＶＤ装置だけでなく、横型のＣＶＤ装置にも適用することができる。さらに、本発明は、バッチ式のＣＶＤ装置だけでなく、枚葉式のＣＶＤ装置にも適用することができる。さらにまた、本発明は、低圧型のＣＶＤ装置だけでなく、常圧型のＣＶＤ装置にも適用することができる。また、本発明は、ＣＶＤ装置以外のウェーハ処理装置にも適用することができる。すなわち、本発明は、反応空間で化学反応を使ってウェーハに所定の処理を施すウエーハ処理装置一般に適用することができる。また、本発明は、ウェーハ処理装置以外の基板処理装置にも適用することができる。例えば、本発明は、液晶表示デバイスのガラス基板に所定の処理を施すガラス基板処理装置にも適用することができる。 (4) Furthermore, the present invention can be applied not only to a multi-system nozzle type CVD apparatus but also to a single-system nozzle type CVD apparatus. The present invention can be applied not only to a vertical CVD apparatus but also to a horizontal CVD apparatus. Further, the present invention can be applied not only to a batch type CVD apparatus but also to a single wafer type CVD apparatus. Furthermore, the present invention can be applied not only to a low pressure type CVD apparatus but also to a normal pressure type CVD apparatus. The present invention can also be applied to wafer processing apparatuses other than CVD apparatuses. That is, the present invention can be applied to a general wafer processing apparatus that performs a predetermined process on a wafer using a chemical reaction in a reaction space. The present invention can also be applied to substrate processing apparatuses other than wafer processing apparatuses. For example, the present invention can be applied to a glass substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a glass substrate of a liquid crystal display device.
要は、本発明は、固体デバイスの基板に所定の処理を施すことによって、ノズル等の反応ガス出力手段の内壁に反応生成物が堆積されるような基板処理装置一般に適用することができる。 In short, the present invention can be applied to a general substrate processing apparatus in which a reaction product is deposited on the inner wall of a reaction gas output means such as a nozzle by performing a predetermined process on a substrate of a solid device.
（５）この他にも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。 (5) In addition to the above, the present invention can of course be variously modified without departing from the scope of the invention.
３１…反応系、３２…ガス供給系、３３…排気系、３４…反応空間、３７…反応管、３８…蓋、３９…ヒータ、４０…ボート搬入・搬出口、４３〜４７…ノズル、４８〜６８，１０６〜１０８，１１１…配管部、７０〜８８…エアバルブ、９３〜１００…マスフローコントローラ、１０３…コントローラ、１１２…排気口部、１１５…アウタチューブ、１１６…インナチューブ、１１７…フランジ。 31 ... Reaction system, 32 ... Gas supply system, 33 ... Exhaust system, 34 ... Reaction space, 37 ... Reaction tube, 38 ... Lid, 39 ... Heater, 40 ... Boat loading / unloading port, 43-47 ... Nozzle, 48- 68, 106-108, 111 ... piping part, 70-88 ... air valve, 93-100 ... mass flow controller, 103 ... controller, 112 ... exhaust port part, 115 ... outer tube, 116 ... inner tube, 117 ... flange.
Claims (8)
前記反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、
前記複数のノズルとは別に設けられ、前記反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、
前記複数のノズルおよび前記クリーニング用ノズルのそれぞれに接続されるとともに、反応ガス、クリーニングガスおよび不活性ガスの蓄積源に接続される配管部と、
前記配管部の前記複数のノズルおよび前記クリーニング用ノズルのそれぞれのノズルと前記各ガスの蓄積源との間にそれぞれ設けられたバルブと、
前記ノズルの内部をクリーニングする場合に、前記複数のノズルを順次選択し、選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給し、さらに、選択したノズルにクリーニングガスを供給した後にそのノズルに不活性ガスを供給するように前記バルブを制御すると共に、前記反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくとも前記クリーニング用ノズルより前記反応管内にクリーニングガスを供給し、前記複数のノズルのうち少なくともクリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給するように前記バルブを制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。 A reaction tube for applying a predetermined treatment to the substrate;
A plurality of nozzles for supplying a reaction gas into the reaction tube;
A cleaning nozzle that is provided separately from the plurality of nozzles and supplies a cleaning gas into the reaction tube;
A pipe connected to each of the plurality of nozzles and the cleaning nozzle, and connected to an accumulation source of a reaction gas, a cleaning gas and an inert gas;
Valves provided between the nozzles of the plurality of nozzles and the cleaning nozzle of the piping section and the storage sources of the gases, respectively.
When cleaning the inside of the nozzle, the plurality of nozzles are sequentially selected, a cleaning gas is supplied to the selected nozzle, an inert gas is supplied to a non-selected nozzle, and a cleaning gas is supplied to the selected nozzle. The valve is controlled so as to supply an inert gas to the nozzle after the gas is supplied, and when cleaning the inside of the reaction tube, a cleaning gas is supplied into the reaction tube from at least the cleaning nozzle , A controller for controlling the valve so as to supply an inert gas to at least a nozzle that has been cleaned among a plurality of nozzles ;
A substrate processing apparatus comprising:
前記反応管内に複数のノズルより反応ガスを供給して基板に対して所定の処理を施す工程と、
所定の処理を施した後の基板を前記反応管内から搬出する工程と、
前記複数のノズルを順次選択し、選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給して前記ノズルの内部をクリーニングする工程と、
前記複数のノズルとは異なるクリーニング用ノズルより前記反応管内にクリーニングガスを供給して前記反応管の内部をクリーニングする工程と、
を有し、
前記ノズルの内部をクリーニングする工程では、選択したノズルにクリーニングガスを供給した後にそのノズルに不活性ガスを供給し、前記反応管の内部をクリーニングする工程では、前記複数のノズルのうち少なくともクリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 Carrying the substrate into the reaction tube;
Supplying a reaction gas from a plurality of nozzles into the reaction tube and performing a predetermined process on the substrate;
A step of unloading the substrate after the predetermined treatment from the reaction tube;
Sequentially selecting the plurality of nozzles, supplying a cleaning gas to the selected nozzles, supplying an inert gas to nozzles that are not selected, and cleaning the inside of the nozzles;
Cleaning the inside of the reaction tube by supplying a cleaning gas into the reaction tube from a cleaning nozzle different from the plurality of nozzles;
Have
In the step of cleaning the inside of the nozzle, after supplying a cleaning gas to the selected nozzle, an inert gas is supplied to the nozzle, and in the step of cleaning the inside of the reaction tube, at least cleaning of the plurality of nozzles is performed. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein an inert gas is supplied to the finished nozzle .
前記複数のノズルを順次選択し、選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給して前記ノズルの内部をクリーニングする工程と、
前記複数のノズルとは異なるクリーニング用ノズルより前記反応管内にクリーニングガスを供給して前記反応管の内部をクリーニングする工程と、
を有し、
前記ノズルの内部をクリーニングする工程では、選択したノズルにクリーニングガスを供給した後にそのノズルに不活性ガスを供給し、前記反応管の内部をクリーニングする工程では、前記複数のノズルのうち少なくともクリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給することを特徴とするクリーニング方法。 A method of cleaning the inside of the nozzle and the inside of the reaction tube after supplying a reaction gas from a plurality of nozzles into a reaction tube containing a substrate and performing a predetermined treatment on the substrate,
Sequentially selecting the plurality of nozzles, supplying a cleaning gas to the selected nozzles, supplying an inert gas to nozzles that are not selected, and cleaning the inside of the nozzles;
Cleaning the inside of the reaction tube by supplying a cleaning gas into the reaction tube from a cleaning nozzle different from the plurality of nozzles;
Have
In the step of cleaning the inside of the nozzle, after supplying a cleaning gas to the selected nozzle, an inert gas is supplied to the nozzle, and in the step of cleaning the inside of the reaction tube, at least cleaning of the plurality of nozzles is performed. A cleaning method comprising supplying an inert gas to a nozzle that has ended .
前記反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、
前記複数のノズルとは別に設けられ、前記反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、
前記複数のノズルおよび前記クリーニング用ノズルのそれぞれに接続されるとともに、反応ガス、クリーニングガスおよび不活性ガスの蓄積源に接続される配管部と、
前記配管部の前記複数のノズルおよび前記クリーニング用ノズルのそれぞれのノズルと前記各ガスの蓄積源との間にそれぞれ設けられたバルブと、
前記ノズルの内部をクリーニングする場合に、前記複数のノズルの全てに同時にクリーニングガスを供給し、クリーニングが終了したノズルに不活性ガスを供給するように前記バルブを制御すると共に、前記反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくとも前記クリーニング用ノズルより前記反応管内にクリーニングガスを供給し、前記複数のノズルのうち少なくともクリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給するように前記バルブを制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。 A reaction tube for applying a predetermined treatment to the substrate;
A plurality of nozzles for supplying a reaction gas into the reaction tube;
A cleaning nozzle that is provided separately from the plurality of nozzles and supplies a cleaning gas into the reaction tube;
A pipe connected to each of the plurality of nozzles and the cleaning nozzle, and connected to an accumulation source of a reaction gas, a cleaning gas and an inert gas;
Valves provided between the nozzles of the plurality of nozzles and the cleaning nozzle of the piping section and the storage sources of the gases, respectively.
When cleaning the inside of the nozzle, the cleaning gas is simultaneously supplied to all of the plurality of nozzles, and the valve is controlled so as to supply an inert gas to the nozzle that has been cleaned, and the inside of the reaction tube A controller that controls the valve so that at least cleaning gas is supplied into the reaction tube from the cleaning nozzle, and inert gas is supplied to at least cleaning-completed nozzles of the plurality of nozzles. ,
A substrate processing apparatus comprising:
前記反応管内に複数のノズルより反応ガスを供給して基板に対して所定の処理を施す工程と、
所定の処理を施した後の基板を前記反応管内から搬出する工程と、
前記複数のノズルの全てに同時にクリーニングガスを供給して前記ノズルの内部をクリーニングする工程と、
前記複数のノズルとは異なるクリーニング用ノズルより前記反応管内にクリーニングガスを供給して前記反応管の内部をクリーニングする工程と、
を有し、
前記ノズルの内部をクリーニングする工程では、クリーニングが終了したノズルに不活性ガスを供給し、前記反応管の内部をクリーニングする工程では、前記複数のノズルのうち少なくともクリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 Carrying the substrate into the reaction tube;
Supplying a reaction gas from a plurality of nozzles into the reaction tube and performing a predetermined process on the substrate;
A step of unloading the substrate after the predetermined treatment from the reaction tube;
Supplying a cleaning gas to all of the plurality of nozzles simultaneously to clean the inside of the nozzles;
Cleaning the inside of the reaction tube by supplying a cleaning gas into the reaction tube from a cleaning nozzle different from the plurality of nozzles;
Have
In the step of cleaning the inside of the nozzle, an inert gas is supplied to the nozzle that has been cleaned, and in the step of cleaning the inside of the reaction tube , an inert gas is supplied to at least the nozzle that has been cleaned among the plurality of nozzles. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized by comprising:
前記複数のノズルの全てに同時にクリーニングガスを供給して前記ノズルの内部をクリーニングする工程と、
前記複数のノズルとは異なるクリーニング用ノズルより前記反応管内にクリーニングガスを供給して前記反応管の内部をクリーニングする工程と、
を有し、
前記ノズルの内部をクリーニングする工程では、クリーニングが終了したノズルに不活性ガスを供給し、前記反応管の内部をクリーニングする工程では、前記複数のノズルのうち少なくともクリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給することを特徴とするクリーニング方法。 A method of cleaning the inside of the nozzle and the inside of the reaction tube after supplying a reaction gas from a plurality of nozzles into a reaction tube containing a substrate and performing a predetermined treatment on the substrate,
Supplying a cleaning gas to all of the plurality of nozzles simultaneously to clean the inside of the nozzles;
Cleaning the inside of the reaction tube by supplying a cleaning gas into the reaction tube from a cleaning nozzle different from the plurality of nozzles;
Have
In the step of cleaning the inside of the nozzle, an inert gas is supplied to the nozzle that has been cleaned, and in the step of cleaning the inside of the reaction tube , an inert gas is supplied to at least the nozzle that has been cleaned among the plurality of nozzles. cleaning method characterized in that supplying.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010015359A JP5194036B2 (en) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2010015359A JP5194036B2 (en) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and cleaning method |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007040366A Division JP4515474B2 (en) | 2007-02-21 | 2007-02-21 | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010103561A JP2010103561A (en) | 2010-05-06 |
| JP5194036B2 true JP5194036B2 (en) | 2013-05-08 |
Family
ID=42293837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010015359A Expired - Lifetime JP5194036B2 (en) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and cleaning method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5194036B2 (en) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR20180118528A (en) | 2017-04-21 | 2018-10-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus, method of coating particle in process gas nozzle and substrate processing method |
| KR20180120586A (en) | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus, method of removing particles in injector, and substrate processing method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20180120586A (en) | 2017-04-27 | 2018-11-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Substrate processing apparatus, method of removing particles in injector, and substrate processing method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010103561A (en) | 2010-05-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120925 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130107 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130129 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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