JP5186436B2 - Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents
Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP5186436B2 JP5186436B2 JP2009119605A JP2009119605A JP5186436B2 JP 5186436 B2 JP5186436 B2 JP 5186436B2 JP 2009119605 A JP2009119605 A JP 2009119605A JP 2009119605 A JP2009119605 A JP 2009119605A JP 5186436 B2 JP5186436 B2 JP 5186436B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- well
- light emitting
- barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
本発明は、窒化物半導体発光素子に関し、詳しくはn型不純物がドープされたn型窒化物半導体層と、複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造である発光層と、p型不純物がドープされたp型窒化物半導体層とからなり、前記n型窒化物半導体層と前記発光層と前記p型窒化物半導体層とが順に積層された窒化物半導体発光素子に関するものである。なお、本明細書で説明する窒化物半導体とは、AlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で構成される。また、この窒化物半導体において、その結晶構造が六方晶系であれば、少量のAs、又はP元素が置換されていても構わない。 The present invention relates to a nitride semiconductor light emitting device, and more specifically, an n-type nitride semiconductor layer doped with an n-type impurity, a plurality of well layers, and a plurality of barrier layers having a higher band gap energy than the well layers. And a p-type nitride semiconductor layer doped with a p-type impurity, the n-type nitride semiconductor layer, the light-emitting layer, and the p-type nitride semiconductor layer. The invention relates to a nitride semiconductor light emitting device in which are sequentially stacked. Note that the nitride semiconductor described in the present specification is composed of Al x Ga y In z N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1, x + y + z = 1). Further, in this nitride semiconductor, a small amount of As or P element may be substituted if the crystal structure is hexagonal.
窒化物半導体は、高輝度青色LED(Light Emitting Diode)、純緑色LEDの材料として用いられ、フルカラーLEDディスプレイ、交通信号灯、イメージスキャナー光源等の各種光源に実用化されている。また、青紫色半導体レーザ素子の材料としても用いられ、光ディスクの情報読み出し/書き込み用光源等への応用も期待されている。 Nitride semiconductors are used as materials for high-intensity blue LEDs (Light Emitting Diodes) and pure green LEDs, and have been put to practical use in various light sources such as full-color LED displays, traffic signal lights, and image scanner light sources. It is also used as a material for blue-violet semiconductor laser elements, and is expected to be applied to information reading / writing light sources for optical disks.
このような窒化物半導体を用いた窒化物半導体レーザ素子の構成が、例えば、Jpn.J.Appl.Phys.Vol.39(2000)pp.L647−L650に開示されている。この文献には、アンドープ(不純物を含まない)のIn0.15Ga0.85Nからなる4nmの井戸層とn型不純物としてSiがドープされたIn0.02Ga0.98Nからなる10nmの障壁層とが積層してなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子が記載されている。 The structure of a nitride semiconductor laser device using such a nitride semiconductor is disclosed in, for example, Jpn. J. et al. Appl. Phys. Vol. 39 (2000) pp. L647-L650. In this document, a 4 nm well layer made of undoped (without impurities) In 0.15 Ga 0.85 N and a 10 nm barrier layer made of In 0.02 Ga 0.98 N doped with Si as an n-type impurity are stacked. A nitride semiconductor laser device having an active layer having a multiple quantum well structure is described.
このように構成された窒化物半導体レーザ素子の発光層のバンドダイヤグラムを図11に示す。図11において、100がn型窒化物半導体層、101がp型窒化物半導体層、102が井戸層、103が障壁層、104が発光層を示している。 FIG. 11 shows a band diagram of the light emitting layer of the nitride semiconductor laser device configured as described above. In FIG. 11, 100 is an n-type nitride semiconductor layer, 101 is a p-type nitride semiconductor layer, 102 is a well layer, 103 is a barrier layer, and 104 is a light emitting layer.
しかしながら、発光層となる活性層にSi等の不純物をドープすることによって、活性層内でのフリーキャリア散乱の増加や結晶性の悪化を招くため、半導体レーザ素子等においては、発生する光出力の低下の原因となる。従って、発光効率が低下し、閾値電流密度が高くなってしまう。 However, doping an impurity such as Si into the active layer that becomes the light emitting layer causes an increase in free carrier scattering and a deterioration in crystallinity in the active layer. Causes a drop. Therefore, the light emission efficiency is lowered and the threshold current density is increased.
本発明は、上記の問題点に鑑み、発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。また、この窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a nitride semiconductor light emitting device having improved light emission efficiency and a low threshold current density. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing the nitride semiconductor light emitting device.
上記目的を達成するために本発明の窒化物半導体発光素子は、n型不純物がドープされたn型窒化物半導体層と、InGaN層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、p型不純物がドープされたp型窒化物半導体層とが、この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInxGa1-xN層(0<x≦0.05)とGaN層とを含んでおり、
前記障壁層のInxGa1-xN層は前記n型窒化物半導体層側の井戸層に接するとともに、前記障壁層のGaN層は前記p型窒化物半導体層側の井戸層に接し、
前記GaN層の厚みは、前記障壁層のInxGa1-xN層の厚みと等しいかそれよりも薄いことを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, a nitride semiconductor light emitting device of the present invention includes an n-type nitride semiconductor layer doped with an n-type impurity, a plurality of well layers composed of InGaN layers, and a band gap energy higher than that of the well layers. In a nitride semiconductor light emitting device in which a light emitting layer having a multiple quantum well structure in which a plurality of high barrier layers are stacked and a p-type nitride semiconductor layer doped with a p-type impurity are stacked in this order,
At least the barrier layer sandwiched between and in contact with the well layer includes an In x Ga 1-x N layer (0 <x ≦ 0.05) and a GaN layer different from the In composition ratio of the well layer,
The In x Ga 1-x N layer of the barrier layer is in contact with the well layer on the n-type nitride semiconductor layer side, and the GaN layer of the barrier layer is in contact with the well layer on the p-type nitride semiconductor layer side,
The thickness of the GaN layer is equal to or less than the thickness of the In x Ga 1-x N layer of the barrier layer.
この構成によると、発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することができる。 According to this configuration, it is possible to provide a nitride semiconductor light emitting device with improved luminous efficiency and a low threshold current density.
また上記目的を達成するために本発明の窒化物半導体発光素子は、n型窒化物半導体層と、InGaN層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、p型AlGaN層とが、この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInxGa1-xN層(0<x≦0.05)とGaN層とを含んでおり、
前記井戸層に接して挟まれた障壁層のInxGa1-xN層は前記n型窒化物半導体層側の井戸層に接するとともに、前記井戸層に接して挟まれた障壁層のGaN層は前記p型AlGaN層側の井戸層に接し、
前記GaN層の厚みは、前記井戸層に接して挟まれた障壁層のInxGa1-xN層の厚みと等しいかそれよりも薄く、
前記発光層のp型AlGaN層側の最外層も前記障壁層であり、前記最外層の障壁層のInxGa1-xN層(0<x≦0.05)は井戸層のIn組成比とは異なるとともに井戸層に接していて、
前記最外層の障壁層のInxGa1-xN層とp型AlGaN層との間に、アンドープのGaN層、アンドープのAlGaN層、SiがドープされたGaN層、又はSiがドープされたAlGaN層が7nm以上35nm以下の厚みで設けられていることを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, a nitride semiconductor light emitting device of the present invention includes an n-type nitride semiconductor layer, a plurality of well layers composed of InGaN layers, and a plurality of barrier layers having a higher band gap energy than the well layers. In a nitride semiconductor light emitting device in which a light emitting layer having a multiple quantum well structure and a p-type AlGaN layer are stacked in this order,
At least the barrier layer sandwiched between and in contact with the well layer includes an In x Ga 1-x N layer (0 <x ≦ 0.05) and a GaN layer different from the In composition ratio of the well layer,
The In x Ga 1-x N layer of the barrier layer sandwiched in contact with the well layer is in contact with the well layer on the n-type nitride semiconductor layer side, and the GaN layer of the barrier layer sandwiched in contact with the well layer Is in contact with the well layer on the p-type AlGaN layer side,
The thickness of the GaN layer is equal to or less than the thickness of the In x Ga 1-x N layer of the barrier layer sandwiched between the well layers,
The outermost layer on the p-type AlGaN layer side of the light emitting layer is also the barrier layer, and the In x Ga 1-x N layer (0 <x ≦ 0.05) of the outermost barrier layer is the In composition ratio of the well layer. Is different from and is in contact with the well layer,
Between the In x Ga 1-x N layer and the p-type AlGaN layer of the outermost barrier layer, an undoped GaN layer, an undoped AlGaN layer, a Si-doped GaN layer, or a Si-doped AlGaN The layer is provided with a thickness of 7 nm or more and 35 nm or less.
また本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、上記の窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記障壁層のGaN層を積層する工程の温度が、同じ障壁層のInGaN層を積層する工程の温度と等しいか、それよりも大きく150℃以下の範囲内であることを特徴とするものである。 The method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to the present invention is the method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device described above, wherein the temperature of the step of laminating the GaN layer of the barrier layer is the same as that of the InGaN layer of the same barrier layer. The temperature is equal to or higher than the temperature of the step to be performed, and is within a range of 150 ° C. or less.
この製造方法によると、障壁層に含まれるGaN層は、同じ障壁層に含まれるInGaN層の結晶性を悪化させずに且つGaN層の結晶性もある程度損なわない温度範囲で成長させられるので、発光効率の低下と閾値電流密度の増大を抑えることができる。 According to this manufacturing method, the GaN layer included in the barrier layer is grown in a temperature range in which the crystallinity of the InGaN layer included in the same barrier layer is not deteriorated and the crystallinity of the GaN layer is not impaired to some extent. A decrease in efficiency and an increase in threshold current density can be suppressed.
本発明によると、井戸層は、不純物がドープされていないInGaN層であり、少なくとも井戸層に挟まれた障壁層は、井戸層のIn組成比と異なるInGaN層と、GaN層とを含み、InGaN層が一方の井戸層に接し、GaN層がもう一方の井戸層に接することにより、発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することができる。 According to the present invention, the well layer is an InGaN layer that is not doped with impurities, and at least the barrier layer sandwiched between the well layers includes an InGaN layer having a different In composition ratio of the well layer and a GaN layer, When the layer is in contact with one well layer and the GaN layer is in contact with the other well layer, it is possible to provide a nitride semiconductor light emitting device with improved light emission efficiency and a low threshold current density.
〈窒化物半導体発光素子の構成〉
図1は、窒化物半導体発光素子の構成を示す概略断面図である。窒化物半導体発光素子10は、(0001)面n型GaN基板11の表面上に、n型GaN層12、n型AlGaNクラッド層13、n型GaN光ガイド層14、発光層15、p型AlGaNキャリアブロック層16、p型GaN光ガイド層17、p型AlGaNクラッド層18、p型GaNコンタクト層19が順に積層されて構成される。
<Configuration of nitride semiconductor light emitting device>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a nitride semiconductor light emitting device. The nitride semiconductor
更に、このように各窒化物半導体層が積層されて構成された窒化物半導体発光素子10は、p型AlGaNクラッド層18の上側部分及びp型GaNコンタクト層19がストライプ状のリッジ構造とされ、このリッジ構造の両側にSiO2誘電体膜20が設けられる。そして、n型GaN基板11の裏面にn電極21が設けられるとともに、p型GaNコンタクト層19及びSiO2誘電体膜20の表面にp電極22が設けられる。
Further, in the nitride semiconductor
この窒化物半導体発光素子10はMOCVD法(有機金属気相成長法)によって、窒化物半導体からなる積層構造をGaN基板11表面上に形成することで作製される。
The nitride semiconductor
まず、MOCVD装置を用いてn型GaN基板11上にV族原料のNH3とIII族原料のTMGa(トリメチルガリウム)又はTEGa(トリエチルガリウム)にSiH4を加え、1050℃の成長温度でn型GaN層12の下地層を1μm形成する。このn型GaN層12はn型GaN基板11の表面モフォロジーの改善と研磨によるn型GaN基板11の表面に残留した応力歪みを緩和させてエピタキシャル成長に相応しい最表面を形成するためのものである。
First, using a MOCVD apparatus, SiH 4 is added to group III source material NH 3 and group III source material TMGa (trimethyl gallium) or TEGa (triethyl gallium) on the n-
次に、TMAl(トリメチルアルミニウム)又はTEAl(トリエチルアルミニウム)のIII族原料を用いて、厚さ1.2μmのn型AlGaNクラッド層13(Si不純物濃度1×1018cm-3)を成長させ、続いて厚さ0.1μmのn型GaN光ガイド層14(Si不純物濃度1×1018cm-3)を成長させる。ここで、n型AlGaNクラッド層13のAl組成比は0.07とする。
Next, using a group III material of TMAl (trimethylaluminum) or TEAl (triethylaluminum), an n-type AlGaN cladding layer 13 (Si impurity concentration 1 × 10 18 cm −3 ) having a thickness of 1.2 μm is grown, Subsequently, an n-type GaN light guide layer 14 (Si impurity concentration 1 × 10 18 cm −3 ) having a thickness of 0.1 μm is grown. Here, the Al composition ratio of the n-type
その後、基板温度を800℃に下げて発光層15を形成する。発光層15は、厚さ4nmのアンドープのIn0.15Ga0.85N井戸層と、厚さ4nmのSiがドープされたGaN層(Si不純物濃度1×1018cm-3)及び厚さ4nmのアンドープのIn0.05Ga0.95N層からなる障壁層とが交互に3周期積層された多重量子井戸構造を有している。即ち、障壁層/井戸層/障壁層/井戸層/障壁層/井戸層/障壁層の順で積層されている。
Thereafter, the substrate temperature is lowered to 800 ° C. to form the
なお、上記の多重量子井戸構造は障壁層を発光層15の最外層としているが、井戸層/障壁層/井戸層/障壁層/・・・/井戸層のように、発光層15の最外層を井戸層としてもよい。また、井戸層は10層以下であれば後述する閾値電流密度が低く、室温連続発振が可能である。
In the above multiple quantum well structure, the barrier layer is the outermost layer of the
次に、基板温度を再び1050℃まで上昇させて、厚さ20nmのp型AlGaNキャリアブロック層16、厚さ0.1μmのp型GaN光ガイド層17、厚さ0.5μmのp型AlGaNクラッド層18、厚さ0.1μmのp型GaNコンタクト層19を順次成長させる。ここで、p型AlGaNキャリアブロック層16のAl組成比は0.3、p型AlGaNクラッド層18のAl組成比は0.1とする。また、p型不純物としてはMg(EtCP2Mg:ビスエチルシクロペンタジエチルマグネシウム)を用いる。
Next, the substrate temperature is raised again to 1050 ° C., and a p-type AlGaN
続いて、上記のように成長したエピウエハーをMOCVD装置から取り出し、電極を形成する。ここで、n電極21はエピウエハーの裏面にHf/Alの順に形成され、n型電極パッドとしてAuが蒸着される。なお、n電極材料としては、他にTi/Al、Ti/Mo、Hf/Au等を用いることができる。
Subsequently, the epi-wafer grown as described above is taken out of the MOCVD apparatus and an electrode is formed. Here, the
一方、p型AlGaNクラッド層18及びp型GaNコンタクト層19はストライプ状にエッチングされ、リッジストライプ部が形成される。このリッジストライプ部の幅は1.7μmである。そして、SiO2誘電体膜20が200nm蒸着され、p型GaNコンタクト層19が露出される。その後、p電極22がPd(15nm)/Mo(15nm)/Au(200nm)の順に蒸着形成される。
On the other hand, the p-type
なお、窒化物半導体発光素子10に使用される各層のAl組成比は上記以外の組成比を用いてもよいし、GaN/AlGaNからなる超格子を用いてもよい。
The Al composition ratio of each layer used in the nitride semiconductor
また、上記においては、基板としてGaN基板11を用いているが、他にAlGaN基板、Si基板の(111)面、サファイア基板上に形成されたELOG(Epitaxially laterlly overgrown GaN)基板、GaN基板上に形成されたELOG基板、Si(111)面上に形成されたELOG基板等を用いてもよい。ELOG基板を用いる場合には、成長抑制膜(例えば、SiO2膜)の幅の中央上方、及び成長抑制膜が形成されていない領域の幅の中央上方に、窒化物半導体発光素子10のリッジストライプ部分又はその電流狭窄部分が含まれないように作製される。これにより、素子の発振寿命を長寿命化することができる。
In the above description, the
上記の窒化物半導体発光素子10は、窒化物半導体レーザ素子、発光ダイオード、スーパールミネッセントダイオード等に適用することができる。
The nitride semiconductor
〈従来の窒化物半導体発光素子との比較〉
従来の窒化物半導体発光素子の性能と比較実験するために、本発明の窒化物半導体発光素子10の実施例として2つの構成の窒化物半導体レーザ素子を作製した。何れの素子も図1の発光層15の構成を変化させたものである。1つ目の窒化物半導体レーザ素子(以下、タイプAと称す)の発光層15の断面図を図2に示す。
<Comparison with conventional nitride semiconductor light emitting devices>
In order to conduct a comparative experiment with the performance of a conventional nitride semiconductor light emitting device, a nitride semiconductor laser device having two configurations was fabricated as an example of the nitride semiconductor
図2ではn型GaN光ガイド層14の上に、障壁層30a/井戸層31/障壁層30b/井戸層31/障壁層30b/井戸層31/障壁層30cの順に積層されてなる発光層15が形成されている。
In FIG. 2, the
ここで、井戸層31はアンドープのIn0.15Ga0.85N層である。また、障壁層30a、30b、30cはそれぞれ2層構造である。障壁層30a、30b、30cのn型GaN光ガイド層14側にはn型GaN層32a、32b、32cが形成され、p型AlGaNキャリアブロック層16側にはIn0.05Ga0.95N層33a、33b、33cが形成される。
Here, the
次に、2つ目の窒化物半導体レーザ素子(以下、タイプBと称す)の発光層15の断面図を図3に示す。
Next, FIG. 3 shows a cross-sectional view of the
図3ではn型GaN光ガイド層14の上に、障壁層30a/井戸層31/障壁層30b/井戸層31/障壁層30b/井戸層31/障壁層30cの順に積層されてなる発光層15が形成されている。
In FIG. 3, the
ここで、井戸層31はアンドープのIn0.15Ga0.85N層である。また、障壁層30a、30b、30cはそれぞれ2層構造である。障壁層30a、30b、30cのn型GaN光ガイド層14側にはIn0.05Ga0.95N層33a、33b、33cが形成され、p型AlGaNキャリアブロック層16側にはn型GaN層32a、32b、32cが形成される。
Here, the
このように、タイプAとタイプBとの違いは、障壁層30a、30b、30cを構成する2層の積層順序が逆になっていることである。 Thus, the difference between Type A and Type B is that the stacking order of the two layers constituting the barrier layers 30a, 30b, 30c is reversed.
なお、発光層15の最外層である障壁層30a、30cは、井戸層31によって挟まれていないため、必ずしもn型GaN層32a、32cやIn0.05Ga0.95N層33a、33cとする必要はない。しかしながら、最外層の障壁層30a、30cも上記の構成とすることにより、本発明の効果が得られやすくなる。
The barrier layers 30a and 30c that are the outermost layers of the
また、実験の結果、InGaN層33cとp型AlGaNキャリアブロック層16との間に、アンドープのInGaN層、アンドープのGaN層、アンドープのAlGaN層、SiがドープされたGaN層、又はSiがドープされたAlGaN層を7nm以上35nm以下の厚みで挿入することが、閾値電流密度の低減のために好ましいことがわかった。p型AlGaNキャリアブロック層16のAl組成比が高いことによる結晶性の低下が転位を発生させ、それを通してMgが発光層15に拡散するものと考えられる。従って、上記の層を挿入することによって、p型層からのMgが発光層15に拡散することを防止できる。また、これらの層を挿入することによって、p−nジャンクションの位置がずれないように調整することもできるため、歩留まりが向上する。
As a result of the experiment, an undoped InGaN layer, an undoped GaN layer, an undoped AlGaN layer, a Si-doped GaN layer, or Si is doped between the
図4は、タイプAの窒化物半導体レーザ素子の発光層15のバンドダイヤグラムであり、図5は、タイプBの窒化物半導体レーザ素子の発光層15のバンドダイヤグラムである。図4、図5より明らかなように、n型GaN層32a、32b、32c、InGaN層33a、33b、33c、井戸層31の順にバンドギャップエネルギーが小さくなっていることがわかる。
FIG. 4 is a band diagram of the
次に、これらタイプA及びタイプBの窒化物半導体レーザ素子と、従来例で示した図11の窒化物半導体レーザ素子とのLEDモードにおけるEL発光強度の測定結果について説明する。測定に用いた注入電流密度は0.67kAcm-2である。 Next, measurement results of EL emission intensity in the LED mode of the nitride semiconductor laser elements of type A and type B and the nitride semiconductor laser element of FIG. 11 shown in the conventional example will be described. The injection current density used for the measurement is 0.67 kAcm −2 .
図6に、EL発光スペクトルを示す。各窒化物半導体レーザ素子の発光強度の最大値は、タイプAが22.3、タイプBが15.4、従来型が13.6であった。それぞれ比較すると、タイプBは従来型の約1.1倍であり、タイプAは従来型の約1.6倍の発光強度となっている。なお、従来型の障壁層をn型InGaN層からn型GaN層に変更して実験しても、そのEL発光強度はほぼ同じ値であった。 FIG. 6 shows an EL emission spectrum. The maximum value of the emission intensity of each nitride semiconductor laser element was 22.3 for type A, 15.4 for type B, and 13.6 for the conventional type. In comparison, Type B has a light emission intensity of about 1.1 times that of the conventional type, and Type A has a light emission intensity of about 1.6 times that of the conventional type. Even when the conventional barrier layer was changed from the n-type InGaN layer to the n-type GaN layer, the EL emission intensity was almost the same.
このような実験結果から、窒化物半導体レーザ素子の発光効率(EL発光強度に比例)を向上させるためには、発光層15に用いられる障壁層30a、30b、30cが少なくともInGaN層(但し、井戸層のIn組成比と異なる)とGaN層を含む必要があるという知見が得られた。
From these experimental results, in order to improve the light emission efficiency (proportional to the EL light emission intensity) of the nitride semiconductor laser element, the barrier layers 30a, 30b, 30c used for the
更に、発光層15の構成(タイプA、タイプB)に着目すると、そのn型GaN層32a、32b、32c、及びInGaN層33a、33b、33cの形成位置も重要であることがわかる。EL発光強度の測定結果から、タイプAのEL発光強度はタイプBの約1.4倍となっていることがわかる。 Further, when attention is paid to the configuration of the light emitting layer 15 (type A, type B), it can be seen that the formation positions of the n-type GaN layers 32a, 32b, 32c and the InGaN layers 33a, 33b, 33c are also important. From the measurement result of the EL emission intensity, it can be seen that the EL emission intensity of Type A is about 1.4 times that of Type B.
しかしながら、このようにタイプA、タイプBの違いによりEL発光強度が向上する理由はあきらかではない。推測によれば、発光層15の上に比較的Al組成比の高い(15%以上40%未満)p型AlGaNキャリアブロック層16が近接して積層されており、このp型AlGaNキャリアブロック層16からの歪みが、タイプAやタイプBの障壁層30a、30b、30cの構造を有することによって適度に緩和されているのではないかと考えられる。
However, the reason why the EL emission intensity is improved due to the difference between Type A and Type B is not clear. According to the speculation, a p-type AlGaN
また、窒化物半導体は他のIII−V族半導体とは異なり、窒化物半導体特有の非常に強い自発分極とピエゾ電界を有している(特にAlGaN)。そのため、発光層15のバンド構造が歪んで電子とホールの対が形成されにくくなっていると考えられる。そこで、はじめから発光層15のバンド構造を傾けることによって、バンド構造の歪みが加わった状態でも電子とホールの形成が容易になるのではないかと考えられる。従って、タイプAとタイプBのEL発光強度が異なるのではないかと考える。
In addition, unlike other III-V group semiconductors, nitride semiconductors have very strong spontaneous polarization and piezoelectric fields specific to nitride semiconductors (particularly AlGaN). For this reason, it is considered that the band structure of the
〈障壁層中のInGaN層とGaN層の不純物のドーピング〉
本発明において、障壁層30a、30b、30c中のInGaN層33a、33b、33cとGaN層32a、32b、32cには、不純物がドープされていてもよいし、されていなくても構わない。しかしながら、実験結果によれば、障壁層30a、30b、30cに全く不純物をドープしない場合、EL発光強度は非常に弱かった。これは、十分なキャリアが井戸層31に注入されていないためではないかと考えられる。
<Doping of impurities in InGaN layer and GaN layer in barrier layer>
In the present invention, the InGaN layers 33a, 33b, and 33c and the GaN layers 32a, 32b, and 32c in the barrier layers 30a, 30b, and 30c may or may not be doped with impurities. However, according to the experimental results, when the barrier layers 30a, 30b, and 30c are not doped with impurities at all, the EL emission intensity is very weak. This may be because sufficient carriers are not injected into the
従って、少なくとも障壁層30a、30b、30c中のInGaN層33a、33b、33cとGaN層32a、32b、32cのうち何れかの層に不純物をドープすることが好ましい。更に好ましい障壁層30a、30b、30cの構成は、不純物を含まないInGaN層33a、33b、33cとn型の不純物であるSiがドープされたGaN層32a、32b、32cである。なぜなら、障壁層30a、30b、30c全体には不純物がドープされないことによって、障壁層30a、30b、30c内での自由キャリアによる散乱を低減し、内部損失が増大するのを防いで閾値電流密度を低くすることができるからである。
Therefore, it is preferable to dope impurities into at least one of the InGaN layers 33a, 33b, 33c and the GaN layers 32a, 32b, 32c in the barrier layers 30a, 30b, 30c. Further
また、障壁層30a、30b、30c中のGaN層32a、32b、32cは、井戸層31や障壁層に含まれたInGaN層と近い成長温度帯域(井戸層の成長温度に対して+150℃以内)で成長するため、結晶性が悪化しやすい。ところが、Si等の不純物をGaN層32a、32b、32cにドープすると、井戸層31へのキャリアの注入のみならず、GaN層自体の結晶性の改善を行えるので好ましい。なお、Siの濃度は1×1017〜5×1018cm-3が好ましい。
In addition, the GaN layers 32a, 32b, and 32c in the barrier layers 30a, 30b, and 30c are close to the
また、窒化物半導体レーザ素子の低閾値電流密度化において、井戸層は不純物を含まないInGaNから構成されることが好ましい。これは、井戸層内での自由キャリアによる散乱を低減し、内部損失が増大するのを防いで閾値電流密度を低くするためである。 In order to reduce the threshold current density of the nitride semiconductor laser element, the well layer is preferably composed of InGaN containing no impurities. This is because the scattering by free carriers in the well layer is reduced, the internal loss is prevented from increasing, and the threshold current density is lowered.
〈障壁層の製造方法〉
発光層15の製造において、障壁層に含まれるGaN層は、同じ障壁層に含まれるInGaN層と同じ成長温度(700〜830℃)か、+150℃以内の高い温度で成長させることが好ましい。InGaN層の成長温度よりも150℃を超えた高い成長温度でGaN層を成長させると、GaN層の結晶性は向上するものの、InGaN層が熱によるダメージを受けて結晶性が悪化する。一方、InGaN層の成長温度よりも低い成長温度でGaN層を成長させると、InGaN層の熱によるダメージは減少するが、GaN層の結晶性が顕著に悪化してしまう。
<Manufacturing method of barrier layer>
In the production of the
〈発光層の層厚〉
上記のように、障壁層に含まれるGaN層は、同じ障壁層に含まれるInGaN層の結晶性を悪化させずに且つGaN層の結晶性もある程度損なわない温度範囲で成長させられる。さもなくば、窒化物半導体レーザ素子における発光効率の低下と閾値電流密度の増大を引き起こしてしまう。GaN層の結晶性のみを考慮すると上記の成長温度範囲に加えて、ある1つの障壁層に含まれるGaN層の全層厚が、同じ障壁層に含まれるInGaN層の全層厚と等しいかそれよりも薄くすることが好ましい。即ち、障壁層中に占めるGaN層の割合を小さくすることによって、発光層全体の結晶性を上げることができる。
<Layer thickness of light emitting layer>
As described above, the GaN layer included in the barrier layer is grown in a temperature range in which the crystallinity of the InGaN layer included in the same barrier layer is not deteriorated and the crystallinity of the GaN layer is not impaired to some extent. Otherwise, the light emission efficiency and the threshold current density in the nitride semiconductor laser element are reduced. Considering only the crystallinity of the GaN layer, in addition to the above growth temperature range, the total thickness of the GaN layer included in one barrier layer is equal to or equal to the total thickness of the InGaN layer included in the same barrier layer. It is preferable to make it thinner. That is, the crystallinity of the entire light emitting layer can be increased by reducing the proportion of the GaN layer in the barrier layer.
具体的に、障壁層の厚みは5nm以上12nm以下であることが好ましい。障壁層の厚みが5nmよりも薄くなると、上述したバンド構造の傾きが弱くなるため好ましくない。一方、障壁層の厚みが12nmよりも厚くなると、バンド構造の傾きが強くなりすぎて、電子とホールの空間的な分離が大きくなるとともに、井戸層と井戸層との距離も離れすぎて移動度の小さいホールが各井戸層に注入されにくくなる可能性がある。 Specifically, the thickness of the barrier layer is preferably 5 nm or more and 12 nm or less. If the thickness of the barrier layer is less than 5 nm, the above-described band structure inclination becomes weak, which is not preferable. On the other hand, when the thickness of the barrier layer is greater than 12 nm, the inclination of the band structure becomes too strong, the spatial separation of electrons and holes becomes large, and the distance between the well layer and the well layer is too far away and the mobility is too high. May be difficult to be injected into each well layer.
このような状態は、発光再結合の確率の低下に伴う発光効率の低下と、利得の低下に伴う閾値電流密度の増大を招くため好ましくない。 Such a state is not preferable because it causes a decrease in light emission efficiency accompanying a decrease in the probability of light emission recombination and an increase in threshold current density accompanying a decrease in gain.
また、井戸層の厚みは2nm以上7nm以下であることが好ましい。井戸層の厚みが2nmよりも薄くなると、量子井戸準位が高くなりすぎて、キャリアがしみ出して発光効率が低下するため好ましくない。一方、井戸層の厚みが7nmよりも厚くなると、バンド構造の傾きが弱くなるため好ましくない。バンド構造の傾きによる効果が弱くなると、従来型のバンド構造で生じているバンド歪みが残り、電子とホールの空間的な分離が大きくなって発光効率の低下を招くおそれがある。 The thickness of the well layer is preferably 2 nm or more and 7 nm or less. If the thickness of the well layer is less than 2 nm, the quantum well level becomes too high, and carriers are oozed out and the luminous efficiency is lowered, which is not preferable. On the other hand, if the thickness of the well layer is greater than 7 nm, the inclination of the band structure becomes weak, which is not preferable. When the effect due to the inclination of the band structure is weakened, the band distortion generated in the conventional band structure remains, and the spatial separation of electrons and holes may increase, leading to a decrease in light emission efficiency.
〈発光層のInGaN層のIn組成比〉
発光層には、以下のInGaN層を用いることができる。障壁層に含まれるInGaN層はInxGa1-xN(0<x≦0.1)を用いることができる。更に好ましくはIn組成比が0<x≦0.05である。この範囲のIn組成比を選択することにより、発光層のバンド構造を傾けることができ、窒化物半導体レーザ素子の発光効率を向上させることができる。
<In composition ratio of InGaN layer of light emitting layer>
The following InGaN layers can be used for the light emitting layer. In x Ga 1-x N (0 <x ≦ 0.1) can be used for the InGaN layer included in the barrier layer. More preferably, the In composition ratio is 0 <x ≦ 0.05. By selecting an In composition ratio in this range, the band structure of the light emitting layer can be tilted, and the light emission efficiency of the nitride semiconductor laser device can be improved.
また、InGaNからなる井戸層はInyGa1-yN(x<y≦0.18)を用いることができる。更に好ましくはIn組成比がX<y≦0.1である。実験結果によると、バンド構造を有する窒化物半導体レーザ素子は、従来型のバンド構造を有するそれと比較して、レーザの発振波長(あるいはLEDモードにおける発光波長)が長波長化しやすい。そのため、本発明の井戸層のIn組成比は、従来型のそれと比較して低くする必要がある。 Further, In y Ga 1-y N (x <y ≦ 0.18) can be used for the well layer made of InGaN. More preferably, the In composition ratio is X <y ≦ 0.1. According to the experimental results, the nitride semiconductor laser element having a band structure is likely to have a longer laser oscillation wavelength (or emission wavelength in the LED mode) than that having a conventional band structure. Therefore, the In composition ratio of the well layer of the present invention needs to be lower than that of the conventional type.
このように、井戸層に含まれるIn組成比が、従来に比べて低くすることができるため、Inによる偏析を抑えることができる。これにより、In偏析による利得の低下を防ぐことができ、発光効率の向上、及び閾値電流密度を低くすることができる。更には、井戸層の結晶成長温度を上げることができ、しいては障壁層の結晶成長温度も上げられるので、発光層の結晶性が向上する。 Thus, since the In composition ratio contained in the well layer can be made lower than in the conventional case, segregation due to In can be suppressed. Thereby, a decrease in gain due to In segregation can be prevented, the luminous efficiency can be improved, and the threshold current density can be lowered. Furthermore, since the crystal growth temperature of the well layer can be increased, and the crystal growth temperature of the barrier layer can also be increased, the crystallinity of the light emitting layer is improved.
〈障壁層のInGaN層とGaN層の構成〉
障壁層の構成は上述したInGaN層とGaN層の2層からなる構成が好ましいが、他の構成も考えられる。
<Configuration of barrier layer InGaN layer and GaN layer>
The barrier layer is preferably composed of the above-described two layers of the InGaN layer and the GaN layer, but other configurations are also conceivable.
図7〜図9に、他の窒化物半導体レーザ素子の発光層のバンドダイヤグラムを示す。図7、図8は、障壁層30a、30b、30cのInGaN層33a、33b、33cとGaN層32a、32b、32cとの間のバンド構造が連続的に変化する構成である。具体的には、InGaN層33a、33b、33cの成長中にIn組成比を徐々に変化させることによって連続的にバンド構造を変化させることができる。また、図9は、InGaN層33a、33b、33cとGaN層32a、32b、32cとの間に1層のInGaN層34a、34b、34cを挿入した例である。これにより障壁層が3層構造となる。具体的には、異なるIn組成比を有するInGaN層34a、34b、34cを挿入することにより作製することができる。このように、障壁層を3層以上の構成としても何ら問題はない。
7 to 9 show band diagrams of light emitting layers of other nitride semiconductor laser elements. 7 and 8 are configurations in which the band structure between the InGaN layers 33a, 33b, and 33c of the barrier layers 30a, 30b, and 30c and the GaN layers 32a, 32b, and 32c is continuously changed. Specifically, the band structure can be continuously changed by gradually changing the In composition ratio during the growth of the InGaN layers 33a, 33b, and 33c. FIG. 9 shows an example in which one
なお、図7〜図9の窒化物半導体レーザ素子は、上述したタイプAとタイプBとの関係のように層順を反転させてもよい。 7 to 9, the layer order may be reversed as in the relationship between Type A and Type B described above.
〈窒化物半導体発光素子へのAs又はPの添加〉
窒化物半導体発光素子にAsを添加する場合はAsH3(アルシン)又はTBAs(t−ブチルアルシン)を、Pを添加する場合はPH3(ホスフィン)又はTBPH3(t−ブチルホスフィン)を、それぞれ用いることができる。また、窒化物半導体のN原料として、NH3以外にジメチルヒドラジンを用いることもできる。
<Addition of As or P to nitride semiconductor light emitting device>
When As is added to the nitride semiconductor light emitting device, AsH 3 (arsine) or TBAs (t-butylarsine) is used. When P is added, PH 3 (phosphine) or TBPH 3 (t-butylphosphine) is used. Can be used. In addition to NH 3 , dimethylhydrazine can also be used as the N raw material for the nitride semiconductor.
窒化物半導体発光素子に添加されるAs又はPの添加量(組成比)は、ある窒化物半導体層に含有されたAs又はPの総和の組成比をXとし、同じくある窒化物半導体層に含有されたNの組成比をYとするとき、XはYよりも小さく、X/(X+Y)は0.3(30%)以下であり、好ましくは0.15(15%)以下である。また、As又はPの総和の下限値は1×1018cm-3以上である。 The addition amount (composition ratio) of As or P added to the nitride semiconductor light-emitting element is X, where the total composition ratio of As or P contained in a certain nitride semiconductor layer is X. When the composition ratio of N is Y, X is smaller than Y, and X / (X + Y) is 0.3 (30%) or less, preferably 0.15 (15%) or less. Moreover, the lower limit of the sum of As or P is 1 × 10 18 cm −3 or more.
As又はPの総和の組成比Xが15%よりも高くなると、窒化物半導体層内のある領域毎にAs又はPの組成比の異なる濃度分離が生じる可能性が高いため好ましくない。更に、As又はPの総和の組成比Xが30%よりも高くなると、濃度分離から六方晶系と立方晶系が混在する結晶系分離に移行しやすくなって結晶性が低下してしまうため好ましくない。一方、As又はPの総和の添加量が1×1018cm-3よりも小さくなると、例えば、後述する発光層にAs又はPが含有されたことによる効果が得られにくくなる。 If the composition ratio X of the sum of As or P is higher than 15%, there is a high possibility that concentration separation with a different composition ratio of As or P occurs in each region in the nitride semiconductor layer, which is not preferable. Furthermore, if the composition ratio X of the sum of As or P is higher than 30%, it is easy to shift from concentration separation to crystal separation in which a hexagonal system and a cubic system are mixed, so that the crystallinity is lowered. Absent. On the other hand, if the total addition amount of As or P is smaller than 1 × 10 18 cm −3 , for example, it becomes difficult to obtain the effect due to the inclusion of As or P in the light emitting layer described later.
As又はPの少なくとも何れかが発光層に添加されると、発光層の電子とホールの有効質量を小さく、また電子とホールの移動度を大きくすることができる。前者は少ない電流注入量でレーザ発振のためのキャリア反転分布が得られることを意味し、後者は発光層で電子とホールが発光再結合によって消滅しても新たに電子・ホールが拡散により高速に注入されることを意味する。即ち、発光層にAs又はPのうち何れも含有しないInGaN系窒化物半導体レーザ素子と比べてさらに閾値電流密度が低く、自励発振特性(雑音特性)に優れた窒化物半導体発光素子を作製することができる。 When at least one of As or P is added to the light emitting layer, the effective mass of electrons and holes in the light emitting layer can be reduced, and the mobility of electrons and holes can be increased. The former means that a carrier inversion distribution for laser oscillation can be obtained with a small amount of current injection, and the latter means that even if electrons and holes disappear in the light emitting layer due to light emission recombination, electrons and holes are newly diffused at high speed. It means being injected. That is, a nitride semiconductor light emitting device having a lower threshold current density and excellent self-pulsation characteristics (noise characteristics) than an InGaN-based nitride semiconductor laser element containing neither As nor P in the light emitting layer is produced. be able to.
また、As又はPのうち少なくとも何れかは、上記の発光層以外の層、例えば、光ガイド層、クラッド層、コンタクト層、クラック防止層にも用いることができる。 At least one of As and P can also be used for layers other than the above light emitting layer, for example, a light guide layer, a clad layer, a contact layer, and a crack prevention layer.
〈半導体光学装置への応用〉
以下に、窒化物半導体レーザ素子を半導体光学装置に利用する実施例について説明する。窒化物半導体レーザ素子は、レーザ発振閾値電流密度が低い(発光効率が高い)ことから低消費電力且つ携帯性に優れた高密度記録再生用光ディスク装置の光ピックアップとして好適に使用できる。
<Application to semiconductor optical devices>
Examples in which a nitride semiconductor laser element is used in a semiconductor optical device will be described below. The nitride semiconductor laser element can be suitably used as an optical pickup of a high-density recording / reproducing optical disk device having low power consumption and excellent portability because of its low laser oscillation threshold current density (high emission efficiency).
図10は、窒化物半導体レーザ素子を搭載したDVD装置の部分概略構成図である。光ピックアップ49に内に設けられた窒化物半導体レーザ素子からなるレーザ発振器40から発振されたレーザ光は、入力情報に応じて光変調器41で変換され、スプリッター42、追従鏡43、レンズ44を通してディスク45上に記録される。ディスク45はモーター46によって回転される。
FIG. 10 is a partial schematic configuration diagram of a DVD apparatus equipped with a nitride semiconductor laser element. Laser light oscillated from a
再生時は、ディスク45上のピット配列によって光学的に変化を受けたレーザ光がレンズ44、追従鏡43、スプリッター42を通して光検出器47で検出され、再生信号となる。これらの動作は制御回路48によって制御される。なお、レーザ出力は、通常、記録時は30mWで、再生時は5mW程度である。
At the time of reproduction, the laser beam optically changed by the pit arrangement on the
本発明の窒化物半導体発光素子は、上記の光ピックアップ49を有する光ディスク装置の他に、例えば、レーザプリンター、バーコードリーダー、光の三原色レーザによるプロジェクター等にも利用可能である。更に、窒化物半導体発光素子を発光ダイオードやスーパールミネッセントダイオードとすることにより、高輝度白色光源装置として利用することができる。
The nitride semiconductor light-emitting device of the present invention can be used in, for example, a laser printer, a barcode reader, a projector using three primary color lasers in addition to the optical disk device having the
10 窒化物半導体発光素子
15 発光層
30a〜c 障壁層
31 井戸層
32a〜c n型GaN層
33a〜c InGaN層
DESCRIPTION OF
Claims (3)
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInxGa1-xN層(0<x≦0.05)とGaN層とを含んでおり、
前記障壁層のInxGa1-xN層は前記n型窒化物半導体層側の井戸層に接するとともに、前記障壁層のGaN層は前記p型窒化物半導体層側の井戸層に接し、
各前記障壁層に含まれる前記GaN層の全層厚は、各前記障壁層に含まれる前記In x Ga 1-x N層の全層厚と等しいかそれよりも薄いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 Light emission comprising a multiple quantum well structure in which an n-type nitride semiconductor layer doped with an n-type impurity, a plurality of well layers composed of InGaN layers, and a plurality of barrier layers having a higher band gap energy than the well layers are stacked. In a nitride semiconductor light emitting device in which a layer and a p-type nitride semiconductor layer doped with a p-type impurity are stacked in this order,
At least the barrier layer sandwiched between and in contact with the well layer includes an In x Ga 1-x N layer (0 <x ≦ 0.05) and a GaN layer different from the In composition ratio of the well layer,
The In x Ga 1-x N layer of the barrier layer is in contact with the well layer on the n-type nitride semiconductor layer side, and the GaN layer of the barrier layer is in contact with the well layer on the p-type nitride semiconductor layer side,
The total layer thickness of the GaN layer included in each barrier layer is equal to or less than the total layer thickness of the In x Ga 1-x N layer included in each barrier layer Semiconductor light emitting device.
少なくとも前記井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のIn組成比と異なるInxGa1-xN層(0<x≦0.05)とGaN層とを含んでおり、
前記井戸層に接して挟まれた障壁層のInxGa1-xN層は前記n型窒化物半導体層側の井戸層に接するとともに、前記井戸層に接して挟まれた障壁層のGaN層は前記p型AlGaN層側の井戸層に接し、
前記井戸層に接して挟まれた各障壁層の前記GaN層の厚みは、前記井戸層に接して挟まれた各障壁層の前記InxGa1-xN層の厚みと等しいかそれよりも薄く、
前記発光層のp型AlGaN層側の最外層も前記障壁層であり、前記最外層の障壁層のInxGa1-xN層(0<x≦0.05)は井戸層のIn組成比とは異なるとともに井戸層に接していて、
前記最外層の障壁層のInxGa1-xN層とp型AlGaN層との間に、アンドープのGaN層、アンドープのAlGaN層、SiがドープされたGaN層、又はSiがドープされたAlGaN層が7nm以上35nm以下の厚みで設けられていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 a light-emitting layer having a multiple quantum well structure in which an n-type nitride semiconductor layer, a plurality of well layers made of an InGaN layer, and a plurality of barrier layers having a higher band gap energy than the well layer are laminated, and a p-type AlGaN layer In the nitride semiconductor light emitting device formed by stacking in this order,
At least the barrier layer sandwiched between and in contact with the well layer includes an In x Ga 1-x N layer (0 <x ≦ 0.05) and a GaN layer different from the In composition ratio of the well layer,
The In x Ga 1-x N layer of the barrier layer sandwiched in contact with the well layer is in contact with the well layer on the n-type nitride semiconductor layer side, and the GaN layer of the barrier layer sandwiched in contact with the well layer Is in contact with the well layer on the p-type AlGaN layer side,
The thickness of the GaN layer of the barrier layer sandwiched in contact with said well layer is equal to or more even thickness of the In x Ga 1-x N layer of each barrier layer sandwiched in contact with the well layer Thin
The outermost layer on the p-type AlGaN layer side of the light emitting layer is also the barrier layer, and the In x Ga 1-x N layer (0 <x ≦ 0.05) of the outermost barrier layer is the In composition ratio of the well layer. Is different from and is in contact with the well layer,
Between the In x Ga 1-x N layer and the p-type AlGaN layer of the outermost barrier layer, an undoped GaN layer, an undoped AlGaN layer, a Si-doped GaN layer, or a Si-doped AlGaN A nitride semiconductor light-emitting element, wherein the layer is provided with a thickness of 7 nm to 35 nm.
前記障壁層のGaN層を積層する工程の温度が、同じ障壁層のInGaN層を積層する工程の温度と等しいか、それよりも大きく150℃以下の範囲内であることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 A method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to claim 1 or 2,
A nitride semiconductor characterized in that the temperature of the step of laminating the GaN layer of the barrier layer is equal to or higher than the temperature of the step of laminating the InGaN layer of the same barrier layer within a range of 150 ° C. or less. Manufacturing method of light emitting element.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009119605A JP5186436B2 (en) | 2009-05-18 | 2009-05-18 | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009119605A JP5186436B2 (en) | 2009-05-18 | 2009-05-18 | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002248508A Division JP2004087908A (en) | 2002-08-28 | 2002-08-28 | Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing the same, and optical device mounting the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009182347A JP2009182347A (en) | 2009-08-13 |
JP5186436B2 true JP5186436B2 (en) | 2013-04-17 |
Family
ID=41036023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009119605A Expired - Lifetime JP5186436B2 (en) | 2009-05-18 | 2009-05-18 | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5186436B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106785919A (en) * | 2016-10-26 | 2017-05-31 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | InGaN/GaN quantum-well lasers and preparation method thereof |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187581A (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Nec Corp | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, light source for image display apparatus, and image display apparatus |
KR101662242B1 (en) * | 2010-07-22 | 2016-10-04 | 엘지이노텍 주식회사 | A light emitting device and a light emitting device package |
JP5417307B2 (en) * | 2010-12-02 | 2014-02-12 | 株式会社東芝 | Semiconductor light emitting device |
KR101855064B1 (en) * | 2011-09-15 | 2018-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device |
JP5238865B2 (en) | 2011-10-11 | 2013-07-17 | 株式会社東芝 | Semiconductor light emitting device |
KR101838022B1 (en) * | 2011-12-08 | 2018-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device |
JP5865827B2 (en) * | 2012-12-19 | 2016-02-17 | 株式会社東芝 | Semiconductor light emitting device |
KR102038885B1 (en) | 2013-05-27 | 2019-10-31 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor light emitting device |
CN116895717A (en) * | 2018-05-18 | 2023-10-17 | 厦门三安光电有限公司 | Light emitting diode |
CN113451462B (en) * | 2020-11-24 | 2022-07-26 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | LED epitaxial structure, preparation method thereof and LED chip |
CN114373838B (en) * | 2021-12-29 | 2024-02-09 | 南通同方半导体有限公司 | LED epitaxial wafer with quantum barrier layer silicon doping structure, growth method and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3304782B2 (en) * | 1996-09-08 | 2002-07-22 | 豊田合成株式会社 | Semiconductor light emitting device |
JP3152170B2 (en) * | 1997-06-23 | 2001-04-03 | 昭和電工株式会社 | Compound semiconductor light emitting device |
JPH11330552A (en) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Nichia Chem Ind Ltd | Nitride semiconductor light-emitting element and light-emitting device |
JP2001036196A (en) * | 2000-01-01 | 2001-02-09 | Nec Corp | Gallium nitride light emitting element with p-type dopant material diffusion preventing layer |
-
2009
- 2009-05-18 JP JP2009119605A patent/JP5186436B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106785919A (en) * | 2016-10-26 | 2017-05-31 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | InGaN/GaN quantum-well lasers and preparation method thereof |
CN106785919B (en) * | 2016-10-26 | 2020-05-26 | 杭州增益光电科技有限公司 | InGaN/GaN quantum well laser and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009182347A (en) | 2009-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5186436B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP2004087908A (en) | Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing the same, and optical device mounting the same | |
JP4703014B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting element, optical device, semiconductor light emitting device, and method for manufacturing the same | |
JP6044671B2 (en) | Nitride semiconductor laser diode | |
US6815728B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and optical device and light-emitting apparatus with the nitride semiconductor light-emitting device | |
US6452216B1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and apparatus including the same | |
JP4412918B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
WO1998039827A1 (en) | Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device | |
JP2008109092A (en) | Semiconductor light emitting element | |
WO2003043097A1 (en) | Ultraviolet emitting device | |
JPH11298090A (en) | Nitride semiconductor element | |
JP3904709B2 (en) | Nitride-based semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same | |
JP2001308460A (en) | Nitride semiconductor laser element and its optical pickup device | |
JP4854133B2 (en) | Nitride semiconductor laser device and optical device including the same | |
JP4936598B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP4683730B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and apparatus including the same | |
JP2007266401A (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor | |
JP4683731B2 (en) | Nitride semiconductor laser device and optical device including the same | |
JP4146881B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device, epi-wafer and method of manufacturing the same | |
JP4334129B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and optical device including the same | |
JP2002026459A (en) | Nitride semiconductor light-emitting element and optical apparatus containing the same | |
JP2004146420A (en) | Nitride semiconductor laser device, its manufacturing method and semiconductor optical device having same | |
JP2005150568A (en) | Nitride semiconductor light emitting element and optical pickup device | |
JP4656782B2 (en) | Nitride semiconductor laser device and semiconductor optical device thereof | |
JP5074863B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device, epi-wafer and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120418 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5186436 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |