JP5182758B2 - Method and apparatus for producing nitride single crystal - Google Patents
Method and apparatus for producing nitride single crystal Download PDFInfo
- Publication number
- JP5182758B2 JP5182758B2 JP2008332679A JP2008332679A JP5182758B2 JP 5182758 B2 JP5182758 B2 JP 5182758B2 JP 2008332679 A JP2008332679 A JP 2008332679A JP 2008332679 A JP2008332679 A JP 2008332679A JP 5182758 B2 JP5182758 B2 JP 5182758B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- single crystal
- growth
- container
- nitride single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、窒化アルミニウム(AlN)などの単結晶の製造方法に係わり、より詳しくは、窒化アルミニウムなどの長尺化、および大口径化を実現させる窒化物単結晶の作製方法およびその装置に関する。 The present invention relates to a method for producing a single crystal such as aluminum nitride (AlN), and more particularly to a method and apparatus for producing a nitride single crystal that achieves a long and large diameter aluminum nitride.
窒化アルミニウム系半導体は、深紫外のレーザーダイオードや高効率、高周波の電子デバイスとして期待されている。この半導体を育成する基板としては、窒化アルミニウム単結晶が最適であることから、窒化アルミニウム単結晶作製の開発が進められている。
窒化アルミニウム単結晶の特長としては、熱伝導率が290Wm−1K−1と非常に高いことが挙げられ、デバイス作動時に発生する熱を放散する上で大変有利である。
Aluminum nitride semiconductors are expected as deep ultraviolet laser diodes and high-efficiency, high-frequency electronic devices. As a substrate for growing this semiconductor, an aluminum nitride single crystal is optimal, and therefore, development of aluminum nitride single crystal is under development.
A feature of the aluminum nitride single crystal is that it has a very high thermal conductivity of 290 Wm −1 K −1 , which is very advantageous for dissipating heat generated during device operation.
窒化アルミニウム単結晶の製造方法としては、溶液法ではフラックス法が、気相法では有機金属気相成長法(Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy,MOVPE)、水素化物気相堆積法(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)、昇華法などが挙げられる。この中でも、昇華法は、一般的に成長速度が大きいため、バルク結晶の作製に対して有力な方法である。この昇華法とは、原料である窒化アルミニウムを昇華させ、それを昇華温度より低い温度域で再凝縮させることにより単結晶を作製する方法である。
本願は、その中でも種子基板を利用した昇華法(改良レイリー法)に関わるものである。
The aluminum nitride single crystal is produced by the flux method in the solution method, the metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) in the vapor phase method, the hydride vapor deposition method (Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) and sublimation methods. Among these, the sublimation method is a powerful method for producing a bulk crystal because the growth rate is generally high. This sublimation method is a method of producing a single crystal by sublimating aluminum nitride as a raw material and recondensing it in a temperature range lower than the sublimation temperature.
In particular, the present application relates to a sublimation method (an improved Rayleigh method) using a seed substrate.
図2に種子基板を利用した昇華法により窒化物単結晶を作製することを可能にする、従来の窒化物製造装置1を示す。
従来の窒化物製造装置1は、成長容器2と、成長容器2の内底部に配置された原料容器14と、成長容器2の上部に取り付けられたサセプタ3と、を備えて構成されている。原料容器14の底部には窒化アルミニウム粉末などの原料22が収納されている。
サセプタ3の下面には原料22と対向するように種子基板23が貼り付けられている。成長容器2本体外周に沿って、成長容器2内部に配された原料22やサセプタ3、種子基板23を加熱する抵抗加熱方式による加熱手段7が設けられている。成長容器2および加熱手段7は、チャンバー8によって包囲されている。チャンバー8の天井部には、窒素ガスなどのガス導入部5および圧力調整弁6が形成され、チャンバー8の内部を所定のガス圧力に調整できるようになっている。
FIG. 2 shows a conventional
A conventional
A
窒化物単結晶の作製に際しては、まず、チャンバー8に設けられている図示略の搬入口を開けて、原料22を原料容器14の底部にセットし、搬入口を閉じてチャンバー8を密閉する。次いで、チャンバー8内を圧力調整弁6により真空排気した後、ガス導入部5により窒素ガス等のプロセスガスを成長容器2内に導入して、圧力を調整する。
そして、原料22が配された原料容器14の下部の方が、種子基板23が配されたサセプタ3よりも高温となるように、加熱手段7を用いて成長容器2本体内の原料22やサセプタ3、種子基板23を加熱する。加熱で昇華させて分解気化された原料22は、窒素ガス雰囲気下で種子基板23上に結晶成長することで、窒化物単結晶24となり成長する。
When producing a nitride single crystal, first, a carry-in port (not shown) provided in the
And the
改良レイリー法による窒化アルミニウム単結晶作製方法として、特許文献1には、窒化物と酸化物との混合粉末を、窒化物と酸化物の反応を利用することにより、窒化物の昇華温度よりも低い温度で加熱して気化させ、この窒素雰囲気中で、基板上に窒化物単結晶を育成するという方法が記載されている。
特許文献2には、種子基板として炭化ケイ素(SiC)単結晶を用い、この上に窒化アルミニウム単結晶を成長させるという方法が記載されている。
非特許文献1には、SiC基板上に窒化アルミニウム単結晶をMOCVD法で200〜400nmの単結晶長まで成長させたテンプレート基板上に、1段階目で10〜30μm/hの成長速度で成長させた後、2段階目で温度を上昇させて70μm/hの成長速度で成長させる方法が記載されている。
In
しかしながら、上記従来の昇華法による窒化アルミニウム単結晶の製造方法においては、原料容器14に原料22を充填して、バッチ式により単結晶の成長が行われていた。この場合は、成長結晶の大きさが、充填する原料量により決定されてしまうため、結晶の大口径化、長尺化には限界があった。大口径の結晶を作製するためには、バッチ式による結晶成長を繰り返して実施しなければならないため、多大な労力を要するという問題があった。
However, in the above-described conventional method for producing an aluminum nitride single crystal by the sublimation method, the
本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、
原料を昇華させて成長容器内で窒化物蒸気を再凝縮させることにより窒化物単結晶を成長させる昇華法による窒化物単結晶の製造方法であって、
前記成長容器と連通している原料昇華容器と、
該原料昇華容器の上面に設けられたフィーダーと、
該フィーダーの上面に設けられ、前記原料を収納する原料ホッパーとを備え、
前記フィーダーから前記原料昇華容器へ前記原料を連続的に供給する工程と、
前記原料昇華容器内で前記原料を昇華させ、窒化物蒸気を発生させる工程と、
前記窒化物蒸気を前記成長容器内へ輸送する工程と、
を有志、前記成長容器の成長部で連続的に窒化物単結晶を成長させることを特徴とする。
The method for producing an aluminum nitride single crystal of the present invention includes:
A method for producing a nitride single crystal by a sublimation method in which a nitride single crystal is grown by sublimating a raw material and re-condensing nitride vapor in a growth vessel,
A raw material sublimation vessel in communication with the growth vessel;
A feeder provided on the upper surface of the raw material sublimation container;
A raw material hopper provided on the upper surface of the feeder and storing the raw material;
Continuously supplying the raw material from the feeder to the raw material sublimation container;
Sublimating the raw material in the raw material sublimation container to generate nitride vapor;
Transporting the nitride vapor into the growth vessel;
The nitride single crystal is continuously grown in the growth portion of the growth vessel.
前記窒化物は窒化アルミニウムであることが好ましい。 The nitride is preferably aluminum nitride.
前記原料ホッパーは、ガス導入部および圧力調整弁を備え、前記原料ホッパー内の圧力を前記成長容器内圧力と同等に制御することが好ましい。 It is preferable that the raw material hopper includes a gas introduction part and a pressure adjusting valve, and controls the pressure in the raw material hopper to be equal to the pressure in the growth vessel.
本発明の窒化物単結晶の製造装置は、
成長容器と、
該成長容器と連通している原料昇華容器と、
該原料昇華容器の上面に設けられたフィーダーと、
該フィーダーの上面に設けられ原料を収納する原料ホッパーとを備え、
前記フィーダーから前記原料昇華容器へ前記原料を連続的に供給し、前記原料昇華容器で昇華させた窒化物蒸気を前記成長容器内へ輸送することで、前記成長容器の成長部で、連続的に窒化物単結晶を成長させることができることを特徴とする。
The apparatus for producing a nitride single crystal of the present invention comprises:
A growth vessel,
A raw material sublimation vessel in communication with the growth vessel;
A feeder provided on the upper surface of the raw material sublimation container;
A raw material hopper provided on the upper surface of the feeder and storing raw materials;
By continuously supplying the raw material from the feeder to the raw material sublimation container and transporting the nitride vapor sublimated in the raw material sublimation container into the growth container, continuously in the growth part of the growth container. A nitride single crystal can be grown.
前記窒化物単結晶の製造装置の前記原料ホッパーは、ガス導入部および圧力調整弁を備え、前記原料ホッパー内の圧力を前記成長容器内圧力と同等に制御することが好ましい。 The raw material hopper of the nitride single crystal production apparatus preferably includes a gas introduction part and a pressure regulating valve, and controls the pressure in the raw material hopper to be equal to the pressure in the growth vessel.
本発明による窒化物単結晶製造装置は、成長容器とは別に成長容器と連通した原料昇華容器を設け、この原料昇華容器に原料を供給するためのフィーダーおよび原料ホッパーを設ける構成とした。
上記のように構成された本発明の装置によれば、フィーダーから原料昇華容器へ原料を連続的に供給し、原料昇華容器で昇華させた窒化物蒸気を成長容器に輸送し、成長容器の成長部で連続的に窒化物単結晶を成長させる。ゆえに、長時間安定した結晶成長を行うことが可能となり、窒化アルミニウム単結晶の長尺化、および大口径化が容易となる。
The nitride single crystal manufacturing apparatus according to the present invention is provided with a raw material sublimation container communicating with the growth container in addition to the growth container, and a feeder and a raw material hopper for supplying the raw material to the raw material sublimation container.
According to the apparatus of the present invention configured as described above, the raw material is continuously supplied from the feeder to the raw material sublimation container, and the nitride vapor sublimated in the raw material sublimation container is transported to the growth container to grow the growth container. A nitride single crystal is continuously grown on the part. Therefore, it is possible to perform stable crystal growth for a long time, and it is easy to increase the length and diameter of the aluminum nitride single crystal.
以下、図面を参照しながら、本発明について詳細に説明する。図1は本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造装置の一例を示す概略構成図である。図1において、図2で示した従来の装置の要素と同一の要素には同一の符号を付している。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an apparatus for producing an aluminum nitride single crystal according to the present invention. In FIG. 1, the same elements as those of the conventional apparatus shown in FIG.
本実施形態の窒化物単結晶の製造装置1は、成長容器2と、成長容器2と連通している原料昇華容器11と、原料21を収容する原料ホッパー12と、原料ホッパー12から原料21を供給するフィーダー13と、フィーダー13の下方に設けられているシャッター12Bを備えて構成されている。原料昇華容器11は、成長容器2の側壁に連結部(フランジ)11Aを介して横向きに接続されたものである。
成長容器2の上部中央(天井部)には、サセプタ3が配置されており、サセプタ3の下面に貼り付けられている種子基板23上に窒化物単結晶24が成長するようになっている。サセプタ3は、黒鉛などからなる板状のもので、結晶成長用の種子基板23は、例えば直径25mmの6H−SiCまたは窒化アルミニウム単結晶板である。
The nitride single
A susceptor 3 is disposed in the upper center (ceiling) of the
成長容器2には、成長容器2内部に配されたサセプタ3、種子基板23を加熱する抵抗加熱方式による加熱手段7が設けられている。同様に、原料昇華容器11には、原料昇華容器11内部に配された原料22を加熱する抵抗加熱方式による加熱手段18が設けられている。このような加熱手段7,18としては、特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。例えば、ヒーター材として、カーボン、タングステンなどを使用することができる。また、成長容器2、原料昇華容器11、および加熱手段7,18は、チャンバー8によって包囲されている。
The
原料ホッパー12の上部側には、窒素ガスなどのガス導入部15および圧力調整弁16が設けられており、原料ホッパー12の内部圧力をチャンバー8の内部圧力と同等に制御できるようになっている。原料ホッパー12の底部は、連結部(フランジ)12Aを介して、原料昇華容器11の上部に接続されている。
原料昇華容器11内部には、上部に開口部14aを有している原料容器14が配置されており、フィーダー13より供給された原料21が原料容器14に受け入れられる。
成長容器2の底部には、窒素ガスなどの導入部4が形成され、原料昇華容器11の先端部には、窒素ガスなどのガス導入部17が形成されていて、チャンバー8の天井部にはガス導入部5および圧力調整弁6が設けられている。これらにより、チャンバー8の内部を、所定のガス圧力に個別に調整できるようになっている。
A
Inside the raw
An introduction part 4 such as nitrogen gas is formed at the bottom of the
次に、本発明の製造装置1を用いた窒化アルミニウム単結晶24の製造方法について説明する。
まず、原料ホッパー12に設けられている搬入口12aを開けて、窒化アルミニウムの粉末などの原料21を原料ホッパー12に収容した後、搬入口12aを閉じて原料ホッパー12を密閉する。
次いで、シャッター12Bを開けて、フィーダー13より原料21を原料容器14に供給する。次いで、チャンバー8内を圧力調整弁6に接続された真空ポンプより真空排気した後、ガス導入部4,5,17により窒素ガス等のプロセスガスを成長容器2および原料昇華容器内11の内部空間に導入して、圧力を調整する。ここでの圧力は1〜1000Torr、より好ましくは10〜760Torrに設定することができる。
そして、原料22が配された原料容器14(原料部)の方が、種子基板23が配されたサセプタ3(成長部)よりも高温となるように、加熱手段7,18を用いて原料22やサセプタ3、種子基板23を加熱する。ここで、原料部の温度は1800〜2500℃、より好ましくは2000〜2400℃に設定することができる。また、成長部の温度は1700〜2400℃、より好ましくは1800〜2300℃に設定することができる。
Next, the manufacturing method of the aluminum nitride
First, the
Next, the
The raw material container 14 (raw material part) in which the
また、加熱中は、チャンバー8の上面の圧力調整弁6から成長容器2内のガスを排気しつつ、ガス導入部4,5,17からガスを成長容器2および原料昇華容器11内に供給することにより、成長容器2および原料昇華容器11内のガス圧力、および流量を適切に調整する。原料ホッパー12に設けられたガス導入部15および圧力調整弁16は、チャンバー8内圧力と、原料ホッパー12内圧力とを同等に制御する。
During heating, the gas in the
加熱で昇華させて分解気化された原料蒸気は、原料昇華容器11と連通している成長容器2へ輸送される。輸送は、ガス導入部17より導入されたガスによって行われる。輸送された原料蒸気は成長容器2上部に配置されたサセプタ3下面に配置された種子基板23上に、窒素ガス雰囲気下で窒化アルミニウム単結晶24となり成長する。本発明では、この結晶成長中において、種子基板23での結晶成長の結晶化速度を制御するため、サセプタ3の温度と原料22から昇華する昇華ガスの昇華速度をそれぞれ最適化する温度制御を行う。
The raw material vapor that has been sublimated by heating and decomposed and vaporized is transported to the
本発明では、この間、原料22を、フィーダー13によって適宜定量供給することが可能となる。
また、窒化物単結晶24の作製の間にも、原料ホッパー12と原料昇華容器11との間のシャッター12Bを閉じた上で、搬入口12aを開けることにより、原料21を原料ホッパー12に補給することができる。シャッター12Bを閉じた上で搬入口12aを開けることにより、原料容器2および原料昇華容器11の内部圧力に影響を与えることはない。補給された原料21をフィーダー13によって供給する際は、原料ホッパー12の内部を個別に真空にしてからシャッター12Bを開けるため、原料昇華容器11の真空状態に影響を与えることなく、原料21を原料容器14に供給できるので、半永久的に安定した結晶成長が可能となる。
以上の方法により、原料ホッパー12に収容された原料21は原料容器14に連続的に供給され、種子基板23の被堆積面に成長した窒化アルミニウム単結晶24は、半永久的に連続成長が可能となる。
In the present invention, during this time, the
Further, during the production of the nitride
By the above method, the
図1に示す構成の装置を用い、種子基板23の一面に、窒化アルミニウム単結晶24を作製した。この作製にあたっての実験条件および実験結果を、以下の表1に示す。
An aluminum nitride
この実験条件において、実施例1〜4は、本願の連続式による実施例である。比較例1〜4は、図2に示す従来の装置を用いる実施例である。 Under these experimental conditions, Examples 1 to 4 are examples according to the continuous method of the present application. Comparative Examples 1 to 4 are examples using the conventional apparatus shown in FIG.
<実施例1>
種子基板として、直径25mmの6H−SiCを用い、図1に示した製造装置を用いて原料を連続的に定量供給しながら、表1に示した実施例1の条件で窒化アルミニウム単結晶を作製し、これを実施例1とした。実験時間は300時間とした。
<実施例2>
表1に示した実施例2の条件で窒化アルミニウム単結晶を作製したこと以外は、実施例1と同様に行い、これを実施例2とした。
<実施例3>
表1に示した実施例3の条件で窒化アルミニウム単結晶を作製したこと以外は、実施例1と同様に行い、これを実施例3とした。種子基板として、直径25mmの窒化アルミニウムを用いた。実験時間は100時間とした。
<実施例4>
表1に示した実施例4の条件で窒化アルミニウム単結晶を作製したこと以外は、実施例3と同様に行い、これを実施例4とした。
<Example 1>
An aluminum nitride single crystal is produced under the conditions of Example 1 shown in Table 1 while using 6H-SiC with a diameter of 25 mm as a seed substrate and continuously supplying the raw material quantitatively using the manufacturing apparatus shown in FIG. This was taken as Example 1. The experiment time was 300 hours.
<Example 2>
Example 2 was performed in the same manner as in Example 1 except that an aluminum nitride single crystal was produced under the conditions of Example 2 shown in Table 1.
<Example 3>
Example 3 was performed in the same manner as in Example 1 except that an aluminum nitride single crystal was produced under the conditions of Example 3 shown in Table 1. As the seed substrate, aluminum nitride having a diameter of 25 mm was used. The experiment time was 100 hours.
<Example 4>
Example 4 was performed in the same manner as in Example 3 except that an aluminum nitride single crystal was produced under the conditions of Example 4 shown in Table 1.
<比較例1>
種子基板として、直径25mmの6H−SiCを用い、図2に示した製造装置を用いて、表1に示した比較例1の条件で窒化アルミニウム単結晶を作製し、これを比較例1とした。実験時間は100時間とした。
<比較例2>
表1に示した比較例2の条件で窒化アルミニウム単結晶を作製したこと以外は、比較例1と同様に行い、これを比較例2とした。
<比較例3>
表1に示した比較例3の条件で窒化アルミニウム単結晶を作製したこと以外は、比較例1と同様に行い、これを比較例3とした。種子基板として、直径25mmの窒化アルミニウムを用いた。実験時間は15時間とした。
<比較例4>
表1に示した比較例4の条件で窒化アルミニウム単結晶を作製したこと以外は、比較例3と同様に行い、これを比較例4とした。
<Comparative Example 1>
An aluminum nitride single crystal was produced under the conditions of Comparative Example 1 shown in Table 1 using 6H—SiC having a diameter of 25 mm as a seed substrate and using the manufacturing apparatus shown in FIG. . The experiment time was 100 hours.
<Comparative example 2>
Comparative Example 2 was performed in the same manner as Comparative Example 1 except that an aluminum nitride single crystal was produced under the conditions of Comparative Example 2 shown in Table 1.
<Comparative Example 3>
Comparative Example 3 was made in the same manner as Comparative Example 1 except that an aluminum nitride single crystal was produced under the conditions of Comparative Example 3 shown in Table 1. As the seed substrate, aluminum nitride having a diameter of 25 mm was used. The experiment time was 15 hours.
<Comparative example 4>
Comparative Example 4 was made in the same manner as Comparative Example 3 except that an aluminum nitride single crystal was produced under the conditions of Comparative Example 4 shown in Table 1.
実施例1,2では、300時間、実施例3,4では100時間、それぞれ原料ホッパーに収容された原料を連続的に定量供給しながら、また、必要であれば、原料ホッパーに原料を追加しながら、成長実験を行った。その結果、長時間安定してバルク窒化アルミニウム単結晶を作製可能であった。窒化アルミニウム単結晶は、種子基板に対して5mm以上の口径拡大を達成した。 In Examples 1 and 2, for 300 hours, and in Examples 3 and 4, while continuously feeding the raw materials contained in the raw material hopper, if necessary, the raw materials are added to the raw material hopper. However, a growth experiment was conducted. As a result, it was possible to produce a bulk aluminum nitride single crystal stably for a long time. The aluminum nitride single crystal achieved a diameter expansion of 5 mm or more with respect to the seed substrate.
比較例1〜4では、図2に示す装置を用いて成長実験を行った。原料は500g充填した。比較例での実験時間は、実験を停止する目安とした原料が残り50gを切るまでの時間である。いずれの条件においても、種子基板に対して5mm以上の口径拡大を成し遂げることはできなかった。5mmを超える口径拡大を実現するには、複数回の実験が必要であり、実験のセッティングや、降温過程など、多大な時間と労力を要することになり、効率的ではない。 In Comparative Examples 1 to 4, growth experiments were performed using the apparatus shown in FIG. The raw material was filled with 500 g. The experiment time in the comparative example is the time until the remaining 50 g of the raw material used as a guide for stopping the experiment is cut. Under either condition, the diameter of the seed substrate could not be increased by 5 mm or more. In order to realize an enlargement of the diameter exceeding 5 mm, a plurality of experiments are required, and it takes a lot of time and labor for the setting of the experiment and the temperature lowering process, which is not efficient.
以上の結果のように、昇華法による窒化アルミニウム成長において、図1に示す装置を用いて、原料ホッパー内部の原料をフィーダーから連続的に定量供給することにより、長時間安定した結晶成長を行うことができた。ゆえに、窒化アルミニウム単結晶の長尺化、および大口径化が容易となった。 As described above, in the growth of aluminum nitride by the sublimation method, by using the apparatus shown in FIG. 1, the raw material inside the raw material hopper is continuously supplied quantitatively from the feeder to perform stable crystal growth for a long time. I was able to. Therefore, it is easy to increase the length and diameter of the aluminum nitride single crystal.
1…窒化物単結晶の製造装置、2…成長容器、3…サセプタ、4…ガス導入部、5…ガス導入部、6…圧力調整弁、7…加熱装置、8…チャンバー、11…原料昇華容器、11A…連結部、12…原料ホッパー、12a…搬入口、12A…連結部、12B…シャッター、13…フィーダー、14…原料容器、14a…開口部、15…ガス導入部、16…圧力調整弁、17…ガス導入部、18…加熱装置、19…ガス導入部、21,22…原料、23…種子基板、24…窒化物単結晶。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記成長容器と連通している原料昇華容器と、
該原料昇華容器の上面に設けられたフィーダーと、
該フィーダーの上面に設けられ、前記原料を収納する原料ホッパーとを備え、
前記フィーダーから前記原料昇華容器へ前記原料を連続的に供給する工程と、
前記原料昇華容器内で前記原料を昇華させ、窒化物蒸気を発生させる工程と、
前記窒化物蒸気を前記成長容器内へ輸送する工程と、
を有し、前記成長容器の成長部で連続的に窒化物単結晶を成長させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。 A method for producing a nitride single crystal by a sublimation method in which a nitride single crystal is grown by sublimating a raw material and re-condensing nitride vapor in a growth vessel,
A raw material sublimation vessel in communication with the growth vessel;
A feeder provided on the upper surface of the raw material sublimation container;
A raw material hopper provided on the upper surface of the feeder and storing the raw material;
Continuously supplying the raw material from the feeder to the raw material sublimation container;
Sublimating the raw material in the raw material sublimation container to generate nitride vapor;
Transporting the nitride vapor into the growth vessel;
And a nitride single crystal is continuously grown in the growth part of the growth vessel.
該成長容器と連通している原料昇華容器と、
該原料昇華容器の上面に設けられたフィーダーと、
該フィーダーの上面に設けられ原料を収納する原料ホッパーとを備え、
前記フィーダーから前記原料昇華容器へ前記原料を連続的に供給し、前記原料昇華容器で昇華させた窒化物蒸気を前記成長容器内へ輸送することで、前記成長容器の成長部で、連続的に窒化物単結晶を成長させることができることを特徴とする窒化物単結晶の製造装置。 A growth vessel,
A raw material sublimation vessel in communication with the growth vessel;
A feeder provided on the upper surface of the raw material sublimation container;
A raw material hopper provided on the upper surface of the feeder and storing raw materials;
By continuously supplying the raw material from the feeder to the raw material sublimation container and transporting the nitride vapor sublimated in the raw material sublimation container into the growth container, continuously in the growth part of the growth container. An apparatus for producing a nitride single crystal, wherein the nitride single crystal can be grown.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008332679A JP5182758B2 (en) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Method and apparatus for producing nitride single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008332679A JP5182758B2 (en) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Method and apparatus for producing nitride single crystal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010150111A JP2010150111A (en) | 2010-07-08 |
JP5182758B2 true JP5182758B2 (en) | 2013-04-17 |
Family
ID=42569628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008332679A Expired - Fee Related JP5182758B2 (en) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Method and apparatus for producing nitride single crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5182758B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7165529B2 (en) * | 2018-07-27 | 2022-11-04 | 大陽日酸株式会社 | Flange fastening structure and vapor phase growth apparatus using the same |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1158077B1 (en) * | 1999-12-27 | 2007-08-29 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing single crystal of silicon carbide |
JP2007246343A (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Ngk Insulators Ltd | Crystal production apparatus |
-
2008
- 2008-12-26 JP JP2008332679A patent/JP5182758B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010150111A (en) | 2010-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6830658B2 (en) | Nitride semiconductor substrate manufacturing method and manufacturing equipment | |
US7678195B2 (en) | Seeded growth process for preparing aluminum nitride single crystals | |
US10106913B2 (en) | System for growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control | |
CN114351248B (en) | Apparatus for manufacturing SiC substrate | |
US7524376B2 (en) | Method and apparatus for aluminum nitride monocrystal boule growth | |
JP5009367B2 (en) | High volume delivery system of gallium trichloride | |
JP2008516877A (en) | Method for producing GaN crystal or AlGaN crystal | |
JP2005252248A (en) | Method for growing aluminum nitride epitaxial layer and vapor growth apparatus | |
JP4573713B2 (en) | Single crystal manufacturing method and single crystal manufacturing apparatus | |
JP2003313098A (en) | Method and apparatus for growing group iii nitride crystal | |
TW201443302A (en) | Low carbon group-III nitride crystals | |
JP5182758B2 (en) | Method and apparatus for producing nitride single crystal | |
JP4077643B2 (en) | Group III nitride crystal growth apparatus and group III nitride crystal growth method | |
JP2003300799A (en) | Method and apparatus for growing group iii nitride crystal | |
JP2007145679A (en) | Apparatus for and method of producing aluminum nitride single crystal | |
JP2009249202A (en) | Method for producing aluminum nitride single crystal | |
JP4670002B2 (en) | Method for producing nitride single crystal | |
JP5252495B2 (en) | Method for producing aluminum nitride single crystal | |
JP2007137714A (en) | Method and apparatus for manufacturing single crystal | |
JP2009221056A (en) | Crystal growth method, crystal growth apparatus, and semiconductor device | |
JP2008050174A (en) | SINGLE CRYSTAL SiC AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME | |
JP2009249201A (en) | Apparatus for producing aluminum nitride single crystal | |
JP2008115045A (en) | SINGLE CRYSTAL SiC AND ITS PRODUCING METHOD | |
JP2011026162A (en) | Aluminum nitride single crystal, method for producing the same, and apparatus for producing the same | |
JP2015051888A (en) | Apparatus for making single crystal |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121211 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |