JP5169081B2 - Optical recording medium, sputtering target - Google Patents
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Description
本発明は、追記型(WORM:Write Once Read Many)光記録媒体に係り、青色波長領域(350〜500nm)のレーザ光でも高密度の記録を行なうことが可能な光記録媒体、特に、高い記録感度をもつ光記録媒体、2層以上の記録層をもつ光記録媒体、及び低速から高速まで広い範囲の線速に対応可能な高記録感度を必要とする光記録媒体、並びに、該光記録媒体の記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットに関する。 The present invention relates to a write once read many (WORM) optical recording medium, and more particularly to an optical recording medium capable of performing high-density recording with a laser beam in a blue wavelength region (350 to 500 nm). optical recording medium having a sensitivity, the optical recording medium having two or more recording layers, and the optical recording medium member requiring high recording sensitivity capable of supporting the linear velocity of a wide range from low speed to high speed, as well, the optical recording about the sputtering coater rodents bets for film recording layer of the medium.
本発明者らは、青色波長領域(350〜500nm)のレーザ光で高密度の記録が可能な追記型光記録媒体として、特許文献1〜4などにおいて、金属又は半金属の酸化物、とりわけBi酸化物を主成分とする記録層の有用性を提案している。また、本出願人の出願に係る特許文献5などで、Bi、B、O(酸素)からなる記録層を用いた追記型光記録媒体が更に良好な特性を示すことを開示している(以下、これらの出願に係る技術を自社先行技術と呼ぶ)。これらの自社先行技術は、非常に優れた記録再生特性を示すことが確認できている。
上記の他に、特許文献6にも、Bi酸化物を主成分とする記録層を有する追記型光記録媒体が開示されているが、炭素を加えた系については検討されていない。
また、特許文献7〜8などには、金属窒化物、金属炭化物を含む記録層を用いた情報記録媒体が開示されているが、金属窒化物を主成分としており、金属窒化物の分解を記録原理とするものであって、BiとO(酸素)を主成分とする本発明の参考にはならない。
As a write-once type optical recording medium capable of high-density recording with a laser beam in a blue wavelength region (350 to 500 nm), the present inventors have disclosed metal or metalloid oxides, particularly Bi, in
In addition to the above, in
一方、光ディスクには、高密度化、高速化という流れがあり、従来のDVDにおいても二層化による高密度化が行われ、また、高速化では、16倍速記録が可能なものまで登場している。青色LDを用いる光ディスクにおいても、この流れは変わらず、高速記録の方向へ向かうと考えられており、高速記録用の光記録媒体の開発が始まりつつある。
しかし、前記自社先行技術では高速記録について全く検討していない。また、特許文献6の発明も、記録再生特性と信頼性(再生安定性や保存安定性等)の改善を目的とするものであって、高速記録については検討していない。更に、酸化ビスマスに種々の元素Xを添加した材料については検討しているが、Xの中にCは含まれておらず、酸化ビスマスに2種類以上の元素を添加した具体例も示されていない。
On the other hand, optical discs have a trend of higher density and higher speed, and conventional DVDs are also increased in density by double-layering. Yes. Even in an optical disk using a blue LD, this flow is not changed, and it is considered that the optical recording medium for high-speed recording is beginning to be developed in the direction of high-speed recording.
However, the in-house prior art does not consider high-speed recording at all. The invention of
別に、本発明者らは、青色波長領域(350〜500nm)のレーザ光で高密度の記録が可能な追記型光記録媒体のBi酸化物を主成分とする記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットとして、先願(特許文献9参照)でBi、Feを含むターゲットについて、また、特願2006−055120では、Bi、Bを含むターゲット又は、Bi、B、Oを含むターゲットについて開示した。
スパッタリング法は薄膜の気相形成法の1つとして広く知られており、工業的な薄膜製造にも利用されてきた。スパッタリング法では、目的とする膜の成分と同じ成分のターゲット材を用意し、通常は、このターゲット材にグロー放電で発生させたAr(アルゴン)ガスイオンを衝突させてターゲット材の構成原子を叩き出し、基板上に原子を堆積させることにより成膜が行われる。特に酸化物は一般に融点が高いため、蒸着法などの方法は好ましくなく、高周波を印加する高周波スパッタリングがよく用いられる。
Separately, the present inventors have made sputtering for forming a recording layer mainly composed of Bi oxide of a write-once type optical recording medium capable of high-density recording with a laser beam in a blue wavelength region (350 to 500 nm). As a target, a target containing Bi and Fe was disclosed in the prior application (see Patent Document 9), and a target containing Bi and B or a target containing Bi, B and O was disclosed in Japanese Patent Application No. 2006-055120.
Sputtering is widely known as one of thin film vapor forming methods, and has been used for industrial thin film production. In the sputtering method, a target material having the same component as that of the target film is prepared. Usually, Ar (argon) gas ions generated by glow discharge are collided with the target material to strike constituent atoms of the target material. The film is formed by depositing and depositing atoms on the substrate. In particular, since oxides generally have a high melting point, methods such as vapor deposition are not preferred, and high-frequency sputtering that applies a high frequency is often used.
スパッタリングは製造プロセスで多くの実績がありスループットの点でも有利である。しかし、2種類以上の元素の混合材料からなる膜を製膜する場合、ターゲットの組成と膜の組成が同じにならないことが多いため、ターゲットの組成について検討が必要になる。またターゲットを構成する化合物の形態により、膜の構造、性質が異なることが多いため、この点についても検討が必要である。また、生産コストの面から、更なる製膜速度の向上も必要となっている。製膜速度の向上のためには、より大きな電力を投入する必要があり、その場合にもターゲットが破壊されないようにターゲット強度の向上が必要となる。
上記の他に、特許文献10には、Biなどの低融点金属ターゲットを用い、CH4などとArとの混合ガス中でスパッタすることにより、炭素とBiを含有する記録層を製膜する方法が開示されているが、Biと酸素を主成分とする本発明とは異なる。
Sputtering has many achievements in the manufacturing process and is advantageous in terms of throughput. However, when a film made of a mixed material of two or more elements is formed, the composition of the target and the composition of the film are often not the same, and thus the target composition needs to be examined. In addition, since the structure and properties of the film are often different depending on the form of the compound constituting the target, this point needs to be studied. Further, from the viewpoint of production cost, it is necessary to further improve the film forming speed. In order to improve the film forming speed, it is necessary to input a larger electric power. In this case also, it is necessary to improve the target strength so that the target is not destroyed.
In addition to the above,
光記録媒体においては、レーザー光の出力の限界、耐久性、省電力性能等の観点から、低い記録パワーで記録が可能な高感度な記録特性が求められる。また、高密度記録と共に情報転送速度の向上のため高線速記録が求められるが、その場合、高線速記録では低線速記録に比べて更に記録感度の向上が必要となる。また、互換性の関係で、低線速から高線速まで全ての記録線速範囲に対応する必要がある。
そこで、本発明は、青色波長領域(350〜500nm)のレーザ光による記録再生が可能で、高感度かつ低線速から高線速までの広い線速範囲の記録にも適した光記録媒体、及び、該光記録媒体の記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットの提供を目的とする。
Optical recording media are required to have high-sensitivity recording characteristics capable of recording with low recording power from the viewpoints of the limit of laser light output, durability, power saving performance, and the like. Also, high linear velocity recording is required to improve information transfer speed as well as high density recording. In that case, recording sensitivity needs to be further improved in high linear velocity recording as compared with low linear velocity recording. In addition, for compatibility reasons, it is necessary to support the entire recording linear velocity range from low linear velocity to high linear velocity.
Accordingly, the present invention is capable of recording and reproduction by a laser beam in the blue wavelength region (350 to 500 nm), high sensitivity and optical recording media which are suitable to record a wide linear velocity range of from a low linear velocity to a high linear velocity , and it aims to provide a sputtering coater rodents bets for film recording layer of the optical recording medium.
上記課題は、次の1)〜10)の発明(以下、本発明1〜10という)によって解決される。
1) 基板上に、少なくとも青色波長領域のレーザ光で記録再生可能な記録層を有し、該記録層がBi(ビスマス)とO(酸素)を主成分として含み、更にC(炭素)を含み、Feを含まず、Cの含有量が記録層全体の1.5〜49原子%であることを特徴とする光記録媒体。
2) 記録層が、更にB、Li、Sn、Ge、Sr、Mg、Ba、Ca、Mo、W、Co、Si、In、Ti、Mn、Ga、Zr、Cr、Hf、K、Na、Zn、Ni、Cu、Pd、Ag、P、Ta、Y、Nb、Al、V、Sb、Te、La系列元素から選択される少なくとも一種の元素Xを含むことを特徴とする1)記載の光記録媒体。
3) 記録層がBi、B、O及びCからなることを特徴とする2)記載の光記録媒体。
4) 記録層に隣接して上部保護層及び/又は下部保護層を有することを特徴とする1)〜3)の何れかに記載の光記録媒体。
5) 上部保護層及び/又は下部保護層が硫化物、酸化物、窒化物、炭化物の何れか、又はそれらの複合体からなることを特徴とする4)記載の光記録媒体。
6) 上部保護層と下部保護層の少なくとも一方が硫化物を含むことを特徴とする5)記載の光記録媒体。
7) 上部保護層と下部保護層の少なくとも一方がZnS・SiO2からなることを特徴とする6)記載の光記録媒体。
8) 基板上に、少なくとも、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層が順次積層されたことを特徴とする4)〜7)の何れかに記載の光記録媒体。
9) 基板上に、少なくとも、反射層、上部保護層、記録層、下部保護層、カバー層が順次積層されたことを特徴とする4)〜7)の何れかに記載の光記録媒体。
10) Bi(ビスマス)とO(酸素)を主成分として含み、更にC(炭素)を含み、Feを含まず、Cの含有量が全体の1.5〜49原子%であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
The above problems are solved by the following inventions 1) to 10) (hereinafter referred to as the
1) On a substrate, there is a recording layer that can be recorded / reproduced by laser light of at least a blue wavelength region, and the recording layer contains Bi (bismuth) and O (oxygen) as main components, and further contains C (carbon ). An optical recording medium characterized by not containing Fe and having a C content of 1.5 to 49 atomic% of the entire recording layer .
2) The recording layer further comprises B, Li, Sn, Ge, Sr, Mg, Ba, Ca, Mo, W, Co, Si, In, Ti, Mn, Ga, Zr, Cr, Hf, K, Na, Zn 1) The optical recording according to 1), comprising at least one element X selected from Ni, Cu, Pd, Ag, P, Ta, Y, Nb, Al, V, Sb, Te, and La series elements Medium.
3) The optical recording medium according to 2), wherein the recording layer comprises Bi, B, O and C.
4 ) The optical recording medium according to any one of 1) to 3) , further comprising an upper protective layer and / or a lower protective layer adjacent to the recording layer.
5 ) The optical recording medium according to 4 ), wherein the upper protective layer and / or the lower protective layer is made of any of sulfide, oxide, nitride, carbide, or a composite thereof.
6 ) The optical recording medium according to 5 ), wherein at least one of the upper protective layer and the lower protective layer contains a sulfide.
7 ) The optical recording medium according to 6 ), wherein at least one of the upper protective layer and the lower protective layer is made of ZnS · SiO 2 .
8 ) The optical recording medium according to any one of 4) to 7) , wherein at least a lower protective layer, a recording layer, an upper protective layer, and a reflective layer are sequentially laminated on a substrate.
9 ) The optical recording medium according to any one of 4) to 7) , wherein at least a reflective layer, an upper protective layer, a recording layer, a lower protective layer, and a cover layer are sequentially laminated on the substrate.
10 ) characterized in that it contains Bi (bismuth) and O (oxygen) as main components, further contains C (carbon ) , does not contain Fe, and the content of C is 1.5 to 49 atomic% of the whole. Sputtering target.
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明1の光記録媒体は、基板上に少なくとも記録層を有し、該記録層がBi(ビスマス)とO(酸素)を主成分として含み、更にC(炭素)を含み、Feを含まない。ここで主成分とは、Biと酸素を併せた含有量(原子%)が、記録層中で最も多いことを意味する。また、Biと酸素を含むという表現にしたのは、最も多いのはBi酸化物であるが、記録層中にはBi酸化物以外に金属Biが含まれる場合があることによる。
Feを含む記録層を用いた場合、記録層の光学特性などが不安定になることが分かっている。その原因は明らかではないが、Feが複数の価数を取り得るため酸化状態が不安定になりやすく、その結果、ターゲットが不安定になったり、記録層の組成のばらつきが比較的大きくなるなどの原因が考えられる。組成がばらつくこと、特に酸素の含有量の安定性が比較的低いことから、光学特性のばらつきを生じる。そのため、光記録媒体の特性もばらつきが比較的大きくなってしまうなどの悪影響がある。
一方、Feを含まない記録層では、記録層の光学特性が比較的安定しており、光記録媒体の特性も安定する等の効果が大きい。実際に、後述する実施例12に示したように、記録層の光学特性の一つである光の吸収率を調べたところ、Feを含む場合には、ばらつきが大きく、Feを含まない場合には、ばらつきが小さいことが明らかとなった。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The optical recording medium of the
It has been found that when a recording layer containing Fe is used, the optical characteristics and the like of the recording layer become unstable. The reason for this is not clear, but since Fe can take multiple valences, the oxidation state tends to be unstable, and as a result, the target becomes unstable and the composition variation of the recording layer becomes relatively large. The cause of this is considered. Variations in the optical properties occur due to the variation in composition, particularly the relatively low stability of the oxygen content. For this reason, there are adverse effects such as relatively large variations in the characteristics of the optical recording medium.
On the other hand, in the recording layer not containing Fe, the optical characteristics of the recording layer are relatively stable, and the effects of stabilizing the characteristics of the optical recording medium are significant. Actually, as shown in Example 12 which will be described later, when the light absorptance, which is one of the optical characteristics of the recording layer, was examined, when Fe was included, the variation was large, and when Fe was not included. Was found to have a small variation.
記録層中の酸素の割合は30〜65原子%程度であり、好ましくは45〜62原子%、更に好ましくは47〜59原子%程度である。酸素量が多いと安定性が向上し、記録特性も向上するが、感度が悪くなる。酸素量が少ないと感度がよいが、保存安定性などの信頼性が劣化する。
Biの割合は20〜38原子%の範囲が特に好ましい。Biの量に関しては、Bi及びBi酸化物が記録の本質を担っているため、Biが少なくなると記録マークの形成が難しくなり、記録特性が悪化する。また、Biが多くなると、感度は向上するが、保存特性などの信頼性が悪化する。
後述するように、C(炭素)の割合は、1.5〜49原子%とする。
このようにBiと酸素(実質はBi酸化物)を主成分とし、少量の炭素を含むことにより、好ましい特性の光記録媒体が得られる。
The ratio of oxygen in the recording layer is about 30 to 65 atomic%, preferably 45 to 62 atomic%, more preferably about 47 to 59 atomic%. When the amount of oxygen is large, stability is improved and recording characteristics are improved, but sensitivity is deteriorated. If the amount of oxygen is small, the sensitivity is good, but reliability such as storage stability deteriorates.
The ratio of Bi is particularly preferably in the range of 20 to 38 atomic%. Regarding the amount of Bi, since Bi and Bi oxide are responsible for recording, when Bi is decreased, it becomes difficult to form a recording mark, and the recording characteristics are deteriorated. Further, when Bi is increased, the sensitivity is improved, but reliability such as storage characteristics is deteriorated.
As described below, the proportion of C (carbon) is an 1.5 to 49 atomic%.
Thus the main component Bi and oxygen (substantially the Bi oxides), by including a small amount of carbon-containing, obtained optical recording medium of the preferred characteristics.
本発明の記録原理は、レーザ光の照射によりBi酸化物のBiと酸素が分離し、Biが析出することにより光学的な特性が変化して記録が行われると考えられるが、その際に、炭素を含ませることにより、酸素の結合状態の変化、光の吸収率の変化などを制御することができ、感度の向上を図ることが可能となる。また、融点も変化するので、感度の向上を図ることが可能となる。
炭素は、炭素単体又は化合物の形、或いはそれらの混合の形で記録層中に含有させる。記録層中に含有させる方法としては、炭素単体又は炭化物としてターゲット中に混合し、そのターゲットを用いて製膜を行うことにより、記録層中に炭素を導入することができる。また、CO2、CH4など炭素を含むガスをArガスに混合し、スパッタにより製膜を行うことにより記録膜中に炭素を導入することも可能である。また、炭素を有機化合物として記録層中に含む形態でもよい。
According to the recording principle of the present invention, it is considered that the Bi oxide Bi and oxygen are separated by laser light irradiation, and the optical characteristics are changed due to the precipitation of Bi. by including a carbon-containing, change in oxygen binding state can be controlled and the absorption rate of light change, it is possible to improve the sensitivity. In addition, since the melting point also changes, it is possible to improve the sensitivity.
Carbon is contained in the recording layer in the form of simple carbon or a compound, or a mixture thereof. As a method for inclusion in the recording layer, carbon can be introduced into the recording layer by mixing it in the target as carbon simple substance or carbide and forming a film using the target. It is also possible to introduce carbon into the recording film by mixing a gas containing carbon such as CO 2 and CH 4 with Ar gas and performing film formation by sputtering. Further, the recording layer may contain carbon as an organic compound.
本発明2では、記録層が更にB、Li、Sn、Ge、Sr、Mg、Ba、Ca、Mo、W、Co、Si、In、Ti、Mn、Ga、Zr、Cr、Hf、K、Na、Zn、Ni、Cu、Pd、Ag、P、Ta、Y、Nb、Al、V、Sb、Te、La系列元素から選択される少なくとも一種の元素Xを含有する。
これらの元素が1.5〜18原子%程度含まれていると効果が大きい。Bi窒化物は、少ない方が好ましく、ほぼ検出できない程度に少ない方が更に好ましい。
記録層の好ましい形態は、Bi酸化物、X酸化物からなる形態、Bi酸化物、X酸化物、X炭化物からなる形態である。
原理などは明らかでないが、記録に元素の酸化状態が大きく関わっているため、酸化物の生成し易さと大きく関係があると考えている。
In the
When these elements are contained in an amount of about 1.5 to 18 atomic%, the effect is great. Less Bi nitride is preferable, and it is more preferable that Bi nitride is almost undetectable.
A preferred form of the recording layer, Bi oxide, X oxide or Ranaru form, Bi oxide, X oxide, in the form of an X carbide.
Although the principle is not clear, since the oxidation state of the element is greatly related to the recording, it is considered to have a great relationship with the ease of oxide formation.
酸化物の生成し易さを示す生成エンタルピーがBiと同等な場合、酸化物が酸素を離し単体元素になり易いため、光の吸収率が向上する。また、融点も変化するため感度の向上を図ることが可能となる。Ge、Sn、Liなどがこれに該当する元素である。
また、B、Li、Na、Mg、K、Ca、Pなどの元素は、酸化ビスマスと共存することにより、ガラス化し易くなる性質を有する。メカニズムは明らかでないが、ガラス化し易さが感度向上と関係している可能性がある。
また、Cu、Ag、Pdなどの比較的酸化しにくい元素の場合は、それ自身はあまり酸化しないため、Bi酸化物の方から酸素が奪われ易くなっており、Biが単体金属として存在する確率が高くなる。その結果、BiとCu、Ag、Pdなどの元素が単体金属として存在することにより感度が向上すると考えられる。
La系列の元素は、Biと比較すると酸化し易いため、Biが単体金属として存在し易くなり、感度向上に寄与していると考えられる。
また、スパッタリング法などの製膜方法では、膜中に酸素が過剰な状態を作り出すことも可能であるが、この場合、酸素は、格子間に入り込むなど不安定な形で膜中に存在することが考えられる。この場合においても、元素Xを添加することで感度向上が可能となり効果が大きい。
When the generation enthalpy indicating the ease of oxide generation is equivalent to Bi, the oxide easily releases oxygen and becomes a single element, so that the light absorption rate is improved. In addition, since the melting point changes, the sensitivity can be improved. Ge, Sn, Li, and the like are elements corresponding to this.
In addition, elements such as B, Li, Na, Mg, K, Ca, and P have the property of being easily vitrified by coexisting with bismuth oxide. The mechanism is not clear, but easiness of vitrification may be related to improved sensitivity.
In the case of elements that are relatively difficult to oxidize, such as Cu, Ag, and Pd, the oxygen itself is not so much oxidized, so that oxygen is easily taken away from Bi oxide, and the probability that Bi exists as a single metal. Becomes higher. As a result, it is considered that sensitivity is improved by the presence of elements such as Bi and Cu, Ag, and Pd as a single metal.
Since an element of La series is more easily oxidized than Bi, Bi is likely to exist as a single metal and is considered to contribute to an improvement in sensitivity.
In addition, it is possible to create an excessive state of oxygen in the film by a film forming method such as sputtering, but in this case, oxygen exists in the film in an unstable form such as entering between the lattices. Can be considered. Even in this case, the sensitivity can be improved by adding the element X, and the effect is great.
本発明3は、記録層が、Bi、B、O及びCからなる。各元素の好ましい割合は、上記本発明2の場合と同じである。炭化物は、光の吸収が大きいため、記録層中に存在することにより記録光を吸収し易くなり、より感度が向上する。また、Bを添加することにより、Biが酸素と結合したり、記録により酸素を離したりする現象がより確実に起きるようになっている。記録層の好ましい形態は、Bi酸化物、B酸化物、B炭化物の3種類の化合物からなる形態である。 In the third invention, the recording layer is made of Bi, B, O, and C. The preferable ratio of each element is the same as that in the case of the second aspect of the present invention. Since the carbide absorbs a large amount of light, the presence of the carbide in the recording layer makes it easier to absorb the recording light, and the sensitivity is further improved. Further, by adding B, the phenomenon that Bi is combined with oxygen or oxygen is released by recording occurs more reliably. A preferable form of the recording layer is a form composed of three kinds of compounds of Bi oxide, B oxide, and B carbide.
炭素を添加することによる効果は、以下の(1)から(3)が考えられる。
(1)低ジッタを実現でき、記録特性が向上する。(2)感度が向上する。(3)保存安定性、再生光安定性などの信頼性が向上する。
これらの効果をもたらす炭素の役割は、記録マーク中の結晶相が微細化しやすくする、光の吸収を大きくする、記録膜の安定性を向上するなどであると考えられる。
記録層において、記録により酸化ビスマスがBiと酸化ビスマスに相分離したとき、Biや酸化ビスマスが凝集せずに微細化すると考えられる。即ち、炭素添加により記録マーク中の結晶の微細化が起き、良好な記録特性を示すと考えられる。また、炭素は光の吸収が大きいため、記録層の光吸収が大きくなり、記録感度が向上する。また、湿度、熱、光により記録マーク部の結晶構造が変化するのを抑制し、保存安定性、再生光安定性などの信頼性が向上する。
The following effects (1) to (3) can be considered as the effect of adding carbon.
(1) Low jitter can be realized and recording characteristics are improved. (2) Sensitivity is improved. (3) Reliability such as storage stability and reproduction light stability is improved.
It is considered that the role of carbon that brings about these effects is that the crystal phase in the recording mark is easily miniaturized, light absorption is increased, and the stability of the recording film is improved.
In the recording layer, it is considered that when bismuth oxide is phase-separated into Bi and bismuth oxide by recording, Bi and bismuth oxide are refined without agglomeration. That is, it is considered that the addition of carbon causes the crystal in the recording mark to be refined and exhibits good recording characteristics. In addition, since carbon absorbs light greatly, the light absorption of the recording layer increases, and the recording sensitivity is improved. In addition, the crystal structure of the recording mark portion is prevented from changing due to humidity, heat, and light, and reliability such as storage stability and reproduction light stability is improved.
含有される炭素が少ないと、上述の効果が得られず、記録マーク中に大きなBiの結晶が析出して良好な記録特性が得られない場合があったり、光吸収が不十分のため、記録感度が悪かったり、記録マーク中に大きな結晶が生じるとその結晶が変質するときなどの影響も大きくなり、信頼性が低下しやすくなる。
逆に、炭素が多すぎると、記録マーク中に炭素が多くなり、記録部と未記録部のコントラストを生じさせている酸化ビスマスが相対的に少なくなるため、コントラストが得にくくなり、記録特性が劣化する。また、光を吸収しやすくなり過ぎ、未記録部も変化しやすくなるため、保存安定性、再生光安定性が劣化する。また、スパッタリングターゲットを作製するときに炭素が凝集し、均一に分散したものが得にくくなるため、炭素が凝集した黒い斑点状のものが見られるようになる。このようなスパッタリングターゲットは、充填密度や強度を向上させることが難しくなり、また、このターゲットを用いて製膜した記録層の組成を安定させることが困難となる。
これらの観点から、炭素含有量の好ましい範囲は、記録層全体の1.5〜49原子%程度である。
If the amount of carbon contained is small, the above-mentioned effects cannot be obtained, and large Bi crystals may be precipitated in the recording mark, and good recording characteristics may not be obtained. If the sensitivity is poor or a large crystal is generated in the recording mark, the influence of the crystal being altered becomes large, and the reliability is likely to be lowered.
Conversely, if there is too much carbon, there will be more carbon in the recorded mark, and bismuth oxide causing contrast between the recorded and unrecorded areas will be relatively less, making it difficult to obtain contrast and recording characteristics. to degrade. In addition, light is easily absorbed, and unrecorded portions are easily changed, so that storage stability and reproduction light stability are deteriorated. In addition, carbon is agglomerated when a sputtering target is produced, and it is difficult to obtain a uniformly dispersed material, so that a black spot-like material with agglomerated carbon can be seen. With such a sputtering target, it is difficult to improve the packing density and strength, and it becomes difficult to stabilize the composition of the recording layer formed using this target.
From these viewpoints, the preferable range of the carbon content is about 1.5 to 49 atomic% of the entire recording layer.
一例として、Bi2O3とC(炭素)からなる複合ターゲットを用い、C量(記録層全体に対する原子%)を、表1に示すように変化させて記録層を製膜した点以外は、後述する実施例2と同様にして追記型光記録媒体を作成し、再生光安定性を調べた。
結果を表1に示す。再生光安定性の評価は、実施例2と同様にして記録した部分に、再生光パワー0.6mWで、高周波重畳を印加し、100万回の再生を行った後、ジッタ値の低下率が20%以上の場合を「△」、20%未満の場合を「○」とした。
表1から分かるように、炭素が少ないと、記録マーク部の安定性が悪く、記録層の再生光による安定性が劣化する。また、炭素が多すぎると、未記録部の安定性が悪く、再生光安定性が劣化する。
また、スパッタリングターゲットの密度を調べるため、同じ条件で3枚作製し、ターゲットの充填密度の平均が90%以上となった場合を「○」、90%未満の場合を「△」とした。結果を表1に示す。90%未満の場合、比較的ターゲット強度が弱い。
The results are shown in Table 1. The reproduction light stability was evaluated in the same manner as in Example 2 by applying high-frequency superimposition at a reproduction light power of 0.6 mW and reproducing one million times, and then reducing the jitter value. The case of 20% or more was designated as “Δ”, and the case of less than 20% was designated as “◯”.
As can be seen from Table 1, when the amount of carbon is small, the stability of the recording mark portion is poor, and the stability of the recording layer by the reproduction light is deteriorated. Moreover, when there is too much carbon, the stability of an unrecorded part will be bad and reproduction light stability will deteriorate.
Further, in order to examine the density of the sputtering target, three pieces were produced under the same conditions, and the case where the average of the target filling density was 90% or more was designated as “◯”, and the case where it was less than 90% was designated as “Δ”. The results are shown in Table 1. If it is less than 90%, the target strength is relatively weak.
また、別の例として、Bi2O3とB2O3のモル比8:1の混合物にC(炭素)を加えた複合ターゲットを用いて記録層を製膜した点以外は、後述する実施例1と同様にして追記型光記録媒体を作成した。炭素は表2に示すC量(記録層全体に対する原子%)となるように変化させて加えた。
これらの追記型光記録媒体について、実施例1と同様にして最適記録パワーを調べた。最適記録パワーは、温度80℃、湿度85%の環境下で500時間の保存試験前後での値を調べた。
その結果を表2に示す。評価基準は、最適記録パワーを規格値の上限記録パワーで割った値を1から引いた値が、0.1以上である場合に「○」、0.1より小さい場合に「△」とした。0.1より小さい場合は、比較的感度がよくないことを示している。
For these recordable optical recording media, the optimum recording power was examined in the same manner as in Example 1. The optimum recording power was examined before and after a storage test of 500 hours in an environment of a temperature of 80 ° C. and a humidity of 85%.
The results are shown in Table 2. The evaluation criteria were “◯” when the value obtained by dividing the optimum recording power by the upper limit recording power of the standard value from 1 was 0.1 or more, and “△” when the value was less than 0.1. . A value smaller than 0.1 indicates that the sensitivity is relatively poor.
記録層の膜厚は、5〜30nmの範囲に設定することが好ましく、5〜20nmが更に好ましい。膜厚が5nmを下回ると、上記本発明の構成により、記録再生波長での光吸収機能を高めた記録層であっても、十分な記録感度を確保しにくくなるし、膜厚が30nmを超えると、追記型光記録媒体としての反射率が急激に低下し、記録再生特性が劣化するので好ましくない。 The film thickness of the recording layer is preferably set in the range of 5 to 30 nm, more preferably 5 to 20 nm. When the film thickness is less than 5 nm, it is difficult to ensure sufficient recording sensitivity even if the recording layer has an improved light absorption function at the recording / reproducing wavelength, and the film thickness exceeds 30 nm. Then, the reflectance as a write-once type optical recording medium is abruptly lowered, and the recording / reproducing characteristics are deteriorated.
本発明4は、記録層に隣接して上部保護層及び/又は下部保護層を有する。
本発明5は、保護層が硫化物、酸化物、窒化物、炭化物の何れか、又はそれらの複合体からなる。
本発明6は、上部保護層と下部保護層の少なくとも一方が硫化物を含む。
本発明7は、上部保護層と下部保護層の少なくとも一方がZnS・SiO2からなる。
記録層の上下には、上部保護層や下部保護層を設けることが好ましい。これらの保護層は、記録層の変形・破壊を抑制し、記録層の溶融、組成変化、拡散を受容する機能を有する。また、これらの保護層は、通常は反射率を高めるために記録再生波長に対して透明であることが好ましいが、記録感度を調整するために、記録再生波長に対する光吸収機能をある程度付与することも可能である。このような保護層を設けることにより、記録マークにおける変形の寄与を従来に比べて非常に小さくすることができ、また、高線速記録における記録パワーの増加による変形の寄与の激増を防ぐことができるため、高線速記録特性の向上に効果がある。また、保存安定性の向上にも効果がある。
The
In the fifth aspect of the present invention, the protective layer is made of any of sulfide, oxide, nitride, carbide, or a composite thereof.
According to the sixth aspect of the present invention, at least one of the upper protective layer and the lower protective layer contains sulfide.
In the
It is preferable to provide an upper protective layer and a lower protective layer above and below the recording layer. These protective layers have a function of suppressing deformation and destruction of the recording layer and accepting melting, composition change, and diffusion of the recording layer. In addition, these protective layers are usually preferably transparent to the recording / reproducing wavelength in order to increase the reflectivity. However, in order to adjust the recording sensitivity, a certain degree of light absorption function to the recording / reproducing wavelength is provided. Is also possible. By providing such a protective layer, the contribution of deformation in the recording mark can be made much smaller than in the past, and it is possible to prevent the increase in the contribution of deformation due to the increase in recording power in high linear velocity recording. This is effective in improving the high linear velocity recording characteristics. It is also effective in improving storage stability.
保護層材料としては硫化物が好ましい。理由は明らかでないが、硫化物と記録層材料が混合又は反応したり相互拡散することにより、記録マークの形成が容易かつ良好となり更に高速化されるため、記録感度が向上すると考えられる。また、硫化物は比較的軟らかいものが多いため、記録時に起こる記録層の変形による応力が緩和され易いと考えられる。
具体例としては、ZnS、CaS、SrS、BiS、GeS、又はこれらの混合物が挙げられるが、更に、酸化物、窒化物などを混合してもよい。
特に、記録再生光に対する透明性や生産性の観点から、ZnS・SiO2を主成分とする材料が好ましい例として挙げられる。また、断熱効果を十分得るためには、SiO2、ZrO2、Ta2O5、SnO2を主成分とすることが好ましい。
The protective layer material is preferably sulfide. Although the reason is not clear, it is considered that the recording sensitivity is improved because mixing and reacting or interdiffusion of the sulfide and the recording layer material facilitates and improves the formation of recording marks and further increases the speed. Further, since many sulfides are relatively soft, it is considered that stress due to deformation of the recording layer that occurs during recording is easily relieved.
Specific examples include ZnS, CaS, SrS, BiS, GeS, or a mixture thereof, but oxides, nitrides, and the like may be further mixed.
In particular, from the viewpoint of transparency to recording / reproducing light and productivity, a material mainly composed of ZnS · SiO 2 can be cited as a preferred example. In order to obtain a sufficient heat insulating effect, it is preferable that SiO 2 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , and SnO 2 are the main components.
また、保護層材料として酸化物、窒化物、炭化物などの比較的硬くて反応性の低い材料を用いることもでき、記録マークが形成された後、その変形、組成変化が起きにくくなるし、記録層の熱によって分解、昇華、空洞化等を起こさないので好ましい。
具体例としては、Al2O3、MgO、ZrO2、SnO2、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Y2O3、CeO2、ZnO、TiO2、In2O3などの単純酸化物系の酸化物、或いはこれらの酸化物の複合酸化物;2MgO・SiO2、MgO・SiO2、CaO・SiO2、ZrO2・SiO2、3Al2O3・2SiO2、2MgO・2Al2O3・5SiO2、Li2O・Al2O3・4SiO2などのケイ酸塩系の酸化物;窒化シリコン、窒化アルミニウム、BN、TiNなどの窒化物系材料;SiC、B4C、TiC、WC、アモルファス炭素などの炭化物系材料;SiON、AlON、SiAlON、TiOC、SiOCなどの複合化合物が挙げられる。
上記の他に、MgF2、CaF2などのフッ化物を用いることもできるし、硬さや熱伝導率の高さを生かして硼化物などを用いることもできる。
In addition, a relatively hard and low-reactivity material such as oxide, nitride, and carbide can be used as the protective layer material, and after the recording mark is formed, its deformation and composition change are less likely to occur. It is preferable because the heat of the layer does not cause decomposition, sublimation, cavitation or the like.
Specific examples include Al 2 O 3 , MgO, ZrO 2 , SnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , SiO 2 , Y 2 O 3 , CeO 2 , ZnO, TiO 2 and In 2 O 3 . oxides of simple oxide, or composite oxide of these oxides; 2MgO · SiO 2, MgO ·
In addition to the above, fluorides such as MgF 2 and CaF 2 can be used, and borides and the like can also be used by taking advantage of the hardness and the high thermal conductivity.
更に、保護層材料として色素や樹脂などの有機材料を使用することも可能である。
色素としては、ポリメチン系、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン(インダンスレン)系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系、アゾ系、ホルマザン系各色素、及び、これらの金属錯体化合物などが挙げられる。
樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等を用いることができ、これらを単独で、又は2種以上混合して用いることができる。
有機材料層の形成は、蒸着、スパッタリング、CVD、塗布などの通常の手段によって行なうことができる。塗布法を用いる場合には、上記有機材料などを有機溶剤に溶解し、スプレー、ローラーコーティング、ディッピング、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法で塗布すればよい。
Furthermore, it is also possible to use organic materials, such as a pigment | dye and resin, as a protective layer material.
The dyes include polymethine, naphthalocyanine, phthalocyanine, squarylium, croconium, pyrylium, naphthoquinone, anthraquinone (indanthrene), xanthene, triphenylmethane, azulene, tetrahydrocholine, phenanthrene , Triphenothiazine, azo, and formazan dyes, and metal complex compounds thereof.
As the resin, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, nitrocellulose, cellulose acetate, ketone resin, acrylic resin, polystyrene resin, urethane resin, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyolefin, and the like can be used alone or in combination of two or more. It can be used by mixing.
The organic material layer can be formed by ordinary means such as vapor deposition, sputtering, CVD, and coating. When using an application method, the above organic material or the like may be dissolved in an organic solvent and applied by a conventional coating method such as spraying, roller coating, dipping, or spin coating.
塗布法に用いる有機溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類;N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類;ジメチルスホキシドなどのスルホキシド類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類;酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類;クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類;ベンゼン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類;メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類;ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。 Examples of the organic solvent used in the coating method include alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; amides such as N, N-dimethylacetamide and N, N-dimethylformamide; dimethyl sulfoxide and the like Sulphoxides; ethers such as tetrahydrofuran, dioxane, diethyl ether, and ethylene glycol monomethyl ether; esters such as methyl acetate and ethyl acetate; aliphatic halogenated carbons such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, carbon tetrachloride, and trichloroethane Aromatics such as benzene, xylene, monochlorobenzene and dichlorobenzene; cellosolves such as methoxyethanol and ethoxyethanol; hexane, pentane and sucrose Hexane, and hydrocarbons such as methylcyclohexane.
上部保護層は、記録層と反射層の間に設けられる層であって、主に記録感度、反射層の制御を行う機能を担う。上部保護層の膜厚が薄くなり過ぎると、記録層で発生した熱が必要以上に放熱されるため、10nm以上の膜厚に設定することが好ましい。また、上部保護層の膜厚が厚くなると、記録層で発生した熱が放熱されにくく、記録マーク間の熱干渉が大きくなるため、100nm以下の膜厚に設定することが好ましい。
下部保護層は、記録層の保存信頼性を確保するために設けられる。即ち下部保護層は、基板やカバー層を透過してくる酸素、水分、その他のガスから記録層を守る働きをする。よって、記録層を十分に守るためには、膜厚を10nm以上とすることが好ましい。しかし、生産性の観点から、100nm以下の膜厚に設定することが好ましい。
The upper protective layer is a layer provided between the recording layer and the reflective layer, and mainly has a function of controlling the recording sensitivity and the reflective layer. If the thickness of the upper protective layer becomes too thin, the heat generated in the recording layer is dissipated more than necessary, so that the thickness is preferably set to 10 nm or more. Further, when the thickness of the upper protective layer is increased, the heat generated in the recording layer is difficult to be dissipated, and thermal interference between the recording marks is increased. Therefore, the thickness is preferably set to 100 nm or less.
The lower protective layer is provided to ensure the storage reliability of the recording layer. That is, the lower protective layer functions to protect the recording layer from oxygen, moisture, and other gases that pass through the substrate and the cover layer. Therefore, in order to sufficiently protect the recording layer, the film thickness is preferably 10 nm or more. However, it is preferable to set the film thickness to 100 nm or less from the viewpoint of productivity.
本発明8は、基板上に、少なくとも、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層が順次積層された層構成を有する。これにより、感度が良好で高線速記録が可能な、HD DVD−Rに規格準拠した光記録媒体を実現できる。
また、高密度化を図るため高NAのレンズを用いる場合には、本発明9のように、基板上に、少なくとも、反射層、上部保護層、記録層、下部保護層、カバー層を順次積層した層構成とする。これにより、感度が良好で高線速記録が可能な、BD−R規格に準拠した光記録媒体を実現できる。
上記層構成において、上部保護層と下部保護層は、同じ材料を用いても異なる材料を用いても良く、また、各保護層を2層以上の層からなる積層構成としてもよい。
例えば上部保護層を2層構成とし、記録層と隣接する層には硫化物を含む材料を用い、反射層に隣接する層には、硫化物を含まない層を用いる組み合わせが、感度、保存特性の観点から好ましい。
本発明の追記型光記録媒体は、青色波長領域(350〜500nm)のレーザ光により記録再生が可能であるが、好ましいのは、波長450nm以下のレーザ光である。なお、500nmを超える波長領域のレーザ光でも記録再生は可能である。
The
When a high NA lens is used to increase the density, at least a reflective layer, an upper protective layer, a recording layer, a lower protective layer, and a cover layer are sequentially stacked on the substrate as in the
In the above layer configuration, the upper protective layer and the lower protective layer may be made of the same material or different materials, and each protective layer may have a laminated configuration including two or more layers.
For example, the upper protective layer has a two-layer structure, a material containing sulfide is used for the layer adjacent to the recording layer, and a layer not containing sulfide is used for the layer adjacent to the reflective layer. From the viewpoint of
The write-once type optical recording medium of the present invention can be recorded and reproduced by laser light in the blue wavelength region (350 to 500 nm), but laser light with a wavelength of 450 nm or less is preferred. Note that recording and reproduction are possible even with a laser beam having a wavelength region exceeding 500 nm.
基板やカバー層の素材は、熱的、機械的に優れた特性を有し、基板側から(基板を通して)記録再生が行われる場合には光透過特性にも優れたものであれば特別な制限はない。
具体例としては、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶質ポリオレフィン、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられるが、ポリカーボネートや非晶質ポリオレフィンが好ましい。
基板の厚さは用途により異なり、特に制限はない。
高密度化を図るため高NAのレンズを用いる場合には、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要がある。これは、高NA化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度(いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の2乗に比例する)により発生する収差の許容量が小さくなり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。従って、通常の基板よりも薄いカバー層を設け、カバー層側から記録再生を行なうことにより、チルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにする。これにより、BD−R規格を超えた高記録密度化を図ることができる。
更に近接場光を用いて記録する場合には、カバー層として、数nmから数十nm程度の薄い層を用いる。この層は、高屈折率であると光が広がらず、小さいスポットのまま記録層に達するため、高密度記録にとって好ましい。また、薄くなるため、硬く、耐磨耗性、摺動特性が良い材料を用いることが好ましく、窒化シリコン、ダイヤモンドライクカーボンなどが好ましい例として挙げられる。
The material of the substrate and the cover layer has special thermal and mechanical characteristics, and if the recording / reproduction is performed from the substrate side (through the substrate), the material is specially limited as long as it has excellent light transmission characteristics. There is no.
Specific examples include polycarbonate, polymethyl methacrylate, amorphous polyolefin, cellulose acetate, polyethylene terephthalate and the like, and polycarbonate and amorphous polyolefin are preferred.
The thickness of the substrate varies depending on the application and is not particularly limited.
When using a lens with a high NA in order to increase the density, it is necessary to reduce the thickness of the portion through which the reproduction light is transmitted. This is due to the angle at which the disk surface deviates from the optical axis of the optical pickup as the NA increases (so-called tilt angle, proportional to the square of the product of the reciprocal of the wavelength of the light source and the numerical aperture of the objective lens). This is because an allowable amount of generated aberration is reduced, and this tilt angle is easily affected by the aberration due to the thickness of the substrate. Therefore, by providing a cover layer that is thinner than a normal substrate and performing recording and reproduction from the cover layer side, the influence of aberration on the tilt angle is made as small as possible. Thereby, it is possible to achieve a high recording density exceeding the BD-R standard.
Furthermore, when recording using near-field light, a thin layer of about several nm to several tens of nm is used as the cover layer. When this layer has a high refractive index, light does not spread and reaches the recording layer with a small spot, which is preferable for high-density recording. Moreover, since it becomes thin, it is preferable to use a material that is hard, wear-resistant, and has good sliding characteristics, and preferred examples include silicon nitride and diamond-like carbon.
反射層には、例えばAl、Al−Ti、Al−In、Al−Nb、Au、Ag、Cu等の金属、半金属及びそれらの合金を用いることができる。これらの物質は単独で用いても二種以上を組合せて用いてもよい。熱伝導率、反射率の観点からはAg、Cu、Alなどの単体金属やこれらの合金を用いることが好ましい。
これらの材料を用いて反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
合金により反射層を形成する場合は、合金をターゲット材料としたスパッタ法で作成することができるが、その他に、チップオンターゲット方式(例えば、Agターゲット上にCuチップをのせて製膜)、共スパッタ法(例えば、AgターゲットとCuターゲットを使用)でも作成することができる。
金属以外の材料を用いて低屈折率層と高屈折率層を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
For the reflective layer, for example, metals such as Al, Al—Ti, Al—In, Al—Nb, Au, Ag, and Cu, metalloids, and alloys thereof can be used. These substances may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of thermal conductivity and reflectance, it is preferable to use a single metal such as Ag, Cu, Al or an alloy thereof.
Examples of the method for forming the reflective layer using these materials include sputtering, ion plating, chemical vapor deposition, and vacuum vapor deposition.
When the reflective layer is formed of an alloy, it can be formed by a sputtering method using the alloy as a target material. In addition, a chip-on-target method (for example, forming a Cu chip on an Ag target), It can also be created by sputtering (for example, using an Ag target and a Cu target).
It is also possible to use a material other than metal by alternately stacking a low refractive index layer and a high refractive index layer to form a multilayer film and use it as a reflective layer.
反射層の膜厚は、20〜200nmの範囲が好ましく、30〜160nmの範囲が特に好ましい。但し、本発明の反射層が多層型光記録媒体に適用される場合は、反射層膜厚の下限は、この限りではない。膜厚が、20nmより薄い場合、所望の反射率が得られない問題や保存時に反射率が低下する問題、更に、記録振幅が十分にとれない問題を生じることがある。膜厚が、200nmより厚い場合、成膜面が粗れ、反射率が低下することがある。また、生産性の観点からも好ましくない。
また、反射層がAgを含み、保護層にSを含む材料を用いる場合には、反射層と保護層の間にAgとSの反応を防止するための硫化防止層を設ける必要がある。その材料としては光吸収の小さい酸化物、窒化物、炭化物などが好ましく、例えばSiNを主成分とする窒化物、TiO2などの酸化物、SiCなどの炭化物が挙げられる。
硫化防止層の膜厚は、2〜7nm程度とすることが好ましい。2nmより薄いと、膜の不均一性により防止効果がなく、7nmより厚いと、反射率や記録感度が低下する。
The thickness of the reflective layer is preferably in the range of 20 to 200 nm, particularly preferably in the range of 30 to 160 nm. However, when the reflective layer of the present invention is applied to a multilayer optical recording medium, the lower limit of the reflective layer thickness is not limited to this. When the film thickness is less than 20 nm, there may be a problem that a desired reflectance cannot be obtained, a problem that the reflectance decreases during storage, and a problem that the recording amplitude cannot be sufficiently obtained. When the film thickness is greater than 200 nm, the film formation surface may be rough, and the reflectance may decrease. Further, it is not preferable from the viewpoint of productivity.
Further, when the reflective layer contains Ag and a material containing S is used for the protective layer, it is necessary to provide an antisulfurization layer for preventing the reaction between Ag and S between the reflective layer and the protective layer. As the material, oxides, nitrides, carbides and the like having low light absorption are preferable. Examples thereof include nitrides mainly composed of SiN, oxides such as TiO 2, and carbides such as SiC.
The film thickness of the sulfidation preventing layer is preferably about 2 to 7 nm. If it is thinner than 2 nm, there is no prevention effect due to the non-uniformity of the film, and if it is thicker than 7 nm, the reflectance and recording sensitivity are lowered.
反射層の上には厚い環境保護層を形成することが好ましい。その材料としては、反射層を外力から保護するものであれば特に限定されない。有機材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等が挙げられる。また、無機材料としては、SiO2、Si3N4、MgF2、SnO2等が挙げられる。
環境保護層の形成方法としては、スピンコート法やキャスト法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法等が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合は、通常、適当な溶剤に溶解し、塗布乾燥して層を形成する。
紫外線硬化性樹脂を用いる場合は、通常、そのまま又は適当な溶剤に溶解して塗布し、紫外線を照射して硬化させることにより層を形成する。
紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。
これらの材料は単独で用いても混合して用いても良く、一層でなく多層膜にして用いても良い。
環境保護層の膜厚は、一般に0.1〜100μmの範囲とするが、本発明においては、3〜30μmが好ましい。
It is preferable to form a thick environmental protection layer on the reflective layer. The material is not particularly limited as long as the reflective layer is protected from external force. Examples of the organic material include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an electron beam curable resin, and an ultraviolet curable resin. Examples of the inorganic materials, SiO 2, Si 3 N 4 ,
As a method for forming the environmental protection layer, a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like is used. Of these, the spin coating method is preferable.
When a thermoplastic resin or a thermosetting resin is used, it is usually dissolved in an appropriate solvent, applied and dried to form a layer.
When an ultraviolet curable resin is used, the layer is usually formed by coating as it is or after dissolving in an appropriate solvent and curing by irradiation with ultraviolet rays.
As the ultraviolet curable resin, for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyester acrylate can be used.
These materials may be used alone or in combination, and may be used as a multilayer film instead of a single layer.
The thickness of the environmental protection layer is generally in the range of 0.1 to 100 μm, but in the present invention, 3 to 30 μm is preferable.
本発明10のスパッタリングターゲットは、Bi(ビスマス)とO(酸素)を主成分として含み、更にC(炭素)を含み、Feを含まない。
ここで主成分とは、Biと酸素を併せた含有量(原子%)が最も多いことを意味する。また、Biと酸素を含むという表現にしたのは、最も多いのはBi酸化物であるが、Bi酸化物以外に金属Biが含まれる場合があることによる。
Feを含まないようにするのは、Feを含むスパッタリングターゲットは比較的強度が低く、製膜中に破壊される可能性があるためである。その原因は、比較的酸化されやすいFeは、簡単にFe2O3などの酸化物を形成するが、それらの酸化物の熱膨張係数が、10(10−6/℃)と比較的大きいことによると考えられる。
一方、炭素、SiCの熱膨張係数は、それぞれ、1.5×10−6/℃、4.3×10−6/℃であり、炭素を含むものは、熱膨張係数が比較的小さく、製膜時における温度変化に対して耐久性が高いと考えられる。
実際に、実施例4で用いたBi−B−C−Oターゲットは、製膜時にターゲットの破損は起きないが、同様の焼結条件で作製したBi−B−Fe−Oターゲットは、同じ製膜条件ではターゲットが破損することがあり、製膜時の印加電力を1.2kWから0.8kWに下げて製膜を行う必要がある。このように、Feを含む場合には、生産性に悪影響を及ぼす。
The sputtering target of the
Here, the main component means that the combined content (atomic%) of Bi and oxygen is the largest. In addition, the expression “containing Bi and oxygen” is because Bi oxide is the most common, but metal Bi may be included in addition to Bi oxide.
The reason why Fe is not contained is that a sputtering target containing Fe has a relatively low strength and may be broken during film formation. The reason is that Fe, which is relatively easily oxidized, easily forms oxides such as Fe 2 O 3, but the thermal expansion coefficient of these oxides is relatively large (10 −6 / ° C.). It is thought that.
On the other hand, carbon, thermal expansion coefficient of the Si C are, respectively, 1.5 × 10 -6 /℃,4.3×10 -6 / ℃ , those containing-carbon has a thermal expansion coefficient relatively small The durability against temperature changes during film formation is considered high.
Indeed, Bi-B-C-O target used in Example 4, but does not cause damage to the target during film, similar Bi-B-Fe-O target prepared by sintering conditions are the same The target may be damaged under the film formation conditions, and it is necessary to perform film formation by reducing the applied power during film formation from 1.2 kW to 0.8 kW. Thus, when Fe is included, productivity is adversely affected.
スパッタリングターゲット中の酸素の割合は30〜65原子%程度であり、好ましくは45〜62原子%、更に好ましくは47〜59原子%程度である。酸素量が多いと製膜される記録層の組成が比較的安定性良く、記録特性も向上するが、記録感度が悪くなる。酸素量が少ないと記録感度のよい光記録媒体を作製可能であるが、ターゲット強度は比較的弱くなる傾向がある。
Biの割合は20〜38原子%の範囲が特に好ましい。Biの量に関しては、Bi及びBi酸化物が記録の本質を担っているため、Biが少なくなると記録マークの形成が難しくなり、記録特性が悪化する。また、Biが多くなると、感度は向上するが、保存特性などの信頼性が悪化する。
C(炭素)の割合は、1.5〜49原子%とする。
このようにBiと酸素(実質はBi酸化物)を主成分とし、少量の炭素を含むことにより、好ましい特性の光記録媒体が得られる。
炭素は、炭素単体又は化合物の形、或いはそれらの混合の形でスパッタリングターゲット中に含有させる。炭化物で含有させることにより、ターゲットを焼結する際の安定性が高くなり、スパッタリングターゲットの生産性が向上する。
The proportion of oxygen in the sputtering target is about 30 to 65 atomic%, preferably 45 to 62 atomic%, more preferably about 47 to 59 atomic%. When the amount of oxygen is large, the composition of the recording layer formed is relatively stable and the recording characteristics are improved, but the recording sensitivity is deteriorated. If the amount of oxygen is small, an optical recording medium with good recording sensitivity can be produced, but the target strength tends to be relatively weak.
The ratio of Bi is particularly preferably in the range of 20 to 38 atomic%. Regarding the amount of Bi, since Bi and Bi oxide are responsible for recording, when Bi is decreased, it becomes difficult to form a recording mark, and the recording characteristics are deteriorated. Further, when Bi is increased, the sensitivity is improved, but reliability such as storage characteristics is deteriorated.
The proportion of C (carbon) is an 1.5 to 49 atomic%.
Thus the main component Bi and oxygen (substantially the Bi oxides), by including a small amount of carbon-containing, obtained optical recording medium of the preferred characteristics.
Carbon is contained in the sputtering target in the form of simple carbon or a compound, or a mixture thereof. By containing the carbide, the stability when the target is sintered is increased, and the productivity of the sputtering target is improved.
本発明のスパッタリングターゲットは、更にB、Li、Sn、Ge、Sr、Mg、Ba、Ca、Mo、W、Co、Si、In、Ti、Mn、Ga、Zr、Cr、Hf、K、Na、Zn、Ni、Cu、Pd、Ag、P、Ta、Y、Nb、Al、V、Sb、Te、La系列元素から選択される少なくとも一種の元素Xを含有してもよい。
これらの元素Xが1.5〜18原子%程度含まれていると効果が大きい。Bi炭化物は不安定であり、焼結の際に分解してほぼ検出できない程度に少なくなることが多い。ターゲット強度の向上のためには少ない方が好ましく、ほぼ検出できない程度に少ない方が更に好ましい。好ましい形態は、Bi酸化物、X酸化物からなる形態、Bi酸化物、X酸化物、X炭化物からなる形態、Bi酸化物、X炭化物からなる形態である。
原理などは明らかでないが、炭化物は、焼結助剤、強度向上のための添加剤として使用されることが多く、ターゲット強度と大きく関係があると考えている。
特に、B、Si、Ti、Nbなどは、ターゲット強度の向上に効果が大きい。
The sputtering target of the present invention further includes B, Li, Sn, Ge, Sr, Mg, Ba, Ca, Mo, W, Co, Si, In, Ti, Mn, Ga, Zr, Cr, Hf, K, Na, At least one element X selected from Zn, Ni, Cu, Pd, Ag, P, Ta, Y, Nb, Al, V, Sb, Te, and La series elements may be contained.
The effect is large when these elements X are contained in an amount of about 1.5 to 18 atomic%. Bi carbides are unstable, often less to the extent that can not be detected almost decomposed during sintering. In order to improve the target strength, the smaller one is preferable, and the smaller one is more preferable to the extent that almost no detection is possible. The preferred form, Bi oxide, X oxide or Ranaru form, Bi oxide, X oxide, form consisting of X carbide, Bi oxide, a form consisting of X carbide.
Although not clear such principles, carbide comprises sintering aid, often used as an additive for improving the strength, it is considered largely related to the target strength.
In particular, B, Si, Ti, Nb, etc. are highly effective in improving the target strength.
酸化物の生成し易さを示す生成エンタルピーがBiと同等な場合、酸化物が酸素を離し単体元素になり易いため、光の吸収率が向上する。また、融点も変化するため感度の向上を図ることが可能となる。Ge、Sn、Liなどがこれに該当する元素である。
また、B、Li、Na、Mg、K、Ca、Pなどの元素は、酸化ビスマスと共存することにより、ガラス化し易くなる性質を有する。メカニズムは明らかでないが、ガラス化し易さが感度向上と関係している可能性がある。
また、Cu、Ag、Pdなどの比較的酸化しにくい元素の場合は、それ自身はあまり酸化しないため、Bi酸化物の方から酸素が奪われ易くなっており、Biが単体金属として存在する確率が高くなる。その結果、BiとCu、Ag、Pdなどの元素が単体金属として存在することにより感度が向上すると考えられる。
La系列の元素は、Biと比較すると酸化し易いため、Biが単体金属として存在し易くなり、感度向上に寄与していると考えられる。
When the generation enthalpy indicating the ease of oxide generation is equivalent to Bi, the oxide easily releases oxygen and becomes a single element, so that the light absorption rate is improved. In addition, since the melting point changes, the sensitivity can be improved. Ge, Sn, Li, and the like are elements corresponding to this.
In addition, elements such as B, Li, Na, Mg, K, Ca, and P have the property of being easily vitrified by coexisting with bismuth oxide. The mechanism is not clear, but easiness of vitrification may be related to improved sensitivity.
In the case of elements that are relatively difficult to oxidize, such as Cu, Ag, and Pd, oxygen itself is not so much oxidized, so that oxygen is easily taken away from Bi oxide, and the probability that Bi exists as a single metal. Becomes higher. As a result, it is considered that sensitivity is improved by the presence of elements such as Bi and Cu, Ag, and Pd as a single metal.
Since an element of La series is more easily oxidized than Bi, Bi is likely to exist as a single metal and is considered to contribute to an improvement in sensitivity.
本発明のスパッタリングターゲットがBi、B、O及びCからなる場合、B4Cは安定性が高いため、B4Cの状態で含まれるとターゲット強度が向上し、効果が大きい。このターゲットを用いて製膜した記録層は、光の吸収が大きい炭化物が記録層中に存在することにより記録光を吸収し易くなり、より感度が向上する。また、Bを添加することにより、Biが酸素と結合したり、記録により酸素を離したりする現象がより確実に起きるようになっている。また、ターゲットの好ましい形態は、Bi酸化物、B酸化物、B炭化物の3種類の化合物からなる形態である。
If the sputtering target of the present invention is Bi, B, consisting of O and C, for
本発明のスパッタリングターゲットでは、Cの含有量を全体の1.5〜49原子%とする。Cが1.5%より多い場合、製膜された記録層は、炭素が光を吸収するため感度の向上に効果がある。また、炭素が49%より多くなると、記録に関与する酸化ビスマスの割合が少なくなり、記録部と、未記録部とのコントラストが得られにくくなり、記録特性が劣化する。また、炭素が多くなりすぎると、ターゲットが作製し難くなり、ターゲットの充填密度が向上しにくいため、生産性のよい強度の高いターゲットを実現できなくなる。 In the sputtering target of the present invention, the C content is 1.5 to 49 atomic% of the whole. When C is more than 1.5%, the formed recording layer is effective in improving sensitivity because carbon absorbs light. On the other hand, when the carbon content exceeds 49%, the proportion of bismuth oxide involved in recording decreases, and it becomes difficult to obtain contrast between the recorded portion and the unrecorded portion, and the recording characteristics deteriorate. Further, when the amount of carbon is excessive, it becomes difficult to produce a target, and it is difficult to improve the packing density of the target, so that it is impossible to realize a target with high productivity and high strength.
本発明のスパッタリングターゲットにおいて、特に炭素、炭化物を含有すると抵抗率が小さくなるため、直流スパッタが可能となる。直流スパッタが可能となることにより製膜コストが低下するので好ましい。
本発明のスパッタリングターゲットは、充填密度(相対密度)が90%以上であることが好ましい。充填密度が95%程度までは、充填密度の向上とともに製膜速度、ターゲットの強度が向上する。しかし、95%程度以上になると徐々にターゲットの強度が低下する。ここで充填密度とは、混合した原料が所定の比率で混合されているとしたときの理論密度に対する実際に測定した密度の割合(%)をいう。
本発明のスパッタリングターゲットは、酸化ビスマス粉末と炭素粉末を混合し焼結することにより製造することができる。
また、酸化ビスマス粉末と、Al、B、Ca、Cr、Hf、Mo、Nb、Si、Ta、Ti、V、W、Zrの中から選択される少なくとも1種類の元素の炭化物の粉末を混合し焼結すると、安定性良く炭素を混合することができる。また、炭素は導電性は高いが還元性も高いため、焼結時に酸化Biが還元されてしまう可能性があるが、安定な炭化物を混合することにより、再現性の良い製造が可能となる。
In the sputtering target of the present invention , particularly when carbon or carbide is contained, the resistivity is reduced, so that direct current sputtering is possible. Since DC sputtering is possible, the film forming cost is reduced, which is preferable.
The sputtering target of the present invention preferably has a filling density (relative density) of 90% or more. When the packing density is up to about 95%, the film forming speed and the strength of the target are improved as the packing density is improved. However, when it is about 95% or more, the strength of the target gradually decreases. Here, the packing density refers to the ratio (%) of the actually measured density to the theoretical density when the mixed raw materials are mixed at a predetermined ratio.
The sputtering target of the present invention can be produced by mixing and sintering bismuth oxide powder and carbon powder.
Also, bismuth oxide powder and powder of carbide of at least one element selected from Al, B, Ca, Cr, Hf, Mo, Nb, Si, Ta, Ti, V, W, and Zr are mixed. When sintered , carbon can be mixed with good stability. Further, since carbon has high conductivity but high reducibility, Bi oxide may be reduced during sintering. However, by mixing stable carbide, production with good reproducibility becomes possible.
また、酸素を遮断した状態、不活性雰囲気中、又は真空中で焼結することにより、炭素が遊離してターゲット外に逃げてしまうのを防ぐことが可能となる。ホットプレス法のような焼結方法では、ターゲットを成型する型が炭素からできているため、炭素が平衡状態になり、逃げにくくなるので効果がある。
また、Bi、B、Oを含むスパッタリングターゲットを用いて、炭化水素のような炭素を含むガスをArと混合し製膜すると効果的である。酸素を含有しないターゲットを用いると、Biと酸素を主成分とする記録層が得られない。また、酸素を補うために酸素を混合したガスを用いて製膜を行うと、混合した炭化水素が酸化され、二酸化炭素と水になってしまうため、酸素を混合することはできない。
Further , by sintering in a state where oxygen is blocked, in an inert atmosphere, or in vacuum, it is possible to prevent carbon from being released and escaping from the target. A sintering method such as a hot press method is effective because the mold for molding the target is made of carbon, so that the carbon is in an equilibrium state and is difficult to escape.
Further , it is effective to form a film by mixing a gas containing carbon such as hydrocarbon with Ar using a sputtering target containing Bi, B, and O. If a target containing no oxygen is used, a recording layer containing Bi and oxygen as main components cannot be obtained. In addition, when film formation is performed using a gas mixed with oxygen to supplement oxygen, the mixed hydrocarbon is oxidized to carbon dioxide and water, so that oxygen cannot be mixed.
本発明によれば、青色波長領域(350〜500nm)のレーザ光による記録再生が可能で、高感度かつ低線速から高線速までの広い線速範囲の記録にも適した光記録媒体、及び、該光記録媒体の記録層を製膜するためのスパッタリングターゲットを提供できる。 According to the present invention, recording can be reproduced by a laser beam in the blue wavelength region (350 to 500 nm), high sensitivity and optical recording media which are suitable to record a wide linear velocity range of from a low linear velocity to a high linear velocity , and it can provide a sputtering coater rodents bets for film recording layer of the optical recording medium.
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。また、実施例として、波長が405nmのレーザ光を用いた例を示したが、本発明の記録層は、350〜500nmの範囲では複素屈折率が正常分散を示し、複素屈折率に急激な変化が起きないため、同様に記録再生が可能である。即ち、350〜500nmの範囲で記録再生波長が変化すると、追記型光記録媒体としての反射率や記録感度は変化するが、記録原理が変化することはないため、同様の記録再生が可能である。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further more concretely, this invention is not limited by these Examples. Further, as an example, an example using a laser beam having a wavelength of 405 nm was shown, but the recording layer of the present invention has a normal refractive index in the range of 350 to 500 nm, and a rapid change in the complex refractive index. Therefore, recording and reproduction can be performed in the same manner. That is, when the recording / reproducing wavelength changes in the range of 350 to 500 nm, the reflectivity and recording sensitivity as a write-once type optical recording medium change, but the recording principle does not change, and the same recording / reproducing is possible. .
実施例1
案内溝(溝深さ21nm、平均溝幅155nm、トラックピッチ0.32μm)を有する厚さ1.1mm、直径120mmのポリカーボネート基板(製品名ST3000、帝人バイエルポリテック社製)上に、スパッタ法で、膜厚60nmのAgBi合金(Bi:0.5原子%)層、膜厚4nmのSiN膜、膜厚15nmのZnS・SiO2(80:20モル%)層、膜厚16nmのBi−B−C−O層、膜厚75nmのZnS・SiO2(80:20モル%)層を順に設け、更に、その上に、紫外線硬化樹脂(日本化薬DVD003)を用いて厚さ75μmポリカーボネートシート(帝人化成ピュアエース)を貼り合わせてカバー層(光透過層)とし、厚さ約1.2mmの追記型光記録媒体を作成した。
Bi−B−C−O層は、Bi2O3−B2O3−C(モル比、8:1:1)の複合ターゲットを用いて製膜した。スパッタリングはArガス中で行った。
この追記型光記録媒体に対し、パルステック工業(株)製の光ディスク評価装置ODU−1000(波長:405nm、NA:0.85)を用いて記録を行った。
追記型Blu−rayディスクの規格(BD−R Version 1.1)に準拠し線速1x(1倍速)で記録したところ、最適記録パワー4.3mWでジッター値4.4%が得られた。
同様にして、記録密度は変えず、4x(1xの4倍の線速)で記録を行い、ジッター値を評価したところ、最適記録パワー6.7mWでジッター値5.5%が得られた。
これらの値は、後述する比較例1、比較例2の追記型光記録媒体と比べて、高感度で低ジッターである。
Example 1
On a polycarbonate substrate (product name ST3000, manufactured by Teijin Bayer Polytech Co., Ltd.) having a thickness of 1.1 mm and a diameter of 120 mm having guide grooves (groove depth 21 nm, average groove width 155 nm, track pitch 0.32 μm), by sputtering, 60 nm thick AgBi alloy (Bi: 0.5 atomic%) layer, 4 nm thick SiN film, 15 nm thick ZnS · SiO 2 (80:20 mol%) layer, 16 nm thick Bi—B—C -O layer and a 75 nm thick ZnS.SiO 2 (80:20 mol%) layer are provided in this order, and further a 75 μm thick polycarbonate sheet (Teijin Kasei Co., Ltd.) using an ultraviolet curable resin (Nippon Kayaku DVD003). Pure Ace) was bonded to form a cover layer (light transmission layer), and a write-once type optical recording medium having a thickness of about 1.2 mm was produced.
The Bi—B—C—O layer was formed using a composite target of Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —C (molar ratio, 8: 1: 1). Sputtering was performed in Ar gas.
Recording was performed on the write-once optical recording medium using an optical disk evaluation apparatus ODU-1000 (wavelength: 405 nm, NA: 0.85) manufactured by Pulse Tech Industry Co., Ltd.
When recording was performed at a linear velocity of 1 × (1 × speed) in accordance with the standard of a write-once Blu-ray disc (BD-R Version 1.1), a jitter value of 4.4% was obtained at an optimum recording power of 4.3 mW.
Similarly, recording was performed at 4x (
These values are higher in sensitivity and lower in jitter than the write-once optical recording media of Comparative Examples 1 and 2 described later.
実施例2
Bi−B−C−O層をBi−C−O層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Bi2O3−C(モル比、1:1)とした点以外は、実施例1と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例1と同様にして線速1xで記録したところ、最適記録パワー4.0mWでジッター値5.0%が得られた。
また、実施例1と同様にして線速4xで記録したところ、最適記録パワー5.3mWでジッター値5.8%が得られた。
これらの値は、後述する比較例1、比較例2の追記型光記録媒体と比べて、高感度で低ジッターである。
Example 2
The Bi-B-C-O layer was changed to a Bi-C-O layer, and the composite target for film formation was Bi 2 O 3 -C (molar ratio, 1: 1). A write-once optical recording medium was prepared in the same manner.
When this write-once type optical recording medium was recorded at a linear velocity of 1x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 5.0% was obtained at an optimum recording power of 4.0 mW.
When recording was performed at a linear velocity of 4x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 5.8% was obtained with an optimum recording power of 5.3 mW.
These values are higher in sensitivity and lower in jitter than the write-once optical recording media of Comparative Examples 1 and 2 described later.
比較例1
Bi−B−C−O層をBi−O層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Bi2O3とした点以外は、実施例1と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例1と同様にして線速1x及び4xで記録したところ、どちらの場合も、記録パワーを変化させても最適な条件が得られず、ジッター値が高いままで、低いジッター値は得られなかった。
Comparative Example 1
A write-once optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1 except that the Bi-B-C-O layer was changed to a Bi-O layer and the composite target for film formation was Bi 2 O 3 .
When this write-once type optical recording medium was recorded at linear speeds of 1x and 4x in the same manner as in Example 1, optimum conditions could not be obtained even if the recording power was changed, and the jitter value was high. Until now, low jitter values have not been obtained.
比較例2
Bi−B−C−O層をBi−B−O層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Bi2O3−B2O3(モル比、6:4)とした点以外は、実施例1と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例1と同様にして線速1xで記録したところ、最適記録パワー4.7mWでジッター値5.2%が得られた。
また、実施例1と同様にして線速4xで記録したところ、最適記録パワー9.8mWでジッター値6.7%が得られた。
Comparative Example 2
Changing the Bi-B-C-O layer Bi-B-O layer, the film composite target, Bi 2 O 3 -B 2 O 3 ( molar ratio 6: 4) except a to point, carried A write-once type optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1.
When this write-once type optical recording medium was recorded at a linear velocity of 1x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 5.2% was obtained at an optimum recording power of 4.7 mW.
When recording was performed at a linear velocity of 4x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 6.7% was obtained with an optimum recording power of 9.8 mW.
実施例3
案内溝(溝深さ26nm、平均溝幅200nm、トラックピッチ0.4μm)を有する厚さ0.6mmのポリカーボネート基板上に、スパッタ法を用いて、膜厚60nmのZnS・SiO2層(80:20モル%)、膜厚15nmのBi−B−C−O層、膜厚20nmのZnS・SiO2層(80:20モル%)、膜厚80nmのAgBi合金層(Bi:0.5原子%)を順次積層した。Bi−B−C−O層は、Bi2O3−B2O3−C(モル比、8:1:1)の複合ターゲットを用いて製膜した。スパッタリングはArガス中で行った。
次いで、AgBi合金層の上に、スピンコート法で紫外線硬化型樹脂(サンノプコ株式会社製:ノプコキュア134)からなる膜厚約5μmの有機保護層を設け、その上に厚さ0.6mmのダミー基板を紫外線硬化型樹脂で貼り合わせて追記型光記録媒体を得た。
この追記型光記録媒体に対し、パルステック工業(株)製の光ディスク評価装置ODU−1000(波長:405nm、NA:0.65)を用いて、HD DVD−R規格〔DVD Specifications for High Density Recordable Disc(HD DVD−R) Version 1.0〕に準拠した記録密度で、1x(1倍速)の線速で記録を行った。
その結果、最適記録パワー7.6mWでPRSNRの値が29.1であった。
更に、記録密度は変えず、記録時の線速を4x(4倍速)にして記録を行ったところ、最適記録パワー13.4mWでPRSNRの値が20.4であった。
Example 3
On a polycarbonate substrate having a thickness of 0.6 mm having guide grooves (groove depth 26 nm, average groove width 200 nm, track pitch 0.4 μm), a ZnS · SiO 2 layer (80: 80 nm) is formed by sputtering. 20 mol%), a 15 nm thick Bi—B—C—O layer, a 20 nm thick ZnS · SiO 2 layer (80:20 mol%), an 80 nm thick AgBi alloy layer (Bi: 0.5 atomic%) ) Were sequentially laminated. The Bi—B—C—O layer was formed using a composite target of Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —C (molar ratio, 8: 1: 1). Sputtering was performed in Ar gas.
Next, on the AgBi alloy layer, an organic protective layer having a thickness of about 5 μm made of an ultraviolet curable resin (manufactured by San Nopco Co., Ltd .: Nopco Cure 134) is provided by spin coating, and a dummy substrate having a thickness of 0.6 mm is formed thereon. Were pasted together with an ultraviolet curable resin to obtain a write-once type optical recording medium.
For this write-once optical recording medium, an optical disc evaluation apparatus ODU-1000 (wavelength: 405 nm, NA: 0.65) manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. was used, and the HD DVD-R standard [DVD Specifications for High Density Recordable Disc (HD DVD-R) Version 1.0] was recorded at a linear density of 1 × (1 × speed) at a recording density.
As a result, the PRSNR value was 29.1 at the optimum recording power of 7.6 mW.
Further, when recording was performed with the recording linear velocity being 4 × (4 × speed) without changing the recording density, the PRSNR value was 20.4 at the optimum recording power of 13.4 mW.
比較例3
Bi−B−C−O層をBi−B−O層に変え、その製膜用複合ターゲットを、Bi2O3−B2O3(モル比、6:4)とした点以外は、実施例3と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例3と同様にして線速1xで記録したところ、最適記録パワー8.8mWでPRSNRの値が24であった。
更に、実施例3と同様にして、記録時の線速を4x(4倍速)にして記録を行ったところ、最適記録パワー17.6mWでPRSNRの値が19.8であった。
Comparative Example 3
Changing the Bi-B-C-O layer Bi-B-O layer, the film composite target, Bi 2 O 3 -B 2 O 3 ( molar ratio 6: 4) except a to point, carried A write-once optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 3 .
When this write-once type optical recording medium was recorded at a linear velocity of 1x in the same manner as in Example 3 , the PRSNR value was 24 at an optimum recording power of 8.8 mW.
Further, in the same manner as in Example 3 , recording was performed with the linear velocity at the time of recording being 4 × (4 × speed), and the PRSNR value was 19.8 at the optimum recording power of 17.6 mW.
実施例4
Bi2O3とB2O3とB4Cの粉末を、水分吸着がないような状態で、モル比が76.4:11.8:11.8となるように秤量して混合し、更に、ボールミルで1時間乾式混合した後、500℃で1時間焼成した。
その後、ボールミルで1時間乾式混合し、この混合粉末を150MPaで加圧成型し、大気中650℃で5時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径200mmφ、厚さ6mmとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は84%であった。
Example 4
Bi 2 O 3 , B 2 O 3 and B 4 C powder were weighed and mixed so that the molar ratio would be 76.4: 11.8: 11.8 in a state where there was no moisture adsorption, Further, after dry mixing with a ball mill for 1 hour, it was fired at 500 ° C. for 1 hour.
Thereafter, the mixture was dry-mixed with a ball mill for 1 hour, the mixed powder was pressure-molded at 150 MPa, and hot-press fired at 650 ° C. for 5 hours in the atmosphere to prepare a sputtering target. The size of the target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
This target was bonded to a backing plate made of oxygen-free copper by low melting point metal bonding to obtain a sputtering target. The packing density of this target was 84%.
実施例5
Bi2O3とSiCの粉末を水分吸着がないような状態で秤量し、Bi2O3とSiCがモル比で2:1になるように混合し、次いで、ボールミルで1時間乾式混合した後、700℃で1時間焼成した。
その後、ボールミルで1時間乾式混合し、この混合粉末を150MPaで加圧成型し、大気中750℃で5時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径200mmφ、厚さ6mmとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は97%であった。
Example 5
Bi 2 O 3 and SiC powder were weighed without moisture adsorption, mixed so that Bi 2 O 3 and SiC were in a molar ratio of 2: 1, and then dry-mixed for 1 hour in a ball mill. Baked at 700 ° C. for 1 hour.
Thereafter, the mixture was dry-mixed for 1 hour with a ball mill, the mixed powder was pressure-molded at 150 MPa, and hot-press fired at 750 ° C. for 5 hours in the air to prepare a sputtering target. The size of the target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
This target was bonded to a backing plate made of oxygen-free copper by low melting point metal bonding to obtain a sputtering target. The packing density of this target was 97%.
実施例6
Bi2O3とTiCの粉末を水分吸着がないような状態で秤量し、Bi2O3とTiCがモル比で2:1になるように混合し、次いで、ボールミルで1時間乾式混合した後、700℃で1時間焼成した。
その後、ボールミルで1時間乾式混合し、この混合粉末を150MPaで加圧成型し、大気中750℃で5時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径200mmφ、厚さ6mmとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は94%であった。
Example 6
Bi 2 O 3 and TiC powder were weighed without moisture adsorption, mixed so that Bi 2 O 3 and TiC had a molar ratio of 2: 1, and then dry-mixed for 1 hour in a ball mill. Baked at 700 ° C. for 1 hour.
Thereafter, the mixture was dry-mixed for 1 hour with a ball mill, the mixed powder was pressure-molded at 150 MPa, and hot-press fired at 750 ° C. for 5 hours in the air to prepare a sputtering target. The size of the target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
This target was bonded to a backing plate made of oxygen-free copper by low melting point metal bonding to obtain a sputtering target. The packing density of this target was 94%.
実施例7
Bi2O3とNbCの粉末を水分吸着がないような状態で秤量し、Bi2O3とNbCがモル比で2:1になるように混合し、次いで、ボールミルで1時間乾式混合した後、700℃で1時間焼成した。
その後、ボールミルで1時間乾式混合し、この混合粉末を150MPaで加圧成型し、大気中750℃で5時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径200mmφ、厚さ6mmとした。
このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。このターゲットの充填密度は86%であった。
Example 7
Bi 2 O 3 and NbC powder were weighed without moisture adsorption, mixed so that Bi 2 O 3 and NbC had a molar ratio of 2: 1, and then dry-mixed for 1 hour in a ball mill. Baked at 700 ° C. for 1 hour.
Thereafter, the mixture was dry-mixed for 1 hour with a ball mill, the mixed powder was pressure-molded at 150 MPa, and hot-press fired at 750 ° C. for 5 hours in the air to prepare a sputtering target. The size of the target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness.
This target was bonded to a backing plate made of oxygen-free copper by low melting point metal bonding to obtain a sputtering target. The packing density of this target was 86%.
実施例8
実施例4で作成したスパッタリングターゲットを用いてBi−B−C−O層を製膜した点以外は、実施例1と同様にして、厚さ約1.2mmの本発明の追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例1と同様にして線速1xで記録したところ、最適記録パワー4.5mWでジッター値4.2%が得られた。
また、実施例1と同様にして、線速4xで記録を行い、ジッター値を評価したところ、最適記録パワー7.1mWでジッター値5.3%が得られた。
Example 8
Write-once type optical recording medium of the present invention having a thickness of about 1.2 mm in the same manner as in Example 1 except that the Bi—B—C—O layer was formed using the sputtering target prepared in Example 4. It was created.
When this write-once type optical recording medium was recorded at a linear velocity of 1x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 4.2% was obtained at an optimum recording power of 4.5 mW.
Further, recording was performed at a linear velocity of 4x in the same manner as in Example 1, and the jitter value was evaluated. As a result, a jitter value of 5.3% was obtained at an optimum recording power of 7.1 mW.
実施例9
実施例5で作成したスパッタリングターゲットを用いてBi−Si−C−O層を製膜した点以外は、実施例1と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例1と同様にして線速1xで記録したところ、最適記録パワー5.0mWでジッター値5.2%が得られた。
また、実施例1と同様にして線速4xで記録したところ、最適記録パワー7.3mWでジッター値5.8%が得られた。
Example 9
A write-once optical recording medium was produced in the same manner as in Example 1 except that a Bi—Si—C—O layer was formed using the sputtering target produced in Example 5 .
When this write-once type optical recording medium was recorded at a linear velocity of 1x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 5.2% was obtained at an optimum recording power of 5.0 mW.
When recording was performed at a linear velocity of 4x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 5.8% was obtained with an optimum recording power of 7.3 mW.
実施例10
実施例6で作成したスパッタリングターゲットを用いてBi−Ti−C−O層を製膜した点以外は、実施例1と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例1と同様にして線速1xで記録したところ、最適記録パワー5.1mWでジッター値4.8%が得られた。
また、実施例1と同様にして線速4xで記録したところ、最適記録パワー6.3mWでジッター値6.3%が得られた。
Example 10
A write-once optical recording medium was produced in the same manner as in Example 1 except that a Bi—Ti—C—O layer was formed using the sputtering target produced in Example 6 .
When this write-once type optical recording medium was recorded at a linear velocity of 1x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 4.8% was obtained at an optimum recording power of 5.1 mW.
When recording was performed at a linear velocity of 4x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 6.3% was obtained with an optimum recording power of 6.3 mW.
実施例11
実施例7で作成したスパッタリングターゲットを用いてBi−Nb−C−O層を製膜した点以外は、実施例1と同様にして追記型光記録媒体を作成した。
この追記型光記録媒体に対し、実施例1と同様にして線速1xで記録したところ、最適記録パワー4.1mWでジッター値4.5%が得られた。
また、実施例1と同様にして線速4xで記録したところ、最適記録パワー5.9mWでジッター値6.4%が得られた。
Example 11
A write-once type optical recording medium was produced in the same manner as in Example 1 except that a Bi—Nb—C—O layer was formed using the sputtering target produced in Example 7 .
When this write-once type optical recording medium was recorded at a linear velocity of 1x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 4.5% was obtained at an optimum recording power of 4.1 mW.
Further, when recording was performed at a linear velocity of 4x in the same manner as in Example 1, a jitter value of 6.4% was obtained at an optimum recording power of 5.9 mW.
実施例12
組成が、Bi−C−O、Bi−B−C−O、Bi−Si−C−O、Bi−B−Fe−O(対照)の、各スパッタリングターゲットを用い、Arガス中で製膜した記録層について、光の吸収率のばらつきを比較した。光の波長は405nmで、測定した試料は、溝の無いポリカーボネート基板上に記録層を13nm、その上にZnSSiO2膜を20nm製膜したものを用いた。製膜用の真空チャンバー内に入れてから記録層の製膜を始めるまでの時間を0から60秒までランダムに選択し設定した点以外は、同じ条件で製膜を行った。そして、各ターゲットについて実験番号1〜10の10種類の試料を作製した。
膜の表面側から光を入射して光度計により光の吸収率を測定した。更に、吸収率のばらつきを調べるため、複数の日時にそれぞれ測定した吸収率を最も低い吸収率で規格化し、それぞれのばらつきを調べた。吸収率のばらつき(%)は次の式により求めた。
ばらつき(%)={(得られた吸収率)−(最も小さい吸収率)}×100/(最も
小さい吸収率)
結果を図1に示すが、ばらつきの数字が大きいものは、吸収率のばらつきが大きいことを示しており、Feを含む試料と含まない試料で差が有り、Feを含まない試料の方が、ばらつきが小さいことが分かる。
なお、Bi−B−C−Oターゲットは実施例4で用いたもの、Bi−Si−C−Oターゲットは実施例5で用いたものであり、Bi−C−OターゲットとBi−B−Fe−Oターゲットは、以下のようにして作製したものを用いた。
<Bi−C−Oターゲット>
Bi2O3とC(炭素)の粉末を、水分吸着がないような状態で、モル比が1:1となるように秤量して混合し、更に、ボールミルで1時間乾式混合した後、750℃で1時間焼成した。
その後、ボールミルで1時間乾式混合し、この混合粉末を150MPaで加圧成型し、大気中780℃で5時間、ホットプレス焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは、直径200mmφ、厚さ6mmとした。このターゲットを、低融点金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。
<Bi−B−Fe−Oターゲット>
Bi2O3とB2O3とFe2O3の粉末を65:30:5のモル比で用いた点以外は、実施例4と同様にしてスパッタリングターゲットを得た。
Example 12
Composition, the Bi-C-O, Bi- B-C-O, B i-Si-C-O, Bi-B-Fe-O ( control), with each sputtering target, a film in an Ar gas The recorded recording layers were compared for variations in light absorption. The wavelength of light was 405 nm, and the measured sample was a recording layer of 13 nm on a polycarbonate substrate without grooves and a ZnSSiO 2 film formed thereon to 20 nm. Film formation was performed under the same conditions except that the time from when the film was placed in the vacuum chamber for film formation to when the recording layer was formed was randomly selected from 0 to 60 seconds. And 10 types of samples of experiment numbers 1-10 were produced for each target.
Light was incident from the surface side of the film, and the light absorption rate was measured with a photometer. Furthermore, in order to investigate the variation in the absorption rate, the absorption rate measured at each of a plurality of dates was normalized with the lowest absorption rate, and each variation was examined. Absorbance variation (%) was determined by the following equation.
Variation (%) = {(obtained absorption rate) − (smallest absorption rate)} × 100 / (most
Small absorption rate)
The result is shown in FIG. 1, the one with a large variation number indicates that the variation in the absorptance is large. There is a difference between the sample containing Fe and the sample not containing Fe, and the sample containing no Fe is more It can be seen that the variation is small.
Incidentally, those Bi-B-C-O target used in Example 4, B i-Si-C -O target are those used in Example 5, Bi-C-O target and Bi-B- The Fe—O target was prepared as follows.
<Bi-C-O target>
Bi 2 O 3 and C (carbon) powder were weighed and mixed so that the molar ratio was 1: 1 in a state where there was no moisture adsorption, and further dry-mixed with a ball mill for 1 hour, and then 750 Baked at 1 ° C. for 1 hour.
Thereafter, the mixture was dry-mixed for 1 hour with a ball mill, the mixed powder was pressure-molded at 150 MPa, and hot-press fired at 780 ° C. for 5 hours in the air to prepare a sputtering target. The size of the target was 200 mm in diameter and 6 mm in thickness. This target was bonded to a backing plate made of oxygen-free copper by low melting point metal bonding to obtain a sputtering target.
<Bi-B-Fe-O target>
A sputtering target was obtained in the same manner as in Example 4 except that powders of Bi 2 O 3 , B 2 O 3 and Fe 2 O 3 were used at a molar ratio of 65: 30: 5.
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