JP5150000B2 - 液晶表示パネル、液晶表示パネル用基板の検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、一対の基板を所定の間隔を隔てて重ね合わせ、一対の基板の間隙に表示媒体層である液晶層を封入する液晶表示パネル、液晶表示パネル用基板の検査方法に関する。

近年、携帯電話等のモバイル型端末やノート型パソコン等の各種電子機器の表示パネルとして、薄くて軽量であるとともに、低電圧で駆動でき、かつ消費電力が少ないという長所を有する液晶表示パネルが広く使用されている。

一般に、液晶表示パネルは、互いに対向して配置された一対の基板（即ち、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板とＣＦ（Color Filter）基板）と、一対の基板の間に設けられた液晶層と、液晶層の配向を規制する配向膜と、一対の基板を互いに接着するとともに、両基板の間に液晶を封入するために枠状に設けられたシール材とを備えている。

ここで、一般に、配向膜は、印刷法等によりポリイミド樹脂を塗布し、その後、焼成することにより形成するが、当該配向膜は、基板上の表示領域及びその外周に設けられたシール材の近傍に形成される。この際、シール材の配置領域に配向膜が形成されてしまうと、シール材を塗布して形成する際に、シール材と基板との間に配向膜が存在するため、シール材による密着強度の低下が生じるという問題があった。

また、例えば、配向膜がポリイミド樹脂により形成されている場合、当該ポリイミド樹脂が有する透湿性により、シール材の外側にはみ出した配向膜が外部の水分を吸収してしまい、シール材の内部に配置された液晶層が汚染されてしまうという問題があった。

そこで、このような不都合を防止するために、シール材の配置領域に形成された配向膜を除去する方法が提案されている。より具体的には、例えば、配向膜を形成した後、レーザ光を照射してシール材の配置領域に形成された配向膜を除去する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、配向膜を形成した後、洗浄工程で純水洗浄を行うことにより水溶性レジストの除去を行うリフトオフ方法を使用して、シール材の配置領域における配向膜を除去する方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−１１４３６１号公報 特開２００９−８８６８号公報

しかし、上記特許文献１、２に記載の方法では、シール材の配置領域に形成された配向膜の除去は行うことができるものの、シール材の配置領域における配向膜の有無を判別することができず、配向膜が除去できているか否かを確認することが困難であるという問題があった。

また、光学顕微鏡を使用した目視による確認を行うことも考えられるが、この方法では、配向膜の有無を判別に個人差が生じるとともに、非常に手間と時間がかかる上、液晶表示パネルを破壊する必要があるという問題があった。

そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、シール材の配置領域における配向膜の有無を判別することができるとともに、シール材の配置領域に存在した配向膜が除去できているか否かを確実に確認することができる液晶表示パネル及び液晶表示パネル用基板の検査方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の液晶表示パネルは、第１基板と、第１基板に対向して配置された第２基板と、第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、第１及び第２基板の各々の液晶層側に設けられ、液晶層の配向を規制する配向膜と、第１基板と第２基板との間に挟持され、第１基板及び第２基板を互いに接着するとともに、液晶層を周回するように枠状に設けられたシール材とを備え、シール材の配置領域には、フーリエ変換赤外分光光度計から出射された赤外光をフーリエ変換赤外分光光度計へと反射して、配置領域における配向膜の有無を判別するための金属パターンが設けられていることを特徴とする。

同構成によれば、シール材の配置領域における配向膜の有無を判別する判別用マークとして、フーリエ変換赤外分光光度計から出射された赤外光をフーリエ変換赤外分光光度計へと反射する金属パターンをシール材の配置領域に設ける構成としている。従って、フーリエ変換赤外分光光度計の顕微反射法を使用することができるため、フーリエ変換赤外分光光度計により測定された赤外吸収スペクトルに基づいて、シール材の配置領域における配向膜の有無を判別することが可能になり、非接触測定により配向膜の有無を判別することが可能になる。特に、シール材の配置領域に存在した配向膜を除去した後に、シール材の配置領域における配向膜の有無を判別することができるため、シール材の配置領域に存在した配向膜が除去できているか否かを確実に確認することができる。

また、光学顕微鏡を使用した目視による確認と異なり、配向膜の有無の判別に個人差が生ぜず、また、液晶表示パネルを破壊することなく、迅速かつ容易に配向膜の有無を判別することができる。

また、非接触測定により容易に配向膜の有無を判別することが可能であるため、シール材の配置領域において配向膜が存在する場合であっても、迅速かつ容易に配向膜を除去することができる。従って、生産性が向上するとともに、歩留まりを向上することができる。

また、金属パターンを設けて、フーリエ変換赤外分光光度計の顕微反射法を使用することにより、低コストで配向膜の有無を判別することができる。

また、シール材の配置領域に金属パターンを設けているため、外観を損なうことなく、配向膜の有無を判別することができる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、金属パターンは、金属パターンの内周面と配置領域の内周面とが同一平面となるように配置されていてもよい。

同構成によれば、配向膜を金属パターンの内周面の位置で塞き止めて、配向膜がシール材の配置領域に形成されることを効果的に抑制することができる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、金属パターンは、配置領域の内周面に沿って枠状に設けられていてもよい。

同構成によれば、シール材の配置領域の全体に渡って、非接触測定により配向膜の有無を判別することが可能になる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、金属パターンの幅が、５０μｍ以上であってもよい。

同構成によれば、フーリエ変換赤外分光光度計において、金属パターンの表面により反射された赤外光の検出精度を向上させることが可能になる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、金属パターンの厚みをＣ、液晶表示パネルの厚み方向における第１基板と第２基板との間の距離をＤとした場合、Ｃ＜Ｄの関係が成立する構成としてもよい。

同構成によれば、第１基板と第２基板とをシール材で貼り合せる際に、金属パターンの厚みによって貼り合わせが阻害されるという不都合を回避でき、製造条件を変更することなく液晶表示パネルを生産することが可能になる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、金属パターンが、タンタル、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、銅、アルミニウムからなる群により選ばれる１種により形成されていてもよい。

同構成によれば、安価かつ汎用性のある金属材料により、金属パターンを形成することができる。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、金属パターンは、第１及び第２基板の少なくとも一方に設けられていてもよい。

また、本発明の液晶表示パネルにおいては、液晶表示パネルは、単純マトリクス方式、又はアクティブマトリクス方式により駆動されてもよい。

本発明の液晶表示パネル用基板の検査方法は、基板と、基板に設けられ、液晶層の配向を規制する配向膜と、基板におけるシール材の配置領域に設けられた金属パターンとを備える液晶表示パネル用基板の検査方法であって、フーリエ変換赤外分光光度計により、金属パターンに赤外光を照射する照射ステップと、金属パターンにより反射された赤外光をフーリエ変換赤外分光光度計により受光して、赤外吸収スペクトルを測定する測定ステップと、赤外吸収スペクトルに基づいて、配置領域における配向膜の有無を判別する判別ステップとを少なくとも含むことを特徴とする。

同構成によれば、金属パターンにより反射された赤外光をフーリエ変換赤外分光光度計により受光して、赤外吸収スペクトルを測定することにより、配置領域における配向膜の有無を検査する構成としている。従って、フーリエ変換赤外分光光度計の顕微反射法を使用することにより、シール材の配置領域における配向膜の有無を検査することが可能になり、非接触測定により配向膜の有無を判別することが可能になる。

また、非接触測定により容易に配向膜の有無を検査することが可能であるため、シール材の配置領域において配向膜が存在する場合であっても、迅速かつ容易に配向膜を除去することができる。従って、生産性が向上するとともに、歩留まりを向上することができる。

また、金属パターンを設けて、フーリエ変換赤外分光光度計の顕微反射法を使用することにより、低コストで配向膜の有無を判別することができる。

また、シール材の配置領域に金属パターンを設けているため、外観を損なうことなく、配向膜の有無を判別することができる。

更に、種々の配向膜除去方法を検討する際に、これらの配向膜除去方法の有効性を容易に確認することができるため、配向膜除去方法の検討を容易かつ短期間で行うことが可能になる。

また、本発明の液晶表示パネル用基板の検査方法においては、判別ステップにおいて、フーリエ変換赤外分光光度計により測定された赤外吸収スペクトルと、予め記憶された他の赤外吸収スペクトルを比較することにより、配置領域における配向膜の有無を判別する構成としてもよい。

同構成によれば、フーリエ変換赤外分光光度計により測定された赤外吸収スペクトルと、予め記憶された他の赤外吸収スペクトルを比較することにより、配向膜の有無を検査するため、簡単な方法により、配向膜の有無の検査を迅速かつ正確に行うことが可能になる。

また、本発明の液晶表示パネル用基板の検査方法においては、照射ステップにおいて、入射面に平行に偏光された赤外光を７５°以上８５°以下の入射角により入射させる構成としてもよい。

同構成によれば、フーリエ変換赤外分光光度計により赤外吸収スペクトルを測定する際に、高感度反射法（または、反射吸収法）により赤外吸収スペクトルを測定することができる。従って、非常に高い感度で金属パターンの表面上に存在する薄膜（配向膜）を検出することが可能になるため、配向膜の厚みが非常に薄い場合であっても、シール材の配置領域における配向膜の有無を検査することが可能になる。

本発明によれば、シール材の配置領域における配向膜の有無を非接触測定により判別することが可能になる。また、シール材の配置領域に存在した配向膜が除去できているか否かを確実に確認することができる。また、液晶表示パネルを破壊することなく、迅速かつ容易に配向膜の有無を判別することができる。

本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの全体構成を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの等価回路図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板の全体構成を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの表示部の全体構成を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板の全体構成を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネルを構成するＣＦ基板の全体構成を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る配向膜の有無の判別方法を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る配向膜の有無の判別方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネル用基板の検査方法により測定された赤外吸収スペクトルの一例を示す図である。 本発明の実施形態に係る配向膜の有無の判別方法を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネル用基板の検査方法により測定された赤外吸収スペクトルの一例を示す図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネルにおける金属パターンを示す平面図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネル用基板の検査方法において使用するフーリエ変換赤外分光光度計における赤外吸収スペクトルの測定方法の変形例を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネル用基板の検査方法において使用するフーリエ変換赤外分光光度計における赤外吸収スペクトルの測定方法の変形例を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る液晶表示パネルにおける金属パターンの変形例を示す平面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。

図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。また、図３は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの等価回路図であり、図４は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板の全体構成を示す断面図である。また、図５は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの表示部の全体構成を示す断面図であり、図６は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板の全体構成を示す断面図である。また、図７は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルを構成するＣＦ基板の全体構成を示す断面図である。

図１、図２に示す様に、液晶表示パネル１は、第１基板（液晶表示パネル用基板）であるＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向する第２基板（液晶表示パネル用基板）であるＣＦ基板２０と、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の間に設けられた表示媒体層である液晶層２５とを備えている。また、液晶表示パネル１は、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板との間に狭持され、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０を互いに接着するとともに液晶層２５を封入するために枠状に設けられたシール材２６とを備えている。このシール材２６は、液晶層２５を周回するように形成されており、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０は、このシール材２６を介して相互に貼り合わされている。

また、図１に示すように、液晶表示パネル１では、ＴＦＴ基板１０がその上辺においてＣＦ基板２０よりも突出しており、その突出した領域には、後述するゲート線やソース線などの複数の配線３６が引き出されるとともに、配線３６に接続され、液晶表示パネル１を駆動するための複数の端子３７が設けられた端子領域Ｔが構成されている。

また、液晶表示パネル１では、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０が重なる領域に画像表示を行う表示領域（または、中央領域）Ｈが規定されている。ここで、表示領域Ｈは、画像の最小単位である画素がマトリクス状に複数配列して構成されている。

また、ＴＦＴ基板１０には、表示領域Ｈの周りに形成されるとともに、表示に寄与しない額縁領域Ｆを有している。この額縁領域Ｆは、図１に示すように、表示領域Ｈの周囲において枠状に形成されている。

なお、シール材２６は、図１に示すように、表示領域Ｈの周囲全体を囲む矩形枠状に設けられている。このシール材２６の枠幅Ｚは、特に限定されないが、例えば、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定できる。

また、液晶層２５は、例えば、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。

ＴＦＴ基板１０は、図３、図４に示すように、ガラス基板やプラスチック基板等の絶縁基板６と、当該絶縁基板６上に互いに平行に延設された複数のゲート線１１と、各ゲート線１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２とを備えている。また、ＴＦＴ基板１０は、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延設された複数のソース線１４と、各ゲート線１１及び各ソース線１４の交差部分毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ソース線１４及び各ＴＦＴ５を覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１６からなる層間絶縁膜３８とを備えている。また、ＴＦＴ基板１０は、第２層間絶縁膜１６上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５の各々に接続された複数の画素電極１９と、各画素電極１９を覆うように設けられた配向膜９とを有している。

また、ＴＦＴ５は、図４に示すように、各ゲート線１１が側方に突出したゲート電極１７と、ゲート電極１７を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上でゲート電極１７に重なる位置において島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上で互いに対峙するように設けられたソース電極１８及びドレイン電極４６とを備えている。ここで、ソース電極１８は、各ソース線１４が側方に突出した部分である。また、ドレイン電極４６は、図４に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１６に形成されたコンタクトホール３０を介して画素電極１９に接続されている。また、画素電極１９は、図５に示すように、第２層間絶縁膜１６上に設けられた透明電極３１と、透明電極３１上に積層され、透明電極３１の表面上に設けられた反射電極３２とにより構成されている。また、半導体層１３は、図４に示すように、下層の真性アモルファスシリコン層１３ａと、その上層のリンがドープされたｎ^＋アモルファスシリコン層１３ｂとを備え、ソース電極１８及びドレイン電極４６から露出する真性アモルファスシリコン層１３ａがチャネル領域を構成している。

なお、ＴＦＴ基板１０の構成は、これに限られず、例えば、ゲート絶縁膜１２の下層に下地絶縁膜を設けても良く、また、第１層間絶縁膜１５と第２層間絶縁膜１６の上層に保護膜や有機絶縁膜を設けても良い。

また、ＴＦＴ基板１０及びそれを備えた液晶表示パネル１の表示部では、図５に示すように、反射電極３２により反射領域Ｒが規定され、反射電極３２から露出する透明電極３１により透過領域Ｔが規定されている。

また、画素電極１９の下層の第２層間絶縁膜１６の表面は、図５に示すように、凹凸状に形成されており、第２層間絶縁膜１６の表面に透明電極３１を介して設けられた反射電極３２の表面も凹凸状に形成されている。

なお、上述の反射領域Ｒは、必ずしも規定する必要はなく、透過領域Ｔのみを規定する構成としても良い。

第１層間絶縁膜１５を構成する材料としては、特に限定されず、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））等が挙げられる。また、第１層間絶縁膜１５の厚みは、６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましい。これは、第１層間絶縁膜１５の厚みが６００ｎｍ未満の場合は、第１層間絶縁膜１５を平坦化することが困難になるという不都合が生じる場合があるためであり、１０００ｎｍより大きい場合は、エッチングにより、コンタクトホール３０を形成することが困難になるという不都合が生じる場合があるためである。

ＣＦ基板２０は、図５に示すように、ガラス基板やプラスチック基板等の絶縁基板２１と、絶縁基板２１上に設けられたカラーフィルター層２２と、カラーフィルター層２２の反射領域Ｒにおいて、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔにおける光路差を補償するための透明層２３とを備えている。また、ＣＦ基板２０は、カラーフィルター層２２の透過領域Ｔ及び透明層２３（即ち、反射領域Ｒ）覆うように設けられた共通電極２４と、共通電極２４上に柱状に設けられたフォトスペーサ２９と、共通電極２４及びフォトスペーサ２９を覆うように設けられた配向膜４８とを有している。なお、カラーフィルター層２２には、各画素に対して設けられた赤色層Ｒ、緑色層Ｇ、および青色層Ｂの着色層２８と、遮光膜であるブラックマトリクス２７とが含まれる。ブラックマトリクス２７は、隣接する着色層２８の間に設けられ、これら複数の着色層２８を区画する役割を有するものである。また、図５に示すように、ブラックマトリクス２７は、フォトスペーサ２９を介して、ＴＦＴ基板１０が有する層間絶縁膜３９に対向して配置されている。

なお、フォトスペーサ２９は、例えば、アクリル系の感光性樹脂からなり、フォトリソグラフィー法により形成される。

また、ブラックマトリクス２７は、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）などの金属材料、カーボンなどの黒色顔料が分散された樹脂材料、または、各々、光透過性を有する複数色の着色層が積層された樹脂材料などにより形成される。

なお、ＣＦ基板２０の構成は、これに限られず、例えば、ブラックマトリクス２７の上層に保護膜を設ける構成としても良い。

また、配向膜９，４８は、図５に示すように、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の各々の液晶層２５側に設けられており、液晶層２５の配向を規制するためのものである。また、この配向膜９，４８は、例えば、ポリイミド樹脂からなり、フレキソ法としてのフレキソ印刷（転写法印刷）やスピンコート法等の印刷法、液状の材料を液滴として吐出する液滴吐出法により形成される。

また、配向膜９，４８の厚みは、表示領域Ｈにおいては、２００ｎｍ程度であり、表示領域Ｈ以外のシール材２６の配置領域３５近傍においては、数ｎｍ〜数十ｎｍである。

上記構成の半透過型の液晶表示パネル１は、反射領域ＲにおいてＣＦ基板２０側から入射する光を反射電極３２で反射するとともに、透過領域ＴにおいてＴＦＴ基板１０側から入射するバックライト（不図示）からの光を透過するように構成されている。

液晶表示パネル１は、各画素電極毎に１つの画素が構成されており、各画素において液晶層２５に所定の大きさの電圧を印加させることにより、液晶層２５の配向状態を変えるとともに、例えば、バックライトから入射する光の透過率を調整することにより画像が表示される。

また、本実施形態においては、図２、図６、図７に示すように、シール材２６の配置領域３５において、反射部材である金属パターン２が設けられている。

この金属パターン２は、シール材２６の配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別するための判別用マークであり、後述のごとく、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ装置）から出射された赤外光をフーリエ変換赤外分光光度計へと反射することにより、シール材２６の配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別するためのものである。

金属パターン２を形成する材料としては、赤外光を反射するものであれば、特に限定はされないが、金属２を安価かつ容易に形成するとの観点から、例えば、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等の上述のゲート線１１やソース線１４を形成する材料を使用することができる。

また、図１、図２に示すように、この金属パターン２は、上述のシール材２６と同様に、液晶層２５を周回するように形成されており、シール材２６の幅方向Ｘにおいて、金属パターン２の内周面（即ち、幅方向Ｘにおいて、液晶層２５側の面）２ａの位置がシール材２６の内周面（即ち、幅方向Ｘにおいて、液晶層２５側の面）２６ａの位置と一致するように配置されている。

また、図１、図２に示すように、シール材２６の幅方向Ｘにおいて、金属パターン２の外周面（即ち、幅方向Ｘにおいて、液晶層２５側と反対側の面）２ｂは、シール材２６の外周面（即ち、幅方向Ｘにおいて、液晶層２５側と反対側の面）２６ｂよりもよりも内側（液晶層２５側）に配置されている。

即ち、金属２は、シール材２６の幅方向Ｘにおいて、シール材２６の内周面２６ａの位置からシール材２６の外周面２６ｂに向けて延設されている。

換言すると、図６、図７に示すように、シール材２６を介して相互に貼り合わせる前（即ち、シール材２６を形成する前）のＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０においては、シール材２６の配置領域３５の幅方向（即ち、シール材２６の幅方向）Ｘにおいて、金属パターン２の内周面２ａの位置が配置領域３５の内周面（即ち、幅方向Ｘにおいて、液晶層２５側の面）３５ａの位置と一致するように配置されている。即ち、金属パターン２は、配置領域３５において、金属パターン２の内周面２ａと配置領域３５の内周面３５ａとが同一平面となるように配置されている。

また、図１、図２、図６、図７に示すように、金属パターン２は、配置領域３５の内周面３５ａに沿って枠状に設けられている。

また、図６、図７に示すように、配置領域３５の幅方向Ｘにおいて、金属２の外周面２ｂは、配置領域３５の外周面（即ち、幅方向Ｘにおいて、液晶層２５側と反対側の面）３５ｂよりもよりも内側（液晶層２５側）に配置されている。

即ち、金属パターン２は、配置領域３５の幅方向Ｘにおいて、配置領域３５の内周面３５ａの位置から配置領域３５の外周面側３５ｂに向けて延設されている。

金属パターン２の厚みＣは、配向膜９，４８を金属パターン２の内周面２ａの位置で確実に塞き止めるとの観点から、配向膜９，４８の膜厚（例えば、２００ｎｍ）より厚い（例えば、５００ｎｍ程度）であることが好ましい。一般に、表示領域以外のシール材配置領域近傍の配向膜の厚みは、２００ｎｍより薄くなるので（数ｎｍ〜数十ｎｍ）、５００ｎｍ程度の厚みがあれば、充分効果は期待できる。

また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とをシール材２６で貼り合せる際に、金属パターン２の厚みによって貼り合わせが阻害されるという不都合を回避するとの観点から、金属パターン２の厚みＣは、液晶表示パネル１の厚み方向ＹにおけるＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間の距離Ｄ（一般に、約３μｍ）よりも薄ければ良い。即ち、Ｃ＜Ｄの関係が成立することが好ましい。

また、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ装置）において、金属パターン２の表面により反射された赤外光の検出精度を向上させるとの観点から、金属パターン２の幅Ｐは、５０μｍ以上（即ち、配置領域３５の内周面３５ａから外周面３５ｂ側へ向けて５０μｍ以上）あることが好ましい。

また、本実施形態においては、シール材２６の配置領域３５の幅Ｗは、上述のシール材２６の枠幅Ｚと同様に、例えば、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下に設定することができる。

また、フーリエ変換赤外分光光度計から出射された赤外光を確実に反射するとの観点から、金属パターン２は、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の各々において、最上層に設ける必要がある。従って、図６に示すＴＦＴ基板１０においては、配向膜９が設けられる層間絶縁膜３８上に金属パターン２が設けられ、また、同様に、図７に示すＣＦ基板２０においては、配向膜４８が設けられるブラックマトリクス２７上に金属パターン２が設けられている。

次に、液晶表示パネル用基板であるＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の検査方法（即ち、シール材の配置領域における配向膜の有無の判別方法）について説明する。図８は、本発明の実施形態に係る配向膜の有無の判別方法を説明するための図であり、図９は、本発明の実施形態に係る配向膜の有無の判別方法を説明するためのフローチャートである。なお、ここでは、ＴＦＴ基板１０のシール材の配置領域における配向膜の有無の判別方法を例に挙げて説明する。

図８に示すように、本実施形態の液晶表示パネル１の判別装置４０は、フーリエ変換赤外分光光度計４と、フーリエ変換赤外分光光度計４に接続されたＡ／Ｄ変換器７と、Ａ／Ｄ変換器７に接続されるとともに、配向膜９を形成する樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）の赤外吸収スペクトルを測定するためのスペクトル測定手段８とを備えている。また、判別装置４０は、スペクトル測定手段８に接続されるとともに、シール材２６の配置領域３５における配向膜９の有無を判別するための配向膜判別手段４１と、配向膜判別手段４１に接続されるとともに、配向膜９の有無を判別するための所定のデータが記憶された記憶手段４２とを備えている。

そして、シール材２６の配置領域３５における配向膜９の有無を判別する際には、まず、フーリエ変換赤外分光光度計４により、金属パターン２に向けて出射された赤外光４３が、金属パターン２の表面２ｃに照射される（ステップＳ１）。

なお、ＴＦＴ基板１０が載置されるとともに、当該ＴＦＴ基板１０を支持するステージ４５を設けるとともに、当該ステージを可動自在に設けて、フーリエ変換赤外分光光度計４により出射された赤外光４３を、金属パターン２の表面２ｃに確実に照射させる構成としても良い。

そして、金属パターン２の表面２ｃ上で赤外光４３は１００％近く反射され、反射された赤外光４４が、再度、フーリエ変換赤外分光光度計４に設けられた検出器の受光面に投影され、金属パターン２により反射された赤外光４４をフーリエ変換赤外分光光度計４により受光する（ステップＳ２）。

より具体的には、フーリエ変換赤外分光光度計４の光源から出射された赤外光４３が、フーリエ変換赤外分光光度計４に設けられるとともに、目的の領域（即ち、金属パターン２が設けられた領域）に絞られたアパーチャを通過した後に、金属パターン２の表面２ｃで反射され、再びアパーチャを通過することにより、回析光を除去する仕組みとなっている。即ち、アパーチャ、金属パターン２、アパーチャの順番で透過した赤外光が検出器の受光面に投影される構成となっている。

次いで、検出器の受光面に投影された赤外光４４のデータは、Ａ／Ｄ変換器７によってアナログ信号からデジタル信号に変換される（ステップＳ３）。次いで、変換されたデジタル信号は、スペクトル測定手段８に入力されるとともに（ステップＳ４）、当該スペクトル測定手段８により、入力されたデジタル信号がフーリエ変換されて、赤外吸収スペクトルが測定される（ステップＳ５）。

ここで、図８に示すように、シール材２６の配置領域３５におけて配向膜９が存在しない場合（即ち、配向膜９が、金属パターン２の内周面２ａを超えて、シール材２６の配置領域３５に進入していない場合）、赤外光４３が照射される金属パターン２の表面２ｃに配向膜９が存在しないため、図１０に示すように、スペクトル測定手段８により測定された赤外吸収スペクトルにおいて、配向膜９の成分（即ち、ポリイミド樹脂の成分）が出現せず、ピークが存在しない赤外吸収スペクトルが測定されることになる。

一方、図１１に示すように、シール材２６の配置領域３５におけて配向膜９が存在する場合（即ち、配向膜９が、金属パターン２の内周面２ａを超えて、シール材２６の配置領域３５に進入している場合）、赤外光４３が照射される金属パターン２の表面２ｃに配向膜９が存在するため、金属パターン２の表面２ｃに照射された赤外光４３が、配向膜９の成分（即ち、ポリイミド樹脂）により吸収される。従って、図１２に示すように、スペクトル測定手段８により測定された赤外吸収スペクトルにおいて、配向膜９の成分（即ち、ポリイミド樹脂の成分）が出現し、ピークが存在する赤外吸収スペクトルが測定されることになる。

なお、シール材２６の配置領域３５におけて配向膜９が存在する場合は、フーリエ変換赤外分光光度計４により出射された赤外光４３が配向膜９を透過し、金属パターン２の表面２ｃに到達する。そして、金属パターン２の表面２ｃ上で赤外光４３は１００％近く反射され、反射された赤外光４４が、再度、配向膜９を透過した後、フーリエ変換赤外分光光度計４に設けられた検出器の受光面に投影される。

より具体的には、フーリエ変換赤外分光光度計４の光源から出射された赤外光４３が、上述のアパーチャを通過した後に、配向膜９を透過し、金属パターン２の表面２ｃで反射された後、再びアパーチャを通過することにより、回析光を除去する仕組みとなっている。即ち、アパーチャ、配向膜９、金属パターン２、配向膜９、アパーチャの順番で透過した赤外光が検出器の受光面に投影される構成となっている。

次いで、測定された赤外吸収スペクトルのデータは、配向膜判別手段４１に入力される（ステップＳ６）。また、配向膜判別手段４１には、配向膜９を形成する樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）の赤外吸収スペクトルのデータが記憶された記憶手段４２が接続されている。

そして、配向膜判別手段４１は、フーリエ変換赤外分光光度計４により測定された赤外吸収スペクトルに基づいて、シール材２６の配置領域３５におけて配向膜９が存在するか否かを判別する。

より具体的には、配向膜判別手段４１は、記憶手段４２から配向膜９を形成する樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）の赤外吸収スペクトルのデータを読み出すとともに、測定された赤外吸収スペクトルのデータと予め記憶された配向膜９を形成する樹脂の赤外吸収スペクトルデータを比較する（ステップＳ７）。そして、測定された赤外吸収スペクトルのデータと、記憶手段４２から読み出した配向膜９を形成する樹脂の赤外吸収スペクトルのデータとが一致するか否かを判別する（ステップＳ８）。

即ち、配向膜判別手段４１は、フーリエ変換赤外分光光度計４により測定された赤外吸収スペクトルと、記憶手段４２に予め記憶された赤外吸収スペクトルを比較することにより、シール材２６の配置領域３５における配向膜９の有無を判別する構成となっている。

例えば、図１１に示すように、シール材２６の配置領域３５におけて配向膜９が存在する場合は、図１２に示すように、フーリエ変換赤外分光光度計４により測定された赤外吸収スペクトルが、ポリイミド樹脂の赤外吸収スペクトルとなり、記憶手段４２から読み出した配向膜９を形成する樹脂（即ち、ポリイミド樹脂）の赤外吸収スペクトルのデータと一致するため、配向膜判別手段４１は、シール材２６の配置領域３５に配向膜９が存在すると判別する（ステップＳ９）。

一方、図８に示すように、シール材２６の配置領域３５におけて配向膜９が存在しない場合は、図１０に示すように、フーリエ変換赤外分光光度計４により測定された赤外吸収スペクトルは、ピークの存在しない赤外吸収スペクトルとなり、記憶手段４２から読み出した配向膜９を形成する樹脂（即ち、ポリイミド樹脂）の赤外吸収スペクトルのデータと一致しないため、配向膜判別手段４１は、シール材２６の配置領域３５に配向膜９が存在しないと判別する（ステップＳ１０）。

なお、シール材２６の配置領域３５に配向膜９が存在すると判別した場合、シール材２６の配置領域３５に存在した配向膜９の除去を行った後、再度、上述のステップＳ１〜ステップＳ１０により、シール材２６の配置領域３５における配向膜９の有無の判別（即ち、シール材２６の配置領域３５に存在した配向膜９が除去できているか否かの判別）を行い、シール材２６の配置領域３５に配向膜９が存在しないことを確認する。

また、本実施形態のフーリエ変換赤外分光光度計においては、有機化合物分子の官能基が赤外線を吸収しやすい波長として、中赤外波長領域（波長が２．５μｍ〜２５μｍ）で測定することが好ましい。

また、波数値（波長の逆数）は、４０００ｃｍ^−１〜６５０ｃｍ^−１が好ましい。この波数値の範囲においては、ポリイミド樹脂だけでなく、大半の有機物の同定が可能となるため、低波数領域（６５０ｃｍ^−１〜４００ｃｍ^−１）は必要ないと言える。

更に、ＦＴ−ＩＲの検出器の中では、比較的感度の高いＭＣＴ（水銀−カドミウム−テルル）検出器を使用することが好ましい。なお、ＭＣＴ検出器においては、測定可能な波数領域は４０００ｃｍ^−１〜６５０ｃｍ^−１であり、上述の低波数領域側（６５０ｃｍ^−１〜４００ｃｍ^−１）の検出能力がないため、ＭＣＴ検出器を使用する場合においても、この低波数領域（６５０ｃｍ^−１〜４００ｃｍ^−１）は必要ないと言える。

また、測定時の分解能としては、例えば、４ｃｍ^−１、積算回数は３２回とし、図１３に示すように、１回の測定エリアＥは、幅５０μｍ×長さ５０μｍに設定することができる。このような設定の場合、測定時間は約２分となり、非常に短時間で測定することが可能になる。

このように、本実施形態においては、シール材２６と同様に、金属パターン２を配置領域３５の内周面３５ａに沿って枠状に設けて、液晶層２５を周回するように金属パターン２を形成することにより、シール材２６の配置領域３５の全体に渡って、当該配置領域３５の任意の位置において、配向膜９の存在の有無を判別することが可能になる。

次に、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法について一例を挙げて説明する。なお、本実施形態の製造方法は、ＴＦＴ基板作製工程、ＣＦ基板作製工程、及び基板貼り合わせ工程を備える。

＜ＴＦＴ基板作製工程＞
まず、絶縁基板６の全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線１１及びゲート電極１７を厚さ４０００Å程度に形成する。

続いて、ゲート線１１及びゲート電極１７が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜１２を厚さ４０００Å程度に形成する。

さらに、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、真性アモルファスシリコン膜（厚さ２０００Å程度）、及びリンがドープされたｎ^＋アモルファスシリコン膜（厚さ５００Å程度）を連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィによりゲート電極１７上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びｎ^＋アモルファスシリコン層が積層された半導体形成層を形成する。

そして、上記半導体形成層が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜及びチタン膜などを順に成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線１４、ソース電極１８及びドレイン電極４６を厚さ２０００Å程度に形成する。

続いて、ソース電極１８及びドレイン電極４６をマスクとして上記半導体形成層のｎ^＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル領域をパターニングして、半導体層１３及びそれを備えたＴＦＴ５を形成する。

さらに、ＴＦＴ５が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、窒化シリコン膜などを成膜し、第１層間絶縁膜１５を厚さ４０００Å程度に形成する。

そして、第１層間絶縁膜１５が形成された基板全体に、スピンコート法により、例えば、ポジ型の感光性樹脂を厚さ３μｍ程度に塗布し、その塗布された感光性樹脂を、複数の円形状の遮光部が互いに離間してランダムに形成された第１のフォトマスクを介して均一に且つ相対的に低照度で露光する。続いて、ドレイン電極４６上のコンタクトホール３０に対応する位置に開口部がそれぞれ形成された第２のフォトマスクを介して均一に且つ相対的に高照度で露光した後に、現像する。これにより、上述した高照度の露光部分の感光性樹脂は、完全に除去され、同低照度の露光部分の感光性樹脂は、塗布厚の４０％程度が残膜し、未露光部分の感光性樹脂は、塗布厚の８０％程度が残膜することになる。さらに、感光性樹脂が現像された基板を２００℃程度に加熱して、感光性樹脂を熱だれさせることにより、反射領域Ｒの表面がなめらかな凹凸状になった第２層間絶縁膜１６を形成する。その後、第２層間絶縁膜１６から露出する第１層間絶縁膜１５をエッチングして、コンタクトホール３０を形成する。

次いで、第２層間絶縁膜１６上の基板全体に、ＩＴＯ膜などからなる透明導電膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、絶縁基板６に透明電極３１を厚さ１０００Å程度に形成する。

次いで、透明電極３１が形成された基板全体に、モリブデン膜（厚さ７５０Å程度）及びアルミニウム膜（厚さ１０００Å程度）をスパッタリング法により順に成膜する。その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、反射領域Ｒにおいて、透明電極３１の表面上に反射電極３２を形成して、透明電極３１及び反射電極３２を備えた画素電極１９を形成する。

次いで、層間絶縁膜３８の全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、シール材２６の配置領域３５において金属パターン２を枠状に所定の厚さ（例えば、５００ｎｍ程度）で形成する。

次いで、基板全体を洗浄した後、画素電極１９が形成された基板全体に、印刷法等によりポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜９を厚さ２００ｎｍ程度に形成する。

次いで、上述のステップＳ１〜ステップＳ１０において説明した判別方法により、シール材２６の配置領域３５における配向膜９の有無の判別を行う。

この際、上述のステップＳ１０において説明したように、配向膜判別手段４１が、シール材２６の配置領域３５に配向膜９が存在しないと判別した場合は、ＴＦＴ基板１０の作製工程が終了する。

一方、上述のステップＳ９において説明したように、配向膜判別手段４１が、シール材２６の配置領域３５に配向膜９が存在すると判別した場合は、シール材２６の配置領域３５に存在する（即ち、金属パターン２の表面２ｃに存在する）配向膜９を除去する。

なお、配向膜９の除去方法としては、どのような方法でも良く、例えば、レーザー除去法、プラズマ除去法、水溶性レジストを用いたリフトオフ法を使用することができる。そして、シール材２６の配置領域３５に存在した配向膜９の除去後、再度、上述のステップＳ１〜ステップＳ１０により、シール材２６の配置領域３５における配向膜９の有無の判別（即ち、シール材２６の配置領域３５に存在した配向膜９が除去できているか否かの判別）を行う。そして、シール材２６の配置領域３５に配向膜９が存在しないことを確認し、ＴＦＴ基板１０の作製工程が終了する。

また、上述のごとく、シール材２６の配置領域３５の幅方向Ｘにおいて、金属パターン２を、金属パターン２の内周面２ａの位置が配置領域３５の内周面３５ａの位置と一致するように配置する（即ち、配置領域３５において、金属パターン２の内周面２ａと配置領域３５の内周面３５ａとを同一平面に配置する）ことにより、図６、図８に示すように、配向膜９を金属パターン２の内周面２ａ（即ち、シール材２６の配置領域３５の内周面３５ａ）の位置で塞き止めて、配向膜９がシール材２６の配置領域３５に形成されることを効果的に抑制することができる。

以上のようにして、ＴＦＴ基板１０を作製することができる。

＜ＣＦ基板作成工程＞
まず、ガラス基板などの絶縁基板２１の基板全体に、スピンコート法により、例えば、カーボン微粒子などの黒色顔料が分散されたポジ型の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像及び加熱することにより、ブラックマトリクス２７を厚さ２．０μｍ程度に形成する。

続いて、ブラックマトリクス２７が形成された基板上に、例えば、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することによりパターニングして、選択した色の着色層（例えば、赤色層Ｒ）２８を厚さ２．０μｍ程度に形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、他の２色の着色層（例えば、緑色層Ｇ及び青色層Ｂ）２８を厚さ２．０μｍ程度に形成して、赤色層Ｒ、緑色層Ｇ及び青色層Ｂを備えたカラーフィルター層２２を形成する。

次いで、カラーフィルター層２２が形成された基板上に、スピンコート法により、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、透明層２３を厚さ２μｍ程度に形成する。

次いで、透明層２３が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、共通電極２４を厚さ１５００Å程度に形成する。

次いで、共通電極２４が形成された基板全体に、スピンコート法により、アクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、フォトスペーサ２９を厚さ４μｍ程度に形成する。

次いで、ブラックマトリクス２７の全体に、スパッタリング法により、例えば、チタン膜、アルミニウム膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、シール材２６の配置領域３５において金属パターン２を枠状に所定の厚さ（例えば、５００ｎｍ程度）で形成する。

次いで、基板全体を洗浄した後、共通電極２４が形成された基板全体に、印刷法等によりポリイミド樹脂を塗布し、配向膜４８を厚さ２００ｎｍ程度に形成する。

次いで、上述のステップＳ１〜ステップＳ１０において説明した判別方法により、シール材２６の配置領域３５における配向膜４８の有無の判別を行う。

この際、上述のステップＳ１０において説明したように、配向膜判別手段４１が、シール材２６の配置領域３５に配向膜４８が存在しないと判別した場合は、ＣＦ基板２０の作製工程が終了する。

一方、上述のステップＳ９において説明したように、配向膜判別手段４１が、シール材２６の配置領域３５に配向膜４８が存在すると判別した場合は、シール材２６の配置領域３５に存在する（即ち、金属パターン２の表面２ｃに存在する）配向膜４８を、上述したレーザー除去法、プラズマ除去法、水溶性レジストを用いたリフトオフ法等により除去する。そして、配向膜４８の除去後、再度、上述のステップＳ１〜ステップＳ１０により、シール材２６の配置領域３５における配向膜４８の有無の判別を行い、シール材２６の配置領域３５に配向膜４８が存在しないことを確認し、ＣＦ基板２０の作製工程が終了する。

なお、この場合も、上述のごとく、シール材２６の配置領域３５の幅方向Ｘにおいて、金属パターン２を、金属パターン２の内周面２ａの位置が配置領域３５の内周面３５ａの位置と一致するように配置することにより、図７に示すように、配向膜４８を金属パターン２の内周面２ａ（即ち、シール材２６の配置領域３５の内周面３５ａ）の位置で塞き止めて、配向膜４８がシール材２６の配置領域３５に形成されることを効果的に抑制することができる。

以上のようにして、ＣＦ基板２０を作製することができる。

＜貼り合わせ工程＞
まず、例えば、ディスペンサを用いて、上記ＣＦ基板作製工程で作製されたＣＦ基板２０のシール材２６の配置領域３５に、紫外線硬化型樹脂により構成されたシール材２６を枠状に描画する。

この際、シール材２６は、図１、図２に示すように、液晶層２５を周回するように形成されるとともに、シール材２６の幅方向Ｘにおいて、ＣＦ基板２０に形成された金属パターン２の内周面２ａの位置がシール材２６の内周面２６ａの位置と一致するように、かつ金属パターン２を被覆するように形成される。

次いで、上記シール材２６が描画されたＣＦ基板２０におけるシール材２６の内側の領域に液晶材料を滴下する。

さらに、上記液晶材料が滴下されたＣＦ基板２０と、上記ＴＦＴ基板作製工程で作製されたＴＦＴ基板１０とを、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、その貼合体の表面及び裏面を加圧する。

この際、図１、図２に示すように、シール材２６は、シール材２６の幅方向Ｘにおいて、ＴＦＴ基板１０に形成された金属パターン２の内周面２ａの位置がシール材２６の内周面２６ａの位置と一致するように、かつ金属パターン２を被覆するように配置される。

次いで、上記貼合体に挟持されたシール材２６にＵＶ光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材２６を硬化させる。

以上のようにして、図１に示す液晶表示パネル１を作製することができる。

なお、貼り合わせ工程において、液晶材料を注入する方法として、真空注入法を使用する場合は、まず、ＣＦ基板２０のシール材２６の配置領域３５に、熱硬化型樹脂（例えば、エポキシ樹脂）により構成されたシール材２６を枠状に描画する。その後、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０の表示領域Ｈが重なり合うように、シール材２６が形成されたＣＦ基板２０上に、ＴＦＴ基板１０を重ね合わせ、シール材２６を介して、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０を貼り合わせる。

次いで、加熱処理（例えば、エポキシ樹脂を使用した場合は、２００℃に加熱処理）により、シール２６を硬化させる。その後、真空雰囲気で、シール材２６に形成された液晶材料注入口（不図示）を液晶材料に接触させ、大気雰囲気に戻して、液晶材料注入口から液晶材料をシール材２６の内側に注入することにより、シール材２６の内側に液晶層２５を形成して、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを貼り合わせる。なお、液晶材料を注入後、液晶材料注入口を紫外線硬化型樹脂等の封止材により封止する。

以上に説明した本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態においては、シール材２６の配置領域３５に、フーリエ変換赤外分光光度計４から出射された赤外光４３をフーリエ変換赤外分光光度計４へと反射して、配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別するための金属パターン２を設ける構成としている。従って、フーリエ変換赤外分光光度計４の顕微反射法を使用することができるため、フーリエ変換赤外分光光度計４により測定された赤外吸収スペクトルに基づいて、シール材２６の配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別することが可能になり、非接触測定により配向膜９，４８の有無を判別することが可能になる。

（２）特に、シール材２６の配置領域３５に存在した配向膜９，４８を除去した後に、シール材２６の配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別することができるため、シール材２６の配置領域３５に存在した配向膜９，４８が除去できているか否かを確実に確認することができる。

（３）また、光学顕微鏡を使用した目視による確認と異なり、配向膜９，４８の有無の判別に個人差が生ぜず、また、液晶表示パネル１を破壊することなく、配向膜９，４８の有無を判別することができる。

（４）また、非接触測定により容易に配向膜９，４８の有無を判別することが可能であるため、シール材２６の配置領域３５において配向膜９，４８が存在する場合であっても、迅速かつ容易に配向膜９，４８を除去することができる。従って、生産性が向上するとともに、歩留まりを向上することができる。

（５）また、金属パターン２を設けて、フーリエ変換赤外分光光度計４の顕微反射法を使用することにより、低コストで配向膜９，４８の有無を判別することができる。

（６）また、シール材２６の配置領域３５に金属パターン２を設けているため、外観を損なうことなく、配向膜９，４８の有無を判別することができる。

（７）本実施形態においては、金属パターン２を、金属パターン２の内周面２ａと配置領域３５の内周面３５ａとが同一平面となるように配置する構成としている。従って、配向膜９，４８を金属パターン２の内周面２ａの位置で塞き止めて、配向膜９，４８がシール材２６の配置領域３５に形成されることを効果的に抑制することができる。

（８）本実施形態においては、金属パターン２を、配置領域３５の内周面３５ａに沿って枠状に設ける構成としている。従って、シール材２６の配置領域３５の全体に渡って、非接触測定により配向膜９，４８の有無を判別することが可能になる。

（９）本実施形態においては、金属パターン２の幅Ｐを、５０μｍ以上に設定する構成としている。従って、フーリエ変換赤外分光光度計４において、金属パターン２の表面２ｃにより反射された赤外光の検出精度を向上させることが可能になる。

（１０）本実施形態においては、金属パターン２の厚みをＣ、液晶表示パネル１の厚み方向ＹにおけるＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間の距離をＤとした場合、Ｃ＜Ｄの関係が成立する構成としている。従って、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とをシール材２６で貼り合せる際に、金属パターン２の厚みによって貼り合わせが阻害されるという不都合を回避でき、製造条件を変更することなく液晶表示パネル１を生産することが可能になる。

（１１）本実施形態においては、金属パターン２を、タンタル、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、銅、アルミニウムからなる群により選ばれる１種により形成する構成としている。従って、安価かつ汎用性のある金属材料により、金属パターン２を形成することができる。

（１２）本実施形態においては、金属パターン２により反射された赤外光４４をフーリエ変換赤外分光光度計４により受光して、赤外吸収スペクトルを測定し、測定された赤外吸収スペクトルに基づいて、配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別する構成としている。従って、種々の配向膜除去方法を検討する際に、これらの配向膜除去方法の有効性を容易に確認することができるため、配向膜除去方法の検討を容易かつ短期間で行うことが可能になる。

（１３）本実施形態においては、フーリエ変換赤外分光光度計４により測定された赤外吸収スペクトルと、予め記憶された他の赤外吸収スペクトルを比較することにより、配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別する構成としている。従って、簡単な方法により、配向膜９，４８の有無の検査を迅速かつ正確に行うことが可能になる。

なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。

フーリエ変換赤外分光光度計により赤外吸収スペクトルを測定する際に、高感度反射法（または、反射吸収法）により分析対象である金属パターン２の表面２ｃの赤外吸収スペクトルを測定する構成としても良い。

この高感度反射法においては、図１４、図１５に示すように、金属パターン２の表面２ｃに、入射面（金属パターン２に対する垂線５１と入射光である赤外光５０とにより形成される平面）に平行に偏光された赤外光（Ｐ偏光）５０を所定の入射角（垂線５１と赤外光５０とのなす角）θ（７５°≦θ≦８５°）で入射させる。そして、金属パターン２の表面２ｃ上で反射された赤外光５０が、再度、フーリエ変換赤外分光光度計４に設けられた検出器の受光面に投影され、上述のステップＳ１〜Ｓ１０と同様にして、シール材２６の配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別する。

この高感度測定法では、赤外光の電場ベクトルの振動方向（偏光方向）が入射面に平行であるため、図１５に示すように、入射光（即ち、赤外光５０）の電場ベクトルＶ_１と反射光（赤外光５２）の電場ベクトルＶ_２が金属パターン２の表面２ｃで強め合い、金属パターン２の表面２ｃに垂直な定常振動電場を形成することができる。

また、赤外光５０の入射角θを、７５°≦θ≦８５°に設定しているため、金属パターン２の表面２ｃに形成された配向膜９，４８の内部を透過する赤外光５０の距離を長くすることができる。

従って、非常に高い感度で金属パターン２の表面２ｃ上に存在する薄膜（即ち、配向膜９，４８）を検出することが可能になるため、配向膜９，４８の厚みが非常に薄い（例えば、数ｎｍ〜数十ｎｍ）場合であっても、シール材２６の配置領域３５における配向膜９，４８の有無を判別することが可能になる。

また、図１６に示すように、金属パターン２に、ゲート線やソース線などの複数の配線３６を端子領域Ｔに引き出すための配線引き出し部２ｄを形成する構成としても良い。このような構成により、金属パターン２と配線３６との接触を確実に回避して、金属パターン２と配線３６の電気的リークを回避することができる。

また、上記実施形態においては、金属パターン２をＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の双方に設ける構成としたが、当該金属パターン２を、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の少なくとも一方に設ける構成としても良い。

上記実施形態においては、画素に対して、アクティブマトリクス駆動方式によって電圧を印加する構成としたが、ＴＦＴ基板１０側に第１電極を設けるとともに、ＣＦ基板２０側に第２電極を設け、第１電極と第２電極とを互いに直交させて配置させるとともに、第１電極と第２電極とが交差する部分を画素とする単純マトリクス駆動方式によって、画素に対して電圧を印可する方式を採用しても良い。

上記実施形態においては、表示パネルとして、液晶表示パネル１を例に挙げて説明したが、例えば、有機ＥＬ表示パネル等の他の表示パネルについても、本発明を適用することができる。

本発明の活用例としては、一対の基板を所定の間隔を隔てて重ね合わせ、一対の基板の間隙に表示媒体層である液晶層を封入する液晶表示パネル、液晶表示パネル用基板の検査方法が挙げられる。

１ 液晶表示パネル
２ 金属パターン
２ａ 金属パターンの内周面
４ フーリエ変換赤外分光光度計
８ スペクトル測定手段
９ 配向膜
１０ ＴＦＴ基板（第１基板）
２０ ＣＦ基板（第２基板）
２５ 液晶層
２６ シール材
３５ シール材の配置領域
３５ａ シール材の配置領域の内周面
４１ 配向膜判別手段
４２ 記憶手段
４３ 赤外光
４４ 赤外光
４８ 配向膜
Ｃ 金属パターンの厚み
Ｄ ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間の距離
Ｐ 金属パターンの幅

Claims (11)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
   前記第１基板及び前記第２基板の間に設けられた液晶層と、
   前記第１及び第２基板の各々の前記液晶層側に設けられ、前記液晶層の配向を規制する配向膜と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に挟持され、前記第１基板及び前記第２基板を互いに接着するとともに、前記液晶層を周回するように枠状に設けられたシール材と
   を備え、
   前記シール材の配置領域には、フーリエ変換赤外分光光度計から出射された赤外光を該フーリエ変換赤外分光光度計へと反射して、前記配置領域における前記配向膜の有無を判別するための金属パターンが設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
2. 前記金属パターンは、該金属パターンの内周面と前記配置領域の内周面とが同一平面となるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 前記金属パターンは、前記配置領域の内周面に沿って枠状に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示パネル。
4. 前記金属パターンの幅が、５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
5. 前記金属パターンの厚みをＣ、前記液晶表示パネルの厚み方向における前記第１基板と前記第２基板との間の距離をＤとした場合、Ｃ＜Ｄの関係が成立することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
6. 前記金属パターンが、タンタル、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、銅、アルミニウムからなる群により選ばれる１種により形成されていること特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
7. 前記金属パターンが、前記第１及び第２基板の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
8. 単純マトリクス方式、又はアクティブマトリクス方式により駆動されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
9. 基板と、
   前記基板に設けられ、液晶層の配向を規制する配向膜と、
   前記基板におけるシール材の配置領域に設けられた金属パターンと
   を備える液晶表示パネル用基板の検査方法であって、
   フーリエ変換赤外分光光度計により、前記金属パターンに赤外光を照射する照射ステップと、
   前記金属パターンにより反射された前記赤外光を前記フーリエ変換赤外分光光度計により受光して、赤外吸収スペクトルを測定する測定ステップと、
   前記赤外吸収スペクトルに基づいて、前記配置領域における前記配向膜の有無を判別する判別ステップと
   を少なくとも含むことを特徴とする液晶表示パネル用基板の検査方法。
10. 前記判別ステップにおいて、前記フーリエ変換赤外分光光度計により測定された前記赤外吸収スペクトルと、予め記憶された他の赤外吸収スペクトルを比較することにより、前記配置領域における前記配向膜の有無を判別することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示パネル用基板の検査方法。
11. 前記照射ステップにおいて、入射面に平行に偏光された前記赤外光を７５°以上８５°以下の入射角により入射させることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の液晶表示パネル用基板の検査方法。

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