JP5147344B2 - Circuit device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は回路装置およびその製造方法に関し、特に、回路基板の上面に形成された混成集積回路がケース材により封止される構成の回路装置およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a circuit device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a circuit device having a configuration in which a hybrid integrated circuit formed on an upper surface of a circuit board is sealed with a case material and a manufacturing method thereof.

図10を参照して、ケース材111が採用された構成集積回路装置150の構成を説明する。混成集積回路装置150は、アルミニウム等の金属から成る基板101と、基板101の上面を被覆するように形成された絶縁層102と、絶縁層102の上面に形成された導電パターン103と、導電パターン103に電気的に接続されたトランジスタ等の回路素子110を備えている。そして、ケース材111および封止樹脂108により、回路素子110が封止された構成となっている。   With reference to FIG. 10, a configuration of a configuration integrated circuit device 150 in which the case material 111 is employed will be described. The hybrid integrated circuit device 150 includes a substrate 101 made of a metal such as aluminum, an insulating layer 102 formed to cover the upper surface of the substrate 101, a conductive pattern 103 formed on the upper surface of the insulating layer 102, and a conductive pattern. 103 is provided with a circuit element 110 such as a transistor electrically connected to 103. The circuit element 110 is sealed by the case material 111 and the sealing resin 108.

具体的には、ケース材111は、略額縁形状を有して基板101の側面に当接している。更に、基板101の上面に封止するための空間を確保するために、ケース材111の上端部は、基板101の上面よりも上方に位置している。そして、基板101の上方にてケース材111により囲まれる空間には封止樹脂108が充填され、この封止樹脂108により半導体素子等の回路素子110が被覆されている。この構成により、基板101が比較的大きいものであっても、ケース材111等により囲まれる空間に封止樹脂108を充填させることで、基板101の上面を組み込まれた回路素子を樹脂封止することができる。
特開2007−036014号公報
Specifically, the case material 111 has a substantially frame shape and is in contact with the side surface of the substrate 101. Further, the upper end portion of the case material 111 is positioned above the upper surface of the substrate 101 in order to secure a space for sealing on the upper surface of the substrate 101. A space surrounded by the case material 111 above the substrate 101 is filled with a sealing resin 108, and the circuit element 110 such as a semiconductor element is covered with the sealing resin 108. With this configuration, even when the substrate 101 is relatively large, the circuit element in which the upper surface of the substrate 101 is embedded is resin-sealed by filling the space surrounded by the case material 111 and the like with the sealing resin 108. be able to.
JP 2007-036014 A

上述した混成集積回路装置150では、基板101の上面にはIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等のパワートランジスタや、このパワートランジスタを駆動させるドライバICが実装されていた。そして、このドライバICを制御するマイコン等の制御素子は、混成集積回路装置150が実装される実装基板側に実装されていた。従って、実装基板側に於いて、モーター等の負荷の駆動を制御する回路の実装に必要とされる面積が大きい問題があった。   In the hybrid integrated circuit device 150 described above, a power transistor such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and a driver IC for driving the power transistor are mounted on the upper surface of the substrate 101. A control element such as a microcomputer for controlling the driver IC is mounted on the mounting board side on which the hybrid integrated circuit device 150 is mounted. Therefore, there is a problem that the area required for mounting a circuit for controlling driving of a load such as a motor is large on the mounting substrate side.

混成集積回路装置150の実装密度を向上させる構成として、ケース材111の内部に複数の基板101を重畳して設け、各々の基板101に回路素子を組み込む構成が考えられる。しかしながら、この様に複数の基板101をケース材111の内部に設け、各々の基板の上面に配置された回路素子を個別に樹脂封止することは困難であった。   As a configuration for improving the mounting density of the hybrid integrated circuit device 150, a configuration in which a plurality of substrates 101 are provided so as to overlap inside the case material 111 and a circuit element is incorporated in each substrate 101 is conceivable. However, it has been difficult to provide a plurality of substrates 101 in the case material 111 in this way and individually seal the circuit elements disposed on the upper surface of each substrate.

本発明の目的は、ケース材に積層して配置された複数の回路基板を効率的に樹脂封止することを可能とする回路装置およびその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a circuit device capable of efficiently resin-sealing a plurality of circuit boards that are stacked on a case material and a method for manufacturing the circuit device.

本発明の回路装置は、ケース材と、前記ケース材に組み込まれると共に、表面に第1導電パターンが形成された第1回路基板と、前記第1回路基板と重畳して前記ケース材に組み込まれると共に、表面に第2導電パターンが形成された第2回路基板と、前記第1回路基板に実装されて前記第1導電パターンに電気的に接続された第1回路素子と、前記第2回路基板に実装されて前記第2導電パターンに電気的に接続された第2回路素子と、前記第2回路素子が封止されるように前記第2回路基板の表面に形成された封止樹脂と、一端が前記第1回路基板の表面の前記第1導電パターンに接続され、前記第2回路基板に設けられた貫通孔を貫通して他端が外部に導出されるリードと、前記第1回路基板、前記第2回路基板および前記ケース材に囲まれる中空部と、を備え、前記リードには、前記第2回路基板の上面に実装された前記第2回路素子と電気的に接続される第1リードと、前記第2回路基板に実装された前記第2回路素子とは電気的に接続されない第2リードが含まれ、前記第1リードと前記第2回路基板の前記貫通孔との間隙に半田が充填されると共に、前記第2リードと前記貫通孔との間隙にも半田が充填されることを特徴とする。
The circuit device of the present invention is incorporated in the case material, the case material, the first circuit board having the first conductive pattern formed on the surface thereof, and the first circuit board so as to overlap with the case material. And a second circuit board having a second conductive pattern formed on the surface, a first circuit element mounted on the first circuit board and electrically connected to the first conductive pattern, and the second circuit board. A second circuit element mounted on the second conductive pattern and electrically connected to the second conductive pattern; and a sealing resin formed on a surface of the second circuit board so that the second circuit element is sealed; A lead having one end connected to the first conductive pattern on the surface of the first circuit board and penetrating through a through-hole provided in the second circuit board, the other end being led out; and the first circuit board , The second circuit board and the case material Comprising a Murrell hollow portion, the lead, the first lead being the second circuit upper surface mounted connection the second circuit element and electrically the substrate, it is mounted on the second circuit board And a second lead that is not electrically connected to the second circuit element, and a solder is filled in a gap between the first lead and the through hole of the second circuit board, and the second lead The gap between the through hole is filled with solder .

本発明の回路装置の製造方法は、表面に第1導電パターンおよび第1回路素子が組み込まれると共に、前記第1導電パターンから成るパッドにリードが固着された第1回路基板を、ケース材に組み込む工程と、表面に第2導電パターンおよび第2回路素子が組み込まれると共に貫通孔が形成された第2回路基板を、前記リードを前記貫通孔に貫通させて前記ケース材に組み込み、前記第1回路基板、前記第2回路基板および前記ケース材に囲まれる中空部を形成する工程と、前記第2導電パターンおよび前記第2回路素子が被覆されるように、前記第2回路基板の表面に封止樹脂を形成する工程と、を具備し、前記リードには、前記第2回路基板の上面に実装された前記第2回路素子と電気的に接続される第1リードと、前記第2回路基板に実装された前記第2回路素子とは電気的に接続されない第2リードが含まれ、前記第1リードが貫通する貫通孔および前記第2リードが貫通する貫通孔の両方に接合材を塗布して、前記貫通孔を塞ぐことを特徴とする。
In the method of manufacturing a circuit device according to the present invention, a first circuit board in which a first conductive pattern and a first circuit element are incorporated on a surface and a lead is fixed to a pad made of the first conductive pattern is incorporated in a case material. a step, a second circuit board having a through hole formed with the second conductive pattern and the second circuit element is incorporated in the surface, seen write set in the case member by penetrating the lead into the through-hole, and the second A step of forming a hollow portion surrounded by one circuit board, the second circuit board and the case material; and a surface of the second circuit board so as to cover the second conductive pattern and the second circuit element. Forming a sealing resin, wherein the lead includes a first lead electrically connected to the second circuit element mounted on an upper surface of the second circuit board, and the second circuit. On the board A second lead that is not electrically connected to the mounted second circuit element is included, and a bonding material is applied to both the through hole through which the first lead penetrates and the through hole through which the second lead penetrates. The through hole is blocked.

本発明では、ケース材の内部に第1回路基板および第2回路基板を設け、第1回路基板に一端が固着されたリードを、第2回路基板に設けた貫通孔を通過させて外部に導出させている。更に、リードには、第2回路基板に固着された第2回路素子と接続される第1リードと、接続されない第2リードが含まれる。そして、本発明では、第1リードと貫通孔との間隙に接合材を充填させると共に、第2リードと貫通孔との間にも接合材を充填させている。この様にすることにより、半固形状または液状の封止樹脂を第2回路基板の上面に塗布しても、液状の封止樹脂が貫通孔を経由して漏れてしまう不具合が防止される。   In the present invention, the first circuit board and the second circuit board are provided inside the case material, and the lead having one end fixed to the first circuit board is led out through the through hole provided in the second circuit board. I am letting. Further, the lead includes a first lead connected to the second circuit element fixed to the second circuit board and a second lead not connected. In the present invention, the gap between the first lead and the through hole is filled with the bonding material, and the bonding material is also filled between the second lead and the through hole. By doing so, even if a semi-solid or liquid sealing resin is applied to the upper surface of the second circuit board, a problem that the liquid sealing resin leaks through the through hole is prevented.

図1を参照して、回路装置の一例として混成集積回路装置10の構成を説明する。図1(A)は混成集積回路装置10の断面図であり、図1(B)は第1リード28Aが第2回路基板20を貫通する箇所を示す斜視図であり、図1(C)は第2リード28Bが第2回路基板20を貫通する箇所を示す斜視図である。   With reference to FIG. 1, a configuration of a hybrid integrated circuit device 10 will be described as an example of a circuit device. FIG. 1A is a cross-sectional view of the hybrid integrated circuit device 10, FIG. 1B is a perspective view showing a location where the first lead 28A penetrates the second circuit board 20, and FIG. FIG. 6 is a perspective view showing a location where a second lead 28B penetrates the second circuit board 20.

図1(A)を参照して、混成集積回路装置10には、ケース材12に第1回路基板18および第2回路基板20が重畳して組み込まれた構成となっている。そして、第1回路基板18の上面には第1回路素子22(例えばパワートランジスタ)が配置され、第2回路基板20の上面には第2回路素子(例えばマイコン)が配置されている。更に、第1回路基板18のパッド38Aに固着されたリード28は、第2回路基板20を貫通して外部に導出される構成となっている。   Referring to FIG. 1A, the hybrid integrated circuit device 10 has a configuration in which a first circuit board 18 and a second circuit board 20 are superimposed on a case material 12 and incorporated. A first circuit element 22 (for example, a power transistor) is disposed on the upper surface of the first circuit board 18, and a second circuit element (for example, a microcomputer) is disposed on the upper surface of the second circuit board 20. Furthermore, the lead 28 fixed to the pad 38 </ b> A of the first circuit board 18 is configured to penetrate the second circuit board 20 and lead out to the outside.

ケース材12は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂またはアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂を射出成形することにより形成されており、概略的に額縁状の形状を呈している。図1(A)を参照すると、ケース材12の上面および下面は開口部と成っており、上面の開口部は第2回路基板20により塞がれ、下面の開口部は第1回路基板18により塞がれている。また、ケース材12の左右端部には、ビス止めのための孔部が設けられている。   The case material 12 is formed by injection molding a thermosetting resin such as an epoxy resin or a thermoplastic resin such as an acrylic resin, and has a generally frame shape. Referring to FIG. 1A, the upper surface and the lower surface of the case material 12 are openings, the opening on the upper surface is closed by the second circuit board 20, and the opening on the lower surface is formed by the first circuit board 18. It is blocked. In addition, holes for screwing are provided in the left and right ends of the case material 12.

第1回路基板18は、ケース材12の下部の開口部に組み込まれており、アルミニウム(Al)または銅(Cu)あるいはこれらの金属を主材料とする合金から構成されている。ここでは、アルミニウムから成る2枚の金属基板から第1回路基板18が構成されているが、1枚の金属基板から第1回路基板18が構成されても良い。第1回路基板18の詳細は、図3を参照して説明する。   The first circuit board 18 is incorporated in the opening at the bottom of the case material 12 and is made of aluminum (Al), copper (Cu), or an alloy mainly composed of these metals. Here, the first circuit board 18 is composed of two metal substrates made of aluminum, but the first circuit board 18 may be composed of one metal substrate. Details of the first circuit board 18 will be described with reference to FIG.

第2回路基板20は、ケース材12の上部の開口部に組み込まれており、プリント基板(printed circuit board:PCB)が採用される。具体的には、紙フェノール基板、ガラスエポキシ基板等が、第2回路基板20として採用される。また、第2回路基板20として、セラミックから成る基板が採用されても良い。更に、第2回路基板20には、上面のみに第2導電パターン21が形成されても良いし、両面に第2導電パターン21が設けられても良い。更には、3層以上に積層された第2導電パターン21が第2回路基板20に構成されても良い。第2回路基板20には、リード28を貫通させるための貫通孔が設けられる。   The second circuit board 20 is incorporated in an opening in the upper part of the case material 12, and a printed circuit board (PCB) is employed. Specifically, a paper phenol substrate, a glass epoxy substrate, or the like is employed as the second circuit substrate 20. Further, a substrate made of ceramic may be adopted as the second circuit substrate 20. Furthermore, the second conductive pattern 21 may be formed only on the upper surface of the second circuit board 20, or the second conductive pattern 21 may be provided on both surfaces. Furthermore, the second conductive pattern 21 laminated in three or more layers may be configured on the second circuit board 20. The second circuit board 20 is provided with a through hole for allowing the lead 28 to pass therethrough.

第2回路基板20に実装される第2回路素子24としては、第1回路基板18に実装される第1回路素子22よりも発熱量が小さいマイコン等が実装される。従って、第2回路基板20としては、熱伝導性に劣るが安価なプリント基板を採用することができる。また、プリント基板は設計変更や製造に係るコストが安いので、第2回路素子24として採用されるマイコン等の仕様が変更されても、第2回路基板20の導電パターンの形状を変更することで容易に対応することができる。更にまた、エポキシ樹脂等の絶縁材料から成る第2回路基板20は、金属から成る第1回路基板18よりも熱伝導率が低い。従って、第2回路基板20により熱の伝導が抑制されることにより、パワートランジスタである第1回路素子22から発生した熱が、マイコンである第2回路素子24に伝導することが抑制される。   As the second circuit element 24 mounted on the second circuit board 20, a microcomputer or the like that generates less heat than the first circuit element 22 mounted on the first circuit board 18 is mounted. Therefore, as the second circuit board 20, an inexpensive printed board that is inferior in thermal conductivity can be employed. In addition, since the cost of design change and manufacturing of the printed circuit board is low, the shape of the conductive pattern of the second circuit board 20 can be changed even if the specifications of the microcomputer or the like employed as the second circuit element 24 are changed. It can be easily handled. Furthermore, the second circuit board 20 made of an insulating material such as epoxy resin has a lower thermal conductivity than the first circuit board 18 made of metal. Therefore, the conduction of heat by the second circuit board 20 is suppressed, whereby the heat generated from the first circuit element 22 that is a power transistor is suppressed from being conducted to the second circuit element 24 that is a microcomputer.

第1回路素子22は、第1回路基板18の上面に形成された第1導電パターン38に電気的に接続される素子である。第1回路素子22としては、例えば1アンペア以上の電流のスイッチングを行うパワートランジスタが採用される。ここで、パワートランジスタとしては、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ(Field effect transistor:FET)または絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated gate bipolar transistor:IGBT)が採用される。更に、第1回路素子22としては、トランジスタ以外の素子も全般的に採用可能であり、例えばLSIやダイオード等の能動素子や、チップコンデンサやチップ抵抗等の受動素子が採用される。   The first circuit element 22 is an element that is electrically connected to the first conductive pattern 38 formed on the upper surface of the first circuit board 18. As the first circuit element 22, for example, a power transistor that switches a current of 1 ampere or more is employed. Here, a bipolar transistor, a field effect transistor (FET), or an insulated gate bipolar transistor (IGBT) is employed as the power transistor. Furthermore, as the first circuit element 22, elements other than transistors can be generally employed. For example, active elements such as LSIs and diodes, and passive elements such as chip capacitors and chip resistors are employed.

また、第1回路素子22がパワートランジスタ等の半導体素子である場合は、その裏面が半田等の導電性接着材を介して固着される。更には、第1回路素子22と第1導電パターン38との間に、銅などの金属から成るヒートシンクが設けられても良い。そして、第1回路素子22の上面に形成された電極は、金属細線42を経由して第1導電パターン38に接続される。   In addition, when the first circuit element 22 is a semiconductor element such as a power transistor, the back surface thereof is fixed via a conductive adhesive such as solder. Furthermore, a heat sink made of a metal such as copper may be provided between the first circuit element 22 and the first conductive pattern 38. The electrodes formed on the upper surface of the first circuit element 22 are connected to the first conductive pattern 38 via the fine metal wire 42.

更に、第1回路素子22としては、整流回路を構成するダイオード、平滑回路を構成するコイルやコンデンサ、上記したパワートランジスタの制御電極に制御信号を印加するドライバIC、サーミスタ等が採用される。   Further, as the first circuit element 22, a diode constituting a rectifier circuit, a coil or a capacitor constituting a smoothing circuit, a driver IC for applying a control signal to the control electrode of the power transistor described above, a thermistor, or the like is employed.

第2回路素子24は第2回路基板20の表面に形成された第2導電パターン21に電気的に接続される素子であり、一般的には上記した第1回路素子よりも動作温度が低い回路素子が採用される。具体例としては、例えば、マイクロコンピュータ(マイコン)やアルミ電解コンデンサ等が、第2回路素子24として第2回路基板20に実装される。更に、第2回路素子24としては、第1回路素子22と同様に、能動素子および受動素子が全般的に採用される。また、第2回路素子24としては、水晶発振器や半導体メモリが採用されても良い。更に、第2回路素子24は、第2回路基板20の上面のみに固着されても良いし、下面のみに固着されても良いし、両面に固着されても良い。   The second circuit element 24 is an element that is electrically connected to the second conductive pattern 21 formed on the surface of the second circuit board 20, and generally has a lower operating temperature than the first circuit element described above. An element is adopted. As a specific example, for example, a microcomputer or an aluminum electrolytic capacitor is mounted on the second circuit board 20 as the second circuit element 24. Further, as the second circuit element 24, as in the first circuit element 22, active elements and passive elements are generally employed. Further, as the second circuit element 24, a crystal oscillator or a semiconductor memory may be adopted. Furthermore, the second circuit element 24 may be fixed only to the upper surface of the second circuit board 20, may be fixed only to the lower surface, or may be fixed to both surfaces.

また、図1(B)を参照すると、マイコンとしてのLSIは樹脂封止されたパッケージの状態で第2回路基板20の上面に実装されている。しかしながら、マイコンは、ベアチップの状態で第2回路基板20の表面に形成された第2導電パターン21に固着されても良い。   Referring to FIG. 1B, an LSI as a microcomputer is mounted on the upper surface of the second circuit board 20 in a resin-sealed package state. However, the microcomputer may be fixed to the second conductive pattern 21 formed on the surface of the second circuit board 20 in a bare chip state.

第1封止樹脂14は、第1回路素子22および第1回路基板18の上面全域が覆われるように形成されている。第1封止樹脂14は、アルミナ(Al)やシリカ(SiO)等のフィラーが混入されたエポキシ樹脂等の樹脂材料から成る。この様に、第1回路素子22が第1封止樹脂14により封止されることで、第1回路素子22の耐湿性が向上される。更には、第1回路素子22と第1導電パターン38との接続箇所(半田等の接合材から成る)が、第1封止樹脂14により被覆されるので、この接続箇所の耐振動性が向上される。更に、フィラーが混入された樹脂から成る第1封止樹脂14は、光を透過させない遮光性の性質を有する。従って、遮光性の第1封止樹脂14により第1回路基板18の上面に形成された第1導電パターン38および第1回路素子22を被覆することで、第1導電パターン38の形状および第1回路素子22の位置を隠蔽することもできる。ここで、図1(B)を参照すると、第1回路素子22およびその接続に使用される金属細線42が被覆されるように第1封止樹脂14が形成されている。しかしながら、第1封止樹脂14により第1回路素子22が完全に被覆される必要はない。即ち、第1回路素子22と第1導電パターン38との接続部が第1封止樹脂14により被覆されて、第1回路素子22の上端部が第1封止樹脂14の上面から上方に突出しても良い。 The first sealing resin 14 is formed so as to cover the entire upper surface of the first circuit element 22 and the first circuit board 18. The first sealing resin 14 is made of a resin material such as an epoxy resin mixed with a filler such as alumina (Al 2 O 3 ) or silica (SiO 2 ). Thus, the moisture resistance of the first circuit element 22 is improved by sealing the first circuit element 22 with the first sealing resin 14. Furthermore, since the connection location (made of a bonding material such as solder) between the first circuit element 22 and the first conductive pattern 38 is covered with the first sealing resin 14, the vibration resistance of this connection location is improved. Is done. Further, the first sealing resin 14 made of a resin mixed with a filler has a light-shielding property that does not transmit light. Therefore, by covering the first conductive pattern 38 and the first circuit element 22 formed on the upper surface of the first circuit board 18 with the light-shielding first sealing resin 14, the shape of the first conductive pattern 38 and the first conductive pattern 38. The position of the circuit element 22 can also be concealed. Here, referring to FIG. 1 (B), the first sealing resin 14 is formed so as to cover the first circuit elements 22 and the fine metal wires 42 used for the connection. However, the first circuit element 22 need not be completely covered by the first sealing resin 14. That is, the connection portion between the first circuit element 22 and the first conductive pattern 38 is covered with the first sealing resin 14, and the upper end portion of the first circuit element 22 protrudes upward from the upper surface of the first sealing resin 14. May be.

更に、第1封止樹脂14は、ケース材12の側壁の内部、第1回路基板18および第2回路基板20に囲まれる空間に形成されるが、この空間に完全に充填される程度には形成されていない。従って、ケース材12の内部空間には、第1封止樹脂14が充填されていない中空部26が設けられている。また、第1回路素子22は、ケース材12の内部空間により封止されているので、第1封止樹脂14を省いて混成集積回路装置10が構成されても良い。   Further, the first sealing resin 14 is formed inside the side wall of the case material 12 and in a space surrounded by the first circuit board 18 and the second circuit board 20, but to the extent that this space is completely filled. Not formed. Therefore, a hollow portion 26 that is not filled with the first sealing resin 14 is provided in the internal space of the case material 12. In addition, since the first circuit element 22 is sealed by the internal space of the case material 12, the hybrid integrated circuit device 10 may be configured without the first sealing resin 14.

更に、この中空部26は、ケース材12、第1回路基板18および第2回路基板20により密閉されても良いし、外部と連通されても良い。中空部26が外部と連通される場合は、ケース材12の側壁部、ケース材12と第2回路基板20との間等に、中空部26と外部とを連通させる連通孔が設けられても良い。   Further, the hollow portion 26 may be sealed by the case material 12, the first circuit board 18 and the second circuit board 20, or may be communicated with the outside. When the hollow portion 26 communicates with the outside, a communication hole that communicates the hollow portion 26 with the outside may be provided in the side wall portion of the case material 12, between the case material 12 and the second circuit board 20, or the like. good.

第2封止樹脂16(封止樹脂)は、第2回路素子24および第2回路基板20の上面全域が被覆されるように形成され、第1封止樹脂14と同様にフィラーが混入された樹脂材料から成る。第2回路素子24および第2回路基板20を第2封止樹脂16により被覆することにより、第2回路素子24の耐湿性および耐振動性が向上されると共に、第2回路基板20の上面に設けた第2導電パターン21の形状および第2回路素子24の配置が隠蔽される。ここで、第2封止樹脂16は、必ずしも第2回路素子24が完全に覆われるように形成される必要はなく、第2回路素子24と第2導電パターン21との接続部が被覆され、第2回路素子24の上部が第2封止樹脂16の上面から上方に突出されるように形成されても良い。   The second sealing resin 16 (sealing resin) is formed so as to cover the entire upper surface of the second circuit element 24 and the second circuit board 20, and filler is mixed in the same manner as the first sealing resin 14. Made of resin material. By covering the second circuit element 24 and the second circuit board 20 with the second sealing resin 16, the moisture resistance and vibration resistance of the second circuit element 24 are improved, and the second circuit board 20 is formed on the upper surface of the second circuit board 20. The shape of the provided second conductive pattern 21 and the arrangement of the second circuit elements 24 are concealed. Here, the second sealing resin 16 does not necessarily need to be formed so that the second circuit element 24 is completely covered, and a connection portion between the second circuit element 24 and the second conductive pattern 21 is covered, The upper part of the second circuit element 24 may be formed so as to protrude upward from the upper surface of the second sealing resin 16.

リード28は、第1回路基板18の上面に形成された第1導電パターン38から成るパッド38Aに下端が固着されている。パッド38Aとリード28の下端とは、半田等の導電性接着材を介して接着される。そして、リード28は、第1封止樹脂14、第2回路基板20および第2封止樹脂16を貫通して、上端が外部に導出されている。ここで、リード28は、リード28が第2回路基板20を貫通する箇所に於いて、第2回路基板20の上面に固着された第2回路素子24に接続される場合と、接続されない場合とがある。リード28が第2回路素子24に接続される場合としては、リード28を経由して、第2回路基板20に実装された第2回路素子24と、第1回路基板18に実装された第1回路素子22とを電気的に接続する場合がある。また、リード28と第2回路素子24とが接続されない場合としては、例えば、第1回路基板18に設けられたインバーター回路に外部から電源電流が供給される場合、または、第1回路基板18に設けられたインバーター回路により変換された電流がリード28を通過して外部に供給される場合が考えられる。   The lower end of the lead 28 is fixed to a pad 38 </ b> A made of the first conductive pattern 38 formed on the upper surface of the first circuit board 18. The pad 38A and the lower end of the lead 28 are bonded via a conductive adhesive such as solder. The lead 28 penetrates through the first sealing resin 14, the second circuit board 20, and the second sealing resin 16, and the upper end is led out to the outside. Here, the lead 28 is connected to the second circuit element 24 fixed to the upper surface of the second circuit board 20 at the place where the lead 28 penetrates the second circuit board 20 and the case where it is not connected. There is. When the lead 28 is connected to the second circuit element 24, the second circuit element 24 mounted on the second circuit board 20 and the first circuit board 18 mounted on the first circuit board 18 via the lead 28. The circuit element 22 may be electrically connected. In addition, as a case where the lead 28 and the second circuit element 24 are not connected, for example, when a power supply current is supplied to the inverter circuit provided on the first circuit board 18 from the outside, or to the first circuit board 18 It can be considered that the current converted by the provided inverter circuit passes through the lead 28 and is supplied to the outside.

以下の説明では、第2回路基板20に実装された第2回路素子24と電気的に接続されるリード28を第1リード28Aと称し、第2回路素子24と電気的に接続されないリード28を第2リード28Bと称する。   In the following description, the lead 28 electrically connected to the second circuit element 24 mounted on the second circuit board 20 is referred to as a first lead 28A, and the lead 28 not electrically connected to the second circuit element 24 is referred to as the first lead 28A. This is referred to as a second lead 28B.

リード30は、第2回路基板20の上面に設けられた第2導電パターン21に下端が接続され、上端が第2封止樹脂16を貫通して上方に突出している。リード30の下端付近は、第2回路基板20を貫通して設けた孔部に挿入されて固定されており、第2回路基板20に実装された第2回路素子24に入出力される電気信号を通過させる働きを有する。ここで、第2回路基板20の上面に形成された第2導電パターン21とリード30とは、半田等の導電性接着材を介して接続される。   The lower end of the lead 30 is connected to the second conductive pattern 21 provided on the upper surface of the second circuit board 20, and the upper end protrudes upward through the second sealing resin 16. The vicinity of the lower end of the lead 30 is inserted and fixed in a hole provided through the second circuit board 20, and an electric signal input / output to / from the second circuit element 24 mounted on the second circuit board 20. Has the function of passing through. Here, the second conductive pattern 21 formed on the upper surface of the second circuit board 20 and the lead 30 are connected via a conductive adhesive such as solder.

図1(B)に、第1リード28Aが第2回路基板20を貫通する箇所の斜視図を示す。第2回路基板20を部分的に貫通して貫通孔15が設けられており、この貫通孔15を取り囲むように円環状の導電パターンから成るパッド21Aが形成されている。更に、貫通孔15の内壁を被覆する金属膜が、パッド21Aと連続してメッキ膜により形成されても良い。更には、パッド21Aと同様の形状の導電パターンが第2回路基板20の下面に形成されても良い。   FIG. 1B shows a perspective view of a portion where the first lead 28 </ b> A penetrates the second circuit board 20. A through hole 15 is provided partially through the second circuit board 20, and a pad 21 </ b> A made of an annular conductive pattern is formed so as to surround the through hole 15. Furthermore, a metal film covering the inner wall of the through hole 15 may be formed of a plating film continuously with the pad 21A. Furthermore, a conductive pattern having the same shape as the pad 21 </ b> A may be formed on the lower surface of the second circuit board 20.

貫通孔15と第1リード28Aとの間隙には、導電性の接合材17が充填されており、この接合材17を介して第1リード28Aは、パッド21Aと電気的に接続されている。更にパッド21Aは、第2導電パターン21から成る配線21Bを経由して、第2回路基板20の上面に載置された第2回路素子24と電気的に接続されている。   A conductive bonding material 17 is filled in a gap between the through hole 15 and the first lead 28A, and the first lead 28A is electrically connected to the pad 21A through the bonding material 17. Further, the pad 21 </ b> A is electrically connected to the second circuit element 24 placed on the upper surface of the second circuit board 20 via the wiring 21 </ b> B made of the second conductive pattern 21.

ここで、接合材17としては、銀等の導電性材料から成る粉末が混入された樹脂から構成される導電性ペーストや半田(ロウ材)等の導電性接合材が採用される。   Here, as the bonding material 17, a conductive bonding material such as a conductive paste or solder (brazing material) composed of a resin mixed with a powder made of a conductive material such as silver is employed.

図1(C)に、第2リード28Bが第2回路基板20を貫通する箇所の斜視図を示す。ここでは、第2回路基板20の上面にて貫通孔15を取り囲むように円環状のパッド21Aが設けられており、貫通孔15の内壁はパッド21Aと連続した金属膜により被覆されている。ここでは、パッド21Aからは、図1(B)に示したような配線21Bは存在せず、パッド21Aは周囲の他の第2導電パターン21から独立して形成されている。このことから、第2リード28Bは、第2回路基板20に載置された第2回路素子24とは電気的に接続されない。   FIG. 1C shows a perspective view of a portion where the second lead 28 </ b> B penetrates the second circuit board 20. Here, an annular pad 21A is provided on the upper surface of the second circuit board 20 so as to surround the through hole 15, and the inner wall of the through hole 15 is covered with a metal film continuous with the pad 21A. Here, the wiring 21B as shown in FIG. 1B does not exist from the pad 21A, and the pad 21A is formed independently of other surrounding second conductive patterns 21. Thus, the second lead 28B is not electrically connected to the second circuit element 24 placed on the second circuit board 20.

本実施の形態では、第2リード28Bと貫通孔15との間にも、第1リード28Aの場合と同じように、接合材17が充填されている。ここで、接合材17としては、導電性ペーストまたは半田等の導電性接合材が採用できる。更には、第2リード28Bは、パッド21Aと導通される必要がないので、接合材17としては、樹脂材料から成る絶縁性接合材が採用されても良い。後に詳細は説明するが、第2リード28Bと貫通孔15との間に接合材17が充填される目的は、貫通孔15を閉塞させるためである。   In the present embodiment, the bonding material 17 is filled between the second lead 28B and the through hole 15 as in the case of the first lead 28A. Here, as the bonding material 17, a conductive bonding material such as a conductive paste or solder can be employed. Furthermore, since it is not necessary for the second lead 28B to be electrically connected to the pad 21A, an insulating bonding material made of a resin material may be employed as the bonding material 17. Although described in detail later, the purpose of filling the bonding material 17 between the second lead 28 </ b> B and the through hole 15 is to close the through hole 15.

本実施の形態では、図1(C)を参照して、第2リード28Bと貫通孔15との間隙に接合材17を充填させている。このことにより、製造工程の途中段階に於ける樹脂漏れが防止される。一般的には、第2回路基板20の上面に載置された回路素子と第2リード28Bとは導通される必要はないので、貫通孔15と第2リード28Bとの間には接合材17は充填される必要はない。この様に、リードを貫通させることのみを目的に形成される貫通孔は、「抜き孔」と称されている。しかしながら、第2リード28Bと貫通孔15の側壁との間隙を塞がずにそのままの状態にしておくと、第2回路基板20の上面を第2封止樹脂16により被覆する工程にて、この間隙から樹脂が漏れる問題が発生する。即ち、この工程では、半固形状または液状の第2封止樹脂16を第2回路基板20の上面に全面的に塗布した後に加熱硬化するが、第2リード28Bと貫通孔15との間隙から、半固形状または液状の第2封止樹脂16が、中空部26に漏出してしまう。   In the present embodiment, referring to FIG. 1C, the bonding material 17 is filled in the gap between the second lead 28 </ b> B and the through hole 15. This prevents resin leakage in the middle of the manufacturing process. In general, the circuit element placed on the upper surface of the second circuit board 20 and the second lead 28B do not need to be electrically connected, so that the bonding material 17 is interposed between the through hole 15 and the second lead 28B. Need not be filled. In this way, the through hole formed only for the purpose of penetrating the lead is referred to as a “hole”. However, if the gap between the second lead 28B and the side wall of the through hole 15 is left as it is, the upper surface of the second circuit board 20 is covered with the second sealing resin 16 in this step. There arises a problem that the resin leaks from the gap. That is, in this step, the semi-solid or liquid second sealing resin 16 is applied to the entire upper surface of the second circuit board 20 and then cured by heating, but from the gap between the second lead 28B and the through hole 15. The semi-solid or liquid second sealing resin 16 leaks into the hollow portion 26.

この問題を回避するために、本実施の形態では、第2リード28Bと貫通孔15の側壁との間隙に接合材17を充填させている。この様にすることで、全てのリード28と貫通孔15との間隙に接合材17が充填されて、上記した樹脂漏れが防止されるので、樹脂材料の中空部26への侵入が防止される。   In order to avoid this problem, in this embodiment, the bonding material 17 is filled in the gap between the second lead 28 </ b> B and the side wall of the through hole 15. By doing so, the bonding material 17 is filled in the gaps between all the leads 28 and the through holes 15, and the resin leakage described above is prevented, so that the resin material is prevented from entering the hollow portion 26. .

更に、上記した混成集積回路装置10では、中空部26を設けることにより、第1回路基板18に実装された第1回路素子22と、第2回路基板20に実装された第2回路素子24との熱干渉を抑制している。この事項を以下にて説明する。   Further, in the hybrid integrated circuit device 10 described above, by providing the hollow portion 26, the first circuit element 22 mounted on the first circuit board 18 and the second circuit element 24 mounted on the second circuit board 20 are provided. The thermal interference of is suppressed. This matter will be described below.

具体的には、本実施の形態では、2枚の重畳した回路基板(第1回路基板18および第2回路基板20)を設けて、それぞれの回路基板に回路素子を組み込むことで、パワートランジスタから構成されるパワーブロックと、このパワーブロックを制御する制御ブロックとを、1つのパッケージである混成集積回路装置10に内蔵させている。そして、耐湿性や耐振動性を向上させるためには、各回路基板に実装された回路素子を封止樹脂で封止する必要がある。例えば、図1(A)を参照すると、第1回路基板18に配置された第1回路素子22が被覆される様にケース材12の内部に第1封止樹脂14が形成され、更に、第2回路基板20の上面に固着された第2回路素子24が被覆されるように第2封止樹脂16が形成されている。   Specifically, in the present embodiment, two superposed circuit boards (the first circuit board 18 and the second circuit board 20) are provided, and circuit elements are incorporated into the respective circuit boards so that the power transistor The configured power block and the control block for controlling the power block are built in the hybrid integrated circuit device 10 which is one package. And in order to improve moisture resistance and vibration resistance, it is necessary to seal the circuit element mounted on each circuit board with sealing resin. For example, referring to FIG. 1A, a first sealing resin 14 is formed inside the case material 12 so as to cover the first circuit element 22 disposed on the first circuit board 18, and further, A second sealing resin 16 is formed so as to cover the second circuit element 24 fixed to the upper surface of the two-circuit board 20.

しかしながら、例えば、第1回路素子22としてパワートランジスタが採用され、第2回路素子としてマイコンが採用された場合を考えると、パワートランジスタから発生した熱によりマイコンが誤動作してしまう恐れがある。具体的には、混成集積回路装置10の動作時に於いて、装置外部の温度Tcは100℃以下となるように補償されており、装置に内蔵される第1回路素子22の温度(Tj)は150℃以下となるように補償されている。一方、第2回路素子24であるマイコンの動作温度の上限は、IGBT等のパワートランジスタよりも低く、例えば85℃以下である。従って、ケース材12の内部空間が完全に充填されるように第1封止樹脂14を形成すると、第1回路素子22から発生した熱が、第1封止樹脂14を経由して、マイコンである第2回路素子24に伝導する。結果的に、マイコンである第2回路素子24が85℃以上に加熱され、その動作が不安定になる恐れがある。   However, for example, when a power transistor is employed as the first circuit element 22 and a microcomputer is employed as the second circuit element, the microcomputer may malfunction due to heat generated from the power transistor. Specifically, during the operation of the hybrid integrated circuit device 10, the temperature Tc outside the device is compensated to be 100 ° C. or less, and the temperature (Tj) of the first circuit element 22 incorporated in the device is It is compensated to be 150 ° C. or lower. On the other hand, the upper limit of the operating temperature of the microcomputer that is the second circuit element 24 is lower than that of a power transistor such as IGBT, and is, for example, 85 ° C. or less. Therefore, when the first sealing resin 14 is formed so that the internal space of the case material 12 is completely filled, the heat generated from the first circuit element 22 is transmitted by the microcomputer via the first sealing resin 14. Conducted to a certain second circuit element 24. As a result, the second circuit element 24, which is a microcomputer, is heated to 85 ° C. or higher, and its operation may become unstable.

そこで本形態では、第1回路素子22を封止する第1封止樹脂14でケース材12の内部を完全に充填せずに、第1封止樹脂14が充填されない未充填領域である中空部26をケース材12の内部に設けている。そして、この中空部26には空気が存在する。従って、パワートランジスタである第1回路素子22から発生した熱が第1封止樹脂14に伝導しても、熱抵抗が高い空気から成る中空部26により熱の伝導が阻まれるので、この熱の第2回路素子24(マイコン)への伝導は抑制される。このことから、マイコンである第2回路素子24の温度が、動作温度の上限(例えば85度)以上に加熱されることが抑止され、安置した状態でマイコンが動作する。   Therefore, in this embodiment, the first sealing resin 14 that seals the first circuit element 22 does not completely fill the inside of the case material 12 and is a hollow portion that is an unfilled region that is not filled with the first sealing resin 14. 26 is provided inside the case member 12. Air is present in the hollow portion 26. Therefore, even if the heat generated from the first circuit element 22 as the power transistor is conducted to the first sealing resin 14, the heat conduction is blocked by the hollow portion 26 made of air having a high thermal resistance. Conduction to the second circuit element 24 (microcomputer) is suppressed. For this reason, the temperature of the second circuit element 24, which is a microcomputer, is suppressed from being heated to an upper limit (for example, 85 degrees) of the operating temperature, and the microcomputer operates in a stationary state.

図2を参照して、混成集積回路装置10の外観を更に説明する。図2(A)は混成集積回路装置10の外観を示す斜視図であり、図2(B)は図2(B)のB−B’線に於ける断面図である。   The external appearance of the hybrid integrated circuit device 10 will be further described with reference to FIG. 2A is a perspective view showing the appearance of the hybrid integrated circuit device 10, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of FIG. 2B.

図2(A)及び図2(B)を参照して、ケース材12の手前側の開口部は、全面的に第2封止樹脂16により覆われており、この第2封止樹脂16の表面から外部にリード28およびリード30が導出している。リード28およびリード30の詳細は上記した通りである。リード28およびリード30は、混成集積回路装置10の内部に設けられた回路と外部とを接続させる接続手段として機能する。   2A and 2B, the opening on the front side of the case material 12 is entirely covered with the second sealing resin 16, and the second sealing resin 16 A lead 28 and a lead 30 are led out from the surface to the outside. Details of the lead 28 and the lead 30 are as described above. The lead 28 and the lead 30 function as connection means for connecting a circuit provided inside the hybrid integrated circuit device 10 and the outside.

図3を参照して、第1回路基板18の構成を説明する。本形態では、実装基板32と絶縁基板34とを積層させて、第1回路基板18が構成されている。   The configuration of the first circuit board 18 will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the first circuit board 18 is configured by laminating the mounting board 32 and the insulating board 34.

実装基板32は、厚みが1.0mm〜2.0mm程度のアルミニウム(Al)を主材料とする金属製の基板であり、上面及び下面は陽極酸化膜(Alから成る膜)により被覆されている。実装基板32の上面は、フィラーが高充填されたエポキシ樹脂等の樹脂材料から成る絶縁層36により被覆されている。絶縁層36の厚みは例えば50μm程度である。更に、絶縁層36の上面には厚みが50μm程度の銅から成る第1導電パターン38が形成され、この第1導電パターン38に第1回路素子22が実装される。 The mounting substrate 32 is a metal substrate mainly made of aluminum (Al) with a thickness of about 1.0 mm to 2.0 mm, and the upper surface and the lower surface are covered with an anodized film (a film made of Al 2 O 3 ). Has been. The upper surface of the mounting substrate 32 is covered with an insulating layer 36 made of a resin material such as an epoxy resin highly filled with a filler. The thickness of the insulating layer 36 is about 50 μm, for example. Further, a first conductive pattern 38 made of copper having a thickness of about 50 μm is formed on the upper surface of the insulating layer 36, and the first circuit element 22 is mounted on the first conductive pattern 38.

また、上記した絶縁層36を部分的に除去して露出部13が設けられており、この露出部13から露出する実装基板32と第1導電パターン38とが、金属細線42を経由して接続されている。この様に、露出部13を介して実装基板32と第1導電パターン38とを接続することにより、実装基板32の電位を固定電位(接地電位や電源電位)にすることが可能となり、実装基板32により外部からのノイズが遮蔽されるシールド効果をより大きくすることができる。更には、第1導電パターン38の一部と実装基板32との電位が同一に成るので、両者の間に発生する寄生容量を低減させることも可能となる。   Further, the exposed portion 13 is provided by partially removing the insulating layer 36 described above, and the mounting substrate 32 exposed from the exposed portion 13 and the first conductive pattern 38 are connected via the fine metal wire 42. Has been. Thus, by connecting the mounting substrate 32 and the first conductive pattern 38 via the exposed portion 13, the potential of the mounting substrate 32 can be set to a fixed potential (ground potential or power supply potential). By 32, the effect of shielding noise from the outside can be further increased. Furthermore, since a part of the first conductive pattern 38 and the mounting substrate 32 have the same potential, it is possible to reduce the parasitic capacitance generated between them.

上記構成の実装基板32の裏面は、シリコン樹脂から成る接着剤を介して、絶縁基板34の上面に貼着される。   The back surface of the mounting substrate 32 configured as described above is attached to the upper surface of the insulating substrate 34 through an adhesive made of silicon resin.

絶縁基板34は、実装基板32と同様にアルミニウム等の金属から成り、平面的な大きさが実装基板32よりも大きく形成されている。従って、絶縁基板34の端部と、実装基板32の端部とは離間して配置されている。また、ポリイミド樹脂等の樹脂材料から成る絶縁層40により、絶縁基板34の上面は被覆されている。更に、絶縁基板34の下面は、ケース材12の側壁の下端と同一平面上に位置している。   The insulating substrate 34 is made of a metal such as aluminum like the mounting substrate 32, and has a planar size larger than that of the mounting substrate 32. Therefore, the end portion of the insulating substrate 34 and the end portion of the mounting substrate 32 are arranged apart from each other. The upper surface of the insulating substrate 34 is covered with an insulating layer 40 made of a resin material such as polyimide resin. Furthermore, the lower surface of the insulating substrate 34 is located on the same plane as the lower end of the side wall of the case material 12.

以上のように、実装基板32と絶縁基板34とを積層させて第1回路基板18を構成することで、第1回路基板18の放熱性と耐圧性とを高いレベルで両立させることができる。具体的には、上述したように、実装基板32は第1導電パターン38と接続されて例えば接地電位に接続されているので、実装基板32の裏面を外部に露出させるとショートを引き起こす恐れがある。このショートを防止するために絶縁基板34が設けられている。絶縁基板34の上面と実装基板32の下面とは、絶縁基板34の上面に設けた絶縁層40により絶縁されている。更に、実装基板32の側面および絶縁基板34の側面は、各々の基板を構成するアルミニウム等の金属材料が露出する面であるが、絶縁基板34の端部(側面)と実装基板32の端部(側面)とを離間させることで、お互いの基板の側面がショートすることが防止されている。   As described above, by stacking the mounting substrate 32 and the insulating substrate 34 to form the first circuit substrate 18, it is possible to achieve both the heat dissipation and pressure resistance of the first circuit substrate 18 at a high level. Specifically, as described above, since the mounting substrate 32 is connected to the first conductive pattern 38 and connected to, for example, the ground potential, if the back surface of the mounting substrate 32 is exposed to the outside, a short circuit may occur. . An insulating substrate 34 is provided to prevent this short circuit. The upper surface of the insulating substrate 34 and the lower surface of the mounting substrate 32 are insulated by an insulating layer 40 provided on the upper surface of the insulating substrate 34. Further, the side surface of the mounting substrate 32 and the side surface of the insulating substrate 34 are surfaces from which a metal material such as aluminum constituting each substrate is exposed, but the end portion (side surface) of the insulating substrate 34 and the end portion of the mounting substrate 32. By separating (side surfaces) from each other, the side surfaces of the substrates are prevented from being short-circuited.

更に、実装基板32および絶縁基板34の両方が放熱性に優れるアルミニウム等の金属から成るので、第1回路素子22から発生した熱は、実装基板32および絶縁基板34を経由して良好に外部に放出される。   Furthermore, since both the mounting substrate 32 and the insulating substrate 34 are made of a metal such as aluminum having excellent heat dissipation, the heat generated from the first circuit element 22 is satisfactorily transferred to the outside via the mounting substrate 32 and the insulating substrate 34. Released.

図4を参照して、混成集積回路装置10の他の形態を説明する。ここでは、第2回路基板20の上面および下面の両方に第2回路素子24が実装される。そして、これらの第2回路素子24および第2回路基板20の上面および下面の両方が被覆されるように、第2封止樹脂16が形成されている。   With reference to FIG. 4, another embodiment of the hybrid integrated circuit device 10 will be described. Here, the second circuit element 24 is mounted on both the upper surface and the lower surface of the second circuit board 20. And the 2nd sealing resin 16 is formed so that both the upper surface and lower surface of these 2nd circuit elements 24 and the 2nd circuit board 20 may be coat | covered.

この様に、第2回路基板20の下面にも第2回路素子24を設けることで、より多数の回路素子を混成集積回路装置10に内蔵されることができる。更に、第2回路基板20の裏面に設けられた第2回路素子24が第2封止樹脂16により封止されることにより、これらの素子の耐湿性および耐振動性が向上される。   As described above, by providing the second circuit element 24 also on the lower surface of the second circuit board 20, a larger number of circuit elements can be built in the hybrid integrated circuit device 10. Furthermore, the second circuit element 24 provided on the back surface of the second circuit board 20 is sealed with the second sealing resin 16, so that the moisture resistance and vibration resistance of these elements are improved.

図5を参照して、次に、上記した混成集積回路装置10に構築される回路の一例を説明する。ここでは、複数のパワートランジスタから成るスイッチング回路45を含むインバーター回路が第1回路基板18に形成され、このインバーター回路を制御する制御回路が構成された第2回路素子24(マイコン)が第2回路基板20に実装されている。より具体的には、第1回路基板18には、整流回路41、平滑回路43、スイッチング回路45およびドライバIC44が組み込まれている。   Next, an example of a circuit constructed in the hybrid integrated circuit device 10 will be described with reference to FIG. Here, an inverter circuit including a switching circuit 45 composed of a plurality of power transistors is formed on the first circuit board 18, and the second circuit element 24 (microcomputer) in which a control circuit for controlling the inverter circuit is configured is the second circuit. It is mounted on the substrate 20. More specifically, the rectifier circuit 41, the smoothing circuit 43, the switching circuit 45, and the driver IC 44 are incorporated in the first circuit board 18.

混成集積回路装置10に組み込まれた各回路の動作は次の通りである。先ず、第2回路基板20に実装された第2回路素子24(マイコン)には、回転速度に応じた周波数の基準信号が入力され、それぞれ120度の位相差を有する3つのパルス幅変調された正弦波の制御信号が生成される。第2回路素子24にて生成された制御信号は、リード28(図2(A)参照)を経由して、第1回路基板18に入力される。   The operation of each circuit incorporated in the hybrid integrated circuit device 10 is as follows. First, the second circuit element 24 (microcomputer) mounted on the second circuit board 20 is input with a reference signal having a frequency corresponding to the rotational speed, and three pulse width modulated signals each having a phase difference of 120 degrees. A sinusoidal control signal is generated. The control signal generated by the second circuit element 24 is input to the first circuit board 18 via the lead 28 (see FIG. 2A).

第1回路基板18に入力された制御信号は、ドライバIC44にて所定の電圧に昇圧された後に、スイッチング回路45を構成しているパワートランジスタ(例えばIGBT)の制御電極に印加される。   The control signal input to the first circuit board 18 is boosted to a predetermined voltage by the driver IC 44 and then applied to the control electrode of a power transistor (for example, IGBT) constituting the switching circuit 45.

一方、外部から入力された交流電力は、整流回路41により直流電力に変換された後に、平滑回路43により電圧を一定にされ、スイッチング回路45に入力される。   On the other hand, AC power input from the outside is converted into DC power by the rectifier circuit 41, and then the voltage is made constant by the smoothing circuit 43 and input to the switching circuit 45.

そして、スイッチング回路45からは、それぞれ120度の位相差を有する3相のパルス幅変調された正弦波電圧(U、V、W)が生成されてモーター46に供給される。結果的に、モーター46には、正弦波に近似した負荷電流が流れ、所定の回転数にてモーター46が回転する。   From the switching circuit 45, three-phase pulse width modulated sine wave voltages (U, V, W) each having a phase difference of 120 degrees are generated and supplied to the motor 46. As a result, a load current that approximates a sine wave flows through the motor 46, and the motor 46 rotates at a predetermined rotational speed.

ここで、図1(B)に示した第1リード28Aを通過する信号としては、例えば、第2回路素子24(マイコン)からドライバIC44に供給される制御信号が該当する。更に、図1(C)に示した第2リード28Bを通過する信号としては、外部から整流回路41(インバータ回路)に入力される電源電流や、スイッチング回路45にて変換された交流電流が該当する。   Here, the signal passing through the first lead 28A shown in FIG. 1B corresponds to a control signal supplied from the second circuit element 24 (microcomputer) to the driver IC 44, for example. Further, the signal passing through the second lead 28B shown in FIG. 1C corresponds to the power supply current input from the outside to the rectifier circuit 41 (inverter circuit) or the AC current converted by the switching circuit 45. To do.

次に、図6を参照して、上記した構成の混成集積回路装置10が組み込まれた空調機(エア・コンディショナー)の室外機48の構成を説明する。   Next, the configuration of the outdoor unit 48 of the air conditioner (air conditioner) in which the hybrid integrated circuit device 10 having the above configuration is incorporated will be described with reference to FIG.

室外機48は、筐体50の内部に、凝縮機54と、ファン56と、圧縮機52と、混成集積回路装置10が主に内蔵されて構成されている。   The outdoor unit 48 is configured such that a condenser 54, a fan 56, a compressor 52, and the hybrid integrated circuit device 10 are mainly built in a housing 50.

圧縮機52は、モーターの駆動力を用いて、アンモニア等の冷媒を圧縮させる機能を有する。そして、圧縮機52により圧縮された冷媒は凝縮機54に送られ、ファン56が風を凝縮機54に吹き付けることにより、凝縮機54内部の冷媒に含まれる熱が外部に放出される。更に、この冷媒は膨張された後に、室内にある蒸発器に送られて、室内の空気を冷却させる。   The compressor 52 has a function of compressing a refrigerant such as ammonia using the driving force of the motor. And the refrigerant | coolant compressed by the compressor 52 is sent to the condenser 54, and when the fan 56 blows a wind on the condenser 54, the heat contained in the refrigerant | coolant inside the condenser 54 is discharge | released outside. Further, after the refrigerant is expanded, it is sent to the evaporator in the room to cool the air in the room.

本形態の混成集積回路装置10は、圧縮機52またはファン56を駆動させるモーターの回転を制御する働きを有し、室外機48の内部に設けられた実装基板60に固着されている。   The hybrid integrated circuit device 10 of this embodiment has a function of controlling the rotation of a motor that drives the compressor 52 or the fan 56, and is fixed to a mounting substrate 60 provided inside the outdoor unit 48.

図6(B)に混成集積回路装置10が取り付けられる構造を示す。ここでは、リード28およびリード30が、実装基板60に差込実装されている。そして、パワートランジスタが実装される第1回路基板18の裏面は、ヒートシンク58の平滑面に当接している。混成集積回路装置10のヒートシンク58への取り付けは、混成集積回路装置10のケース材12をヒートシンク58にビス止めすることにより行うことができる。ここで、ヒートシンク58は、銅やアルミニウム等の金属を一体的に成型したものであり、混成集積回路装置10と当接する面は平滑面と成っており、その反対面は凹凸面と成っている。係る構成により、パワートランジスタである第1回路素子22から発生した熱は、第1回路基板18およびヒートシンク58を経由して室外機48の内部空間に伝導され、最終的にはファンの56の送風作用により室外機48の外部に放出される。   FIG. 6B shows a structure to which the hybrid integrated circuit device 10 is attached. Here, the lead 28 and the lead 30 are inserted and mounted on the mounting substrate 60. The back surface of the first circuit board 18 on which the power transistor is mounted is in contact with the smooth surface of the heat sink 58. The hybrid integrated circuit device 10 can be attached to the heat sink 58 by screwing the case material 12 of the hybrid integrated circuit device 10 to the heat sink 58. Here, the heat sink 58 is formed by integrally molding a metal such as copper or aluminum, and the surface in contact with the hybrid integrated circuit device 10 is a smooth surface and the opposite surface is an uneven surface. . With this configuration, the heat generated from the first circuit element 22 that is a power transistor is conducted to the internal space of the outdoor unit 48 via the first circuit board 18 and the heat sink 58, and finally the fan 56 blows air. It is discharged to the outside of the outdoor unit 48 by the action.

次に、図7から図9を参照して、図1に構成を示した混成集積回路装置10の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing the hybrid integrated circuit device 10 having the configuration shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

図7(A)を参照して、先ず、上面に所定の混成集積回路が組み込まれた第1回路基板18を、ケース材12に組み込む。   Referring to FIG. 7A, first, the first circuit board 18 having a predetermined hybrid integrated circuit incorporated on the upper surface is incorporated into the case material 12.

第1回路基板18の上面には、予め所定の形状の第1導電パターン38が組み込まれており、第1導電パターン38の所定の箇所には、パワートランジスタ等の第1回路素子22が実装されて電気的に接続されている。更に、パッド状の第1導電パターン38には、半田等の導電性接着材を介して、リード28が固着されている。ここで、リード28は、複数のリード28が連結されているリードフレームの状態で、第1導電パターン38に固着されても良い。   A first conductive pattern 38 having a predetermined shape is incorporated in advance on the upper surface of the first circuit board 18, and a first circuit element 22 such as a power transistor is mounted on a predetermined portion of the first conductive pattern 38. Are electrically connected. Further, the lead 28 is fixed to the pad-like first conductive pattern 38 via a conductive adhesive such as solder. Here, the lead 28 may be fixed to the first conductive pattern 38 in a state of a lead frame in which a plurality of leads 28 are connected.

この様な構成の第1回路基板18は、ケース材12の下部の開口部を塞ぐように、ケース材12に組み込まれる。第1回路基板18の詳細は上述したとおりであり、図3に示すように2枚の金属から成る基板を組みあわせて構成されている。しかしながら、1枚の金属基板から第1回路基板18が形成されても良い。   The first circuit board 18 having such a configuration is incorporated into the case material 12 so as to close the opening at the bottom of the case material 12. The details of the first circuit board 18 are as described above, and are configured by combining two metal boards as shown in FIG. However, the first circuit board 18 may be formed from a single metal substrate.

図7(B)を参照して、次に、第1回路素子22および第1回路基板18の上面が被覆されるように、第1封止樹脂14を形成する。具体的には、第1回路素子22が封止されて第1回路基板18の上面が被覆されるように、液状または半固形状の第1封止樹脂14をケース材12の内部に供給する。第1封止樹脂14は、フィラーが混入された樹脂材料から成る。第1封止樹脂14を構成する樹脂材料が熱硬化性樹脂である場合は、第1回路基板18の上面に塗布された第1封止樹脂14を加熱して硬化させる処理が必要になる。   With reference to FIG. 7B, next, the first sealing resin 14 is formed so that the upper surfaces of the first circuit element 22 and the first circuit substrate 18 are covered. Specifically, the liquid or semi-solid first sealing resin 14 is supplied to the inside of the case material 12 so that the first circuit element 22 is sealed and the upper surface of the first circuit board 18 is covered. . The first sealing resin 14 is made of a resin material mixed with a filler. When the resin material constituting the first sealing resin 14 is a thermosetting resin, a process for heating and curing the first sealing resin 14 applied to the upper surface of the first circuit board 18 is required.

図8(A)、図8(B)および図8(C)を参照して、次に、所定の第2回路素子24が組み込まれた第2回路基板20をケース材12に組み込む。   Referring to FIGS. 8A, 8B, and 8C, next, the second circuit board 20 in which the predetermined second circuit element 24 is incorporated is incorporated into the case material 12. FIG.

図8(A)を参照して、第2回路基板20の上面には所定形状の第2導電パターン21が形成され、この第2導電パターン21の所定の箇所には、例えばマイコンである第2回路素子24が固着されている。   Referring to FIG. 8A, a second conductive pattern 21 having a predetermined shape is formed on the upper surface of the second circuit board 20, and a second portion such as a microcomputer is provided at a predetermined portion of the second conductive pattern 21. The circuit element 24 is fixed.

更に、第2回路基板20のリード28に対応する箇所には、ドリル加工やレーザー照射加工により第2回路基板20を開口して設けた貫通孔15が設けられている。また、貫通孔15の周辺には第2導電パターン21の一部から成るパッド21Aが形成されている。   Further, a through hole 15 provided by opening the second circuit board 20 by drilling or laser irradiation processing is provided at a position corresponding to the lead 28 of the second circuit board 20. A pad 21 </ b> A made of a part of the second conductive pattern 21 is formed around the through hole 15.

この様な構成の第2回路基板20を、ケース材12の上部の開口部を塞ぐように、ケース材12に組み込む。第2回路基板20の下面の周辺部とケース材12とは、絶縁性の接着材を介して接着される。更に本工程では、第2回路基板20をケース材12に組み込むときには、同時に第2回路基板20に設けた貫通孔15にリード28を貫通させている。   The second circuit board 20 having such a configuration is incorporated into the case material 12 so as to close the upper opening of the case material 12. The peripheral portion of the lower surface of the second circuit board 20 and the case material 12 are bonded via an insulating adhesive. Further, in this step, when the second circuit board 20 is incorporated into the case material 12, the lead 28 is simultaneously passed through the through hole 15 provided in the second circuit board 20.

上記リード28としては、第2回路基板20に固着された第2回路素子24と電気的に接続される第1リード28A(図8(B)参照)と、第2回路素子24とは接続されないリードである第2リード(図8(C)参照)に分類できる。   As the lead 28, the first lead 28A (see FIG. 8B) electrically connected to the second circuit element 24 fixed to the second circuit board 20 is not connected to the second circuit element 24. The second lead (see FIG. 8C) that is a lead can be classified.

図8(B)を参照して、本工程では、貫通孔15の側壁と第1リード28Aとの間隙に、接合材17を充填させている。この接合材17としては、導電性ペーストや半田等の導電性接着材が採用される。接合材17の具体的な形成方法は、第2回路基板20の各貫通孔15に予め接合材17を塗布した後に、リード28を各貫通孔15に貫通させる。または、リード28を貫通孔15に貫通させた後に、各貫通孔15とリード28との間隙に接合材17を充填させる。ここで、接合材17が半田から成る場合は、半田クリームを貫通孔15に塗布した後に、半田クリームを加熱溶融して半田とする工程が必要となる。   Referring to FIG. 8B, in this step, the bonding material 17 is filled in the gap between the side wall of the through hole 15 and the first lead 28A. As the bonding material 17, a conductive adhesive such as a conductive paste or solder is employed. As a specific method for forming the bonding material 17, the bonding material 17 is applied in advance to each through hole 15 of the second circuit board 20, and then the lead 28 is passed through each through hole 15. Alternatively, after the lead 28 is passed through the through hole 15, the bonding material 17 is filled in the gap between each through hole 15 and the lead 28. Here, when the bonding material 17 is made of solder, it is necessary to apply a solder cream to the through-hole 15 and then heat and melt the solder cream to form solder.

この様な構成は、図8(C)に示す第2リード28Bも同様であり、第2リード28Bと貫通孔15との間に接合材17が充填されている。ここで、第1リード28Aに適用される接合材17と、第2リード28Bに適用される接合材17とを、同じ材料(例えば半田)にすると、各貫通孔15への接合材17の供給を一括して行える利点がある。   Such a configuration is the same for the second lead 28 </ b> B shown in FIG. 8C, and the bonding material 17 is filled between the second lead 28 </ b> B and the through hole 15. Here, if the bonding material 17 applied to the first lead 28A and the bonding material 17 applied to the second lead 28B are made of the same material (for example, solder), the bonding material 17 is supplied to each through hole 15. There is an advantage that can be performed collectively.

上記したように本形態では、第1リード28Aと第2リード28Bの両方に対して、これらのリードが挿入される貫通孔15の間隙に接合材17を充填させている。具体的には、第1リード28Aは、第2回路基板20の上面に配置された第2回路素子24と電気的に接続される必要があるので、半田等から成る接合材17を経由してパッド21Aと接続される。ここで、パッド21Aは配線21Bを経由して第2回路素子24と接続されている。一方、図8(C)を参照して、第2リード28Bは、第2回路基板20上の素子とは接続される必要はないので、装置内部の電気的接続のみを考慮したら、第2リード28Bが挿入される貫通孔15には接合材17は充填される必要はない。しかしながら、本実施の形態では、後の工程に於ける貫通孔15を経由した樹脂漏れを防止するために、第2リード28Bが通過する貫通孔15にも接合材17を充填している。   As described above, in this embodiment, both the first lead 28A and the second lead 28B are filled with the bonding material 17 in the gaps of the through holes 15 into which these leads are inserted. Specifically, since the first lead 28A needs to be electrically connected to the second circuit element 24 disposed on the upper surface of the second circuit board 20, the first lead 28A passes through the bonding material 17 made of solder or the like. Connected to the pad 21A. Here, the pad 21A is connected to the second circuit element 24 via the wiring 21B. On the other hand, referring to FIG. 8C, the second lead 28B does not need to be connected to an element on the second circuit board 20, and therefore, if only the electrical connection inside the device is considered, the second lead 28B is used. The bonding material 17 does not need to be filled in the through hole 15 into which 28B is inserted. However, in the present embodiment, the bonding material 17 is also filled in the through hole 15 through which the second lead 28B passes in order to prevent resin leakage through the through hole 15 in a later process.

図8(A)を参照して、この様にすることで、第2回路基板20に設けた全ての貫通孔15が接合材17により塞がれることとなる。   With reference to FIG. 8A, all the through holes 15 provided in the second circuit board 20 are closed by the bonding material 17 by doing in this way.

図9を参照して、次に、第2回路素子24および第2回路基板20の上面が封止されるように、第2封止樹脂16を形成する。ここでは、第2回路基板20の上面およびケース材12の側壁の内側により囲まれる空間に、ノズル62の下端から所定の量の第2封止樹脂16を供給し、必要に応じて加熱等の硬化処理を施す。第2封止樹脂16は、粒状のアルミナ等のフィラーが混入された熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂から成る。   Referring to FIG. 9, next, the second sealing resin 16 is formed so that the upper surfaces of the second circuit element 24 and the second circuit board 20 are sealed. Here, a predetermined amount of the second sealing resin 16 is supplied from the lower end of the nozzle 62 to a space surrounded by the upper surface of the second circuit board 20 and the inside of the side wall of the case material 12, and heating or the like is performed as necessary. Apply curing. The second sealing resin 16 is made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin mixed with a filler such as granular alumina.

ノズル62から第2回路基板20の上面に供給される第2封止樹脂16は、液状または半固形の状態である。従って、第2回路基板20を貫通して設けた貫通孔15とリード28との間に隙間があると、この隙間を経由して第2封止樹脂16が中空部26に進入してしまう恐れがある。中空部26は第1回路素子22から発生した熱が第2回路素子24に伝導することを抑止するための層として機能している。このことから、この中空部26が第2封止樹脂16により充填されてしまうと、充填された第2封止樹脂16を経由して第1回路素子22から発生した熱が第2回路素子24に伝導してしまい、動作温度が低い第2回路素子24の動作が不安定化してしまう恐れがある。   The second sealing resin 16 supplied from the nozzle 62 to the upper surface of the second circuit board 20 is in a liquid or semi-solid state. Therefore, if there is a gap between the through hole 15 provided through the second circuit board 20 and the lead 28, the second sealing resin 16 may enter the hollow portion 26 via this gap. There is. The hollow portion 26 functions as a layer for preventing heat generated from the first circuit element 22 from being conducted to the second circuit element 24. Therefore, when the hollow portion 26 is filled with the second sealing resin 16, the heat generated from the first circuit element 22 through the filled second sealing resin 16 is generated by the second circuit element 24. There is a risk that the operation of the second circuit element 24 having a low operating temperature may become unstable.

しかしながら、本実施の形態では、図8(B)や図8(C)に示したように、第2回路基板20の各貫通孔15の内部に接合材17を充填させている。このことにより、貫通孔15を経由した第2封止樹脂16の中空部26への漏れが防止されている。   However, in this embodiment, as shown in FIG. 8B and FIG. 8C, the bonding material 17 is filled in each through-hole 15 of the second circuit board 20. This prevents leakage of the second sealing resin 16 into the hollow portion 26 via the through hole 15.

上記工程により、図1に構造を示した混成集積回路装置10が製造される。   Through the above steps, the hybrid integrated circuit device 10 whose structure is shown in FIG. 1 is manufactured.

本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置を示す図であり、(A)は断面図であり、(B)および(C)は斜視図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention, (A) is sectional drawing, (B) and (C) are perspective views. 本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置を示す図であり、(A)は斜視図であり、(B)は断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention, (A) is a perspective view, (B) is sectional drawing. 本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置の一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention. 本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention. 本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置に組み込まれる回路を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the circuit integrated in the hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention. (A)は本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置が組み込まれた室外機を示す図であり、(B)は混成集積回路装置が取り付けられる箇所の断面図である。(A) is a figure which shows the outdoor unit in which the hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention was integrated, (B) is sectional drawing of the location where a hybrid integrated circuit device is attached. 本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置の製造方法を示す図であり、(A)は断面図であり、(B)は断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the manufacturing method of the hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention, (A) is sectional drawing, (B) is sectional drawing. 本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置の製造方法を示す図であり、(A)は断面図であり、(B)および(C)は斜視図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the manufacturing method of the hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention, (A) is sectional drawing, (B) and (C) are perspective views. 本発明の回路装置の一実施例である混成集積回路装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the hybrid integrated circuit device which is one Example of the circuit device of this invention. 背景技術の混成集積回路装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the hybrid integrated circuit device of background art.

符号の説明Explanation of symbols

10 混成集積回路装置
12 ケース材
13 露出部
14 第1封止樹脂
15 貫通孔
16 第2封止樹脂
17 接合材
18 第1回路基板
20 第2回路基板
21 第2導電パターン
21A パッド
21B 配線
22 第1回路素子
24 第2回路素子
26 中空部
28 リード
28A 第1リード
28B 第2リード
30 リード
32 実装基板
34 絶縁基板
36 絶縁層
38 第1導電パターン
38A パッド
40 絶縁層
41 整流回路
42 金属細線
43 平滑回路
44 ドライバIC
45 スイッチング回路
46 モーター
48 室外機
50 筐体
52 圧縮機
54 凝縮機
56 ファン
58 ヒートシンク
60 実装基板
62 ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Hybrid integrated circuit device 12 Case material 13 Exposed part 14 1st sealing resin 15 Through-hole 16 2nd sealing resin 17 Bonding material 18 1st circuit board 20 2nd circuit board 21 2nd conductive pattern 21A Pad 21B Wiring 22 1st 1 circuit element 24 second circuit element 26 hollow portion 28 lead 28A first lead 28B second lead 30 lead 32 mounting substrate 34 insulating substrate 36 insulating layer 38 first conductive pattern 38A pad 40 insulating layer 41 rectifier circuit 42 metal wire 43 smooth Circuit 44 Driver IC
45 Switching circuit 46 Motor 48 Outdoor unit 50 Housing 52 Compressor 54 Condenser 56 Fan 58 Heat sink 60 Mounting board 62 Nozzle

Claims (4)

ケース材と、
前記ケース材に組み込まれると共に、表面に第1導電パターンが形成された第1回路基板と、
前記第1回路基板と重畳して前記ケース材に組み込まれると共に、表面に第2導電パターンが形成された第2回路基板と、
前記第1回路基板に実装されて前記第1導電パターンに電気的に接続された第1回路素子と、
前記第2回路基板に実装されて前記第2導電パターンに電気的に接続された第2回路素子と、
前記第2回路素子が封止されるように前記第2回路基板の表面に形成された封止樹脂と、
一端が前記第1回路基板の表面の前記第1導電パターンに接続され、前記第2回路基板に設けられた貫通孔を貫通して他端が外部に導出されるリードと、
前記第1回路基板、前記第2回路基板および前記ケース材に囲まれる中空部と、を備え、
前記リードには、前記第2回路基板の上面に実装された前記第2回路素子と電気的に接続される第1リードと、前記第2回路基板に実装された前記第2回路素子とは電気的に接続されない第2リードが含まれ、
前記第1リードと前記第2回路基板の前記貫通孔との間隙に半田が充填されると共に、前記第2リードと前記貫通孔との間隙にも半田が充填されることを特徴とする回路装置。
Case material,
A first circuit board incorporated in the case material and having a first conductive pattern formed on a surface thereof;
A second circuit board having a second conductive pattern formed on the surface thereof and being incorporated in the case material so as to overlap with the first circuit board;
A first circuit element mounted on the first circuit board and electrically connected to the first conductive pattern;
A second circuit element mounted on the second circuit board and electrically connected to the second conductive pattern;
A sealing resin formed on the surface of the second circuit board so that the second circuit element is sealed;
A lead having one end connected to the first conductive pattern on the surface of the first circuit board and penetrating through a through-hole provided in the second circuit board, the other end being led out;
A hollow portion surrounded by the first circuit board, the second circuit board and the case material ,
The lead includes a first lead electrically connected to the second circuit element mounted on the upper surface of the second circuit board, and an electrical connection between the second circuit element mounted on the second circuit board. A second lead that is not connected
A circuit device characterized in that the gap between the first lead and the through hole of the second circuit board is filled with solder, and the gap between the second lead and the through hole is also filled with solder. .
前記第2回路基板の前記貫通孔の周辺部には、前記第2導電パターンから成るパッドが設けられることを特徴とする請求項1に記載の回路装置。   The circuit device according to claim 1, wherein a pad made of the second conductive pattern is provided in a peripheral portion of the through hole of the second circuit board. 表面に第1導電パターンおよび第1回路素子が組み込まれると共に、前記第1導電パターンから成るパッドにリードが固着された第1回路基板を、ケース材に組み込む工程と、
表面に第2導電パターンおよび第2回路素子が組み込まれると共に貫通孔が形成された第2回路基板を、前記リードを前記貫通孔に貫通させて前記ケース材に組み込み、前記第1回路基板、前記第2回路基板および前記ケース材に囲まれる中空部を形成する工程と、
前記第2導電パターンおよび前記第2回路素子が被覆されるように、前記第2回路基板の表面に封止樹脂を形成する工程と、を具備し、
前記リードには、前記第2回路基板の上面に実装された前記第2回路素子と電気的に接続される第1リードと、前記第2回路基板に実装された前記第2回路素子とは電気的に接続されない第2リードが含まれ、
前記第1リードが貫通する貫通孔および前記第2リードが貫通する貫通孔の両方に接合材を塗布して、前記貫通孔を塞ぐことを特徴とする回路装置の製造方法。
A step of incorporating, into a case material, a first circuit board in which a first conductive pattern and a first circuit element are incorporated on a surface, and a lead is fixed to a pad made of the first conductive pattern;
A second circuit board having a through hole formed with the second conductive pattern and the second circuit element is incorporated in the surface, seen write set in the case member by penetrating the lead into the through-hole, the first circuit board Forming a hollow portion surrounded by the second circuit board and the case material ;
Forming a sealing resin on a surface of the second circuit board so as to cover the second conductive pattern and the second circuit element,
The lead includes a first lead electrically connected to the second circuit element mounted on the upper surface of the second circuit board, and an electrical connection between the second circuit element mounted on the second circuit board. A second lead that is not connected
A method of manufacturing a circuit device, wherein a bonding material is applied to both a through hole through which the first lead penetrates and a through hole through which the second lead penetrates to close the through hole.
前記封止樹脂を形成する工程では、前記封止樹脂は、液状または半固形状の状態で前記第2回路基板の表面に塗布した後に硬化されることを特徴とする請求項3に記載の回路装置の製造方法。
4. The circuit according to claim 3 , wherein in the step of forming the sealing resin, the sealing resin is cured after being applied to the surface of the second circuit board in a liquid or semi-solid state. Device manufacturing method.
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