JP5143676B2 - Semiconductor wafer support apparatus and support method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウェハを支持する支持装置および支持方法に関する。 The present invention relates to a support device and a support method for supporting a semiconductor wafer.
従来、半導体製造工程において、半導体チップを小型化するために半導体ウェハ(以下、単にウェハという)の裏面を研削して薄くする工程があり、この研削工程に先だってウェハの表面(回路が形成された面)に保護用の接着シートを接着することが行われている。また、回路が形成された半導体ウェハをチップに個片化(ダイシング)した後、各チップをピックアップしてリードフレームに接着(ダイボンディング)するために、ウェハの処理工程において、ダイボンディング用の接着シートをウェハ裏面に予め貼付することも行われている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, in the semiconductor manufacturing process, there has been a process of grinding and thinning the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) in order to reduce the size of a semiconductor chip, and prior to this grinding process, the wafer surface (circuit was formed). A protective adhesive sheet is adhered to the surface). Also, after the semiconductor wafer on which the circuit is formed is diced into chips (dicing), each chip is picked up and bonded to the lead frame (die bonding). A sheet is also pasted on the wafer back surface in advance (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1に記載されたシートの貼付装置は、ウェハ載置テーブルにウェハを載置し、このウェハの直上に接着シートを位置させるとともに、その上方から貼付ローラで接着シートをウェハに押圧することで、接着シートをウェハに貼付するように構成されている。この貼付装置におけるウェハ載置テーブルは、ウェハ径と略同一の径寸法を有するとともに、ウェハが載置される載置面がフラットに形成されたテーブルを有して構成されている。
The sheet sticking apparatus described in
ところで、特許文献1に記載されたような従来のウェハ支持装置であるテーブルでは、テーブルの載置面がフラットであるため、この載置面に当接する側のウェハ表面に電極(バンプ)等が突出していたり、ウェハの内周部と外周部とで厚さ寸法が相違したりなど、ウェハの被支持面がフラットでない場合、そのようなウェハ全体を適切に支持することができない。このため、テーブルに支持されていないウェハの一部が貼付ローラの押圧力で撓んでしまい、ウェハから接着シートが浮いてウェハとの間に空間(エア噛み)ができるなど、接着不良が発生する可能性がある。
By the way, in the table which is the conventional wafer support apparatus as described in
本発明は、以上のような不都合に着目して案出されたものであり、その目的は、非フラットな表面形状を有する半導体ウェハであっても、その全体を適切に支持することができる半導体ウェハの支持装置および支持方法を提供することにある。 The present invention has been devised by paying attention to the above disadvantages, and the object thereof is a semiconductor that can appropriately support the entire semiconductor wafer even if it has a non-flat surface shape. It is an object of the present invention to provide a wafer support apparatus and a support method.
前記目的を達成するため、本発明の半導体ウェハの支持装置は、内周部と外周部とで厚み寸法が相違する半導体ウェハを支持する支持体を備えた半導体ウェハの支持装置であって、前記支持体は、前記半導体ウェハの前記内周部の外周縁の形状に応じた外周形状を有する内側支持体と、この内側支持体の外側に位置し、当該内側支持体の外周に沿った内周形状を有する外側支持体とを有し、前記内側支持体と前記外側支持体とが前記半導体ウェハに向かう方向に沿って相対移動可能に設けられ、前記半導体ウェハにおける内周部と外周部との各表面位置に応じて前記内側支持体と前記外側支持体との相対位置を変更することで、前記内周部に前記内側支持体が当接するとともに前記外周部に前記外側支持体が当接して当該半導体ウェハを支持する、という構成を採用している。 In order to achieve the above object, a semiconductor wafer support device of the present invention is a semiconductor wafer support device including a support body for supporting a semiconductor wafer having a thickness dimension different between an inner peripheral portion and an outer peripheral portion, The support is an inner support having an outer peripheral shape corresponding to the shape of the outer peripheral edge of the inner peripheral portion of the semiconductor wafer, and an inner periphery along the outer periphery of the inner support that is located outside the inner support. and an outer support which have a shape, wherein the inner support and the outer support along a direction toward the semiconductor wafer is relatively movable, and the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer By changing the relative position of the inner support and the outer support according to each surface position, the inner support comes into contact with the inner peripheral part and the outer support comes into contact with the outer peripheral part. To support the semiconductor wafer That adopts a configuration that.
この際、本発明の半導体ウェハの支持装置では、前記内側支持体および外側支持体のうちの少なくとも一方には、前記半導体ウェハを吸引する吸引手段が設けられていることが好ましい。 At this time, in the semiconductor wafer support device of the present invention, it is preferable that at least one of the inner support and the outer support is provided with suction means for sucking the semiconductor wafer.
また、本発明の半導体ウェハの支持装置は、内周部と外周部とで厚み寸法が相違するとともに、径寸法の異なる少なくとも二種の半導体ウェハを支持する支持体を備えた半導体ウェハの支持装置であって、前記支持体は、一の支持体と、この一の支持体の外側に位置する少なくとも1つの他の支持体とを有して多重に構成され、前記一の支持体は、径小な半導体ウェハの前記内周部の外周縁の形状に応じた外周形状を有する第1内側支持体と、この第1内側支持体の外側に位置し、当該第1内側支持体の外周に沿った内周形状を有する第1外側支持体とを備え、前記他の支持体は、前記第1外側支持体の外側に位置し、当該第1外側支持体の外周に沿った内周形状を有するとともに、径大な半導体ウェハの前記内周部の外周縁の形状に応じた外周形状を有する第2内側支持体と、この第2内側支持体の外側に位置し、当該第2内側支持体の外周に沿った内周形状を有する第2外側支持体とを備え、前記第1内側支持体と第1外側支持体と第2内側支持体と第2外側支持体とがそれぞれ前記半導体ウェハに向かう方向に沿って相対移動可能に設けられる、という構成を採用することもできる。 In addition, the semiconductor wafer support device of the present invention includes a support for supporting at least two types of semiconductor wafers having different thickness dimensions at the inner peripheral portion and the outer peripheral portion and different diameter sizes. The support includes a single support and at least one other support located outside the single support, and the support is configured in multiples . A first inner support having an outer peripheral shape corresponding to the shape of the outer peripheral edge of the inner peripheral portion of the small-diameter semiconductor wafer, and located outside the first inner support, on the outer periphery of the first inner support A first outer support having an inner peripheral shape along the outer periphery, and the other support is located outside the first outer support and has an inner peripheral shape along the outer periphery of the first outer support. According to the shape of the outer peripheral edge of the inner peripheral portion of the semiconductor wafer having a large diameter A second inner support having a peripheral shape, located on the outer side of the second inner support, and a second outer support having an inner peripheral shape along the outer periphery of the second inner support, the first may be 1 and the inner support and the first outer support and a second inner support and the second outer support is relatively movable along a direction to each of the semiconductor wafer, a construction is adopted.
この際、本発明の半導体ウェハの支持装置では、前記一の支持体は、第1内側支持体と、この第1内側支持体の外側に位置する第1外側支持体とを有し、前記他の支持体は、前記第1外側支持体の外側に位置する第2内側支持体と、この第2内側支持体の外側に位置する第2外側支持体とを有して構成され、前記径寸法の異なる半導体ウェハのうち、径小な半導体ウェハにおける内周部と外周部との各表面位置に応じて前記第1内側支持体と前記第1外側支持体との相対位置を変更することで、前記内周部に前記第1内側支持体が当接するとともに前記外周部に前記第1外側支持体が当接して当該径小な半導体ウェハを支持し、前記径寸法の異なる半導体ウェハのうち、径大な半導体ウェハにおける内周部と外周部との各表面位置に応じて前記第1内側支持体、第1外側支持体および第2内側支持体と前記第2外側支持体との相対位置を変更することで、前記内周部に前記第1内側支持体、第1外側支持体および第2内側支持体が当接するとともに前記外周部に前記第2外側支持体が当接して当該径大な半導体ウェハを支持することが好ましい。
さらに、本発明の半導体ウェハの支持装置では、前記一の支持体と、この一の支持体の外側に位置する少なくとも1つの他の支持体とのうち、少なくとも一の支持体を構成する内側支持体および外側支持体のいずれかには、前記半導体ウェハを吸引する吸引手段が設けられていることが好ましい。
In this case, in the semiconductor wafer support device of the present invention, the one support includes a first inner support and a first outer support located outside the first inner support. The support body includes a second inner support body located outside the first outer support body, and a second outer support body located outside the second inner support body. Of the different semiconductor wafers, by changing the relative position of the first inner support and the first outer support according to the respective surface positions of the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer having a small diameter, The first inner support is in contact with the inner peripheral portion and the first outer support is in contact with the outer peripheral portion to support the small-diameter semiconductor wafer. Depending on the surface position of the inner periphery and outer periphery of a large semiconductor wafer By changing the relative positions of the first inner support, the first outer support, the second inner support and the second outer support, the first inner support and the first outer support on the inner periphery. The body and the second inner support are in contact with each other, and the second outer support is preferably in contact with the outer peripheral portion to support the semiconductor wafer having a large diameter.
Furthermore, in the semiconductor wafer support apparatus of the present invention, the inner support that constitutes at least one of the one support and at least one other support located outside the one support. It is preferable that either one of the body and the outer support is provided with suction means for sucking the semiconductor wafer.
一方、本発明の半導体ウェハの支持方法は、内周部と外周部とで厚み寸法が相違する半導体ウェハの内周部に当接し当該内周部の外周縁の形状に応じた外周形状を有する内側支持体と、この内側支持体の外側に位置し、当該内側支持体の外周に沿った内周形状を有する外側支持体とを備えた装置を用いて当該半導体ウェハを支持する半導体ウェハの支持方法であって、前記半導体ウェハにおける内周部と外周部との各表面位置に応じて前記内側支持体と前記外側支持体との相対位置を変更し、前記内側支持体を前記半導体ウェハの内周部に当接させるとともに、前記外側支持体を前記半導体ウェハの外周部に当接させて当該半導体ウェハを支持することを特徴とする。 On the other hand, the supporting method of the semiconductor wafer of the present invention, the inner peripheral portion and the outer peripheral portion and the thickness is in contact with the inner peripheral portion of the semiconductor wafer differs in outer peripheral shape corresponding to the shape of the outer peripheral edge of the inner peripheral portion an inner support having, this is located outside of the inner supporting body, the semiconductor wafer for supporting the semiconductor wafer using an apparatus comprising an outer support which have a peripheral shape among along the outer periphery of the inner support The relative position of the inner support and the outer support is changed according to the respective surface positions of the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer, and the inner support is used as the semiconductor wafer. And the outer support is brought into contact with the outer peripheral portion of the semiconductor wafer to support the semiconductor wafer.
以上のような本発明によれば、半導体ウェハにおける内周部と外周部との各表面位置に応じて内側支持体と外側支持体との相対位置を変更し、内側支持体で半導体ウェハの内周部を支持し、外側支持体で半導体ウェハの外周部を支持することで、半導体ウェハの全体を適切に支持することができる。従って、半導体ウェハの内周部表面に電極等が突出して凸部(バンプ)が形成されて外周部との表面位置が相違していたり、逆に外周部表面に凸部が形成されて半導体ウェハの内周部と外周部とで厚さ寸法が相違して表面に段差が形成されていたりした場合であっても、その段差に合わせて内側支持体と外側支持体とを相対移動させ、内周部および外周部の両方に支持体を確実に当接させることができる。このような本発明の支持装置によって半導体ウェハを支持することで、その表面に接着シートを貼付する際に押圧されたとしてもウェハの撓みを抑制することができ、エア噛み等の接着不良を防止することができる。 According to the present invention as described above, the relative positions of the inner support and the outer support are changed according to the respective surface positions of the inner periphery and the outer periphery of the semiconductor wafer, and the inner support supports the inner surface of the semiconductor wafer. By supporting the peripheral portion and supporting the outer peripheral portion of the semiconductor wafer with the outer support, the entire semiconductor wafer can be appropriately supported. Therefore, an electrode or the like protrudes from the inner peripheral surface of the semiconductor wafer to form a convex portion (bump) and the surface position is different from the outer peripheral portion, or conversely, a convex portion is formed on the outer peripheral surface. Even if the thickness is different between the inner and outer peripheral portions of the inner surface and there are steps on the surface, the inner support and the outer support are moved relative to each other in accordance with the steps. The support can be reliably brought into contact with both the peripheral portion and the outer peripheral portion. By supporting a semiconductor wafer with such a support device of the present invention, even when pressed on the surface of the adhesive sheet, the wafer can be prevented from being bent, and adhesion failure such as air biting can be prevented. can do.
また、支持体として、第1内側支持体および第1外側支持体と、第2内側支持体および第2外側支持体とを用いるとともに、第1および第2の支持体において内側支持体と外側支持体とを半導体ウェハに対して相対移動可能に設けることで、径寸法の異なる二種の半導体ウェハを単一の装置で支持することができる。従って、径の異なる複数種類の支持体を別々に準備しておく必要がないことから、装置コストの低減を図ることができるとともに、支持体の交換に要する時間および手間を省略することができる。そして、径寸法の異なる二種の半導体ウェハの表面に段差が形成されている場合でも、前述のようにウェハ全体を適切に支持することができ、接着シートの接着不良を防止することができる。 Moreover, while using a 1st inner side support body and a 1st outer side support body, and a 2nd inner side support body and a 2nd outer side support body as a support body, an inner side support body and an outer side support in a 1st and 2nd support body are used. By providing the body so as to be relatively movable with respect to the semiconductor wafer, two types of semiconductor wafers having different diameters can be supported by a single device. Therefore, since it is not necessary to separately prepare a plurality of types of supports having different diameters, the apparatus cost can be reduced, and the time and labor required for replacing the support can be omitted. And even when the level | step difference is formed in the surface of two types of semiconductor wafers from which a diameter differs, the whole wafer can be supported appropriately as mentioned above, and the adhesion defect of an adhesive sheet can be prevented.
さらに、支持体に吸引手段を設けることで、半導体ウェハの浮き上がり等を防止することができ、より一層確実にウェハを支持することができる。 Further, by providing the suction means to the support, it is possible to prevent such floating of the semiconductor wafer, Ru can support the wafer more reliably.
以下、本発明の各実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、第2実施形態以降において、次の第1実施形態で説明する構成部材と同じ構成部材、および同様な機能を有する構成部材には、第1実施形態の構成部材と同じ符号を付し、それらの説明を省略または簡略化する。
Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In the second and subsequent embodiments, the same constituent members as those described in the first embodiment and the constituent members having the same functions are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment. Those descriptions are omitted or simplified.
〔第1実施形態〕
図1は、第1実施形態に係る半導体ウェハの支持装置1を示す断面図である。
図1において、支持装置1は、表面に回路が形成された半導体ウェハ(以下、単にウェハWという)の裏面にダイボンディング用の接着シートであるダイアタッチフィルムSを貼付する貼付装置の一部を構成するものである。この貼付装置は、支持装置1でウェハWを下方から支持するとともに、その上方に剥離シートRLに仮着された感熱接着性のダイアタッチフィルムSを位置させた状態において、剥離シートRLの上面側に沿って加熱ローラRを転動させることで、加熱、押圧したダイアタッチフィルムSをウェハWに貼付するように構成されている。また、支持装置1で支持されるウェハWの表面(図1の下面)には、突起電極等のようなウェハWの表面から突出した複数のバンプ(凸部)Bが形成されている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a semiconductor
In FIG. 1, a
支持装置1は、図2にも示すように、内側支持体である内側テーブル2と、この内側テーブル2の外側に位置する外側支持体である外側テーブル3と、内側テーブル2と外側テーブル3とを上下方向に相対移動させる移動装置4とを有して構成されている。
As shown in FIG. 2, the
内側テーブル2は、移動装置4に連結された全体略円盤状の内側テーブル本体21と、この内側テーブル本体21の上面に設けられた弾性部材である軟質樹脂シート22とを備え、内側テーブル本体21の上面および軟質樹脂シート22には、ウェハWを吸着保持する吸引手段としての複数の吸引口23が形成されている。これらの吸引口23は、内側テーブル本体21内部で互いに連通されるとともに、図示しない吸引装置に接続されている。
The inner table 2 includes a generally disc-shaped inner table
外側テーブル3は、全体略円環状の外側テーブル本体31と、この外側テーブル本体31の上面に設けられた弾性部材である軟質樹脂シート32と、外側テーブル本体31の下部に連続する外側テーブル底面部33とを備えて構成されている。この外側テーブル3は、支持装置1全体を支持する支持台Tに載置されて上下移動不能に支持されている。そして、外側テーブル底面部33の上面に移動装置4が支持されている。
The outer table 3 includes a generally annular outer table
移動装置4は、外側テーブル底面部33に連結される直動モータ41によって構成され、この直動モータ41の出力軸42に内側テーブル本体21が連結されることで、内側テーブル2と外側テーブル3とが上下方向、つまりウェハWに向かう方向に沿って相対移動できるようになっている。なお、この内側テーブル2と外側テーブル3との相対移動は、少なくとも一方が他方に対して上下方向に移動して相対移動するように構成されていればよい。
The
以上の支持装置1に支持されるウェハWは、図3にも示すように、その表面において、複数のバンプBが形成された内周部であるバンプ形成領域R1と、バンプ形成領域R1の外側に位置する外周部でありバンプBが形成されないバンプ非形成領域R2とを有して構成されている。そして、図3(A)に示すように、バンプBが同心円状に配列される場合には、図に仮想線(二点鎖線)で示すように、バンプ形成領域R1の外周縁が円形となり、図3(B)に示すように、バンプBがグリッド状に配列される場合には、バンプ形成領域R1の外周縁が多角形となる。また、バンプ形成領域R1は、ウェハWの表面からのバンプBの突出高さ分だけバンプ非形成領域R2よりも厚さ寸法が大きくなっており、支持装置1に支持される状態において、バンプ形成領域R1の表面位置がバンプ非形成領域R2の表面位置よりも低くなっている。
As shown in FIG. 3, the wafer W supported by the
このようなウェハWを支持する支持装置1において、内側テーブル2の外周形状および外側テーブル3の内周形状は、バンプ形成領域R1の外周縁の形状(バンプ非形成領域R2の内周縁の形状)に応じたものとされている。すなわち、図2に示す内側テーブル2および外側テーブル3は、図3(A)のような外周縁が円形のバンプ形成領域R1を有したウェハWを支持するためのものである。一方、図示を省略するが、図3(B)のような外周縁が多角形のバンプ形成領域R1を有したウェハWを支持する場合には、それと同様の多角形に形成された外周形状を有する内側テーブル2と、この内側テーブル2の外周に沿った内周形状を有する外側テーブル3とを用意すればよい。
In the supporting
そして、支持装置1は、バンプ形成領域R1とバンプ非形成領域R2との表面位置の差に応じて移動装置4を駆動し、内側テーブル2の上面が外側テーブル3の上面よりも低くなるように内側テーブル2を移動させる。このように、内側テーブル2と外側テーブル3とを相対移動させることで、内側テーブル2の上面(当接面)を構成する軟質樹脂シート22にウェハWのバンプ形成領域R1が当接し、外側テーブル3の上面(当接面)を構成する軟質樹脂シート32にバンプ非形成領域R2が当接し、これによりウェハWの下面側全体が支持装置1に支持されるようになっている。
Then, the supporting
以上のような本実施形態によれば、次のような効果がある。
すなわち、ウェハWにおけるバンプ形成領域R1とバンプ非形成領域R2との表面位置が相違していても、その段差に合わせて内側テーブル2と外側テーブル3とを相対移動させることで、ウェハWの全体を支持することができ、ダイアタッチフィルムS等の接着シートを貼付する際に加熱ローラRで押圧されたとしてもウェハWの撓みを抑制してエア噛み等の接着不良を防止することができる。
According to this embodiment as described above, the following effects are obtained.
That is, even if the surface positions of the bump forming region R1 and the bump non-forming region R2 on the wafer W are different, the inner table 2 and the outer table 3 are moved relative to each other in accordance with the level difference to thereby move the entire wafer W. Even when the adhesive sheet such as the die attach film S is affixed by the heating roller R, it is possible to suppress the bending of the wafer W and prevent adhesion failure such as air biting.
〔第2実施形態〕
次に、本発明の第2実施形態を図4および図5に基づいて説明する。
図4および図5は、第2実施形態に係る半導体ウェハの支持装置1Aを示す断面図である。
本実施形態の支持装置1Aは、前記第1実施形態の支持装置1と同様にダイアタッチフィルムSを貼付する貼付装置の一部を構成するものであって、径寸法の異なる二種の半導体ウェハ(径小のウェハW1および経大のウェハW2)を支持する第1の支持体(第1内側テーブル5および第1外側テーブル6)と第2の支持体(第2内側テーブル7および第2外側テーブル8)とを備える点が第1実施形態と相違する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
4 and 5 are sectional views showing a semiconductor wafer support device 1A according to the second embodiment.
The support device 1A according to the present embodiment constitutes a part of a pasting device for pasting the die attach film S in the same manner as the
支持装置1Aは、第1内側支持体である第1内側テーブル5と、この第1内側テーブル5の外側に位置する第1外側支持体である第1外側テーブル6と、この第1外側テーブル6の外側に位置する第2内側支持体である第2内側テーブル7と、この第2内側テーブル7の外側に位置する第2外側支持体である第2外側テーブル8とを有して構成されている。第1内側テーブル5、第1外側テーブル6、第2内側テーブル7および第2外側テーブル8は、それぞれ第1移動装置9A、第2移動装置9B、第3移動装置9Cおよび第4移動装置9Dによって支持台Tに支持されている。
The
第1内側テーブル5は、全体略円盤状の第1内側テーブル本体51を備え、第2内側テーブル7は、全体略円環状の第2内側テーブル本体71を備えて構成されている。これらの第1内側テーブル5および第2内側テーブル7の上面には、それぞれ弾性部材である軟質樹脂シート52,72と、ウェハWを吸着保持する吸引手段としての複数の吸引口53,73とが設けられている。一方、第1外側テーブル6は、全体略円環状の第1外側テーブル本体61と第1外側テーブル底面部63とを備え、第2外側テーブル8は、全体略円環状の第2外側テーブル本体81と第2外側テーブル底面部83とを備えて構成されている。これらの第1外側テーブル6および第2外側テーブル8の上面には、それぞれ弾性部材である軟質樹脂シート62,82が設けられている。そして、第1内側テーブル5の外周形状および第1外側テーブル6の内周形状は、それぞれ径小のウェハW1におけるバンプ形成領域R1の外周縁の形状に対応して形成され、第2内側テーブル7の外周形状および第2外側テーブル8の内周形状は、それぞれ径大のウェハW2におけるバンプ形成領域R1の外周縁の形状に対応して形成されている。
The first inner table 5 includes a first
第1〜第4の移動装置9A、9B,9C,9Dは、それぞれ支持台Tに連結される直動モータ91,92,93,94によって構成され、これらの直動モータ91,92,93,94の出力軸95,96,97,98にそれぞれ第1内側テーブル本体51、第1外側テーブル本体61、第2内側テーブル本体71および第2外側テーブル本体81が連結されている。これにより第1内側テーブル5、第1外側テーブル6、第2内側テーブル7および第2外側テーブル8は、第1〜第4の移動装置9A、9B,9C,9Dによって、互いに上下方向、つまりウェハW1,W2に向かう方向に沿って相対移動できるようになっている。
The first to fourth moving
以上の支持装置1Aの動作として、図4に示すように径小のウェハW1を支持する場合には、先ず、第3および第4の移動装置9C,9Dを駆動して第2内側テーブル7および第2外側テーブル8を下方に退避させるとともに、第1および第2の移動装置9A,9Bを駆動して第1内側テーブル5および第1外側テーブル6を支持位置まで上昇させる。この際、第1内側テーブル5と第1外側テーブル6とは、ウェハW1のバンプ形成領域R1とバンプ非形成領域R2との表面位置の差に応じて、第1内側テーブル5の上面が第1外側テーブル6の上面よりも低くなるように移動制御される。このような移動制御により、第1内側テーブル5の軟質樹脂シート52にウェハW1のバンプ形成領域R1が当接し、第1外側テーブル6の軟質樹脂シート62にバンプ非形成領域R2が当接し、ウェハW1の下面側全体が支持装置1Aに支持されるようになっている。
As the operation of the support device 1A, when the small-diameter wafer W1 is supported as shown in FIG. 4, first, the third and fourth moving
次に、図5に示すように径大のウェハW2を支持する場合には、第1〜第4の移動装置9A,9B,9C,9Dを駆動して第1内側テーブル5、第1外側テーブル6、第2内側テーブル7および第2外側テーブル8を支持位置まで上昇させる。この際、第1内側テーブル5、第1外側テーブル6および第2内側テーブル7と、第2外側テーブル8とは、ウェハW2のバンプ形成領域R1とバンプ非形成領域R2との表面位置の差に応じて、第1内側テーブル5、第1外側テーブル6および第2内側テーブル7の上面が第2外側テーブル8の上面よりも低くなるように移動制御される。すなわち、各テーブルの支持位置は、第1内側テーブル5、第1外側テーブル6および第2内側テーブル7の上面がフラットで、かつ第2外側テーブル8の上面だけが上方に突出した状態となっている。このような支持位置に移動されることで、第1内側テーブル5、第1外側テーブル6および第2内側テーブル7の軟質樹脂シート52,62,72にウェハW2のバンプ形成領域R1が当接し、第2外側テーブル8の軟質樹脂シート82にバンプ非形成領域R2が当接し、これによりウェハW2の下面側全体が支持装置1Aに支持されるようになっている。
Next, when supporting the wafer W2 having a large diameter as shown in FIG. 5, the first inner table 5 and the first outer table are driven by driving the first to fourth moving
以上のような本実施形態によれば、前記第1実施形態と同様の効果に加えて以下の効果を得ることができる。
すなわち、径寸法の異なる二種のウェハW1,W2を単一の支持装置1Aで支持することができるので、ウェハW1,W2の径ごとに複数の支持装置や別々の支持テーブルを準備しておく必要がなくなり、装置コストの低減を図ることができるとともに、支持テーブルの交換に要する時間および手間を省略することができる。
According to the present embodiment as described above, the following effects can be obtained in addition to the same effects as those of the first embodiment.
That is, since two types of wafers W1 and W2 having different diameters can be supported by the single support device 1A, a plurality of support devices and separate support tables are prepared for each diameter of the wafers W1 and W2. This eliminates the need to reduce the cost of the apparatus and eliminates the time and labor required for replacing the support table.
以上のように、本発明を実施するための最良の構成、方法等は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。また、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。 As described above, the best configuration, method and the like for carrying out the present invention have been disclosed in the above description, but the present invention is not limited to this. That is, the invention has been illustrated and described with particular reference to certain specific embodiments, but without departing from the spirit and scope of the invention, Various modifications can be made by those skilled in the art in terms of material, quantity, and other detailed configurations. In addition, the description of the shape, material, and the like disclosed above is exemplary for ease of understanding of the present invention, and does not limit the present invention. The description by the name of the member which remove | excluded the limitation of one part or all of such restrictions is included in this invention.
例えば、前記実施形態では、ウェハW,W1,W2の内周部(バンプ形成領域R1)にバンプBが形成された半導体ウェハを支持する場合を示したが、そのようにバンプ形成領域R1とバンプ非形成領域R2とで厚さ寸法が異なる半導体ウェハに限らず、本発明の支持装置によれば各種の半導体ウェハを支持することができる。すなわち、本発明の支持装置で支持する半導体ウェハとしては、例えば、特開2007−19379号公報に記載の外周部に凸部を有する半導体ウェハのような内周部と外周部とで研削厚さが異なることで段差を有したものでもよいし、また、段差を有さずに全体フラットな半導体ウェハも支持対象とすることができる。
また、前記実施形態では、支持装置1,1Aとして、半導体ウェハの裏面にダイアタッチフィルムSを貼付する貼付装置の一部を構成するものを対象としたが、これに限らず、本発明は、単体の支持装置であってもよいし、貼付装置以外の装置に組み込まれるものであってもよい。
さらに、半導体ウェハは、シリコンウェハや化合物ウェハであってもよい。
For example, in the above-described embodiment, the case where the semiconductor wafer having the bumps B formed on the inner peripheral portions (bump formation regions R1) of the wafers W, W1, and W2 is shown. Not only the semiconductor wafer having a thickness dimension different from that of the non-forming region R2, but according to the supporting device of the present invention, various semiconductor wafers can be supported. That is, as the semiconductor wafer supported by the support device of the present invention, for example, the grinding thickness between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion, such as a semiconductor wafer having a convex portion on the outer peripheral portion described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-19379. However, it is possible to use a semiconductor wafer that is flat and has no step.
Moreover, in the said embodiment, although it intended for what comprises a part of sticking apparatus which sticks the die attach film S to the back surface of a semiconductor wafer as
Further, the semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound wafer.
また、前記第1実施形態では、単一径寸法のウェハWを支持する支持装置1を示し、第2実施形態では、二種の径寸法のウェハW1,W2を支持する支持装置1Aを示したが、本発明の支持装置は、三種以上の径寸法の半導体ウェハを支持するものであってもよい。すなわち、前記第2実施形態の支持装置1Aにおける第2外側テーブル8の外側に、第2内、外支持体と同様に相対移動可能な第3内側支持体および第3外側支持体を設ければ、三種の径寸法に対応させることができるし、さらに、第4支持体以降の支持体を設けて四種以上の径寸法に対応させることもできる。
In the first embodiment, the
また、前記第2実施形態では、第1内側テーブル5、第1外側テーブル6、第2内側テーブル7および第2外側テーブル8が、それぞれ第1〜第4の移動装置9A、9B,9C,9Dによって上下移動可能に構成されていたが、このような構成に限られない。すなわち、本願発明では、第2実施形態における第1内側テーブル5と第1外側テーブル6とが相対移動可能、かつ第2内側テーブル7と第2外側テーブル8とが相対移動可能に構成されていればよく、例えば、第1内側テーブル5と第2内側テーブル7とが同一高さ位置に移動不能に設けられ、これらに対して第1外側テーブル6と第2外側テーブル8とがそれぞれ相対移動可能に設けられるような構成や、逆に第1外側テーブル6と第2外側テーブル8とが同一高さ位置に移動不能に設けられ、これらに対して第1内側テーブル5と第2内側テーブル7とがそれぞれ相対移動可能に設けられるような構成も本願発明に含まれる。
In the second embodiment, the first inner table 5, the first outer table 6, the second inner table 7, and the second outer table 8 are respectively connected to the first to fourth moving
1,1A 半導体ウェハの支持装置
2 内側テーブル(内側支持体)
3 外側テーブル(外側支持体)
5 第1内側テーブル(第1内側支持体)
6 第1外側テーブル(第1外側支持体)
7 第2内側テーブル(第2内側支持体)
8 第2外側テーブル(第2外側支持体)
22,32 軟質樹脂シート(弾性部材)
23 吸引口(吸引手段)
52,62 軟質樹脂シート(弾性部材)
72,82 軟質樹脂シート(弾性部材)
53,73 吸引口(吸引手段)
R1 バンプ形成領域(内周部)
R2 バンプ非形成領域(外周部)
W,W1,W2 ウェハ(半導体ウェハ)
1,1A Semiconductor
3 Outer table (outer support)
5 First inner table (first inner support)
6 First outer table (first outer support)
7 Second inner table (second inner support)
8 Second outer table (second outer support)
22, 32 Soft resin sheet (elastic member)
23 Suction port (suction means)
52,62 Soft resin sheet (elastic member)
72,82 Soft resin sheet (elastic member)
53,73 Suction port (suction means)
R1 Bump formation area (inner circumference)
R2 Bump non-formation area (outer periphery)
W, W1, W2 wafer (semiconductor wafer)
Claims (5)
前記支持体は、前記半導体ウェハの前記内周部の外周縁の形状に応じた外周形状を有する内側支持体と、この内側支持体の外側に位置し、当該内側支持体の外周に沿った内周形状を有する外側支持体とを有し、前記内側支持体と前記外側支持体とが前記半導体ウェハに向かう方向に沿って相対移動可能に設けられ、
前記半導体ウェハにおける内周部と外周部との各表面位置に応じて前記内側支持体と前記外側支持体との相対位置を変更することで、前記内周部に前記内側支持体が当接するとともに前記外周部に前記外側支持体が当接して当該半導体ウェハを支持することを特徴とする半導体ウェハの支持装置。 A semiconductor wafer support device including a support for supporting a semiconductor wafer having a thickness dimension different between an inner peripheral portion and an outer peripheral portion,
The support is an inner support having an outer peripheral shape corresponding to the shape of the outer peripheral edge of the inner peripheral portion of the semiconductor wafer, and an inner support located on the outer side of the inner support along the outer periphery of the inner support. and an outer support which have a peripheral shape, wherein the inner support and the outer support is provided to be relatively movable along a direction toward the semiconductor wafer,
By changing the relative positions of the inner support and the outer support according to the surface positions of the inner and outer peripheral portions of the semiconductor wafer, the inner support comes into contact with the inner peripheral portion. A semiconductor wafer support device, wherein the outer support is in contact with the outer peripheral portion to support the semiconductor wafer.
前記支持体は、一の支持体と、この一の支持体の外側に位置する少なくとも1つの他の支持体とを有して多重に構成され、
前記一の支持体は、径小な半導体ウェハの前記内周部の外周縁の形状に応じた外周形状を有する第1内側支持体と、この第1内側支持体の外側に位置し、当該第1内側支持体の外周に沿った内周形状を有する第1外側支持体とを備え、
前記他の支持体は、前記第1外側支持体の外側に位置し、当該第1外側支持体の外周に沿った内周形状を有するとともに、径大な半導体ウェハの前記内周部の外周縁の形状に応じた外周形状を有する第2内側支持体と、この第2内側支持体の外側に位置し、当該第2内側支持体の外周に沿った内周形状を有する第2外側支持体とを備え、
前記第1内側支持体と第1外側支持体と第2内側支持体と第2外側支持体とがそれぞれ前記半導体ウェハに向かう方向に沿って相対移動可能に設けられることを特徴とする半導体ウェハの支持装置。 A semiconductor wafer support device including a support body for supporting at least two kinds of semiconductor wafers having different thickness dimensions between an inner peripheral portion and an outer peripheral portion, and different diameter dimensions,
The support includes a single support and at least one other support positioned outside the single support .
The one support is located on the outer side of the first inner support having an outer peripheral shape corresponding to the shape of the outer peripheral edge of the inner peripheral part of the small-diameter semiconductor wafer, and the first support A first outer support having an inner peripheral shape along the outer periphery of one inner support;
The other support is located outside the first outer support, has an inner peripheral shape along the outer periphery of the first outer support, and an outer peripheral edge of the inner peripheral portion of the large-diameter semiconductor wafer. A second inner support having an outer peripheral shape corresponding to the shape of the second inner support, and a second outer support having an inner peripheral shape along the outer periphery of the second inner support, which is located outside the second inner support. With
The semiconductor wafer, characterized by being relatively movable along the direction in which the first inner support and a first outer support and a second inner support and the second outer support is directed to each of the semiconductor wafer Support device.
前記半導体ウェハにおける内周部と外周部との各表面位置に応じて前記内側支持体と前記外側支持体との相対位置を変更し、
前記内側支持体を前記半導体ウェハの内周部に当接させるとともに、前記外側支持体を前記半導体ウェハの外周部に当接させて当該半導体ウェハを支持することを特徴とする半導体ウェハの支持方法。 The inner peripheral portion and the outer peripheral portion and an inner support having a peripheral shape corresponding to the shape of the outer peripheral edge of the abut against the inner peripheral portion of the semiconductor wafer the inner peripheral portion thickness is different, the outside of the inner support position, and a support method of a semiconductor wafer for supporting the semiconductor wafer using an apparatus comprising an outer support which have a peripheral shape among along the outer periphery of the inner support,
According to each surface position of the inner peripheral portion and the outer peripheral portion in the semiconductor wafer, the relative position between the inner support and the outer support is changed,
A method of supporting a semiconductor wafer, wherein the inner support is brought into contact with an inner periphery of the semiconductor wafer, and the outer support is brought into contact with an outer periphery of the semiconductor wafer to support the semiconductor wafer. .
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