JP5134804B2 - 走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡像の歪み校正 - Google Patents
走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡像の歪み校正 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5134804B2 JP5134804B2 JP2006274607A JP2006274607A JP5134804B2 JP 5134804 B2 JP5134804 B2 JP 5134804B2 JP 2006274607 A JP2006274607 A JP 2006274607A JP 2006274607 A JP2006274607 A JP 2006274607A JP 5134804 B2 JP5134804 B2 JP 5134804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- electron microscope
- distortion
- scanning electron
- pattern pitch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/282—Determination of microscope properties
- H01J2237/2826—Calibration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Description
図1は本実施例の走査電子顕微鏡のシステム構成を示した概略図である。本実施形態の走査電子顕微鏡システムは主に電子光学系1と,試料から発生する二次電子または反射電子を検出する検出器8と,検出器8で得られた二次電子または反射電子の情報を基に画像を生成し様々な演算を行う演算部108と,演算結果を保存する記憶部11と,画像を表示する表示部10と,電子光学系を制御する電子光学系制御部12で構成される。電子光学系1は主に電子ビームを発生する電子銃2と,該電子ビームを収束させるコンデンサレンズ3と,該電子ビームを試料上で走査するための偏向器4と,該電子ビームを試料上でジャストフォーカスさせる対物レンズ5で構成される。
部104により二次電子像の歪み分布を算出する。具体的には小領域毎のパターンピッチ計
測結果と標準試料の公称値との差分を歪み分布としても良いし,小領域のうちの一つを基
準として,該小領域のパターンピッチ計測結果と該小領域以外の小領域のパターンピッチ
計測結果との差分を歪み分布としても良い。そして算出された小領域毎の歪み分布を表示
部に数値で表示しても良いし、小領域毎のパターンピッチ計測結果の二次元分布を図7の
ように等高線として表示しても良い。前記二次元分布を等高線として表示することで,視
覚的に分かりやすく,オペレータが走査歪みを直感的にとらえやすくなる。
り,走査電子顕微鏡像の視野内で一様な周期構造をもっているので,図7で示すパターン
ピッチの二次元分布は走査電子顕微鏡の走査歪みであると結論付けられる。
走査電子顕微鏡の走査は図8に示す順序で行われる。本実施例で用いた走査電子顕微鏡では垂直方向に512本の走査線を用いて二次電子画像を形成している。ただし,512本の走査線の走査順序は図8に限らず,どのような走査順序の場合でも本実施例は適応可能である。更に走査線の本数も512本に限らず,1024本,256本などの場合にも本実施例は適応可能である。
すなわち走査歪み校正では,まず算出した走査歪み量に応じた補正信号を演算部106で計算し,次に電子光学系制御部12によって偏向器へ印加する信号を制御する。該工程によって走査歪みの少ない走査電子顕微鏡像を提供できる。
(実施例2)
次に偏向器の走査制御信号には校正を行わずに,走査電子顕微鏡像の倍率校正を走査電子顕微鏡像内で複数箇所にわたり行ったときの実施例を示す。
図14は走査歪みを測長時の倍率へ反映する場合のフローを示す。
法計測演算部107にて計測した標準試料のパターンピッチの二次元分布から,各小領域に
おける偏向倍率を歪み補正量演算部106にて算出する。ここでは各々が重複しない4×4の
領域を指定した例を示しているが、画像内で互いが重なり合った領域を小領域として複数
選択ないし指定することも可能である。本実施例で用いているのは,線幅あるいはパター
ンピッチが公称値として既知の周期構造を有し,走査電子顕微鏡の視野内で一様な周期構
造をもつ標準試料を用いているので,二次元分布は走査歪みによる局所的な倍率誤差が示
されることとなる。
小領域について倍率校正を行う。具体的には各小領域で計測したパターンピッチが公称値
と同じになるような倍率を歪み補正量算出部106にて算出する。該各倍率から該各小領域
での画素サイズ(nm/pixel)を個別に算出し,該画素サイズを記憶部11に記憶させる。寸
法計測の際,該画素サイズを記憶部11から読み出し,計測する二点間の距離を画素単位か
らnm単位に変換して寸法値を表示する。
Claims (9)
- パターンピッチが公称値として既知の標準試料の所定領域に電子線を走査する電子光学系と、
当該電子線の走査により発生する二次電子または反射電子を検出する検出手段と、
前記所定領域のパターンピッチを計測する演算手段とを有し、
前記演算手段は、前記検出手段で検出された二次電子または反射電子の情報から画像を形成する手段と、取得した1つの前記画像内の任意の部分画像を複数選択して前記複数の部分画像を形成する手段と、形成された該複数の部分画像内のパターンピッチを各部分画像毎に計測する手段と、計測された該複数の各部分画像内のパターンピッチから走査歪み分布を算出する手段と、前記標準試料の異なる複数個所で算出された複数の前記走査歪み分布を平均化して前記電子線の走査歪み量を算出する手段とを備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
前記パターンピッチの分布を表示する手段を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記電子光学系は前記電子線を偏向する偏向器を備え、
前記算出した走査歪み量に応じて前記偏向器への信号を制御することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記算出した走査歪み量に応じてパターンピッチが一定となるように前記画像の面内の倍率を調整することを特徴とする走査電子顕微鏡。
- 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
前記標準試料の異なる複数位置で前記電子線の走査歪み量を算出することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、
前記部分画像領域のパターンピッチの計測はFFTあるいは相関関数を使って行われることを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記標準試料は、互いに異なる間隔のパターンピッチを有することを特徴とする走査電子顕微鏡。
- 請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記領域内に少なくとも3本以上のパターンを含むことを特徴とした走査電子顕微鏡。
- パターンピッチが公称値として既知の標準試料の所定の照射領域に電子線を照射して画像を取得する工程と、
取得した1つの前記画像内の任意の部分画像を複数選択する工程と、
選択された該領域毎に前記部分画像内のパターンピッチを計測する工程と、
計測された該複数の各部分画像内のパターンピッチから走査歪み分布を算出する工程と、
算出された前記走査歪み分布を表示する工程と、
前記標準試料の異なる複数個所で算出された複数の前記走査歪み分布を平均化して走査電子顕微鏡の走査歪み量を算出する工程と
を有することを特徴とする走査電子顕微鏡による計測方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006274607A JP5134804B2 (ja) | 2006-10-06 | 2006-10-06 | 走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡像の歪み校正 |
US11/866,426 US7750296B2 (en) | 2006-10-06 | 2007-10-03 | Scanning electron microscope and calibration of image distortion |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006274607A JP5134804B2 (ja) | 2006-10-06 | 2006-10-06 | 走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡像の歪み校正 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008097839A JP2008097839A (ja) | 2008-04-24 |
JP5134804B2 true JP5134804B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=39380489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006274607A Expired - Fee Related JP5134804B2 (ja) | 2006-10-06 | 2006-10-06 | 走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡像の歪み校正 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7750296B2 (ja) |
JP (1) | JP5134804B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4511303B2 (ja) * | 2004-10-05 | 2010-07-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および寸法測定方法 |
GB2436213B8 (en) * | 2006-03-13 | 2013-02-13 | Clemex Technologies Inc | System and method for automatic measurements and calibration of computerized magnifying instruments |
JP4857090B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法、並びに校正用標準部材を用いた走査電子顕微鏡 |
EP2197018A1 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-16 | FEI Company | Method for determining distortions in a particle-optical apparatus |
WO2011148975A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、荷電粒子線装置、荷電粒子線装置調整用試料、およびその製造方法 |
JPWO2011155122A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置およびその検査方法 |
AU2013254920A1 (en) * | 2013-11-07 | 2015-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | 3D microscope calibration |
KR101618693B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2016-05-13 | 한국표준과학연구원 | 하전입자 현미경의 주사신호 제어 방법 및 이를 이용한 장치 |
KR101639581B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2016-07-15 | 한국표준과학연구원 | 하전입자 현미경의 입자빔 제어 장치 및 방법 |
CA2980201C (en) * | 2015-03-23 | 2023-06-27 | Techinsights Inc. | Methods, systems and devices relating to distortion correction in imaging devices |
US11069505B2 (en) * | 2016-12-27 | 2021-07-20 | Hitachi High-Tech Corporation | Aberration corrector and electron microscope |
EP3503157A1 (en) * | 2017-12-22 | 2019-06-26 | ASML Netherlands B.V. | Inspection tool and method of determining a distortion of an inspection tool |
EP3663855A1 (en) | 2018-12-04 | 2020-06-10 | ASML Netherlands B.V. | Sem fov fingerprint in stochastic epe and placement measurements in large fov sem devices |
CN113228222A (zh) * | 2018-12-31 | 2021-08-06 | Asml荷兰有限公司 | 用于校准扫描带电粒子显微镜的方法 |
CN114220724A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-22 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 扫描电子显微镜校准方法、装置、终端及存储介质 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04223325A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置 |
JP2887361B2 (ja) * | 1993-07-05 | 1999-04-26 | 株式会社日立製作所 | 透過電子顕微鏡用又は電子エネルギー損失分析電子顕微鏡用の撮像方法及び撮像装置 |
US6107637A (en) * | 1997-08-11 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Electron beam exposure or system inspection or measurement apparatus and its method and height detection apparatus |
US6441384B1 (en) * | 1998-04-08 | 2002-08-27 | Nikon Corporation | Charged particle beam exposure device exhibiting reduced image blur |
US6765217B1 (en) * | 1998-04-28 | 2004-07-20 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam mapping projection-optical systems and methods for adjusting same |
JP2000048755A (ja) | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡の歪み補正装置 |
JP3805565B2 (ja) * | 1999-06-11 | 2006-08-02 | 株式会社日立製作所 | 電子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置 |
JP2003324061A (ja) * | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Ebara Corp | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
US7027143B1 (en) * | 2002-10-15 | 2006-04-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths |
JP4231798B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2009-03-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および倍率計測法 |
-
2006
- 2006-10-06 JP JP2006274607A patent/JP5134804B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-03 US US11/866,426 patent/US7750296B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008097839A (ja) | 2008-04-24 |
US7750296B2 (en) | 2010-07-06 |
US20080210867A1 (en) | 2008-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5134804B2 (ja) | 走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡像の歪み校正 | |
US7164127B2 (en) | Scanning electron microscope and a method for evaluating accuracy of repeated measurement using the same | |
US8110800B2 (en) | Scanning electron microscope system and method for measuring dimensions of patterns formed on semiconductor device by using the system | |
US8003940B2 (en) | Tool-to-tool matching control method and its system for scanning electron microscope | |
JP5414215B2 (ja) | 回路パターン検査装置、および回路パターンの検査方法 | |
US8214166B2 (en) | Method and its system for calibrating measured data between different measuring tools | |
JP4839127B2 (ja) | 校正用標準部材及びこれを用いた校正方法および電子ビーム装置 | |
JP2007218711A (ja) | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 | |
US7800060B2 (en) | Pattern measurement method and pattern measurement system | |
JP2009204374A (ja) | 走査型電子顕微鏡及びこれを用いたパターン寸法計測方法 | |
US8263935B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
KR20120138695A (ko) | 패턴 측정 장치 및 패턴 측정 방법 | |
JP2006170969A (ja) | 測定値の判定方法 | |
US20060192119A1 (en) | Method of measurement accuracy improvement by control of pattern shrinkage | |
JP2006153837A (ja) | 走査型電子顕微鏡及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査型電子顕微鏡の機差補正装置 | |
KR102154667B1 (ko) | 패턴 계측 장치, 및 컴퓨터 프로그램 | |
JP4902806B2 (ja) | 校正用標準部材 | |
JP2012173028A (ja) | パターン形状計測方法及びその装置 | |
US20110206271A1 (en) | Pattern measurement apparatus and pattern measurement method | |
JP4231891B2 (ja) | 荷電粒子線の調整方法、及び荷電粒子線装置 | |
JP5221750B2 (ja) | パターン測定方法及びパターン測定装置 | |
JP2008082927A (ja) | 測長装置及び測長方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090805 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5134804 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |