JP5128335B2 - GaN-based semiconductor substrate, manufacturing method thereof, and semiconductor device - Google Patents
GaN-based semiconductor substrate, manufacturing method thereof, and semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5128335B2 JP5128335B2 JP2008079722A JP2008079722A JP5128335B2 JP 5128335 B2 JP5128335 B2 JP 5128335B2 JP 2008079722 A JP2008079722 A JP 2008079722A JP 2008079722 A JP2008079722 A JP 2008079722A JP 5128335 B2 JP5128335 B2 JP 5128335B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- gan
- ingan
- zno substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明は、発光素子、特に半導体レーザダイオードなどを作製するのに好適なGaN系半導体基板、その製造方法および半導体素子に関する。 The present invention relates to a GaN-based semiconductor substrate suitable for manufacturing a light-emitting element, particularly a semiconductor laser diode, a manufacturing method thereof, and a semiconductor element.
従来、青紫色レーザダイオードは、HVPEなどの方法により成長された自立GaN基板を利用し、この基板上に活性層、クラッド層、コンタクト層などの各層をMOCVDなどの方法によりエピタキシャル成長した窒化物半導体積層体を加工し形成される。 Conventionally, a blue-violet laser diode uses a self-standing GaN substrate grown by a method such as HVPE, and a nitride semiconductor laminate in which each layer such as an active layer, a clad layer, and a contact layer is epitaxially grown on this substrate by a method such as MOCVD. Formed by processing the body.
従来、自立GaN基板の成長には、GaAs基板上にGaN層を成長し、GaAs基板を取り除く方法が利用されている(特許文献1,2および3参照)。
ところで、青紫色レーザダイオードなどの実用化に至る過程において、信頼性の確保のために基板の転位密度の低減が重要であった。上記特許文献1乃至3に開示された従来技術によれば、貫通転位密度を低減した自立GaN基板が実現するとされている。しかし、より高い信頼性を確保するために、貫通転位に代表される結晶欠陥の密度を更に低減する必要がある。
本発明の目的は、従来よりも良好な結晶品質を有するGaN系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供することにある。
Meanwhile, in the process leading to the practical use of blue-violet laser diodes and the like, it has been important to reduce the dislocation density of the substrate in order to ensure reliability. According to the prior art disclosed in Patent Documents 1 to 3, a self-standing GaN substrate with a reduced threading dislocation density is realized. However, in order to ensure higher reliability, it is necessary to further reduce the density of crystal defects typified by threading dislocations.
An object of the present invention is to provide a GaN-based semiconductor substrate having a better crystal quality than before, a method for manufacturing the same, and a semiconductor element.
上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明に係るGaN系半導体基板は、ZnO基板と、前記ZnO基板の一方の面と側面に形成された保護膜と、前記ZnO基板の他方の面に形成された界面層と、前記界面層上に形成された前記ZnO基板と格子整合するInGaN層と、前記InGaN層上に形成された少なくとも2μm以上のGaN層と、を備えたGaNテンプレート基板であることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problem, a GaN-based semiconductor substrate according to claim 1 includes a ZnO substrate, a protective film formed on one side and a side surface of the ZnO substrate, and the other of the ZnO substrate. A GaN template substrate comprising: an interface layer formed on a surface; an InGaN layer lattice-matched to the ZnO substrate formed on the interface layer; and a GaN layer of at least 2 μm or more formed on the InGaN layer It is characterized by being.
この構成によれば、下地基板として、大型の単結晶、具体的には2〜3インチ、あるいは、それ以上の基板の製造が可能なZnO基板を用いているので、従来よりも大口径のGaNテンプレート基板を作れる。もともと転位密度の小さいZnO基板に格子整合して成長されたInGaN層を有するInGaN/ZnO複合基板を下地としてGaN層が成長されているので、GaN層の貫通転位密度が大幅に低減されている。また、ZnO基板の一方の面および側面に形成された保護膜により、GaN層を成長する際に、ZnO基板がGaNの原料ガスのひとつであるアンモニアによって破壊されるのを抑制でき、更に界面層の導入によってInGaN層やGaN層へのZnおよびOの混入を抑制することができる。従って、従来よりも貫通転位を低減した良好な結晶品質のGaN層を有するGaNテンプレート基板を得ることができる。 According to this configuration, a large single crystal, specifically, a ZnO substrate capable of manufacturing a substrate having a size of 2 to 3 inches or more is used as the base substrate. A template board can be made. Since the GaN layer is grown on the basis of an InGaN / ZnO composite substrate having an InGaN layer grown by lattice matching with a ZnO substrate originally having a low dislocation density, the threading dislocation density of the GaN layer is greatly reduced. Further, the protective film formed on one side and the side surface of the ZnO substrate can suppress the destruction of the ZnO substrate by ammonia, which is one of GaN source gases, when the GaN layer is grown. Introducing Zn and O into the InGaN layer and the GaN layer can be suppressed. Therefore, it is possible to obtain a GaN template substrate having a GaN layer having a good crystal quality with reduced threading dislocations as compared with the prior art.
請求項2に記載の発明に係るGaN系半導体基板は、前記界面層は、臨界膜厚以下のGaN層、InN層、およびこれらを組み合わせた複合層からなることを特徴とする。
請求項3に記載の発明に係るGaN系半導体基板の製造方法は、ZnO基板の一方の面と側面に保護膜を形成する第1の工程と、前記ZnO基板の他方の面に界面層を形成する第2の工程と、前記界面層上に前記ZnO基板と格子整合するInGaN層を形成する第3の工程と、前記InGaN層上に少なくとも2μm以上のGaN層を形成する第4の工程と、を実施してGaNテンプレート基板を作製することを特徴とする。
この構成によれば、従来よりも貫通転位を低減した良好な結晶品質のGaN層を有するGaNテンプレート基板を作製することができる。
The GaN-based semiconductor substrate according to a second aspect of the invention is characterized in that the interface layer is composed of a GaN layer having a critical thickness or less, an InN layer, and a composite layer combining these.
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a GaN-based semiconductor substrate, comprising: a first step of forming a protective film on one surface and side surface of a ZnO substrate; and forming an interface layer on the other surface of the ZnO substrate. A second step of forming a third step of forming an InGaN layer lattice-matched to the ZnO substrate on the interface layer, a fourth step of forming a GaN layer of at least 2 μm or more on the InGaN layer, To produce a GaN template substrate.
According to this configuration, it is possible to manufacture a GaN template substrate having a GaN layer with good crystal quality and having fewer threading dislocations than before.
請求項4に記載の発明に係るGaN系半導体基板の製造方法は、前記保護膜および前記ZnO基板を取り除くことで、自立GaN基板を作製する第5の工程を更に備えることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a GaN-based semiconductor substrate, further comprising a fifth step of manufacturing a self-standing GaN substrate by removing the protective film and the ZnO substrate.
この構成によれば、従来よりも貫通転位を低減した良好な結晶品質のGaN層を有する自立GaN基板を得ることができる。
請求項5に記載の発明に係るGaN系半導体基板の製造方法は、前記保護膜、前記ZnO基板、前記界面層、前記InGaN層および前記InGaN層と界面をなす前記GaN層の一部を取り除くことで、自立GaN基板を作製する第6の工程を更に備えることを特徴とする。
According to this configuration, it is possible to obtain a self-standing GaN substrate having a GaN layer having a good crystal quality with fewer threading dislocations than in the past.
The method for manufacturing a GaN-based semiconductor substrate according to claim 5 is to remove a part of the protective film, the ZnO substrate, the interface layer, the InGaN layer, and the GaN layer that forms an interface with the InGaN layer. The semiconductor device further includes a sixth step of manufacturing a self-standing GaN substrate.
この構成によれば、貫通転位を低減した更に良好な結晶品質のGaN層を有する自立GaN基板を得ることができる。請求項6に記載の発明に係る半導体素子は、請求項4又は5に記載の前記自立GaN基板上に、半導体素子構造を形成したことを特徴とする。 According to this configuration, it is possible to obtain a self-standing GaN substrate having a GaN layer with better crystal quality with reduced threading dislocations. A semiconductor element according to a sixth aspect of the invention is characterized in that a semiconductor element structure is formed on the self-standing GaN substrate according to the fourth or fifth aspect.
この構成によれば、自立GaN基板上に素子構造を形成することで、半導体レーザ素子や発光ダイオードなどの半導体発光素子、電力用のショットキーダイオードや電界効果トランジスタ(FET)などの半導体素子を形成できる。 According to this configuration, by forming an element structure on a free-standing GaN substrate, a semiconductor light emitting element such as a semiconductor laser element or a light emitting diode, or a semiconductor element such as a power Schottky diode or a field effect transistor (FET) is formed. it can.
請求項7に記載の発明に係る半導体素子は、前記半導体素子構造は、前記自立GaN基板上に形成された第1導電型のAlGaNクラッド層と、該AlGaNクラッド層上に形成されたInGaN活性層或いはGaNからなる量子井戸構造の活性層と、該活性層上に形成された第2導電型のAlGaNクラッド層と、該AlGaNクラッド層上に形成された第2導電型のGaNコンタクト層と、を備え、半導体発光素子として構成されたことを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the seventh aspect, the semiconductor device structure includes a first conductivity type AlGaN clad layer formed on the free-standing GaN substrate, and an InGaN active layer formed on the AlGaN clad layer. Alternatively, an active layer having a quantum well structure made of GaN, a second conductivity type AlGaN cladding layer formed on the active layer, and a second conductivity type GaN contact layer formed on the AlGaN cladding layer, And a semiconductor light emitting device.
この構成によれば、発光波長が青色の半導体発光素子を実現できる。
請求項8に記載の発明に係るGaN系半導体基板は、ZnO基板と、前記ZnO基板の一方の面と側面に形成された保護膜と、前記ZnO基板の他方の面に形成された界面層と、前記界面層上に形成された前記ZnO基板と格子整合するInGaN層と、前記InGaN層上に形成された少なくとも2μm以上のInGaN層と、を備えたInGaNテンプレート基板であることを特徴とする。この構成によれば、ZnO基板上にInを添加された良好な品質の厚いInGaN層を成長できるので、従来よりも貫通転位密度が小さいInGaNテンプレート基板を得ることができる。発振波長の長波長化に有利な格子定数を調整された基板を得ることができる。
According to this configuration, a semiconductor light emitting element having a blue emission wavelength can be realized.
A GaN-based semiconductor substrate according to claim 8 includes a ZnO substrate, a protective film formed on one surface and side surfaces of the ZnO substrate, and an interface layer formed on the other surface of the ZnO substrate, An InGaN template substrate comprising: an InGaN layer lattice-matched with the ZnO substrate formed on the interface layer; and an InGaN layer of at least 2 μm or more formed on the InGaN layer. According to this configuration, a good quality thick InGaN layer doped with In can be grown on the ZnO substrate, so that an InGaN template substrate having a lower threading dislocation density than the conventional one can be obtained. It is possible to obtain a substrate in which the lattice constant, which is advantageous for increasing the oscillation wavelength, is adjusted.
請求項9に記載の発明に係るGaN系半導体基板の製造方法は、ZnO基板の一方の面と側面に保護膜を形成する第1の工程と、前記ZnO基板の他方の面に界面層を成長させて形成する第2の工程と、前記界面層上に前記ZnO基板と格子整合するInGaN層を形成する第3の工程と、前記InGaN層上に少なくとも2μm以上のInGaN層を形成する第4の工程と、を実施してInGaNテンプレート基板を作製することを特徴とする。 The method for manufacturing a GaN-based semiconductor substrate according to claim 9 includes a first step of forming a protective film on one surface and side surface of the ZnO substrate, and an interface layer grown on the other surface of the ZnO substrate. A second step of forming an InGaN layer lattice-matched to the ZnO substrate on the interface layer, and a fourth step of forming an InGaN layer of at least 2 μm or more on the InGaN layer. And an InGaN template substrate is manufactured by performing the steps.
請求項10に記載の発明に係るGaN系半導体基板の製造方法は、前記保護膜および前記ZnO基板を取り除くことで、自立InGaN基板を作製する第5の工程を更に備えることを特徴とする。
The method for manufacturing a GaN-based semiconductor substrate according to
請求項11に記載の発明に係るGaN系半導体基板の製造方法は、前記InGaNテンプレート基板の前記保護膜、前記ZnO基板、前記界面層、および該界面層と界面をなす前記InGaN層の一部を取り除くことで、自立InGaN基板を作製する第6の工程を更に備えることを特徴とする。請求項12に記載の発明に係る半導体素子は、請求項10又は11に記載の前記自立InGaN基板上に、半導体素子構造を形成したことを特徴とする。 A method of manufacturing a GaN-based semiconductor substrate according to an eleventh aspect includes: the protective film of the InGaN template substrate; the ZnO substrate; the interface layer; and a part of the InGaN layer that forms an interface with the interface layer. It is characterized by further comprising a sixth step of producing a free-standing InGaN substrate by removing. A semiconductor device according to a twelfth aspect of the invention is characterized in that a semiconductor device structure is formed on the self-standing InGaN substrate of the tenth or eleventh aspect.
この構成によれば、自立InGaN基板上に半導体素子構造を形成することで、半導体レーザ素子や発光ダイオードなどの半導体発光素子、電力用のショットキーダイオードや電界効果トランジスタ(FET)などの半導体素子を形成できる。 According to this configuration, by forming a semiconductor element structure on a free-standing InGaN substrate, a semiconductor light emitting element such as a semiconductor laser element or a light emitting diode, or a semiconductor element such as a power Schottky diode or a field effect transistor (FET) can be obtained. Can be formed.
請求項13に記載の発明に係る半導体素子は、前記半導体素子構造は、前記自立InGaN基板上に形成された第1導電型のAlInGaNクラッド層と、該AlInGaNクラッド層上に形成されたInGaN活性層或いはGaNからなる多重量子井戸構造の活性層と、該活性層上に形成された第2導電型のAlInGaNクラッド層と、該AlInGaNクラッド層上に形成された第2導電型のInGaNコンタクト層と、を備え、半導体発光素子として構成されたことを特徴とする。 According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided the semiconductor device according to the first aspect, wherein the semiconductor device structure has a first conductivity type AlInGaN clad layer formed on the freestanding InGaN substrate and an InGaN active layer formed on the AlInGaN clad layer. Alternatively, an active layer having a multiple quantum well structure made of GaN, a second conductivity type AlInGaN cladding layer formed on the active layer, and a second conductivity type InGaN contact layer formed on the AlInGaN cladding layer, And is configured as a semiconductor light emitting device.
この構成によれば、青色から赤色までの可視光領域、特に青色よりも長波長の可視光(例えば緑色)で発光する半導体発光素子を実現できる。 According to this configuration, it is possible to realize a semiconductor light emitting element that emits light in a visible light region from blue to red, in particular, visible light having a longer wavelength than blue (for example, green).
本発明によれば、従来よりも良好な結晶品質を有するGaN系半導体基板および半導体素子を実現できる。 According to the present invention, it is possible to realize a GaN-based semiconductor substrate and a semiconductor element having better crystal quality than conventional ones.
以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態の説明において同様の部位には同一の符号を付して重複した説明を省略する。
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態に係るGaNテンプレート基板10を示している。
Hereinafter, embodiments embodying the present invention will be described with reference to the drawings. In the description of each embodiment, similar parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
(First embodiment)
FIG. 1 shows a GaN
GaN系半導体基板としてのGaNテンプレート基板10は、半導体素子の一例として、405nm付近に発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子のためのエピタキシャル成長用基板(エピタキシャルウェハ)として利用される。
The GaN
このGaNテンプレート基板10は、ZnO単結晶基板(ZnO基板)11と、ZnO単結晶基板11の裏面(一方の面)11aと側面11bに形成された保護膜12と、ZnO単結晶基板11の表面(他方の面)11cに形成された界面層13と、薄い界面層13上に形成されたZnO単結晶基板11と格子整合するInGaN層14と、InGaN層14上に形成された少なくとも2μm以上の厚いGaN層15とを備える。
The GaN
ZnO単結晶基板11は、水熱合成などの方法により育成されたインゴットをスライスして利用する。主面方位はc面であり、酸素面もしくはZn面である。1度程度のわずかなオフ角度をつけてもよい。少なくともエピタキシャル層を配置するZnO単結晶基板11の主面は、化学機械研磨および熱処理により原子レベルに平坦化されている。ZnO単結晶基板11上にZnO系エピタキシャル層が配置されていてもよい。
The ZnO
界面層13は、InNおよびGaNの単分子層膜を組み合わせるなどした擬格子整合界面層である。典型的には、5分子層のGaN層と1分子層のInN層の組み合わせを構成単位とし、これを1回から10回繰り返す構造が利用される。界面層が弾性的に歪むことにより、擬似格子整合を維持できる範囲内で、GaN層を3分子層程度に薄くしたり、10分子層程度に厚くすることもできるが、InN層は、1分子層以下が好ましい。また、ここでいう分子層の数値は、必ずしも整数である必要はない。このように構成された
擬格子整合界面層は、厚さが2〜50nm程度であり、この界面層によって、ZnO単結晶基板11の格子定数を引き継ぎながら、ZnO単結晶基板とその上に成長されるInGaN層との構成元素による相互拡散を防止することができる。
The
ZnO単結晶基板11上に薄い界面層13を介して形成される、ZnO単結晶基板11と格子整合するInGaN層14のIn組成は、概略0.15程度であるが、結晶欠陥を増加させない程度に成長が可能なIn組成は0.1〜0.2である。厳密には、InGaN層14のInN組成は、X線回折法により観測されるロッキングカーブの回折ピーク半値幅が最小となるように調整される。InGaN層14の厚さは、典型的には0.1μmである。その厚さが0.01μm以下であると、GaN層15の成長時に相互拡散が大きくなる場合があり好ましくない。
The In composition of the
また、ZnO単結晶基板11の酸素面或いはZn面のいずれを用いた場合でも、InGaN層14は、III族面となるように成長する。成長温度が著しく低い場合は、N面となる場合がある。
In addition, the
InGaN層14上に形成されたGaN層15は、結晶品質を良好とするために少なくとも2μm以上の厚さとする。また、デバイス化の段階などで部分的にZnO基板を取り除くためには、10μm以上の厚さを有することが望ましい。さらに自立基板とするためには、機械的強度を保つために50μm程度以上の厚さが必要で、典型的には、200μm程度の厚さであることが望ましい。但し、自立基板の機械的強度を保つために他のZnO基板やGaAs基板などに貼り付けて使用する場合は、50μm程度以下の自立基板を利用することが可能である。
The
GaN層15は、アンドープの高純度としてもよいが、Mg等のp型不純物をドーピングしてP型としてもよく、Si等のn型不純物をドーピングしてN型としてもよい。
ZnO単結晶基板11の裏面11aおよび側面11bに形成された保護膜12は、GaN層15を成長する際のZnO単結晶基板11の劣化を抑制するための保護膜である。つまり、この保護膜12により、GaN層15を成長する際に使用される原料ガスであるアンモニアとの反応によって、ZnO単結晶基板11が破壊されるのを抑制できる。この保護膜12は、Mo等の高融点金属をスパッタすることによって形成した膜やSiN等からなる誘電体膜が利用できるが、GaN層を用いてもよい。(GaNテンプレート基板の製造方法)
The
The
次に、図1に示すGaNテンプレート基板10の製造方法を説明する。
GaNテンプレート基板10の製造方法は、以下の工程を備える。
1.ZnO単結晶基板11の裏面11aと側面11bに保護膜12を形成する工程。
2.ZnO単結晶基板11の表面11cに界面層13を成長させて形成する工程。
3.界面層13上にZnO単結晶基板11と格子整合するInGaN層14を形成する工程。
4.InGaN層14上に厚いGaN層15を形成する工程。
これらの工程を実施してGaNテンプレート基板10が完成する。
Next, a method for manufacturing the
The manufacturing method of the
1. A step of forming a
2. A step of growing and forming the
3. A step of forming an
4. A step of forming a
By performing these steps, the
このようなGaNテンプレート基板10の製造方法を、以下により詳細に説明する。
(工程1)まず、(000_1)面(―c面:酸素面)が基板面(表面)となっているZnO単結晶基板11を用意する。(0001)面(+c面:Zn面)を利用してもよい。1度程度のオフ角度を施してもよい。
A method for manufacturing such a
(Step 1) First, a ZnO
(工程2)ZnO単結晶基板11の外面のうち、裏面11aおよび両側面11b上に窒化物半導体(InGaN,AlInN,AlGaInN等)からなる保護膜40を、MBE(molecular beam epitaxy)法、例えばRFMBE(radio-frequency molecular beam epitaxy)法、或いはPLD(Pulsed Laser Deposition)法等、比較的低温(400〜600℃程度以下)のプロセスにより成長(エピタキシャル成長)させる。
(Step 2) A
(工程3)次に、ZnO単結晶基板11の表面平坦化処理を行う。
熱処理と化学機械研磨による平坦化を行う。ZnOエピタキシャル層を形成してもよい。これらの処理の結果、ZnO単結晶基板11は、原子レベルで平坦な表面を得ることができる。例えば、AFMのRMS値は、0.2nm程度以下となる。オフ角度を施した場合は、ステップバンチングがなく、均一なステップを観測することができた。
(Step 3) Next, a surface flattening process of the ZnO
Planarization is performed by heat treatment and chemical mechanical polishing. A ZnO epitaxial layer may be formed. As a result of these treatments, the ZnO
(工程4)次に、第1の窒化物半導体の成長工程に入る。成長チャンバー内で大気圧下または減圧下でサーマルクリーニング処理を行う。
具体的には、真空中、700〜750℃の温度で30〜60分加熱し、有機物などを除去する。
(Step 4) Next, the first nitride semiconductor growth step is started. Thermal cleaning is performed in the growth chamber under atmospheric pressure or reduced pressure.
Specifically, it is heated in a vacuum at a temperature of 700 to 750 ° C. for 30 to 60 minutes to remove organic substances and the like.
ここで、ZnO単結晶基板11の裏面11aおよび両側面11b上に、窒化物半導体(InGaN,AlInN,AlGaInN等)からなる保護膜12を形成してもよいが、ここでは、既に保護膜12が形成されているとする。
Here, a
(工程5) 次にZnO単結晶基板11表面への窒化物半導体層の成長工程にはいる。
V族原料を窒素ラジカルとして供給できるRFラジカルセルを有するRFMBE法により成長させる。界面層13は、例えばInNの1MLとGaNの5MLを組み合わせた積層を1単位として、この積層を2〜4単位繰り返して形成する。
(Step 5) Next, the nitride semiconductor layer is grown on the surface of the ZnO
The group V material is grown by the RFMBE method having an RF radical cell capable of supplying nitrogen radicals. For example, the
この工程5の条件として、例えば、成長温度Tg=400〜600℃、プラズマ電力P=300〜500W、窒素ガス(N2)流量1.0〜5.0sccm(standard cc/mIn)とする。III族原料としては、InN層においては、高純度のIn、GaN層に対しては、Ga金属原料をクヌーセンセルで蒸発させて基板に供給する。 As conditions for this step 5, for example, the growth temperature Tg = 400 to 600 ° C., the plasma power P = 300 to 500 W, and the nitrogen gas (N 2 ) flow rate 1.0 to 5.0 sccm (standard cc / mIn). As the group III material, in the InN layer, the Ga metal material is evaporated in the Knudsen cell and supplied to the substrate for the high-purity In and GaN layers.
引き続きZnO単結晶基板11と格子整合するInGaN層14を成長する。この工程において、例えば、成長温度はTg=400から600℃に設定される。プラズマ電力P=300〜500W、窒素ガス(N2)流量1.0〜5.0sccmとする。III族原料としては、高純度のInおよびGa金属原料をクヌーセンセルで蒸発させて基板に供給する。In組成は、およそ20%に調整する。InGaN層14は、総計で0,1〜0.3μm程度の厚さで、少なくとも0.01μmの厚さ成長する。基板温度は、連続的に上昇させるか、途中でステップ状に上昇してもよい。成長温度の違いでInとGaの取り込まれる率が変動するので、成長温度を上昇させる場合にInのフラックスを上昇させる。また、窒素ラジカルは、表面におけるV/III比が1程度となるようにRHEEDパターンを一定とするように調整する。
InGaN層14の成長途中で、アニールを行ってもよい。
Subsequently, an
Annealing may be performed during the growth of the
(工程6)この後、GaN層15の成長にはいる。
GaN層15の成長は、アンモニアを利用して行う。基板温度を800℃程度に上昇し、アンモニアの供給とともにInとGaを照射して成長を行う。この手法では、GaN層15の成長速度は、高々1μm/h程度であるので、厚膜の成長を行うことができない。InGaN/ZnOの段階でHVPE装置に導入して成長する。HVPE装置に導入する前にGaN層15をMBE装置で成長してもよい。MBE法のほかにPLD法を使用してもよい。PLD法では3族原料の運動エネルギーが大きいので、基板温度を低温としても比較的表面マイグレーションの大きい条件で成長が可能である。
(Step 6) Thereafter, the
The growth of the
HVPEの条件は、概略次のとおりである。成長温度は、1000℃から1100℃キャリアに塩化水素を用いて、3族原料は金属Gaを用いる。 The conditions of HVPE are as follows. The growth temperature is 1000 ° C. to 1100 ° C. Hydrogen is used as a carrier, and the group 3 material is metal Ga.
以上の(工程1)〜(工程6)により図1に示すGaNテンプレート基板10が製造される。GaN層15の厚さを10μm程度とし、このGaNテンプレート基板10を素子作製に利用することができる。この場合は、GaN層15の成長にMBEやMOCVDが利用できる。
The
このようにして作製したGaNテンプレート基板10の保護膜12およびZnO単結晶基板11を取り除くことで、図2に示すGaN系半導体基板としての自立GaN基板20を作製することができる。
By removing the
この場合は、GaN層15を100μm以上の厚さとする。ドライエッチングで裏面11aの保護膜12を除去してから塩酸、燐酸、または、酒石酸等のカルボン酸によりZnO単結晶基板11をウエットエッチングする。さらに自立GaN基板20の裏面側を数μm程度化学機械研磨により除去することにより裏面のコンタクト抵抗を下げることができる。この工程は、素子プロセスにおいて実施する場合が多い。
In this case, the
(半導体発光素子)
次に、図2に示す自立GaN基板20を、エピタキシャル成長用基板(エピタキシャルウェハ)として用い、このエピタキシャルウェハ上に高温のMOCVDにより半導体発光素子の素子構造を積層する。なお、ここで用いる自立GaN基板20は、図2の破線で示す部分まで取り除いたものを使用する。
(Semiconductor light emitting device)
Next, the self-standing
ここでは、自立GaN基板20のGaN層15上に、半導体レーザ素子の素子構造を形成する場合について一例として説明する。この自立GaN基板20は、半導体レーザ素子LEDなどの半導体発光素子に限らず、電力用のショットキーダイオードやFETなどの半導体素子の素子構造を形成するエピタキシャルウェハとして利用することもできる。
Here, a case where an element structure of a semiconductor laser element is formed on the
図3は、半導体レーザ素子の素子構造を示す断面図である。この素子構造は、自立GaN基板20のGaN層15をエピタキシャルウェハとして、このエピタキシャルウェハ上に形成される。GaN層15は、Siをドープしたn型導電性を有する。このGaN層15上に形成される素子構造は、バッファ層であるn型導電性を有するGaN層31と、n型導電性を有するGaNクラッド層32と、GaNクラッド層32上に形成されたInGaN活性層33と、活性層33上に形成されたp型導電性を有するAlGaNクラッド層34と、AlGaNクラッド層34上に形成されたp型導電性を有するGaNコンタクト層35と、を備える。なお、InGaN活性層33に代えて、InGaN/GaNからなる量子井戸(QW)構造の活性層を用いてもよい。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the element structure of the semiconductor laser element. This element structure is formed on this epitaxial wafer using the
このような半導体素子構造を自立GaN基板20のGaN層15上に積層した後、素子プロセスに入る。図4に示すようにリッジストライプ36をドライエッチングにより加工し、その側壁を保護膜37により保護した後にP型電極38を配置する。また、エピタキシャルウェハである自立GaN基板20のGaN層15の裏面側にn型の下部電極39を形成する。この前に研磨を行うことがよい。次に、図5に示すように、劈開による端面ミラー41,42を形成する。端面ミラー41,42にはAR膜,HR膜をそれぞれ形成する。リッジストライプ36に沿ってダイシングにより単一素子に分割し、ヒートシンクにダイボンディングする。表面電極には金メッキ等の方法で厚い電極パットを用意してもよい。表面電極にワイヤボンドするなどして、P型電極38への電流供給手段を設ける。
After stacking such a semiconductor device structure on the
これにより、半導体レーザ素子40の作製が完了する。
以上説明した第1実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
Thereby, the fabrication of the
According to 1st Embodiment described above, there exist the following effects.
・ZnO単結晶基板11上に形成した格子整合InGaN層14を有するInGaN/ZnO複合基板上にGaN層15の成長に好ましいアンモニアによる1000℃以上の温度で厚いGaN層が成長されているため、結晶の配向性にすぐれ、転位密度が著しく低減されたGaNテンプレート基板10および自立GaN基板20を作製できる。
A thick GaN layer is grown on an InGaN / ZnO composite substrate having a lattice-matched
・また、ZnO単結晶基板11の裏面11aと両側面11bは、あらかじめ保護膜12により保護されているため、GaN層15の成長中にZnO単結晶基板11がアンモニアにより破壊されることがなく、そのため、Znや酸素によりGaN層15が汚染されない。従って、従来よりも貫通転位を低減した良好な結晶品質のGaN層15を有するGaNテンプレート基板10および自立GaN基板20を得ることができる。
In addition, since the
・下地基板として、大型の単結晶ができるZnO単結晶基板11を用いているので、大型のGaNテンプレート基板10および自立GaN基板20を作製できる。
Since the ZnO
・もともと転位密度の小さいZnO単結晶基板11に格子整合して成長されたInGaN層14を有するInGaN/ZnO複合基板を下地としてGaN層15が成長されているので、GaN層15の貫通転位密度が大幅に低減されている。例えば、その貫通転位密度が1E+2cm-2以下である。
Since the
・さらに、GaN層15の一部を図2の破線で示す位置まで取り除いて自立GaN基板20とすることにより、素子構造の成長を熱的応力を導入低ひずみで実施することができる。縦型の電極配置が可能となる。
Furthermore, by removing a part of the
・大きな領域の活性層33を有する半導体レーザ素子40を作製しても活性層33に貫通転位が存在しない素子を得ることができるので、ワットクラスの光出力でかつ実用的な寿命を備えた素子を得ることができる。
Even if the
・GaNテンプレート基板10および自立GaN基板20は、405nm付近に発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子のためのエピタキシャル成長用基板(エピタキシャルウェハ)として利用することができる。
The
・また、図1に示すGaNテンプレート基板10を図2の破線で示す部分まで取り除くことで、自立GaN基板20を作製することにより、GaN層15のうち、ZnおよびOなどの不純物の混入した部分が取り除かれているので、貫通転位を低減した更に良好な結晶品質のGaN層15を有する自立GaN基板を得ることができる。
Further, by removing the
(第2実施形態)
図6は本発明の第2実施形態に係るInGaNテンプレート基板10Aを示している。
GaN系半導体基板としてのInGaNテンプレート基板10Aは、図1に示す上記第1実施形態に係るGaNテンプレート基板10のGaN層15に代えて、このGaN層15にInを添加したInGaN層15Aを用いている。InGaNテンプレート基板10Aのその他の構成は、図1に示すGaNテンプレート基板10と同じである。このInGaNテンプレート基板10Aの保護膜12およびZnO単結晶基板11を取り除くことで、図7に示すGaN系半導体基板としての自立InGaN基板20Aを作製することができる。
(Second Embodiment)
FIG. 6 shows an
An
この場合は、InGaN層15を100μm以上の厚さとする。ドライエッチングで裏面11aの保護膜12を除去してから塩酸、燐酸、または、酒石酸等のカルボン酸によりZnO単結晶基板11をウエットエッチングする。さらに自立InGaN基板20Aの裏面側を数μm程度化学機械研磨により除去することにより裏面のコンタクト抵抗を下げることができる。この工程は、素子プロセスにおいて実施する場合が多い。
In this case, the
(半導体発光素子)
次に、図7に示す自立InGaN基板20Aを、エピタキシャル成長用基板(エピタキシャルウェハ)として用い、このエピタキシャルウェハ上に高温のMOCVDにより半導体発光素子の素子構造を積層する。なお、ここで用いる自立InGaN基板20Aは、図7の破線で示す部分まで取り除いたものを使用する。
(Semiconductor light emitting device)
Next, the self-standing
ここでは、自立InGaN基板20AのInGaN層15A上に、半導体レーザ素子の素子構造を形成する場合について一例として説明する。この自立InGaN基板20Aは、半導体レーザ素子LEDなどの半導体発光素子に限らず、電力用のショットキーダイオードやFETなどの半導体素子の素子構造を形成するエピタキシャルウェハとして利用される場合もある。
Here, a case where the element structure of the semiconductor laser element is formed on the
図8は、半導体レーザ素子の素子構造を示す断面図である。この素子構造は、自立InGaN基板20AのInGaN層15Aをエピタキシャルウェハ(基板)として、この基板上に形成される。InGaN層15Aは、Siをドープしたn型導電性を有する。このInGaN層15A上に形成される素子構造は、バッファ層であるn型導電性を有するInGaN層51と、n型導電性を有するAlInGaNクラッド層52と、AlInGaNクラッド層52上に形成されたInGaN活性層53と、活性層53上に形成されたp型導電性を有するAlInGaNクラッド層54と、AlInGaNクラッド層54上に形成されたp型導電性を有するInGaNコンタクト層55と、を備える。なお、InGaN活性層53に代えて、GaNからなる多重量子井戸(MQW)構造の活性層を用いてもよい。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the element structure of the semiconductor laser element. This element structure is formed on this substrate using the
このような素子構造をエピタキシャルウェハである自立InGaN基板20AのInGaN層15A上に積層した後、上述した素子プロセスに入る。そして、上記第1実施形態と同様に半導体レーザ素子を作製する。
以上説明した第2実施形態によれば、上記第1実施形態の奏する作用効果に加えて、以下の作用効果を奏する。
After stacking such an element structure on the
According to 2nd Embodiment described above, in addition to the effect which the said 1st Embodiment show | plays, there exist the following effects.
・InGaN層15Aを厚い膜として、InGaNテンプレート基板10A或いは自立InGaN基板20Aとすることにより、活性層53の歪みが低減されて半導体発光素子における発振波長の長波長化を実現できる。つまり、青色から赤色までの可視光領域、特に青色よりも長波長の可視光(例えば緑色)で発光する半導体発光素子を実現できる。
By using the
・ZnO単結晶基板11の格子定数はInGaNに近い(格子整合する)ので、活性層53のInの組成を高くしても、相分離が抑制される。これにより、Inの組成を高くしても均一なIn組成を有するInGaN活性層53が得られるので、青色から赤色までの可視光領域、特に青色よりも長波長の可視光(例えば緑色)で発光する半導体発光素子を実現できる。なお、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
Since the lattice constant of the ZnO
・図3に示す半導体レーザ素子の素子構造において、n型導電性を有するそれぞれ有するGaN層15、GaN層31およびGaNクラッド層32に代えて、Mgをドープしてp型導電性をそれぞれ持たせたGaN層15、GaN層31およびGaNクラッド層32を用いてもよい。この場合、p型導電性をそれぞれ有するAlGaNクラッド層34およびGaNコンタクト層35に代えて、Siをドープしてn型導電性をそれぞれ持たせたAlGaNクラッド層34およびGaNコンタクト層35とする。
In the element structure of the semiconductor laser device shown in FIG. 3, instead of the
・図8に示す半導体レーザ素子の素子構造において、n型導電性をそれぞれ持たせたInGaN層15A、InGaN層51およびAlInGaNクラッド層52に代えて、Mgをドープしてp型導電性をそれぞれ持たせたInGaN層15A、InGaN層51およびAlInGaNクラッド層52を用いてもよい。この場合、p型導電性をそれぞれ有するAlInGaNクラッド層54およびInGaNコンタクト層55に代えて、Siをドープしてn型導電性をそれぞれ持たせたAlInGaNクラッド層54およびInGaNコンタクト層55とする。
In the element structure of the semiconductor laser device shown in FIG. 8, instead of the
・上記各実施形態において、半導体レーザ素子のストライプ幅を100μm以上とし、キャビティ長を1000mm以上とすることにより、横モードマルチで1W以上の光出力において実用的な寿命を保有する半導体レーザ素子が得られる。 In each of the above embodiments, by setting the stripe width of the semiconductor laser element to 100 μm or more and the cavity length to 1000 mm or more, a semiconductor laser element having a practical life at a light output of 1 W or more in the transverse mode multi is obtained. It is done.
・上記各実施形態において、InGaNで構成した活性層15をAlGaInNで構成した場合にも、ZnO単結晶基板12の格子定数はInGaN と同様にAlGaInNにも近い(格子整合する)ので、活性層15のInの組成を高くしても、相分離が抑制される。これにより、Inの組成を高くしても均一なIn組成を有するAlGaInN活性層が得られるので、青色から赤色までの可視光領域、特に青色よりも長波長の可視光(例えば緑色)で発光する半導体発光素子を実現できる。
In each of the above embodiments, even when the
10:GaNテンプレート基板
10A:InGaNテンプレート基板
11:ZnO単結晶基板
11a:裏面
11b:側面
11c:表面
12:保護膜
13:界面層
14:InGaN層
15:GaN層
15A:InGaN層
20:自立GaN基板
20A:自立InGaN基板
31:GaN層
32:GaNクラッド層
33:InGaN活性層
34:AlGaNクラッド層
35:GaNコンタクト層
36:リッジストライプ
40:半導体素子としての半導体レーザ素子
51:InGaN層
52:AlInGaNクラッド層
53:InGaN活性層
54:AlInGaNクラッド層
55:InGaNコンタクト層
10:
Claims (8)
前記ZnO基板の他方の面に、臨界膜厚以下のGaN層、InN層、およびこれらを組み合わせた複合層であり、前記GaN層および前記InN層の単分子層膜を複数積層して形成されることで、前記ZnO基板の格子定数を引き継ぐ擬格子整合層であり、2〜50nmの厚さの層であって、当該層の上に形成されるInGaN層と前記ZnO基板との相互拡散を防止する層である界面層を形成する第2の工程と、
前記界面層上に、前記ZnO基板と格子整合する層であって、前記ZnO基板の格子定数を引き継いだ前記InGaN層を形成する第3の工程と、
前記InGaN層上に厚さ50μm以上のGaN層を形成する第4の工程と、
前記保護膜、前記ZnO基板、前記界面層、前記InGaN層、および前記GaN層におけるZn、Oの不純物混入部分を取り除く第5の工程とを実施して自立GaN基板として作成されることを特徴とするGaN系半導体基板。 A first step of forming a protective film on one surface and side surface of the ZnO substrate ;
On the other surface of the ZnO substrate, a GaN layer having a thickness less than the critical thickness, an InN layer, and a composite layer combining these layers are formed by laminating a plurality of monomolecular layers of the GaN layer and the InN layer. Therefore, it is a pseudo-lattice matching layer that inherits the lattice constant of the ZnO substrate and has a thickness of 2 to 50 nm, and prevents mutual diffusion between the InGaN layer formed on the layer and the ZnO substrate. A second step of forming an interface layer that is a layer to be
A third step of forming, on the interface layer, the InGaN layer that is lattice-matched with the ZnO substrate and inherits the lattice constant of the ZnO substrate;
A fourth step of forming a GaN layer having a thickness of 50 μm or more on the InGaN layer;
The protective film, the ZnO substrate, the interface layer, the InGaN layer, and a fifth step of removing a Zn and O impurity mixed portion in the GaN layer are formed as a self-standing GaN substrate. GaN-based semiconductor substrate.
前記ZnO基板の他方の面に、臨界膜厚以下のGaN層、InN層、およびこれらを組み合わせた複合層であり、前記GaN層および前記InN層の単分子層膜を複数積層して形成されることで、前記ZnO基板の格子定数を引き継ぐ擬格子整合層であり、2〜50nmの厚さの層であって、当該層の上に形成されるInGaN層と前記ZnO基板との相互拡散を防止する層である界面層を形成する第2の工程と、
前記界面層上に、前記ZnO基板と格子整合する層であって、前記ZnO基板の格子定数を引き継いだ前記InGaN層を形成する第3の工程と、
前記InGaN層上に厚さ50μm以上のGaN層を形成する第4の工程と、
前記保護膜、前記ZnO基板、前記界面層、前記InGaN層、および前記GaN層におけるZn、Oの不純物混入部分を取り除く第5の工程とを実施して自立GaN基板を作成することを特徴とするGaN系半導体基板の製造方法 A first step of forming a protective film on one surface and side surface of the ZnO substrate;
On the other surface of the ZnO substrate, a GaN layer having a thickness less than the critical thickness, an InN layer, and a composite layer combining these layers are formed by laminating a plurality of monomolecular layers of the GaN layer and the InN layer. Therefore, it is a pseudo-lattice matching layer that inherits the lattice constant of the ZnO substrate and has a thickness of 2 to 50 nm, and prevents mutual diffusion between the InGaN layer formed on the layer and the ZnO substrate. A second step of forming an interface layer that is a layer to be
A third step of forming, on the interface layer, the InGaN layer that is lattice-matched with the ZnO substrate and inherits the lattice constant of the ZnO substrate;
A fourth step of forming a GaN layer having a thickness of 50 μm or more on the InGaN layer;
A self-standing GaN substrate is formed by performing the protective film, the ZnO substrate, the interface layer, the InGaN layer, and a fifth step of removing Zn and O impurity-mixed portions in the GaN layer. GaN-based semiconductor substrate manufacturing method
前記ZnO基板の他方の面に、臨界膜厚以下のGaN層、InN層、およびこれらを組み合わせた複合層であり、前記GaN層および前記InN層の単分子層膜を複数積層して形成されることで、前記ZnO基板の格子定数を引き継ぐ擬格子整合層であり、2〜50nmの厚さの層であって、当該層の上に形成される第1のInGaN層と前記ZnO基板との相互拡散を防止する層である界面層を形成する第2の工程と、 On the other surface of the ZnO substrate, a GaN layer having a thickness less than the critical thickness, an InN layer, and a composite layer combining these layers are formed by laminating a plurality of monomolecular layers of the GaN layer and the InN layer. Thus, it is a pseudo-lattice matching layer that inherits the lattice constant of the ZnO substrate and is a layer having a thickness of 2 to 50 nm, and the mutual relationship between the first InGaN layer formed on the layer and the ZnO substrate. A second step of forming an interface layer which is a layer for preventing diffusion;
前記界面層上に、前記ZnO基板と格子整合する層であって、前記ZnO基板の格子定数を引き継いだ前記第1のInGaN層を形成する第3の工程と、 A third step of forming on the interface layer a first InGaN layer that is lattice-matched with the ZnO substrate and inherits the lattice constant of the ZnO substrate;
前記第1のInGaN層上に厚さ50μm以上の第2のInGaN層を形成する第4の工程と、 A fourth step of forming a second InGaN layer having a thickness of 50 μm or more on the first InGaN layer;
前記保護膜、前記ZnO基板、前記界面層、前記第1のInGaN層、および前記第2のInGaN層におけるZn、Oの不純物混入部分を取り除く第5の工程とを実施して自立InGaN基板として作成されることを特徴とするGaN系半導体基板。 The protective film, the ZnO substrate, the interface layer, the first InGaN layer, and the fifth step of removing the Zn and O impurity mixed portions in the second InGaN layer are formed as a self-supporting InGaN substrate. A GaN-based semiconductor substrate characterized in that:
前記ZnO基板の他方の面に、臨界膜厚以下のGaN層、InN層、およびこれらを組み合わせた複合層であり、前記GaN層および前記InN層の単分子層膜を複数積層して形成されることで、前記ZnO基板の格子定数を引き継ぐ擬格子整合層であり、2〜50nmの厚さの層であって、当該層の上に形成される第1のInGaN層と前記ZnO基板との相互拡散を防止する層である界面層を形成する第2の工程と、 On the other surface of the ZnO substrate, a GaN layer having a thickness less than the critical thickness, an InN layer, and a composite layer combining these layers are formed by laminating a plurality of monomolecular layers of the GaN layer and the InN layer. Thus, it is a pseudo-lattice matching layer that inherits the lattice constant of the ZnO substrate and is a layer having a thickness of 2 to 50 nm, and the mutual relationship between the first InGaN layer formed on the layer and the ZnO substrate. A second step of forming an interface layer which is a layer for preventing diffusion;
前記界面層上に、前記ZnO基板と格子整合する層であって、前記ZnO基板の格子定数を引き継いだ前記第1のInGaN層を形成する第3の工程と、 A third step of forming on the interface layer a first InGaN layer that is lattice-matched with the ZnO substrate and inherits the lattice constant of the ZnO substrate;
前記第1のInGaN層上に厚さ50μm以上の第2のInGaN層を形成する第4の工程と、 A fourth step of forming a second InGaN layer having a thickness of 50 μm or more on the first InGaN layer;
前記保護膜、前記ZnO基板、前記界面層、前記第1のInGaN層、および前記第2のInGaN層におけるZn、Oの不純物混入部分を取り除く第5の工程とを実施して自立InGaN基板を作成することを特徴とするGaN系半導体基板の製造方法。A self-supporting InGaN substrate is formed by performing a fifth step of removing impurity-contaminated portions of Zn and O in the protective film, the ZnO substrate, the interface layer, the first InGaN layer, and the second InGaN layer A method for manufacturing a GaN-based semiconductor substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008079722A JP5128335B2 (en) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | GaN-based semiconductor substrate, manufacturing method thereof, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008079722A JP5128335B2 (en) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | GaN-based semiconductor substrate, manufacturing method thereof, and semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009238803A JP2009238803A (en) | 2009-10-15 |
JP5128335B2 true JP5128335B2 (en) | 2013-01-23 |
Family
ID=41252442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008079722A Expired - Fee Related JP5128335B2 (en) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | GaN-based semiconductor substrate, manufacturing method thereof, and semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5128335B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109082634A (en) * | 2018-08-16 | 2018-12-25 | 广州本康环保科技有限公司 | A kind of mass thickness is 500-1000 μ g/cm2Self-supporting gallium film and preparation method thereof |
CN109136831A (en) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 广州本康环保科技有限公司 | A kind of mass thickness is 700-1400 μ g/cm2Self-supporting germanium film and preparation method thereof |
CN109136832A (en) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 广州本康环保科技有限公司 | A kind of mass thickness is 600-1200 μ g/cm2Self-supporting indium film and preparation method thereof |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5340984B2 (en) * | 2010-02-16 | 2013-11-13 | 日本電信電話株式会社 | Nitride semiconductor thin film growth method and nitride semiconductor ordered mixed crystal |
EP2824719A4 (en) * | 2012-07-23 | 2016-01-06 | Sino Nitride Semiconductor Co | Composite substrate with protective layer for preventing metal from diffusing |
KR20180044032A (en) | 2016-10-21 | 2018-05-02 | 삼성전자주식회사 | Methods of manufacturing a gallium nitride substrate |
JP7069584B2 (en) * | 2017-07-21 | 2022-05-18 | 住友電気工業株式会社 | Manufacturing method for board products |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661527A (en) * | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light-emitting element and its manufacture |
JP4131101B2 (en) * | 2001-11-28 | 2008-08-13 | 日亜化学工業株式会社 | Method of manufacturing nitride semiconductor device |
JP3924303B2 (en) * | 2005-05-09 | 2007-06-06 | ローム株式会社 | Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2007080896A (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor element |
WO2008029915A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and process for producing the same |
-
2008
- 2008-03-26 JP JP2008079722A patent/JP5128335B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109082634A (en) * | 2018-08-16 | 2018-12-25 | 广州本康环保科技有限公司 | A kind of mass thickness is 500-1000 μ g/cm2Self-supporting gallium film and preparation method thereof |
CN109136831A (en) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 广州本康环保科技有限公司 | A kind of mass thickness is 700-1400 μ g/cm2Self-supporting germanium film and preparation method thereof |
CN109136832A (en) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 广州本康环保科技有限公司 | A kind of mass thickness is 600-1200 μ g/cm2Self-supporting indium film and preparation method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009238803A (en) | 2009-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8470627B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor light emitting device | |
KR101212435B1 (en) | Semiconductor light emitting device, wafer, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing wafer | |
KR101010773B1 (en) | Zinc oxide compound semiconductor element | |
US10665753B2 (en) | Vertical-type ultraviolet light-emitting diode | |
WO2010125850A1 (en) | Method for fabricating wafer products and method for fabricating gallium nitride semiconductor photonic elements | |
WO2008041521A1 (en) | Light-emitting device | |
JP5128335B2 (en) | GaN-based semiconductor substrate, manufacturing method thereof, and semiconductor device | |
JP5979547B2 (en) | Epitaxial wafer and method for manufacturing the same | |
WO2008029915A1 (en) | Semiconductor light emitting device and process for producing the same | |
WO2015146069A1 (en) | Light emitting diode element | |
KR20090023672A (en) | Zno-based semiconductor element | |
JP2005268581A (en) | Gallium nitride family compound semiconductor light emitting device | |
JP3087829B2 (en) | Method for manufacturing nitride semiconductor device | |
JP2008118049A (en) | GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE | |
JP6840352B2 (en) | Semiconductor multilayer mirror, vertical resonator type light emitting element using this, and manufacturing method thereof | |
JP2005209925A (en) | Lamination semiconductor substrate | |
JP2010040692A (en) | Nitride based semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2008288532A (en) | Nitride semiconductor device | |
JP6945666B2 (en) | Semiconductor light emitting element and manufacturing method of semiconductor light emitting element | |
WO2006106928A1 (en) | Process for producing gallium nitride-based compound semiconductor laser element and gallium nitride-based compound semiconductor laser element | |
WO2008056632A1 (en) | GaN SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT | |
JP2008118048A (en) | GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE | |
WO2020090814A1 (en) | Substrate for semiconductor growth, semiconductor element, semiconductor light emitting element and method for producing substrate for semiconductor growth | |
JPH10256661A (en) | Nitride semiconductor element and its manufacture | |
JP4927606B2 (en) | Semiconductor light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120312 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121031 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |