JP5127785B2 - Imprint apparatus and imprint method - Google Patents
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Description
本発明は、インプリントリソグラフィを行うインプリント装置およびそれを用いたインプリント方法に関する。 The present invention relates to an imprint apparatus that performs imprint lithography and an imprint method using the same.
先端半導体製品の製造工程では、主に露光装置の解像力向上によって微細化が進められている。露光装置の解像力向上は、露光光の波長と投影レンズの高開口数(NA)によって決まり、波長は短いほど、NAは高いほど高い解像力が得られることが知られている。近年では波長193nmの深紫外線が用いられている。また、NAは1が大気中での理論的最高値であるが、さらに高いNAを得るために、投影レンズと処理基板の間を水で満たし、NAを1.35まで高めた液浸露光装置も実用化されている。現在、更なる微細化要求に応えるため、波長13.5nmの極端紫外線(EUV)を光源としたEUVリソグラフィが検討されている。 In the manufacturing process of advanced semiconductor products, miniaturization is being promoted mainly by improving the resolution of the exposure apparatus. The improvement in the resolution of the exposure apparatus is determined by the wavelength of the exposure light and the high numerical aperture (NA) of the projection lens. It is known that the shorter the wavelength and the higher the NA, the higher the resolution. In recent years, deep ultraviolet rays having a wavelength of 193 nm have been used. In addition, NA is 1 which is the theoretical maximum value in the atmosphere. In order to obtain a higher NA, an immersion exposure apparatus in which the space between the projection lens and the processing substrate is filled with water and the NA is increased to 1.35. Has also been put to practical use. Currently, EUV lithography using extreme ultraviolet rays (EUV) having a wavelength of 13.5 nm as a light source is being studied in order to meet further miniaturization requirements.
一方、次の微細パターン形成技術の1つとしてインプリントリソグラフィが注目されている(例えば、特許文献1乃至3)。インプリントリソグラフィとは、被処理基板上に光硬化性インプリント剤を塗布し、このインプリント剤と所望の凹凸パターンを有する透明のモールドを圧着する。この状態で、モールド側から光を照射してインプリント剤を固化し、モールドを離型して被処理基板上に所望のパターンを形成する微細パターン形成方法である。
On the other hand, imprint lithography has attracted attention as one of the next fine pattern formation techniques (for example,
光インプリントリソグラフィは、被処理基板上に光硬化性インプリント剤を塗布する工程と、この被処理基板と透光性のモールドとを位置合わせする工程(アライメント)と、光硬化性インプリント剤にモールドを接触させる工程と、この状態で光照射により光硬化性インプリント剤を硬化する工程と、硬化した光硬化性インプリント剤(レジストパターン)からモールドを離す工程(離型)とを含む。 Optical imprint lithography includes a step of applying a photocurable imprint agent on a substrate to be processed, a step of aligning the substrate to be processed and a translucent mold (alignment), and a photocurable imprint agent. A step of bringing the mold into contact with the substrate, a step of curing the photocurable imprint agent by light irradiation in this state, and a step of releasing the mold from the cured photocurable imprint agent (resist pattern) (release). .
インプリントリソグラフィは、アクチュエーターによりモールドの側面に力を加え、モールドのパターンを収縮(変形)させることでアライメントの微調整を行う。このとき、モールドに力が均等に加わっていない場合、モールドのパターンに対する力の加わり方が場所によって異なり、意図するパターンにならない。また、モールドに力を加えるため、インプリントを繰り返すうちにモールドが変形し、力の伝達の仕方が変わってしまう。このため、最初はモールドのパターンに均等に加わっていたはずの力がモールドのパターンのある領域に偏ることになる。これにより、モールドの寿命がそのモールドの変形が許容されるまでと制限される。 In imprint lithography, a force is applied to the side surface of a mold by an actuator, and the pattern of the mold is contracted (deformed) to finely adjust the alignment. At this time, if a force is not applied evenly to the mold, the manner in which the force is applied to the pattern of the mold varies depending on the location, and the intended pattern is not obtained. Further, since force is applied to the mold, the mold is deformed while imprinting is repeated, and the way of transmitting force is changed. For this reason, the force that should have been uniformly applied to the mold pattern at the beginning is biased to a certain area of the mold pattern. This limits the life of the mold until the mold is allowed to deform.
このように、モールドは力を加えて使用されるため、アライメントの精度向上、およびモールドの寿命を知るためにもモールド内の応力を測定する必要がある。しかし、モールド内の応力を測定することが困難であった。 Thus, since the mold is used with a force applied, it is necessary to measure the stress in the mold in order to improve alignment accuracy and know the life of the mold. However, it was difficult to measure the stress in the mold.
本発明は、インプリントリソグラフィにおいて、モールド内の応力測定を行うことができるインプリント装置およびインプリント方法を提供する。 The present invention provides an imprint apparatus and imprint method capable of measuring stress in a mold in imprint lithography.
本発明の第1の視点によるインプリント方法は、被処理基板上に転写されるパターンに対応した形状の凹凸パターンを有するモールドに第1の光を照射して、前記モールドの第1の画像情報を取得し、前記モールドに応力を印加し、前記モールドの凹凸パターンの位置を調整し、位置調整された前記モールドに第1の光を照射して、第2の画像情報を取得し、前記第1の画像情報と前記第2の画像情報とを比較することにより、位置調整された前記モールドの応力情報を測定し、前記測定結果が所望の条件を満たすまで前記位置調整を繰り返し、位置調整された前記モールドを用いて前記被処理基板上にパターンを形成する。 In the imprint method according to the first aspect of the present invention, the first image information of the mold is irradiated by irradiating a mold having a concavo-convex pattern having a shape corresponding to the pattern transferred onto the substrate to be processed. And applying stress to the mold, adjusting the position of the uneven pattern of the mold, irradiating the position-adjusted mold with first light, acquiring second image information, By comparing the image information of 1 and the second image information, the stress information of the position-adjusted mold is measured, and the position adjustment is repeated until the measurement result satisfies a desired condition. A pattern is formed on the substrate to be processed using the mold.
本発明の第2の視点によるインプリント装置は、被処理基板上に転写されるパターンに対応した形状の凹凸パターンを有するモールドに第1の光を照射して、前記モールドの第1の画像情報を取得する第1の取得手段と、前記モールドに応力を印加し、前記被処理基板の基準位置に前記モールドの凹凸パターンの位置を調整する調整手段と、位置調整された前記モールドに第1の光を照射して、第2の画像情報を取得する第2の取得手段と、を具備する。 An imprint apparatus according to a second aspect of the present invention irradiates a mold having a concavo-convex pattern having a shape corresponding to a pattern transferred onto a substrate to be processed with a first light, and first image information of the mold. First adjusting means for acquiring the stress, adjusting means for applying a stress to the mold to adjust the position of the concave / convex pattern of the mold to a reference position of the substrate to be processed, and a first adjustment to the position-adjusted mold. And second acquisition means for acquiring second image information by irradiating light.
本発明の第2の視点によるインプリント装置は、光源と、前記光源から照射される光を偏光する偏光子と、配置される凹凸パターンを有するモールドに圧力を加えて前記モールドの位置調整を行うアクチュエーターと、前記偏光子及び前記モールドを介して照射される前記光を受光する受光素子と、を具備する。 The imprint apparatus according to the second aspect of the present invention adjusts the position of the mold by applying pressure to a mold having a light source, a polarizer that polarizes light emitted from the light source, and an uneven pattern to be arranged. An actuator; and a light receiving element that receives the light irradiated through the polarizer and the mold.
本発明によれば、インプリントリソグラフィにおいて、モールド内の応力測定を行うことができるインプリント装置およびインプリント方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the imprint apparatus and the imprint method which can perform the stress measurement in a mold in imprint lithography can be provided.
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[第1の実施形態]
第1の実施形態は、モールドに光を透過させることにより、モールドの応力測定を行うインプリント装置およびインプリント方法の例である。
[First Embodiment]
The first embodiment is an example of an imprint apparatus and an imprint method for measuring the stress of a mold by transmitting light to the mold.
[インプリント装置]
図1は、本実施形態に係るインプリント装置の構成を概略的に示している。
[Imprint device]
FIG. 1 schematically shows a configuration of an imprint apparatus according to the present embodiment.
図1に示すように、本実施形態に係るインプリント装置は、偏光子4,4’、受光素子5、モニタ6、アクチュエーター7および光源10’で構成され、インプリント装置内にモールド1および被処理基板2が設置されている。この被処理基板2の表面上に、インプリント剤3が塗布されている。
As shown in FIG. 1, the imprint apparatus according to the present embodiment includes
光源10’の光軸内にモールド1が配置されている。偏光子4,4’、受光素子5はモールド1の応力測定時に光軸内に挿入され、測定後、光軸内から取り出される。応力測定時、モールド1は偏光子4と4’との間に位置され、受光素子5は偏光子4、モールド1、偏光子4’を透過した光を受ける。
A
すなわち、光源10’から照射された光10は、偏光子4を通り、偏光される。偏光子4により偏光された光10は、モールド1を透過する。このモールド1は、被処理基板2に転写されるパターンに対応した凹凸パターンを有し、モールド保持部材(図示せず)に保持されている。モールド1を透過した光10は、偏光子4’を通り、偏光される。偏光子4,4’は、それぞれ回転でき、任意の方位角で固定することができる。偏光子4’により偏光された光10は、受光素子5に受光される。偏光子4’および受光素子5は、モールド1と被処理基板2との間に位置している。
That is, the
受光素子5は例えば、イメージセンサのような光電変換セルが2次元に配置されたセンサにより構成されている。この受光素子5に受光された光10は、受光素子5に接続されたモニタ6により画像処理され、映像として映される。すなわち、光10は、モニタ6により可視化される。
For example, the
アクチュエーター7は、モールド1の側面に配置され、モールド1のアライメント(位置調整)の微調整を行う。すなわち、アクチュエーター7は、例えばピエゾ素子により構成され、モールド1の側面に圧力を加えてモールド1を収縮させることによりアライメントの微調整を行う。
The
被処理基板2は、モールド1の凹凸パターンに対応した位置に配置されている。この被処理基板2上に、インプリント剤3が塗布される。
The
図2は、本実施形態に係るインプリント装置の制御系のブロック図を示している。図2において、実線矢印は電気的信号の流れを示し、破線矢印は機械的な力を示している。 FIG. 2 is a block diagram of a control system of the imprint apparatus according to the present embodiment. In FIG. 2, a solid line arrow indicates the flow of an electric signal, and a broken line arrow indicates a mechanical force.
制御部20は、インプリント装置全体の動作を制御する。この制御部20には、受光素子5、光源10’、モニタ6、アクチュエーター7および駆動部30が接続されている。制御部20は、受光素子5に受光された光10に対応して光源10’、モニタ6、アクチュエーター7および駆動部30を制御する。
The
光源10’は、制御部20の制御に従い、照射方向、照射方法および照射時間を設定して光10を照射する。
The
モニタ6は、制御部20の制御に従い、受光素子5に受光された光10からモールド1の画像情報を表示する。
The
アクチュエーター7は、制御部20の制御に従い、モールド1のアライメントの微調整を行う。すなわち、アクチュエーター7は、モールド1の例えば平行する側面に圧力を印加し、モールド1を収縮させることによりアライメントの微調整を行う。
The
駆動部30は、制御部20の制御に従い、モールド1、偏光子4,4’および受光素子5を駆動させる。駆動部30は、応力測定時、偏光子4,4’および受光素子5を光源10’の光軸内に挿入し、測定終了後、これらを光軸外に移動させる。また、インプリント時、駆動部30はモールド1を駆動し、インプリント剤に接触させる。
The
[インプリント方法]
図3は、本実施形態に係るインプリント装置を用いたインプリント方法のフローチャートを示している。以下に、図3を用いて、本実施形態に係るインプリント装置を用いたインプリント方法について説明する。
[Imprint method]
FIG. 3 shows a flowchart of an imprint method using the imprint apparatus according to the present embodiment. The imprint method using the imprint apparatus according to this embodiment will be described below with reference to FIG.
まず、モールド1がインプリント装置に搭載され、モールド保持部材に保持される。次に、被処理基板2がインプリント装置に搭載され、モールド1の凹凸パターンに対応した位置に配置される(ステップS1)。
First, the
次に、偏光子4,4’および受光素子5が図1に示すように、インプリント装置に挿入される(ステップS2)。
Next, the
次に、光源10’により光10が照射される(ステップS3)。この光10は、インプリント剤3を硬化する波長の光、あるいはインプリント剤3を硬化する波長以外の光でもよい。光10がインプリント剤3を硬化する波長の光である場合、後に行われるアライメント中にインプリント剤が硬化しないようにするために、アライメント後にインプリント剤3が被処理基板2上に塗布されることが望ましい。光10は、上部側から偏光子4、モールド1および偏光子4’を通り、受光素子5に受光される。このとき、偏光子4,4’は、任意の明るさになるように回転して方位角が合わせられる。
Next, the light 10 is irradiated by the light source 10 '(step S3). The light 10 may be light having a wavelength for curing the
次に、受光素子5により得たモールド1の第1の画像情報が、モニタ6により表示されるとともに、制御部20内の図示せぬメモリに、この第1の画像情報が保存される(ステップS4)。このモールド1の第1の画像情報は、モールド1に圧力が掛かっていない状態の映像である。
Next, the first image information of the
次に、偏光子4,4’の設定を保持した状態で、偏光子4,4’および受光素子5がインプリント装置から取り出され、モールド1の被処理基板2に対するアライメントが行われる(ステップS5)。このアライメントは、例えば被処理基板2上の基準位置を示す図示せぬアライメントマークを基準に行わる。この後、被処理基板2に形成された下地パターンを基準として凹凸パターンの位置が微調整される。この微調整は、モールド1の例えば平行する側面にアクチュエーター7により力を印加し、モールド1を変形させることで行われる。
Next, with the settings of the
次に、再び偏光子4,4’および受光素子5がインプリント装置に挿入される。ここで、偏光子4,4’の設定は、ステップS4と同様である。この状態において、光源10’から光10が照射され、アクチュエーター7により力が掛けられたモールド1を通過した光10が受光素子5に受光される。受光素子5により、力が掛けられたモールド1の第2の画像情報が、モニタ6により表示されるとともに、メモリに記憶される(ステップS6)。
Next, the
次に、ステップS4で保存された第1の画像情報とステップS6で取得された第2の画像情報との差から、応力情報を求める。すなわち、制御部20は、第1の画像情報と第2の画像情報とを比較することにより、アクチュエーター7により力が掛けられたモールド1の応力情報を取得する(ステップS7)。
Next, stress information is obtained from the difference between the first image information stored in step S4 and the second image information acquired in step S6. That is, the
次に、ステップS7で得られたモールド1の応力情報から、モールド1内部における凹凸パターンにおいて応力が均等に生じているか否かの応力測定が行われる(ステップS8)。この応力測定の原理については、後述する。
Next, from the stress information of the
次に、ステップS8において、モールド1における凹凸パターンの一部に応力が偏っている場合、ステップS5に戻る。すなわち、再び偏光子4,4’および受光素子5が取り出され、モールド1に対してアライメントのアクチュエーター7による微調整が行われる。つまり、凹凸パターンにおける応力が偏らないように、アライメントが微調整される。
Next, when the stress is biased to a part of the uneven pattern in the
また、ステップS8において、モールド1における凹凸パターンに応力が均等に生じている場合、被処理基板2にインプリント剤3が塗布される(ステップS9)。尚、上述した光10がインプリント剤3を硬化する波長以外の光である場合、ステップS1において被処理基板2にインプリント剤3が塗布されていてもよい。
In step S8, if the uneven pattern in the
次に、モールド1における凹凸パターンとインプリント剤3とを接触させる。その後、凹凸パターン内にインプリント剤3が充填した状態で、インプリント剤3を硬化する光が照射される(ステップS10)。
Next, the uneven pattern in the
このようにして、本実施形態に係るインプリント方法が行われる。 In this way, the imprint method according to the present embodiment is performed.
[応力測定の原理]
図4および図5は、本実施形態に係るインプリント方法における応力測定の原理を示している。
[Principle of stress measurement]
4 and 5 show the principle of stress measurement in the imprint method according to this embodiment.
図4は、本実施形態に係るインプリント方法において、偏光子を通過する光の変化を示している。図4において、偏光子4はX方向に光10を偏光させ、偏光子4’はY方向に光10を偏光させる性質を持つ。
FIG. 4 shows changes in light passing through the polarizer in the imprint method according to the present embodiment. In FIG. 4, the
図4に示すように、光源10’から照射された光10は、X方向およびY方向の2方向の成分で表わされ、これを光10a(例えばX=5、Y=5、光の強度I=X2+Y2=50)とする。まず、光10aは、偏光子4を通る。これにより、光10aは、X方向に偏光されて光10b(例えばX=5、Y=0、I=25)に変化する。この光10bは、光10aのX方向の成分と同じ大きさである。
As shown in FIG. 4, the light 10 emitted from the
次に、光10bは、モールド1を通る。これにより、光10bは、モールド1の偏光特性に応じて、任意の方向に偏光されて光10cに変化する。この光10cの強度Iは、光10bの強度Iと同じ大きさである。すなわち、光10cは、X方向およびY方向の2方向の成分で光10c’(例えばX=3、Y=4、I=25)と表わされる。
Next, the light 10 b passes through the
次に、光10c’は、偏光子4’を通る。これにより、光10c’は、Y方向に偏光されて光10d(例えばX=0、Y=4、I=16)に変化する。この光10dは、光10c’のY方向の成分と同じ大きさである。 Next, the light 10c 'passes through the polarizer 4'. As a result, the light 10c ′ is polarized in the Y direction and changed to light 10d (for example, X = 0, Y = 4, I = 16). The light 10d has the same size as the component in the Y direction of the light 10c '.
偏光子4’を透過した光10dは、受光素子5に受けられる。この光10dは、モールド1の偏光特性を反映した光である。すなわち、受光素子5は、受けた光10dの強度Iにより光10dを画像処理し、モールド1の画像情報を取得することができる。尚、偏光子4,4’の方位角は、それぞれ垂直方向に限らず、受光素子5が光10dの強度Iを画像処理しやすいように、モールド1の偏光特性に応じて適宜調節される。
The light 10 d transmitted through the
上記偏光子4,4’を用いることで、ステップS4における圧力が掛けられていないモールド1の第1の画像情報およびステップS6における圧力が掛けられたモールド1の第2の画像情報を取得することができる。モールド1に圧力を掛けた場合、モールド1に応力複屈折が生じる。このため、モールド1に光10を透過させて画像情報を取得すると、圧力が掛けられていないモールド1の第1の画像情報と、圧力が掛けられたモールド1の第2の画像情報とが異なる。これら第1の画像情報と第2の画像情報との違いにより、ステップS7における圧力が掛けられたモールド1の応力情報が取得される。
By using the
図5(a)および(b)は、本実施形態に係るインプリント方法において、モールド1の応力情報の一例を示している。
5A and 5B show an example of stress information of the
図5(a)および(b)に示すように、モールド1の中央部には、凹凸パターン1’が形成されている。モールド1の端部には、アライメントの微調整において、アクチュエーター(図示せず)により圧力が掛けられることで、応力に対応する干渉縞40が生じている。この場合、モールド1の平行する2つの側面それぞれに3個のアクチュエーターが設けられ、合計6個のアクチュエーターでアライメントの微調整を行っている例を示している。
As shown in FIGS. 5A and 5B, an
ステップS8における応力測定において、図5(a)はアライメントの微調整による応力がモールド1の凹凸パターン1’に対して均等に生じている場合であり、図5(b)はアライメントの微調整による応力がモールド1の凹凸パターン1’の一部に偏って掛かっている場合である。このように、凹凸パターン1’の一部に応力が偏って掛かっている場合、再びアライメントのアクチュエーターによる微調整が行われる(ステップS5)。この微調整において、制御部20は、第1の画像情報と第2の画像情報とからモールド1における凹凸パターン1’部分の差分がなくなるように、または凹凸パターン1’部分に差分があっても凹凸パターン1’全体が均等に変化するように、アクチュエーターを制御する。すなわち、制御部20は、干渉縞40が凹凸パターン1’部分に生じないように、アクチュエーターを制御する。一方、凹凸パターン1’に応力が均等に生じている場合、インプリント工程(ステップS9、ステップS10)が行われる。
In the stress measurement in step S8, FIG. 5A shows the case where the stress due to the fine adjustment of the alignment is evenly generated with respect to the concave-
上述した応力測定の原理は、後述する各実施形態にも応用することができる。 The principle of stress measurement described above can also be applied to each embodiment described later.
[効果]
上記第1の実施形態によれば、偏光子4,4’および受光素子5を用いてモールド1を透過した光10を検出することにより、圧力が掛かっていないモールド1の第1の画像情報と、アライメント時に圧力が掛けられたモールド1の第2の画像情報とを取得し、これら画像情報を比較することにより、アライメント時のモールド1に掛かる応力を測定することが可能になる。これにより、力がモールド1の凹凸パターンの面内で偏らないようにアライメントを調整することができる。したがって、アライメント時の精度を向上することが可能となる。
[effect]
According to the first embodiment, by detecting the light 10 that has passed through the
また、モールド1の凹凸パターンに均等に力を掛けながら微調整を行っても、インプリントを繰り返すうちに凹凸パターンが変形してしまう。このため、モールドの寿命は、そのモールドの変形が許容されるまでと制限されていた。しかし、変形したモールド1の応力測定を行いながらアライメントをすることで、変形したモールド1を用いても、精度の高いパターン形成をすることができる。したがって、モールド1の寿命を延ばすことができる。
Even if fine adjustment is performed while applying an even force to the uneven pattern of the
[第2の実施形態]
第1の実施形態は偏光子4’および受光素子5を光源10’からの直接光の光軸内に設けた。これに対して、第2の実施形態では、偏光子および受光素子は、モールドまたは被処理基板からの反射光の光軸内に設けられている。すなわち、第2の実施形態は、光をモールドおよびインプリント剤に垂直に入射させ、これらからの反射光を受光することにより、モールドの応力測定、および硬化するインプリント剤の応力測定を行うインプリント装置およびインプリント方法の例である。尚、ここでは、上記第1の実施形態と同様の点については説明を省略し、異なる点について詳説する。
[Second Embodiment]
In the first embodiment, the
[インプリント装置]
図6および図7は、本実施形態に係るインプリント装置の構成図を概略的に示している。図6はアライメント時におけるモールドの応力測定を示し、図7はインプリント時におけるインプリント剤の応力測定を示している。
[Imprint device]
6 and 7 schematically show the configuration of the imprint apparatus according to the present embodiment. FIG. 6 shows the stress measurement of the mold during alignment, and FIG. 7 shows the stress measurement of the imprinting agent during imprinting.
図6および図7に示すように、本実施形態に係るインプリント装置において、偏光子4とモールド1との間に、ビームスプリッタ8が設けられている。このビームスプリッタ8の側部に偏光子4’および受光素子5が設けられている。このため、モールド1と被処理基板2との間に、偏光子4’および受光素子5が存在しない。偏光子4,4’、受光素子5およびビームスプリッタ8は、図2に示す駆動部30により駆動される。
As shown in FIGS. 6 and 7, in the imprint apparatus according to this embodiment, a
このビームスプリッタ8は、光源10’から照射され、偏光子4を通った光10を透過する。ビームスプリッタ8を透過した光10は、モールド1またはインプリント剤3に垂直に入射し、モールド1またはインプリント剤3で反射された光10は、ビームスプリッタ8で反射される。ビームスプリッタ8で反射された光10は、偏光子4’を通り、受光素子5に受光される。
The
[インプリント方法]
図8は、本実施形態に係るインプリント装置を用いたインプリント方法のフローチャートを示している。
[Imprint method]
FIG. 8 shows a flowchart of an imprint method using the imprint apparatus according to this embodiment.
[モールドの応力測定]
以下に、図8を参照して、図6に示すモールド1の応力測定について説明する。
[Measurement of mold stress]
Below, with reference to FIG. 8, the stress measurement of the
まず、モールド1および被処理基板2がインプリント装置に搭載される(ステップS1)。モールド1は、被処理基板2の上方の離れた位置に配置される。
First, the
次に、偏光子4,4’、受光素子5およびビームスプリッタ8が図6に示す位置に挿入される(ステップS2)。
Next, the
次に、光源10’から第1の光10が照射される(ステップS3)。この第1の光10は、インプリント剤3を硬化する波長以外の光、あるいはインプリント剤3を硬化する波長以外の光でもよい。第1の光10は、偏光子4およびビームスプリッタ8を通り、モールド1で反射される。モールド1で反射された第1の光10は、ビームスプリッタ8で反射され、偏光子4’を通り、受光素子5で受光される。受光素子5により受光された第1の光10からモールド1の第1の画像情報が得られる。この第1の画像情報は、モニタ6により表示され、メモリに保存される(ステップS4)。
Next, the
次に、モールド1の被処理基板2に対するアライメントが行われる(ステップS5)。すなわち、モールド1の側面にアクチュエーターにより力が掛けられる。このとき、本実施形態ではモールド1と被処理基板2との間に遮蔽物としての偏光子4’および受光素子5がないため、第1の実施形態のようにこれらを光軸外に移動させる必要がない。
Next, alignment with respect to the to-
次に、力が掛けられたモールド1に光源10’から第1の光10が照射され、モールド1により反射された第1の光10が偏光子4’を介して受光素子5で受光され、モールド1の第2の画像情報が得られる。この第2の画像情報は、モニタ6により表示され、メモリに保存される(ステップS6)。
Next, the
次に、第1の実施形態と同様に、第1の画像情報と第2の画像情報とを比較することにより、アクチュエーターにより力が掛けられたモールド1の応力情報が取得される(ステップS7)。
Next, as in the first embodiment, by comparing the first image information and the second image information, the stress information of the
次に、ステップS7で得られたモールド1の応力情報から、モールド1内部における凹凸パターンにおいて応力が均等に生じているか否かの応力測定が行われる(ステップS8)。
Next, from the stress information of the
次に、ステップS8において、モールド1の凹凸パターンの一部に応力が偏って掛かっている場合、ステップS5に戻る。これにより、凹凸パターンに対して応力が偏らないように、アクチュエーターによる微調整が行われる。
Next, in step S8, when the stress is applied to a part of the uneven pattern of the
また、ステップS8において、モールド1における凹凸パターンに対して応力が均等に生じている場合、モールド1の応力測定が完了され、被処理基板2にインプリント剤3が塗布される(ステップS9)。尚、上述した光10がインプリント剤3を硬化する波長以外の光である場合、ステップS1において被処理基板2にインプリント剤3が塗布されていてもよい。
In step S8, when stress is evenly generated on the uneven pattern in the
[インプリント剤の応力測定]
上記のようにモールド1に対する応力測定が完了後、インプリントが実行される。以下に、図8を参照して、図7に示すインプリント剤3の応力測定について説明する。
[Measurement of stress of imprinting agent]
Imprinting is performed after the stress measurement on the
まず、モールド1が移動され、モールド1の凹凸パターンがインプリント剤3に接触される。この状態において、凹凸パターン内にインプリント剤3が充填される(ステップS11)。このとき、インプリント剤3は液体であるため、インプリント剤3に応力は生じない。
First, the
次に、上部側から第2の光11が照射される(ステップS12)。この第2の光11は、インプリント剤3を硬化する波長の光である。これにより、インプリント剤3は硬化し始め、インプリント剤3の応力が変化し始める。
Next, the
次に、硬化するインプリント剤3で反射した第2の光11から得られるインプリント剤3の第3の画像情報が受光素子5により取得され、モニタ6により表示される(ステップS13)。この第3の画像情報は、インプリント剤3が硬化する間、連続的にモニタ6により表示される。
Next, the third image information of the
次に、第3の画像情報により、硬化するインプリント剤3の応力情報が取得される(ステップS14)。この硬化するインプリント剤3の応力情報は、第3の画像情報を連続的に取得することにより、連続的に取得される。すなわち、受光素子5は、連続的にインプリント剤3からの反射光を受光し、第3の画像情報を例えば一定のタイミングで連続的に出力する。
Next, the stress information of the
次に、連続的に取得されるインプリント剤3の応力情報の変化に基づき、インプリント剤3の応力が測定される(ステップS15)。この連続的に取得されたインプリント剤3における応力情報の変化の様子から、凹凸パターンや時間によりインプリント剤3が硬化しやすい部分としにくい部分とを判断する。すなわち、応力の変化率が大きい部分は硬化しやすい部分であり、変化率の小さい部分は硬化しにくい部分であると判断できる。この結果より、2回目以降のインプリント剤3の硬化時における第2の光11の照射条件を決定することができる。すなわち、第2の光11の照射方向、照射方法および照射時間などを変えることができる場合、インプリント剤3が硬化しやすい部分は、第2の光11の例えば照射時間を短くし、硬化しにくい部分は、第2の光11の照射時間が長く設定することができる。これにより、インプリント剤3の硬化時間を短縮することが可能である。
Next, the stress of the
次に、ステップS15におけるインプリント剤3の応力測定を続け、インプリント剤3の硬化完了状態を確認する(ステップS16)。このインプリント剤3の硬化は、図9(a)乃至(c)に示す連続的に取得される応力情報により、確認することができる。
Next, the stress measurement of the
図9(a)は、硬化前のインプリント剤3およびモールド1の応力情報の一例である。図9(b)は、硬化中のインプリント剤3およびモールド1の応力情報の一例である。このとき、この応力情報(干渉縞の状態)は、急激に変化している。図9(c)は、硬化が終了したインプリント剤3およびモールド1の応力情報の一例である。この応力情報の変化に基づき、インプリント剤3の硬化状況を測定することができる。この測定された硬化状況に基づき、インプリント剤3の硬化完了を知ることができる。すなわち、例えば応力情報の変化率が一定値以下に小さくなって、安定した状態となった場合、インプリント剤3の硬化が完了したものと判断することができる。
FIG. 9A is an example of stress information of the
[効果]
上記第2の実施形態によれば、ビームスプリッタ8を用いることにより、モールド1や被処理基板2からの反射光を受ける受光素子5および偏光子4’をモールド1に対して、光源10’側に設けることができる。このため、モールド1のアライメント時の応力を偏光子4,4’および受光素子5を移動することなく測定することができる。したがって、第1の実施形態と同様の効果が得られる。
[effect]
According to the second embodiment, by using the
また、モールド1と被処理基板2との間に偏光子4’および受光素子5が介在しないため、モールド1とインプリント剤3とを接触させた後、インプリント剤3で反射させた第2の光11を検出することにより、硬化するインプリント剤3の第3の画像情報を連続的に取得することができる。これにより、硬化中のインプリント剤3の応力を測定することが可能になる。したがって、凹凸パターンや時間によってインプリント剤3が硬化しやすい場所としにくい場所とを判断することができ、2回目以降のインプリント剤3の硬化時における照射方向、照射方法および照射時間などの照射条件を決定することができる。
In addition, since the
さらに、硬化中のインプリント剤3の応力情報を連続的に取得し、インプリント剤3の応力情報の変化の様子を観察することにより、インプリント剤3の硬化完了のタイミングを知ることができる。したがって、過剰な光照射を回避でき、インプリントの精度を向上できるとともに、処理時間の短縮を図ることができる。
Furthermore, the timing of completion of curing of the
[第3の実施形態]
第3の実施形態は、第2の実施形態の変形例であり、モールドの応力測定と、硬化するインプリント剤の応力測定とにおいて、モールドおよび被処理基板に対する光の照射角度が第2の実施形態と相違している。
[Third Embodiment]
The third embodiment is a modification of the second embodiment, and in the measurement of the stress of the mold and the measurement of the stress of the imprint agent to be cured, the irradiation angle of light with respect to the mold and the substrate to be processed is the second implementation. It is different from the form.
[インプリント装置]
図10および図11は、第3の実施形態に係るインプリント装置の構成を概略的に示している。図10はアライメント時におけるモールドの応力測定を示し、図11はインプリント時におけるインプリント剤の応力測定を示している。
[Imprint device]
10 and 11 schematically show the configuration of the imprint apparatus according to the third embodiment. FIG. 10 shows the stress measurement of the mold during alignment, and FIG. 11 shows the stress measurement of the imprint agent during imprinting.
図10および図11に示すように、アライメント時の光源10’および偏光子4はモールド1に垂直な線(法線)対して例えば45°傾斜した位置に配置され、偏光子4’および受光素子5は法線に対して光源10’と偏光子4と対象な位置に配置されている。また、インプリント時の光源11は法線上に配置されている。このように、本実施形態に係るインプリント装置は、インプリント剤を硬化する波長以外の光10とインプリント剤を硬化する光11が、それぞれ別の方向からモールド1およびインプリント剤3に入射される。
As shown in FIGS. 10 and 11, the
光源10’から照射された光10は、インプリント剤3を硬化する波長以外の光である。この光10は、偏光子4を通り、モールド1またはインプリント剤3に入射される。
The light 10 emitted from the
モールド1またはインプリント剤3で反射された光10は、偏光子4’を通り、受光素子5で受光される。
The light 10 reflected by the
また、図11に示すように、インプリント剤3の応力測定を行うときは、光10と同時に光源11’から光11が照射される。この光源11’から照射された光11は、インプリント剤3を硬化する波長の光である。この光11は、モールド1またはインプリント剤3に垂直に入射される。
As shown in FIG. 11, when measuring the stress of the
[インプリント方法]
本実施形態に係るインプリント方法は、第2の実施形態と同様に、モールド1の応力測定およびインプリント剤3の応力測定が行われる。
[Imprint method]
In the imprint method according to the present embodiment, the stress measurement of the
本実施形態に係るインプリント方法において、第2の実施形態と異なる点は、インプリント剤3の応力測定のときに、第1の光10と第2の光11が、それぞれ別の方向からモールド1およびインプリント剤3に入射される点である。すなわち、第2の光11を垂直に入射させることで、インプリント剤3を硬化し、同時に第1の光10を別の方向から入射させることで、硬化中のインプリント剤3の画像情報を取得する。
In the imprint method according to the present embodiment, the difference from the second embodiment is that when the stress of the
[効果]
上記第3の実施形態によれば、光源10’および偏光子4と、偏光子4’および受光素子5とをモールド1表面に垂直な法線に対して対称に配置している。このため、第2の実施形態のように、ビームスプリッタ8を用いることなく、モールド1やインプリント剤3から反射される光を受光素子5で受けることができ、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
[effect]
According to the third embodiment, the
さらに、本実施形態は、ビームスプリッタ8が不要であるため、インプリント装置のコスト低減を図ることができる。
Furthermore, since this embodiment does not require the
また、インプリント剤3を硬化する第2の光11は、透過物を通ることなく垂直方向から直接モールド8およびインプリント剤3に入射される。これにより、第2の光11の強度は弱まることなく、インプリント剤3に入射され、硬化速度を早くすることができる。 その他、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
Further, the
1…モールド、2…被処理基板、3…インプリント剤、4,4’…偏光子、5…受光素子、7…アクチュエーター、10,11…光、10’,11’…光源、20…制御部、30…駆動部。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記モールドに応力を印加し、前記モールドの凹凸パターンの位置を調整し、
位置調整された前記モールドに第1の光を照射して、第2の画像情報を取得し、
前記第1の画像情報と前記第2の画像情報とを比較することにより、位置調整された前記モールドの応力情報を測定し、
前記測定結果が所望の条件を満たすまで前記位置調整を繰り返し、位置調整された前記モールドを用いて前記被処理基板上にパターンを形成する
ことを特徴とするインプリント方法。 Irradiating a mold having a concavo-convex pattern having a shape corresponding to a pattern transferred onto a substrate to be processed to obtain first image information of the mold,
Apply stress to the mold, adjust the position of the concave and convex pattern of the mold,
Irradiating the mold with the first light to obtain the second image information,
By measuring the stress information of the position-adjusted mold by comparing the first image information and the second image information,
The imprint method, wherein the position adjustment is repeated until the measurement result satisfies a desired condition, and a pattern is formed on the substrate to be processed using the position-adjusted mold.
前記インプリント剤に前記インプリント剤を硬化させる第2の光を照射し、
前記インプリント剤に反射した前記第2の光を受光して、硬化する前記インプリント剤の第3の画像情報を連続的に取得し、
前記第3の画像情報により、前記インプリント剤の応力情報を測定する
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。 The mold whose position is adjusted is brought into contact with the imprint agent applied on the substrate to be processed,
Irradiating the imprint agent with a second light for curing the imprint agent;
Receiving the second light reflected by the imprint agent, and continuously obtaining third image information of the imprint agent to be cured;
The imprint method according to claim 1, wherein stress information of the imprint agent is measured based on the third image information.
前記モールドに応力を印加し、前記被処理基板の基準位置に前記モールドの凹凸パターンの位置を調整する調整手段と、
位置調整された前記モールドに第1の光を照射して、第2の画像情報を取得する第2の取得手段と、
を具備することを特徴とするインプリント装置。 First acquisition means for irradiating a mold having a concavo-convex pattern having a shape corresponding to a pattern transferred onto a substrate to be processed to acquire first image information of the mold;
Adjusting means for applying stress to the mold and adjusting the position of the concave-convex pattern of the mold to a reference position of the substrate to be processed;
Irradiating the position-adjusted mold with a first light to acquire second image information; and
An imprint apparatus comprising:
前記光源から照射される光を偏光する第1偏光子と、
配置される凹凸パターンを有するモールドに圧力を加えて前記モールドの位置調整を行うアクチュエーターと、
前記第1偏光子および前記モールドを介して照射される光を偏光する第2偏光子と、
前記第1偏光子、前記モールド及び前記第2偏光子を介して照射される光を受光する受光素子と、
を具備することを特徴とするインプリント装置。 A light source;
A first polarizer that polarizes light emitted from the light source;
An actuator for adjusting the position of the mold by applying pressure to the mold having the uneven pattern to be arranged;
A second polarizer that polarizes light irradiated through the first polarizer and the mold;
A light receiving element that receives light irradiated through the first polarizer, the mold, and the second polarizer;
An imprint apparatus comprising:
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